JP2001330832A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶表示装置において、ディスクリネーショ
ンが開口部に出ることを防ぐとともに表示領域の開口率
を向上させること。 【解決手段】 一対の基板間に液晶が挟持され、一方の
基板上７に、交差した複数の走査線４及び複数のデータ
線３と、この交差に対応してマトリクス状に配置された
画素電極１及び画素電極に接続されたスイッチング素子
２とを備えると共に、隣接する画素電極間の境界領域に
対向して一対の基板の少なくとも一方に設置される遮光
層３ａ、６と、一対の基板の少なくとも一方の面上に設
けられ表面が一定のラビング方向に向けてラビング処理
された配向膜とを備えた液晶表示装置であって、遮光層
は、画素電極と重なり合う重なり部を有し、重なり部
は、画素電極の周縁部分のうちラビング方向Ｙの逆方向
側の周縁部分と重なる領域がラビング方向の順方向側の
周縁部分と重なる領域よりも広く形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
し、特に、ディスクリネーションが開口部に出ることを
防ぎ、さらには表示領域の開口率を向上させることに好
適なものに関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、薄膜トランジスタ(Thin Film T
ransistor：以下適宜ＴＦＴと略称する）駆動によるア
クティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置において
は、互いに対向する一対の基板間に液晶が挟持され、一
対の基板のうち一方は縦横に夫々配列された多数の走査
線及びデータ線並びにこれらの各交点に対応して多数の
画素電極及びＴＦＴが設けられたＴＦＴアレイ基板とさ
れている。さらに、一対の基板のうち他方の基板上には
対向電極が設けられるとともに、ＴＦＴアレイ基板に
は、データ線に印加する電圧を制御しＴＦＴを介して画
素電極の電圧を制御するデータ線駆動回路が設けられて
いる。

【０００３】例えば、図８及び図９に示すように、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０７は、ガラス基板１００上に、互いに
交差して設けられた複数の走査線１０４（輪郭を実線で
示す）及び複数のデータ線１０３（輪郭を２点鎖線で示
す）と、走査線１０４とデータ線１０３との交差に対応
して平坦化膜１１３上にマトリクス状に配置された画素
電極１０１及び該画素電極１０１に接続された画素用の
ＴＦＴ１０２とを備えている。なお、図８中の符号１０
６は容量線、１０９および１１０はコンタクトホール、
１１１はドレイン電極、１１２は画素コンタクトホール
を示している。また、図９中の符号１１４は層間絶縁
膜、１１５は下地膜を示している。

【０００４】また、対向基板又はＴＦＴアレイ基板１０
７の少なくとも一方には、表面が一定のラビング方向に
向けてラビング処理された配向膜（図示略）が液晶に接
する面上に設けられている。この配向膜によって、液晶
分子Ｌは、図９に示すように、ラビング方向Ｙに対して
角度θなるプレチルト角をもって配向する。

【０００５】従来、データ線駆動回路により、画素電極
１０１にはＴＦＴ１０２を介してフィールドごとに反転
した電圧が印加されるが、画面全体で同極性であるとフ
リッカとなる。そのため、例えば隣接する画素で電圧を
逆極性とする画素反転駆動方式を用いている。しかし、
隣接する画素に逆極性の電圧を印加すると、画素電極１
０１間の境界領域には電位差が生じて液晶分子Ｌが電界
の方向に沿って並び、液晶の配向が乱れたディスクリネ
ーションＤと呼ばれる表示に使えない領域が生じる。そ
のため、当該境界領域に対応する部分には、ディスクリ
ネーション部を隠すために遮光層（いわゆるブラックマ
トリクス）を設置している。

【０００６】遮光層としては、近年、下部電極とされる
半導体層との間で絶縁膜を介して蓄積容量を形成するた
めに設けた金属配線の容量線１０６を、図８に示すよう
に、データ線１０３及び走査線１０４に沿って形成する
とともに、ソースコンタクトホール１０９に接続される
データ線１０３の一部の幅を拡げて幅広部１０３ａを形
成し、これらの容量線１０６及び幅広部１０３ａを、遮
光パターンとして設けて、ブラックマトリクスとして機
能させる手段が提案されている。

【０００７】なお、これらの幅広部１０３ａ及び容量線
１０６等のブラックマトリクスは、露光工程における画
素電極１０１とのアライメントずれを考慮して画素電極
１の周縁部分と一定の幅で重なり合うように形成されて
いる。なお、図９を含め後述する図２、６、７の平面図
において、画素電極と幅広部及び容量線との重なり部
は、ハッチングで示す。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記液
晶表示装置に関する技術では、以下の課題が残されてい
る。すなわち、ディスクリネーションの出方は、図９に
示すように、プレチルト角に影響され、ラビング方向
Ｙ、すなわち明視方向によって決まるため、ディスクリ
ネーションＤが画素電極１０１間の境界領域において非
対称に生じてしまう。したがって、従来のように、画素
電極の周縁部分に一様にブラックマトリクスを重ねてい
る場合、開口部にディスクリネーションが部分的に出て
しまったり（特に、中間調（グレー表示）の場合）、必
要以上に遮光してしまい開口率を低下させてしまう等、
表示品位を劣化させてしまうおそれがあった。

【０００９】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
ので、ディスクリネーションが開口部に出ることを防ぐ
とともに表示領域の開口率を向上させることができる液
晶表示装置を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明
の液晶表示装置は、互いに対向する一対の基板間に液晶
が挟持されてなり、該一対の基板のうち一方の基板上
に、互いに交差して設けられた複数の走査線及び複数の
データ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応
してマトリクス状に配置された画素電極及び該画素電極
に接続されたスイッチング素子とを備えると共に、隣接
する前記画素電極間の境界領域に対向して前記一対の基
板の少なくとも一方に設置される遮光層と、前記一対の
基板の少なくとも一方の前記液晶に接する面上に設けら
れ表面が一定のラビング方向に向けてラビング処理され
た配向膜とを備えた液晶表示装置であって、前記遮光層
は、前記画素電極と重なり合う重なり部を有し、該重な
り部は、前記画素電極の周縁部分のうち前記ラビング方
向の逆方向側の周縁部分と重なる領域がラビング方向の
順方向側の周縁部分と重なる領域よりも広く形成されて
いることを特徴とする。

【００１１】この液晶表示装置では、遮光層が画素電極
にオーバーラップしている重なり部において、画素電極
の周縁部分のうちラビング方向の逆方向側の周縁部分と
重なる領域（ディスクリネーションが大きい領域）がラ
ビング方向の順方向側の周縁部分と重なる領域（ディス
クリネーションが小さい領域）よりも広く形成されてい
るので、ラビング方向で決まるディスクリネーションの
大きさに応じて適切な大きさの遮光層が配置されて、開
口部からディスクリネーションが出ることを防ぐことが
できるとともに、ディスクリネーションが小さい部分に
おいて必要以上に遮光しないことにより開口率を向上さ
せることができる。

【００１２】また、本発明の液晶表示装置では、前記重
なり部において、前記画素電極の角部のうち前記ラビン
グ方向の逆方向側の角部と重なる領域が他の角部と重な
る領域よりも大きいことが好ましい。この液晶表示装置
では、重なり部において、画素電極の角部のうちラビン
グ方向の逆方向側の角部と重なる領域（ディスクリネー
ションが最も大きい領域）が他の角部と重なる領域より
も大きいので、ディスクリネーションが顕著に生じる部
分の重なり部を局所的に大きくすることにより、ディス
クリネーションが開口部に出ることをより効果的に防ぐ
ことができる。また、ディスクリネーションがあまりに
生じない領域の重なり部を相対的に小さくでき、開口部
が増えて開口率を向上させ、ＬＣＤを明るくしたり、逆
にバックライトの省電力化を図ることができる。

【００１３】また、本発明の液晶表示装置では、前記遮
光層が、前記データ線の一部の幅を拡げた幅広部と、前
記スイッチング素子に接続された第１の容量電極に絶縁
膜を介して対向する蓄積容量用の第２の容量電極とで構
成されることが好ましい。この液晶表示装置では、遮光
層が、データ線の幅広部と、蓄積容量用の第２の容量電
極とで構成されるので、別個にブラックマトリクスとな
る遮光層を設ける必要が無く、構造の簡略化及び製造工
程の削減を図ることができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る第１実施形態
を、図１から図５を参照しながら説明する。図１は、本
実施形態の液晶表示装置の画像表示領域を構成する複数
の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図
２はデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴ
アレイ基板（アクティブマトリクス基板）における隣接
する複数の画素群の平面図である。

