JP3695307B2 - 配線基板、表示装置、半導体チップ及び電子機器 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に金属配線を形成して成る配線基板、その配線基板を用いて構成される表示装置、上記配線基板に好適に用いられる半導体チップ及び上記表示装置又は上記配線基板を用いた電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯型コンピュータ、携帯電話機、ビデオカメラ等といった電子機器の表示部に液晶装置等といった表示装置が広く用いられている。また、表示装置の１つとしてのＥＬ（Electro Luminescence）装置も表示部として用いられるようになって来た。液晶装置では、電気光学物質としての液晶を一対の電極で挟持し、それらの電極に印加する電圧を制御することにより液晶の配向を制御し、この液晶の配向制御により該液晶を通過する光を変調し、これにより、文字、数字等といった像を外部に表示する。
【０００３】
また、ＥＬ装置では、電気光学物質としてのＥＬ発光層を一対の電極で挟持し、それらの電極に印加する電圧を制御することにより上記ＥＬ発光層に供給する電流を制御してＥＬ発光層からの発光を制御することにより、文字、数字等といった像を外部に表示する。
【０００４】
液晶装置や、ＥＬ装置等においては、液晶やＥＬ発光層等を挟持する電極が１つ又は複数の基板上に形成される。例えば、液晶装置では、互いに対向して配置される一対の基板のそれぞれに電極が形成される。他方、ＥＬ装置では、１つの基板の表面に一対の電極がＥＬ発光層を挟んで積層される。これらの表示装置においては、基板上の有効表示領域の内部に複数の電極が形成され、その有効表示領域の外部には、前記複数の電極から延びる引出し配線や、それらの引出し配線とは別の金属配線が形成される。有効表示領域内に形成される電極は、ＩＴＯ等といった酸化物であることもあるし、ＡＰＣ合金、Ｃｒ等といった金属であることもある。電極が金属によって形成される場合には、それから延びる引出し配線も金属配線になる。
【０００５】
有効表示領域の外部へ延び出る前記引出し配線とは別の金属配線としては、例えば、基板上に半導体チップを直接に実装する構造の配線基板、いわゆるＣＯＧ（Chip On Glass）方式の配線基板において、その半導体チップの入力側端子、例えば入力側バンプに接続される金属配線であって、外部回路から延びるＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）等に接続される金属配線が考えられる。
【０００６】
上記の液晶装置や、ＥＬ装置等において、従来、基板上に形成する電極の材料としてＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等といった導電性酸化物が用いられることや、基板上に形成される金属配線の材料としてＡＰＣ、Ｃｒ等といった金属が用いられることは知られている。ＡＰＣというのは、Ａｇ（銀），Ｐｄ（パラジウム），Ｃｕ（銅）から成る合金である。
【０００７】
ＩＴＯは電極等の材料として従来から広く用いられているが、このＩＴＯは電気抵抗値が高いのでこれを基板上で長く引き回すと電気抵抗値が高くなって駆動回路を正常に駆動できなくなるという問題があった。この問題点を解消するために有効であると考えられるのがＡＰＣ、Ｃｒ等といった電気抵抗値の低い金属である。例えば、ＩＴＯの単位面積当りの抵抗値が１５Ω程度であるのに対し、Ｃｒの単位面積当りの抵抗値は１．５Ω程度であり、ＡＰＣの単位面積当りの抵抗値は０．１Ω程度である。このような電気抵抗値の低い金属材料を用いて基板上に配線パターンを形成すれば、配線パターンの引き回し長さを長くしても電気抵抗値を低く抑えることができるので、非常に有利である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
以上のように、基板上に形成する配線パターンをＡＰＣ、Ｃｒ等といった金属によって形成すれば、電気抵抗値を下げることに関して非常に有利であるが、その一方で金属配線が腐食によって損傷して配線品質を維持できなくなるという別の問題が発生することがわかった。本発明者は、この金属腐食の問題を解消するために種々の実験を行い、以下のことを知見した。すなわち、基板上の複数の金属配線が互いに隣り合って配設される場合であって、それらの金属配線のうちの隣り合うものの間に電位差が生じるとき、すなわち、金属配線間に陽極と陰極の関係が生じるときに、陽極側の金属成分、例えばＡｇが溶出するからであると考えられる。
【０００９】
本発明は、従来の配線基板に関する上記の問題点に鑑みて成されたものであって、電気抵抗値の低い金属材料を用いて配線パターンを形成した場合でも、その金属配線に腐食が生じることを防止することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
（１）上記の目的を達成するため、本発明に係る第１の配線基板は、基板上に複数の金属配線を形成して成る配線基板において、前記複数の金属配線のうち互いに隣り合う少なくとも一対の間に、導電性酸化物から成るガード配線が形成され、前記金属配線の上の一部又は全部に前記ガード配線と同一の導電酸化物が積層されることを特徴とする。
【００１１】
この構成の配線基板によれば、隣り合う金属配線の間に導電性酸化物から成るガード配線を介在させるので、隣り合う金属配線間に電位差が生じる場合、すなわち陽極と陰極の関係が生じる場合であっても、陽極側の金属配線の腐食を防止でき、これにより、配線基板の電気的特性を長期間にわたって良好に維持できる。
【００１２】
（２）次に、本発明に係る第２の配線基板は、互いに接続される一対の配線基板要素を有する配線基板において、前記一対の配線基板要素の一方に形成された複数の金属配線と、前記一対の配線基板要素の他方に形成されていて導電酸化物から成る少なくとも１つのガード配線とを有し、前記一対の配線基板要素が互いに接続されることにより、前記ガード配線が前記複数の金属配線の間に位置し、前記金属配線の上の一部又は全部に前記ガード配線と同一の導電酸化物が積層されることを特徴とする。
【００１３】
上記配線基板要素としては、例えば、配線パターンが形成されたガラス基板、配線パターンが形成されたＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）、配線パターンが形成されると共に半導体チップが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板等が考えられる。そして、上記第２の配線基板は、それらの配線基板要素の少なくとも２つを互いに接続することによって形成される配線基板である。接続方法としては、例えば、樹脂フィルム中に多数の導電粒子を分散させて形成されたＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）を用いる方法や、半田付け等といった各種の接続手法を採用できる。
【００１４】
上記第２の配線基板によれば、少なくとも２つの配線基板要素を互いに接続させた状態で、互いに隣り合う金属配線の間に導電性酸化物から成るガード配線が介在する状態となるので、隣り合う金属配線間に電位差が生じる場合、すなわち陽極と陰極の関係が生じる場合であっても、陽極側の金属配線の腐食を防止でき、これにより、配線基板の電気的特性を長期間にわたって良好に維持できる。
【００１５】
上記第１の配線基板及び上記第２の配線基板において、前記ガード配線は、それ自身が適宜の電位を有しても良いし、あるいは電位を有さない無電位状態であっても良い。このガード配線に電位を持たせる場合には、互いに隣り合う前記一対の金属配線のうちの陽極側にガード配線を接続することにより、ガード配線の電位を陽極側金属配線と同電位にすることが望ましい。この構成によれば、陽極側金属配線は隣り合うガード配線に対しては同電位に設定され、さらに、陰極側金属配線に対して陽極となるのは導電性酸化物から成るガード配線であるので、陽極側金属配線に腐食が発生することを確実に防止できる。
【００１６】
次に、上記第１の配線基板及び上記第２の配線基板においては、前記金属配線の上の一部又は全部に前記ガード配線と同一の導電酸化物を積層することが望ましい。これにより、金属配線の腐食をより一層確実に防止できる。
【００１７】
次に、上記第１の配線基板及び上記第２の配線基板において、前記金属配線は、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｎｄ，Ｔｉのいずれか１つ又はそれらを含む合金とすることができる。具体的には、Ａｇ９８％、Ｐｄ１％、Ｃｕ１％を含む合金であるＡＰＣ合金や、主にＣｒ単体によって形成される金属や、その他の金属を用いることができる。これらの金属配線は、液晶装置、ＥＬ装置等といった表示装置において、液晶、ＥＬ発光層等といった電気光学物質を電気的に制御するための電極として用いたり、光を反射する反射膜として用いたりすることができる。
【００１８】
次に、上記第１の配線基板及び上記第２の配線基板において、前記ガード配線を形成する前記導電性酸化物は、ＩＴＯ又は酸化スズを含む材料によって形成できる。
【００１９】
（３）次に、本発明に係る第３の配線基板は、基板上に形成された複数の金属配線と、前記基板上に実装された半導体チップとを有する配線基板において、前記複数の金属配線の少なくとも一対の間に導電性酸化物から成るガード配線を有し、該ガード配線は前記半導体チップの高電圧端子に接続され、該ガード配線に隣り合う前記金属配線は前記半導体チップの低電圧端子に接続され、前記ガード配線はダミー配線として形成されていることを特徴とする。
本発明に係る表示装置は、請求項１から請求項６の少なくとも１つの配線基板を用いて構成されること特徴とする
【００２０】
この第３の配線基板は、例えば図１７に示すように、基板１０１の表面に半導体チップ１０２を実装する構成の配線基板である。半導体チップ１０２は、通常、外部回路との間で電気的な接続をとるために、その能動面１０２ａ上に多数の端子１０３、例えば金属バンプを有する。本発明の配線基板では、基板１０１上に形成される複数の金属配線１０４の少なくとも一対の間にガード配線１０５が設けられ、さらに、金属配線１０４に接続される半導体チップ１０２の端子１０３は高電圧端子に設定され、ガード配線１０５に接続される端子１０３は低電圧端子に設定される。この構成によれば、金属配線１０４が陽極側と陰極側とで互いに隣り合うことを防止でき、それ故、金属配線１０４が腐食によって損傷することを防止できる。
【００２１】
（４）次に、本発明に係る表示装置は、有効表示領域の外側の基板上に配置された複数の金属配線を有する表示装置において、前記複数の金属配線のうち互いに隣り合う少なくとも一対の間に、導電性酸化物から成るガード配線が設けられ、前記金属配線の上の一部又は全部に前記ガード配線と同一の導電酸化物が積層されることを特徴とする。
また本発明に係る表示装置は、有効表示領域内の基板上に配置された複数の電極を有する表示装置において、前記複数の電極のうち互いに隣り合う少なくとも一対の間に、導電性酸化物から成るガード配線が設けられ、前記電極の上の一部又は全部に前記ガード配線と同一の導電酸化物が積層されることを特徴とする。
【００２２】
この表示装置は、具体的には液晶装置、ＥＬ装置等として構成できるものであり、液晶装置として構成する場合には、前記有効表示領域内の一対の基板上に、互いに対向する複数の第１電極及び第２電極と、それらの第１電極と第２電極とによって挟持される電気光学物質と、前記有効表示領域の外側に配置された複数の金属配線とを有し、前記電気光学物質は液晶であり、前記複数の第１電極及び第２電極は前記液晶を挟んで互いに対向する一対の基板の表面にそれぞれ形成され、前記一対の基板の少なくとも一方は他方の基板から張り出す基板張出し部を有し、前記金属配線は前記基板張出し部に形成される。
【００２３】
また、上記表示装置をＥＬ装置として構成する場合には、前記有効表示領域内に互いに対向する複数の第１電極及び第２電極と、それらの第１電極と第２電極とによって挟持される電気光学物質と、前記有効表示領域の外側に配置された複数の金属配線とを有し、前記電気光学物質は通電によって発光するＥＬ発光層を含んで形成され、前記複数の第１電極及び第２電極は前記ＥＬ発光層を挟んで共通の基板上に順次に積層され、前記金属配線は前記有効表示領域の外側の前記基板上に形成される。
【００２４】
以上の表示装置によれば、有効表示領域の外側において金属配線間にガード配線が介在し、及び／又は、有効表示領域の内側において金属電極間にガード配線が介在するので、隣り合う金属配線間に電位差が生じてそれら間に陽極と陰極の関係が生じる場合や、隣り合う金属電極間に電位差が生じてそれら間に陽極と陰極の関係が生じる場合であっても、陽極側の金属配線及び陽極側の金属電極に腐食が発生することを防止でき、これにより、表示装置を構成する基板の電気的特性を長期間にわたって良好に維持でき、それ故、長期間にわたって良好な表示品質を維持できる。
【００２５】
上記構成の表示装置において、前記ガード配線は、互いに隣り合う前記一対の金属配線のうちの陽極側及び／又は互いに隣り合う前記一対の金属電極のうちの陽極側に接続されることが望ましい。こうすれば、陽極側金属配線又は陽極側金属電極は隣り合うガード配線に対しては同電位に設定され、さらに、陰極側金属配線又は陰極側金属電極に対して陽極となるのは導電性酸化物から成るガード配線であるので、陽極側金属配線又は陽極側金属電極に腐食が発生することを確実に防止できる。
【００２７】
次に、上記構成の表示装置において、前記金属配線及び／又は前記金属電極は、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｎｄ，Ｔｉのいずれか１つ又はそれらを含む合金とすることができる。具体的には、Ａｇ９８％、Ｐｄ１％、Ｃｕ１％を含む合金であるＡＰＣ合金や、主にＣｒ単体によって形成される金属や、その他の金属を用いることができる。これらの金属配線は、液晶装置、ＥＬ装置等といった表示装置において、液晶、ＥＬ発光層等といった電気光学物質を電気的に制御するための電極として用いたり、光を反射する反射膜として用いたりすることができる。
【００２８】
次に、上記構成の表示装置において、前記ガード配線を形成する前記導電性酸化物は、ＩＴＯ又は酸化スズを含む材料によって形成できる。
【００２９】
（５）次に、本発明に係る半導体チップは、回路を内蔵し外部へ向けて複数の端子が露出する半導体チップにおいて、前記複数の端子は交互に配列された低電圧端子と高電圧端子とを含み、前記低電圧端子には金属配線が接続され、前記高電圧端子には導電性酸化物から成るガード配線が接続され、該ガード配線はダミー配線として形成されていることを特徴とする。
また本発明に係る配線基板は、請求項１６の半導体チップが基板上に実装されることを特徴とする。
また本発明に係る表示装置は、請求項１７の配線基板を用いて構成されること特徴とする
