JPH02112987A - 光記録媒体 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光情報記録媒体に関するものＣ必り、ざらに
詳しくは光によって情報の記録、再生する光カード、光
ディスクなどの光記録媒体に関するものである。
詳しくは光によって情報の記録、再生する光カード、光
ディスクなどの光記録媒体に関するものである。
従来、出換え可能な光記録媒体としては、非晶状態と結
晶状態の光学的に検出可能な２つの状態間の可逆的変化
を利用したものが必る。
晶状態の光学的に検出可能な２つの状態間の可逆的変化
を利用したものが必る。
代表的なものとしては、Ｔｅを主成分とするＴｅ８１Ｇ
ｅ１５ｓｂ２８２膜を記録層とだもの（特開昭４７−２
６８９７号公報）、Ｔｅを主成分とするＴ ｅ ８０Ｓ
ｂｌＯ８ｅｌＯ膜を記録層としたちのく特開昭６１−１
４５７３７号公報、５ＰＩＥ ＶＯｌ、５２９１）２
） 、Ｓ ｂ ２ Ｓ ｅ等の組成の３ｂ−３ｅ合金を
記録層としたもの（特開昭６０−１５５４９５号公報、
Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、 Ｉｅｔｔ、４８（１９）、１２
Ｍａｙ １９８６） 、Ｓｂ２ Ｓｅ３合金を記録
層とするもの（特開昭５９−１８５０４８号公報）、ま
たＴｅを主成分とするＴｅ−Ｇｅ−３ｂ合金を記録層と
したもの（特開昭６１−２０９７４２号公報）などがあ
る。
ｅ１５ｓｂ２８２膜を記録層とだもの（特開昭４７−２
６８９７号公報）、Ｔｅを主成分とするＴ ｅ ８０Ｓ
ｂｌＯ８ｅｌＯ膜を記録層としたちのく特開昭６１−１
４５７３７号公報、５ＰＩＥ ＶＯｌ、５２９１）２
） 、Ｓ ｂ ２ Ｓ ｅ等の組成の３ｂ−３ｅ合金を
記録層としたもの（特開昭６０−１５５４９５号公報、
Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、 Ｉｅｔｔ、４８（１９）、１２
Ｍａｙ １９８６） 、Ｓｂ２ Ｓｅ３合金を記録
層とするもの（特開昭５９−１８５０４８号公報）、ま
たＴｅを主成分とするＴｅ−Ｇｅ−３ｂ合金を記録層と
したもの（特開昭６１−２０９７４２号公報）などがあ
る。
これらの光記録媒体では、記録時には、記録状態の記録
層に光を短時間照射する。このとき記録層は部分的に溶
融し、その後、熱拡散により急冷固化することにより、
非晶マークが形成される。
層に光を短時間照射する。このとき記録層は部分的に溶
融し、その後、熱拡散により急冷固化することにより、
非晶マークが形成される。
この非晶マークの光線反射率は、結晶状態より低く、光
学的に記録信号として検出可能である。消去時には、非
晶マーク部分に光を照射し、融点以下に加熱することに
より、非晶マークを結晶化し、もとの状態に戻し消去す
る。
学的に記録信号として検出可能である。消去時には、非
晶マーク部分に光を照射し、融点以下に加熱することに
より、非晶マークを結晶化し、もとの状態に戻し消去す
る。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上記従来技術の場合、次のような問題が
あった。
あった。
すなわち、Ｔｅ８１Ｇｅ１５Ｓｂ２３２膜やｌ’−ｅ８
０ＳｂｌＯ３ｅｌＯ膜を記録層としたものでは、結晶化
速度が遅く、１μｓｅｃ以下の高速消去が要求されるリ
アルタイムで書換え可能な光ディスクを実現することは
できなかった。一方、Ｓｂ２Ｔｅ３．５ｂ２Ｓｅおよび
Ｔｅ−Ｇｅ−３ｂ膜では、結晶化速度が速く、消去速度
を１μｓｅｃ以下とすることができるが、以下の問題が
めった。すなわち、Ｓｂ ２Ｔｅ ３膜では、結晶化温
度が７０℃以下と低く、熱安定性が低いため信頼性に乏
しかった。
０ＳｂｌＯ３ｅｌＯ膜を記録層としたものでは、結晶化
速度が遅く、１μｓｅｃ以下の高速消去が要求されるリ
アルタイムで書換え可能な光ディスクを実現することは
できなかった。一方、Ｓｂ２Ｔｅ３．５ｂ２Ｓｅおよび
Ｔｅ−Ｇｅ−３ｂ膜では、結晶化速度が速く、消去速度
を１μｓｅｃ以下とすることができるが、以下の問題が
