JP2830022B2 - 光情報記録媒体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光情報記録媒体に関するもので、特にレーザ
光や電子線などのエネルギービームの照射により、低線
速度域で情報の記録を行う光カードなどに好適に使用さ
れる情報記録媒体に関する。

［従来の技術］ 光情報記録媒体の記録方式で、結晶と非晶のような媒
体の相変化に伴う光学特性の差を記録に利用する方式
は、媒体自体の変形、蒸発による汚染などの問題がな
く、保護膜により耐久性を向上させることも可能であ
り、In−Se系薄膜、Te低酸化物薄膜、Sb−Te系薄膜、Te
−Ge系薄膜など種々の材料が提案されている。例えば、
Te−Ge−Sn薄膜（特開昭61−3324号公報など）、Teを主
成分とするTe₈₀Sb₁₀Se₁₀記録薄膜（特開昭61−145737号
公報など）、Sb₂Seなどの組成のSb−Se膜（特開昭60−1
5549号など）、またTe−Sbの２元合金記録膜（86年応用
物理学会講演集 29a−ZE−3,4）などが提案されてい
る。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記従来技術による記録媒体には次の
ような問題点があった。

すなわち、Te−Ge−Snを記録膜としたものでは、適切
な消去特性と実用的な記録感度を両立させることが困難
で実用性に乏しく、またTe₈₀Sb₁₀Se₁₀記録薄膜、Sb₂Se
などの組成のSb−Se合金膜などでは、実用的な消去速度
範囲で満足できる消去特性を実現することが容易でなか
ったり、記録と消去の繰返しに伴ってノイズが増加し記
録の信号品質が低下する等の問題があった。またSb₂Te₃
合金を記録膜に用いたものは、結晶化温度が低く記録の
保存性に問題があるなど実用性に乏しいものであった。

更に、この様な記録媒体では用途によりかなり異なる
特性が要求されるため、例えば光カード用として媒体特
性を見た場合、必ずしも光ディスクに最適な媒体特性が
そのまま好ましい特性であるとは言い難い。即ち、媒体
の線速度（記録又は消去の速度）やビーム径が光カード
と光ディスクでは異なるため、非晶化や結晶化の最適条
件が大きく異なり、同じ媒体組成で両者の特性を共に満
足させることは容易ではない。すなわち、線速度6m/秒
程度の低線速度域で最適な特性を出す媒体組成を見出す
ことは、容易ではない。

特に、Ag−Sb−Teの３元系に限定すると、特開昭62−
152786号公報や特開昭64−10437号公報の提案が見られ
るが、必ずしも光カード用記録媒体などの低線速度光記
録媒体として好ましい特性を持つとは言えない。

すなわち、特開昭62−152786号公報では、Ag、Sb、Te
の３元素も含む多数の元素の組み合わせ、即ち結果的に
ほぼ全元素の可能な組み合わせを全て網羅した材料で、
良好な特性が得られると主張しているが、実際の記録媒
体では元素の種類とその組成を最適化することにより初
めて優れた特性を付与できるものであり、かつごく一部
の実施例を除き、実際にどの様な優れた特性が発現でき
るのかの具体的な検討や開示が何等なされていない。ま
た本公報の趣旨では、高速での記録消去が可能な媒体と
して重要な特性である高速結晶化速度を実現することを
主要な目的としており、この特性は光カード用媒体など
の低線速度光記録媒体としては必ずしも重要な特性とは
言えず、場合によっては好ましくない特性と言える。す
なわち、低線速度光記録媒体では、比較的低速度で長時
間のレーザ照射を行い、さらに光カードなどでは比較的
大きいビーム径を有する光学系を用いているため、レー
ザ照射で与えられた熱を十分速やかに除き難いという制
約があり、これらの条件下でも再結晶が生じにくく良好
な非晶化記録が可能であるという特性が重要となる。こ
の場合、ただ単に高速結晶化に適したという特性はむし
ろ逆に作用し、せっかく形成した非晶状態が残った熱で
再結晶されるのを助長する方向にあるため好ましいとは
言い難い。

