JP2002231783A

JP2002231783A - 半導体製造装置

Info

Publication number: JP2002231783A
Application number: JP2001025224A
Authority: JP
Inventors: Naoki Nishino; 直樹西野; Kazuo Yokota; 和男横田
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2001-02-01
Filing date: 2001-02-01
Publication date: 2002-08-16

Abstract

(57)【要約】【課題】ロードロック室へのガス導入時および真空排
気時におけるパーティクルの巻き上げを抑制することが
できる半導体製造装置を提供する。【解決手段】ロードロック室１は、上面１ａの中央部
にガス導入口２が設けられている。ガス導入口２には、
パージ用ライン３と圧力調整機能を有する切り換えバル
ブ４とを介して通常パージ用ライン５とスローパージ用
ライン６とが接続されている。また、底面１ｂの４つの
コーナー部には、排気口７が設けられている。各コーナ
ー部に設けられた排気口７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄは、搬
入物である半導体基板１１とオーバーラップしないよう
に半導体基板１１の外方位置に配置されている。各排気
口７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄには、排気用ライン８ａ、８
ｂ、８ｃ、８ｄがそれぞれ接続されており、圧力調整機
能を有する排気調整バルブ９を介して真空排気用ライン
１０に接続されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ロードロック室に
おけるパーティクルの巻き上げを抑制し、半導体基板表
面へのパーティクルの付着を防止することが可能な半導
体製造装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、真空処理室を有する半導体製
造装置、例えばイオン注入装置、エッチング装置、アッ
シング装置などでは、真空処理室内を直接大気圧に戻し
てしまうと、再び真空処理室内を所定の真空度に設定す
るのに時間を要する。このため、真空処理室に隣接する
ように予備真空室、いわゆるロードロック室を設け、こ
のロードロック室だけを大気圧に戻すよう構成されたも
のが多く、ロードロック室を介して被処理物、例えば半
導体基板を真空処理室内に搬入、搬出する。

【０００３】以下図面を参照しながら、従来の半導体製
造装置のロードロック室の一例について説明する。

【０００４】図５は従来の半導体製造装置のロードロッ
ク室の断面構成図である。図５において、ロードロック
室５１は、側面にガス導入口５２と排気口５３とが設け
られている。ガス導入口５２には、切り換えバルブ５４
を介して通常パージ用ライン５５とスローパージ用ライ
ン５６とが接続されており、排気口５３には真空排気ポ
ンプ（図示せず）に接続されている排気用ライン５７が
接続されている。

【０００５】以上のように構成された半導体製造装置の
ロードロック室５１への半導体基板５８の搬入および搬
出の動作について説明する。

【０００６】最初に、ロードロック室５１への半導体基
板５８の搬入動作について説明する。

【０００７】まず、ロードロック室５１が低圧（真空）
になっている場合、ロードロック室５１内に、スローパ
ージ用ライン５６を用いて窒素ガスあるいは空気などの
気体をガス導入口５２から導入した後、室内圧が数万Ｐ
ａになれば切り換えバルブ５４によって通常パージ用ラ
イン５５に切り換えて大量の気体を導入させ、室内圧が
大気圧以上になれば気体の導入を停止する。

【０００８】次に、ロードロック室５１に設けられた搬
入口（図示せず）を開け、ロードロック室５１内に半導
体基板５８を搬入した後、搬入口を閉める。その後、真
空排気ポンプに接続された排気用ライン５７を用いて、
室内に残存する大気を排気口５３から排気を行い、室内
圧が所定の室内圧になるまで真空排気を行う。

【０００９】次に、ロードロック室５１から隣接する真
空処理室（図示せず）に半導体基板５８を搬入し、真空
処理室内にて例えばイオン注入、エッチング、アッシン
グなどの処理を行う。

【００１０】次に、ロードロック室５１からの半導体基
板５８の搬出動作について説明する。

【００１１】まず、真空処理室（図示せず）内で処理し
た半導体基板５８を真空処理室からロードロック室５１
内に搬出する。

【００１２】次に、低圧（真空）になっているロードロ
ック室５１内に、スローパージ用ライン５６を用いて気
体をガス導入口５２から導入した後、室内圧が数万Ｐａ
になれば切り換えバルブ５４によって通常パージ用ライ
ン５５に切り換えて大量の気体を導入させ、室内圧が大
気圧以上になれば気体の導入を停止する。