【００３０】
一般に半導体チップには、その能動面に金属バンプ等といった端子が複数個配列される。そして、ガラス基板、プラスチック基板等の表面に形成された金属配線がこれらの端子に接続される。この場合、本発明のように、半導体チップの端子列において低電圧端子と高電圧端子とが交互に並べられていれば、高電圧端子に導電性酸化膜から成るガード配線を接続し、低電圧端子にＡＰＣ合金等といった金属配線を接続することにより、基板上において金属配線と酸化膜ガード配線とを交互に並べることができ、しかも、金属配線を高電圧に設定し酸化膜ガード配線を低電圧に設定することができる。
【００３１】
以上により、基板上において隣り合う金属配線の間に導電性酸化物から成るガード配線を介在させることができるので、隣り合う金属配線間に電位差が生じてそれらの間に陽極と陰極の関係が生じる場合であっても、陽極側の金属配線の腐食を防止でき、これにより、表示装置の表示品質を長期間にわたって良好に維持できる。
【００３２】
上記構成の半導体チップにおいて、前記低電圧端子に金属配線を接続し、前記高電圧端子に導電性酸化物から成るガード配線を接続する場合、該ガード配線はダミー配線、すなわち通電の機能は行わない配線によって構成することができる。
【００３３】
（６）次に、本発明に係る電子機器は、像を表示する表示装置と、該表示装置の内部又は外部に設けられる配線基板とを有する電子機器において、前記配線基板は、基板上に複数の金属配線を形成して成り、前記複数の金属配線のうち互いに隣り合う少なくとも一対の間に、導電性酸化物から成るガード配線を形成したことを特徴とする。このような電子機器としては、例えば、携帯電話機、携帯型コンピュータ、ビデオカメラ等が考えられる。
【００３４】
この電子機器によれば、内蔵する配線基板において、隣り合う金属配線の間に導電性酸化物から成るガード配線を介在させるので、隣り合う金属配線間に電位差が生じる場合、すなわち陽極と陰極の関係が生じる場合であっても、陽極側の金属配線の腐食を防止でき、これにより、配線基板の電気的特性を長期間にわたって良好に維持でき、その結果、電子機器における表示機能を長期間にわたって良好に維持できる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
図１は、本発明に係る配線基板を表示装置の一例である液晶装置に適用した場合の一実施形態を示している。なお、液晶装置を駆動方法によって区分すると、単純マトリクス方式とアクティブマトリクス方式の各駆動方式があるが、図１に示す液晶装置は単純マトリクス方式の液晶装置である。また、液晶装置を光の供給方法によって区分すると、反射型、透過型及び半透過反射型等といった各方式が考えられるが、図１に示す液晶装置は半透過反射型の液晶装置である。
【００３６】
なお、反射型とは、太陽光、室内光等といった外部光を液晶層の裏側において反射させ、その反射光を光源として用いる構造の液晶装置である。また、透過型とは、冷陰極管やＬＥＤ（Light Emitting Diode）等といった光源からの発光を光源として用い、その光を液晶層に透過させる構造の液晶装置である。さらに、半透過反射型とは、外部光が十分に採光できる場合には上記反射型による表示を行い、外部光が不十分である場合には上記透過型による表示を行う構造の液晶装置である。
【００３７】
また、液晶装置を色表示形態の観点から区分すると、単色モノクロ表示、フルカラー表示等といった各種表示形態が考えられるが、図１に示す液晶装置は、フルカラー表示を行う液晶装置である。つまり、図１に示す液晶装置は、単純マトリクス駆動方式による半透過反射型のフルカラー表示可能な液晶装置である。
【００３８】
図１において、液晶装置１は、液晶パネル２に半導体チップとしての液晶駆動用ＩＣ３ａ及び３ｂを実装し、配線接続要素としてのＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）４を液晶パネル２に接続し、さらに液晶パネル２の裏面側に照明装置６を設けることによって形成される。
【００３９】
液晶パネル２は、第１基板７ａと第２基板７ｂとをシール材８によって貼り合わせることによって形成される。シール材８は、例えば、スクリーン印刷等によってエポキシ系樹脂を第１基板７ａ又は第２基板７ｂの内側表面に環状に付着させることによって形成される。また、シール材８の内部には図２に示すように、導電性材料によって球状又は円筒状に形成された導通材９が分散状態で含まれる。
【００４０】
図２において、第１基板７ａは透明なガラスや、透明なプラスチック等によって形成された板状の基材１１ａを有する。この基材１１ａの内側表面（図２の上側表面）には反射膜１２が形成され、その上に絶縁膜１３が積層され、その上に第１電極１４ａが矢印Ａ方向から見てストライプ状（図１参照）に形成され、さらにその上に配向膜１６ａが形成される。また、基材１１ａの外側表面（図２の下側表面）には偏光板１７ａが貼着等によって装着される。
【００４１】
図１では第１電極１４ａの配列を分かりやすく示すために、それらのストライプ間隔を実際よりも大幅に広く描いており、よって、第１電極１４ａの本数が少なく描かれているが、実際には、第１電極１４ａはより多数本が基材１１ａ上に形成される。
【００４２】
図２において、第２基板７ｂは透明なガラスや、透明なプラスチック等によって形成された板状の基材１１ｂを有する。この基材１１ｂの内側表面（図２の下側表面）にはカラーフィルタ１８が形成され、その上に第２電極１４ｂが上記第１電極１４ａと直交する方向へ矢印Ａ方向から見てストライプ状（図１参照）に形成され、さらにその上に配向膜１６ｂが形成される。また、基材１１ｂの外側表面（図２の上側表面）には偏光板１７ｂが貼着等によって装着される。
【００４３】
図１では、第２電極１４ｂの配列を分かりやすく示すために、第１電極１４ａの場合と同様に、それらのストライプ間隔を実際よりも大幅に広く描いており、よって、第２電極１４ｂの本数が少なく描かれているが、実際には、第２電極１４ｂはより多数本が基材１１ｂ上に形成される。
【００４４】
図２において、第１基板７ａ、第２基板７ｂ及びシール材８によって囲まれる間隙、いわゆるセルギャップ内には液晶、例えばＳＴＮ（Super Twisted Nematic）液晶Ｌが封入されている。第１基板７ａ又は第２基板７ｂの内側表面には微小で球形のスペーサ１９が多数分散され、これらのスペーサ１９がセルギャップ内に存在することによりそのセルギャップの厚さが均一に維持される。
【００４５】
第１電極１４ａと第２電極１４ｂは互いに直交関係に配置され、それらの交差点は図２の矢印Ａ方向から見てドット・マトリクス状に配列する。そして、そのドット・マトリクス状の各交差点が１つの絵素ピクセルを構成する。カラーフィルタ１８は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色要素を矢印Ａ方向から見て所定のパターン、例えば、ストライプ配列、デルタ配列、モザイク配列等のパターンで配列させることによって形成されている。上記の１つの絵素ピクセルはそれらＲ，Ｇ，Ｂの各１つずつに対応しており、そしてＲ，Ｇ，Ｂの３色絵素ピクセルが１つのユニットになって１画素が構成される。
【００４６】
ドット・マトリクス状に配列される複数の絵素ピクセル、従って画素、を選択的に発光させることにより、液晶パネル２の第２基板７ｂの外側に文字、数字等といった像が表示される。このようにして像が表示される領域が有効画素領域であり、図１及び図２において矢印Ｂによって示される平面的な矩形領域が有効表示領域となっている。
【００４７】
図２において、反射膜１２はＡＰＣ合金、Ａｌ（アルミニウム）等といった光反射性材料によって形成され、図３に平面的に示すように、第１電極１４ａと第２電極１４ｂとの交差点である各絵素ピクセルに対応する位置に開口２１が形成されている。結果的に、開口２１は図２の矢印Ａ方向から見て、絵素ピクセルと同じドット・マトリクス状に配列されている。
【００４８】
第１電極１４ａ及び第２電極１４ｂは、例えば、透明導電材であるＩＴＯによって形成される。また、配向膜１６ａ及び１６ｂは、ポリイミド系樹脂を一様な厚さの膜状に付着させることによって形成される。これらの配向膜１６ａ及び１６ｂがラビング処理を受けることにより、第１基板７ａ及び第２基板７ｂの表面上における液晶分子の初期配向が決定される。
【００４９】
図１において、第１基板７ａは第２基板７ｂよりも広い面積に形成されており、これらの基板をシール材８によって貼り合わせたとき、第１基板７ａは第２基板７ｂの外側へ張り出す基板張出し部７ｃを有する。そして、この基板張出し部７ｃには、第１電極１４ａから延び出る引出し配線１４ｃ、シール材８の内部に存在する導通材９（図２参照）を介して第２基板７ｂ上の第２電極１４ｂと導通する引出し配線１４ｄ、液晶駆動用ＩＣ３ａの入力用バンプ、すなわち入力用端子に接続される金属配線１４ｅ、そして液晶駆動用ＩＣ３ｂの入力用バンプに接続される金属配線１４ｆ等といった各種の配線が適切なパターンで形成される。
【００５０】
本実施形態では、第１電極１４ａから延びる引出し配線１４ｃ及び第２電極１４ｂに導通する引出し配線１４ｄはそれらの電極と同じ材料であるＩＴＯ、すなわち導電性酸化物によって形成される。また、液晶駆動用ＩＣ３ａ及び３ｂの入力側の配線である金属配線１４ｅ及び１４ｆは電気抵抗値の低い金属材料、例えばＡＰＣ合金によって形成される。ＡＰＣ合金は、主としてＡｇを含み、付随してＰｄ及びＣｕを含む合金、例えば、Ａｇ９８％、Ｐｄ１％、Ｃｕ１％から成る合金である。ＡＰＣ合金以外に、Ａｕ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｎｄ，Ｔｉ等によって金属配線１４ｅ及び１４ｆを形成することもできる。
【００５１】
液晶駆動用ＩＣ３ａ及び液晶駆動用ＩＣ３ｂは、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）２２によって基板張出し部７ｃの表面に接着されて実装される。すなわち、本実施形態では基板上に半導体チップが直接に実装される構造の、いわゆるＣＯＧ（Chip On Glass）方式の液晶パネルとして形成されている。このＣＯＧ方式の実装構造においては、ＡＣＦ２２の内部に含まれる導電粒子によって、液晶駆動用ＩＣ３ａ及び３ｂの入力側バンプと金属配線１４ｅ及び１４ｆとが導電接続され、液晶駆動用ＩＣ３ａ及び３ｂの出力側バンプと引出し配線１４ｃ及び１４ｄとが導電接続される。
【００５２】
図１において、ＦＰＣ４は、可撓性の樹脂フィルム２３と、チップ部品２４を含んで構成された回路２６と、金属配線端子２７とを有する。回路２６は樹脂フィルム２３の表面に半田付けその他の導電接続手法によって直接に搭載される。また、金属配線端子２７はＡＰＣ合金、Ｃｒ、Ｃｕその他の導電材料によって形成される。ＦＰＣ４のうち金属配線端子２７が形成された部分は、第１基板７ａのうち金属配線１４ｅ及び金属配線１４ｆが形成された部分にＡＣＦ２２によって接続される。そして、ＡＣＦ２２の内部に含まれる導電粒子の働きにより、基板側の金属配線１４ｅ及び１４ｆとＦＰＣ側の金属配線端子２７とが導通する。
【００５３】
ＦＰＣ４の反対側の辺端部には外部接続端子３１が形成され、この外部接続端子３１が図示しない外部回路に接続される。そして、この外部回路から伝送される信号に基づいて液晶駆動用ＩＣ３ａ及び３ｂが駆動され、第１電極１４ａ及び第２電極１４ｂの一方に走査信号が供給され、他方にデータ信号が供給される。これにより、有効表示領域Ｂ内に配列されたドット・マトリクス状の絵素ピクセルが個々のピクセルごとに電圧制御され、その結果、液晶Ｌの配向が個々の絵素ピクセルごとに制御される。
【００５４】
図１において、いわゆるバックライトとして機能する照明装置６は、図２に示すように、アクリル樹脂等によって構成された導光体３２と、その導光体３２の光出射面３２ｂに設けられた拡散シート３３と、導光体３２の光出射面３２ｂの反対面に設けられた反射シート３４と、発光源としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode）３６とを有する。
【００５５】
ＬＥＤ３６はＬＥＤ基板３７に支持され、そのＬＥＤ基板３７は、例えば導光体３２と一体に形成された支持部（図示せず）に装着される。ＬＥＤ基板３７が支持部の所定位置に装着されることにより、ＬＥＤ３６が導光体３２の側辺端面である光取込み面３２ａに対向する位置に置かれる。なお、符号３８は液晶パネル２に加わる衝撃を緩衝するための緩衝材を示している。
【００５６】
ＬＥＤ３６が発光すると、その光は光取込み面３２ａから取り込まれて導光体３２の内部へ導かれ、反射シート３４や導光体３２の壁面で反射しながら伝播する間に光出射面３２ｂから拡散シート３３を通して外部へ平面光として出射する。
【００５７】
液晶装置１は以上のように構成されているので、太陽光、室内光等といった外部光が十分に明るい場合には、図２において、第２基板７ｂ側から外部光が液晶パネル２の内部へ取り込まれ、その光が液晶Ｌを通過した後に反射膜１２で反射して再び液晶Ｌへ供給される。液晶Ｌはこれを挟持する電極１４ａ及び１４ｂによってＲ，Ｇ，Ｂの絵素ピクセルごとに配向制御されており、よって、液晶Ｌへ供給された光は絵素ピクセルごとに変調され、その変調によって偏光板１７ｂを通過する光と、通過できない光とによって液晶パネル２の外部に文字、数字等といった像が表示される。これにより、反射型の表示が行われる。
【００５８】
他方、外部光の光量が十分に得られない場合には、ＬＥＤ３６が発光して導光体３２の光出射面３２ｂから平面光が出射され、その光が反射膜１２に形成された開口２１を通して液晶Ｌへ供給される。このとき、反射型の表示と同様にして、供給された光が配向制御される液晶Ｌによって絵素ピクセルごとに変調され、これにより、外部へ像が表示される。これにより、透過型の表示が行われる。
【００５９】
本実施形態に係る液晶装置１に関して、図１に示す第１基板７ａの基板張出し部７ｃ上に液晶駆動用ＩＣ３ａ及びＦＰＣ４が接続された状態において、矢印Ｄに相当する部分の金属配線の接続状況を拡大して示すと、図４の通りである。図４において、基板張出し部７ｃ上に設けられた各金属端子配線１４ｅはＡＰＣ合金によって形成されている。また、本実施形態では、これらの金属端子配線１４ｅに異なる大きさの電圧Ｖ１〜Ｖ４が印加されるようになっており、それらの大きさは、例えば
Ｖ１＞Ｖ２＞Ｖ３＞Ｖ４
の関係に設定されている。
【００６０】
そして、印加電圧が高い金属配線１４ｅと印加電圧が低い金属配線１４ｅとが隣り合う場合には、それらの金属配線１４ｅの間に、導電性酸化物であるＩＴＯによって形成されたガード配線２９が介在されている。図４では、Ｖ１とＶ２との間、Ｖ２とＶ３との間、そしてＶ３とＶ４との間に、それぞれ、ガード配線２９が設けられた状態を示している。なお、符号３ａは液晶駆動用ＩＣであり、符号３９は液晶駆動用ＩＣ３ａに形成されたバンプすなわち端子を示している。
【００６１】