また特開昭64−10437号公報では、Ag−Sb−Te3元系と
しているものの、組成を限定しない場合には前述したよ
うな特性の最適化が十分行われているとは言い難く、組
成を限定したとしても高速結晶化速度実現を目的とした
最適化であり、前述と同様な意味で光カードなどに適し
た媒体とは言い難い。

本発明は、かかる問題点を改善し、記録の感度が良好
であり、かつ実用性のある消去特性を持つ、光カード用
媒体として良好な特性を備えた、信頼性の高い光カード
用情報記録媒体などの低線速度光記録媒体を提供するこ
とを目的とする。

［課題を解決するための手段］ かかる本発明の目的は、基板上に形成された記録薄膜
にエネルギービームを照射し、直接又は間接に発生する
熱により、上記薄膜の光学特性を変化せしめて、情報の
記録を行う光情報記録媒体において、該記録薄膜と隣接
して基板から見て裏面側に、拡散防止層、冷却層をこの
順に設けてなり、該記録薄膜が銀（Ag）、アンチモン
（Sb）およびテルル（Te）の３元素から主としてなり、
かつその組成が、一般式 Ag_xSb_yTe_z x:薄膜中のAgの原子数％ y:薄膜中のSbの原子数％ z:薄膜中のTeの原子数％ と表した場合、ｚの範囲は20≦ｚ≦55であり、ｚの範囲
が20≦ｚ≦38の場合には、ｘ、ｙの範囲がそれぞれ５≦
ｘ≦50、32≦ｙ≦60であり、ｚの範囲が38＜ｚ≦55の場
合には、ｘ、ｙの範囲がそれぞれ５≦ｘ≦25、42≦ｙ≦
60であり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝100であることを特徴とす
る光情報記録媒体により達成される。

すなわち、本発明において使用される記録薄膜は、銀
（Ag）、アンチモン（Sb）およびテルル（Te）の３元素
から主としてなり、かつその組成が、一般式 Ag_xSb_yTe_z x:薄膜中のAgの原子数％ y:薄膜中のSbの原子数％ z:薄膜中のTeの原子数％ と表した場合、ｚの範囲が20≦ｚ≦38の場合には、ｘ、
ｙの範囲がそれぞれ５≦ｘ≦50、32≦ｙ≦60であり、ｚ
の範囲が38＜ｚ≦55の場合には、ｘ、ｙの範囲がそれぞ
れ５≦ｘ≦25、42≦ｙ≦60であり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝10
0を満足してなるものである。

本発明者らが鋭意検討したところ、20≦ｚ≦38の場合
には、Sb₂TeとAg₂Teを結ぶ線上の組成を中心とした領域
が良好であり、38＜ｚ≦55の場合には、SbTeとAgとを結
ぶ線上の組成を中心とした領域が光カード用媒体などの
低線速度光記録媒体として優れた特性を持つとの結論に
至った。ｘやｙの適切な範囲はｚの各々の範囲に応じ異
なるが、いずれも程度の差があれ、ｘが範囲外で多い場
合には消去が困難になるなど本発明で述べるような優れ
た記録特性が発現しにくくなり好ましくなく、またｙが
多い場合には過剰なSbが析出するなど不可逆的な特性変
化が生じ易く、記録と消去の繰返し性が低下するなどし
て好ましくない。またｘやｙが少ない場合には適切な結
晶化温度が得られなくなったりして好ましくない。

本発明の効果をより好ましく発現させるには、ｚの範
囲は25≦ｚ≦38および38＜ｚ≦50としたほうがより好ま
しい。25≦ｚ≦38の場合には、７≦ｘ≦40、32≦ｙ≦55
の範囲であることがより好ましい。38＜ｚ≦50の場合に
は、ｘの範囲は７≦ｘ≦25の範囲であることがより好ま
しい。

