JP3848479B2 - パワー半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
パワー半導体デバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3848479B2 JP3848479B2 JP2592799A JP2592799A JP3848479B2 JP 3848479 B2 JP3848479 B2 JP 3848479B2 JP 2592799 A JP2592799 A JP 2592799A JP 2592799 A JP2592799 A JP 2592799A JP 3848479 B2 JP3848479 B2 JP 3848479B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- power semiconductor
- semiconductor device
- semiconductor
- device manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
- H01L29/744—Gate-turn-off devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
- H01L21/2003—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate
- H01L21/2007—Bonding of semiconductor wafers to insulating substrates or to semiconducting substrates using an intermediate insulating layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
- H01L29/66325—Bipolar junction transistors [BJT] controlled by field-effect, e.g. insulated gate bipolar transistors [IGBT]
- H01L29/66333—Vertical insulated gate bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
- H01L29/66325—Bipolar junction transistors [BJT] controlled by field-effect, e.g. insulated gate bipolar transistors [IGBT]
- H01L29/66333—Vertical insulated gate bipolar transistors
- H01L29/66348—Vertical insulated gate bipolar transistors with a recessed gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66363—Thyristors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01023—Vanadium [V]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01075—Rhenium [Re]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1203—Rectifying Diode
- H01L2924/12036—PN diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Thyristors (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、2つの互いに向き合っている表面に構造化を有するパワー半導体デバイス、特に双方向性半導体スイッチの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
T.オグラ等の刊行物“埋め込まれたゲート構造を有する高周波6000V二重ゲートGTO”(パワー半導体デバイスおよびICに関する1990年国際シンポジウム論文集の第252〜255頁)には、基板の2つの互いに向き合っている表面にGTOサイリスタを構成するために、ドーピング領域および接触部を有する半導体ブリッジが構成されているデバイス構造が記載されている。米国特許第 5,608,237号明細書には、IGBT構造が半導体材料から成る基板の2つの互いに向かい合う表面に構成されている双方向性半導体スイッチが記載されている。このような双方向性IGBTは追加的な制御電極によりエミッタ効率の制御を可能にし、またこの仕方で非常に良いスイッチング特性および導通特性を有するデバイスが実現される。正弦波状の電源電流を、電源への反作用をわずかに保ちかつ同時に電源への逆供給の可能性を保って、処理しなければならない変換装置(変成器)では、双方向性IGBTが有利に使用可能である。それに適しているマトリックス形変換装置は9つの双方向性スイッチを含んでおり、これらは対として逆並列に接続されている18個の対称に阻止するIGBTにより置換することができる。米国特許第 5,608,237号明細書に記載されているデバイスの簡単な実現によりここに相当な利点が得られる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、簡単に実行可能であり、かつ薄い基板の2つの互いに向き合っている表面に複雑な半導体構造を製造するのにも適しているパワー半導体デバイスの製造方法を提供することである。
【0004】
【課題を解決するための手段】
この課題は、第1のステップで導電性にドープされた半導体材料から成る2つの基板のそれぞれ1つの表面に、ドーピング領域が作られ、第2のステップで基板が反対側の表面から薄くされ、第3のステップでこれらの表面が堅牢にかつ導電性に互いに結合されることにより解決される。実施態様は従属請求項にあげられている。
【0005】
本発明による製造方法では各々のデバイスのために、電気伝導を可能にするための基本ドーピングを施されている半導体材料から成る2つの基板が使用される。これらの基板のそれぞれ1つの表面にはドーピングの通常の方法ステップによってデバイス用に予定されている構造の導電範囲が作られる。これらの範囲に別の半導体層もエピタキシァルに成長させられ、その上に接触部が被着される。半導体構造が各々の基板に完成された後、または少なくともデバイスを両側からさらに加工することが可能であるまでに完成された後に、基板は構造化されていない裏面から薄くされる。それはたとえば研磨またはエッチバックにより行われる。薄くされた基板の裏側は次いで、好ましくはウェハボンディング法により、堅牢にまた導電的に互いに結合される。基本ドーピングが存在しているので、それによって両表面の構造の間に導電性の結合が作られる。こうして特に基板の中央平面に対して鏡面対称に構成されているデバイスが簡単な仕方で製造される。特にこうして双方向性の半導体スイッチが製造される。
【0006】
【発明の実施の形態】
以下、2種類のIGBT構造のための製造プロセスの種々のステップの後の断面図で1つのデバイスを示す図1および図2により本発明による方法を一層詳細に説明する。
【0007】
本発明による方法はそれぞれ電気伝導、図示されている例ではn- 形を可能にするための好ましくは低い基本ドーピングを施されている通常の厚みの基板1(図1aおよび図1b)から出発する。この基板の表面には予定されているデバイス構造が作られる。それは、図示されている図1bおよび2bの例では、接続接触部3を設けられているIGBT構造2である。図1の実施例ではIGBTはDMOSセルテクノロジーで製造される。図2の実施例では、(トレンチテクノロジーにより)トレンチによって互いに隔てられているIGBTが製造される。
【0008】
図1cおよび2cによるすぐ次の方法ステップで基板1が裏面4から薄くされる。これはたとえば研磨またはエッチングにより行われ得る。1200V‐IGBTの例では基板は約100μmの厚みにされ、1700V‐IGBTの例では基板は約140μmの厚みにされる。研磨された裏面は必要に応じて、後続のウェハボンディングのプロセスのために十分に平らであるように磨かれる。
【0009】
類似の仕方で前加工された第2の基板1′(図1dまたは図2d)がその裏面で堅牢に第1の基板1の裏面に固定される。基板はそのためにたとえばクリーンルーム条件のもとに押し合わされ、また当該材料に対して知られている適当な圧力および温度条件のもとに保たれる。その際に重要なことは、既に作成された半導体構造を損傷することなしに、基板の結合を約300°C〜400°C以下(典型的には上限350°C)の比較的低い温度で行うことが可能であることである。それにより、2つの互いに向かい合う表面に予定されている構造化を有する所望の寸法(基本厚み)のデバイスが生ずるように、ドープされた半導体ウェハが導電的に堅牢に互いに結合される。こうして元の基板の結合面5が細い点線により示されている図1eまたは2eに相応するデバイスが形成される。
