JP3332425B2 - 基板保持装置、並びにこれを用いた露光装置と半導体デバイス製造方法 - Google Patents
基板保持装置、並びにこれを用いた露光装置と半導体デバイス製造方法Info
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- JP3332425B2 JP3332425B2 JP29997792A JP29997792A JP3332425B2 JP 3332425 B2 JP3332425 B2 JP 3332425B2 JP 29997792 A JP29997792 A JP 29997792A JP 29997792 A JP29997792 A JP 29997792A JP 3332425 B2 JP3332425 B2 JP 3332425B2
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- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造などに用いら
れる、吸引による基板の保持や受渡しなどの技術に関す
る。
れる、吸引による基板の保持や受渡しなどの技術に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】真空吸着方式によって半導体ウエハ基板
を吸着保持する従来の装置の一例を図６に示す。この基
板保持装置は、ウエハ１４１を吸着保持するための搬送
チャック１３１が、Ｘ方向（図中、左右方向）に移動す
るＸステージ１３３とＺ方向（紙面に対して垂直な方
向）に移動するＺステージ１３４とを有する搬送機構に
取り付けられており、搬送チャック１３１と露光時にウ
エハ１４１を吸着保持するウエハチャック１３２との間
でウエハ１４１の受渡しを行なう構成となっている。以
上の部材は減圧雰囲気のチャンバ１４２内に収容されて
いる。
を吸着保持する従来の装置の一例を図６に示す。この基
板保持装置は、ウエハ１４１を吸着保持するための搬送
チャック１３１が、Ｘ方向（図中、左右方向）に移動す
るＸステージ１３３とＺ方向（紙面に対して垂直な方
向）に移動するＺステージ１３４とを有する搬送機構に
取り付けられており、搬送チャック１３１と露光時にウ
エハ１４１を吸着保持するウエハチャック１３２との間
でウエハ１４１の受渡しを行なう構成となっている。以
上の部材は減圧雰囲気のチャンバ１４２内に収容されて
いる。
【０００３】搬送チャック１３１は、途中に第１バルブ
１３７を有する接続ライン１３５によってディストリビ
ュータ１３９に接続されている。又、ウエハチャック１
３２は、途中に第２バルブ１３８を有する接続ライン１
３６によってディストリビュータ１３９に接続されてい
る。そしてディストリビュータ１３９はポンプ１４０に
連結されている。
１３７を有する接続ライン１３５によってディストリビ
ュータ１３９に接続されている。又、ウエハチャック１
３２は、途中に第２バルブ１３８を有する接続ライン１
３６によってディストリビュータ１３９に接続されてい
る。そしてディストリビュータ１３９はポンプ１４０に
連結されている。
【０００４】搬送チャック１３１及びウエハチャック１
３２は、共にポンプ１４０による吸引動作によってウエ
ハ１４１を着脱する。各バルブ１３７、１３８は共に三
方弁であり、それぞれ搬送チャック１３１とポンプ１４
０、ウエハチャック１３２とポンプ１４０を連通させる
第１状態と、搬送チャック１３１とチャンバ１４２内の
雰囲気、ウエハチャック１３２とチャンバ雰囲気を連通
させる第２状態とに切換が可能である。
３２は、共にポンプ１４０による吸引動作によってウエ
ハ１４１を着脱する。各バルブ１３７、１３８は共に三
方弁であり、それぞれ搬送チャック１３１とポンプ１４
０、ウエハチャック１３２とポンプ１４０を連通させる
第１状態と、搬送チャック１３１とチャンバ１４２内の
雰囲気、ウエハチャック１３２とチャンバ雰囲気を連通
させる第２状態とに切換が可能である。
【０００５】ここで、搬送チャック１３１からウエハチ
ャック１３２へウエハ１４１を受渡す場合について説明
する。まず、搬送チャック１３１によってウエハ１４１
を吸着するため、第１のバルブ１３７を第１状態すなわ
ち搬送チャック１３１がポンプ１４０と連通する状態に
してポンプ１４０を作動させ、前記搬送チャック１３１
によってウエハ１４１を吸着保持する。このとき、第２
のバルブ１３８は第２状態とし、ウエハチャック１３２
はチャンバ雰囲気に連通した状態となっており、第２の
真空ライン１３６内の圧力はチャンバ雰囲気圧力となっ
ている。
ャック１３２へウエハ１４１を受渡す場合について説明
する。まず、搬送チャック１３１によってウエハ１４１
を吸着するため、第１のバルブ１３７を第１状態すなわ
ち搬送チャック１３１がポンプ１４０と連通する状態に
してポンプ１４０を作動させ、前記搬送チャック１３１
によってウエハ１４１を吸着保持する。このとき、第２
のバルブ１３８は第２状態とし、ウエハチャック１３２
はチャンバ雰囲気に連通した状態となっており、第２の
真空ライン１３６内の圧力はチャンバ雰囲気圧力となっ
ている。
【０００６】次に、Ｘステージ１３３を駆動して、搬送
チャック１３１で吸着保持しているウエハ１４１をウエ
ハチャック１３２のチャック面上まで移動させる。次い
でＺステージ１３４を駆動して、前記ウエハ１４１がウ
エハチャック１３２のチャック面に接する位置まで搬送
チャック１３１を移動させる。そして、ウエハ１４１が
ウエハチャック１３２の吸着面に接したら、第２のバル
ブ１３８を第１状態に切り替え、ウエハ１４１はウエハ
チャック１３２によって吸着し、ウエハ１４１を搬送チ
ャック１３１とウエハチャック１３２の両方で吸着す
る。次いで第１バルブ１３７を第２状態に切り替えて搬
送チャック１３１をチャンバ雰囲気と連通させると、搬
送チャック１３１の吸着力が無くなって、ウエハ１４１
はウエハチャック１３２のみで吸着された状態になる。
この後、前記Ｚステージ１３４及びＸステージ１３３を
順に駆動して搬送チャック１３１を元の位置まで戻すこ
とで、ウエハ１４１のウエハチャック１３２への受渡し
が完了する。
チャック１３１で吸着保持しているウエハ１４１をウエ
ハチャック１３２のチャック面上まで移動させる。次い
でＺステージ１３４を駆動して、前記ウエハ１４１がウ
エハチャック１３２のチャック面に接する位置まで搬送
チャック１３１を移動させる。そして、ウエハ１４１が
ウエハチャック１３２の吸着面に接したら、第２のバル