なお、本発明における低線速度域は、0.5〜12m/秒程
度、特に0.5〜6m/秒程度の線速度のことを言う。

記録薄膜の膜厚は、特に限定されないが、例えば記録
膜の表面と裏面での膜厚干渉効果を利用する場合には、
70〜120nmの範囲に設定できる。また、記録膜に隣接し
て、例えばその裏面側に反射層としての役割を持つ冷却
層を設ける場合には、約半分の膜厚にして同様な効果を
期待できる。

記録薄膜に隣接して、好ましくはその裏面側に冷却層
を設けることができる。

この冷却層は、記録層から生じる熱の拡散を容易に
し、記録時の溶融部分の冷却速度を速め、非晶マークの
形成を容易にするのに有効である。さらには、金属や金
属合金などの光学的に高い反射率を有する材料を用いれ
ば、反射層としての役割も付与することが可能であり、
記録層の膜厚を約半分にして、記録の感度を高めるなど
の効果も期待できる。冷却層の膜厚は特に限定されない
が、10〜80nmが実用的にも好ましい。冷却層の材料とし
ては、Sb、Bi、Sn、Au、Al、Ti、Ni、Cr、PbおよびHf等
の金属又はそれらの合金、あるいは金属の酸化物、炭化
物、窒化物、カルコゲン化物等のいずれかと金属との混
合物などが使用できる。特にAu、Al、Hf、NiおよびCrや
それらの合金等は、膜の形成が容易であり、材料選択に
より熱伝導度を広範囲に調整可能であるため、本発明の
光記録媒体を種々の目的に沿って設計する場合にその本
来の優れた特性を発現させるのに有効である。

本発明に用いられる基板としてはポリメチルメタクリ
レート樹脂、ポリカーボネイト樹脂、エポキシ樹脂、ポ
リオレフィン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリエステル
樹脂、スチレン樹脂などの高分子樹脂やガラス板、ある
いはAl等の金属板が挙げられる。

本発明の記録媒体は本来の特性を効果的に発現させる
ため、基板と記録層の間や媒体の表面等に保護層や、記
録層と冷却層の間に拡散防止層が形成できる。

保護層は、SiO₂、ZrC、ITO、ZnS、MgF₂等の無機膜や
それらの混合膜、紫外線硬化膜等を、蒸着、スパッタ、
スピンコート等の方法を用いて形成したり、エポキシや
ポリカーボネイトなどの樹脂、フィルム、ガラスなどを
張合わせたり、ラミネートしても良い。拡散防止層は耐
湿熱性や耐酸化性などの効果のみならず、記録層と反射
層の間での元素拡散を抑制し特性劣化を押さえる効果が
あり、保護層と同様な材料が使用できる。

このような保護層および拡散防止層としては、例え
ば、ZnSとMgF₂の混合膜は、耐熱性が良好で、湿熱下で
の耐久性が優れており、さらには記録と消去の繰返しに
よる記録層の劣化を抑制し、消去特性を改善するなどの
効果があり好ましいものである。また、Zr、Ta、Tiおよ
びＷから選ばれた少なくとも一種の金属と、ケイ素、酸
素および炭素を含む成分で構成される膜は、各成分の好
ましい含有量を上記金属が３〜40原子％、Siが５〜30原
子％、Ｏが５〜70原子％、Ｃが３〜40原子％の範囲とな
すことにより、記録層の膜質劣化や性能劣化を抑制でき
ると共に記録層との接着力を高める効果が期待でき好ま
しい。

これらの保護層および拡散防止層により、耐久性や耐
吸湿性の向上、記録層の保護コート、基板からの剥離や
盛り上がり等の変形防止、融解、蒸発、拡散等による媒
体の消失防止、等の効果や更には非晶と結晶の可逆変化
を利用する場合の繰返し性の向上等の効果が期待でき
る。