【0010】
この方法により、両面に構造化を有し、基本ドーピングを施されている基本範囲の比較的薄い厚みを有し、作動パラメータの特定の範囲内での応用に適しているパワー半導体デバイスが製造される。特に、結合面5に関して鏡面対称なデバイスおよび双方向性半導体スイッチが製造され得る。たとえば冒頭にあげた刊行物に記載されているGTOサイリスタの場合に望ましいように、互いに結合すべき両方の基板に相い異なる構造化を作るかまたは相い異なるドーピングを行うことが可能である。本発明による方法の利点は、デバイスが薄く研磨されるまで標準的プロセスで製造され得るので、追加的な労力が公知の方法に比べてわずかで済むという事実にある。基板を薄く研磨するステップは、基板の残された厚みが、デバイスの所望の電圧階級に相当し、また従来通常の方法により製造される両側を構造化されたパワー半導体デバイスの場合よりもはるかに薄くてよい予定されている基本厚みを与えるように実行され得る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 IGBT構造のための製造プロセスの種々のステップの後のデバイスの断面図。
【図2】 他のIGBT構造のための製造プロセスの種々のステップの後のデバイスの断面図。
【符号の説明】
1 基板
2 ドーピング領域
3 接続接触部
4 裏面
5 結合面
Claims (3)
- 第1のステップで導電性にドープされた半導体材料から成る2つの基板(1)のそれぞれ1つの表面にドーピング領域(2)が作られ、第2のステップで基板が反対側の表面から薄くされ、第3のステップでこれらの表面が堅牢にかつ導電性に互いに結合されることを特徴とするパワー半導体デバイスの製造方法。
- 第3のステップがウェハボンディングにより行われることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 第3のステップが350℃以下の温度で実行されることを特徴とする請求項2記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1998104192 DE19804192A1 (de) | 1998-02-03 | 1998-02-03 | Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleiterbauelementes |
DE19804192.6 | 1998-02-03 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11340246A JPH11340246A (ja) | 1999-12-10 |
JP3848479B2 true JP3848479B2 (ja) | 2006-11-22 |
Family
ID=7856500
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2592799A Expired - Fee Related JP3848479B2 (ja) | 1998-02-03 | 1999-02-03 | パワー半導体デバイスの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6066542A (ja) |
EP (1) | EP0933807B1 (ja) |
JP (1) | JP3848479B2 (ja) |
KR (1) | KR100491211B1 (ja) |
DE (2) | DE19804192A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1057249A1 (de) | 1998-12-21 | 2000-12-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Matrixumrichter |
US6385619B1 (en) * | 1999-01-08 | 2002-05-07 | International Business Machines Corporation | Automatic user interest profile generation from structured document access information |
US20020042062A1 (en) * | 1999-09-24 | 2002-04-11 | Mark Stearns | Prostate cancer-related compositions, methods, and kits based on DNA macroarray proteomics platforms |
JP4774586B2 (ja) * | 1999-10-21 | 2011-09-14 | 富士電機株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
JP4635304B2 (ja) * | 2000-07-12 | 2011-02-23 | 富士電機システムズ株式会社 | 双方向超接合半導体素子およびその製造方法 |
GB0520909D0 (en) * | 2005-10-14 | 2005-11-23 | Eco Semiconductors Ltd | Power semiconductor devices |
US7734632B2 (en) | 2005-10-28 | 2010-06-08 | Disney Enterprises, Inc. | System and method for targeted ad delivery |
FR2895600A1 (fr) * | 2005-12-26 | 2007-06-29 | St Microelectronics Sa | Commutateur bidirectionnel a commande hf |
FR2899572B1 (fr) * | 2006-04-05 | 2008-09-05 | Commissariat Energie Atomique | Protection de cavites debouchant sur une face d'un element microstructure |
CN101068003B (zh) * | 2007-02-13 | 2010-05-19 | 江苏威斯特整流器有限公司 | 一种大功率双向晶闸管的生产方法 |
JP5251102B2 (ja) * | 2007-12-10 | 2013-07-31 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP4912353B2 (ja) * | 2008-05-16 | 2012-04-11 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置およびその製造方法 |
CN109004024A (zh) * | 2018-07-02 | 2018-12-14 | 全球能源互联网研究院有限公司 | 一种半导体器件及其制作方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4985738A (en) * | 1978-01-06 | 1991-01-15 | Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai | Semiconductor switching device |
US5111268A (en) * | 1981-12-16 | 1992-05-05 | General Electric Company | Semiconductor device with improved turn-off capability |
JPH01145860A (ja) * | 1987-12-02 | 1989-06-07 | Yazaki Corp | 両面ゲート型静電誘導サイリスタの製造方法 |
US5141889A (en) * | 1990-11-30 | 1992-08-25 | Motorola, Inc. | Method of making enhanced insulated gate bipolar transistor |
US5183769A (en) * | 1991-05-06 | 1993-02-02 | Motorola, Inc. | Vertical current flow semiconductor device utilizing wafer bonding |
JP2750986B2 (ja) * | 1992-10-27 | 1998-05-18 | 尚茂 玉蟲 | 分割ゲート型カソード短絡構造を有する絶縁ゲート静電誘導サイリスタ |
GB9313843D0 (en) * | 1993-07-05 | 1993-08-18 | Philips Electronics Uk Ltd | A semiconductor device comprising an insulated gate field effect transistor |
