JP2629746B2 - 光記録媒体 - Google Patents
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光によって情報を記録、再生および消去可
能な光ディスク、光カードなどの書き換え可能型光記録
媒体に関する。
能な光ディスク、光カードなどの書き換え可能型光記録
媒体に関する。
従来、非晶質状態と結晶状態あるいは、複数の結晶状
態間の光学的変化を利用して情報の記録、消去を行なう
光記録媒体としては、次のものがある。
態間の光学的変化を利用して情報の記録、消去を行なう
光記録媒体としては、次のものがある。
非晶質状態と結晶状態の２つの状態間の可逆的な転移
により記録、消去を行なうものとしては、Teを主成分と
するTe81Ge15Sb2S2薄膜を記録層としたもの（特公昭47-
26897）、TeGeSn合金薄膜を記録層としたもの（特開昭6
1-3324など）、Teを主成分とするTe80Sb10Se10膜を記録
層としたもの（特開昭61-145737など）、Sb2Seなどの組
成のSb-Se合金を記録層とするもの（特開昭60-155495な
ど）、InSb化合物半導体に少量のTeを添加し記録層とし
たもの（SPIE Vol.529 P51）、Te-Sb2元合金を記録層と
したもの（86年応用物理学会学術講演集 29a-ZE-3,
4）、Te低酸化物を主成分とする薄膜を記録層とするも
の（特開昭59-185048）、またTe-Ge合金を主成分とする
Te-O-Sn-Ge-Au（特開昭61-2595）、Te-O-In-Ge-Au（特
開昭61-2592）、Te-O-Bi-Ge-Au（特開昭61-2593）、Te-
O-Sb-Ge-Au（特開昭61-2595）を記録層としたものがあ
る。
により記録、消去を行なうものとしては、Teを主成分と
するTe81Ge15Sb2S2薄膜を記録層としたもの（特公昭47-
26897）、TeGeSn合金薄膜を記録層としたもの（特開昭6
1-3324など）、Teを主成分とするTe80Sb10Se10膜を記録
層としたもの（特開昭61-145737など）、Sb2Seなどの組
成のSb-Se合金を記録層とするもの（特開昭60-155495な
ど）、InSb化合物半導体に少量のTeを添加し記録層とし
たもの（SPIE Vol.529 P51）、Te-Sb2元合金を記録層と
したもの（86年応用物理学会学術講演集 29a-ZE-3,
4）、Te低酸化物を主成分とする薄膜を記録層とするも
の（特開昭59-185048）、またTe-Ge合金を主成分とする
Te-O-Sn-Ge-Au（特開昭61-2595）、Te-O-In-Ge-Au（特
開昭61-2592）、Te-O-Bi-Ge-Au（特開昭61-2593）、Te-
O-Sb-Ge-Au（特開昭61-2595）を記録層としたものがあ
る。
また、可逆的に転移可能な異なる結晶状態間の光学的
変化により記録、消去を行なうものとしては、In-Sbな
どの２元合金を主成分とする薄膜を記録層としたもの
（特開昭61-227238）がある。
変化により記録、消去を行なうものとしては、In-Sbな
どの２元合金を主成分とする薄膜を記録層としたもの
（特開昭61-227238）がある。
［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、上記従来技術の場合、次のような問題
があった。
があった。
すなわち、Te81Ge15Sb2S2薄膜を記録層としたもの、
およびTe-Ge-Snを記録層としたものでは、記録の高速消
去機能と半導体レーザで記録可能な実用的記録感度を両
立させることができず実用性に乏しかった。またTe80Sb
10Se10膜を記録層としたもの、およびSb2Se等の組成のS
b-Se合金を記録層とするもの、In-Sb化合物半導体に10
％程度の少量のTeを添加し記録層としたもの、Te-Sb2元
合金を記録層としたものなどでは、耐酸化性の点では、
比較的優れているが、以下の問題があった。
およびTe-Ge-Snを記録層としたものでは、記録の高速消
去機能と半導体レーザで記録可能な実用的記録感度を両
立させることができず実用性に乏しかった。またTe80Sb
10Se10膜を記録層としたもの、およびSb2Se等の組成のS
b-Se合金を記録層とするもの、In-Sb化合物半導体に10
％程度の少量のTeを添加し記録層としたもの、Te-Sb2元
合金を記録層としたものなどでは、耐酸化性の点では、
