KR100232545B1 - 액정표시소자 - Google Patents

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KR100232545B1
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구본준
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Abstract

본 발명의 액정표시소자는 유리로 이루어진 서로 평행하는 제1기판 및 제2기판과, 제1기판 안쪽에 매트릭스형상으로 형성되어 화소영역을 정의하는 복수의 제1주사선 및 신호선과, 화소영역내의 제1주사선과 신호선이 교차하는 지점에 형성된 비선형 스위칭소자인 박막트랜지스터와, 화소영역내에 형성된 화소전극과, 제1주사선과 신호선의 둘레를 따라 형성되어 제1주사선의 길이 방향을 따라 형성되어 제1주사선과 전기적으로 접속되는 제2주사선과, 제2기판 안쪽에 형성된 컬러필터층과, 컬러필터층위에 형성된 투명전극과, 제1기판 및 제2기판 사이에 형성된 액정층으로 구성된다. 제2주사선과 제2주사선은 컨택트홀을 통해 전기적으로 접속되며, 신호선을 따라 그 둘레에 형성된 제2주사선은 연결부를 통해 서로 전기적으로 접속된다.

Description

액정표시소자
제1도는 종래 액정표시소자를 나타내는 도면으로,
제1(a)도는 액정표시소자의 부분 평면도이고,
제1(b)도는 제1(a)도의 A-A′선 단면도이며,
제1(c)도는 제1(a)도의 B-B′선 단면도.
제2도는 본 발명의 실시예 1에 따른 액정표시소자를 나타내는 도면으로,
제2(a)도는 액정표시소자의 부분평면도이고,
제2(b)도는 제2(a)도의 C-C′선 단면도이며,
제2(c)도는 제2(a)도의 D-D′선 단면도.
제3도는 본 발명의 실시예 2에 따른 액정표시소자를 나타내는 도면으로,
제3(a)도는 액정표시소자의 부분 평면도이고,
제3(b)도는 제3(a)도의 E-E′선 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
101,201 : 제1주사선 102,202 : 절연층
104,204 : 화소전극 105a,205a : 신호선
105b,205b : 소오스/드레인전극 106,206,122,222 : 보호층
110,210 : 제2주사선 121,221 : 컬러필터층
123,223 : 투명전극 130,230 : 컨택트홀
131,231 : 연결부 150,250 : 제1기판
151,251 : 제2기판 160,260 : 액정층
본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로, 특히 2중으로 형성된 주사선의 상층 주사선을 스토리지 커패시터용 전극으로 사용하여 캐패시턴스가 증가되고 개구율이 향상된 링타입 커패시터가 형성된 액정표시소자에 관한 것이다.
일반적으로 액정표시소자(LCD)로서 주로 사용되는 액티브매트릭스 액정표시소자(Active Matrix LCD)는 각 화소에 비선형 스위칭소자인 박막트랜지스터(TFT)가 형성되어 있다. 이 TFT는 금속으로 이루어진 주사선(gate bus line) 및 신호선(data bus line)을 통해 게이트구동회로(gate driving circuit) 및 데이타구동회로(data driving circuit)에 연결되어, 상기한 게이트구동회로에서 주사선에 전압이 인가되면, TFT가 턴온되어 데이타구동회로에서 신호선에 인가되는 신호가 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어진 화소전극에 인가되어, 액정패널에 주입된 액정분자가 작동하여 원하는 화상을 얻게 된다. 그런데, 상기한 바와 같은 AMLCD에서는 액정에 인가되는 전압이 불안정하게 되어 계조표시(grey level)가 균일하게 되지 않고 화면이 깜박거리는 현상이 발생하였다.
이러한 문제를 해결하기 위해 여러가지 방법이 제공되고 있지만, 현재 가장 많이 이용되고 있는 방법이 액정패널의 각 화소에 스토리지 커패시터(storage capacitor)를 형성하여 액정에 인가되는 전압을 안정화시키는 방법이다. 가장 일반적인 형태의 스토리지 커패시터방식이 스토리지 온 게이트(storage on gate)방식과 스토리지 온 컴온(storage on commone)방식이다. 스토리지 온 게이트방식에서는 스토리지 커패시터용 전극을 주사선에서 돌출된 불투명금속을 사용하는 것이고, 스토리지 온 컴온방식에서는 불투명금속으로 이루어진 스토리지 커패시터용 전극을 각 화소영역에 형성하여 공통전극과 접속하는 것이다. 그러나, 상기한 바와 같은 액정표시소자에서는 스토리지 커패시터용 전극이 화소영역내에 형성되기 때문에, 그 넓이에 비례하는 만큼 개구율이 저하되는 문제가 있었다.
이러한 문제를 해결하기 위해 링타입 스토리지 커패시터가 형성된 액정표시소자가 한국특허 91-15530에 개시되어 있다. 제1도는 상기한 특허에 개시된 스토리지 커패시터가 형성된 액정표시소자를 나타내는 도면이다. 상기한 특허에 의하면, 스토리지 커패시터용 전극(10)은 제1(a)도에 나타낸 바와 같이 화소전극(4)을 둘러싼 형태로 형성되어 있다. 도면에는 비록 단일 화소영역만이 표현되어 있지만, 그 완전한 형태는 복수의 주사선(gate bus line; 1)과 복수의 신호선(data bus line; 5a)이 매트릭스형상으로 형성되어 서로 인접하는 두개의 주사선(1)과 신호선(5a)에 의해 화소영역이 특정지어진다. TFT는 화소영역의 주사선(1)과 신호선(5a)이 교차하는 지점에 형성되며, 게이트전극(G)은 주사선(1)에 접속되고 소오스/드레인전극(5b)은 신호선(5a)에 접속되며, 게이트전극(G)과 소오스/드레인전극(5b) 사이에는 활성층(3)이 형성되어 있다. 스토리지 커패시터용 전극(10)은 주사선(1) 및 신호선(5a)을 따라 그 양옆에 상기한 주사선(1) 및 신호선(5b)을 둘러싸도록 링(ring)형상으로 형성되며, 투명한 화소전극(4)은 각 화소영역내에 형성된다. 이 스토리지 커패시터용 전극(10)과 화소전극(4)이 서로 오버랩되어, 그 사이에 커패시턴스가 형성된다.
주사선(1), 신호선(5a), TFT, 스토리지 커패시터용 전극(10)은 제1(b)도에 나타낸 바와 같이, 투명한 유리로 만들어진 제1기판(50) 안쪽에 형성된다. 블랙매트릭스(20)는 일반적인 포토에칭(photoetching)에 의해 주사선(1) 및 신호선(5a)을 덮도록 제2기판(51)에 형성되어 화소영역의 일정한 개구면을 한정한다.
제1기판(50)에는 불투명금속을 일반적인 포토에칭에 의해 패터닝된 스토리지 커패시터용 전극(10)이 형성되며, 이어서 절연층(2) 및 신호선(5a)이 형성된다. 신호선(5a) 역시 일반적인 식각공정에 의해 형성되어, 스토리지 커패시터용 전극(10)이 상기한 신호선(5a)을 따라 그 양옆에 형성되는 형상으로 되어 있다. 상기한 절연층(2) 위에는 스토리지 커패시터용 전극(10)과 일부 겹치도록 화소전극(4)이 형성되어 커패시턴스가 형성되며, 그 위에 보호층(6)이 형성된다.
