JP3011200B2 - 光記録媒体 - Google Patents

光記録媒体

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光の照射により、
情報の記録、再生が可能である光情報記録媒体に関する
ものである。
【０００２】特に、本発明は、記録情報の消去、書換機
能を有し、情報信号を高速かつ、高密度に記録可能な光
ディスク、光カード、光テープなどの書換可能相変化型
光記録媒体に関するものである。
【０００３】
【従来の技術】従来の書換可能相変化型光記録媒体の技
術は、以下のごときものである。
【０００４】これらの光記録媒体は、テルルを主成分と
する記録層を有する。記録時には、結晶状態の記録層に
集束したレーザー光パルスを短時間照射し、記録層を部
分的に溶融する。溶融した部分は熱拡散により急冷さ
れ、固化し、アモルファス状態の記録マークが形成され
る。
【０００５】この記録マークの光線反射率は、結晶状態
より低く、光学的に記録信号として再生可能である。
【０００６】また、消去時には、記録マーク部分にレー
ザー光を照射し、記録層の融点以下、結晶化温度以上の
温度に加熱することによって、アモルファス状態の記録
マークを結晶化し、もとの未記録状態にもどす。
【０００７】このような書換可能な相変化型光記録媒体
の具体的な例としては、Ｔｅ81Ｇｅ15Ｓｂ2Ｓ2（特開昭
47-26897号公報）やＴｅ80Ｓｂ10Ｓｅ10（特開昭61-145
738号公報）のごとく、テルルやＴｅ−Ｓｅ合金に少量
のＧｅやＳｂなどの架橋元素を添加し熱安定性を改良し
た記録材料を、記録層とするものがある。
【０００８】この記録層は、アモルファス状態から結晶
状態の切り替えに際して、結晶状態のテルルと架橋元素
のテルル化物などに相分離するため、結晶化速度が遅
い。そのため記録情報の消去動作もしくは記録動作の速
度が、遅くなる欠点があった。
【０００９】このような結晶化速度の遅い記録層の消去
速度を補う手段として、媒体走行方向に長くした消去動
作用の光スポットで消去をおこなう技術が提案されてい
る。
【００１０】しかしながら、この技術では光ヘッドが複
雑であり、光学ヘッドの量産化が困難である。また、消
去速度を補うため消去光スポットを長くする場合でも、
技術的に１０μｍ程度までが限界であり、さらに高速の
記録、消去動作を実現するためには、真に結晶化速度が
速いことが必要である。
【００１１】従来、結晶化速度の速いものとしては、Ｓ
ｂ−Ｓｅ合金を記録層としたもの（特開昭60-155495 号
公報）やＳｂ2 Ｔｅ3 合金を記録層としたもの（特開昭
59-185048号公報）、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金を記録層と
したもの（特開昭62-209742号公報、特開昭63-225934号
公報、N.Yamada et al,Jpn.J.Appl.Phys.,26,Suppl.,26
-4,61-66(1987)）が知られている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】Ｓｂ−Ｓｅ合金を記録
層とする光記録媒体では、記録、消去の繰り返しに伴い
再生信号のノイズが増大する問題があった。また、Ｓｂ
2Ｔｅ3合金を記録層とした光記録媒体では、アモルファ
ス状態の結晶化温度が１００℃以下と低く、記録マーク
の熱安定性に問題があった。さらに，Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ
合金を記録層としたものでは、高速消去可能な組成で
は、記録時に記録層に変形、開口が生じ易く、記録、消
去の繰り返しの可逆性はあるが、信頼性に乏しかった。
また、高速消去可能な組成では、アモルファス状態の結
晶化温度は、１２３〜１４２℃とやや低く、熱安定性に
乏しい。また、消去時の前記録信号の消去率も不十分で
あり、高速消去性と良好な熱安定性を両立することがで
きなかった。
【００１３】本発明の目的は、結晶化速度の高速化によ
り消去速度を高速化した書換可能型光記録媒体を提供す
ることである。
【００１４】本発明の別の目的は、記録感度が高く、か
つキャリア対ノイズ比、消去率などの記録特性に優れた
光記録媒体を提供することである。
【００１５】本発明の更に別の目的は、多数回の記録、
消去あるいは書換動作を行っても、記録特性の劣化の少
ない光記録媒体を提供することである。
【００１６】本発明の他の目的は、結晶化温度が高く、
熱安定性に優れた光記録媒体を提供することである。
【００１７】本発明の更に他の目的は、耐酸化性、耐湿
熱性に優れた長寿命の光記録媒体を提供することであ
る。
【００１８】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、基
板上に形成された記録層に光を照射することによって、
情報の記録、消去、再生が可能であり、情報の記録およ
び消去が非晶相と結晶相の間の相変化により行われる光
記録媒体であって、前記光記録媒体が少なくとも記録層
と変形防止層とを有し、該記録層の組成が、パラジウム
（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）および金（Ａｕ）からなる
群から選ばれた少なくとも１種以上の金属と、アンチモ
ン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）およびゲルマニウム（Ｇ
ｅ）からなり、その組成が次の一般式で表わされること
を特徴とする光記録媒体である。
【００１９】 (ＭxＳｂyＴｅ1-x-y)1-z(Ｔｅ0.5Ｇｅ0.5)z ０．０１≦ｘ≦０．１ ０．３５≦ｙ≦０．４５ ０．２ ≦ｚ≦０．４ （但しｘ、ｙ、ｚおよび０．５は各元素の原子数比を表
わす。またＭは、Ｐｄ，ＮｉおよびＡｕから選ばれた少
なくとも１種以上の金属を表わす。）
【００２０】また本発明は、基板上に形成された記録層
に、光を照射することによって、情報の記録、消去、再
生が可能であり、情報の記録および消去が非晶相と結晶
相の間の相変化により行われ、少なくとも第１の変形防
止層と記録層と第２の変形防止層と補助層からなり、該
補助層が、Ｈｆ，Ｔａまたはこれらを主成分とする合金
から形成されることを特徴とする光記録媒体である。
【００２１】
【発明の実施の形態】記録層の組成の主成分は、Ｓｂと
Ｔｅを主成分とするＳｂ−Ｔｅ２元系に、式中Ｍで示し
たＰｄ，ＮｉおよびＡｕから選ばれた少なくとも１種以
上の金属元素を加えた組成物である。
【００２２】これらＭ−Ｓｂ−Ｔｅ合金（Ｍは、Ｐｄ，
Ｎｉ，Ａｕの少なくとも１種）は、アモルファス状態と
なり易く、また融点も低く、光照射による加熱によって
容易に溶融させることができるため、アモルファスの記
録マークの形成が容易である。
【００２３】また、この合金は、Ｓｂ−Ｔｅの２元合金
に比べて、結晶化も速く、おおむね５００〜１５０ｎｓ
のレーザー光照射により、消去が可能である。さらに、
この合金を主成分とする記録膜では、Ｓｂ−Ｓｅ合金系
に見られるような、記録と消去の繰返しに伴う不可逆的
