JP2000173911A - ミニエンバイロメントポッド - Google Patents
ミニエンバイロメントポッドInfo
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ミニエンバイロメントポッド方式を採用する
場合に、半導体などのデバイス製造装置の外に電磁波が
漏洩しないような電磁波漏洩防止対策を施したポッドを
提供する。 【解決手段】 電磁波漏洩防止対策が施された容器面を
有するフロントオープン一体型ポッド(FOUP)また
は標準メカニカルインターフェースポッド(SMIFP
OD)等の半導体デバイス製造装置用のミニエンバイロ
メントポッド。該ポッドを用いた半導体デバイス製造装
置。該半導体デバイス製造装置を用いて半導体デバイス
を製造することを特徴とするデバイス製造方法。
場合に、半導体などのデバイス製造装置の外に電磁波が
漏洩しないような電磁波漏洩防止対策を施したポッドを
提供する。 【解決手段】 電磁波漏洩防止対策が施された容器面を
有するフロントオープン一体型ポッド(FOUP)また
は標準メカニカルインターフェースポッド(SMIFP
OD)等の半導体デバイス製造装置用のミニエンバイロ
メントポッド。該ポッドを用いた半導体デバイス製造装
置。該半導体デバイス製造装置を用いて半導体デバイス
を製造することを特徴とするデバイス製造方法。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置に用
いられているミニエンバイロメント方式を実現するポッ
ドに関する。
いられているミニエンバイロメント方式を実現するポッ
ドに関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体デバイス製造装置、一例と
してここでは半導体露光装置について図8を用いて説明
する。半導体露光装置では、基板4(以降ウエハと呼
ぶ)を複数枚収納したキャリア2からウエハ4を順次搬
送ロボット1で取りだし、メカプリアライメントステー
ション(以降PAステーション39と呼ぶ)へロードす
る。PAステーション39ではオリエンテーションフラ
ットの位置合わせが行われる。この位置合わせは、ウエ
ハ4をPAチャック8で保持した後、PAθステージ7
によってウエハ4を回転させながらウエハ4のエッジの
位置をPA光学系9〜11によって検出し、オリエンテ
ーションフラット4aの位置及び、ウエハ4の偏心量を
演算し、PAXステージ5、PAYステージ6、PAθ
ステージ7によって所定位置に位置決めする。この動作
をオリエンテーションフラット検知と呼ぶ。その後ウエ
ハ4を、不図示の基板保持手段(ハンド)で保持し、ウ
エハチャック12まで搬送する。この後、Xステージ1
3及びYステージ14によってステップ送りをして不図
示の光学系によって露光が行われる。また、露光終了後
のウエハ4は搬送ロボット1によってウエハチャック1
2上から取りだし、キャリヤ3に回収される。
してここでは半導体露光装置について図8を用いて説明
する。半導体露光装置では、基板4(以降ウエハと呼
ぶ)を複数枚収納したキャリア2からウエハ4を順次搬
送ロボット1で取りだし、メカプリアライメントステー
ション(以降PAステーション39と呼ぶ)へロードす
る。PAステーション39ではオリエンテーションフラ
ットの位置合わせが行われる。この位置合わせは、ウエ
ハ4をPAチャック8で保持した後、PAθステージ7
によってウエハ4を回転させながらウエハ4のエッジの
位置をPA光学系9〜11によって検出し、オリエンテ
ーションフラット4aの位置及び、ウエハ4の偏心量を
演算し、PAXステージ5、PAYステージ6、PAθ
ステージ7によって所定位置に位置決めする。この動作
をオリエンテーションフラット検知と呼ぶ。その後ウエ
ハ4を、不図示の基板保持手段(ハンド)で保持し、ウ
エハチャック12まで搬送する。この後、Xステージ1
3及びYステージ14によってステップ送りをして不図
示の光学系によって露光が行われる。また、露光終了後
のウエハ4は搬送ロボット1によってウエハチャック1
2上から取りだし、キャリヤ3に回収される。
【0003】ここで、従来は基板を複数枚収納するキャ
リアはキャリアがクリーンBOXに入らない状態で装置
にセットするオープンキャリアタイプ(外部の雰囲気か
ら基板を隔離する容器がないタイプ。以降オープンカセ
ット:O.C.と呼ぶ)を使用していた。
リアはキャリアがクリーンBOXに入らない状態で装置
にセットするオープンキャリアタイプ(外部の雰囲気か
ら基板を隔離する容器がないタイプ。以降オープンカセ
ット:O.C.と呼ぶ)を使用していた。
【0004】このキャリアは、クリーンルーム内全てを
パーティクルの少ない環境にすれば問題は無いが、クリ
ーンルーム内全てをパーティクルの少ない環境に保つに
は非常にコストがかかる。このコストの問題を解決する
ため、クリーンルーム内はある程度パーティクルがあっ
ても、基板がクリーンな環境に保てるような方法が考え
られるようになった。この方式をミニエンバイロメン卜
方式と呼んでいる。これは、基板が収納されているキャ
リアの全てを容器で包んで、装置に取り付けられたとき
に、この容器の扉を開けて開口部のみ装置とつながるよ
うになる。このためクリーンルームはある程度パーティ
クルが多くても容器で隔離されているためそのパーティ
クルは基板に付着することがなくなる。
パーティクルの少ない環境にすれば問題は無いが、クリ
ーンルーム内全てをパーティクルの少ない環境に保つに
は非常にコストがかかる。このコストの問題を解決する
ため、クリーンルーム内はある程度パーティクルがあっ
