JP3209058B2 - ポジ型レジスト組成物 - Google Patents
ポジ型レジスト組成物Info
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紫外線(エキシマーレーザー等を含む)などの放射線に
感応してポジ像を与えるポジ型レジスト組成物に関する
ものである。
合物をキノンジアジドスルホン酸エステル化して、半導
体微細加工用のレジスト組成物における感光剤として用
いることは公知である。すなわち、キノンジアジド基を
有する化合物とアルカリ可溶性樹脂を含む組成物を金属
基板上に塗布し、これに300〜500nmの光を照射す
ると、キノンジアジド基が分解してカルボキシル基を生
じ、アルカリ不溶の状態からアルカリ可溶の状態になる
ことを利用して、かかる組成物はポジ型レジストとして
用いられる。こうしたポジ型レジストは、ネガ型レジス
トに比べて解像力に優れるという特徴を有することか
ら、半導体用の各種集積回路の製作に利用されている。
年、高集積化に伴う微細化が進み、今やサブミクロンの
パターン形成が要求されるに至っている。そのなかで
も、リソグラフィープロセスは集積回路製造時の重要な
地位を占めており、ポジ型レジストについても一層優れ
た解像度(高いγ値)が求められるようになっている。
性樹脂を含有するレジスト材料については、各成分の組
合せについて従来から数多くの提案がなされてきてい
る。例えば特開平 1-189644 号公報(=USP 5,153,096)に
は、フェノール性水酸基を少なくとも2個有するトリフ
ェニルメタン系の化合物をキノンジアジドスルホン酸エ
ステル化したものを、感光剤として用いることが記載さ
れている。しかしながらこうした公知の感光剤を用いて
も、現在の超高集積回路作製のための超微細加工用、い
わゆるサブミクロンリソグラフィー用のレジストとして
は限界があった。そこで、感度、解像度、耐熱性等のレ
ジスト性能を向上させるための種々の研究が行われてお
り、例えば特開平 6-167805 号公報(=EP-A-573,056) に
は、4個またはそれ以上のフェノール核を有する化合物
をキノンジアジドスルホン酸エステル化し、感光剤とし
て用いることが開示されている。
感度、高い解像力、良好なプロファイル、良好なフォー
カス許容性、良好な耐熱性、少ない現像残渣など、レジ
スト諸性能のバランスがとれたポジ型レジスト組成物を
提供することにある。
続けた結果、両端にパラクレゾール骨格を有する特定構
造のフェノール化合物のキノンジアジドスルホン酸エス
テルを感光剤として用いることにより、公知のものに比
べて一層レジスト諸性能のバランスに優れた組成物が得
られることを見出し、本発明を完成した。
R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15
およびR16は互いに独立に、水素、水酸基、炭素数1〜
6のアルキルまたはフェニルを表し、nは0または1を
表す)で示されるフェノール化合物のキノンジアジドス
ルホン酸エステルを含む感光剤およびアルカリ可溶性樹
脂を含有するポジ型レジスト組成物を提供するものであ
る。
2 、R3 、R4 、R5 、R6 、R7 、R8 、R9 、
R10、R11、R12、R13、R14、R15およびR16は、上
で定義したとおりの意味を有するが、なかでも、R1 、
R2 、R3 およびR4 の少なくとも一つ、R5 、R6 、
R7 およびR8 の少なくとも一つ、R9 、R10、R11お
よびR12の少なくとも一つ、ならびにR13、R14、R15
およびR16の少なくとも一つが水酸基であるのが好まし
い。さらにはR1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 、R
7 、R8 、R9 、R10、R11、R12、R13、R14、R15
およびR16の残りが水素またはアルキルであるのが好ま
しい。アルキルは、特にメチルであるのが好ましい。
は、例えば、一般式(II)
R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、
R15、R16およびnは前記の意味を表す)で示される2
価アルコールとパラクレゾールとを、パラトルエンスル
ホン酸や塩酸、硫酸のような酸触媒の存在下で反応させ
ることにより、製造できる。また、一般式(II)で示さ
れる2価アルコールは、例えば、一般式(III)
R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、
R15、R16およびnは前記の意味を表す)で示される化
合物を、水酸化ナトリウムのようなアルカリ触媒の存在
下で、ホルムアルデヒドと反応させることにより、製造
できる。一般式(III) で示される化合物は、市販されて
いればそれをそのまま用いることができ、また別に、モ
ノベンゼン核の化合物から出発してホルムアルデヒドを
反応させることにより、モノベンゼン核の化合物を順次
つないで合成することもできる。
ノール化合物は、式(IV)
−メチルフェノール、すなわちパラクレゾールのモノメ
チロール体から出発して、パラトルエンスルホン酸や硫
酸のような酸触媒の存在下に、これを前記一般式(III)
で示される化合物と縮合させることにより、製造するこ
ともできる。
る化合物、パラクレゾールおよびホルムアルデヒドを反
応させることにより、一般式(I)で示されるフェノー
ル系化合物を製造することもできる。
(I)のフェノール化合物は、芳香族溶媒、例えばベン
ゼン、トルエン、キシレンなど、好ましくはトルエンか
らの晶析によって、取り出すことができる。このフェノ
ール化合物は、水への溶解度が9g/100g以下であ
る溶媒に溶解したあと、水洗分液することにより、金属
分を低減させておくのが好ましい。ここで、水への溶解
度が9g/100g以下とは、20℃の水100gに溶
ける最大量が9g以下であることを意味する。またここ
で用いる溶媒は、20℃において、一般式(I)のフェ
ノール化合物の溶解度が1g/100g以上であるのが
好ましい。かかる溶媒としては、酢酸エチルや酢酸n−
ブチル、酢酸イソアミルのような酢酸エステル類、メチ
ルイソブチルケトンや2−ヘプタノンのようなケトン類
などが挙げられ、なかでも酢酸エチルが好ましく用いら
れる。こうして金属の低減化を図った一般式(I)のフ
ェノール化合物を含む溶液は、さらに芳香族溶媒を加え
て、目的物を晶析させることができる。ここで用いる芳
香族溶媒は、ベンゼン、トルエン、キシレンなどである
ことができ、好ましくはトルエンが用いられる。
ル化合物は、キノンジアジドスルホン酸エステル化し
て、感光剤とされる。エステル化にあたっては、1,2
−キノンジアジド骨格を有する各種のスルホン酸誘導
体、例えば1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホ
ニルハライドや1,2−ナフトキノンジアジド−4−ま
たは−5−スルホニルハライドのようなキノンジアジド
スルホニルハライドを用いることができ、好ましくは、
1,2−ナフトキノンジアジド−4−または−5−スル
ホニルハライドが用いられる。スルホニルハライドを構
成するハロゲンは、例えば塩素や臭素などであることが
できるが、通常は塩素であるのが好ましく、したがっ
て、1,2−ナフトキノンジアジド−4−または−5−
スルホニルクロライドがエステル化剤として好ましく用
いられる。また、1,2−ナフトキノンジアジド−4−
スルホニルハライドと1,2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホニルハライドの混合物を用いることもでき
る。エステル化反応において、キノンジアジドスルホニ
ルハライドは、一般式(I)のフェノール化合物に対し
て通常、1.2以上、一般式(I)中のフェノール性水酸
基の数までのモル比で用いられる。
存在下で行われる。脱ハロゲン化水素剤としては、一般
に塩基性の化合物、例えば炭酸ナトリウム、炭酸水素ナ
トリウムのような無機塩基、エチルアミン、エタノール
アミン、ジエチルアミン、ジエタノールアミン、トリエ
チルアミン、N,N−ジメチルアニリン、N,N−ジエ
チルアニリンのようなアミン類が挙げられる。脱ハロゲ
ン化水素剤は、キノンジアジドスルホニルハライドに対
し、通常1〜1.5のモル比、好ましくは1.05〜1.2の
モル比で用いられる。
る。反応溶媒としては、エーテル類、ラクトン類、脂肪
族ケトン類などが挙げられ、なかでも、ジオキソラン、
1,4−ジオキサン、テトラヒドロフラン、γ−ブチロ
ラクトン、アセトンおよび2−ヘプタノンから選ぶのが
好ましい。これらをそれぞれ単独で、または2種以上組
み合わせて用いることができるが、とりわけ1,4−ジ
オキサンが好ましい。反応溶媒は、一般式(I)のフェ
ノール化合物とキノンジアジドスルホニルハライドの合
計量を基準に、通常は2〜6重量倍の範囲で、好ましく
は3〜5重量倍の範囲で使用される。このエステル化反
応は、常圧下、常温付近で十分進行し、一般的には20
〜30℃の範囲の温度が採用され、2〜10時間程度行
われる。
固形物を濾過したあと、濾液を薄い酸水溶液、例えば
0.1〜2重量%程度の濃度の酢酸水溶液と混合すれば、
目的物であるエステルが析出してくる。これを濾過、洗
浄および乾燥することにより、エステルを取り出すこと
ができる。
ノンジアジドスルホニルハライドのモル比にもよるが、
通常は、一般式(I)におけるフェノール性水酸基の一
部がエステル化されたものおよび全部がエステル化され
たもののうち、2種以上の混合物として得られる。この
混合物は、通常そのまま感光剤として用いることができ
る。またもちろん、一般式(I)に含まれる2種以上の
フェノール化合物のキノンジアジドスルホン酸エステル
を組み合わせて用いることもできる。
カリ可溶性樹脂と組み合わせて、近紫外線ないし遠紫外
線(エキシマーレーザー等を含む)などの放射線に感応
するポジ型レジスト組成物とされる。
合物のキノンジアジドスルホン酸エステルを感光剤とし
て併用することもできる。併用されるキノンジアジドス
ルホン酸エステルの具体例としては、特開平 5-204148
号公報に記載の化合物、特開平 5-323597 号公報(=EP-A
-570,884) に記載の化合物、特開平 6-167805 号公報(=
EP-A-573,056) に記載の化合物、次式(VI)
を表し; R21およびR22の他方、R23、R24ならびにR25は互い
に独立に、水素、炭素数6以下のアルキル、炭素数6以
下のシクロアルキル、炭素数6以下のアルケニル、炭素
数6以下のアルコキシまたはハロゲンを表し; R26およびR27は互いに独立に、水素、炭素数6以下の
アルキル若しくは炭素数6以下のアルケニルを表すか、
または両者が末端で一緒になって、両者が結合する炭素
原子とともに炭素数6以下のシクロアルカン環を形成
し; X1 、X2 、X3 およびX4 の一つはキノンジアジドス
ルホニルを表し、残りは互いに独立に、水素またはキノ
ンジアジドスルホニルを表す)で示される化合物〔本出
願人が先に出願した特願平7-58826号(=特開平8-99952
号公報)に記載のもの〕などが挙げられる。
アジドスルホン酸エステルを用いる場合はそれも含め
て、感光剤は、レジスト組成物中の全固形分の量を基準
に10〜50重量%の範囲で含有するのが好ましい。
可溶性樹脂は、フェノール性水酸基を少なくとも1個有
する化合物とアルデヒドとを、酸触媒の存在下に縮合さ
せて得られるノボラック樹脂であるのが好ましい。その
種類は特に限定されるものでなく、レジスト分野で用い
られる各種のものであることができる。ノボラック樹脂
の原料となるフェノール系化合物としては、例えば、メ
タクレゾール、パラクレゾール、オルソクレゾール、
2,5−キシレノール、3,5−キシレノール、3,4
−キシレノール、2,3,5−トリメチルフェノール、
2−t−ブチル−5−メチルフェノール、t−ブチルハ
イドロキノンなどが挙げられる。また、ノボラック樹脂
のもう一方の原料であるアルデヒドとしては、ホルムア
ルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、グリ
オキサール、サリチルアルデヒドなどが挙げられる。特
にホルムアルデヒドは、約37重量%の水溶液として工
業的に量産されており、好適に用いられる。
2種以上と、アルデヒドの1種または2種以上とを、酸
触媒の存在下で縮合させることにより、ノボラック樹脂
が得られる。酸触媒としては、有機酸、無機酸、二価金
属塩などが用いられ、具体例としては、シュウ酸、酢
酸、パラトルエンスルホン酸、塩酸、硫酸、リン酸、酢
酸亜鉛などが挙げられる。縮合反応は常法に従って行う
ことができ、例えば60〜120℃の範囲の温度で2〜
30時間程度行われる。また、反応はバルクで行って
も、適当な溶媒中で行ってもよい。
像残渣を少なくするなどの目的で、例えば分別などの操
作を施して、 そのゲル浸透クロマトグラフィー(GP
C)(UV254nmの検出器を使用)によるパターンに
おいて、ポリスチレン換算分子量で900以下の成分の
面積比が、未反応のフェノール系化合物のパターン面積
を除く全パターン面積に対して25%以下、さらには2
0%以下となるようにしておくのが好ましい。分別を行
う場合は、ノボラック樹脂を、良溶媒、例えばメタノー
ルやエタノールのようなアルコール、アセトンやメチル
エチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケト
ン、エチルセロソルブのようなエチレングリコールエー
テル、エチルセロソルブアセテートのようなエチレング
リコールエーテルエステル、テトラヒドロフランのよう
な環状エーテルなどに溶解し、この溶液を水中に注いで
高分子量成分を沈澱させる方法、あるいはこの溶液を、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタンのような貧溶媒と混合し
て分液する方法などが採用できる。
多くしたノボラック樹脂に、分子量900以下のアルカ
リ可溶性化合物を加えることも有効である。分子量90
0以下のアルカリ可溶性化合物は、分子構造中にフェノ
ール性水酸基を少なくとも2個有するのが好ましく、例
えば特開平 2-275955 号公報(=EP-A-358,871) や特開平
2-2560 号公報に記載のものなどが挙げられる。分子量
900以下のアルカリ可溶性化合物を用いる場合は、レ
ジスト組成物中の全固形分の量を基準として、3〜40
重量%の範囲で含有させるのが好ましい。
リ可溶性樹脂、あるいは必要に応じてさらに分子量90
0以下のアルカリ可溶性化合物を、溶剤に混合溶解する
ことにより行われる。ここで用いる溶剤は、適当な乾燥
速度を有し、溶剤が蒸発したあとに均一で平滑な塗膜を
与えるものが好ましい。このような溶剤としては、プロ
ピレングリコールモノメチルエーテルアセテートやエチ
ルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート
のようなグリコールエーテルエステル類、ピルビン酸エ
チルや酢酸n−アミル、乳酸エチルのようなエステル
類、2−ヘプタノンのようなケトン類、γ−ブチロラク
トンのような環状エステル類、その他、特開平 2-22005
6 号公報に記載のもの、特開平 4-362645 号公報に記載
のもの、特開平 4-367863 号公報に記載のものなどが挙
げられる。溶剤としては、それぞれの化合物を単独で、
または2種以上混合して用いることができる。
に応じてさらに、添加物として、ノボラック樹脂以外の
樹脂や染料などを少量含有することもできる。
に説明するが、本発明はこれらの実施例によってなんら
限定されるものではない。例中、含有量ないし使用量を
表す%および部は、特にことわらないかぎり重量基準で
ある。
ベンジル)−4−メチルフェノールのジメチロール化
ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルベンジル)−
4−メチルフェノール263.6g、水酸化ナトリウム6
7.2g、水1169.3gおよびテトラヒドロフラン10
7.5gを仕込んで溶解させ、40℃に調温した。そこへ
37%ホルマリン340.9gを1時間かけて滴下し、そ
の後同温度でさらに2時間攪拌した。反応終了後、90
%酢酸水溶液134.4gで中和し、25℃に冷却した。
析出した結晶を濾過し、イオン交換水1000gでリン
スした。得られた濾過物を45℃で一昼夜減圧乾燥し
て、2,6−ビス(4−ヒドロキシ−3−ヒドロキシメ
チル−2,5−ジメチルベンジル)−4−メチルフェノ
ール265gを得た。純度80%。
(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−2,5−ジ
メチルベンジル〕−4−メチルフェノール(化合物1と
いう)の製造
エンスルホン酸1.90g、パラクレゾール86.51gお
よびトルエン176.83gを仕込んで30℃に調温し
た。そこへ、上記(1) で得られた純度80%の2,6−
ビス(4−ヒドロキシ−3−ヒドロキシメチル−2,5
−ジメチルベンジル)−4−メチルフェノール21.83
gを10分割して1時間30分かけて投入し、その後さ
らに3時間反応させた。反応終了後、濾過し、トルエン
200gでリンスした。得られた濾過物を、トルエン2
00gと酢酸エチル400gの混合液に60℃で仕込ん
で溶解させ、さらにイオン交換水400gを加えて攪拌
し、分液した。その後、1%シュウ酸水溶液400gを
仕込んで攪拌し、分液することにより脱金属を行った。
次にイオン交換水400gでの洗浄を4回行ったあと、
オイル層を濃縮した。濃縮マスにトルエン200gを加
えて20℃まで冷却し、濾過後、トルエン200gでリ
ンスした。得られた濾過物を45℃で一昼夜減圧乾燥し
て、化合物1を22.87g得た。定量純度94.6%。
エステル化
を1.85g、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホニルクロライドを1.61g、および1,4−ジオキサ
ンを17.33g仕込んで25℃に調温した。そこへトリ
エチルアミン0.73gを1時間かけて滴下し、その後さ
らに3時間反応させた。反応終了後、酢酸0.18gで中
和し、濾過した。その濾液を、酢酸0.8gおよびイオン
交換水80gの混合液中に投入して1時間攪拌し、析出
した結晶を濾過し、洗浄した。得られた濾過物を45℃
で一昼夜減圧乾燥して、3.23gの感光剤Aを得た。
化
−トリメチルフェノール136.19g、水酸化ナトリウ
ム48.0gおよび水480gを仕込んで溶解し、40℃
に調温した。そこへ37%ホルマリン486.91gを1
時間かけて滴下し、その後同温度でさらに3時間攪拌し
た。反応終了後、90%酢酸水溶液180.15gで中和
してから25℃に冷却し、濾過した。濾液を酢酸エチル
1000gで抽出し、酢酸エチル層を水洗してから濃縮
した。濃縮マスにトルエン500gを仕込み、20℃ま
で冷却してから濾過し、トルエン400gでリンスし
た。 得られた濾過物を45℃で一昼夜減圧乾燥して、
2,4−ビス(ヒドロキシメチル)−3,5,6−トリ
メチルフェノール100gを得た。純度90%。
5−ジメチルベンジル)−3,5,6−トリメチルフェ
ノールの製造
g、2,5−キシレノール293.2gおよびメタノール
293.2gを仕込んで30℃に調温した。そこへ、純度
90%の2,4−ビス(ヒドロキシメチル)−3,5,
6−トリメチルフェノール117.75gを10分割して
1時間かけて投入し、その後同温度でさらに2時間反応
させた。反応終了後、トルエン500gおよび酢酸エチ
ル1000gを仕込み、さらにイオン交換水1000g
を仕込んで攪拌したあと、分液した。その後オイル層に
1%シュウ酸水溶液1000gを仕込んで攪拌し、分液
することにより脱金属を行った。次にイオン交換水10
00gでの洗浄を4回行ったあと、オイル層を濃縮し
た。濃縮マスにトルエン500gを加えて20℃まで冷
却し、濾過後、トルエン200gでリンスした。この濾
過物を酢酸エチル500gに仕込んで溶解し、オイル層
を濃縮した。濃縮マスにトルエン500gを仕込み、2
0℃まで冷却してから濾過し、さらにトルエン200g
でリンスした。得られた濾過物を45℃で一昼夜減圧乾
燥して、2,4−ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメ
チルベンジル)−3,5,6−トリメチルフェノールを
98.6g得た。定量純度99.38%。
5−ジメチルベンジル)−3,5,6−トリメチルフェ
ノールのジメチロール化
得られた純度99.38%の2,4−ビス(4−ヒドロキ
シ−2,5−ジメチルベンジル)−3,5,6−トリメ
チルフェノール40.45g、水酸化ナトリウム14.40
g、水144gおよびテトラヒドロフラン14.40gを
仕込んで溶解し、40℃に調温した。そこへ37%ホル
マリン48.69gを1時間かけて滴下し、その後同温度
でさらに3時間攪拌した。反応終了後、90%酢酸水溶
液18.02gで中和してから25℃に冷却し、濾過し
た。濾過物を酢酸エチル100gおよびテトラヒドロフ
ラン14.40gの混合液に溶解し、水洗してからオイル
層を濃縮した。濃縮マスにトルエン100gを仕込み、
20℃まで冷却してから濾過し、トルエン100gでリ
ンスした。得られた濾過物を45℃で一昼夜減圧乾燥し
て、2,4−ビス(4−ヒドロキシ−3−ヒドロキシメ
チル−2,5−ジメチルベンジル)−3,5,6−トリ
メチルフェノール36.8gを得た。純度75%。
(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−2,5−ジ
メチルベンジル〕−3,5,6−トリメチルフェノール
(化合物2という)の製造
ンスルホン酸0.57g、パラクレゾール38.93gおよ
びトルエン38.93gを仕込み、30℃に調温した。
そこへ、上記(3) で得られた純度75%の2,4−ビス
(4−ヒドロキシ−3−ヒドロキシメチル−2,5−ジ
メチルベンジル)−3,5,6−トリメチルフェノール
13.94gを10分割して1時間30分かけて投入し、
その後同温度でさらに2時間反応させた。反応終了後、
析出した結晶を濾過し、トルエン100gでリンスし
た。この濾過物を、トルエン100gおよび酢酸エチル
200gの混合液に60℃で仕込んで溶解させ、さらに
イオン交換水200gを仕込んで攪拌したあと分液し
た。オイル層に1%シュウ酸水溶液200gを加えて攪
拌し、分液することにより脱金属を行った。次にイオン
交換水200gでの洗浄を4回行ったあと、オイル層を
濃縮した。濃縮マスにトルエン100gを加えて20℃
まで冷却し、濾過後、トルエン100gでリンスした。
得られた濾過物を45℃で一昼夜減圧乾燥して、化合物
2を10.3g得た。定量純度94.9%。
2H); 3.90 (s, 4H); 6.10 (s, 1H);6.18 (s, 1H); 6.38
(s, 1H); 6.40 (s, 1H);6.70 (d, J = 7.1 Hz, 2H);6.
75 (d, J = 7.1 Hz, 2H); 7.93 (brs, 3H);9.24 (brs,
2H).
エステル化
を0.97g、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホニルクロライドを0.81g、および1,4−ジオキサ
ンを8.87g仕込み、25℃に調温した。そこへトリエ
チルアミン0.36gを1時間かけて滴下し、その後さら
に3時間反応させた。反応終了後、酢酸0.09gで中和
し、濾過した。その濾液を、酢酸0.5gおよびイオン交
換水50gの混合溶液に加えて1時間攪拌したあと、析
出した結晶を濾過し、洗浄した。得られた濾過物を45
℃で一昼夜減圧乾燥して、1.65gの感光剤Bを得た。
キシレノール122.17g、水酸化ナトリウム48gお
よび水480gを仕込み、40℃で攪拌しながら、37
%ホルマリン486.9gを1時間かけて滴下し、その後
さらに1時間反応させた。反応終了後、酢酸180.2g
を仕込み、析出した結晶を濾過し、イオン交換水でリン
スした。得られた濾過物を乾燥して、2,6−ジヒドロ
キシメチル−3,4−ジメチルフェノールを139.8g
得た。LC純度95.4%。
5−ジメチルベンジル)−3,4−ジメチルフェノール
の製造
g、2,5−キシレノール244.3gおよび60%メタ
ノール水溶液244.3gを仕込んで30℃に調温し、そ
こへ上記(1) で得られた純度95.4%の2,6−ジヒド
ロキシメチル−3,4−ジメチルフェノール91.11g
を10分割して1時間かけて投入し、その後さらに2時
間反応させた。反応終了後、トルエン50gおよび酢酸
エチル500gを仕込んで攪拌したあと、分液した。そ
の後、1%シュウ酸水溶液500gを仕込んで攪拌し、
分液することにより脱金属を行った。次にイオン交換水
500gでの洗浄を4回行ったあと、オイル層を濃縮し
た。濃縮マスにトルエン500gを仕込んで20℃まで
冷却し、濾過したあとトルエン200gでリンスした。
この濾過物を酢酸エチル500gに溶解し、次に濃縮し
た。濃縮マスにトルエン500gを仕込んで20℃まで
冷却し、濾過したあとトルエン200gでリンスした。
得られた濾過物を45℃で一昼夜減圧乾燥して、2,6
−ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルベンジル)
−3,4−ジメチルフェノール139.8gを得た。定量
純度95.7%。
(ジメチルスルホキシド) δ(ppm) : 1.88 (s, 6H); 2.01 (s, 3H); 2.06 (s, 3H); 2.08 (s, 3H); 2.27 (s, 3H); 3.70 (s, 2H); 3.80 (s, 2H); 6.17 (s, 1H); 6.48 (s, 1H); 6.59 (s, 2H); 6.68 (s, 1H); 7.85 (s, 1H); 8.80 (s, 1H); 8.88 (s, 1H).
5−ジメチルベンジル)−3,4−ジメチルフェノール
のジメチロール化
得られた純度95.7%の2,6−ビス(4−ヒドロキシ
−2,5−ジメチルベンジル)−3,4−ジメチルフェ
ノール5.86g、水酸化ナトリウム2.16g、水21.6
g、およびテトラヒドロフラン2.16gを仕込んで溶解
させ、40℃に調温した。そこへ、37%ホルマリン
7.30gを1時間かけて滴下し、その後さらに1時間攪
拌した。反応終了後90%酢酸水溶液3gで中和し、2
5℃に冷却してから濾過した。この濾過物を酢酸エチル
100gとトルエン100gの混合液に溶解し、水洗し
てからオイル層を濃縮した。濃縮マスにトルエン100
gを仕込んで20℃まで冷却し、濾過後、さらにトルエ
ン100gでリンスした。得られた濾過物を45℃で一
昼夜減圧乾燥して、2,6−ビス(4−ヒドロキシ−3
−ヒドロキシメチル−2,5−ジメチルベンジル)−
3,4−ジメチルフェノール6.76gを得た。純度65
%。
(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−2,5−ジ
メチルベンジル)−3,4−ジメチルフェノール(化合
物3という)の製造
ンスルホン酸0.10g、パラクレゾール6.49gおよび
トルエン6.49gを仕込んで30℃に調温した。そこ
へ、上記(3) で得られた純度65%の2,6−ビス(4
−ヒドロキシ−3−ヒドロキシメチル−2,5−ジメチ
ルベンジル)−3,4−ジメチルフェノール2.25gを
10分割して1時間かけて投入し、さらに1時間反応さ
せた。反応終了後、トルエン10gおよび酢酸エチル2
0gを60℃で仕込み、さらにイオン交換水20gを仕
込んで攪拌し、分液した。その後、1%シュウ酸水溶液
20gを仕込んで攪拌し、分液することにより脱金属を
行った。次にイオン交換水20gでの洗浄を4回行った
あと、オイル層を濃縮した。濃縮マスをシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーにより分離して、化合物3を0.2
g得た。定量純度96.1%。
エステル化
を0.13g、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホニルクロライドを0.11g、および1,4−ジオキサ
ンを1.20g仕込んで25℃に調温し、そこへトリエチ
ルアミン0.05gを1時間かけて滴下し、その後さらに
3時間反応させた。反応終了後、酢酸0.02gで中和
し、濾過した。その濾液を酢酸0.1gおよびイオン交換
水10gの混合液中に投入し、1時間攪拌したあと濾過
し、洗浄した。得られた濾過物を45℃で一昼夜減圧乾
燥して、0.21gの感光剤Cを得た。
4
5−メチルベンジル)−3,6−ジメチルフェノール〕
の製造
ル144.16g、トルエン81.57gおよび36%塩酸
0.43gを仕込んで50℃に調温し、そこへ4,4′−
メチレンビス(2−ヒドロキシメチル−3,6−ジメチ
ルフェノール)18.98gを1時間かけて分割投入し、
さらに3時間攪拌した。その後冷却してから濾過し、得
られた濾過物を酢酸エチル269gに溶解し、蒸留水4
7.82gを加えて洗浄し、この蒸留水による洗浄をさら
に4回繰り返したあと、オイル層を濃縮した。濃縮物に
トルエン107.5gを加えて析出した結晶を濾過し、ト
ルエン44.54gで2回リンスした。得られたウェット
ケーキを45℃で一昼夜減圧乾燥して、下式の構造を有
する4,4′−メチレンビス〔2−(2−ヒドロキシ−
5−メチルベンジル)−3,6−ジメチルフェノール〕
を13.45g得た。
ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−3,6−ジメチル
フェノール〕のジメチロール化
−メチレンビス〔2−(2−ヒドロキシ−5−メチルベ
ンジル)−3,6−ジメチルフェノール〕49.66g、
水酸化ナトリウム9.60g、水167.1gおよびテトラ
ヒドロフラン16.7gを仕込んで溶解し、40℃に調温
した。そこへ37%ホルマリン48.7gを1時間かけて
滴下し、その後さらに5時間攪拌した。反応終了後、9
0%酢酸水溶液19.2gで中和し、25℃に冷却した。
その後濾過し、イオン交換水100gでリンスした。得
られた濾過物を45℃で一昼夜減圧乾燥して、4,4′
−メチレンビス〔2−(2−ヒドロキシ−3−ヒドロキ
シメチル−5−メチルベンジル)−3,6−ジメチルフ
ェノール〕48.2gを得た。純度84%。
ヒドロキシ−3−(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジ
ル)−5−メチルベンジル}−3,6−ジメチルフェノ
ール〕(化合物4という)の製造
エンスルホン酸1.14g、パラクレゾール17.30gお
よびトルエン34.60gを仕込んで30℃に調温した。
そこへ、上記(2) で得られた純度84%の4,4′−メ
チレンビス〔2−(2−ヒドロキシ−3−ヒドロキシメ
チル−5−メチルベンジル)−3,6−ジメチルフェノ
ール〕11.13gを10分割して1時間30分かけて投
入し、さらに3時間反応させた。反応終了後濾過し、ト
ルエン100gでリンスした。その濾過物を、トルエン
100gおよび酢酸エチル200gの混合液に60℃で
仕込んで溶解させ、さらにイオン交換水200gを加え
て攪拌し、分液した。その後、1%シュウ酸水溶液20
0gを仕込んで攪拌し、分液することにより脱金属を行
った。次にイオン交換水200gでの洗浄を4回行った
あと、オイル層を濃縮した。濃縮マスにトルエン100
gを加えて20℃まで冷却し、濾過したあとトルエン5
0gでリンスした。 得られた濾過物を45℃で一昼夜
減圧乾燥して、化合物4を9.89g得た。定量純度9
4.7%。
(brs, 2H).
エステル化
を0.37g、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホニルクロライドを0.27g、および1,4−ジオキサ
ンを3.19g仕込んで、25℃に調温した。そこへトリ
エチルアミン0.12gを1時間かけて滴下し、その後さ
らに3時間反応させた。反応終了後、酢酸0.03gで中
和し、濾過した。その濾液を酢酸0.3gとイオン交換水
30gの混合液に加えて1時間攪拌し、析出した結晶を
濾過し、洗浄した。得られた濾過物を45℃で一昼夜減
圧乾燥して、0.57gの感光剤Dを得た。
4(キノンジアジドスルホン酸エステル化する前のも
の)は、それぞれ次の構造を有する。
レゾール121.5部、メチルイソブチルケトン252
部、10%シュウ酸水溶液37.0部および90%酢酸水
溶液84.8部を仕込み、100℃の油浴で加熱攪拌しな
がら、37%ホルマリン129.5部を40分かけて滴下
し、その後さらに15時間反応させた。次に水洗、脱水
して、ノボラック樹脂を42.3%含有するメチルイソブ
チルケトン溶液466部を得た。GPCによるポリスチ
レン換算重量平均分子量は4300であった。この溶液
450部を、底抜きセパラブルフラスコに仕込み、さら
にメチルイソブチルケトン909.6部およびn−ヘプタ
ン996.1部を加えて、60℃で30分間攪拌したあ
と、静置し、分液した。分液で得られた下層のマスに、
2−ヘプタノンを380部加え、メチルイソブチルケト
ンおよびn−ヘプタンをエバポレーターにより除去し
て、ノボラック樹脂の2−ヘプタノン溶液を得た。GP
Cによるポリスチレン換算重量平均分子量は9000で
あり、ポリスチレン換算分子量で900以下の範囲の面
積比は、全パターン面積に対して14%であった。
固形分換算で15部、添加剤としての1,3−ビス〔1
−(2,4−ジヒドロキシフェニル)−1−メチルエチ
ル〕ベンゼンを3.9部、表1に記載の感光剤を5部、別
の感光剤としての1,2,3−トリヒドロキシ−4−
(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルベンジル)ベンゼ
ンと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルク
ロライドとのモル比1:4の縮合物を1部、および2−
ヘプタノンを、2−ヘプタノンが合計で50部となるよ
うに混合し、溶解した。この液を孔径0.2μm のフッ素
樹脂製フィルターで濾過して、レジスト液を調製した。
回転塗布機を用いて上記レジスト液を、乾燥後の膜厚が
1.1μm となるように塗布し、ホットプレートにて90
℃で1分間ベークした。次いで、365nm(i線)の露
光波長を有する縮小投影露光器〔(株)ニコン製品、NS
R 1755i 7A、NA=0.5〕を用いて、露光量を段階的に変化
させて露光した。次にこのウェハーを、ホットプレート
にて110℃で1分間ベークした。これを現像液“SOP
D”〔住友化学工業(株)製品〕で1分間現像して、ポ
ジ型パターンを得た。それぞれのポジ型パターンについ
て、以下のようにして評価し、結果を表1に示した。
ペースパターンが1:1になる露光量で表示した。 解像度: ラインアンドスペースパターンが1:1にな
る露光量(実効感度)で、膜減りなく分離するラインア
ンドスペースパターンの寸法を、走査型電子顕微鏡で測
定した。 フォーカス(焦点深度): 実効感度において0.40μ
m ラインアンドスペースパターンが膜減りなく分離する
焦点の幅を、走査型電子顕微鏡で測定した。 スカム: 走査型電子顕微鏡でスカム(現像残渣)の有
無を観察した。 γ値: 露光量の対数に対する規格化膜厚(=残膜厚/
初期膜厚)をプロットし、その傾きθを求め、tan θを
γ値とした。
実効感度における0.45μm ラインアンドスペースパタ
ーンのプロファイル(断面形状)を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、いずれのパターンも垂直に切れてい
た。
半導体微細加工用として、高い感度、高い解像力(γ
値)、良好なプロファイル、良好なフォーカス許容性、
少ない現像残渣など、レジスト諸性能のバランスがとれ
たものである。
Claims (7)
- 【請求項1】一般式(I) (式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R
9、R10、R11、R12、R13、R14、R15およびR16は
互いに独立に、水素、水酸基、炭素数1〜6のアルキル
またはフェニルを表し、nは0または1を表す)で示さ
れるフェノール化合物のキノンジアジドスルホン酸エス
テルを含む感光剤およびアルカリ可溶性樹脂を含有する
ことを特徴とするポジ型レジスト組成物。 - 【請求項2】R1 、R2 、R3 およびR4 の少なくとも
一つ、R5 、R6 、R7 およびR8の少なくとも一つ、
R9 、R10、R11およびR12の少なくとも一つ、ならび
に、R13、R14、R15およびR16の少なくとも一つが水
酸基である請求項1記載の組成物。 - 【請求項3】R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 、R
7 、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15お
よびR16の残りが水素またはアルキルである請求項2記
載の組成物。 - 【請求項4】nが0である請求項1〜3のいずれかに記
載の組成物。 - 【請求項5】nが1である請求項1〜3のいずれかに記
載の組成物。 - 【請求項6】アルカリ可溶性樹脂が、フェノール系化合
物とアルデヒドとの縮合によって得 られるノボラック樹
脂であって、そのゲル浸透クロマトグラフィーパターン
におけるポリスチレン換算分子量で900以下の成分の
面積比が、未反応のフェノール系化合物のパターン面積
を除く全パターン面積に対して25%以下である請求項
1〜5のいずれかに記載の組成物。 - 【請求項7】さらに、分子量900以下のアルカリ可溶
性化合物を含有する請求項1〜6のいずれかに記載の組
成物。
Priority Applications (5)
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---|---|---|---|
JP27029495A JP3209058B2 (ja) | 1995-10-18 | 1995-10-18 | ポジ型レジスト組成物 |
DE69619763T DE69619763T2 (de) | 1995-10-18 | 1996-10-17 | Positiv arbeitende Photolockzusammensetzung und Photosensibilisatoren |
US08/733,166 US5866724A (en) | 1995-10-18 | 1996-10-17 | Positive resist composition and photosensitizers |
EP96116688A EP0769485B1 (en) | 1995-10-18 | 1996-10-17 | Positive resist composition and photosensitizers |
KR1019960046616A KR100499744B1 (ko) | 1995-10-18 | 1996-10-18 | 포지티브레지스트조성물및감광제화합물 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27029495A JP3209058B2 (ja) | 1995-10-18 | 1995-10-18 | ポジ型レジスト組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09114093A JPH09114093A (ja) | 1997-05-02 |
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Country Status (1)
Country | Link |
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---|---|---|---|---|
KR101240643B1 (ko) * | 2005-07-08 | 2013-03-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 포토레지스트 조성물, 상기 포토레지스트 조성물을 이용한 패턴의 형성 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터표시판의 제조 방법 |
-
1995
- 1995-10-18 JP JP27029495A patent/JP3209058B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
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JPH09114093A (ja) | 1997-05-02 |
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