めった。すなわち、Ｓｂ ２Ｔｅ ３膜では、結晶化温
度が７０℃以下と低く、熱安定性が低いため信頼性に乏
しかった。
また５ｂ２Ｓｅ膜では、記録消去の繰返しに伴いノイズ
が増大する欠点がおった。さらに、ｌ’−ｅ−Ｇｅ−３
ｂ膜では、高速消去可能な組成では、記録膜が記録時に
変形、開口を生じ易く、信頼性に乏しい問題があった。
が増大する欠点がおった。さらに、ｌ’−ｅ−Ｇｅ−３
ｂ膜では、高速消去可能な組成では、記録膜が記録時に
変形、開口を生じ易く、信頼性に乏しい問題があった。
本発明はかかる問題点を改善し、高速で記録、消去が可
能であり、かつ、記録、消去感度が高く、Ｃ／Ｎ、消去
率が良好であり、また、記録、消去の多数回の繰返しに
よっても劣化が少なく、かつ熱安定性の良好な光記録媒
体を提供することを目的とする。
能であり、かつ、記録、消去感度が高く、Ｃ／Ｎ、消去
率が良好であり、また、記録、消去の多数回の繰返しに
よっても劣化が少なく、かつ熱安定性の良好な光記録媒
体を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段〕
かかる本発明の目的は、基板上に形成された記録層に光
を照射することによって、情報の記録、消去および再生
が可能でおり、情報の記録および消去が、結晶状態と非
晶状態の間の相変化により行なわれる光記録媒体におい
て、前記記録層が少なくとも記録層、断熱層および冷Ｆ
Ａ＠を備え、かつ前記記録層の組成が下記一般式で表わ
されることを特徴とする光記録媒体。
を照射することによって、情報の記録、消去および再生
が可能でおり、情報の記録および消去が、結晶状態と非
晶状態の間の相変化により行なわれる光記録媒体におい
て、前記記録層が少なくとも記録層、断熱層および冷Ｆ
Ａ＠を備え、かつ前記記録層の組成が下記一般式で表わ
されることを特徴とする光記録媒体。
（ＳｂｘＴｅｌ−ｘ）１−ｙ−αＧｅｙＭαただし、
０．５５≦ｘ≦０．６５
０．０１≦ｙ≦０．１０
０．００１≦α≦０．０３
ｘ、ｙおよびαはそれぞれ原子数比を示し、Ｓｂはアン
チモン、丁ｅはテルル、Ｇｅはゲルマニウム、ＭはＣｏ
（コバルト）、Ｚｒ（ジルコニウム）およびＨｆ（ハフ
ニウム）のうち少なくとも１元素以上を表わす。
チモン、丁ｅはテルル、Ｇｅはゲルマニウム、ＭはＣｏ
（コバルト）、Ｚｒ（ジルコニウム）およびＨｆ（ハフ
ニウム）のうち少なくとも１元素以上を表わす。
記録層の組成の主成分は、ｓｂを主成分とする５ｂ−Ｔ
ｅ合金である。前記一般式中の括弧内で表わされる組成
の５ｂ−Ｔｅ二元合金は非晶質となり易く、また融点も
Ｓｂ、Ｓｂ２ Ｔｅ３化合物に比べて低いため、非晶化
による記録が容易であるとともに結晶化も速く、およそ
１μｓｅｃ以下のレーザ光照射により消去か可能である
。加えて、この３ｂ−Ｔｅ合金を主成分とする場合には
、５ｂ−３膜合金系にみられるような記録、消去の繰返
しに伴う不可逆的な相分離や、結晶の粗大化が起こりに
くく、記録感度、Ｃ／Ｎ比などの記録特性の劣化が軽減
される。
ｅ合金である。前記一般式中の括弧内で表わされる組成
の５ｂ−Ｔｅ二元合金は非晶質となり易く、また融点も
Ｓｂ、Ｓｂ２ Ｔｅ３化合物に比べて低いため、非晶化
による記録が容易であるとともに結晶化も速く、およそ
１μｓｅｃ以下のレーザ光照射により消去か可能である
。加えて、この３ｂ−Ｔｅ合金を主成分とする場合には
、５ｂ−３膜合金系にみられるような記録、消去の繰返
しに伴う不可逆的な相分離や、結晶の粗大化が起こりに
くく、記録感度、Ｃ／Ｎ比などの記録特性の劣化が軽減
される。
また記録層の含有するＧｅは、前記一般式で表わされる
組成の範囲において、非晶質状態を安定化し記録の安定
性を改善するとともに、非晶相と結晶相の光の反射率、
透過率の差を大きくし、再生信号のコントラストを改善
する効果を有する。
組成の範囲において、非晶質状態を安定化し記録の安定
性を改善するとともに、非晶相と結晶相の光の反射率、
透過率の差を大きくし、再生信号のコントラストを改善
する効果を有する。
記録層の含有するＭで表わされるＣＯ，Ｚｒおよび）−
１ｆの少なくとも１元素以上の金属は、前記一般式で表
わされる組成の範囲において、記録消去時の消去率を改
善するとともに、記録繰返しに伴うノイズの増大を低減
するとともに、記録、消去の繰返しに伴う記録、消去パ
ワーの変動、反射率の変動などを防止する。また、消去
速度（結晶化速度）の向上の効果も有する。
１ｆの少なくとも１元素以上の金属は、前記一般式で表
わされる組成の範囲において、記録消去時の消去率を改
善するとともに、記録繰返しに伴うノイズの増大を低減
するとともに、記録、消去の繰返しに伴う記録、消去パ
ワーの変動、反射率の変動などを防止する。また、消去
速度（結晶化速度）の向上の効果も有する。
前記記録層の組成の一般式において、ｓｂの原子数比Ｘ
が０．６５を越える場合には、結晶化速度は高速化され
るが、記録、消去の繰返しの可逆性が悪化するとともに
、非晶化し難くなるため記録が困難になる。一方、０．
５５より小さい場合には、結晶化速度が遅く、記録の高
速消去が困難になる。
が０．６５を越える場合には、結晶化速度は高速化され
るが、記録、消去の繰返しの可逆性が悪化するとともに
、非晶化し難くなるため記録が困難になる。一方、０．
５５より小さい場合には、結晶化速度が遅く、記録の高
速消去が困難になる。
前記記録層の組成の一般式において、Ｔｅの原子数比１
−ｘが０．３５より大きい場合には、結晶化速度が遅い
ため記録の消去速度が遅く実用的ではない。また０、４
５より小さい場合には、非晶化し難いため記録が困難に
なるとともに記録消去の繰返しが困難になる。
−ｘが０．３５より大きい場合には、結晶化速度が遅い
ため記録の消去速度が遅く実用的ではない。また０、４
５より小さい場合には、非晶化し難いため記録が困難に
なるとともに記録消去の繰返しが困難になる。
前記記録層の組成の一般式において、Ｇｅの原子数比ｙ
が０．１０より大きい場合には、結晶化速度が遅くなり
記録の高速消去が困難になるため実用的ではない。一方
、０．０１より小さい場合には、結晶化温度が低いため
記録の熱安定性が低下する。また、Ｇｅ添加による信号
コントラストの有意の改善効果が認められない。
が０．１０より大きい場合には、結晶化速度が遅くなり
記録の高速消去が困難になるため実用的ではない。一方
、０．０１より小さい場合には、結晶化温度が低いため
記録の熱安定性が低下する。また、Ｇｅ添加による信号
コントラストの有意の改善効果が認められない。
前記記録層の組成の一般式において、Ｍで表わしたＣ０
１ｌｒおよびＨｆのうち少なくとも１つ以上の元素 金
属の原子数比αが０．０３より多い場合には、非晶化が
困難になるとともに、消去率が悪化する。またノイズも
増大することがら実用的ではない。一方、０．００１未
満では、消去率の改善、記録消去繰返しに伴うノイズの
増大を低減するなど添加による効果が得られない。
１ｌｒおよびＨｆのうち少なくとも１つ以上の元素 金
属の原子数比αが０．０３より多い場合には、非晶化が
困難になるとともに、消去率が悪化する。またノイズも
増大することがら実用的ではない。一方、０．００１未
満では、消去率の改善、記録消去繰返しに伴うノイズの
増大を低減するなど添加による効果が得られない。
特に、多数回の記録消去が可能であることから、αが０
．００２〜０．０１であることが好ましい。
．００２〜０．０１であることが好ましい。
本発明の記録層の厚さとしては、１０ｎｍ〜１ｏｏｏｎ
ｍの範囲で使用するのがよく、特に光ディスクとして高
い感度を得るためには、１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下と
することが好ましく、さらに良好な記録再生信号のキャ
リア対ノイズ比を１昇ルニハ、４０ｎｍ〜１５０ｎｍと
するのが好ましい。
ｍの範囲で使用するのがよく、特に光ディスクとして高
い感度を得るためには、１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下と
することが好ましく、さらに良好な記録再生信号のキャ
リア対ノイズ比を１昇ルニハ、４０ｎｍ〜１５０ｎｍと
するのが好ましい。
本発明の断熱層は記録層の両面に積層される。
