JPH10186400A - 液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】画素電極の縁部に補助容量用電極を対向させて
補助容量を形成したものでありながら、これらの電極の
間に生じる電界の影響によるディスクリネーションライ
ンの発生を抑制して、ディスクリネーションラインによ
る欠陥がほとんどない、高品質の画像を表示する。 【解決手段】補助容量用電極１３を、画素電極３の周縁
部のうち、画素電極の中心から見てその上の配向膜の配
向処理方向ａの上流側となる縁部のうちの所定領域を避
けて設けることにより、前記画素電極３の縁部と前記補
助容量用電極１３の外周縁部との間に生じる横電界のほ
とんどを前記配向膜による配向方向とあまり変わらない
方向に液晶分子を配向させる向きの電界にして、前記横
電界の影響によるディスクリネーションラインの発生を
抑制した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明はアクティブマトリ
ックス型の液晶表示素子に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】アクティブマトリックス型の液晶表示素
子は、マトリックス状に配列する複数の画素電極と、前
記各画素電極に接続された複数のスイッチング素子と、
前記スイッチング素子にその制御信号を供給する複数本
の走査線と、前記スイッチング素子にデータ信号を供給
する信号線とを設けるとともにその上に配向膜を形成し
た一方の基板と、前記各画素電極に対向する対向電極を
設けるとともにその上に配向膜を形成した他方の基板と
の間に液晶を介在させたものであり、このアクティブマ
トリックス液晶表示素子においては、非選択期間の画素
電極の電位を保持するため、前記一方の基板に、絶縁膜
を介して画素電極の縁部に対向する補助容量用電極を設
け、この補助容量用電極と画素電極との間にストレージ
キャパシタと呼ばれる補助容量を形成している。

【０００３】図４は従来のアクティブマトリックス液晶
表示素子の一部分の正面図、図５はその１つの画素部の
拡大図、図６は図４のVI−VI線に沿う拡大断面図であ
る。なお、この液晶表示素子は、各画素電極に対応させ
て赤，緑，青のカラーフィルタを設けたカラー画像表示
素子であり、ここでは、各画素電極をモザイク状に配列
したものを示している。

【０００４】この液晶表示素子の一対の基板１，２は、
ガラス等からなる透明基板であり、その一方の基板、例
えば裏面側の基板（以下、裏側基板という）１の内面に
は、上下縁が画面の横軸Ｏと平行な矩形状に形成された
複数の透明な画素電極３が、行方向（前記横軸Ｏに沿っ
た方向）および列方向（前記横軸Ｏに対して交差する方
向）に配列させて設けられている。

【０００５】図４において、（Ｒ）の電極は赤色画素を
表示するための画素電極、（Ｇ）の電極は緑色画素を表
示するための画素電極、（Ｂ）の電極は青色画素を表示
するための画素電極であり、これらの画素電極３は、行
方向には交互に並べて配列され、列方向には同色の画素
を表示するための画素電極同士を約１．５ピッチずつ左
右（行方向）に交互にずらしてジグザグに配列されてい
る。

【０００６】また、上記裏側基板１の内面には、上記各
画素電極３にそれぞれ対応させて、ＴＦＴ（薄膜トラン
ジスタ）からなる複数のスイッチング素子４が設けられ
るとともに、各画素電極行のスイッチング素子４にその
オン・オフを制御する信号（ゲート信号）を供給する複
数本の走査線１０と、各画素電極列のスイッチング素子
４にデータ信号を供給する信号線１１とが設けられてい
る。

【０００７】上記スイッチング素子（ＴＦＴ）４は、基
板１上に形成したゲート電極５と、このゲート電極５を
覆うゲート絶縁膜６と、このゲート絶縁膜６の上に前記
ゲート電極と対向させて形成されたｉ型半導体膜７と、
このｉ型半導体膜７の上にｎ型半導体膜（図示せず）を
介して形成されたソース電極８およびドレイン電極９と
からなっている。

【０００８】上記走査線１０は、各画素電極行にそれぞ
れ沿わせて基板１上に配線されており、各行のスイッチ
ング素子４のゲート電極５は、その行に沿う走査線１０
に一体に形成されている。

【０００９】また、上記スイッチング素子４のゲート絶
縁膜（透明膜）６は、前記走査線１０も覆って基板１の
ほぼ全面に形成されており、画素電極３はこのゲート絶
縁膜６の上に形成され、その画素電極行に対応する走査
線１０に隣接する側縁部の一端側の角部付近において前
記スイッチング素子４のソース電極８に接続されてい
る。

【００１０】上記信号線１１は、上記ゲート絶縁膜６の
上に、同色の画素を表示するための各画素電極列（ジグ
ザグの画素電極列）にそれぞれ沿わせて配線されてお
り、その行の各スイッチング素子４のドレイン電極９に
つながっている。

【００１１】上記信号線１１の配線パターンを、同色の
画素を表示するための画素電極３がジグザグに配列して
いる１つの画素電極列に沿う信号線について説明する
と、この信号線１１は、図４において左方向にずれてい
る画素電極３の右側縁と、右方向にずれている画素電極
３の左側縁とに沿わせて蛇行配線されており、各行の画
素電極３の右側縁および左側縁に沿う縦配線部をつなぐ
横配線部は、隣接する画素電極行の間に、上記走査線１
０の上方をこの走査線１０と平行に通るように形成され
ている。

【００１２】なお、このように信号線１１を配線してい
るのは、隣接する画素電極行の間を通る横配線部の長さ
を短くして信号線１１の引き回しを簡単にするためであ
るが、このように信号線１１を配線すると、左方向にず
れている画素電極３に対応するスイッチング素子４に対
する信号線１１の位置と、右方向にずれている画素電極
３に対応するスイッチング素子４に対する信号線１１の
位置とが互いに逆になってしまうため、左方向にずれて
いる画素電極３に対応するスイッチング素子４と、右方
向にずれている画素電極３に対応するスイッチング素子
４とは、そのソース，ドレイン電極８，９の位置関係を
互いに逆にして形成されている。

【００１３】上記信号線１１と各スイッチング素子４
は、透明な保護絶縁膜１２（図６参照）で覆われてお
り、この保護絶縁膜１２は、各画素電極の行間および列
間に、各画素電極３の周縁に僅かにラップさせて形成さ
れている。

【００１４】さらに、上記裏側基板１には、各画素電極
３にそれぞれ対応させて、非選択期間の画素電極３の電
位を保持するための補助容量（ストレージキャパシタ）
Ｃsを形成する補助容量用電極１３が設けられている。

【００１５】この補助容量用電極１３は、基板１上（ス
イッチング素子４のゲート絶縁膜６の下）に、前記ゲー
ト絶縁膜６を介して画素電極３の縁部に対向するように
形成されており、補助容量Ｃs は、補助容量用電極１３
および各画素電極３とその間のゲート絶縁膜６とによっ
て形成されている。

【００１６】上記補助容量用電極１３は、一般に、画素
電極３の周縁部のうち、その画素電極行に対応する走査
線１０に隣接する側縁部を除く三辺の縁部に対向させ
て、平面コ字状に形成されている。これらの補助容量用
電極１３は、各画素電極行ごとに連続させて形成されて
おり、その行端に基準電位接続端子（図示せず）が形成
されている。なお、前記補助容量用電極１３と上記スイ
ッチング素子４のゲート電極５および走査線１０は、同
じ金属膜をパターニングして形成されている。

【００１７】また、上記裏側基板１の内面には、図６に
示すように、画素電極３およびスイッチング素子４の形
成領域全体にわたって、ポリイミド等からなる配向膜１
４が形成されており、この配向膜１４は、その膜面を所
定の方向にラビングすることによって配向処理されてい
る。

【００１８】一方、液晶表示素子の表面側の基板（以
下、表側基板という）２の内面には、図６に示すよう
に、画素Ａの大きさを規定する格子状パターンの遮光膜
１６が設けられるとともに、赤、緑、青のカラーフィル
タ１７が、その色の画素を表示するための画素電極３に
それぞれ対向させて設けられており、その上に、全ての
各画素電極３に対向する一枚膜状の透明な対向電極１８
が設けられている。