［製造方法］ 本発明の記録媒体の作製法は種々の方法が挙げられる
が、ここでは一例としてマグネトロンスパッタ法につい
て説明する。

本発明の記録媒体は、1.2mm厚のパイレックスガラス
やPMMA板、0.4mm厚のポリカーボネイト（以下PCとい
う）板、又は1.2mm厚、13cm直径、1.6μｍピッチのスパ
イラルグループ付きのポリカーボネイト（PC）製の基板
を10〜150rpmで回転させ、組成や膜厚の均一化を図りな
がら、例えば、保護層、記録層、拡散防止層あるいは冷
却層を各々目的に応じて順次積層形成する。スパッタ条
件は、例えばスパッタガスにアルゴンガスを用い、RF出
力数十〜1kw、真空度８×10^-1Pa〜１×10^-1Pa程度の条
件範囲で行なうことができる。

保護層や拡散防止層は、SiO₂、ZrC、ITO、ZnSおよびM
gF₂や、それらの混合組成のターゲットを用いて、水晶
振動子膜厚計でモニターしながら、単独または同時スパ
ッタして形成すれば良い。ここで、ITO膜の場合にはス
パッタガスをAr:O＝9:1（モル比）の混合ガスとし、RF
又はDCのスパッタ法を用いた。DCスパッタ法では、出力
を200〜400Wとした。

記録層はAg、Sb、TeおよびAg−Te合金、Sb−Te合金な
どを水晶膜厚計でモニターしながら同時スパッタして所
定組成の記録膜とする。ターゲット部材には、他に所定
薄膜組成となるように勘案した（Ag、Sb、Te）の３元素
ターゲットを用いても良い。

冷却層はAu、Sb、Sn、Bi、Pb、Al、Ti、Ni、Crおよび
Hf等の金属やそれらの合金を記録薄膜と同様に形成すれ
ば良い。

これらのスパッタ条件は当然ながら装置により一定で
はなく上記以外の条件で作製しても良いことは言うまで
もなく、作製方法としても、例えば真空蒸着法や電子ビ
ーム蒸着法などの薄膜作製技術を用いて良いことは言う
までもない。

［用途］ このようにして得られた本発明の記録媒体は、特に光
カード用の情報記録媒体として好ましい特性を備えたも
のである。さらには、これ以外にも光学特性の差を記録
に利用するあらゆる用途、例えば、光ディスク、光テー
プ、光フロッピー、マイクロフィッシュ、レーザCOM等
の情報記録媒体、にも適用可能なものである。

［測定法］ 転移温度 ガラス基板上に作製した記録薄膜上に一対の電極を設
け、その一端に30kΩの抵抗を直列に接続する。残る電
極と抵抗の両端に5Vの一定電圧を印加し、電圧計で抵抗
の両端電圧を測定し、これより薄膜の印加電圧と電流を
求め抵抗値を算出する。次に加熱炉を用い、温度制御器
で約10℃／分の速度で基板全体を均一に加熱昇温しなが
ら抵抗を測定し、高抵抗から低抵抗へ変化する温度を求
め転移温度とする。

組成 ガラス基板上に作製した記録薄膜を王水、硝酸等で溶
解させ基板から分離させた。この溶液を高周波誘導結合
プラズマ（ICP）発光分光分析法（セイコー電子（株）S
PS−1100型）により、各元素の含有量を求め、組成比を
算出した。

動的記録・消去特性 PC製のグループ付基板上に記録薄膜を形成したものを
試料とした。評価装置は波長830nmの半導体レーザを組
み込んだ光ヘッドとディスク回転装置およびそれらの制
御回路で主に構成されている。光ヘッドは回転するディ
スク基板を通して記録膜上に開口数0.5の対物レンズで
レーザ光を集光し、基板に刻まれたグループに沿ってト
ラッキングするよう制御されている。記録は１〜15mWの
記録パワーで、周波数が0.2〜5MHz、信号のデューティ
を10〜90％とし、消去パワーは１〜15mWの範囲で測定し
た。線速度は0.5〜12m/秒とした。CNRは、記録信号を0.
7mWで再生し、30kHzのバンド幅としたスペクトラルアナ
ライザを用いRF信号から求めた。消去率は記録と消去後
のキャリア信号の差から求めた。またキャリア周波数位
置でのノイズはその前後のノイズ値より補間で求めた。