【００１５】［液晶装置要部の構成］本実施形態の液晶
表示装置におけるＴＦＴアレイ基板（アクティブマトリ
クス基板）７は、ＴＦＴ駆動によるアクティブマトリク
ス駆動方式の液晶表示装置に用いられるものである。こ
のＴＦＴアレイ基板７において、図１に示すように、画
像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の
画素は、画素電極１と当該画素電極１を制御するための
デュアルゲート構造のＴＦＴ（スイッチング素子）２と
からなり、画像信号を供給するデータ線３が当該ＴＦＴ
２のソース領域に電気的に接続されている。データ線３
に書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に
線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデー
タ線３同士に対して、グループ毎に供給するようにして
も良い。また、ＴＦＴ２のゲート電極に走査線４が電気
的に接続されており、所定のタイミングで走査線４に対
してパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この
順に線順次で印加するように構成されている。画素電極
１は、ＴＦＴ２のドレイン領域に電気的に接続されてお
り、スイッチング素子であるＴＦＴ２を一定期間だけそ
のスイッチを閉じることにより、データ線３から供給さ
れる画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミング
で書き込む。なお、ＴＦＴ２は、２つのＴＦＴ２ａ、２
ｂが互いのソース領域およびドレイン領域を共通にして
直列に接続されたデュアルゲート構造を有するものであ
る。

【００１６】画素電極１を介して液晶に書き込まれた所
定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板
（後述する）に形成された対向電極との間で一定期間保
持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集
合の配向や秩序が変化することにより、光が変調し、階
調表示を可能にする。ここで、画素電極１と対向電極と
の間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量５を付加す
る。こうすると画素電極１の電圧は、蓄積容量５により
ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ
保持される。これにより、保持特性はさらに改善され、
コントラスト比の高い液晶装置が実現できる。なお、本
実施の形態では、蓄積容量５を形成する方法として、半
導体層との間で容量を形成するための配線である容量線
（第２の容量電極）６を設けている。

【００１７】図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板７上
には、インジウム錫酸化物（IndiumTin Oxide, 以下、
ＩＴＯと略記する）等の透明導電膜からなる複数の画素
電極１（輪郭を破線で示す）がマトリクス状に配置され
ており、画素電極１の紙面縦方向に延びる辺に沿ってデ
ータ線３（輪郭を２点鎖線で示す）が設けられ、紙面横
方向に延びる辺に沿って走査線４および容量線６（とも
に輪郭を実線で示す）が設けられている。

【００１８】本実施の形態において、走査線４は、複数
のデータ線３に交差する主走査線４ａと、該主走査線４
ａから分岐して延びた分岐走査線４ｂとを備え、ポリシ
リコン膜からなる半導体層（第１の容量電極）８（輪郭
を１点鎖線で示す）には、分岐走査線４ｂおよび主走査
線４ａに交差するＬ字状部８ａが形成されている。すな
わち、このＬ字状部８ａは、主走査線４ａおよび分岐走
査線４ｂと交差して、２つのチャネル領域を形成してい
る。

【００１９】半導体層８のＬ字状部８ａの両端にコンタ
クトホール９，１０が形成され、一方のコンタクトホー
ル９はデータ線３と半導体層８のソース領域とを電気的
に接続するソースコンタクトホールとなり、他方のコン
タクトホール１０はドレイン電極１１（輪郭を２点鎖線
で示す）と半導体層８のドレイン領域とを電気的に接続
するドレインコンタクトホールとなっている。すなわ
ち、ソースコンタクトホール９とドレインコンタクトホ
ール１０とは、走査線４を挟んで互いに反対側に配設さ
れている。また、ドレイン電極１１上のドレインコンタ
クトホール１０が設けられた側と反対側の端部には、ド
レイン電極１１と画素電極１とを電気的に接続するため
の画素コンタクトホール１２が形成されている。

【００２０】本実施の形態におけるＴＦＴ２は、半導体
層８のＬ字状部８ａで主走査線４ａおよび分岐走査線４
ｂに交差しており、半導体層８と走査線４が２回交差し
ていることになるため、１つの半導体層上に２つのゲー
トを有するＴＦＴ、いわゆるデュアルゲート型ＴＦＴを
構成する。また、容量線６は走査線４に沿って紙面横方
向に並ぶ画素を貫くように延びるとともに、分岐した一
部６ａがデータ線３に沿って紙面縦方向に延びている。
そこで、ともにデータ線３に沿った半導体層８と容量線
６とによって蓄積容量５が形成されている。なお、本実
施形態では、分岐走査線４ｂの半分を、データ線３の幅
を拡げた幅広部３ａで覆うことにより、この部分のチャ
ネル領域に光が入ることを抑制している。