比較的優れているが、以下の問題があった。
すなわち、Te80Sb10Se10膜などのTe-Sb-Se合金膜で
は、レーザービームによる記録消去に20μsec程度の時
間を要し、消去速度が遅く実用性に欠けていた。一方、
Sb2Se等の組成のSb-Se合金を記録層とするものは、記
録、消去を繰り返すとノイズが急激に増加し記録信号の
品位が低下する問題があった。さらにIn-Sb化合物半導
体に少量のTeを添加し記録層としたものでは、非晶化に
要する記録レーザパワーが大きく、また、記録時の反射
率変化が小さく実用的ではなかった。さらに、この組成
の記録層は、一旦結晶化した後は非晶化することが著し
く困難であるという欠点がある。また、Sb2Te3合金を記
録層とする場合には、結晶化温度が低く信頼性に乏し
く、また消去に要する時間が長く実用的でなかった。
は、レーザービームによる記録消去に20μsec程度の時
間を要し、消去速度が遅く実用性に欠けていた。一方、
Sb2Se等の組成のSb-Se合金を記録層とするものは、記
録、消去を繰り返すとノイズが急激に増加し記録信号の
品位が低下する問題があった。さらにIn-Sb化合物半導
体に少量のTeを添加し記録層としたものでは、非晶化に
要する記録レーザパワーが大きく、また、記録時の反射
率変化が小さく実用的ではなかった。さらに、この組成
の記録層は、一旦結晶化した後は非晶化することが著し
く困難であるという欠点がある。また、Sb2Te3合金を記
録層とする場合には、結晶化温度が低く信頼性に乏し
く、また消去に要する時間が長く実用的でなかった。
Te低酸化物を主成分とする薄膜を記録層とするもの
（特開昭59-185048）、Te-Ge合金を主成分とするTe-O-S
n-Ge-Au（特開昭61-2595）、Te-O-In-Ge-Au（特開昭61-
2592）、Te-O-Bi-Ge-Au（特開昭61-2593）、Te-O-Sb-Ge
-Au（特開昭61-2595）を記録層としたものでは、記録の
消去に要する時間が長いという欠点があった。また、異
なる結晶状態間の転移に伴なう光学的性質の差異を利用
して記録を行なう、In-Sbなどの２元合金を主成分とす
る記録層の場合には、記録層を予めオーブンなどで結晶
状態に初期化する必要があること、記録時の光ビーム走
査速度が速い場合、記録状態が悪くなることなどの実用
上の欠点があった。
（特開昭59-185048）、Te-Ge合金を主成分とするTe-O-S
n-Ge-Au（特開昭61-2595）、Te-O-In-Ge-Au（特開昭61-
2592）、Te-O-Bi-Ge-Au（特開昭61-2593）、Te-O-Sb-Ge
-Au（特開昭61-2595）を記録層としたものでは、記録の
消去に要する時間が長いという欠点があった。また、異
なる結晶状態間の転移に伴なう光学的性質の差異を利用
して記録を行なう、In-Sbなどの２元合金を主成分とす
る記録層の場合には、記録層を予めオーブンなどで結晶
状態に初期化する必要があること、記録時の光ビーム走
査速度が速い場合、記録状態が悪くなることなどの実用
上の欠点があった。
本発明はかかる問題点を改善し、記録層の毒性が低
く、記録に要するパワーが低く、かつ記録の高速消去が
可能な、信頼性の高い光記録媒体を提供することを目的
とする。
く、記録に要するパワーが低く、かつ記録の高速消去が
可能な、信頼性の高い光記録媒体を提供することを目的
とする。
かかる本発明の目的は、基板上に記録層を備え、該記
録層に光を照射することによって、情報の記録、再生お
よび消去が可能である光記録媒体において、上記記録層
の組成が、下記の一般式で表わされる範囲にあることを
特徴とする光記録媒体により達成される。
録層に光を照射することによって、情報の記録、再生お
よび消去が可能である光記録媒体において、上記記録層
の組成が、下記の一般式で表わされる範囲にあることを
特徴とする光記録媒体により達成される。
（SbxTe100-X）100-Y（Te50Ge50）Ｙ ここでＸは、75＞Ｘ＞70, Ｙは、25≧Ｙ≧1, 括弧内のＸと100-Xは、それぞれ、括弧内の成分であ
るアンチモン（Sb）とテルル（Te）の原子数比を示す。
また、括弧内の50と50は、それぞれ、括弧内の成分であ
るテルル（Te）とゲルマニウム（Ge）の原子数比を示
す。さらに、括弧外の100-YとＹは、それぞれ、TeとSb
の合計と、TeとGeの合計の原子数比を示す。
るアンチモン（Sb）とテルル（Te）の原子数比を示す。