【００１９】なお、上記遮光膜１６は、一般にクロム等
の金属膜で形成されており、その各開口１６ａは、図５
および図６に示すように、画素電極３の外形よりも僅か
に小さく形成されている。

【００２０】また、この表側基板２の内面には、画素電
極３およびスイッチング素子４の形成領域全体にわたっ
て、ポリイミド等からなる配向膜１９が形成されてお
り、この配向膜１９は、その膜面を所定の方向にラビン
グすることによって配向処理されている。

【００２１】そして、上記裏側基板１と表側基板２は、
液晶表示素子の表示領域を囲む枠状のシール材（図示せ
ず）を介して接合されており、この両基板１，２間の前
記シール材で囲まれた領域に液晶２０が封入されてい
る。また、両基板１，２の外面にはそれぞれ偏光板２
１，２２が配置されている。

【００２２】この液晶表示素子はＴＮ（ツイステッド・
ネマティック）型のものであり、両基板１，２に設けた
配向膜１４，１９は互いにほぼ直交する方向に配向処理
されており、液晶２０の分子２０ａ（図６参照）は、両
基板１，２の近傍における配向方向を前記配向膜１４，
１９で規制され、両基板１，２間においてほぼ９０°の
ツイスト角でツイスト配向している。

【００２３】図４および図５において、矢印ａは裏側基
板１の配向膜１４の配向処理方向、矢印ｂは表側基板２
の配向膜１９の配向処理方向を示している。図のよう
に、裏側基板１の配向膜１５は、画面の横軸Ｏに対し液
晶表示素子の表面側から見て左回りにほぼ４５°の方向
に配向処理され、表側基板２の配向膜１９は、前記横軸
Ｏに対し表面側から見て右回りにほぼ４５°の方向に配
向処理されており、液晶分子２０ａは、そのツイスト方
向を図４に破線矢印Ｔで示したように、裏側基板１から
表側基板２に向かい、表面側から見て左回りにほぼ９０
°のツイスト角でツイスト配向している。

【００２４】なお、図６では、裏側基板１の近傍の液晶
分子２０ａだけを示したが、いずれの基板１，２側にお
いても、液晶分子２０ａは、配向膜１４，１９の膜面に
対してその配向処理方向（ラビング方向）ａ，ｂに向か
う側の分子端が数度（２〜３°）の角度で斜めに立ち上
がるようにプレチルトした状態で、前記配向処理方向
ａ，ｂに沿って配向している。

【００２５】また、上記偏光板２１，２２は、その透過
軸を互いにほぼ平行にするか、あるいは互いにほぼ直交
させて配置されており、これらの偏光板２１，２２の透
過軸はそれぞれ、その偏光板が隣接する基板１または２
の近傍における液晶分子２０ａの配向方向に対してほぼ
平行またはほぼ直交している。

【００２６】上記液晶表示素子は、対向電極１８に基準
電位の信号を供給し、各走査線１０に、その走査線が対
応する画素電極行の選択期間にスイッチング素子４をオ
ンさせる電位になる波形の制御信号を供給するととも
に、各信号線１１に画素電極行の選択期間ごとに画像デ
ータに応じた電位になる波形のデータ信号を供給するこ
とにより表示駆動される。

【００２７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記アクテ
ィブマトリックス型の液晶表示素子は、画素電極３およ
びそのスイッチング素子４を設けた基板（ここでは表側
基板）１の内面に、前記スイッチング素子４のゲート絶
縁膜６を介して画素電極３の縁部に対向する補助容量用
電極１３が設けられているため、その表示駆動時に、ス
イッチング素子４を介してデータ信号を供給される画素
電極３の縁部と、基準電位に接続されている前記補助容
量用電極１３の外周縁部（画素電極３の外側に張出して
いる部分）との間に、それぞれの電位の差に応じた横電
界と呼ばれる電界が発生する。