【００２１】次に、ＴＦＴアレイ基板７の断面構造につ
いて説明すると、図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板
７はガラス基板４１を支持基板として内面上に下地絶縁
膜４２を介してＴＦＴ２が形成されている。該ＴＦＴ２
は、走査線４、当該走査線４からの電界によりチャネル
が形成される半導体層８のチャネル領域５０、走査線４
と半導体層８とを絶縁する絶縁薄膜であるゲート絶縁膜
４４、データ線３、半導体層８のソース領域４９及びド
レイン領域５１を備えている。

【００２２】また、走査線４及びゲート絶縁膜４４上を
含むガラス基板４１上には、ソース領域４９へ通じるソ
ースコンタクトホール９及びドレイン領域５１へ通じる
ドレインコンタクトホール１０がそれぞれ形成された第
１層間絶縁層５２が形成されている。つまり、データ線
３は、第１層間絶縁層５２を貫通するソースコンタクト
ホール９を介してソース領域４９に電気的に接続されて
いる。さらに、データ線３及び第１層間絶縁層５１上に
は、ドレイン領域５１へ通じるドレインコンタクトホー
ル１０が形成された第２層間絶縁層５３が形成されてい
る。つまり、ドレイン領域５１は、第１層間絶縁層５２
及び第２層間絶縁層５３を貫通するドレインコンタクト
ホール１０を介してドレイン電極１１及び画素電極１に
電気的に接続されている。また、第２層間絶縁層５３及
び画素電極１上には、ラビング処理により一定のラビン
グ方向Ｙに配向処理が施された配向膜５４が設けられて
いる。この配向膜５４は、ポリイミド系の高分子樹脂か
らなる水平配向膜である。

【００２３】なお、上記幅広部（遮光層）３ａ及び容量
線（遮光層）６は、各画素の表示領域以外の領域を遮光
するいわゆるブラックマトリクスとして機能する。すな
わち、幅広部３ａ及び容量線６は、ディスクリネーショ
ン部を隠す機能に加え、対向基板１５の側からの入射光
がＴＦＴ２の半導体層８におけるチャネル領域５０、ソ
ース領域４９及びドレイン領域５１等に侵入することを
防止すると共に、コントラスト比の向上、カラーフィル
タ色材の混色防止等の機能を有している。

【００２４】本実施形態では、幅広部３ａ及び容量線６
と画素電極１との重なり部（図２中のハッチング部分）
が、画素電極１の周縁部分のうちラビング方向Ｙの逆方
向側の周縁部分（ディスクリネーションが大きい領域）
と重なる領域がラビング方向Ｙの順方向側の周縁部分
（ディスクリネーションが小さい領域）よりも広く形成
されている。すなわち、重なり部ａより重なり部ｂの幅
が広いとともに、重なり部ｄより重なり部ｃの幅が広く
設定され、重なり部が左右及び上下で非対称になってい
る。なお、これらの重なり部ａ，ｂ，ｃ，ｄの幅は、そ
の部分で生じるディスクリネーションの範囲に応じて決
定される。

【００２５】［液晶装置の全体構成］次に、本実施形態
のＴＦＴアレイ基板７を用いた液晶装置４０の全体構成
について図４および図５を用いて説明する。

【００２６】図４および図５において、ＴＦＴアレイ基
板７の上には、シール材２８がその縁に沿って設けられ
ており、その内側に並行して額縁としての遮光膜２９が
設けられている。シール材２８の外側の領域には、デー
タ線駆動回路３０および外部回路接続端子３１がＴＦＴ
アレイ基板７の一辺に沿って設けられており、走査線駆
動回路３２がこの一辺に隣接する２辺に沿って設けられ
ている。走査線４に供給される走査信号遅延が問題にな
らないのならば、走査線駆動回路３２は片側だけでも良
いことは言うまでもない。また、データ線駆動回路３０
を画像表示領域の辺に沿って両側に配列してもよい。例
えば、奇数列のデータ線３は画像表示領域の一方の辺に
沿って配設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給
し、偶数列のデータ線３は前記画像表示領域の反対側の
辺に沿って配設されたデータ線駆動回路から画像信号を
供給するようにしてもよい。このようにデータ線３を櫛
歯状に駆動するようにすれば、データ線駆動回路の占有
面積を拡張することができるため、複雑な回路を構成す
ることが可能となる。さらに、ＴＦＴアレイ基板７の残
る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆
動回路３２間をつなぐための複数の配線３３が設けられ
ている。また、内側に対向電極が形成された対向基板１
５のコーナー部の少なくとも１箇所には、ＴＦＴアレイ
基板７と対向基板１５との間で電気的導通をとるための
導通材３４が設けられている。そして、シール材２８と
ほぼ同じ輪郭を持つ対向基板１５が当該シール材２８に
よりＴＦＴアレイ基板７に固着されている。

【００２７】本実施形態では、幅広部３ａ及び容量線６
と画素電極１との重なり部において、画素電極１の周縁
部分のうちラビング方向Ｙの逆方向側の周縁部分と重な
る領域がラビング方向Ｙの順方向側と重なる領域よりも
広く形成されているので、ラビング方向で決まるディス
クリネーションの大きさに応じて適切な大きさのブラッ
クマトリクス（重なり部）が配置されて、開口部からデ
ィスクリネーションが出ることを防ぐことができるとと
もに、ディスクリネーションが小さい部分において必要
以上に遮光しないことにより開口率を向上させることが
できる。

【００２８】なお、上記実施形態では、遮光層としてデ
ータ線３の一部である幅広部３ａ及び容量線６を用いた
が、これらとは別に遮光層を設けても構わない。例え
ば、対向基板１５の内側にブラックマトリクスを形成し
てもよい。但し、本実施形態のようにデータ線３の幅広
部３ａ及び容量線６をブラックマトリクスとしても機能
させれば、別個にブラックマトリクスとなる遮光層を対
向基板１５等に設ける必要が無く、構造の簡略化及び製
造工程の削減を図ることができる。

【００２９】次に、本発明の第２実施形態を、図６を参
照して説明する。

【００３０】第２実施形態と第１実施形態との異なる点
は、第１実施形態では、画素電極１０１が単純な矩形状
に形成されているのに対し、第２実施形態では、画素電
極２０１の角部のうち、図６中の左下に位置する角部が
切り欠かれているため、重なり部のうち、ラビング方向
Ｙの逆方向側の角部２０１ａに重なる領域が他のすべて
の角部２０１ｂ、２０１ｃ、２０１ｄにおける重なり領
域より広くなっているとともに、角部２０１ｂの部分が
隣接する他の画素電極２０１から離間している点であ
る。なお、画素電極２０１の形状変更に併せて、ドレイ
ンコンタクトホール１０及び画素コンタクトホール１２
の位置も変更している。

【００３１】すなわち、本実施形態では、ディスクリネ
ーションが最も大きい領域の角部２０１ａと重なる領域
が他の角部２０１ｂ、２０１ｃ、２０１ｄと重なる領域
よりも広いので、ディスクリネーションが開口部に出る
ことをより効果的に防ぐことができるとともに、隣接す
る画素電極２０１間の間隔を一部において大きくするこ
とができ、パターン残りによる欠陥等を減らすことがで
きる。

【００３２】次に、本発明の第３実施形態を、図７を参
照して説明する。

【００３３】第３実施形態と第１実施形態との異なる点
は、第１実施形態では、容量線６のうち走査線４に沿っ
た部分が一定の幅であるのに対し、第２実施形態では、
容量線３０６のうち走査線４に沿った部分の幅がラビン
グ方向Ｙの逆方向側から順方向側に向けて（画素電極１
の角部１ａから角部１ｂに向けて）漸次狭く形成され、
画素電極１の角部のうちラビング方向Ｙの逆方向側の角
部１ａに重なる領域が他の角部１ｂ、１ｃ、１ｄに重な
る領域よりも大きい点である。

