JP2001048668A - セラミックスと金属の接合方法および接合体および圧電振動装置 - Google Patents
セラミックスと金属の接合方法および接合体および圧電振動装置Info
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- JP2001048668A JP2001048668A JP11223789A JP22378999A JP2001048668A JP 2001048668 A JP2001048668 A JP 2001048668A JP 11223789 A JP11223789 A JP 11223789A JP 22378999 A JP22378999 A JP 22378999A JP 2001048668 A JP2001048668 A JP 2001048668A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】接合温度より高温で使用できる金属とセラミッ
クスの接合方法を提供する。この接合方法を用いて 600
℃以上で使用できる接合体を提供する。また、ＰＺＴ接
合体によって超音波トランスデューサとして使用するこ
とのできる接合強度を有する圧電振動装置を提供する。 【解決手段】ろう接時に、ろう材２に溶け込み融点を高
める改質材４をろう材中に拡散させることによって、ろ
う材の融点を上昇させる。また、ＰＺＴとＡｇ−Ｃｕろ
う材との界面に、Ｔｉ−Ｏからなる相とＴｉ−Ｚｒ−Ｏ
からなる相を形成させることによって、良好な濡れ性と
強固な接合強度を達成し、超音波トランスデューサとし
て使用することのできるＰＺＴ接合体を得る。
クスの接合方法を提供する。この接合方法を用いて 600
℃以上で使用できる接合体を提供する。また、ＰＺＴ接
合体によって超音波トランスデューサとして使用するこ
とのできる接合強度を有する圧電振動装置を提供する。 【解決手段】ろう接時に、ろう材２に溶け込み融点を高
める改質材４をろう材中に拡散させることによって、ろ
う材の融点を上昇させる。また、ＰＺＴとＡｇ−Ｃｕろ
う材との界面に、Ｔｉ−Ｏからなる相とＴｉ−Ｚｒ−Ｏ
からなる相を形成させることによって、良好な濡れ性と
強固な接合強度を達成し、超音波トランスデューサとし
て使用することのできるＰＺＴ接合体を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、超音波センサ等に
用いられるセラミックスと金属の接合方法およびこの接
合方法によって得られる接合体およびこの接合体を用い
た圧電振動装置に関する。
用いられるセラミックスと金属の接合方法およびこの接
合方法によって得られる接合体およびこの接合体を用い
た圧電振動装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】いろいろな設備や装置の非破壊検査に用
いられる超音波センサを構成するには、ＰＺＴ（ジルコ
ン酸チタン酸鉛），ＰＴ（チタン酸鉛），ＬｉＮｂＯ3
（ニオブ酸リチウム）などのセラミックスからなる圧電
振動子をＦｅ（鉄）基，Ｎｉ（ニッケル）基，Ｔｉ（チ
タン）基合金などからなる金属ケースの内部に固定する
必要がある。このための固定方法としては、バッキング
材を用いて機械的に固定する方法、接合表面を水素ラジ
カルを用いて活性化し直接接合する方法（Y.Ishida (e
d.):Interface Science and Materials Interconnectio
n, JIM(1996)p177.）、ハンダを用いてろう接する方法
（例えば特開平5-11042 号公報）などが知られている。
いられる超音波センサを構成するには、ＰＺＴ（ジルコ
ン酸チタン酸鉛），ＰＴ（チタン酸鉛），ＬｉＮｂＯ3
（ニオブ酸リチウム）などのセラミックスからなる圧電
振動子をＦｅ（鉄）基，Ｎｉ（ニッケル）基，Ｔｉ（チ
タン）基合金などからなる金属ケースの内部に固定する
必要がある。このための固定方法としては、バッキング
材を用いて機械的に固定する方法、接合表面を水素ラジ
カルを用いて活性化し直接接合する方法（Y.Ishida (e
d.):Interface Science and Materials Interconnectio
n, JIM(1996)p177.）、ハンダを用いてろう接する方法
（例えば特開平5-11042 号公報）などが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】600℃以上の高温でも
使用できる超音波センサ等の圧電振動装置を製作しよう
とする場合、セラミックスの圧電振動子を機械的に固定
する方法では、位置ずれや比較的脆弱な部材の破壊が起
こり、センサー特性の信頼性が低くなる。表面活性化直
接接合では、もともと接合強度は必ずしも高くなく、昇
温により非平衡な状態が平衡な状態に変化する過程で接
合強度が低下する可能性があり、やはり信頼性が低い。
使用できる超音波センサ等の圧電振動装置を製作しよう
とする場合、セラミックスの圧電振動子を機械的に固定
する方法では、位置ずれや比較的脆弱な部材の破壊が起
こり、センサー特性の信頼性が低くなる。表面活性化直
接接合では、もともと接合強度は必ずしも高くなく、昇
温により非平衡な状態が平衡な状態に変化する過程で接
合強度が低下する可能性があり、やはり信頼性が低い。
【０００４】圧電振動子を金属にろう接する方法の場
合、 600℃ではハンダが溶融してしまう。Ａｌ−Ｓｉ
（アルミニウム−シリコン）系ろう材でも融点直下とな
るため使用できない。融点が 780℃程度のＡｇ−Ｃｕ
（銀−銅）系ろう材が使用条件を満たす。したがって高
温で使用できるセンサを製作するための接合にはＡｇ−
Ｃｕ系ろう材を用いたろう接が適していると考えられ
る。しかしこの場合でも、センサーの使用温度はＡｇ−
Ｃｕ系ろう材の融点により制限される。また、セラミッ
クスがＰＺＴである場合、Ａｇ−Ｃｕ系ろう材ではろう
材の濡れ性が悪く、非常に弱い接合強度しか得られな
い。
合、 600℃ではハンダが溶融してしまう。Ａｌ−Ｓｉ
（アルミニウム−シリコン）系ろう材でも融点直下とな
るため使用できない。融点が 780℃程度のＡｇ−Ｃｕ
（銀−銅）系ろう材が使用条件を満たす。したがって高
温で使用できるセンサを製作するための接合にはＡｇ−
Ｃｕ系ろう材を用いたろう接が適していると考えられ
る。しかしこの場合でも、センサーの使用温度はＡｇ−
Ｃｕ系ろう材の融点により制限される。また、セラミッ
クスがＰＺＴである場合、Ａｇ−Ｃｕ系ろう材ではろう
材の濡れ性が悪く、非常に弱い接合強度しか得られな
い。
【０００５】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
であり、接合温度よりも高い温度で使用でき、また高い
接合強度の得られるセラミックスと金属の接合方法およ
び接合体およびこの接合体を備え超音波センサ等に使用
し得る圧電振動装置を提供することを目的とする。
であり、接合温度よりも高い温度で使用でき、また高い
接合強度の得られるセラミックスと金属の接合方法およ
び接合体およびこの接合体を備え超音波センサ等に使用
し得る圧電振動装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に対応する発明
は、セラミックス、ＡｇとＣｕからなるろう材および金
属を積層し、セラミックスとＡｇ−Ｃｕろう材の間に、
あるいはセラミックスとＡｇ−Ｃｕろう材の間およびＡ
ｇ−Ｃｕろう材と金属の間に、ろう材に溶け込み融点を
高める改質材を介在させ、ろう接時に溶融したろう材中
に前記改質材を溶け込ませて、接合部の溶融温度を接合
温度より高温にすることを特徴とするセラミックスと金
属の接合方法である。
は、セラミックス、ＡｇとＣｕからなるろう材および金
属を積層し、セラミックスとＡｇ−Ｃｕろう材の間に、
あるいはセラミックスとＡｇ−Ｃｕろう材の間およびＡ
ｇ−Ｃｕろう材と金属の間に、ろう材に溶け込み融点を
高める改質材を介在させ、ろう接時に溶融したろう材中
に前記改質材を溶け込ませて、接合部の溶融温度を接合
温度より高温にすることを特徴とするセラミックスと金
属の接合方法である。
【０００７】請求項２に対応する発明は、改質材を、
鉄，コバルト，ニッケル，チタン，銅，銀および金の少
くともいずれか１種類の元素とする接合方法である。請
求項３に対応する発明は、請求項１記載のセラミックス
と金属の接合方法によって得られ、セラミックス／Ｃｕ
とＮｉの濃度の高いＣｕ−Ｎｉリッチ相／Ａｇの濃度の
高いＡｇリッチ相／金属からなる接合部断面構造を有す
るセラミックスと金属の接合体である。
鉄，コバルト，ニッケル，チタン，銅，銀および金の少
くともいずれか１種類の元素とする接合方法である。請
求項３に対応する発明は、請求項１記載のセラミックス
と金属の接合方法によって得られ、セラミックス／Ｃｕ
とＮｉの濃度の高いＣｕ−Ｎｉリッチ相／Ａｇの濃度の
高いＡｇリッチ相／金属からなる接合部断面構造を有す
るセラミックスと金属の接合体である。
【０００８】請求項４に対応する発明は、上記セラミッ
クスと金属の接合体において接合部の厚さは５μｍ〜 2
00μｍであることを特徴とする。請求項５に対応する発
明は、請求項３記載のセラミックスと金属の接合体と、
この接合体の前記金属と反対の面に接合されたバッキン
グ材とを備え、前記接合体に電圧を印加・取出しするリ
ード線を接続したことを特徴とする圧電振動装置であ
る。
クスと金属の接合体において接合部の厚さは５μｍ〜 2
00μｍであることを特徴とする。請求項５に対応する発
明は、請求項３記載のセラミックスと金属の接合体と、
この接合体の前記金属と反対の面に接合されたバッキン
グ材とを備え、前記接合体に電圧を印加・取出しするリ
ード線を接続したことを特徴とする圧電振動装置であ
る。
【０００９】請求項６に対応する発明は、セラミックス
をジルコン酸チタン酸鉛として請求項１記載のセラミッ
クスと金属の接合方法によって得られ、接合部にＴｉ−
Ｏからなる相とＴｉ−Ｚｒ−Ｏからなる相を有する接合
体を提供する。
をジルコン酸チタン酸鉛として請求項１記載のセラミッ
クスと金属の接合方法によって得られ、接合部にＴｉ−
Ｏからなる相とＴｉ−Ｚｒ−Ｏからなる相を有する接合
体を提供する。
【００１０】請求項７に対応する発明は、上記Ｔｉ−Ｏ
からなる相とＴｉ−Ｚｒ−Ｏからなる相の厚さは、 0.1
μｍ〜10μｍであることを特徴とする接合体である。請
求項８に対応する発明は、金属をモリブデンとした請求
項６記載のセラミックスと金属の接合体と、この接合体
のモリブデンと反対の面に接合されたバッキング材とを
備え、前記接合体に電圧を印加、取出しするリード線を
接続したことを特徴とする圧電振動装置である。
からなる相とＴｉ−Ｚｒ−Ｏからなる相の厚さは、 0.1
μｍ〜10μｍであることを特徴とする接合体である。請
求項８に対応する発明は、金属をモリブデンとした請求
項６記載のセラミックスと金属の接合体と、この接合体
のモリブデンと反対の面に接合されたバッキング材とを
備え、前記接合体に電圧を印加、取出しするリード線を
接続したことを特徴とする圧電振動装置である。
【００１１】このように本発明は、セラミックス、Ａｇ
−Ｃｕろう材、金属を積層し、セラミックスとＡｇ−Ｃ
ｕろう材の間に、あるいはセラミックスとＡｇ−Ｃｕろ
う材の間およびＡｇ−Ｃｕろう材と金属の間に、Ａｇ−
Ｃｕろう材に溶け込み融点を高める元素（改質材）を挿
入し、ろう接時にこの元素をろう材中に拡散させること
で、接合温度より高温で使用できるようにしたものであ
る。
−Ｃｕろう材、金属を積層し、セラミックスとＡｇ−Ｃ
ｕろう材の間に、あるいはセラミックスとＡｇ−Ｃｕろ
う材の間およびＡｇ−Ｃｕろう材と金属の間に、Ａｇ−
Ｃｕろう材に溶け込み融点を高める元素（改質材）を挿
入し、ろう接時にこの元素をろう材中に拡散させること
で、接合温度より高温で使用できるようにしたものであ
る。
【００１２】また、セラミックスがＰＺＴの場合にはＡ
ｇ−Ｃｕ系ろう材ではろう材の濡れ性が悪いため、非常
に弱い接合強度しか得られないが、Ｔｉ−Ｏからなる相
とＴｉ−Ｚｒ−Ｏからなる相を有するＰＺＴの接合体に
よって、十分な接合強度を有するＰＺＴ接合体の提供す
るようにしたものである。
ｇ−Ｃｕ系ろう材ではろう材の濡れ性が悪いため、非常
に弱い接合強度しか得られないが、Ｔｉ−Ｏからなる相
とＴｉ−Ｚｒ−Ｏからなる相を有するＰＺＴの接合体に
よって、十分な接合強度を有するＰＺＴ接合体の提供す
るようにしたものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態のセラミック
スと金属の接合方法においては、図１に示すように、セ
ラミックス１，Ａｇ−Ｃｕろう材２，金属３を積層し、
セラミックス１とＡｇ−Ｃｕろう材２の間に、あるいは
セラミックス１とＡｇ−Ｃｕろう材２の間およびＡｇ−
Ｃｕろう材２と金属３の間に、ろう材に溶け込み融点を
高める元素（改質材４）を挿入する。図１は接合前の接
合部材の組み合わせを示す断面図である。
スと金属の接合方法においては、図１に示すように、セ
ラミックス１，Ａｇ−Ｃｕろう材２，金属３を積層し、
セラミックス１とＡｇ−Ｃｕろう材２の間に、あるいは
セラミックス１とＡｇ−Ｃｕろう材２の間およびＡｇ−
Ｃｕろう材２と金属３の間に、ろう材に溶け込み融点を
高める元素（改質材４）を挿入する。図１は接合前の接
合部材の組み合わせを示す断面図である。
【００１４】ろう接時にAg-Cu ろう材中に拡散し、ろう
材の組成を変えることで、接合後のろう材の見かけの溶
融温度を上昇させる改質材としては、Ｆｅ（鉄），Ｃｏ
（コバルト），Ｎｉ（ニッケル），Ｔｉ（チタン），Ｃ
ｕ（銅），Ａｇ（銀），Ａｕ（金）などが挙げられる。
Ａｇ−Ｃｕろう材との濡れ性のよいＮｉ，Ｃｕ，Ａｇな
どを用いれば、少量のろう材でも接合部に濡れ広がるこ
とが可能であり、気孔等の欠陥（ポア）が発生する可能
性を低くすることができるので望ましい。
材の組成を変えることで、接合後のろう材の見かけの溶
融温度を上昇させる改質材としては、Ｆｅ（鉄），Ｃｏ
（コバルト），Ｎｉ（ニッケル），Ｔｉ（チタン），Ｃ
ｕ（銅），Ａｇ（銀），Ａｕ（金）などが挙げられる。
Ａｇ−Ｃｕろう材との濡れ性のよいＮｉ，Ｃｕ，Ａｇな
どを用いれば、少量のろう材でも接合部に濡れ広がるこ
とが可能であり、気孔等の欠陥（ポア）が発生する可能
性を低くすることができるので望ましい。
【００１５】改質材４は、セラミックス１の表面、ある
いはセラミックス１と金属３の両者の表面に、蒸着、ス
パッタなどのＰＶＤ法で供給してもよく、メッキ等の手
法で供給してもよい。また箔や線材、粉体、あるいは粉
体をペースト化した形態で供給してもよい。
いはセラミックス１と金属３の両者の表面に、蒸着、ス
パッタなどのＰＶＤ法で供給してもよく、メッキ等の手
法で供給してもよい。また箔や線材、粉体、あるいは粉
体をペースト化した形態で供給してもよい。
【００１６】高温センサ用の圧電振動装置を構成する場
合、圧電振動子用の代表的なセラミックスとしてＰＺ
Ｔ，ＰＴ，ＬｉＮｂＯ3 などが挙げられる。また、圧電
振動子を固定するケースの金属としてはＦｅ基，Ｎｉ
基，Ｔｉ基合金などが挙げられるが、熱膨張係数の小さ
い42アロイやインバー、スーパーインバー、Ｍｏ（モリ
ブデン），Ｗ（タングステン），Ｔａ（タンタル）等が
望ましい。
合、圧電振動子用の代表的なセラミックスとしてＰＺ
Ｔ，ＰＴ，ＬｉＮｂＯ3 などが挙げられる。また、圧電
振動子を固定するケースの金属としてはＦｅ基，Ｎｉ
基，Ｔｉ基合金などが挙げられるが、熱膨張係数の小さ
い42アロイやインバー、スーパーインバー、Ｍｏ（モリ
ブデン），Ｗ（タングステン），Ｔａ（タンタル）等が
望ましい。
【００１７】上述した組み合わせの部材を、10-3Ｐａオ
ーダー以上の高真空中で 780〜 830℃まで加熱し、１〜
20分間保持した後、冷却する。10-3Ｐａオーダー以上の
高真空はＣｕやＴｉなどの構成元素が酸化しないように
するために最低限必要な真空度である。熱処理時間は、
圧電振動子にダメージを与えないように短時間とするこ
とが望ましい。例えばＬｉＮｂＯ3 の場合、長時間熱処
理を行うと酸素欠陥を生じるため、昇温速度は10℃／mi
n 以上、保持時間は10分以内とすることが望ましい。
ーダー以上の高真空中で 780〜 830℃まで加熱し、１〜
20分間保持した後、冷却する。10-3Ｐａオーダー以上の
高真空はＣｕやＴｉなどの構成元素が酸化しないように
するために最低限必要な真空度である。熱処理時間は、
圧電振動子にダメージを与えないように短時間とするこ
とが望ましい。例えばＬｉＮｂＯ3 の場合、長時間熱処
理を行うと酸素欠陥を生じるため、昇温速度は10℃／mi
n 以上、保持時間は10分以内とすることが望ましい。
【００１８】真空中熱処理によりろう材が溶融すると、
ろう材は改質材と密に接触し、改質材の元素がろう材中
に拡散する。改質材がＮｉ，Ｔｉの場合、ろう材構成元
素であるＣｕと反応し、固溶体（Ｃｕ，Ｎｉ），Ｃｕ−
Ｔｉ化合物などを形成する。この反応と共にろう材の液
相線温度が上昇し、ろう材の見かけの溶融温度が上昇す
る。
ろう材は改質材と密に接触し、改質材の元素がろう材中
に拡散する。改質材がＮｉ，Ｔｉの場合、ろう材構成元
素であるＣｕと反応し、固溶体（Ｃｕ，Ｎｉ），Ｃｕ−
Ｔｉ化合物などを形成する。この反応と共にろう材の液
相線温度が上昇し、ろう材の見かけの溶融温度が上昇す
る。
【００１９】この系の場合、接合後のろう材の組成をＡ
ｇ：Ｃｕ：Ｎｉ：Ｔｉ＝59.9：39.9：0.1 ：0.1 〜52：
34：９：５の範囲とすることが望ましい。これ以下のＮ
ｉ，Ｔｉ組成では、本発明の効果を得ることが難しく、
これ以上のＮｉ，Ｔｉ組成では、Ｃｕ−Ｔｉ化合物の生
成により気孔等の欠陥（ポア）が形成しやすくなるため
である。
ｇ：Ｃｕ：Ｎｉ：Ｔｉ＝59.9：39.9：0.1 ：0.1 〜52：
34：９：５の範囲とすることが望ましい。これ以下のＮ
ｉ，Ｔｉ組成では、本発明の効果を得ることが難しく、
これ以上のＮｉ，Ｔｉ組成では、Ｃｕ−Ｔｉ化合物の生
成により気孔等の欠陥（ポア）が形成しやすくなるため
である。
【００２０】本発明の実施の形態の接合体の断面組織図
を図２に示すように、接合後には、改質材を配置した界
面の近傍に、改質材元素の濃度の高い領域が生成してい
る。例えば、改質材としてＮｉ／Ｔｉ膜を用いた場合、
界面近傍に固溶体（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ）相５が生成す
る。ろう材組織の中央部はＡｇの組成が相対的に高いＡ
ｇリッチ相６となる。中央部のＡｇリッチ相６は通常の
共晶Ａｇ−Ｃｕ組織よりもヤング率が低くなる。よって
中央部のヤング率の低いＡｇリッチ相６が応力緩和層と
して機能し、セラミックス１に発生する残留応力を低く
することが可能となる。
を図２に示すように、接合後には、改質材を配置した界
面の近傍に、改質材元素の濃度の高い領域が生成してい
る。例えば、改質材としてＮｉ／Ｔｉ膜を用いた場合、
界面近傍に固溶体（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ）相５が生成す
る。ろう材組織の中央部はＡｇの組成が相対的に高いＡ
ｇリッチ相６となる。中央部のＡｇリッチ相６は通常の
共晶Ａｇ−Ｃｕ組織よりもヤング率が低くなる。よって
中央部のヤング率の低いＡｇリッチ相６が応力緩和層と
して機能し、セラミックス１に発生する残留応力を低く
することが可能となる。
【００２１】接合後の接合部７の厚さは、接合体の超音
波センサーとしての特性を高く保つためには 200μｍ以
下とすることが望ましい。また接合部のろう材不足を起
こさないためには、５μｍ以上とすることが望ましい。
波センサーとしての特性を高く保つためには 200μｍ以
下とすることが望ましい。また接合部のろう材不足を起
こさないためには、５μｍ以上とすることが望ましい。
【００２２】本実施の形態の圧電振動装置を図３に示
す。すなわち、ＰＺＴ，ＰＴ，ＬｉＮｂＯ3 などのセラ
ミックスからなる圧電振動子８と42アロイ，Ｍｏなどか
らなるケース前面板９とを上記実施の形態の接合方法に
よって接合して上記実施の形態の接合体を形成し、圧電
振動子８の他の面には接合部10を介して多孔質セラミッ
クスからなるバックキング材11を接合し、圧電振動子８
の側面にリード線12およびその先にケーブル13を接合
し、ケース前面板９に接合したケース14内に収容した構
成である。圧電振動子８とバッキング材11間の接合部1
0、すなわちセラミックス／セラミックス間の接合もＡ
ｇ−Ｃｕろう材と改質材を用いて形成してもよい。本実
施の形態の圧電振動装置は高温用の超音波発振子やセン
サとして使用することができる。
す。すなわち、ＰＺＴ，ＰＴ，ＬｉＮｂＯ3 などのセラ
ミックスからなる圧電振動子８と42アロイ，Ｍｏなどか
らなるケース前面板９とを上記実施の形態の接合方法に
よって接合して上記実施の形態の接合体を形成し、圧電
振動子８の他の面には接合部10を介して多孔質セラミッ
クスからなるバックキング材11を接合し、圧電振動子８
の側面にリード線12およびその先にケーブル13を接合
し、ケース前面板９に接合したケース14内に収容した構
成である。圧電振動子８とバッキング材11間の接合部1
0、すなわちセラミックス／セラミックス間の接合もＡ
ｇ−Ｃｕろう材と改質材を用いて形成してもよい。本実
施の形態の圧電振動装置は高温用の超音波発振子やセン
サとして使用することができる。
【００２３】このように本実施の形態においては、Ａｇ
−Ｃｕろうを用いたろう接において、ろう材の溶融時に
ろう材の融点を上昇させる元素（改質材）をろう材中に
拡散させ、ろう材の見かけの溶融温度を上昇させる。す
なわち接合部の溶融温度を接合温度よりも上げることが
でき、接合温度よりも高温の使用が可能となる。
−Ｃｕろうを用いたろう接において、ろう材の溶融時に
ろう材の融点を上昇させる元素（改質材）をろう材中に
拡散させ、ろう材の見かけの溶融温度を上昇させる。す
なわち接合部の溶融温度を接合温度よりも上げることが
でき、接合温度よりも高温の使用が可能となる。
【００２４】上記実施の形態においてセラミックスがＰ
ＺＴであり、Ａｇ−Ｃｕろう材、金属と積層して接合体
を形成する場合は、溶融するろう材層にTiを供給して作
成するのが特によい。Ｔｉは、これら構成材の表面に蒸
着、スパッタなどのＰＶＤ法で供給してもよく、メッキ
等の方法で供給してもよい。また箔や粉体、あるいは粉
体をペースト化した形態で供給してもよい。あるいはＡ
ｇ−Ｃｕろう材にＴｉを添加して供給してもよい。
ＺＴであり、Ａｇ−Ｃｕろう材、金属と積層して接合体
を形成する場合は、溶融するろう材層にTiを供給して作
成するのが特によい。Ｔｉは、これら構成材の表面に蒸
着、スパッタなどのＰＶＤ法で供給してもよく、メッキ
等の方法で供給してもよい。また箔や粉体、あるいは粉
体をペースト化した形態で供給してもよい。あるいはＡ
ｇ−Ｃｕろう材にＴｉを添加して供給してもよい。
【００２５】ＰＺＴと金属との間のろう材層の厚さは、
５μｍ〜 200μｍとする。これ以下では、ろう材不足に
よりポアが形成される可能性があり、これ以上ではろう
材層により発生する残留応力によりＰＺＴが破壊する可
能性があるからである。Ｔｉの添加量は、Ｔｉ−Ｏから
なる相とＴｉ−Ｚｒ−Ｏからなる相を形成させるに足る
量とする。
５μｍ〜 200μｍとする。これ以下では、ろう材不足に
よりポアが形成される可能性があり、これ以上ではろう
材層により発生する残留応力によりＰＺＴが破壊する可
能性があるからである。Ｔｉの添加量は、Ｔｉ−Ｏから
なる相とＴｉ−Ｚｒ−Ｏからなる相を形成させるに足る
量とする。
【００２６】これら接合部材を10-3Ｐａオーダー以上の
真空中あるいはＡｒ（アルゴン）などの不活性雰囲気中
で 780〜 850℃まで加熱し、１〜20分間保持した後、冷
却し、接合体を作成する。10-3Ｐａオーダー以上の真空
はＣｕやＴｉなどの構成元素が酸化しないために最低限
必要な真空度である。熱処理時間は、できる限りＰＺＴ
のＰｂ（鉛）成分が昇華しないように短時間とすること
が望ましい。また昇温速度も10℃／min 以上とすること
が望ましい。
真空中あるいはＡｒ（アルゴン）などの不活性雰囲気中
で 780〜 850℃まで加熱し、１〜20分間保持した後、冷
却し、接合体を作成する。10-3Ｐａオーダー以上の真空
はＣｕやＴｉなどの構成元素が酸化しないために最低限
必要な真空度である。熱処理時間は、できる限りＰＺＴ
のＰｂ（鉛）成分が昇華しないように短時間とすること
が望ましい。また昇温速度も10℃／min 以上とすること
が望ましい。
【００２７】上記の接合部材構成によって上記の接合熱
処理を行なうことによって、添加したＴｉとＰＺＴが反
応し、図４のＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）観察像に示す
ように、Ｔｉ−Ｏからなる相16とＴｉ−Ｚｒ−Ｏからな
る相17がＰＺＴ15とＡｇ−Ｃｕろう材12との界面に形成
される。これらの反応層の厚さは、 0.1μｍ〜10μｍで
あることが望ましい。 0.1μｍ以下ではＰＺＴとの界面
の全面にわたってこれらの反応層が形成できず、良好な
接合強度が得られない。また、10μｍ以上ではこれらの
反応層に過剰反応によりポアが発生するため、接合強度
の低下が起こるためである。
処理を行なうことによって、添加したＴｉとＰＺＴが反
応し、図４のＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）観察像に示す
ように、Ｔｉ−Ｏからなる相16とＴｉ−Ｚｒ−Ｏからな
る相17がＰＺＴ15とＡｇ−Ｃｕろう材12との界面に形成
される。これらの反応層の厚さは、 0.1μｍ〜10μｍで
あることが望ましい。 0.1μｍ以下ではＰＺＴとの界面
の全面にわたってこれらの反応層が形成できず、良好な
接合強度が得られない。また、10μｍ以上ではこれらの
反応層に過剰反応によりポアが発生するため、接合強度
の低下が起こるためである。
【００２８】また、本実施の形態によるＰＺＴ接合体を
用いて超音波トランスデューサ等の圧電振動装置を作成
する場合には、図５に示すように、Ｍｏ／ろう材／Ｔｉ
−Ｏからなる相およびＴｉ−Ｚｒ−Ｏからなる相を含む
層／ＰＺＴ の構造とすることが望ましい。ＰＺＴを固
定するケース前面板９としてＭｏを用いるのは、Ｍｏの
熱膨張係数がＰＺＴに近く、かつＭｏの強度が高いため
他の金属と比較して容易にケース材の板厚を薄くするこ
とが可能であるといった特長を有するためである。
用いて超音波トランスデューサ等の圧電振動装置を作成
する場合には、図５に示すように、Ｍｏ／ろう材／Ｔｉ
−Ｏからなる相およびＴｉ−Ｚｒ−Ｏからなる相を含む
層／ＰＺＴ の構造とすることが望ましい。ＰＺＴを固
定するケース前面板９としてＭｏを用いるのは、Ｍｏの
熱膨張係数がＰＺＴに近く、かつＭｏの強度が高いため
他の金属と比較して容易にケース材の板厚を薄くするこ
とが可能であるといった特長を有するためである。
【００２９】このように本実施の形態によれば、ＰＺＴ
とＡｇ−Ｃｕろう材との界面に、Ｔｉ−Ｏからなる相と
Ｔｉ−Ｚｒ−Ｏからなる相を生成させることによって、
接合部の溶融温度がろう材の溶融温度よりも高くなると
ともに良好な濡れ性と強固な接合強度を達成し、よって
高温用の超音波トランスデューサとして使用することの
できるＰＺＴ接合体および圧電振動装置を得ることがで
きる。
とＡｇ−Ｃｕろう材との界面に、Ｔｉ−Ｏからなる相と
Ｔｉ−Ｚｒ−Ｏからなる相を生成させることによって、
接合部の溶融温度がろう材の溶融温度よりも高くなると
ともに良好な濡れ性と強固な接合強度を達成し、よって
高温用の超音波トランスデューサとして使用することの
できるＰＺＴ接合体および圧電振動装置を得ることがで
きる。
【００３０】
【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
する。 （実施例１）厚さ 0.2mm、面積１cm×１cmのＬｉＮｂＯ
3 と、厚さ 0.2mm、面積 1.5cm× 1.5cmのインバーの表
面にスパッタでＴｉ膜50nm，Ｎｉ膜１μｍをそれぞれ成
膜した。ついでこれら接合する部材の中間に厚さ50μ
ｍ、面積 0.5cm× 0.5cmのＡｇ−28wt％Ｃｕろう箔を配
置し、10-3Ｐａオーダーの真空中で１℃/sで昇温し、 7
90℃で５分保持したのち、炉内で冷却した。断面組織を
ＳＥＭを用いて観察したところ、図６に示すような組織
が観察された。接合材に接する反応層の厚さは７〜10μ
ｍであった。
する。 （実施例１）厚さ 0.2mm、面積１cm×１cmのＬｉＮｂＯ
3 と、厚さ 0.2mm、面積 1.5cm× 1.5cmのインバーの表
面にスパッタでＴｉ膜50nm，Ｎｉ膜１μｍをそれぞれ成
膜した。ついでこれら接合する部材の中間に厚さ50μ
ｍ、面積 0.5cm× 0.5cmのＡｇ−28wt％Ｃｕろう箔を配
置し、10-3Ｐａオーダーの真空中で１℃/sで昇温し、 7
90℃で５分保持したのち、炉内で冷却した。断面組織を
ＳＥＭを用いて観察したところ、図６に示すような組織
が観察された。接合材に接する反応層の厚さは７〜10μ
ｍであった。
【００３１】本実施例と比較するために、同じ寸法のＬ
ｉＮｂＯ3 およびインバーを、同じ寸法のＡｇ−27wt％
Ｃｕ−１wt％Ｔｉろう箔を用いて同じ熱処理条件で接合
した比較例を作成した。断面組織をＳＥＭを用いて観察
したところ、図７に示すように、Ａｇ−Ｃｕの共晶組織
22中にＣｕ−Ｔｉ化合物21が均一に分散した組織が観察
された。両者を 790℃まで加熱したところ、本実施例に
よる接合体は変化がなかったが、比較例はろう材が溶融
しＬｉＮｂＯ3 およびインバーは分離した。
ｉＮｂＯ3 およびインバーを、同じ寸法のＡｇ−27wt％
Ｃｕ−１wt％Ｔｉろう箔を用いて同じ熱処理条件で接合
した比較例を作成した。断面組織をＳＥＭを用いて観察
したところ、図７に示すように、Ａｇ−Ｃｕの共晶組織
22中にＣｕ−Ｔｉ化合物21が均一に分散した組織が観察
された。両者を 790℃まで加熱したところ、本実施例に
よる接合体は変化がなかったが、比較例はろう材が溶融
しＬｉＮｂＯ3 およびインバーは分離した。
【００３２】（実施例２）直径５cm、厚さ 0.5mmのＭｏ
製の円筒の端部に厚さ 0.1mmのＭｏ板をＥＢ（電子ビー
ム）溶接し、この内部にＭｏ膜50nm，Ｎｉ膜１μｍを成
膜したのち、直径１cm、厚さ 0.2mmのＬｉＮｂＯ3 を、
直径１cm、厚さ50μｍのＡｇ−28wt％Ｃｕろう箔を用い
て接合し、超音波センサーを作成した。熱処理条件は、
10-3Ｐａオーダーの真空中で 0.5℃／s で昇温し、 800
℃で５分保持であった。
製の円筒の端部に厚さ 0.1mmのＭｏ板をＥＢ（電子ビー
ム）溶接し、この内部にＭｏ膜50nm，Ｎｉ膜１μｍを成
膜したのち、直径１cm、厚さ 0.2mmのＬｉＮｂＯ3 を、
直径１cm、厚さ50μｍのＡｇ−28wt％Ｃｕろう箔を用い
て接合し、超音波センサーを作成した。熱処理条件は、
10-3Ｐａオーダーの真空中で 0.5℃／s で昇温し、 800
℃で５分保持であった。
【００３３】本実施例と比較するために、同じ寸法のＬ
ｉＮｂＯ3 およびインバーを、同じ寸法のＡｇ−27wt％
Ｃｕ−１wt％Ｔｉろう箔を用いて同じ熱処理条件で接合
した比較用のセンサーを作成した。両者を 780℃まで加
熱したところ、本実施例によるセンサーは良好な音響特
性を維持したが、比較用センサーでは信号がとれなくな
った。
ｉＮｂＯ3 およびインバーを、同じ寸法のＡｇ−27wt％
Ｃｕ−１wt％Ｔｉろう箔を用いて同じ熱処理条件で接合
した比較用のセンサーを作成した。両者を 780℃まで加
熱したところ、本実施例によるセンサーは良好な音響特
性を維持したが、比較用センサーでは信号がとれなくな
った。
【００３４】（実施例３）厚さ0.5mm 、面積１cm×１cm
のＰＺＴと、厚さ 0.2mm、面積 1.5cm× 1.5cmのＭｏの
表面にスパッタ装置でＴｉ膜50nm，Ｎｉ膜１μｍをそれ
ぞれ成膜した。ついでこれら接合する部材の中間に厚さ
50μｍ、面積 0.5cm× 0.5cmのＡｇ−27wt％Ｃｕ−２wt
％Ｔｉ箔を配置し、10-3Ｐａオーダーの真空中で１℃/s
で昇温し、830℃で15分保持したのち、炉冷した。断面
組織をＳＥＭを用いて観察したところ、図８に示すよう
にＰＺＴ15との界面にＴｉ−Ｏからなる相16とＴｉ−Ｚ
ｒ−Ｏからなる相17からなる層が観察された。この反応
層の厚さは３〜４μｍであった。
のＰＺＴと、厚さ 0.2mm、面積 1.5cm× 1.5cmのＭｏの
表面にスパッタ装置でＴｉ膜50nm，Ｎｉ膜１μｍをそれ
ぞれ成膜した。ついでこれら接合する部材の中間に厚さ
50μｍ、面積 0.5cm× 0.5cmのＡｇ−27wt％Ｃｕ−２wt
％Ｔｉ箔を配置し、10-3Ｐａオーダーの真空中で１℃/s
で昇温し、830℃で15分保持したのち、炉冷した。断面
組織をＳＥＭを用いて観察したところ、図８に示すよう
にＰＺＴ15との界面にＴｉ−Ｏからなる相16とＴｉ−Ｚ
ｒ−Ｏからなる相17からなる層が観察された。この反応
層の厚さは３〜４μｍであった。
【００３５】本実施例と比較するために、同じ寸法のＰ
ＺＴおよびＭｏ表面に同様にＴｉ、Ｎｉ膜を成膜し、同
じ寸法のＡｇ−27wt％Ｃｕろう箔を用いて同じ熱処理条
件で接合し、比較例を作成した。断面組織をＳＥＭを用
いて観察したところ、図９に示すように、ＰＺＴ15との
界面にはＴｉ組成の高いＴｉ偏析相23が認められた。し
かし、Ｔｉ−Ｏからなる相とＴｉ−Ｚｒ−Ｏからなる相
は明瞭には認められなかった。両者をピール試験に供し
たところ、比較例はＰＺＴとの界面から容易に剥離した
が、本実施例による接合体は容易には剥離せずＰＺＴの
内部より破壊した。
ＺＴおよびＭｏ表面に同様にＴｉ、Ｎｉ膜を成膜し、同
じ寸法のＡｇ−27wt％Ｃｕろう箔を用いて同じ熱処理条
件で接合し、比較例を作成した。断面組織をＳＥＭを用
いて観察したところ、図９に示すように、ＰＺＴ15との
界面にはＴｉ組成の高いＴｉ偏析相23が認められた。し
かし、Ｔｉ−Ｏからなる相とＴｉ−Ｚｒ−Ｏからなる相
は明瞭には認められなかった。両者をピール試験に供し
たところ、比較例はＰＺＴとの界面から容易に剥離した
が、本実施例による接合体は容易には剥離せずＰＺＴの
内部より破壊した。
【００３６】（実施例４）厚さ 0.5mm、面積１cm×１cm
のＰＺＴと、厚さ 0.2mm、面積 1.5cm× 1.5cmのＭｏの
中間に厚さ50μｍ、 0.5cm× 0.5cmのＡｇ−27wt％Ｃｕ
−2.5 wt％Ｔｉ箔を配置し、10-3Ｐａオーダーの真空中
で１℃/sで昇温し、 830℃で15分保持したのち、炉冷し
た。断面組織をＳＥＭを用いて観察したところ、実施例
３と同様にＰＺＴとの界面にＴｉ−Ｏからなる相とＴｉ
−Ｚｒ−Ｏからなる相からなる層が観察された。この反
応層の厚さは４〜５μｍであった。
のＰＺＴと、厚さ 0.2mm、面積 1.5cm× 1.5cmのＭｏの
中間に厚さ50μｍ、 0.5cm× 0.5cmのＡｇ−27wt％Ｃｕ
−2.5 wt％Ｔｉ箔を配置し、10-3Ｐａオーダーの真空中
で１℃/sで昇温し、 830℃で15分保持したのち、炉冷し
た。断面組織をＳＥＭを用いて観察したところ、実施例
３と同様にＰＺＴとの界面にＴｉ−Ｏからなる相とＴｉ
−Ｚｒ−Ｏからなる相からなる層が観察された。この反
応層の厚さは４〜５μｍであった。
【００３７】本実施例と比較するために、同じ寸法のＰ
ＺＴおよびインバー表面に同様にＴｉ、Ｎｉ膜を成膜
し、同じ寸法のＡｇ−27wt％Ｃｕ−５wt％Ｔｉろう箔を
用いて同じ熱処理条件で接合し、比較例を作成しようと
したが、ＰＺＴと界面反応層の界面から容易に剥離して
しまい、接合体を作成することができなかった。
ＺＴおよびインバー表面に同様にＴｉ、Ｎｉ膜を成膜
し、同じ寸法のＡｇ−27wt％Ｃｕ−５wt％Ｔｉろう箔を
用いて同じ熱処理条件で接合し、比較例を作成しようと
したが、ＰＺＴと界面反応層の界面から容易に剥離して
しまい、接合体を作成することができなかった。
【００３８】（実施例５）直径５cm、厚さ 0.5mmのＭｏ
製の円筒の端部に厚さ 0.1mmのＭｏ板をＥＢ溶接し、こ
の内部にＴｉ膜50nm，Ｎｉ膜１μｍを成膜したのち、直
径１cm、厚さ 0.2mmのＰＺＴを、直径１cm、厚さ50μｍ
のＡｇ−27wt％Ｃｕ−２wt％Ｔｉろう箔を用いて接合
し、超音波トランスデューサを作成した。熱処理条件
は、10-3Ｐａオーダーの真空中で0.5 ℃/sで昇温、 850
℃で15分保持であった。
製の円筒の端部に厚さ 0.1mmのＭｏ板をＥＢ溶接し、こ
の内部にＴｉ膜50nm，Ｎｉ膜１μｍを成膜したのち、直
径１cm、厚さ 0.2mmのＰＺＴを、直径１cm、厚さ50μｍ
のＡｇ−27wt％Ｃｕ−２wt％Ｔｉろう箔を用いて接合
し、超音波トランスデューサを作成した。熱処理条件
は、10-3Ｐａオーダーの真空中で0.5 ℃/sで昇温、 850
℃で15分保持であった。
【００３９】本実施例と比較するために、同じ寸法のＰ
ＺＴおよびインバーを、同じ寸法のＡｇ−27wt％Ｃｕ−
0.5 wt％Ｔｉろう箔を用いて同じ熱処理条件で接合した
比較用の超音波トランスデューサを作成した。
ＺＴおよびインバーを、同じ寸法のＡｇ−27wt％Ｃｕ−
0.5 wt％Ｔｉろう箔を用いて同じ熱処理条件で接合した
比較用の超音波トランスデューサを作成した。
【００４０】両者のエコーパルス特性を測定したとこ
ろ、本実施例による超音波トランスデューサは図10に示
すように良好なエコーパルス特性を示したが、比較用超
音波トランスデューサではエコーが得られなかった。
ろ、本実施例による超音波トランスデューサは図10に示
すように良好なエコーパルス特性を示したが、比較用超
音波トランスデューサではエコーが得られなかった。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の接合方法
を用いることにより、ろう接後にろう接温度以上でも使
用できる接合体を作成することが可能となる。また、高
温においても良好なパルスエコー特性を有する超音波ト
ランスデューサ等の圧電振動装置を得ることができる。
を用いることにより、ろう接後にろう接温度以上でも使
用できる接合体を作成することが可能となる。また、高
温においても良好なパルスエコー特性を有する超音波ト
ランスデューサ等の圧電振動装置を得ることができる。
【図１】本発明の実施の形態の接合方法による接合部材
の組み合わせを示す断面図。
の組み合わせを示す断面図。
【図２】本発明の実施の形態の接合体の断面を模式的に
示す図。
示す図。
【図３】本発明の実施の形態の圧電振動装置の断面図。
【図４】本発明の実施の形態の接合体の断面ＳＥＭ像を
示す写真。
示す写真。
【図５】本発明の実施の形態の圧電振動装置の一例とし
てのＰＺＴ超音波トランスデューサを示す図。
てのＰＺＴ超音波トランスデューサを示す図。
【図６】実施例１による本発明の実施例の接合体の断面
を模式的に示す図。
を模式的に示す図。
【図７】実施例１による比較材の接合部の断面を模式的
に示す図。
に示す図。
【図８】実施例３による本発明の実施例の接合体の断面
ＳＥＭ写真。
ＳＥＭ写真。
【図９】実施例３による比較材の接合部の断面ＳＥＭ写
真。
真。
【図１０】実施例４による本発明の実施例の超音波トラ
ンスデューサのエコーパルスを示すオシログラム。
ンスデューサのエコーパルスを示すオシログラム。
１…セラミックス、２…Ａｇ−Ｃｕろう材、３…金属、
４…改質材、５…（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ）相、６…Ａｇリ
ッチ相、７…接合部、８…圧電振動子、９…ケース前面
板、10…接合部、11…バッキング材、12…リード線、13
…ケーブル、14…ケース、15…ＰＺＴ、16…Ｔｉ−Ｏか
らなる反応相、17…Ｔｉ−Ｚｒ−Ｏからなる反応相、18
…Ｔｉ−Ｏからなる相とＴｉ−Ｚｒ−Ｏからなる相を含
む層、19…ＬｉＮｂＯ3 、20…インバー、21…（Ｃｕ，
Ｔｉ）化合物、22…共晶Ａｇ−Ｃｕ、23…Ｔｉ偏析相。
４…改質材、５…（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ）相、６…Ａｇリ
ッチ相、７…接合部、８…圧電振動子、９…ケース前面
板、10…接合部、11…バッキング材、12…リード線、13
…ケーブル、14…ケース、15…ＰＺＴ、16…Ｔｉ−Ｏか
らなる反応相、17…Ｔｉ−Ｚｒ−Ｏからなる反応相、18
…Ｔｉ−Ｏからなる相とＴｉ−Ｚｒ−Ｏからなる相を含
む層、19…ＬｉＮｂＯ3 、20…インバー、21…（Ｃｕ，
Ｔｉ）化合物、22…共晶Ａｇ−Ｃｕ、23…Ｔｉ偏析相。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 泉 守 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 Ｆターム(参考） 2G047 AA06 AA09 AB05 AB07 CA01 GB11 GB35 4G026 BA01 BB21 BF16 BF31 BF32 BF34 BF35 BG02 BH09 5D019 AA17 BB02 BB25 BB30 FF03 HH02
Claims (8)
- 【請求項１】 セラミックス、ＡｇとＣｕからなるろう
材および金属を積層し、セラミックスとＡｇ−Ｃｕろう
材の間に、あるいはセラミックスとＡｇ−Ｃｕろう材の
間およびＡｇ−Ｃｕろう材と金属の間に、ろう材に溶け
込み融点を高める改質材を介在させ、ろう接時に溶融し
たろう材中に前記改質材を溶け込ませて、接合部の溶融
温度を接合温度より高温にすることを特徴とするセラミ
ックスと金属の接合方法。 - 【請求項２】 改質材は、鉄，コバルト，ニッケル，チ
タン，銅，銀および金の少くともいずれか１種類の元素
を含む材料であることを特徴とする請求項１記載のセラ
ミックスと金属の接合方法。 - 【請求項３】 請求項１記載のセラミックスと金属の接
合方法によって得られ、セラミックス／Ｃｕ−Ｎｉリッ
チ相／Ａｇリッチ相／金属からなる接合部断面構造を有
することを特徴とするセラミックスと金属の接合体。 - 【請求項４】 接合部の厚さは５μｍ〜 200μｍである
ことを特徴とする請求項３記載のセラミックスと金属の
接合体。 - 【請求項５】 請求項３記載のセラミックスと金属の接
合体と、この接合体の前記金属と反対の面に接合された
バッキング材とを備え、前記接合体に電圧を印加・取出
しするリード線を接続したことを特徴とする圧電振動装
置。 - 【請求項６】 セラミックスをジルコン酸チタン酸鉛と
して請求項１記載のセラミックスと金属の接合方法によ
って得られ、接合部にＴｉ−Ｏからなる相とＴｉ−Ｚｒ
−Ｏからなる相を有することを特徴とするセラミックス
と金属の接合体。 - 【請求項７】 Ｔｉ−Ｏからなる相とＴｉ−Ｚｒ−Ｏか
らなる相の厚さは、0.1μｍ〜10μｍであることを特徴
とする請求項６記載のセラミックスと金属の接合体。 - 【請求項８】 金属をモリブデンとした請求項６記載の
セラミックスと金属の接合体と、この接合体のモリブデ
ンと反対の面に接合されたバッキング材とを備え、前記
接合体に電圧を印加、取出しするリード線を接続したこ
とを特徴とする圧電振動装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11223789A JP2001048668A (ja) | 1999-08-06 | 1999-08-06 | セラミックスと金属の接合方法および接合体および圧電振動装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11223789A JP2001048668A (ja) | 1999-08-06 | 1999-08-06 | セラミックスと金属の接合方法および接合体および圧電振動装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001048668A true JP2001048668A (ja) | 2001-02-20 |
Family
ID=16803746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11223789A Pending JP2001048668A (ja) | 1999-08-06 | 1999-08-06 | セラミックスと金属の接合方法および接合体および圧電振動装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001048668A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007086180A1 (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-02 | Hitachi Medical Corporation | 超音波探触子 |
| JP2019203809A (ja) * | 2018-05-24 | 2019-11-28 | 一般社団法人日本建設機械施工協会 | Ｐｃ構造物の劣化現象検査用の移動型ａｅセンサ |
| CN113909613A (zh) * | 2021-11-05 | 2022-01-11 | 北京航空航天大学 | 一种SiCf/SiC陶瓷基复合材料与镍基高温合金钎焊的方法 |
| CN114043026A (zh) * | 2021-11-12 | 2022-02-15 | 哈尔滨工业大学 | 一种陶瓷-金属中的应力缓解方法 |
| CN115502538A (zh) * | 2022-09-19 | 2022-12-23 | 哈尔滨工业大学 | 一种以MAX或Mxene为阻隔层的方钴矿基热电材料与金属电极的连接方法 |
-
1999
- 1999-08-06 JP JP11223789A patent/JP2001048668A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7969067B2 (en) | 2006-01-26 | 2011-06-28 | Hitachi Medical Corporation | Ultrasound probe |
| JP2019203809A (ja) * | 2018-05-24 | 2019-11-28 | 一般社団法人日本建設機械施工協会 | Ｐｃ構造物の劣化現象検査用の移動型ａｅセンサ |
| JP7152878B2 (ja) | 2018-05-24 | 2022-10-13 | 一般社団法人日本建設機械施工協会 | Ｐｃ構造物の劣化現象検査用の移動型ａｅセンサ |
| CN113909613A (zh) * | 2021-11-05 | 2022-01-11 | 北京航空航天大学 | 一种SiCf/SiC陶瓷基复合材料与镍基高温合金钎焊的方法 |
| CN114043026A (zh) * | 2021-11-12 | 2022-02-15 | 哈尔滨工业大学 | 一种陶瓷-金属中的应力缓解方法 |
| CN114043026B (zh) * | 2021-11-12 | 2023-08-29 | 哈尔滨工业大学 | 一种陶瓷-金属中的应力缓解方法 |
| CN115502538A (zh) * | 2022-09-19 | 2022-12-23 | 哈尔滨工业大学 | 一种以MAX或Mxene为阻隔层的方钴矿基热电材料与金属电极的连接方法 |
| CN115502538B (zh) * | 2022-09-19 | 2023-08-11 | 哈尔滨工业大学 | 一种方钴矿基热电材料与金属电极的连接方法 |
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