ブ１３８を第１状態に切り替え、ウエハ１４１はウエハ
チャック１３２によって吸着し、ウエハ１４１を搬送チ
ャック１３１とウエハチャック１３２の両方で吸着す
る。次いで第１バルブ１３７を第２状態に切り替えて搬
送チャック１３１をチャンバ雰囲気と連通させると、搬
送チャック１３１の吸着力が無くなって、ウエハ１４１
はウエハチャック１３２のみで吸着された状態になる。
この後、前記Ｚステージ１３４及びＸステージ１３３を
順に駆動して搬送チャック１３１を元の位置まで戻すこ
とで、ウエハ１４１のウエハチャック１３２への受渡し
が完了する。
【０００７】このウエハチャック１３２でウエハを保持
した状態で、不図示の露光装置によってウエハ上に回路
パターンを露光転写する。これが完了したら、再びＸス
テージ１３３及びＺステージ１３４を駆動して搬送チャ
ック１３１をウエハチャック１３２の位置まで移動させ
てウエハの受渡しを行なう。この受渡しは、上述した搬
送チャック１３１からウエハチャック１３２への受渡し
の場合と逆の動作によってなされる。
した状態で、不図示の露光装置によってウエハ上に回路
パターンを露光転写する。これが完了したら、再びＸス
テージ１３３及びＺステージ１３４を駆動して搬送チャ
ック１３１をウエハチャック１３２の位置まで移動させ
てウエハの受渡しを行なう。この受渡しは、上述した搬
送チャック１３１からウエハチャック１３２への受渡し
の場合と逆の動作によってなされる。
【０００８】
【発明が解決しようする課題】しかしながら、上述した
従来例には下記のような解決すべき課題がある。
従来例には下記のような解決すべき課題がある。
【０００９】
【００１０】
【００１１】
【００１２】（１）基板の搬送において、スピーディな
搬送を行なおうとすると、搬送速度や該搬送速度に達す
るまでの加速度が大きくなってしまうため、搬送チャッ
クの吸引圧力と雰囲気圧力との差圧を大きくして基板が
落下することのないようにする必要がある。
搬送を行なおうとすると、搬送速度や該搬送速度に達す
るまでの加速度が大きくなってしまうため、搬送チャッ
クの吸引圧力と雰囲気圧力との差圧を大きくして基板が
落下することのないようにする必要がある。
【００１３】
【００１４】本発明は、上記従来の技術が有する課題を
解決するためになされたもので、基板の保持や受渡しの
際の信頼性とスループットの両方を高いレベルで両立さ
せることを目的とするものである。
解決するためになされたもので、基板の保持や受渡しの
際の信頼性とスループットの両方を高いレベルで両立さ
せることを目的とするものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の特徴は、吸引源と、吸引によって基板を保持する保
持部と、前記吸引源と前記保持部とを接続する接続ライ
ンとを有する基板保持装置において、前記接続ラインに
前記吸引源とは反対側にバルブを有するようにアキュム
レータを設けたことにある。上記課題を解決する本発明
のある形態は、吸引源と、吸引によって基板を保持する
保持部と、前記吸引源と前記保持部とを接続し、途中に
コンダクタンスを調整する機構が含まれる接続ライン
と、該接続ラインの途中であって前記吸引源とは反対側
にバルブを有するように設けられたアキュムレータとを
有することを特徴とする基板保持装置やこれを有する露
光装置である。
明の特徴は、吸引源と、吸引によって基板を保持する保
持部と、前記吸引源と前記保持部とを接続する接続ライ
ンとを有する基板保持装置において、前記接続ラインに
前記吸引源とは反対側にバルブを有するようにアキュム
レータを設けたことにある。上記課題を解決する本発明
のある形態は、吸引源と、吸引によって基板を保持する
保持部と、前記吸引源と前記保持部とを接続し、途中に
コンダクタンスを調整する機構が含まれる接続ライン
と、該接続ラインの途中であって前記吸引源とは反対側
にバルブを有するように設けられたアキュムレータとを
有することを特徴とする基板保持装置やこれを有する露
光装置である。
【００１６】又、本発明の別の形態は、吸引源と、吸引
によって基板を保持する第１、第２の保持部と、該吸引
源と該第１、第２の保持部のそれぞれとを接続し、途中
にコンダクタンスを調整する機構が含まれる第１、第２
の接続ラインと、該第１、第２の接続ラインの途中であ
って前記吸引源とは反対側にバルブを有するようにそれ
ぞれ設けられたアキュムレータとを有することを特徴と
する基板保持装置やこれを有する露光装置である。
によって基板を保持する第１、第２の保持部と、該吸引
源と該第１、第２の保持部のそれぞれとを接続し、途中
にコンダクタンスを調整する機構が含まれる第１、第２
の接続ラインと、該第１、第２の接続ラインの途中であ
って前記吸引源とは反対側にバルブを有するようにそれ
ぞれ設けられたアキュムレータとを有することを特徴と
する基板保持装置やこれを有する露光装置である。
【００１７】
【実施例】図１は本発明の実施例を説明するための前提
となる例としての半導体製造システムのシステム構成図
を示す。主な部材は所定の減圧雰囲気に保たれた減圧チ
ャンバ１６内に収容されている。減圧チャンバ１６に供
給される気体は例えばＨｅとする。１は搬送チャック、
２はウエハチャックであり、共に吸引によって半導体基
板であるウエハを保持することができる。３は搬送チャ
ック１をＸ方向（図中、左右方向）へ移動させるＸステ
ージ、４は搬送チャック１をＺ方向（紙面に対して垂直
な方向）に移動させるＺステージである。これらステー
ジを含む基板搬送機構によって、ウエハ２０の収納用の
不図示のウエハカセットあるはウエハチャック２との間
で、ウエハ２０の受渡しを行なう。又、ウエハチャック
２はウエハ２０を吸着保持した状態で、ウエハ受渡位置
と露光装置１４が設置された露光位置との間を搬送機構
１３によって移動することができる。露光装置１４の露
光方式としては、紫外光やＸ線等の放射エネルギを用い
てマスクパターンをウエハに投影して露光転写する方式
や、電子ビームによってウエハ上に回路パターンを直接
描画して露光する方式などがある。
となる例としての半導体製造システムのシステム構成図
を示す。主な部材は所定の減圧雰囲気に保たれた減圧チ
ャンバ１６内に収容されている。減圧チャンバ１６に供
給される気体は例えばＨｅとする。１は搬送チャック、
２はウエハチャックであり、共に吸引によって半導体基
板であるウエハを保持することができる。３は搬送チャ
ック１をＸ方向（図中、左右方向）へ移動させるＸステ
ージ、４は搬送チャック１をＺ方向（紙面に対して垂直
な方向）に移動させるＺステージである。これらステー
ジを含む基板搬送機構によって、ウエハ２０の収納用の
不図示のウエハカセットあるはウエハチャック２との間
で、ウエハ２０の受渡しを行なう。又、ウエハチャック
２はウエハ２０を吸着保持した状態で、ウエハ受渡位置
と露光装置１４が設置された露光位置との間を搬送機構
１３によって移動することができる。露光装置１４の露
光方式としては、紫外光やＸ線等の放射エネルギを用い
てマスクパターンをウエハに投影して露光転写する方式
や、電子ビームによってウエハ上に回路パターンを直接
描画して露光する方式などがある。
【００１８】搬送チャック１及びウエハチャック２は、
真空吸引源であるポンプ１０の吸引ラインをディストリ
ビュータ９によって分配した２つの真空ライン５、６を
介してそれぞれ接続されている。なお、ポンプ１０及び
ディストリビュータ９は減圧チャンバ１６の外部に設置
されている。
真空吸引源であるポンプ１０の吸引ラインをディストリ
ビュータ９によって分配した２つの真空ライン５、６を
介してそれぞれ接続されている。なお、ポンプ１０及び
ディストリビュータ９は減圧チャンバ１６の外部に設置
されている。
【００１９】第１の真空ライン５には、三方弁である第
１バルブ７、並列に分岐された２つのラインにそれぞれ
接続された第３バルブ７１と第４バルブ７２、そして搬
送チャック１の吸着面圧力を検出するための第１バキュ
ームセンサ１１が順に設けられている。バルブ７１、７
２は単純な機構のオンオフバルブである。又、第２の真
空ライン６には、三方弁である第２バブル８、並列に分
岐された３つのラインにそれぞれ接続された第５バルブ
８１、第６バルブ８２、第７バルブ８３、そしてウエハ
チャック２の吸着面圧力を検出するための第２バキュー
ムセンサ１２が順に設けられている。バルブ８１、８
２、８３もオンオフバルブである。
１バルブ７、並列に分岐された２つのラインにそれぞれ
接続された第３バルブ７１と第４バルブ７２、そして搬
送チャック１の吸着面圧力を検出するための第１バキュ
ームセンサ１１が順に設けられている。バルブ７１、７
２は単純な機構のオンオフバルブである。又、第２の真
空ライン６には、三方弁である第２バブル８、並列に分
岐された３つのラインにそれぞれ接続された第５バルブ
８１、第６バルブ８２、第７バルブ８３、そしてウエハ
チャック２の吸着面圧力を検出するための第２バキュー
ムセンサ１２が順に設けられている。バルブ８１、８
２、８３もオンオフバルブである。
【００２０】なお、第３バルブ７１、第４バルブ７２が
設けられる２つの並列ラインはそれぞれコンダクタンス
が異なる。又、第５バルブ８１、第６バルブ８２、第７
バルブ８３が設けられる３つの並列ラインもそれぞれコ
ンダクタンスが異なる。よってこれらのバルブの開閉制
御によっていずれかのラインを選択することで、真空ラ
イン全体のコンダクタンスを変えることができる。
設けられる２つの並列ラインはそれぞれコンダクタンス
が異なる。又、第５バルブ８１、第６バルブ８２、第７
バルブ８３が設けられる３つの並列ラインもそれぞれコ
ンダクタンスが異なる。よってこれらのバルブの開閉制
御によっていずれかのラインを選択することで、真空ラ
イン全体のコンダクタンスを変えることができる。
【００２１】１７はシステム全体の制御を行なうメイン
コントローラ、１８は各バルブの開閉の制御を行なうバ
ルブコントローラ、１９は減圧チャンバ１６内の圧力を
検出し一定の減圧雰囲気を保つためのバキュームセンサ
である。
コントローラ、１８は各バルブの開閉の制御を行なうバ
ルブコントローラ、１９は減圧チャンバ１６内の圧力を
検出し一定の減圧雰囲気を保つためのバキュームセンサ
である。
【００２２】次に上記構成のシステムの機能について説
明する。ここで三方弁である第１バルブ７又は第２バル
ブ８の制御によって、搬送チャック１又はウエハチャッ
ク２をポンプ１０へ連通させた状態を第１状態、又、搬
送チャック１又はウエハチャック２を減圧チャンバ１６
のチャンバ内雰囲気に解放した状態を第２状態と定義す
る。
明する。ここで三方弁である第１バルブ７又は第２バル
ブ８の制御によって、搬送チャック１又はウエハチャッ
ク２をポンプ１０へ連通させた状態を第１状態、又、搬
送チャック１又はウエハチャック２を減圧チャンバ１６
のチャンバ内雰囲気に解放した状態を第２状態と定義す
る。
【００２３】並列に設けた第３バルブ７１と第４バルブ
７２の少なくとも一方のバブルを開けた状態で、第１バ
ルブ７をポンプ１０の吸引動作中に第１状態にすること
で、搬送チャック１にチャンバ内雰囲気圧力との差圧が
生じ、ウエハ２０を吸着可能な状態となる。又、第１バ
ルブ７を第２状態にすると、搬送チャック１の吸着面が
チャンバ内雰囲気圧力と同一になるため、ウエハ２０を
吸着しない状態となる。同様に、並列に設けた第５バル
ブ８１、第６バルブ８２、第７バルブ８３の少なくとも
１つのバブルを開けた状態で、第２バルブ８をポンプ１
０の吸引動作中に第１状態にすることで、ウエハチャッ
ク２にチャンバ内雰囲気圧力との差圧が生じ、ウエハ２
０を吸着可能な状態となる。又、第２バルブ８を第２状
態にすると、ウエハチャック２のウエハ吸着面がチャン
バ内雰囲気圧力と同一になるため、ウエハ２０を吸着し
ない状態となる。
７２の少なくとも一方のバブルを開けた状態で、第１バ
ルブ７をポンプ１０の吸引動作中に第１状態にすること
で、搬送チャック１にチャンバ内雰囲気圧力との差圧が
生じ、ウエハ２０を吸着可能な状態となる。又、第１バ
ルブ７を第２状態にすると、搬送チャック１の吸着面が
チャンバ内雰囲気圧力と同一になるため、ウエハ２０を
吸着しない状態となる。同様に、並列に設けた第５バル
ブ８１、第６バルブ８２、第７バルブ８３の少なくとも
１つのバブルを開けた状態で、第２バルブ８をポンプ１
０の吸引動作中に第１状態にすることで、ウエハチャッ
ク２にチャンバ内雰囲気圧力との差圧が生じ、ウエハ２
０を吸着可能な状態となる。又、第２バルブ８を第２状
態にすると、ウエハチャック２のウエハ吸着面がチャン
バ内雰囲気圧力と同一になるため、ウエハ２０を吸着し
ない状態となる。
【００２４】本例では、搬送チャック１の吸引圧力のコ
ントロールは、減圧チャンバ１６の雰囲気での、ウエハ
カセットに対するウエハ２０の受渡し及び搬送、ウエハ
チャック２に対するウエハ２０の搬送及び受渡しの各動
作を対象とする。又、ウエハチャック２については、減
圧雰囲気中でのウエハ２０の受渡し、及び露光位置への
搬送と露光位置での露光の各工程を対象とする。
ントロールは、減圧チャンバ１６の雰囲気での、ウエハ
カセットに対するウエハ２０の受渡し及び搬送、ウエハ
チャック２に対するウエハ２０の搬送及び受渡しの各動
作を対象とする。又、ウエハチャック２については、減
圧雰囲気中でのウエハ２０の受渡し、及び露光位置への
搬送と露光位置での露光の各工程を対象とする。
【００２５】上述の各動作毎での吸引圧力は、その最適
値が設定値として定められている。各動作毎の最適吸引
圧力の一例を以下に示す。
値が設定値として定められている。各動作毎の最適吸引
圧力の一例を以下に示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】表１において、搬送チャック１についての
搬送及び受渡しの各動作での最適吸引圧力（Ｐ1 ，Ｐ
2 ）は、それぞれ雰囲気圧力に対する差圧によって定め
たものである。又、ウエハチャック２については、ウエ
ハ２０の搬送及び受渡し動作の最適吸引圧力（Ｐ1W，Ｐ
2W）は雰囲気圧力との差圧によって定め、露光動作の最
適吸引圧力（Ｐ3W）は絶対圧で定めたものである。
搬送及び受渡しの各動作での最適吸引圧力（Ｐ1 ，Ｐ
2 ）は、それぞれ雰囲気圧力に対する差圧によって定め
たものである。又、ウエハチャック２については、ウエ
ハ２０の搬送及び受渡し動作の最適吸引圧力（Ｐ1W，Ｐ
2W）は雰囲気圧力との差圧によって定め、露光動作の最
適吸引圧力（Ｐ3W）は絶対圧で定めたものである。
【００２８】Ｎｏ．１で示す最適吸引圧力Ｐ1 ，Ｐ1Wや
Ｎｏ．２で示す最適吸引圧力Ｐ2 ，Ｐ2Wは、雰囲気圧力
Ｐa との差圧で定めたものであり、最大吸着力に対応す
る最大差圧とウエハを吸着可能な限界吸着力に対応する
保持限界差圧との間に存在する値である。吸引圧力を最
大吸着力に相当する圧力に設定した場合、基板保持の信
頼性は向上するが、ウエハ吸着面の吸引圧力が最大吸着
力に相当する圧力に達するまでには長時間を要し、基板
受渡し動作のスループットを低下させてしまう。逆に、
吸引圧力を保持限界差圧に設定した場合、スループット
は向上するものの基板保持の信頼性が低下してしまう。
よって、これら最適吸引圧力Ｐ1 ，Ｐ1W，Ｐ2 ，Ｐ
2Wは、搬送チャック１とウエハチャック２とで異なる、
ウエハ吸着面の面積や表面粗さなどを考慮してそれぞれ
前記信頼性及びスループットの両方を十分満足する値と
している。
Ｎｏ．２で示す最適吸引圧力Ｐ2 ，Ｐ2Wは、雰囲気圧力
Ｐa との差圧で定めたものであり、最大吸着力に対応す
る最大差圧とウエハを吸着可能な限界吸着力に対応する
保持限界差圧との間に存在する値である。吸引圧力を最
大吸着力に相当する圧力に設定した場合、基板保持の信
頼性は向上するが、ウエハ吸着面の吸引圧力が最大吸着
力に相当する圧力に達するまでには長時間を要し、基板
受渡し動作のスループットを低下させてしまう。逆に、
吸引圧力を保持限界差圧に設定した場合、スループット
は向上するものの基板保持の信頼性が低下してしまう。
よって、これら最適吸引圧力Ｐ1 ，Ｐ1W，Ｐ2 ，Ｐ
2Wは、搬送チャック１とウエハチャック２とで異なる、
ウエハ吸着面の面積や表面粗さなどを考慮してそれぞれ
前記信頼性及びスループットの両方を十分満足する値と
している。
【００２９】又、Ｎｏ．３に示す露光工程におけるウエ
ハチャック２の最適吸引圧力Ｐ3Wは絶対圧で定めたもの
である。露光時のウエハの吸引力としては、ウエハ吸着
面におけるウエハ２０の平面矯正力を考えると雰囲気圧
力との差圧が大きい方が良いが、吸着面の接触熱抵抗の
軽減を図るためには差圧は小さい方が良い。本例では、
前記平面矯正力及び接触熱抵抗の両方のバランスを考慮
して最適吸引圧力Ｐ3Wを雰囲気圧力Ｐa に対して絶対圧
７０〜８０Torrとしている。
ハチャック２の最適吸引圧力Ｐ3Wは絶対圧で定めたもの
である。露光時のウエハの吸引力としては、ウエハ吸着
面におけるウエハ２０の平面矯正力を考えると雰囲気圧
力との差圧が大きい方が良いが、吸着面の接触熱抵抗の
軽減を図るためには差圧は小さい方が良い。本例では、
前記平面矯正力及び接触熱抵抗の両方のバランスを考慮
して最適吸引圧力Ｐ3Wを雰囲気圧力Ｐa に対して絶対圧
７０〜８０Torrとしている。
【００３０】搬送チャック１の各動作毎に必要な最適吸
引圧力の設定は、メインコントローラ１７によって第１
バキュームセンサ１１の圧力信号をモニタし、バルブ７
１と７２の開閉をバルブコントローラ１８に指令して、
コンダクタンスが異なる２つのラインのいずれかを選択
することで実現する。同様に、ウエハチャック２の各工
程毎に必要な最適吸引圧力の設定は、メインコントロー
ラ１７によって第２バキュームセンサ１２の圧力信号を
モニタし、バルブ８１、８２、８３の開閉をバルブコン
トローラ１８に指令して、コンダクタンスの異なる３つ
のラインのいずれかを選択することによって実現する。
引圧力の設定は、メインコントローラ１７によって第１
バキュームセンサ１１の圧力信号をモニタし、バルブ７
１と７２の開閉をバルブコントローラ１８に指令して、
コンダクタンスが異なる２つのラインのいずれかを選択
することで実現する。同様に、ウエハチャック２の各工
程毎に必要な最適吸引圧力の設定は、メインコントロー
ラ１７によって第２バキュームセンサ１２の圧力信号を
モニタし、バルブ８１、８２、８３の開閉をバルブコン
トローラ１８に指令して、コンダクタンスの異なる３つ
のラインのいずれかを選択することによって実現する。
【００３１】次に本例のシステムの動作の詳細を説明す
る。図２は各動作における吸引圧力の変化を示したもの
である。同図において、減圧雰囲気圧力Ｐa （例えば数
百Torr）においてウエハ２０を吸着するため必要な限界
差圧をｄＰＬとすると、吸引圧力がこの限界差圧に対応
する圧力ＰdPL 以下のとき、ウエハ２０を吸着保持する
ことができる。
る。図２は各動作における吸引圧力の変化を示したもの
である。同図において、減圧雰囲気圧力Ｐa （例えば数
百Torr）においてウエハ２０を吸着するため必要な限界
差圧をｄＰＬとすると、吸引圧力がこの限界差圧に対応
する圧力ＰdPL 以下のとき、ウエハ２０を吸着保持する
ことができる。
【００３２】初期状態では、バルブ７、８は共に第２状
態すなわち雰囲気圧力に開放、第４バルブ７２、第５バ
ルブ８１、第７バルブ８３は閉の状態、そして第３バル
ブ７１、第６バルブ８２は開の状態とする。この状態で
は、搬送チャック１及びウエハチャック２の吸着面は共
に雰囲気圧力Ｐa と同一である。
態すなわち雰囲気圧力に開放、第４バルブ７２、第５バ
ルブ８１、第７バルブ８３は閉の状態、そして第３バル
ブ７１、第６バルブ８２は開の状態とする。この状態で
は、搬送チャック１及びウエハチャック２の吸着面は共
に雰囲気圧力Ｐa と同一である。
【００３３】最初に、Ｘステージ３を駆動して搬送チャ
ック１を減圧チャンバ１６内に設けられた不図示のウエ
ハカセットの方向に移動させ、ウエハカセットからウエ
ハ２０を受取る受渡し動作を行なう。ポンプ１０を吸引
状態にすると共に第１バルブ７を第１状態に切り換え、
第４バルブ７２を開、第３バルブ７１を閉とする。する
と搬送チャック１はポンプ１０と連通した状態となりウ
エハ２０を吸着する。第３バルブ７１を閉じ第４バルブ
７２を開けた状態で、搬送チャック１の吸引圧力が上述
した表１に示す最適吸引圧力Ｐ2 （差圧１００Torr）と
なるように、ラインのコンダクタンスが設計されてい
る。こうして最適吸引圧力Ｐ2 で搬送チャック１により
ウエハ２０を吸引保持すると、保持したウエハ２０をウ
エハチャック２に受渡すため、Ｘステージ３を駆動して
搬送チャック１を移動させる。この移動動作中は、搬送
チャック１の吸引圧力が最適吸引圧力Ｐ1 （差圧８０To
rr：表１参照）になるよう、第３バルブ７１を開、第４
バルブ７２を閉に切り換えてラインのコンダクタンスを
変えている。
ック１を減圧チャンバ１６内に設けられた不図示のウエ
ハカセットの方向に移動させ、ウエハカセットからウエ
ハ２０を受取る受渡し動作を行なう。ポンプ１０を吸引
状態にすると共に第１バルブ７を第１状態に切り換え、
第４バルブ７２を開、第３バルブ７１を閉とする。する
と搬送チャック１はポンプ１０と連通した状態となりウ
エハ２０を吸着する。第３バルブ７１を閉じ第４バルブ
７２を開けた状態で、搬送チャック１の吸引圧力が上述
した表１に示す最適吸引圧力Ｐ2 （差圧１００Torr）と
なるように、ラインのコンダクタンスが設計されてい
る。こうして最適吸引圧力Ｐ2 で搬送チャック１により
ウエハ２０を吸引保持すると、保持したウエハ２０をウ
エハチャック２に受渡すため、Ｘステージ３を駆動して
搬送チャック１を移動させる。この移動動作中は、搬送
チャック１の吸引圧力が最適吸引圧力Ｐ1 （差圧８０To
rr：表１参照）になるよう、第３バルブ７１を開、第４
バルブ７２を閉に切り換えてラインのコンダクタンスを
変えている。
【００３４】Ｘステージ３の駆動によってウエハ２０が
ウエハチャック２の吸着面上まで搬送されたら、次にＺ
ステージ４を駆動して搬送チャック１に吸着されている
ウエハがウエハチャック２の吸着面に接するまでＺ方向
に移動させる。
ウエハチャック２の吸着面上まで搬送されたら、次にＺ
ステージ４を駆動して搬送チャック１に吸着されている
ウエハがウエハチャック２の吸着面に接するまでＺ方向
に移動させる。
【００３５】ウエハ２０がウエハチャック２の吸着面に
接触したら、第２バルブ８を第１状態に切り換えると共
に、第７バルブ８３を開、第５バルブ８１及び第６バル
ブ８２を閉にして、ウエハチャック２によってウエハ２
０を吸着する。このときのウエハチャック２の吸引圧力
は上述の表１に示した最適吸引圧力Ｐ2W（差圧７０Tor
r）になるようにラインのコンダクタンスが設計されて
いる。この状態ではウエハ２０は搬送チャック１とウエ
ハチャック２の両方から吸着されている。第２バキュー
ムセンサ１２の検出値が圧力Ｐ2Wまで達したら、第１バ
ルブ７を第２状態に切り換えて搬送チャック１によるウ
エハの吸着を解除し、ウエハチャック２のみで吸着保持
させる。その後、Ｚステージ４及びＸステージ３を駆動
して搬送チャック１を初期位置まで戻す。
接触したら、第２バルブ８を第１状態に切り換えると共
に、第７バルブ８３を開、第５バルブ８１及び第６バル
ブ８２を閉にして、ウエハチャック２によってウエハ２
０を吸着する。このときのウエハチャック２の吸引圧力
は上述の表１に示した最適吸引圧力Ｐ2W（差圧７０Tor
r）になるようにラインのコンダクタンスが設計されて
いる。この状態ではウエハ２０は搬送チャック１とウエ
ハチャック２の両方から吸着されている。第２バキュー
ムセンサ１２の検出値が圧力Ｐ2Wまで達したら、第１バ
ルブ７を第２状態に切り換えて搬送チャック１によるウ
エハの吸着を解除し、ウエハチャック２のみで吸着保持
させる。その後、Ｚステージ４及びＸステージ３を駆動
して搬送チャック１を初期位置まで戻す。
【００３６】続いて、駆動機構１３によってウエハチャ
ック２を所定の露光位置に移動させる。この移動中の、
ウエハチャック２の最適吸引圧力はＰ1W（差圧５０Tor
r：表１参照）であり、これは第６バルブ８２を開、第
７バルブ８３及び第５バルブ８１を閉によるラインのコ
ンダクタンスの選択で設定される。
ック２を所定の露光位置に移動させる。この移動中の、
ウエハチャック２の最適吸引圧力はＰ1W（差圧５０Tor
r：表１参照）であり、これは第６バルブ８２を開、第
７バルブ８３及び第５バルブ８１を閉によるラインのコ
ンダクタンスの選択で設定される。
【００３７】ウエハ２０が露光位置へ達したら、ウエハ
チャック２の吸引圧力が露光時の最適吸引圧力Ｐ3W（絶
対圧７０〜８０Torr：表１参照）になるように、第５バ
ルブ８１を開、第６バルブ８２及び第７バルブ８３を閉
にしてラインのコンダクタンスを設定する。この状態で
露光装置１４によってウエハ２０上に回路パターンが露
光される。
チャック２の吸引圧力が露光時の最適吸引圧力Ｐ3W（絶
対圧７０〜８０Torr：表１参照）になるように、第５バ
ルブ８１を開、第６バルブ８２及び第７バルブ８３を閉
にしてラインのコンダクタンスを設定する。この状態で
露光装置１４によってウエハ２０上に回路パターンが露
光される。
【００３８】ウエハ２０に対する露光が完了したら、上
記説明した動作シーケンスと逆の動作を行なってウエハ
２０を搬送チャック１へ受渡し、更に同様にして搬送チ
ャック１によってウエハ２０をウエハカセット内へ収納
する。
記説明した動作シーケンスと逆の動作を行なってウエハ
２０を搬送チャック１へ受渡し、更に同様にして搬送チ
ャック１によってウエハ２０をウエハカセット内へ収納
する。
【００３９】なお、上記例のシステムは、減圧チャンバ
１６内で常に減圧された雰囲気を保っているが、大気圧
の雰囲気とすることもできる。
１６内で常に減圧された雰囲気を保っているが、大気圧
の雰囲気とすることもできる。
【００４０】又、上記例では、それぞれコンダクタンス
が異なる並列の複数ラインのそれぞれに全てバルブを設
け、いずれか１つのラインを選択することで真空ライン
全体のコンダクタンスを設定するようにしているが、以
下のような変形形態も考えられる。
が異なる並列の複数ラインのそれぞれに全てバルブを設
け、いずれか１つのラインを選択することで真空ライン
全体のコンダクタンスを設定するようにしているが、以
下のような変形形態も考えられる。
【００４１】（１）複数のバルブの１つだけを開けた状
態（ａ）と、複数のバルブを同時に開けた状態（ｂ）の
切り換えによって、全体のコンダクタンスを設定する。
このとき、状態（ａ）（ｂ）が上記表１で設定した各最
適吸引圧力が得られるように各ラインのコンダクタンス
を設計する。
態（ａ）と、複数のバルブを同時に開けた状態（ｂ）の
切り換えによって、全体のコンダクタンスを設定する。
このとき、状態（ａ）（ｂ）が上記表１で設定した各最
適吸引圧力が得られるように各ラインのコンダクタンス
を設計する。
【００４２】（２）複数の並列ラインの内の１つにはバ
ルブを設けず常に貫通させ、残りのバルブの開閉制御に
より、全体のコンダクタンスを設定する。このとき、バ
ルブの開閉で得られる複数の状態において、上記表１で
設定した各最適吸引圧力が得られるように各ラインのコ
ンダクタンスを設計する。
ルブを設けず常に貫通させ、残りのバルブの開閉制御に
より、全体のコンダクタンスを設定する。このとき、バ
ルブの開閉で得られる複数の状態において、上記表１で
設定した各最適吸引圧力が得られるように各ラインのコ
ンダクタンスを設計する。
【００４３】＜実施例１＞ 図３は本発明の第１実施例の半導体製造システムのシス
テム構成図である。本実施例の構成は基本的には上記図
１の例にいくつかの構成要素を付加したものであり、図
中、図１と同一の符号は同一あるいは同等の部材を表わ
す。又、本実施例のシステムでの各動作における最適吸
引圧力は前述の表１や図２に示したものと同じである。
テム構成図である。本実施例の構成は基本的には上記図
１の例にいくつかの構成要素を付加したものであり、図
中、図１と同一の符号は同一あるいは同等の部材を表わ
す。又、本実施例のシステムでの各動作における最適吸
引圧力は前述の表１や図２に示したものと同じである。
【００４４】ディストリビュータ９から４経路に分配し
た真空ラインには、それぞれバルブ４１乃至４４及びア
キュムレータ２１乃至２４が配され、これらは減圧チャ
ンバ１６の外部に設置されている。各アキュムレータは
２１乃至２４はそれぞれ圧力を検知するためのバキュー
ムセンサ３１乃至３４を持ち、これらバキュームセンサ
３１乃至３４の出力がフィードバックされ、常にアキュ
ムレータ２１乃至２４が先の表１に示した所定の一定圧
になるように、対応するバルブ８４乃至８７の開閉制御
が常時行なわれる。ここでアキュムレータ２１の圧力は
Ｐ2 、アキュムレータ２２の圧力はＰ1 、アキュムレー
タ２３の圧力はＰ1W、アキュムレータ２４の圧力はＰ2W
に保たれる。
た真空ラインには、それぞれバルブ４１乃至４４及びア
キュムレータ２１乃至２４が配され、これらは減圧チャ
ンバ１６の外部に設置されている。各アキュムレータは
２１乃至２４はそれぞれ圧力を検知するためのバキュー
ムセンサ３１乃至３４を持ち、これらバキュームセンサ
３１乃至３４の出力がフィードバックされ、常にアキュ
ムレータ２１乃至２４が先の表１に示した所定の一定圧
になるように、対応するバルブ８４乃至８７の開閉制御
が常時行なわれる。ここでアキュムレータ２１の圧力は
Ｐ2 、アキュムレータ２２の圧力はＰ1 、アキュムレー
タ２３の圧力はＰ1W、アキュムレータ２４の圧力はＰ2W
に保たれる。
【００４５】なお、アキュムレータ２３がＰ1Wの状態
で、第５バルブ８１を開、第６バルブ８２及び第７バル
ブ８３を閉にすると、ウエハチャック２の圧力が露光の
最適圧力Ｐ3Wになるように真空ラインのコンダクタンス
の設計がなされている。
で、第５バルブ８１を開、第６バルブ８２及び第７バル
ブ８３を閉にすると、ウエハチャック２の圧力が露光の
最適圧力Ｐ3Wになるように真空ラインのコンダクタンス
の設計がなされている。
【００４６】本実施例のシステムの各動作シーケンスに
おける、各バルブの開閉制御は図２に示した先の例と同
一であるが、本実施例では各ライン中にアキュムレータ
を設けているため、バルブを開けた際、搬送チャック１
やウエハチャック２の吸着面を瞬時にアキュムレータの
圧力すなわち最適吸引圧力にすることができる。よって
先の例に比較してシステムのスループットをより一層向
上させることができる。
おける、各バルブの開閉制御は図２に示した先の例と同
一であるが、本実施例では各ライン中にアキュムレータ
を設けているため、バルブを開けた際、搬送チャック１
やウエハチャック２の吸着面を瞬時にアキュムレータの
圧力すなわち最適吸引圧力にすることができる。よって
先の例に比較してシステムのスループットをより一層向
上させることができる。
【００４７】＜実施例２＞ 次に上記説明した半導体製造システムを利用した半導体
デバイスの製造方法の実施例を説明する。図４は半導体
デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、あるいは液
晶パネルやＣＣＤ等）の製造のフローを示す。ステップ
１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行な
う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パター
ンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウ
エハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造
する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ば
れ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフ
ィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次の
ステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４
によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する
工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディ
ング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を