また、括弧内の50と50は、それぞれ、括弧内の成分であ
るテルル（Te）とゲルマニウム（Ge）の原子数比を示
す。さらに、括弧外の100-YとＹは、それぞれ、TeとSb
の合計と、TeとGeの合計の原子数比を示す。
原子％は式で示した全組成の原子数を100原子％とし
たときの各々の括弧内の元素の原子数の合計の割合を％
で示したものである。
たときの各々の括弧内の元素の原子数の合計の割合を％
で示したものである。
上記組成範囲においては、おおよそ500nsec〜40nsec
の光パルスによって、結晶状態の記録層に非晶化マーク
を形成し情報を記録することができる。また、一旦形成
した前記の非晶化マークを、おおよそ1000nsec〜200nse
cの光照射により結晶状態に復帰させ、記録を消去する
ことができる。
の光パルスによって、結晶状態の記録層に非晶化マーク
を形成し情報を記録することができる。また、一旦形成
した前記の非晶化マークを、おおよそ1000nsec〜200nse
cの光照射により結晶状態に復帰させ、記録を消去する
ことができる。
本発明の記録層の主成分は一般式の括弧内に示した、
Sbを主とするSb-Te合金である。このSb-Te合金は、Sb、
Sb2Te3化合物に比べても融点が低く、非晶化による記録
が容易である。
Sbを主とするSb-Te合金である。このSb-Te合金は、Sb、
Sb2Te3化合物に比べても融点が低く、非晶化による記録
が容易である。
本発明の記録層に含まれるSbは、記録層の組成を示す
一般式においてSbを示すＸ（原子％）が、75＞Ｘ＞70の
範囲であることが好ましい。Ｘが75原子％以上の場合に
は、記録層に不可逆的な相分離が起き易く、記録再生時
のノイズが著しく大きくなると共に、記録、消去の繰返
しが困難になる。加えて、記録信号のコントラストも低
下し実用的ではない。一方、Ｘが70原子％以下の場合に
は、記録の消去に要する光の照射時間が長くなること、
記録マークの熱安定性が低くなることなどの欠点が生じ
る。
一般式においてSbを示すＸ（原子％）が、75＞Ｘ＞70の
範囲であることが好ましい。Ｘが75原子％以上の場合に
は、記録層に不可逆的な相分離が起き易く、記録再生時
のノイズが著しく大きくなると共に、記録、消去の繰返
しが困難になる。加えて、記録信号のコントラストも低
下し実用的ではない。一方、Ｘが70原子％以下の場合に
は、記録の消去に要する光の照射時間が長くなること、
記録マークの熱安定性が低くなることなどの欠点が生じ
る。
また記録層に添加したTe50Ge50の組成の成分は、前記
のSb-Te合金に25≧Ｙ≧１の範囲で添加することが好ま
しく、これにより、結晶化による消去に要する時間を低
減し、非晶化された記録マークの高速消去を可能とする
効果を有すると共に、記録マーク消去後の消し残りを低
減する効果がある。さらに記録層の結晶化温度を高め、
熱的安定性を改善する効果がある。Te50Ge50成分を含ま
ない場合には、非晶化した記録マークの消去性が悪く、
また再生信号のコントラストも低いため、実用性がな
い。このTe50Ge50の原子％の合計Ｙが、25原子％より多
い場合には、記録の消去に要する光の照射時間が長くな
ると共に、記録感度が低下し、比較的低出力の安価な半
導体レーザーを利用できないため実用的でない。また、
Ｙが１原子％未満の場合には、消去速度の向上、消し残
り低減の効果が認められない。
のSb-Te合金に25≧Ｙ≧１の範囲で添加することが好ま
しく、これにより、結晶化による消去に要する時間を低
減し、非晶化された記録マークの高速消去を可能とする
効果を有すると共に、記録マーク消去後の消し残りを低
減する効果がある。さらに記録層の結晶化温度を高め、
熱的安定性を改善する効果がある。Te50Ge50成分を含ま
ない場合には、非晶化した記録マークの消去性が悪く、
また再生信号のコントラストも低いため、実用性がな
い。このTe50Ge50の原子％の合計Ｙが、25原子％より多
い場合には、記録の消去に要する光の照射時間が長くな
ると共に、記録感度が低下し、比較的低出力の安価な半
導体レーザーを利用できないため実用的でない。また、
Ｙが１原子％未満の場合には、消去速度の向上、消し残
り低減の効果が認められない。
記録の高速消去が可能であり、記録再生時の信号強度
が大きく、良好なキャリア対ノイズ比の得られる良好な
組成は、Ｘが75〜70原子％であり、かつ、Ｙが10〜25原
子％である。
が大きく、良好なキャリア対ノイズ比の得られる良好な
組成は、Ｘが75〜70原子％であり、かつ、Ｙが10〜25原
子％である。
本発明の記録層は、厚さ10〜1000nmとして基板上に形
成されている。特に光ディスクとして高い感度を得るた
めには、10nm以上50nm以下とすることが好ましく、さら
に良好な記録再生信号のキャリア対ノイズ比を得るため
には、60nm〜150nmとすることが好ましい。
成されている。特に光ディスクとして高い感度を得るた
めには、10nm以上50nm以下とすることが好ましく、さら
に良好な記録再生信号のキャリア対ノイズ比を得るため
には、60nm〜150nmとすることが好ましい。
また、本発明の記録層に隣接して、保護層を積層して
もよい。この場合には、記録時の記録層のに変形が起り
にくく、記録の消去、書き換えの回数を改善することが
できる。前記の保護層としては、SiO2などの無機薄膜、
ポリイミド樹脂などの耐熱性高分子薄膜などが好まし
い。特に、Si,Ge,Ti,Zr,Teなどの金属酸化物薄膜が、耐
熱性が高いこと、記録層の酸化を防止できることから好
ましい。
もよい。この場合には、記録時の記録層のに変形が起り
にくく、記録の消去、書き換えの回数を改善することが
できる。前記の保護層としては、SiO2などの無機薄膜、
ポリイミド樹脂などの耐熱性高分子薄膜などが好まし
い。特に、Si,Ge,Ti,Zr,Teなどの金属酸化物薄膜が、耐
熱性が高いこと、記録層の酸化を防止できることから好
ましい。
本発明に用いられる基板としては、プラスチック、ガ
ラス、アルミニウムなど従来の記録媒体と同様なもので
よい。収束光により基板側から記録することによってご
みの影響を避ける目的からは、基板として透明材料を用
いることが好ましい。上記のような材料としては、ポリ
エチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート、
ポリカーボネイト、エポキシ樹脂、ポリオレフィン樹
脂、ガラスが好ましい。さらに好ましくは、複屈折が小
さいこと、形成が容易であることから、ポリメチルメタ
クリレート、ポリカーボネイト、エポキシ樹脂がよい。
基板の厚さは、特に限定するものではないが、10ミクロ
ン以上、５ミリメートル以下が実用的である。10ミクロ
ン未満では基板側から収束光で記録する場合でもごみの
影響を受けやすくなり、５ミリメートルを越える場合に
は、収束光で記録する場合、対物レンズの開口数を大き
くすることができなくなり、ビットサイズが大きくなる
ため記録密度を上げることが困難になる。
ラス、アルミニウムなど従来の記録媒体と同様なもので
よい。収束光により基板側から記録することによってご
みの影響を避ける目的からは、基板として透明材料を用
いることが好ましい。上記のような材料としては、ポリ
エチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート、
ポリカーボネイト、エポキシ樹脂、ポリオレフィン樹
脂、ガラスが好ましい。さらに好ましくは、複屈折が小
さいこと、形成が容易であることから、ポリメチルメタ
クリレート、ポリカーボネイト、エポキシ樹脂がよい。
基板の厚さは、特に限定するものではないが、10ミクロ
ン以上、５ミリメートル以下が実用的である。10ミクロ
ン未満では基板側から収束光で記録する場合でもごみの
影響を受けやすくなり、５ミリメートルを越える場合に
は、収束光で記録する場合、対物レンズの開口数を大き
くすることができなくなり、ビットサイズが大きくなる
ため記録密度を上げることが困難になる。
基板はフレキシブルなものであっても良いし、リジッ
ドなものであっても良い。フレキシブルな基板は、テー
プ状、あるいはシート状で用いることができる。リジッ
トな基板は、カード状、あるは円形デイスク状で用いる
ことができる。また、必要に応じて、２枚の基板を用い
てエアーサンドイッチ構造、エアーインシデント構造、
密着張り合わせ構造などとすることもできる。
ドなものであっても良い。フレキシブルな基板は、テー
プ状、あるいはシート状で用いることができる。リジッ
トな基板は、カード状、あるは円形デイスク状で用いる
ことができる。また、必要に応じて、２枚の基板を用い
てエアーサンドイッチ構造、エアーインシデント構造、
密着張り合わせ構造などとすることもできる。
本発明の光記録媒体の記録に用いる光としては、レー
ザ光やストロボ光のごとき光であり、とりわけ、半導体
レーザーを用いることは、光源が小型でかつ消費電力が