金属配線１４ｅが隣り合う場合であっても、それらに印加される電圧が等しいときには、それらの金属配線の間にはガード配線が設けられていない。図４では、電圧Ｖ４が複数個互いに隣り合って配列されていて、それらの間にはガード配線２９が設けられない状態を示してある。
【００６２】
一般に、ＡＰＣ合金から成る金属配線１４ｅが隣り合っていて、それらの間に電位差が生じる場合、すなわち、それらの金属配線間に陽極と陰極の関係が生じている場合、何等の措置も施さなければ、高電圧が印加される陽極側の金属配線１４ｅが腐食によって損傷することがある。これに対し、本実施形態のように、陽極側金属配線と陰極側金属配線との間に導電性酸化物であるＩＴＯを介在させれば、陽極側金属配線１４ｅに腐食が発生することを防止できる。
【００６３】
特に、本実施形態では、陽極側金属配線１４ｅの全体に導電性酸化物であるＩＴＯを被せてあるので、その陽極側金属配線の腐食をより一層確実に防止できる。なお、陽極側金属配線１４ｅに被せるＩＴＯはその陽極側金属配線の全体ではなくてその一部であっても同様の効果を得ることができる。さらに、本実施形態では、陽極側金属配線１４ｅを被覆するＩＴＯとガード配線２９を形成するＩＴＯとを一体につなげてあって、ガード配線２９が陽極側と同電位になっているので、陽極側金属配線１４ｅに腐食が発生することを、さらに一層確実に防止できる。
【００６４】
以上のように、金属配線１４ｅをＡＰＣ合金によって形成すれば、このＡＰＣ合金は電気抵抗値が低いので、金属配線１４ｅが長いパターンとして形成される場合でも、全体の抵抗値を低く抑えることができ、このため、ＦＰＣ４上の回路２６と液晶駆動用ＩＣ３ａとの間で信号の授受を安定して行うことが可能となる。しかも、金属配線１４ｅがＡＰＣ合金によって形成される場合には、陽極側の金属配線が腐食によって損傷する可能性が高いのであるが、本実施形態のように陽極側金属配線と陰極側金属配線との間に導電性酸化物を介在させることにより、そのような金属配線の腐食の問題も解消できる。
【００６５】
また、図４のように陽極側金属配線１４ｅと陰極側金属配線１４ｅとの間に導電性酸化物のガード配線２９を介在させるという配線構造は、図１における液晶駆動用ＩＣ３ａに関する金属配線１４ｅだけに適用する場合に限られず、もう一方の液晶駆動用ＩＣ３ｂに関する金属配線１４ｆに対しても同様に採用することができる。この場合、液晶駆動用ＩＣ３ｂはＦＰＣ４から遠く離れた位置に置かれるので、金属配線１４ｆの引き回し長さは長くなる傾向にある。
【００６６】
仮に、金属配線１４ｆに相当する長い配線パターンをＩＴＯ等といった酸化物によって形成するものとすれば、その長い配線パターンの電気抵抗値が高くなり過ぎて、液晶駆動用ＩＣ３ｂを安定して駆動できなくなるおそれがある。これに対し、本実施形態では金属配線１４ｆを電気抵抗値の低いＡＰＣ合金によって形成しているので、金属配線１４ｆの電気抵抗値は低く抑えられ、よって、液晶駆動用ＩＣ３ｂを安定して駆動できる。しかも、この金属配線１４ｆに関しても陽極側金属配線と陰極側金属配線との間に導電性酸化物であるＩＴＯを介在させることができ、これにより、陽極側金属配線に腐食が発生することを確実に防止できる。
【００６７】
なお、ガード配線２９の長さは、必要に応じて適宜に設定できる。例えば、図４に示すように、端子配線１４ｅとほぼ同じ長さに形成しても良いし、あるいは、端子配線１４ｅに関して腐食が発生し易いと考えられる部分に対応して部分的に形成することもできる。
【００６８】
（第２実施形態）
図５は、図４に示した金属配線の改変例を示している。図５に示す複数の金属配線１４ｅに関して異なる大きさの電圧Ｖ１〜Ｖ４が印加されること、そして、高電圧が印加される陽極側金属配線１４ｅと相対的に低い電圧が印加される陰極側金属配線１４ｅとの間に導電性酸化物であるＩＴＯから成るガード配線２９が介在配置されることは、図４に示した実施形態と同じである。
【００６９】
図５に示す本実施形態が図４に示した実施形態と異なる点は、金属配線１４ｅの上からＩＴＯを除去したことである。このように、金属配線１４ｅの上にＩＴＯを積層しない場合でも、陽極側金属配線に腐食が発生することを防止できる。
【００７０】
（第３実施形態）
図６は、図４に示した金属配線の他の改変例を示している。図６に示す複数の金属配線１４ｅに関して異なる大きさの電圧Ｖ１〜Ｖ４が印加されること、高電圧が印加される陽極側金属配線１４ｅと相対的に低い電圧が印加される陰極側金属配線１４ｅとの間に導電性酸化物であるＩＴＯから成るガード配線２９が介在配置されること、そして金属配線１４ｅの上にガード配線２９と同じＩＴＯが積層被覆されること等は、図４に示した実施形態と同じである。
【００７１】
図６に示す本実施形態が図４に示した実施形態と異なる点は、ガード配線２９と金属配線１４ｅ上のＩＴＯ被覆層４１との間のつながりが解除されていて、ガード配線２９が電位の無い状態、すなわち無電位状態に置かれていることである。このようにガード配線２９を無電位状態に置いた場合にも、陽極側金属配線に腐食が発生することを防止できる。
【００７２】
（第４実施形態）
図７及び図８は、本発明に係る配線基板の他の実施形態を示している。但し、ここに示す配線基板の構造は図１に示す液晶装置１において、第１基板７ａの基板張出し部７ｃとＦＰＣ４の金属配線端子２７部分との接続部分に適用されたものである。
【００７３】
ここに示す実施形態では、図７（ａ）に示す第１基板７ａが１つの配線基板要素として機能し、図７（ｂ）に示すＦＰＣ４が他の１つの配線基板要素として機能し、これらの配線基板要素を図８に示すように互いに接続することにより、具体的には図１に示すようにＡＣＦ２２を用いてＦＰＣ４を第１基板７ａの基板張出し部７ｃに接続することにより、一体となった第１基板７ａ及びＦＰＣ４によって１つの配線基板が構成される。
【００７４】
本実施形態では、図７（ａ）に示すように、基板張出し部７ｃの表面にはＡＰＣ合金等といった金属材料によって金属配線１４ｅが形成され、それらの金属配線１４ｅの上に導電性酸化物であるＩＴＯによって形成された被覆層４１が積層される。一方、基板張出し部７ｃに接続されるＦＰＣ４の金属配線端子２７に関しては、高電圧が印加される端子すなわち陽極側端子と、相対的に低い電圧が印加される端子すなわち陰極端子との間に導電性酸化物であるＩＴＯによって形成されたガード配線２９が設けられる。本実施形態では、ガード配線２９が金属配線端子２７に接続されてそれらが同電位になっているが、この接続を解除してガード配線２９を無電位状態に置くこともできる。
【００７５】
本実施形態では、基板張出し部７ｃ上の金属配線１４ｅとＦＰＣ４上の金属配線端子２７とが以上のように構成されているので、基板張出し部７ｃとＦＰＣ４とを互いに接続すると、図８に示すように、基板張出し部７ｃ上の陽極側金属配線１４ｅと陰極側金属配線１４ｅとの間に結果的にＦＰＣ４上のガード配線２９が位置することになる。この結果、陽極となったときに腐食しやすいＡＰＣ金属等によって金属配線１４ｅが形成されている場合でも、陽極側金属配線１４ｅと陰極側金属配線１４ｅとの間に位置するガード配線２９の作用により、そのような腐食の問題を解消できる。
【００７６】
（第５実施形態）
図９及び図１０は、本発明に係る表示装置の一例である液晶装置の他の実施形態を示している。図９は、図１に示した液晶装置１の側面断面構造を示す図である図２に対応する断面構造を示す断面図である。図９に示す液晶装置５１の概略の外観構造は図１に示した先の実施形態とほぼ同じであるので、この液晶装置５１に関する斜視表示は省略する。また、図９において図２と同じ部材は同じ符号を用いて示すことにしてその部材についての説明は省略する。
【００７７】
図９に示す本実施形態に係る液晶装置５１は、単純マトリクス方式及び半透過反射型でフルカラー表示を行う方式の液晶装置であることに関して図２に示した先の実施形態と同じである。本液晶装置５１が図２に示した液晶装置１と異なる点は、図２の液晶装置１で用いた内面反射膜１２に代えて、第１電極１４ａのそれ自体を光反射性材料、例えばＡＰＣ合金、Ｃｒ等によって形成することにより、第１電極１４ａそれ自体を内面反射膜として用いたことである。つまり、本実施形態では、第１電極１４ａのそれ自身が酸化物ではない金属配線として形成されている。
【００７８】
具体的には、本液晶装置５１において、第１基板７ａは、基材１１ａの内側表面（図９の上側表面）に矢印Ａ方向から見てストライプ状の第１電極１４ａを形成し、その上に配向膜１６ａを形成し、さらに基材１１ａの外側表面（図９の下側表面）に偏光板１７ａを貼着等によって装着することによって形成される。ＡＰＣ合金等によって形成された第１電極１４ａに関しては、図１０に示すように、第１電極１４ａと第２電極１４ｂとの交差点である各絵素ピクセルに対応する位置の第１電極１４ａのそれ自体に開口２１が形成されている。結果的に、開口２１は図９の矢印Ａ方向から見て、絵素ピクセルと同じドット・マトリクス状に配列されている。
【００７９】
本実施形態に係る液晶装置５１は以上のように構成されているので、太陽光、室内光等といった外部光が十分に明るい場合には、図９において、第２基板７ｂ側から外部光が液晶パネル２の内部へ取り込まれ、その光が液晶Ｌを通過した後に第１電極１４ａで反射して再び液晶Ｌへ供給される。液晶Ｌはこれを挟持する電極１４ａ及び１４ｂによってＲ，Ｇ，Ｂの絵素ピクセルごとに配向制御されており、よって、液晶Ｌへ供給された光は絵素ピクセルごとに変調され、その変調によって偏光板１７ｂを通過する光と、通過できない光とによって液晶パネル２の外部に文字、数字等といった像が表示される。これにより、反射型の表示が行われる。
【００８０】
他方、外部光の光量が十分に得られない場合には、ＬＥＤ３６が発光して導光体３２の光出射面３２ｂから平面光が出射され、その光が第１電極１４ａに形成された開口２１を通して液晶Ｌへ供給される。このとき、反射型の表示と同様にして、供給された光が配向制御される液晶Ｌによって絵素ピクセルごとに変調され、これにより、外部へ像が表示される。これにより、透過型の表示が行われる。
【００８１】
本実施形態では、第１電極１４ａをＡＰＣ合金等といった金属配線として形成したので、図１において、第１電極１４ａと一体であってシール材８の外側へ延びる引出し配線１４ｃもＡＰＣ合金等といった金属配線として形成されている。また、シール材８の中に分散された導通材９を介して第２基板７ｂ上の第２電極１４ｂに導通する引出し配線１４ｄもＡＰＣ合金等といった金属配線として形成されている。
【００８２】
図２に示した実施形態では、図１の基板張出し部７ｃにおいて、液晶駆動用ＩＣ３ａ及び３ｂの出力側配線となる引出し配線１４ｃ及び１４ｄはＩＴＯすなわち酸化物によって形成され、入力側配線となる金属配線１４ｅ及び１４ｆはＡＰＣ合金等といった金属配線によって形成されていた。そして、それらの金属配線１４ｅ及び１４ｆに関して、特に陽極側となる金属配線に腐食が発生することを防止するために、図４、図５、図６、図７及び図８等に示したように、陽極側金属配線と陰極側金属配線との間に導電性酸化物から成るガード配線２９を介在させるという配線構造を採用して、陽極側金属配線の腐食を防止した。
【００８３】
これに対し、図９に示す本実施形態では、図１において、端子側の金属配線１４ｅ及び１４ｆに限られず、引出し配線１４ｃ及び１４ｄも金属配線によって形成されているので、引出し配線１４ｃ及び１４ｄに関しても陽極として作用するものに腐食が発生する可能性がある。この腐食を防止するため、図９に示す本実施形態においては、例えば図１１に示すように、液晶駆動用ＩＣ３ａ及び３ｂの出力側バンプ５９ａに接続される金属配線としての引出し配線１４ｃ及び１４ｄの各配線間に、ＩＴＯ等といった導電性酸化物から成るガード配線２９を形成してある。
【００８４】
なお、ガード配線２９を金属配線の引出し配線１４ｃ及び１４ｄに介在させる形態は、図１１に示した形態に限られず、図４、図５、図６、図７及び図８等に示した各種の配線構造を採用することもできる。また、引出し配線１４ｃはそのまま有効表示領域Ｂ内の第１電極１４ａにつながっていて、第１電極１４ａも金属配線によって形成されているので、ガード配線２９は引出し配線１４ｃに対応する部分だけに設けるのではなくて、第１電極１４ａに対応する部分にまで延ばすこともできる。また、図１１において、液晶駆動用ＩＣ３ａ及び３ｂの入力側バンプ５９ｂに接続される配線に関しては、図４、図５、図６、図７及び図８等に示した配線構造と同じ配線構造を採用できる。
【００８５】
（第６実施形態）
図１２は、本発明に係る半導体チップの一実施形態及びその半導体チップを好適に使用できる配線基板の一実施形態を示している。なお、図１２に示す配線構造は必ずしも図１に示す液晶装置１に限って適用されるものではないが、仮にこの配線構造を図１に示す液晶装置１の液晶駆動用ＩＣ３ａの部分に適用した場合を考えると、図１２に示す構造は図１において矢印Ｅのように第１基板７ａの裏面方向から液晶駆動用ＩＣ３ａを見た場合に相当する。
【００８６】
これ以降、半導体チップ６１を図１の液晶駆動用ＩＣ３ａとして用いる場合を例に挙げて図１２に基づいて説明する。半導体チップ６１は複数のバンプ、具体的には複数の出力側バンプ６９ａ及び複数の入力側バンプ６９ｂを有する。これらのバンプの数は図示の例に限られず、より多く又はより少なくすることができる。
【００８７】
半導体チップ６１はＡＣＦ２２によって第１基板７ａの基材１１ａに接着される。基材１１ａの表面には複数の引出し配線１４ｃが互いに間隔を開けてストライプ状に形成される。これらの引出し配線１４ｃは図１において第１電極１４ａへと延びる。また、半導体チップ６１に関して引出し配線１４ｃの反対側において基材１１ａの表面に複数の端子配線１４ｅが互いに間隔を開けてストライプ状に形成される。
【００８８】
引出し配線１４ｃ及び端子配線１４ｅは、いずれもＡＰＣ合金、Ｃｒ，Ａｕ，Ａｌ，Ｎｄ，Ｔｉ等といった金属によって形成される。そして、これらの引出し配線１４ｃ及び端子配線１４ｅの隣り合うものの間には、それぞれ、ＩＴＯ等といった導電性酸化物によって形成されたガード配線２９が形成される。そして、半導体チップ６１の内部に形成される回路は、引出し配線１４ｃに接続されるバンプ及び端子配線１４ｅに接続されるバンプのそれぞれを低電圧端子とし、それらの低電圧バンプに隣り合うバンプ、すなわちガード配線２９に接続されるバンプを高電圧端子とするように回路構成されている。図では、各高電圧バンプが配線６３によって半導体チップ６１の内部において同電位の高電圧に設定されている状態を示してある。
【００８９】
本実施形態では、引出し配線１４ｃの間に配置されたガード配線２９は通電に寄与することのないダミー配線として形成されているが、これを何等かの信号を伝送するための信号線や、各種電子部品を駆動するための駆動電圧を通電するための通電線等として使用しても良いことはもちろんである。
【００９０】
以上のように、本実施形態では、半導体チップ６１のバンプ６９ａのバンプ列及びバンプ６９ｂのバンプ列が低電圧端子と高電圧端子とを交互に配列することによって形成され、さらに、低電圧端子に引出し配線１４ｃ及び端子配線１４ｅを接続し、そして高電圧端子にガード配線２９を接続している。このような配線構造によれば、金属配線１４ｃ及び１４ｅのうち互いに隣り合うものの間に導電性酸化物から成るガード配線２９を介在させるので、これらの金属配線のうち陽極として作用するものに腐食が発生することを防止できる。
【００９１】
また特に、本実施形態では、半導体チップ６１のバンプ列を高電圧端子と低電圧端子とが交互に並ぶように設定したので、高電圧バンプにガード配線２９を接続すると取り決めておけば、金属配線１４ｃ及び金属端子配線１４ｅに腐食が発生することを、より一層確実に防止できる。
【００９２】
（第７実施形態）
図１３及び図１４は、本発明に係る表示装置をＥＬ装置として実現した場合の一実施形態を示している。ここに示すＥＬ装置７１は、アクティブ素子を用いない単純マトリクス方式であって、単色のＥＬ発光層を用いる単色モノクロ表示方式のＥＬ装置である。
【００９３】
このＥＬ装置７１は、透明なガラス、透明なプラスチック等によって形成された基板７７を有し、その基板７７の表面には、図１４に示すように、矢印Ａ方向から見てストライプ状の第１電極７４ａが形成され、その上に単色のＥＬ発光層Ｈが一様な厚さで平面的に形成され、さらにその上に矢印Ａ方向から見てストライプ状の第２電極７４ｂが積層して形成される。第１電極７４ａと第２電極７４ｂとは互いに直交する関係となるように形成され、それらの交差点のところに画素が形成される。これらの画素は矢印Ａ方向から見てドッド・マトリクス状に配列するものであり、このドット・マトリクス状に配列された複数の画素により有効表示領域Ｂが形成される。
【００９４】
第１電極７４ａは、例えば、ＩＴＯ等といった透明導電材によって形成される。また、第２電極７４ｂは、例えば、ＡＰＣ合金，Ｃｒ，Ａｕ，Ａｌ，Ｎｄ，Ｔｉ等といった光反射性材料によって形成される。また、第２電極７４ｂが形成された基板７７の表面に矢印Ａから見て環状にシール材７８が形成され、そのシール材７８によってカバー７９が装着される。
【００９５】
図１３において、基板７７の表面に形成された第１電極７４ａはシール材７８の外側へ張り出す引出し配線７４ｃを有する。この引出し配線７４ｃは液晶駆動用ＩＣ７３ａの出力端子、すなわち出力バンプに、例えばＡＣＦ等によって接続される。また、第２電極７４ｂはシール材７８の外側へ張り出す引出し配線７４ｄを有する。この引出し配線７４ｄは液晶駆動用ＩＣ７３ｂの出力端子、すなわち出力バンプに、例えばＡＣＦ等によって接続される。引出し配線７４ｃは第１電極７４ａと同じＩＴＯ、すなわち導電性酸化物によって形成され、引出し線７４ｄは第２電極７４ｂと同じＡＰＣ合金等といった反射性金属によって形成されている。
【００９６】
また、基板７７の辺端部には端子配線７４ｅ及び７４ｆが形成され、これらの辺端部にＦＰＣ７５ａ及び７５ｂ等といった配線接続要素が、例えばＡＣＦ等といった導電接合要素によって接続されている。端子配線７４ｅ及び７４ｆは、それぞれ、ＦＰＣ７５ａ及び７５ｂに形成された端子配線に導通し、これにより、図示しない外部回路によって液晶駆動用ＩＣ７３ａ及び７３ｂが駆動される。端子配線７４ｅ及び７４ｆは、例えば、ＡＰＣ合金等によって金属配線として形成されている。
【００９７】
本実施形態のＥＬ装置７１は以上のように構成されているので、第１電極７４ａと第２電極７４ｂとの間に流す電流を画素毎に制御して各画素を選択的に発光させることにより、有効表示領域Ｂ内に文字、数字等といった像を表示する。このとき、第２電極７４ｂは反射膜としても機能する。
【００９８】
本実施形態においては、図１３において、ＡＰＣ合金等によって金属配線として形成された引出し配線７４ｄ、端子配線７４ｅ及び端子配線７４ｆが、特に陽極として作用するものに関して腐食を生じるおそれがある。これを防止するため、これらの配線に関しては、図４、図５、図６、図７、図８及び図１２で金属配線１４ｅとガード配線２９との関係として説明したように、引出し配線７４ｄ等といった複数の金属配線のうち互いに隣り合うものの間に導電性酸化物から成るガード配線を介在させてある。具体的な配線構造は、図４、図５、図６、図７、図８及び図１２に示した各種の構造から選択して採用できる。
【００９９】
なお、ＥＬ装置としては、上記実施形態のような単純マトリクス方式以外にアクティブマトリクス方式、すなわち、各画素をＴＦＴ（Thin Film Transistor）やＴＦＤ（Thin Film Diode）等といったアクティブ素子を用いて駆動する方式が考えられる。この場合には、図１３及び図１４において、基板７７の内側表面にドット・マトリクス状に配列されるアクティブ素子を作り込み、第１電極７４ａをドット・マトリクス状に配列される画素電極として形成し、それらの画素電極を各アクティブ素子に接続させる。
【０１００】
また、ＥＬ装置には、上記説明のような単色モノクロ表示以外にフルカラー表示を行うものがある。このフルカラー表示を行う構造としては各種の構造があるが、その１つとして、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色を発光するＥＬ発光絵素を平面的に並べてＥＬ発光層を形成する構造が考えられる。
【０１０１】
本発明のように、複数の金属配線間に導電性酸化物から成るガード配線を介在させるという構成は、上記のようなアクティブマトリクス方式のＥＬ装置や、フルカラー表示方式のＥＬ装置等といった各種のＥＬ装置に対して適用できることは、もちろんである。
【０１０２】
（第８実施形態）
図１５は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、表示情報出力源８０、表示情報処理回路８１、電源回路８２、タイミングジェネレータ８３、そして表示装置としての液晶装置８４を有する。また、液晶装置８４は液晶パネル８５及び駆動回路８６を有する。液晶装置８４は、例えば図１に示した液晶装置１を用いて構成できる。
【０１０３】
表示情報出力源８０は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等といったメモリ、各種ディスク等といったストレージユニット、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ８３によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路８１に供給する。
【０１０４】
表示情報処理回路８１は、シリアル−パラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路８６へ供給する。駆動回路８６は走査線駆動回路、データ線駆動回路、検査回路等を含んで構成される。また、電源回路８２は各構成要素に所定の電圧を供給する。
【０１０５】
図１６は、本発明に係る電子機器の一実施形態である携帯電話機を示している。この携帯電話機は電気制御系としては図１５に示す実施形態を用いて構成できる。ここに示す携帯電話機９０は、複数の操作ボタン９１と、液晶装置９２とを有する。液晶装置９２は、例えば図１に示した液晶装置１を用いて構成できる。
【０１０６】
図１５に示した電子機器でも、図１６に示した電子機器でも、液晶装置として図１に示した液晶装置、すなわち配線基板の構造として図４、図５、図６、図７図８及び図１２等に示したような、金属配線間に導電性酸化物から成るガード配線を介在させる配線構造を採用したので、電極腐食による表示品質の低下を防止できる構造となっている。
【０１０７】
また、図１５及び図１６に示す電子機器に関しては、それに内蔵される液晶装置に限られず、液晶装置以外の構成要素の中に配線基板が含まれる場合には、その配線基板に関しても図４、図５、図６、図７図８及び図１２等に示したような配線基板構造を採用できる。
【０１０８】
（その他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
【０１０９】
例えば、図１に示した液晶装置は単なる一例であって、本発明に係る配線構造を適用できる液晶装置は図１に示す構造以外にも種々考えられる。例えば、図１の液晶装置は単純マトリクス方式の駆動方法を採用したものであるが、これをアクティブマトリクス方式の駆動方法に代えることもできる。
【０１１０】
また、図１の液晶装置では、１つの基板である第１基板７ａにだけ引出し配線１４ｃ及び１４ｄ並びに端子配線１４ｅ及び１４ｆを形成したが、第２基板７ｂにも第１基板７ａの外側へ張り出す基板張出し部を形成し、第１基板７ａ側の基板張出し部と第２基板７ｂ側の基板張出し部の両方に引出し配線や端子配線等を形成することもできる。
【０１１１】
また、図１や図９の液晶装置では、液晶パネル２の内面に反射膜を配置した構図の、いわゆる内面反射型の液晶装置を例に挙げたが、反射膜を液晶パネルの外側に配置する構造の、いわゆる外面反射型の液晶装置に対しても本発明を適用できる。
【０１１２】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明に係る配線基板、表示装置及び電子機器によれば、隣り合う金属配線の間に導電性酸化物から成るガード配線を介在させるので、隣り合う金属配線間に電位差が生じる場合、すなわち陽極と陰極の関係が生じる場合であっても、陽極側の金属配線の腐食を防止でき、これにより、配線基板の電気的特性を長期間にわたって良好に維持できる。また、本発明に係る半導体チップによれば、上記のような配線構造を容易に構築できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る配線基板を用いて形成された表示装置の一例である液晶装置の一実施形態を分解状態で示す斜視図である。
【図２】図１に示す液晶装置のＩＩ−ＩＩ線に従った側面断面構造を示す断面図である。
【図３】図２に示す液晶装置で用いられる反射膜の一部分を示す平面図である。
【図４】図１に示す液晶装置で用いられる配線基板であって、本発明に係る配線基板の一実施形態を示す平面図である。
【図５】本発明に係る配線基板の他の実施形態を示す平面図である。
【図６】本発明に係る配線基板のさらに他の実施形態を示す平面図である。
【図７】本発明に係る配線基板のさらに他の実施形態を分解状態で示す平面図であって、一対の配線基板要素を個々に示す図である。
【図８】図７に示す一対の配線基板要素を組み合わせた状態を示す平面図である。
【図９】本発明に係る配線基板を用いて形成された表示装置の一例である液晶装置の他の実施形態を示す断面図である。
【図１０】図９に示す液晶装置において反射膜としても機能する電極の一部分を示す平面図である。
【図１１】本発明に係る配線基板のさらに他の実施形態を示す平面図である。
【図１２】本発明に係る半導体チップの一実施形態及び本発明に係る配線基板の一実施形態を示す平面図である。
【図１３】本発明に係る配線基板を用いて形成された表示装置の一例であるＥＬ装置の一実施形態を分解状態で示す斜視図である。
【図１４】図１３に示すＥＬ装置のＸＩＶ−ＸＩＶ線に従った側面断面構造を示す断面図である。
【図１５】本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図である。
【図１６】本発明に係る電子機器の他の一実施形態を示す斜視図である。
【図１７】本発明に係る配線基板の一実施形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
１ 液晶装置（表示装置）
２ 液晶パネル
３ａ，３ｂ 液晶駆動用ＩＣ（半導体チップ）
４ ＦＰＣ（配線基板要素）
６ 照明装置
７ａ，７ｂ 基板
７ｃ 基板張出し部
８ シール材
１４ａ，１４ｂ 電極
１４ｃ，１４ｄ 引出し配線
１４ｅ，１４ｆ 端子配線
２３ 樹脂フィルム
２７ 金属配線端子
２９ ガード配線
３２ 導光体
３２ａ 光取込み面
３２ｂ 光出射面
４１ 被覆層
５１ 液晶装置
５９ａ，５９ｂ バンプ（端子）
６１ 半導体チップ
６３ 配線
６９ａ，６９ｂ バンプ（端子）
７１ ＥＬ装置（表示装置）
７４ａ，７４ｂ 電極
７４ａ，７４ｄ 引出し配線
７４ｅ，７４ｆ 端子配線
７５ａ，７５ｂ ＦＰＣ
７７ 基板
Ｂ 有効表示領域
Ｈ ＥＬ発光層
Ｌ 液晶
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に金属配線を形成して成る配線基板、その配線基板を用いて構成される表示装置、上記配線基板に好適に用いられる半導体チップ及び上記表示装置又は上記配線基板を用いた電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯型コンピュータ、携帯電話機、ビデオカメラ等といった電子機器の表示部に液晶装置等といった表示装置が広く用いられている。また、表示装置の１つとしてのＥＬ（Electro Luminescence）装置も表示部として用いられるようになって来た。液晶装置では、電気光学物質としての液晶を一対の電極で挟持し、それらの電極に印加する電圧を制御することにより液晶の配向を制御し、この液晶の配向制御により該液晶を通過する光を変調し、これにより、文字、数字等といった像を外部に表示する。
【０００３】
また、ＥＬ装置では、電気光学物質としてのＥＬ発光層を一対の電極で挟持し、それらの電極に印加する電圧を制御することにより上記ＥＬ発光層に供給する電流を制御してＥＬ発光層からの発光を制御することにより、文字、数字等といった像を外部に表示する。
【０００４】
液晶装置や、ＥＬ装置等においては、液晶やＥＬ発光層等を挟持する電極が１つ又は複数の基板上に形成される。例えば、液晶装置では、互いに対向して配置される一対の基板のそれぞれに電極が形成される。他方、ＥＬ装置では、１つの基板の表面に一対の電極がＥＬ発光層を挟んで積層される。これらの表示装置においては、基板上の有効表示領域の内部に複数の電極が形成され、その有効表示領域の外部には、前記複数の電極から延びる引出し配線や、それらの引出し配線とは別の金属配線が形成される。有効表示領域内に形成される電極は、ＩＴＯ等といった酸化物であることもあるし、ＡＰＣ合金、Ｃｒ等といった金属であることもある。電極が金属によって形成される場合には、それから延びる引出し配線も金属配線になる。
【０００５】
有効表示領域の外部へ延び出る前記引出し配線とは別の金属配線としては、例えば、基板上に半導体チップを直接に実装する構造の配線基板、いわゆるＣＯＧ（Chip On Glass）方式の配線基板において、その半導体チップの入力側端子、例えば入力側バンプに接続される金属配線であって、外部回路から延びるＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）等に接続される金属配線が考えられる。
【０００６】
上記の液晶装置や、ＥＬ装置等において、従来、基板上に形成する電極の材料としてＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等といった導電性酸化物が用いられることや、基板上に形成される金属配線の材料としてＡＰＣ、Ｃｒ等といった金属が用いられることは知られている。ＡＰＣというのは、Ａｇ（銀），Ｐｄ（パラジウム），Ｃｕ（銅）から成る合金である。
【０００７】
ＩＴＯは電極等の材料として従来から広く用いられているが、このＩＴＯは電気抵抗値が高いのでこれを基板上で長く引き回すと電気抵抗値が高くなって駆動回路を正常に駆動できなくなるという問題があった。この問題点を解消するために有効であると考えられるのがＡＰＣ、Ｃｒ等といった電気抵抗値の低い金属である。例えば、ＩＴＯの単位面積当りの抵抗値が１５Ω程度であるのに対し、Ｃｒの単位面積当りの抵抗値は１．５Ω程度であり、ＡＰＣの単位面積当りの抵抗値は０．１Ω程度である。このような電気抵抗値の低い金属材料を用いて基板上に配線パターンを形成すれば、配線パターンの引き回し長さを長くしても電気抵抗値を低く抑えることができるので、非常に有利である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
以上のように、基板上に形成する配線パターンをＡＰＣ、Ｃｒ等といった金属によって形成すれば、電気抵抗値を下げることに関して非常に有利であるが、その一方で金属配線が腐食によって損傷して配線品質を維持できなくなるという別の問題が発生することがわかった。本発明者は、この金属腐食の問題を解消するために種々の実験を行い、以下のことを知見した。すなわち、基板上の複数の金属配線が互いに隣り合って配設される場合であって、それらの金属配線のうちの隣り合うものの間に電位差が生じるとき、すなわち、金属配線間に陽極と陰極の関係が生じるときに、陽極側の金属成分、例えばＡｇが溶出するからであると考えられる。
【０００９】
本発明は、従来の配線基板に関する上記の問題点に鑑みて成されたものであって、電気抵抗値の低い金属材料を用いて配線パターンを形成した場合でも、その金属配線に腐食が生じることを防止することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
（１）上記の目的を達成するため、本発明に係る第１の配線基板は、基板上に複数の金属配線を形成して成る配線基板において、前記複数の金属配線のうち互いに隣り合う少なくとも一対の間に、導電性酸化物から成るガード配線が形成され、前記金属配線の上の一部又は全部に前記ガード配線と同一の導電酸化物が積層されることを特徴とする。
【００１１】
この構成の配線基板によれば、隣り合う金属配線の間に導電性酸化物から成るガード配線を介在させるので、隣り合う金属配線間に電位差が生じる場合、すなわち陽極と陰極の関係が生じる場合であっても、陽極側の金属配線の腐食を防止でき、これにより、配線基板の電気的特性を長期間にわたって良好に維持できる。
【００１２】
（２）次に、本発明に係る第２の配線基板は、互いに接続される一対の配線基板要素を有する配線基板において、前記一対の配線基板要素の一方に形成された複数の金属配線と、前記一対の配線基板要素の他方に形成されていて導電酸化物から成る少なくとも１つのガード配線とを有し、前記一対の配線基板要素が互いに接続されることにより、前記ガード配線が前記複数の金属配線の間に位置し、前記金属配線の上の一部又は全部に前記ガード配線と同一の導電酸化物が積層されることを特徴とする。
【００１３】
上記配線基板要素としては、例えば、配線パターンが形成されたガラス基板、配線パターンが形成されたＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）、配線パターンが形成されると共に半導体チップが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板等が考えられる。そして、上記第２の配線基板は、それらの配線基板要素の少なくとも２つを互いに接続することによって形成される配線基板である。接続方法としては、例えば、樹脂フィルム中に多数の導電粒子を分散させて形成されたＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）を用いる方法や、半田付け等といった各種の接続手法を採用できる。
【００１４】
上記第２の配線基板によれば、少なくとも２つの配線基板要素を互いに接続させた状態で、互いに隣り合う金属配線の間に導電性酸化物から成るガード配線が介在する状態となるので、隣り合う金属配線間に電位差が生じる場合、すなわち陽極と陰極の関係が生じる場合であっても、陽極側の金属配線の腐食を防止でき、これにより、配線基板の電気的特性を長期間にわたって良好に維持できる。
【００１５】
上記第１の配線基板及び上記第２の配線基板において、前記ガード配線は、それ自身が適宜の電位を有しても良いし、あるいは電位を有さない無電位状態であっても良い。このガード配線に電位を持たせる場合には、互いに隣り合う前記一対の金属配線のうちの陽極側にガード配線を接続することにより、ガード配線の電位を陽極側金属配線と同電位にすることが望ましい。この構成によれば、陽極側金属配線は隣り合うガード配線に対しては同電位に設定され、さらに、陰極側金属配線に対して陽極となるのは導電性酸化物から成るガード配線であるので、陽極側金属配線に腐食が発生することを確実に防止できる。
【００１６】
次に、上記第１の配線基板及び上記第２の配線基板においては、前記金属配線の上の一部又は全部に前記ガード配線と同一の導電酸化物を積層することが望ましい。これにより、金属配線の腐食をより一層確実に防止できる。
【００１７】
次に、上記第１の配線基板及び上記第２の配線基板において、前記金属配線は、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｎｄ，Ｔｉのいずれか１つ又はそれらを含む合金とすることができる。具体的には、Ａｇ９８％、Ｐｄ１％、Ｃｕ１％を含む合金であるＡＰＣ合金や、主にＣｒ単体によって形成される金属や、その他の金属を用いることができる。これらの金属配線は、液晶装置、ＥＬ装置等といった表示装置において、液晶、ＥＬ発光層等といった電気光学物質を電気的に制御するための電極として用いたり、光を反射する反射膜として用いたりすることができる。
【００１８】
次に、上記第１の配線基板及び上記第２の配線基板において、前記ガード配線を形成する前記導電性酸化物は、ＩＴＯ又は酸化スズを含む材料によって形成できる。
【００１９】
（３）次に、本発明に係る第３の配線基板は、基板上に形成された複数の金属配線と、前記基板上に実装された半導体チップとを有する配線基板において、前記複数の金属配線の少なくとも一対の間に導電性酸化物から成るガード配線を有し、該ガード配線は前記半導体チップの高電圧端子に接続され、該ガード配線に隣り合う前記金属配線は前記半導体チップの低電圧端子に接続され、前記ガード配線はダミー配線として形成されていることを特徴とする。
本発明に係る表示装置は、請求項１から請求項６の少なくとも１つの配線基板を用いて構成されること特徴とする
【００２０】
この第３の配線基板は、例えば図１７に示すように、基板１０１の表面に半導体チップ１０２を実装する構成の配線基板である。半導体チップ１０２は、通常、外部回路との間で電気的な接続をとるために、その能動面１０２ａ上に多数の端子１０３、例えば金属バンプを有する。本発明の配線基板では、基板１０１上に形成される複数の金属配線１０４の少なくとも一対の間にガード配線１０５が設けられ、さらに、金属配線１０４に接続される半導体チップ１０２の端子１０３は高電圧端子に設定され、ガード配線１０５に接続される端子１０３は低電圧端子に設定される。この構成によれば、金属配線１０４が陽極側と陰極側とで互いに隣り合うことを防止でき、それ故、金属配線１０４が腐食によって損傷することを防止できる。
【００２１】
（４）次に、本発明に係る表示装置は、有効表示領域の外側の基板上に配置された複数の金属配線を有する表示装置において、前記複数の金属配線のうち互いに隣り合う少なくとも一対の間に、導電性酸化物から成るガード配線が設けられ、前記金属配線の上の一部又は全部に前記ガード配線と同一の導電酸化物が積層されることを特徴とする。
また本発明に係る表示装置は、有効表示領域内の基板上に配置された複数の電極を有する表示装置において、前記複数の電極のうち互いに隣り合う少なくとも一対の間に、導電性酸化物から成るガード配線が設けられ、前記電極の上の一部又は全部に前記ガード配線と同一の導電酸化物が積層されることを特徴とする。
【００２２】
この表示装置は、具体的には液晶装置、ＥＬ装置等として構成できるものであり、液晶装置として構成する場合には、前記有効表示領域内の一対の基板上に、互いに対向する複数の第１電極及び第２電極と、それらの第１電極と第２電極とによって挟持される電気光学物質と、前記有効表示領域の外側に配置された複数の金属配線とを有し、前記電気光学物質は液晶であり、前記複数の第１電極及び第２電極は前記液晶を挟んで互いに対向する一対の基板の表面にそれぞれ形成され、前記一対の基板の少なくとも一方は他方の基板から張り出す基板張出し部を有し、前記金属配線は前記基板張出し部に形成される。
【００２３】
また、上記表示装置をＥＬ装置として構成する場合には、前記有効表示領域内に互いに対向する複数の第１電極及び第２電極と、それらの第１電極と第２電極とによって挟持される電気光学物質と、前記有効表示領域の外側に配置された複数の金属配線とを有し、前記電気光学物質は通電によって発光するＥＬ発光層を含んで形成され、前記複数の第１電極及び第２電極は前記ＥＬ発光層を挟んで共通の基板上に順次に積層され、前記金属配線は前記有効表示領域の外側の前記基板上に形成される。
【００２４】
以上の表示装置によれば、有効表示領域の外側において金属配線間にガード配線が介在し、及び／又は、有効表示領域の内側において金属電極間にガード配線が介在するので、隣り合う金属配線間に電位差が生じてそれら間に陽極と陰極の関係が生じる場合や、隣り合う金属電極間に電位差が生じてそれら間に陽極と陰極の関係が生じる場合であっても、陽極側の金属配線及び陽極側の金属電極に腐食が発生することを防止でき、これにより、表示装置を構成する基板の電気的特性を長期間にわたって良好に維持でき、それ故、長期間にわたって良好な表示品質を維持できる。
【００２５】
上記構成の表示装置において、前記ガード配線は、互いに隣り合う前記一対の金属配線のうちの陽極側及び／又は互いに隣り合う前記一対の金属電極のうちの陽極側に接続されることが望ましい。こうすれば、陽極側金属配線又は陽極側金属電極は隣り合うガード配線に対しては同電位に設定され、さらに、陰極側金属配線又は陰極側金属電極に対して陽極となるのは導電性酸化物から成るガード配線であるので、陽極側金属配線又は陽極側金属電極に腐食が発生することを確実に防止できる。
【００２７】
次に、上記構成の表示装置において、前記金属配線及び／又は前記金属電極は、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｎｄ，Ｔｉのいずれか１つ又はそれらを含む合金とすることができる。具体的には、Ａｇ９８％、Ｐｄ１％、Ｃｕ１％を含む合金であるＡＰＣ合金や、主にＣｒ単体によって形成される金属や、その他の金属を用いることができる。これらの金属配線は、液晶装置、ＥＬ装置等といった表示装置において、液晶、ＥＬ発光層等といった電気光学物質を電気的に制御するための電極として用いたり、光を反射する反射膜として用いたりすることができる。
【００２８】
次に、上記構成の表示装置において、前記ガード配線を形成する前記導電性酸化物は、ＩＴＯ又は酸化スズを含む材料によって形成できる。
【００２９】
（５）次に、本発明に係る半導体チップは、回路を内蔵し外部へ向けて複数の端子が露出する半導体チップにおいて、前記複数の端子は交互に配列された低電圧端子と高電圧端子とを含み、前記低電圧端子には金属配線が接続され、前記高電圧端子には導電性酸化物から成るガード配線が接続され、該ガード配線はダミー配線として形成されていることを特徴とする。
また本発明に係る配線基板は、請求項１６の半導体チップが基板上に実装されることを特徴とする。
また本発明に係る表示装置は、請求項１７の配線基板を用いて構成されること特徴とする
【００３０】
一般に半導体チップには、その能動面に金属バンプ等といった端子が複数個配列される。そして、ガラス基板、プラスチック基板等の表面に形成された金属配線がこれらの端子に接続される。この場合、本発明のように、半導体チップの端子列において低電圧端子と高電圧端子とが交互に並べられていれば、高電圧端子に導電性酸化膜から成るガード配線を接続し、低電圧端子にＡＰＣ合金等といった金属配線を接続することにより、基板上において金属配線と酸化膜ガード配線とを交互に並べることができ、しかも、金属配線を高電圧に設定し酸化膜ガード配線を低電圧に設定することができる。
【００３１】
以上により、基板上において隣り合う金属配線の間に導電性酸化物から成るガード配線を介在させることができるので、隣り合う金属配線間に電位差が生じてそれらの間に陽極と陰極の関係が生じる場合であっても、陽極側の金属配線の腐食を防止でき、これにより、表示装置の表示品質を長期間にわたって良好に維持できる。
【００３２】
上記構成の半導体チップにおいて、前記低電圧端子に金属配線を接続し、前記高電圧端子に導電性酸化物から成るガード配線を接続する場合、該ガード配線はダミー配線、すなわち通電の機能は行わない配線によって構成することができる。
【００３３】
（６）次に、本発明に係る電子機器は、像を表示する表示装置と、該表示装置の内部又は外部に設けられる配線基板とを有する電子機器において、前記配線基板は、基板上に複数の金属配線を形成して成り、前記複数の金属配線のうち互いに隣り合う少なくとも一対の間に、導電性酸化物から成るガード配線を形成したことを特徴とする。このような電子機器としては、例えば、携帯電話機、携帯型コンピュータ、ビデオカメラ等が考えられる。
【００３４】
この電子機器によれば、内蔵する配線基板において、隣り合う金属配線の間に導電性酸化物から成るガード配線を介在させるので、隣り合う金属配線間に電位差が生じる場合、すなわち陽極と陰極の関係が生じる場合であっても、陽極側の金属配線の腐食を防止でき、これにより、配線基板の電気的特性を長期間にわたって良好に維持でき、その結果、電子機器における表示機能を長期間にわたって良好に維持できる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
図１は、本発明に係る配線基板を表示装置の一例である液晶装置に適用した場合の一実施形態を示している。なお、液晶装置を駆動方法によって区分すると、単純マトリクス方式とアクティブマトリクス方式の各駆動方式があるが、図１に示す液晶装置は単純マトリクス方式の液晶装置である。また、液晶装置を光の供給方法によって区分すると、反射型、透過型及び半透過反射型等といった各方式が考えられるが、図１に示す液晶装置は半透過反射型の液晶装置である。
【００３６】
なお、反射型とは、太陽光、室内光等といった外部光を液晶層の裏側において反射させ、その反射光を光源として用いる構造の液晶装置である。また、透過型とは、冷陰極管やＬＥＤ（Light Emitting Diode）等といった光源からの発光を光源として用い、その光を液晶層に透過させる構造の液晶装置である。さらに、半透過反射型とは、外部光が十分に採光できる場合には上記反射型による表示を行い、外部光が不十分である場合には上記透過型による表示を行う構造の液晶装置である。
【００３７】
また、液晶装置を色表示形態の観点から区分すると、単色モノクロ表示、フルカラー表示等といった各種表示形態が考えられるが、図１に示す液晶装置は、フルカラー表示を行う液晶装置である。つまり、図１に示す液晶装置は、単純マトリクス駆動方式による半透過反射型のフルカラー表示可能な液晶装置である。
【００３８】
図１において、液晶装置１は、液晶パネル２に半導体チップとしての液晶駆動用ＩＣ３ａ及び３ｂを実装し、配線接続要素としてのＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）４を液晶パネル２に接続し、さらに液晶パネル２の裏面側に照明装置６を設けることによって形成される。
【００３９】
液晶パネル２は、第１基板７ａと第２基板７ｂとをシール材８によって貼り合わせることによって形成される。シール材８は、例えば、スクリーン印刷等によってエポキシ系樹脂を第１基板７ａ又は第２基板７ｂの内側表面に環状に付着させることによって形成される。また、シール材８の内部には図２に示すように、導電性材料によって球状又は円筒状に形成された導通材９が分散状態で含まれる。
【００４０】
図２において、第１基板７ａは透明なガラスや、透明なプラスチック等によって形成された板状の基材１１ａを有する。この基材１１ａの内側表面（図２の上側表面）には反射膜１２が形成され、その上に絶縁膜１３が積層され、その上に第１電極１４ａが矢印Ａ方向から見てストライプ状（図１参照）に形成され、さらにその上に配向膜１６ａが形成される。また、基材１１ａの外側表面（図２の下側表面）には偏光板１７ａが貼着等によって装着される。
【００４１】
図１では第１電極１４ａの配列を分かりやすく示すために、それらのストライプ間隔を実際よりも大幅に広く描いており、よって、第１電極１４ａの本数が少なく描かれているが、実際には、第１電極１４ａはより多数本が基材１１ａ上に形成される。
【００４２】
図２において、第２基板７ｂは透明なガラスや、透明なプラスチック等によって形成された板状の基材１１ｂを有する。この基材１１ｂの内側表面（図２の下側表面）にはカラーフィルタ１８が形成され、その上に第２電極１４ｂが上記第１電極１４ａと直交する方向へ矢印Ａ方向から見てストライプ状（図１参照）に形成され、さらにその上に配向膜１６ｂが形成される。また、基材１１ｂの外側表面（図２の上側表面）には偏光板１７ｂが貼着等によって装着される。
【００４３】
図１では、第２電極１４ｂの配列を分かりやすく示すために、第１電極１４ａの場合と同様に、それらのストライプ間隔を実際よりも大幅に広く描いており、よって、第２電極１４ｂの本数が少なく描かれているが、実際には、第２電極１４ｂはより多数本が基材１１ｂ上に形成される。
【００４４】
図２において、第１基板７ａ、第２基板７ｂ及びシール材８によって囲まれる間隙、いわゆるセルギャップ内には液晶、例えばＳＴＮ（Super Twisted Nematic）液晶Ｌが封入されている。第１基板７ａ又は第２基板７ｂの内側表面には微小で球形のスペーサ１９が多数分散され、これらのスペーサ１９がセルギャップ内に存在することによりそのセルギャップの厚さが均一に維持される。
【００４５】
第１電極１４ａと第２電極１４ｂは互いに直交関係に配置され、それらの交差点は図２の矢印Ａ方向から見てドット・マトリクス状に配列する。そして、そのドット・マトリクス状の各交差点が１つの絵素ピクセルを構成する。カラーフィルタ１８は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色要素を矢印Ａ方向から見て所定のパターン、例えば、ストライプ配列、デルタ配列、モザイク配列等のパターンで配列させることによって形成されている。上記の１つの絵素ピクセルはそれらＲ，Ｇ，Ｂの各１つずつに対応しており、そしてＲ，Ｇ，Ｂの３色絵素ピクセルが１つのユニットになって１画素が構成される。
【００４６】
ドット・マトリクス状に配列される複数の絵素ピクセル、従って画素、を選択的に発光させることにより、液晶パネル２の第２基板７ｂの外側に文字、数字等といった像が表示される。このようにして像が表示される領域が有効画素領域であり、図１及び図２において矢印Ｂによって示される平面的な矩形領域が有効表示領域となっている。
【００４７】
図２において、反射膜１２はＡＰＣ合金、Ａｌ（アルミニウム）等といった光反射性材料によって形成され、図３に平面的に示すように、第１電極１４ａと第２電極１４ｂとの交差点である各絵素ピクセルに対応する位置に開口２１が形成されている。結果的に、開口２１は図２の矢印Ａ方向から見て、絵素ピクセルと同じドット・マトリクス状に配列されている。
【００４８】
第１電極１４ａ及び第２電極１４ｂは、例えば、透明導電材であるＩＴＯによって形成される。また、配向膜１６ａ及び１６ｂは、ポリイミド系樹脂を一様な厚さの膜状に付着させることによって形成される。これらの配向膜１６ａ及び１６ｂがラビング処理を受けることにより、第１基板７ａ及び第２基板７ｂの表面上における液晶分子の初期配向が決定される。
【００４９】
図１において、第１基板７ａは第２基板７ｂよりも広い面積に形成されており、これらの基板をシール材８によって貼り合わせたとき、第１基板７ａは第２基板７ｂの外側へ張り出す基板張出し部７ｃを有する。そして、この基板張出し部７ｃには、第１電極１４ａから延び出る引出し配線１４ｃ、シール材８の内部に存在する導通材９（図２参照）を介して第２基板７ｂ上の第２電極１４ｂと導通する引出し配線１４ｄ、液晶駆動用ＩＣ３ａの入力用バンプ、すなわち入力用端子に接続される金属配線１４ｅ、そして液晶駆動用ＩＣ３ｂの入力用バンプに接続される金属配線１４ｆ等といった各種の配線が適切なパターンで形成される。
【００５０】
本実施形態では、第１電極１４ａから延びる引出し配線１４ｃ及び第２電極１４ｂに導通する引出し配線１４ｄはそれらの電極と同じ材料であるＩＴＯ、すなわち導電性酸化物によって形成される。また、液晶駆動用ＩＣ３ａ及び３ｂの入力側の配線である金属配線１４ｅ及び１４ｆは電気抵抗値の低い金属材料、例えばＡＰＣ合金によって形成される。ＡＰＣ合金は、主としてＡｇを含み、付随してＰｄ及びＣｕを含む合金、例えば、Ａｇ９８％、Ｐｄ１％、Ｃｕ１％から成る合金である。ＡＰＣ合金以外に、Ａｕ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｎｄ，Ｔｉ等によって金属配線１４ｅ及び１４ｆを形成することもできる。
【００５１】
液晶駆動用ＩＣ３ａ及び液晶駆動用ＩＣ３ｂは、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）２２によって基板張出し部７ｃの表面に接着されて実装される。すなわち、本実施形態では基板上に半導体チップが直接に実装される構造の、いわゆるＣＯＧ（Chip On Glass）方式の液晶パネルとして形成されている。このＣＯＧ方式の実装構造においては、ＡＣＦ２２の内部に含まれる導電粒子によって、液晶駆動用ＩＣ３ａ及び３ｂの入力側バンプと金属配線１４ｅ及び１４ｆとが導電接続され、液晶駆動用ＩＣ３ａ及び３ｂの出力側バンプと引出し配線１４ｃ及び１４ｄとが導電接続される。
【００５２】
図１において、ＦＰＣ４は、可撓性の樹脂フィルム２３と、チップ部品２４を含んで構成された回路２６と、金属配線端子２７とを有する。回路２６は樹脂フィルム２３の表面に半田付けその他の導電接続手法によって直接に搭載される。また、金属配線端子２７はＡＰＣ合金、Ｃｒ、Ｃｕその他の導電材料によって形成される。ＦＰＣ４のうち金属配線端子２７が形成された部分は、第１基板７ａのうち金属配線１４ｅ及び金属配線１４ｆが形成された部分にＡＣＦ２２によって接続される。そして、ＡＣＦ２２の内部に含まれる導電粒子の働きにより、基板側の金属配線１４ｅ及び１４ｆとＦＰＣ側の金属配線端子２７とが導通する。
【００５３】
ＦＰＣ４の反対側の辺端部には外部接続端子３１が形成され、この外部接続端子３１が図示しない外部回路に接続される。そして、この外部回路から伝送される信号に基づいて液晶駆動用ＩＣ３ａ及び３ｂが駆動され、第１電極１４ａ及び第２電極１４ｂの一方に走査信号が供給され、他方にデータ信号が供給される。これにより、有効表示領域Ｂ内に配列されたドット・マトリクス状の絵素ピクセルが個々のピクセルごとに電圧制御され、その結果、液晶Ｌの配向が個々の絵素ピクセルごとに制御される。
【００５４】
図１において、いわゆるバックライトとして機能する照明装置６は、図２に示すように、アクリル樹脂等によって構成された導光体３２と、その導光体３２の光出射面３２ｂに設けられた拡散シート３３と、導光体３２の光出射面３２ｂの反対面に設けられた反射シート３４と、発光源としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode）３６とを有する。
【００５５】
ＬＥＤ３６はＬＥＤ基板３７に支持され、そのＬＥＤ基板３７は、例えば導光体３２と一体に形成された支持部（図示せず）に装着される。ＬＥＤ基板３７が支持部の所定位置に装着されることにより、ＬＥＤ３６が導光体３２の側辺端面である光取込み面３２ａに対向する位置に置かれる。なお、符号３８は液晶パネル２に加わる衝撃を緩衝するための緩衝材を示している。
【００５６】
ＬＥＤ３６が発光すると、その光は光取込み面３２ａから取り込まれて導光体３２の内部へ導かれ、反射シート３４や導光体３２の壁面で反射しながら伝播する間に光出射面３２ｂから拡散シート３３を通して外部へ平面光として出射する。
【００５７】
液晶装置１は以上のように構成されているので、太陽光、室内光等といった外部光が十分に明るい場合には、図２において、第２基板７ｂ側から外部光が液晶パネル２の内部へ取り込まれ、その光が液晶Ｌを通過した後に反射膜１２で反射して再び液晶Ｌへ供給される。液晶Ｌはこれを挟持する電極１４ａ及び１４ｂによってＲ，Ｇ，Ｂの絵素ピクセルごとに配向制御されており、よって、液晶Ｌへ供給された光は絵素ピクセルごとに変調され、その変調によって偏光板１７ｂを通過する光と、通過できない光とによって液晶パネル２の外部に文字、数字等といった像が表示される。これにより、反射型の表示が行われる。
【００５８】
他方、外部光の光量が十分に得られない場合には、ＬＥＤ３６が発光して導光体３２の光出射面３２ｂから平面光が出射され、その光が反射膜１２に形成された開口２１を通して液晶Ｌへ供給される。このとき、反射型の表示と同様にして、供給された光が配向制御される液晶Ｌによって絵素ピクセルごとに変調され、これにより、外部へ像が表示される。これにより、透過型の表示が行われる。
【００５９】
本実施形態に係る液晶装置１に関して、図１に示す第１基板７ａの基板張出し部７ｃ上に液晶駆動用ＩＣ３ａ及びＦＰＣ４が接続された状態において、矢印Ｄに相当する部分の金属配線の接続状況を拡大して示すと、図４の通りである。図４において、基板張出し部７ｃ上に設けられた各金属端子配線１４ｅはＡＰＣ合金によって形成されている。また、本実施形態では、これらの金属端子配線１４ｅに異なる大きさの電圧Ｖ１〜Ｖ４が印加されるようになっており、それらの大きさは、例えば
Ｖ１＞Ｖ２＞Ｖ３＞Ｖ４
の関係に設定されている。
【００６０】
そして、印加電圧が高い金属配線１４ｅと印加電圧が低い金属配線１４ｅとが隣り合う場合には、それらの金属配線１４ｅの間に、導電性酸化物であるＩＴＯによって形成されたガード配線２９が介在されている。図４では、Ｖ１とＶ２との間、Ｖ２とＶ３との間、そしてＶ３とＶ４との間に、それぞれ、ガード配線２９が設けられた状態を示している。なお、符号３ａは液晶駆動用ＩＣであり、符号３９は液晶駆動用ＩＣ３ａに形成されたバンプすなわち端子を示している。
【００６１】
金属配線１４ｅが隣り合う場合であっても、それらに印加される電圧が等しいときには、それらの金属配線の間にはガード配線が設けられていない。図４では、電圧Ｖ４が複数個互いに隣り合って配列されていて、それらの間にはガード配線２９が設けられない状態を示してある。
【００６２】
一般に、ＡＰＣ合金から成る金属配線１４ｅが隣り合っていて、それらの間に電位差が生じる場合、すなわち、それらの金属配線間に陽極と陰極の関係が生じている場合、何等の措置も施さなければ、高電圧が印加される陽極側の金属配線１４ｅが腐食によって損傷することがある。これに対し、本実施形態のように、陽極側金属配線と陰極側金属配線との間に導電性酸化物であるＩＴＯを介在させれば、陽極側金属配線１４ｅに腐食が発生することを防止できる。
【００６３】
特に、本実施形態では、陽極側金属配線１４ｅの全体に導電性酸化物であるＩＴＯを被せてあるので、その陽極側金属配線の腐食をより一層確実に防止できる。なお、陽極側金属配線１４ｅに被せるＩＴＯはその陽極側金属配線の全体ではなくてその一部であっても同様の効果を得ることができる。さらに、本実施形態では、陽極側金属配線１４ｅを被覆するＩＴＯとガード配線２９を形成するＩＴＯとを一体につなげてあって、ガード配線２９が陽極側と同電位になっているので、陽極側金属配線１４ｅに腐食が発生することを、さらに一層確実に防止できる。
【００６４】
以上のように、金属配線１４ｅをＡＰＣ合金によって形成すれば、このＡＰＣ合金は電気抵抗値が低いので、金属配線１４ｅが長いパターンとして形成される場合でも、全体の抵抗値を低く抑えることができ、このため、ＦＰＣ４上の回路２６と液晶駆動用ＩＣ３ａとの間で信号の授受を安定して行うことが可能となる。しかも、金属配線１４ｅがＡＰＣ合金によって形成される場合には、陽極側の金属配線が腐食によって損傷する可能性が高いのであるが、本実施形態のように陽極側金属配線と陰極側金属配線との間に導電性酸化物を介在させることにより、そのような金属配線の腐食の問題も解消できる。
【００６５】
また、図４のように陽極側金属配線１４ｅと陰極側金属配線１４ｅとの間に導電性酸化物のガード配線２９を介在させるという配線構造は、図１における液晶駆動用ＩＣ３ａに関する金属配線１４ｅだけに適用する場合に限られず、もう一方の液晶駆動用ＩＣ３ｂに関する金属配線１４ｆに対しても同様に採用することができる。この場合、液晶駆動用ＩＣ３ｂはＦＰＣ４から遠く離れた位置に置かれるので、金属配線１４ｆの引き回し長さは長くなる傾向にある。
【００６６】
仮に、金属配線１４ｆに相当する長い配線パターンをＩＴＯ等といった酸化物によって形成するものとすれば、その長い配線パターンの電気抵抗値が高くなり過ぎて、液晶駆動用ＩＣ３ｂを安定して駆動できなくなるおそれがある。これに対し、本実施形態では金属配線１４ｆを電気抵抗値の低いＡＰＣ合金によって形成しているので、金属配線１４ｆの電気抵抗値は低く抑えられ、よって、液晶駆動用ＩＣ３ｂを安定して駆動できる。しかも、この金属配線１４ｆに関しても陽極側金属配線と陰極側金属配線との間に導電性酸化物であるＩＴＯを介在させることができ、これにより、陽極側金属配線に腐食が発生することを確実に防止できる。
【００６７】
なお、ガード配線２９の長さは、必要に応じて適宜に設定できる。例えば、図４に示すように、端子配線１４ｅとほぼ同じ長さに形成しても良いし、あるいは、端子配線１４ｅに関して腐食が発生し易いと考えられる部分に対応して部分的に形成することもできる。
【００６８】
（第２実施形態）
図５は、図４に示した金属配線の改変例を示している。図５に示す複数の金属配線１４ｅに関して異なる大きさの電圧Ｖ１〜Ｖ４が印加されること、そして、高電圧が印加される陽極側金属配線１４ｅと相対的に低い電圧が印加される陰極側金属配線１４ｅとの間に導電性酸化物であるＩＴＯから成るガード配線２９が介在配置されることは、図４に示した実施形態と同じである。
【００６９】
図５に示す本実施形態が図４に示した実施形態と異なる点は、金属配線１４ｅの上からＩＴＯを除去したことである。このように、金属配線１４ｅの上にＩＴＯを積層しない場合でも、陽極側金属配線に腐食が発生することを防止できる。
【００７０】
（第３実施形態）
図６は、図４に示した金属配線の他の改変例を示している。図６に示す複数の金属配線１４ｅに関して異なる大きさの電圧Ｖ１〜Ｖ４が印加されること、高電圧が印加される陽極側金属配線１４ｅと相対的に低い電圧が印加される陰極側金属配線１４ｅとの間に導電性酸化物であるＩＴＯから成るガード配線２９が介在配置されること、そして金属配線１４ｅの上にガード配線２９と同じＩＴＯが積層被覆されること等は、図４に示した実施形態と同じである。
【００７１】
図６に示す本実施形態が図４に示した実施形態と異なる点は、ガード配線２９と金属配線１４ｅ上のＩＴＯ被覆層４１との間のつながりが解除されていて、ガード配線２９が電位の無い状態、すなわち無電位状態に置かれていることである。このようにガード配線２９を無電位状態に置いた場合にも、陽極側金属配線に腐食が発生することを防止できる。
【００７２】
（第４実施形態）
図７及び図８は、本発明に係る配線基板の他の実施形態を示している。但し、ここに示す配線基板の構造は図１に示す液晶装置１において、第１基板７ａの基板張出し部７ｃとＦＰＣ４の金属配線端子２７部分との接続部分に適用されたものである。
【００７３】
ここに示す実施形態では、図７（ａ）に示す第１基板７ａが１つの配線基板要素として機能し、図７（ｂ）に示すＦＰＣ４が他の１つの配線基板要素として機能し、これらの配線基板要素を図８に示すように互いに接続することにより、具体的には図１に示すようにＡＣＦ２２を用いてＦＰＣ４を第１基板７ａの基板張出し部７ｃに接続することにより、一体となった第１基板７ａ及びＦＰＣ４によって１つの配線基板が構成される。
【００７４】
本実施形態では、図７（ａ）に示すように、基板張出し部７ｃの表面にはＡＰＣ合金等といった金属材料によって金属配線１４ｅが形成され、それらの金属配線１４ｅの上に導電性酸化物であるＩＴＯによって形成された被覆層４１が積層される。一方、基板張出し部７ｃに接続されるＦＰＣ４の金属配線端子２７に関しては、高電圧が印加される端子すなわち陽極側端子と、相対的に低い電圧が印加される端子すなわち陰極端子との間に導電性酸化物であるＩＴＯによって形成されたガード配線２９が設けられる。本実施形態では、ガード配線２９が金属配線端子２７に接続されてそれらが同電位になっているが、この接続を解除してガード配線２９を無電位状態に置くこともできる。
【００７５】
本実施形態では、基板張出し部７ｃ上の金属配線１４ｅとＦＰＣ４上の金属配線端子２７とが以上のように構成されているので、基板張出し部７ｃとＦＰＣ４とを互いに接続すると、図８に示すように、基板張出し部７ｃ上の陽極側金属配線１４ｅと陰極側金属配線１４ｅとの間に結果的にＦＰＣ４上のガード配線２９が位置することになる。この結果、陽極となったときに腐食しやすいＡＰＣ金属等によって金属配線１４ｅが形成されている場合でも、陽極側金属配線１４ｅと陰極側金属配線１４ｅとの間に位置するガード配線２９の作用により、そのような腐食の問題を解消できる。
【００７６】
（第５実施形態）
図９及び図１０は、本発明に係る表示装置の一例である液晶装置の他の実施形態を示している。図９は、図１に示した液晶装置１の側面断面構造を示す図である図２に対応する断面構造を示す断面図である。図９に示す液晶装置５１の概略の外観構造は図１に示した先の実施形態とほぼ同じであるので、この液晶装置５１に関する斜視表示は省略する。また、図９において図２と同じ部材は同じ符号を用いて示すことにしてその部材についての説明は省略する。
【００７７】
図９に示す本実施形態に係る液晶装置５１は、単純マトリクス方式及び半透過反射型でフルカラー表示を行う方式の液晶装置であることに関して図２に示した先の実施形態と同じである。本液晶装置５１が図２に示した液晶装置１と異なる点は、図２の液晶装置１で用いた内面反射膜１２に代えて、第１電極１４ａのそれ自体を光反射性材料、例えばＡＰＣ合金、Ｃｒ等によって形成することにより、第１電極１４ａそれ自体を内面反射膜として用いたことである。つまり、本実施形態では、第１電極１４ａのそれ自身が酸化物ではない金属配線として形成されている。
【００７８】
具体的には、本液晶装置５１において、第１基板７ａは、基材１１ａの内側表面（図９の上側表面）に矢印Ａ方向から見てストライプ状の第１電極１４ａを形成し、その上に配向膜１６ａを形成し、さらに基材１１ａの外側表面（図９の下側表面）に偏光板１７ａを貼着等によって装着することによって形成される。ＡＰＣ合金等によって形成された第１電極１４ａに関しては、図１０に示すように、第１電極１４ａと第２電極１４ｂとの交差点である各絵素ピクセルに対応する位置の第１電極１４ａのそれ自体に開口２１が形成されている。結果的に、開口２１は図９の矢印Ａ方向から見て、絵素ピクセルと同じドット・マトリクス状に配列されている。
【００７９】
本実施形態に係る液晶装置５１は以上のように構成されているので、太陽光、室内光等といった外部光が十分に明るい場合には、図９において、第２基板７ｂ側から外部光が液晶パネル２の内部へ取り込まれ、その光が液晶Ｌを通過した後に第１電極１４ａで反射して再び液晶Ｌへ供給される。液晶Ｌはこれを挟持する電極１４ａ及び１４ｂによってＲ，Ｇ，Ｂの絵素ピクセルごとに配向制御されており、よって、液晶Ｌへ供給された光は絵素ピクセルごとに変調され、その変調によって偏光板１７ｂを通過する光と、通過できない光とによって液晶パネル２の外部に文字、数字等といった像が表示される。これにより、反射型の表示が行われる。
【００８０】
他方、外部光の光量が十分に得られない場合には、ＬＥＤ３６が発光して導光体３２の光出射面３２ｂから平面光が出射され、その光が第１電極１４ａに形成された開口２１を通して液晶Ｌへ供給される。このとき、反射型の表示と同様にして、供給された光が配向制御される液晶Ｌによって絵素ピクセルごとに変調され、これにより、外部へ像が表示される。これにより、透過型の表示が行われる。
【００８１】
本実施形態では、第１電極１４ａをＡＰＣ合金等といった金属配線として形成したので、図１において、第１電極１４ａと一体であってシール材８の外側へ延びる引出し配線１４ｃもＡＰＣ合金等といった金属配線として形成されている。また、シール材８の中に分散された導通材９を介して第２基板７ｂ上の第２電極１４ｂに導通する引出し配線１４ｄもＡＰＣ合金等といった金属配線として形成されている。
【００８２】
図２に示した実施形態では、図１の基板張出し部７ｃにおいて、液晶駆動用ＩＣ３ａ及び３ｂの出力側配線となる引出し配線１４ｃ及び１４ｄはＩＴＯすなわち酸化物によって形成され、入力側配線となる金属配線１４ｅ及び１４ｆはＡＰＣ合金等といった金属配線によって形成されていた。そして、それらの金属配線１４ｅ及び１４ｆに関して、特に陽極側となる金属配線に腐食が発生することを防止するために、図４、図５、図６、図７及び図８等に示したように、陽極側金属配線と陰極側金属配線との間に導電性酸化物から成るガード配線２９を介在させるという配線構造を採用して、陽極側金属配線の腐食を防止した。
【００８３】
これに対し、図９に示す本実施形態では、図１において、端子側の金属配線１４ｅ及び１４ｆに限られず、引出し配線１４ｃ及び１４ｄも金属配線によって形成されているので、引出し配線１４ｃ及び１４ｄに関しても陽極として作用するものに腐食が発生する可能性がある。この腐食を防止するため、図９に示す本実施形態においては、例えば図１１に示すように、液晶駆動用ＩＣ３ａ及び３ｂの出力側バンプ５９ａに接続される金属配線としての引出し配線１４ｃ及び１４ｄの各配線間に、ＩＴＯ等といった導電性酸化物から成るガード配線２９を形成してある。
【００８４】
なお、ガード配線２９を金属配線の引出し配線１４ｃ及び１４ｄに介在させる形態は、図１１に示した形態に限られず、図４、図５、図６、図７及び図８等に示した各種の配線構造を採用することもできる。また、引出し配線１４ｃはそのまま有効表示領域Ｂ内の第１電極１４ａにつながっていて、第１電極１４ａも金属配線によって形成されているので、ガード配線２９は引出し配線１４ｃに対応する部分だけに設けるのではなくて、第１電極１４ａに対応する部分にまで延ばすこともできる。また、図１１において、液晶駆動用ＩＣ３ａ及び３ｂの入力側バンプ５９ｂに接続される配線に関しては、図４、図５、図６、図７及び図８等に示した配線構造と同じ配線構造を採用できる。
【００８５】
（第６実施形態）
図１２は、本発明に係る半導体チップの一実施形態及びその半導体チップを好適に使用できる配線基板の一実施形態を示している。なお、図１２に示す配線構造は必ずしも図１に示す液晶装置１に限って適用されるものではないが、仮にこの配線構造を図１に示す液晶装置１の液晶駆動用ＩＣ３ａの部分に適用した場合を考えると、図１２に示す構造は図１において矢印Ｅのように第１基板７ａの裏面方向から液晶駆動用ＩＣ３ａを見た場合に相当する。
【００８６】
これ以降、半導体チップ６１を図１の液晶駆動用ＩＣ３ａとして用いる場合を例に挙げて図１２に基づいて説明する。半導体チップ６１は複数のバンプ、具体的には複数の出力側バンプ６９ａ及び複数の入力側バンプ６９ｂを有する。これらのバンプの数は図示の例に限られず、より多く又はより少なくすることができる。
【００８７】
半導体チップ６１はＡＣＦ２２によって第１基板７ａの基材１１ａに接着される。基材１１ａの表面には複数の引出し配線１４ｃが互いに間隔を開けてストライプ状に形成される。これらの引出し配線１４ｃは図１において第１電極１４ａへと延びる。また、半導体チップ６１に関して引出し配線１４ｃの反対側において基材１１ａの表面に複数の端子配線１４ｅが互いに間隔を開けてストライプ状に形成される。
【００８８】
引出し配線１４ｃ及び端子配線１４ｅは、いずれもＡＰＣ合金、Ｃｒ，Ａｕ，Ａｌ，Ｎｄ，Ｔｉ等といった金属によって形成される。そして、これらの引出し配線１４ｃ及び端子配線１４ｅの隣り合うものの間には、それぞれ、ＩＴＯ等といった導電性酸化物によって形成されたガード配線２９が形成される。そして、半導体チップ６１の内部に形成される回路は、引出し配線１４ｃに接続されるバンプ及び端子配線１４ｅに接続されるバンプのそれぞれを低電圧端子とし、それらの低電圧バンプに隣り合うバンプ、すなわちガード配線２９に接続されるバンプを高電圧端子とするように回路構成されている。図では、各高電圧バンプが配線６３によって半導体チップ６１の内部において同電位の高電圧に設定されている状態を示してある。
【００８９】
本実施形態では、引出し配線１４ｃの間に配置されたガード配線２９は通電に寄与することのないダミー配線として形成されているが、これを何等かの信号を伝送するための信号線や、各種電子部品を駆動するための駆動電圧を通電するための通電線等として使用しても良いことはもちろんである。
【００９０】
以上のように、本実施形態では、半導体チップ６１のバンプ６９ａのバンプ列及びバンプ６９ｂのバンプ列が低電圧端子と高電圧端子とを交互に配列することによって形成され、さらに、低電圧端子に引出し配線１４ｃ及び端子配線１４ｅを接続し、そして高電圧端子にガード配線２９を接続している。このような配線構造によれば、金属配線１４ｃ及び１４ｅのうち互いに隣り合うものの間に導電性酸化物から成るガード配線２９を介在させるので、これらの金属配線のうち陽極として作用するものに腐食が発生することを防止できる。
【００９１】
また特に、本実施形態では、半導体チップ６１のバンプ列を高電圧端子と低電圧端子とが交互に並ぶように設定したので、高電圧バンプにガード配線２９を接続すると取り決めておけば、金属配線１４ｃ及び金属端子配線１４ｅに腐食が発生することを、より一層確実に防止できる。
【００９２】
（第７実施形態）
図１３及び図１４は、本発明に係る表示装置をＥＬ装置として実現した場合の一実施形態を示している。ここに示すＥＬ装置７１は、アクティブ素子を用いない単純マトリクス方式であって、単色のＥＬ発光層を用いる単色モノクロ表示方式のＥＬ装置である。
【００９３】
このＥＬ装置７１は、透明なガラス、透明なプラスチック等によって形成された基板７７を有し、その基板７７の表面には、図１４に示すように、矢印Ａ方向から見てストライプ状の第１電極７４ａが形成され、その上に単色のＥＬ発光層Ｈが一様な厚さで平面的に形成され、さらにその上に矢印Ａ方向から見てストライプ状の第２電極７４ｂが積層して形成される。第１電極７４ａと第２電極７４ｂとは互いに直交する関係となるように形成され、それらの交差点のところに画素が形成される。これらの画素は矢印Ａ方向から見てドッド・マトリクス状に配列するものであり、このドット・マトリクス状に配列された複数の画素により有効表示領域Ｂが形成される。
【００９４】
第１電極７４ａは、例えば、ＩＴＯ等といった透明導電材によって形成される。また、第２電極７４ｂは、例えば、ＡＰＣ合金，Ｃｒ，Ａｕ，Ａｌ，Ｎｄ，Ｔｉ等といった光反射性材料によって形成される。また、第２電極７４ｂが形成された基板７７の表面に矢印Ａから見て環状にシール材７８が形成され、そのシール材７８によってカバー７９が装着される。
【００９５】
図１３において、基板７７の表面に形成された第１電極７４ａはシール材７８の外側へ張り出す引出し配線７４ｃを有する。この引出し配線７４ｃは液晶駆動用ＩＣ７３ａの出力端子、すなわち出力バンプに、例えばＡＣＦ等によって接続される。また、第２電極７４ｂはシール材７８の外側へ張り出す引出し配線７４ｄを有する。この引出し配線７４ｄは液晶駆動用ＩＣ７３ｂの出力端子、すなわち出力バンプに、例えばＡＣＦ等によって接続される。引出し配線７４ｃは第１電極７４ａと同じＩＴＯ、すなわち導電性酸化物によって形成され、引出し線７４ｄは第２電極７４ｂと同じＡＰＣ合金等といった反射性金属によって形成されている。
【００９６】
