JP6322606B2 - 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 99
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 64
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 10
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 claims description 231
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 58
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 48
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 28
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 19
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 87
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 67
- 230000008569 process Effects 0.000 description 42
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 29
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 29
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 24
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 22
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 17
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 15
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 7
- 238000011161 development Methods 0.000 description 7
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 5
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000035508 accumulation Effects 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000005477 standard model Effects 0.000 description 1
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
(a) いずれの保持部においても吸引異常が検出されていない場合に、第一主弁、第二主弁及び第三主弁を開き、全ての副弁を閉じること、
(b) 一部の保持部において吸引異常が検出され、他の保持部において吸引異常が検出されていない場合に、吸引異常が検出された保持部に対応する第三主弁を閉じ、当該第三主弁に対応する副弁を開くこと、
(c) 上記(b)により保持部の吸引異常が解消した場合に、当該保持部に対応する第二主管路のうち、第一接続点と第二接続点との間(以下、「第一部分」という。)が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
(d) 上記(b)により保持部の吸引異常が解消しない場合に、当該保持部に対応する第二主管路のうち、第二接続点と保持部との間(以下、「第二部分」という。)が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
(e) 吸引異常の原因箇所を報知すること、
を実行するように構成されていてもよい。
(f) 上記(c)の後、上記(e)の前に、吸引異常の原因箇所に対応する第一接続点に隣接する全ての第二主弁を閉じ、当該第一接続点に対して第一主弁の逆側に位置する全ての第三主弁を閉じ、当該全ての第三主弁にそれぞれ対応する全ての副弁を開くこと、
(g) 上記(d)の後、上記(e)の前に、吸引異常の原因箇所に対応する第二副管路の副弁を閉じること、
を更に実行するように構成されていてもよい。
(h) いずれかの第二主弁に対して第一主弁の逆側に位置する複数の保持部の全てにおいて吸引異常が検出され、上記(b)により当該複数の保持部の全てにおいて吸引異常が解消した場合に、当該第二主弁を挟む二つの第一接続点同士の間(以下、「第三部分」という。)が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
を更に実行し、上記(h)を実行する場合には上記(d)を実行しないように構成されていてもよい。
(i) 上記(h)の後、上記(e)の前に、吸引異常の原因箇所を挟む二つの第二主弁を閉じ、吸引異常の原因箇所の両端部をなす二つの第一接続点と、当該二つの第一接続点に対して第一主弁の逆側に位置する全ての第一接続点とにそれぞれ接続された複数の第三主弁を閉じ、当該複数の第三主弁にそれぞれ対応する複数の副弁を開くこと、
を更に実行するように構成されていてもよい。
(j) 全ての保持部において吸引異常が検出された場合に、第一主弁を閉じ、全ての副弁を開くこと、
(k) 上記(j)により吸引異常が解消した場合に、第一主管路のうち、全ての第一接続点に比べ負圧の発生源側に位置する部分(以下、「第四部分」という。)が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
を更に実行し、上記(j)を実行する場合には上記(b)を実行しないように構成されていてもよい。
(l) 上記(k)の後、上記(e)の前に、全ての第三主弁を閉じること、
を更に実行するように構成されていてもよい。
(m) 上記(j)により吸引異常が解消しない場合には、全ての第三主弁を閉じること、
(n) 上記(m)により吸引異常が解消しない場合に、第一主管路及び第一副管路と負圧の発生源との間(以下、「第五部分」という。)が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
を更に実行するように構成されていてもよい。
(o) 上記(m)により吸引異常が解消した場合に、第三主弁を順次開くこと、
(p) 上記(o)により吸引異常が再発した場合に、再発直前に開放した第三主弁と、当該第三主弁に隣接する弁との間が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
を更に実行するように構成されていてもよい。
(q) センサによる検出値から複数種類の特徴量を抽出し、複数種類の特徴量の発生確率を算出し、当該発生確率に基づいて吸引異常を検出すること、
を更に実行するように構成されていてもよい。
(a) いずれの保持部においても吸引異常が検出されていない場合に、第一主弁、第二主弁及び第三主弁を開き、全ての副弁を閉じること、
(b) 一部の保持部において吸引異常が検出され、他の保持部において吸引異常が検出されていない場合に、吸引異常が検出された保持部に対応する第三主弁を閉じ、当該第三主弁に対応する副弁を開くこと、
(c) 上記(b)により保持部の吸引異常が解消した場合に、当該保持部に対応する第二主管路のうち、第一接続点と第二接続点との間が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
(d) 上記(b)により保持部の吸引異常が解消しない場合に、当該保持部に対応する第二主管路のうち、第二接続点と保持部との間が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
(e) 吸引異常の原因箇所を報知すること、
を含む。
(q) センサによる検出値から複数種類の特徴量を抽出し、複数種類の特徴量の発生確率を算出し、当該発生確率に基づいて吸引異常を検出すること、
を更に含んでもよい。
基板処理システム1は、塗布・現像装置2と露光装置3とを備える。露光装置3は、レジスト膜(感光性被膜)の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置2は、露光装置3による露光処理の前に、ウェハW(基板)の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。
続いて、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置2の構成を説明する。図1〜図3に示すように、塗布・現像装置2は、キャリアブロック4と、処理ブロック5と、インターフェースブロック6と、コントローラ100とを備える。
以下、塗布・現像装置2において処理対象のウェハWを保持する機構について説明する。この機構は、図4に示すように、複数のチャックC1(保持部)と、真空ポンプ30(負圧の発生源)と、吸引管路網40とを備える。複数のチャックC1は、複数のウェハWを吸引によりそれぞれ保持する。吸引管路網40は、真空ポンプ30から各チャックC1に吸引用の負圧を伝達する。
コントローラ100は、第一主弁55、第二主弁56、第三主弁57、第一副弁63及び第二副弁64を制御するように構成されている。更にコントローラ100は、熱板21の温度センサ23による検出値に基づいて、チャックC1における吸引異常を検出するように構成されていてもよい。吸引異常とは、ウェハWの反りを十分に矯正できない程度に吸引力が低下することを意味する。ウェハWの反りの十分な矯正とは、ウェハWに対する処理の均一性を保つのに十分な矯正(例えば熱板21上におけるウェハWの温度の均一性を保つのに十分な矯正)を意味する。以下、コントローラ100の具体的な構成例を説明する。
続いて、塗布・現像装置2による基板処理方法の一例として、チャックC1の吸引状態の管理手順を説明する。この手順は、第一主弁55、第二主弁56、第三主弁57、第一副弁63及び第二副弁64をコントローラ100が制御することで実行される。この手順の開始前においては、いずれのチャックC1においても吸引異常は検出されていないものとする。
続いて、基準モデルの構築手順を説明する。図8に示すように、コントローラ100は、まずステップS101を実行する。ステップS101において、コントローラ100は、吸引異常が生じていない状態にて、吸引状態に関連するデータを取得し、蓄積する。一例として、ウェハWがチャックC1により保持された後の熱板21の温度推移を温度データ取得部111が温度センサ23から取得し、記憶部114に蓄積する。
一例として、基準モデル導出部115は、蓄積されたデータごとに複数の特徴量を抽出し、その平均値及び分散共分散行列をパラメータとする多次元正規分布を基準モデルとして導出する。
続いて、吸引状態の判定手順を説明する。この手順において、コントローラ100は、温度センサ23による検出値から複数種類の特徴量を抽出し、複数種類の特徴量の発生確率を算出し、当該発生確率に基づいて吸引異常を検出する。コントローラ100は、上記発生確率が閾値を下回るのに応じて吸引異常を検出してもよい。コントローラ100は、繰り返し算出された複数の発生確率が下降傾向を示すのに応じて吸引異常を検出してもよい。
続いて、吸引異常の原因箇所の探索手順を説明する。図12に示すように、コントローラ100は、まずステップS301を実行する。ステップS301では、探索方式設定部118が、吸引異常が検出されたチャックC1は一つであるかを確認する(以下、吸引異常が検出されていることを「異常状態」という。)。
続いて第一探索処理について説明する。図13に示すように、コントローラ100は、まずステップS401を実行する。ステップS401では、異常状態のチャックC1に対応する第三主弁57を閉じ、当該第三主弁57に対応する第二副弁64と、第一副弁63とを開く指令を探索部119が弁制御部112に出力する。これに応じ、弁制御部112は、当該第三主弁57を閉じ、当該第二副弁64及び第一副弁63を開く。
続いて第二探索処理について説明する。上述したように第二探索処理は、いずれかの第二主弁56に対して第一主弁55の逆側に位置する複数のチャックC1の全てにおいて吸引異常が検出されていると判定した場合に実行される。以下、当該第二主弁56を「起点の第二主弁56」という。
続いて第三探索処理について説明する。図15に示すように、コントローラ100は、まずステップS601を実行する。ステップS601では、第一主弁55を閉じ、第一副弁63を開き、全ての第二副弁64を開く指令を探索部119が弁制御部112に出力する。これに応じ、弁制御部112は、第一主弁55を閉じ、第一副弁63を開き、全ての第二副弁64を開く。第一主弁55を閉じること、第一副弁63を開くこと、及び第二副弁64を開くことはどのような順番で実行されてもよいし、同時に実行されてもよい。
続いて、第四探索処理について説明する。第四探索処理において、コントローラ100は、第三主弁57を順次開くこと、第三主弁57の順次開く過程で吸引異常が再発した場合に、再発直前に開いた第三主弁57と、当該第三主弁57に隣接する弁との間が吸引異常の原因箇所であると判定することを実行する。
以上に説明したように、塗布・現像装置2は、複数のチャックC1と、主管路網50と、副管路網60とを備える。主管路網50は、第一主管路51と、複数の第二主管路52と、第一主弁55と、複数の第二主弁56と、複数の第三主弁57とを有する。副管路網60は、第一副管路61と、第二副管路62と、複数の第二副弁64とを有する。
(a) いずれのチャックC1においても吸引異常が検出されていない場合に、第一主弁55、第二主弁56及び第三主弁57を開き、第一副弁63及び全ての第二副弁64を閉じること、
(b) 一部のチャックC1において吸引異常が検出され、他のチャックC1において吸引異常が検出されていない場合に、吸引異常が検出されたチャックC1に対応する第三主弁57を閉じ、当該第三主弁57に対応する第二副弁64を開くこと、
(c) 上記(b)によりチャックC1の吸引異常が解消した場合に、当該チャックC1に対応する第二主管路52のうち、第一接続点53と第二接続点54との間(第一部分P1)が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
(d) 上記(b)によりチャックC1の吸引異常が解消しない場合に、当該チャックC1に対応する第二主管路52のうち、第一接続点53とチャックC1との間(第二部分P2)が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
(e) 吸引異常の原因箇所を報知すること、を実行するように構成されていてもよい。
(f) 上記(c)の後、上記(e)の前に、第一部分P1に対応する第一接続点53に隣接する全ての第二主弁56を閉じ、当該第一接続点53に対して第一主弁55の逆側に位置する全ての第三主弁57を閉じ、当該全ての第三主弁57にそれぞれ対応する全ての第二副弁64を開くこと、
(g) 上記(d)の後、上記(e)の前に、第二部分P2に対応する第二副管路62の第二副弁64を閉じること、
を更に実行するように構成されていてもよい。
(h) いずれかの第二主弁56に対して第一主弁55の逆側に位置する複数のチャックC1の全てにおいて吸引異常が検出され、上記(b)により当該複数のチャックC1の全てにおいて吸引異常が解消した場合に、当該第二主弁56を挟む二つの第一接続点53同士の間(第三部分P3)が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
を更に実行し、上記(h)を実行する場合には上記(d)を実行しないように構成されていてもよい。
(i) 上記(h)の後、上記(e)の前に、吸引異常の原因箇所を挟む二つの第二主弁56を閉じ、吸引異常の原因箇所の両端部をなす二つの第一接続点53と、当該二つの第一接続点53に対して第一主弁55の逆側に位置する全ての第一接続点53とにそれぞれ接続された複数の第三主弁57を閉じ、当該複数の第三主弁57にそれぞれ対応する複数の第二副弁64を開くこと、
を更に実行するように構成されていてもよい。
(j) 全てのチャックC1において吸引異常が検出された場合に、第一主弁55を閉じ、全ての第二副弁64を開くこと、
(k) 上記(j)により吸引異常が解消した場合に、第一主管路51のうち、全ての第一接続点53に比べ真空ポンプ30側に位置する部分が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
を更に実行し、上記(j)を実行する場合には上記(b)を実行しないように構成されていてもよい。
(l) 上記(k)の後、上記(e)の前に、全ての第三主弁57を閉じること、
を更に実行するように構成されていてもよい。
(m) 上記(j)により吸引異常が解消しない場合には、全ての第三主弁57を閉じること、
(n) 上記(m)により吸引異常が解消しない場合に、第一主管路51及び第一副管路61と真空ポンプ30との間が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
を更に実行するように構成されていてもよい。
(o) 上記(m)により吸引異常が解消した場合に、第三主弁57を順次開くこと、
(p) 上記(o)により吸引異常が再発した場合に、再発直前に開放した第三主弁57と、当該第三主弁57に隣接する弁との間が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
を更に実行するように構成されていてもよい。
(q) 温度センサ23による検出値から複数種類の特徴量を抽出し、上記複数種類の特徴量の発生確率を算出し、当該発生確率に基づいて吸引異常を検出すること、
を更に実行するように構成されていてもよい。
Claims (17)
- 複数の基板を吸引によりそれぞれ保持する複数の保持部と、
吸引用の負圧を前記保持部に伝達する主管路網及び副管路網と、を備え、
前記主管路網は、
負圧の発生源に接続された第一主管路と、
前記第一主管路に沿って並ぶ複数の第一接続点においてそれぞれ前記第一主管路から延出し、前記複数の保持部にそれぞれ接続された複数の第二主管路と、
前記複数の第二主管路と前記負圧の発生源との間に介在するように前記第一主管路に設けられた第一主弁と、
隣り合う前記第一接続点同士の間にそれぞれ介在するように前記第一主管路に設けられた複数の第二主弁と、
前記複数の第二主管路にそれぞれ設けられた複数の第三主弁とを有し、
前記副管路網は、
前記負圧の発生源に接続された第一副管路と、
前記第一副管路から延出し、前記保持部と前記第三主弁との間の第二接続点において前記複数の第二主管路にそれぞれ接続された複数の第二副管路と、
前記複数の第二副管路にそれぞれ設けられた複数の副弁とを有する、基板処理装置。 - 前記第一主弁、前記第二主弁、前記第三主弁及び前記副弁を制御するコントローラを更に備え、
前記コントローラは、
(a) いずれの前記保持部においても吸引異常が検出されていない場合に、前記第一主弁、前記第二主弁及び前記第三主弁を開き、全ての前記副弁を閉じること、
(b) 一部の前記保持部において吸引異常が検出され、他の前記保持部において吸引異常が検出されていない場合に、吸引異常が検出された前記保持部に対応する前記第三主弁を閉じ、当該第三主弁に対応する前記副弁を開くこと、
(c) 前記(b)により前記保持部の吸引異常が解消した場合に、当該保持部に対応する前記第二主管路のうち、前記第一接続点と前記第二接続点との間が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
(d) 前記(b)により前記保持部の吸引異常が解消しない場合に、当該保持部に対応する前記第二主管路のうち、前記第二接続点と前記保持部との間が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
(e) 前記吸引異常の原因箇所を報知すること、
を実行するように構成されている、請求項1記載の基板処理装置。 - 前記コントローラは、
(f) 前記(c)の後、前記(e)の前に、前記吸引異常の原因箇所に対応する前記第一接続点に隣接する全ての前記第二主弁を閉じ、当該第一接続点に対して前記第一主弁の逆側に位置する全ての前記第三主弁を閉じ、当該全ての第三主弁にそれぞれ対応する全ての前記副弁を開くこと、
(g) 前記(d)の後、前記(e)の前に、前記吸引異常の原因箇所に対応する前記第二副管路の副弁を閉じること、
を更に実行するように構成されている、請求項2記載の基板処理装置。 - 前記コントローラは、
(h) いずれかの前記第二主弁に対して前記第一主弁の逆側に位置する複数の前記保持部の全てにおいて吸引異常が検出され、前記(b)により当該複数の保持部の全てにおいて吸引異常が解消した場合に、当該第二主弁を挟む二つの前記第一接続点同士の間が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
を更に実行し、前記(h)を実行する場合には前記(d)を実行しないように構成されている、請求項2又は3記載の基板処理装置。 - 前記コントローラは、
(i) 前記(h)の後、前記(e)の前に、前記吸引異常の原因箇所を挟む二つの前記第二主弁を閉じ、前記吸引異常の原因箇所の両端部をなす二つの前記第一接続点と、当該二つの前記第一接続点に対して前記第一主弁の逆側に位置する全ての前記第一接続点とにそれぞれ接続された複数の第三主弁を閉じ、当該複数の第三主弁にそれぞれ対応する複数の前記副弁を開くこと、
を更に実行するように構成されている、請求項4記載の基板処理装置。 - 前記コントローラは、
(j) 全ての前記保持部において吸引異常が検出された場合に、前記第一主弁を閉じ、全ての前記副弁を開くこと、
(k) 前記(j)により吸引異常が解消した場合に、前記第一主管路のうち、全ての前記第一接続点に比べ前記負圧の発生源側に位置する部分が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
を更に実行し、前記(j)を実行する場合には前記(b)を実行しないように構成されている、請求項2〜5のいずれか一項記載の基板処理装置。 - 前記コントローラは、
(l) 前記(k)の後、前記(e)の前に、全ての前記第三主弁を閉じること、
を更に実行するように構成されている、請求項6記載の基板処理装置。 - 前記コントローラは、
(m) 前記(j)により吸引異常が解消しない場合には、全ての前記第三主弁を閉じること、
(n) 前記(m)により吸引異常が解消しない場合に、前記第一主管路及び前記第一副管路と前記負圧の発生源との間が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
を更に実行するように構成されている、請求項6又は7記載の基板処理装置。 - 前記コントローラは、
(o) 前記(m)により吸引異常が解消した場合に、前記第三主弁を順次開くこと、
(p) 前記(o)により吸引異常が再発した場合に、再発直前に開放した前記第三主弁と、当該第三主弁に隣接する弁との間が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
を更に実行するように構成されている、請求項8記載の基板処理装置。 - 複数の前記保持部にそれぞれ保持された複数の前記基板をそれぞれ加熱又は冷却するための複数の熱処理部と、
前記複数の熱処理部における温度をそれぞれ検出する複数のセンサと、を更に備え、
前記コントローラは、
(q) 前記センサによる検出値から複数種類の特徴量を抽出し、前記複数種類の特徴量の発生確率を算出し、当該発生確率に基づいて吸引異常を検出すること、
を更に実行するように構成されている、請求項2〜9のいずれか一項記載の基板処理装置。 - 前記コントローラは、前記発生確率が閾値を下回るのに応じて吸引異常を検出する、請求項10記載の基板処理装置。
- 前記コントローラは、繰り返し算出された複数の前記発生確率が下降傾向を示すのに応じて吸引異常を検出する、請求項10又は11記載の基板処理装置。
- 前記コントローラは、前記複数種類の特徴量として、
前記保持部が前記基板を保持した後に、前記センサによる検出値が目標温度に到達する前に、前記センサによる検出値が前記目標温度から乖離した量の最大値である第一特徴量と、
前記保持部が前記基板を保持した後に、前記センサによる検出値が目標温度に到達するまでの時間である第二特徴量と、
前記保持部が基板を保持した後、前記センサによる検出値が目標温度に到達した後に、前記センサによる検出値が前記目標温度から乖離した量の最大値である第三特徴量とを抽出する、請求項10〜12のいずれか一項記載の基板処理装置。 - 前記コントローラは、
前記第一特徴量が閾値を下回り、且つ前記第二特徴量が閾値を下回り、且つ前記第三特徴量が閾値を上回った場合に限定して吸引異常を検出する、請求項13記載の基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置を用い、
(a) いずれの前記保持部においても吸引異常が検出されていない場合に、前記第一主弁、前記第二主弁及び前記第三主弁を開き、全ての前記副弁を閉じること、
(b) 一部の前記保持部において吸引異常が検出され、他の前記保持部において吸引異常が検出されていない場合に、吸引異常が検出された前記保持部に対応する前記第三主弁を閉じ、当該第三主弁に対応する前記副弁を開くこと、
(c) 前記(b)により前記保持部の吸引異常が解消した場合に、当該保持部に対応する前記第二主管路のうち、前記第一接続点と前記第二接続点との間が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
(d) 前記(b)により前記保持部の吸引異常が解消しない場合に、当該保持部に対応する前記第二主管路のうち、前記第二接続点と前記保持部との間が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
(e) 前記吸引異常の原因箇所を報知すること、
を含む基板処理方法。 - 複数の前記保持部にそれぞれ保持された複数の前記基板をそれぞれ加熱又は冷却するための複数の熱処理部と、前記複数の熱処理部の温度をそれぞれ検出する複数のセンサと、を更に備える前記基板処理装置を用い、
(q) 前記センサによる検出値から複数種類の特徴量を抽出し、前記複数種類の特徴量の発生確率を算出し、当該発生確率に基づいて吸引異常を検出すること、
を更に含む、請求項15記載の基板処理方法。 - 請求項15又は16に記載の基板処理方法を基板処理装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015141502A JP6322606B2 (ja) | 2015-07-15 | 2015-07-15 | 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2015141502A JP6322606B2 (ja) | 2015-07-15 | 2015-07-15 | 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017027968A JP2017027968A (ja) | 2017-02-02 |
JP6322606B2 true JP6322606B2 (ja) | 2018-05-09 |
Family
ID=57946738
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015141502A Active JP6322606B2 (ja) | 2015-07-15 | 2015-07-15 | 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6322606B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI837773B (zh) * | 2017-06-28 | 2024-04-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 熱處理裝置之狀態監視裝置、熱處理裝置之管理方法及記錄媒體 |
JP7003759B2 (ja) * | 2017-06-28 | 2022-01-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置、熱処理装置の管理方法及び記憶媒体 |
JP6691079B2 (ja) * | 2017-08-25 | 2020-04-28 | 日本電信電話株式会社 | 検知装置、検知方法および検知プログラム |
JP7224926B2 (ja) * | 2019-01-16 | 2023-02-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 状態判定方法、状態判定装置、及び記憶媒体 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2975097B2 (ja) * | 1990-11-29 | 1999-11-10 | キヤノン株式会社 | 真空吸着基板保持装置の真空配管 |
JP2584927B2 (ja) * | 1991-12-27 | 1997-02-26 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板冷却方法および基板冷却装置 |
JP3332425B2 (ja) * | 1992-11-10 | 2002-10-07 | キヤノン株式会社 | 基板保持装置、並びにこれを用いた露光装置と半導体デバイス製造方法 |
JP3642696B2 (ja) * | 1999-02-26 | 2005-04-27 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板保持装置およびそれを用いた基板処理装置 |
JP5327144B2 (ja) * | 2010-06-16 | 2013-10-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
-
2015
- 2015-07-15 JP JP2015141502A patent/JP6322606B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017027968A (ja) | 2017-02-02 |
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