含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された
半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検
査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
デバイスの製造方法の実施例を説明する。図４は半導体
デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、あるいは液
晶パネルやＣＣＤ等）の製造のフローを示す。ステップ
１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行な
う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パター
ンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウ
エハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造
する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ば
れ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフ
ィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次の
ステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４
によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する
工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディ
ング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を
含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された
半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検
査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
【００４８】図５は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した半導体製造システム
によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光す
る。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像す
る。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト
像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥
離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによっ
て、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した半導体製造システム
によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光す
る。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像す
る。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト
像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥
離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによっ
て、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００４９】本実施例の製造方法を用いれば、高い生産
性で半導体デバイスを製造することができる。
性で半導体デバイスを製造することができる。
【００５０】
【発明の効果】本発明によれば、基板の保持や受渡しの
際の信頼性とスループットの両方を高いレベルで両立さ
せることができる。
際の信頼性とスループットの両方を高いレベルで両立さ
せることができる。
【図１】本発明の実施例の前提となる例のシステム構成
図である。
図である。
【図２】吸引圧力制御動作を示す図である。
【図３】本発明の第１実施例のシステム構成図である。
【図４】半導体デバイスの製造フローを示す図である。
【図５】ウエハプロセスの詳細なフローを示す図であ
る。
る。
【図６】従来例の構成を示す図である。
１ 搬送チャック ２ ウエハチャック ３ Ｘステージ ４ Ｚステージ ５ ６ 真空ライン ７、８ バルブ（三方弁） ９ ディストリビュータ １０ ポンプ １１、１２、１９ バキュームセンサ １３ ウエハチャック搬送機構 １４ 露光装置 １６ 減圧チャンバ １７ メインコントローラ １８ バルブコントローラ ２０ ウエハ ２１、２２、２３、２４ アキュムレータ ３１、３２、３３、３４ バキュームセンサ ４１、４２、４３、４４ バルブ ７１、７２ バルブ ８１、８２、８３ バルブ
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/68 B25J 15/06 B65G 49/07
Claims (6)
- 【請求項１】 吸引源と、吸引によって基板を保持する
保持部と、前記吸引源と前記保持部とを接続し、途中に
コンダクタンスを調整する機構が含まれる接続ライン
と、該接続ラインの途中であって前記吸引源とは反対側
にバルブを有するように設けられたアキュムレータとを
有することを特徴とする基板保持装置。 - 【請求項２】 吸引源と、吸引によって基板を保持する
第１、第２の保持部と、該吸引源と該第１、第２の保持
部のそれぞれとを接続し、途中にコンダクタンスを調整
する機構が含まれる第１、第２の接続ラインと、該第
１、第２の接続ラインの途中であって前記吸引源とは反
対側にバルブを有するようにそれぞれ設けられたアキュ
ムレータとを有することを特徴とする基板保持装置。 - 【請求項３】 吸引源と、吸引によって基板を保持する
保持部と、前記吸引源と前記保持部とを接続する接続ラ
インとを有し、前記接続ラインに前記吸引源とは反対側
にバルブを有するようにアキュムレータを設けたことを
特徴とする基板保持装置。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかの基板保持装
置、基板を露光する手段、を有することを特徴とする露
光装置。 - 【請求項５】 請求項１乃至３のいずれかの基板保持装
置が保持部としてウエハチャックを有し、該ウエハチャ
ックは該ウエハを露光位置へ搬送するステージ上に設け
られていることを特徴とする請求項４記載の露光装置。 - 【請求項６】 基板を用意するステップ、請求項４又は
５の露光装置によって、該基板に回路パターンを露光す
るステップ、を有することを特徴とする半導体デバイス
製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29997792A JP3332425B2 (ja) | 1992-11-10 | 1992-11-10 | 基板保持装置、並びにこれを用いた露光装置と半導体デバイス製造方法 |
| US08/119,395 US5436693A (en) | 1992-11-10 | 1993-09-13 | Substrate holding apparatus and a system using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29997792A JP3332425B2 (ja) | 1992-11-10 | 1992-11-10 | 基板保持装置、並びにこれを用いた露光装置と半導体デバイス製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151561A JPH06151561A (ja) | 1994-05-31 |
| JP3332425B2 true JP3332425B2 (ja) | 2002-10-07 |
Family
ID=17879264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29997792A Expired - Fee Related JP3332425B2 (ja) | 1992-11-10 | 1992-11-10 | 基板保持装置、並びにこれを用いた露光装置と半導体デバイス製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5436693A (ja) |
| JP (1) | JP3332425B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3247554B2 (ja) * | 1994-07-19 | 2002-01-15 | キヤノン株式会社 | 基板搬送装置およびこれを用いた露光装置 |
| US5760864A (en) * | 1995-07-20 | 1998-06-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Manufacturing method of liquid display devices using a stainless steel suction plate having a phosphorus doped nickel coating |
| JPH10270535A (ja) | 1997-03-25 | 1998-10-09 | Nikon Corp | 移動ステージ装置、及び該ステージ装置を用いた回路デバイス製造方法 |
| US6051067A (en) * | 1998-04-23 | 2000-04-18 | Microjet Technology Co., Ltd. | Wafer securing device and method |
| JP2000173911A (ja) * | 1998-12-02 | 2000-06-23 | Canon Inc | ミニエンバイロメントポッド |
| JP4681756B2 (ja) * | 2001-05-16 | 2011-05-11 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| JP4346935B2 (ja) * | 2002-05-22 | 2009-10-21 | 東芝機械株式会社 | 真空チャック装置 |
| JP4579004B2 (ja) * | 2005-02-23 | 2010-11-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
| US20070076345A1 (en) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Bang Won B | Substrate placement determination using substrate backside pressure measurement |
| JP4582715B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2010-11-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体製造装置、並びに、感度調整のための装置及び方法 |
| CN101352845A (zh) * | 2007-07-25 | 2009-01-28 | 深圳富泰宏精密工业有限公司 | 真空吸附定位装置 |
| US8145349B2 (en) * | 2008-05-14 | 2012-03-27 | Formfactor, Inc. | Pre-aligner search |
| JP5544911B2 (ja) * | 2010-02-10 | 2014-07-09 | 株式会社村田製作所 | 真空度切替方法 |
| JP6127501B2 (ja) * | 2012-12-25 | 2017-05-17 | 日本電気株式会社 | 搬送装置およびその制御方法 |
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| JP6322606B2 (ja) * | 2015-07-15 | 2018-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体 |
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