な相分離や、結晶の粗大化が起こりにくく、記録感度の
変動やキャリア対ノイズ比の低下に代表される記録特性
の劣化を軽減することができる。加えて、この合金は耐
酸化性、耐湿熱性に優れており、長年の使用によっても
腐食などにより記録情報が失われる事がないため、光記
録媒体を長寿命化することができる。
【００２４】本発明の記録層は、この合金のアモルファ
ス状態の熱安定性をさらに向上させるため、ＧｅＴｅ化
合物の固溶体、すなわち化学量論的化合物ＧｅＴｅを加
え混晶化したものである。前述のＭ−Ｓｂ−Ｔｅ合金の
代表的な結晶状態は、斜方面体晶あるいは面心立方晶の
単一結晶構造を有する非化学量論的固溶相であり、その
結晶構造と格子定数は、ＧｅＴｅに類似するため、容易
に固溶体を形成する。この固溶体の代表的な結晶状態
は、ｘ線回折法による分析から、単一相とみなされる新
規な非化学量論的化合物である。結晶状態が、実質的に
単一層であるため、記録、消去の繰り返しによっても、
相分離や組成の偏析などが起こり難く、記録特性の変動
を低減できる。
【００２５】また、本発明の光記録媒体の記録層の結晶
状態は、実質的に単相とみなしうる固溶相であり、アモ
ルファス状態から結晶状態の切り替えに際して、殆ど相
分離しないため、結晶化速度が速く、高速で、記録、消
去、書換動作が可能であり、かつ熱安定性も良好であ
る。
【００２６】前述の記録層の組成式において、Ｍで表し
たＰｄなどの金属の原子数比ｘが０．１より大きい場合
には、消去率の低下、記録再生信号のノイズの増大や、
アモルファス化が困難になるなどの弊害が生じる。ま
た、０．０１未満では、アモルファス状態の熱的安定性
の改善効果、消去率、キャリア対ノイズ比の改善効果な
どの有意な効果が認められない。
【００２７】Ｓｂの原子数比ｙが０．４５より大きい場
合には、記録、消去の繰返し動作の可逆性が悪化する。
一方０．３５未満の場合には、同様に記録、消去の繰返
し動作の可逆性が悪化し、また消去速度も遅くなる。
【００２８】Ｇｅ0.5 Ｔｅ0.5 化合物の原子数比ｚが
０．４より大きい場合には、結晶化速度が遅くなり、高
速の消去動作が困難になる。一方、０．２より小さい場
合には、結晶化温度が低いため、記録の熱安定性が低下
する。
【００２９】特に、記録、消去あるいは書換動作の繰返
しによる記録特性の劣化がきわめて少なく、消去速度が
速く、かつ熱的安定性が高いことから、Ｐｄおよび／ま
たはＮｉを含有する次式（１）の組成の記録膜が好まし
い。
【００３０】式（１） (ＭxＳｂyＴｅ1-x-y)1-z(Ｔｅ0.5Ｇｅ0.5)z ０．０１≦ｘ≦０．１ ０．３５≦ｙ≦０．４５ ０．２ ≦ｚ≦０．４ 但しｘ，ｙ，ｚ、０．５は各元素の原子数比を表し、Ｍ
はＰｄおよび／またはＮｉの元素を表す。
【００３１】本発明の記録層の厚さとしては、記録感度
を高くできることから１０〜１５０ｎｍが好ましい。さ
らに良好な再生信号のキャリア対ノイズ比を得るには、
４０〜１５０ｎｍとすることが好ましい。
【００３２】本発明の記録層の両面には変形防止層を設
ける。この場合の光記録媒体の構成は、例えば、 基板／第一の変形防止層／記録層／第二の変形防止層 の積層構造とすることができる。
【００３３】但しこれに限定するものではなく、第２変
形防止層上に本発明の効果を損なわない範囲で、他の
層、例えば、紫外線硬化樹脂などの樹脂保護層や、他の
基板と張り合わせるための接着剤層などを設けてもよ
い。
【００３４】この変形防止層は、記録時に基板、記録層
などが熱によって変形し記録特性が劣化することを防止
するためのものである。前記の変形防止層の例として