【００１３】次に、ロードロック室５１に設けられた搬
出口（図示せず）を開け、ロードロック室５１内から半
導体基板５８を搬出する。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体製造装置では、ロードロック室５１の側面に
設けられたガス導入口５２から気体を導入した際に、導
入された気体が乱流になりやすく、ロードロック室５１
内に存在するパーティクルや半導体基板５８の裏面に付
着しているパーティクルを巻き上げ、半導体基板５８の
表面にパーティクルが付着するという問題がある。

【００１５】また、ロードロック室５１の側面に設けら
れた排気口５３から室内の残留気体（空気）を排気する
際には、排気される残留気体が乱流になりやすく、ロー
ドロック室５１内に存在するパーティクルや半導体基板
５８の裏面に付着しているパーティクルを巻き上げ、半
導体基板５８の表面にパーティクルが付着するという問
題がある。

【００１６】このように、巻き上げられたパーティクル
が半導体基板５８の表面上に再付着することによって、
製造される半導体装置の歩留まりが低下するという問題
がある。

【００１７】本発明は、ロードロック室へのガス導入時
および真空排気時の気流を層流化することによって、パ
ーティクルの巻き上げを抑制することができる半導体製
造装置を提供することを目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体製造
装置は、ロードロック室を有する半導体製造装置におい
て、ロードロック室が、上面に設けられたガス導入口
と、底面に設けられた複数の排気口とを備え、複数の排
気口が、ロードロック室に搬入された搬入物とオーバー
ラップしないように搬入物の外方位置に配置されてい
る。

【００１９】この構成により、ガス導入口から導入され
た気体の搬入物の裏面側への回り込みによるパーティク
ルの巻き上げを抑制することができる。

【００２０】上記半導体製造装置において、複数の排気
口として、少なくとも底面の各コーナー部にそれぞれ設
けられた４つの排気口を有している。この構成によっ
て、コーナー部における気流のよどみ及び気流の乱れを
なくし、ロードロック室に付着しているパーティクルの
巻き上げを抑制することができる。

【００２１】上記半導体製造装置において、ガス導入口
が、ロードロック室の上面の中央部に設けられている。
または、ガス導入口が、ロードロック室の上面に設けら
れたガス層流化フィルタを有するフィルタ室からなる。
または、ガス導入口が、複数の排気口と同数個設けられ
ており、ロードロック室の上面に、複数の排気口に対向
するようにそれぞれ設けられている。これらのいずれの
構成においても、ガス導入口から導入された気体の流れ
を複数の排気口に対して層流的にすることができ、パー
ティクルの巻き上がりを抑制することができる。

【００２２】上記半導体製造装置において、ロードロッ
ク室の側面に、巻き上がり防止板が設けられている。こ
の巻き上がり防止板によって、パーティクルの巻き上が
りが抑制される。

【００２３】

【発明の実施の形態】（第１の実施形態）図１は、本発
明の第１の実施形態に係る半導体製造装置の一例であ
り、図１（ａ）は上面から見た平面構成図、図１（ｂ）
は図１（ａ）のＡ−Ａ線箇所の断面構成図である。

【００２４】図１に示す半導体製造装置のロードロック
室１は、上面１ａの中央部にガス導入口２が設けられて
おり、ガス導入口２には、パージ用ライン３が接続され
ており、圧力調整機能を有する切り換えバルブ４を介し
て通常パージ用ライン５とスローパージ用ライン６とに
接続されている。また、底面１ｂの４つのコーナー部に
は、排気口７が設けられており、各コーナー部に設けら
れた排気口７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄは、搬入物である半
導体基板１１とオーバーラップしないように半導体基板
１１の外方位置に配置されている。そして、各排気口７
ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄには、排気用ライン８ａ、８ｂ、
８ｃ、８ｄがそれぞれ接続されており、圧力調整機能を
有する排気調整バルブ９を介して真空排気用ライン１０
に接続されている。真空排気用ライン１０は、真空排気
ポンプ（図示せず）に接続されている。

【００２５】以上のように構成された半導体製造装置の
ロードロック室への半導体基板の搬入および搬出の動作
について説明する。

【００２６】最初に、ロードロック室１への半導体基板
１１の搬入動作について説明する。

【００２７】まず、ロードロック室１が低圧（真空）に
なっている場合、ロードロック室１内に、スローパージ
用ライン６を用いて気体である例えば窒素ガスをガス導
入口２から導入した後、室内圧が数万Ｐａになれば切り
換えバルブ４によって通常パージ用ライン５に切り換え
て大量の窒素ガスを導入させ、室内圧が大気圧以上にな
れば窒素ガスの導入を停止する。このとき、スローパー
ジ用ライン６及び通常パージ用ライン５を用いて窒素ガ
スを導入する際に、所定の室内圧例えば大気圧になるま
で導入される窒素ガスの導入量よりも少ない排気量にな
るように排気調整バルブ９で調整しながら真空排気用ラ
イン１０から窒素ガス（気体）を排気する。

【００２８】次に、ロードロック室１に設けられた搬入
口（図示せず）を開け、ロードロック室１内に半導体基
板１１を搬入した後、搬入口を閉める。その後、真空排
気ポンプに接続された真空排気用ライン１０を用いて、
室内に残存する気体（空気）を排気口７ａ、７ｂ、７
ｃ、７ｄから均等に排気を行い、室内圧が所定の室内圧
になるまで真空排気を行う。このとき、室内圧が数万Ｐ
ａになるまで排気調整バルブ９で調整してスロー排気を
行う。なお、スロー排気する際に、所定の室内圧になる
まで排気量よりも少ない窒素ガスをスローパージ用ライ
ン６から導入しながら排気してもよい。

【００２９】次に、ロードロック室１から隣接する真空
処理室（図示せず）に半導体基板１１を搬入し、真空処
理室内にて例えばイオン注入、エッチング、アッシング
などの処理を行う。

【００３０】次に、ロードロック室からの半導体基板の
搬出動作について説明する。

【００３１】まず、真空処理室（図示せず）内で処理し
た半導体基板１１を真空処理室からロードロック室１内
に搬出する。

【００３２】次に、低圧（真空）になっているロードロ
ック室１内に、スローパージ用ライン６を用いて窒素ガ
スをガス導入口２から導入した後、室内圧が数万Ｐａに
なれば切り換えバルブ４によって通常パージ用ライン５
に切り換えて大量の窒素ガスを導入させ、室内圧が大気
圧以上になれば窒素ガスの導入を停止する。このとき、
スローパージ用ライン６及び通常パージ用ライン５を用
いて窒素ガスを導入する際に、所定の室内圧例えば大気
圧になるまで導入される窒素ガスの導入量よりも少ない
排気量になるように排気調整バルブ９で調整しながら真
空排気用ライン１０から窒素ガスを排気する。

【００３３】次に、ロードロック室１に設けられた搬出
口（図示せず）を開け、ロードロック室１内から半導体
基板１１を搬出する。

【００３４】この第１の実施形態の構成によれば、ロー
ドロック室１の底面１ｂのコーナー部に排気口７が設け
られており、各コーナー部に設けられた排気口７ａ、７
ｂ、７ｃ、７ｄは、搬入物である半導体基板１１とオー
バーラップしないように半導体基板１１の外方位置に配
置されている。このコーナー部に設けられた排気口７
ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄによって、コーナー部における気
流のよどみ及び気流の乱れをなくし、且つ、ガス導入口
２から導入された窒素ガスの半導体基板１１の裏面側へ
の回り込みを抑制することができる。従って、半導体基
板１１の裏面に付着しているパーティクルや半導体基板
１１の裏面下に位置するロードロック室の底面に付着し
ているパーティクルの巻き上げを抑制することができ
る。ロードロック室１内を大気圧に戻す場合、上面１ａ
の中央部に設けられたガス導入口２から窒素ガスを導入
すると同時に、排気口７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄから導入
される窒素ガスの導入量よりも少ない排気量で排気しな
がら徐々に圧力を高めていくことにより、パーティクル
の巻き上げが抑制され、かつ、巻き上がったパーティク
ルを即座に各排気口７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄから排出す
ることができる。また、ロードロック室１内を所定の室
内圧まで真空排気する場合も同様に、底面１ｂのコーナ
ー部に設けられた排気口７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄから気
体を排気すると同時に、上面１ａの中央部に設けられた
ガス導入口２から排気量よりも少ない窒素ガスを導入し
ながら徐々に圧力を低下させていくことにより、パーテ
ィクルの巻き上げが抑制され、かつ、巻き上がったパー
ティクルを即座に各排気口７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄから
排出することができる。

【００３５】（第２の実施形態）図２は、本発明の第２
の実施形態に係る半導体製造装置の一例であり、図２
（ａ）は上面から見た平面構成図、図２（ｂ）は図２
（ａ）のＢ−Ｂ線箇所の断面構成図である。

【００３６】図２に示す半導体製造装置のロードロック
室１は、上面１ａにガス層流化フィルタ１２ａを有する
フィルタ室１２が設けられており、フィルタ室１２に
は、パージ用ライン３が接続されており、圧力調整機能
を有する切り換えバルブ４を介して通常パージ用ライン
５とスローパージ用ライン６とに接続されている。この
ガス層流化フィルタ１２ａは、半導体基板１１よりも面
積を大きくして半導体基板１１が全てオーバーラップす
るように配置することが望ましい。

【００３７】また、底面１ｂのコーナー部には、排気口
７が設けられており、各コーナー部に設けられた排気口
７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄは、搬入物である半導体基板１
１とオーバーラップしないように半導体基板１１の外方
位置に配置されている。そして、各排気口７ａ、７ｂ、
７ｃ、７ｄには、排気用ライン８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ
がそれぞれ接続されており、圧力調整機能を有する排気
調整バルブ９を介して真空排気用ライン１０に接続され
ている。真空排気用ライン１０は、真空排気ポンプ（図
示せず）に接続されている。

【００３８】以上のように構成された半導体製造装置の
ロードロック室１への半導体基板１１の搬入および搬出
の動作は、第１の実施形態と同様な方法で行うことがで
きる。但し、窒素ガスなどの気体の導入は、ガス層流化
フィルタ１２ａを有するフィルタ室１２を介して導入す
る。

【００３９】この第２の実施形態の構成によれば、ロー
ドロック室１の底面１ｂのコーナー部に排気口７が設け
られており、各コーナー部に設けられた排気口７ａ、７
ｂ、７ｃ、７ｄは、搬入物である半導体基板１１とオー
バーラップしないように半導体基板１１の外方位置に配
置されている。これによって、第１の実施形態と同様な
効果が得られる。さらに、ロードロック室１の上面１ａ
には、窒素ガスなどの気体を層流化して導入することが
できるガス層流化フィルタ１２ａを有するフィルタ室１
２が設けられている。これによって、ロードロック室１
内に導入される気体の流れをさらに層流化することがで
きるので、さらに、パーティクルの巻き上げを抑制する
ことができる。

【００４０】（第３の実施形態）図３は、本発明の第３
の実施形態に係る半導体製造装置の一例であり、図３
（ａ）は上面から見た平面構成図、図３（ｂ）は図３
（ａ）のＣ−Ｃ線箇所の断面構成図である。

【００４１】図３に示す半導体製造装置のロードロック
室１は、上面１ａのコーナー部にガス導入口２が設けら
れており、各コーナー部に設けられたガス導入口２ａ、
２ｂ、２ｃ、２ｄは、搬入物である半導体基板１１とオ
ーバーラップしないように半導体基板１１の外方位置に
配置されている。そして、各ガス導入口２ａ、２ｂ、２
ｃ、２ｄには、それぞれにパージ用ライン３が接続され
ており、圧力調整機能を有する切り換えバルブ４を介し
て通常パージ用ライン５とスローパージ用ライン６とに
接続されている。

【００４２】また、底面１ｂのコーナー部には、排気口
７が設けられており、各コーナー部に設けられた排気口
７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄは、搬入物である半導体基板１
１とオーバーラップしないように半導体基板１１の外方
位置に配置されている。そして、各排気口７ａ、７ｂ、
７ｃ、７ｄには、排気用ライン８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ
（８ｃ及び８ｄは図示せず）がそれぞれ接続されてお
り、圧力調整機能を有する排気調整バルブ９を介して真
空排気用ライン１０に接続されている。真空排気用ライ
ン１０は、真空排気ポンプ（図示せず）に接続されてい
る。

【００４３】この第３の実施形態では、排気口７ａ、７
ｂ、７ｃ、７ｄとガス導入口２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄと
がそれぞれ対向するように設けることが望ましい。

【００４４】以上のように構成された半導体製造装置の
ロードロック室１への半導体基板１１の搬入および搬出
の動作は、第１の実施形態と同様な方法で行うことがで
きる。但し、窒素ガスの導入は、上面１ａの各コーナー
部に設けられたガス導入口２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄから
均等に導入する。

【００４５】この第３の実施形態の構成によれば、ロー
ドロック室１の底面１ｂのコーナー部に排気口７が設け
られており、各コーナー部に設けられた排気口７ａ、７
ｂ、７ｃ、７ｄは、搬入物である半導体基板１１とオー
バーラップしないように半導体基板１１の外方位置に配
置されている。これによって、第１の実施形態と同様な
効果が得られる。さらに、上面１ａのコーナー部にガス
導入口２が設けられており、各コーナー部に設けられた
ガス導入口２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄは、搬入物である半
導体基板１１とオーバーラップしないように半導体基板
１１の外方位置に配置されている。しかも、排気口７
ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄとガス導入口２ａ、２ｂ、２ｃ、
２ｄとが対向して設けられている。これによって、ロー
ドロック室１内に導入される気体の流れをさらに層流化
することができるので、パーティクルの巻き上げを抑制
することができる。また、ガス導入口２ａ、２ｂ、２
ｃ、２ｄに対して、排気口７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄの口
径を大きくしておけば、さらにパーティクルの巻き上げ
を抑制することができる。

【００４６】（第４の実施形態）図４は、本発明の第４
の実施形態に係る半導体製造装置の一例であり、図４
（ａ）は上面から見た平面構成図、図４（ｂ）は図４
（ａ）のＤ−Ｄ線箇所の断面構成図である。

【００４７】図４に示す半導体製造装置のロードロック
室１は、上面１ａの中央部にガス導入口２が設けられて
おり、ガス導入口２には、パージ用ライン３が接続され
ており、圧力調整機能を有する切り換えバルブ４を介し
て通常パージ用ライン５とスローパージ用ライン６とに
接続されている。

【００４８】また、底面１ｂのコーナー部には、排気口
７が設けられており、各コーナー部に設けられた排気口
７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄは、搬入物である半導体基板１
１とオーバーラップしないように半導体基板１１の外方
位置に配置されている。そして、各排気口７ａ、７ｂ、
７ｃ、７ｄには、排気用ライン８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ
がそれぞれ接続されており、圧力調整機能を有する排気
調整バルブ９を介して真空排気用ライン１０に接続され
ている。真空排気用ライン１０は、真空排気ポンプ（図
示せず）に接続されている。

【００４９】また、側面１ｃ及び１ｄには、複数の巻き
上がり防止板１３ａ、１３ｂ、１３ｃがそれぞれ設けら
れている。これらの巻き上がり防止板１３は、先端が下
向きになるように側面１ｃ及び１ｄに取り付けられてお
り、側面１ｃ及び１ｄと各巻き上がり防止板１３との間
の角度１４が鋭角に成っている。また、側面１ｃ及び１
ｄにそれぞれ取り付けられた複数の巻き上がり防止板１
３のうち、少なくとも一番下段の巻き上がり防止板１３
ａは、先端部が半導体基板１１の表面よりも低い位置に
（底面側）なるように設けることが望ましい。

【００５０】この第４の実施形態の構成によれば、ロー
ドロック室１の底面１ｂのコーナー部に排気口７が設け
られており、各コーナー部に設けられた排気口７ａ、７
ｂ、７ｃ、７ｄは、搬入物である半導体基板１１とオー
バーラップしないように半導体基板１１の外方位置に配
置されている。これによって、第１の実施形態と同様な
効果が得られる。さらに、ロードロック室１の側面１ｃ
及び１ｄには、複数の巻き上がり防止板１３が設けられ
ているため、さらに、パーティクルの巻き上げを抑制す
ることができ、半導体基板１１の表面へのパーティクル
の再付着を防止することができる。

【００５１】上記第２及び第３の実施形態に示す構成に
は、巻き上がり防止板は設けていないが、第４の実施形
態に示すような巻き上がり防止板を適用すれば、同様な
効果を得ることができる。

【００５２】また、上記第１〜第４の実施形態では、ロ
ードロック室の底面１ｂの各コーナー部にそれぞれ排気
口７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄを設けたが、そのほかに半導
体基板１１の外方位置に均等に排気口を設けてよい。

【００５３】また、上記第１〜第４の実施形態では、ロ
ードロック室への搬入物として半導体基板の単体を用い
て説明したが、複数枚の半導体基板をセットしたウェハ
カセットでもよい。このときには、ウェハカセットの外
方位置に排気口を設ければよい。

【００５４】

【発明の効果】本発明によれば、ロードロック室の上面
にガス導入口を設け、底面に半導体基板とオーバーラッ
プしないように設けられた複数の排気口から排気を行う
構成によって、底面周辺部における気流のよどみ及び気
流の乱れをなくし、且つ、ガス導入口から導入された気
体の半導体基板の裏面側への回り込みを抑制することが
できる。これによって、半導体基板の裏面に付着してい
るパーティクルや半導体基板の裏面下に位置するロード
ロック室の底面に付着しているパーティクルの巻き上げ
を抑制することができる。従って、半導体基板の表面へ
のパーティクルの再付着を低減することができるので、
半導体装置の歩留まり向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体製造装置
の一例であり、（ａ）は上面から見た平面構成図（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線箇所の断面構成図

【図２】本発明の第２の実施形態に係る半導体製造装置
の一例であり、（ａ）は上面から見た平面構成図（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線箇所の断面構成図

【図３】本発明の第３の実施形態に係る半導体製造装置
の一例であり、（ａ）は上面から見た平面構成図（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線箇所の断面構成図

【図４】本発明の第４の実施形態に係る半導体製造装置
の一例であり、（ａ）は上面から見た平面構成図（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ線箇所の断面構成図

【図５】従来の半導体製造装置の断面構成図

【符号の説明】

１ロードロック室２ガス導入口３パージ用ライン４切り換えバルブ５通常パージ用ライン６スローパージ用ライン７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ排気口８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ排気用ライン９排気調整バルブ１０真空排気用ライン１１半導体基板１２フィルタ室１２ａガス層流化フィルタ１３巻き上がり防止板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｃ２３Ｃ 14/00 Ｂ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７２Ａ // Ｃ２３Ｃ 14/00 21/302 ＢＦターム(参考） 4K029 CA10 DA09 KA01 5F004 AA16 BB18 BC05 BD01 BD06 5F031 CA02 FA01 MA11 NA04 NA07 NA16 5F045 BB15 DP03 EB08 EB12 EB17 EF20 EN04 5F046 MA11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ロードロック室を有する半導体製造装置
において、前記ロードロック室が、上面に設けられたガス導入口
と、底面に設けられた複数の排気口とを備え、前記複数の排気口が、前記ロードロック室に搬入された
搬入物とオーバーラップしないように前記搬入物の外方
位置に配置されていることを特徴とする半導体製造装
置。
【請求項２】請求項１記載の半導体製造装置におい
て、前記複数の排気口として、少なくとも前記底面の各コー
ナー部にそれぞれ設けられた４つの排気口を有している
ことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項３】請求項２記載の半導体製造装置におい
て、前記搬入物が、半導体基板であることを特徴とする半導
体製造装置。
【請求項４】請求項１〜３のうちいずれか１つに記載
の半導体製造装置において、前記ガス導入口が、前記ロードロック室の上面の中央部
に設けられていることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項５】請求項１〜３のうちいずれか１つに記載
の半導体製造装置において、前記ガス導入口が、前記ロードロック室の上面に設けら
れたガス層流化フィルタを有するフィルタ室からなるこ
とを特徴とする半導体製造装置。
【請求項６】請求項１〜３のうちいずれか１つに記載
の半導体製造装置において、前記ガス導入口が、前記複数の排気口と同数個設けられ
ており、前記ロードロック室の上面に、前記複数の排気
口に対向するようにそれぞれ設けられていることを特徴
とする半導体製造装置。
【請求項７】請求項４〜６のうちいずれか１つに記載
の半導体製造装置において、前記ロードロック室の側面に、巻き上がり防止板が設け
られていることを特徴とする半導体製造装置。