この断熱層は記録時に基板が記録層の熱によって変形し
、記録消去特性が劣化することを防止するとともに、記
録時の記録層からの熱の拡散を低減し、断熱的な加熱を
容易にすることによって、記録感度を向上させる。前記
の断熱層としては、Ｚｎｓ、５ｉ０２などの無機薄膜、
特にＺｎＳの薄膜、３１． Ｇｅ、 Ｔｒ、ｚｒおよび
Ｔｅなどの金属の酸化物薄膜、およびこれらの混合物の
膜が耐熱性が高いことから好ましい。
、記録消去特性が劣化することを防止するとともに、記
録時の記録層からの熱の拡散を低減し、断熱的な加熱を
容易にすることによって、記録感度を向上させる。前記
の断熱層としては、Ｚｎｓ、５ｉ０２などの無機薄膜、
特にＺｎＳの薄膜、３１． Ｇｅ、 Ｔｒ、ｚｒおよび
Ｔｅなどの金属の酸化物薄膜、およびこれらの混合物の
膜が耐熱性が高いことから好ましい。
本発明の冷却層は、断熱層の一方に積層する。
この冷却層は断熱層からの熱拡散を容易にし、記録時に
溶融した部分の冷却速度を高くすることにより非晶マー
クの形成を容易にする。冷却層の厚さは、およそ１００
ｍ〜１１０００ｎで必る。冷却層の材質としては、断熱
層より熱伝導率が高い金属、あるいは金属と金属酸化物
、金属窒化物、金属炭化物、金属カルコゲン化物などの
混合物が使用できる。特に、比熱が小さく、熱伝導率が
高いことから、Ａｕおよびｓｂが好ましい。
溶融した部分の冷却速度を高くすることにより非晶マー
クの形成を容易にする。冷却層の厚さは、およそ１００
ｍ〜１１０００ｎで必る。冷却層の材質としては、断熱
層より熱伝導率が高い金属、あるいは金属と金属酸化物
、金属窒化物、金属炭化物、金属カルコゲン化物などの
混合物が使用できる。特に、比熱が小さく、熱伝導率が
高いことから、Ａｕおよびｓｂが好ましい。
本発明に用いられる基板としては、プラスチック、ガラ
ス、アルミニウムなど従来の記録媒体と同様なものでよ
い。収束光により基板側から記録することによってごみ
の影響を避ける目的からは、基板として透明材料を用い
ることが好ましい。上記のような材料としては、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート、ポ
リカーボネイト、エポキシ樹脂、ポリオレフィン樹脂、
ポリイミド樹脂およびガラス等が好ましい。ざらに好ま
しくは、複屈折が小さいこと、形成が容易であることか
ら、ポリカーボネイト、エポキシ樹脂がよい。基板の厚
さは、特に限定するものではないが、１０ミクロン以上
、５ミリメートル以下が実用的である。１０ミクロン未
満では基板側から収束光で記録する場合でもごみの影響
を受けやすくなり、５ミリメートルを越える場合には、
収束光で記録する場合、対物レンズの開口数を大きくす
ることができなくなり、ピットサイズが大きくなるため
記録密度を上げることが困難になる。
ス、アルミニウムなど従来の記録媒体と同様なものでよ
い。収束光により基板側から記録することによってごみ
の影響を避ける目的からは、基板として透明材料を用い
ることが好ましい。上記のような材料としては、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート、ポ
リカーボネイト、エポキシ樹脂、ポリオレフィン樹脂、
ポリイミド樹脂およびガラス等が好ましい。ざらに好ま
しくは、複屈折が小さいこと、形成が容易であることか
ら、ポリカーボネイト、エポキシ樹脂がよい。基板の厚
さは、特に限定するものではないが、１０ミクロン以上
、５ミリメートル以下が実用的である。１０ミクロン未
満では基板側から収束光で記録する場合でもごみの影響
を受けやすくなり、５ミリメートルを越える場合には、
収束光で記録する場合、対物レンズの開口数を大きくす
ることができなくなり、ピットサイズが大きくなるため
記録密度を上げることが困難になる。
基板はフレキシブルなものであってもよいし、リジッド
なものであっても良い。フレキシブルな基板は、テープ
状、あるいはシート状で用いることができる。リジット
な基板は、カード状、あるいは円形ディスク状で用いる
ことができる。また必要に応じて、２枚の基板を用いて
