JP2002231783A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JP2002231783A JP2002231783A JP2001025224A JP2001025224A JP2002231783A JP 2002231783 A JP2002231783 A JP 2002231783A JP 2001025224 A JP2001025224 A JP 2001025224A JP 2001025224 A JP2001025224 A JP 2001025224A JP 2002231783 A JP2002231783 A JP 2002231783A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ロードロック室へのガス導入時および真空排
気時におけるパーティクルの巻き上げを抑制することが
できる半導体製造装置を提供する。 【解決手段】 ロードロック室1は、上面1aの中央部
にガス導入口2が設けられている。ガス導入口2には、
パージ用ライン3と圧力調整機能を有する切り換えバル
ブ4とを介して通常パージ用ライン5とスローパージ用
ライン6とが接続されている。また、底面1bの4つの
コーナー部には、排気口7が設けられている。各コーナ
ー部に設けられた排気口7a、7b、7c、7dは、搬
入物である半導体基板11とオーバーラップしないよう
に半導体基板11の外方位置に配置されている。各排気
口7a、7b、7c、7dには、排気用ライン8a、8
b、8c、8dがそれぞれ接続されており、圧力調整機
能を有する排気調整バルブ9を介して真空排気用ライン
10に接続されている。
気時におけるパーティクルの巻き上げを抑制することが
できる半導体製造装置を提供する。 【解決手段】 ロードロック室1は、上面1aの中央部
にガス導入口2が設けられている。ガス導入口2には、
パージ用ライン3と圧力調整機能を有する切り換えバル
ブ4とを介して通常パージ用ライン5とスローパージ用
ライン6とが接続されている。また、底面1bの4つの
コーナー部には、排気口7が設けられている。各コーナ
ー部に設けられた排気口7a、7b、7c、7dは、搬
入物である半導体基板11とオーバーラップしないよう
に半導体基板11の外方位置に配置されている。各排気
口7a、7b、7c、7dには、排気用ライン8a、8
b、8c、8dがそれぞれ接続されており、圧力調整機
能を有する排気調整バルブ9を介して真空排気用ライン
10に接続されている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ロードロック室に
おけるパーティクルの巻き上げを抑制し、半導体基板表
面へのパーティクルの付着を防止することが可能な半導
体製造装置に関する。
おけるパーティクルの巻き上げを抑制し、半導体基板表
面へのパーティクルの付着を防止することが可能な半導
体製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から、真空処理室を有する半導体製
造装置、例えばイオン注入装置、エッチング装置、アッ
シング装置などでは、真空処理室内を直接大気圧に戻し
てしまうと、再び真空処理室内を所定の真空度に設定す
るのに時間を要する。このため、真空処理室に隣接する
ように予備真空室、いわゆるロードロック室を設け、こ
のロードロック室だけを大気圧に戻すよう構成されたも
のが多く、ロードロック室を介して被処理物、例えば半
導体基板を真空処理室内に搬入、搬出する。
造装置、例えばイオン注入装置、エッチング装置、アッ
シング装置などでは、真空処理室内を直接大気圧に戻し
てしまうと、再び真空処理室内を所定の真空度に設定す
るのに時間を要する。このため、真空処理室に隣接する
ように予備真空室、いわゆるロードロック室を設け、こ
のロードロック室だけを大気圧に戻すよう構成されたも
のが多く、ロードロック室を介して被処理物、例えば半
導体基板を真空処理室内に搬入、搬出する。
【0003】以下図面を参照しながら、従来の半導体製
造装置のロードロック室の一例について説明する。
造装置のロードロック室の一例について説明する。
【0004】図5は従来の半導体製造装置のロードロッ
ク室の断面構成図である。図5において、ロードロック
室51は、側面にガス導入口52と排気口53とが設け
られている。ガス導入口52には、切り換えバルブ54
を介して通常パージ用ライン55とスローパージ用ライ
ン56とが接続されており、排気口53には真空排気ポ
ンプ(図示せず)に接続されている排気用ライン57が
接続されている。
ク室の断面構成図である。図5において、ロードロック
室51は、側面にガス導入口52と排気口53とが設け
られている。ガス導入口52には、切り換えバルブ54
を介して通常パージ用ライン55とスローパージ用ライ
ン56とが接続されており、排気口53には真空排気ポ
ンプ(図示せず)に接続されている排気用ライン57が
接続されている。
【0005】以上のように構成された半導体製造装置の
ロードロック室51への半導体基板58の搬入および搬
出の動作について説明する。
ロードロック室51への半導体基板58の搬入および搬
出の動作について説明する。
【0006】最初に、ロードロック室51への半導体基
板58の搬入動作について説明する。
板58の搬入動作について説明する。
【0007】まず、ロードロック室51が低圧(真空)
になっている場合、ロードロック室51内に、スローパ
ージ用ライン56を用いて窒素ガスあるいは空気などの
気体をガス導入口52から導入した後、室内圧が数万P
aになれば切り換えバルブ54によって通常パージ用ラ
イン55に切り換えて大量の気体を導入させ、室内圧が
大気圧以上になれば気体の導入を停止する。
になっている場合、ロードロック室51内に、スローパ
ージ用ライン56を用いて窒素ガスあるいは空気などの
気体をガス導入口52から導入した後、室内圧が数万P
aになれば切り換えバルブ54によって通常パージ用ラ
イン55に切り換えて大量の気体を導入させ、室内圧が
大気圧以上になれば気体の導入を停止する。
【0008】次に、ロードロック室51に設けられた搬
入口(図示せず)を開け、ロードロック室51内に半導
体基板58を搬入した後、搬入口を閉める。その後、真
空排気ポンプに接続された排気用ライン57を用いて、
室内に残存する大気を排気口53から排気を行い、室内
圧が所定の室内圧になるまで真空排気を行う。
入口(図示せず)を開け、ロードロック室51内に半導
体基板58を搬入した後、搬入口を閉める。その後、真
空排気ポンプに接続された排気用ライン57を用いて、
室内に残存する大気を排気口53から排気を行い、室内
圧が所定の室内圧になるまで真空排気を行う。
【0009】次に、ロードロック室51から隣接する真
空処理室(図示せず)に半導体基板58を搬入し、真空
処理室内にて例えばイオン注入、エッチング、アッシン
グなどの処理を行う。
空処理室(図示せず)に半導体基板58を搬入し、真空
処理室内にて例えばイオン注入、エッチング、アッシン
グなどの処理を行う。
【0010】次に、ロードロック室51からの半導体基
板58の搬出動作について説明する。
板58の搬出動作について説明する。
【0011】まず、真空処理室(図示せず)内で処理し
た半導体基板58を真空処理室からロードロック室51
内に搬出する。
た半導体基板58を真空処理室からロードロック室51
内に搬出する。
【0012】次に、低圧(真空)になっているロードロ
ック室51内に、スローパージ用ライン56を用いて気
体をガス導入口52から導入した後、室内圧が数万Pa
になれば切り換えバルブ54によって通常パージ用ライ
ン55に切り換えて大量の気体を導入させ、室内圧が大
気圧以上になれば気体の導入を停止する。
ック室51内に、スローパージ用ライン56を用いて気
体をガス導入口52から導入した後、室内圧が数万Pa
になれば切り換えバルブ54によって通常パージ用ライ
ン55に切り換えて大量の気体を導入させ、室内圧が大
気圧以上になれば気体の導入を停止する。
【0013】次に、ロードロック室51に設けられた搬
出口(図示せず)を開け、ロードロック室51内から半
導体基板58を搬出する。
出口(図示せず)を開け、ロードロック室51内から半
導体基板58を搬出する。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体製造装置では、ロードロック室51の側面に
設けられたガス導入口52から気体を導入した際に、導
入された気体が乱流になりやすく、ロードロック室51
内に存在するパーティクルや半導体基板58の裏面に付
着しているパーティクルを巻き上げ、半導体基板58の
表面にパーティクルが付着するという問題がある。
来の半導体製造装置では、ロードロック室51の側面に
設けられたガス導入口52から気体を導入した際に、導
入された気体が乱流になりやすく、ロードロック室51
内に存在するパーティクルや半導体基板58の裏面に付
着しているパーティクルを巻き上げ、半導体基板58の
表面にパーティクルが付着するという問題がある。
【0015】また、ロードロック室51の側面に設けら
れた排気口53から室内の残留気体(空気)を排気する
際には、排気される残留気体が乱流になりやすく、ロー
ドロック室51内に存在するパーティクルや半導体基板
58の裏面に付着しているパーティクルを巻き上げ、半
導体基板58の表面にパーティクルが付着するという問
題がある。
れた排気口53から室内の残留気体(空気)を排気する
際には、排気される残留気体が乱流になりやすく、ロー
ドロック室51内に存在するパーティクルや半導体基板
58の裏面に付着しているパーティクルを巻き上げ、半
導体基板58の表面にパーティクルが付着するという問
題がある。
【0016】このように、巻き上げられたパーティクル
が半導体基板58の表面上に再付着することによって、
製造される半導体装置の歩留まりが低下するという問題
がある。
が半導体基板58の表面上に再付着することによって、
製造される半導体装置の歩留まりが低下するという問題
がある。
【0017】本発明は、ロードロック室へのガス導入時
および真空排気時の気流を層流化することによって、パ
ーティクルの巻き上げを抑制することができる半導体製
造装置を提供することを目的とする。
および真空排気時の気流を層流化することによって、パ
ーティクルの巻き上げを抑制することができる半導体製
造装置を提供することを目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体製造
装置は、ロードロック室を有する半導体製造装置におい
て、ロードロック室が、上面に設けられたガス導入口
と、底面に設けられた複数の排気口とを備え、複数の排
気口が、ロードロック室に搬入された搬入物とオーバー
ラップしないように搬入物の外方位置に配置されてい
る。
装置は、ロードロック室を有する半導体製造装置におい
て、ロードロック室が、上面に設けられたガス導入口
と、底面に設けられた複数の排気口とを備え、複数の排
気口が、ロードロック室に搬入された搬入物とオーバー
ラップしないように搬入物の外方位置に配置されてい
る。
【0019】この構成により、ガス導入口から導入され
た気体の搬入物の裏面側への回り込みによるパーティク
ルの巻き上げを抑制することができる。
た気体の搬入物の裏面側への回り込みによるパーティク
ルの巻き上げを抑制することができる。
【0020】上記半導体製造装置において、複数の排気
口として、少なくとも底面の各コーナー部にそれぞれ設
けられた4つの排気口を有している。この構成によっ
て、コーナー部における気流のよどみ及び気流の乱れを
なくし、ロードロック室に付着しているパーティクルの
巻き上げを抑制することができる。
口として、少なくとも底面の各コーナー部にそれぞれ設
けられた4つの排気口を有している。この構成によっ
て、コーナー部における気流のよどみ及び気流の乱れを
なくし、ロードロック室に付着しているパーティクルの
巻き上げを抑制することができる。
【0021】上記半導体製造装置において、ガス導入口
が、ロードロック室の上面の中央部に設けられている。
または、ガス導入口が、ロードロック室の上面に設けら
れたガス層流化フィルタを有するフィルタ室からなる。
または、ガス導入口が、複数の排気口と同数個設けられ
ており、ロードロック室の上面に、複数の排気口に対向
するようにそれぞれ設けられている。これらのいずれの
構成においても、ガス導入口から導入された気体の流れ
を複数の排気口に対して層流的にすることができ、パー
ティクルの巻き上がりを抑制することができる。
が、ロードロック室の上面の中央部に設けられている。
または、ガス導入口が、ロードロック室の上面に設けら
れたガス層流化フィルタを有するフィルタ室からなる。
または、ガス導入口が、複数の排気口と同数個設けられ
ており、ロードロック室の上面に、複数の排気口に対向
するようにそれぞれ設けられている。これらのいずれの
構成においても、ガス導入口から導入された気体の流れ
を複数の排気口に対して層流的にすることができ、パー
ティクルの巻き上がりを抑制することができる。
【0022】上記半導体製造装置において、ロードロッ
ク室の側面に、巻き上がり防止板が設けられている。こ
の巻き上がり防止板によって、パーティクルの巻き上が
りが抑制される。
ク室の側面に、巻き上がり防止板が設けられている。こ
の巻き上がり防止板によって、パーティクルの巻き上が
りが抑制される。
【0023】
【発明の実施の形態】(第1の実施形態)図1は、本発
明の第1の実施形態に係る半導体製造装置の一例であ
り、図1(a)は上面から見た平面構成図、図1(b)
は図1(a)のA−A線箇所の断面構成図である。
明の第1の実施形態に係る半導体製造装置の一例であ
り、図1(a)は上面から見た平面構成図、図1(b)
は図1(a)のA−A線箇所の断面構成図である。
【0024】図1に示す半導体製造装置のロードロック
室1は、上面1aの中央部にガス導入口2が設けられて
おり、ガス導入口2には、パージ用ライン3が接続され
ており、圧力調整機能を有する切り換えバルブ4を介し
て通常パージ用ライン5とスローパージ用ライン6とに
接続されている。また、底面1bの4つのコーナー部に
は、排気口7が設けられており、各コーナー部に設けら
れた排気口7a、7b、7c、7dは、搬入物である半
導体基板11とオーバーラップしないように半導体基板
11の外方位置に配置されている。そして、各排気口7
a、7b、7c、7dには、排気用ライン8a、8b、
8c、8dがそれぞれ接続されており、圧力調整機能を
有する排気調整バルブ9を介して真空排気用ライン10
に接続されている。真空排気用ライン10は、真空排気
ポンプ(図示せず)に接続されている。
室1は、上面1aの中央部にガス導入口2が設けられて
おり、ガス導入口2には、パージ用ライン3が接続され
ており、圧力調整機能を有する切り換えバルブ4を介し
て通常パージ用ライン5とスローパージ用ライン6とに
接続されている。また、底面1bの4つのコーナー部に
は、排気口7が設けられており、各コーナー部に設けら
れた排気口7a、7b、7c、7dは、搬入物である半
導体基板11とオーバーラップしないように半導体基板
11の外方位置に配置されている。そして、各排気口7
a、7b、7c、7dには、排気用ライン8a、8b、
8c、8dがそれぞれ接続されており、圧力調整機能を
有する排気調整バルブ9を介して真空排気用ライン10
に接続されている。真空排気用ライン10は、真空排気
ポンプ(図示せず)に接続されている。
【0025】以上のように構成された半導体製造装置の
ロードロック室への半導体基板の搬入および搬出の動作
について説明する。
ロードロック室への半導体基板の搬入および搬出の動作
について説明する。
【0026】最初に、ロードロック室1への半導体基板
11の搬入動作について説明する。
11の搬入動作について説明する。
【0027】まず、ロードロック室1が低圧(真空)に
なっている場合、ロードロック室1内に、スローパージ
用ライン6を用いて気体である例えば窒素ガスをガス導
入口2から導入した後、室内圧が数万Paになれば切り
換えバルブ4によって通常パージ用ライン5に切り換え
て大量の窒素ガスを導入させ、室内圧が大気圧以上にな
れば窒素ガスの導入を停止する。このとき、スローパー
ジ用ライン6及び通常パージ用ライン5を用いて窒素ガ
スを導入する際に、所定の室内圧例えば大気圧になるま
で導入される窒素ガスの導入量よりも少ない排気量にな
るように排気調整バルブ9で調整しながら真空排気用ラ
イン10から窒素ガス(気体)を排気する。
なっている場合、ロードロック室1内に、スローパージ
用ライン6を用いて気体である例えば窒素ガスをガス導
入口2から導入した後、室内圧が数万Paになれば切り
換えバルブ4によって通常パージ用ライン5に切り換え
て大量の窒素ガスを導入させ、室内圧が大気圧以上にな
れば窒素ガスの導入を停止する。このとき、スローパー
ジ用ライン6及び通常パージ用ライン5を用いて窒素ガ
スを導入する際に、所定の室内圧例えば大気圧になるま
で導入される窒素ガスの導入量よりも少ない排気量にな
るように排気調整バルブ9で調整しながら真空排気用ラ
イン10から窒素ガス(気体)を排気する。
【0028】次に、ロードロック室1に設けられた搬入
口(図示せず)を開け、ロードロック室1内に半導体基
板11を搬入した後、搬入口を閉める。その後、真空排
気ポンプに接続された真空排気用ライン10を用いて、
室内に残存する気体(空気)を排気口7a、7b、7
c、7dから均等に排気を行い、室内圧が所定の室内圧
になるまで真空排気を行う。このとき、室内圧が数万P
aになるまで排気調整バルブ9で調整してスロー排気を
行う。なお、スロー排気する際に、所定の室内圧になる
まで排気量よりも少ない窒素ガスをスローパージ用ライ
ン6から導入しながら排気してもよい。
口(図示せず)を開け、ロードロック室1内に半導体基
板11を搬入した後、搬入口を閉める。その後、真空排
気ポンプに接続された真空排気用ライン10を用いて、
室内に残存する気体(空気)を排気口7a、7b、7
c、7dから均等に排気を行い、室内圧が所定の室内圧
になるまで真空排気を行う。このとき、室内圧が数万P
aになるまで排気調整バルブ9で調整してスロー排気を
行う。なお、スロー排気する際に、所定の室内圧になる
まで排気量よりも少ない窒素ガスをスローパージ用ライ
ン6から導入しながら排気してもよい。
【0029】次に、ロードロック室1から隣接する真空
処理室(図示せず)に半導体基板11を搬入し、真空処
理室内にて例えばイオン注入、エッチング、アッシング
などの処理を行う。
処理室(図示せず)に半導体基板11を搬入し、真空処
理室内にて例えばイオン注入、エッチング、アッシング
などの処理を行う。
【0030】次に、ロードロック室からの半導体基板の
搬出動作について説明する。
搬出動作について説明する。
【0031】まず、真空処理室(図示せず)内で処理し
た半導体基板11を真空処理室からロードロック室1内
に搬出する。
た半導体基板11を真空処理室からロードロック室1内
に搬出する。
【0032】次に、低圧(真空)になっているロードロ
ック室1内に、スローパージ用ライン6を用いて窒素ガ
スをガス導入口2から導入した後、室内圧が数万Paに
なれば切り換えバルブ4によって通常パージ用ライン5
に切り換えて大量の窒素ガスを導入させ、室内圧が大気
圧以上になれば窒素ガスの導入を停止する。このとき、
スローパージ用ライン6及び通常パージ用ライン5を用
いて窒素ガスを導入する際に、所定の室内圧例えば大気
圧になるまで導入される窒素ガスの導入量よりも少ない
排気量になるように排気調整バルブ9で調整しながら真
空排気用ライン10から窒素ガスを排気する。
ック室1内に、スローパージ用ライン6を用いて窒素ガ
スをガス導入口2から導入した後、室内圧が数万Paに
なれば切り換えバルブ4によって通常パージ用ライン5
に切り換えて大量の窒素ガスを導入させ、室内圧が大気
圧以上になれば窒素ガスの導入を停止する。このとき、
スローパージ用ライン6及び通常パージ用ライン5を用
いて窒素ガスを導入する際に、所定の室内圧例えば大気
圧になるまで導入される窒素ガスの導入量よりも少ない
排気量になるように排気調整バルブ9で調整しながら真
空排気用ライン10から窒素ガスを排気する。
【0033】次に、ロードロック室1に設けられた搬出
口(図示せず)を開け、ロードロック室1内から半導体
基板11を搬出する。
口(図示せず)を開け、ロードロック室1内から半導体
基板11を搬出する。
【0034】この第1の実施形態の構成によれば、ロー
ドロック室1の底面1bのコーナー部に排気口7が設け
られており、各コーナー部に設けられた排気口7a、7
b、7c、7dは、搬入物である半導体基板11とオー
バーラップしないように半導体基板11の外方位置に配
置されている。このコーナー部に設けられた排気口7
a、7b、7c、7dによって、コーナー部における気
流のよどみ及び気流の乱れをなくし、且つ、ガス導入口
2から導入された窒素ガスの半導体基板11の裏面側へ
の回り込みを抑制することができる。従って、半導体基
板11の裏面に付着しているパーティクルや半導体基板
11の裏面下に位置するロードロック室の底面に付着し
ているパーティクルの巻き上げを抑制することができ
る。ロードロック室1内を大気圧に戻す場合、上面1a
の中央部に設けられたガス導入口2から窒素ガスを導入
すると同時に、排気口7a、7b、7c、7dから導入
される窒素ガスの導入量よりも少ない排気量で排気しな
がら徐々に圧力を高めていくことにより、パーティクル
の巻き上げが抑制され、かつ、巻き上がったパーティク
ルを即座に各排気口7a、7b、7c、7dから排出す
ることができる。また、ロードロック室1内を所定の室
内圧まで真空排気する場合も同様に、底面1bのコーナ
ー部に設けられた排気口7a、7b、7c、7dから気
体を排気すると同時に、上面1aの中央部に設けられた
ガス導入口2から排気量よりも少ない窒素ガスを導入し
ながら徐々に圧力を低下させていくことにより、パーテ
ィクルの巻き上げが抑制され、かつ、巻き上がったパー
ティクルを即座に各排気口7a、7b、7c、7dから
排出することができる。
ドロック室1の底面1bのコーナー部に排気口7が設け
られており、各コーナー部に設けられた排気口7a、7
b、7c、7dは、搬入物である半導体基板11とオー
バーラップしないように半導体基板11の外方位置に配
置されている。このコーナー部に設けられた排気口7
a、7b、7c、7dによって、コーナー部における気
流のよどみ及び気流の乱れをなくし、且つ、ガス導入口
2から導入された窒素ガスの半導体基板11の裏面側へ
の回り込みを抑制することができる。従って、半導体基
板11の裏面に付着しているパーティクルや半導体基板
11の裏面下に位置するロードロック室の底面に付着し
ているパーティクルの巻き上げを抑制することができ
る。ロードロック室1内を大気圧に戻す場合、上面1a
の中央部に設けられたガス導入口2から窒素ガスを導入
すると同時に、排気口7a、7b、7c、7dから導入
される窒素ガスの導入量よりも少ない排気量で排気しな
がら徐々に圧力を高めていくことにより、パーティクル
の巻き上げが抑制され、かつ、巻き上がったパーティク
ルを即座に各排気口7a、7b、7c、7dから排出す
ることができる。また、ロードロック室1内を所定の室
内圧まで真空排気する場合も同様に、底面1bのコーナ
ー部に設けられた排気口7a、7b、7c、7dから気
体を排気すると同時に、上面1aの中央部に設けられた
ガス導入口2から排気量よりも少ない窒素ガスを導入し
ながら徐々に圧力を低下させていくことにより、パーテ
ィクルの巻き上げが抑制され、かつ、巻き上がったパー
ティクルを即座に各排気口7a、7b、7c、7dから
排出することができる。
【0035】(第2の実施形態)図2は、本発明の第2
の実施形態に係る半導体製造装置の一例であり、図2
(a)は上面から見た平面構成図、図2(b)は図2
(a)のB−B線箇所の断面構成図である。
の実施形態に係る半導体製造装置の一例であり、図2
(a)は上面から見た平面構成図、図2(b)は図2
(a)のB−B線箇所の断面構成図である。
【0036】図2に示す半導体製造装置のロードロック
室1は、上面1aにガス層流化フィルタ12aを有する
フィルタ室12が設けられており、フィルタ室12に
は、パージ用ライン3が接続されており、圧力調整機能
を有する切り換えバルブ4を介して通常パージ用ライン
5とスローパージ用ライン6とに接続されている。この
ガス層流化フィルタ12aは、半導体基板11よりも面
積を大きくして半導体基板11が全てオーバーラップす
るように配置することが望ましい。
室1は、上面1aにガス層流化フィルタ12aを有する
フィルタ室12が設けられており、フィルタ室12に
は、パージ用ライン3が接続されており、圧力調整機能
を有する切り換えバルブ4を介して通常パージ用ライン
5とスローパージ用ライン6とに接続されている。この
ガス層流化フィルタ12aは、半導体基板11よりも面
積を大きくして半導体基板11が全てオーバーラップす
るように配置することが望ましい。
【0037】また、底面1bのコーナー部には、排気口
7が設けられており、各コーナー部に設けられた排気口
7a、7b、7c、7dは、搬入物である半導体基板1
1とオーバーラップしないように半導体基板11の外方
位置に配置されている。そして、各排気口7a、7b、
7c、7dには、排気用ライン8a、8b、8c、8d
がそれぞれ接続されており、圧力調整機能を有する排気
調整バルブ9を介して真空排気用ライン10に接続され
ている。真空排気用ライン10は、真空排気ポンプ(図
示せず)に接続されている。
7が設けられており、各コーナー部に設けられた排気口
7a、7b、7c、7dは、搬入物である半導体基板1
1とオーバーラップしないように半導体基板11の外方
位置に配置されている。そして、各排気口7a、7b、
7c、7dには、排気用ライン8a、8b、8c、8d
がそれぞれ接続されており、圧力調整機能を有する排気
調整バルブ9を介して真空排気用ライン10に接続され
ている。真空排気用ライン10は、真空排気ポンプ(図
示せず)に接続されている。
【0038】以上のように構成された半導体製造装置の
ロードロック室1への半導体基板11の搬入および搬出
の動作は、第1の実施形態と同様な方法で行うことがで
きる。但し、窒素ガスなどの気体の導入は、ガス層流化
フィルタ12aを有するフィルタ室12を介して導入す
る。
ロードロック室1への半導体基板11の搬入および搬出
の動作は、第1の実施形態と同様な方法で行うことがで
きる。但し、窒素ガスなどの気体の導入は、ガス層流化
フィルタ12aを有するフィルタ室12を介して導入す
る。
【0039】この第2の実施形態の構成によれば、ロー
ドロック室1の底面1bのコーナー部に排気口7が設け
られており、各コーナー部に設けられた排気口7a、7
b、7c、7dは、搬入物である半導体基板11とオー
バーラップしないように半導体基板11の外方位置に配
置されている。これによって、第1の実施形態と同様な
効果が得られる。さらに、ロードロック室1の上面1a
には、窒素ガスなどの気体を層流化して導入することが
できるガス層流化フィルタ12aを有するフィルタ室1
2が設けられている。これによって、ロードロック室1
内に導入される気体の流れをさらに層流化することがで
きるので、さらに、パーティクルの巻き上げを抑制する
ことができる。
ドロック室1の底面1bのコーナー部に排気口7が設け
られており、各コーナー部に設けられた排気口7a、7
b、7c、7dは、搬入物である半導体基板11とオー
バーラップしないように半導体基板11の外方位置に配
置されている。これによって、第1の実施形態と同様な
効果が得られる。さらに、ロードロック室1の上面1a
には、窒素ガスなどの気体を層流化して導入することが
できるガス層流化フィルタ12aを有するフィルタ室1
2が設けられている。これによって、ロードロック室1
内に導入される気体の流れをさらに層流化することがで
きるので、さらに、パーティクルの巻き上げを抑制する
ことができる。
【0040】(第3の実施形態)図3は、本発明の第3
の実施形態に係る半導体製造装置の一例であり、図3
(a)は上面から見た平面構成図、図3(b)は図3
(a)のC−C線箇所の断面構成図である。
の実施形態に係る半導体製造装置の一例であり、図3
(a)は上面から見た平面構成図、図3(b)は図3
(a)のC−C線箇所の断面構成図である。
【0041】図3に示す半導体製造装置のロードロック
室1は、上面1aのコーナー部にガス導入口2が設けら
れており、各コーナー部に設けられたガス導入口2a、
2b、2c、2dは、搬入物である半導体基板11とオ
ーバーラップしないように半導体基板11の外方位置に
配置されている。そして、各ガス導入口2a、2b、2
c、2dには、それぞれにパージ用ライン3が接続され
ており、圧力調整機能を有する切り換えバルブ4を介し
て通常パージ用ライン5とスローパージ用ライン6とに
接続されている。
室1は、上面1aのコーナー部にガス導入口2が設けら
れており、各コーナー部に設けられたガス導入口2a、
2b、2c、2dは、搬入物である半導体基板11とオ
ーバーラップしないように半導体基板11の外方位置に
配置されている。そして、各ガス導入口2a、2b、2
c、2dには、それぞれにパージ用ライン3が接続され
ており、圧力調整機能を有する切り換えバルブ4を介し
て通常パージ用ライン5とスローパージ用ライン6とに
接続されている。
【0042】また、底面1bのコーナー部には、排気口
7が設けられており、各コーナー部に設けられた排気口
7a、7b、7c、7dは、搬入物である半導体基板1
1とオーバーラップしないように半導体基板11の外方
位置に配置されている。そして、各排気口7a、7b、
7c、7dには、排気用ライン8a、8b、8c、8d
(8c及び8dは図示せず)がそれぞれ接続されてお
り、圧力調整機能を有する排気調整バルブ9を介して真
空排気用ライン10に接続されている。真空排気用ライ
ン10は、真空排気ポンプ(図示せず)に接続されてい
る。
7が設けられており、各コーナー部に設けられた排気口
7a、7b、7c、7dは、搬入物である半導体基板1
1とオーバーラップしないように半導体基板11の外方
位置に配置されている。そして、各排気口7a、7b、
7c、7dには、排気用ライン8a、8b、8c、8d
(8c及び8dは図示せず)がそれぞれ接続されてお
り、圧力調整機能を有する排気調整バルブ9を介して真
空排気用ライン10に接続されている。真空排気用ライ
ン10は、真空排気ポンプ(図示せず)に接続されてい
る。
【0043】この第3の実施形態では、排気口7a、7
b、7c、7dとガス導入口2a、2b、2c、2dと
がそれぞれ対向するように設けることが望ましい。
b、7c、7dとガス導入口2a、2b、2c、2dと
がそれぞれ対向するように設けることが望ましい。
【0044】以上のように構成された半導体製造装置の
ロードロック室1への半導体基板11の搬入および搬出
の動作は、第1の実施形態と同様な方法で行うことがで
きる。但し、窒素ガスの導入は、上面1aの各コーナー
部に設けられたガス導入口2a、2b、2c、2dから
均等に導入する。
ロードロック室1への半導体基板11の搬入および搬出
の動作は、第1の実施形態と同様な方法で行うことがで
きる。但し、窒素ガスの導入は、上面1aの各コーナー
部に設けられたガス導入口2a、2b、2c、2dから
均等に導入する。
【0045】この第3の実施形態の構成によれば、ロー
ドロック室1の底面1bのコーナー部に排気口7が設け
られており、各コーナー部に設けられた排気口7a、7
b、7c、7dは、搬入物である半導体基板11とオー
バーラップしないように半導体基板11の外方位置に配
置されている。これによって、第1の実施形態と同様な
効果が得られる。さらに、上面1aのコーナー部にガス
導入口2が設けられており、各コーナー部に設けられた
ガス導入口2a、2b、2c、2dは、搬入物である半
導体基板11とオーバーラップしないように半導体基板
11の外方位置に配置されている。しかも、排気口7
a、7b、7c、7dとガス導入口2a、2b、2c、
2dとが対向して設けられている。これによって、ロー
ドロック室1内に導入される気体の流れをさらに層流化
することができるので、パーティクルの巻き上げを抑制
することができる。また、ガス導入口2a、2b、2
c、2dに対して、排気口7a、7b、7c、7dの口
径を大きくしておけば、さらにパーティクルの巻き上げ
を抑制することができる。
ドロック室1の底面1bのコーナー部に排気口7が設け
られており、各コーナー部に設けられた排気口7a、7
b、7c、7dは、搬入物である半導体基板11とオー
バーラップしないように半導体基板11の外方位置に配
置されている。これによって、第1の実施形態と同様な
効果が得られる。さらに、上面1aのコーナー部にガス
導入口2が設けられており、各コーナー部に設けられた
ガス導入口2a、2b、2c、2dは、搬入物である半
導体基板11とオーバーラップしないように半導体基板
11の外方位置に配置されている。しかも、排気口7
a、7b、7c、7dとガス導入口2a、2b、2c、
2dとが対向して設けられている。これによって、ロー
ドロック室1内に導入される気体の流れをさらに層流化
することができるので、パーティクルの巻き上げを抑制
することができる。また、ガス導入口2a、2b、2
c、2dに対して、排気口7a、7b、7c、7dの口
径を大きくしておけば、さらにパーティクルの巻き上げ
を抑制することができる。
【0046】(第4の実施形態)図4は、本発明の第4
の実施形態に係る半導体製造装置の一例であり、図4
(a)は上面から見た平面構成図、図4(b)は図4
(a)のD−D線箇所の断面構成図である。
の実施形態に係る半導体製造装置の一例であり、図4
(a)は上面から見た平面構成図、図4(b)は図4
(a)のD−D線箇所の断面構成図である。
【0047】図4に示す半導体製造装置のロードロック
室1は、上面1aの中央部にガス導入口2が設けられて
おり、ガス導入口2には、パージ用ライン3が接続され
ており、圧力調整機能を有する切り換えバルブ4を介し
て通常パージ用ライン5とスローパージ用ライン6とに
接続されている。
室1は、上面1aの中央部にガス導入口2が設けられて
おり、ガス導入口2には、パージ用ライン3が接続され
ており、圧力調整機能を有する切り換えバルブ4を介し
て通常パージ用ライン5とスローパージ用ライン6とに
接続されている。
【0048】また、底面1bのコーナー部には、排気口
7が設けられており、各コーナー部に設けられた排気口
7a、7b、7c、7dは、搬入物である半導体基板1
1とオーバーラップしないように半導体基板11の外方
位置に配置されている。そして、各排気口7a、7b、
7c、7dには、排気用ライン8a、8b、8c、8d
がそれぞれ接続されており、圧力調整機能を有する排気
調整バルブ9を介して真空排気用ライン10に接続され
ている。真空排気用ライン10は、真空排気ポンプ(図
示せず)に接続されている。
7が設けられており、各コーナー部に設けられた排気口
7a、7b、7c、7dは、搬入物である半導体基板1
1とオーバーラップしないように半導体基板11の外方
位置に配置されている。そして、各排気口7a、7b、
7c、7dには、排気用ライン8a、8b、8c、8d
がそれぞれ接続されており、圧力調整機能を有する排気
調整バルブ9を介して真空排気用ライン10に接続され
ている。真空排気用ライン10は、真空排気ポンプ(図
示せず)に接続されている。
【0049】また、側面1c及び1dには、複数の巻き
上がり防止板13a、13b、13cがそれぞれ設けら
れている。これらの巻き上がり防止板13は、先端が下
向きになるように側面1c及び1dに取り付けられてお
り、側面1c及び1dと各巻き上がり防止板13との間
の角度14が鋭角に成っている。また、側面1c及び1
dにそれぞれ取り付けられた複数の巻き上がり防止板1
3のうち、少なくとも一番下段の巻き上がり防止板13
aは、先端部が半導体基板11の表面よりも低い位置に
(底面側)なるように設けることが望ましい。
上がり防止板13a、13b、13cがそれぞれ設けら
れている。これらの巻き上がり防止板13は、先端が下
向きになるように側面1c及び1dに取り付けられてお
り、側面1c及び1dと各巻き上がり防止板13との間
の角度14が鋭角に成っている。また、側面1c及び1
dにそれぞれ取り付けられた複数の巻き上がり防止板1
3のうち、少なくとも一番下段の巻き上がり防止板13
aは、先端部が半導体基板11の表面よりも低い位置に
(底面側)なるように設けることが望ましい。
【0050】この第4の実施形態の構成によれば、ロー
ドロック室1の底面1bのコーナー部に排気口7が設け
られており、各コーナー部に設けられた排気口7a、7
b、7c、7dは、搬入物である半導体基板11とオー
バーラップしないように半導体基板11の外方位置に配
置されている。これによって、第1の実施形態と同様な
効果が得られる。さらに、ロードロック室1の側面1c
及び1dには、複数の巻き上がり防止板13が設けられ
ているため、さらに、パーティクルの巻き上げを抑制す
ることができ、半導体基板11の表面へのパーティクル
の再付着を防止することができる。
ドロック室1の底面1bのコーナー部に排気口7が設け
られており、各コーナー部に設けられた排気口7a、7
b、7c、7dは、搬入物である半導体基板11とオー
バーラップしないように半導体基板11の外方位置に配
置されている。これによって、第1の実施形態と同様な
効果が得られる。さらに、ロードロック室1の側面1c
及び1dには、複数の巻き上がり防止板13が設けられ
ているため、さらに、パーティクルの巻き上げを抑制す
ることができ、半導体基板11の表面へのパーティクル
の再付着を防止することができる。
【0051】上記第2及び第3の実施形態に示す構成に
は、巻き上がり防止板は設けていないが、第4の実施形
態に示すような巻き上がり防止板を適用すれば、同様な
効果を得ることができる。
は、巻き上がり防止板は設けていないが、第4の実施形
態に示すような巻き上がり防止板を適用すれば、同様な
効果を得ることができる。
【0052】また、上記第1〜第4の実施形態では、ロ
ードロック室の底面1bの各コーナー部にそれぞれ排気
口7a、7b、7c、7dを設けたが、そのほかに半導
体基板11の外方位置に均等に排気口を設けてよい。
ードロック室の底面1bの各コーナー部にそれぞれ排気
口7a、7b、7c、7dを設けたが、そのほかに半導
体基板11の外方位置に均等に排気口を設けてよい。
【0053】また、上記第1〜第4の実施形態では、ロ
ードロック室への搬入物として半導体基板の単体を用い
て説明したが、複数枚の半導体基板をセットしたウェハ
カセットでもよい。このときには、ウェハカセットの外
方位置に排気口を設ければよい。
ードロック室への搬入物として半導体基板の単体を用い
て説明したが、複数枚の半導体基板をセットしたウェハ
カセットでもよい。このときには、ウェハカセットの外
方位置に排気口を設ければよい。
【0054】
【発明の効果】本発明によれば、ロードロック室の上面
にガス導入口を設け、底面に半導体基板とオーバーラッ
プしないように設けられた複数の排気口から排気を行う
構成によって、底面周辺部における気流のよどみ及び気
流の乱れをなくし、且つ、ガス導入口から導入された気
体の半導体基板の裏面側への回り込みを抑制することが
できる。これによって、半導体基板の裏面に付着してい
るパーティクルや半導体基板の裏面下に位置するロード
ロック室の底面に付着しているパーティクルの巻き上げ
を抑制することができる。従って、半導体基板の表面へ
のパーティクルの再付着を低減することができるので、
半導体装置の歩留まり向上を図ることができる。
にガス導入口を設け、底面に半導体基板とオーバーラッ
プしないように設けられた複数の排気口から排気を行う
構成によって、底面周辺部における気流のよどみ及び気
流の乱れをなくし、且つ、ガス導入口から導入された気
体の半導体基板の裏面側への回り込みを抑制することが
できる。これによって、半導体基板の裏面に付着してい
るパーティクルや半導体基板の裏面下に位置するロード
ロック室の底面に付着しているパーティクルの巻き上げ
を抑制することができる。従って、半導体基板の表面へ
のパーティクルの再付着を低減することができるので、
半導体装置の歩留まり向上を図ることができる。
【図1】本発明の第1の実施形態に係る半導体製造装置
の一例であり、(a)は上面から見た平面構成図 (b)は(a)のA−A線箇所の断面構成図
の一例であり、(a)は上面から見た平面構成図 (b)は(a)のA−A線箇所の断面構成図
【図2】本発明の第2の実施形態に係る半導体製造装置
の一例であり、(a)は上面から見た平面構成図 (b)は(a)のB−B線箇所の断面構成図
の一例であり、(a)は上面から見た平面構成図 (b)は(a)のB−B線箇所の断面構成図
【図3】本発明の第3の実施形態に係る半導体製造装置
の一例であり、(a)は上面から見た平面構成図 (b)は(a)のC−C線箇所の断面構成図
の一例であり、(a)は上面から見た平面構成図 (b)は(a)のC−C線箇所の断面構成図
【図4】本発明の第4の実施形態に係る半導体製造装置
の一例であり、(a)は上面から見た平面構成図 (b)は(a)のD−D線箇所の断面構成図
の一例であり、(a)は上面から見た平面構成図 (b)は(a)のD−D線箇所の断面構成図
【図5】従来の半導体製造装置の断面構成図
1 ロードロック室 2 ガス導入口 3 パージ用ライン 4 切り換えバルブ 5 通常パージ用ライン 6 スローパージ用ライン 7a、7b、7c、7d 排気口 8a、8b、8c、8d 排気用ライン 9 排気調整バルブ 10 真空排気用ライン 11 半導体基板 12 フィルタ室 12a ガス層流化フィルタ 13 巻き上がり防止板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/027 C23C 14/00 B 21/3065 H01L 21/30 572A // C23C 14/00 21/302 B Fターム(参考) 4K029 CA10 DA09 KA01 5F004 AA16 BB18 BC05 BD01 BD06 5F031 CA02 FA01 MA11 NA04 NA07 NA16 5F045 BB15 DP03 EB08 EB12 EB17 EF20 EN04 5F046 MA11
Claims (7)
- 【請求項1】 ロードロック室を有する半導体製造装置
において、 前記ロードロック室が、上面に設けられたガス導入口
と、底面に設けられた複数の排気口とを備え、 前記複数の排気口が、前記ロードロック室に搬入された
搬入物とオーバーラップしないように前記搬入物の外方
位置に配置されていることを特徴とする半導体製造装
置。 - 【請求項2】 請求項1記載の半導体製造装置におい
て、 前記複数の排気口として、少なくとも前記底面の各コー
ナー部にそれぞれ設けられた4つの排気口を有している
ことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項3】 請求項2記載の半導体製造装置におい
て、 前記搬入物が、半導体基板であることを特徴とする半導
体製造装置。 - 【請求項4】 請求項1〜3のうちいずれか1つに記載
の半導体製造装置において、 前記ガス導入口が、前記ロードロック室の上面の中央部
に設けられていることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項5】 請求項1〜3のうちいずれか1つに記載
の半導体製造装置において、 前記ガス導入口が、前記ロードロック室の上面に設けら
れたガス層流化フィルタを有するフィルタ室からなるこ
とを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項6】 請求項1〜3のうちいずれか1つに記載
の半導体製造装置において、 前記ガス導入口が、前記複数の排気口と同数個設けられ
ており、前記ロードロック室の上面に、前記複数の排気
口に対向するようにそれぞれ設けられていることを特徴
とする半導体製造装置。 - 【請求項7】 請求項4〜6のうちいずれか1つに記載
の半導体製造装置において、 前記ロードロック室の側面に、巻き上がり防止板が設け
られていることを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001025224A JP2002231783A (ja) | 2001-02-01 | 2001-02-01 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001025224A JP2002231783A (ja) | 2001-02-01 | 2001-02-01 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002231783A true JP2002231783A (ja) | 2002-08-16 |
Family
ID=18890257
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001025224A Pending JP2002231783A (ja) | 2001-02-01 | 2001-02-01 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002231783A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004146781A (ja) * | 2002-10-22 | 2004-05-20 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体素子製造用ロードロックチャンバーの真空/パージ方法 |
JP2007042763A (ja) * | 2005-08-02 | 2007-02-15 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | エッチング装置およびその方法 |
JP2007204823A (ja) * | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 成膜装置 |
WO2013099178A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | シャープ株式会社 | ロードロック装置及びそれを備えた真空処理装置 |
WO2014174805A1 (ja) * | 2013-04-22 | 2014-10-30 | パナソニック株式会社 | El表示装置の製造方法 |
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JP2020510319A (ja) * | 2017-03-17 | 2020-04-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 基板を加熱し、ロードロック内の汚染を低減するための電子デバイス製造システム、方法、及び装置 |
-
2001
- 2001-02-01 JP JP2001025224A patent/JP2002231783A/ja active Pending
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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KR20140107646A (ko) * | 2011-12-27 | 2014-09-04 | 샤프 가부시키가이샤 | 로드록 장치 및 이를 구비한 진공처리장치 |
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WO2013099178A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | シャープ株式会社 | ロードロック装置及びそれを備えた真空処理装置 |
JPWO2013099178A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2015-04-30 | シャープ株式会社 | ロードロック装置及びそれを備えた真空処理装置 |
KR101632043B1 (ko) * | 2011-12-27 | 2016-06-20 | 샤프 가부시키가이샤 | 로드록 장치 및 이를 구비한 진공처리장치 |
CN104025278B (zh) * | 2011-12-27 | 2017-03-29 | 夏普株式会社 | 装载闭锁装置和具备它的真空处理装置 |
WO2014174805A1 (ja) * | 2013-04-22 | 2014-10-30 | パナソニック株式会社 | El表示装置の製造方法 |
US9343710B2 (en) | 2013-04-22 | 2016-05-17 | Joled Inc | Method of manufacturing EL display device |
JP2020510319A (ja) * | 2017-03-17 | 2020-04-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 基板を加熱し、ロードロック内の汚染を低減するための電子デバイス製造システム、方法、及び装置 |
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