JP2801127B2 (ja) * | 1993-07-28 | 1998-09-21 | 日本碍子株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3352840B2 (ja) * | 1994-03-14 | 2002-12-03 | 株式会社東芝 | 逆並列接続型双方向性半導体スイッチ |
JPH0855978A (ja) * | 1994-06-09 | 1996-02-27 | Ngk Insulators Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3214987B2 (ja) * | 1994-09-05 | 2001-10-02 | 日本碍子株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US5841155A (en) * | 1995-02-08 | 1998-11-24 | Ngk Insulators, Ltd. | Semiconductor device containing two joined substrates |
US5665988A (en) * | 1995-02-09 | 1997-09-09 | Fuji Electric Co., Ltd. | Conductivity-modulation semiconductor |
US5541122A (en) * | 1995-04-03 | 1996-07-30 | Motorola Inc. | Method of fabricating an insulated-gate bipolar transistor |
-
1998
- 1998-02-03 DE DE1998104192 patent/DE19804192A1/de not_active Withdrawn
- 1998-12-21 EP EP19980124404 patent/EP0933807B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-21 DE DE59813599T patent/DE59813599D1/de not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-01-28 KR KR10-1999-0002712A patent/KR100491211B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-02-01 US US09/240,837 patent/US6066542A/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-02-03 JP JP2592799A patent/JP3848479B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19804192A1 (de) | 1999-08-12 |
KR100491211B1 (ko) | 2005-05-25 |
EP0933807A3 (de) | 2000-01-26 |
US6066542A (en) | 2000-05-23 |
JPH11340246A (ja) | 1999-12-10 |
EP0933807A2 (de) | 1999-08-04 |
KR19990072306A (ko) | 1999-09-27 |
EP0933807B1 (de) | 2006-06-14 |
DE59813599D1 (de) | 2006-07-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3848479B2 (ja) | パワー半導体デバイスの製造方法 | |
US8492792B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JPWO2017169086A1 (ja) | 半導体装置およびその製造方法、電力変換装置 | |
JP5963385B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP3014012B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
WO2018016029A1 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5601863B2 (ja) | 電力半導体装置 | |
JPH08107049A (ja) | 電源装置のウェーハボンディングの方法 | |
JP2005142288A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JPH023266A (ja) | 導電性再結合層を有するバイポーラ半導体デバイス | |
JP4002319B2 (ja) | 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ | |
JP2007116160A (ja) | 大容量性負荷のためのトレンチigbt | |
CN111986991A (zh) | 沟槽的刻蚀方法、碳化硅器件的制备方法及碳化硅器件 | |
JPH07254699A (ja) | 絶縁ゲート型半導体装置及びそれを用いた電力変換装置 | |
JP2019091754A (ja) | 炭化ケイ素半導体装置、電力変換装置および炭化ケイ素半導体装置の製造方法 | |
JPH02229471A (ja) | ターン―オフファシリティをもつ半導体コンポネント | |
JP2924097B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH08236762A (ja) | 逆阻止型半導体装置及びその製造方法 | |
JP2002319685A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPS63166273A (ja) | 縦形半導体装置 | |
JP2809998B2 (ja) | 電力用mosデバイスチップ及びパッケージアッセンブリ | |
JP2003158131A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
JPH0799325A (ja) | 炭化けい素半導体素子 | |
JP2004349383A (ja) | 高耐圧半導体装置 | |
WO1987001866A1 (en) | Semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050913 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050915 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051209 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060223 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060522 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20060712 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060803 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060825 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090901 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100901 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110901 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110901 Year of fee payment: 5 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110901 Year of fee payment: 5 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120901 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120901 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130901 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |