JP3367421B2 - 被処理体の収納装置及び搬出入ステージ - Google Patents

被処理体の収納装置及び搬出入ステージ

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等を
処理装置間に搬送する時に、制御された空間にウエハを
収容した状態で搬送することができる被処理体の収納装
置及び搬出入ステージに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路等を製造するためには、
半導体ウエハに成膜、拡散、露光、エッチング等の各種
の処理を繰り返し施すため、一般的には、ウエハは実行
すべき処理に応じて異なった装置間を人間或いは自動搬
送機構により移送され、そして、所望の処理が施され
る。このような状況下において、ウエハは前段の処理が
終わった後に、直ちに次の処理のための処理装置へ搬送
されて、直ちに次の処理が行なわれるとは限らず、次の
処理が開始されるまでの間、長期間、クリーンルーム内
で待機状態となる場合もある。周知のように半導体ウエ
ハには非常に微細な加工が施されるので、歩留り向上の
上からパーティクルの付着を非常に嫌い、また電気的特
性の向上の上からもウエハ表面に自然酸化膜等の余分な
膜が付着することも避けなければならない。
【0003】設計ルールがそれ程厳しくない場合には、
上述したようにクリーンルーム内でウエハを待機させて
もそれ程問題は生じなかったが、最近のように高微細化
が進んでサブミクロンのような加工オーダが求められる
と、清浄空気の雰囲気に維持されたクリーンルーム内と
はいえ、パーティクル対策上、或いは自然酸化膜の対策
上、好ましくない場合も生じてきた。そこで、数10枚
程度のウエハを収容できる大きさで、外部の雰囲気とは
遮断された搬送可能な容器を作り、この中に例えば25
枚程度のウエハを多段に載置して密閉状態とし、外部雰
囲気と隔離した状態で処理装置間にウエハを搬送するこ
とも行なわれるようになった。この容器は、例えばカセ
ットボックスと称され、ある1つの処理が終了すると、
処理済みの25枚のウエハをこのカセットボックス内に
収容して密閉し、例えば作業員がこれを次の処理装置ま
で運ぶことになる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この種のカ
セットボックスにあっては、ボックス内の雰囲気を単に
外部のクリーンルームの雰囲気と隔離しただけなので、
収容したウエハ表面に僅かではあるが自然酸化膜が付着
することは避けられなかった。そこで、更に一歩進め
て、ボックス内に不活性ガス供給ノズルと排気ノズルを
設けてボックス内をN2 ガス等の不活性ガス雰囲気で満
たし、パーティクルの付着のみならず、自然酸化膜の発
生も極力抑制することも考えられる。
【0005】しかしながら、この場合には不活性ガスを
用いてカセットボックスの内部をN2 ガスで満たす時に
不活性ガス供給ノズルからN2 ガスを噴射供給しつつ排
気ノズルから内部雰囲気を排気してガス置換を行なうの
であるが、この時、ガスの吹き出しによってボックス内
のパーティクルが巻き上がることは避けられない。その
ため、自然酸化膜の抑制はできても、パーティクルの付
着を十分に抑制することができない。そこで、このよう
な点を回避するために、特開平2−184333号公報
や特開平8−64582号公報等で開示したように、ロ
ードロック室内へ不活性ガスを供給する際にガス流を緩
和するように作用するフィルタを設けることも考えられ
るが、上述したようなロードロック室は比較的余分なス
ペースが存在するのに対して、カセットボックス内は余
裕スペースが非常に少なく、更には、ロードロック室と
は異なって持ち運ぶことを前提としているために、ボッ
クスの内部雰囲気の給排気手段について上記公報に開示
された技術をそのまま用いることはできない。
【0006】本発明は、以上のような問題点に着目し、
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
の目的は、内部雰囲気を不活性ガスに満たすと共に供給
時にパーティクルを巻き上げることがない被処理体の収
納装置及び搬出入ステージを提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、請求項1に規定する発明は、気密に開閉される開
閉ドアを有する搬送可能な箱状の容器本体と、前記容器
本体の内面に設けられて、被処理体を多段に支持するた
めの支持部材と、不活性ガスを導入するために前記容器
本体に設けられたガス導入ポートと、内部雰囲気を排気
するために前記容器本体に設けられたガス排気ポート
と、前記ガス導入ポートに接続されて前記容器本体内部
に延びるガス導入ノズルと、前記ガス導入ノズルの先端
に設けられて導入されるガスの拡散力を抑制する拡散力
抑制部材とを備え、前記拡散力抑制部材は、前記ガス導
入ノズルに接続されて前記被処理体の平面方向に広がっ
て一側面が開放された薄いガス拡散容器と、このガス拡
散容器の開放部に設けられてセラミック或いは金属ファ
イバを焼結してなる多孔質焼結体よりなるようにしたも
のである。
【0008】これにより、容器本体内に不活性ガスを供
給する時には、ガス導入ノズルに設けた拡散力抑制部材
によって不活性ガスの拡散力は抑制されることになり、
パーティクルの巻き上げを極力抑制することが可能とな
る。このような拡散力抑制部材としては、セラミック或
いは金属ファイバを焼結してなる多孔質焼結体を用いる
ことができる。また、前記ガス導入ノズルには、複数の
ガス噴出孔が設けられ、これらのガス噴出孔を覆うよう
にして前記拡散力抑制部材を設けるようにしてもよい。
更に、前記拡散力抑制部材は、前記ガス導入ノズルに接
続されて前記被処理体の平面方向に広がって一側面が開
放された薄いガス拡散容器と、このガス拡散容器の開放
部に設けられてセラミック或いは金属ファイバを焼結し
てなる多孔質焼結体とにより構成してもよい。
【0009】また、前記ガス排出ポートに接続されて前
記容器本体に延びるガス排気ノズルと、前記ガス排気ノ
ズルの先端に設けられて、排気されるガスの収束力を抑
制する収束力抑制部材とを備備えるようにしてもよい。
このようにすれば、内部雰囲気の排気時にも気流の乱れ
が発生することを抑制でき、パーティクルの付着を一層
抑制することが可能となる。この収束力抑制部材は、前
記拡散力抑制部材と同じものを用いればよい。更に、前
記ガス導入ポートと前記ガス排気ポートには、押圧力に
より開放される押圧力開閉弁を設けるようにしてもよ
い。これによれば、この収納装置を後述する搬出入ステ
ージ上に載置するだけで、自動的にポート間が接続され
てガス給排気系を連結することができる。
【0010】請求項に規定する発明は、上記いずれか
に示した被処理体の収納装置を載置して処理装置内との
間で前記被処理体を搬出入させる搬出入ステージにおい
て、前記収納装置を載置する載置台と、この載置台に設
けられて、前記収納装置のガス導入ポートに着脱可能に
接続されて不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段
と、前記載置台に設けられて、前記収納装置のガス排気
ポートに着脱可能に接続されて容器本体内の雰囲気を排
気するガス排気手段とを備え、前記不活性ガス供給手段
の先端には導入用接合ノズルが設けられて、前記導入用
接合ノズルには前記ガス導入ポートの押圧力開閉弁と接
合される自動ジョイントが設けられると共に、前記ガス
排気手段の先端には排気用接合ノズルが設けられて、前
記排気用接合ノズルには前記ガス排気ポートの押圧力開
閉弁と接合される自動ジョイントが設けられるように構
成する。これにより、収納装置を搬出入ステージに載置
するだけで、収納装置内の雰囲気を不活性ガスで置換す
ることが可能となる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る被処理体の
収納装置及び搬出入ステージの一実施例について添付図
面を参照して説明する。図1は本発明に係る収納装置を
示す分解斜視図、図2は図1に示す収納装置の横断面
図、図3は図1に示す収納装置の容器本体を示す部分破
断側面図、図4は図3に示す容器本体の部分拡大断面
図、図5は本発明の収納装置を搬出入ステージに載置し
た状態を示す図、図6は搬出入ステージを示す概略斜視
図、図7は収納装置のガスポートが接合される直前を示
す部分拡大断面図、図8は収納装置のガスポートが接合
された状態を示す部分拡大断面図である。
【0012】まず、本発明の収納装置と搬出入ステージ
の関係について説明すると、図5及び図6に示すよう
に、この収納装置2は半導体ウエハ等の被処理体を多段
に収納して外部雰囲気から隔離するものであり、作業員
が単独で或いは自動搬送機構で持ち運びができるような
大きさに設定されている。この収納装置2は、半導体ウ
エハに対して所定の処理を施す処理装置4の入口側に設
けられた搬出入ステージ6に載置され、これよりウエハ
は処理装置4内に取り込まれることになる。この処理装
置4は、実際にウエハに対して熱処理等を施す処理室
と、この前段に接合される真空引き可能になされた搬送
室、例えばロードロック室等を組み合わせてなるが、図
5においてはロードロック室4Aが示されており、内部
にウエハを搬出入するために屈伸、旋回及び昇降可能に
なされた多関節の搬送アーム8が設けられている。この
ロードロック室4Aの搬出入ステージ6側の側壁には、
気密に開閉可能になされたゲートドア10を設けてお
り、また、ロードロック室4A内へは不活性ガスとして
例えばN2 ガスをパージできるようになっている。
【0013】一方、上記搬出入ステージ6は、ロードロ
ック室4Aよりも前記ゲートドア10の前方に延びる載
置台12を有しており、この載置台12上に前記収納装
置2を直接載置する。この載置台12には、収納装置2
内にN2 ガス等の不活性ガスを供給する不活性ガス供給
手段14と、収納装置2内の雰囲気を圧力調整しつつ排
気するガス排気手段16が設けられている。具体的に
は、上記不活性ガス供給手段14は、N2 ガスを貯留す
るN2 ガス源18に接続されたガス供給通路20を有し
ており、このガス供給通路20には開閉弁22及び流量
制御器24が介設されている。そして、このガス供給通
路20の他端は、載置台12の上方に所定の高さだけ突
出させた導入用接合ノズル26に接合されている。この
導入用接合ノズル26の先端には、図7に示すように押
圧することによって弾発力によって相手の収納装置側の
ノズルと接合される自動ジョイント28が設けられる。
【0014】また、ガス排気手段16は、途中に圧力調
整弁30や排気ポンプ32等を介設したガス排気通路3
4を有している。このガス排気通路34の基端は、上述
した導入用接合ノズル26と同様に上記載置台12の上
方に所定の高さだけ突出させた排気用接合ノズル36に
接合されており、この先端には押圧することによって弾
発力によって相手の収納装置側のノズルと接合される自
動ジョイント38(図7参照)が設けられる。
【0015】次に、図1乃至図4を参照して収納装置2
について説明する。図示するように、この収納装置2
は、全体が略直方体状になされた容器本体40を有して
おり、この一側は開放されて搬出入口42となってい
る。この搬出入口42の周囲は外側へ突出されたフラン
ジ部44として構成されており、このフランジ部44に
略矩形状の開閉ドア46を着脱自在に嵌装し得るように
なっている。この開閉ドア46の周囲全体には、例えば
ポリウレタン等よりなるシール部材48が設けられてお
り、開閉ドア46を嵌装した時に容器本体40内を気密
状態にできるようになっている。上記開閉ドア46の内
面側の中央には、その高さ方向に沿って例えば弾性フッ
素系樹脂よりなる弾性押さえ部材50が設けられてお
り、ウエハを収容した時に動かないようにこれを水平方
向へ押さえ付けるようになっている。
【0016】上記容器本体40は、内部を視認できるよ
うに例えば透明なポリカーボネート樹脂でできており、
ウエハ搬出入方向と直交するその内側面には、半導体ウ
エハWを支持する一対の支持部材52が設けられてい
る。具体的には、この支持部材52は、例えばパーティ
クルが発生し難いフッ素系樹脂よりなり、円弧状の支持
溝52Aを所定のピッチで多段に形成することにより構
成されている。そして、この支持溝52Aに半導体ウエ
ハWの周縁部の一部を支持させてこれを保持するように
なっている。収容できるウエハWの枚数は、任意に設定
できるが、一般的には、13〜25枚程度である。
【0017】そして、容器本体40の奥には、本発明の
特徴とするガス導入ノズル54と拡散力抑制部材56及
びガス排気ノズル58と収束力抑制部材60とが設けら
れる。尚、ガス排気ノズル58と収束力抑制部材60は
設けなくて、後述するガス排気ポートのみを設けてもよ
い。具体的には、容器本体40の底部40Aには、下方
に開放された2つの凹部62、64が設けられ、この凹
部62、64内に上記底部40Aを貫通してそれぞれガ
ス導入ポート66とガス排気ポート68を設けている。
そして、ガス導入ポート66には、容器本体40の一方
の隅に起立して延びるガス導入ノズル54を連結し、ま
た、ガス排気ポート68には、容器本体40の他方の隅
に起立して延びるガス排気ノズル58を連結している。
そして、各ノズル54、58には、その長さ方向に散在
させてそれぞれ多数のガス噴射孔54Aとガス吸入口5
8Aが設けられている。
【0018】そして、このガス導入ノズル54の全体
に、上記ガス噴射孔54Aを覆うようにして細長い円筒
体状の上記拡散力抑制部材56を設けている。この拡散
力抑制部材56は、例えばアルミナ等の粉体を焼結して
なる多孔質のセラミック焼結体やステンレス、ニッケル
等の金属のファイバを焼結してなる多孔質の金属焼結体
よりなり、ガス噴射孔54Aから放出されるガスの拡散
力を弱めて抑制するようになっている。また、上記ガス
排気ノズル58の全体にも、上記ガス吸入孔58Aを覆
うようにして細長い円筒体状の上記収束力抑制部材60
を設けている。この収束力抑制部材60は、上記拡散力
抑制部材56と全く同じ材料及び構造になされており、
ここに収束するガスの収束力を緩和乃至抑制して乱流が
発生することを防止するようになっている。
【0019】また、ガス導入ポート66には、図4に示
すように容器本体40内に向けてガスが流れる時にオー
プンする逆止弁72と、所定の押圧力が付与された時に
開放される押圧力開閉弁74が設けられている。また、
ガス排気ポート68には、容器本体40から外に向けて
ガスが流れる時にオープンする逆止弁76と、所定の押
圧力が付与された時に開放される押圧力開閉弁78が設
けられている。これらの押圧力開閉弁74、78として
は、例えばカプラタイプの開閉弁を用いることができ
る。図示例では、例えば12インチ(30cm)サイズ
のウエハWを用いており、このウエハWには、方向を示
すためのノッチ80(図2参照)が形成されている。そ
して、容器本体40の縦、横はそれぞれ350mm程
度、高さは13枚のウエハを収容する場合には200m
m程度、25枚のウエハを収容する場合には400mm
程度にそれぞれ設定される。また、容器本体40の側壁
には、一対の把手82を取り付けてこの持ち運びを行な
い易くしている。また、図示されないが、開閉ドア46
には、ロック機構を設け、これを手動で或いは自動機構
で解除することにより、開閉ドア46を離脱し得るよう
になっている。
【0020】次に、以上のように構成された収納装置及
び搬出入ステージの動作について説明する。まず、前工
程で所定の処理が行われた例えば25枚のウエハWは、
上記した収納装置2内へ図2に示すように密閉状態で収
容されており、内部には、前工程を行なった処理装置な
どにおいて活性ガスである例えばN2 ガスが略1気圧程
度で充填されている。さて、このような状態の収納装置
2は、作業員により或いは自動搬送機構により搬送され
て、図5に示すように開閉ドア46を処理装置4側に向
けた状態で搬出入ステージ6の載置台12上の所定の位
置に載置する。この時、図7及び図8に拡大して示すよ
うに、載置台12上の導入用接合ノズル26と排気用接
合ノズル36は、容器本体40の底部40Aに設けたガ
ス導入ポート66とガス排気ポート68とが嵌合して自
動ジョイント28、38によりそれぞれ連結される。こ
の連結によって、ポート66、68側の押圧力開閉弁7
4、78がそれぞれ開状態となって、N2 ガスの供給と
容器本体40内の排気が可能な状態となる。
【0021】このような状態において、図示しない自動
機構によって、収納装置2の開閉ドア46はロックが外
されて、これを取り外すことによって容器本体40内が
開放され、これと同時にロードロック室4Aのゲートド
ア10が開かれる。そして、内部の搬送アーム8を旋回
乃至屈伸させることによって、容器本体40に多段に支
持されている半導体ウエハWを保持し、これを順次ロー
ドロック室4A内側へ取り込む。そして、図示しない処
理室にてこの半導体ウエハWに対して所定の処理を行な
ったならば、前記と逆の搬送操作を行なって、処理済み
のウエハを容器本体40内へ再度戻すことになり、そし
て、全てのウエハを戻したならば、開閉ドア46を閉じ
ることによって、容器本体40内を再度密閉状態とす
る。
【0022】この状態では、容器本体40内は、クリー
ンルーム内の清浄エアーで満たされているが、ウエハ表
面に自然酸化膜が発生してしまうので、内部雰囲気を不
活性なN2 ガスで置換する。このため、図5に示すよう
な不活性ガス供給手段14のN2 ガス源18から、流量
制御器24により流量制御されたN2 ガスを流し、これ
をガス導入ポート66を介してガス導入ノズル54から
容器本体40内へ少しずつ供給する。このN2 ガスの供
給動作と同時に、ガス排気手段16の排気ポンプ16も
駆動して、容器本体40内の雰囲気をN2 ガスの供給に
見合った速度で排気し、これにより容器本体40内の雰
囲気をN2 ガスで置換してウエハ表面に自然酸化膜が発
生することを防止する。
【0023】N2 ガスの導入に際しては、ガス導入ノズ
ル54からいきなり供給N2 ガスの圧力を開放すると、
その時の拡散力によってガス流が乱れて容器本体40内
に鎮静化していたパーティクルが巻き上がり、これがウ
エハWの表面に付着すると言う問題が発生するが、本実
施例にあっては、ガス導入ノズル54に多数のガス噴射
孔54Aを設け、これを覆うようにして多孔質の焼結体
よりなる拡散力抑制部材56を設けているので、導入さ
れたN2 ガスは急激に拡散することなく拡散力抑制部材
56によりその拡散力が抑制されて徐々に容器本体40
内へ流入して行くことになる。従って、容器40内のパ
ーティクルが巻き上がってウエハに付着するなどの不都
合が発生することを未然に防止することができる。
【0024】また、ガス排気ノズル58には、これに吸
入される容器内雰囲気に乱流が発生してパーティクルの
巻き上げが発生する恐れがあるが、この場合にもガス排
気ノズル58には上述した拡散力抑制部材56と全く同
じ材料及び構造の多孔質の焼結体よりなる収束力抑制部
材60が設けてあるので、ここに吸入される雰囲気ガス
は急に収束されるのではなく、収束力抑制部材60の作
用により徐々に収束されてガス吸入孔58Aよりガス排
気ノズル58内に取り込まれ、排気される。従って、こ
の場合にも吸い込みガスに乱流が生ずることはないの
で、パーティクルが巻き上がってこれがウエハに付着す
る等の問題を生ずることもない。
【0025】また、拡散力抑制部材56や収束力抑制部
材60は、図2に示すように容器本体40の奥の隅の空
きスペースに配置するようにしているので、この抑制部
材56、60を設けるために、容器本体40自体の容積
を大きくする必要はほとんど生じない。このように、ガ
ス導入側とガス排気側に共に抑制部材56、60を設け
ることにより、パーティクルの巻き上げを大幅に抑制す
ることができる。また、ガス導入ポート66と不活性ガ
ス供給手段14との結合及びガス排気ポート68とガス
排気手段16との結合は、収納装置2を搬出入ステージ
6の載置台12の所定の位置に載置するだけで、自動的
に行なうことができる。また、両者の分離は、単に収納
装置2を載置台12から持ち上げるたげでよい。ここで
は不活性ガスとしてN2 ガスを用いたが、他にArガ
ス、Heガス等を用いてもよい。
【0026】また、ここでは拡散力抑制部材56として
筒体状、或いは円柱状の多孔質焼結体を用いた場合を例
にとって説明したが、これに代えて、例えば図9及び図
10に示すような円板状の拡散力抑制部材86を用いる
ようにしてもよい。この拡散力抑制部材86は、例えば
容器本体40の天井面へ設けるものであり、ウエハWと
略同じ面積を有する薄いガス拡散容器88を有してお
り、この一側面、例えば下面を開放して、ここに前述し
た拡散力抑制部材56と同様な材料よりなる多孔質の焼
結体90を形成している。上記ガス拡散容器88は例え
ばステンレスよりなり、その側部にガス導入ノズル54
を設けてN2 ガスを導入するようになっている。
【0027】この場合にも、ガス拡散容器88内へ導入
されたN2 ガスは、多孔質焼結体90によりその拡散力
が抑制されつつ容器本体40内へ供給されることになる
ので、前述した実施例と同様に、パーティクルの巻き上
げを防止することができる。また、この円板状の拡散力
抑制部材86は、収束力抑制部材としても同様にして適
用できるのは勿論である。ここで種々の拡散力抑制部材
を設けた場合と、抑制部材を設けなかった場合のパーテ
ィクルに対する評価を実際に行なったので説明する。
【0028】図11は評価装置を示す概略構成図であ
り、図11(A)、図11(B)は拡散力抑制部材を設
けなかった場合、図11(C)は拡散力抑制部材を設け
た場合である。図中、92は真空容器であり、この内部
のサセプタ94上にウエハWを載置している。RGはレ