小さく、変調が容易であることから好ましい。
ザ光やストロボ光のごとき光であり、とりわけ、半導体
レーザーを用いることは、光源が小型でかつ消費電力が
小さく、変調が容易であることから好ましい。
記録層および保護層は、スパッタ法、抵抗加熱蒸着
法、電子ビーム加熱蒸着法およびイオンプレーティング
法などの真空中での薄膜形成法により形成することがで
きる。特に、スパッタ法は、欠陥の少ない記録層、保護
層を形成できることから好ましい。
法、電子ビーム加熱蒸着法およびイオンプレーティング
法などの真空中での薄膜形成法により形成することがで
きる。特に、スパッタ法は、欠陥の少ない記録層、保護
層を形成できることから好ましい。
記録は、結晶状態の記録層をレーザ光照射により非晶
化マークを形成して行なうことができる。また、記録速
度が遅くなる場合があるが、非晶質状態の記録層にレー
ザ光を照射することによって、非晶質マークを結晶化す
るか、結晶化マークを非晶化して行なうことができる。
化マークを形成して行なうことができる。また、記録速
度が遅くなる場合があるが、非晶質状態の記録層にレー
ザ光を照射することによって、非晶質マークを結晶化す
るか、結晶化マークを非晶化して行なうことができる。
結晶状態の記録層にレーザ光を照射し、非晶化マーク
を形成して記録を行ない、消去の場合には、レーザ光照
射により非晶化マークを結晶化して行なう方法が、記録
速度を高くできること、記録層の変形が起り難いことか
ら好ましい。
を形成して記録を行ない、消去の場合には、レーザ光照
射により非晶化マークを結晶化して行なう方法が、記録
速度を高くできること、記録層の変形が起り難いことか
ら好ましい。
結晶状態の記録層に非晶化マークを形成して記憶を行
なう場合には、記録層を予め、レーザ光などの光照射、
あるいは、温風などにより加熱し、結晶化しておくくこ
とが好ましい。
なう場合には、記録層を予め、レーザ光などの光照射、
あるいは、温風などにより加熱し、結晶化しておくくこ
とが好ましい。
［実施例］ 以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
なお実施例中の特性は以下の方法で評価したものであ
る。
る。
記録層の組成 形成した記録層の組成はICP発光分析（セイコー電子
工業（株）製FTS-1100型）によって確認した。
工業（株）製FTS-1100型）によって確認した。
また、記録再生信号のキャリア対ノイズ比は、スペク
トラム・アナライザを用いて測定した。
トラム・アナライザを用いて測定した。
実施例１ 厚さ1.2mm、直径13cm、1.6μｍピッチのスパイラル状
のグループ付きポリカーボネイト製基板を毎分30回転さ
せながら、スパッタ法により保護層と記録層を形成し
た。
のグループ付きポリカーボネイト製基板を毎分30回転さ
せながら、スパッタ法により保護層と記録層を形成し
た。
まず、基板上に100nmのSiO2保護層を形成し、さらに
真空度５×10-3torrの条件下で、Te,SbおよびTe50Ge50
合金を水晶振動子膜厚計でモニターしながら、同時スパ
ッタして、（Sb73Te27）77（Te50Ge50）23の元素組成比
の厚さ90nmの記録層を形成した。さらにこの記録層上に
厚さ100nmのSiO2に保護層を形成し、本発明の光記録媒
体を構成した。
真空度５×10-3torrの条件下で、Te,SbおよびTe50Ge50
合金を水晶振動子膜厚計でモニターしながら、同時スパ
ッタして、（Sb73Te27）77（Te50Ge50）23の元素組成比
の厚さ90nmの記録層を形成した。さらにこの記録層上に
厚さ100nmのSiO2に保護層を形成し、本発明の光記録媒
体を構成した。
この光記録媒体を線速度1.5m/秒で回転させ、基板側
から開口数0.5の対物レンズで集光した波長830nmの半導
体レーザ光を膜面強度3.0mWの条件で照射しながらトラ
ック上走査し記録層を結晶化した。このとき結晶化によ
って記録層の反射率は、上昇した。その後、同一の光学
系を使用して、線速度4m/secの条件で、周波数1.75MH
z、デューティ比50％に変調した10mWの半導体レーザ光
により記録を行なった。
から開口数0.5の対物レンズで集光した波長830nmの半導
体レーザ光を膜面強度3.0mWの条件で照射しながらトラ
ック上走査し記録層を結晶化した。このとき結晶化によ
って記録層の反射率は、上昇した。その後、同一の光学
系を使用して、線速度4m/secの条件で、周波数1.75MH
z、デューティ比50％に変調した10mWの半導体レーザ光
により記録を行なった。
記録後、半導体レーザの強度を0.9mWとして、記録部
分を走査し、記録の再生を行なったところ記録マーク部
分の反射率が低下し記録が行なわれていることが確認で
きた。この再生信号のC/N比をバンド幅30kHzの条件で、
測定したところ、デジタル記録が可能な42dBの値が得ら
れた。さらに記録部分を5.5mWの半導体レーザ光により
１回走査したところ、記録が消去された。このときの消
去率は−35dBであった。さらに、この消去部分に記録、
消去を繰返し行なうことが可能であった。
分を走査し、記録の再生を行なったところ記録マーク部
分の反射率が低下し記録が行なわれていることが確認で
きた。この再生信号のC/N比をバンド幅30kHzの条件で、
測定したところ、デジタル記録が可能な42dBの値が得ら
れた。さらに記録部分を5.5mWの半導体レーザ光により
１回走査したところ、記録が消去された。このときの消
去率は−35dBであった。さらに、この消去部分に記録、
消去を繰返し行なうことが可能であった。
また、記録部分の非晶質マークは、通風オーブン中で
この光記録媒体を70℃に30分間加熱した後も安定に存在
した。
この光記録媒体を70℃に30分間加熱した後も安定に存在
した。
実施例２ 実施例１の記録層を（Sb73Te27）80（Te50Ge50）20の
組成の記録層とした他は、実施例１と同様にして光記録
媒体を製作した。この光記録媒体の記録、再生を実施例
１と同様の装置で行なったところ、記録再生信号のC/N
比は40dBであった。また、この記録部分を線速度3m/se
c、レーザ光パワー4.0mWの条件でトラックあたり１回の
照射により消去することが可能であった。消去後のC/N
は10dBであった。
組成の記録層とした他は、実施例１と同様にして光記録
媒体を製作した。この光記録媒体の記録、再生を実施例
１と同様の装置で行なったところ、記録再生信号のC/N
比は40dBであった。また、この記録部分を線速度3m/se
c、レーザ光パワー4.0mWの条件でトラックあたり１回の
照射により消去することが可能であった。消去後のC/N
は10dBであった。
比較例１ 実施例１において、記録層の組成を下記（イ）〜
（ニ）に変更した以外は実施例１と同様にして光記録媒
体をそれぞれ作製した。
（ニ）に変更した以外は実施例１と同様にして光記録媒
体をそれぞれ作製した。
（イ）（Sb50Te50）98（Te50Ge50）２ （ロ）（Sb80Te20）98（Te50Ge50）２ （ハ）Sb66Te34 （ニ）（Sb65Te35）20（Te50Ge50）80 組成（イ）の光記録媒体の場合には、記録後非晶化マ
ークの消去に要する時間が長く、線速度1.5/secで回転
させた状態では、１回の半導体レーザ光照射では、消去
が困難であった。
ークの消去に要する時間が長く、線速度1.5/secで回転
させた状態では、１回の半導体レーザ光照射では、消去
が困難であった。
（ロ）の組成の場合には、記録信号のコントラストが
低下したため、非晶化マーク形成に要する記録パワーが
大きく、10mWの半導体レーザ光では、記録が困難であっ
た。
低下したため、非晶化マーク形成に要する記録パワーが
大きく、10mWの半導体レーザ光では、記録が困難であっ
た。
（ハ）の組成の場合には、記録、消去は可能である
が、実施例１と同様の記録条件でテストしたところ、結
晶化時間が長くなり、C/N比は36dBと低く実用的な水準
に達しなかった。さらに、実施例１と同様に消去を行っ
たところ、消し残りが多いため、消去率は−23dBと低く
なった。また非晶質部分の結晶化温度も実施例１に比べ
約10℃低く熱安定性も劣っていた。
が、実施例１と同様の記録条件でテストしたところ、結
晶化時間が長くなり、C/N比は36dBと低く実用的な水準
に達しなかった。さらに、実施例１と同様に消去を行っ
たところ、消し残りが多いため、消去率は−23dBと低く
なった。また非晶質部分の結晶化温度も実施例１に比べ
約10℃低く熱安定性も劣っていた。
（ニ）の組成の場合には、記録感度が低く10mW以下の
半導体レーザ光で記録が困難であった。
半導体レーザ光で記録が困難であった。
実施例３ 実施例１の光記録媒体を、室内通常環境に６カ月放置
したのち、実施例１と同様に記録、再生、消去を行なっ
たが、特に劣化は認められなかった。
したのち、実施例１と同様に記録、再生、消去を行なっ
たが、特に劣化は認められなかった。
また、60℃、80％相対湿度中に20日間放置した後も同
様に異常は認められなかった。
様に異常は認められなかった。
［発明の効果］ 本発明は光記録媒体の記録層をSb、TeおよびGeからな
る特定の組成で構成したので、次のごとき優れた効果を
奏するものである。
る特定の組成で構成したので、次のごとき優れた効果を
奏するものである。
（１）記録に要するパワーが低く、記録の高速消去が可
能であり、かつ記録マークの熱安定性の高い光記録媒体
とすることができた。
能であり、かつ記録マークの熱安定性の高い光記録媒体
とすることができた。
（２）耐湿熱性に優れた光記録媒体とすることができ
た。
た。
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に記録層を備え、該記録層に光を照
射することによって、情報の記録、再生および消去が可
能である光記録媒体において、上記記録層の組成が、下
記の一般式で表わされる範囲にあることを特徴とする光
記録媒体。 （SbXTe100-X）100-Y（Te50Ge50）Ｙ ここでＸは、75＞Ｘ＞70, Ｙは、25≧Ｙ≧1, 括弧内のＸと100-Xは、それぞれ、括弧内の成分である
アンチモン（Sb）とテルル（Te）の原子数比を示す。ま
た、括弧内の50と50は、それぞれ、括弧内の成分である
テルル（Te）とゲルマニウム（Ge）の原子数比を示す。
さらに、括弧外の100-YとＹは、それぞれ、TeとSbの合
計と、TeとGeの合計の原子数比を示す。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62274332A JP2629746B2 (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62274332A JP2629746B2 (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01115685A JPH01115685A (ja) | 1989-05-08 |
| JP2629746B2 true JP2629746B2 (ja) | 1997-07-16 |
Family
ID=17540180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62274332A Expired - Fee Related JP2629746B2 (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2629746B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2652572B2 (ja) * | 1989-08-11 | 1997-09-10 | 非酸化物ガラス研究開発株式会社 | 光情報記録媒体 |
| CN1312685C (zh) | 1998-09-09 | 2007-04-25 | 三菱化学媒体株式会社 | 光学信息记录媒体及光记录方法 |
| EP1049095A3 (en) | 1999-04-28 | 2006-06-28 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Information recording medium and reproducing apparatus therefor |
| US20060072438A1 (en) * | 2002-09-30 | 2006-04-06 | Seiji Nishino | Optical information recording substrate and recording/reproducing device using it |
| JP2004306583A (ja) | 2003-03-27 | 2004-11-04 | Victor Co Of Japan Ltd | 光情報記録媒体 |
-
1987
- 1987-10-29 JP JP62274332A patent/JP2629746B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01115685A (ja) | 1989-05-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |