JP3504532B2 - ブラシレスｄｃモータ - Google Patents
ブラシレスｄｃモータInfo
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- JP3504532B2 JP3504532B2 JP11319099A JP11319099A JP3504532B2 JP 3504532 B2 JP3504532 B2 JP 3504532B2 JP 11319099 A JP11319099 A JP 11319099A JP 11319099 A JP11319099 A JP 11319099A JP 3504532 B2 JP3504532 B2 JP 3504532B2
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- JP
- Japan
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- brushless
- magnetic
- motor
- giant magnetoresistive
- magnetoresistive element
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02K—DYNAMO-ELECTRIC MACHINES
- H02K29/00—Motors or generators having non-mechanical commutating devices, e.g. discharge tubes or semiconductor devices
- H02K29/06—Motors or generators having non-mechanical commutating devices, e.g. discharge tubes or semiconductor devices with position sensing devices
- H02K29/08—Motors or generators having non-mechanical commutating devices, e.g. discharge tubes or semiconductor devices with position sensing devices using magnetic effect devices, e.g. Hall-plates, magneto-resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/80—Constructional details
- H10N50/85—Magnetic active materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Brushless Motors (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マグネットロータ
の磁極を検出する磁電変換素子として巨大磁気抵抗効果
素子を用いたブラシレスＤＣモータに関するものであ
る。
の磁極を検出する磁電変換素子として巨大磁気抵抗効果
素子を用いたブラシレスＤＣモータに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、ブラシレスＤＣモータはビデオテ
ープレコーダ（ＶＴＲ）やオーディオテープのテープ送
り用キャプスタンモータや、フロッピーディスクやコン
パクトディスクのディスクドライブ用のスピンドルモー
タ等に非常に多く用いられている。また、ＦＡ（ファク
トリーオートメーション）やロボットなどの用途でも、
より小型でトルクの大きなブラシレスＤＣモータが使用
されている。従来のブラシレスＤＣモータは、図４に示
すように、ハウジング内に回転自在に収容された永久磁
石よりなる磁気回転子（以下、ロータマグネットとい
う）１０、該ロータマグネット１０の周囲に所定の隙間
を開けて配設された励磁用コイル１１、該励磁用コイル
１１間に設置された回転角検出用磁気センサ１２等で構
成され、ロータマグネット１０の磁極位置に応じて励磁
用コイル１１を外部から順序よく励磁することによりロ
ータマグネット１０は回転駆動され、励磁の信号により
回転速度を制御できる。従来、ロータマグネット１０の
Ｎ−Ｓ極を判別するための上記磁気センサとしてはホー
ル素子が用いられている。
ープレコーダ（ＶＴＲ）やオーディオテープのテープ送
り用キャプスタンモータや、フロッピーディスクやコン
パクトディスクのディスクドライブ用のスピンドルモー
タ等に非常に多く用いられている。また、ＦＡ（ファク
トリーオートメーション）やロボットなどの用途でも、
より小型でトルクの大きなブラシレスＤＣモータが使用
されている。従来のブラシレスＤＣモータは、図４に示
すように、ハウジング内に回転自在に収容された永久磁
石よりなる磁気回転子（以下、ロータマグネットとい
う）１０、該ロータマグネット１０の周囲に所定の隙間
を開けて配設された励磁用コイル１１、該励磁用コイル
１１間に設置された回転角検出用磁気センサ１２等で構
成され、ロータマグネット１０の磁極位置に応じて励磁
用コイル１１を外部から順序よく励磁することによりロ
ータマグネット１０は回転駆動され、励磁の信号により
回転速度を制御できる。従来、ロータマグネット１０の
Ｎ−Ｓ極を判別するための上記磁気センサとしてはホー
ル素子が用いられている。
【０００３】このようなブラシレスＤＣモータの従来の
一例を図５に示す。図５において、円筒状に形成された
フレーム１３の下部には鍔部１４が一体形成され、この
鍔部１４にはステータコア１５がスペーサ１６を介して
載置されている。さらに、鍔部１４には駆動回路等を構
成した回路基板１７が載置され、上記ステータコア１５
及びスペーサ１６と共にビス１８によって取り付けられ
ている。また、ステータコア１５は外周側に複数の突極
が形成されていて、これら突極には各相の励磁コイル１
１が各々巻回されている。さらに、ステータコア１５の
外周面にはロータマグネット１０ａの内周面が適宜の間
隙をもって対向している。ロータマグネット１０ａは略
皿状に形成されたロータケース１９の内周面に配設さ
れ、複数の磁極が着磁されている。また、ロータケース
１９の中心部は回転軸２０に嵌着されたボス２１に固着
されている。回転軸２０は上記フレーム１３の内部に配
設された上下一対のボールベアリング２２、２２に回転
自在に支持されている。
一例を図５に示す。図５において、円筒状に形成された
フレーム１３の下部には鍔部１４が一体形成され、この
鍔部１４にはステータコア１５がスペーサ１６を介して
載置されている。さらに、鍔部１４には駆動回路等を構
成した回路基板１７が載置され、上記ステータコア１５
及びスペーサ１６と共にビス１８によって取り付けられ
ている。また、ステータコア１５は外周側に複数の突極
が形成されていて、これら突極には各相の励磁コイル１
１が各々巻回されている。さらに、ステータコア１５の
外周面にはロータマグネット１０ａの内周面が適宜の間
隙をもって対向している。ロータマグネット１０ａは略
皿状に形成されたロータケース１９の内周面に配設さ
れ、複数の磁極が着磁されている。また、ロータケース
１９の中心部は回転軸２０に嵌着されたボス２１に固着
されている。回転軸２０は上記フレーム１３の内部に配
設された上下一対のボールベアリング２２、２２に回転
自在に支持されている。
【０００４】一方、ロータマグネット１０ａの下方近傍
には回路基板１７に接続された３個のホール素子１２が
対向している（図４参照）。そして、ホール素子１２に
よってロータマグネット１０ａの磁極を検出し、この検
出出力を上記駆動回路に入力して各相の励磁コイル１１
にタイミングよく通電するようにしている。このように
ロータマグネット１０ａの磁極位置に応じて励磁コイル
１１に通電することによって、周知のようにロータマグ
ネット１０ａが回転付勢される。これらの３個のホール
素子１２には電流入力端子２本と、出力端子２本の計４
本の配線が接続され、ステータコア１５の励磁コイル１
１を介してモータ駆動回路に接続されている。
には回路基板１７に接続された３個のホール素子１２が
対向している（図４参照）。そして、ホール素子１２に
よってロータマグネット１０ａの磁極を検出し、この検
出出力を上記駆動回路に入力して各相の励磁コイル１１
にタイミングよく通電するようにしている。このように
ロータマグネット１０ａの磁極位置に応じて励磁コイル
１１に通電することによって、周知のようにロータマグ
ネット１０ａが回転付勢される。これらの３個のホール
素子１２には電流入力端子２本と、出力端子２本の計４
本の配線が接続され、ステータコア１５の励磁コイル１
１を介してモータ駆動回路に接続されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ブラシレスＤＣモータ
では、モータの回転を制御するために、ロータを構成し
ている磁石の回転を検知し、回転信号としている。その
ために数ｋＯｅの磁界応答と、極性（ＮＳ）を判別する
必要がある。また、高速で回転するロータマグネットの
ＮＳ極を検出するために高周波特性が必要である。これ
らを満足する磁気センサとして、従来はホール素子が用
いられてきた。しかし出力を上げるために励磁コイルに
流す電流を大きくすると、モータ内の温度が高温になる
ため、高温で不安定なＩｎＳｂ等の半導体を用いるホー
ル素子では感度が低下し、高温下で使用できないといっ
た問題があり、センサがモータ出力の律速となってい
た。また、ホール素子は入力用２本と出力用２本の４本
の配線が必要であり、一つのモータに３個の素子が用い
られる場合が多いので合計１２本の配線が必要となり、
引きまわしが繁雑になり、モータの小型化を妨げる大き
な要因になっている。
では、モータの回転を制御するために、ロータを構成し
ている磁石の回転を検知し、回転信号としている。その
ために数ｋＯｅの磁界応答と、極性（ＮＳ）を判別する
必要がある。また、高速で回転するロータマグネットの
ＮＳ極を検出するために高周波特性が必要である。これ
らを満足する磁気センサとして、従来はホール素子が用
いられてきた。しかし出力を上げるために励磁コイルに
流す電流を大きくすると、モータ内の温度が高温になる
ため、高温で不安定なＩｎＳｂ等の半導体を用いるホー
ル素子では感度が低下し、高温下で使用できないといっ
た問題があり、センサがモータ出力の律速となってい
た。また、ホール素子は入力用２本と出力用２本の４本
の配線が必要であり、一つのモータに３個の素子が用い
られる場合が多いので合計１２本の配線が必要となり、
引きまわしが繁雑になり、モータの小型化を妨げる大き
な要因になっている。
【０００６】上記のような問題を解決するために、ホー
ル素子に代えて磁気抵抗効果素子を用いることが提案さ
れている（例えば、特開平５−２０７７２１号、特開平
６−２４５４６４号）。ここで、磁気抵抗（ Magnetore
sistance，ＭＲ）効果とは、磁界を印加することで材料
の電気抵抗が変化する現象であり、ＭＲ素子としては一
般に強磁性体が用いられ、磁気抵抗の変化率が約５％の
ＣｏＦｅ合金、約２％のパーマロイなどがある。ここ
で、磁気抵抗効果の変化率（磁気抵抗比，ＭＲ比）は、
以下の式（１）で表わされる。 磁気抵抗比（％）＝（Ｒ（０）−Ｒ（Ｈ））／Ｒ（０）×１００・・・（１） Ｒ（０）：磁界がない場合の電気抵抗 Ｒ（Ｈ）：磁界が印加された場合の電気抵抗
ル素子に代えて磁気抵抗効果素子を用いることが提案さ
れている（例えば、特開平５−２０７７２１号、特開平
６−２４５４６４号）。ここで、磁気抵抗（ Magnetore
sistance，ＭＲ）効果とは、磁界を印加することで材料
の電気抵抗が変化する現象であり、ＭＲ素子としては一
般に強磁性体が用いられ、磁気抵抗の変化率が約５％の
ＣｏＦｅ合金、約２％のパーマロイなどがある。ここ
で、磁気抵抗効果の変化率（磁気抵抗比，ＭＲ比）は、
以下の式（１）で表わされる。 磁気抵抗比（％）＝（Ｒ（０）−Ｒ（Ｈ））／Ｒ（０）×１００・・・（１） Ｒ（０）：磁界がない場合の電気抵抗 Ｒ（Ｈ）：磁界が印加された場合の電気抵抗
【０００７】磁気抵抗効果を利用する場合、センサリー
ドは２本で済み、配線の取りまわしが簡単になるなど、
モータを小型化するには有効である。しかし、ブラシレ
スＤＣモータの場合、ロータに磁石（表面の磁界は１０
０［Ｏｅ］以上）が使用され、またロータ回転のための
励磁用コイルの磁界が強く（数百Ｏｅ）、パーマロイに
代表される軟磁性材料を用いた磁気抵抗効果型素子を用
いたセンサでは、検出可能な磁界（数十Ｏｅ以下）を越
えるため、回転角度を検出できないという問題があっ
た。また、合金系の磁気抵抗効果素子では、応答できる
磁界範囲が狭く、磁界変動が大きい環境では使用できな
いという問題がある。
ドは２本で済み、配線の取りまわしが簡単になるなど、
モータを小型化するには有効である。しかし、ブラシレ
スＤＣモータの場合、ロータに磁石（表面の磁界は１０
０［Ｏｅ］以上）が使用され、またロータ回転のための
励磁用コイルの磁界が強く（数百Ｏｅ）、パーマロイに
代表される軟磁性材料を用いた磁気抵抗効果型素子を用
いたセンサでは、検出可能な磁界（数十Ｏｅ以下）を越
えるため、回転角度を検出できないという問題があっ
た。また、合金系の磁気抵抗効果素子では、応答できる
磁界範囲が狭く、磁界変動が大きい環境では使用できな
いという問題がある。
【０００８】以上のように、小型ブラシレスＤＣモータ
用の磁気センサには以下の４つの特性が要求されるが、
従来のセンサで全てを満たすものはないという問題があ
る。 （１）小型化し易いセンサであること。（小型化） （２）磁界の検出感度が温度により大きく変化しないこ
と。（温度特性） （３）数ｋＯｅまでの磁界を検出できること。（磁界特
性） （４）数ｋＨｚまでの交流磁界を検出できること。（周
波数特性）
用の磁気センサには以下の４つの特性が要求されるが、
従来のセンサで全てを満たすものはないという問題があ
る。 （１）小型化し易いセンサであること。（小型化） （２）磁界の検出感度が温度により大きく変化しないこ
と。（温度特性） （３）数ｋＯｅまでの磁界を検出できること。（磁界特
性） （４）数ｋＨｚまでの交流磁界を検出できること。（周
波数特性）
【０００９】
【課題を解決するための手段】これらの課題を解決する
ために、本発明によれば、複数のコイルを設けたステー
タと、該ステータのコイルと対向するように回転自在に
配設され、かつ多極着磁されたロータマグネットを有
し、該ロータマグネットの磁極を検出する磁気センサの
検出信号に基づいて各相コイルを通電制御し、ロータマ
グネットを回転駆動させるブラシレスＤＣモータにおい
て、上記磁気センサが、上記ロータマグネットに面する
ように配置された磁性粒子分散型巨大磁気抵抗素子又は
超巨大磁気抵抗素子からなる巨大磁気抵抗素子とその背
面側に基板もしくはスペーサー部材を介して配置された
磁石の組合せからなり、該磁石が、モータに使用されて
いる磁石よりも強い磁界バイアスを印加できる電磁石も
しくは永久磁石であることを特徴とするブラシレスＤＣ
モータが提供される。
ために、本発明によれば、複数のコイルを設けたステー
タと、該ステータのコイルと対向するように回転自在に
配設され、かつ多極着磁されたロータマグネットを有
し、該ロータマグネットの磁極を検出する磁気センサの
検出信号に基づいて各相コイルを通電制御し、ロータマ
グネットを回転駆動させるブラシレスＤＣモータにおい
て、上記磁気センサが、上記ロータマグネットに面する
ように配置された磁性粒子分散型巨大磁気抵抗素子又は
超巨大磁気抵抗素子からなる巨大磁気抵抗素子とその背
面側に基板もしくはスペーサー部材を介して配置された
磁石の組合せからなり、該磁石が、モータに使用されて
いる磁石よりも強い磁界バイアスを印加できる電磁石も
しくは永久磁石であることを特徴とするブラシレスＤＣ
モータが提供される。
【００１０】前記巨大磁気抵抗素子は、磁性粒子分散型
巨大磁気抵抗効果材料又は超巨大磁気抵抗効果材料から
なり、少なくとも５ｋＨｚ以上の交流磁界を信号として
読み取ることができる。好適には、前記巨大磁気抵抗素
子は、磁性粒子分散型巨大磁気抵抗素子であって、モー
タ内の高磁界（５０［Ｏｅ］以上）で磁界感度を持た
せ、かつモータ内の磁界変動が少なくとも１０ｋＨｚま
での変化に応答させるために、非磁性（常磁性、反磁
性）材料中に最大長径が１〜５００ｎｍ、好ましくは１
〜１００ｎｍの強磁性粒子が分散した材料、好ましくは
磁性粒子間距離が０．５ｎｍ以上離れて互いに接触する
ことなく分散している材料からなる。
巨大磁気抵抗効果材料又は超巨大磁気抵抗効果材料から
なり、少なくとも５ｋＨｚ以上の交流磁界を信号として
読み取ることができる。好適には、前記巨大磁気抵抗素
子は、磁性粒子分散型巨大磁気抵抗素子であって、モー
タ内の高磁界（５０［Ｏｅ］以上）で磁界感度を持た
せ、かつモータ内の磁界変動が少なくとも１０ｋＨｚま
での変化に応答させるために、非磁性（常磁性、反磁
性）材料中に最大長径が１〜５００ｎｍ、好ましくは１
〜１００ｎｍの強磁性粒子が分散した材料、好ましくは
磁性粒子間距離が０．５ｎｍ以上離れて互いに接触する
ことなく分散している材料からなる。
【００１１】磁性粒子分散型巨大磁気抵抗素子の材料
は、好ましくは、一般式：ＮＭ１−ＸＴＭＸ （但し、
ＮＭはＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｔのうち少なくとも１種の
元素であり、ＴＭはＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉのうち少なくとも
１種の元素であり、ｘは原子比で０．０５≦ｘ＜０．
４、好ましくは０．１≦ｘ≦０．３５の範囲内にある）
で示される組成を有する。他の好適な磁性粒子分散型巨
大磁気抵抗素子は、一般式：Ａ１−ｙ Ｃｏｙ （但し、
ＡはＭｇＯ、Ａｌ２ Ｏ３ のうち少なくとも１種で構成
される化合物であり、ｙは容積比で０．０５≦ｙ＜０．
３５の範囲内にある）で示される組成の合金を主成分と
する磁性粒子分散型巨大磁気抵抗素子である。
は、好ましくは、一般式：ＮＭ１−ＸＴＭＸ （但し、
ＮＭはＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｔのうち少なくとも１種の
元素であり、ＴＭはＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉのうち少なくとも
１種の元素であり、ｘは原子比で０．０５≦ｘ＜０．
４、好ましくは０．１≦ｘ≦０．３５の範囲内にある）
で示される組成を有する。他の好適な磁性粒子分散型巨
大磁気抵抗素子は、一般式：Ａ１−ｙ Ｃｏｙ （但し、
ＡはＭｇＯ、Ａｌ２ Ｏ３ のうち少なくとも１種で構成
される化合物であり、ｙは容積比で０．０５≦ｙ＜０．
３５の範囲内にある）で示される組成の合金を主成分と
する磁性粒子分散型巨大磁気抵抗素子である。
【００１２】磁性粒子分散型巨大磁気抵抗素子の前記一
般式で示される組成において、ＮＭは最大２０ａｔ％ま
で、好ましくは１０ａｔ％以下の範囲内でＡｌ、Ｔｉ、
Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈなど他の元素の１種以上を含むことが
できる。これらの元素は、磁気抵抗効果を低下させ、感
度を低くするが、反面、Ａｌ、Ｔｉは磁気抵抗効果の温
度依存性を小さくし、一方、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈは電気抵
抗を増大させることで、配線を含むセンサ全体の磁気抵
抗効果を大きくする効果がある。また、ＴＭはＦｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ以外にＣｒ、Ｍｎなどの元素を最大５ａｔ％ま
での範囲内で含むことができる。特にＣｒ、Ｍｎは磁気
抵抗効果を減少させるが、磁性粒子の粗大化を防ぎ、耐
熱性を上げることができる。
般式で示される組成において、ＮＭは最大２０ａｔ％ま
で、好ましくは１０ａｔ％以下の範囲内でＡｌ、Ｔｉ、
Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈなど他の元素の１種以上を含むことが
できる。これらの元素は、磁気抵抗効果を低下させ、感
度を低くするが、反面、Ａｌ、Ｔｉは磁気抵抗効果の温
度依存性を小さくし、一方、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈは電気抵
抗を増大させることで、配線を含むセンサ全体の磁気抵
抗効果を大きくする効果がある。また、ＴＭはＦｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ以外にＣｒ、Ｍｎなどの元素を最大５ａｔ％ま
での範囲内で含むことができる。特にＣｒ、Ｍｎは磁気
抵抗効果を減少させるが、磁性粒子の粗大化を防ぎ、耐
熱性を上げることができる。
【００１３】一方、前記超巨大磁気抵抗素子は、好まし
くは、一般式：Ｌｎ１−ｚ ＡＥｚＭｎＯ３−ｐ （但
し、Ｌｎは希土類元素のうち少なくとも１種の元素であ
り、ＡＥはＣａ、Ｓｒ、Ｂａのうち少なくとも１種の元
素であり、ｚ、ｐはそれぞれ原子比で０．２≦ｚ≦０．
４、−０．１≦ｐ≦０．３の範囲内にある）で示される
組成を有する材料を主成分として用いる（材料の９５ａ
ｔ％以上が上記組成を有する）。特に好ましいのは前記
ＡＥ元素がＳｒである材料である。また、希土類元素と
しては主にＬａを用いることが好ましい。
くは、一般式：Ｌｎ１−ｚ ＡＥｚＭｎＯ３−ｐ （但
し、Ｌｎは希土類元素のうち少なくとも１種の元素であ
り、ＡＥはＣａ、Ｓｒ、Ｂａのうち少なくとも１種の元
素であり、ｚ、ｐはそれぞれ原子比で０．２≦ｚ≦０．
４、−０．１≦ｐ≦０．３の範囲内にある）で示される
組成を有する材料を主成分として用いる（材料の９５ａ
ｔ％以上が上記組成を有する）。特に好ましいのは前記
ＡＥ元素がＳｒである材料である。また、希土類元素と
しては主にＬａを用いることが好ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明は、ブラシレスＤＣモータ
の磁気センサとして、巨大磁気抵抗効果型センサを利用
したことを特徴としている。すなわち、巨大磁気抵抗素
子を高磁界（数百Ｏｅ〜数ｋＯｅ）のロータマグネット
に近接してモータハウジング内に内蔵し、さらに適切な
磁石をセンサ近傍に配置することにより、ロータマグネ
ットの磁極の極性を判別できるようにしたものである。
ここで巨大磁気抵抗（Giant Magnetoresistance,ＧＭ
Ｒ）効果とは、エイ．イー．ベルコウィッツ（A.E. Ber
kowitz）ら、Phys. Rev. Lett. 68 (1992), 3745頁やジ
ェイ．キュー．ズィエ（J.Q. Xiao ）ら、Phys. Rev. L
ett. 68 (1992),3749頁に報告されている磁性粒子分散
型磁気抵抗効果を指す。これらの材料の磁気抵抗効果
は、潟岡ら「まてりあ」第３３巻第２号、１９９４年、
１６５頁に解説されているように、磁性体（析出粒子も
しくは多層膜）の磁化と伝導を担う電子のスピン依存散
乱によるとされている。従って、磁性体としてＣｏ、Ｎ
ｉ、Ｆｅやそれらの合金を用いているので、少なくとも
３００℃まで磁化変化が無く、大きな磁気抵抗効果が得
られる。
の磁気センサとして、巨大磁気抵抗効果型センサを利用
したことを特徴としている。すなわち、巨大磁気抵抗素
子を高磁界（数百Ｏｅ〜数ｋＯｅ）のロータマグネット
に近接してモータハウジング内に内蔵し、さらに適切な
磁石をセンサ近傍に配置することにより、ロータマグネ
ットの磁極の極性を判別できるようにしたものである。
ここで巨大磁気抵抗（Giant Magnetoresistance,ＧＭ
Ｒ）効果とは、エイ．イー．ベルコウィッツ（A.E. Ber
kowitz）ら、Phys. Rev. Lett. 68 (1992), 3745頁やジ
ェイ．キュー．ズィエ（J.Q. Xiao ）ら、Phys. Rev. L
ett. 68 (1992),3749頁に報告されている磁性粒子分散
型磁気抵抗効果を指す。これらの材料の磁気抵抗効果
は、潟岡ら「まてりあ」第３３巻第２号、１９９４年、
１６５頁に解説されているように、磁性体（析出粒子も
しくは多層膜）の磁化と伝導を担う電子のスピン依存散
乱によるとされている。従って、磁性体としてＣｏ、Ｎ
ｉ、Ｆｅやそれらの合金を用いているので、少なくとも
３００℃まで磁化変化が無く、大きな磁気抵抗効果が得
られる。
【００１５】また、超巨大磁気抵抗（Colossal Magneto
resistance，ＣＭＲ）効果を示す材料は、Ｌａ（ＡＥ）
ＭｎＯ３ （ＡＥ：アルカリ土類金属Ｃａ、Ｓｒ又はＢ
ａ）で示されるＭｎ系ペロブスカイト構造を持つ酸化物
などで、これは、１９５０年代から研究が行われ（Land
olt-Bornstein New Series III/4a(1970), III/12a(197
8)参照）、近年、低温で磁界により絶縁体から金属に変
わる電気抵抗変化を示す材料として注目されている
（「まてりあ」第３５巻第１１号、１９９６年、１２１
７頁参照）。
resistance，ＣＭＲ）効果を示す材料は、Ｌａ（ＡＥ）
ＭｎＯ３ （ＡＥ：アルカリ土類金属Ｃａ、Ｓｒ又はＢ
ａ）で示されるＭｎ系ペロブスカイト構造を持つ酸化物
などで、これは、１９５０年代から研究が行われ（Land
olt-Bornstein New Series III/4a(1970), III/12a(197
8)参照）、近年、低温で磁界により絶縁体から金属に変
わる電気抵抗変化を示す材料として注目されている
（「まてりあ」第３５巻第１１号、１９９６年、１２１
７頁参照）。
【００１６】これらの材料の特徴として、高温下におい
ても大きな感度変化が無く、また、数ｋＯｅ以上の磁界
においても、磁気抵抗変化があるため、モータ内にセン
サを配してもロータマグネットの回転に伴う磁界変化を
測定することができる。それに加えて、これらの材料は
配線がホール素子の半分の２本で済むために、配線が簡
単で小型化が容易である。また、３００［Ｏｅ］での磁
界変化も５ｋＨｚまで応答する。つまり、小型ブラシレ
スＤＣモータ用の磁気センサに要求される前記した「小
型化」、「温度特性」、「磁界特性」及び「高周波特
性」を満足する。前記材料のうちでも、ブラシレスＤＣ
モータに利用するためには、磁性粒子分散型巨大磁気抵
抗材料を用いることが好ましい。これは、超巨大磁気抵
抗効果の場合、温度特性をよくするために高温（７００
〜９００℃）で熱処理を必要とするため、作製プロセス
が難しいこと、また電気抵抗が数ｋΩと高いため電気を
流しにくいためである。
ても大きな感度変化が無く、また、数ｋＯｅ以上の磁界
においても、磁気抵抗変化があるため、モータ内にセン
サを配してもロータマグネットの回転に伴う磁界変化を
測定することができる。それに加えて、これらの材料は
配線がホール素子の半分の２本で済むために、配線が簡
単で小型化が容易である。また、３００［Ｏｅ］での磁
界変化も５ｋＨｚまで応答する。つまり、小型ブラシレ
スＤＣモータ用の磁気センサに要求される前記した「小
型化」、「温度特性」、「磁界特性」及び「高周波特
性」を満足する。前記材料のうちでも、ブラシレスＤＣ
モータに利用するためには、磁性粒子分散型巨大磁気抵
抗材料を用いることが好ましい。これは、超巨大磁気抵
抗効果の場合、温度特性をよくするために高温（７００
〜９００℃）で熱処理を必要とするため、作製プロセス
が難しいこと、また電気抵抗が数ｋΩと高いため電気を
流しにくいためである。
【００１７】以下、本発明のブラシレスＤＣモータ用の
磁気センサについて添付図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の磁気センサ１の検知部の平面図であ
り、図２はそのII−II線断面図である。図１及び図２に
おいて、符号２は前記したような巨大磁気抵抗材料より
なる薄膜状の巨大磁気抵抗素子（センサ素子）を示して
いる。基板３の上には、成膜された細長い銅製の第１セ
ンサリード４が形成され、該第１センサリード４の一端
部には同様に銅製の突出部５が一体的に立設されてい
る。上記第１センサリード４の上にはこれを覆うように
Ａｌ２ Ｏ３ 製の絶縁層６が積層され、該絶縁層６の上
には、上記巨大磁気抵抗素子２が形成され、また、該巨
大磁気抵抗素子２の一方の端部を覆うように成膜された
細長い銅製の第２センサリード７が形成されている。巨
大磁気抵抗素子２の一端部は、上記第１センサリード４
の突出部５の上端の折り曲げ部により固定されている。
また、基板３の背面には、永久磁石８が固定されてい
る。これは、高磁界のモータ内部において、ロータマグ
ネットの回転方向を決定するためにはそのＮ−Ｓ極を判
定する必要があり、そのためモータに使用している磁石
よりも強いバイアス磁界を印加する必要があるためであ
る。センサにバイアス磁界用の磁石を配設することで、
ホール素子の機能を代替できる。ここで用いる磁石とし
ては電磁石や永久磁石が使用できるが、サマリウムコバ
ルト磁石、ネオジウム鉄ボロン磁石等の強力磁石を用い
ることが好ましい。
磁気センサについて添付図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の磁気センサ１の検知部の平面図であ
り、図２はそのII−II線断面図である。図１及び図２に
おいて、符号２は前記したような巨大磁気抵抗材料より
なる薄膜状の巨大磁気抵抗素子（センサ素子）を示して
いる。基板３の上には、成膜された細長い銅製の第１セ
ンサリード４が形成され、該第１センサリード４の一端
部には同様に銅製の突出部５が一体的に立設されてい
る。上記第１センサリード４の上にはこれを覆うように
Ａｌ２ Ｏ３ 製の絶縁層６が積層され、該絶縁層６の上
には、上記巨大磁気抵抗素子２が形成され、また、該巨
大磁気抵抗素子２の一方の端部を覆うように成膜された
細長い銅製の第２センサリード７が形成されている。巨
大磁気抵抗素子２の一端部は、上記第１センサリード４
の突出部５の上端の折り曲げ部により固定されている。
また、基板３の背面には、永久磁石８が固定されてい
る。これは、高磁界のモータ内部において、ロータマグ
ネットの回転方向を決定するためにはそのＮ−Ｓ極を判
定する必要があり、そのためモータに使用している磁石
よりも強いバイアス磁界を印加する必要があるためであ
る。センサにバイアス磁界用の磁石を配設することで、
ホール素子の機能を代替できる。ここで用いる磁石とし
ては電磁石や永久磁石が使用できるが、サマリウムコバ
ルト磁石、ネオジウム鉄ボロン磁石等の強力磁石を用い
ることが好ましい。
【００１８】薄膜状の巨大磁気抵抗素子２は、膜厚は１
０ｎｍ以上、１μｍ以下、長さは５ｍｍ以下、幅は０．
５ｍｍ以下が適当である。前記センサリードは、Ａｌ、
Ｃｕ、Ｃｒ、ＴａもしくはＭｏ又はそれらの合金等の導
電性材料から作製できるが、これらの中でもＣｕが好ま
しい。また、前記絶縁層としては、Ａｌ２ Ｏ３ 、Ｓｉ
Ｏ２ 、ＭｇＯ等を用いることができる。なお、実際に
前記巨大磁気抵抗効果型センサをブラシレスＤＣモータ
用の磁気センサとして用いる場合、急激な磁界変化によ
るリード線からの誘導起電力を避けることが望ましい
が、原因となる配線のループを小さくなるように配線を
積層することで、センサ部分の磁界のみを検出する構造
とすることができる。そのために、巨大磁気抵抗素子２
の両端に接続された２本の電極（センサリード４，５と
７）の間にＡｌ２ Ｏ３ 、ＭｇＯ等からなる絶縁層６を
介した積層構造とする。このとき、絶縁層の厚さは０．
５ｎｍ以上、１，０００ｎｍ以下が適当であり、好まし
くは１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下がよい。
０ｎｍ以上、１μｍ以下、長さは５ｍｍ以下、幅は０．
５ｍｍ以下が適当である。前記センサリードは、Ａｌ、
Ｃｕ、Ｃｒ、ＴａもしくはＭｏ又はそれらの合金等の導
電性材料から作製できるが、これらの中でもＣｕが好ま
しい。また、前記絶縁層としては、Ａｌ２ Ｏ３ 、Ｓｉ
Ｏ２ 、ＭｇＯ等を用いることができる。なお、実際に
前記巨大磁気抵抗効果型センサをブラシレスＤＣモータ
用の磁気センサとして用いる場合、急激な磁界変化によ
るリード線からの誘導起電力を避けることが望ましい
が、原因となる配線のループを小さくなるように配線を
積層することで、センサ部分の磁界のみを検出する構造
とすることができる。そのために、巨大磁気抵抗素子２
の両端に接続された２本の電極（センサリード４，５と
７）の間にＡｌ２ Ｏ３ 、ＭｇＯ等からなる絶縁層６を
介した積層構造とする。このとき、絶縁層の厚さは０．
５ｎｍ以上、１，０００ｎｍ以下が適当であり、好まし
くは１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下がよい。
【００１９】図３は、本発明のブラシレスＤＣモータ用
の磁気センサの他の実施例を示している。図３に示す磁
気センサ１ａおいて、符号２ａは前記したような巨大磁
気抵抗材料よりなるワイヤー状の巨大磁気抵抗素子（セ
ンサ素子）を示している。このセンサ素子２ａは、ガラ
スやアルミニウム等の適当な材料からなる板状のスペー
サー部材３ａを介して、バイアス磁界印加用の永久磁石
８に固着されている。符号９は、センサ素子２ａの両端
部に固着されたリード線である。
の磁気センサの他の実施例を示している。図３に示す磁
気センサ１ａおいて、符号２ａは前記したような巨大磁
気抵抗材料よりなるワイヤー状の巨大磁気抵抗素子（セ
ンサ素子）を示している。このセンサ素子２ａは、ガラ
スやアルミニウム等の適当な材料からなる板状のスペー
サー部材３ａを介して、バイアス磁界印加用の永久磁石
８に固着されている。符号９は、センサ素子２ａの両端
部に固着されたリード線である。
【００２０】なお、前記したセンサ素子２，２ａの製造
には、液中紡糸法、メルトスピン法等の液体急冷法や、
スパッタ法など、適当な種々の方法を採用できるが、生
産性や製造コストの点からは、液中紡糸法やメルトスピ
ン法などの液体急冷法を用いて、直径もしくは厚さが５
０μｍ以下の細線状や薄帯状のセンサ素子を製造するこ
とが好ましい。また、モータ内が２００℃でも磁界感度
があり、その感度に経時変化が無いようにするために、
センサ作製後に２００℃以上で熱処理を行なったり、あ
るいは２００℃以上でセンサを作製することが好まし
い。例えば、溶体処理後、水焼き入れで過飽和固溶体を
作製し、これを熱処理して作製する。
には、液中紡糸法、メルトスピン法等の液体急冷法や、
スパッタ法など、適当な種々の方法を採用できるが、生
産性や製造コストの点からは、液中紡糸法やメルトスピ
ン法などの液体急冷法を用いて、直径もしくは厚さが５
０μｍ以下の細線状や薄帯状のセンサ素子を製造するこ
とが好ましい。また、モータ内が２００℃でも磁界感度
があり、その感度に経時変化が無いようにするために、
センサ作製後に２００℃以上で熱処理を行なったり、あ
るいは２００℃以上でセンサを作製することが好まし
い。例えば、溶体処理後、水焼き入れで過飽和固溶体を
作製し、これを熱処理して作製する。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の効果を具体的に確認した実施
例を示す。磁気センサは、以下のようにスパッタ法で作
製した。
例を示す。磁気センサは、以下のようにスパッタ法で作
製した。
【００２２】磁性粒子分散型巨大磁気抵抗材料は、Ａｇ
ターゲットもしくはＣｕターゲット上にＣｏチップもし
くはＮｉ０．６６Ｃｏ０．１８Ｆｅ０．１６合金チップ
を均等に配した複合ターゲットを用いた。成膜条件及び
熱処理条件は以下のとおりである。 成膜方法：ＲＦマグネトロンスパッタ 基板：Ｓｉウェーハ 基板温度：１００℃ 雰囲気：Ａｒ０．６Ｐａ スパッタ電力：１００Ｗ 薄膜組成：Ａｇ７０Ｃｏ３０、Ａｇ７５（Ｎｉ０．６６
Ｃｏ０．１８Ｆｅ０．１６）２５の２種 膜厚：１０ｎｍ 熱処理： 温度：２００℃ 時間：０．５時間 雰囲気：真空中 磁気抵抗効果：１０ｋＯｅの磁界で約１０％の磁気抵抗
比（前記式（１）で求められた値）
ターゲットもしくはＣｕターゲット上にＣｏチップもし
くはＮｉ０．６６Ｃｏ０．１８Ｆｅ０．１６合金チップ
を均等に配した複合ターゲットを用いた。成膜条件及び
熱処理条件は以下のとおりである。 成膜方法：ＲＦマグネトロンスパッタ 基板：Ｓｉウェーハ 基板温度：１００℃ 雰囲気：Ａｒ０．６Ｐａ スパッタ電力：１００Ｗ 薄膜組成：Ａｇ７０Ｃｏ３０、Ａｇ７５（Ｎｉ０．６６
Ｃｏ０．１８Ｆｅ０．１６）２５の２種 膜厚：１０ｎｍ 熱処理： 温度：２００℃ 時間：０．５時間 雰囲気：真空中 磁気抵抗効果：１０ｋＯｅの磁界で約１０％の磁気抵抗
比（前記式（１）で求められた値）
【００２３】さらに、超巨大磁気抵抗効果を示すＬａ
０．６７Ｓｒ０．３３ＭｎＯ３ 薄膜は、ＲＦスパッタ
法で作製した。ターゲットは固相反応法でＬａ０．６７
Ｓｒ０．３３ＭｎＯ３ 化合物を焼結したものを用い
た。 成膜方法：ＲＦスパッタ 基板：Ｓｉウェーハ 基板温度：５００℃ 雰囲気：Ａｒ２．４Ｐａ＋Ｏ２ ０．６Ｐａ スパッタ電力：１００Ｗ 膜厚：０．５μｍ 熱処理： 温度：５００〜９００℃ 時間：０．５時間 雰囲気：大気 磁気抵抗効果：１０ｋＯｅの磁界で約５％の磁気抵抗比
（前記式（１）で求められた値）
０．６７Ｓｒ０．３３ＭｎＯ３ 薄膜は、ＲＦスパッタ
法で作製した。ターゲットは固相反応法でＬａ０．６７
Ｓｒ０．３３ＭｎＯ３ 化合物を焼結したものを用い
た。 成膜方法：ＲＦスパッタ 基板：Ｓｉウェーハ 基板温度：５００℃ 雰囲気：Ａｒ２．４Ｐａ＋Ｏ２ ０．６Ｐａ スパッタ電力：１００Ｗ 膜厚：０．５μｍ 熱処理： 温度：５００〜９００℃ 時間：０．５時間 雰囲気：大気 磁気抵抗効果：１０ｋＯｅの磁界で約５％の磁気抵抗比
（前記式（１）で求められた値）
【００２４】以上の薄膜をそれぞれ長さ０．５ｍｍ、幅
０．１ｍｍの矩形状に成膜し、厚さを０．０１μｍから
０．５μｍまで調整し、センサの抵抗として２Ωから５
０Ωまで変えた。永久磁石としてはＳｍＣｏ５ 、フェ
ライト磁石を用い、バイアス磁界として１００［Ｏｅ］
から２．５［ｋＯｅ］まで変えた。上記薄帯状の巨大磁
気抵抗素子を、ガラスやアルミニウムの板状のスペーサ
ー部材（厚さ０．２〜１ｍｍ）を介して上記永久磁石上
に固着した。この磁気センサをブラシレスＤＣモータの
ステータの隙間に３個配置し、ロータマグネットの永久
磁石のＮＳ極の変化を読み取ると、ホールセンサと同様
の信号が得られ、なおかつ、ステータのコイルへの電流
を大きくし、モータ内の温度が約１５０℃以上となって
も、信号が室温に比べ３０％低下したが、充分回転位置
を検出できることを確認し、またトルクが２０％以上大
きくなった。なお、ロータマグネットの回転方向を検出
するためには、少なくとも２個の磁気センサが必要であ
る。
０．１ｍｍの矩形状に成膜し、厚さを０．０１μｍから
０．５μｍまで調整し、センサの抵抗として２Ωから５
０Ωまで変えた。永久磁石としてはＳｍＣｏ５ 、フェ
ライト磁石を用い、バイアス磁界として１００［Ｏｅ］
から２．５［ｋＯｅ］まで変えた。上記薄帯状の巨大磁
気抵抗素子を、ガラスやアルミニウムの板状のスペーサ
ー部材（厚さ０．２〜１ｍｍ）を介して上記永久磁石上
に固着した。この磁気センサをブラシレスＤＣモータの
ステータの隙間に３個配置し、ロータマグネットの永久
磁石のＮＳ極の変化を読み取ると、ホールセンサと同様
の信号が得られ、なおかつ、ステータのコイルへの電流
を大きくし、モータ内の温度が約１５０℃以上となって
も、信号が室温に比べ３０％低下したが、充分回転位置
を検出できることを確認し、またトルクが２０％以上大
きくなった。なお、ロータマグネットの回転方向を検出
するためには、少なくとも２個の磁気センサが必要であ
る。
【００２５】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ブラシ
レスＤＣモータの磁気センサとして、磁性粒子分散型巨
大磁気抵抗素子又は超巨大磁気抵抗素子からなる巨大磁
気抵抗素子、特に磁性粒子分散型巨大磁気抵抗素子をバ
イアス磁界印加用の磁石と組み合わせて用いることによ
り、耐熱性や高周波応答性、高磁界（少なくとも１ｋＯ
ｅ以上）までの感度を兼ね備えた交流磁界感度が広い磁
気センサが得られ、強い磁界中でも磁界検出が可能とな
り、またセンサの小型化が可能となる。また、このよう
な巨大磁気抵抗素子は、３００℃の高温においても磁気
抵抗効果をもつことから、高温下での使用が可能とな
る。従って、最高使用温度を少なくとも２００℃まで上
げられるので、励磁コイルに流す電流を大幅に大きくで
き、回転力を上げることができる。すなわち、モータの
使用温度を引き上げ、回転力を大きくできることによっ
て、ブラシレスＤＣモータの使用範囲が広がることが期
待できる。
レスＤＣモータの磁気センサとして、磁性粒子分散型巨
大磁気抵抗素子又は超巨大磁気抵抗素子からなる巨大磁
気抵抗素子、特に磁性粒子分散型巨大磁気抵抗素子をバ
イアス磁界印加用の磁石と組み合わせて用いることによ
り、耐熱性や高周波応答性、高磁界（少なくとも１ｋＯ
ｅ以上）までの感度を兼ね備えた交流磁界感度が広い磁
気センサが得られ、強い磁界中でも磁界検出が可能とな
り、またセンサの小型化が可能となる。また、このよう
な巨大磁気抵抗素子は、３００℃の高温においても磁気
抵抗効果をもつことから、高温下での使用が可能とな
る。従って、最高使用温度を少なくとも２００℃まで上
げられるので、励磁コイルに流す電流を大幅に大きくで
き、回転力を上げることができる。すなわち、モータの
使用温度を引き上げ、回転力を大きくできることによっ
て、ブラシレスＤＣモータの使用範囲が広がることが期
待できる。
【図１】本発明のブラシレスＤＣモータに用いる磁気セ
ンサの部分概略平面図である。
ンサの部分概略平面図である。
【図２】図１のII−II線断面図である。
【図３】本発明のブラシレスＤＣモータに用いる磁気セ
ンサの他の実施例の概略側面図である。
ンサの他の実施例の概略側面図である。
【図４】従来のブラシレスＤＣモータの概念図である。
【図５】従来のブラシレスＤＣモータの構造の一例を示
す概略断面図である。
す概略断面図である。
１，１ａ 磁気センサ
２，２ａ 巨大磁気抵抗素子（センサ素子）
３ 基板
３ａ スペーサー部材
４ 第１センサリード（電極）
５ 突出部
６ 絶縁層
７ 第２センサリード（電極）
８ 永久磁石
１０，１０ａ 磁気回転子（ロータマグネット）
１１ 励磁用コイル
１２ ホール素子
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 三浦 由則
宮城県仙台市太白区茂庭台４丁目26番３
号
(56)参考文献 特開 平10−308313（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−227809（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−264860（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−250330（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−236314（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−67966（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−86017（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−207721（ＪＰ，Ａ)
実開 平４−48650（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H02K 29/08
H02K 11/00
G01D 5/245
G01P 3/487
G01R 33/09
H01L 43/08
H01L 43/10
H01F 1/00
Claims (8)
- 【請求項１】 複数のコイルを設けたステータと、該ス
テータのコイルと対向するように回転自在に配設され、
かつ多極着磁されたロータマグネットを有し、該ロータ
マグネットの磁極を検出する磁気センサの検出信号に基
づいて各相コイルを通電制御し、ロータマグネットを回
転駆動させるブラシレスＤＣモータにおいて、上記磁気
センサが、上記ロータマグネットに面するように配置さ
れた磁性粒子分散型巨大磁気抵抗素子又は超巨大磁気抵
抗素子からなる巨大磁気抵抗素子とその背面側に基板も
しくはスペーサー部材を介して配置された磁石の組合せ
からなり、該磁石が、モータに使用されている磁石より
も強い磁界バイアスを印加できる電磁石もしくは永久磁
石であることを特徴とするブラシレスＤＣモータ。 - 【請求項２】 前記巨大磁気抵抗素子が、一般式：ＮＭ
1-XＴＭX（但し、ＮＭはＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｔのうち
少なくとも１種の元素であり、ＴＭはＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉ
のうち少なくとも１種の元素であり、ｘは原子比で０．
０５≦ｘ＜０．４の範囲内にある）で示される組成の合
金を主成分とする磁性粒子分散型巨大磁気抵抗素子であ
ることを特徴とする請求項１に記載のブラシレスＤＣモ
ータ。 - 【請求項３】 前記巨大磁気抵抗素子が、一般式：Ａ
1-yＣｏy（但し、ＡはＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3のうち少なくと
も１種で構成される化合物であり、ｙは容積比で０．０
５≦ｙ＜０．３５の範囲内にある）で示される組成の合
金を主成分とする磁性粒子分散型巨大磁気抵抗素子であ
ることを特徴とする請求項１に記載のブラシレスＤＣモ
ータ。 - 【請求項４】 前記磁性粒子分散型巨大磁気抵抗素子
が、前記ＮＭ元素を主成分とした非磁性金属又は前記Ａ
化合物を主成分とした非磁性化合物中に、前記ＴＭ元素
又はＣｏを主成分とした強磁性粒子が互いに接触するこ
となく磁性粒子間距離が０．５ｎｍ以上離れて分散して
いる磁性粒子分散型巨大磁気抵抗素子であることを特徴
とする請求項２又は３に記載のブラシレスＤＣモータ。 - 【請求項５】 前記強磁性粒子のサイズ（長径）が１〜
１００ｎｍであることを特徴とする請求項４に記載のブ
ラシレスＤＣモータ。 - 【請求項６】 前記磁性粒子分散型巨大磁気抵抗素子が
作製後に２００℃以上で熱処理したものであるか、又は
２００℃以上で作製したものであることを特徴とする請
求項２乃至５のいずれか一項に記載のブラシレスＤＣモ
ータ。 - 【請求項７】 前記磁性粒子分散型巨大磁気抵抗素子
が、膜厚が１０ｎｍ以上、１μｍ以下の薄膜状素子であ
ることを特徴とする請求項２乃至６のいずれか一項に記
載のブラシレスＤＣモータ。 - 【請求項８】 前記磁性粒子分散型巨大磁気抵抗素子
が、液体急冷法によって作製された厚さもしくは直径が
５０μｍ以下の薄帯もしくは細線状素子であることを特
徴とする請求項２乃至６のいずれか一項に記載のブラシ
レスＤＣモータ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11319099A JP3504532B2 (ja) | 1999-04-21 | 1999-04-21 | ブラシレスｄｃモータ |
| US09/553,484 US6335578B1 (en) | 1999-04-21 | 2000-04-20 | Brushless DC motor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11319099A JP3504532B2 (ja) | 1999-04-21 | 1999-04-21 | ブラシレスｄｃモータ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000308321A JP2000308321A (ja) | 2000-11-02 |
| JP3504532B2 true JP3504532B2 (ja) | 2004-03-08 |
Family
ID=14605849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11319099A Expired - Fee Related JP3504532B2 (ja) | 1999-04-21 | 1999-04-21 | ブラシレスｄｃモータ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6335578B1 (ja) |
| JP (1) | JP3504532B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001273622A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Res Inst Electric Magnetic Alloys | ナノグラニュラー薄膜および磁気記録媒体 |
| US6876110B2 (en) * | 2003-08-15 | 2005-04-05 | Comair Rotron, Inc. | Electric motor stator current controller |
| DE102006024150A1 (de) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Ina-Drives & Mechatronics Gmbh & Co Ohg | Planarer Direktantrieb mit verbesserter Positionsbestimmung und Sensoreinheit hierfür |
| TWI695447B (zh) | 2013-11-13 | 2020-06-01 | 布魯克斯自動機械公司 | 運送設備 |
| KR20230048164A (ko) | 2013-11-13 | 2023-04-10 | 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 | 밀봉된 스위치드 릴럭턴스 모터 |
| KR102383699B1 (ko) | 2013-11-13 | 2022-04-06 | 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 | 브러쉬리스 전기 기계 제어 방법 및 장치 |
| KR102503399B1 (ko) | 2013-11-13 | 2023-02-24 | 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 | 씰링된 로봇 드라이브 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS576962Y2 (ja) * | 1974-07-26 | 1982-02-09 | ||
| US4926122A (en) * | 1988-08-08 | 1990-05-15 | General Motors Corporation | High sensitivity magnetic circuit |
| US4939456A (en) * | 1988-12-23 | 1990-07-03 | General Motors Corporation | Position sensor including a thin film indium arsenide magnetoresistor on a permanent magnet |
| JPH05207721A (ja) | 1991-06-07 | 1993-08-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｄｃブラシレスモータ |
| US5196821A (en) * | 1992-03-09 | 1993-03-23 | General Motors Corporation | Integrated magnetic field sensor |
| JP3271162B2 (ja) * | 1992-05-29 | 2002-04-02 | ソニー株式会社 | 回転検出装置 |
| US5617071A (en) * | 1992-11-16 | 1997-04-01 | Nonvolatile Electronics, Incorporated | Magnetoresistive structure comprising ferromagnetic thin films and intermediate alloy layer having magnetic concentrator and shielding permeable masses |
| JPH06245464A (ja) | 1993-02-10 | 1994-09-02 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | ロータ磁極検出装置 |
| JP3124678B2 (ja) * | 1994-03-16 | 2001-01-15 | アルプス電気株式会社 | モータ |
| US5708358A (en) * | 1996-03-21 | 1998-01-13 | Read-Rite Corporation | Spin valve magnetoresistive transducers having permanent magnets |
| EP0899798A3 (en) * | 1997-08-28 | 2000-01-12 | Alps Electric Co., Ltd. | Magneto-impedance element, and magnetic head, thin film magnetic head, azimuth sensor and autocanceler using the same |
| US5949623A (en) * | 1997-09-11 | 1999-09-07 | International Business Machines Corporation | Monolayer longitudinal bias and sensor trackwidth definition for overlaid anisotropic and giant magnetoresistive heads |
| US6206181B1 (en) * | 1997-09-16 | 2001-03-27 | Motion Systems, L.C. | Gearless motorized conveyor roller |
| JP2000023423A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Ykk Corp | ブラシレスモータ用回転角検出器及びそれを用いたブラシレスモータ |
| DE59914570D1 (de) * | 1998-08-24 | 2008-01-17 | Levitronix Llc | Sensoranordnung in einem elektromagnetischen Drehantrieb |
-
1999
- 1999-04-21 JP JP11319099A patent/JP3504532B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2000
- 2000-04-20 US US09/553,484 patent/US6335578B1/en not_active Expired - Fee Related
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| JP2000308321A (ja) | 2000-11-02 |
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