ギュレータ、Fはフィルタ、Vはバルブ、NVはニード
ルバルブ、MFCは流量制御弁をそれぞれ示す。図11
(A)に示すラインAの場合は、真空容器92内が10
TorrになるまでニードルバルブNVを介してN2
スを供給し、その後は、バルブVを開いて一気にN2
スを一気圧になるまで流している。図11(B)に示す
ラインBの場合は、流量制御弁MFCを制御して時間と
共にN2 ガス流量が直線的に増加するように流してい
る。図11(C)に示すラインCの場合は、本発明に対
応するものであり、バルブVを開いて一気にN2 ガスを
流し、拡散力を拡散力抑制部材98により抑制してい
る。
【0029】この拡散力抑制部材としては、金属ファイ
バを焼結してなる抑制部材と、図9及び図10に示した
ような円板状の抑制部材と、セラミック粉体を焼結して
なる抑制部材の3種類を用いた。真空容器中にN2 ガス
パージを行なって、その時、ウエハ表面に付着したパー
ティクルをサイズ毎に測定した。その評価結果を図12
に示す。尚、図12中の右上に、本発明の評価結果の拡
大図を示す。図12から明らかなように抑制部材を用い
ないラインA、ラインBの場合には、全てのパーティク
ルのサイズにおいて多量のパーティクルが巻き上がって
ウエハ表面に多量に付着しているが、ラインCの場合に
は非常のパーティクル数が少なく、特に、セラミック焼
結体の抑制部材が最もパーティクルが少なく、良好な結
果を示していることが判明した。尚、ここでは真空容器
内へN2 ガスをパージするという厳しい条件下で評価を
行なったが、略1気圧の収納装置内の雰囲気をN2 ガス
で置換する場合には、真空容器内へガスをパージする場
合と異なって拡散力が小さいので更にパーティクル数は
減少することになる。
【0030】尚、上記実施例では12インチサイズのウ
エハを例にとって説明したが、6インチ、8インチのウ
エハにも適用できる。また、被処理体としては半導体ウ
エハに限定されず、ガラス基板、LCD基板等にも適用
できる。
【0031】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の被処理体
の収納装置及び搬出入ステージによれば、次のように優
れた作用効果を発揮することができる。ガス導入ポート
に例えば多孔質焼結体よりなる拡散力抑制部材を設け
て、容器本体に導入する不活性ガスの拡散力を抑制する
ようにしたので、乱流の発生を抑制してパーティクルの
巻き上げの発生を防止することができる。従って、製品
歩留りを向上させることができる。また、ガス排気ノズ
ルにも、拡散力抑制部材と同様な構造の収束力抑制部材
を設けてノズルに吸い込まれるガスの収束力を抑制した
ので、乱流の発生を抑制することができ、パーティクル
の巻き上げを更に抑制することができる。更に、ガス導
入ポート及びガス排気ポートに押圧力開閉弁を設け、こ
れを不活性ガス供給手段とガス排気手段を設けた搬出入
ステージに載置することにより、各ポートを簡単に上記
各手段に連結させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る収納装置を示す分解斜視図であ
る。
【図2】図1に示す収納装置の横断面図である。
【図3】図1に示す収納装置の容器本体を示す部分破断
側面図である。
【図4】図3に示す容器本体の部分拡大断面図である。
【図5】本発明の収納装置を搬出入ステージに載置した
状態を示す図である。
【図6】搬出入ステージを示す概略斜視図である。
【図7】収納装置のガスポートが接合される直前を示す
部分拡大断面図である。
【図8】収納装置のガスポートが接合された状態を示す
部分拡大断面図である。
【図9】拡散力抑制部材の変形例を示す斜視図である。
【図10】図8に示す抑制部材の断面図である。
【図11】評価装置を示す概略構成図である。
【図12】本発明の評価結果を説明するグラフである。
【符号の説明】
2 収納装置 4 処理装置 6 搬出入ステージ 12 載置台 14 不活性ガス供給手段 16 ガス排気手段 18 N2 ガス源 28、38 自動ジョイント 40 容器本体 42 搬出入口 46 開閉ドア 52 支持部材 52A 支持溝 54 ガス導入ノズル 56 拡散力抑制部材 58 ガス排気ノズル 60 収束力抑制部材 66 ガス導入ポート 68 ガス排気ポート 78 押圧力開閉弁 88 ガス拡散容器 90 多孔質焼結体 W 半導体ウエハ(被処理体)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/68 B65D 85/86 B65G 49/00 H01L 21/02

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 気密に開閉される開閉ドアを有する搬送
    可能な箱状の容器本体と、前記容器本体の内面に設けら
    れて、被処理体を多段に支持するための支持部材と、不
    活性ガスを導入するために前記容器本体に設けられたガ
    ス導入ポートと、内部雰囲気を排気するために前記容器
    本体に設けられたガス排気ポートと、前記ガス導入ポー
    トに接続されて前記容器本体内部に延びるガス導入ノズ
    ルと、前記ガス導入ノズルの先端に設けられて導入され
    るガスの拡散力を抑制する拡散力抑制部材とを備え、前記拡散力抑制部材は、前記ガス導入ノズルに接続され
    て前記被処理体の平面方向に広がって一側面が開放され
    た薄いガス拡散容器と、このガス拡散容器の開放部に設
    けられてセラミック或いは金属ファイバを焼結してなる
    多孔質焼結体よりなる ことを特徴とする被処理体の収納
    装置。
  2. 【請求項2】 先端にそれぞれジョイントが設けられた
    不活性ガス供給手段とガス排気手段とを有する搬出入ス
    テージに載置される被処理体の収納装置において、 気密に開閉される開閉ドアを有する搬送可能な箱状の容
    器本体と、 前記容器本体の内面に設けられて、被処理体を多段に支
    持するための支持部材と、 不活性ガスを導入するために前記容器本体に設けられた
    ガス導入ポートと、 内部雰囲気を排気するために前記容器本体に設けられた
    ガス排気ポートと、 前記ガス導入ポートに接続されて前記容器本体内部に延
    びるガス導入ノズルと、 前記ガス導入ノズルの先端に設けられて導入されるガス
    の拡散力を抑制する拡散力抑制部材と、前記ガス導入ポートと前記ガス排気ポートにそれぞれ設
    けられて、前記収納装置を前記搬出入ステージに載置し
    た時に、前記搬出入ステージ側より受ける押圧力により
    前記対応するジョイントに接続されて開放される押圧力
    開閉弁と、 を備え ることを特徴とする被処理体の収納装置。
  3. 【請求項3】 前記押圧力開閉弁は、カプラタイプの開
    閉弁であることを特徴と する請求項2記載の被処理体の
    収納装置。
  4. 【請求項4】 前記拡散力抑制部材は、セラミック或い
    は金属ファイバを焼結してなる多孔質焼結体よりなるこ
    とを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の被処
    理体の収納装置。
  5. 【請求項5】 前記ガス導入ノズルには、複数のガス噴
    出孔が設けられ、これらのガス噴出孔を覆うようにして
    前記拡散力抑制部材が設けられることを特徴とする請求
    項1乃至4のいずれかに記載の被処理体の収納装置。
  6. 【請求項6】 前記拡散力抑制部材は、前記ガス導入ノ
    ズルに接続されて前記被処理体の平面方向に広がって一
    側面が開放された薄いガス拡散容器と、このガス拡散容
    器の開放部に設けられてセラミック或いは金属ファイバ
    を焼結してなる多孔質焼結体よりなることを特徴とする
    請求項2乃至5のいずれかに記載の被処理体の収納装
    置。
  7. 【請求項7】 前記ガス排出ポートに接続されて前記容
    器本体に延びるガス排気ノズルと、前記ガス排気ノズル
    の先端に設けられて、排気されるガスの収束力を抑制す
    る収束力抑制部材とを備えたことを特徴とする請求項1
    乃至のいずれかに記載の被処理体の収納装置。
  8. 【請求項8】 請求項1乃至のいずれかに規定する被
    処理体の収納装置を載置して処理装置内との間で前記被
    処理体を搬出入させる搬出入ステージにおいて、前記収
    納装置を載置する載置台と、この載置台に設けられて、
    前記収納装置のガス導入ポートに着脱可能に接続されて
    不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、前記載置
    台に設けられて、前記収納装置のガス排気ポートに着脱
    可能に接続されて容器本体内の雰囲気を排気するガス排
    気手段とを備え、前記不活性ガス供給手段の先端には導入用接合ノズルが
    設けられて、前記導入用接合ノズルには前記ガス導入ポ
    ートの押圧力開閉弁と接合される自動ジョイントが設け
    られると共に、前記ガス排気手段の先端には排気用接合
    ノズルが設けられて、前記排気用接合ノズルには前記ガ
    ス排気ポートの押圧力開閉弁と接合される自動ジョイン
    トが設けられる ことを特徴とする収納装置の搬出入ステ
    ージ。
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Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020044371A (ko) * 2000-12-05 2002-06-15 윤종용 반도체 제조에 사용되는 적재 기구를 정화하는 방법 및 장치
JP2002299427A (ja) * 2001-03-29 2002-10-11 Mitsubishi Electric Corp 基板カセット、基板汚染防止装置および半導体装置の製造方法
JP2003092345A (ja) 2001-07-13 2003-03-28 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 基板収納容器、基板搬送システム、保管装置及びガス置換方法
JP3880343B2 (ja) * 2001-08-01 2007-02-14 株式会社ルネサステクノロジ ロードポート、基板処理装置および雰囲気置換方法
JP4256088B2 (ja) * 2001-09-28 2009-04-22 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP3960787B2 (ja) * 2001-11-30 2007-08-15 信越ポリマー株式会社 精密基板収納容器
FR2834974B1 (fr) * 2002-01-24 2004-10-15 Air Liquide Enceinte de stockage, valve d'evacuation de gaz pour cette enceinte, et procede d'alimentation en gaz de cette enceinte
JP4168642B2 (ja) * 2002-02-28 2008-10-22 東京エレクトロン株式会社 被処理体収納容器体及び処理システム
KR100480821B1 (ko) * 2002-05-17 2005-04-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 정전기 방지용 패널 수납장치
EP1555689B1 (en) 2002-10-25 2010-05-19 Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. Substrate storage container
KR100488519B1 (ko) * 2002-11-21 2005-05-11 삼성전자주식회사 Lcd용 글라스 적재 카세트
US20040118343A1 (en) * 2002-12-18 2004-06-24 Tapp Frederick L. Vacuum chamber load lock purging method and apparatus
TWI228750B (en) 2003-02-25 2005-03-01 Samsung Electronics Co Ltd Apparatus and method for processing wafers
JP4027837B2 (ja) 2003-04-28 2007-12-26 Tdk株式会社 パージ装置およびパージ方法
JP3902583B2 (ja) 2003-09-25 2007-04-11 Tdk株式会社 可搬式密閉容器内部のパージシステムおよびパージ方法
US7201276B2 (en) * 2003-11-07 2007-04-10 Entegris, Inc. Front opening substrate container with bottom plate
JP4012190B2 (ja) 2004-10-26 2007-11-21 Tdk株式会社 密閉容器の蓋開閉システム及び開閉方法
JP2006216625A (ja) * 2005-02-01 2006-08-17 Tohoku Univ 薄膜形成装置,薄膜及びその形成方法,半導体装置及びその製造方法
DE102005026687B4 (de) 2005-06-09 2017-05-24 Kiefel Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Stapeln von tiefgezogenen Artikeln
JP4558594B2 (ja) * 2005-06-24 2010-10-06 近藤工業株式会社 シャッター付きブレスフィルター装置および該装置に使用するシャッター押上げロッド並びにシャッター押上げロッド付きノズル
JP3983254B2 (ja) * 2005-06-24 2007-09-26 Tdk株式会社 製品収容容器用パージシステム及び該パージシステムに供せられる台
JP2007273697A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Sumika Chemical Analysis Service Ltd 基板搬送容器および基板搬送容器内空間のガス置換方法
WO2008019076A2 (en) * 2006-08-04 2008-02-14 E. I. Du Pont De Nemours And Company Substrate carrier enclosure
WO2008147379A1 (en) 2006-09-14 2008-12-04 Brooks Automation Inc. Carrier gas system and coupling substrate carrier to a loadport
TWI475627B (zh) 2007-05-17 2015-03-01 Brooks Automation Inc 基板運送機、基板處理裝置和系統、於基板處理期間降低基板之微粒污染的方法,及使運送機與處理機結合之方法
JP2009088437A (ja) * 2007-10-03 2009-04-23 Tokyo Electron Ltd 被処理体の導入ポート機構及び処理システム
JP4787852B2 (ja) * 2008-02-26 2011-10-05 信越ポリマー株式会社 基板収納容器の排出用ポート
WO2009114798A2 (en) * 2008-03-13 2009-09-17 Entegris, Inc. Wafer container with tubular environmental control components
JP5155848B2 (ja) * 2008-12-18 2013-03-06 日本ケンブリッジフィルター株式会社 Foup用n2パージ装置
WO2011072260A2 (en) 2009-12-10 2011-06-16 Entegris, Inc. Porous barrier for evenly distributed purge gas in a microenvironment
JP5041348B2 (ja) 2010-02-26 2012-10-03 Tdk株式会社 清浄ガスの置換機能を備えた基板収納ポッド
JP5015280B2 (ja) * 2010-02-26 2012-08-29 Tdk株式会社 基板収納ポッドおよびその蓋部材並びに基板の処理装置
FI20115073A0 (fi) 2011-01-26 2011-01-26 Beneq Oy Laitteisto, menetelmä ja reaktiokammio
KR101075171B1 (ko) 2011-02-01 2011-10-19 주식회사 에스엠아이 가스분사블록을 구비하는 사이드 스토리지
JP5464235B2 (ja) * 2012-06-06 2014-04-09 Tdk株式会社 基板収納ポッドおよびその蓋部材並びに基板の処理装置
KR101444241B1 (ko) * 2013-01-14 2014-09-26 우범제 웨이퍼 처리장치의 배기시스템
US9837293B2 (en) 2013-10-30 2017-12-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Mechanisms for charging gas into cassette pod
JP6217977B2 (ja) 2014-02-27 2017-10-25 Tdk株式会社 ポッド、及び該ポッドを用いたパージシステム
JP6325374B2 (ja) * 2014-07-02 2018-05-16 ミライアル株式会社 基板収納容器
JPWO2016135952A1 (ja) * 2015-02-27 2017-12-21 ミライアル株式会社 基板収納容器
JP6492884B2 (ja) 2015-03-31 2019-04-03 Tdk株式会社 ロードポート装置
JP7100243B2 (ja) * 2018-04-19 2022-07-13 シンフォニアテクノロジー株式会社 排気ノズルユニット、ロードポート、及びefem
US11610795B2 (en) 2018-08-28 2023-03-21 Entegris, Inc. Membrane diffuser for a substrate container

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59172713A (ja) * 1983-03-22 1984-09-29 Nec Corp 可搬型清浄容器
JP2709341B2 (ja) * 1988-10-05 1998-02-04 昭和飛行機工業株式会社 磁歪式トルクセンサ
JP2566308B2 (ja) * 1989-01-12 1996-12-25 東京エレクトロン株式会社 ロードロック装置を備えた処理装置
JPH031554A (ja) * 1989-05-29 1991-01-08 Sharp Corp 半導体ウエハー搬送用クリーンボックス
JPH04206547A (ja) * 1990-11-30 1992-07-28 Hitachi Ltd 装置間搬送方法
DE69205570T2 (de) * 1992-08-04 1996-06-13 Ibm Verteilungseinrichtung mit Gaszufuhr-Abgabevorrichtung zum Handhaben und Speichern von abdichtbaren tragbaren unter Druck stehenden Behältern.
US5295522A (en) * 1992-09-24 1994-03-22 International Business Machines Corporation Gas purge system for isolation enclosure for contamination sensitive items
FR2697000B1 (fr) * 1992-10-16 1994-11-25 Commissariat Energie Atomique Boîte plate de confinement d'un objet plat sous atmosphère spéciale.
JP3147325B2 (ja) * 1994-08-17 2001-03-19 東京エレクトロン株式会社 半導体ウエハ処理装置
JP3372585B2 (ja) * 1993-04-13 2003-02-04 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US5879458A (en) * 1996-09-13 1999-03-09 Semifab Incorporated Molecular contamination control system

Also Published As

Publication number Publication date
WO1999054927A1 (fr) 1999-10-28
JPH11307623A (ja) 1999-11-05
EP1075023A4 (en) 2004-11-17
TW448485B (en) 2001-08-01
EP1075023A1 (en) 2001-02-07
KR20010034777A (ko) 2001-04-25
KR100548939B1 (ko) 2006-02-02

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