【００２８】図６において、Ｅは、前記補助容量用電極
１３と画素電極３との間に発生する横電界を示しており
この横電界Ｅは、画素電極３の周縁部のうちの前記補助
容量用電極１３が対向している三辺の縁部付近に発生す
る。

【００２９】このような横電界Ｅが画素電極３の縁部付
近に作用すると、その影響を受ける領域（配向膜１４，
１９の配向規制力に打ち勝つ強さの電界が作用する領
域）の液晶分子（図にハッチングを施して示した分子）
２０ａが、前記横電界Ｅの向きに沿って、その横電界Ｅ
の方向に向かう側の分子端が斜めに立ち上がるようにチ
ルトして配向する。

【００３０】この場合、前記横電界Ｅは、画素電極３か
ら補助容量用電極１３に向かって生じるが、前記補助容
量用電極１３は画素電極３の三辺の縁部に対向している
ため、前記三辺の縁部付近に生じる横電界Ｅの向きは各
辺ごとに異なり、したがって、この横電界Ｅによる液晶
分子２０ａの配向方向は、画素電極３の各辺ごとに異な
る向きである。

【００３１】一方、上記横電界Ｅの影響を受けない領
域、つまり、配向膜１４，１９の配向規制力に打ち勝つ
強さの電界が作用する領域の内側（画素電極３の中央
側）と外側での液晶分子２０ａの配向状態を見ると、こ
の領域の裏側基板１の近傍の液晶分子２０ａは、画素電
極３上の配向膜１４の配向処理方向ａに沿って、その方
向に向かう側の分子端が斜めに立ち上がるようにプレチ
ルトした状態で一様に配向している。

【００３２】このため、画素電極３の三辺の縁部付近の
うち、画素電極３の中心から見てその上の配向膜１４の
配向処理方向ａに向かう側の縁部付近に作用する横電界
Ｅによる液晶分子２０ａの配向方向は、前記配向膜１４
による配向方向とあまり変わらない方向であるが、前記
配向処理方向ａの上流側となる縁部（図において矢印の
向きとは反対側の縁部）の付近に作用する横電界Ｅによ
る液晶分子２０ａの配向方向は、配向膜１４による配向
方向に対してほとんど逆の方向である。

【００３３】すなわち、図５のように、画素電極３上の
配向膜１４の配向処理方向ａが画面の横軸Ｏに対し液晶
表示素子の表面側から見て左回りにほぼ４５°の方向で
ある場合は、画素電極３の三辺の縁部付近のうち、図に
おいて左側の縁部付近に作用する横電界Ｅによる液晶分
子２０ａの配向方向は配向膜１４による配向方向とあま
り変わらない方向であるが、上側と右側の縁部付近に作
用する横電界Ｅによる液晶分子２０ａの配向方向は配向
膜１４による配向方向に対してほとんど逆の方向であ
る。

【００３４】このため、従来の液晶表示素子は、画素電
極３の三辺の縁部付近のうち、画素電極３の中心から見
てその上の配向膜１４の配向処理方向ａの上流側となる
縁部付近、つまり図５において画素電極３の上側と右側
の縁部付近に、前記横電界Ｅの影響を受ける領域と前記
横電界Ｅの影響を受けない領域との境界において液晶分
子２０ａの配向状態が逆になった配向状態の境目が生じ
る。

【００３５】この配向状態の境目はディスクリネーショ
ンラインと呼ばれており、このディスクリネーションラ
インＤは、図５および図６に太鎖線で示すように、前記
画素電極３の上縁部付近から右側縁部付近にかけて発生
する。

【００３６】このため、従来の液晶表示素子は、その各
画素（遮光膜１６の各開口１６ａに対応する領域）内
に、前記ディスクリネーションラインＤに沿った表示欠
陥が生じるという問題をもっている。

【００３７】この欠陥は、一対の偏光板２１，２２をそ
の透過軸を互いにほぼ平行にして配置したネガ表示タイ
プの液晶表示素子ではディスクリネーションラインＤに
沿った光漏れ、一対の偏光板２１，２２をその透過軸を
互いにほぼ直交させて配置したポジ表示タイプの液晶表
示素子ではディスクリネーションラインＤに沿った影で
あり、特にネガ表示タイプの液晶表示素子では、各画素
内に光漏れがあると、その輝きにより画素全体が薄くぼ
けて見えるため、上記ディスクリネーションラインＤの
発生による画質への影響がより大きい。

【００３８】この発明は、画素電極の縁部に補助容量用
電極を対向させて補助容量を形成したものでありなが
ら、これらの電極の間に生じる電界の影響によるディス
クリネーションラインの発生を抑制して、ディスクリネ
ーションラインによる欠陥がほとんどない、高品質の画
像を表示することができる液晶表示素子を提供すること
を目的としたものである。

【００３９】

【課題を解決するための手段】この発明は、マトリック
ス状に配列する複数の画素電極と、絶縁膜を介して前記
画素電極の縁部に対向しこの画素電極との間に補助容量
を形成する補助容量用電極と、前記各画素電極に接続さ
れた複数のスイッチング素子と、前記スイッチング素子
にその制御信号を供給する複数本の走査線と、前記スイ
ッチング素子にデータ信号を供給する信号線とを設ける
とともにそれらの上に配向膜を形成した一方の基板と、
前記各画素電極にそれぞれ対向する対向電極を設けると
ともにその上に配向膜を形成した他方の基板との間に液
晶を介在させたアクティブマトリックス型の液晶表示素
子において、前記補助容量用電極を、前記画素電極の周
縁部のうち、画素電極の中心から見てその上の配向膜の
配向処理方向の上流側となる縁部のうちの所定領域を避
けて設けたことを特徴とするものである。

【００４０】すなわち、この発明は、前記補助容量用電
極を設ける位置を選ぶことによって、ディスクリネーシ
ョンラインを発生させる横電界（画素電極上の配向膜の
配向処理方向とは反対方向に液晶分子を配向させる電
界）の発生を抑制したものであり、上記のように、補助
容量用電極を、画素電極の周縁部のうちの画素電極の中
心から見てその上の配向膜の配向処理方向の上流側とな
る縁部のうちの所定領域を避けて設ければ、前記画素電
極の縁部と前記補助容量用電極の外周縁部との間に生じ
る横電界は、そのほとんどが、前記配向膜による配向方
向とあまり変わらない方向に液晶分子を配向させる向き
の電界である。

【００４１】したがって、この発明の液晶表示素子によ
れば、画素電極の縁部に補助容量用電極を対向させて補
助容量を形成したものでありながら、これらの電極の間
に生じる横電界の影響によるディスクリネーションライ
ンの発生を抑制して、ディスクリネーションラインによ
る欠陥がほとんどない、高品質の画像を表示することが
できる。

【００４２】

【発明の実施の形態】この発明の液晶表示素子は、上記
のように、補助容量用電極を、前記画素電極の周縁部の
うち、画素電極の中心から見てその上の配向膜の配向処
理方向の上流側となる縁部のうちの所定領域を避けて設
けることにより、これらの電極の間に生じる電界の影響
によるディスクリネーションラインの発生を抑制するよ
うにしたものである。

【００４３】この発明の液晶表示素子において、前記画
素電極が矩形状に形成されており、その上の配向膜の配
向処理方向が画素電極の各縁部に対して斜めに交差する
方向である場合は、前記補助容量用電極を、前記画素電
極の中心から見てその上の配向膜の配向処理方向の上流
側となる２辺の縁部のうちの少なくとも一方の辺の縁部
を避けて設ければよい。

【００４４】

【実施例】図１〜図３は、カラー画像を表示するアクテ
ィブマトリックス型液晶表示素子にこの発明を適用した
一実施例を示しており、図１は液晶表示素子の一部分の
正面図、図２はその１つの画素部の拡大図、図３は図１
の III−III 線に沿う拡大断面図、図３は図１の III−
III 線に沿う拡大断面図である。

【００４５】なお、この実施例の液晶表示素子は、画素
電極３に対する補助容量用電極１３の形成位置が図４〜
図６に示した従来の液晶表示素子と異なるが、他の構成
は従来のものと基本的に同じであるから、対応するもの
には同符号を付して重複する説明を省略する。

【００４６】この液晶表示素子は、その裏側基板１の内
面に画素電極３の縁部に対向させて設ける補助容量用電
極１３を、前記画素電極３の周縁部のうち、画素電極３
の中心から見てその上の配向膜１４の配向処理方向ａの
上流側となる縁部（図において矢印の向きとは反対側の
縁部）のうちの所定領域を避けて設けたものであり、こ
の実施例では、画素電極３を矩形状に形成するととも
に、この画素電極３上の配向膜１４を画素電極３の各縁
部に対して斜めに交差する方向に配向処理し、前記補助
容量用電極１３を、前記配向膜１４の配向処理方向ａの
上流側となる２辺の縁部のうちの一方の辺の縁部を避け
て設けている。

【００４７】すなわち、この実施例では、図１および図
２に示したように、画素電極３を、その上下縁が画面の
横軸Ｏと平行で、横方向（前記横軸Ｏに沿った方向）の
幅が縦方向（前記横軸Ｏに対して直交する方向）の幅よ
り若干大きい矩形状に形成し、その上の配向膜１４を、
前記横軸Ｏに対し液晶表示素子の表面側から見て左回り
にほぼ４５°の方向に配向処理するとともに、前記補助
容量用電極１３を、前記配向膜１４の配向処理方向ａの
上流側となる画素電極縁部である上側と右側の縁部のう
ちの辺長が長い下縁部を除く他の三辺に対向させて平面
コ字状に形成している。

【００４８】そして、この実施例では、各画素電極３に
対応するスイッチング素子４を前記補助容量用電極１３
の形成位置を避けて設け、このスイッチング素子４の位
置に応じて走査線１０および信号線１１を配線してい
る。

【００４９】この液晶表示素子は、前記補助容量用電極
１３を設ける位置を選ぶことによって、ディスクリネー
ションラインを発生させる横電界（画素電極上の配向膜
の配向処理方向とは反対方向に液晶分子を配向させる電
界）の発生を抑制したものであり、上記のように、補助
容量用電極を、画素電極３の周縁部のうちの画素電極３
の中心から見てその上の配向膜１４の配向処理方向ａの
上流側となる縁部の所定領域を避けて設ければ、前記画
素電極３の縁部と前記補助容量用電極１３の外周縁部と
の間に生じる横電界Ｅは、そのほとんどが、前記配向膜
１４による配向方向とあまり変わらない方向に液晶分子
２０ａを配向させる向きの電界である。

【００５０】このため、上記液晶表示素子によれば、画
素電極３と補助容量用電極１３との間に生じる横電界Ｅ
の影響によるディスクリネーションラインの発生を抑制
することができる。

【００５１】これは、図２と図５とを比較して見れば分
かることであり、従来の液晶表示素子では図５のよう
に、画素電極３の周縁部のうち画素電極３中心から見て
その上の配向膜の配向処理方向ａの上流側となる縁部に
補助容量用電極１３が対向しているため、この縁部付近
に画素電極３と補助容量用電極１３との間に生じる横電
界の影響によるディスクリネーションラインＤが発生す
るが、上記実施例の液晶表示素子では図２のように前記
配向処理方向ａの上流側となる画素電極縁部には補助容
量用電極１３を対向させていないため、この縁部付近に
は横電界は発生しないから、その影響によるディスクリ
ネーションラインの発生もない。

【００５２】したがって、上記液晶表示素子によれば、
画素電極３の縁部に補助容量用電極１３を対向させて補
助容量Ｃs を形成したものでありながら、これらの電極
３，１３の間に生じる横電界Ｅの影響によるディスクリ
ネーションラインの発生を抑制して、ディスクリネーシ
ョンラインによる欠陥、つまり、画素Ａ内の光漏れ（ネ
ガ表示タイプの場合）や影（ポジ表示タイプの場合）の
ない、高品質の画像を表示することができる。

【００５３】なお、この実施例では、補助容量用電極１
３を、上記のような平面コ字状に形成しているため、画
素電極３上の配向膜１４の配向処理方向ａの上流側とな
る画素電極縁部である上側と右側の縁部のうちの辺長が
短い右側縁には補助容量用電極１３が対向しており、し
たがって、画素電極３の右側縁部と補助容量用電極１３
との間に、前記配向膜１４による配向方向とは逆方向に
液晶分子２０ａを配向させるような横電界が生じるが、
この辺長が短い画素電極縁部の付近に作用する横電界の
強さは小さいため、その横電界の影響によるディスクリ
ネーションラインの発生はほとんどない。

【００５４】なお、上記実施例のように、画素電極３が
矩形状に形成されており、その上の配向膜１４の配向処
理方向ａが画素電極３の各縁部に対して斜めに交差する
方向である場合、前記補助容量用電極１３は、画素電極
３の中心から見て前記配向処理方向ａの上流側となる２
辺の両方の縁部を避けて平面Ｌ字状に形成してもよく、
このように補助容量用電極１３を形成すれば、ディスク
リネーションラインの発生をさらに確実に防ぐことがで
きる。

【００５５】また、上記実施例の液晶表示素子は、赤，
緑，青の画素をモザイク状の配列パターンで表示するも
のであるが、この発明は、各色の画素をそれぞれ列方向
に直線状に配列しているアクティブマトリックス型液晶
表示素子や、白黒画像を表示するアクティブマトリック
ス型液晶表示素子にも適用することができる。

【００５６】

【発明の効果】この発明の液晶表示素子によれば、補助
容量用電極を、画素電極の周縁部のうち、画素電極の中
心から見てその上の配向膜の配向処理方向の上流側とな
る縁部のうちの所定領域を避けて設けているため、画素
電極の縁部に補助容量用電極を対向させて補助容量を形
成したものでありながら、これらの電極の間に生じる電
界の影響によるディスクリネーションラインの発生を抑
制して、ディスクリネーションラインによる欠陥がほと
んどない、高品質の画像を表示することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例を示す液晶表示素子の一部
分の正面図。

【図２】前記液晶表示素子の１つの画素部の拡大図。

【図３】図１の III−III 線に沿う拡大断面図。

【図４】従来のアクティブマトリックス型液晶表示素子
の一部分の正面図。

【図５】従来の液晶表示素子の１つの画素部の拡大図。

【図６】図４のVI−VI線に沿う拡大断面図。

【符号の説明】

１，２…基板 ３…画素電極 ４…スイッチング素子 １０…走査線 １１…信号線 １４…配向膜 ａ…配向処理方向 １６…遮光膜 Ａ…画素 １７…カラーフィルタ １８…対向電極 １９…配向膜 ｂ…配向処理方向 ２０ａ…液晶分子 Ｅ…横電界

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】マトリックス状に配列する複数の画素電極
   と、絶縁膜を介して前記画素電極の縁部に対向しこの画
   素電極との間に補助容量を形成する補助容量用電極と、
   前記各画素電極にそれぞれ接続された複数のスイッチン
   グ素子と、前記スイッチング素子にその制御信号を供給
   する複数本の走査線と、前記スイッチング素子にデータ
   信号を供給する信号線とを設けるとともにそれらの上に
   配向膜を形成した一方の基板と、前記各画素電極に対向
   する対向電極を設けるとともにその上に配向膜を形成し
   た他方の基板との間に液晶を介在させたアクティブマト
   リックス型の液晶表示素子において、 前記補助容量用電極を、前記画素電極の周縁部のうち、
   画素電極の中心から見てその上の配向膜の配向処理方向
   の上流側となる縁部のうちの所定領域を避けて設けたこ
   とを特徴とする液晶表示素子。
2. 【請求項２】前記画素電極は矩形状に形成されており、
   前記配向処理方向は前記画素電極の各縁部に対して斜め
   に交差する方向であって、前記補助容量用電極は、前記
   画素電極の中心から見てその上の配向膜の配向処理方向
   の上流側となる２辺の縁部のうちの少なくとも一方の辺
   の縁部を避けて設けられていることを特徴とする請求項
   １に記載の液晶表示素子。