JP3350718B2 - 基板保持装置および基板保持方法 - Google Patents
基板保持装置および基板保持方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基板ホルダに関し、例え
ばプレート又はウエハ等の基板上に所定の回路パターン
を露光する露光装置の基板ホルダに適用して好適なもの
である。
ばプレート又はウエハ等の基板上に所定の回路パターン
を露光する露光装置の基板ホルダに適用して好適なもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば所定の回路パターンをマス
ク又はウエハ等の感光層を有する基板上に投影する投影
装置の、上記基板を吸着保持する基板ホルダにおいて
は、図２に示すような構成のものがある。
ク又はウエハ等の感光層を有する基板上に投影する投影
装置の、上記基板を吸着保持する基板ホルダにおいて
は、図２に示すような構成のものがある。
【０００３】すなわち図２において１は全体として基板
ホルダを示し、ホルダ部２の吸着面２Ａにプレート又は
ウエハ等の基板３を載置するようになされており、この
ホルダ部２に載置された基板３は、接続チユーブ４及び
電磁弁５を介して所定の真空源から得られる吸着力によ
つてホルダ部２に吸着保持される。
ホルダを示し、ホルダ部２の吸着面２Ａにプレート又は
ウエハ等の基板３を載置するようになされており、この
ホルダ部２に載置された基板３は、接続チユーブ４及び
電磁弁５を介して所定の真空源から得られる吸着力によ
つてホルダ部２に吸着保持される。
【０００４】すなわち図３に示すように、ホルダ部２は
吸着面２Ａに複数の吸引孔２Ｂが形成されており、当該
吸引孔２Ｂは連通孔２Ｃの側面に連通形成されている。
また連通孔２Ｃはホルダ部２の側面に連通され、当該側
面において継手５によつて接続チユーブ４に接続されて
いる。従つて接続チユーブ４を介して得られる所定の真
空源からの真空圧は吸着力として連通孔２Ｃを介して各
吸引孔２Ｂに与えられることにより、吸着面２Ａに載置
された基板３に対して吸着圧が生じるようになされてい
る。
吸着面２Ａに複数の吸引孔２Ｂが形成されており、当該
吸引孔２Ｂは連通孔２Ｃの側面に連通形成されている。
また連通孔２Ｃはホルダ部２の側面に連通され、当該側
面において継手５によつて接続チユーブ４に接続されて
いる。従つて接続チユーブ４を介して得られる所定の真
空源からの真空圧は吸着力として連通孔２Ｃを介して各
吸引孔２Ｂに与えられることにより、吸着面２Ａに載置
された基板３に対して吸着圧が生じるようになされてい
る。
【０００５】ここで図４はホルダ２の吸着面２Ａに形成
された吸引孔２Ｂの配置を示し、基板３の周囲及び中心
部に対応した位置に形成され、これにより基板３を平均
的に吸着するようになされている。かくして例えば基板
３にそり等の変形が生じている場合においても、当該基
板３をホルダ部２の吸着面２Ａに確実に吸着保持して、
当該変形を補正し得るようになされている。
された吸引孔２Ｂの配置を示し、基板３の周囲及び中心
部に対応した位置に形成され、これにより基板３を平均
的に吸着するようになされている。かくして例えば基板
３にそり等の変形が生じている場合においても、当該基
板３をホルダ部２の吸着面２Ａに確実に吸着保持して、
当該変形を補正し得るようになされている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところでこのように基
板３を吸着保持するようになされた基板ホルダ１におい
ては、吸引孔２Ｂの径を大きくすることによつて吸引流
量を多くし、これにより発生する吸着力でそり等の変形
を生じた基板３をホルダ部２の吸着面２Ａに確実に吸着
するようになされている。
板３を吸着保持するようになされた基板ホルダ１におい
ては、吸引孔２Ｂの径を大きくすることによつて吸引流
量を多くし、これにより発生する吸着力でそり等の変形
を生じた基板３をホルダ部２の吸着面２Ａに確実に吸着
するようになされている。
【０００７】ところがこのように吸引孔２Ｂの径を大き
くして吸着圧を高めると、図５に示すように吸着面２Ａ
に基板３が吸着された後に当該吸着圧によつて基板３が
吸引方向に変形する問題があつた。
くして吸着圧を高めると、図５に示すように吸着面２Ａ
に基板３が吸着された後に当該吸着圧によつて基板３が
吸引方向に変形する問題があつた。
【０００８】この問題点を解決するための一つの方法と
して、吸引孔２Ｂの形状を複雑化する方法が考えられる
が、この方法によると形状を複雑化する分、製造工程が
煩雑化する等、解決策としては未だ不十分であつた。
して、吸引孔２Ｂの形状を複雑化する方法が考えられる
が、この方法によると形状を複雑化する分、製造工程が
煩雑化する等、解決策としては未だ不十分であつた。
【０００９】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、吸着孔の形状を複雑化することなく吸着圧による基
板の変形を回避し得る基板ホルダを提案しようとするも
のである。
で、吸着孔の形状を複雑化することなく吸着圧による基
板の変形を回避し得る基板ホルダを提案しようとするも
のである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明では、例えば、基板（３）を吸
着保持する基板保持装置（２０）において、基板（３）
を吸着した後の基板（３）に対する吸着力を、基板
（３）を吸着する前の基板（３）に対する吸着力より小
さい値に設定する吸着力制御手段を設けた構成とした。
また、請求項２記載の発明では、請求項１記載の基板保
持装置（２０）において、前記値を、前記吸着力制御手
段に予め選定された、基板（３）の吸着保持に十分な値
となるように設定する構成とした。また、請求項３記載
の発明では、請求項１または請求項２に記載の基板保持
装置（２０）において、吸着力制御手段が、基板（３）
に対する吸着力を測定する測定手段（２１Ａ、２１Ｂ）
と、前記測定の結果に基づいて前記吸着力を調整する調
整手段（２２）とを備える構成とした。また、請求項４
記載の発明では、請求項３に記載の基板保持装置（２
０）において、調整手段（２２）を電空式とした。ま
た、請求項５記載の発明では、請求項１または請求項２
に記載の基板保持装置（２０）において、第１の真空圧
に設定された第１の真空源と、前記第１の真空圧よりも
低い第２の真空圧に設定された第２の真空源とをさらに
備え、前記吸着力制御手段が、前記第１の真空源と前記
第２の真空源とを切り換えることで、前記吸着力を前記
所定の値に設定するように構成した。また、請求項６記
載の発明では、例えば、真空源から供給された真空圧を
用いて基板（３）を吸着するための吸着手段と、前記吸
着手段の内部圧力に関する値を測定する測定手段（２１
Ａ、２１Ｂ）と、測定手段（２１Ａ、２１Ｂ）で得られ
たその内部圧力値に基づいて、その内部圧力値が基板を
吸着保持するための圧力値に到達する前後で、吸着手段
に吸着された基板（３）が変形しないようにその真空源
から供給された真空圧を変更して制御する制御手段（２
２）と、を備えた基板保持装置（２０）を提供する。ま
た、請求項７記載の発明では、例えば、基板（３）を吸
着するための吸着手段と、前記吸着手段の内部圧力に関
する値を測定する測定手段（２１Ａ、２１Ｂ）と、測定
手段（２１Ａ、２１Ｂ）で得られた値に基づいて、基板
（３）が前記吸着手段に吸着されたことで生じる前記内
部圧力の変化分をなくすように制御する制御手段（２
２）と、を備えた基板保持装置（２０）を提供する。ま
た、請求項８記載の発明では、請求項６または請求項７
のいずれか一項に記載の基板保持装置（２０）におい
て、制御手段（２２）が前記内部圧力を制御する電空式
の調整手段を備えている構成とした。また、請求項９記
載の発明では、請求項６から請求項８までのいずれか一
項に記載の基板保持装置（２０）において、測定手段
（２１Ａ、２１Ｂ）を吸着手段（２）と制御手段（２
２）との間に少なくとも１つ設けられるように構成し
た。また、請求項１０記載の発明では、例えば、基板
（３）を吸着した後の基板（３）に対する吸着力を、基
板（３）を吸着する前の基板（３）に対する吸着力より
小さい値に制御する過程を有する基板保持方法を提供す
る。また、請求項１１記載の発明では、真空源から供給
された真空圧を用いて基板（３）を吸着するための吸着
手段の内部圧力に関する値を測定する過程と、その内部
圧力に関する値がその基板（３）を吸着保持するための
圧力値に到達する前後で、その基板の吸着に用いる真空
圧をその基板が変形しないように変更して制御する過程
とを備えた基板保持方法を提供する。また、請求項１２
記載の発明では、基板（３）を吸着するための吸着手段
の内部圧力に関する値を測定する過程と、前記測定によ
り得られた値に基づいて、基板（３）が前記吸着手段に
吸着されたことで生じる前記内部圧力の変化分をなくす
ように該内部圧力を制御する過程とを備える基板保持方
