JP2001035778A

JP2001035778A - 基板処理装置

Info

Publication number: JP2001035778A
Application number: JP11208838A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Taniguchi; 竹志谷口; Mitsuo Ogasawara; 光雄小笠原; Satoshi Suzuki; 聡鈴木
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1999-07-23
Filing date: 1999-07-23
Publication date: 2001-02-09
Anticipated expiration: 2019-07-23
Also published as: JP3629386B2

Abstract

(57)【要約】【課題】構成が容易でかつ処理ツールから処理液のミ
ストが飛散することがない基板処理装置を提供する。【解決手段】基板Ｗはローラコンベア１により傾斜姿勢
で搬送されて剥離処理室２内の処理ツール１０に搬入さ
れる。処理ツール１０は、ノズル５６と、基板の上面を
覆う第１の覆い部材５１と基板の裏面を覆う第２の覆い
部材５２とからなる容器５０と、基板の表面に沿うよう
に各覆い部材５１、５２に設けられたつば部６４、６６
と、基板の傾斜の上側からつば部６４と基板の表面との
間に処理液を供給する副ノズル６８とを備えている。容
器５０内で処理液のミストが発生しても、ミストは基板
とつば部６４、６６との間の狭い隙間７０を通過せず遮
蔽される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示パネルや
プラズマ表示パネルなどの製造に用いるガラス基板、半
導体ウエハ、半導体製造装置用のマスク基板、プリント
基板などの各種基板の表面に対して、純水、洗浄薬液、
現像液、剥離液などの各種処理液を供給して各種のウエ
ット処理を施すための基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えばフォトリソグラフィのプロセスに
おいては、処理すべき基板の表面を洗浄し、フォトレジ
ストの被膜を形成し、露光し、現像し、エッチングし、
剥離する等の各種プロセス処理を施す。かかる基板処理
を行なうための装置の一例が、特開平４−３０３９３４
号公報に開示されている。この装置は、基板を所定のボ
ックス内を通過させ、ボックス内に設けたパイプから洗
浄液を基板に供給するとともに、基板がボックスを通過
するための開口を基板に近接させることでボックスから
の処理液の流出を抑制し、ボックス内を処理液で満たそ
うとするものである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記公報に記載の装置
では、ボックスの開口を基板に近接させてボックスから
の処理液の流出を抑制しようとしているが、開口と基板
との間隔を基板の全幅にわたって十分に狭くかつ一定の
間隔に保つことは困難であり、特に基板が大型のもので
ある場合には著しく困難であった。また、この間隔が十
分に狭くできない場合にはその隙間を液で満たすことが
できず、その隙間からミスト状になった処理液がボック
ス外に飛散してしまって再利用できなくなり、処理液が
無用に消費されてしまったり、またミスト状の処理液が
基板に再付着して基板を汚染したりする不都合がある。
本発明は簡単な構造でかつミスト状の処理液の飛散を防
止できる基板処理装置を提供することを目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基板
を傾斜姿勢に支持してその板面に沿った方向に搬送する
搬送機構と、搬送機構により搬送される基板の一方の表
面に対して処理液を供給する処理液ノズルと、前記基板
の前記一方の表面のうち前記処理液ノズルからの処理液
が供給される領域を覆う覆い部材と、前記覆い部材の前
記基板側に、当該基板の表面に沿うように設けられたつ
ば部と、前記基板と前記つば部との間に、前記基板の傾
斜方向上側から液を供給する副ノズルとを備えたことを
特徴とする基板処理装置である。

【０００５】請求項１において、前記副ノズルは、前記
処理液ノズルから供給する処理液と同じ処理液を供給す
るものであってもよい。

【０００６】請求項１または２において、前記搬送機構
により搬送される基板の位置をはさんで前記処理液ノズ
ルと対向するように設けられ前記基板の他方の表面を覆
う第２の覆い部材をさらに備えていてもよい。

【０００７】請求項４の発明は、基板をその板面に沿っ
た方向に搬送する搬送機構と、搬送機構により搬送され
る基板の一方の表面に対して処理液を供給する処理液ノ
ズルと、前記基板の前記一方の表面のうち前記処理液ノ
ズルからの処理液が供給される領域を覆う第1の覆い部
材と、前記搬送機構により搬送される基板の位置をはさ
んで前記処理液ノズルと対向するように設けられ前記基
板の他方の表面領域を覆う第2の覆い部材と、前記第1の
覆い部材の前記基板側に、当該基板の表面に沿うように
設けられたつば部とを備えたことを特徴とする基板処理
装置である。

【０００８】請求項３または４において、前記第２の覆
い部材の前記基板側に、当該基板の他方の表面に沿うよ
うに設けられたつば部を更に備えていてもよい。

【０００９】請求項１ないし５のいずれかにおいて、前
記つば部は、前記覆い部材に対して移動自在に設けられ
ていてもよい。

【００１０】請求項６において、前記つば部は、前記覆
い部材に対して開閉移動自在に設けられていてもよい。

【００１１】請求項１ないし５のいずれかにおいて、前
記つば部は、前記覆い部材に対して着脱自在に設けられ
ていてもよい。

【００１２】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を用いて詳細に説明する。図１は本発明に係る基板処理
装置の第１実施形態の要部の概略構成を示す模式的断面
図である。この基板処理装置は、角型のガラス基板Ｗ
（以下、単に基板Ｗと称する）を若干の傾斜姿勢として
図中左から右へ向って水平方向にローラコンベア１で搬
送しつつ、処理液として剥離液を供給して基板Ｗに対し
て剥離処理を施し、かつ当該処理後に純水を供給して洗
浄処理する剥離装置である。この基板Ｗは、フォトレジ
ストの被膜形成、露光、現像、エッチング等のプロセス
処理を経て、その表面に剥離すべきフォトレジストの被
膜が付着しているものである。なお、図示は省略してい
るが、さらにその後に基板Ｗに乾燥空気を供給するかま
たは基板Ｗを回転させるなどして乾燥処理する乾燥処理
部が、図１の右方に設けられる。この基板処理装置は、
剥離液により処理を施す剥離処理部と、洗浄処理を施す
洗浄処理部と、乾燥処理を施す乾燥処理部とからなる
が、図１では剥離処理部Ｃと洗浄処理部Ｄのみを示す。

【００１３】基板Ｗに対して剥離処理を施すための剥離
処理室２および基板Ｗに対して洗浄処理を施すための洗
浄処理室４は、室構成体３により区画形成される。ま
た、室構成体３には、基板Ｗを剥離処理室２および洗浄
処理室４へ搬入搬出するための開口５が形成され、その
開口５を介して基板Ｗを剥離処理室２へ搬入し、さらに
洗浄処理室４へ搬入し、洗浄処理室４から搬出するため
のローラコンベア１が設けられている。ローラコンベア
１は、基板Ｗを進行方向（図１中で右向き）に向って水
平に対して右下がりになるように若干傾斜させた姿勢で
支持し、その傾斜姿勢を保った状態で基板Ｗをその板面
に沿って水平方向に搬送して、処理室外から剥離処理室
２および洗浄処理室４を通過させて再度処理室外へ搬出
する。

【００１４】剥離処理室２内には、ローラコンベア１に
よって支持され搬送される剥離処理室２内の基板Ｗに対
して処理液を低圧又は高圧で供給して処理を行なう処理
ツール１０が２つ、基板搬送方向に縦列に設けられてい
る。この処理ツール１０の詳細な構造については後述す
る。剥離処理室２において、剥離液タンク１８は剥離処
理室２の下方の開口１５と配管接続され、開口１５から
排出される剥離液は剥離液タンク１８に受け入れられて
貯溜される。剥離液タンク１８には、貯溜している剥離
液を所定温度に保つための温度調節機構１４が付設され
ている。また、剥離液タンク１８は、ポンプ１９、流量
調整可能な開閉弁２２及びフィルタ２３を介して処理ツ
ール１０に設けられているノズル５６に配管接続されて
いる。ポンプ１９はインバータ２０の出力によって駆動
され、インバータ２０の出力は制御装置２１によって制
御される。ポンプ１９は、制御装置２１によってインバ
ータ２０の周波数を制御することにより、ノズル１１側
に向けた吐出圧力を低圧と高圧とに任意に切り替えて駆
動制御可能となっている。これにより、処理ツール１０
に設けられる上記ノズルは、ローラコンベア１上に支持
された基板Ｗに対して剥離液を低圧又は高圧で供給可能
となっている。

【００１５】また、剥離処理室２内のローラコンベア１
の両端近く、すなわち両方の開口５近くの位置にはロー
ラコンベア１上の基板Ｗの有無を検出して信号を出力す
るセンサ１６、１７が設けられている。センサ１６、１
７は制御装置２１に接続されており、基板Ｗがローラコ
ンベア１上をセンサ１６、１７のところまで搬送されて
くると、制御装置２１は当該センサ１６、１７からの出
力信号によりそれを検知する。また、ローラコンベア１
は後述のように制御装置２１によってその動作が制御さ
れるが、ローラコンベア１のうち、特に剥離処理室２内
に位置する部分には他の部分とは独立した駆動源として
可逆転モータ（図示せず）が使用され、ローラコンベア
１に乗せられて運ばれてきた基板Ｗを剥離処理室２内で
センサ１６とセンサ１７との間に設けられている２つの
処理ツール１０内を周期的に往復移動させることができ
る。

【００１６】洗浄処理室４には、剥離処理室２からロー
ラコンベア１により運ばれてきた基板Ｗの上下両面に対
して純水をスプレー状で供給して洗浄するためのノズル
２４が、ローラコンベア１の上下に設けられている。純
水供給源２９からの純水はポンプ３０によって加圧さ
れ、流量調整可能な開閉弁３１及びフィルタ３２を介し
てノズル２４に配管２６にて接続されている。なお、洗
浄処理室４の上部には、周囲の下降気流を清浄にして取
り入れるためのフィルタ３３が設けられている。また、
洗浄処理室４の下部には、取り入れた下降気流を排出す
るとともに使用後の純水を排出するための開口３４が形
成されている。

【００１７】図２は処理ツール１０を示す斜視図、図３
は処理ツール１０を示す図２中のＸ矢視図、図４は処理
ツール１０を示す断面図である。処理ツール１０は、ロ
ーラコンベア１により搬送される基板Ｗの一方の表面す
なわち上面を覆う第１の覆い部材５１と、その第１の覆
い部材５１に対して基板Ｗの搬送位置をはさんで対向し
て基板Ｗの他方の表面すなわち下面を覆う第２の覆い部
材５２とを備える。第２の覆い部材５２は後述するノズ
ル５６と対向するように配置されており、各覆い部材５
１、５２は、ローラコンベア１の幅方向に長く、搬送さ
れる基板Ｗの幅全体を覆う大きさとなっており、また各
覆い部材５１、５２の基板Ｗと対向する面５１Ａ、５２
Ａは、搬送される基板Ｗとほぼ平行になるよう形成され
ている。そして、第１の覆い部材５１と第２の覆い部材
５２とは、その側面６０も閉塞されて、基板Ｗの入口６
１と出口６２の部分および後述する排出口５３を除いて
ほぼ閉塞した容器５０を構成しており、ローラコンベア
１によって搬送される基板Ｗはその容器５０を通過する
ように搬送される。

【００１８】第１の覆い部材５１の上部に位置する前記
面５１Ａの外側には、その幅方向略全体にわたって処理
液供給パイプ５４が取り付けられている。処理液供給パ
イプ５４には、第１の覆い部材５１に覆われた状態とな
る基板Ｗの上面に対して処理液を供給するノズル５６
が、基板Ｗの上面にそって複数設けられている。ノズル
５６は前記面５１Ａに形成された開口５８を介して第１
の覆い部材５１の内側に突出して基板Ｗの上面側にのぞ
んでいる。また、ノズル５６は、剥離液が高圧で供給さ
れたときには基板Ｗに対しても高圧スプレー状で剥離液
を供給する高圧スプレーノズルであるが、剥離液が低圧
で供給されたときには、基板Ｗに対しても低圧スプレー
状で供給するものである。容器５０内にはローラコンベ
ア１を構成するローラが２つ設けられているが、ノズル
５６はその吐出された処理液のスプレーの中心が、その
２つのローラの間をほぼ通過するように設けられてい
る。なお、図中１Ａはローラコンベア１のローラの軸で
ある。また、ノズル５６としては、基板Ｗ幅方向の処理
ムラが発生しないように、このように同じノズル５６を
基板Ｗ幅方向に複数設けるか、あるいは基板Ｗ幅方向に
長いものを使用することが好ましい。

【００１９】前記容器５０の入口６１と出口６２の部分
には、第１の覆い部材５１の基板Ｗ側端部すなわち下側
端部に、搬送される基板Ｗの上面に沿うようにその基板
Ｗと平行に張り出したつば部６４が取り付け固定されて
設けられている。また、前記容器５０の入口６０と出口
６１の部分には、第２の覆い部材５２の基板Ｗ側端部す
なわち上側端部に、搬送される基板Ｗの下面に沿うよう
にその基板Ｗと平行に張り出したつば部６６が取り付け
固定されて設けられている。さらに、前記容器５０の入
口６０と出口６１の部分には、前述した搬送中の基板Ｗ
の傾斜方向の上側に、前記基板Ｗの上面とつば部６４と
の間に処理液を供給する副ノズル６８が設けられてい
る。副ノズル６８は、つば部６４の張り出し長さ全体と
ほぼ同じ長さの吐出口を有してその張り出し長さ全体に
渡って処理液を供給するスリットノズルよりなる。な
お、剥離液タンク１８からノズル５６への処理液供給
は、ポンプ１９や開閉弁２２、フィルタ２３を備えた液
供給機構で行なっているが、剥離液タンク１８から副ノ
ズル６８への処理液供給も、これと同様の液供給機構
（図示省略）を別途独立して設けて行なっている。処理
液供給パイプ５４には処理液供給用の供給口５５が、副
ノズル６８には供給口６９がそれぞれ設けられる。また
基板Ｗの傾斜方向下側の側面６０には、容器５０内を基
板Ｗの傾斜に沿って流れてきた処理液を排出するための
排出口５３が形成されている。

【００２０】さて、制御装置２１は、上述したインバー
タ２０のほか、ポンプ３０や開閉弁２２、３１、ローラ
コンベア１等にも接続（図示省略）され、それらを制御
することによって剥離液や純水の供給や基板の搬送など
この剥離装置全体の動作をつかさどる。特に、剥離処理
室２内で剥離液を基板Ｗに供給する際において、制御装
置２１は、基板Ｗが図中左から右方向に搬送されてセン
サ１７の位置まで到達したことを検知するとその剥離処
理室２内のローラコンベア１の駆動源を逆回転させ、こ
んどは基板Ｗを図中右から左方向に搬送する。そして、
次に基板がセンサ１６の位置まで到達すると、今度は前
記駆動源を正回転させることにより、基板Ｗを図中左か
ら右方向に搬送する。制御装置２１がかかる制御動作を
繰り返すことにより、基板Ｗを剥離処理室２内の所定の
範囲で周期的に往復移動させることができ、その間に基
板Ｗが処理ツール１０内を数回通過することにより処理
が行われる。そして、かかる往復移動によって基板Ｗへ
の剥離処理室２での処理が終了すると、ローラコンベア
１の前記駆動源を正回転させて基板Ｗをセンサ１７の位
置を越えて図中右方向へ搬送し、洗浄処理室４へ送り込
むことができる。

【００２１】つぎにこの第１の実施形態の剥離装置の動
作を説明する。まず第１工程として、剥離処理すべき基
板Ｗがローラコンベア１によって搬送されてきて剥離処
理室２へ搬入されたことがセンサ１６により検出される
と、制御装置２１はポンプ１９を吐出圧力が低圧となる
ように駆動し、処理ツール１０の容器５０内にて搬送さ
れつつある基板Ｗの上面に対してノズル５６から処理液
すなわち剥離液を低圧でスプレー状に供給する。この第
１工程においては、低圧で基板Ｗ上に供給された剥離液
は、高圧で供給されたときのように基板Ｗ表面に衝突し
て跳ね返って周囲に飛散したりすることは比較的少な
く、基板Ｗの表面に液の膜を形成し、基板Ｗの表面に付
着している剥離されるべき被膜、すなわちフォトレジス
トの被膜と十分に接触し、当該被膜を膨潤させる。この
第１工程は、かかる膨潤が十分に進行する所定時間の間
継続され、その間、剥離液の低圧状態での供給は継続さ
れる。この間、基板Ｗに対しては温度調節された剥離液
が継続して供給されるので、工程の途中で基板Ｗに触れ
る剥離液の温度が低下するといった不都合は生じない。

【００２２】この第１工程の際、容器５０内で基板Ｗの
上面にスプレー状に供給された処理液の多くは、基板Ｗ
の傾斜に沿って下側に向って流れて基板Ｗの下側端縁か
ら容器５０の下側に落ち、容器５０の側面６０に形成さ
れた図示しない排出口から容器５０外へ排出され、剥離
処理室２内に落下して開口１５から排出される。このと
き、入口６１、出口６２は開いたままであるが、第１の
覆い部材５１にはつば部６４が形成されているため、容
器５０内の基板Ｗより上側の空間と容器５０外とは基板
Ｗの上面とつば部６４との間の狭く長い隙間７０を通じ
て連通している。もし仮に処理液のスプレー状の供給に
よって処理液ミストが容器５０内にて発生しても、ミス
トが上記の狭く長い隙間７０を通過しようとする際にミ
スト同士がぶつかって再水滴化しやすく、またその隙間
７０近傍にある処理液の流れに引き寄せられてぶつかっ
て液化しやすくなっている。また、容器５０内の基板Ｗ
の上面側の空間と下面側の空間とは、基板Ｗの側方端縁
（上側端縁と下側端縁）の外側で連通しており、基板Ｗ
の上面側で発生したミストが下面側空間に回り込んで入
口６１または出口６２から出てくるおそれがあるが、本
実施形態では、基板Ｗよりも下側の第２の覆い部材５２
にも、つば部６６を設けて、基板Ｗ下面との隙間をも狭
くしているので、同様にミストが外に出にくくなってい
る。しかも、基板Ｗが処理ツール１０を通過して容器５
０内に位置しない際には、ノズル５６から供給される処
理液は直接に容器５０の下側の空間へ入ることになる
が、この場合においても、ノズル５６からの処理液は第
２の覆い部材５２で受けられ、かつ、つば部６４、６６
で隙間が狭く長くなっているので、発生する処理液ミス
トが容器５０外へ出にくくなっている。したがって、こ
れらによって、容器５０内で処理液ミストが発生して
も、容器５０外に出にくくなっている。

【００２３】さらにこの実施形態では、この第１工程実
行時に、制御装置２１は２つの副ノズル６８からも処理
液を吐出するようにその液供給機構を駆動させる。副ノ
ズル６８から吐出された処理液すなわち剥離液は、基板
Ｗがその処理ツール１０を通過する際に、つば部６４と
対向している基板Ｗの表面を流れてその隙間７０をより
狭くするか、またはその隙間７０を完全に満たして閉塞
するように流れる。これにより、容器５０内で処理液ミ
ストが発生しても、そのミストが容器５０外へ出て飛散
するのを効果的に防止している。また、副ノズル６８か
ら吐出する処理液はノズル５６から吐出している処理液
と同じ剥離液であるので、処理に悪影響を与えることは
ない。なお、この副ノズル６８から吐出する液は、処理
に不都合を与えないようにノズル５６と同じ種類のもの
とすることが望ましい。また、この副ノズル６８からの
液の吐出は、処理の全期間吐出し続けるものでもよい
し、基板Ｗが当該処理ツール１０の部分に位置しない場
合には吐出を停止させてもよい。

【００２４】そして、この第１工程が終了しないうちに
基板Ｗがローラコンベア１によって剥離処理室２の図中
右側端部まで搬送されてしまったときには、センサ１７
により基板Ｗの位置が検出され、制御装置２１はローラ
コンベア１の駆動源を逆回転駆動し、今度は基板Ｗを図
中右から左方向へ搬送し、剥離処理室２内で第１工程を
継続して実行する。第１工程が終了しないうちに基板Ｗ
がローラコンベア１によって剥離処理室２の図中左側端
部まで搬送されてしまったときにも同様に、センサ１６
により基板Ｗの位置が検出され、制御装置２１はローラ
コンベア１の駆動源を正回転駆動し、今度は基板Ｗを図
中左から右方向へ搬送し、剥離処理室２内で第１工程を
継続して実行する。このように基板Ｗが剥離処理室２内
を周期的に往復移動し、その移動中に剥離液がスプレー
供給されるので、ノズル５６から基板Ｗへの剥離液の供
給位置が時間的に変化し、基板Ｗの全面にむらなく剥離
液が供給される。制御装置２１は内蔵しているタイマに
より第１工程の実行時間を監視し、設定された所定時間
が経過すると第１工程を終了する。

【００２５】剥離処理室２内で第１工程が終了すると、
引き続いて第２工程が実行される。第２工程において
は、制御装置２１はポンプ１９を吐出圧力が高圧となる
ように駆動し、搬送されつつある基板Ｗに対してノズル
５６から剥離液を高圧でスプレー状に供給する。この第
２工程においては、基板Ｗ面上に剥離液が高圧で供給さ
れ、第１工程の間に十分に膨潤しているフォトレジスト
の被膜に剥離液が高圧で衝突することによる物理的衝撃
力が加わることになり、被膜が効果的に剥離除去され
る。この第２工程は、被膜の剥離除去が十分に行われる
所定時間の間継続され、その間、剥離液の高圧状態での
供給は継続される。この間、基板Ｗに対しては温度調節
された剥離液が継続して供給されるので、工程の途中で
基板Ｗに触れる剥離液の温度が低下するといった不都合
は生じない。

【００２６】また、この第２工程の際においても、制御
装置２１は２つの副ノズル６８からも処理液を吐出する
ようにその液供給機構を駆動させる。副ノズル６８から
吐出された処理液すなわち剥離液は、つば部６４と対向
している基板Ｗの表面を流れてその隙間７０をより狭く
するか、またはその隙間７０を完全に満たして閉塞する
ように流れる。この第２工程では、第１工程よりも高い
圧力でノズル５６から処理液を供給するため、容器５０
内で処理液ミストがより発生しやすいが、上述の第１工
程において説明したのと同様に、つば部６４、６６が設
けられており、かつ副ノズル６８からの処理液の吐出を
行うことで、処理に悪影響を与えることなく処理液ミス
トの容器５０外への流出を効果的に抑制することができ
る。

【００２７】また、この第２工程が終了しないうちに基
板Ｗがローラコンベア１によって剥離処理室２のどちら
かの端部まで搬送されてしまったときには、第１工程と
同様に、センサ１６、１７により基板Ｗの位置が検出さ
れ、制御装置２１がローラコンベア１の駆動源の回転方
向を制御することにより基板Ｗを剥離処理室２内で周期
的に往復移動させ、剥離処理室２内で第２工程を継続し
て実行する。このように基板Ｗが剥離処理室２内を移動
中に剥離液がスプレー供給されるので、ノズル５６から
基板Ｗへの剥離液の供給位置が時間的に変化し、基板Ｗ
の全面にむらなく剥離液が供給される。制御装置２１は
内蔵しているタイマにより第２工程の実行時間を監視
し、設定された所定時間が経過すると第２工程を終了す
る。第２工程が終了すると、制御装置２１はローラコン
ベア１を駆動して基板Ｗを洗浄処理室４へ送る。

【００２８】洗浄処理室４内においては第３工程が実行
される。第３工程においては、制御装置２１はポンプ３
０を駆動し、搬送されつつある基板Ｗに対してノズル２
４から純水スプレー状に供給して洗浄処理する。この第
３工程においては、基板Ｗの上面、下面に付着して残留
している剥離液や、剥離されたフォトレジスト被膜の破
片などが純水スプレーにより洗い流される。この第３工
程は、基板Ｗが洗浄処理室４の図中右側の開口５から搬
出されるまで行われる。

【００２９】第３工程が終了して洗浄処理室４の図中右
側の開口５から搬出された基板Ｗは、図示しない搬送装
置により前記乾燥装置へ搬送され、第４工程が実行され
る。この第４工程においては、基板Ｗは周知の乾燥装
置、例えば基板を回転させることによる回転式乾燥装置
やエアを吹き付けることによるエアナイフ式乾燥装置に
よって乾燥処理される。乾燥処理後の基板Ｗは直ちに次
工程に送られるか、あるいは所定の容器に格納される。

【００３０】この第１実施形態の剥離装置では、傾斜姿
勢の基板に対して覆い部材を設け、覆い部材につば部を
形成するとともに、基板をつば部との間に基板の傾斜方
向上側から液を供給する副ノズルを設けているので、簡
単な構成で処理液ミストが飛散してしまうのを顕著に抑
制でき、処理液がミストとして排気に混じって廃棄され
てしまって消費されるのを有効に抑制でき、また処理液
ミストが基板に対して悪影響を与えることもなくなる。

【００３１】また、第１の覆い部材と第２の覆い部材と
を設けるとともに、第１の覆い部材にはつば部を設けて
いるので、処理ユニット内での基板の処理中でも、処理
ユニット内に基板が位置しない際でも、処理液ミストが
飛散するのを顕著に抑制できる。

【００３２】またこの実施形態では、基板Ｗは剥離処理
室内で処理に必要な時間だけ周期的に往復移動してその
間に処理が行なわれるので、処理室の大きさや搬送速度
にかかわらず、被膜の状態などに応じて処理時間を容易
に変更することができる。特にこの実施形態の装置で
は、剥離液を低圧で吐出する処理工程と、剥離液を高圧
で吐出する処理工程のそれぞれの時間を自由に変更して
設定することができる。また、この実施形態の装置で
は、剥離液を低圧で吐出する処理と高圧で吐出する処理
とを一つの剥離処理室２で行なっており、装置が小型化
できる。特にこの実施形態の装置では、ノズル５６やポ
ンプ１９などの液供給機構１０を高圧吐出と低圧吐出の
両方に共用しており、装置の小型化、低コスト化の効果
が大きい。

【００３３】図５はこの発明の第２の実施形態の基板処
理装置である剥離装置の要部斜視図である。この第２の
実施形態が第１の実施形態と異なるところは、基板Ｗを
搬送するローラコンベア１が、基板Ｗを傾斜姿勢ではな
く水平姿勢で搬送するものであることと、それに伴っ
て、第１の実施形態における副ノズル６８を設けていな
いことである。その他の構成は第１の実施形態と同一で
あるので説明は省略する。

【００３４】この第２実施形態においても、第１の覆い
部材５１にはつば部６４が形成されているため、第１の
実施形態と同様に、もし仮に処理液のスプレー状の供給
によって処理液ミストが容器５０内にて発生しても、ミ
ストがつば部６４と基板Ｗとの間の狭く長い隙間７０を
通過しようとする際にミスト同士がぶつかって再水滴化
しやすく、またその隙間７０近傍にある処理液の流れに
引き寄せられてぶつかって液化しやすくなっている。ま
た、本実施形態でも、基板Ｗよりも下側の第２の覆い部
材５２にも、つば部６６を設けて、基板Ｗ下面との隙間
をも狭くしているので、同様にミストが外に出にくくな
っている。しかも、基板Ｗが処理ツール１０を通過して
しまっていて容器５０内に位置しない際には、ノズル５
６から供給される処理液は直接に容器５０の下側の空間
へ入ることになるが、この場合においても、ノズル５６
からの処理液は第２の覆い部材５２で受けられ、かつ、
つば部６４、６６で隙間が狭く長くなっているので、発
生する処理液ミストが容器５０外へ出にくくなってい
る。したがって、これらによって、容器５０内で処理液
ミストが発生しても、容器５０外に出にくくなってい
る。

【００３５】次に、上述した実施形態の装置の変形例に
ついて説明する。この変形例の説明においては、変形部
分のみについて説明する。第１の変形例は、上述した第
１および第２実施形態に共通するものである。図６は、
第１の覆い部材５１に設けられるつば部６４と、第２の
覆い部材５２に設けられるつば部６６とを、移動自在に
取り付けた変形例を示す要部断面図である。ここではつ
ば部６４、６６を覆い部材５１、５２に開閉移動自在に
取り付けるために蝶番８０を使用している。そして、装
置の使用時においては各つば部６４、６６を開いて基板
Ｗの表面に沿うように位置させる。そして、装置のメン
テナンス時や、装置の非常停止時に処理中であった基板
Ｗを取り出すなどの作業を行なう場合などには、蝶番８
０によって必要なつば部６４、６６を回動させて閉じた
位置とすることで、ローラコンベア１上にある基板Ｗ等
に容易に手が届き、処理ツール１０を装置から取り外す
ことなく容易に作業を行なうことができる。なお、この
変形例では蝶番８０を使用して開閉するように移動自在
に構成したが、これに限らず、例えばリニアガイド等を
用いてつば部６４、６６を基板Ｗと平行なままで基板Ｗ
に対して近接または離間させるように移動させるなど、
つば部６４、６６を覆い部材５１、５２に対して移動自
在に取り付けることができるものであればどのような構
造を用いてもよく、またすべてのつば部６４、６６を移
動させる必要はなく、メンテナンスなどの作業で必要な
ものだけを移動させる構成でもよい。この変形例のよう
に閉じた状態でつば部６４、６６が容器５０の外形に沿
うように回動させる構成であれば、メンテナンスなどの
作業のための空間を得やすい利点がある。

【００３６】次に、第２の変形例について説明する。第
２の変形例も、上述した第１および第２実施形態に共通
するものである。図７は、第１の覆い部材５１に設けら
れるつば部６４と、第２の覆い部材５２に設けられるつ
ば部６６とを、着脱自在に取り付けた変形例を示す要部
断面図である。ここではつば部６４、６６を覆い部材５
１、５２に開閉移動自在に取り付けるためにネジ９０を
使用している。そして、装置の使用時においては各つば
部６４、６６を基板Ｗの表面に沿うように位置させてネ
ジ９０により覆い部材５１、５２に取り付ける。そし
て、装置のメンテナンス時や、装置の非常停止時に処理
中であった基板Ｗを取り出すなどの作業を行なう場合な
どには、ネジ９０を取り外して必要なつば部６４、６６
を取り外すことで、ローラコンベア１上にある基板Ｗ等
に容易に手が届き、処理ツール１０を装置から取り外す
ことなく容易に作業を行なうことができる。なお、この
変形例ではネジ９０を使用してつば部６４、６６を着脱
自在に構成したが、これに限らず、例えば任意の嵌め合
い構造をつば部６４、６６と覆い部材５１、５２に形成
するなどにより、つば部６４、６６を覆い部材５１、５
２に対して着脱自在に取り付けることができるものであ
ればどのような構造を用いてもよく、またすべてのつば
部６４、６６を着脱自在にする必要はなく、メンテナン
スなどの作業で必要なものだけを着脱させる構成でもよ
い。

【００３７】次に、第３の変形例について説明する。第
３の変形例は、上述した第１実施形態についてのもので
ある。第1の実施形態では図２に示すように容器５０の
入口側と出口側のそれぞれに副ノズル６８を設けたが、
この変形例では図８に示すようにそれらを一体化して、
入口側のつば部６４の端部から容器５０の側面を通り出
口側のつば部６４の端部にまで至る大きな副ノズルを設
けている。この場合、つば部６４の部分以外の容器５０
内の部分の基板Ｗ表面にも処理液の液膜が形成され、ノ
ズル５６から供給される処理液とあいまって処理をより
よく進行させるとともに、つば部６４部分、特に基板Ｗ
の進行方向側のつば部６４部分の液の量を補充する役割
も果たし、処理液ミストの容器５０外への飛散をより効
果的に防止できる。

【００３８】なお、以上のすべての実施形態において、
容器５０を構成する第１の覆い部材５１、第２の覆い部
材５２の基板搬送方向における幅Ｌ（図４）は、同じ方
向における基板Ｗの幅よりも短い。また、入口６１側の
つば部６４、６６の端部から出口６２側のつば部６４、
６６の端部までの長さも、基板搬送方向における基板Ｗ
の幅よりも短い。これにより、基板Ｗの処理中にはつば
部６４、６６と基板Ｗとが入口６１側と出口６２側の両
方で有効に近接することになり、ミストの飛散防止に有
効である。

【００３９】また、第１の実施形態の装置でのローラコ
ンベア１は、剥離処理室２や洗浄処理室４内で基板Ｗを
若干の傾斜姿勢として搬送して処理するものであるが、
このように若干の傾斜姿勢、例えば水平面に対して基板
面が５度〜１０度程度の角度をなす傾斜姿勢で搬送する
ものとすることが、基板Ｗを水平姿勢で搬送して処理す
るものと比べ、以下の理由により望ましい。すなわち基
板Ｗを例えば搬送方向にして対して左右いずれかに若干
傾斜させて支持することにより、剥離されたフォトレジ
スト被膜の破片や汚れた剥離液、純水等がその傾斜にそ
って速やかに流れ落ちて基板Ｗ表面から除去されるの
で、基板Ｗをより清浄に保つことができるからである。

【００４０】なお、上記第１および第２実施形態におい
て、低圧での剥離液の供給とは、供給された剥離液が基
板Ｗ上で被膜を膨潤させるのに十分な液膜を形成できる
状態を実現できる程度であればよい。つまり、例えば供
給された液のかなりの部分が基板Ｗへの衝突で跳ね返っ
てしまうような液の供給状態では、被膜を十分に膨潤さ
せることはできないためである。また、高圧での剥離液
の供給とは、膨潤している被膜を剥離除去させるのに十
分な衝撃力を与えることができる程度であればよい。具
体的な圧力は剥離しようとする被膜と基板Ｗとの密着の
強さなどによって異なるが、例えば上記実施形態におい
て、低圧供給の場合はノズルへの配管内の圧力で例えば
１〜２ｋｇ／ｃｍ^２程度の圧力、高圧供給の場合は同じ
く１０〜２０ｋｇ／ｃｍ^２程度の圧力で行なっている。
低圧供給の場合であれば、例えば基板Ｗの幅と同等以上
の長さのスリット状の開口を有するノズルを用いて、基
板Ｗ表面に沿うようなカーテン状の液流でほとんど基板
Ｗに圧力を加えずに剥離液を供給するようなものでもよ
く、スプレー状に供給するものであれば、基板表面での
打力を例えば２ｇ／ｃｍ^２程度以下の圧力とすることが
考えられる。また、高圧供給の場合は同じく基板表面で
の打力を５０ｇ／ｃｍ^２程度以上の圧力とすることが考
えられる。

【００４１】また上記各実施形態では、基板処理装置と
して、処理液として剥離液を使用する剥離装置について
説明したが、本発明は、現像装置、エッチング装置、洗
浄装置など、処理液を使用して処理を行なう各種装置に
適用することができる。

【００４２】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１の発明によれば、傾斜姿勢で搬送される基板に対して
その表面を覆う覆い部材と基板の表面に沿うつば部を設
け、つば部と基板との間に液を供給する副ノズルを設け
たので、覆い部材から処理液ミストが飛散するのを簡単
な構成にて防止することができる。

【００４３】また請求項４の発明によれば、基板の両面
を覆うように第１および第２の覆い部材を設け、第１の
覆い部材に基板の表面に沿うつば部を設けたので、基板
が存在しているときもいないときも、覆い部材から処理
液ミストが飛散するのを簡単な構成にて防止することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態である剥離装置の要部の
概略構成を示す模式的断面図である。

【図２】本発明の第１実施形態である剥離装置の要部を
示す斜視図である。

【図３】図２における矢印Ｘ方向から見た矢視図であ
る。

【図４】本発明の第１実施形態である剥離装置の要部を
示す要部断面図である。

【図５】本発明の第２実施形態である剥離装置の要部を
示す斜視図である。

【図６】本発明の第１の変形例を示す要部断面図であ
る。

【図７】本発明の第２の変形例を示す要部断面図であ
る。

【図８】本発明の第３の変形例を示す要部断面図であ
る。

【符号の説明】

Ｗ・・・基板１・・・ローラコンベア２・・・剥離処理室３・・・室構成体１０・・・処理ツール５１・・・第１の覆い部材５２・・・第２の覆い部材５６・・・ノズル６４、６６・・・つば部６８・・・副ノズル８０・・・蝶番９０・・・ネジ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者鈴木聡京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神北町１番地の１大日本スクリーン製造株式会社内Ｆターム(参考） 5F043 CC16 DD30 EE07 EE35 EE36 EE40 GG10 5F046 LA11 LA19 MA10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板を傾斜姿勢に支持してその板面に沿
った方向に搬送する搬送機構と、搬送機構により搬送される基板の一方の表面に対して処
理液を供給する処理液ノズルと、前記基板の前記一方の表面のうち前記処理液ノズルから
の処理液が供給される領域を覆う第１の覆い部材と、前記覆い部材の前記基板側に、当該基板の表面に沿うよ
うに設けられたつば部と、前記基板と前記つば部との間に、前記基板の傾斜方向上
側から液を供給する副ノズルとを備えたことを特徴とす
る基板処理装置。
【請求項２】前記副ノズルは、前記処理液ノズルから
供給する処理液と同じ処理液を供給するものであること
を特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】前記搬送機構により搬送される基板の位
置をはさんで前記処理液ノズルと対向するように設けら
れ前記基板の他方の表面を覆う第２の覆い部材をさらに
備えたことを特徴とする請求項１または２に記載の基板
処理装置。
【請求項４】基板をその板面に沿った方向に搬送する
搬送機構と、搬送機構により搬送される基板の一方の表面に対して処
理液を供給する処理液ノズルと、前記基板の前記一方の表面のうち前記処理液ノズルから
の処理液が供給される領域を覆う第1の覆い部材と、前記搬送機構により搬送される基板の位置をはさんで前
記処理液ノズルと対向するように設けられ前記基板の他
方の表面領域を覆う第2の覆い部材と、前記第1の覆い部材の前記基板側に、当該基板の表面に
沿うように設けられたつば部とを備えたことを特徴とす
る基板処理装置。
【請求項５】前記第２の覆い部材の前記基板側に、当
該基板の他方の表面に沿うように設けられたつば部を更
に備えたことを特徴とする請求項３または４に記載の基
板処理装置。
【請求項６】前記つば部は、前記覆い部材に対して移動自在に設けられていることを
特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処
理装置。
【請求項７】前記つば部は、前記覆い部材に対して開閉移動自在に設けられているこ
とを特徴とする請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】前記つば部は、前記覆い部材に対して着脱自在に設けられていることを
特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処
理装置。