JP2003066433A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JP2003066433A
JP2003066433A JP2001257333A JP2001257333A JP2003066433A JP 2003066433 A JP2003066433 A JP 2003066433A JP 2001257333 A JP2001257333 A JP 2001257333A JP 2001257333 A JP2001257333 A JP 2001257333A JP 2003066433 A JP2003066433 A JP 2003066433A
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Toshiyuki Mitsuma
稔之 三間
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 第１の基板と第２の基板の位置合わせの左右
方向ずれに伴うディスクリネーションの発生を抑制す
る。 【解決手段】 第１の基板ＳＵＢ１の主面における映像
信号線Ｘの延伸方向に対する配向膜のラビング方向ＤＩ
Ｒの交差角度θが時計回りに鈍角をなす場合は画素電極
ＰＩＸの映像信号線Ｘｎ側に形成された遮光部分ＢＭ−
Ｌ幅よりも隣接する映像信号線Ｘｎ＋１側に形成された
遮光部分ＢＭ−Ｒの幅を広くし、ラビング方向ＤＩＲの
交差角度θが時計回りに鋭角をなす場合は隣接する映像
信号線Ｘｎ＋１側に形成された遮光部分ＢＭ−Ｒの幅よ
りも画素電極ＰＩＸの映像信号線Ｘｎ側に形成された遮
光部分ＢＭ−Ｌ幅を広くした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係
り、特に一対の基板の位置合わせのずれに起因する表示
不良を抑制して高品質の画像表示を可能とした液晶表示
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ノート型コンピユータやディスプレイモ
ニターあるいはテレビ受像機用の高精細、薄型、軽量、
かつカラー表示が可能な表示装置として液晶表示装置が
広く採用されている。この種の液晶表示装置を構成する
液晶表示パネルには、各内面に互いに交差する如く形成
された平行電極を形成した一対の基板で液晶層を挟持し
た液晶表示パネルを用いた単純マトリクス型を用いたも
のと、一対の基板の一方に画素単位で選択するためのス
イッチング素子を有する液晶表示パネルを用いたアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置とに大別される。
【０００３】アクティブマトリクス型液晶表示パネル
は、ツイステッドネマチック（ＴＮ）方式に代表される
ように、画素選択用の電極群を上下一対の基板のそれぞ
れに形成した、所謂縦電界方式（一般に、ＴＮ方式と称
する）と、画素選択用の電極群が上下一対の基板の一方
のみに形成した、所謂横電界方式（一般に、ＩＰＳ方式
と称する）とが知られている。
【０００４】前者のＴＮ方式の液晶表示パネルは、一対
（第１の基板（下基板）と第２の基板（上基板）からな
る２枚）の基板内で液晶が例えば９０°ねじれて配向さ
れており、その液晶表示パネルの上下基板の外面に吸収
軸方向をクロスニコル配置し、かつ入射側の吸収軸をラ
ビング方向に平行または交差させた２枚の偏光板を積層
している。
【０００５】このようなＴＮ方式アクティブマトリクス
型液晶表示パネルは、電圧無印加時で入射光は入射側偏
光板で直線偏光となり、この直線偏光は液晶層のねじれ
に沿って伝播し、出射側偏光板の透過軸が当該直線偏光
の方位角と一致している場合は直線偏光は全て出射して
白表示となる（所謂、ノーマリオープンモード）。ま
た、電圧印加時は、液晶層を構成する液晶分子軸の平均
的な配向方向を示す単位ベクトルの向き（ダイレクタ
ー）は基板面と垂直な方向を向き、入射側直線偏光の方
位角は変わらないため出射側偏光板の吸収軸と一致する
ため黒表示となる。（１９９１年、工業調査会発行「液
晶の基礎と応用」参照）。
【０００６】一方、一対の基板の一方にのみ画素選択用
の電極群や電極配線群を形成し、当該基板上で隣接する
電極間（画素電極と対向電極の間）に電圧を印加して液
晶層を基板面と平行な方向にスイッチングするＩＰＳ方
式の液晶表示パネルでは、電圧無印加時に黒表示となる
ように偏光板が配置されている（所謂、ノーマリクロー
ズモード）。
【０００７】ＩＰＳ方式液晶表示パネルの液晶層は、初
期状態で基板面と平行なホモジニアス配向で、かつ基板
と平行な平面で液晶層のダイレクターは電圧無印加時で
電極配線方向と平行または幾分角度を有し、電圧印加時
で液晶層のダイレクターの向きが電圧の印加に伴い電極
配線方向と垂直な方向に移行し、液晶層のダイレクター
方向が電圧無印加時のダイレクター方向に比べて４５°
電極配線方向に傾斜したとき、当該電圧印加時の液晶層
は、まるで１／２波長板のように偏光の方位角を９０°
回転させ、出射側偏向板の透過軸と偏光の方位角が一致
して白表示となる。このＩＰＳ方式液晶表示パネルは視
野角においても色相やコントラストの変化が少なく、広
視野角化が図られるという特徴を有している（特開平５
−５０５２４７号公報参照）。
【０００８】上記した各種の液晶表示パネルを用いた液
晶表示装置のうち、特にアクティブマトリクス型の液晶
表示装置では、一対の基板の一方に各画素を区画するブ
ラックマトリクス（ＢＭ）を形成してコントラストを向
上させている。特にＴＮ型の液晶表示装置では、第１の
基板である下基板側に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等の
スイッチング素子を形成し、第２の基板である上基板側
にカラーフィルタを形成し、第２の基板に形成した各カ
ラーフィルタの回りにブラックマトリクスＢＭを設けて
いる。また、第１の基板に形成したスイッチング素子に
駆動信号を供給する信号線を覆って遮光膜を形成して表
示画像のコントラストを向上させている。
【０００９】図１９はＴＮ型液晶表示装置の画素部分を
拡大した模式図である。図１９の（ａ）は平面図、同
（ｂ）は同（ａ）のＡ−Ａ線の沿った断面図を示す。こ
の液晶表示装置は第１の基板（下基板）ＳＵＢ１の主面
に薄膜トランジスタ、画素電極、映像信号線、走査信号
線を有し、第２の基板（上基板）ＳＵＢ２の主面にブラ
ックマトリクス、ブラックマトリクスで囲まれる領域に
カラーフィルタ（図示せず）、共通電極（図示せず）が
配置されている。図中、Ｘｎ，Ｘｎ＋１は映像信号線、
Ｙｎ，Ｙｎ＋１は走査信号線、ＰＩＸは画素電極、ＴＦ
Ｔはスイッチング素子である薄膜トランジスタ、ＤＣＮ
は画素の周辺に発生するディスクリネーション領域（光
漏れによるコントラスト低下領域）である。なお、一対
の基板の各主面の最上層には液晶層ＬＣと接して配向膜
がそれぞれ形成されているが図示は省略してある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】このような液晶表示装
置では、その高精細化、狭画素ピッチ化に伴い第１の基
板ＳＵＢ１と第２の基板ＳＵＢ２の高度な位置合わせ精
度が要求される。この位置合わせにずれがあると、ブラ
ックマトリクスあるいは遮光膜と画素電極の間から光も
れが生じ、前記したディスクリネーションが起こる。そ
の結果、コントラストが低下し、画質不良をもたらす。
【００１１】図２０は本発明者が発見した画素電極周辺
に非対称に生じる光漏れを説明する模式図であり、図１
９の（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図に相当する。同図
（ａ）は第１の基板ＳＵＢ１に対して第２の基板ＳＵＢ
２が図の右側にずれた場合、同図（ｂ）は第１の基板Ｓ
ＵＢ１に対して第２の基板ＳＵＢ２が図の左側にずれた
場合の各ディスクリネーションの発生状態を示す。図２
０において、Ｘｎは画素電極ＰＩＸを駆動する映像信号
線、Ｘｎ＋１は画素電極ＰＩＸに対して図の右側に隣接
する画素電極ＰＩＸ’を駆動する映像信号線である。
【００１２】第１の基板ＳＵＢ１に対して第２の基板Ｓ
ＵＢ２が図の左右方向にずれると、画素電極と映像信号
線の間に生じる横方向の電界により液晶層ＬＣの捩れが
乱され、これが光漏れとなる。図２０の（ａ）では画素
電極ＰＩＸと隣接する映像信号線Ｘｎ＋１の境界領域に