法を提供する。また、請求項１３記載の発明では、基板
（３）の吸着に先だって基板（３）を前記吸着手段に搬
送する過程を含んだ請求項１０から１２のいずれか一項
に記載の基板保持方法を提供する。また、請求項１４記
載の発明では、真空圧が供給される吸着手段（２）の内
部圧力によってその吸着手段で基板（３）を吸着保持す
る基板保持装置（２０）において、第１の真空圧をその
吸着手段に供給して前記基板の吸着を開始した後、その
内部圧力が第１の真空圧と大気圧との間の第２の真空圧
に達したときに、その内部圧力がほぼ当該第２の真空圧
となるように調整する調整手段（２２）を備える構成と
した。
に、請求項１記載の発明では、例えば、基板（３）を吸
着保持する基板保持装置（２０）において、基板（３）
を吸着した後の基板（３）に対する吸着力を、基板
（３）を吸着する前の基板（３）に対する吸着力より小
さい値に設定する吸着力制御手段を設けた構成とした。
また、請求項２記載の発明では、請求項１記載の基板保
持装置（２０）において、前記値を、前記吸着力制御手
段に予め選定された、基板（３）の吸着保持に十分な値
となるように設定する構成とした。また、請求項３記載
の発明では、請求項１または請求項２に記載の基板保持
装置（２０）において、吸着力制御手段が、基板（３）
に対する吸着力を測定する測定手段（２１Ａ、２１Ｂ）
と、前記測定の結果に基づいて前記吸着力を調整する調
整手段（２２）とを備える構成とした。また、請求項４
記載の発明では、請求項３に記載の基板保持装置（２
０）において、調整手段（２２）を電空式とした。ま
た、請求項５記載の発明では、請求項１または請求項２
に記載の基板保持装置（２０）において、第１の真空圧
に設定された第１の真空源と、前記第１の真空圧よりも
低い第２の真空圧に設定された第２の真空源とをさらに
備え、前記吸着力制御手段が、前記第１の真空源と前記
第２の真空源とを切り換えることで、前記吸着力を前記
所定の値に設定するように構成した。また、請求項６記
載の発明では、例えば、真空源から供給された真空圧を
用いて基板（３）を吸着するための吸着手段と、前記吸
着手段の内部圧力に関する値を測定する測定手段（２１
Ａ、２１Ｂ）と、測定手段（２１Ａ、２１Ｂ）で得られ
たその内部圧力値に基づいて、その内部圧力値が基板を
吸着保持するための圧力値に到達する前後で、吸着手段
に吸着された基板（３）が変形しないようにその真空源
から供給された真空圧を変更して制御する制御手段（２
２）と、を備えた基板保持装置（２０）を提供する。ま
た、請求項７記載の発明では、例えば、基板（３）を吸
着するための吸着手段と、前記吸着手段の内部圧力に関
する値を測定する測定手段（２１Ａ、２１Ｂ）と、測定
手段（２１Ａ、２１Ｂ）で得られた値に基づいて、基板
（３）が前記吸着手段に吸着されたことで生じる前記内
部圧力の変化分をなくすように制御する制御手段（２
２）と、を備えた基板保持装置（２０）を提供する。ま
た、請求項８記載の発明では、請求項６または請求項７
のいずれか一項に記載の基板保持装置（２０）におい
て、制御手段（２２）が前記内部圧力を制御する電空式
の調整手段を備えている構成とした。また、請求項９記
載の発明では、請求項６から請求項８までのいずれか一
項に記載の基板保持装置（２０）において、測定手段
（２１Ａ、２１Ｂ）を吸着手段（２）と制御手段（２
２）との間に少なくとも１つ設けられるように構成し
た。また、請求項１０記載の発明では、例えば、基板
（３）を吸着した後の基板（３）に対する吸着力を、基
板（３）を吸着する前の基板（３）に対する吸着力より
小さい値に制御する過程を有する基板保持方法を提供す
る。また、請求項１１記載の発明では、真空源から供給
された真空圧を用いて基板（３）を吸着するための吸着
手段の内部圧力に関する値を測定する過程と、その内部
圧力に関する値がその基板（３）を吸着保持するための
圧力値に到達する前後で、その基板の吸着に用いる真空
圧をその基板が変形しないように変更して制御する過程
とを備えた基板保持方法を提供する。また、請求項１２
記載の発明では、基板（３）を吸着するための吸着手段
の内部圧力に関する値を測定する過程と、前記測定によ
り得られた値に基づいて、基板（３）が前記吸着手段に
吸着されたことで生じる前記内部圧力の変化分をなくす
ように該内部圧力を制御する過程とを備える基板保持方
法を提供する。また、請求項１３記載の発明では、基板
（３）の吸着に先だって基板（３）を前記吸着手段に搬
送する過程を含んだ請求項１０から１２のいずれか一項
