JP3489992B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示器用ガラ
ス基板、カラーフィルタ用ガラス基板、フォトマスク用
基板、サーマルヘッド用セラミック基板、プリント基
板、半導体ウエハなどの基板の処理を行う基板処理装
置、特に、内部に基板を収容して処理液によって基板に
処理を施す処理チャンバーを有する基板処理装置に関す
る。
ス基板、カラーフィルタ用ガラス基板、フォトマスク用
基板、サーマルヘッド用セラミック基板、プリント基
板、半導体ウエハなどの基板の処理を行う基板処理装
置、特に、内部に基板を収容して処理液によって基板に
処理を施す処理チャンバーを有する基板処理装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】エッチング液や現像液などの処理液によ
って基板に処理を施す装置として、基板を処理チャンバ
ー内に収容し、停止しているあるいは搬送されている基
板に対してスプレーノズルから処理液を噴射して基板を
処理する装置がある。この装置においては、基板を処理
チャンバー内に収容して所定の間基板に処理液を供給し
て基板処理を行った後、スプレーノズルからの処理液噴
射を停止させて処理チャンバーから処理済みの基板を搬
出し次の新たな基板を搬入する。スプレーノズルから処
理液が噴射されているときには、処理チャンバー内で処
理液のミストが散乱している状態となるため、処理チャ
ンバーの基板搬出入用開口が閉められた状態で基板処理
が行われる。
って基板に処理を施す装置として、基板を処理チャンバ
ー内に収容し、停止しているあるいは搬送されている基
板に対してスプレーノズルから処理液を噴射して基板を
処理する装置がある。この装置においては、基板を処理
チャンバー内に収容して所定の間基板に処理液を供給し
て基板処理を行った後、スプレーノズルからの処理液噴
射を停止させて処理チャンバーから処理済みの基板を搬
出し次の新たな基板を搬入する。スプレーノズルから処
理液が噴射されているときには、処理チャンバー内で処
理液のミストが散乱している状態となるため、処理チャ
ンバーの基板搬出入用開口が閉められた状態で基板処理
が行われる。
【０００３】上記のような処理液による基板処理におい
ては、処理の開始のタイミングが極めて重要であり、こ
れが不均一となると基板表面に処理ムラが発生する。し
かしながら、上記のような装置では、バルブを閉めるこ
とでスプレーノズルからの処理液噴射を停止させて次の
新たな基板を搬入しているときに、スプレーノズルとバ
ルブとの間の配管内に残っている処理液が液滴となって
搬入中の基板に落下する。このようにスプレーノズルか
らの処理液噴射の前に基板上に処理液の液滴が落下する
と、処理後の基板に大きな処理ムラが発生する。
ては、処理の開始のタイミングが極めて重要であり、こ
れが不均一となると基板表面に処理ムラが発生する。し
かしながら、上記のような装置では、バルブを閉めるこ
とでスプレーノズルからの処理液噴射を停止させて次の
新たな基板を搬入しているときに、スプレーノズルとバ
ルブとの間の配管内に残っている処理液が液滴となって
搬入中の基板に落下する。このようにスプレーノズルか
らの処理液噴射の前に基板上に処理液の液滴が落下する
と、処理後の基板に大きな処理ムラが発生する。
【０００４】この基板の処理ムラを抑えるために、処理
チャンバーへの基板搬入時において、スプレーノズルか
らの処理液の噴射の前に、基板搬送方向と直交する方向
に延びるスリットから予め基板に対して処理液を層状に
吹き出す入口液カーテンを設けている装置がある。この
ように、基板搬入時において予め均一に処理液を基板上
に盛っておけば、スプレーノズルから処理液の液滴が落
下しても基板に大きな処理ムラが発生しない。
チャンバーへの基板搬入時において、スプレーノズルか
らの処理液の噴射の前に、基板搬送方向と直交する方向
に延びるスリットから予め基板に対して処理液を層状に
吹き出す入口液カーテンを設けている装置がある。この
ように、基板搬入時において予め均一に処理液を基板上
に盛っておけば、スプレーノズルから処理液の液滴が落
下しても基板に大きな処理ムラが発生しない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、入口液カーテ
ンによって予め基板上に処理液を盛った場合、スプレー
ノズルから処理液の液滴の落下による大きな処理ムラは
抑えることができるが、搬入完了までの長い時間基板上
に新鮮な処理液が供給されない状態で同じ処理液が滞る
ことになるため、これによる処理ムラが発生する。この
原因としては、基板の表面状態の不均一性や処理液の挙
動の不確実性が考えられるが、いずれにしても長い時間
基板上に同じ処理液が滞らせることは処理ムラにつなが
ってしまう。
ンによって予め基板上に処理液を盛った場合、スプレー
ノズルから処理液の液滴の落下による大きな処理ムラは
抑えることができるが、搬入完了までの長い時間基板上
に新鮮な処理液が供給されない状態で同じ処理液が滞る
ことになるため、これによる処理ムラが発生する。この
原因としては、基板の表面状態の不均一性や処理液の挙
動の不確実性が考えられるが、いずれにしても長い時間
基板上に同じ処理液が滞らせることは処理ムラにつなが
ってしまう。
【０００６】これを解消する方法として、基板搬入時に
おいて入口液カーテンによる処理液の吹き出しに加えて
スプレーノズルから処理液を噴射させることが考えられ
るが、この場合には処理チャンバーの搬入用開口を開け
た状態でスプレーノズルから処理液を噴射させることに
なるため、処理液のミストが処理チャンバー外に飛散す
る恐れがある。処理液のミストが処理チャンバー外に飛
散すると、装置が設置されるクリーンルーム内が汚染さ
れたり、他の装置に悪影響を及ぼすことになる。
おいて入口液カーテンによる処理液の吹き出しに加えて
スプレーノズルから処理液を噴射させることが考えられ
るが、この場合には処理チャンバーの搬入用開口を開け
た状態でスプレーノズルから処理液を噴射させることに
なるため、処理液のミストが処理チャンバー外に飛散す
る恐れがある。処理液のミストが処理チャンバー外に飛
散すると、装置が設置されるクリーンルーム内が汚染さ
れたり、他の装置に悪影響を及ぼすことになる。
【０００７】本発明の課題は、処理チャンバー内におい
て基板に処理液を供給して基板処理を行う基板処理装置
であって、処理した基板の処理ムラが少ない装置を提供
することにある。
て基板に処理液を供給して基板処理を行う基板処理装置
であって、処理した基板の処理ムラが少ない装置を提供
することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る基板処理
装置は、処理チャンバーと、搬送手段と、第１処理液供
給手段と、第２処理液供給手段とを備えている。処理チ
ャンバーは、内部に基板を収容するチャンバーであっ
て、この中で処理液による基板の処理が行われる。搬送
手段は、処理チャンバーに基板を搬出入する。第１処理
液供給手段は、処理チャンバー内に設けられており、基
板搬送方向と交差する方向に延びている。第２処理液供
給手段は、処理チャンバー内に設けられており、基板搬
送方向に沿った方向に延びている。これらの第１及び第
２処理液供給手段は、ともに処理チャンバーに搬入され
てくる基板に対して処理液を供給する。そして、この基
板処理装置においては、第１処理液供給手段から供給さ
れる処理液の流れ（以下、第１処理液流という。）と第
２処理液供給手段から供給される処理液の流れ（以下、
第２処理液流という。）とが処理チャンバーに搬入され
てくる基板上において交わるようにされている。そして
さらに、第１及び第２処理液供給手段は、処理チャンバ
ーに搬入されてくる基板に対して、スリットから処理液
を斜め方向に流出する。
装置は、処理チャンバーと、搬送手段と、第１処理液供
給手段と、第２処理液供給手段とを備えている。処理チ
ャンバーは、内部に基板を収容するチャンバーであっ
て、この中で処理液による基板の処理が行われる。搬送
手段は、処理チャンバーに基板を搬出入する。第１処理
液供給手段は、処理チャンバー内に設けられており、基
板搬送方向と交差する方向に延びている。第２処理液供
給手段は、処理チャンバー内に設けられており、基板搬
送方向に沿った方向に延びている。これらの第１及び第
２処理液供給手段は、ともに処理チャンバーに搬入され
てくる基板に対して処理液を供給する。そして、この基
板処理装置においては、第１処理液供給手段から供給さ
れる処理液の流れ（以下、第１処理液流という。）と第
２処理液供給手段から供給される処理液の流れ（以下、
第２処理液流という。）とが処理チャンバーに搬入され
てくる基板上において交わるようにされている。そして
さらに、第１及び第２処理液供給手段は、処理チャンバ
ーに搬入されてくる基板に対して、スリットから処理液
を斜め方向に流出する。
【０００９】ここでは、従来から設置されている第１処
理液供給手段に加えて第２処理液供給手段を設けて、搬
入されてくる基板の上面において第１処理液流と第２処
理液流とを交わらせている。したがって、搬入されてく
る基板上において、第１処理液流により基板上に盛られ
た処理液が第２処理液流によって流動し、基板上におい
て同じ処理液が滞る現象が少なくなる。これにより、処
理後の基板に処理ムラができることが抑えられる。
理液供給手段に加えて第２処理液供給手段を設けて、搬
入されてくる基板の上面において第１処理液流と第２処
理液流とを交わらせている。したがって、搬入されてく
る基板上において、第１処理液流により基板上に盛られ
た処理液が第２処理液流によって流動し、基板上におい
て同じ処理液が滞る現象が少なくなる。これにより、処
理後の基板に処理ムラができることが抑えられる。
【００１０】なお、第１及び第２処理液供給手段は、搬
入されてくる基板に対して予め処理液を供給するもので
あって、基板搬入中であっても、すなわち搬入口が開い
ている状態であっても処理チャンバー外に処理液が飛び
出さない程度に処理液を供給することが望ましい。
入されてくる基板に対して予め処理液を供給するもので
あって、基板搬入中であっても、すなわち搬入口が開い
ている状態であっても処理チャンバー外に処理液が飛び
出さない程度に処理液を供給することが望ましい。
【００１１】また、両処理液供給手段が処理液を斜め方
向に流出するため、単に処理液を基板に流下させる場合
に較べて、基板上での処理液の流れが速くなる。これに
より、搬入されてくる基板上における処理液の流動が多
くなって、処理後の基板の処理ムラがより少なくなる。
さらに、第１処理液供給手段からの第１処理液流が基板
搬送方向上流側に流れて、処理液が処理チャンバー外に
流出するという不具合をより確実に抑えることができ
る。
向に流出するため、単に処理液を基板に流下させる場合
に較べて、基板上での処理液の流れが速くなる。これに
より、搬入されてくる基板上における処理液の流動が多
くなって、処理後の基板の処理ムラがより少なくなる。
さらに、第１処理液供給手段からの第１処理液流が基板
搬送方向上流側に流れて、処理液が処理チャンバー外に
流出するという不具合をより確実に抑えることができ
る。
【００１２】なお、両処理液供給手段はスリットから処
理液を流出するので、処理液は層状に流出されて基板に
当たる。したがって、基板に概ね均一に処理液が供給さ
れるとともに、基板との衝突による処理液のミスト化が
抑えられる。
理液を流出するので、処理液は層状に流出されて基板に
当たる。したがって、基板に概ね均一に処理液が供給さ
れるとともに、基板との衝突による処理液のミスト化が
抑えられる。
【００１３】請求項２に係る基板処理装置は、処理チャ
ンバーと、搬送手段と、第１処理液供給手段と、第２処
理液供給手段とを備えている。処理チャンバーは、内部
に基板を収容し、処理液によって基板に処理を施す。搬
送手段は処理チャンバーに基板を搬出入する。第１処理
液供給手段は、処理チャンバー内に設けられ、基板搬送
方向と交差する方向に延び、処理チャンバーに搬入され
てくる基板に対して処理液を供給する。第２処理液供給
手段は、処理チャンバー内に設けられ、基板搬送方向に
沿った方向に延び、処理チャンバーに搬入されてくる基
板に対して処理液を供給する。そして、処理チャンバー
に搬入されてくる基板上において、第１処理液供給手段
から供給される処理液の流れと第２処理液供給手段から
供給される処理液の流れとが交わり、第１処理液供給手
段は、処理チャンバーに搬入されてくる基板に対して、
スリットから処理液を斜め方向に流出する。また、第２
処理液供給手段は、複数の孔が形成された筒状部材を有
しており、処理チャンバーに搬入されてくる基板に対し
て、孔から処理液を流出する。
ンバーと、搬送手段と、第１処理液供給手段と、第２処
理液供給手段とを備えている。処理チャンバーは、内部
に基板を収容し、処理液によって基板に処理を施す。搬
送手段は処理チャンバーに基板を搬出入する。第１処理
液供給手段は、処理チャンバー内に設けられ、基板搬送
方向と交差する方向に延び、処理チャンバーに搬入され
てくる基板に対して処理液を供給する。第２処理液供給
手段は、処理チャンバー内に設けられ、基板搬送方向に
沿った方向に延び、処理チャンバーに搬入されてくる基
板に対して処理液を供給する。そして、処理チャンバー
に搬入されてくる基板上において、第１処理液供給手段
から供給される処理液の流れと第２処理液供給手段から
供給される処理液の流れとが交わり、第１処理液供給手
段は、処理チャンバーに搬入されてくる基板に対して、
スリットから処理液を斜め方向に流出する。また、第２
処理液供給手段は、複数の孔が形成された筒状部材を有
しており、処理チャンバーに搬入されてくる基板に対し
て、孔から処理液を流出する。
【００１４】ここでは、前記同様に、基板上において同
じ処理液が滞る現象が少なくなり、これにより、処理後
の基板に処理ムラができることが抑えられる。また、第
１処理液供給手段が処理液を斜め方向に流出するため、
単に処理液を基板に流下させる場合に較べて、基板上で
の処理液の流れが速くなる。これにより、搬入されてく
る基板上における処理液の流動が多くなって、処理後の
基板の処理ムラがより少なくなる。また、第１処理液供
給手段からの第１処理液流が基板搬送方向上流側に流れ
て、処理液が処理チャンバー外に流出するという不具合
をより確実に抑えることができる。さらに、第２処理液
供給手段は、スリットではなく複数の孔が形成された筒
状部材を構成要素としているため、スリットを有する構
造とする場合に較べて製作コストが安くなる。
じ処理液が滞る現象が少なくなり、これにより、処理後
の基板に処理ムラができることが抑えられる。また、第
１処理液供給手段が処理液を斜め方向に流出するため、
単に処理液を基板に流下させる場合に較べて、基板上で
の処理液の流れが速くなる。これにより、搬入されてく
る基板上における処理液の流動が多くなって、処理後の
基板の処理ムラがより少なくなる。また、第１処理液供
給手段からの第１処理液流が基板搬送方向上流側に流れ
て、処理液が処理チャンバー外に流出するという不具合
をより確実に抑えることができる。さらに、第２処理液
供給手段は、スリットではなく複数の孔が形成された筒
状部材を構成要素としているため、スリットを有する構
造とする場合に較べて製作コストが安くなる。
【００１５】請求項３に係る基板処理装置は、請求項１
又は２に記載の装置であって、処理チャンバーに搬入さ
れて処理チャンバー内の所定位置に収容された基板に対
して、基板の上方から処理液を供給する第３処理液供給
手段をさらに備えている。
又は２に記載の装置であって、処理チャンバーに搬入さ
れて処理チャンバー内の所定位置に収容された基板に対
して、基板の上方から処理液を供給する第３処理液供給
手段をさらに備えている。
【００１６】ここでは、搬入が完了して処理チャンバー
内の所定位置に収容された基板に対して、第３処理液供
給手段からの処理液供給により基板処理が行われる。こ
の第３処理液供給手段は基板の上方から処理液を供給す
る、すなわち基板上方に処理液の供給口を有しているた
め、処理液を供給していない基板搬入時においても基板
上面に処理液の液滴が落ちる恐れがあるが、このような
処理液の液滴の落下があった場合でも、第１及び第２処
理液供給手段により基板上に処理液が盛られているので
処理ムラが殆ど発生しない。
内の所定位置に収容された基板に対して、第３処理液供
給手段からの処理液供給により基板処理が行われる。こ
の第３処理液供給手段は基板の上方から処理液を供給す
る、すなわち基板上方に処理液の供給口を有しているた
め、処理液を供給していない基板搬入時においても基板
上面に処理液の液滴が落ちる恐れがあるが、このような
処理液の液滴の落下があった場合でも、第１及び第２処
理液供給手段により基板上に処理液が盛られているので
処理ムラが殆ど発生しない。
【００１７】請求項４に係る基板処理装置は、処理チャ
ンバーと、搬送手段と、第１処理液供給手段と、第２処
理液供給手段とを備えている。処理チャンバーは、内部
に基板を収容し、処理液によって基板に処理を施す。搬
送手段は処理チャンバーに基板を搬出入する。第１処理
液供給手段は、処理チャンバー内の搬入口付近に設けら
れ、基板搬送方向と交差する方向に延び、処理チャンバ
ーに搬入されてくる基板に対して処理液を供給する。第
２処理液供給手段は、処理チャンバー内に設けられ、基
板搬送方向に沿った方向に延び、処理チャンバーに搬入
されてくる基板に対して処理液を供給する。第３処理液
供給手段は、処理チャンバーに搬入されて処理チャンバ
ー内の所定位置に収容された基板に対して、基板の上方
から処理液を供給する。そして、処理チャンバーに搬入
されてくる基板上において、第１処理液供給手段から供
給される処理液の流れと第２処理液供給手段から供給さ
れる処理液の流れとが交わる。この場合も、前記同様
に、基板上において同じ処理液が滞る現象が少なくな
り、これにより、処理後の基板に処理ムラができること
が抑えられる。
ンバーと、搬送手段と、第１処理液供給手段と、第２処
理液供給手段とを備えている。処理チャンバーは、内部
に基板を収容し、処理液によって基板に処理を施す。搬
送手段は処理チャンバーに基板を搬出入する。第１処理
液供給手段は、処理チャンバー内の搬入口付近に設けら
れ、基板搬送方向と交差する方向に延び、処理チャンバ
ーに搬入されてくる基板に対して処理液を供給する。第
２処理液供給手段は、処理チャンバー内に設けられ、基
板搬送方向に沿った方向に延び、処理チャンバーに搬入
されてくる基板に対して処理液を供給する。第３処理液
供給手段は、処理チャンバーに搬入されて処理チャンバ
ー内の所定位置に収容された基板に対して、基板の上方
から処理液を供給する。そして、処理チャンバーに搬入
されてくる基板上において、第１処理液供給手段から供
給される処理液の流れと第２処理液供給手段から供給さ
れる処理液の流れとが交わる。この場合も、前記同様
に、基板上において同じ処理液が滞る現象が少なくな
り、これにより、処理後の基板に処理ムラができること
が抑えられる。
【００１８】請求項５に係る基板処理装置は、処理チャ
ンバーと、搬送手段と、第１処理液供給手段と、第２処
理液供給手段と、第３処理液供給手段とを備えている。
処理チャンバーは、内部に基板を収容し、処理液によっ
て基板に処理を施す。搬送手段は処理チャンバーに基板
を搬出入する。第１処理液供給手段は、処理チャンバー
内に設けられ、基板搬送方向と交差する方向に延び、処
理チャンバーに搬入されてくる基板に対して処理液を供
給する。第２処理液供給手段は、処理チャンバー内に設
けられ、基板搬送方向に沿った方向に延び、処理チャン
バーに搬入されてくる基板に対して処理液を供給する。
第３処理液供給手段は、処理チャンバーに搬入されて処
理チャンバー内の所定位置に収容された基板に対して、
基板の上方から処理液を供給する。そして、処理チャン
バーに搬入されてくる基板上において、第３処理液供給
手段で処理液を供給する前に第１及び第２処理液供給手
段から処理液が供給され、第１処理液供給手段から供給
される処理液の流れと第２処理液供給手段から供給され
る処理液の流れとが交わる。
ンバーと、搬送手段と、第１処理液供給手段と、第２処
理液供給手段と、第３処理液供給手段とを備えている。
処理チャンバーは、内部に基板を収容し、処理液によっ
て基板に処理を施す。搬送手段は処理チャンバーに基板
を搬出入する。第１処理液供給手段は、処理チャンバー
内に設けられ、基板搬送方向と交差する方向に延び、処
理チャンバーに搬入されてくる基板に対して処理液を供
給する。第２処理液供給手段は、処理チャンバー内に設
けられ、基板搬送方向に沿った方向に延び、処理チャン
バーに搬入されてくる基板に対して処理液を供給する。
第３処理液供給手段は、処理チャンバーに搬入されて処
理チャンバー内の所定位置に収容された基板に対して、
基板の上方から処理液を供給する。そして、処理チャン
バーに搬入されてくる基板上において、第３処理液供給
手段で処理液を供給する前に第１及び第２処理液供給手
段から処理液が供給され、第１処理液供給手段から供給
される処理液の流れと第２処理液供給手段から供給され
る処理液の流れとが交わる。
【００１９】ここでは、前記同様に、基板上において同
じ処理液が滞る現象が少なくなり、これにより、処理後
の基板に処理ムラができることが抑えられる。また、搬
入が完了して処理チャンバー内の所定位置に収容された
基板に対して、第３処理液供給手段からの処理液供給に
より基板処理が行われる。この第３処理液供給手段は基
板の上方から処理液を供給する、すなわち基板上方に処
理液の供給口を有しているため、処理液を供給していな
い基板搬入時においても基板上面に処理液の液滴が落ち
る恐れがあるが、このような処理液の液滴の落下があっ
た場合でも、第１及び第２処理液供給手段により基板上
に処理液が盛られているので処理ムラが殆ど発生しな
い。
じ処理液が滞る現象が少なくなり、これにより、処理後
の基板に処理ムラができることが抑えられる。また、搬
入が完了して処理チャンバー内の所定位置に収容された
基板に対して、第３処理液供給手段からの処理液供給に
より基板処理が行われる。この第３処理液供給手段は基
板の上方から処理液を供給する、すなわち基板上方に処
理液の供給口を有しているため、処理液を供給していな
い基板搬入時においても基板上面に処理液の液滴が落ち
る恐れがあるが、このような処理液の液滴の落下があっ
た場合でも、第１及び第２処理液供給手段により基板上
に処理液が盛られているので処理ムラが殆ど発生しな
い。
【００２０】請求項６に係る基板処理装置は、処理チャ
ンバーと、搬送手段と、第１処理液供給手段と、第２処
理液供給手段と、第３処理液供給手段とを備えている。
処理チャンバーは、内部に基板を収容し、処理液によっ
て基板に処理を施す。搬送手段は処理チャンバーに基板
を搬出入する。第１処理液供給手段は、処理チャンバー
内に設けられ、基板搬送方向と交差する方向に延び、処
理チャンバーに搬入されてくる基板に対して処理液を供
給する。第２処理液供給手段は、処理チャンバー内に設
けられ、基板搬送方向に沿った方向に延び、処理チャン
バーに搬入されてくる基板に対して処理液を供給する。
第３処理液供給手段は、処理チャンバーに搬入されて処
理チャンバー内の所定位置に収容された基板に対して、
基板の上方から処理液を供給する。そして、第１及び第
２処理液供給手段は、処理チャンバー内の第３処理液供
給手段で処理されているときの位置に収容された基板の
上方空間の外部に配置されており、処理チャンバーに搬
入されてくる基板上において、第１処理液供給手段から
供給される処理液の流れと第２処理液供給手段から供給
される処理液の流れとが交わる。
ンバーと、搬送手段と、第１処理液供給手段と、第２処
理液供給手段と、第３処理液供給手段とを備えている。
処理チャンバーは、内部に基板を収容し、処理液によっ
て基板に処理を施す。搬送手段は処理チャンバーに基板
を搬出入する。第１処理液供給手段は、処理チャンバー
内に設けられ、基板搬送方向と交差する方向に延び、処
理チャンバーに搬入されてくる基板に対して処理液を供
給する。第２処理液供給手段は、処理チャンバー内に設
けられ、基板搬送方向に沿った方向に延び、処理チャン
バーに搬入されてくる基板に対して処理液を供給する。
第３処理液供給手段は、処理チャンバーに搬入されて処
理チャンバー内の所定位置に収容された基板に対して、
基板の上方から処理液を供給する。そして、第１及び第
２処理液供給手段は、処理チャンバー内の第３処理液供
給手段で処理されているときの位置に収容された基板の
上方空間の外部に配置されており、処理チャンバーに搬
入されてくる基板上において、第１処理液供給手段から
供給される処理液の流れと第２処理液供給手段から供給
される処理液の流れとが交わる。
【００２１】ここでは、前記同様に、基板上において同
じ処理液が滞る現象が少なくなり、これにより、処理後
の基板に処理ムラができることが抑えられる。また、第
３処理液供給手段による基板処理中に、第１及び第２処
理液供給手段から処理液の液滴が基板上に落下すること
が回避される。
じ処理液が滞る現象が少なくなり、これにより、処理後
の基板に処理ムラができることが抑えられる。また、第
３処理液供給手段による基板処理中に、第１及び第２処
理液供給手段から処理液の液滴が基板上に落下すること
が回避される。
【００２２】すなわち、搬入が完了すると第１及び第２
処理液供給手段からの処理液供給は必要なくなるが、処
理液供給を停止しても多少の液滴が落下することが考え
られる。この液滴が第３処理液供給手段による基板処理
中に基板上に落下するとその部分に処理ムラが生じるこ
とがあるが、ここでは第１及び第２処理液供給手段を基
板の上方空間の外部に配置しているため、これらからの
処理液の液滴が基板処理中に基板上に落下することはな
い。
処理液供給手段からの処理液供給は必要なくなるが、処
理液供給を停止しても多少の液滴が落下することが考え
られる。この液滴が第３処理液供給手段による基板処理
中に基板上に落下するとその部分に処理ムラが生じるこ
とがあるが、ここでは第１及び第２処理液供給手段を基
板の上方空間の外部に配置しているため、これらからの
処理液の液滴が基板処理中に基板上に落下することはな
い。
【００２３】なお、所定の流速をつけて第２処理液供給
手段から処理液を斜めに流出させれば、搬入 される基板
の上方空間から第２処理液供給手段が外れていても搬入
中の基板に処理液を供給することができる。
手段から処理液を斜めに流出させれば、搬入 される基板
の上方空間から第２処理液供給手段が外れていても搬入
中の基板に処理液を供給することができる。
【００２４】請求項７に係る基板処理装置は、請求項１
から６のいずれかの装置において、搬送手段は、基板を
傾斜させた状態で、処理チャンバーに基板を搬入する。
この基板の傾斜は、基板搬送方向と直交する面と基板と
の交線が水平面に対して傾斜するような傾斜である。ま
た、第２処理液供給手段は、傾斜状態で搬入されてくる
基板の最上部から処理液を供給する。
から６のいずれかの装置において、搬送手段は、基板を
傾斜させた状態で、処理チャンバーに基板を搬入する。
この基板の傾斜は、基板搬送方向と直交する面と基板と
の交線が水平面に対して傾斜するような傾斜である。ま
た、第２処理液供給手段は、傾斜状態で搬入されてくる
基板の最上部から処理液を供給する。
【００２５】基板を上記のように傾斜させた状態で処理
チャンバーに搬入する場合、もし第１処理液供給手段だ
けから搬入中の基板に処理液を供給していると、一旦基
板上に盛られた処理液が搬入中の基板から流れ落ちてし
まう。これでは、基板搬入時において予め処理液を基板
上全体に盛って処理液の液滴の落下による大きな処理ム
ラの発生を防止するという目的が達成されない。
チャンバーに搬入する場合、もし第１処理液供給手段だ
けから搬入中の基板に処理液を供給していると、一旦基
板上に盛られた処理液が搬入中の基板から流れ落ちてし
まう。これでは、基板搬入時において予め処理液を基板
上全体に盛って処理液の液滴の落下による大きな処理ム
ラの発生を防止するという目的が達成されない。
【００２６】ここでは、第１処理液供給手段に加えて、
傾斜状態で搬入されてくる基板の最上部から処理液を供
給する第２処理液供給手段を設けている。このため、搬
入されてくる基板上には常に処理液が存在することにな
り、処理液の液滴の落下による処理ムラを防ぐことがで
きる。また、搬入されてくる基板上において常に処理液
の流れが存在するため、基板上において同じ処理液が滞
る現象がより少なくなり、処理後の基板に処理ムラがで
きることを効果的に抑えることができる。
傾斜状態で搬入されてくる基板の最上部から処理液を供
給する第２処理液供給手段を設けている。このため、搬
入されてくる基板上には常に処理液が存在することにな
り、処理液の液滴の落下による処理ムラを防ぐことがで
きる。また、搬入されてくる基板上において常に処理液
の流れが存在するため、基板上において同じ処理液が滞
る現象がより少なくなり、処理後の基板に処理ムラがで
きることを効果的に抑えることができる。
【００２７】請求項８に係る基板処理装置は、処理チャ
ンバーと、搬送手段と、第１処理液供給手段と、第２処
理液供給手段と、第３処理液供給手段とを備えている。
処理チャンバーは、内部に基板を収容し、処理液によっ
て基板に処理を施す。搬送手段は処理チャンバーに基板
を搬出入する。第１処理液供給手段は、処理チャンバー
内に設けられ、基板搬送方向と交差する方向に延び、処
理チャンバーに搬入されてくる基板に対して処理液を供
給する。第２処理液供給手段は、処理チャンバー内に設
けられ、基板搬送方向に沿った方向に延び、処理チャン
バーに搬入されてくる基板に対して処理液を供給する。
第３処理液供給手段は、処理チャンバーに搬入されて処
理チャンバー内の所定位置に収容された基板に対して、
基板の上方から処理液を供給する。そして、処理チャン
バーに搬入されてくる基板上において、第１処理液供給
手段から供給される処理液の流れと第２処理液供給手段
から供給される処理液の流れとが交わる。また、第３処
理液供給手段は基板に対して処理液を噴射するスプレー
ノズルを有し、処理チャンバーは、基板を搬出入するた
めの開口と、前記開口を開閉する開閉手段とを有してい
る。そしてさらに、搬送手段、開閉手段、第１処理液供
給手段、第２処理液供給手段、及び第３処理液供給手段
を制御する制御手段であって、開閉手段によって基板を
搬入するための開口を開けた状態において第１及び第２
処理液供給手段から処理液を供給させながら処理チャン
バーに基板を搬入させ、基板が搬入され基板が処理チャ
ンバー内の所定位置に収容された後に第１及び第２処理
液供給手段からの処理液の供給を停止して開口を閉じた
状態で第３処理液供給手段から処理液を噴射させる制御
手段をさらに備えている。
ンバーと、搬送手段と、第１処理液供給手段と、第２処
理液供給手段と、第３処理液供給手段とを備えている。
処理チャンバーは、内部に基板を収容し、処理液によっ
て基板に処理を施す。搬送手段は処理チャンバーに基板
を搬出入する。第１処理液供給手段は、処理チャンバー
内に設けられ、基板搬送方向と交差する方向に延び、処
理チャンバーに搬入されてくる基板に対して処理液を供
給する。第２処理液供給手段は、処理チャンバー内に設
けられ、基板搬送方向に沿った方向に延び、処理チャン
バーに搬入されてくる基板に対して処理液を供給する。
第３処理液供給手段は、処理チャンバーに搬入されて処
理チャンバー内の所定位置に収容された基板に対して、
基板の上方から処理液を供給する。そして、処理チャン
バーに搬入されてくる基板上において、第１処理液供給
手段から供給される処理液の流れと第２処理液供給手段
から供給される処理液の流れとが交わる。また、第３処
理液供給手段は基板に対して処理液を噴射するスプレー
ノズルを有し、処理チャンバーは、基板を搬出入するた
めの開口と、前記開口を開閉する開閉手段とを有してい
る。そしてさらに、搬送手段、開閉手段、第１処理液供
給手段、第２処理液供給手段、及び第３処理液供給手段
を制御する制御手段であって、開閉手段によって基板を
搬入するための開口を開けた状態において第１及び第２
処理液供給手段から処理液を供給させながら処理チャン
バーに基板を搬入させ、基板が搬入され基板が処理チャ
ンバー内の所定位置に収容された後に第１及び第２処理
液供給手段からの処理液の供給を停止して開口を閉じた
状態で第３処理液供給手段から処理液を噴射させる制御
手段をさらに備えている。
【００２８】ここでは、前記同様に、基板上において同
じ処理液が滞る現象が少なくなり、これにより、処理後
の基板に処理ムラができることが抑えられる。また、基
板を処理チャンバーに搬入するときには、第１及び第２
処理液供給手段により基板上に処理液を盛って、スプレ
ーノズルからの処理液の落下による処理ムラを抑える。
また、第３処理液供給手段による基板への処理液噴射時
には、開口を閉じた状態で処理液を噴射するため、処理
液がミスト状になって処理チャンバー外に漏れ出ること
が抑えられる。
じ処理液が滞る現象が少なくなり、これにより、処理後
の基板に処理ムラができることが抑えられる。また、基
板を処理チャンバーに搬入するときには、第１及び第２
処理液供給手段により基板上に処理液を盛って、スプレ
ーノズルからの処理液の落下による処理ムラを抑える。
また、第３処理液供給手段による基板への処理液噴射時
には、開口を閉じた状態で処理液を噴射するため、処理
液がミスト状になって処理チャンバー外に漏れ出ること
が抑えられる。
【００２９】請求項９に係る基板処理装置は、請求項１
から８のいずれかに記載の装置において、第 １処理液供
給手段は、基板の搬送方向に直交する方向に沿った長さ
よりも長い範囲にわたって処理液を供給し、第２処理液
供給手段は、基板の搬送方向に沿った長さよりも長い範
囲にわたって処理液を供給する。
から８のいずれかに記載の装置において、第 １処理液供
給手段は、基板の搬送方向に直交する方向に沿った長さ
よりも長い範囲にわたって処理液を供給し、第２処理液
供給手段は、基板の搬送方向に沿った長さよりも長い範
囲にわたって処理液を供給する。
【００３０】請求項１０に係る基板処理装置は、請求項
１から９のいずれかに記載の装置において、第２処理液
供給手段は処理チャンバー内の側面付近に設けられてい
る。
１から９のいずれかに記載の装置において、第２処理液
供給手段は処理チャンバー内の側面付近に設けられてい
る。
【００３１】
【発明の実施の形態】＜装置の全体構成＞
図１に本発明の一実施形態である基板処理装置１を示
す。基板処理装置１は、液晶表示器用のガラスの基板Ｗ
上に形成された薄膜にエッチング処理を施す装置であっ
て、主として、入口コンベアチャンバー２、エッチング
処理チャンバー（処理チャンバー）３、水洗処理チャン
バー４，及び乾燥搬出チャンバー５と、各チャンバー２
〜５に配備される搬送ローラ（搬送手段）６とから構成
されている。各チャンバー２〜５の下方の空間には、エ
ッチング処理チャンバー３に薬液を供給するための薬液
槽や配管、水洗処理チャンバー４に純水を供給するため
の純水槽や配管、高圧空気・排気・排液・排水等の各種
配管、制御装置や電気配線等が配置される。
す。基板処理装置１は、液晶表示器用のガラスの基板Ｗ
上に形成された薄膜にエッチング処理を施す装置であっ
て、主として、入口コンベアチャンバー２、エッチング
処理チャンバー（処理チャンバー）３、水洗処理チャン
バー４，及び乾燥搬出チャンバー５と、各チャンバー２
〜５に配備される搬送ローラ（搬送手段）６とから構成
されている。各チャンバー２〜５の下方の空間には、エ
ッチング処理チャンバー３に薬液を供給するための薬液
槽や配管、水洗処理チャンバー４に純水を供給するため
の純水槽や配管、高圧空気・排気・排液・排水等の各種
配管、制御装置や電気配線等が配置される。
【００３２】＜装置の動作概略＞
表面に薄膜が形成された基板Ｗが基板処理装置１に運ば
れてくると、まず基板Ｗは入口コンベアチャンバー２に
搬入される。その後、基板Ｗは搬送ローラ６によってエ
ッチング処理チャンバー３に移動する。エッチング処理
チャンバー３では、エッチング用の薬液（処理液）が基
板Ｗに噴射され、基板表面上の薄膜が所定の厚さだけ食
刻される。このようにエッチングされた基板Ｗは、次に
水洗処理チャンバー４に送られて、基板Ｗに付着した薬
液が洗い流される。そして、水洗処理を終えた基板Ｗ
は、乾燥搬出チャンバー５でエアー吹き付けによる乾燥
処理が行われた後に搬出される。
れてくると、まず基板Ｗは入口コンベアチャンバー２に
搬入される。その後、基板Ｗは搬送ローラ６によってエ
ッチング処理チャンバー３に移動する。エッチング処理
チャンバー３では、エッチング用の薬液（処理液）が基
板Ｗに噴射され、基板表面上の薄膜が所定の厚さだけ食
刻される。このようにエッチングされた基板Ｗは、次に
水洗処理チャンバー４に送られて、基板Ｗに付着した薬
液が洗い流される。そして、水洗処理を終えた基板Ｗ
は、乾燥搬出チャンバー５でエアー吹き付けによる乾燥
処理が行われた後に搬出される。
【００３３】なおここでは、基板Ｗは各チャンバー２〜
５において所定の傾斜状態とされて処理・搬送される
（図２参照）。この基板Ｗの傾斜は、基板搬送方向（図
１の左から右へ向かう方向）と直交する面と基板Ｗとの
交線が水平面Ｈに対して角度θ１だけ傾斜するような傾
斜である（図２及び図８の角度θ１参照）。角度θ１
は、エッチング処理の効率等を考慮して、ここでは５゜
〜１０゜に設定されている。
５において所定の傾斜状態とされて処理・搬送される
（図２参照）。この基板Ｗの傾斜は、基板搬送方向（図
１の左から右へ向かう方向）と直交する面と基板Ｗとの
交線が水平面Ｈに対して角度θ１だけ傾斜するような傾
斜である（図２及び図８の角度θ１参照）。角度θ１
は、エッチング処理の効率等を考慮して、ここでは５゜
〜１０゜に設定されている。
【００３４】＜エッチング処理チャンバーの詳細＞
エッチング処理チャンバー３には、図１に示すように、
主として、基板搬入時に基板Ｗに薬液を層状に吹き付け
る入口液カーテン（第１処理液供給手段）３１／スリッ
トカーテン（第２処理液供給手段）３２、基板Ｗに薬液
を噴射する上部スプレーノズル（第３処理液供給手段）
３３ａ／下部スプレーノズル３３ｂ、基板Ｗを搬送ロー
ラ６によって基板搬送方向に沿って揺動させるときに使
用する位置センサー３４，３５、及びエッチングの終点
を検出する光学反射式のＥＰＳ（エンド・ポイント・セ
ンサー）３６が配置されている。また、エッチング処理
チャンバー３には、入口コンベアチャンバー２から基板
Ｗを搬入するための搬入口及びこの搬入口を開閉する搬
入シャッター３ａと、水洗処理チャンバー４へと基板Ｗ
を搬出するための搬出口及びこの搬出口を開閉する搬出
シャッター３ｂとが設けられている。
主として、基板搬入時に基板Ｗに薬液を層状に吹き付け
る入口液カーテン（第１処理液供給手段）３１／スリッ
トカーテン（第２処理液供給手段）３２、基板Ｗに薬液
を噴射する上部スプレーノズル（第３処理液供給手段）
３３ａ／下部スプレーノズル３３ｂ、基板Ｗを搬送ロー
ラ６によって基板搬送方向に沿って揺動させるときに使
用する位置センサー３４，３５、及びエッチングの終点
を検出する光学反射式のＥＰＳ（エンド・ポイント・セ
ンサー）３６が配置されている。また、エッチング処理
チャンバー３には、入口コンベアチャンバー２から基板
Ｗを搬入するための搬入口及びこの搬入口を開閉する搬
入シャッター３ａと、水洗処理チャンバー４へと基板Ｗ
を搬出するための搬出口及びこの搬出口を開閉する搬出
シャッター３ｂとが設けられている。
【００３５】入口液カーテン３１は、エッチング処理チ
ャンバー３内の搬入口付近に設けられており、基板搬送
方向（図１の左から右へと向かう方向）と直交する方向
に延びている（図２参照）。但し、水平面に対しては、
搬送ローラ６や基板Ｗと同じく角度θ１だけ傾斜した状
態で固定されている。この入口液カーテン３１は、搬入
されてくる基板Ｗに対して薬液をスリットから斜めに層
状に吹き出すが、その吹き出しの角度θ２（図７参照）
は基板Ｗの表面に対して約２０゜に設定されている。な
お、この入口液カーテン３１のスリットの長さは、基板
Ｗの搬送方向に直交する方向に沿った長さ（基板Ｗの
幅）よりも長い（図５参照）。
ャンバー３内の搬入口付近に設けられており、基板搬送
方向（図１の左から右へと向かう方向）と直交する方向
に延びている（図２参照）。但し、水平面に対しては、
搬送ローラ６や基板Ｗと同じく角度θ１だけ傾斜した状
態で固定されている。この入口液カーテン３１は、搬入
されてくる基板Ｗに対して薬液をスリットから斜めに層
状に吹き出すが、その吹き出しの角度θ２（図７参照）
は基板Ｗの表面に対して約２０゜に設定されている。な
お、この入口液カーテン３１のスリットの長さは、基板
Ｗの搬送方向に直交する方向に沿った長さ（基板Ｗの
幅）よりも長い（図５参照）。
【００３６】スリットカーテン３２は、エッチング処理
チャンバー３内の側面付近に設けられており、基板搬送
方向と同じ方向に延びている。このスリットカーテン３
２は、傾斜状態で搬入されてくる基板Ｗの最上部（図２
の基板Ｗの向こう側の側端部）に対して、スリットから
薬液を斜めに層状に吹き出す。この吹き出しの角度も、
基板Ｗの表面に対して約２０゜に設定されており、水平
面Ｈから見れば２５〜３０゜ぐらいの角度θ３に設定さ
れている。なお、このスリットカーテン３２のスリット
の長さは、基板Ｗの搬送方向に沿った長さよりも長い
（図５参照）。
チャンバー３内の側面付近に設けられており、基板搬送
方向と同じ方向に延びている。このスリットカーテン３
２は、傾斜状態で搬入されてくる基板Ｗの最上部（図２
の基板Ｗの向こう側の側端部）に対して、スリットから
薬液を斜めに層状に吹き出す。この吹き出しの角度も、
基板Ｗの表面に対して約２０゜に設定されており、水平
面Ｈから見れば２５〜３０゜ぐらいの角度θ３に設定さ
れている。なお、このスリットカーテン３２のスリット
の長さは、基板Ｗの搬送方向に沿った長さよりも長い
（図５参照）。
【００３７】そして、図５に示すように、入口液カーテ
ン３１から供給される薬液の流れ（以下、第１薬液流Ｆ
１という。）とスリットカーテン３２から供給される薬
液の流れ（以下、第２薬液流Ｆ２という。）とがエッチ
ング処理チャンバー３に搬入されてくる基板Ｗの表面に
おいて交わるように、入口液カーテン３１とスリットカ
ーテン３２とは隣接して設けられている。
ン３１から供給される薬液の流れ（以下、第１薬液流Ｆ
１という。）とスリットカーテン３２から供給される薬
液の流れ（以下、第２薬液流Ｆ２という。）とがエッチ
ング処理チャンバー３に搬入されてくる基板Ｗの表面に
おいて交わるように、入口液カーテン３１とスリットカ
ーテン３２とは隣接して設けられている。
【００３８】また、図６に示すように、入口液カーテン
３１及びスリットカーテン３２は、エッチング処理チャ
ンバー３内の所定位置Ｓに収容された基板Ｗの上方空間
から外れた位置に配置されている。
３１及びスリットカーテン３２は、エッチング処理チャ
ンバー３内の所定位置Ｓに収容された基板Ｗの上方空間
から外れた位置に配置されている。
【００３９】上部スプレーノズル３３ａ及び下部スプレ
ーノズル３３ｂは、図２に示すように、それぞれ基板Ｗ
の搬送方向に沿って延設され、基板Ｗの幅方向に等間隔
に複数のものが配置される。また、各スプレーノズル３
３ａ，３３ｂは、基板Ｗが所定位置Ｓに搬入されてきた
後に、長手方向を軸として所定角度だけ往復回転運動し
ながら基板Ｗに概ね均一に薬液を噴射する。このエッチ
ング処理チャンバー３内ではＥＰＳ３６によってエッチ
ングの終了が自動的に検出されるが、それまでの間、基
板Ｗは、所定位置Ｓにおいて両位置センサー３４，３５
の間を往復動することによって揺動しながら、両スプレ
ーノズル３３ａ，３３ｂから薬液の噴射を受ける。
ーノズル３３ｂは、図２に示すように、それぞれ基板Ｗ
の搬送方向に沿って延設され、基板Ｗの幅方向に等間隔
に複数のものが配置される。また、各スプレーノズル３
３ａ，３３ｂは、基板Ｗが所定位置Ｓに搬入されてきた
後に、長手方向を軸として所定角度だけ往復回転運動し
ながら基板Ｗに概ね均一に薬液を噴射する。このエッチ
ング処理チャンバー３内ではＥＰＳ３６によってエッチ
ングの終了が自動的に検出されるが、それまでの間、基
板Ｗは、所定位置Ｓにおいて両位置センサー３４，３５
の間を往復動することによって揺動しながら、両スプレ
ーノズル３３ａ，３３ｂから薬液の噴射を受ける。
【００４０】＜エッチング処理チャンバーの薬液配管系
統＞ 図３にエッチング処理チャンバー３で使用する薬液の配
管図を示す。エッチング処理チャンバー３の下方に配置
される薬液タンク６４には、図示しない薬液補充配管か
ら適宜薬液が補充され、また図示しないオーバーフロー
配管が設置されている。したがって、薬液タンク６４の
液面は概ね一定に保たれている。
統＞ 図３にエッチング処理チャンバー３で使用する薬液の配
管図を示す。エッチング処理チャンバー３の下方に配置
される薬液タンク６４には、図示しない薬液補充配管か
ら適宜薬液が補充され、また図示しないオーバーフロー
配管が設置されている。したがって、薬液タンク６４の
液面は概ね一定に保たれている。
【００４１】この薬液タンク６４からは、ポンプ６５及
びフィルター６６を介して入口液カーテン３１、スリッ
トカーテン３２、及びスプレーノズル３３ａ，３３ｂに
薬液供給配管が延びている。そして、これらの配管に
は、入口液カーテン３１への薬液供給を断続する自動弁
である入口液カーテン用バルブ６１、スリットカーテン
３２への薬液供給を断続する自動弁であるスリットカー
テン用バルブ６２、両スプレーノズル３３ａ，３３ｂへ
の薬液供給を断続する自動弁であるスプレーノズル用バ
ルブ６３がそれぞれ設置されている。
びフィルター６６を介して入口液カーテン３１、スリッ
トカーテン３２、及びスプレーノズル３３ａ，３３ｂに
薬液供給配管が延びている。そして、これらの配管に
は、入口液カーテン３１への薬液供給を断続する自動弁
である入口液カーテン用バルブ６１、スリットカーテン
３２への薬液供給を断続する自動弁であるスリットカー
テン用バルブ６２、両スプレーノズル３３ａ，３３ｂへ
の薬液供給を断続する自動弁であるスプレーノズル用バ
ルブ６３がそれぞれ設置されている。
【００４２】入口液カーテン３１、スリットカーテン３
２、あるいはスプレーノズル３３ａ，３３ｂからエッチ
ング処理チャンバー３内に吹き出された薬液は、エッチ
ング処理チャンバー３の下部から戻り配管によって薬液
タンク６４に戻され、薬液はポンプ６５の作動によって
循環使用される。
２、あるいはスプレーノズル３３ａ，３３ｂからエッチ
ング処理チャンバー３内に吹き出された薬液は、エッチ
ング処理チャンバー３の下部から戻り配管によって薬液
タンク６４に戻され、薬液はポンプ６５の作動によって
循環使用される。
【００４３】＜他のチャンバーの詳細＞
水洗処理チャンバー４には、主として、上部洗浄スプレ
ー４１、下部洗浄スプレー４２、位置センサー４３，４
４が配置されている。上部及び下部洗浄スプレー４１，
４２は、基板Ｗに対して純水を噴射する。位置センサー
４３，４４は、水洗処理チャンバー４内における基板Ｗ
の基板搬送方向の位置を検出する光ファイバーのセンサ
ーである。エッチング処理チャンバー３において薬液に
よるエッチング処理が施され薬液が付着した状態の基板
Ｗが、搬送ローラ６によって水洗処理チャンバー４に送
られてくると、基板Ｗは所定の時間だけ両位置センサー
４３，４４の間を行ったり来たりの揺動を繰り返すが、
このときに上部及び下部洗浄スプレー４１，４２から基
板Ｗに対して純水が噴射される。この純水が基板Ｗに接
触衝突して、基板Ｗに付着している薬液を基板Ｗから洗
い流す。基板Ｗを洗浄し薬液と混じり合って汚染された
純水は、水洗処理チャンバー４の下部から排出される。
ー４１、下部洗浄スプレー４２、位置センサー４３，４
４が配置されている。上部及び下部洗浄スプレー４１，
４２は、基板Ｗに対して純水を噴射する。位置センサー
４３，４４は、水洗処理チャンバー４内における基板Ｗ
の基板搬送方向の位置を検出する光ファイバーのセンサ
ーである。エッチング処理チャンバー３において薬液に
よるエッチング処理が施され薬液が付着した状態の基板
Ｗが、搬送ローラ６によって水洗処理チャンバー４に送
られてくると、基板Ｗは所定の時間だけ両位置センサー
４３，４４の間を行ったり来たりの揺動を繰り返すが、
このときに上部及び下部洗浄スプレー４１，４２から基
板Ｗに対して純水が噴射される。この純水が基板Ｗに接
触衝突して、基板Ｗに付着している薬液を基板Ｗから洗
い流す。基板Ｗを洗浄し薬液と混じり合って汚染された
純水は、水洗処理チャンバー４の下部から排出される。
【００４４】乾燥搬出チャンバー５には、基板Ｗにドラ
イエアーを噴射する上下エアーナイフ５１，５２が設け
られている。この乾燥搬出チャンバー５内では、水洗処
理チャンバー４での水洗処理後に基板Ｗに残留した純水
を両エアーナイフ５１，５２から噴射されるドライエア
ーにより吹き飛ばし、基板Ｗを乾燥させる。
イエアーを噴射する上下エアーナイフ５１，５２が設け
られている。この乾燥搬出チャンバー５内では、水洗処
理チャンバー４での水洗処理後に基板Ｗに残留した純水
を両エアーナイフ５１，５２から噴射されるドライエア
ーにより吹き飛ばし、基板Ｗを乾燥させる。
【００４５】搬送ローラ６は、基板Ｗの搬送方向に直交
するように配置され、各チャンバー２〜５の側壁に回転
自在に支持されるローラ軸７０を有している（図２参
照）。基板搬送方向において搬送ローラ６の間にはサイ
ドローラ９０が設けられている。サイドローラ９０は搬
送ローラ６のローラ軸７０とは直交する方向に軸を有
し、基板Ｗの側面と接する支持部材９１を有する。基板
Ｗは傾斜状態で搬送ローラ６に保持されて搬送されが、
このときに支持部材９１は基板Ｗの基板搬送方向と交差
する方向への移動を抑える。
するように配置され、各チャンバー２〜５の側壁に回転
自在に支持されるローラ軸７０を有している（図２参
照）。基板搬送方向において搬送ローラ６の間にはサイ
ドローラ９０が設けられている。サイドローラ９０は搬
送ローラ６のローラ軸７０とは直交する方向に軸を有
し、基板Ｗの側面と接する支持部材９１を有する。基板
Ｗは傾斜状態で搬送ローラ６に保持されて搬送されが、
このときに支持部材９１は基板Ｗの基板搬送方向と交差
する方向への移動を抑える。
【００４６】＜エッチング処理チャンバーの制御＞
次に、エッチング処理チャンバー３における基板処理の
制御について説明する。図４にエッチング処理チャンバ
ー３の制御系統を示す。エッチング処理チャンバー３に
おける基板Ｗの処理を制御する制御部３７には、位置セ
ンサ３４，３５やＥＰＳ３６からの信号が入力される。
また、基板処理装置１全体を司るメイン制御部１ａから
の信号も入力される。これらの入力信号を基に、制御部
３７は、エッチング処理チャンバー３内の搬送ローラ
６、搬入シャッター３ａ、搬出シャッター３ｂ、入口液
カーテン用バルブ６１、スリットカーテン用バルブ６
２、スプレーノズル用バルブ６３等に指令を発する。こ
の制御部３７は、以下のように制御を行う。
制御について説明する。図４にエッチング処理チャンバ
ー３の制御系統を示す。エッチング処理チャンバー３に
おける基板Ｗの処理を制御する制御部３７には、位置セ
ンサ３４，３５やＥＰＳ３６からの信号が入力される。
また、基板処理装置１全体を司るメイン制御部１ａから
の信号も入力される。これらの入力信号を基に、制御部
３７は、エッチング処理チャンバー３内の搬送ローラ
６、搬入シャッター３ａ、搬出シャッター３ｂ、入口液
カーテン用バルブ６１、スリットカーテン用バルブ６
２、スプレーノズル用バルブ６３等に指令を発する。こ
の制御部３７は、以下のように制御を行う。
【００４７】エッチング処理チャンバー３に基板Ｗを搬
入するときには、搬入シャッター３ａを開けるとともに
搬送ローラ６を駆動して基板Ｗを搬入させる。このとき
には、同時に入口液カーテン用バルブ６１及びスリット
カーテン用バルブ６２が開けられ、入口液カーテン３１
及びスリットカーテン３２から搬入されてくる基板Ｗに
対して層状の薬液が吹き付けられる。
入するときには、搬入シャッター３ａを開けるとともに
搬送ローラ６を駆動して基板Ｗを搬入させる。このとき
には、同時に入口液カーテン用バルブ６１及びスリット
カーテン用バルブ６２が開けられ、入口液カーテン３１
及びスリットカーテン３２から搬入されてくる基板Ｗに
対して層状の薬液が吹き付けられる。
【００４８】エッチング処理チャンバー３の所定位置Ｓ
への基板Ｗの搬入が完了すると、搬入及び搬出シャッタ
ー３ａ，３ｂが閉められる。そして、このようにエッチ
ング処理チャンバー３から他のチャンバーに内部の雰囲
気が流出しないようにした上で、入口液カーテン用バル
ブ６１及びスリットカーテン用バルブ６２が閉められ、
スプレーノズル用バルブ６３が開けられる。これによ
り、両スプレーノズル３３ａ，３３ｂから基板Ｗの両面
に薬液が噴射されて、基板Ｗのエッチング処理が開始さ
れる。このスプレーノズル３３ａ，３３ｂによるエッチ
ング処理中においては、上記のように、スプレーノズル
３３ａ，３３ｂが所定角度だけ往復回転運動するととも
に、基板Ｗが所定位置Ｓにおいて両位置センサー３４，
３５の間を往復動させられる。
への基板Ｗの搬入が完了すると、搬入及び搬出シャッタ
ー３ａ，３ｂが閉められる。そして、このようにエッチ
ング処理チャンバー３から他のチャンバーに内部の雰囲
気が流出しないようにした上で、入口液カーテン用バル
ブ６１及びスリットカーテン用バルブ６２が閉められ、
スプレーノズル用バルブ６３が開けられる。これによ
り、両スプレーノズル３３ａ，３３ｂから基板Ｗの両面
に薬液が噴射されて、基板Ｗのエッチング処理が開始さ
れる。このスプレーノズル３３ａ，３３ｂによるエッチ
ング処理中においては、上記のように、スプレーノズル
３３ａ，３３ｂが所定角度だけ往復回転運動するととも
に、基板Ｗが所定位置Ｓにおいて両位置センサー３４，
３５の間を往復動させられる。
【００４９】ＥＰＳ３６によってエッチングの終了が検
出されると、その信号を受けてスプレーノズル用バルブ
６３が閉められる。そして、処理を終えた基板Ｗは、搬
送ローラ６によって水洗処理チャンバー４へと搬出され
ていく。
出されると、その信号を受けてスプレーノズル用バルブ
６３が閉められる。そして、処理を終えた基板Ｗは、搬
送ローラ６によって水洗処理チャンバー４へと搬出され
ていく。
【００５０】＜装置の特徴＞
［１］本装置では、上記のように、基板Ｗをエッチング
処理チャンバー３に搬入するときに入口液カーテン３１
及びスリットカーテン３２により基板Ｗの上に薬液を盛
って、スプレーノズル３３ａ，３３ｂからの薬液の落下
による処理ムラを抑えている。また、スプレーノズル３
３ａ，３３ｂによる基板Ｗへの薬液噴射時には、シャッ
ター３ａ，３ｂを閉じた状態で薬液を噴射するため、ミ
スト状になった薬液がエッチング処理チャンバー３外に
漏れ出ることが抑えられている。
処理チャンバー３に搬入するときに入口液カーテン３１
及びスリットカーテン３２により基板Ｗの上に薬液を盛
って、スプレーノズル３３ａ，３３ｂからの薬液の落下
による処理ムラを抑えている。また、スプレーノズル３
３ａ，３３ｂによる基板Ｗへの薬液噴射時には、シャッ
ター３ａ，３ｂを閉じた状態で薬液を噴射するため、ミ
スト状になった薬液がエッチング処理チャンバー３外に
漏れ出ることが抑えられている。
【００５１】［２］本装置では、従来から設置されてい
る入口液カーテン３１に加えてスリットカーテン３２を
設けて、搬入されてくる基板Ｗの上面において第１薬液
流Ｆ１と第２薬液流Ｆ２とを交わらせている。したがっ
て、搬入されてくる基板Ｗ上において、第１薬液流Ｆ１
により基板Ｗ上に盛られた薬液が第２薬液流Ｆ２によっ
て流動し（図５の基板Ｗ上の流れを表す矢印を参照）、
基板Ｗ上において同じ薬液が滞る現象が少なくなってい
る。これにより、処理後の基板Ｗに処理ムラができるこ
とが抑えられている。
る入口液カーテン３１に加えてスリットカーテン３２を
設けて、搬入されてくる基板Ｗの上面において第１薬液
流Ｆ１と第２薬液流Ｆ２とを交わらせている。したがっ
て、搬入されてくる基板Ｗ上において、第１薬液流Ｆ１
により基板Ｗ上に盛られた薬液が第２薬液流Ｆ２によっ
て流動し（図５の基板Ｗ上の流れを表す矢印を参照）、
基板Ｗ上において同じ薬液が滞る現象が少なくなってい
る。これにより、処理後の基板Ｗに処理ムラができるこ
とが抑えられている。
【００５２】［３］本装置では、基板Ｗを傾斜させた状
態でエッチング処理チャンバー３に搬入しているため、
もし入口液カーテン３１だけから搬入中の基板Ｗに薬液
を吹き付けているとすると、一旦基板Ｗ上に盛られた薬
液が搬入中の基板Ｗから流れ落ちてしまう。これでは、
基板Ｗの搬入時において予め薬液を基板Ｗ上全体に盛っ
てスプレーノズル３３ａからの薬液の液滴の落下による
大きな処理ムラの発生を防止するという目的が達成され
ない。
態でエッチング処理チャンバー３に搬入しているため、
もし入口液カーテン３１だけから搬入中の基板Ｗに薬液
を吹き付けているとすると、一旦基板Ｗ上に盛られた薬
液が搬入中の基板Ｗから流れ落ちてしまう。これでは、
基板Ｗの搬入時において予め薬液を基板Ｗ上全体に盛っ
てスプレーノズル３３ａからの薬液の液滴の落下による
大きな処理ムラの発生を防止するという目的が達成され
ない。
【００５３】しかし、本装置では、入口液カーテン３１
に加えて、傾斜状態で搬入されてくる基板Ｗの最上部か
ら薬液を供給するスリットカーテン３２を設けている。
このため、搬入されてくる基板Ｗ上には常に薬液が存在
することになり（図５参照）、スプレーノズル３３ａか
らの薬液の液滴の落下による処理ムラを防ぐことができ
る。また、搬入されてくる基板Ｗ上において常に図５に
示すような薬液の流れが存在するため、基板Ｗ上におい
て同じ薬液が滞る現象が少なくなり、処理後の基板Ｗに
処理ムラができ難くなっている。
に加えて、傾斜状態で搬入されてくる基板Ｗの最上部か
ら薬液を供給するスリットカーテン３２を設けている。
このため、搬入されてくる基板Ｗ上には常に薬液が存在
することになり（図５参照）、スプレーノズル３３ａか
らの薬液の液滴の落下による処理ムラを防ぐことができ
る。また、搬入されてくる基板Ｗ上において常に図５に
示すような薬液の流れが存在するため、基板Ｗ上におい
て同じ薬液が滞る現象が少なくなり、処理後の基板Ｗに
処理ムラができ難くなっている。
【００５４】［４］本装置では、入口液カーテン３１及
びスリットカーテン３２が薬液を斜め方向に吹き出して
おり（図７及び図８参照）、単に薬液を基板Ｗに流下さ
せる場合に較べて、基板Ｗ上での薬液の流れが速くな
る。これにより、搬入されてくる基板Ｗ上における薬液
の流動が多くなっており、処理後の基板Ｗの処理ムラが
より少なくなっている。また、入口液カーテン３１の薬
液の吹き出しの角度が基板Ｗの表面に対して約２０゜に
設定されていることから、通常の基板搬送速度であれ
ば、入口液カーテン３１からの第１薬液流Ｆ１が基板搬
送方向上流側（図１の左側）に流れ、薬液がエッチング
処理チャンバー３から基板Ｗを伝って入口コンベアチャ
ンバー２に流出するという現象が起こらない。
びスリットカーテン３２が薬液を斜め方向に吹き出して
おり（図７及び図８参照）、単に薬液を基板Ｗに流下さ
せる場合に較べて、基板Ｗ上での薬液の流れが速くな
る。これにより、搬入されてくる基板Ｗ上における薬液
の流動が多くなっており、処理後の基板Ｗの処理ムラが
より少なくなっている。また、入口液カーテン３１の薬
液の吹き出しの角度が基板Ｗの表面に対して約２０゜に
設定されていることから、通常の基板搬送速度であれ
ば、入口液カーテン３１からの第１薬液流Ｆ１が基板搬
送方向上流側（図１の左側）に流れ、薬液がエッチング
処理チャンバー３から基板Ｗを伝って入口コンベアチャ
ンバー２に流出するという現象が起こらない。
【００５５】［５］本装置では、スプレーノズル３３
ａ，３３ｂによる基板Ｗの処理中に、入口液カーテン３
１及びスリットカーテン３２から薬液の液滴が基板Ｗ上
に落下することがない。すなわち、図６に示すように入
口液カーテン３１及びスリットカーテン３２を基板Ｗが
位置する所定位置Ｓの上方空間の外部に配置しているた
め、これらのカーテン３１，３２からの薬液の液滴がス
プレーノズル３３ａ，３３ｂによる基板Ｗの処理中に基
板Ｗ上に落下することはない。
ａ，３３ｂによる基板Ｗの処理中に、入口液カーテン３
１及びスリットカーテン３２から薬液の液滴が基板Ｗ上
に落下することがない。すなわち、図６に示すように入
口液カーテン３１及びスリットカーテン３２を基板Ｗが
位置する所定位置Ｓの上方空間の外部に配置しているた
め、これらのカーテン３１，３２からの薬液の液滴がス
プレーノズル３３ａ，３３ｂによる基板Ｗの処理中に基
板Ｗ上に落下することはない。
【００５６】＜他の実施形態＞
［Ａ］上記実施形態の層状に薬液を吹き出すスリットカ
ーテン３２に代えて、図９に示すような複数の小孔１３
２ａが形成されたパイプ（第２処理液供給手段）１３２
を用いることもできる。
ーテン３２に代えて、図９に示すような複数の小孔１３
２ａが形成されたパイプ（第２処理液供給手段）１３２
を用いることもできる。
【００５７】パイプ１３２は、円筒状の部材であり、長
手方向に複数の小孔１３２ａが形成されている。小孔１
３２ａは、これらから吹き出される薬液が傾斜状態で搬
入されてくる基板Ｗの最上部にかかるように形成されて
いる。ここでは、パイプ１３２の断面において基板Ｗ側
の斜め下部に開けられている。ここでは、パイプ１３２
に小孔１３２ａを形成したという簡易で安価な構造を採
用しているため、装置の製作コストを低く抑えることが
できる。
手方向に複数の小孔１３２ａが形成されている。小孔１
３２ａは、これらから吹き出される薬液が傾斜状態で搬
入されてくる基板Ｗの最上部にかかるように形成されて
いる。ここでは、パイプ１３２の断面において基板Ｗ側
の斜め下部に開けられている。ここでは、パイプ１３２
に小孔１３２ａを形成したという簡易で安価な構造を採
用しているため、装置の製作コストを低く抑えることが
できる。
【００５８】［Ｂ］上記実施形態の層状に薬液を吹き出
すスリットカーテン３２に代えて、図１０に示すよう
に、スプレーノズル３３ａと同等なスプレーノズル（第
２処理液供給手段）２３２を用いることもできる。
すスリットカーテン３２に代えて、図１０に示すよう
に、スプレーノズル３３ａと同等なスプレーノズル（第
２処理液供給手段）２３２を用いることもできる。
【００５９】この場合には、スプレーノズル２３２のノ
ズル２３２ａから噴射される薬液がミストとなるのを回
避するために、スプレーノズル３３ａよりも基板Ｗに近
い高さ位置にスプレーノズル２３２を配置したり、スプ
レーノズル２３２からの薬液を噴射速度を遅くしたりす
る工夫をするのが望ましい。
ズル２３２ａから噴射される薬液がミストとなるのを回
避するために、スプレーノズル３３ａよりも基板Ｗに近
い高さ位置にスプレーノズル２３２を配置したり、スプ
レーノズル２３２からの薬液を噴射速度を遅くしたりす
る工夫をするのが望ましい。
【００６０】［Ｃ］上記実施形態のおいては、入口液カ
ーテン用バルブ６１とスリットカーテン用バルブ６２と
を別個に設けているが、１つの自動バルブによって入口
液カーテン３１及びスリットカーテン３２への薬液の供
給を断続させても良い。
ーテン用バルブ６１とスリットカーテン用バルブ６２と
を別個に設けているが、１つの自動バルブによって入口
液カーテン３１及びスリットカーテン３２への薬液の供
給を断続させても良い。
【００６１】
【発明の効果】本発明では、処理チャンバー内において
基板に処理液を供給して基板処理を行う基板処理装置に
おいて、処理した基板の処理ムラを少なくすることがで
きる。
基板に処理液を供給して基板処理を行う基板処理装置に
おいて、処理した基板の処理ムラを少なくすることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態における基板処理装置の概
略図。
略図。
【図２】エッチング処理チャンバーの斜視図。
【図３】エッチング処理チャンバーの薬液配管図。
【図４】エッチング処理チャンバーの制御系統図。
【図５】エッチング処理チャンバーへの基板搬入動作
図。
図。
【図６】エッチング処理チャンバーの所定位置配置図。
【図７】図５のVII-VII 矢視断面図。
【図８】図５のVIII-VIII 矢視断面図。
【図９】他の実施形態のエッチング処理チャンバーへの
基板搬入動作図。
基板搬入動作図。
【図１０】他の実施形態のエッチング処理チャンバーへ
の基板搬入動作図。
の基板搬入動作図。
１ 基板処理装置
３ エッチング処理チャンバー（処理チャンバー）
３ａ 搬入シャッター（開閉手段）
６ 搬送ローラ（搬送手段）
３１ 入口液カーテン（第１処理液供給手段）
３２ スリットカーテン（第２処理液供給手段）
３３ａ スプレーノズル（第３処理液供給手段）
１３２ パイプ（筒状部材）
１３２ａ 小孔（孔）
Ｆ１ 第１薬液流
Ｆ２ 第２薬液流
Ｈ 水平面
Ｓ 所定位置
Ｗ 基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平９−270408（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−267079（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−283477（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−276773（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−213668（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−171986（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/304,21/306,21/308
B08B 3/02
C23F 1/00 - 1/46
Claims (10)
- 【請求項１】内部に基板を収容し、処理液によって基板
に処理を施す処理チャンバーと、 前記処理チャンバーに基板を搬出入する搬送手段と、 前記処理チャンバー内に設けられ、基板搬送方向と交差
する方向に延び、前記処理チャンバーに搬入されてくる
基板に対して処理液を供給する第１処理液供給手段と、 前記処理チャンバー内に設けられ、基板搬送方向に沿っ
た方向に延び、前記処理チャンバーに搬入されてくる基
板に対して処理液を供給する第２処理液供給手段と、を
備えた基板処理装置であって、 前記処理チャンバーに搬入されてくる基板上において、
前記第１処理液供給手段から供給される処理液の流れと
前記第２処理液供給手段から供給される処理液の流れと
が交わり、 前記第１及び第２処理液供給手段は、前記処理チャンバ
ーに搬入されてくる基板に対して、スリットから処理液
を斜め方向に流出する、 基板処理装置。 - 【請求項２】内部に基板を収容し、処理液によって基板
に処理を施す処理チャンバーと、 前記処理チャンバーに基板を搬出入する搬送手段と、 前記処理チャンバー内に設けられ、基板搬送方向と交差
する方向に延び、前記処理チャンバーに搬入されてくる
基板に対して処理液を供給する第１処理液供給手段と、 前記処理チャンバー内に設けられ、基板搬送方向に沿っ
た方向に延び、前記処理チャンバーに搬入されてくる基
板に対して処理液を供給する第２処理液供給手段と、を
備えた基板処理装置であって、 前記処理チャンバーに搬入されてくる基板上において、
前記第１処理液供給手段から供給される処理液の流れと
前記第２処理液供給手段から供給される処理液の流れと
が交わり、 前記第１処理液供給手段は、前記処理チャンバーに搬入
されてくる基板に対して、スリットから処理液を斜め方
向に流出し、 前記第２処理液供給手段は、複数の孔が形成された筒状
部材を有しており、前記処理チャンバーに搬入されてく
る基板に対して、前記孔から処理液を流出する、基板処
理装置。 - 【請求項３】前記処理チャンバーに搬入されて前記処理
チャンバー内の所定位置に収容された基板に対して、基
板の上方から処理液を供給する第３処理液供給手段をさ
らに備えた、請求項１又は２に記載の基板処理装置。 - 【請求項４】内部に基板を収容し、処理液によって基板
に処理を施す処理チャンバーと、 前記処理チャンバーに基板を搬出入する搬送手段と、 前記処理チャンバー内の搬入口付近に設けられ、基板搬
送方向と交差する方向に延び、前記処理チャンバーに搬
入されてくる基板に対して処理液を供給する第１処理液
供給手段と、 前記処理チャンバー内に設けられ、基板搬送方向に沿っ
た方向に延び、前記処理チャンバーに搬入されてくる基
板に対して処理液を供給する第２処理液供給手段と、を
備えた基板処理装置であって、 前記処理チャンバーに搬入されてくる基板上において、
前記第１処理液供給手段から供給される処理液の流れと
前記第２処理液供給手段から供給される処理液の流れと
が交わる、基板処理装置。 - 【請求項５】内部に基板を収容し、処理液によって基板
に処理を施す処理チャンバーと、 前記処理チャンバーに基板を搬出入する搬送手段と、 前記処理チャンバー内に設けられ、基板搬送方向と交差
する方向に延び、前記処理チャンバーに搬入されてくる
基板に対して処理液を供給する第１処理液供給手段と、 前記処理チャンバー内に設けられ、基板搬送方向に沿っ
た方向に延び、前記処理チャンバーに搬入されてくる基
板に対して処理液を供給する第２処理液供給手段と、 前記処理チャンバーに搬入されて前記処理チャンバー内
の所定位置に収容された基板に対して、基板の上方から
処理液を供給する第３処理液供給手段と、を備えた基板
処理装置であって、 前記処理チャンバーに搬入されてくる基板上において、
前記第３処理液供給手段で処理液を供給する前に前記第
１及び第２処理液供給手段から処理液が供給され、前記
第１処理液供給手段から供給される処理液の流れと前記
第２処理液供給手段から供給される処理液の流れとが交
わる、基板処理装置。 - 【請求項６】内部に基板を収容し、処理液によって基板
に処理を施す処理チャンバーと、 前記処理チャンバーに基板を搬出入する搬送手段と、 前記処理チャンバー内に設けられ、基板搬送方向と交差
する方向に延び、前記処理チャンバーに搬入されてくる
基板に対して処理液を供給する第１処理液供給手段と、 前記処理チャンバー内に設けられ、基板搬送方向に沿っ
た方向に延び、前記処理チャンバーに搬入されてくる基
板に対して処理液を供給する第２処理液供給手段と、 前記処理チャンバーに搬入されて前記処理チャンバー内
の所定位置に収容された基板に対して、基板の上方から
処理液を供給する第３処理液供給手段と、を備えた基板
処理装置であって、 前記第１及び第２処理液供給手段は、前記処理チャンバ
ー内の前記第３処理液供給手段で処理されているときの
位置に収容された基板の上方空間の外部に配置されてお
り、 前記処理チャンバーに搬入されてくる基板上において、
前記第１処理液供給手段から供給される処理液の流れと
前記第２処理液供給手段から供給される処理液の流れと
が交わる、基板処理装置。 - 【請求項７】前記搬送手段は、基板搬送方向と直交する
面と基板との交線が水平面に対して傾斜するように基板
を傾斜させた状態で、前記処理チャンバーに基板を搬入
し、 前記第２処理液供給手段は、傾斜状態で搬入されてくる
基板の最上部から処理液を供給する、請求項１から６の
いずれかに記載の基板処理装置。 - 【請求項８】内部に基板を収容し、処理液によって基板
に処理を施す処理チャンバーと、 前記処理チャンバーに基板を搬出入する搬送手段と、 前記処理チャンバー内に設けられ、基板搬送方向と交差
する方向に延び、前記処理チャンバーに搬入されてくる
基板に対して処理液を供給する第１処理液供給手段と、 前記処理チャンバー内に設けられ、基板搬送方向に沿っ
た方向に延び、前記処理チャンバーに搬入されてくる基
板に対して処理液を供給する第２処理液供給手段と、 前記処理チャンバーに搬入されて前記処理チャンバー内
の所定位置に収容された基板に対して、基板の上方から
処理液を供給する第３処理液供給手段と、を備えた基板
処理装置であって、 前記処理チャンバーに搬入されてくる基板上において、
前記第１処理液供給手段から供給される処理液の流れと
前記第２処理液供給手段から供給される処理液の流れと
が交わり、 前記第３処理液供給手段は、基板に対して処理液を噴射
するスプレーノズルを有し、 前記処理チャンバーは、基板を搬出入するための開口
と、前記開口を開閉する開閉手段とを有しており、 前記搬送手段、前記開閉手段、前記第１処理液供給手
段、前記第２処理液供給手段、及び前記第３処理液供給
手段を制御する制御手段であって、前記開閉手段によっ
て基板を搬入するための前記開口を開けた状態において
前記第１及び第２処理液供給手段から処理液を供給させ
ながら前記処理チャンバーに基板を搬入させ、基板が搬
入され基板が前記処理チャンバー内の所定位置に収容さ
れた後に前記第１及び第２処理液供給手段からの処理液
の供給を停止して前記開口を閉じた状態で第３処理液供
給手段から処理液を噴射させる制御手段をさらに備え
た、基板処理装置。 - 【請求項９】前記第１処理液供給手段は、基板の搬送方
向に直交する方向に沿った長さよりも長い範囲にわたっ
て処理液を供給し、 前記第２処理液供給手段は、基板の搬送方向に沿った長
さよりも長い範囲にわたって処理液を供給する、請求項
１から８のいずれかに記載の基板処理装置。 - 【請求項１０】前記第２処理液供給手段は前記処理チャ
ンバー内の側面付近に設けられている、請求項１から９
のいずれかに記載の基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20166698A JP3489992B2 (ja) | 1998-07-16 | 1998-07-16 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20166698A JP3489992B2 (ja) | 1998-07-16 | 1998-07-16 | 基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000031112A JP2000031112A (ja) | 2000-01-28 |
| JP3489992B2 true JP3489992B2 (ja) | 2004-01-26 |
Family
ID=16444892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20166698A Expired - Fee Related JP3489992B2 (ja) | 1998-07-16 | 1998-07-16 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
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|---|---|
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Families Citing this family (4)
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|---|---|---|---|---|
| JP2002184685A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-06-28 | Risotetsuku Japan Kk | 現像方法 |
| TWI243407B (en) * | 2003-06-03 | 2005-11-11 | Dainippon Screen Mfg | Method and apparatus for etching a substrate |
| JP2007266545A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| KR102045828B1 (ko) * | 2018-07-04 | 2019-11-18 | 주식회사 디엠에스 | 기판 처리장치 |
-
1998
- 1998-07-16 JP JP20166698A patent/JP3489992B2/ja not_active Expired - Fee Related
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