ディスクリネーションが生じる。同様に、図２０の
（ｂ）では画素電極ＰＩＸと映像信号線Ｘｎの境界領域
にディスクリネーションが生じる。これらのディスクリ
ネーションは液晶表示装置の表示面を正面から見たとき
には見えなくても、図２０に示したように画面を左側か
ら、あるいは右側から見ると顕在化する。
【００１３】そして、上記のディスクリネーションの見
え方は左右方向で異なることが観察される。本発明者等
による研究の結果、このようなディスクリネーションの
見え方は第１の基板ＳＵＢ１の配向膜に形成されている
ラビング方向に関係があることが分かった。この事実を
踏まえて、本発明の目的は、配向膜のラビング方向とブ
ラックマトリクスあるいは遮光膜の関係を規定すること
により、第１の基板と第２の基板の位置合わせのずれに
伴うディスクリネーションの発生を抑制して高品質の画
像表示を可能とした液晶表示装置を提供することにあ
る。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、第１の基板に有する映像信号線と配向膜
のラビング方向に応じてブラックマトリクスまたは遮光
膜のずれ方向側とその反対側との幅を非対称とした。本
発明の代表的な構成を記述すれば次のとおりである。
【００１５】（１）、第１の方向及びこれに交差する第
２の方向に沿って配置された複数の画素電極と、該第１
の方向に沿って延伸し、かつ該第２の方向に並設された
複数の信号線とが形成された主面を有する第１の基板
と、前記第１の基板の主面と離間し、かつ対向するよう
に該第１の基板に結合された第２の基板と、前記第１の
基板及び前記第２の基板との間に封入された液晶層を備
えた液晶表示装置にて、前記第１の基板の主面には前記
液晶層に接する配向膜が形成され、前記複数の画素電極
は前記複数の信号線の隣接する一対に挟まれた領域にお
いて、前記第１の方向沿いに一列に並び、かつ該一列に
並ぶ該画素電極の各々は該一対の信号線の一方にスイッ
チング素子を介して接続され、前記一列に並ぶ画素電極
の前記一対の信号線の一方に沿う端部には前記第１の方
向沿いに延伸し且つ前記第２の方向沿いに第１の幅を有
する遮光部分が、該画素電極の該一対の信号線の他方に
沿う端部には該第１の方向沿いに延伸し且つ該第２の方
向沿いに第２の幅を有する遮光部分が夫々形成され、前
記第１の基板の主面において、前記配向膜は前記複数の
信号線の少なくとも一の延伸方向に対して時計回りに鈍
角をなす方向にラビングされ、前記画素電極に対して各
々形成された遮光部分の前記第２の幅が前記第１の幅よ
り広いことを特徴とする。
【００１６】（２）、（１）において、前記画素電極と
前記一対の信号線の前記他方に沿う前記遮光部分の重な
り幅が、該画素電極と上記一対の信号線の一方に沿う上
記遮光部分の重なり幅より広いことを特徴とする。
【００１７】（３）、（１）または（２）において、前
記遮光部分が前記第２の基板に形成したブラックマトリ
クスであることを特徴とする。
【００１８】（４）、（１）または（２）において、前
記遮光部分が前記第１の基板に有する映像信号線の近傍
を覆って形成した遮光膜であることを特徴とする。
【００１９】（５）、第１の方向及びこれに交差する第
２の方向に沿って配置された複数の画素電極と、該第１
の方向に沿って延伸し、かつ該第２の方向に並設された
複数の信号線とが形成された主面を有する第１の基板
と、前記第１の基板の主面と離間し、かつ対向するよう
に該第１の基板に結合された第２の基板と、前記第１の
基板及び前記第２の基板との間に封入された液晶層を備
えた液晶表示装置にて、前記第１の基板の主面には前記
液晶層に接する配向膜が形成され、前記複数の画素電極
は前記複数の信号線の隣接する一対に挟まれた領域にお
いて、前記第１の方向沿いに一列に並び、かつ該一列に
並ぶ該画素電極の各々は該一対の信号線の一方にスイッ
チング素子を介して接続され、前記一列に並ぶ画素電極
の前記一対の信号線の一方に沿う端部には前記第１の方
向沿いに延伸し且つ前記第２の方向沿いに第１の幅を有
する遮光部分が、該画素電極の該一対の信号線の他方に
沿う端部には該第１の方向沿いに延伸し且つ該第２の方
向沿いに第２の幅を有する遮光部分が夫々形成され、前
記第１の基板の主面において、前記配向膜は前記複数の
信号線の少なくとも一の延伸方向に対して時計回りに鋭
角をなす方向にラビングされ、前記画素電極に対して各
々形成された遮光部分の前記第１の幅が前記第２の幅よ
り広いことを特徴とする。
【００２０】（６）、（５）において、前記画素電極と
前記一対の信号線の前記一方に沿う前記遮光部分の重な
り幅が、該画素電極と上記一対の信号線の他方に沿う上
記遮光部分の重なり幅より広いことを特徴とする。
【００２１】（７）、（５）または（６）において、前
記遮光部分が前記第２の基板に形成したブラックマトリ
クスであることを特徴とする。
【００２２】（８）、（５）または（６）において、前
記遮光部分が前記第１の基板に有する映像信号線の近傍
を覆って形成した遮光膜であることを特徴とする。
【００２３】以上の各構成とすることにより、開口率の
低下を抑えつつ第１の基板と第２の基板の重ね合わせ裕
度を増やして画面の左右方向視覚のコントラストを向上
し、高品質の液晶表示装置を得ることができる。なお、
本発明は、上記構成および後述する実施例の構成に限定
されることなく種々の変形が可能であることは言うまで
もない。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、実施例の図面を参照して詳細に説明する。図１は本
発明による液晶表示装置の第１実施例の構成を説明する
ための模式図であり、液晶層を挟んで対向する第１の基
板ＳＵＢ１と第２の基板ＳＵＢ２とにより構成された画
素群（４つの画素で例示）の拡大図（下側）、及び夫々
の基板に施されたラビングの方向ＤＩＲ１，ＤＩＲ２を
示す説明図（上側）からなる。各画素は、第１の基板Ｓ
ＵＢ１主面に形成された画素電極ＰＩＸの面を第２の基
板ＳＵＢ２主面に形成されたブラックマトリクスの開口
で制限することで構成される。図１の（Ａ）は第１の基
板に配向膜のラビング方向と映像信号線号Ｘの時計回り
の交差角度θが鈍角（９０°＜θ＜１８０°）の場合、
（Ｂ）は第１の基板に配向膜のラビング方向と映像信号
線号Ｘの時計回りの交差角度θが鋭角（０°＜θ＜９０
°）の場合を示す。
【００２５】図中、ＳＵＢ１＋ＳＵＢ２は第１の基板Ｓ
ＵＢ１と第２の基板ＳＵＢ２を重ね合わせた状態で第２
の基板ＳＵＢ２側からみたラビング方向、ＤＩＲ１は第
１の基板の配向膜のラビング方向、ＤＩＲ２は第２の基
板の配向膜のラビング方向である。また、Ｘｎ，Ｘｎ＋
１は映像信号線で、Ｘｎは注目する画素電極ＰＩＸを駆
動する映像信号線、Ｘｎ＋１は注目する画素電極ＰＩＸ
に隣接する映像信号線である。Ｙｎ，Ｙｎ＋１は走査信
号線である。
【００２６】画素電極ＰＩＸは一対の映像信号線Ｘｎと
Ｘｎ＋１、一対の走査信号線Ｙｎ，Ｙｎ＋１で囲まれた
領域にある。画素電極ＰＩＸは第２の基板ＳＵＢ２に形
成されたブラックマトリクスの開口に露呈されており、
画素電極ＰＩＸは図の左側ではブラックマトリクスの左
側領域ＢＭ−Ｌと重ね合わされ、図の右側ではブラック
マトリクスの右側領域ＢＭ−Ｒと重ね合わされている。
【００２７】図１の（Ａ）に示した第１の基板ＳＵＢ１
に有する配向膜のラビング方向ＤＩＲ１は映像信号線に
対する時計回りの交差角度θが鈍角の場合、ブラックマ
トリクスの右側領域ＢＭ−Ｒの幅が左側領域ＢＭ−Ｌの
幅より広くしてある。すなわち、ブラックマトリクスの
開口が画素電極ＰＩＸに対して図の左側にシフトした状
態にある。これにより、第１の配向膜のラビング方向Ｄ
ＩＲ１が映像信号線に対して時計回りに鈍角であること
に起因するディスクリネーションが抑制される。
【００２８】図１の（Ｂ）に示した第１の基板ＳＵＢ１
に有する配向膜のラビング方向ＤＩＲ１は映像信号線に
対する時計回りの交差角度θが鋭角の場合、ブラックマ
トリクスの左側領域ＢＭ−Ｌの幅が右側領域ＢＭ−Ｒの
幅より広くしてある。すなわち、ブラックマトリクスの
開口が画素電極ＰＩＸに対して図の右側にシフトした状
態にある。これにより、第１の配向膜のラビング方向Ｄ
ＩＲ１が映像信号線に対して時計回りに鋭角であること
に起因するディスクリネーションが抑制される。そし
て、透過型の液晶表示装置では、バックライトの輝度を
抑えて電力消費を低減できる。
【００２９】図２は図１における配向膜のラビング方向
毎にブラックマトリクスの開口を形成する左右領域の幅
を非対称とする代表的な構成の説明図である。図中の参
照符号は図１と同様である。図２の（１）は第１の基板
ＳＵＢ１の配向膜のラビング方向を映像信号線に対して
時計回りに鈍角θで右下向きとし、第２の基板ＳＵＢ２
の配向膜のラビング方向を右上方向とした場合である。
この場合、ブラックマトリクスは、その右側領域ＢＭ−
Ｒの幅が左側領域ＢＭ−Ｌの幅より広くする。
【００３０】図２の（２）は第１の基板ＳＵＢ１の配向
膜のラビング方向を映像信号線に対して時計回りに鋭角
θで左下向きとし、第２の基板ＳＵＢ２の配向膜のラビ
ング方向を左上方向とした場合である。この場合、ブラ
ックマトリクスは、その左側領域ＢＭ−Ｌの幅が右側領
域ＢＭ−Ｒの幅より広くする。
【００３１】図２の（３）は第１の基板ＳＵＢ１の配向
膜のラビング方向を映像信号線に対して時計回りに鈍角
θで左下向きとし、第２の基板ＳＵＢ２の配向膜のラビ
ング方向を左下方向とした場合である。この場合、ブラ
ックマトリクスは、その右側領域ＢＭ−Ｒの幅が左側領
域ＢＭ−Ｌの幅より広くする。
【００３２】図２の（４）は第１の基板ＳＵＢ１の配向
膜のラビング方向を映像信号線に対して時計回りに鈍角
θで左上向きとし、第２の基板ＳＵＢ２の配向膜のラビ
ング方向を右上方向とした場合である。この場合、ブラ
ックマトリクスは、その右側領域ＢＭ−Ｒの幅が左側領
域ＢＭ−Ｌの幅より広くする。
【００３３】このように、画素電極ＰＩＸの左右を遮光
する遮光部としてのブラックマトリクスの左右幅をラビ
ング方向の時計回り角度θの鈍角または鋭角に応じて当
該画素電極ＰＩＸの開口に対して非対称とすることで、
当該配向膜のラビング方向に起因するディスクリネーシ
ョンの発生を抑制することができる。その結果、コント
ラストの大きい、高品質の画像表示をえることができ
る。
【００３４】ここで、本発明による液晶表示装置の典型
的な構成を説明する。図３は本発明を適用する液晶表示
装置の構成例を説明するための模式回路図である。液晶
表示装置は、その有効表示領域ＡＲに多数の画素ＰＸが
マトリクス状に配列されている。画素ＰＸは第１の基板
の主面に形成した画素電極を駆動する薄膜トランジスタ
ＴＦＴと第２の基板の主面に形成した共通電極Ｃとを有
する。第１の基板の主面には映像信号線Ｘ（Ｘ１Ｒ，Ｘ
１Ｇ，Ｘ１Ｂ、・・・・ＸｅｎｄＢ）、走査信号線Ｙ
（Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，・・・・Ｙｅｎｄ）を有する。ま
た、第２の基板の主面には共通電極Ｃ（Ｃ１，Ｃ２，・
・・・Ｃｅｎｄ）を有する。
【００３５】映像信号線Ｘは映像信号線駆動回路ＸＤで
駆動され、走査信号線Ｙは走査信号線駆動回路ＹＤで駆
動される。映像信号線駆動回路ＸＤは水平シフトレジス
タＳＲＨ、ラッチ回路Ｌ１、デジタル−アナログ変換回
路ＤＡＣ、ラインメモリＬＭ、アナログスイッチ回路Ｓ
Ｗで構成される。この映像信号線駆動回路ＸＤにはホス
ト側から各種のクロック信号ＣＬＫＨ、表示データＤＡ
ＴＡ、基準電圧Ｖｒｅｆなどが入力し、映像信号線Ｘに
表示用の信号電圧を出力する。
【００３６】走査信号線駆動回路ＹＤは垂直シフトレジ
スタＳＲＶ、垂直ドライブ回路ＤＲＶを有し、ホスト側
から各種のクロック信号ＣＬＫＶ、ゲート電圧ＶＧが入
力し、走査信号線Ｙに走査電圧を出力する。なお、共通
電極Ｃにはホスト側から共通線電圧Ｖｃｏｍが印加され
る。
【００３７】図４は図３における画素配列と１画素の拡
大図である。図４の（ａ）は画素配列であり、その中の
注目画素ＰＸを同（ｂ）に拡大して示す。画素ＰＸは映
像信号線ＸＩＧで駆動される画素電極ＰＩＸを有し、こ
の画素電極ＰＩＸと映像信号線Ｘ１Ｇの間の近傍と、画
素電極ＰＩＸと映像信号線Ｘ１Ｂの間の近傍にそれぞれ
遮光膜ＳＨＬ（左側遮光膜）、ＳＨＲ（右側遮光膜）が
形成されている。
【００３８】これらの遮光膜ＳＨＬとＳＨＲは画素電極
ＰＩＸに重ね合わされて当該画素電極ＰＩＸの左右端部
と映像信号線Ｘ１Ｇ、Ｘ１Ｂの間を遮光している。ま
た、第２の基板側に有するブラックマトリクスＢＭは図
中に破線で示した開口で示すように、画素電極ＰＩＸの
周囲に重ね合わされて遮光している。これらの遮光膜Ｓ
ＨＬとＳＨＲおよびブラックマトリクスＢＭにより光漏
れを防止してコントラストを向上させている。
【００３９】図５は第１の基板の配向膜のラビング方向
と画素の光漏れが生じる第１のケースの説明図、図６は
第１の基板の配向膜のラビング方向と画素光漏れが生じ
る第２のケースの説明図、図７は第１の基板の配向膜の
ラビング方向と画素光漏れが生じる第３のケースの説明
図である。図５に示した光漏れの第１のケースは、ラビ
ング方向が第１の基板の左上と右下を結ぶ方向にある場
合である。この場合、光漏れは視角を画素（この画素が
形成された液晶表示パネル）の主面の法線方向に対して
左側に傾けたとき、画素の右側で顕著となる。第５図
（ｂ）には、左下側から画素を眺める視線が例示されて
いるが、このような視角でも、ブラックマトリクスＢＭ
の開口又は遮光膜ＳＨＲの縁の周辺から光が漏れる。
【００４０】図６に示した光漏れの第２のケースは、ラ
ビング方向ＤＩＲが第１の基板の左下と右上を結ぶ方向
にある場合である。この場合、光漏れは視角を画素（こ
の画素が形成された液晶表示パネル）の主面の法線方向
に対して右側に傾けたとき、画素の左側で顕著となる。
第６図（ｂ）には、右下側から画素を眺める視線が例示
されているが、このような視角でも、ブラックマトリク
スＢＭの開口又は遮光膜ＳＨＬの縁の周辺から光が漏れ
る。そして、図７に示した光漏れの第３のケースは、図
５に示される第１基板（その左上から右下に向けて、又
はその右下から左上に向けてラビングされた）を１８０
°回転させて眺めた場合で、そのラビング方向ＤＩＲは
第１の基板の右下と左上を結ぶ方向となる。この場合、
光漏れは視角を画素（この画素が形成された液晶表示パ
ネル）の主面の法線方向に対して右側に傾けたとき、画
素の左側で顕著となる。第７図（ｂ）には、右下側から
画素を眺める視線が例示されているが、このような視角
でも、ブラックマトリクスＢＭの開口又は遮光膜ＳＨＬ
の縁の周辺から光が漏れる。
【００４１】図８は図５〜図７の知見に基づいた光漏れ
の観察結果を纏めた説明図である。液晶表示装置は二枚
の基板（ＳＵＢ１、ＳＵＢ２）の重ね合わせで構成さ
れ、映像信号線Ｘｎは図８に示した方向（紙面の表面か
ら裏面に向かう方向）に形成されている。この液晶表示
装置を左側の視点ＶＬから観察したとき、前記の第１の
ケースでは光漏れが顕著で、第２のケースと第３のケー
スではほとんど気にならない。これに対し、液晶表示装
置を右側の視点ＶＲから観察したとき、前記の第２のケ
ースと第３のケースでは光漏れが顕著で、第１のケース
ではほとんど気にならない。
【００４２】以上のことから、本発明では画素の映像信
号線に沿って設けた遮光部分の左右の幅を非対称とした
ものである。図９は画素の遮光部分の左右の幅を配向膜
のラビング方向に応じて非対称とすることの説明図であ
り、ここでは遮光部分が遮光膜である場合を例として説
明するが、ブラックマトリクスの場合も同様である。図
９の（ａ）は第１のケースと第２のケースにおける配向
膜のラビング方向の説明図、同（ｂ）は画素電極ＰＩＸ
の左右に設ける遮光膜ＳＨＬ、ＳＨＲの説明図、同
（ｃ）は第３のケースにおける配向膜のラビング方向の
説明図を示す。
【００４３】図９の（ａ）におけるラビング方向ＤＩＲ
の映像信号線Ｘｎに対する時計回り方向の交差角度θ
１、θ２は第１のケースと第２のケースの場合、同
（ｂ）におけるラビング方向ＤＩＲの映像信号線Ｘｎに
対する時計回り方向の交差角度θ３は第３のケースの場
合である。第１ケースでは、注目する画素ＰＩＸの駆動
に寄与しない映像信号線側の遮光膜の幅を当該画素ＰＩ
Ｘの駆動に寄与する映像信号線側の遮光膜の幅より広く
する。
【００４４】第２ケースでは、注目する画素ＰＩＸの駆
動に寄与する映像信号線側の遮光膜の幅を当該画素ＰＩ
Ｘの駆動に寄与しない映像信号線側の遮光膜の幅より広
くする。第３ケースでは、注目する画素ＰＩＸの駆動に
寄与しない映像信号線側の遮光膜の幅を当該画素ＰＩＸ
の駆動に寄与する映像信号線側の遮光膜の幅より広くす
る。
【００４５】図１０は第１の基板ＳＵＢ１に施されるラ
ビング処理とその方向に関する説明図である。また、図
