JP6129980B2 - 力学量測定装置及びその製造方法 - Google Patents
力学量測定装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6129980B2 JP6129980B2 JP2015539055A JP2015539055A JP6129980B2 JP 6129980 B2 JP6129980 B2 JP 6129980B2 JP 2015539055 A JP2015539055 A JP 2015539055A JP 2015539055 A JP2015539055 A JP 2015539055A JP 6129980 B2 JP6129980 B2 JP 6129980B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor chip
- solder
- layer
- mechanical quantity
- base substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 37
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 137
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 118
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 103
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 58
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 28
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 28
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims description 22
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 19
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 18
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 claims description 16
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 2
- 238000011326 mechanical measurement Methods 0.000 claims 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 12
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 11
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 6
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- 229910015371 AuCu Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002711 AuNi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002482 Cu–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000001012 protector Effects 0.000 description 1
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0092—Pressure sensor associated with other sensors, e.g. for measuring acceleration or temperature
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
- G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
- G01L9/0054—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements integral with a semiconducting diaphragm
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
力学量測定装置の製造方法において、ベース基板上に、Auと固溶体を形成してAuを固溶強化する材料を含む初期メタライズ層を形成し、前記初期メタライズ層上にAuを少なくとも50wt%以上含むはんだを積層し、前記はんだの上に、半導体基板にひずみ検出部を形成したセンサチップを、その裏面を向けて搭載し、前記積層体を加熱炉内に載置して、前記センサチップの耐熱温度以下、及びはんだ溶融温度以上に加熱し、前記はんだに接する前記初期メタライズ層からはんだ中のAuを固溶強化する前記材料の一部、或いは全部をはんだ中に溶解させて接合層を形成するようにした。更に、前記センサチップの電極から外部に配線を引き出す配線基板を取り付けて構成するようにした。
ベース基板4にはセンサチップ1の搭載位置にメタライズ層5が配置され、メタライズ層5とセンサチップ1の間の接合層3は、Auを含むはんだ層であり、Si、Ge、Ni、Sn、In、Sbのうち1種類以上の元素と、Cu、Ag、Co、Pt、Cr、Fe、Pdのうち1種類以上の元素を含んで構成されている。ベース基板4上のメタライズ層5は、Cu、Ag、Co、Pt、Cr、Fe、Pdのうち1種類以上の元素を含むものである。ベース基板4とメタライズ層5の中間は、メタライズ層5の密着性を向上させるために、Niなどの中間メタライズ層6を設けても良い。
加熱、昇温と共に、Auを含むはんだ材料8が溶融し、センサチップ1の裏面1bの初期メタライズ層9、及びベース基板4の初期メタライズ層7に接合される。このとき、ベース基板4の初期メタライズ層7は、Cu、Ag、Co、Pt、Cr、Fe、Pdのうち1種類以上の元素を含むものとする。すると、ベース基板4の初期メタライズ層7から、これらの初期メタライズ層の成分の一部、或いは全部がAuを含むはんだ材料8内に溶解する。
初期メタライズ層7の成分によってAuを含むはんだ材料8への溶け込み速さは異なるため、加熱条件を最適化することが重要であるが、接合後、再度高温でのベーク処理を行い、拡散を進行させるプロセスも有効である。
図7に本発明の力学量測定装置100を利用して被測定物30のひずみ量を計測する場合の構成図を示す。これはベース基板4と被測定物30とを、溶接31によって数箇所固定したものである。これにより、被測定物30に生じたひずみ量をまずはベース基板4に伝え、その後、感度、クリープ耐性を向上させた接合層3を介してセンサチップ1の歪み検出部2に、感度良く伝え、歪み量を正確に測定することが可能となる。ここでは、溶接31によりベース基板4と被測定物を固定したが、ねじ留めや接着材、かしめ、摩擦による熱を利用する方法などで固定しても良い。
また軟質なAuを改質して強化できる成分を有する初期メタライズ層の厚みは、その成分の改質効果にもよるが、例えば最大100μm程度である。
また、センサチップ1の主材料であるSiとAuとは共晶反応を起こすため、温度、雰囲気を最適化することで、図17に示したようにセンサチップ1の側面の一部、或いは側面全体にフィレット23を形成することも可能であり、クリープ耐性が向上する。
本実施例の力学量測定装置200では、センサチップ1は実施例1の場合と同様であるが、Auを含むはんだ材料8の軟質なAuを改質して強化可能な成分を含む初期メタライズ層41を、センサチップ1の裏面1bに形成したことを特徴とする。
本実施例の力学量測定装置300では、センサチップ1は実施例1の場合と同様であるが、Auを含むはんだ材料8の軟質なAuを改質して強化可能な成分を含む初期メタライズ層を、センサチップ1の裏面1b、及び、ベース基板4上の両方に形成したことを特徴とする。
実施例3の例では、センサチップ1の初期メタライズ層45とベース基板4表面の初期メタライズ層44は同じ成分でもよいし、別の成分を用いても良い。また、初期メタライズ層44、初期メタライズ層45の材質は実施例1の初期メタライズ層7と同様である。はんだ材料8も実施例1と同様である。
実施例3では、ベース基板4上、およびセンサチップ1の裏面1bの両方に軟質なAuを強化可能な成分を含む初期のメタライズ層44,45を形成して、はんだ材料8への溶け込みをより早く効率化する実施例を示した。更に迅速にはんだ材料8への溶け込みを実現するためには、はんだ材料8の間に初期のメタライズ層を挟み込む方式が有効と考えられる。
本実施例の力学量測定装置400では、センサチップ1は実施例1の場合と同様であるが、Auを含むはんだ材料8の軟質なAuを改質して強化可能な成分を含む初期メタライズ層を、Auを含むはんだ材料8の間、センサチップ1の裏面1b、及び、ベース基板4上の3箇所に形成したことを特徴とする。
実施例4の例では、センサチップ1の初期メタライズ層48と、はんだ材料8に挟まれたAu改質材料49と、及びベース基板4表面の初期メタライズ層47は同じ成分でも良いし、別の成分を用いても良い。また、初期メタライズ層48、Au改質材料49、初期メタライズ層47の材質は実施例1の初期メタライズ層7と同様である。はんだ材料8も実施例1と同様である。
図15に断面図を示す圧力センサモジュール500は、中空孔51を内側に設けた筒部52とこの筒部52における中空孔51の上部を閉塞する蓋部分53からなる容器54を有している。また、中空孔51の上部の蓋部分53にはダイアフラム56の領域が形成されていて、センサチップ1をベース基板4に接合層3を介して取り付けたセンサモジュール57がダイアフラム56部分の中空孔51と反対側の面に取り付けられている。またセンサチップ1からはひずみ検出量を出力するため、ボンディングワイヤ22を介して配線基板20が取り付けられている。更にこれらのセンサモジュール(力学量測定装置)57部分を保護し、且つ計測値を出力するためにケース58、また図示していないがコネクタが周囲にとりつけられている。
1a センサチップの主面
1b センサチップ裏面
2 ひずみ検出部
3 接合層
4 ベース基板
5 メタライズ層
6 中間メタライズ層
7 初期メタライズ層
8 Auを含むはんだ材料
9 初期メタライズ層
10 加熱炉
11 ヒータ
12 接合補正冶具
13 金属間化合物層
14 金属間化合物層
15 初期メタライズ層が全て溶け込んだ接合層
16 重り
17 初期メタライズ層の一部が溶け込んだ接合層
20 プリント基板
21 プリント基板の電極
22 ボンディングワイヤ
23 フィレット
29 センサチップのワイヤボンディング用電極
30 被測定物
31 溶接部
41 センサチップ裏面の初期メタライズ層
42 ベース基板表面の初期メタライズ層
43 接合層
44 ベース基板表面の初期メタライズ層
45 センサチップ裏面のメタライズ層
46 接合層
47 ベース基板表面の初期メタライズ層
48 センサチップ裏面のメタライズ層
49 Au改質材料
51 中空孔
52 筒部
53 蓋部分
54 容器
55 継手部
56 ダイアフラム
57 センサモジュール
58 ケース
61,62 接合層
100 力学量測定装置
200 力学量測定装置
300 力学量測定装置
400 力学量測定装置
500 圧力センサモジュール
600 圧力センサモジュール
Claims (15)
- ベース基板上に、または、力学量の被測定物を構成する部材の表面に、Auと固溶体を形成してAuを固溶強化する材料を含む初期メタライズ層を形成し、
前記初期メタライズ層上にAuを少なくとも50wt%以上含むはんだを積層し、
前記はんだの上に、半導体基板にひずみ検出部を形成したセンサチップを、その裏面を向けて搭載し、
前記メタライズ層と前記はんだと前記センサチップとを含む積層体を加熱炉内に載置して、前記センサチップの耐熱温度以下、及びはんだ溶融温度以上に加熱し、
前記はんだに接する前記初期メタライズ層からはんだ中のAuを固溶強化する前記材料の一部、或いは全部をはんだ中に溶解させて接合層を形成する力学量測定装置の製造方法。 - 請求項1において、
前記センサチップの前記ひずみ検出部が形成された主面と反対の裏面に、前記初期メタライズ層に含まれるAuを固溶強化する材料と同じ材料、または異なる種類のAuを固溶強化する材料を含む初期メタライズ層を形成し、
前記はんだの上に、前記センサチップの初期メタライズ層を形成した裏面を積層して搭載する力学量測定装置の製造方法。 - 請求項1において、
前記ベース基板、または前記力学量の被測定物を構成する部材、並びに前記センサチップの間に積層して挟み込むAuを少なくとも50wt%以上含むはんだを2層に分けて積層し、
前記2層に分けて積層したはんだの間に、Au改質材料を挟み込んで接合層を形成する力学量測定装置の製造方法。 - ベース基板、または力学量の被測定物を構成する部材の表面上に、はんだぬれのみを確保するメタライズ層を形成し、
前記メタライズ層と前記センサチップの間に積層して挟み込むAuを少なくとも50wt%以上含むはんだを2層に分けて積層し、
前記2層に分けて積層したはんだの間に、Au改質材料を挟み込んで接合層を形成する力学量測定装置の製造方法。 - 請求項1乃至4のいずれかの請求項において、
前記はんだ中のAuを固溶強化できる材料として、Cu、Ag、Co、Pt、Cr、Fe、またはPdの少なくともいずれか1つの元素を含む初期メタライズ層を用いる力学量測定装置の製造方法。 - 請求項1乃至4のいずれかの請求項において、
Auを含む前記はんだは、AuとGe、AuとSi、AuとIn、AuとSn、AuとSb、AuとNiの2元はんだである力学量測定装置の製造方法。 - 請求項1または2において、
Auを含む前記はんだは、Ge、Si、In、Sn、Ni、Sb、Ti、Cu、およびAgのうち少なくとも2種類以上の元素を含み、残りがAuで構成されるはんだである力学量測定装置の製造方法。 - 半導体基板にひずみ検出部を形成したセンサチップと、
被測定物と前記センサチップとの間に介在して、前記センサチップを支持すると共に、検出すべき前記被測定物の歪みを前記センサチップに伝えるベース基板、または力学量の被測定物を構成する部材と、
前記センサチップの電極から外部に配線を引き出す配線部と、
を備え、
前記ベース基板または前記力学量の被測定物を構成する部材と、前記センサチップとの間には、
Auと固溶体を形成してAuを固溶強化する材料を含み、加熱炉内の加熱によって、前記材料が接続するはんだ層へ溶け出した残りの材料を有するメタライズ層と、
加熱前にはAuを少なくとも50wt%以上含み、加熱炉内の加熱によって、接続する前記メタライズ層からAuを固溶強化する材料の溶け込みを受け入れて、Auと前記材料を含む固溶体を形成するはんだから成る接合層と、
を有して、
前記ベース基板または前記力学量の被測定物を構成する部材と、前記センサチップとが接合されている力学量測定装置。 - 請求項8において、
前記ベース基板と、前記センサチップとの間には、前記ベース基板の上に、前記メタライズ層、前記接合層が積層され、
前記接合層と前記センサチップとの間には、第2のメタライズ層が積層されて、または省略されて、前記ベース基板と、前記センサチップとが接合されている力学量測定装置。 - 請求項8において、
前記ベース基板と、前記センサチップとの間には、前記接合層が、第1、第2の接合層に分けられ、前記第1、第2の接合層の間に第3のAu改質材料が積層され、
前記ベース基板と前記第1の接合層の間に第1のメタライズ層、及び前記第2の接合層と前記センサチップとの間に第2のメタライズ層は、それぞれが積層されて、または省略されて、前記ベース基板と、前記センサチップとが接合されている力学量測定装置。 - 請求項8において、
前記力学量の被測定物を構成する部材と、前記センサチップとの間には、前記部材の上に、前記メタライズ層、前記接合層が積層され、
前記接合層と前記センサチップとの間には、第2のメタライズ層が積層されて、または省略されて、前記部材と、前記センサチップとが接合されている力学量測定装置。 - 請求項8において、
前記力学量の被測定物を構成する部材と、前記センサチップとの間には、前記接合層が、第1、第2の接合層に分けられ、前記第1、第2の接合層の間にAu改質材料が積層され、
前記部材と前記第1の接合層の間に第1のメタライズ層、及び前記第2の接合層と前記センサチップとの間に第2のメタライズ層は、それぞれが積層されて、または省略されて、前記部材と、前記センサチップとが接合されている力学量測定装置。 - 請求項8乃至12のいずれかの請求項において、
前記はんだ中のAuを固溶強化できる材料として、Cu、Ag、Co、Pt、Cr、Fe、またはPdの少なくともいずれか1つの元素を含むメタライズ層を用いる力学量測定装置。 - 請求項8乃至12のいずれかの請求項において、
Auを含む前記はんだは、AuとGe、AuとSi、AuとIn、AuとSn、AuとSbの2元はんだである力学量測定装置。 - 請求項8乃至12のいずれかの請求項において、
Auを含む前記はんだは、Ge、Si、In、Sn、Ni、Sb、Ti、Cu、およびAgのうち少なくとも2種類以上の元素を含み、残りがAuで構成されるはんだである力学量測定装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013204068 | 2013-09-30 | ||
JP2013204068 | 2013-09-30 | ||
PCT/JP2014/073293 WO2015045779A1 (ja) | 2013-09-30 | 2014-09-04 | 力学量測定装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2015045779A1 JPWO2015045779A1 (ja) | 2017-03-09 |
JP6129980B2 true JP6129980B2 (ja) | 2017-05-17 |
Family
ID=52742926
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015539055A Active JP6129980B2 (ja) | 2013-09-30 | 2014-09-04 | 力学量測定装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6129980B2 (ja) |
WO (1) | WO2015045779A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110987703B (zh) * | 2019-11-12 | 2020-12-04 | 华南理工大学 | 具有高强度高塑性易切削环保无铅硅黄铜的定量识别方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55150277A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-22 | Hitachi Ltd | Semiconductor displacement converter |
US4665754A (en) * | 1985-04-08 | 1987-05-19 | Honeywell Inc. | Pressure transducer |
JPH06125096A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサ |
JPH09280972A (ja) * | 1996-04-12 | 1997-10-31 | Denso Corp | 半導体圧力センサの製造方法 |
JP2000131170A (ja) * | 1998-10-28 | 2000-05-12 | Hitachi Ltd | 圧力センサの実装方法 |
JP3458761B2 (ja) * | 1999-04-15 | 2003-10-20 | 松下電工株式会社 | 半導体圧力センサの構造 |
JP4265083B2 (ja) * | 2000-05-25 | 2009-05-20 | パナソニック電工株式会社 | 半導体圧力センサの製造方法 |
US7538401B2 (en) * | 2005-05-03 | 2009-05-26 | Rosemount Aerospace Inc. | Transducer for use in harsh environments |
-
2014
- 2014-09-04 JP JP2015539055A patent/JP6129980B2/ja active Active
- 2014-09-04 WO PCT/JP2014/073293 patent/WO2015045779A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2015045779A1 (ja) | 2015-04-02 |
JPWO2015045779A1 (ja) | 2017-03-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP3101400B1 (en) | Mechanical quantity measuring device and sensor unit | |
JP5705506B2 (ja) | 絶縁基板用クラッド材 | |
JP5463845B2 (ja) | 電力半導体装置とその製造方法 | |
JP4964009B2 (ja) | パワー半導体モジュール | |
JP5837697B2 (ja) | 太径ワイヤ又はストリップに接するための金属成形体を備えたパワー半導体チップ及びその製造方法 | |
JP6475703B2 (ja) | 金属/セラミックはんだ接続部を生成する方法 | |
JP6494802B2 (ja) | 電力用半導体装置および電力用半導体装置を製造する方法 | |
JP2009053005A (ja) | 半導体歪センサーおよび半導体歪センサーの取付け方法 | |
JP6580259B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP5092168B2 (ja) | ペルチェ素子熱電変換モジュール、ペルチェ素子熱電変換モジュールの製造方法および光通信モジュール | |
JP5905085B2 (ja) | ひずみセンサチップ実装構造体、ひずみセンサチップおよびひずみセンサチップ実装構造体の製造方法 | |
JPWO2009157130A1 (ja) | 接合構造および電子部品 | |
CN107683406B (zh) | 半导体器件、力学量测量装置和半导体器件的制造方法 | |
US20210223114A1 (en) | Temperature sensor and device equipped with temperature sensor | |
JP6129980B2 (ja) | 力学量測定装置及びその製造方法 | |
US20150369677A1 (en) | Sensor having simple connection technology | |
WO2014156273A1 (ja) | 力学量測定装置およびその製造方法 | |
WO2015040737A1 (ja) | 半導体素子の接合構造 | |
JPS6154272B2 (ja) | ||
Poech | How materials behaviour affects power electronics reliability | |
JP2004186566A (ja) | 熱電変換モジュールの組立方法 | |
JP2004327732A (ja) | セラミック回路基板及び電気回路モジュール | |
JP6208098B2 (ja) | 半導体素子接続ユニットおよびそれを備えた力学量測定装置 | |
JP2006041231A (ja) | セラミック回路基板および電気装置 | |
JP2004053290A (ja) | 超高温型荷重計およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161013 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170314 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170412 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6129980 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |