JP3076415B2 - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は固体撮像装置の製造方法
に係わり、特に感光部の形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】固体撮像装置の例として、ＣＣＤリニア
イメージセンサの構成を図１０に示す。複数の感光画素
が直線状に配列された感光画素列２が配置されている。
この感光画素列２の両側に、平行に二つの読み出し電極
３ａ及び３ｂが配置され、さらにその両側に二つのＣＣ
Ｄレジスタ１ａ及び１ｂが配置されている。感光画素列
２の各々の画素において、光学的情報が信号電荷に変換
される。この発生した信号電荷は、読み出し電極３ａ又
は３ｂによって、矢印ａ又はｂ及びｃのように、一つお
きにＣＣＤレジスタ１ａ又は１ｂへ移送される。この信
号電荷は、それぞれＣＣＤレジスタ１ａ又は１ｂにおい
て、図中左方向へ転送されていき、出力ゲート４を介し
て浮遊拡散領域５に転送される。浮遊拡散領域５におい
て、信号電荷の電荷量が電圧の変化に変換され、この電
圧変化を示す信号がソースフォロワ回路８を介して出力
端子９より外部へ出力される。また、浮遊拡散領域５に
はリセットゲート６のソースが接続されている。このリ
セットゲート６のゲート端子に所定の電圧が印加される
と、浮遊拡散領域５中の電荷が正電源電圧端子に接続さ
れているリセットドレイン７へ移動し排出される。

【０００３】次に、図１０において点線で囲まれた領域
Ａのパターンを図１１に概略的に示す。ここで、ＣＣＤ
レジスタ１０は２相駆動型であり、実線で示された１層
目の多結晶シリコン膜と、点線で示された２層目の多結
晶シリコン膜から成る２層ＣＣＤ電極２１と、埋め込み
チャネルに相当するｎ型不純物領域１０とを有してい
る。

【０００４】この図１１におけるＢ−Ｂ線に沿う縦断面
を、図１２に示す。ｐ型半導体基板１１の表面部分にお
いて、ｎ型不純物領域１２と、このｎ型不純物領域１２
の表面を覆うように浅く形成された高濃度のｐ型不純物
領域１８とで感光画素が構成されている。ｎ型不純物領
域１２の表面をｐ型不純物領域１８で覆っているのは、
シリコンとシリコン酸化膜１３との界面の欠陥をホール
で充満させて、暗電流が発生するのを抑制するためであ
る。

【０００５】このｎ型不純物領域１２及びｐ型不純物領
域１８と一定の間隔をあけて埋め込みチャネルに相当す
るｎ型不純物領域１０が形成されている。半導体基板１
１の表面上に、シリコン酸化膜１３を介して、ｎ型不純
物領域１２及びｐ型不純物領域１８の両側に読み出し電
極３ａ及び３ｂが形成され、ｎ型不純物領域１０の上方
にＣＣＤ電極２１が形成されている。

【０００６】ここで、ｎ型不純物領域１２は特性を安定
させるため、さらに暗電流の発生を抑制するために、深
く形成されていることが望ましい。図１３に、このｎ型
不純物領域１２を形成する場合の従来の方法を示す。多
結晶シリコン膜をパターニングして読み出し電極３ａ及
び３ｂを形成した後、表面全体にレジストを塗布する。
そして、ｎ型不純物領域１２を形成すべき領域を除去し
たレジスト膜３１５を形成する。このレジスト膜３１５
の端面が、読み出し電極３ｂの端面よりも図中右方向へ
ずれている。これは、マスク合わせずれによって、レジ
スト膜３１５の端面が読み出し電極３ｂの端面よりも、
右へずれたり左へずれたりすると、電気的特性が不安定
になる。そこで、予めマージンを持たせて、レジスト膜
３１５の端面が読み出し電極３ｂの端面より必ず右側に
ずれるようにしている。

【０００７】このようなレジスト膜３１５と、読み出し
電極３ａ及び３ｂとをマスクとして、例えばリンイオン
（Ｐ⁺ ）を注入し、ｎ型不純物領域１２を形成する。こ
の場合に、ｎ型不純物領域１２を深く形成するために
は、イオン注入の加速電圧を高くする必要がある。しか
し、上述したような理由でレジスト膜３１５によって覆
われていない読み出し電極３ｂのみをマスクとする領域
では、マスクとしての厚みが不足して不純物イオンが読
み出し電極３ｂを貫通し、ｎ型不純物領域１２ａが形成
される。このｎ型不純物領域１２ａは、読み出し電極３
ｂの端面よりも内側に位置しており、電位のポケットと
なって残像や暗電流の増加の原因となる。

【０００８】読み出し電極３ｂの膜厚を厚くすること
で、不純物イオンの貫通をある程度抑制することは可能
である。しかし、レジスト膜３１５で覆われていないた
めマスクとしての膜厚は十分ではない。このため、不純
物イオンを注入するための加速電圧を高めることができ
ず、結果的に暗電流を抑制することができないなどの問
題が残る。

【０００９】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あり、残像や暗電流の発生を抑制し得る固体撮像装置の
製造方法を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像装置の
製造方法は、一導電型の半導体基板上に形成された導電
性膜の表面上に、電荷転送方向の幅が略同一である感光
部を形成すべき領域が除去されたレジスト膜を形成する
工程と、レジスト膜を用いて導電性膜にエッチングを行
い、その後このエッチングされた導電性膜とレジスト膜
とをマスクとして不純物イオンを注入し、逆導電型の不
純物領域を形成する工程と、導電性膜の端面のうち、不
純物領域に近接した部分が除去されず、かつ不純物領域
の端面より導電性膜の端面の幅が狭くなるように導電性
膜にパターニングを行い電極を形成する工程とを備えた
ことを特徴としている。

【００１１】または、本発明は一導電型の半導体基板上
に絶縁膜を介して形成された第１の導電性膜の表面にレ
ジストを塗布し、電荷転送方向の幅が略同一である感光
部を形成すべき領域が除去された第１のレジスト膜を形
成する工程と、第１のレジスト膜を用いて第１の導電性
膜にエッチングを行い、感光部を形成すべき領域が除去
された第２の導電性膜を形成する工程と、第１のレジス
ト膜と第２の導電性膜とをマスクとして不純物イオンを
注入し、逆導電型の不純物領域を形成する工程と、第１
のレジスト膜を除去した後表面全体にレジストを塗布
し、第２の導電性膜の端面のうち不純物領域に近接した
部分を覆った状態で、かつ不純物領域の端面より第２の
導電性膜の端面の幅が狭くなるように電極のパターンに
対応した第２のレジスト膜を形成する工程と、第２のレ
ジスト膜を用いて第２の導電性膜にエッチングを行い電
極を形成する工程とを備えたことを特徴としている。

【００１２】あるいは、本発明は一導電型の半導体基板
上に、電極のパターンに対応した導電性膜を形成する工
程と、電荷転送方向の幅が略同一である感光部を形成す
べき領域が除去されたレジスト膜を形成する工程と、導
電性膜の端面のうち感光部を形成すべき領域と近接する
部分がレジスト膜の端面と一致し、かつ感光部を形成す
べき領域の端面より導電性膜の端面の幅が狭くなるよう
にレジスト膜を用いて導電性膜にエッチングを行い、電
極を形成する工程と、レジスト膜と電極とをマスクとし
て不純物イオンを注入し逆導電型の不純物領域を形成す
る工程とを備えている。

【００１３】さらに、本発明は一導電型の半導体基板上
に絶縁膜を介して形成された第１の導電性膜の表面にレ
ジストを塗布し、電極のパターンに対応した第１のレジ
スト膜を形成する工程と、第１のレジスト膜を用いて第
１の導電性膜にエッチングを行い、電極のパターンに対
応した第２の導電性膜を形成する工程と、第１のレジス
ト膜を除去した後、表面全体にレジストを塗布し、電荷
転送方向の幅が略同一である感光部を形成すべき領域が
除去された第２のレジスト膜を形成する工程と、第２の
導電性膜の端面のうち、感光部の領域と近接する部分が
第２のレジスト膜の端面と一致し、かつ感光部を形成す
べき領域の端面より第２の導電性膜の端面の幅が狭くな
るように第２のレジスト膜を用いて第２の導電性膜にエ
ッチングを行い、電極を形成する工程と、第２のレジス
ト膜と電極とをマスクとして不純物イオンを注入し、感
光部を形成すべき領域に逆導電型の不純物領域を形成す
る工程とを備えていてもよい。

【００１４】ここで、逆導電型の不純物領域を含んだ電
極で囲まれている領域に、不純物イオンを注入して一導
電型の不純物領域を形成する工程をさらに備えていても
よい。

【００１５】

【作用】導電性膜の表面に、感光部を形成すべき領域が
除去されたレジスト膜を形成し、このレジスト膜を用い
て導電性膜にエッチングを行うと共に、同じレジスト膜
と導電性膜とをマスクとして不純物イオンを注入し、感
光部を形成すべき領域に逆導電型の不純物領域を形成す
る。ここで、同じレジスト膜を用いて導電性膜と不純物
領域の形成とを行うため、端面が一致した導電性膜のエ
ッチングとレジスト膜とを用いて不純物イオンの注入を
行うことになる。このため、端部においても十分な膜厚
のマスクが得られ、導電性膜を不純物イオンが貫通して
基板の表面部分まで到達することがなく、導電性膜の端
面と不純物領域の境界とが上下に並んだ位置関係にな
る。これにより、暗電流や残像の発生が抑制される。

【００１６】第１の導電性膜の表面に、感光部を形成す
べき領域が除去された第１のレジスト膜を形成し、この
第１のレジスト膜を用いて第１の導電性膜にエッチング
を行って第２の導電性膜を形成し、第１のレジスト膜と
第２の導電性膜とを用いて不純物イオンを注入し、逆導
電型の不純物領域を形成する場合も、同じ第１のレジス
ト膜を用いて導電性膜のエッチングと不純物領域の形成
を行うことになり、端面の一致した第１のレジスト膜と
第２の導電性膜とから成る十分な膜厚のマスクを用いて
不純物イオンを注入することができる。

【００１７】上述した方法では、いずれも導電性膜に感
光部を形成すべき領域が除去されるようにエッチングし
た後、不純物領域の形成を行い、その後導電性膜を電極
のパターンにエッチングしている。この順序を逆にし
て、導電性膜をエッチングして電極を形成し、その後不
純物領域の形成を行ってもよい。即ち、電極のパターン
に対応した導電性膜を形成し、感光部を形成すべき領域
が除去されたレジスト膜を形成し、このレジスト膜を用
いて導電性膜にエッチングを行って電極を形成すること
で、端面が一致したレジスト膜と電極とが得られる。こ
のレジスト膜と電極とで膜厚の十分なマスクが得られ、
不純物イオンを注入した場合に、不純物イオンが電極貫
通して基板の表面部分まで到達するのが防止され、同様
に暗電流や残像の発生が抑制される。

【００１８】第１の導電性膜の表面に電極のパターンに
対応した第１のレジスト膜を形成し、第１のレジスト膜
を用いて第１の導電性膜にエッチングを行って第２の導
電性膜を形成した後、感光部を形成すべき領域が除去さ
れた第２のレジスト膜を形成して第２の導電性膜にさら
にエッチングを行うことで、感光部の領域に近接した部
分において端面が一致した第２の導電性膜と第２のレジ
スト膜とが得られる。この第２の導電性膜と第２のレジ
スト膜とをマスクとして不純物イオンを注入する場合に
も、同様に不純物イオンが第２の導電性膜を貫通して基
板の表面部分まで到達するのが防止される。

【００１９】

【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
して説明する。先ず、第１の実施例による固体撮像装置
の製造方法に関し、図１から図５に工程別にその素子断
面を示す。ここで、図１（ｂ）〜図５（ｂ）はそれぞれ
図１（ａ）〜図５（ａ）におけるＢ−Ｂ線に沿う縦断面
図に相当する。

【００２０】先ず、図１（ａ）及び（ｂ）に示されるよ
うに、ｐ型半導体基板１１の表面全体にシリコン酸化膜
１３が形成され、その表面上に多結晶シリコンが堆積さ
れて多結晶シリコン膜１６が形成される。

【００２１】多結晶シリコン膜１６の表面にレジストが
塗布され、パターニングが行われて画素を形成すべき領
域が除去されたレジスト膜１５が形成される。このレジ
スト膜１５をマスクとしてエッチングが行われ、図２
（ａ）及び（ｂ）のように画素形成領域が除去された多
結晶シリコン膜１６ａが形成される。さらにレジスト膜
１５をマスクとして、例えばリンイオン（Ｐ⁺ ）等の不
純物イオンが注入され、ｎ型不純物領域１７が形成され
る。この場合に、ドーズ量は例えば２〜３×１０¹²cm^-2
であり、加速電圧は２００ｋ〜１ＭｅＶというように高
電圧でイオン注入が行われ、ｎ型不純物領域１７が深く
形成される。

【００２２】ここで、レジスト膜１５を用いてエッチン
グを行う場合に、等方性エッチングを行うと、多結晶シ
リコン膜１６の端面がレジスト膜１５の端面から後退す
る。この結果、ｎ型不純物領域１７の図中右側の端面と
多結晶シリコン膜１５ａの端面とが上下に並ばず、両者
の間に隙間が生じることになる。このような隙間が存在
すると、読み出し動作時に隙間が障壁となって作用し、
不都合が生じる。そこで、反応性イオンエッチング（Ｒ
ＩＥ）等の異方性エッチングを行い、多結晶シリコン膜
１６ａの端面がレジスト膜１５の端面から後退しないよ
うにするのが望ましい。

【００２３】レジスト膜１５が除去された後、再び表面
全体にレジストが塗布される。図３（ａ）及び（ｂ）に
示されるように、多結晶シリコン膜１６ａのうち、読み
出し電極のパターンに対応した領域、即ちｎ型不純物領
域１７とシリコン酸化膜１３を介して近接する部分と、
この部分を相互に接続する部分を残すようにパターニン
グされたレジスト膜２５が形成される。この場合に、多
結晶シリコン膜１６ａのうち、ｎ型不純物領域１７と近
接している端部がエッチングにより除去されないよう
に、レジスト膜２５ａで覆っておく必要がある。

【００２４】このようなレジスト膜２５をマスクとして
多結晶シリコン膜１６ａに対してエッチングが行われ、
図４（ａ）及び（ｂ）に示されるような多結晶シリコン
膜１６ｂが形成される。この多結晶シリコン膜１６ｂ
が、読み出し電極として用いられる。

【００２５】レジスト膜２５が除去され、表面全体にレ
ジストが塗布される。多結晶シリコン膜１６ｂで囲まれ
た領域を除去するようにレジスト膜にパターニングが行
われ、図５（ａ）及び（ｂ）に示されるようなレジスト
膜３５が形成される。このレジスト膜３５をマスクとし
て、ボロンイオン（Ｂ⁺ ）等の不純物イオンがドーズ量
が１〜２×１０¹³cm^-2で、加速電圧が６０〜８０ｋｅＶ
の条件で注入され、高濃度なｐ型不純物領域２７が浅く
形成される。

【００２６】この第１の実施例によれば、図２（ａ）及
び（ｂ）に示された工程で、高い加速電圧で不純物イオ
ンを注入してｎ型不純物領域１７を形成する際に、多結
晶シリコン膜１６ａとレジスト膜１５とをマスクとして
用いる。この多結晶シリコン膜１６ａは、同じレジスト
膜１５をマスクとしてエッチングされているため、従来
の場合とは異なりその端面はレジスト膜１５の端面と一
致している。従って、端部においても十分な膜厚のマス
クが得られる。このため、高い加速電圧で不純物イオン
を注入しても不純物イオンが多結晶シリコン膜１６ｂを
貫通して半導体基板１１の表面部分まで到達することが
なく、ｎ型不純物領域１７の境界と多結晶シリコン膜１
６ｂの端面とが上下に並ぶ。これにより、残像や暗電流
の発生を抑制することができる。

【００２７】次に、本発明の第２の実施例による固体撮
像装置の製造方法について、図６（ａ）及び（ｂ）から
図９（ａ）及び（ｂ）までを参照して説明する。第１の
実施例では、ｎ型不純物領域を形成した後、多結晶シリ
コン膜にパターニングを行って読み出し電極を形成して
いる。これに対し、第２の実施例は多結晶シリコン膜に
パターニングを行った後、ｎ型不純物領域の形成を行う
点が相違する。

【００２８】先ず、図６（ａ）及び（ｂ）のように、ｐ
型半導体基板１１の表面上にシリコン酸化膜１３と多結
晶シリコン膜１６が順に形成されている。この多結晶シ
リコン膜１６の表面上にレジストが塗布され、読み出し
電極のパターンに対応したパターニングが行われ、レジ
スト膜１１５が形成される。このレジスト膜１１５をマ
スクとしてエッチングが行われ、多結晶シリコン膜１１
６が形成される。

【００２９】レジスト膜１１５が除去され、再びレジス
トが表面全体に塗布される。そして、図７（ａ）及び
（ｂ）に示されるように、ｎ型不純物領域を形成すべき
領域以外が除去されたレジスト膜１２５が形成される。
このレジスト膜１２５をマスクとして、多結晶シリコン
膜１１６に対して再びエッチングが行われる。これによ
り、図８（ａ）及び（ｂ）に示されるように多結晶シリ
コン膜１１６ａの端面とレジスト膜１２５の端面とが一
致した状態になる。

【００３０】この多結晶シリコン膜１１６ａとレジスト
膜１２５とをマスクとして、リンイオン（Ｐ⁺ ）等の不
純物イオンが、第１の実施例と同様なドーズ量と高い加
速電圧で注入されて、ｎ型不純物領域１１７が深く形成
される。

【００３１】レジスト膜１２５が除去され、再びレジス
トが表面全体に塗布される。多結晶シリコン膜１１６ａ
で囲まれた領域が除去されたレジスト膜１３５を形成す
る。このレジスト膜１３５をマスクとして、ボロンイオ
ン（Ｂ⁺ ）等の不純物イオンが第１の実施例と同様なド
ーズ量及び加速電圧で注入され、高濃度なｐ型不純物領
域１１７が浅く形成される。

【００３２】この第２の実施例においても、高い加速電
圧でｎ型不純物イオンを注入する際に、端面が上下に一
致した多結晶シリコン膜１６ａとレジスト膜１２５をマ
スクとして用いる。このため、マスクの膜厚は端部にお
いても十分に厚く、半導体基板１１の表面部分まで不純
物イオンが到達せず、残像や暗電流の抑制が可能であ
る。

【００３３】上述した実施例は一例であり、本発明を限
定するものではない。例えば、実施例では読み出し電極
をいずれも多結晶シリコンで形成しているが、導電性を
有するものであれば他の材料を用いてもよい。

【００３４】また、実施例では読み出し部分のみが接す
る構造を示したが、他の部分の電極と不純物領域が接す
る構造も可能である。

【００３５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の固体撮像
装置の製造方法は、同一のレジスト膜を用いて導電性膜
のエッチングと不純物領域の形成とを行うことで、端面
の一致したレジスト膜と導電性膜とから成る十分な膜厚
のマスクを用いて不純物イオンの注入を行うことがで
き、不純物イオンが導電性膜を貫通して基板の表面部分
にまで打ち込まれるのが防止され、暗電流や残像の発生
が抑制される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例による固体撮像装置の製
造方法における一工程を示した素子断面図。

【図２】本発明の第１の実施例による固体撮像装置の製
造方法における一工程を示した素子断面図。

【図３】本発明の第１の実施例による固体撮像装置の製
造方法における一工程を示した素子断面図。

【図４】本発明の第１の実施例による固体撮像装置の製
造方法における一工程を示した素子断面図。

【図５】本発明の第１の実施例による固体撮像装置の製
造方法における一工程を示した素子断面図。

【図６】本発明の第２の実施例による固体撮像装置の製
造方法における一工程を示した素子断面図。

【図７】本発明の第２の実施例による固体撮像装置の製
造方法における一工程を示した素子断面図。

【図８】本発明の第２の実施例による固体撮像装置の製
造方法における一工程を示した素子断面図。

【図９】本発明の第２の実施例による固体撮像装置の製
造方法における一工程を示した素子断面図。

【図１０】本発明の適用が可能な固体撮像装置の概略構
成を示した平面図。

【図１１】図１０における領域Ａを拡大した部分詳細
図。

【図１２】図１１におけるＢ−Ｂ線に沿う断面を示した
縦断面図。

【図１３】従来の固体撮像装置の製造方法を示した縦断
面図。

【符号の説明】

１ａ，１ｂ ＣＣＤレジスタ ２ 感光画素列 ３ａ，３ｂ 読み出し電極 ４ 出力ゲート ５ 浮遊拡散領域 ６ リセットゲート ７ リセットドレイン ８ ソースフォロワ回路 ９ 出力端子 １０ ｎ型不純物領域 １１ 半導体基板 １３ シリコン酸化膜 １５，２５，２５ａ，３５，１１５，１２５，１３５
レジスト膜 １６，１６ａ，１１６，１１６ａ 多結晶シリコン膜 １７，１１７ ｎ型不純物領域 ２７，１２７ ｐ型不純物領域

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一導電型の半導体基板上に形成された導電
   性膜の表面上に、入射光を電荷に変換し、電荷転送方向
   の幅が略同一である感光部を形成すべき領域が除去され
   たレジスト膜を形成する工程と、 前記レジスト膜を用いて前記導電性膜にエッチングを行
   い、その後、このエッチングされた前記導電性膜と前記
   レジスト膜とをマスクとして不純物イオンを注入し、前
   記感光部を形成すべき領域に逆導電型の不純物領域を形
   成する工程と、 前記導電性膜の端面のうち、前記不純物領域に近接した
   部分が除去されず、かつ前記不純物領域の端面より前記
   導電性膜の端面の幅が狭くなるように前記導電性膜にパ
   ターニングを行い、電極を形成する工程とを備えたこと
   を特徴とする固体撮像装置の製造方法。
2. 【請求項２】一導電型の半導体基板上に絶縁膜を介して
   形成された第１の導電性膜の表面にレジストを塗布し、
   入射光を電荷に変換し、電荷転送方向の幅が略同一であ
   る感光部を形成すべき領域が除去された第１のレジスト
   膜を形成する工程と、 前記第１のレジスト膜を用いて前記第１の導電性膜にエ
   ッチングを行い、前記感光部を形成すべき領域が除去さ
   れた第２の導電性膜を形成する工程と、 前記第１のレジスト膜と前記第２の導電性膜とをマスク
   として不純物イオンを注入し、逆導電型の不純物領域を
   前記感光部を形成すべき領域に形成する工程と、 前記第１のレジスト膜を除去した後、表面全体にレジス
   トを塗布し、前記第２の導電性膜の端面のうち、前記絶
   縁膜を介して前記不純物領域に近接した部分を覆った状
   態で、かつ前記不純物領域の端面より前記第２の導電性
   膜の端面の幅が狭くなるように電極のパターンに対応し
   た第２のレジスト膜を形成する工程と、 前記第２のレジスト膜を用いて前記第２の導電性膜にエ
   ッチングを行い、電極を形成する工程とを備えたことを
   特徴とする固体撮像装置の製造方法。
3. 【請求項３】一導電型の半導体基板上に、電極のパター
   ンに対応した導電性膜を形成する工程と、 入射光を電荷に変換し、電荷転送方向の幅が略同一であ
   る感光部を形成すべき領域が除去されたレジスト膜を形
   成する工程と、 前記導電性膜の端面のうち、前記感光部を形成すべき領
   域と近接する部分が前記レジスト膜の端面と一致し、か
   つ前記感光部を形成すべき領域の端面より前記導電性膜
   の端面の幅が狭くなるように前記レジスト膜を用いて前
   記導電性膜にエッチングを行い、電極を形成する工程
   と、 前記レジスト膜と前記電極とをマスクとして不純物イオ
   ンを注入し、前記感光部を形成すべき領域に逆導電型の
   不純物領域を形成する工程とを備えたことを特徴とする
   固体撮像装置の製造方法。
4. 【請求項４】一導電型の半導体基板上に絶縁膜を介して
   形成された第１の導電性膜の表面にレジストを塗布し、
   電極のパターンに対応した第１のレジスト膜を形成する
   工程と、 前記第１のレジスト膜を用いて前記第１の導電性膜にエ
   ッチングを行い、前記電極のパターンに対応した第２の
   導電性膜を形成する工程と、 前記第１のレジスト膜を除去した後、表面全体にレジス
   トを塗布し、入射光を電荷に変換し、電荷転送方向の幅
   が略同一である感光部を形成すべき領域が除去された第
   ２のレジスト膜を形成する工程と、 前記第２の導電性膜の端面のうち、前記感光部を形成す
   べき領域と近接する部分が前記第２のレジスト膜の端面
   と一致し、かつ前記感光部を形成すべき領域の端面より
   前記第２の導電性膜の端面の幅が狭くなるように前記第
   ２のレジスト膜を用いて前記第２の導電性膜にエッチン
   グを行い、電極を形成する工程と、 前記第２のレジスト膜と前記電極とをマスクとして不純
   物イオンを注入し、前記感光部を形成すべき領域に逆導
   電型の不純物領域を形成する工程とを備えたことを特徴
   とする固体撮像装置の製造方法。
5. 【請求項５】前記逆導電型の不純物領域を含む前記電極
   で囲まれた領域に、不純物イオンを注入して一導電型の
   不純物領域を形成する工程をさらに備えたことを特徴と
   する請求項１ないし４のいずれかに記載の固体撮像装置
   の製造方法。