JP2005142288A - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1導電型の高抵抗層11とその下部の第1導電型のバッファ層12と、第1導電型の高抵抗層11の上部の第2導電型のベース層13と、第2導電型のベース層13の上面の第1導電型のエミッタ領域15と、エミッタ領域15に接続されるエミッタ電極16と、第2導電型のベース層13のチャネル領域17上にシリコン酸化膜を介したゲート電極18と、セル領域周囲の拡散を深くしたガードリング部19と、ガードリング部19の直下以外の第1導電型のバッファ層12の下面の第2導電型のコレクタ層20と、コレクタ層20に接続されるコレクタ電極22と、ガードリング部19の直下に形成された絶縁層21または第1導電型のバッファ層の下面に形成される絶縁層とを備えた。
【選択図】 図1
Description
11 N−型半導体層
12 N+型半導体層
13 P型半導体層(ベース領域)
15 エミッタ領域
16 エミッタ電極
17 チャネル領域
18 ゲート電極
19 ガードリング部
20 コレクタ層
21 絶縁層
22 コレクタ電極
Claims (3)
- 第1導電型の高抵抗層とその下部に位置する第1導電型のバッファ層と、
前記第1導電型の高抵抗層の上部に形成された第2導電型のベース層と、
前記第2導電型のベース層の上面に形成された第1導電型のエミッタ領域と、
前記エミッタ領域に接続されるエミッタ電極と、
前記第2導電型のベース層のチャネル領域上にシリコン酸化膜を介して形成されたゲート電極と、
セル領域周囲の拡散を深くしたガードリング部と、
前記ガードリング部の直下以外の前記第1導電型のバッファ層の下面に形成される第2導電型のコレクタ層と、
前記コレクタ層に接続されるコレクタ電極と、
前記ガードリング部の直下または第1導電型のバッファ層の下面に形成される絶縁層とを備えたことを特徴とする半導体装置。 - 第1半導体基板に高濃度の不純物を含む第1導電型層を形成する工程と、第2導電型の半導体領域と絶縁体領域を形成する工程と、
第2半導体基板の表面に酸化膜を形成し、前記第1半導体基板の第2導電型の半導体領域と絶縁体領域が形成された層と前記第2半導体基板を前記酸化膜を介して接合する工程と、
前記第1半導体基板を所定の厚さに研磨する工程と、
前記第1半導体基板に第2導電型のベース領域と、ガードリング部と、第1導電型のエミッタ領域と、エミッタ電極と、絶縁膜を介したゲート電極を前記ガードリング部が前記絶縁体領域の直上に位置するように形成する工程と、
前記第2半導体基板の表面に選択的にマスクを形成する工程と、
前記第1半導体基板に形成するゲート電極とエミッタ電極側の面を封止し、前記酸化膜をストップ層として、前記第2半導体基板を除去する工程と、
前記マスクおよび露出している酸化膜を除去する工程と、
前記封止を取り除く工程と、
前記第2導電型の半導体領域と絶縁体領域が形成された層の表面に電極を形成する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 第1半導体基板に前記第1半導体基板の不純物濃度よりも高濃度の不純物を含む第1導電型の層を形成する工程と、
前記第1半導体基板に形成した前記第1導電型の層と、前記第2半導体基板の表面に酸化膜を形成し、前記第1半導体基板と前記第2半導体基板を前記酸化膜を介して接合する工程と、
前記第1半導体基板を所定の厚さに研磨する工程と、
前記第1半導体基板に第2導電型のベース領域とガードリング部と、第1導電型のエミッタ領域と、エミッタ電極と、絶縁膜を介したゲート電極を形成する工程と、
前記第2半導体基板の表面に選択的にマスクを形成する工程と、
前記第1半導体基板に形成するゲート電極とエミッタ電極側の面を封止し、前記酸化膜をストップ層として、前記第2半導体基板を除去する工程と、
前記マスクおよび露出している酸化膜を除去する工程と、
前記封止を取り除く工程と、
前記マスクおよび露出している酸化膜を除去する工程により露出した前記第1半導体基板の不純物濃度よりも高濃度の不純物を含む第1導電型の層に、第2導電型の半導体領域と絶縁体領域を、前記絶縁体領域が前記ガードリング部の直下に位置するように形成する工程と、
前記第2導電型の半導体領域と絶縁体領域が形成された層の表面に電極を形成する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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