また、基板７７の辺端部には端子配線７４ｅ及び７４ｆが形成され、これらの辺端部にＦＰＣ７５ａ及び７５ｂ等といった配線接続要素が、例えばＡＣＦ等といった導電接合要素によって接続されている。端子配線７４ｅ及び７４ｆは、それぞれ、ＦＰＣ７５ａ及び７５ｂに形成された端子配線に導通し、これにより、図示しない外部回路によって液晶駆動用ＩＣ７３ａ及び７３ｂが駆動される。端子配線７４ｅ及び７４ｆは、例えば、ＡＰＣ合金等によって金属配線として形成されている。
【００９７】
本実施形態のＥＬ装置７１は以上のように構成されているので、第１電極７４ａと第２電極７４ｂとの間に流す電流を画素毎に制御して各画素を選択的に発光させることにより、有効表示領域Ｂ内に文字、数字等といった像を表示する。このとき、第２電極７４ｂは反射膜としても機能する。
【００９８】
本実施形態においては、図１３において、ＡＰＣ合金等によって金属配線として形成された引出し配線７４ｄ、端子配線７４ｅ及び端子配線７４ｆが、特に陽極として作用するものに関して腐食を生じるおそれがある。これを防止するため、これらの配線に関しては、図４、図５、図６、図７、図８及び図１２で金属配線１４ｅとガード配線２９との関係として説明したように、引出し配線７４ｄ等といった複数の金属配線のうち互いに隣り合うものの間に導電性酸化物から成るガード配線を介在させてある。具体的な配線構造は、図４、図５、図６、図７、図８及び図１２に示した各種の構造から選択して採用できる。
【００９９】
なお、ＥＬ装置としては、上記実施形態のような単純マトリクス方式以外にアクティブマトリクス方式、すなわち、各画素をＴＦＴ（Thin Film Transistor）やＴＦＤ（Thin Film Diode）等といったアクティブ素子を用いて駆動する方式が考えられる。この場合には、図１３及び図１４において、基板７７の内側表面にドット・マトリクス状に配列されるアクティブ素子を作り込み、第１電極７４ａをドット・マトリクス状に配列される画素電極として形成し、それらの画素電極を各アクティブ素子に接続させる。
【０１００】
また、ＥＬ装置には、上記説明のような単色モノクロ表示以外にフルカラー表示を行うものがある。このフルカラー表示を行う構造としては各種の構造があるが、その１つとして、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色を発光するＥＬ発光絵素を平面的に並べてＥＬ発光層を形成する構造が考えられる。
【０１０１】
本発明のように、複数の金属配線間に導電性酸化物から成るガード配線を介在させるという構成は、上記のようなアクティブマトリクス方式のＥＬ装置や、フルカラー表示方式のＥＬ装置等といった各種のＥＬ装置に対して適用できることは、もちろんである。
【０１０２】
（第８実施形態）
図１５は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、表示情報出力源８０、表示情報処理回路８１、電源回路８２、タイミングジェネレータ８３、そして表示装置としての液晶装置８４を有する。また、液晶装置８４は液晶パネル８５及び駆動回路８６を有する。液晶装置８４は、例えば図１に示した液晶装置１を用いて構成できる。
【０１０３】
表示情報出力源８０は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等といったメモリ、各種ディスク等といったストレージユニット、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ８３によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路８１に供給する。
【０１０４】
表示情報処理回路８１は、シリアル−パラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路８６へ供給する。駆動回路８６は走査線駆動回路、データ線駆動回路、検査回路等を含んで構成される。また、電源回路８２は各構成要素に所定の電圧を供給する。
【０１０５】
図１６は、本発明に係る電子機器の一実施形態である携帯電話機を示している。この携帯電話機は電気制御系としては図１５に示す実施形態を用いて構成できる。ここに示す携帯電話機９０は、複数の操作ボタン９１と、液晶装置９２とを有する。液晶装置９２は、例えば図１に示した液晶装置１を用いて構成できる。
【０１０６】
図１５に示した電子機器でも、図１６に示した電子機器でも、液晶装置として図１に示した液晶装置、すなわち配線基板の構造として図４、図５、図６、図７図８及び図１２等に示したような、金属配線間に導電性酸化物から成るガード配線を介在させる配線構造を採用したので、電極腐食による表示品質の低下を防止できる構造となっている。
【０１０７】
また、図１５及び図１６に示す電子機器に関しては、それに内蔵される液晶装置に限られず、液晶装置以外の構成要素の中に配線基板が含まれる場合には、その配線基板に関しても図４、図５、図６、図７図８及び図１２等に示したような配線基板構造を採用できる。
【０１０８】
（その他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
【０１０９】
例えば、図１に示した液晶装置は単なる一例であって、本発明に係る配線構造を適用できる液晶装置は図１に示す構造以外にも種々考えられる。例えば、図１の液晶装置は単純マトリクス方式の駆動方法を採用したものであるが、これをアクティブマトリクス方式の駆動方法に代えることもできる。
【０１１０】
また、図１の液晶装置では、１つの基板である第１基板７ａにだけ引出し配線１４ｃ及び１４ｄ並びに端子配線１４ｅ及び１４ｆを形成したが、第２基板７ｂにも第１基板７ａの外側へ張り出す基板張出し部を形成し、第１基板７ａ側の基板張出し部と第２基板７ｂ側の基板張出し部の両方に引出し配線や端子配線等を形成することもできる。
【０１１１】
また、図１や図９の液晶装置では、液晶パネル２の内面に反射膜を配置した構図の、いわゆる内面反射型の液晶装置を例に挙げたが、反射膜を液晶パネルの外側に配置する構造の、いわゆる外面反射型の液晶装置に対しても本発明を適用できる。
【０１１２】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明に係る配線基板、表示装置及び電子機器によれば、隣り合う金属配線の間に導電性酸化物から成るガード配線を介在させるので、隣り合う金属配線間に電位差が生じる場合、すなわち陽極と陰極の関係が生じる場合であっても、陽極側の金属配線の腐食を防止でき、これにより、配線基板の電気的特性を長期間にわたって良好に維持できる。また、本発明に係る半導体チップによれば、上記のような配線構造を容易に構築できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る配線基板を用いて形成された表示装置の一例である液晶装置の一実施形態を分解状態で示す斜視図である。
【図２】図１に示す液晶装置のＩＩ−ＩＩ線に従った側面断面構造を示す断面図である。
【図３】図２に示す液晶装置で用いられる反射膜の一部分を示す平面図である。
【図４】図１に示す液晶装置で用いられる配線基板であって、本発明に係る配線基板の一実施形態を示す平面図である。
【図５】本発明に係る配線基板の他の実施形態を示す平面図である。
【図６】本発明に係る配線基板のさらに他の実施形態を示す平面図である。
【図７】本発明に係る配線基板のさらに他の実施形態を分解状態で示す平面図であって、一対の配線基板要素を個々に示す図である。
【図８】図７に示す一対の配線基板要素を組み合わせた状態を示す平面図である。
【図９】本発明に係る配線基板を用いて形成された表示装置の一例である液晶装置の他の実施形態を示す断面図である。
【図１０】図９に示す液晶装置において反射膜としても機能する電極の一部分を示す平面図である。
【図１１】本発明に係る配線基板のさらに他の実施形態を示す平面図である。
【図１２】本発明に係る半導体チップの一実施形態及び本発明に係る配線基板の一実施形態を示す平面図である。
【図１３】本発明に係る配線基板を用いて形成された表示装置の一例であるＥＬ装置の一実施形態を分解状態で示す斜視図である。
【図１４】図１３に示すＥＬ装置のＸＩＶ−ＸＩＶ線に従った側面断面構造を示す断面図である。
【図１５】本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図である。
【図１６】本発明に係る電子機器の他の一実施形態を示す斜視図である。
【図１７】本発明に係る配線基板の一実施形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
１ 液晶装置（表示装置）
２ 液晶パネル
３ａ，３ｂ 液晶駆動用ＩＣ（半導体チップ）
４ ＦＰＣ（配線基板要素）
６ 照明装置
７ａ，７ｂ 基板
７ｃ 基板張出し部
８ シール材
１４ａ，１４ｂ 電極
１４ｃ，１４ｄ 引出し配線
１４ｅ，１４ｆ 端子配線
２３ 樹脂フィルム
２７ 金属配線端子
２９ ガード配線
３２ 導光体
３２ａ 光取込み面
３２ｂ 光出射面
４１ 被覆層
５１ 液晶装置
５９ａ，５９ｂ バンプ（端子）
６１ 半導体チップ
６３ 配線
６９ａ，６９ｂ バンプ（端子）
７１ ＥＬ装置（表示装置）
７４ａ，７４ｂ 電極
７４ａ，７４ｄ 引出し配線
７４ｅ，７４ｆ 端子配線
７５ａ，７５ｂ ＦＰＣ
７７ 基板
Ｂ 有効表示領域
Ｈ ＥＬ発光層
Ｌ 液晶
Claims (19)
- 基板上に複数の金属配線を形成して成る配線基板において、前記複数の金属配線のうち互いに隣り合う少なくとも一対の間に、導電性酸化物から成るガード配線が形成され、
前記金属配線の上の一部又は全部に前記ガード配線と同一の導電酸化物が積層されることを特徴とする配線基板。 - 互いに接続される一対の配線基板要素を有する配線基板において、
前記一対の配線基板要素の一方に形成された複数の金属配線と、
前記一対の配線基板要素の他方に形成されていて導電酸化物から成る少なくとも１つのガード配線とを有し、
前記一対の配線基板要素が互いに接続されることにより、前記ガード配線が前記複数の金属配線の間に位置し、
前記金属配線の上の一部又は全部に前記ガード配線と同一の導電酸化物が積層されることを特徴とする配線基板。 - 請求項１又は請求項２において、前記ガード配線は、互いに隣り合う前記一対の金属配線のうちの陽極側に接続されることを特徴とする配線基板。
- 請求項１から請求項３の少なくとも１つにおいて、前記金属配線は、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｎｄ，Ｔｉのいずれか１つ又はそれらを含む合金であることを特徴とする配線基板。
- 請求項１から請求項４の少なくとも１つにおいて、前記導電性酸化物はＩＴＯ又は酸化スズを含むことを特徴とする配線基板。
- 基板上に形成された複数の金属配線と、前記基板上に実装された半導体チップとを有する配線基板において、
前記複数の金属配線の少なくとも一対の間に導電性酸化物から成るガード配線を有し、
該ガード配線は前記半導体チップの高電圧端子に接続され、該ガード配線に隣り合う前記金属配線は前記半導体チップの低電圧端子に接続され、前記ガード配線はダミー配線として形成されていることを特徴とする配線基板。 - 請求項１から請求項６の少なくとも１つの配線基板を用いて構成されること特徴とする表示装置。
- 有効表示領域の外側の基板上に配置された複数の金属配線を有する表示装置において、
前記複数の金属配線のうち互いに隣り合う少なくとも一対の間に、導電性酸化物から成るガード配線が設けられ、
前記金属配線の上の一部又は全部に前記ガード配線と同一の導電酸化物が積層されることを特徴とする表示装置。 - 有効表示領域内の基板上に配置された複数の電極を有する表示装置において、
前記複数の電極のうち互いに隣り合う少なくとも一対の間に、導電性酸化物から成るガード配線が設けられ、
前記電極の上の一部又は全部に前記ガード配線と同一の導電酸化物が積層されることを特徴とする表示装置。 - 請求項８又は請求項９において、前記有効表示領域内の一対の基板上に、互いに対向する複数の第１電極及び第２電極と、それらの第１電極と第２電極とによって挟持される電気光学物質と、前記有効表示領域の外側に配置された複数の金属配線とを有し、
前記電気光学物質は液晶であり、
前記複数の第１電極及び第２電極は前記液晶を挟んで互いに対向する一対の基板の表面にそれぞれ形成され、
前記一対の基板の少なくとも一方は他方の基板から張り出す基板張出し部を有し、
前記金属配線は前記基板張出し部に形成される
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項８又は請求項９において、前記有効表示領域内に互いに対向する複数の第１電極及び第２電極と、それらの第１電極と第２電極とによって挟持される電気光学物質と、前記有効表示領域の外側に配置された複数の金属配線とを有し、
前記電気光学物質は通電によって発光するＥＬ発光層を含んで形成され、
前記複数の第１電極及び第２電極は前記ＥＬ発光層を挟んで共通の基板上に順次に積層され、
前記金属配線は前記有効表示領域の外側の前記基板上に形成される
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項８において、前記ガード配線は、互いに隣り合う前記一対の金属配線の陽極側に接続されることを特徴とする表示装置。
- 請求項９から請求項１１の少なくとも１つにおいて、前記ガード配線は、互いに隣り合う前記一対の電極の陽極側に接続されることを特徴とする表示装置。
- 請求項８から請求項１３の少なくとも１つにおいて、前記金属配線又は前記電極は、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｎｄ，Ｔｉのいずれか１つ又はそれらを含む合金であることを特徴とする表示装置。
- 請求項８から請求項１４の少なくとも１つにおいて、前記導電性酸化物はＩＴＯ又は酸化スズを含むことを特徴とする表示装置。
- 回路を内蔵し外部へ向けて複数の端子が露出する半導体チップにおいて、前記複数の端子は交互に配列された低電圧端子と高電圧端子とを含み、
前記低電圧端子には金属配線が接続され、前記高電圧端子には導電性酸化物から成るガード配線が接続され、該ガード配線はダミー配線として形成されていることを特徴とする半導体チップ。 - 請求項１６の半導体チップが基板上に実装されることを特徴とする配線基板。
- 請求項１７の配線基板を用いて構成されること特徴とする表示装置。
- 像を表示する表示装置と、該表示装置の内部又は外部に設けられる配線基板とを有する電子機器において、
前記配線基板は、基板上に複数の金属配線を形成して成り、前記複数の金属配線のうち互いに隣り合う少なくとも一対の間に、導電性酸化物から成るガード配線を形成したことを特徴とする電子機器。
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