１１はラビング方向と画素電極の左右（映像信号線沿い
の両端）に夫々形成される遮光領域（遮光膜）の幅（映
像信号線に交差する方向の寸法）との関係を説明する。
図１０（ａ）は、第１の基板ＳＵＢ１の主面に形成され
た映像信号線の一つＸｎとこの映像信号線より映像信号
を受ける画素電極の一つを示し、これに施されるラビン
グ処理を模式的に説明する。図１０（ａ）には示されな
いが、第１の基板上面には、図１０（ａ）に示された画
素及びその周辺を覆うように配向膜が形成される（例え
ば、配向膜は図１０（ａ）の全域を覆う）。
【００４６】配向膜は、ポリイミド等の有機系材料（樹
脂）で形成される。ラビング処理は、バフ布（Ｂｕｆｆ
Ｔｅｘｔｉｌｅ）等の布を捲き付けた起毛ロール（ラ
ビング・ローラ）ＲＯＬを配向膜上で矢印Ｂ又はＣ方向
に回転させながら直線方向に（所謂ラビング方向に沿っ
て）移動させる。その結果、配向膜ＯＲＩの表面はラビ
ング・ローラの布の毛（Pile）で擦られ、図１０（ｂ）
に示されるようなラビング方向ＤＩＲ沿いに延びる窪み
が形成される。図１０（ｂ）は、ラビング処理後の配向
膜を原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉ
ｃｒｏｓｃｏｐｅ，ＡＦＭ）で観察したイメージを例示
する。
【００４７】図１１に示したように、ラビング方向ＤＩ
Ｒと映像信号線Ｘｎの延在方向（第１の方向）との時計
回り方向の交差角度が鈍角か鋭角かに応じて画素電極Ｐ
ＩＸの左右（第２の方向）に設ける遮光膜ＳＨＬの幅
（第１の幅）とＳＨＲの幅（第２の幅）を変える。これ
により、画素の左右、特に左右斜め方向の視角における
光漏れが抑制され、コントラストが向上して高品質の画
像を表示することができる。また、映像信号線と画素電
極の間に生じる横方向電界の影響を画素の左右で均等化
できるため、開口率を低下させることがなく、外部照明
光源の輝度を高くすることなく明るい画像を得ることが
できる。
【００４８】図１２は本発明による液晶表示装置の第２
実施例の画素構造を、その１画素とその周辺を拡大して
示す図であり、上記第１のケースに適用される画素構造
の平面図である。図１３は図１２のｂ−ｂ' 線沿いの断
面図である。また、図１４は上記第２のケースに適用さ
れる本発明による液晶表示装置の第２実施例の画素構造
の平面図、図１５は図１４のｄ−ｄ' 線沿いの断面図で
ある。図１２及び図１４のいずれかに示された構成要素
のうち、太い破線で示されたブラックマトリクスの開口
ＢＭＯが上記第２の基板ＳＵＢ２（開口ＢＭＯの枠内に
カラーフィルタを設ける場合、カラーフィルタ基板とも
呼ばれる）に形成される以外、全て上記第１の基板ＳＵ
Ｂ１に形成される。図１２並びに図１４の平面図、及び
図１３並びに図１５の断面図に示される構成要素は、ブ
ラックマトリクスＢＭが画素電極ＰＩＸの左右（映像信
号線Ｘｎ，Ｘｎ＋１沿いの両端）を覆う幅の非対称性が
相違する以外、概ね同じである。
【００４９】図１２及び図１４の平面図において、第１
の基板ＳＵＢ１の主面上には、上下方向（第１の方向）
に延びる複数の映像信号線Ｘｎ，Ｘｎ＋１が左右方向
（前記第１の方向に交差する第２の方向）に並設され、
また、左右方向（前記第１の方向）に延びる複数の走査
信号線Ｙｎ，Ｙｎ＋１が上下方向（前記第２の方向）に
並設される。この２つの信号線のうち、映像信号線は画
素に映像信号を供給し、走査信号線は画素への映像信号
供給を制御する別の信号を供給する。
【００５０】上述した本発明による画素の非対称遮光構
造に係る信号線とは、図１２〜図１５に示された映像信
号線を指し、これに沿う画素電極の端部の長さは走査信
号線に沿うそれより長い。第２の実施例の画素構造は、
その１つが上記複数の映像信号線の隣接する一対Ｘｎ，
Ｘｎ＋１と上記複数の走査信号線の隣接する一対Ｙｎ，
Ｙｎ＋１とに囲まれた領域に形成される画素電極ＰＩＸ
とこれに映像信号を供給するスイッチング素子（電界効
果型の薄膜トランジスタとして例示）ＴＦＴとを含めて
構成される。
【００５１】図１２及び図１４の平面図にて例示される
いずれの画素電極も、破線の枠で囲まれて記された薄膜
トランジスタＴＦＴにより映像信号線Ｘｎから供給され
る信号を受ける。この薄膜トランジスタＴＦＴは、複数
の走査信号線の一つＹｎの一部分（又はこれから分岐し
た導電層）、この走査信号線の一部分（又はこれから分
岐した導電層）上に積層された絶縁膜（ゲート絶縁膜）
ＧＩ並びに半導体層ＡＳ、及びこの半導体層ＡＳ上に所
定の間隙で互いに離間されて形成された一対の電極層Ｓ
Ｄ１，ＳＤ２を備える。
【００５２】走査信号線の一部分（又はこれから分岐し
た導電層）はゲート電極とも呼ばれ、これに印加された
電圧により一対の電極層ＳＤ１，ＳＤ２を接続する半導
体層ＡＳ（チャネルと呼ばれる）に生じる電界で、映像
信号線Ｘｎと画素電極ＰＩＸとの間の導通を開閉する。
このゲート電極と呼ばれる導電層を金属や合金等の遮光
性を有する材料で形成することにより、この上部に形成
される半導体層ＡＳへの第１の基板の裏面（画素電極等
が設けられる主面の反対側の主面）側に配置された光源
からの光の入射とこれに因る半導体層ＡＳ内のフォト・
コンダクション（Ｐｈｏｔｏ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ）
を抑える。
【００５３】上記一対の電極層の一方ＳＤ２は映像信号
線Ｘｎに接続し、又はその一部として形成される。上記
一対の電極層の他方ＳＤ１は画素電極ＰＩＸに接続す
る。薄膜トランジスタＴＦＴを電界効果型トランジスタ
と見立てた場合、一対の電極層ＳＤ１，ＳＤ２はソース
電極、ドレイン電極と呼び分けられる。但し、液晶表示
パネルに供給される映像信号の極性を周期的に変えて液
晶表示装置を駆動する場合、これに応じて電極層ＳＤ
１，ＳＤ２のいずれもソース電極としての機能とドレイ
ン電極としての機能とを交互に示す。
【００５４】本発明による液晶表示装置の第２実施例に
おいて、第１の基板ＳＵＢ１主面上には、図１２及び図
１４の平面図に例示されるいずれかの画素構造が、上下
方向及び左右方向に２次元的に配置される。このような
配置は、図１２及び図１４のいずれの平面図において
も、例示される画素構造を囲むように他の８つの画素構
造が示されていることから推測できよう。
【００５５】例えば、図１２及び図１４において、その
中央に例示された画素構造の左右に隣接する他の２つの
画素構造もこの画素構造と同じ構造を有し、これらに設
けられた画素電極ＰＩＸにも走査信号線Ｙｎ上に形成さ
れた他の薄膜トランジスタから映像信号が、夫々異なる
映像信号線（右側の画素構造では映像信号線Ｘｎ＋１）
から供給される。
【００５６】従って、図１２及び図１４のいずれの中央
に夫々例示される画素構造の画素電極ＰＩＸに対し、こ
の画素電極の左右両側に配置される一対の映像信号線Ｘ
ｎ，Ｘｎ＋１の一方Ｘｎが画素電極ＰＩＸの駆動に寄与
し、他方Ｘｎ＋１は画素電極ＰＩＸの駆動に直接寄与し
ない（画素電極ＰＩＸと映像信号線Ｘｎ＋１との間に生
じる寄生容量等は無視する）。
【００５７】このような画素電極ＰＩＸと映像信号線Ｘ
ｎ，Ｘｎ＋１又はその等価物との配置は、画素電極ＰＩ
Ｘへの映像信号供給を制御するスイッチング素子を上記
薄膜トランジスタに代えて薄膜ダイオード（ＴＦＤ）を
用いた液晶表示装置においても同様に採用される。
【００５８】図１２及び図１４に例示される夫々の画素
構造の更なる詳細を、図１３及び図１５の断面図を参照
して説明する。第１の基板ＳＵＢ１の主面上には、上述
の複数の走査信号線Ｙｎ，Ｙｎ＋１とともに、各画素の
画素電極ＰＩＸの左右の周縁と絶縁膜ＧＩを挟んで重な
るように遮光膜ＳＨＬ，ＳＨＲが形成される。この遮光
膜ＳＨＬ，ＳＨＲは、これと重なる画素電極ＰＩＸの駆
動に寄与しない走査信号線（図１２及び図１４の中央に
例示される画素構造ＰＩＸに対しては走査信号線Ｙｎ＋
１）に電気的に接続させても、又はこれと一体に形成し
てもよい。
【００５９】図１２及び図１４の中央に例示される画素
構造ＰＩＸの駆動に寄与しない走査信号線とは、この画
素電極ＰＩＸの上側又は下側のいずれかに隣接する他の
画素電極の駆動に寄与する走査信号線とも定義できる。
上述の如く、走査信号線Ｙｎ，Ｙｎ＋１の一部をゲート
電極として用いることを考慮すると、走査信号線Ｙｎ，
Ｙｎ＋１及び遮光膜ＳＨＬ，ＳＨＤを第１の基板ＳＵＢ
１又は絶縁膜ＧＩより光透過率の低い金属又は合金で同