静的記録・消去特性 パイレックスガラス、PMMA、0.4mm厚PC板の各基板上
に記録薄膜を形成したものを試料とした。評価装置は波
長830nmの半導体レーザを組み込んだ光ヘッドとその制
御回路で主に構成されている。光ヘッドはＸ−Ｙステー
ジ上に保持された基板を通して記録膜上に開口数0.5の
対物レンズでレーザ光を集光するよう制御されている。
光ヘッドに印加する記録または消去パルスで生じた、非
晶と結晶間の可逆的相転移に伴う反射光量の変化をRF信
号として取出し、繰返し耐久性や記録のコントラストを
評価するようになっている。記録と消去のパワーは１〜
20mW範囲で測定し、再生パワーは0.5mWとした。コント
ラストはRF出力の結晶と非晶でのレベル差と結晶状態と
の比として求めた。

［実施例］ 本発明を更に実施例に基づいて、詳細に説明する。

実施例１ 製造方法で述べたスパッタ法により、パイレックスガ
ラス基板およびPMMA基板の各々に保護層、記録層、拡散
防止層、冷却層および保護層をこの順に形成した。基板
は毎分40回転させて組成と膜厚の均一化を図った。

真空度5X10^-1Paで、基板上にSiO₂保護層を約95nm形成
し、その上にAg、Sb、Teとそれらの合金を水晶振動子膜
厚計でモニタしながら同時スパッタしAg₂₅Sb₃₈Te₃₇組成
の記録層を約95nm形成した。次いで約90nmのSiO₂拡散防
止層、約20nmのAu冷却層を順次形成し、最後にSiO₂を約
70nm形成した。この記録媒体の結晶化温度は約130℃で
あった。パイレックスガラス基板で測定法で述べた静
止記録・消去特性を評価した。15mW、280n秒の記録パル
スと、4.7mW、2.5μ秒の消去パルスで試料の同一箇所を
繰返し交互に照射し、再生パワー0.5mWでのRF信号の変
化を評価したところ、約33％のコントラストで、10⁴回
以上安定して記録・消去を繰返すことができた。次に記
録を8.6mW、２μ秒、消去を4mW、３μ秒として同様に評
価したところ、コントラストが約34％で、10⁴回以上の
記録・消去繰返しが可能であった。次にPMMA基板でも記
録を9.2mW、280n秒、消去を3.2mW、2.5μ秒とした条件
と、記録を5.2mW、1.5μ秒、消去を2mW、1.0μ秒とした
条件のそれぞれで同様に評価したところ、いずれもコン
トラストが25％以上得られ、繰返しも10⁴回以上か可能
であった。このように本発明の記録媒体は、記録のコン
トラストが良好で再生信号振幅が大きくとれ、記録のパ
ルス幅を大きくしても非晶マーク部の再結晶が生じにく
く安定な記録が可能であり、繰返し性も良好である。

実施例２ 基板をプリグループ付きPC基板とし、記録層を（イ）
はAg₁₀Sb₅₀Te₄₀、（ロ）はAg₃₀Sb₃₃Te₃₇、（ハ）はAg₃₇
Sb₃₃Te₃₀、とした以外は実施例１と同じ構成と組成の試
料を作製し測定法の動的記録・消去特性を評価した。

先ず、線速度0.5m/秒で結晶化による初期化を試み
た。試料（イ）と（ハ）は3.6mW、試料（ロ）は2.7mWと
したパワーでトラックに沿って２回走査し、0.7mWで再
生した所、RF信号レベルは明らかに高反射率に変化し、
良好な初期化ができた。ノイズの増加は数dB以下でほと
んどなかった。次いで試料（イ）は線速度6m/秒、13m
W、2.5MHz、デューティ50％で記録し、消去は線速度0.5
m/秒、2.4mWで行なった。線速度6m/秒で再生したとこ
ろ、記録のCNRが50dB、消去率が25dB以上が得られた。
次に線速度を0.5m/秒とし、記録を7mW、0.2MHz、デュー
ティ10％、消去を3mWの条件として各々記録消去したと
ころ、線速度6m/秒の再生でほぼ同様な記録のCNRが得ら
れ、消去も可能であった。更に、試料（ロ）、（ハ）は
線速度を0.5m/秒とし、（ロ）は記録を5.5mW、0.2MHz、
デューティ20％、消去を2.7mWの条件で、（ハ）は記録
を7mW、0.2MHz、デューティ10％、消去を3mWの条件とし
て各々記録消去した。線速度6m/秒で再生したところ、
（ロ）は記録のCNRが44dB、消去率が32dB以上、（ハ）
は記録のCNRが45dB、消去率が26dB以上であった。いず
れもノイズはほとんど増加せず数dB以内であった。これ
らの試料の同一トラックで更に記録・消去の繰返しを試
みたところ、同様な特性での繰返しが可能であった。こ
の様に、本発明の記録媒体は安定な非晶化記録が可能で
消去特性も良好であり、特に光カード用媒体などで使用
される低線速度としても良好な記録・消去特性を持ち、
コードデータ用の媒体として適用可能な優れた記録と消
去の特性を持つものである。

比較例１ 記録層をAgを除いたSb₅₉Te₄₁とした以外は実施例２と
同様な構成でパイレックスガラス基板およびPCのディス
ク基板の各々に媒体を形成した。

パイレックスガラス基板で静止記録・消去特性を評価
したところ、記録を8.4mW、500n秒、消去を4.6mW、１μ
秒とした場合、コントラストは少し低下し約25％であっ
たが、記録パルスの幅を広げ7mW、１μ秒とし、消去を
4.8mW、１μ秒として評価すると、コントラストが大巾
に低下し14％となった。またこの媒体の結晶化温度は70
℃程度であり、記録の安定性も低下していた。

次にPC基板で動的記録・消去特性を評価した。線速度
0.5m/秒、3.3mWのパワーで２回走査し初期化を行った
後、線速度0.5m/秒で記録を6mW、0.2MHz、デューティ20
％として記録後線速度6m/秒で再生したところ、再生信
号（キャリア）が低下しており十分な記録のCNRが得ら
れなかった。そこで、線速度を1m/秒とし記録を8mW、0.
3MHz、デューティ20％、消去を2.5mWとして記録消去を
行ったところ、この線速度でも非晶マークの再結晶と思
われるキャリアの低下が見られ、線速度6m/秒の再生で
消去率は23dB程度得られたものの、記録のCNRは36dBと
小さかった。

実施例３ 基板を厚み0.4mmのPC板とし、保護層および拡散防止
層を試料（ニ）はSiO₂膜とし、試料（ホ）はDCスパッタ
法でITO膜とし、試料（ヘ）はZnSにMgF₂を10mol％添加
した膜とした以外は、実施例１と同様の構成で記録媒体
を形成した。その後、媒体側に粘着剤により、厚み0.3m
mのPETフィルムを貼合わせ85.5mmX54mmに打ち抜いてカ
ード用媒体に仕上げた。静止記録・消去特性の評価装置
を用いて、Ｘ−ＹステージをＸ方向に走査し、PC基板側
からの記録・消去を試みた。先ず、５〜10cm/秒程度の
線速度で消去パワーを３〜4mWとし、Ｙ方向に微小送り
を行いながらＸ方向に繰返し走査しまとまった領域を初
期化した。その結果、いずれの試料もRF出力から、高反
射率となる結晶化が確認できた。この初期化した領域を
線速度５〜10cm/秒程度で走査しながら、５〜7mW、1kH
z、パルス幅１μ秒の条件で記録した所、試料（ニ）〜
（ヘ）のいずれも顕微鏡で明瞭な非晶マークが観測さ
れ、良好かつ安定して記録できることが確認できた。次
いでＸ方向に戻し、同じ線速度で消去パワーを2.5〜3.5
mWとして連続照射しながら、記録マーク上をなぞるよう
に走査した所、顕微鏡で見てオーバラップした箇所の非
晶マークが結晶化しているのが試料（ニ）〜（ヘ）全て
で確認できた。これより本発明の記録媒体がカード用媒
体として良好かつ安定した記録・消去が可能であること
が分かる。

実施例４ パイレックスガラス基板で記録層をAg₃₅Sb₃₃Te₃₂と
し、冷却層を（ト）はAuを約20nm、（テ）はHfを約40n
m、（リ）はAlを約40nm、（ヌ）はNi₈₀Cr₂₀合金を約40n
mとした以外は実施例１と同様な構成の試料を作製し
た。この試料の結晶化温度は約143℃であり、記録の保
存安定性には十分であった。測定法で述べた静止記録
・消去特性を、記録を６〜9mW、１μ秒、消去を3.5〜4.
5mW、１μ秒として評価したところ、コントラストがい
ずれも25％以上が得られ、記録・消去の繰返しも10⁴回
以上が可能であった。

実施例５ パイレックスガラス基板で記録層を（ル）はAg₂₃Sb₄₄
Te₃₃、（オ）はAg₁₅Sb₅₂Te₃₃、（ワ）はAg₁₅Sb₄₃Te₄₂、
とした以外は実施例１と同様な構成の試料を作製した。
測定法で述べた静止記録・消去特性を、記録を６〜9m
W、１μ秒、消去を3.5〜4.5mW、１μ秒として評価した
ところ、コントラストがいずれも25％以上が得られ、記
録・消去の繰返しも10⁴回以上が可能であった。

［発明の効果］ 本発明による光情報記録媒体は以下に述べるような優
れた効果を奏するものである。

低線速度としても、記録のCNR特性や消去率の良好
な、媒体のノイズが小さい光記録媒体が得られる。

記録のパルス幅を大きくしても良好な記録・消去の
繰返し特性を持ち、記録のコントラストが良好な光記録
媒体が得られる。

冷却層を設けることにより、記録マーク形成の安定
性が増し、マーク端部のきれが良好でCNRの優れた光記
録媒体が得られる。

結晶化転移温度が適切であり、既記録情報の長期保
存性に優れた光記録媒体が得られる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−304439（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−63195（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−277338（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−277337（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−194150（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−303643（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−275337（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−228437（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) B41M 5/26

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に形成された記録薄膜にエネルギー
   ビームを照射し、直接又は間接に発生する熱により、上
   記薄膜の光学特性を変化せしめて、情報の記録を行う光
   情報記録媒体において、該記録薄膜と隣接して基板から
   見て裏面側に、拡散防止層、冷却層をこの順に設けてな
   り、該記録薄膜が銀（Ag）、アンチモン（Sb）およびテ
   ルル（Te）の３元素から主としてなり、かつその主とし
   てなる３元素の組成が、一般式 Ag_xSb_yTe_z x:薄膜中のAgの原子数％ y:薄膜中のSbの原子数％ z:薄膜中のTeの原子数％ と表した場合、ｚの範囲は20≦ｚ≦55であり、ｚの範囲
   が20≦ｚ≦38の場合には、ｘ、ｙの範囲がそれぞれ５≦
   ｘ≦50、32≦ｙ≦60であり、ｚの範囲が38＜ｚ≦55の場
   合には、ｘ、ｙの範囲がそれぞれ５≦ｘ≦25、42≦ｙ≦
   60であり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝100であることを特徴とす
   る光情報記録媒体。
2. 【請求項２】ｚの範囲は25≦ｚ≦50であり、ｚの範囲が
   25≦ｚ≦38の場合には、ｘ、ｙの範囲がそれぞれ７≦ｘ
   ≦40、32≦ｙ≦55であり、ｚの範囲が38＜ｚ≦50の場合
   には、ｘ、ｙの範囲がそれぞれ７≦ｘ≦25、42≦ｙ≦60
   である請求項１記載の光情報記録媒体。
3. 【請求項３】冷却層がAu、Hf、Al、NiおよびCrの少なく
   とも一種から主として構成され、かつ、冷却層の膜厚が
   10〜80nmである請求項１または２記載の光情報記録媒
   体。