제2기판(51)에는 신호선(5a)의 둘레를 따라 형성되어 있는 스토리지 커패시터보다 넓은 폭의 블랙매트릭스(20)가 형성되어 상기한 신호선(5a) 및 스토리지를 완전히 덮고 있으며, 그 위에 컬러필터층(21)이 형성된다. 또한, 상기한 블랙매트릭스(20)는 화소영역까지 침범하여 화소전극의 일부를 덮고 있기 때문에, 결국 화소영역의 개구면은 상기한 블랙매트릭스에 의해 정의된다. 이어서, 상기한 컬러필터층(21) 위에 보호층(22) 및 투명전극(23)이 차례로 형성되며, 상기한 제1기판(50)과 제2기판(51) 사이에 액정이 주입되어 액정층이 형성된다.
상기한 구조의 액정표시소자에서는 스토리지 커패시터용 전극(10)이 주사선(1) 및 신호선(5a)을 따라 링타입으로 형성되어 화소전극의 일부분을 덮고 있기 때문에, 화소영역에 스토리지가 형성되던 스토리지 온 컴온 방식이나 스토리지 온 게이트 방식에 비해 개구율이 향상된다. 더우기, 주사선과 신호선 둘레에 형성되는 스토리지 커패시터용 전극이 부가적인 블랙매트릭스 역할을 하므로 종래의 액정표시소자에 비해서 콘트라스트비(contrast ratio)가 향상되는 장점도 있었다.
그러나, 상기한 액정표시소자에서는, 제1(c)도에 나타낸 바와 같이 주사선(1) 및 게이트전극(G)과 스토리지 커패시터용 전극(10)이 동일한 평면상에 형성되기 때문에, 주사선(1)과 스토리지 커패시터용 전극(10)이 서로 단락되는 문제가 있었다. 더우기, 스토리지 커패시터용 전극(10)과 화소전극(4)이 오버랩되어 커패시턴스가 증가하기 때문에, 신호의 지연을 방지하기 위해 주사선의 단면을 대면적으로 할 경우, 상기한 주사선(1)의 높이가 높아지게 된다. 따라서, 상기한 주사선(1) 위에 형성되는 절연층(2)도 높아짐으로써 단차가 역시 높아지게 되어 신호선(5a)이 단선되는 문제가 있었다.
본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 스토리지 커패시터 및 블랙매트릭스의 역할을 하는 제2주사선을 제1주사선과 신호선의 둘레를 따라 형성함으로써, 개구율 및 콘트라스트비가 향상된 액정표시소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 제1주사선과 제2주사선을 컨택트홀을 통해 서로 전기적으로 접속하여 상기한 제1주사선의 높이를 낮추므로써, 단차를 방지하여 신호선의 단선을 방지할 수 있는 액정표시소자를 제공하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 액정표시소자는 유리로 이루어진 서로 평행하는 제1기판 및 제2기판과, 상기한 제1기판 안쪽에 매트릭스형상으로 형성되어 화소영역을 정의하는 복수의 제1주사선 및 신호선과, 상기한 화소영역내의 제1주사선과 신호선이 교차하는 지점에 형성된 비선형 스위칭소자인 박막 트랜지스터와, 상기한 화소영역내에 형성된 화소전극과, 상기한 제1주사선과 신호선의 둘레를 따라 형성되어 상기한 제1주사선의 길이방향을 따라 형성된 적어도 하나의 컨택트홀에 의해 제1주사선과 전기적으로 접속하는 제2주사선과, 상기한 제2기판 안쪽에 형성된 컬러필터층과, 상기한 컬러필터층위에 형성된 투명전극과, 상기한 제2기판 및 제1기판 사이에 형성된 액정층으로 구성된다.
제2주사선은 보호층을 사이에 두고 제1주사선 및 신호선의 둘레를 따라 형성되는데, 제1주사선 위에 형성된 제2주사선의 일부는 상기한 제1주사선을 덮고 있다. 제1주사선과 제2주사선은 제2주사선에 형성된 컨택트홀을 통해 전기적으로 접속되며, 신호선의 양옆에 형성된 제2주사선은 연결부를 통해 서로 전기적으로 접속된다. 제2주사선은 화소영역의 화소전극의 일부영역과 오버랩되어 화소의 개구면을 한정한다.
또한, 상기한 제2주사선의 일부 영역과 보호층 위에는 신호선을 덮도록 블랙매트릭스가 형성되어 액정표시소자의 콘트라스트비가 향상된다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 액정표시소자에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명의 가장 큰 특징은 주사선을 제1주사선 및 제2주사선의 2중의 배선으로 형성하여, 제2주사선이 스토리지 커패시터 및 블랙매트릭스의 역할을 하도록 하여 개구율을 향상시킨 것이다.
제2도는 본 발명의 실시예 1를 나타내는 도면으로, 제2(a)도는 액정표시소자의 평면도를, 재2(b)도는 제2(a)도의 C-C′선 단면도를, 제2(c)도는 제2(a)도의 D-D′선 단면도를 나타낸다. 일반적으로 AMLCD에는 대단히 많은 화소가 매트릭스 형상으로 형성되어 있지만, 본 실시예에서는 설명의 간편함을 위해 단일 화소영역만을 나타낸다.
제2(a)도 및 제2(b)도에 나타낸 바와 같이, 유리기판(150) 위에는 종횡으로 복수의 제1주사선(11) 및 신호선(105a)이 매트릭스형상으로 형성되어 화소영역을 한정하고 있다. 화소영역내의 제1주사선(101) 및 신호선(105a)이 교차하는 지점에는 TFT가 형성되어, 게이트전극(G)은 제1주사선(101)에 접속되고 소오스/드레인 전극(105b)은 신호선(105a)에 접속된다. 게이트전극(G)과 소스/드레인전극(5b)사이에는 활성층(103)이 형성되어 있으며, 상기한 활성층(103)과 게이트전극(101)사이에 절연층(102)이 형성되어 있다.
이어서, ITO(Induim Tin Oxide)로 이루어진 화소전극(104)이 화소영역에 형성되며, 상기한 신호선(105a) 및 화소전극(104) 위에 보호층(106)이 형성된다. 화소전극(104)은 소오스/드레인전극(105b)과 오버랩되어 전기적으로 접속되어, 신호선(105a)을 따라 TFT에 인가된 신호가 화소전극(104)에 전달된다.
보호층(106)위에는 불투명금속으로 이루어진 제2주사선(110)이 형성된다. 제1주사선(101) 영역에서는 제2(c)도에 나타낸 바와 같이 상기한 제1주사선(101)의 둘레를 따라 양옆에 형성되는데, 한쪽의 제2주사선(110)은 상기한 제1주사선(101)을 덮도록 형성된다. 신호선(105b) 영역도 신호선(105b)의 둘레를 따라 그 양옆에 형성된다. 이 제2주사선(110)은 종래 액정표시소자에서의 스토리지 커패시터와 블랙매트릭스의 역할을 하는 것으로, 제1주사선(101) 및 신호선(105b) 영역에서 화소영역에 형성된 화소전극(104)과 오버랩되기 때문에, 화소의 개구면이 링형상의 제2주사선(110)에 의해 한정된다. 또한, 제1주사선(101) 위의 제2주사선(110)은 제1주사선(101)의 길이방향을 따라 형성된 적어도 하나의 컨택트홀(130)에 의해 상기한 제1주사선(101)과 전기적으로 접속되며, 신호선(105a)의 둘레를 따라 형성된 제2주사선(110)은 연결부(131)에 의해 서로 전기적으로 접속된다. 이 연결부(131)는 상기한 제2주사선(110)을 형성할 때, 동시에 패터닝하여 상기한 제2주사선(110)과 일체로 형성한다. 따라서, 제2주사선(110)을 제1주사선(101) 보다 저항이 적은 금속을 사용함으로써, 제1주사선(101)에서 신호의 지연이 발생하는 것을 방지할 수 있게 된다.
게이트전극(G)과 제1주사선(101)은 스퍼터링(sputtering)방법으로 적층한 금속막을 포토에칭(photoetching)하여 형성한다. SiNx와 반도체층을 플라즈마 VCD(plasma Chemical Vapor Deposition)방법으로 연속 적층하고 포토에칭하여 TFT를 형성한 후, 스퍼터링방법으로 적층한 금속막을 다시 포토에칭하여 신호선(105a)과 소오스/드레인전극(105b)을 형성한다. 이어서, 플라즈마 CVD방법으로 SiNx를 성막하여 보호층(106)을 형성한 후, 스퍼터링방법으로 금속막을 적층하고 포토에칭하여 제2주사선(110)을 형성하며, 이것을 단자처리하여 TFT, 제1주사선(101), 제2주사선(110), 신호선(105a)등을 완성한다.
제2기판(151)에는 컬러필터층(121) 및 보호층(122)이 차례로 형성되어 있으며, 그 위에 ITO로 이루어진 투명전극(123)이 형성되어 있다. 도면에 나타낸 바와 같이, 본 실시예에서는 종래의 액정표시소자와는 달리 제2주사선(110)이 블랙매트릭스의 역활을 하기 때문에, 제2기판(151)에 블랙매트릭스가 형성될 필요가 없게 되므로, 구조가 간단하게 된다.
그리고, 상기한 제2기판(151) 및 제1기판(150)이 일정한 간격을 유지하도록 도면에 표시하지 않은 스페이서(spacer)를 산포한 후, 액정을 진공상태에서 주입하고 밀봉하여 액정층(160)을 형성한다.
상기한 구성의 액정표시소자에서, 저항이 작은 금속으로 이루어진 링형상의 제2주사선(110)이 제1주사선(101)과 컨택트홀(130)을 통해 전기적으로 접속되어 있으므로, 항상 등전위가 유지된다. 따라서, 제1주사선(101)과 제2주사선(110) 사이에는 커패시턴스가 형성되지 않으며, 보호층(106)을 사이에 두고 오버랩된 제2주사선(110)과 화소전극(104) 사이에만 커패시턴스가 형성된다. 그러므로, 신호의 지연이 발생하는 경우에 제1주사선(101)의 높이를 높일 필요없이 보호층(106)위에 형성되어 있는 제2주사선(110)의 높이를 조절함으로써, 신호지연의 문제를 해결할 수 있게 된다. 더우기, 제2주사선(110)이 저저항 금속으로 이루어져 있기 때문에, 신호지연의 문제를 더욱 용이하게 해결할 수 있게 된다. 또한, 상기한 바와 같이 제2주사선(110)을 형성함으로써, 제1주사선(101)의 높이를 대폭 낮출 수 있기 때문에, 절연층(102)의 단차를 없앨 수 있고, 결국 단차에 의한 신호선(105a)의 단선을 방지할 수 있게 된다.
그리고, 제2주사선이 제1주사선영역과 신호선영역에서 화소전극의 일부와 오버랩되기 때문에, 제1주사선과 화소전극, 신호선과 화소전극 사이의 틈으로 누설되는 빛이 차단되어 종래 액정표시소자의 블랙매트릭스 역할을 하게 된다. 그러므로, 스토리지 커패시터의 폭보다 넓은 폭의 블랙매트릭스가 형성된 액정표시소자에 비해, 블랙매트릭스의 폭과 스토리지 커패시터의 폭의 차이만큼 개구율이 향상된다.
본 실시예에서는 비록 화소전극(104)이 절연층(106)위에 형성되는 탑 ITO(Top ITO)구조이지만, 화소전극(104)이 제1주사선(101)과 동일한 평면 위에 형성되고 절연층(106)에 형성된 컨택트홀에 의해 TFT의 소오스/드레인전극(105b)과 전기적으로 접속되는 바텀 ITO(Bottom ITO)구조도 물론 적용가능하다.
제3도는 본 발명의 실시예 2를 나타내는 도면으로, 이 실시예의 구조는 블랙매트릭스 온 어레이(black matrix on array)구조이다. 도면에서, 제1기판(250)의 안쪽에는 매트릭스형상의 복수의 신호선(205a) 및 제1주사선(201)이 형성되어 화소영역을 형성하며, 화소영역에는 ITO와 같은 화소전극(204)이 형성되어 있다. 화소영역내의 제1주사선(201)과 신호선(205a)이 교차하는 지점에는 TFT가 형성되어 소오스/드레인전극(205b)이 화소전극(204)에 접속된다. 화소영역과 신호선(205a) 위에는 보호층(206)이 형성되어 있으며, 그위에는 실시예 1과 마찬가지로 제2주사선(210)이 제1주사선(201) 및 신호선(205a)의 둘레를 따라 형성되어 있다. 신호선영역 및 제1주사선영역에는 제3(b)도에 나타낸 바와 같이, 신호선(205a) 및 제1주사선(201) 양옆에 형성되어 있는 제2주사선의 일부와 오버랩되도록 검은색 수지등으로 이루어진 블랙매트릭스(220)가 형성된다. 제3(a)도에서 중간의 화소영역에만 블랙매트릭스(220)를 표시하였지만, 실제로는 모든 화소영역에 블랙매트릭스(220)가 형성된다.
제1주사선(201)과 제2주사선(210)은 컨택트홀(230)을 통해 전기적으로 접속되어 있으며, 신호선(205a)을 따라 그 양옆에 형성되어 있는 제2주사선(210)은 연결부(231)을 통해 서로 전기적으로 접속된다.
제2기판(251)에는 실시예 1와 마찬가지로 컬러필터층(221), 보호층(222), 투명전극(223)이 차례로 형성되어 있으며, 제2기판(251)과 제1기판(250) 사이에 액정이 주입되어 액정층(260)이 형성되어 있다.
액정이 제2기판(251) 및 제1기판(251) 사이에 액정이 주입되기 전에, 각 기판(250,251)에는 배향방향을 결정해주기 위해서 러빙(rubbing)이 실시되는데, 블랙매트릭스가 제1기판에 형성되는 블랙매트릭스 온 어레이구조에서는 러빙시 상기한 블랙매트릭스의 높이에 의해 배향방향이 형성되지 않은 영역이 생기게 되어, 이영역에서 전경(disclination)이 발생하게 된다. 따라서, 본 실시예에서와 같이 제2주사선(210) 위에 블랙매트릭스(220)을 형성하게 되면, 블랙매트릭스(220)의 높이(H)에 의한 전경의 발생부분을 제2주사선(210)이 막아줌으로써, 빛이 누설되는 것을 방지할 수 있게 된다.
본 실시예에서는 제2주사선의 일부 영역과 오버랩되도록 블랙매트릭스를 형성하였으므로, 전경의 발생에 의한 빛의 누설을 막게 되어 콘트라스트비(contrast ratio)가 향상된다. 더우기, 화소영역의 개구면은 실시예 1과 마찬가지로 제2주사선에 의해 한정되므로 종래의 액정표시소자에 비해 개구율이 대폭 향상된다.
본 발명은 상기한 바와 같이 제2주사선이 제1주사선영역 및 신호선영역에 형성되어 블랙매트릭스 및 스토리지 커패시터의 역할을 하고 있으므로, 개구율 및 콘트라스트비가 향상된다. 또한, 제2주사선을 제1주사선 보다 저항이 낮은 금속을 사용하며 적어도 하나의 컨택트홀을 통해 제1주사선 및 제2주사선을 전기적으로 접속시켰으므로, 신호의 지연이 방지될 뿐만 아니라 제1주사선의 높이를 높게 함으로써 생기는 단차를 없애어 신호선이 단선되는 것을 방지할 수 있게 된다.

Claims (21)

  1. 서로 평행한 제1기판 및 제2기판과, 상기한 제1기판 안쪽에 매트릭스형상으로 형성되어 화소영역을 정의하는 복수의 제1주사선 및 신호선과, 상기한 화소영역내의 제1주사선과 신호선이 교차하는 지점에 형성된 박막트랜지스터와, 상기한 화소영역에 형성된 화소전극과, 상기한 제1기판 전체에 걸쳐서 형성된 보호층과, 상기한 화소전극과 오버랩되도록 상기한 제1주사선과 신호선을 따라 형성되며, 상기한 제1주사선과 전기적으로 연결된 복수의 제2주사선과, 상기한 제2기판 위에 형성된 투명전극과, 상기한 제1기판 및 제2기판 사이에 주입된 액정층으로 구성된 액정표시소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기한 제1주사선을 따라 형성된 적어도 하나의 컨택트홀이 추가로 포함되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  3. 제2항에 있어서, 상기한 제2주사선 및 제1주사선이 상기한 컨택트홀을 통해 접속되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기한 제2주사선이 제1주사선 및 신호선을 따라 양옆에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  5. 제1항에 있어서, 제1주사선을 따라 형성된 제2주사선이 상기한 제1주사선을 덮고 있는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  6. 제4항에 있어서, 신호선의 양옆에 형성된 제2주사선이 연결부에 의해서 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  7. 제6항에 있어서, 상기한 연결부가 신호선의 양옆에 형성된 제2주사선과 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  8. 제1항에 있어서, 상기한 화소전극이 ITO(Indium Tin Oxide)인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  9. 제1항에 있어서, 상기한 투명전극이 ITO(Indium Tin Oxide)인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  10. 제1항에 있어서, 상기한 제2주사선이 제1주사선 보다 저항이 낮은 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  11. 제1항에 있어서, 상기한 보호층 및 제2주사선의 일부 영역위에 상기한 신호선을 덮도록 복수의 블랙매트릭스가 추가로 포함되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  12. 제11항에 있어서, 상기한 블랙매트릭스가 검은색 수지인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  13. 제1항에 있어서, 상기한 컬러필터층과 투명전극 사이에 보호층이 추가로 포함되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  14. 제1항에 있어서, 상기한 화소전극이 절연층 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  15. 제1항에 있어서, 상기한 화소전극이 제1기판에 형성되어 제1주사선과 동일한 평면에 배치되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  16. 기판과, 상기한 기판 위에 매트릭스형상으로 형성되어 화소영역을 한정하는 복수의 제1주사선 및 신호선과, 상기한 화소영역내의 제1주사선과 신호선이 교차하는 지점에 형성된 박막트랜지스터와, 상기한 화소영역에 형성된 화소전극과, 상기한 기판 전체에 걸쳐서 형성된 보호층과, 상기한 상기한 제1주사선과 신호선을 따라 형성되며 상기한 제1주사선과 전기적으로 연결된 복수의 제2주사선으로 구성된 액정표시소자.
  17. 제16항에 있어서, 상기한 제1주사선을 따라 형성된 적어도 하나의 컨택트홀이 추가로 포함되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  18. 제17항에 있어서, 상기한 제2주사선 및 제1주사선이 상기한 컨택트홀을 통해 접속되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  19. 제16항에 있어서, 상기한 제1주사선과 제2주사선이 보호층을 사이에 두고 형성되어 상기한 제2주사선에 제1주사선을 따라 형성된 컨택트홀을 통해 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  20. 제16항에 있어서, 상기한 제2주사선이 상기한 화소전극의 일부 영역과 오버랩되어 개구면을 한정하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  21. 제16항에 있어서, 상기한 제2주사선의 일부 영역 및 보호층 위에 형성되어 신호선을 덮고 있는 블랙매트릭스가 추가로 포함되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
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