エアーサンドインチ構造、エアーインシデント構造、密
着張り合わせ構造などとすることもできる。
なものであっても良い。フレキシブルな基板は、テープ
状、あるいはシート状で用いることができる。リジット
な基板は、カード状、あるいは円形ディスク状で用いる
ことができる。また必要に応じて、２枚の基板を用いて
エアーサンドインチ構造、エアーインシデント構造、密
着張り合わせ構造などとすることもできる。
本発明の光記録媒体の記録に用いる光としては、レーザ
光やストロボ光のごとき光であり、とりわけ、半導体レ
ーザを用いることは、光源が小型でかつ消費電力が小さ
く、変調が容易であることから好ましい。
光やストロボ光のごとき光であり、とりわけ、半導体レ
ーザを用いることは、光源が小型でかつ消費電力が小さ
く、変調が容易であることから好ましい。
記録層、断熱層および冷却層は、スパッタ法、抵抗加熱
蒸着法、電子ビーム加熱蒸着法およびイオンブレーティ
ング法など公知の薄膜形成法により形成することができ
る。
蒸着法、電子ビーム加熱蒸着法およびイオンブレーティ
ング法など公知の薄膜形成法により形成することができ
る。
記録は、結晶状態の記録層をレーザ光照射により非晶化
マークを形成して行なうことができる。
マークを形成して行なうことができる。
また非晶質状態の記録層にレーザ光照射により結晶化マ
ークを形成して行なうこともできる。また消去は記録と
同様にレーザ光を照射することによって、非晶化マーク
を結晶化するか、結晶化マーりを非晶化して行なうこと
ができる。
ークを形成して行なうこともできる。また消去は記録と
同様にレーザ光を照射することによって、非晶化マーク
を結晶化するか、結晶化マーりを非晶化して行なうこと
ができる。
結晶状態の記録層にレーザ光照射により非晶化マークを
形成して記録を行ない、消去をレーザ光照射により非晶
化マークを結晶化して行なうことが、記録速度を高くで
き、記録層の変形が起こり難いことから好ましい。
形成して記録を行ない、消去をレーザ光照射により非晶
化マークを結晶化して行なうことが、記録速度を高くで
き、記録層の変形が起こり難いことから好ましい。
［実施例］
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
なお実施例中の記録層の組成は、ＩＣＰ発光分析（セイ
コー電子工業（株）製Ｆ丁Ｓ−１１００型）によって確
認した。
コー電子工業（株）製Ｆ丁Ｓ−１１００型）によって確
認した。
また、記録信号のキャリア対ノイズ比（Ｃ／Ｎ比）はス
ペクトラム・アナライザにより測定した。
ペクトラム・アナライザにより測定した。
実施例１
厚さ１．２ｍｍ、直径１３ｃｍ、１．６μｍピッチのス
パイラル状グループ付きポリカーボネイト製基板を毎分
３０回転で回転させながら、スパッタ法により記録層、
断熱層および冷却層を形成した。
パイラル状グループ付きポリカーボネイト製基板を毎分
３０回転で回転させながら、スパッタ法により記録層、
断熱層および冷却層を形成した。
まず、７Ｘ１０−”ＰａのＡｒガス雰囲気中で、基板上
に１２０ｎｍのＺｎＳの断熱層を形成し、ざらに、Ｔｅ
、Ｓｂ、ＴｅＧｅ、Ｃｏを水晶振動膜厚計でモニタしな
がら同時スパッタして、（Ｓｂ Ｏ，６０Ｔｅ Ｏ，４
０＞ ０．９８ Ｇｅ Ｏ，０２Ｇｏ ０．００２の
元素組成比の厚ざ５Ｑｎｍの記録層を形成した。さらに
該記録層上に１８０ｎｍのＺｎＳの断熱層を形成し、こ
の断熱層上に２ＱｎｍのＡｕ冷却層を形成し、本発明の
光記録媒体を構成した。
に１２０ｎｍのＺｎＳの断熱層を形成し、ざらに、Ｔｅ
、Ｓｂ、ＴｅＧｅ、Ｃｏを水晶振動膜厚計でモニタしな
がら同時スパッタして、（Ｓｂ Ｏ，６０Ｔｅ Ｏ，４
０＞ ０．９８ Ｇｅ Ｏ，０２Ｇｏ ０．００２の
元素組成比の厚ざ５Ｑｎｍの記録層を形成した。さらに
該記録層上に１８０ｎｍのＺｎＳの断熱層を形成し、こ
の断熱層上に２ＱｎｍのＡｕ冷却層を形成し、本発明の
光記録媒体を構成した。
この光記録媒体を線速度０．５ｍ／秒で回転させ、基板
側から開口数０．５の対物レンズで集光した波長８３０
ｎｍの半導体レーザ光を、膜面強度１．５ｍＷの条件で
連続照射しながらトラック上を走査し記録層を結晶化し
た。このとき結晶化により記録層の反射率は、初期の２
倍に上昇した。
側から開口数０．５の対物レンズで集光した波長８３０
ｎｍの半導体レーザ光を、膜面強度１．５ｍＷの条件で
連続照射しながらトラック上を走査し記録層を結晶化し
た。このとき結晶化により記録層の反射率は、初期の２
倍に上昇した。
その後、線速度７ｍ／秒の条件で先と同一の光学系を使
用して、周波数３ＭＨ２，デユーティー比５０％に変調
した１１ｍＷの半導体レーザ光により記録を行なった。
用して、周波数３ＭＨ２，デユーティー比５０％に変調
した１１ｍＷの半導体レーザ光により記録を行なった。
記録層、半導体レーザ光の強度を０．７ｍＷとした記録
部分を走査し、記録の再生を行なったところ記録マーク
部分の反射率が非晶化によって低下し記録が行なわれて
いることが確認できた。この再生信号のＣ／Ｎ比をバン
ド幅３０ｋＨ２の条件で測定したところＣ／Ｎ比は、デ
ジタル記録可能な５０ｄＢの値が得られた。
部分を走査し、記録の再生を行なったところ記録マーク
部分の反射率が非晶化によって低下し記録が行なわれて
いることが確認できた。この再生信号のＣ／Ｎ比をバン
ド幅３０ｋＨ２の条件で測定したところＣ／Ｎ比は、デ
ジタル記録可能な５０ｄＢの値が得られた。
ざらに記録部分を、線速度１．５ｍ／秒の条件で２．８
ｍＷの半導体レーザ光を照射したところ記録は消去され
た。前記の記録、消去条件で５０回の記録、消去の繰返
し後も、記録、消去に要するレーザパワーは、不変であ
り、再生信号のノイズレベルの増加は１ｄＢ、Ｃ／Ｎは
４９ｄＢと、記録、消去特性の劣化はほとんど見られな
かった。
ｍＷの半導体レーザ光を照射したところ記録は消去され
た。前記の記録、消去条件で５０回の記録、消去の繰返
し後も、記録、消去に要するレーザパワーは、不変であ
り、再生信号のノイズレベルの増加は１ｄＢ、Ｃ／Ｎは
４９ｄＢと、記録、消去特性の劣化はほとんど見られな
かった。
また消去率にっても一３０ｄＢの良好な値が得られた。
また、この記録部分の非晶化マークは、通風オーブン中
でこの光記録媒体を６０℃に２時間加熱した後も安定に
存在した。
でこの光記録媒体を６０℃に２時間加熱した後も安定に
存在した。
実施例２
実施例１の記録層の組成を（Ｓｂ Ｏ，５７Ｔｅ Ｏ，
４３） ０．９２ Ｇｅ Ｏ，０７Ｃｏ Ｏ，０１の
組成とじた他は、実施例１と同様にして光記録媒体を製
作した。この光記録媒体の記録、再生を実施例１と同様
な条件で行なったところ、記録再生信号のＣ／Ｎ比は、
４７ｄＢであった。また、この記録部分を線速度１．５
ｍ／秒、３．０ｍＷの消去条件で消去することが可能で
あった。このときの消去率は一２９ｄＢであった。
４３） ０．９２ Ｇｅ Ｏ，０７Ｃｏ Ｏ，０１の
組成とじた他は、実施例１と同様にして光記録媒体を製
作した。この光記録媒体の記録、再生を実施例１と同様
な条件で行なったところ、記録再生信号のＣ／Ｎ比は、
４７ｄＢであった。また、この記録部分を線速度１．５
ｍ／秒、３．０ｍＷの消去条件で消去することが可能で
あった。このときの消去率は一２９ｄＢであった。
実施例３
実施例１の基板を３２ｍｍ四方の１．２ｍｍ厚のガラス
板に、冷却層をｓｂに替えた他は、実施例１と同様にし
て光記録媒体を作製した。この記録媒体を静止状態で固
定し、実施例１と同様な光学系を用いて、記録、消去を
行なった。記録パルスは、１４ｍＷ、３５０ｎｓｅｃ、
消去パルスは５．５ｍＷ、７００ｎｓｅｃとシタ。マタ
再生ハ、０．６ｍＷで行なった。この条件で１０万回の
記録、消去サイクルを繰返した後も記録、消去が可能で
あり、このときの反射信号の変化率は殆ど変化が見られ
ず、特性の劣化はなかった。
板に、冷却層をｓｂに替えた他は、実施例１と同様にし
て光記録媒体を作製した。この記録媒体を静止状態で固
定し、実施例１と同様な光学系を用いて、記録、消去を
行なった。記録パルスは、１４ｍＷ、３５０ｎｓｅｃ、
消去パルスは５．５ｍＷ、７００ｎｓｅｃとシタ。マタ
再生ハ、０．６ｍＷで行なった。この条件で１０万回の
記録、消去サイクルを繰返した後も記録、消去が可能で
あり、このときの反射信号の変化率は殆ど変化が見られ
ず、特性の劣化はなかった。
また、この記録層の結晶化温度を昇温時の直流電気抵抗
の変化、および光線透過率の変化から測定したところ、
１０℃／分の昇温条件で１４０℃であった。従って、常
温での熱的安定性は良好であると推定できる。
の変化、および光線透過率の変化から測定したところ、
１０℃／分の昇温条件で１４０℃であった。従って、常
温での熱的安定性は良好であると推定できる。
比較例１
実施例１において、記録層の組成を下記（イ）、（ロ）
に変更した以外は実施例１と同様にして光記録媒体をそ
れぞれ作製し、同様に評価した。
に変更した以外は実施例１と同様にして光記録媒体をそ
れぞれ作製し、同様に評価した。
（イ） （Ｓｂ Ｏ，７０Ｔｅ Ｏ，３０） ０．
８５ Ｇｅ Ｏ，１５Ｃｏ Ｏ，００２ （０） （Ｓｂ Ｏ，５０Ｔｅ ０．５０ ＞ ０
．９５ Ｇｅ Ｏ，０５Ｇｏ ０．００２ （イ）の組成の場合には、実施例１と同様の記録、消去
条件で記録、消去を繰返したところ３０回の繰返しの後
、記録消去特性は著しく悪化した。
８５ Ｇｅ Ｏ，１５Ｃｏ Ｏ，００２ （０） （Ｓｂ Ｏ，５０Ｔｅ ０．５０ ＞ ０
．９５ Ｇｅ Ｏ，０５Ｇｏ ０．００２ （イ）の組成の場合には、実施例１と同様の記録、消去
条件で記録、消去を繰返したところ３０回の繰返しの後
、記録消去特性は著しく悪化した。
このときの消去率は−１５ｄＢ程度に悪化し、かつ記録
再生信号のノイズレベルも１０ｄＢ劣化した。
再生信号のノイズレベルも１０ｄＢ劣化した。
（ロ）の組成の場合には、結晶化速度が遅く、レーザ光
照射によるリアルタイムの結晶化が困難であった。
照射によるリアルタイムの結晶化が困難であった。
比較例２
実施例３において、記録層の組成を下記（ハ）に変更し
た以外は実施例３と同様にして光記録媒体を作製し、同
様に記録、消去を行なった。
た以外は実施例３と同様にして光記録媒体を作製し、同
様に記録、消去を行なった。
（ハ） （Ｓｂ Ｏ，１３０Ｔｅ ０．４０ ＞ ０
．９４ Ｇｅ Ｏ，０に の組成（ハ）の場合には、記録状態と消去状態の反射率
の差が、記録、消去の繰返し回数に伴い変動し不安定で
あった。また５万回の記録消去後から、反射率の変化量
が徐々に小さくなり、記録、消去が困難になった。
．９４ Ｇｅ Ｏ，０に の組成（ハ）の場合には、記録状態と消去状態の反射率
の差が、記録、消去の繰返し回数に伴い変動し不安定で
あった。また５万回の記録消去後から、反射率の変化量
が徐々に小さくなり、記録、消去が困難になった。
実施例４
実施例３において、記録層の組成をそれぞれ（Ｓｂ Ｏ
，６０Ｔｅ Ｏ，４０＞ ０．９８ Ｇｅ Ｏ，０２
Ｚ ｒＯ，００５、および（Ｓｂ ０．６０ Ｔｅ ０
１４０ ） ０．９８Ｇｅ Ｏ，０２Ｈｆ Ｏ，００
５としたものを作製した。
，６０Ｔｅ Ｏ，４０＞ ０．９８ Ｇｅ Ｏ，０２
Ｚ ｒＯ，００５、および（Ｓｂ ０．６０ Ｔｅ ０
１４０ ） ０．９８Ｇｅ Ｏ，０２Ｈｆ Ｏ，００
５としたものを作製した。
これらの光記録媒体を実施例３と同様にして記録、消去
を行なった。記録パルスは、１４ｍＷ。
を行なった。記録パルスは、１４ｍＷ。
３００ｎＳ、消去パルスは、６ｍＷ、３００ｎｓとした
。この条件で１０万回の記録消去サイクルを繰返した後
も、記録、消去が可能でめった。
。この条件で１０万回の記録消去サイクルを繰返した後
も、記録、消去が可能でめった。
［発明の効果］
本発明は光記録媒体の記録層をＳｂ、Ｔｅ、ＧｅとＣＯ
，Ｚｒおよび１−１ｆからなる特定の組成としたので、
以下の効果が得られた。
，Ｚｒおよび１−１ｆからなる特定の組成としたので、
以下の効果が得られた。
（１）消去率が高く、消し残りが極めて少ない。
（２） 消去速度が速く、およそ１μｓｅｃ以下の光
ビーム照射で消去が可能である。
ビーム照射で消去が可能である。
（３〉 多数回の記録、消去を繰返しても動作が安定
しており、記録感度の低下、再生信号強度の低下および
ノイズの増大などの記録特性の劣化が少ない。
しており、記録感度の低下、再生信号強度の低下および
ノイズの増大などの記録特性の劣化が少ない。
（４） 転移温度が高く、熱安定性に優れる。
（５）低出力の半導体レーザにより記録、消去可能であ
り感度が高い。
り感度が高い。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に形成された記録層に光を照射することによ
って、情報の記録、消去および再生が可能であり、情報
の記録および消去が、結晶状態と非晶状態の間の相変化
により行なわれる光記録媒体において、前記記録層が少
なくとも記録層、断熱層および冷却層を備え、かつ前記
記録層の組成が下記一般式で表わされることを特徴とす
る光記録媒体。 （Ｓｂ＿ｘＴｅ＿１＿−＿ｘ）＿１＿−＿ｙ＿−＿αＧ
ｅ＿ｙＭ＿αただし、 ０．５５≦ｘ≦０．６５ ０．０１≦ｙ≦０．１０ ０．００１≦α≦０．０３ ｘ、ｙおよびαはそれぞれ原子数比を示し、Ｓｂはアン
チモン、Ｔｅはテルル、Ｇｅはゲルマニウム、ＭはＣｏ
（コバルト）、Ｚｒ（ジルコニウム）およびＨｆ（ハフ
ニウム）のうち少なくとも１元素以上を表わす。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63266870A JPH02112987A (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63266870A JPH02112987A (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02112987A true JPH02112987A (ja) | 1990-04-25 |
Family
ID=17436797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63266870A Pending JPH02112987A (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02112987A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0661699A2 (en) * | 1993-12-27 | 1995-07-05 | Nec Corporation | Information recording medium |
| JP2004507022A (ja) * | 2000-08-21 | 2004-03-04 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 透明な放熱層付きのレーザー読取／書込システムのためのマルチレベル光記録媒体 |
| US6842306B2 (en) | 2002-10-31 | 2005-01-11 | Hitachi Global Storage Technologies | Magnetic head having highly thermally conductive insulator materials containing cobalt-oxide |
| WO2005044575A1 (ja) * | 2003-11-05 | 2005-05-19 | Ricoh Company, Ltd. | ２層相変化型情報記録媒体及びその記録方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62139812A (ja) * | 1985-12-16 | 1987-06-23 | Toyota Motor Corp | 高強度高靭性鋳鋼の製造法 |
| JPS62220127A (ja) * | 1986-03-18 | 1987-09-28 | 株式会社 木村研究所 | 植物栽培装置 |
-
1988
- 1988-10-21 JP JP63266870A patent/JPH02112987A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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