に記載の基板保持方法を提供する。また、請求項１４記
載の発明では、真空圧が供給される吸着手段（２）の内
部圧力によってその吸着手段で基板（３）を吸着保持す
る基板保持装置（２０）において、第１の真空圧をその
吸着手段に供給して前記基板の吸着を開始した後、その
内部圧力が第１の真空圧と大気圧との間の第２の真空圧
に達したときに、その内部圧力がほぼ当該第２の真空圧
となるように調整する調整手段（２２）を備える構成と
した。
【００１１】
【作用】基板３が吸着される前では、基板３及び吸着面
２Ａ間の隙間から外部の空気が吸引孔２Ｂに吸い込まれ
ることにより、真空源の吸着力を大きくしても基板３の
吸着圧はほぼ大気解放状態となるのに対して、基板３が
吸着面２Ａに完全に吸着されると、基板３及び吸着面２
Ａ間が密着状態となることにより、基板３の吸着圧が上
昇する。従つて基板吸着後において真空源の吸着力を吸
着力制御手段２１Ａ、２１Ｂ、２２によつて所定の値に
低下させることにより、基板３に対する吸着圧の過大な
上昇を防止することができる。
２Ａ間の隙間から外部の空気が吸引孔２Ｂに吸い込まれ
ることにより、真空源の吸着力を大きくしても基板３の
吸着圧はほぼ大気解放状態となるのに対して、基板３が
吸着面２Ａに完全に吸着されると、基板３及び吸着面２
Ａ間が密着状態となることにより、基板３の吸着圧が上
昇する。従つて基板吸着後において真空源の吸着力を吸
着力制御手段２１Ａ、２１Ｂ、２２によつて所定の値に
低下させることにより、基板３に対する吸着圧の過大な
上昇を防止することができる。
【００１２】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
する。
【００１３】図２との対応部分に同一符号を付して示す
図１において、基板ホルダ２０は真空源及び電磁弁５間
に真空レギユレータ２２及び第１の真空センサ２１Ａが
介挿されていると共に、電磁弁５及びホルダ部２間に第
２の真空センサ２１Ｂが介挿されている。
図１において、基板ホルダ２０は真空源及び電磁弁５間
に真空レギユレータ２２及び第１の真空センサ２１Ａが
介挿されていると共に、電磁弁５及びホルダ部２間に第
２の真空センサ２１Ｂが介挿されている。
【００１４】従つて真空源において発生した真空圧（吸
着力）は、真空レギユレータ２２においてその圧力が所
定圧に調整された後、第１及び第２の真空センサ２１Ａ
及び２１Ｂを介してホルダ部２に与えられ、これにより
当該ホルダ部２の吸引孔２Ｂ（図３）において吸着面２
Ａに載置された基板３に対する吸着圧を生じる。
着力）は、真空レギユレータ２２においてその圧力が所
定圧に調整された後、第１及び第２の真空センサ２１Ａ
及び２１Ｂを介してホルダ部２に与えられ、これにより
当該ホルダ部２の吸引孔２Ｂ（図３）において吸着面２
Ａに載置された基板３に対する吸着圧を生じる。
【００１５】ここで真空センサ２１Ａ及び２１Ｂはホル
ダ部２の吸着面２Ａに吸着された基板３に対する吸着圧
を検出するようになされており、当該検出結果に基づい
て真空レギユレータ２２の設定圧を調整するようになさ
れている。
ダ部２の吸着面２Ａに吸着された基板３に対する吸着圧
を検出するようになされており、当該検出結果に基づい
て真空レギユレータ２２の設定圧を調整するようになさ
れている。
【００１６】以上の構成において、基板ホルダ２０は所
定の搬送装置（図示せず）によつてホルダ部２の吸着面
２Ａに基板３を載置する。ここで真空レギユレータ２２
を最高真空圧に制御することにより、吸着面２Ａに載置
された基板３を最も大きな吸着力で吸着する。このとき
ホルダ部２の内部圧力（すなわち吸引孔２Ｂの内部圧
力）は、基板３が吸着される前では、基板３及び吸着面
２Ａ間の隙間から外部の空気が吸引孔２Ｂに吸い込まれ
ることにより、ほぼ大気解放状態となつており、このと
き真空センサ２１Ａ及び２１Ｂにおいて検出される圧力
値も同様の値となる。
定の搬送装置（図示せず）によつてホルダ部２の吸着面
２Ａに基板３を載置する。ここで真空レギユレータ２２
を最高真空圧に制御することにより、吸着面２Ａに載置
された基板３を最も大きな吸着力で吸着する。このとき
ホルダ部２の内部圧力（すなわち吸引孔２Ｂの内部圧
力）は、基板３が吸着される前では、基板３及び吸着面
２Ａ間の隙間から外部の空気が吸引孔２Ｂに吸い込まれ
ることにより、ほぼ大気解放状態となつており、このと
き真空センサ２１Ａ及び２１Ｂにおいて検出される圧力
値も同様の値となる。
【００１７】これに対して基板３が吸着面２Ａに完全に
吸着されると、基板３及び吸着面２Ａ間が密着状態とな
ることにより、ホルダ部２の内部圧力は上昇を開始し、
このとき真空センサ２１Ａ及び２１Ｂにおいて検出され
る圧力値も同様にして上昇する。
吸着されると、基板３及び吸着面２Ａ間が密着状態とな
ることにより、ホルダ部２の内部圧力は上昇を開始し、
このとき真空センサ２１Ａ及び２１Ｂにおいて検出され
る圧力値も同様にして上昇する。
【００１８】ここで基板ホルダ２０の制御部（図示せ
ず）においては、基板３をホルダ部２に確実に吸着保持
し得る保持圧力値を予め設定しており、真空センサ２１
Ａ及び２１Ｂが当該圧力値を示すと、真空レギユレータ
２２を制御して当該真空レギユレータ２２の設定圧を低
下させることにより吸着力を低下させる。この結果、ホ
ルダ部２の内部圧力（吸着圧）の上昇が抑えられ、真空
センサ２１Ａ及び２１Ｂの圧力値をこのときの値（保持
圧力値）に保つようにフイードバツクをかけることがで
きる。
ず）においては、基板３をホルダ部２に確実に吸着保持
し得る保持圧力値を予め設定しており、真空センサ２１
Ａ及び２１Ｂが当該圧力値を示すと、真空レギユレータ
２２を制御して当該真空レギユレータ２２の設定圧を低
下させることにより吸着力を低下させる。この結果、ホ
ルダ部２の内部圧力（吸着圧）の上昇が抑えられ、真空
センサ２１Ａ及び２１Ｂの圧力値をこのときの値（保持
圧力値）に保つようにフイードバツクをかけることがで
きる。
【００１９】このように基板３の吸着後のホルダ部２の
内部圧力が吸着前の内部圧力に比べて大きくなることに
着目し、当該内部圧力が一定となるように圧力制御する
ことにより、基板３を不必要に過大な吸着圧で吸着する
ことを回避し得る。
内部圧力が吸着前の内部圧力に比べて大きくなることに
着目し、当該内部圧力が一定となるように圧力制御する
ことにより、基板３を不必要に過大な吸着圧で吸着する
ことを回避し得る。
【００２０】以上の構成によれば、吸着面２Ａに基板３
を吸着保持する際に当該基板３に対する真空源の吸着力
を基板３の吸着前よりも吸着後において小さくすること
により、基板３を不必要に過大な吸着圧で吸着すること
を回避し得、これにより当該吸着圧による基板３の変形
を防止することができる。
を吸着保持する際に当該基板３に対する真空源の吸着力
を基板３の吸着前よりも吸着後において小さくすること
により、基板３を不必要に過大な吸着圧で吸着すること
を回避し得、これにより当該吸着圧による基板３の変形
を防止することができる。
【００２１】因に真空レギユレータ２２を用いて吸着力
を制御するようにしたことにより、ホルダ部２の吸引孔
２Ｂの形状を単純化しても吸着後における基板３の吸着
圧による変形を防止することができ、この分製造工程を
簡略化することができる。
を制御するようにしたことにより、ホルダ部２の吸引孔
２Ｂの形状を単純化しても吸着後における基板３の吸着
圧による変形を防止することができ、この分製造工程を
簡略化することができる。
【００２２】なお上述の実施例においては、第１及び第
２の真空センサ２１Ａ及び２１Ｂを設けた場合について
述べたが、本発明はこれに限らず、第１又は第２の真空
センサ２１Ａ又は２１Ｂだけを用いるようにしても上述
の場合と同様の効果を得ることができる。
２の真空センサ２１Ａ及び２１Ｂを設けた場合について
述べたが、本発明はこれに限らず、第１又は第２の真空
センサ２１Ａ又は２１Ｂだけを用いるようにしても上述
の場合と同様の効果を得ることができる。
【００２３】また上述の実施例においては、基板３の吸
着後において真空センサ２１Ａ及び２１Ｂの検出圧力値
を予め設定された所定値に保つように真空レギユレータ
２２を圧力制御するようにした場合について述べたが、
本発明はこれに限らず、基板３の吸着後において真空レ
ギユレータ２２の設定圧を予め設定された圧力値に制御
するようなオープン制御をするようにしても良い。
着後において真空センサ２１Ａ及び２１Ｂの検出圧力値
を予め設定された所定値に保つように真空レギユレータ
２２を圧力制御するようにした場合について述べたが、
本発明はこれに限らず、基板３の吸着後において真空レ
ギユレータ２２の設定圧を予め設定された圧力値に制御
するようなオープン制御をするようにしても良い。
【００２４】さらに上述の実施例においては、真空レギ
ユレータ２２によつて真空圧を調整するようにした場合
について述べたが、本発明はこれに限らず、高い真空圧
及び低い真空圧に設定された２つの真空源を電磁弁等を
用いて切り換えるようにしても良い。また真空レギユレ
ータの代わりに、電空比例弁を用いて真空圧を制御させ
ても良い。
ユレータ２２によつて真空圧を調整するようにした場合
について述べたが、本発明はこれに限らず、高い真空圧
及び低い真空圧に設定された２つの真空源を電磁弁等を
用いて切り換えるようにしても良い。また真空レギユレ
ータの代わりに、電空比例弁を用いて真空圧を制御させ
ても良い。
【００２５】
【発明の効果】以上のように、各請求項に記載された発
明によれば、基板を過大な吸着圧で吸着することを回避
することができ、これにより当該吸着圧により基板の変
形を防止することが可能となる。
明によれば、基板を過大な吸着圧で吸着することを回避
することができ、これにより当該吸着圧により基板の変
形を防止することが可能となる。
【図１】本発明による基板ホルダの一実施例を示す略線
的側面図である。
的側面図である。
【図２】従来の基板ホルダを示す略線的側面図である。
【図３】ホルダ部の構成を示す断面図である。
【図４】吸引孔の配置を示す平面図である。
【図５】基板の吸着状態を示す断面図である。
１、２０……基板ホルダ、２……ホルダ部、２Ａ……吸
着面、２Ｂ……吸引孔、３……基板、４……接続チユー
ブ、５……電磁弁、２１Ａ、２１Ｂ……真空センサ、２
２……真空レギユレータ。
着面、２Ｂ……吸引孔、３……基板、４……接続チユー
ブ、５……電磁弁、２１Ａ、２１Ｂ……真空センサ、２
２……真空レギユレータ。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−46030（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−174734（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−30330（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−32629（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−72323（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−105841（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−71215（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (14)
- 【請求項１】 基板を吸着保持する基板保持装置におい
て、 前記基板を吸着した後の前記基板に対する吸着力を、前
記基板を吸着する前の前記基板に対する吸着力より小さ
い値に設定する吸着力制御手段を備えることを特徴とす
る基板保持装置。 - 【請求項２】 前記値は、前記吸着力制御手段に予め設
定されている、前記基板の吸着保持に十分な値であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の基板保持装置。 - 【請求項３】 前記吸着力制御手段は、 前記基板に対する吸着圧を測定する測定手段と、 前記測定の結果に基づいて前記吸着力を調整する調整手
段とを備えることを特徴とする請求項１または請求項２
に記載の基板保持装置。 - 【請求項４】 前記調整手段は、電空式であることを特
徴とする請求項３に記載の基板保持装置。 - 【請求項５】 第１の真空圧に設定された第１の真空源
と、前記第１の真空圧よりも低い第２の真空圧に設定さ
れた第２の真空源とをさらに備え、 前記吸着力制御手段は、前記第１の真空源と前記第２の
真空源とを切り換えることで、前記吸着力を前記値に設
定することを特徴とする請求項１または請求項２に記載
の基板保持装置。 - 【請求項６】 基板を吸着保持する基板保持装置におい
て、 真空源から供給された真空圧を用いて前記基板を吸着す
るための吸着手段と、 前記吸着手段の内部圧力に関する値を測定する測定手段
と、 前記測定手段で得られた前記内部圧力値に基づいて、前
記内部圧力値が前記基板を吸着保持するための圧力値に
到達する前後で、前記真空源から供給された前記真空圧
を前記吸着手段に吸着された前記基板が変形しないよう
に変更して制御する制御手段とを備えたことを特徴とす
る基板保持装置。 - 【請求項７】 基板を吸着保持する基板保持装置におい
て、 前記基板を吸着するための吸着手段と、 前記吸着手段の内部圧力に関する値を測定する測定手段
と、 前記測定手段で得られた値に基づいて、前記基板が前記
吸着手段に吸着されたことで生じる前記内部圧力の変化
分をなくすように制御する制御手段とを備えることを特
徴とする 基板保持装置。 - 【請求項８】 前記制御手段は、前記内部圧力を制御す
る電空式の調整手段を備えることを特徴とする請求項６
または請求項７のいずれか一項に記載の基板保持装置。 - 【請求項９】 前記測定手段は、前記吸着手段と前記制
御手段との間に設けられていることを特徴とする請求項
６から請求項８のいずれか一項に記載の基板保持装置。 - 【請求項１０】 基板を吸着して保持する基板保持方法
において、 前記基板を吸着した後の前記基板に対する吸着力を、前
記基板を吸着する前の前記基板に対する吸着力より小さ
い値に制御することを特徴とする基板保持方法。 - 【請求項１１】 基板を吸着して保持する基板保持方法
において、 真空源から供給された真空圧を用いて前記基板を吸着す
るための吸着手段の内部圧力に関する値を測定する過程
と、 前記内部圧力に関する値が前記基板を吸着保持するため
の圧力値に到達する前後で、前記真空源から供給された
前記真空圧を前記基板が変形しないように変更して制御
する過程とを備えることを特徴とする 基板保持方法。 - 【請求項１２】 基板を吸着して保持する基板保持方法
において、 前記基板を吸着するための吸着手段の内部圧力に関する
値を測定する過程と、 前記測定により得られた値に基づいて、前記基板が前記
吸着手段に吸着されたことで生じる前記内部圧力の変化
分をなくすように該内部圧力を制御する過程とを備える
ことを特徴とする 基板保持方法。 - 【請求項１３】 請求項１０から１２のいずれか一項に
記載の基板保持方法において、 前記基板の吸着に先立って前記基板を前記吸着手段に搬
送する過程を含むことを特徴とする 基板保持方法。 - 【請求項１４】 真空圧が供給される吸着手段の内部圧
力によって前記吸着 手段で基板を吸着保持する基板保持
装置において、 第１の真空圧を前記吸着手段に供給して前記基板の吸着
を開始した後、前記内部圧力が前記第１の真空圧と大気
圧との間の第２の真空圧に達したときに、前記内部圧力
がほぼ当該第２の真空圧となるように調整する調整手段
を備えることを特徴とする 基板保持装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4056293A JP3350718B2 (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | 基板保持装置および基板保持方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4056293A JP3350718B2 (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | 基板保持装置および基板保持方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06232023A JPH06232023A (ja) | 1994-08-19 |
| JP3350718B2 true JP3350718B2 (ja) | 2002-11-25 |
Family
ID=12583909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4056293A Expired - Lifetime JP3350718B2 (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | 基板保持装置および基板保持方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3350718B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011191755A (ja) * | 2010-02-18 | 2011-09-29 | Nsk Ltd | 露光方法及び基板の製造方法並びに露光装置 |
-
1993
- 1993-02-03 JP JP4056293A patent/JP3350718B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06232023A (ja) | 1994-08-19 |
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