KR100548939B1 - 피처리체 수납장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 피처리체를 각종 처리장치사이에서 반송할 때에, 불활성가스로 채워진 공간내에 피처리체를 수납한 상태로 반송하기 위한 피처리체의 수납장치에 관한 것이다. 이 수납장치에 기밀로 개폐되는 개폐 도어(46)를 가지며 내부에 반도체 웨이퍼(W)를 수납하는 용기본체(40)를 구비하고 있다. 이 용기본체(40)에는, 불활성가스를 도입하기 위한 도입 포트와 내부분위기를 배기하기 위한 배기 포트가 설치되어 있다. 도입 포트에 접속되어 용기본체(40)내부에 이어지는 도입노즐의 선단측에는, 도입되는 가스의 확산력을 억제하는 확산력 억제부재(56)가 설치되어 있다. 배기 포트에 접속되어 용기본체(40)내부에 이어지는 배기노즐의 선단측에는, 배기되는 가스의 수속력을 억제하는 수속력 억제부재(60)가 설치되어 있다.

Description

피처리체의 수납장치{APPARATUS FOR HOUSING OBJECT TO BE PROCESSED}
본 발명은 반도체웨이퍼 등의 피처리체를 각종 처리장치 사이에서 반송할 때에, 불활성가스로 채워진 공간내에 피처리체를 수납한 상태로 반송하기 위한 피처리체의 수납장치에 관한 것이다.
반도체 집적회로 등을 제조하기 위해서는, 반도체웨이퍼에 성막, 확산, 노광, 에칭 등의 각종 처리를 반복하여 실시할 필요가 있다. 이 때문에, 일반적으로 웨이퍼는 실행해야 할 처리에 따라서 다른 장치사이를 작업원 또는 자동반송기구(예를 들면 AGV 등)에 의해 이송된다.
이러한 상황하에서, 웨이퍼는 전단의 처리가 끝난 후에, 바로 다음 처리를 위한 처리장치로 반송된다고는 할 수 없고, 다음 처리가 개시되기 까지의 사이, 장기간, 크린 룸내에서 대기상태가 되는 경우도 있다. 주지와 같이 반도체웨이퍼에는 매우 미세한 가공이 실시되기 때문에, 생산수율 향상면에서 파티클의 부착은 매우 좋지 않다. 또한, 전기적 특성의 향상의 관점에서는, 웨이퍼 표면에 자연 산화막 등의 여분의 막이 부착하는 것도 피해야만 한다.
설계 룰이 그다지 엄격하지 않은 경우에는, 상술한 바와 같이 크린 룸내에서 웨이퍼를 대기시켜도 그다지 문제는 생기지 않았다. 그러나, 최근과 같이 고미세화가 진행되어 서브미크론 단위의 가공이 요구되면, 청정공기의 분위기에 유지된 크린 룸내라고는 해도, 파티클의 대책상, 혹은 자연 산화막의 대책상, 바람직하지 못한 경우도 생기고 있다.
그래서, 외부의 분위기와는 차단된 반송가능한 용기를 만들어, 이 중에 예를 들면 25매 정도의 웨이퍼를 다단으로 얹어 놓아 밀폐상태로 하고, 외부분위기와 격리한 상태로 처리장치사이에 웨이퍼를 반송하는 것도 행하여지게 되었다. 이 용기는 예를 들면, 카세트 박스로 불려지며, 어느 하나의 처리가 종료하면, 처리 완료된 웨이퍼를 이 카세트 박스내에 수용하여 밀폐하고, 예를 들면 작업원이 이것을 다음의 처리장치까지 운반하게 된다.
그런데, 이 종류의 카세트 박스에 있어서는, 박스내의 분위기를 단순히 외부의 크린 룸의 분위기와 격리했을 뿐이므로, 수용한 웨이퍼 표면에 약간이긴 하지만 자연 산화막이 부착하는 것을 피할 수 없었다. 그래서, 더욱 일보 전진시켜, 박스내에 불활성가스 공급노즐과 배기노즐을 설치하여 박스내를 N2가스 등의 불활성가스분위기로 채워, 파티클의 부착뿐만 아니라, 자연산화막의 발생도 극력 억제하는 것도 고려되고 있다.
이 경우에는, 불활성가스공급노즐로부터 불활성가스를 분사공급하면서 배기노즐로부터 내부분위기를 배기하여 가스치환을 행하지만, 이 때, 가스의 분출에 의 해 박스내의 파티클이 말려 올라가는 것은 피할 수 없다. 그 때문에, 자연 산화막의 억제는 가능하여도, 파티클의 부착을 충분히 억제할 수는 없다.
그래서, 이러한 점을 회피하기 위해서, 일본 특개평2-184333호 공보나 일본 특개평8-64582호 공보 등에 개시한 바와 같이, 불활성가스를 공급할 때에 가스 흐름을 완화하도록 작용하는 필터를 설치하는 것도 고려할 수 있다. 그러나, 이들 공보에 개시된 기술이 비교적 여분의 공간을 가진 로드록실을 대상으로 하고 있는 데 대해서, 카세트 박스내에는 여유 공간이 매우 적다. 또한, 카세트 박스는, 로드록실과는 달리, 갖고 운반하는 것을 전제로 하고 있다. 이 때문에, 카세트박스의 내부분위기의 공급배기수단에 대하여, 상기 공보에 개시된 기술을 그대로 사용할 수는 없다.
본 발명은 이상과 같은 문제점에 착안하여, 이것을 효과적으로 해결하기 위해 창안된 것이다. 즉, 본 발명의 목적은 내부분위기를 불활성가스로 채웠을 때 파티클이 말려 올라가는 것을 억제할 수 있도록 하는 피처리체의 수납장치를 제공하는 데에 있다.
상기 문제점을 해결하기 위해서, 본 발명에 의한 피처리체의 수납장치는, 내부에 피처리체를 수납하는 용기본체와, 상기 용기본체내에 불활성가스를 도입하기 위한 도입포트와, 상기 용기본체의 내부 분위기를 배기하기 위한 배기포트와, 상기 용기본체에 대하여 기밀로 개폐되는 개폐도어를 구비하고, 소정의 피처리장치와의 사이에 상기 피처리체를 반출입시키기 위해 반출입스테이지상에 얹어 놓는 피처리체의 수납장치에 있어서, 상기 도입포트에 접속되어 상기 용기본체내부에 이어지는 도입노즐과, 상기 도입 노즐의 선단측에 설치되어, 도입되는 가스의 확산력을 억제하는 확산력 억제부재와, 상기 배기포트에 접속되어 상기 용기본체내부에 이어지는 배기노즐과, 상기 배기노즐의 선단측에 설치되어, 배기되는 가스의 수속력을 억제하는 수속력 억제부재를 더욱 구비한 것이다.
이에 따라, 용기본체내에 불활성가스를 공급할 때에는, 도입노즐에 설치한 확산력 억제부재에 의해 불활성가스의 확산력은 억제되게 되며, 그 확산력에 의한 파티클의 말려 올라감을 극력 억제하는 것이 가능하게 된다. 또한, 용기본체내의 분위기를 배기할 때에도, 배기노즐에 설치된 수속력 억제부재에 의해 해당 분위기의 수속력은 억제되게 되어, 그 수속력에 의한 파티클의 말려 올라감을 극력 억제하는 것이 가능하게 된다. 따라서, 용기본체에 대하여 불활성가스를 공급하면서 내부 분위기의 배기를 행할 때, 상기와 같은 공급배기의 흐름의 제어를 동시에 행하여, 피처리체에의 파티클의 부착을 극히 효과적으로 억제하는 것이 가능하다. 이 때문에, 용기본체내에 수납되는 피처리체의 생산수율을 대폭 향상시킬 수 있다.
상기와 같은 확산력 억제부재 및 수속력 억제부재로서는, 세라믹 또는 금속파이버를 소결하여 이루어지는 다공질 소결체를 사용할 수 있다.
또한, 상기 도입노즐에는, 복수의 가스분출구멍이 형성됨과 동시에, 이들 가스분출구멍을 덮도록 하여 상기 확산력 억제부재가 설치되고, 상기 배기노즐에는, 복수의 가스흡입구멍이 형성됨과 동시에, 이들 가스흡입구멍을 덮도록 하여 상기 수속력 억제부재가 설치되도록 하여도 좋다.
더욱, 상기 확산력 억제부재는, 상기 도입노즐에 접속됨과 동시에, 상기 피처리체의 평면방향으로 넓어져 한 측면이 개방된 가스확산용기와, 상기 가스확산용기의 개방부분을 덮도록 하여 설치된 세라믹 또는 금속파이버를 소결하여 이루어지는 다공질 소결체에 의해 구성하여도 좋다.
또한, 상기 도입 포트와 상기 배기포트에 각각 소정의 가압력에 의해 개방되는 가압력 개폐밸브가 설치되고, 상기 도입포트 및 상기 배기포트와, 이들 도입포트 및 배기포트에 대응하여 상기 반출입스테이지상에 각각 설치된 접합노즐을 서로 감합시키는 것에 의해서, 상기 가압력 개폐밸브를 가압하여 개방할 수 있도록 구성되어 있어도 좋다.
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이것에 의하면, 수납장치를 반출입 스테이지의 재치대상에 얹어 놓고, 수납장치의 도입포트 및 배기포트와, 반출입 스테이지의 대응하는 접합노즐을 각각 감합시키는 것으로, 각 가압력 개폐밸브를 개방하여, 각 포트와 각 접합노즐을 자동적으로 연이어 통하게 하는 것이 가능해진다.
도 1은 본 발명에 따른 수납장치를 나타내는 분해사시도,
도 2는 도 1에 나타내는 수납장치의 횡단면도,
도 3은 도 1에 나타내는 수납장치의 용기본체를 나타내는 부분파단측면도,
도 4는 도 3에 나타내는 용기본체의 부분확대단면도,
도 5는 본 발명의 수납장치를 반출입 스테이지에 얹어 놓은 상태를 타내는 도면,
도 6은 반출입 스테이지를 나타내는 개략사시도,
도 7은 수납장치의 가스 포트가 접합되기 직전을 나타내는 부분확대단면도,
도 8은 수납장치의 가스 포트가 접합된 상태를 나타내는 부분확대단면도,
도 9는 확산력 억제부재의 변형예를 나타내는 사시도,
도 10은 도 8에 나타내는 억제부재의 단면도,
도 11A∼도 11C는 본 발명의 평가를 행하기 위한 평가장치를 나타내는 개략구성도,
도 12는 본 발명의 평가결과를 설명하는 그래프이다.
이하에, 본 발명에 따른 피처리체의 수납장치 및 반출입 스테이지의 일 실시형태에 대하여 첨부도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 수납장치를 나타내는 분해사시도, 도 2는 도 1에 나타내는 수납장치의 횡단면도, 도 3은 도 1에 나타내는 수납장치의 용기본체를 나타내는 부분파단측면도, 도 4는 도 3에 나타내는 용기본체의 부분확대단면도, 도 5는 본 발명의 수납장치를 반출입 스테이지에 얹어 놓은 상태를 나타내는 도면, 도 6은 반출입 스테이지를 나타내는 개략사시도, 도 7은 수납장치의 가스 포트가 접합되기 직전을 나타내는 부분확대단면도, 도 8은 수납장치의 가스 포트가 접합된 상태를 나타내는 부분확대단면도이다.
먼저, 본 발명의 수납장치와 반출입 스테이지의 관계에 대하여 설명한다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 수납장치(2)는 반도체 웨이퍼 등의 피처리체를 다단으로 수납하여 외부분위기로부터 격리하는 것이며, 작업원이 단독으로 혹은 자동반송기구(예를 들면 AGV 등)으로 갖고 운반할 수 있도록 하는 크기로 설정되어 있다. 또한, 도 5에 나타낸 바와 같이, 반도체 웨이퍼에 대하여 소정의 처리를 실시하는 처리장치(4)의 입구측에, 반출입 스테이지(6)가 설치되어 있다. 상기 수납장치(2)는 이 반출입 스테이지(6)에 놓여지고, 이에 따라 웨이퍼는 처리장치(4)내로 받아들이게 된다.
이 처리장치(4)는 실제로 웨이퍼에 대하여 열처리 등을 실시하는 처리실과, 이 처리실의 전단에 접합되어 진공흡인 가능한, 예를 들면 로드록실 등의 반송실을 조합하여 이루어진다. 도 5에서는, 반송실로서의 로드록실(4A)부분이 나타나 있다. 이 로드록실(4A)의 내부에는, 웨이퍼를 반출입 하기 위해서 굴신(屈伸), 선회 및 승강 가능하게 이루어진 다관절의 반송아암(8)이 설치되어 있다. 로드록실(4A)에 있어서의 반출입 스테이지(6)쪽의 측벽에는, 기밀로 개폐 가능하게 이루어진 게이트 도어(10)가 설치되어 있다(도 6 참조). 또한, 로드록실(4A)내에는 불활성가스로서 예를 들면 N2가스를 퍼지할 수 있도록 되어 있다.
도 5 및 도 6에 나타낸 바와 같이, 상기 반출입 스테이지(6)는, 로드록실 (4A)의 상기 게이트 도어(10)쪽에서 연이어지는 재치대(12)를 가지고 있으며, 이 재치대(12)상에 상기 수납장치(2)를 직접 얹어 놓을 수 있도록 되어 있다. 이 재치대(12)에는, 수납장치(2)내에 불활성가스로서 N2가스 등을 공급하는 가스공급수단 (14)과, 수납장치(2)내의 분위기를 압력조정하면서 배기하는 배기수단(16)이 설치되어 있다.
구체적으로는, 상기 가스공급수단(14)은, N2가스를 저류하는 N2가스원(18)에 한 끝단이 접속된 가스공급통로(20)를 가지고 있으며, 이 가스공급통로(20)에는 개폐밸브(22) 및 유량제어기(24)가 개설되어 있다. 그리고, 이 가스공급통로(20)의 다른 끝단은, 재치대(12)에 소정의 높이만큼 돌출시켜서 설치된 도입용 접합노즐 (26)에 접합되어 있다. 이 도입용 접합노즐(26)의 선단에는, 가압함으로써 탄발력으로 수납장치쪽의 도입 포트(66)와 접합되는 자동죠인트(28)(도 7 참조)가 설치된다.
또한, 배기수단(16)은 도중에 압력조정밸브(30)나 배기펌프(32) 등을 개설한 배기통로(34)를 가지고 있다. 이 배기통로(34)의 기단은, 상술한 도입용 접합노즐 (26)과 마찬가지로, 재치대(12)에 소정의 높이만큼 돌출시켜서 설치된 배기용 접합노즐(36)에 접합되어 있다. 이 배기용 접합노즐(36)의 선단에도, 가압함으로써 탄발력으로 수납장치(2)쪽의 배기 포트(68)와 접합되는 자동죠인트(38)(도 7참조)가 설치된다.
다음에, 도 1 내지 도 4를 참조하여 수납장치(2)에 대하여 설명한다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 이 수납장치(2)는 전체가 대략 직방체 형상으로 이루어진 용기본체(40)를 가지고 있으며, 그 한쪽은 개방되어 반출입구(42)로 되어 있다. 또, 용기본체(40)는 내부를 눈으로 볼 수 있도록 예를 들면 투명한 폴리카보네이트 수지(polycarbonate resin)로 되어 있다. 용기본체(40)에 있어서의 반출입구(42)의 주위는, 바깥쪽으로 돌출된 플랜지부(44)로서 구성되어 있고, 이 플랜지부(44)에 대략 사각형형상의 개폐 도어(46)를 붙이고 떼기 자유롭게 끼워 장착할 수 있도록 되어 있다.
이 개폐 도어(46)의 주위 전체에는, 예를 들면 폴리우레탄 등으로 이루어지는 시일부재(48)가 설치되어 있으며, 개폐 도어(46)를 끼워 장착했을 때에 용기본체(40)내를 기밀상태로 할 수 있도록 되어 있다. 상기 개폐 도어(46)의 내면쪽 중앙에는, 그 높이 방향을 따라 예를 들면 탄성불소계수지로 이루어지는 탄성누름부재(50)가 설치되어 있다. 이 탄성누름부재(50)는, 용기본체(40)내에 수납한 웨이퍼가 움직이지 않도록, 해당 웨이퍼를 수평방향으로 단단히 압착하기 위한 것이다.
도 1 내지 도 3에 나타낸 바와 같이, 상기 용기본체(40)는, 웨이퍼 반출입 방향과 직교하는 그 안쪽면에, 복수의 반도체웨이퍼(W)를 다단으로 지지하기 위한 한 쌍의 지지부재(52)가 설치되어 있다. 구체적으로는, 이 지지부재(52)는 예를 들면 파티클이 발생하기 어려운 불소계수지로 이루어지며, 원호형상의 지지홈(52A)을 소정의 피치로 다단으로 형성함으로써 구성되어 있다. 그리고, 이 지지홈(52A)에 반도체 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부의 일부를 지지시켜 이것을 유지하도록 되어 있다. 수용할 수 있는 웨이퍼(W)의 매수는, 임으로 설정할 수 있지만, 일반적으로는, 13∼25매 정도이다.
그리고, 용기본체(40)의 속에는, 본 발명의 특징으로 하는 확산력 억제부재 (56) 및 수속력 억제부재(60)가 설치되어 있다. 구체적으로는, 도 3 및 도 4에 나타낸 바와 같이, 용기본체(40)의 바닥부(40A)에는, 아래쪽으로 개방된 2개의 오목부(62,64)가 형성되며, 이 오목부(62,64)내에 상기 바닥부(40A)를 관통하여 각각 도입 포트(66)와 배기 포트(68)를 설치하고 있다. 그리고, 도 4에 나타내는 바와 같이, 도입 포트(66)에는, 용기본체(40)의 한쪽의 모서리에 기립하여 이어지는 도입노즐(54)을 연결하고, 또, 배기 포트(68)에는, 용기본체(40)의 다른 쪽의 모서리에 기립하여 이어지는 배기노즐(58)을 연결하고 있다. 그리고, 각 노즐(54,58)에는, 그 길이 방향으로 산재시켜, 각각 다수의 가스분사구멍(54A)과 가스흡입구멍 (58A)이 형성된다.
그리고, 이 도입노즐(54)의 전체에, 상기 가스분사구멍(54A)을 덮도록 하여 가늘고 긴 원통체형상의 상기 확산력 억제부재(56)를 설치하고 있다. 이 확산력 억제부재(56)는, 예를 들면 알루미나 등의 분말체를 소결하여 이루어지는 다공질의 세라믹 소결체나, 스텐레스, 니켈 등의 금속의 파이버를 소결하여 이루어지는 다공질의 금속소결체로 이루어지며, 가스분사구멍(54A)에서 방출되는 가스의 확산력을 약하게 하여 억제하도록 되어 있다.
또한, 상기 배기노즐(58)의 전체에도, 상기 가스흡입구멍(58A)을 덮도록 하여 가늘고 긴 원통체형상의 상기 수속력 억제부재(60)를 설치하고 있다. 이 수속 력 억제부재(60)는, 상기 확산력 억제부재(56)와 완전히 같은 재료 및 구조로 되어 있으며, 여기에 수속하는 가스의 수속력를 완화 내지 억제하여, 난류가 발생하는 것을 방지하도록 되어 있다.
또한, 도입 포트(66)에는, 용기본체(40)내를 향하여 가스가 흐를 때에 개방하는 역지(逆止) 밸브(72)와, 소정의 가압력이 부여되었을 때에 개방되는 가압력 개폐밸브(74)가 설치되어 있다. 또한, 배기 포트(68)에는, 용기본체(40)로부터 밖을 향하여 가스가 흐를 때에 개방하는 역지 밸브(76)와, 소정의 가압력이 부여되었을 때에 개방되는 가압력 개폐밸브(78)가 있다. 이들 가압력 개폐밸브(74,78)로서는, 예를 들면 커플러 타입의 개폐밸브를 사용할 수 있다.
수납장치(2)에 수납되는 웨이퍼(W)는, 예를 들면 12인치(30cm) 크기인 것이며, 이 웨이퍼(W)에는, 방향을 나타내기 위한 노치(notch)(80)(도 2 참조)가 형성되어 있다. 그리고, 상기 12인치 크기의 웨이퍼(W)를 수납하는 경우의 용기본체 (40)의 세로, 가로의 길이는 각각 350mm 정도, 높이는, 13매의 웨이퍼를 수용하는 경우에는 200mm 정도, 25매의 웨이퍼를 수용하는 경우에는 400mm 정도로 각각 설정된다.
또한, 용기본체(40)의 측벽에는, 한 쌍의 손잡이(82)를 부착하여 들고 운반하는 것을 행하기 쉽도록 하고 있다. 또한, 도시되지 않지만, 개폐 도어(46)에는, 록기구를 설치하여, 이것을 수동으로 혹은 자동기구로 해제함으로써, 개폐 도어 (46)를 이탈시킬 수 있도록 되어 있다.
다음에, 이상과 같이 구성된 수납장치 및 반출입 스테이지의 동작에 대하여 설명한다. 우선, 전(前)공정에서 소정의 처리가 행하여진 예를 들면 25매의 웨이퍼(W)는, 상기한 수납장치(2)내에, 도 2에 나타내는 바와 같이 밀폐상태로 수용되어 있다. 이 수납장치(2)의 용기본체(40)내부에는, 전공정을 행한 처리장치 등에 있어서, 불활성가스로서의 N2가스가 대략 1기압 정도로 충전되어 있다.
그런데, 이러한 상태의 수납장치(2)는, 크린 룸내에서, 작업원에 의해 혹은 자동반송기구(예를 들면 AGV 등)에 의해 반송되어, 도 5에 나타내는 바와 같이 개폐 도어(46)를 처리장치(4)쪽을 향한 상태로 반출입 스테이지(6)의 재치대(12)상의 소정의 위치에 놓여진다. 이 때, 도 7 및 도 8에 확대하여 나타낸 바와 같이, 재치대(12)상의 도입용 접합노즐(26) 및 배기용 접합노즐(36)은 각각, 용기본체(40)의 바닥부(40A)에 설치한 도입 포트(66) 및 배기 포트(68)와 접합하고, 자동죠인트 (28,38)에 의해 연결된다. 이 연결에 의해, 각 포트(66,68)쪽의 가압력 개폐밸브 (74,78)가 각각 닫힌 상태가 되어, 용기본체(40)내로의 N2가스의 공급과 용기본체 (40)내로부터의 배기가 가능한 상태가 된다.
이러한 상태에 있어서, 도시하지 않은 자동기구에 의해, 수납장치(2)의 개폐 도어(46)의 록이 해제되어, 이 개폐 도어(46)를 떼내는 것에 의해 용기본체(40)내가 개방된다. 이와 동시에, 도 5에 나타내는 로드록실(4A)의 게이트 도어(10)가 열린다. 그리고, 로드록실(4A) 내부의 반송아암(8)을 선회 내지 굴신시키는 것에 의해, 용기본체(40)에 수납되어 있는 반도체 웨이퍼(W)를 유지하고, 이것을 순차 로드록실(4A)내로 넣는다. 그리고, 처리장치(4)의 도시하지 않은 처리실로써, 반 도체 웨이퍼(W)에 대하여 소정의 처리를 행한 후, 상기와 반대의 반송조작을 행하여, 처리 완료된 웨이퍼를 수납장치(2)의 용기본체(40)내로 다시 되돌린다. 그리고, 모든 웨이퍼(W)를 용기본체(40)내에 되돌렸으면, 개폐 도어(46)를 닫아, 용기본체(40)내를 다시 밀폐상태로 한다.
이 상태에서는, 용기본체(40)내는, 크린 룸내의 청정 에어로 채워지고 있으나, 웨이퍼 표면에 자연 산화막이 발생하여 버리기 때문에, 내부분위기를 불활성인 N2가스로 치환할 필요가 있다. 이 때문에, 도 5에 나타내는 가스공급수단(14)의 N2가스원(l8)으로부터, 유량제어기(24)에 의해 유량제어된 N2가스를 흐르게 하여, 이것을 도 4에 나타낸 바와 같이, 도입 포트(66)를 통하여 도입 노즐(54)로부터 용기본체(40)내에 조금씩 공급한다. 이 N2가스의 공급동작과 동시에, 배기수단(16)의 배기펌프(16)도 구동하여, 용기본체(40)내의 분위기를, 도 4에 나타낸 바와 같이 배기노즐(58)로부터 배기 포트(68)를 통해, N2가스의 공급에 알맞은 속도로 배기한다. 이에 따라, 용기본체(40)내의 분위기를 N2가스로 치환하여, 웨이퍼표면에 자연 산화막이 발생하는 것을 방지한다.
N2가스의 도입에 있어서는, 도입 노즐(54)로부터 갑자기 공급 N2가스의 압력을 개방하면, 그 때의 확산력에 의해서 가스흐름이 흐트러져 용기본체(40)내에 진정화되어 있던 파티클이 말려 올라가고, 이것이 웨이퍼(W)의 표면에 부착한다고 하는 문제가 발생한다. 그래서, 본 실시형태에 있어서는, 도입 노즐(54)에 다수의 가스분사구멍(54A)을 형성하여, 이것을 덮도록 하여 다공질의 소결체로 이루어지는 확산력 억제부재(56)를 설치하고 있다. 이에 따라, 도입된 N2가스는, 확산력 억제부재(56)에 의해 그 확산력이 억제되어, 급격하게 확산하지 않고 서서히 용기본체 (40)내로 유입하여 가게 된다. 따라서, 용기본체(40)내의 파티클이 말려 올라가 웨이퍼 부착하는 등의 문제가 발생하는 것을 미연에 방지할 수 있다.
또한, 배기노즐(58)에 대해서도, 이것에 흡입되는 용기본체(40)내의 분위기의 난류가 발생하여 파티클이 말려 올라가는 것이 발생할 우려가 있다. 그래서, 배기노즐(58)에도, 다수의 가스분사구멍(58A)을 형성하고, 이것을 덮도록 하여 상술한 확산력 억제부재(56)와 같은 재료 및 구조의 수속력 억제부재(60)를 설치하고 있다. 이에 의해, 배기되는 분위기가스는, 수속력 억제부재(60)에 의해 그 수속력이 억제되어, 급히 수속되지 않고 서서히 가스흡입구멍(58A)으로부터 배기노즐(58)내에 받아들여져, 배기된다. 따라서, 이 경우에도 흡입가스에 난류가 생기는 일은 없기 때문에, 용기본체(40)내의 파티클이 말려 올라가 이것이 웨이퍼에 부착하는 등의 문제가 생기는 일도 없다.
또한, 확산력 억제부재(56)나 수속력 억제부재(60)는, 도 2에 나타낸 바와 같이 용기본체(40) 속의 모서리가 빈 공간에 배치하도록 하고 있기 때문에, 이들 억제부재(56,60)를 설치하기 위해서, 용기본체(40) 자체의 용적을 크게 할 필요는 거의 생기지 않는다. 이와 같이, 도입측과 배기측에 함께 억제부재(56,60)를 설치함으로써, 용기본체(40)내의 파티클이 감겨 올라가는 것을 대폭적으로 억제할 수 있다.
또한, 상술한 도입 포트(66)와 가스공급수단(14)과의 결합, 및 배기포트(68)와 배기수단(16)과의 결합은, 수납장치(2)를 반출입 스테이지(6)의 재치대(12)의 소정 위치에 얹어 놓는 것만으로, 자동적으로 행할 수 있다. 또한, 양자의 분리는, 단순히 수납장치(2)를 재치대(12)로부터 들어올리는 것만으로도 된다. 여기서는 불활성가스로서 N2 가스를 사용하였지만, 그 외에 Ar가스, He가스 등을 사용하여도 좋다.
또한, 여기서는 확산력 억제부재(56)로서 가늘고 긴 원통체 형상 내지는 원주형상의 다공질 소결체를 사용한 경우를 예로 들어 설명하였으나, 이에 대신하여, 예를 들면 도 9 및 도 10에 나타내는 것과 같은 원판형상의 확산력 억제부재(86)를 사용하도록 하여도 좋다. 이 확산력 억제부재(86)는, 예컨대 용기본체(40)의 천정면에 설치하는 것이며, 웨이퍼(W)와 대략 같은 면적을 가진 얇은 가스확산용기(88)를 가지고 있다. 그리고, 이 가스확산용기(88)의 한 측면, 예를 들면 아랫면을 개방하여, 여기를 상술한 확산력 억제부재(56)와 마찬가지의 재료로 이루어지는 다공질의 소결체(90)로 덮고 있다. 상기 가스확산용기(88)는 예를 들면 스텐레스로 이루어지며, 그 측부에 도입 노즐(54)을 설치하여 N2가스를 도입하도록 되어 있다.
이 경우에도, 가스확산용기(88)내에 도입된 N2가스는, 다공질 소결체(90)에 의해 그 확산력이 억제되면서 용기본체(40)내에 공급되게 되기 때문에, 상술한 실시형태와 마찬가지로, 용기본체(40)내의 파티클이 감겨 올라가는 것을 방지할 수 있다. 또한, 이 원판형상의 확산력 억제부재(86)는, 수속력 억제부재로서도 마찬가지로 적용할 수 있는 것은 물론이다.
여기서, 수납용기에 각종 확산력 억제부재를 설치한 경우와, 설치하지 않은 경우의 파티클에 대한 평가를 실제로 행하였으므로 설명한다.
도 11은 평가장치를 나타내는 개략구성도이며, 도 11A, 도 11B는 확산력 억제부재를 설치하지 않은 경우, 도 11C는 확산력 억제부재(98)를 설치한 경우이다. 도면 중, 92는 진공용기이며, 이 내부의 서셉터(94)상에 웨이퍼(W)를 얹어 놓고 있다. RG는 레귤레이터, F는 필터, V는 밸브, NV는 니들(needle) 밸브, MFC는 유량제어밸브를 각각 나타낸다.
도 11A에 나타낸 라인 A의 경우는, 진공용기(92)내의 압력이 10Torr가 될 때까지 니들 밸브(NV)를 통해 N2가스를 공급하고, 그 후에는, 밸브(V)를 열어 한꺼번에 N2가스를 1기압이 될 때까지 흐르게 하고 있다. 도 11B에 나타낸 라인 B의 경우는, 유량제어밸브(MFC)를 제어하여, 시간의 경과와 함께 N2가스유량이 직선적으로 증가하도록 흐르고 있다. 도 11C에 나타내는 라인 C의 경우는, 본 발명에 대응하는 것으로, 밸브(V)를 열어 한꺼번에 N2가스를 흐르게 하는 동시에, 그 확산력을 확산력 억제부재(98)에 의해 억제하고 있다.
이 확산력 억제부재로서는, 금속파이버를 소결하여 이루어지는 원통체형상의 억제부재와, 도 9 및 도 10에 나타낸 것과 같은 원판형상의 억제부재와, 세라믹 분말체를 소결하여 이루어지는 원통체형상의 억제부재의 3종류를 준비하였다. 그리 고, 진공용기(92)중에 N2가스 퍼지를 행하였다. 그 때, 웨이퍼(W) 표면에 부착한 파티클을 크기마다 측정하였다. 그 평가결과를 도 12에 나타낸다. 한편, 도 12중의 오른쪽 위에, 본 발명의 평가결과의 확대도를 나타낸다.
도 12에서 명백하듯이, 억제부재를 사용하지 않는 라인 A, 라인 B의 경우에는, 모든 크기의 파티클이 말아 올라가 웨이퍼 표면에 다량으로 부착하고 있다. 이에 대하여, 라인 C의 경우에는 매우 파티클수가 적고, 특히, 세라믹 소결체의 억제부재가 가장 파티클 수가 적어, 양호한 결과를 나타내고 있는 것이 판명되었다. 한편, 여기서는 진공용기내에 N2가스를 퍼지한다고 하는 엄격한 조건하에서 평가를 행하였는데, 대략 1기압의 수납장치내의 분위기를 N2가스로 치환하는 경우에는, 진공용기내에 가스를 퍼지하는 경우보다도 가스의 확산력이 작기 때문에, 상기의 실험결과보다도 더욱 파티클수의 감소를 기대할 수 있다.
한편, 상기 실시형태에는, 수납용기(2)의 배기측에도 배기노즐(58) 및 수속력 억제부재(60)를 설치한 경우에 대하여 설명하였지만, 상기 배기노즐(58) 및 수속력 억제부재(60)를 생략하고, 상기 배기 포트(68)만을 설치하도록 하여도 좋다.
또한, 상기 실시형태에서는 12인치(30cm) 크기의 웨이퍼를 예로 들어 설명하였지만, 6인치(15cm), 8인치(20cm)의 웨이퍼에도 적용할 수 있다. 또한, 피처리체로서는 반도체 웨이퍼에 한정되지 않고, 유리기판, LCD기판 등에도 적용할 수 있다.

Claims (8)

  1. 내부에 피처리체를 수납하는 용기본체와,
    상기 용기본체내에 불활성가스를 도입하기 위한 도입포트와,
    상기 용기본체의 내부 분위기를 배기하기 위한 배기포트와,
    상기 용기본체에 대하여 기밀로 개폐되는 개폐도어를 구비하고,
    소정의 피처리장치와의 사이에 상기 피처리체를 반출입시키기 위해 반출입스테이지상에 얹어 놓는 피처리체의 수납장치에 있어서,
    상기 도입포트에 접속되어 상기 용기본체내부에 이어지는 도입노즐과,
    상기 도입노즐의 선단측에 설치되어, 도입되는 가스의 확산력을 억제하는 확산력 억제부재와,
    상기 배기포트에 접속되어 상기 용기본체내부에 이어지는 배기노즐과,
    상기 배기노즐의 선단측에 설치되어, 배기되는 가스의 수속력을 억제하는 수속력 억제부재를 더욱 구비한 것을 특징으로 하는 피처리체의 수납장치.
  2. 제 1 항에 있어서 ,상기 확산력 억제부재 및 수속력 억제부재는 세라믹 또는 금속파이버를 소결하여 이루어지는 다공질 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 피처리체의 수납장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 도입노즐에는, 복수의 가스분출구멍이 형성됨과 동시에, 이들 가스분출구멍을 덮도록 하여 상기 확산력 억제부재가 설치되고,
    상기 배기노즐에는, 복수의 가스흡입구멍이 형성됨과 동시에, 이들 가스흡입구멍을 덮도록 하여 상기 수속력 억제부재가 설치되는 것을 특징으로 하는 피처리체의 수납장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 확산력 억제부재는,
    상기 도입 노즐에 접속됨과 동시에, 상기 피처리체의 평면방향으로 넓어져 한 측면이 개방된 가스확산용기와,
    상기 가스확산용기의 개방부분을 덮도록 하여 설치된, 세라믹 또는 금속파이버를 소결하여 이루어지는 다공질 소결체를 갖는 것을 특징으로 하는 피처리체의 수납장치.
  5. 제 1 항, 제 2 항 또는 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도입포트와 상기 배기포트에 각각 소정의 가압력에 의해 개방되는 가압력 개폐밸브가 설치되고,
    상기 도입포트 및 상기 배기포트와, 이들 도입포트 및 배기포트에 대응하여 상기 반출입스테이지상에 각각 설치된 접합노즐을 서로 감합시키는 것에 의해서 상기 가압력 개폐밸브를 가압하여 개방할 수 있도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 피처리체의 수납장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101075171B1 (ko) * 2011-02-01 2011-10-19 주식회사 에스엠아이 가스분사블록을 구비하는 사이드 스토리지
KR101832512B1 (ko) * 2009-12-10 2018-02-26 엔테그리스, 아이엔씨. 미세환경 안에 퍼지가스를 균일하게 분포시키는 다공성의 장벽

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020044371A (ko) * 2000-12-05 2002-06-15 윤종용 반도체 제조에 사용되는 적재 기구를 정화하는 방법 및 장치
JP2002299427A (ja) * 2001-03-29 2002-10-11 Mitsubishi Electric Corp 基板カセット、基板汚染防止装置および半導体装置の製造方法
JP2003092345A (ja) 2001-07-13 2003-03-28 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 基板収納容器、基板搬送システム、保管装置及びガス置換方法
JP3880343B2 (ja) 2001-08-01 2007-02-14 株式会社ルネサステクノロジ ロードポート、基板処理装置および雰囲気置換方法
JP4256088B2 (ja) * 2001-09-28 2009-04-22 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP3960787B2 (ja) * 2001-11-30 2007-08-15 信越ポリマー株式会社 精密基板収納容器
FR2834974B1 (fr) * 2002-01-24 2004-10-15 Air Liquide Enceinte de stockage, valve d'evacuation de gaz pour cette enceinte, et procede d'alimentation en gaz de cette enceinte
JP4168642B2 (ja) * 2002-02-28 2008-10-22 東京エレクトロン株式会社 被処理体収納容器体及び処理システム
KR100480821B1 (ko) * 2002-05-17 2005-04-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 정전기 방지용 패널 수납장치
DE60332644D1 (de) 2002-10-25 2010-07-01 Shinetsu Polymer Co Substratspeicherbehälter
KR100488519B1 (ko) * 2002-11-21 2005-05-11 삼성전자주식회사 Ｌｃｄ용 글라스 적재 카세트
US20040118343A1 (en) * 2002-12-18 2004-06-24 Tapp Frederick L. Vacuum chamber load lock purging method and apparatus
TWI228750B (en) 2003-02-25 2005-03-01 Samsung Electronics Co Ltd Apparatus and method for processing wafers
JP4027837B2 (ja) 2003-04-28 2007-12-26 Ｔｄｋ株式会社 パージ装置およびパージ方法
JP3902583B2 (ja) 2003-09-25 2007-04-11 Ｔｄｋ株式会社 可搬式密閉容器内部のパージシステムおよびパージ方法
US7201276B2 (en) * 2003-11-07 2007-04-10 Entegris, Inc. Front opening substrate container with bottom plate
JP4012190B2 (ja) 2004-10-26 2007-11-21 Ｔｄｋ株式会社 密閉容器の蓋開閉システム及び開閉方法
JP2006216625A (ja) * 2005-02-01 2006-08-17 Tohoku Univ 薄膜形成装置，薄膜及びその形成方法，半導体装置及びその製造方法
DE102005026687B4 (de) 2005-06-09 2017-05-24 Kiefel Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Stapeln von tiefgezogenen Artikeln
JP4558594B2 (ja) * 2005-06-24 2010-10-06 近藤工業株式会社 シャッター付きブレスフィルター装置および該装置に使用するシャッター押上げロッド並びにシャッター押上げロッド付きノズル
JP3983254B2 (ja) * 2005-06-24 2007-09-26 Ｔｄｋ株式会社 製品収容容器用パージシステム及び該パージシステムに供せられる台
JP2007273697A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Sumika Chemical Analysis Service Ltd 基板搬送容器および基板搬送容器内空間のガス置換方法
CN101237027B (zh) * 2006-08-04 2011-05-11 E.I.内穆尔杜邦公司 用于在基底上沉积空气感光材料的方法
US8297319B2 (en) 2006-09-14 2012-10-30 Brooks Automation, Inc. Carrier gas system and coupling substrate carrier to a loadport
TWI475627B (zh) 2007-05-17 2015-03-01 Brooks Automation Inc 基板運送機、基板處理裝置和系統、於基板處理期間降低基板之微粒污染的方法，及使運送機與處理機結合之方法
JP2009088437A (ja) * 2007-10-03 2009-04-23 Tokyo Electron Ltd 被処理体の導入ポート機構及び処理システム
JP4787852B2 (ja) * 2008-02-26 2011-10-05 信越ポリマー株式会社 基板収納容器の排出用ポート
CN102017119B (zh) 2008-03-13 2014-01-01 安格斯公司 具有管状环境控制部件的晶圆容器
JP5155848B2 (ja) * 2008-12-18 2013-03-06 日本ケンブリッジフィルター株式会社 Ｆｏｕｐ用ｎ２パージ装置
JP5041348B2 (ja) 2010-02-26 2012-10-03 Ｔｄｋ株式会社 清浄ガスの置換機能を備えた基板収納ポッド
JP5015280B2 (ja) * 2010-02-26 2012-08-29 Ｔｄｋ株式会社 基板収納ポッドおよびその蓋部材並びに基板の処理装置
FI20115073A0 (fi) 2011-01-26 2011-01-26 Beneq Oy Laitteisto, menetelmä ja reaktiokammio
JP5464235B2 (ja) * 2012-06-06 2014-04-09 Ｔｄｋ株式会社 基板収納ポッドおよびその蓋部材並びに基板の処理装置
KR101444241B1 (ko) 2013-01-14 2014-09-26 우범제 웨이퍼 처리장치의 배기시스템
US9837293B2 (en) * 2013-10-30 2017-12-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Mechanisms for charging gas into cassette pod
JP6217977B2 (ja) 2014-02-27 2017-10-25 Tdk株式会社 ポッド、及び該ポッドを用いたパージシステム
JP6325374B2 (ja) * 2014-07-02 2018-05-16 ミライアル株式会社 基板収納容器
JPWO2016135952A1 (ja) * 2015-02-27 2017-12-21 ミライアル株式会社 基板収納容器
JP6492884B2 (ja) 2015-03-31 2019-04-03 Tdk株式会社 ロードポート装置
JP7100243B2 (ja) * 2018-04-19 2022-07-13 シンフォニアテクノロジー株式会社 排気ノズルユニット、ロードポート、及びｅｆｅｍ
US11610795B2 (en) 2018-08-28 2023-03-21 Entegris, Inc. Membrane diffuser for a substrate container

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59172713A (ja) * 1983-03-22 1984-09-29 Nec Corp 可搬型清浄容器
JP2709341B2 (ja) * 1988-10-05 1998-02-04 昭和飛行機工業株式会社 磁歪式トルクセンサ
JP2566308B2 (ja) * 1989-01-12 1996-12-25 東京エレクトロン株式会社 ロードロック装置を備えた処理装置
JPH031554A (ja) * 1989-05-29 1991-01-08 Sharp Corp 半導体ウエハー搬送用クリーンボックス
JPH04206547A (ja) * 1990-11-30 1992-07-28 Hitachi Ltd 装置間搬送方法
ES2078717T3 (es) * 1992-08-04 1995-12-16 Ibm Aparato de reparticion con un sistema de distribucion y alimentacion de gas para manipular y almacenar recipientes transportables estancos a presion.
US5295522A (en) * 1992-09-24 1994-03-22 International Business Machines Corporation Gas purge system for isolation enclosure for contamination sensitive items
FR2697000B1 (fr) * 1992-10-16 1994-11-25 Commissariat Energie Atomique Boîte plate de confinement d'un objet plat sous atmosphère spéciale.
JP3147325B2 (ja) * 1994-08-17 2001-03-19 東京エレクトロン株式会社 半導体ウエハ処理装置
JP3372585B2 (ja) * 1993-04-13 2003-02-04 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US5879458A (en) * 1996-09-13 1999-03-09 Semifab Incorporated Molecular contamination control system

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101832512B1 (ko) * 2009-12-10 2018-02-26 엔테그리스, 아이엔씨. 미세환경 안에 퍼지가스를 균일하게 분포시키는 다공성의 장벽
US10032660B2 (en) 2009-12-10 2018-07-24 Entegris, Inc. Porous barrier for evenly distributed purge gas in a microenvironment
KR101075171B1 (ko) * 2011-02-01 2011-10-19 주식회사 에스엠아이 가스분사블록을 구비하는 사이드 스토리지

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