【００３４】すなわち、本実施形態では、第２実施形態
と同様に、ディスクリネーションが最も大きい領域の角
部１ａと重なる領域が他の角部１ｂ、１ｃ、１ｄと重な
る領域よりも広いので、ディスクリネーションが開口部
に出ることをより効果的に防ぐことができる。また、角
部１ｂと重なる領域が第１実施形態に比べて小さくして
遮光を必要最低限に抑えているため、開口部が拡がって
開口率を向上させることができ、ＬＣＤを明るくした
り、逆にバックライトの省電力化を図ることができる。

【００３５】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
液晶表示装置によれば、遮光層の重なり部において、画
素電極の周縁部分のうちラビング方向の逆方向側の周縁
部分と重なる領域がラビング方向の順方向側の周縁領域
と重なる領域よりも広く形成されているので、ラビング
方向で決まるディスクリネーションの大きさに応じて適
切な大きさの遮光層が配置され、開口部からディスクリ
ネーションが出ることを防いで表示劣化を防ぐことがで
きるとともに、ディスクリネーションが小さい部分にお
いて必要以上に遮光しないことにより開口率を向上さ
せ、表示品質を向上させることができる。

【００３６】

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係る第１実施形態における液晶表示
装置の等価回路図である。

【図２】 本発明に係る第１実施形態における液晶表示
装置の画素構成を示す要部の拡大平面図である。

【図３】 図２のＡ−Ａ線矢視断面図である。

【図４】 本発明に係る第１実施形態における液晶表示
装置の全体構成を示す平面図である。

【図５】 図４のＨ−Ｈ線矢視断面図である。

【図６】 本発明に係る第２実施形態における液晶表示
装置の画素構成を示す要部の拡大平面図である。

【図７】 本発明に係る第３実施形態における液晶表示
装置の画素構成を示す要部の拡大平面図である。

【図８】 本発明に係る従来例における液晶表示装置の
画素構成を示す要部の拡大平面図である。

【図９】 本発明に係る従来例における液晶表示装置の
ラビング方向に対する液晶分子の配向を示す概略的な要
部の断面図である。

【符号の説明】

１、２０１ 画素電極 ２ ＴＦＴ（スイッチング素子） ３ データ線 ３ａ 幅広部（遮光層） ４ 走査線 ６、３０６ 容量線（第２の容量電極、遮光層） ７ ＴＦＴアレイ基板（アクティブマトリクス基板） ８ 半導体層（第１の容量電極） １５ 対向基板 ４０ 液晶表示装置 ５４ 配向膜 Ｙ ラビング方向

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 正美 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 2H090 HB08Y HC06 HC08 HC15 HC17 HC18 HD14 KA05 LA04 MA04 MA07 MB02 2H092 JA25 JA29 JA38 JA42 JA44 JA46 JB13 JB23 JB32 JB33 JB38 JB42 JB51 JB57 JB63 JB69 KA04 KA07 KB23 NA04 NA25 NA27 PA02 QA07 5F110 AA30 BB01 CC02 DD02 DD11 EE28 NN02 NN44 NN72 NN73 NN80

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 互いに対向する一対の基板間に液晶が挟
   持されてなり、該一対の基板のうち一方の基板上に、互
   いに交差して設けられた複数の走査線及び複数のデータ
   線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応してマ
   トリクス状に配置された画素電極及び該画素電極に接続
   されたスイッチング素子とを備えると共に、隣接する前
   記画素電極間の境界領域に対向して前記一対の基板の少
   なくとも一方に設置される遮光層と、前記一対の基板の
   少なくとも一方の前記液晶に接する面上に設けられ表面
   が一定のラビング方向に向けてラビング処理された配向
   膜とを備えた液晶表示装置であって、 前記遮光層は、前記画素電極と重なり合う重なり部を有
   し、 該重なり部は、前記画素電極の周縁部分のうち前記ラビ
   ング方向の逆方向側の周縁部分と重なる領域がラビング
   方向の順方向側の周縁部分と重なる領域よりも広く形成
   されていることを特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 前記重なり部は、前記画素電極の角部の
   うち前記ラビング方向の逆方向側の角部と重なる領域が
   他の角部と重なる領域よりも大きいことを特徴とする請
   求項１記載の液晶表示装置。
3. 【請求項３】 前記遮光層は、前記データ線の一部の幅
   を拡げた幅広部と、前記スイッチング素子に接続された
   第１の容量電極に絶縁膜を介して対向する蓄積容量用の
   第２の容量電極とで構成されることを特徴とする請求項
   １又は２記載の液晶表示装置。