じ成膜工程で形成することが望ましい。
【００６０】また、遮光膜ＳＨＬ，ＳＨＤを映像信号線
Ｘｎ，Ｘｎ＋１沿いに形成する観点からも、遮光膜ＳＨ
Ｌ，ＳＨＤを走査信号線Ｙｎ，Ｙｎ＋１とともに形成
し、これらと映像信号線Ｘｎ，Ｘｎ＋１との間に絶縁膜
ＧＩを挟むことが望ましい。遮光膜ＳＨＬ，ＳＨＲを導
電層で形成した場合、これと映像信号線Ｘｎ，Ｘｎ＋１
との間に生じる寄生容量を抑えるため、映像信号線の各
々（例えば、Ｘｎ）の両側に配置される遮光膜ＳＨＬ，
ＳＨＲを一体にせず、別々に形成することが望ましい。
【００６１】また、映像信号線の各々とその両側に配置
される遮光膜ＳＨＬ，ＳＨＲの夫々との間に第１の基板
ＳＵＢ１の主面に沿った隙間を設けるとよい。映像信号
線Ｘｎ，Ｘｎ＋１上には別の絶縁膜（保護膜又はＰａｓ
ｓｉｖａｔｉｏｎ膜とも呼ばれる）ＰＳＶを設け、走査
信号線、遮光膜、映像信号線、並びにスイッチング素子
の形成により生じた第１の基板ＳＵＢ１の最上面の凹部
又は凸部を均し、その上に形成される画素電極ＰＩＸや
配向膜ＯＲＩ１の表面の起伏をできるだけ平坦にする。
【００６２】これにより、画素電極ＰＩＸから液晶層Ｌ
Ｃに印加される電界の局所的な乱れや配向膜ＯＲＩ１に
よる液晶分子の配向状態の乱れを低減する。上記映像信
号線Ｘｎ，Ｘｎ＋１や上記スイッチング素子を形成する
電極層ＳＤ１，ＳＤ２は、金属や合金等の電気的抵抗が
低い材料で形成するとよい。画素電極ＰＩＸは、インジ
ウム−錫−酸化物（ＩＴＯ）やインジウム−亜鉛−酸化
物（ＩＺＯ）等の光透過率の高い導電性酸化物材料で形
成することが望ましい。従って、絶縁膜ＰＳＶに設けら
れたコンタクト・ホールにて画素電極ＰＩＸと接合され
る電極層ＳＤ１は、上記導電性酸化物材料との接合界面
での電気的な抵抗を抑えられる材料で形成することが望
ましい。
【００６３】一方、図１３及び図１５の断面図に示され
る如く、第２の基板ＳＵＢ２の主面上には、第２の基板
ＳＵＢ２に比べて光透過率の低い樹脂材料、金属、又は
合金からなるブラックマトリクスＢＭを形成し、第１の
基板に設けられた画素電極ＰＩＸに応じて、これに開口
を設ける。カラーの画像表示を行う液晶表示装置におい
ては、このブラックマトリクスＢＭに設けられた開口の
夫々を埋めるようにカラーフィルタ層ＦＩＬを形成す
る。ブラックマトリクスＢＭは、金属膜（十分な遮光効
果を得られる厚さを有する）、又は染料、顔料、或いは
カーボンを分散させた樹脂で形成される。
【００６４】カラーフィルタＦＩＬは、着色された樹脂
を色別に順次形成するか、樹脂層を予め形成し、これに
染料又は顔料を分散させる。これらブラックマトリクス
ＢＭ及びその開口又はこれに設けられたカラーフィルタ
層ＦＩＬが形成されることにより、第２の基板ＳＵＢ２
の上面には起伏が生じる。この起伏を均すために、ブラ
ックマトリクスＢＭ並びにその開口又はこれらを埋める
ように形成されたカラーフィルタ層ＦＩＬを覆うように
絶縁膜（オーバコート膜とも呼ばれる）ＯＣを形成す
る。この絶縁膜ＯＣ上には、上記各画素電極とともに液
晶層ＬＣ内に電界を発生させる対向電極ＣＴ及び配向膜
ＯＲＩ２が形成される。
【００６５】対向電極ＣＴは、例えば上記画素電極ＰＩ
Ｘの複数個と対向する大きさに形成され、その電位は映
像信号に応じて変動する画素電極のそれに比べて比較的
変動が少ない。従って、対向電極ＣＴに印加される電圧
は基準電圧又は共通電圧とも呼ばれ、対向電極を共通電
極と呼ぶこともある。配向膜ＯＲＩ２には、第１の基板
に設けられた配向膜ＯＲＩ１と同様に、図１０を参照し
て説明した如く、ラビング処理が施される。
【００６６】上記絶縁膜ＧＩ，ＰＳＶ，ＯＣの各々は、
窒化珪素（ＳｉＮX ）、酸化珪素（ＳｉＯX ）、酸化ア
ルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、酸化タンタル（ＴａＯ5 ）
等の無機材料で形成されるが、絶縁膜ＰＳＶ，ＯＣは有
機系材料（樹脂）で形成してもよい。
【００６７】次に、図１２及び図１３に例示される上記
第１のケースに即した画素構造及び図１４及び図１５に
例示される上記第２のケースに即した画素構造について
説明する。夫々の画素構造の平面図（図１２及び図１
４）には、破線で縁取られた矢印として夫々の第１の基
板主面に施されたラビング処理の方向ＤＩＲ（上記ラビ
ング・ローラの移動方向）が示される。
【００６８】図１２では、ラビング方向ＤＩＲは図示さ
れた映像信号線Ｘｎが時計周りに約１３５°の角度で回
転したように描かれる。即ち、ラビング方向ＤＩＲは映
像信号線Ｘｎに対して時計周りに約１３５°の角度（即
ち、鈍角）をなして交差する上記第１のケースに相当す
る。図１４では、ラビング方向ＤＩＲは図示された映像
信号線Ｘｎが時計周りに約４５°の角度で回転したよう
に描かれる。即ち、ラビング方向ＤＩＲは映像信号線Ｘ
ｎに対して時計周りに約４５°の角度（即ち、鋭角）を
なして交差する上記第２のケースに相当する。
【００６９】図１２及び図１３に例示される上記第１の
ケースに即した画素構造において、図１２の中央に示さ
れる画素電極ＰＩＸに着眼すると、その右側周縁をその
左側周縁より十分に遮光することが要請される。第１の
基板ＳＵＢ１主面にて画素電極ＰＩＸの左右両側の周縁
に遮光層ＳＨＬ，ＳＨＲを夫々重ね、これらの遮光層と
第２の基板ＳＵＢ２主面に形成されたブラックマトリク
スＢＭの開口（その縁をＢＭＯとして示す）とで画素電
極ＰＩＸの周縁から漏れる光を遮断する場合、夫々の遮
光膜ＳＨＬ，ＳＨＲとブラックマトリクスＢＭとは、図
１２の左右方向（映像信号線が延伸する上記第１方向に
交差する第２方向）沿いに少なくとも幅Ｓで重なるよう
にする。この理由は以下のとおりである。
【００７０】液晶表示装置による画像表示において、図
１２及び図１４の中央に示される画素電極ＰＩＸ、液晶
層ＬＣ、及び対向電極ＣＴを通して透過する光ｈνは、
図１３に矢印の如く示される。この光ｈνが透過する液
晶層ＬＣ中の液晶分子は、配向膜ＯＲＩ１，ＯＲＩ２に
より配向され（液晶層ＬＣに電界が印加されないときの
所謂初期配向状態）、画素電極ＰＩＸと対向電極ＣＴと
の間に生じる電界の強度に応じて初期配向状態から徐々
に解放されて、液晶層ＬＣにおける光ｈνの透過率を変
える。
【００７１】しかしながら、第１の基板ＳＵＢ１主面の
法線方向から傾いて液晶表示パネルに入射する光ｈν１
は、上述の如く形成された遮光層ＳＨＬと映像信号線Ｘ
ｎとの間隙、及び遮光層ＳＨＲと映像信号線Ｘｎ＋１と
の間隙の夫々から液晶層ＬＣに入射する。液晶表示装置
がノーマリ・ホワイト（ノーマリ・オープンとも呼ばれ
る，液晶層ＬＣへの印加電界が小さいほど、液晶層ＬＣ
の光透過率が高くなる）で駆動される場合、少なくとも
光ｈν１が入射する液晶層ＬＣの部分では、上記画素電
極ＰＩＸと対向電極ＣＴとで形成される如き電界が生じ
てないため、画素電極ＰＩＸの電位に関係なく、光ｈν
１は液晶層ＬＣを通過してブラックマトリクスＢＭの開
口から液晶表示パネルの外に出射される。
【００７２】これに対し、上記遮光膜ＳＨＬ，ＳＨＲの
夫々とブラックマトリクスＢＭとを幅Ｓで重ねることに
より、上記光漏れの原因となる光ｈν１を画素電極ＰＩ
Ｘの左右両側にてブラックマトリクスＢＭで遮ることが
できる。図１３において、幅Ｓが光ｈν１を遮る以上に
広く形成された理由は、液晶表示パネルの組立時におけ
る第１の基板ＳＵＢ１主面と第２の基板ＳＵＢ２主面と
の位置合わせ誤差や、第１の基板ＳＵＢ１主面に遮光膜
ＳＨＬ，ＳＨＲ等を、第２の基板ＳＵＢ２主面にブラッ
クマトリクスＢＭの開口ＢＭＯを夫々形成するときのフ
ォトリソグラフィ工程において、いずれかの基板主面内
に生じる露光誤差（例えば、露光装置の収差により生じ
る基板主面の中央とその周縁とにおける転写パターンの
寸法の相違）を考慮したことにある。
【００７３】従来、この光漏れは、図１３に示される光
ｈν１の如く、画素電極ＰＩＸの左右両側で同様に生じ
ると考えられてきた。しかしながら、本発明者は、上記
第１のケースに該当する液晶表示パネルの画素電極ＰＩ
Ｘの右側、即ちこの画素電極への映像信号の供給に直接
関与しない信号線沿いの周縁において、光ｈν２として
例示されるような光漏れが生じることを発見した。この
光ｈν２は、図１３から明らかなように、従来の如く幅
ＳでブラックマトリクスＢＭと遮光膜ＳＨＲとを重ねて
も遮られないため、本発明者はブラックマトリクスＢＭ
と遮光膜ＳＨＲとの重なり幅をＡＳＹＭ分広げた。
【００７４】従って、図示されたブラックマトリクスＢ
Ｍと遮光膜ＳＨＲとの重なり幅はＳａとなり（但し、Ｓ
ａ＝Ｓ＋ＡＳＹＭ）、図１３においては画素電極ＰＩＸ
の右側周縁に対向するブラックマトリクスの開口の縁Ｂ
ＭＯはＡＳＹＭ分画素電極ＰＩＸの中央に向けて迫り出
る。
【００７５】図１２及び図１３に示される上記第１のケ
ースに対応した本発明による実施例２の画素構造の特徴
は、以下の如く記述される。
【００７６】構造的な特徴１：複数の信号線と、この複
数の信号線の隣接し合う一対に挟まれ且つこの一対の信
号線の一方Ｘｎから映像信号を受ける画素電極ＰＩＸ
と、この画素電極の一対の信号線の一方Ｘｎに沿う周縁
と重なり且つこの信号線の延伸方向沿いに延びる第１遮
光膜ＳＨＬと、この画素電極の一対の信号線の他方Ｘｎ
＋１に沿う周縁と重なり且つこの信号線の延伸方向沿い
に延びる第２遮光膜ＳＨＲとが形成された主面を有する
第１の基板ＳＵＢ１と、上記画素電極に対向する開口を
有するブラックマトリクスＢＭが形成された主面を有す
る第２の基板ＳＵＢ２とを備えた液晶表示装置におい
て、上記ブラックマトリクスＢＭは上記第１遮光膜ＳＨ
Ｌと上記第２遮光膜ＳＨＲとに夫々対向し、ブラックマ
トリクスＢＭを（上記基板のいずれかの厚み方向に沿っ
て）第２遮光膜ＳＨＲに投影したときのブラックマトリ
クスＢＭと第２遮光膜ＳＨＲとの重なり幅Ｓａ（例え
ば、上記信号線の延伸方向に直交する方向に沿った寸法
として定義）は、ブラックマトリクスＢＭを第１遮光膜
ＳＨＬに投影したときのブラックマトリクスＢＭと第１
遮光膜ＳＨＬとの重なり幅Ｓ（例えば、上記幅Ｓａと同
様に定義）より広い。
【００７７】このような条件を満たす画素を少なくとも
一つ液晶表示装置の表示画面（有効表示領域）に形成す
ればよく、表示画面を構成する全画素数の少なくとも一
割以上の一群（特に表示画面中心付近に設けられる）が
この条件を満たすことが望ましい。
【００７８】構造的な特徴２：第１の方向に延伸し且つ
これに交差する第２の方向に並設される複数の信号線
と、この複数の信号線の隣接し合う一対の間毎に第１の
方向に沿って１列に並ぶ複数の画素とが形成された主面
を有する第１の基板と、上記複数の画素に夫々対向する
複数の開口を有するブラックマトリクスＢＭが形成され
た主面を有する第２の基板ＳＵＢ２とを備え、上記画素
の各々はこの画素を挟む上記一対の信号線の一方Ｘｎか
ら映像信号を受ける画素電極ＰＩＸ、この画素電極の一
対の信号線の一方Ｘｎに沿う周縁と重なり且つこの信号
線の延伸方向沿いに延びる第１の遮光膜ＳＨＬ、並びに
この画素電極の一対の信号線の他方Ｘｎ＋１に沿う周縁
と重なり且つこの信号線の延伸方向沿いに延びる第２の
遮光膜ＳＨＲとを含む液晶表示装置において、上記複数
の画素の上記第２の方向沿いに隣接する一対に夫々対応
する上記ブラックマトリクスＢＭの開口の一対の開口を
隔てる距離ＢＷの中心ＢＣＥＮは、この隣接する一対の
画素の一方に形成された第１の遮光膜ＳＨＬの端部（こ
の画素に設けられた画素電極ＰＩＸが重なる）とこの一
対の画素の他方に形成され且つ上記一対の画素の一方の
第１の遮光膜ＳＨＬに隣接する第２の遮光膜ＳＨＲの端
部（この画素に設けられた前述の画素電極とは別の画素
電極ＰＩＸが重なる）との距離ＳＨＷの中心ＳＣＥＮよ
り上記一対の画素の他方側に偏る（上記一対の画素の他
方に形成された第２の遮光膜ＳＨＲ側に寄る）。
【００７９】この特徴は、図１２及び図１３の中央に示
す画素とその左側に形成された別の画素とがともに本発
明による構造を有する場合に現れる。
【００８０】構造的な特徴３：複数の信号線と、この複
数の信号線の隣接し合う一対Ｘｎ，Ｘｎ＋１の間に形成
され且つこの一対の信号線の一方Ｘｎから映像信号を受
ける画素電極ＰＩＸとが形成された主面を有する第１の
基板ＳＵＢ１と、上記画素電極に対向する開口を有する
ブラックマトリクスＢＭが形成された主面を有する第２
の基板ＳＵＢ２とを備えた液晶表示装置において、上記
ブラックマトリクスＢＭの開口はこのブラックマトリク
スが上記画素電極の上記一対の信号線の一方Ｘｎに沿う
第１周縁と上記一対の信号線の他方Ｘｎ＋１に沿う第２
周縁と夫々重なるように形成され、且つ上記ブラックマ
トリクスＢＭを（上記基板のいずれかの厚み方向に沿っ
て）上記画素電極ＰＩＸの第１周縁に投影したときのブ
ラックマトリクスＢＭと画素電極ＰＩＸの第１周縁との
重なり幅Ｗａは、ブラックマトリクスＢＭを上記画素電
極ＰＩＸの第２周縁に投影したときのブラックマトリク
スＢＭと画素電極の第２周縁との重なり幅Ｗｂより広
い。上記重なり幅は、例えば、上記信号線の延伸方向に
直交する方向に沿う寸法として定義される。
【００８１】図１４及び図１５に例示される上記第２の
ケースに即した画素構造における本発明者が発見した光
漏れの問題は、光ｈν２の入射位置を遮光膜ＳＨＬ側に
変えて、上記第１のケースと同様に説明される。従っ
て、その構造的な特徴も、以下のように記述できる。
【００８２】構造的な特徴４：複数の信号線と、この複
数の信号線の隣接し合う一対に挟まれ且つこの一対の信
号線の一方Ｘｎから映像信号を受ける画素電極ＰＩＸ
と、この画素電極の一対の信号線の一方Ｘｎに沿う周縁
と重なり且つこの信号線の延伸方向沿いに延びる第１遮
光膜ＳＨＬと、この画素電極の一対の信号線の他方Ｘｎ
＋１に沿う周縁と重なり且つこの信号線の延伸方向沿い
に延びる第２遮光膜ＳＨＲとが形成された主面を有する
第１の基板ＳＵＢ１と、上記画素電極に対向する開口を
有するブラックマトリクスＢＭが形成された主面を有す
る第２の基板ＳＵＢ２とを備えた液晶表示装置におい
て、上記ブラックマトリクスＢＭは上記第１遮光膜ＳＨ
Ｌと上記第２遮光膜ＳＨＲとに夫々対向し、ブラックマ
トリクスＢＭを（上記基板のいずれかの厚み方向に沿っ
て）第１遮光膜ＳＨＬに投影したときのブラックマトリ
クスＢＭと第１遮光膜ＳＨＬとの重なり幅Ｓａは、ブラ
ックマトリクスＢＭを第２遮光膜ＳＨＲに投影したとき
のブラックマトリクスＢＭと第２遮光膜ＳＨＲとの重な
り幅Ｓより広い。重なり幅は、上記構造的な特徴１のそ
れと同様に定義してよい。
【００８３】このような条件を満たす画素を少なくとも
一つ液晶表示装置の表示画面（有効表示領域）に形成す
ればよく、表示画面を構成する全画素数の少なくとも一
割以上の一群（特に表示画面中心付近に設けられる）が
この条件を満たすことが望ましい。
【００８４】構造的な特徴５：第１の方向に延伸し且つ
これに交差する第２の方向に並設される複数の信号線
と、この複数の信号線の隣接し合う一対の間毎に第１の
方向に沿って１列に並ぶ複数の画素とが形成された主面
を有する第１の基板と、上記複数の画素に夫々対向する
複数の開口を有するブラックマトリクスＢＭが形成され
た主面を有する第２の基板ＳＵＢ２とを備え、上記画素
の各々はこの画素を挟む上記一対の信号線の一方Ｘｎか
ら映像信号を受ける画素電極ＰＩＸ、この画素電極の一
対の信号線の一方Ｘｎに沿う周縁と重なり且つこの信号
線の延伸方向沿いに延びる第１の遮光膜ＳＨＬ、並びに
この画素電極の一対の信号線の他方Ｘｎ＋１に沿う周縁
と重なり且つこの信号線の延伸方向沿いに延びる第２の
遮光膜ＳＨＲとを含む液晶表示装置において、上記複数
の画素の上記第２の方向沿いに隣接する一対に夫々対応
する上記ブラックマトリクスＢＭの開口の一対の開口を
隔てる距離ＢＷの中心ＢＣＥＮは、この隣接する一対の
画素の一方に形成された第１の遮光膜ＳＨＬの端部（こ
の画素に設けられた画素電極ＰＩＸが重なる）とこの一
対の画素の他方に形成され且つ上記一対の画素の一方の
第１の遮光膜ＳＨＬに隣接する第２の遮光膜ＳＨＲの端
部（この画素に設けられた前述の画素電極とは別の画素
電極ＰＩＸが重なる）との距離ＳＨＷの中心ＳＣＥＮよ
り上記一対の画素の一方側に偏る（上記一対の画素の一
方に形成された第１の遮光膜ＳＨＬ側に寄る）。
【００８５】この特徴は、図１４及び図１５の中央に示
す画素とその左側に形成された別の画素とがともに本発
明による構造を有する場合に現れる。
【００８６】構造的な特徴６：複数の信号線と、この複
数の信号線の隣接し合う一対Ｘｎ，Ｘｎ＋１の間に形成
され且つこの一対の信号線の一方Ｘｎから映像信号を受
ける画素電極ＰＩＸとが形成された主面を有する第１の
基板ＳＵＢ１と、上記画素電極に対向する開口を有する
ブラックマトリクスＢＭが形成された主面を有する第２
の基板ＳＵＢ２とを備えた液晶表示装置において、上記
ブラックマトリクスＢＭの開口はこのブラックマトリク
スが上記画素電極の上記一対の信号線の一方Ｘｎに沿う
第１周縁と上記一対の信号線の他方Ｘｎ＋１に沿う第２
周縁と夫々重なるように形成され、且つ上記ブラックマ
トリクスＢＭを（上記基板のいずれかの厚み方向に沿っ
て）上記画素電極ＰＩＸの第２周縁に投影したときのブ
ラックマトリクスＢＭと画素電極ＰＩＸの第２周縁との
重なり幅Ｗｂは、ブラックマトリクスＢＭを上記画素電
極ＰＩＸの第１周縁に投影したときのブラックマトリク
スＢＭと画素電極の第１周縁との重なり幅Ｗａより広
い。上記重なり幅は、例えば、上記信号線の延伸方向に
直交する方向に沿う寸法として定義される。
【００８７】以上に述べた構造的な特徴１乃至６の少な
くとも一つを満たす画素構造は、液晶表示パネルの全域
に形成されなくとも、例えばその表示領域の中心部に形
成されればよい。即ち、液晶表示パネルの周縁において
は上述のように、露光工程等による誤差の影響を受け、
上記構造的な特徴１乃至６のいずれをも満たしづらくな
る。しかし、表示領域の中心部又はそれ以外の特定の領
域でこれらの構造的な特徴を満たすように、上記第１の
基板及び上記第２の基板を夫々作成し、これらを結合す
れば、この領域以外においても本発明が解決せんとする
光漏れは低減できることに相違ない。
【００８８】上記構造的な特徴の３及び６は、第１の基
板ＳＵＢ１に形成された遮光膜ＳＨＬ，ＳＨＲを抜きに
して規定される。従って、上記本発明による液晶表示装
置の第２実施例を第１のケースに適用した変形例とし
て、図２１及び図２２に示される画素構造が得られる。
図２１及び図２２に示される構成要件は、図１２及び図
１３に示されるそれらと概ね同じだが、遮光膜ＳＨＬ，
ＳＨＲを取り除いた分、画素電極ＰＩＸ及び配向膜ＯＲ
Ｉ１の表面が均されている。なお、図２２において、Ｓ
はＷａと、ＳａはＷｂに夫々等しい。
【００８９】この実施形態の構造的な特徴は、上記構造
的な特徴２に倣い、信号線Ｘｎに交差する方向に隣接す
る一対の画素に夫々対向するブラックマトリクスの開口
を隔てる距離ＢＷの中心ＢＣＥＮと、この一対の画素に
夫々形成される画素電極ＰＩＸ（信号線Ｘｎ越しに隣接
し合う）を隔てる距離ＰＸＷの中心ＰＣＥＮとの位置の
ずれで記述することもできる。
【００９０】図２１及び図２２に示される画素構造で
は、ブラックマトリクスＢＭの開口ＢＭＯ間の中心ＢＣ
ＥＮは画素電極ＰＩＸ間の中心ＰＣＥＮより左側（即
ち、この画素電極ＰＩＸ間に配置される信号線Ｘｎから
映像信号を受けない画素側）にずれる。この画素構造を
上記第２のケースに適用する場合、上記構造的な特徴５
からの類推により、ブラックマトリクスＢＭの開口ＢＭ
Ｏ間の中心ＢＣＥＮは画素電極ＰＩＸ間の中心ＰＣＥＮ
より右側（即ち、この画素電極ＰＩＸ間に配置される信
号線Ｘｎから映像信号を受ける画素側）にずれる。
【００９１】以上に説明した実施例は、第２の基板ＳＵ
Ｂ２又は第１の基板ＳＵＢ１と第２の基板ＳＵＢ２の夫
々に設けた遮光層（ブラックマトリクスや遮光膜）で画
素電極ＰＩＸにて左右非対称に生じる光漏れを低減する
画素構造に関するが、遮光層を第１の基板ＳＵＢ１のみ
に形成した画素構造でも、この光漏れは低減できる。図
１６及び１７を参照して説明される画素構造は、その一
例である。これらに例示される第１の基板ＳＵＢは、ブ
ラックマトリクスＢＭが形成された上述の実施例に例示
される如き第２の基板ＳＵＢ２と組合わせても本発明の
実施を阻むものでない。
【００９２】図１６と図１７は本発明による液晶表示装
置の第３実施例の説明図であり、第１の基板に有する映
像信号線Ｘ（Ｘｎ，Ｘｎ＋１，・・・）と画素電極とを
被覆して遮光膜を形成した形式の液晶表示装置に本発明
を適用した実施例である。図１６は配向膜のラビング方
向が映像信号線Ｘｎに対して時計回り方向の交差角度が
鈍角である場合を示し、図１７は配向膜のラビング方向
が映像信号線Ｘｎに対して時計回り方向の交差角度が鋭
角である場合を示す。図１６と図１７において、（ａ）
は画素部分を拡大して示す模式図、（ｂ）は（ａ）のＡ
−Ａ線断面模式図である。
【００９３】第１の基板ＳＵＢ１の配向膜のラビング方
向が映像信号線Ｘｎに対して時計回り方向の交差角度が
鈍角である図１６の場合は、注目する画素電極Ｘｎの右
側に隣接する画素電極を駆動する映像信号線Ｘｎ＋１の
間を被覆する遮光膜ＳＨＲの幅を当該画素電極Ｘｎを駆
動する映像信号線Ｘｎの間を被覆する遮光膜ＳＨＬの幅
より広くしてある。なお、第２の基板ＳＵＢ２の主面に
はブラックマトリクスを有しても、あるいは無くてもよ
い。
【００９４】第１の基板ＳＵＢ１の配向膜のラビング方
向が映像信号線Ｘｎに対して時計回り方向の交差角度が
鋭角である図１７の場合は、注目する画素電極を駆動す
る映像信号線Ｘｎの間を被覆する遮光膜ＳＨＬの幅を当
該注目する画素電極Ｘｎの右側に隣接する画素電極を駆
動する映像信号線Ｘｎ＋１の間を被覆する遮光膜ＳＨＲ
の幅より広くしてある。なお、第２の基板ＳＵＢ２の主
面にはブラックマトリクスを有しても、あるいは無くて
もよい。
【００９５】本実施例によっても、左右斜め視角でのコ
ントラストの低下が抑制され、画素の開口率を低下させ
ることなく明るい表示を得ることができる。なお、本実
施例においては、説明の都合上、図１３及び図１５に図
示された構成要件のうち、本発明の実施に直接係らない
幾つか（配向膜ＯＲＩ１及びＯＲＩ２，対向電極ＣＴ）
を図１６（ｂ），及び図１７（ｂ）のいずれにおいても
省略した。図１６（ｂ），及び図１７（ｂ）のいずれに
おいても、少なくとも第１の基板ＳＵＢ１、また必要に
応じて第２のＳＵＢ２の最上面に、図１３及び図１５に
図示された配向膜ＯＲＩ１及びＯＲＩ２、又はその等価
物が形成される。また、
【００９６】これ以外の省略された構成要件は、図１３
及び図１５に倣い、適宜本実施例のいずれの構成にも適
用できる。なお、本実施例においては、樹脂等の絶縁性
材料からなる遮光膜ＳＨＬ，ＳＨＲで画素電極ＰＩＸ間
を分離するため、第１の基板ＳＵＢ１をカラーフィルタ
材料が分散された電解質の溶液に浸し、このカラーフィ
ルタ材料を画素電極ＰＩＸの各々に電気化学的に析出さ
せることもできる。
【００９７】図１８は本発明による液晶表示装置を用い
た液晶表示モジュールの全体構成例を説明するための展
開斜視図である。この液晶表示モジュールは液晶表示装
置ＰＮＬの背面に導光板ＧＬＢと線状光源として冷陰極
蛍光ランプＣＦＬを設置して構成したバックライトを備
えている。液晶表示装置ＰＮＬの短辺側には走査駆動回
路（集積回路等）を搭載したフレキシブルプリント基板
ＦＰＣ１が接続され、長辺側には映像信号駆動回路（集
積回路等）を搭載したフレキシブルプリント基板ＦＰＣ
２が接続されている。
【００９８】バックライトを構成する導光板ＧＬＢの背
面には反射板ＲＦを有し、この導光板ＧＬＢと液晶表示
装置ＰＮＬの間に拡散シートやプリズムシートからなる
光学補償シートＯＰＳが介在し、下側ケースＭＤＬと上
側ケースＳＨＤで挟持して一体化されている。この液晶
表示モジュールの各種駆動信号や電源等は図示しないイ
ンターフェース基板を介してホスト側から供給される。
なお、参照符号ＣＢは給電ケーブル、ＣＴはコネクタで
ある。冷陰極蛍光ランプＣＦＬは給電ケーブルＣＢでホ
スト側から供給される。
【００９９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
第１の基板に有する映像信号線と配向膜のラビング方向
に応じてブラックマトリクスまたは遮光膜のずれ方向側
とその反対側との幅を非対称としたことにより、開口率
の低下を抑えつつ第１の基板と第２の基板の重ね合わせ
裕度を増やして画面の左右方向視覚のコントラストを向
上し、高品質の液晶表示装置を得ることができる。
【０１００】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による液晶表示装置の第１実施例の構成
を説明するための模式図である。
【図２】図１における配向膜のラビング方向毎にブラッ
クマトリクスの開口を形成する左右領域の幅を非対称と
する代表的な構成の説明図である。
【図３】本発明を適用する液晶表示装置の構成例を説明
するための模式回路図である。
【図４】図３における画素配列と１画素の拡大図であ
る。
【図５】第１の基板の配向膜のラビング方向と画素の光
漏れが生じる第１のケースの説明図である。
【図６】第１の基板の配向膜のラビング方向と画素光漏