ても、基板がクリーンな環境に保てるような方法が考え
られるようになった。この方式をミニエンバイロメン卜
方式と呼んでいる。これは、基板が収納されているキャ
リアの全てを容器で包んで、装置に取り付けられたとき
に、この容器の扉を開けて開口部のみ装置とつながるよ
うになる。このためクリーンルームはある程度パーティ
クルが多くても容器で隔離されているためそのパーティ
クルは基板に付着することがなくなる。
【0005】このミニエンバイロメント方式には主に二
つのタイプが提案されている。二つのタイプは扉を開閉
する方向で分類される。扉を下に開閉するタイプはBo
ttom Openingと呼ばれ、このタイプに標準
メカニカルインターフェース(SMIF)ポッドがあ
る。また、300mmの基板では扉を正面から開閉する
タイプがsemiで規格化され、フロントオープン一体
型ポッド(FOUP(Front Opening U
nified Pod))と呼ばれる。
つのタイプが提案されている。二つのタイプは扉を開閉
する方向で分類される。扉を下に開閉するタイプはBo
ttom Openingと呼ばれ、このタイプに標準
メカニカルインターフェース(SMIF)ポッドがあ
る。また、300mmの基板では扉を正面から開閉する
タイプがsemiで規格化され、フロントオープン一体
型ポッド(FOUP(Front Opening U
nified Pod))と呼ばれる。
【0006】一方、半導体製造装置においては、電磁波
漏洩防止対策が必要になってきている。装置の外に電磁
波がでないような規制がかけられている。この規制には
装置を電磁波妨害特性(電磁放射妨害)の限度値以内に
することが決められている。例えば、この規制にはヨー
ロッパの有害電磁波規制 CISPR Pub.11が
ある。
漏洩防止対策が必要になってきている。装置の外に電磁
波がでないような規制がかけられている。この規制には
装置を電磁波妨害特性(電磁放射妨害)の限度値以内に
することが決められている。例えば、この規制にはヨー
ロッパの有害電磁波規制 CISPR Pub.11が
ある。
【0007】一般に、半導体製造装置は一般に金属のチ
ャンバーで覆われているため電磁波は外にでないように
なってるが、中の様子をみたい部分にはアクリル等の材
料を用いている。通常アクリル等の樹脂では電磁波は遮
蔽できないため、この部分には、金属の網をピッチを狭
く張り付けて電磁波を遮蔽している。ここで、この金属
の網はアースに落とさないと電磁波を遮蔽できないので
チャンバー等に導通させてアースを取っている。
ャンバーで覆われているため電磁波は外にでないように
なってるが、中の様子をみたい部分にはアクリル等の材
料を用いている。通常アクリル等の樹脂では電磁波は遮
蔽できないため、この部分には、金属の網をピッチを狭
く張り付けて電磁波を遮蔽している。ここで、この金属
の網はアースに落とさないと電磁波を遮蔽できないので
チャンバー等に導通させてアースを取っている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体デバイス製造装置にそのままFOUPまたはSM
IFPODタイプを使用すると以下のような改良すべき
点がある。従来の半導体デバイス製造装置ではオープン
カセットを装置の内部に入れて使用するため、装置自体
が電磁波漏洩防止対策が施されていれば良かった。とこ
ろが、FOUPまたはSMIFPODタイプでは装置の
外にポッドを接続しポッドの正面または、底面を開け
て、基板を取り出すことになる。通常装置を使用する場
合はPODの正面または、底面を開けたまま使用するこ
とになるので、装置の扉が空いてPODの容器が装置の
外壁になることになる。そのため、このPOD自体が電
磁波漏洩防止対策が施されていなければ電磁波が装置の
外にでることなる。
半導体デバイス製造装置にそのままFOUPまたはSM
IFPODタイプを使用すると以下のような改良すべき
点がある。従来の半導体デバイス製造装置ではオープン
カセットを装置の内部に入れて使用するため、装置自体
が電磁波漏洩防止対策が施されていれば良かった。とこ
ろが、FOUPまたはSMIFPODタイプでは装置の
外にポッドを接続しポッドの正面または、底面を開け
て、基板を取り出すことになる。通常装置を使用する場
合はPODの正面または、底面を開けたまま使用するこ
とになるので、装置の扉が空いてPODの容器が装置の
外壁になることになる。そのため、このPOD自体が電
磁波漏洩防止対策が施されていなければ電磁波が装置の
外にでることなる。
【0009】本発明は、ミニエンバイロメントポッド方
式を採用する場合に、半導体デバイス製造装置の外に電
磁波が漏洩しないようなミニエンバイロメントポッドを
提供することを目的とする。
式を採用する場合に、半導体デバイス製造装置の外に電
磁波が漏洩しないようなミニエンバイロメントポッドを
提供することを目的とする。
【0010】
【発明を解決するための手段及び作用】本発明者は鋭意
研究した結果、ポッドに電磁波漏洩防止対策を施すこと
によって上記目的が達成されることを見いだし本発明に
至った。さらに、ポッドに電磁波漏洩防止対策を施すと
ともに、半導体製造装置に取り付けて使用する場合に容
易にアースがとれるような構造とする。すなわち、本発
明は、以下の(1)〜(10)である。
研究した結果、ポッドに電磁波漏洩防止対策を施すこと
によって上記目的が達成されることを見いだし本発明に
至った。さらに、ポッドに電磁波漏洩防止対策を施すと
ともに、半導体製造装置に取り付けて使用する場合に容
易にアースがとれるような構造とする。すなわち、本発