は、ＺｎＳ，ＳｉＯ2 などの無機薄膜がある。特にＺｎ
Ｓの薄膜、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｔｅなどの金属の
酸化物薄膜、及びこれらの混合物の膜が、耐熱性が高い
ことから好ましい。特にＺｎＳ膜は、記録、消去の繰り
返しによっても、記録感度、キャリア対ノイズ比などの
劣化が起きにくいことから好ましい。変形防止層の厚さ
は、およそ１０〜５００ｎｍである。変形防止層が、基
板や記録層から剥離し難く、クラックなどの欠陥が生じ
難いことから、１０〜３００ｎｍが好ましい。
【００３５】本発明では、変形防止層に金属薄膜などの
補助層を積層して設けることができる。この場合の光記
録媒体の構成部材は、例えば、基板側から光を入射して
使用する構成では、 基板／第一の変形防止層／記録層／第二の変形防止層／
補助層 の積層構造とすることができる。
【００３６】但しこれに限定するものではなく、補助層
上に本発明の効果を損なわない範囲で他の層、たとえ
ば、紫外線硬化樹脂などの樹脂保護層や、他の基板と張
り合わせるための接着剤層などを設けてもよい。
【００３７】この補助層は、変形防止層からの熱拡散を
容易にし、記録時に溶融した記録層の冷却速度を高める
ことにより、アモルファス・マークの形成を容易にす
る。また、変形防止層などが、熱的に変形することを防
止する効果、光学的干渉により再生信号のコントラスト
を改善する効果がある。
【００３８】この補助層の厚さは、１０〜１００ｎｍが
好ましい。補助層の材質としては、記録光の波長で光反
射性、吸収性を有し、かつ変形防止層よりも熱伝導度の
高い金属あるいは金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物
などと金属の混合物、例えばＺｒ，Ｈｆ，Ｔｉ，Ｔａ，
Ｍｏ，Ｓｉ，Ａｌ，Ａｕなどの金属や、これらの合金、
これらのＺｒ酸化物、Ｓｉ酸化物、Ｓｉ窒化物、Ａｌ酸
化物などを混合したものが使用できる。特に化学的安定
性が高く、記録層を外的環境から保護し、酸化や腐食を
防止して光記録媒体の寿命を改善することができること
から、Ｈｆ，Ｔａおよびこれらを主成分とする公知の合
金が好ましい。さらに消去率を大きくとれることからＨ
ｆもしくは、Ｈｆを主成分とする公知の合金が特に好ま
しい。
【００３９】本発明に用いられる基板としては、プラス
チック、ガラス、アルミニウムなど従来の記録媒体と同
様なものでよい。収束した光ビームにより基板側から記
録を行う場合には、基板として透明材料を用いることが
好ましい。上記のような材料としては、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボ
ネイト、エポキシ樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリイミ
ド樹脂およびガラス等が好ましい。さらに好ましくは、
複屈折が小さいこと、形成が容易であることから、ポリ
カーボネイト、エポキシ樹脂がよい。基板の厚さは、特
に限定するものではないが、１０μｍ以上、５ｍｍ以下
が実用的である。１０μｍ未満では基板側から収束光で
記録する場合でもごみの影響を受けやすくなり、５ｍｍ
を越える場合には、収束光で記録する場合、開口数の大
きい対物レンズを使用することができなくなり、ピット
サイズが大きくなるため記録密度を上げることが困難に
なる。
【００４０】基板はフレキシブルなものであってもよい
し、リジッドなものであっても良い。フレキシブルな基
板は、テープ状、あるいはシート状で用いることができ
る。リジットな基板は、カード状、あるいは円形デイス
ク状で用いることができる。また必要に応じて、２枚の
基板を用いてエアーサンドイッチ構造、エアーインシデ
ント構造、密着張リ合わせ構造などとすることもでき
る。
【００４１】本発明の光記録媒体の記録に用いる光源と
しては、レーザ光やストロボ光のごとき高強度の光源で
あり、とりわけ、半導体レーザを用いることは、光源が
小型でかつ消費電力が小さく、変調が容易であることか
ら好ましい。
【００４２】記録は、結晶状態の記録層にレーザ光パル
スなどを照射してアモルファスの記録マークを形成して
行なう。また、反対に非晶状態の記録層に結晶状態の記
録マークを形成してもよい。消去はレーザ光を照射する
ことによって、アモルファスの記録マークを結晶化する
か、もしくは結晶状態の記録マークをアモルファス化し
て行なうことができる。
【００４３】記録速度を高速化でき、かつ記録層の変形
が発生しにくいことから記録時はアモルファス化を行う
方法が好ましい。また、記録（アモルファス化）マーク
形成時のピークレベルと、消去（結晶化）時のバイアス
レベルの間で、レーザパワーを変調してトラック上の一
回のビーム走査で書換えを行う１ビーム・オーバライト
方式は書換えの所要時間が短くなることから好ましい。
【００４４】特に、再記録前の記録信号の消去率が大き
くとれることから、消去率を重視する用途には、次のご
とく、光記録媒体の主要部を構成することが好ましい。
【００４５】すなわち、第１の変形防止層の厚さが５０
ｎｍ〜３００ｎｍであり、第２の変形防止層の厚さが１
０ｎｍ〜３０ｎｍであり、かつ記録層の厚さが１０ｎｍ
〜６０ｎｍ、補助層の厚さが２０ｎｍ〜１００ｎｍとし
た記録層が急冷される構造が好ましい。但しこれに限定
するものではなく、補助層上に本発明の効果を損なわな
い範囲で他の層、たとえば、紫外線硬化樹脂などの樹脂
保護層や、他の基板と張り合わせるための接着剤層など
を設けてもよい。
【００４６】さらに、前述の構成でかつ記録層の組成が
次式で表される範囲にあることが、特に好ましい。
【００４７】(PdxSbyTe1-x-y)1-z(Te0.5Ge0.5)z ０．０１≦ｘ≦０．１ ０．３５≦ｙ≦０．４５ ０．２≦ｚ≦０．４ 但しｘ、ｙ、ｚ、０．５は各元素の原子数比をあらわ
す。
【００４８】特に、高記録密度の記録が可能になること
から、前述の構成の光記録媒体の補助層の材質をＡｕ、
Ａｌ及びこれらの金属を主成分とする公知の合金のいず
れかとすることがより好ましい。
【００４９】また、記録感度が高いことから、記録感度
を重視する用途には、次のごとく、光記録媒体の構成部
材を構成することが好ましい。
【００５０】すなわち、第１の変形防止層の厚さが５０
ｎｍ〜３００ｎｍであり、第２の変形防止層の厚さが１
５０ｎｍ〜２５０ｎｍであり、記録層の厚さが１０ｎｍ
〜６０ｎｍ、補助層の厚さが２０ｎｍ〜１００ｎｍの層
構成が好ましい。但しこれに限定するものではなく、補
助層上に本発明の効果を損なわない範囲で他の層、たと
えば、紫外線硬化樹脂などの樹脂保護層や、他の基板と
張り合わせるための接着剤層などを設けてもよい。
【００５１】特に、前述の構成で、記録層の組成が次式
で表される範囲にあることがより好ましい。
【００５２】（PdxSbyTe1-x-y)1-z(Te0.5Ge0.5)z ０．０１≦ｘ≦０．１ ０．３５≦ｙ≦０．４５ ０．２≦ｚ≦０．４ 但しｘ、ｙ、ｚ、０．５は各元素の原子数比をあらわ
す。
【００５３】特に、消去率が良好であることから、補助
層の材質をＨｆもしくはＨｆを主成分とする公知の合金
とすることが好ましい。
【００５４】次に、本発明の光記録媒体の製造方法につ
いて述べる。
【００５５】記録層、変形防止層、補助層などを基板上
に形成する方法としては、公知の真空中での薄膜形成
法、例えば真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパ
ッタリング法などがあげられる。特に組成、膜厚のコン
トロールが容易であることから、スパッタリング法が好
ましい。
【００５６】形成する記録層などの厚さの制御は、公知
の技術である水晶振動子などの膜厚計をモニタリングす
ることで容易に行える。
【００５７】記録層などの形成は、基板を固定したま
ま、あるいは移動、回転した状態のいずれで行ってもよ
い。膜厚の面内の均一性に優れることから、基板を自転
させることが好ましく、さらに公転を組合わせること
が、より好ましい。
【００５８】また、本発明の効果を著しく損なわない範
囲において、記録層、変形防止層、あるいは記録層、変
形防止層、補助層などを形成した後、傷、変形の防止な
どのため、公知の紫外線硬化樹脂などの樹脂保護層など
の他の層を必要に応じて設けてもよい。また、記録層、
変形防止層、あるいは記録層、変形防止層、補助層など
を形成した後、あるいはさらに前述の樹脂保護層を形成
した後、２枚の基板を対向して、公知の接着剤で張り合
わせてもよい。
【００５９】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する
が、本発明はこれらに限定されない。
【００６０】なお実施例中の記録層の組成は、ＩＣＰ発
光分析（セイコー電子工業（株）製ＦＴＳ−１１００
型）によって確認した。
【００６１】また、記録信号のキャリア対ノイズ比（Ｃ
／Ｎ比）はスペクトラム・アナライザにより測定した。
また、消去率は、１回のビーム走査による消去、もしく
は別の周波数によるオーバーライトを行った後の残留信
号強度を、もとの（消去、書換え前）の信号強度から引
いた値で定義した。
【００６２】実施例１ ３２mm四方の１．２mm厚のポリメチルメタクリレート製
基板を毎分３０回転で回転させながら、スパッタリング
法により記録層、変形防止層および補助層を形成した。
【００６３】まず、７×１０-5Ｐａまで排気した後、６
×１０-1ＰａのＡｒガス雰囲気中で基板上に１３０ｎｍ
のＺｎＳの第一変形防止層をスパッタリング法により形
成し、さらに、Ｓｂ、Ｔｅ、ＧｅおよびＮｉを水晶振動
子膜厚計でモニタしながら同時スパッタリングして、
（Ｎｉ0.03Ｓｂ0.39Ｔｅ0.58）0.64（Ｇｅ0.5Ｔｅ0.5）
0.36の元素組成の厚さ５０ｎｍの記録層を形成した。さ
らに該記録層上に２００ｎｍのＺｎＳの第二変形防止層
を形成し、この第二変形防止層上に４０ｎｍのＨｆ層を
補助層として形成し、本発明の光記録媒体を構成した。
【００６４】この記録媒体を静止状態で固定し、開口数
０．５の対物レンズで集光した波長８３０ｎｍの半導体
レーザ光を照射し、記録、消去を行なった。記録パルス
は、１７ｍＷ、１００ｎｓｅｃ、消去パルスは、８ｍ
Ｗ、１００ｎｓｅｃとした。再生は０．５ｍＷで行っ
た。この条件で１０万回の記録、消去の繰り返しが可能
であった。
【００６５】比較例１ 記録層の組成を下記（イ）とし、補助層を厚さ２０ｎｍ
のＡｕ層とし、基板を厚さ１．２mm、直径１３cm、１．
６μｍピッチのスパイラル状グルーブ付きポリカーボネ
イト製のものとした以外は実施例１と同様にして光記録
媒体を作製した。
【００６６】（イ） （Ｐｄ0.14Ｓｂ0.50Ｔｅ0.36）0.