れが生じる第２のケースの説明図である。
【図７】第１の基板の配向膜のラビング方向と画素光漏
れが生じる第３のケースの説明図である。
【図８】図５〜図７の知見に基づいた光漏れの観察結果
を纏めた説明図である。
【図９】画素の遮光部分の左右の幅を配向膜のラビング
方向に応じて非対称とすることの説明図である。
【図１０】第１の基板に有する配向膜のラビングと映像
信号線に対するラビング方向の一例およびラビングした
配向膜の形状の説明図である。
【図１１】ラビング方向と画素電極の左右に形成する遮
光膜の非対称幅設定の説明図である。
【図１２】本発明による液晶表示装置の第２実施例の構
成を説明するための画素構造を拡大して示す模式図であ
り、本発明を第１のケースに適用した説明図である。
【図１３】図１２のｂ−ｂ’線沿いの断面図である。
【図１４】本発明による液晶表示装置の第２実施例の構
成を説明するための画素構造を拡大して示す模式図であ
り、本発明を第２のケースに適用した説明図である。
【図１５】図１４のｄ−ｄ’線沿いの断面図である。
【図１６】本発明による液晶表示装置の第３実施例の説
明図である。
【図１７】本発明による液晶表示装置の第３実施例の他
の説明図である。
【図１８】本発明による液晶表示装置を用いた液晶表示
モジュールの全体構成例を説明するための展開斜視図で
ある。
【図１９】ＴＮ型液晶表示装置の画素部分を拡大した模
式図である。
【図２０】本発明者が発見した画素電極周辺に非対称に
生じる光漏れを説明する模式図である。
【図２１】本発明による液晶表示装置の第２実施例に基
づく変形例の構成を説明するための画素構造を拡大して
示す模式図である。
【図２２】図２１のｅ−ｅ’線沿いの断面図である。
【符号の説明】
ＳＵＢ１・・・・第１の基板、ＳＵＢ２・・・・第２の
基板、ＤＩＲ１・・・・第１の基板の配向膜のラビング
方向、ＤＩＲ２・・・・第２の基板の配向膜のラビング
方向、Ｘ（Ｘｎ，Ｘｎ＋１・・・・）映像信号線、ＰＩ
Ｘ・・・・注目する画素電極、Ｘｎ＋１・・・・注目す
る画素電極ＰＩＸに隣接する映像信号線、Ｙ（Ｙｎ，Ｙ
ｎ＋１・・・・）・・・・走査信号線、ＢＭ・・・・ブ
ラックマトリクス、ＢＭ−Ｌ・・・・ブラックマトリク
スの左側領域、ＢＭ−Ｒ・・・・ブラックマトリクスの
右側領域、ＸＤ・・・・映像信号線駆動回路、ＹＤ・・
・・走査信号線駆動回路、ＳＲＨ・・・・水平シフトレ
ジスタ、Ｌ１・・・・ラッチ回路、ＤＡＣ・・・・デジ
タル−アナログ変換回路、ＬＭ・・・・ラインメモリ、
ＳＷ・・・・アナログスイッチ回路、ＣＬＫＨ・・・・
クロック信号、ＤＡＴＡ・・・・表示データ、Ｖｒｅｆ
・・・・基準電圧、ＳＲＶ・・・・垂直シフトレジス
タ、ＤＲＶ・・・・垂直ドライブ回路、ＣＬＫＶ・・・
・クロック信号、ＶＧ・・・・ゲート電圧、Ｃ・・・・
共通電極、Ｖｃｏｍ・・・・共通線電圧、ＳＨＬ・・・
・遮光膜（左側遮光膜）、ＳＨＲ・・・・遮光膜（右側
遮光膜）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/30 ３４９ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３４９Ｃ 9/35 9/35 Ｆターム(参考） 2H042 AA09 AA15 AA26 2H090 KA05 LA05 MA07 MB01 2H091 FA35 FD03 GA01 GA13 HA07 KA10 LA03 LA17 2H092 JA24 JB52 NA04 PA09 QA07 5C094 AA06 BA03 BA43 CA19 DA14 DA15 DB01 DB04 EA04 EA07 EB02 ED15

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】第１の方向及びこれに交差する第２の方向
    に沿って配置された複数の画素電極と、該第１の方向に
    沿って延伸し、かつ該第２の方向に並設された複数の信
    号線とが形成された主面を有する第１の基板と、 前記第１の基板の主面と離間し、かつ対向するように該
    第１の基板に結合された第２の基板と、 前記第１の基板及び前記第２の基板との間に封入された
    液晶層を備え、 前記第１の基板の主面には前記液晶層に接する配向膜が
    形成され、 前記複数の画素電極は前記複数の信号線の隣接する一対
    に挟まれた領域において、前記第１の方向沿いに一列に
    並び、且つ該一列に並ぶ該画素電極の各々は該一対の信
    号線の一方にスイッチング素子を介して接続され、 前記一列に並ぶ画素電極に対して前記一対の信号線の一
    方に沿う端部には前記第１の方向沿いに延伸し且つ前記
    第２の方向沿いに第１の幅を有する遮光部分が、該画素
    電極の該一対の信号線の他方に沿う端部には該第１の方
    向沿いに延伸し且つ該第２の方向沿いに第２の幅を有す
    る遮光部分が夫々形成され、 前記第１の基板の主面において、前記配向膜は前記複数
    の信号線の少なくとも一の延伸方向に対して時計回りに
    鈍角をなす方向にラビングされ、前記画素電極に対して
    各々形成された遮光部分の前記第２の幅が前記第１の幅
    より広いことを特徴とする液晶表示装置。
  2. 【請求項２】前記画素電極と前記一対の信号線の前記他
    方に沿う前記遮光部分の重なり幅が、該画素電極と上記
    一対の信号線の一方に沿う上記遮光部分の重なり幅より
    広いことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
  3. 【請求項３】前記遮光部分が前記第２の基板に形成した
    ブラックマトリクスであることを特徴とする請求項１ま
    たは２に記載の液晶表示装置。
  4. 【請求項４】前記遮光部分が前記第１の基板に有する映
    像信号線の近傍を覆って形成した遮光膜であることを特
    徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
  5. 【請求項５】第１の方向及びこれに交差する第２の方向
    に沿って配置された複数の画素電極と、該第１の方向に
    沿って延伸し、かつ該第２の方向に並設された複数の信
    号線とが形成された主面を有する第１の基板と、 前記第１の基板の主面と離間し、かつ対向するように該
    第１の基板に結合された第２の基板と、 前記第１の基板及び前記第２の基板との間に封入された
    液晶層を備え、 前記第１の基板の主面には前記液晶層に接する配向膜が
    形成され、 前記複数の画素電極は前記複数の信号線の隣接する一対
    に挟まれた領域において、前記第１の方向沿いに一列に
    並び、且つ該一列に並ぶ該画素電極の各々は該一対の信
    号線の一方にスイッチング素子を介して接続され、 前記一列に並ぶ画素電極に対して前記一対の信号線の一
    方に沿う端部には前記第１の方向沿いに延伸し且つ前記
    第２の方向沿いに第１の幅を有する遮光部分が、該画素
    電極の該一対の信号線の他方に沿う端部には該第１の方
    向沿いに延伸し且つ該第２の方向沿いに第２の幅を有す
    る遮光部分が各々形成され、 前記第１の基板の主面において、前記配向膜は前記複数
    の信号線の少なくとも一の延伸方向に対して時計回りに
    鋭角をなす方向にラビングされ、前記画素電極に対して
    各々形成された遮光部分の前記第１の幅が前記第２の幅
    より広いことを特徴とする液晶表示装置。
  6. 【請求項６】前記画素電極と前記一対の信号線の前記一
    方に沿う前記遮光部分の重なり幅が、該画素電極と上記
    一対の信号線の他方に沿う上記遮光部分の重なり幅より
    広いことを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
  7. 【請求項７】前記遮光部分が前記第２の基板に形成した
    ブラックマトリクスであることを特徴とする請求項５ま
    たは６に記載の液晶表示装置。
  8. 【請求項８】前記遮光部分が前記第１の基板に有する映
    像信号線の近傍を覆って形成した遮光膜であることを特
    徴とする請求項５または６に記載の液晶表示装置。
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