明は、以下の(1)〜(10)である。
【0011】(1)電磁波漏洩防止対策が施された容器
面を有する半導体デバイス製造装置用のミニエンバイロ
メントポッド。 (2)ミニエンバイロメントポッドがフロントオープン
一体型ポッド(FOUP)または標準メカニカルインタ
ーフェースポッド(SMIFPOD)である上記(1)
に記載のポッド。 (3)電磁波漏洩防止対策がポッドの内壁面、外壁面、
あるいは壁材料内に施されたことを特徴とする上記
(1)または(2)に記載のポッド。 (4)電磁波漏洩防止対策がポッドを装着した際に半導
体デバイス製造装置に接触するポッドの部位にも施され
たことを特徴とする上記(3)に記載のポッド。 (5)電磁波漏洩防止対策として網目状金属を使用した
ことを特徴とする上記(1)ないし(4)のいずれか記
載のポッド。 (6)電磁波漏洩防止対策として容器に電磁波をカット
する材料を使用するものであることを特徴とする上記
(1)ないし(4)のいずれか記載のポッド。 (7)周波数が9kHz〜400MHzに対して限度値
が100dB(μV)以下になるような電磁波漏洩防止
対策を施したことを特徴とする上記(1)ないし(6)
のいずれか記載のポッド。 (8)上記(1)ないし(7)のいずれか記載のポッド
を装着する手段と、該ポッドを装着した際にポッドと接
触するアースされた部位を有することを特徴とする半導
体デバイス製造装置。 (9)半導体デバイス製造装置が露光装置であることを
特徴とする上記(8)に記載の半導体デバイス製造装
置。 (10)上記(8)または(9)に記載の半導体デバイ
ス製造装置を用いて半導体デバイスを製造することを特
徴とする半導体デバイス製造方法。
面を有する半導体デバイス製造装置用のミニエンバイロ
メントポッド。 (2)ミニエンバイロメントポッドがフロントオープン
一体型ポッド(FOUP)または標準メカニカルインタ
ーフェースポッド(SMIFPOD)である上記(1)
に記載のポッド。 (3)電磁波漏洩防止対策がポッドの内壁面、外壁面、
あるいは壁材料内に施されたことを特徴とする上記
(1)または(2)に記載のポッド。 (4)電磁波漏洩防止対策がポッドを装着した際に半導
体デバイス製造装置に接触するポッドの部位にも施され
たことを特徴とする上記(3)に記載のポッド。 (5)電磁波漏洩防止対策として網目状金属を使用した
ことを特徴とする上記(1)ないし(4)のいずれか記
載のポッド。 (6)電磁波漏洩防止対策として容器に電磁波をカット
する材料を使用するものであることを特徴とする上記
(1)ないし(4)のいずれか記載のポッド。 (7)周波数が9kHz〜400MHzに対して限度値
が100dB(μV)以下になるような電磁波漏洩防止
対策を施したことを特徴とする上記(1)ないし(6)
のいずれか記載のポッド。 (8)上記(1)ないし(7)のいずれか記載のポッド
を装着する手段と、該ポッドを装着した際にポッドと接
触するアースされた部位を有することを特徴とする半導
体デバイス製造装置。 (9)半導体デバイス製造装置が露光装置であることを
特徴とする上記(8)に記載の半導体デバイス製造装
置。 (10)上記(8)または(9)に記載の半導体デバイ
ス製造装置を用いて半導体デバイスを製造することを特
徴とする半導体デバイス製造方法。
【0012】上記構成によって、電磁波漏洩防止対策を
施したFOUPまたはSMIFPODを半導体などの微
小デバイス製造装置に取り付けたときに微小デバイス製
造装置全体からの電磁波の漏洩を遮蔽することが出来
る。
施したFOUPまたはSMIFPODを半導体などの微
小デバイス製造装置に取り付けたときに微小デバイス製
造装置全体からの電磁波の漏洩を遮蔽することが出来
る。
【0013】
【発明の実施の形態】以下に図面を用いて本発明の実施
例を説明する。 実施例1 次に本発明の実施例を説明する。図1において、FOU
P20は人間の手(PGV:PHISICAL GUI
DED VIEHCLE)または自動搬送ロボット(A
GV:AUTO GUIDED VIEHCLE)40
によって、オープナーの上に載せられる。この時の位置
決めはキネマティックカップリング33によって行われ
る。この位置決めはFOUP20側には図4で示すよう
にV溝37が構成される。また、オープナー34側には
ピン38が構成されている。3カ所のV溝37と3カ所
のピン38が合わさることにより、正確な位置決めが行
われる。このV溝37とピン38が合わさった状態を示
したものが図5である。
例を説明する。 実施例1 次に本発明の実施例を説明する。図1において、FOU
P20は人間の手(PGV:PHISICAL GUI
DED VIEHCLE)または自動搬送ロボット(A
GV:AUTO GUIDED VIEHCLE)40
によって、オープナーの上に載せられる。この時の位置
決めはキネマティックカップリング33によって行われ
る。この位置決めはFOUP20側には図4で示すよう
にV溝37が構成される。また、オープナー34側には
ピン38が構成されている。3カ所のV溝37と3カ所
のピン38が合わさることにより、正確な位置決めが行
われる。このV溝37とピン38が合わさった状態を示
したものが図5である。
【0014】図1において、この位置決めが行われた
後、装置側にFOUPを移動し、オープナーフランジ2
1にFOUP20が押しつけられ装着される。この後、
FOUP開閉扉23につけられたドアロック/解除機構
24によって不図示のラッチを解除することによりFO
UPドア22がオープンし、FOUP開閉扉23とFO
UPドア22が密着したままスイングアーム31とドア
上下機構32により下側に降ろすことによりFOUP2
0の中が装置に解放される。
後、装置側にFOUPを移動し、オープナーフランジ2
1にFOUP20が押しつけられ装着される。この後、
FOUP開閉扉23につけられたドアロック/解除機構
24によって不図示のラッチを解除することによりFO
UPドア22がオープンし、FOUP開閉扉23とFO
UPドア22が密着したままスイングアーム31とドア
上下機構32により下側に降ろすことによりFOUP2
0の中が装置に解放される。
【0015】このとき装着されたFOUP20の容器が
密閉しているので、外気が装置にはいらない状態にな
る。また、この時、FOUP20の容器が装置の外壁の
役目を果たすことになる。したがって、この容器に電磁
波漏洩防止対策が施されていないと、半導体製造装置を
使用している間は常に電磁波が装置外に向けてでている
ことになる。本実施例では、FOUP自体に電磁波対策
を施しているため、電磁波は限度値以内に収まる。この
後搬送ロボット1によって、基板4が処理ステーション
15にあるウエハチャック12に搬送され、不図示の光
学系によって露光され、再び搬送ロボット1によりFO
UPに回収される。
密閉しているので、外気が装置にはいらない状態にな
る。また、この時、FOUP20の容器が装置の外壁の
役目を果たすことになる。したがって、この容器に電磁
波漏洩防止対策が施されていないと、半導体製造装置を
使用している間は常に電磁波が装置外に向けてでている
ことになる。本実施例では、FOUP自体に電磁波対策
を施しているため、電磁波は限度値以内に収まる。この
後搬送ロボット1によって、基板4が処理ステーション
15にあるウエハチャック12に搬送され、不図示の光
学系によって露光され、再び搬送ロボット1によりFO
UPに回収される。
【0016】次に、本実施例の電磁波漏洩防止対策が施
されたFOUP20について説明する。図2はFOUP
20の中間の高さの断面を示している。FOUP20は
樹脂でできており、このPODの内壁に網目状の金属3
6が所定のピッチで配置されている。この網目状金属の
部分は太線で示されている。この網目のピッチは細かい
ほど効果があるが、周波数9kHz〜300MHzの範
囲で100dB以下で所望の値となるように、設定すれ
ばよい。
されたFOUP20について説明する。図2はFOUP
20の中間の高さの断面を示している。FOUP20は
樹脂でできており、このPODの内壁に網目状の金属3
6が所定のピッチで配置されている。この網目状金属の
部分は太線で示されている。この網目のピッチは細かい
ほど効果があるが、周波数9kHz〜300MHzの範
囲で100dB以下で所望の値となるように、設定すれ
ばよい。
【0017】この内壁の金属と樹脂は同一の面になって
いて、金属だけが表面にでないようになっている。ま
た、このPODのフランジ部35には、オープナーフラ
ンジ21に接触する面までこの網目状の金属が配置され
ている。このフランジ部を図1のAの方向から見た図を
図3に示す。
いて、金属だけが表面にでないようになっている。ま
た、このPODのフランジ部35には、オープナーフラ
ンジ21に接触する面までこの網目状の金属が配置され
ている。このフランジ部を図1のAの方向から見た図を
図3に示す。
【0018】このFOUP20がローディングされオー
プナーフランジ21に押しつけられた場合にはこのポッ
ドの金属と接地されているオープナーフランジ21が接
触することになるので、アースがとれることになる。こ
の構成にすることにより周波数9kHz〜400GHz
の範囲で問題となる値の電磁波がPODを通り越して装
置外にでることが無くなる。
プナーフランジ21に押しつけられた場合にはこのポッ
ドの金属と接地されているオープナーフランジ21が接
触することになるので、アースがとれることになる。こ
の構成にすることにより周波数9kHz〜400GHz
の範囲で問題となる値の電磁波がPODを通り越して装
置外にでることが無くなる。
【0019】また、金属と樹脂が同一の面になっている
ため、装置とポッドが密着していて、パーティクルが装
置内に入ることは無い。ここで、FOUP20の正面蓋
25については電磁波漏洩防止対策を施す必要は無い。
ため、装置とポッドが密着していて、パーティクルが装
置内に入ることは無い。ここで、FOUP20の正面蓋
25については電磁波漏洩防止対策を施す必要は無い。
【0020】また、上記説明では樹脂の内壁に網目状の
金属を配置したが、樹脂の内壁とフランジ部に金属コー
トを施しても同様な効果が得られる。あるいはポッドの
壁の中、すなわち壁の材料の中に電磁波漏洩防止に有効
な網目状の金属を埋め込むようにしても良い。この場
合、露光装置との接触面までアースが取れるようにして
おけば良い。さらに、FOUP20の材料を電磁波が限
度値以下しか外に出さないような材料を使用しても良
い。
金属を配置したが、樹脂の内壁とフランジ部に金属コー
トを施しても同様な効果が得られる。あるいはポッドの
壁の中、すなわち壁の材料の中に電磁波漏洩防止に有効
な網目状の金属を埋め込むようにしても良い。この場
合、露光装置との接触面までアースが取れるようにして
おけば良い。さらに、FOUP20の材料を電磁波が限
度値以下しか外に出さないような材料を使用しても良
い。
【0021】以上のような構成にすれば、FOUP20
の容器の電磁波漏洩防止対策ができるため、この容器を
通って電磁波が限度値を越えてでることがなくなる。
の容器の電磁波漏洩防止対策ができるため、この容器を
通って電磁波が限度値を越えてでることがなくなる。
【0022】実施例2 実施例2について、図6を用いて説明する。実施例2で
は実施例1との共通点が多いため異なる点のみ説明す
る。本実施例と実施例1との違いは網目状の金属を外壁
に構成した点である。また、この外壁の金属と樹脂は同
一の面になっていて、金属だけが表面にでないようにな
っている。また、このFOUP20のフランジ部はオー
プナーフランジ21に接触する面までこの網目状の金属
が配置されている。このFOUP20がローディングさ
れオープナーフランジ21に押しつけられた場合にはこ
の金属とオープナーフランジ21が接触することになる
ので、アースがとれることになり、周波数9kHz〜4
00GHzの範囲で問題となる値の電磁波がPODを通
り越して装置外にでることが無くなる。
は実施例1との共通点が多いため異なる点のみ説明す
る。本実施例と実施例1との違いは網目状の金属を外壁
に構成した点である。また、この外壁の金属と樹脂は同
一の面になっていて、金属だけが表面にでないようにな
っている。また、このFOUP20のフランジ部はオー
プナーフランジ21に接触する面までこの網目状の金属
が配置されている。このFOUP20がローディングさ
れオープナーフランジ21に押しつけられた場合にはこ
の金属とオープナーフランジ21が接触することになる
ので、アースがとれることになり、周波数9kHz〜4
00GHzの範囲で問題となる値の電磁波がPODを通
り越して装置外にでることが無くなる。
【0023】また、FOUP20の外壁を金属コートす
ることでも同様な効果が得られる。あるいはポッドの壁
の中、すなわち壁の材料の中に電磁波漏洩防止に有効な
網目状の金属を埋め込むようにしても良い。この場合、
露光装置との接触面までアースが取れるようにしておけ
ば良い。さらに、FOUP20の材料を電磁波が限度値
以下しか外に出さないような材料を使用しても良い。
ることでも同様な効果が得られる。あるいはポッドの壁
の中、すなわち壁の材料の中に電磁波漏洩防止に有効な
網目状の金属を埋め込むようにしても良い。この場合、
露光装置との接触面までアースが取れるようにしておけ
ば良い。さらに、FOUP20の材料を電磁波が限度値
以下しか外に出さないような材料を使用しても良い。
【0024】以上のような構成にすれば、FOUP20
の容器の電磁波漏洩防止対策ができるため、この容器を
通って電磁波が限度値を越えてでることがなくなる。
の容器の電磁波漏洩防止対策ができるため、この容器を
通って電磁波が限度値を越えてでることがなくなる。
【0025】実施例3 実施例3について、図7を用いて説明する。本実施例で
SMIFPOD26の場合における電磁波漏洩防止対策
について説明する。SMIFPOD26は装置に置かれ
た後にSMIFPOD開閉扉27に取り付けられた不図
示のドアロック/解除機構によっての不図示のラッチを
解除することによりSMIFPOD26の底面のSMI
FPOD26ドア28がオープンし、SMIFPODド
ア28ごとインデクサ29によって下側に降ろすことに
よりSMIFPOD26の中のキャリア30ごと装置に
入ることになる。このときSMIFPOD26の容器が
密閉しているので、外気が装置に入らない状態になる。
また、この時、SMIFPOD26の容器が装置の外壁
の役目を果たすことになる。本実施例では、SMIFP
OD26自体に電磁波対策が施してあるため、半導体製
造装置を使用している間も電磁波は限度値以内に収ま
る。
SMIFPOD26の場合における電磁波漏洩防止対策
について説明する。SMIFPOD26は装置に置かれ
た後にSMIFPOD開閉扉27に取り付けられた不図
示のドアロック/解除機構によっての不図示のラッチを
解除することによりSMIFPOD26の底面のSMI
FPOD26ドア28がオープンし、SMIFPODド
ア28ごとインデクサ29によって下側に降ろすことに
よりSMIFPOD26の中のキャリア30ごと装置に
入ることになる。このときSMIFPOD26の容器が
密閉しているので、外気が装置に入らない状態になる。
また、この時、SMIFPOD26の容器が装置の外壁
の役目を果たすことになる。本実施例では、SMIFP
OD26自体に電磁波対策が施してあるため、半導体製
造装置を使用している間も電磁波は限度値以内に収ま
る。
【0026】ここでSMIFPOD26の電磁波漏洩防
止対策について説明する。SMIFPOD26の外周ま
たは内周に網目状の金属を配置し、フランジとなる底面
に網目状の金属を配置すれば、SMIFPOD26を装
置に置いたときにアースが取れることになる。この構成
にすることにより周波数9kHz〜400GHΖの範囲
で問題となる値の電磁波がポッドを通り越して装置外に
でることが無くなる。
止対策について説明する。SMIFPOD26の外周ま
たは内周に網目状の金属を配置し、フランジとなる底面
に網目状の金属を配置すれば、SMIFPOD26を装
置に置いたときにアースが取れることになる。この構成
にすることにより周波数9kHz〜400GHΖの範囲
で問題となる値の電磁波がポッドを通り越して装置外に
でることが無くなる。
【0027】また、金属と樹脂が同一の面になってい
て、装置とポッドが密着しているため、パーティクルが
装置内に入ることは無い。ここで、SMIFPOD26
の底の蓋については電磁波漏洩防止対策を施す必要は無
い。
て、装置とポッドが密着しているため、パーティクルが
装置内に入ることは無い。ここで、SMIFPOD26
の底の蓋については電磁波漏洩防止対策を施す必要は無
い。
【0028】また、上記説明では樹脂の内壁に網目状の
金属を配置したが、樹脂の内壁とフランジ部に金属コー
トを施しても同様な効果が得られる。あるいはポッドの
壁の中、すなわち壁の材料の中に電磁波漏洩防止に有効
な網目状の金属を埋め込むようにしても良い。この場
合、露光装置との接触面までアースが取れるようにして
おけば良い。さらに、SMIFPOD26の材料を電磁
波が限度値以下しか外に出さないような材料を使用して
も良い。
金属を配置したが、樹脂の内壁とフランジ部に金属コー
トを施しても同様な効果が得られる。あるいはポッドの
壁の中、すなわち壁の材料の中に電磁波漏洩防止に有効
な網目状の金属を埋め込むようにしても良い。この場
合、露光装置との接触面までアースが取れるようにして
おけば良い。さらに、SMIFPOD26の材料を電磁
波が限度値以下しか外に出さないような材料を使用して
も良い。
【0029】以上により、SMIFPOD26の容器の
電磁波漏洩防止対策ができるため、この容器を通って電
磁波が限度値を越えてでることがなくなる。
電磁波漏洩防止対策ができるため、この容器を通って電
磁波が限度値を越えてでることがなくなる。
【0030】
【デバイス生産方法の実施例】次に上記説明したポッド
を用いた微小デバイス製造装置を利用したデバイスの生
産方法の実施例を説明する。図9は微小デバイス(IC
やLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜
磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造のフローを示
す。ステップ1(回路設計)ではデバイスのパターン設
計を行なう。ステップ2(マスク製作)では設計したパ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ3
(ウエハ製造)ではシリコンやガラス等の材料を用いて
ウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前
工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、
リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成
する。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、
ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チ
ップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシン
グ、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封
入)等の工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ
5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体
デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
を用いた微小デバイス製造装置を利用したデバイスの生
産方法の実施例を説明する。図9は微小デバイス(IC
やLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜
磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造のフローを示
す。ステップ1(回路設計)ではデバイスのパターン設
計を行なう。ステップ2(マスク製作)では設計したパ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ3
(ウエハ製造)ではシリコンやガラス等の材料を用いて
ウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前
工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、
リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成
する。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、
ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チ
ップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシン
グ、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封
入)等の工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ
5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体
デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
【0031】図10は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオ
ン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ1
5(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ16(露光)では上記説明した半導体などの微小
デバイス製造装置によってマスクの回路パターンをウエ
ハに焼付露光する。ステップ17(現像)では露光した
ウエハを現像する。ステップ18(エッチング)では現
像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19
(レジスト剥離)ではエッチングが済んで不要となった
レジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行な
うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成
される。本実施例の生産方法を用いれば、従来は製造が
難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造するこ
とができる。
ーを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオ
ン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ1
5(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ16(露光)では上記説明した半導体などの微小
デバイス製造装置によってマスクの回路パターンをウエ
ハに焼付露光する。ステップ17(現像)では露光した
ウエハを現像する。ステップ18(エッチング)では現
像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19
(レジスト剥離)ではエッチングが済んで不要となった
レジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行な
うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成
される。本実施例の生産方法を用いれば、従来は製造が
難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造するこ
とができる。
【0032】
【発明の効果】以上の構成によって、FOUPまたは、
SMIFPOD等のミニエンバイロメントポッドに電磁
波漏洩防止対策ができ、半導体デバイス製造装置などの
微小デバイス製造装置にこれらをローディングしたとき
に、微小デバイス製造装置の稼働中に装置から限度値を
越えた電磁波がでることがなくなる。したがって、微小
デバイス製造装置を電磁波妨害特性(電磁放射妨害)の
限度値以内にすることが可能である。
SMIFPOD等のミニエンバイロメントポッドに電磁
波漏洩防止対策ができ、半導体デバイス製造装置などの
微小デバイス製造装置にこれらをローディングしたとき
に、微小デバイス製造装置の稼働中に装置から限度値を
越えた電磁波がでることがなくなる。したがって、微小
デバイス製造装置を電磁波妨害特性(電磁放射妨害)の
限度値以内にすることが可能である。
【図1】 本実施例のFOUPを装置にローディングし
た時の図である。
た時の図である。
【図2】 実施例1のFOUPの断面図である。
【図3】 図2をA方向から見たときのフランジ部であ
る。
る。
【図4】 キネマティックカップリングのV溝とピンで
ある。
ある。
【図5】 キネマティックカップリングの3カ所のV溝
とピンが合わさった図である。
とピンが合わさった図である。
【図6】 実施例2のFOUPである。
【図7】 実施例3の説明図である。
【図8】 従来の半導体露光装置を示す。
【図9】 微小デバイスの製造のフローを示す。
【図10】 ウエハプロセスの詳細なフローを示す。
1:搬送ロボット、2:キャリア、4:基板(ウエ
ハ)、4a:オリエンテーションフラット、5:PAX
ステージ、6:PAYステージ、7:PAθステージ、
8:PAチャック、9〜11:PA光学系、12:ウエ
ハチャック、13:Xステージ、14:Yステージ、1
5:処理ステーション、20:FOUP、21:オープ
ナーフランジ、22:FOUPドア、23:FOUP開
閉扉、24:ドアロック/解除機構、25:FOUP2
0の正面蓋、26:SMIFPOD、27:SMIFP
OD開閉扉、28:SMIFPODドア、29:インデ
クサ、30:キャリア、31:スイングアーム、32:
ドア上下機構、33:キネマティックカップリング、3
4:オープナー、35:フランジ部、36:網目状金
属、37:V溝、38:ピン、39:PAステーショ
ン、40:搬送ロボット。
ハ)、4a:オリエンテーションフラット、5:PAX
ステージ、6:PAYステージ、7:PAθステージ、
8:PAチャック、9〜11:PA光学系、12:ウエ
ハチャック、13:Xステージ、14:Yステージ、1
5:処理ステーション、20:FOUP、21:オープ
ナーフランジ、22:FOUPドア、23:FOUP開
閉扉、24:ドアロック/解除機構、25:FOUP2
0の正面蓋、26:SMIFPOD、27:SMIFP
OD開閉扉、28:SMIFPODドア、29:インデ
クサ、30:キャリア、31:スイングアーム、32:
ドア上下機構、33:キネマティックカップリング、3
4:オープナー、35:フランジ部、36:網目状金
属、37:V溝、38:ピン、39:PAステーショ
ン、40:搬送ロボット。
Claims (10)
- 【請求項1】 電磁波漏洩防止対策が施された容器面を
有する半導体デバイス製造装置用のミニエンバイロメン
トポッド。 - 【請求項2】 ミニエンバイロメントポッドがフロント
オープン一体型ポッド(FOUP)または標準メカニカ
ルインターフェースポッド(SMIFPOD)である請
求項1に記載のポッド。 - 【請求項3】 電磁波漏洩防止対策がポッドの内壁面、
外壁面、あるいは壁材料内に施されたことを特徴とする
請求項1または2に記載のポッド。 - 【請求項4】 電磁波漏洩防止対策がポッドを装着した
際に半導体デバイス製造装置に接触するポッドの部位に
も施されたことを特徴とする請求項3に記載のポッド。 - 【請求項5】 電磁波漏洩防止対策として網目状金属を
使用したことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか
記載のポッド。 - 【請求項6】 電磁波漏洩防止対策として容器に電磁波
をカットする材料を使用するものであることを特徴とす
る請求項1ないし4のいずれか記載のポッド。 - 【請求項7】 周波数が9kHz〜400MHzに対し
て限度値が100dB(μV)以下になるような電磁波
漏洩防止対策を施したことを特徴とする請求項1ないし
6のいずれか記載のポッド。 - 【請求項8】 請求項1ないし7のいずれか記載のポッ
ドを装着する手段と、該ポッドを装着した際にポッドと
接触するアースされた部位を有することを特徴とする半
導体デバイス製造装置。 - 【請求項9】 半導体デバイス製造装置が露光装置であ
ることを特徴とする請求項8に記載の半導体デバイス製
造装置。 - 【請求項10】 請求項8または9に記載の半導体デバ
イス製造装置を用いて半導体デバイスを製造することを
特徴とする半導体デバイス製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10357007A JP2000173911A (ja) | 1998-12-02 | 1998-12-02 | ミニエンバイロメントポッド |
US11/674,283 US20070175838A1 (en) | 1998-12-02 | 2007-02-13 | Mini-environment pod device, an exposure apparatus and a device manufacturing method using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10357007A JP2000173911A (ja) | 1998-12-02 | 1998-12-02 | ミニエンバイロメントポッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000173911A true JP2000173911A (ja) | 2000-06-23 |
Family
ID=18451903
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10357007A Pending JP2000173911A (ja) | 1998-12-02 | 1998-12-02 | ミニエンバイロメントポッド |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070175838A1 (ja) |
JP (1) | JP2000173911A (ja) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4856904A (en) * | 1985-01-21 | 1989-08-15 | Nikon Corporation | Wafer inspecting apparatus |
US4757355A (en) * | 1985-10-29 | 1988-07-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask storing mechanism |
US5006760A (en) * | 1987-01-09 | 1991-04-09 | Motorola, Inc. | Capacitive feed for plasma reactor |
US4841692A (en) * | 1988-01-29 | 1989-06-27 | Donald N. Coupard | Shielded access apparatus for use in an enclosure for preventing propagation of electromagnetic energy into or out of the enclosure |
JP3332425B2 (ja) * | 1992-11-10 | 2002-10-07 | キヤノン株式会社 | 基板保持装置、並びにこれを用いた露光装置と半導体デバイス製造方法 |
JP2000183120A (ja) * | 1998-12-17 | 2000-06-30 | Mitsubishi Electric Corp | プローバ装置及び半導体装置の電気的評価方法 |
US6709291B1 (en) * | 2000-06-22 | 2004-03-23 | Trw Inc. | Apparatus and method for shielding a circuit from electromagnetic interference |
-
1998
- 1998-12-02 JP JP10357007A patent/JP2000173911A/ja active Pending
-
2007
- 2007-02-13 US US11/674,283 patent/US20070175838A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070175838A1 (en) | 2007-08-02 |
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