KR19990072306A - 파워반도체소자의제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 파워 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 예를 들어 IGBT 반도체 소자 구조물은 2개의 기판(1)의 상부면에 형성되며, 기판의 후면(4)이 얇아지고, 얇아진 기판의 후면은 웨이퍼-본딩(Wafer bonding)에 의한 폴리싱 이후 지속적으로 그리고 도전성으로 서로 접속된다.

Description

파워 반도체 소자의 제조 방법 {PROCESS FOR THE PRODUCTION OF POWER SEMICONDUCTOR ELEMENT}
본 발명은 서로 반대편에 놓인 2개의 상부면에 구조물을 갖는 파워 반도체 소자, 특히 양방향 스테틱 스위치(static switch)의 제조 방법에 관한 것이다.
T. Ogura e. a의 발표문 : 1990년 파워 반도체 장치 및 IC에 관한 국제 심포지엄에서의 "High frequency 6000 V double gate GTOs with buried gate structure" 252 - 255 쪽에 반도체 소자 구조물에 대해 기술되어 있으며, 상기 구조물에서는 서로 반대편에 있는 기판의 2개의 상부면상에 GTO-사이리스터를 형성하기 위해 도핑된 영역 및 콘택을 갖는 반도체 브리지가 형성된다. US 5 608 237에는 반도체 재료로 이루어진 서로 반대편에 있는 2개의 기판의 상부면에 IGBT-구조물이 형성되는 양방향 스테틱 스위치에 대해 기술되어 있다. 상기 방식의 양방향 IGBT는 추가 제어 전극에 의해 이미터 효율의 제어를 가능하게 하고, 상기 방식으로 매우 우수한 스위칭 특성 및 도전 특성을 갖는 반도체 소자가 실현된다. 회로에 역작용이 경미할 때 그리고 동시에 회로로의 피드백이 가능할 때 사인 형태의 회로 전류를 처리해야 하는 교류 변환기에 양방향 IGBT가 바람직하게 사용될 수 있다. 이에 적합한 매트릭스-교류 변환기는 9개의 양방향 스위치를 포함하며, 상기 스위치는, 쌍으로 반대 방향으로 병렬 접속되고 대칭으로 차단하는 18개의 IGBT로 대체될 수 있다. 여기서 US 5 608 237에 기술된 반도체 소자를 보다 간단히 실현시키는 것은 매우 많은 장점을 제공한다.
본 발명의 목적은 간단하게 실행될 수 있고 얇은 기판의 서로 반대편에 있는 2개의 상부면에 복잡한 반도체 구조물을 형성하기에 적합한 파워 반도체 소자의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 상기 목적은, 제 1단계에서 도전성으로 도핑된 반도체 재료로 이루어진 2개의 기판의 각각의 상부면에 도핑 영역의 구조물을 제조하며, 제 2단계에서 서로 반대편에 있는 기판의 상부면을 얇게하고, 제 3단계에서 상기 상부면을 지속적으로 그리고 도전성으로 서로 접속하는 것을 특징으로 하는 방법에 의해 달성된다. 실시예는 종속항에서 다루어진다.
본 발명에 따른 제조 방법에서 각각의 반도체 소자에, 도전성을 위해 기본 도핑된 반도체 재료로 이루어진 2개의 기판이 사용된다. 상기 기판 각각의 상부면에, 통상적인 도핑 단계에 의해 반도체 소자에 제공되는 구조물의 도전 영역이 형성된다. 상기 영역에서 추가 반도체층의 에피텍셜 성장이 있을 수 있으며 그 위에 콘택이 제공될 수 있다. 반도체 구조물이 각각의 기판에 완성된 다음 또는 적어도 반도체 소자의 양면을 계속해서 처리할 수 있을 정도로 완성된 다음 구조화되지 않은 기판의 후면이 얇아진다. 이것은 예를 들어 연마 또는 에칭에 의해 이루어질 수 있다. 얇아진 기판의 후면은 바람직하게 웨이퍼-본딩 방법에 의해 지속적으로 그리고 도전성으로 서로 접속된다. 주어진 기본 도핑 때문에 상기 접속에 의해 2개의 상부면 구조물 사이의 도전성 접속이 이루어진다. 이것으로, 특히 기판의 중앙면에 대해 반사 대칭으로 구성된 반도체 소자가 간단한 방법으로 제조될 수 있다. 특히 양방향 스테틱 스위치가 제조될 수 있다.
도 1과 2는 2개의 상이한 IGBT-구조물의 제조 과정을 나타내는 반도체 소자의 단계별 단면도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
1 : 기판 2 : 도핑 영역의 구조물
3 : 접속 콘택 4 : 후면
5 : 접속면
본 발명에 따른 제조 방법은 각각, 바람직하게 도전성을 위해 기본 저도핑되고 도면에 도시된 것 처럼 n- 라인이 제공되는 보통 두께의 기판(1)(도 1a 또는 도 2a)으로부터 출발한다. 기판의 상부면에 주어진 반도체 소자 구조물이 제조된다. 도 1b 및 2b에 도시된 예에서는 그 위에 접속 콘택(3)을 갖는 IGBT-구조물이 다루어진다. 도 1의 실시예에서 IGBT는 DMOS-셀-기술로 제조된다; 도 2의 실시예에서는 트랜지스터에 의해 서로 분리된 IGBT가 제조된다(트렌치 기술).
도 1c 및 2c에 따른 다음 제조 단계에서 기판(1)의 후면(4)이 예를 들어 연마 또는 에칭에 의해 얇아질 수 있다. 1200V-IGBT의 예에서 기판의 나머지 두께는 약 100㎛가 되고 1700V-IGBT에서 나머지 두께는 약 140㎛이다. 연마된 후면은 필요에 따라 폴리싱되어서 다음의 웨이퍼-본딩 과정을 위해 충분히 매끄럽게 된다.
유사한 방법으로 예비 처리된 제 2 기판(1')(도 1d 또는 도 2d)의 후면은 제 1 기판(1)의 후면에 지속적으로 접속된다. 이 때 2개의 기판은 예를 들어 클린룸 조건 하에 서로 압착되며 알맞는 그리고 해당 재료에 대해 공지된 압력 조건 및 온도 조건에서 저장된다. 이 경우 실제로, 기판 접속은 이미 형성된 반도체 구조물을 손상시키지 않고 약 300℃ 내지 400℃(전형적 상한선 350℃)의 비교적 낮은 온도에서 이루어지는 것이 가능하다. 이에 의해 도핑된 반도체 웨이퍼가 도전성으로 그리고 지속적으로 서로 접속되어서 서로 반대편에 있는 2개의 상부면에서 예정된 구조화가 이루어지는 원하는 치수(베이스 두께)의 반도체 소자가 제조된다. 이렇게 반도체 소자는, 원래 기판의 접속면(5)이 가는 일점 쇄선으로 표시된 도 1e 또는 2e의 예에 상응하게 제조된다.
상기 방법으로 양면 구조화 및 기본 도핑이 이루어진 비교적 얇은 두께의 베이스 영역을 갖는 파워 반도체 소자가 제조될 수 있으며, 상기 소자는 특정 작동 매개변수 영역에서의 사용에 적당하다. 특히 접속면(5)과 관련하여 반사 대칭인 반도체 소자 및 양방향 스테틱 스위치가 제조될 수 있다. 예를 들어 도입부에서 인용한 발표문의 GTO-사이리스터의 경우에서 추구되는 것 처럼, 서로 접속될 2개의 기판에서 상이한 구조화 또는 상이한 도핑을 실시하는 것이 가능하다. 상기 방법의 장점은 반도체 소자가 얇은 연마까지 하나의 표준 공정으로 제조될 수 있어서, 공지된 방법에 비해 추가 비용이 적게 들 수 있다는 데 있다. 기판의 얇은 연마는, 기판의 나머지 두께가 반도체 소자의 원하는 전압 등급에 상응하고 통상적인 방법에 따라 제조되는 양면 구조화된 파워 반도체 소자에서보다 훨씬 얇은 베이스 두께를 제공하도록 실행될 수 있다.
본 발명에 따라서 간단하게 실행될 수 있고 얇은 기판의 서로 반대편에 있는 2개의 상부면에 복잡한 반도체 구조물을 형성하기에 적합한 파워 반도체 소자의 제조 방법이 제공되었다.

Claims (5)

  1. 파워 반도체 소자의 제조 방법에 있어서,
    - 제 1단계에서 도전성으로 도핑된 반도체 재료로 이루어진 2개의 기판의 각각의 상부면에 도핑 영역의 구조물(2)을 제조하며,
    - 제 2단계에서 서로 반대편에 있는 기판의 상부면을 얇게 하고,
    - 제 3단계에서 상기 상부면을 지속적으로 그리고 도전성으로 서로 접속하는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 제 3단계를 웨이퍼-본딩에 의해 실행하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 제 3단계를 350℃ 이하의 온도에서 실행하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 1항 내지 3항 중 어느 한 항에 있어서, 제 1단계에서 각각 하나 또는 다수의 IGBT 구조물을 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 1항 내지 3항 중 어느 한 항에 있어서, 제 1단계에서 각각 하나 또는 다수의 GTO-사이리스터 구조물을 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1057249A1 (de) 1998-12-21 2000-12-06 Siemens Aktiengesellschaft Matrixumrichter
US6385619B1 (en) * 1999-01-08 2002-05-07 International Business Machines Corporation Automatic user interest profile generation from structured document access information
US20020042062A1 (en) * 1999-09-24 2002-04-11 Mark Stearns Prostate cancer-related compositions, methods, and kits based on DNA macroarray proteomics platforms
JP4774586B2 (ja) * 1999-10-21 2011-09-14 富士電機株式会社 半導体素子の製造方法
JP4635304B2 (ja) * 2000-07-12 2011-02-23 富士電機システムズ株式会社 双方向超接合半導体素子およびその製造方法
GB0520909D0 (en) * 2005-10-14 2005-11-23 Eco Semiconductors Ltd Power semiconductor devices
US7734632B2 (en) 2005-10-28 2010-06-08 Disney Enterprises, Inc. System and method for targeted ad delivery
FR2895600A1 (fr) * 2005-12-26 2007-06-29 St Microelectronics Sa Commutateur bidirectionnel a commande hf
FR2899572B1 (fr) * 2006-04-05 2008-09-05 Commissariat Energie Atomique Protection de cavites debouchant sur une face d'un element microstructure
CN101068003B (zh) * 2007-02-13 2010-05-19 江苏威斯特整流器有限公司 一种大功率双向晶闸管的生产方法
JP5251102B2 (ja) * 2007-12-10 2013-07-31 株式会社デンソー 半導体装置
JP4912353B2 (ja) * 2008-05-16 2012-04-11 三菱電機株式会社 電力用半導体装置およびその製造方法
CN109004024A (zh) * 2018-07-02 2018-12-14 全球能源互联网研究院有限公司 一种半导体器件及其制作方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4985738A (en) * 1978-01-06 1991-01-15 Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai Semiconductor switching device
US5111268A (en) * 1981-12-16 1992-05-05 General Electric Company Semiconductor device with improved turn-off capability
JPH01145860A (ja) * 1987-12-02 1989-06-07 Yazaki Corp 両面ゲート型静電誘導サイリスタの製造方法
US5141889A (en) * 1990-11-30 1992-08-25 Motorola, Inc. Method of making enhanced insulated gate bipolar transistor
US5183769A (en) * 1991-05-06 1993-02-02 Motorola, Inc. Vertical current flow semiconductor device utilizing wafer bonding
JP2750986B2 (ja) * 1992-10-27 1998-05-18 尚茂 玉蟲 分割ゲート型カソード短絡構造を有する絶縁ゲート静電誘導サイリスタ
GB9313843D0 (en) * 1993-07-05 1993-08-18 Philips Electronics Uk Ltd A semiconductor device comprising an insulated gate field effect transistor
JP2801127B2 (ja) * 1993-07-28 1998-09-21 日本碍子株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP3352840B2 (ja) * 1994-03-14 2002-12-03 株式会社東芝 逆並列接続型双方向性半導体スイッチ
JPH0855978A (ja) * 1994-06-09 1996-02-27 Ngk Insulators Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP3214987B2 (ja) * 1994-09-05 2001-10-02 日本碍子株式会社 半導体装置およびその製造方法
US5841155A (en) * 1995-02-08 1998-11-24 Ngk Insulators, Ltd. Semiconductor device containing two joined substrates
US5665988A (en) * 1995-02-09 1997-09-09 Fuji Electric Co., Ltd. Conductivity-modulation semiconductor
US5541122A (en) * 1995-04-03 1996-07-30 Motorola Inc. Method of fabricating an insulated-gate bipolar transistor

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