72（Ｇｅ0.5 Ｔｅ0.5 ）0.28 この光記録媒体を線速度１．５ｍ／秒で回転させ、基板
側から開口数０．５の対物レンズで集光した波長８３０
ｎｍの半導体レーザ光を、膜面強度３．４ｍＷの条件で
連続照射しながらトラック上を２回走査し記録層を結晶
化した。その後、線速度７．５ｍ／秒の条件で先と同一
の光学系を使用して、周波数２．５ＭＨｚ、デューティ
ー５０％に変調した１２ｍＷの半導体レーザ光により記
録を行ない、線速度７．５ｍ／秒、６．０ｍＷで消去を
行うことを１０回の繰返したところ、消去特性は著しく
悪化した。このときの消去率は１５ｄＢ程度であった。
【００６７】比較例２ 記録層の組成を下記（ロ）および（ハ）に変更した以外
は実施例１と同様にして光記録媒体をそれぞれ作製し、
同様に記録、消去を行なった。
【００６８】（ロ） （Ｓｂ0.60Ｔｅ0.40）0.7（Ｇｅ
0.5Ｔｅ0.5)0.3 （ハ） （Ａｕ0.05Ｓｂ0.75Ｔｅ0.20）0.7（Ｇｅ0.5Ｔ
ｅ0.5 ）0.3 この組成（ロ）と（ハ）の場合には、記録状態と消去状
態の反射率の差が、記録、消去の繰返し回数に伴い変動
し不安定であった。また１万回の記録消去後から、反射
率の変化量が徐々に小さくなり、記録、消去が困難にな
った。
【００６９】比較例３ 実施例１の記録層の組成を（Ｓｂ0.48Ｔｅ0.52）0.64
（Ｇｅ0.5Ｔｅ0.5）0.36とし、補助層をＮｉ80Ｃｒ20合
金の５０ｎｍ厚さの膜とし、さらにこの補助層の上に、
アクリル系の紫外線硬化樹脂の厚さ０．０１mmの保護層
を設けた光記録媒体を作製した。層構成は、 基板／第一変形防止層／記録層／第二変形防止層／補助
層／樹脂保護層 とした。
【００７０】この記録膜を比較例１と周波数を５．３３
ＭＨｚとした他は、同様の条件で２０回繰り返し記録し
た。２０回目の記録後の再生信号のＣ／Ｎは５０ｄＢで
あった。その後、消去パワーのみを７ｍＷ〜１２ｍＷの
範囲で条件を変えて、記録、消去を繰り返し、消去率を
測定した。測定結果を次表１に示す。消去率は９ｍＷ〜
１２ｍＷで、辛うじて２６ｄＢ程度の値が得られるとい
うものであった。
【００７１】
【表１】
【００７２】
【発明の効果】本発明は光記録媒体の記録層をＳｂ、Ｔ
ｅ、ＧｅとＰｄ、ＮｉおよびＡｕのうち少くとも１種か
らなる特定の組成としたので、以下の効果が得られた。
【００７３】結晶化速度の高速化により消去速度を高速
化した書換可能型光記録媒体が得られる。記録感度が高
く、かつキャリア対ノイズ比、消去率などの記録特性に
優れた光記録媒体が得られる。多数回の記録、消去ある
いは書換動作を行っても、記録特性の劣化の少ない光記
録媒体が得られる。結晶化温度が高く、熱安定性に優れ
た光記録媒体が得られる。耐酸化性、耐湿熱性に優れた
長寿命の光記録媒体が得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−112538（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−61432（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−28143（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−102658（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−86945（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B41M 5/26 G11B 7/24 534

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板上に形成された記録層に光を照射する
    ことによって、情報の記録、消去、再生が可能であり、
    情報の記録および消去が非晶相と結晶相の間の相変化に
    より行われる光記録媒体において、前記光記録媒体が少
    なくとも記録層と変形防止層とを有し、該記録層の組成
    が、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）および金
    （Ａｕ）からなる群から選ばれた少なくとも１種以上の
    金属と、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）およびゲ
    ルマニウム（Ｇｅ）からなり、その組成が次の一般式で
    表わされることを特徴とする光記録媒体。（ＭxＳｂyＴ
    ｅ1-x-y)1-z(Ｔｅ0.5Ｇｅ0.5)z ０．０１≦ｘ≦０．１ ０．３５≦ｙ≦０．４５ ０．２ ≦ｚ≦０．４ （但しｘ、ｙ、ｚおよび０．５は各元素の原子数比を表
    わす。またＭは、Ｐｄ，ＮｉおよびＡｕから選ばれた少
    なくとも１種以上の金属を表わす。）
  2. 【請求項２】基板上に形成された記録層に、光を照射す
    ることによって、情報の記録、消去、再生が可能であ
    り、情報の記録および消去が非晶相と結晶相の間の相変
    化により行われ、少なくとも第１の変形防止層と記録層
    と第２の変形防止層と補助層からなり、該補助層が、Ｈ
    ｆ，Ｔａまたはこれらを主成分とする合金から形成され
    ることを特徴とする光記録媒体。
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