JP6161454B2 - 光電変換装置、その製造方法及びカメラ - Google Patents
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Description
図2乃至図5を参照しながら、第1実施形態にかかる光電変換装置I1を説明する。図2は、光電変換装置I1において、図1に例示された回路構成の光電変換部101とトランジスタM102及びM103とを含む部分のレイアウト構成例を模式的に示している。図2(a)は上面図を示しており、図2(b)はカットラインA−A’の断面構造を示している。
図6を参照しながら、第2実施形態にかかる光電変換装置I2およびその製造方法を述べる。図6は、光電変換装置I2の製造方法の例を説明する図である。完成後の光電変換装置I2を示す図6の(L)に示されるように、本実施形態は、P型半導体領域207が、第1領域207aと、第1領域207aよりも不純物濃度の低い第2領域207bとを含む点で、第1実施形態と異なる。即ち、トランジスタM102と同様にして、トランジスタM103においてもソース領域が互いに濃度が異なる2つの領域を有する構造を採っている。この構造によっても第1実施形態と同様の効果が得られる。
Claims (12)
- 半導体基板に設けられ、第1導電型の第1半導体領域を含む光電変換部と、
平面視において前記第1半導体領域に隣接するように前記第1半導体領域に接触して配され、前記第1半導体領域よりも前記第1導電型の不純物濃度が低い前記第1導電型の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域から離れた位置に設けられた前記第1導電型の第3半導体領域と、
前記第2半導体領域と前記第3半導体領域との間において、前記半導体基板の上に絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、を備え、
平面視において前記第2半導体領域と前記ゲート電極との間にギャップを有しており、前記半導体基板は、前記第2半導体領域の縁から前記ゲート電極の下に至る領域に前記第1導電型とは極性が異なる第2導電型の領域を有する、
ことを特徴とする光電変換装置。 - 前記第2半導体領域は、前記第1導電型の不純物濃度が、前記第1半導体領域の10分の1以下である、
ことを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。 - 前記第3半導体領域から離れた位置に設けられた前記第1導電型の第4半導体領域と、
前記第3半導体領域と前記第4半導体領域との間において、前記半導体基板の上に絶縁膜を介して設けられた第2ゲート電極と、をさらに備え、
平面視において前記第3半導体領域と前記第2ゲート電極との間にギャップを有しており、前記半導体基板は、前記第3半導体領域の縁から前記第2ゲート電極の下に至る領域に前記第2導電型の第2領域を有し、
前記第3半導体領域は、前記ゲート電極の側から前記第2ゲート電極の側に向かって順に第1部分と第2部分とを有しており、前記第2部分は、前記第1導電型の不純物濃度が前記第1部分よりも低い、
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の光電変換装置。 - 前記第1部分は、前記第1導電型の不純物濃度が前記第1半導体領域と同じであり、
前記第2部分は、前記第1導電型の不純物濃度が前記第2半導体領域と同じである、
ことを特徴とする請求項3に記載の光電変換装置。 - 半導体基板に設けられ、第1導電型の第1半導体領域を含む光電変換部と、
前記第1半導体領域に隣接して設けられ、前記第1半導体領域よりも前記第1導電型の不純物濃度が低い前記第1導電型の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域から離れた位置に設けられた前記第1導電型の第3半導体領域と、
前記第2半導体領域と前記第3半導体領域との間において、前記半導体基板の上に絶縁膜を介して設けられた第1ゲート電極と、
前記第3半導体領域から離れた位置に設けられた前記第1導電型の第4半導体領域と、
前記第3半導体領域と前記第4半導体領域との間において、前記半導体基板の上に絶縁膜を介して設けられた第2ゲート電極と、を備え、
前記第3半導体領域は、第1領域と、平面視において前記第1領域に隣接するように前記第1領域に接触して配され、前記第1領域よりも前記第1導電型の不純物濃度が低い第2領域とを含み、
平面視において前記第3半導体領域の前記第2領域と前記第2ゲート電極との間にギャップを有しており、前記半導体基板は、前記第3半導体領域の前記第2領域の縁から前記第2ゲート電極の下に至る領域に前記第1導電型とは極性が異なる第2導電型の領域を有する
ことを特徴とする光電変換装置。 - 前記第1導電型はP型であり、前記第1導電型の不純物としてボロンが用いられた、
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記第1半導体領域にオーミック接触したコンタクトと、前記コンタクトに電気的に接続された配線パターンとを更に備える、
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記配線パターンにゲート電極が電気的に接続されたトランジスタを更に備える、
ことを特徴とする請求項7に記載の光電変換装置。 - 前記光電変換部は、前記第1導電型の第5半導体領域を更に含み、前記第1半導体領域は、前記第5半導体領域に接するように配置され、前記第5半導体領域よりも前記第1導電型の不純物濃度が高い、
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 請求項1乃至9のいずれか1項に記載の光電変換装置を有する固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。 - 光電変換装置の製造方法であって、
前記光電変換装置は、半導体基板に設けられ、第1導電型の第1半導体領域を含む光電変換部と、平面視において前記第1半導体領域に隣接するように前記第1半導体領域に接触して配され、前記第1半導体領域よりも前記第1導電型の不純物濃度が低い前記第1導電型の第2半導体領域と、前記第2半導体領域から離れた位置に設けられた前記第1導電型の第3半導体領域と、前記半導体基板の上に絶縁膜を介して設けられ、前記第2半導体領域と前記第3半導体領域との間にチャネルを形成するためのゲート電極と、を備え、
前記光電変換装置の製造方法は、
前記ゲート電極の側面にサイドウォールスペーサを形成する工程と、
前記ゲート電極と前記サイドウォールスペーサとをマスクとして不純物を注入し、平面視において前記第2半導体領域と前記ゲート電極との間にギャップを有するように、前記第2半導体領域を形成する工程と、を含み、
前記半導体基板は、前記第2半導体領域の縁から前記ゲート電極の下に至る領域に前記第1導電型とは極性が異なる第2導電型の領域を有する、
ことを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 前記第1半導体領域にオーミック接触したコンタクトおよび前記コンタクトに電気的に接続された配線パターンを形成する工程を更に含み、
前記配線パターンは、トランジスタのゲート電極に電気的に接続されるように形成される、
ことを特徴とする請求項11に記載の光電変換装置の製造方法。
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