JP2003341240A - 光記録媒体 - Google Patents
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24314—Metals or metalloids group 15 elements (e.g. Sb, Bi)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 カルコゲンを除く他の元素によって相変化型
の記録層を形成するという全く新たな概念に基づいて構
成した光記録媒体を提供する。 【解決手段】 非晶質相と結晶質相との可逆的な相変化
を利用した相変化型の記録層３ｂ有する光記録媒体１で
あって、記録層５は、Ｓｂを主成分として含有すると共
に、ＶＩｂ族を除く他の族および希土類金属から選択さ
れる少なくとも１種の元素を副成分として含有してい
る。この場合、ＭｎおよびＧｅから選択される少なくと
も１種類の元素を副成分とするのが好ましい。
の記録層を形成するという全く新たな概念に基づいて構
成した光記録媒体を提供する。 【解決手段】 非晶質相と結晶質相との可逆的な相変化
を利用した相変化型の記録層３ｂ有する光記録媒体１で
あって、記録層５は、Ｓｂを主成分として含有すると共
に、ＶＩｂ族を除く他の族および希土類金属から選択さ
れる少なくとも１種の元素を副成分として含有してい
る。この場合、ＭｎおよびＧｅから選択される少なくと
も１種類の元素を副成分とするのが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型の記録層
を有する光記録媒体に関するものである。
を有する光記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度記録が可能で、しかも記録
情報の追記や書換え（オーバーライト）が可能な光記録
媒体が注目されている。この追記可能型や書換え可能型
の光記録媒体のうちの相変化型光記録媒体は、レーザー
光を照射することによって記録層の結晶状態を変化させ
て記録情報の記録が行われ、このような状態変化に伴う
記録層の反射率変化を検出することによって記録情報の
再生が行われる。この相変化型光記録媒体は、単一のレ
ーザー光の強度を変調することによって書き換えが可能
であり、また、光磁気記録媒体用の光学系と比較して単
純な構造の光学系で記録情報を記録再生することが可能
な点で特に注目されている。
情報の追記や書換え（オーバーライト）が可能な光記録
媒体が注目されている。この追記可能型や書換え可能型
の光記録媒体のうちの相変化型光記録媒体は、レーザー
光を照射することによって記録層の結晶状態を変化させ
て記録情報の記録が行われ、このような状態変化に伴う
記録層の反射率変化を検出することによって記録情報の
再生が行われる。この相変化型光記録媒体は、単一のレ
ーザー光の強度を変調することによって書き換えが可能
であり、また、光磁気記録媒体用の光学系と比較して単
純な構造の光学系で記録情報を記録再生することが可能
な点で特に注目されている。
【０００３】一般的に、追記可能型や書換え可能型の相
変化型光記録媒体に記録情報を記録する際には、まず、
記録層全体を結晶質状態に初期化しておき、記録層を融
点以上まで昇温し得る高パワー（記録パワー）のレーザ
ー光を照射する。この際に、記録パワーのレーザー光が
照射された部位では、記録層が溶融された後に急冷され
ることによって非晶質の記録マークが形成される。一
方、書換え可能型の相変化型光記録媒体から記録マーク
を消去する際には、記録層の結晶化温度以上の温度まで
昇温し得るパワー（消去パワー）のレーザー光を照射す
る。この際に、消去パワーのレーザー光が照射された部
位では、記録層が結晶化温度以上まで加熱された後に徐
冷されることによって記録マーク（非晶質部分）が結晶
質に復帰（記録マークの消去）させられる。このよう
に、書換え可能型の相変化型光記録媒体では、単一の光
ビームの強度を変調することにより、書き換えが可能と
なっている。
変化型光記録媒体に記録情報を記録する際には、まず、
記録層全体を結晶質状態に初期化しておき、記録層を融
点以上まで昇温し得る高パワー（記録パワー）のレーザ
ー光を照射する。この際に、記録パワーのレーザー光が
照射された部位では、記録層が溶融された後に急冷され
ることによって非晶質の記録マークが形成される。一
方、書換え可能型の相変化型光記録媒体から記録マーク
を消去する際には、記録層の結晶化温度以上の温度まで
昇温し得るパワー（消去パワー）のレーザー光を照射す
る。この際に、消去パワーのレーザー光が照射された部
位では、記録層が結晶化温度以上まで加熱された後に徐
冷されることによって記録マーク（非晶質部分）が結晶
質に復帰（記録マークの消去）させられる。このよう
に、書換え可能型の相変化型光記録媒体では、単一の光
ビームの強度を変調することにより、書き換えが可能と
なっている。
【０００４】相変化型の記録層を構成する記録材料とし
ては、ＧｅＴｅ、ＧｅＴｅＳｅ、ＧｅＴｅＳ、ＧｅＳｅ
Ｓ、ＧｅＳｅＳｂ、ＧｅＡｓＳｅ、ＩｎＴｅ、ＳｅＴ
ｅ、ＳｅＡｓ、Ｇｅ−Ｔｅ−（Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ）、Ｇ
ｅＴｅＳｅＳｂ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ
−Ｔｅなどが知られている。特に最近では、結晶質状態
と非晶質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態
の安定度が比較的高いことなどから、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ
系材料やＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料などの、主成分
としてのＳｂにＴｅやＳｅ等のＶＩｂ族に属する元素
（カルコゲン）を含有するカルコゲナイド化合物が主と
して用いられている。このように、現在では、カルコゲ
ンを含有させて相変化型の記録層を構成することが、当
業者間において一般常識化している。
ては、ＧｅＴｅ、ＧｅＴｅＳｅ、ＧｅＴｅＳ、ＧｅＳｅ
Ｓ、ＧｅＳｅＳｂ、ＧｅＡｓＳｅ、ＩｎＴｅ、ＳｅＴ
ｅ、ＳｅＡｓ、Ｇｅ−Ｔｅ−（Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ）、Ｇ
ｅＴｅＳｅＳｂ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ
−Ｔｅなどが知られている。特に最近では、結晶質状態
と非晶質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態
の安定度が比較的高いことなどから、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ
系材料やＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料などの、主成分
としてのＳｂにＴｅやＳｅ等のＶＩｂ族に属する元素
（カルコゲン）を含有するカルコゲナイド化合物が主と
して用いられている。このように、現在では、カルコゲ
ンを含有させて相変化型の記録層を構成することが、当
業者間において一般常識化している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、本発明者は、
Ｓｂを含有する記録層における他の組成元素の種類や各
組成元素の組成比を変えて相変化型の光記録媒体を種々
作製して評価した際に、カルコゲンを使用しないで形成
したとしても、従来のカルコゲンを含有する相変化型の
記録層と同様に記録情報の記録が行えることを見出し
た。
Ｓｂを含有する記録層における他の組成元素の種類や各
組成元素の組成比を変えて相変化型の光記録媒体を種々
作製して評価した際に、カルコゲンを使用しないで形成
したとしても、従来のカルコゲンを含有する相変化型の
記録層と同様に記録情報の記録が行えることを見出し
た。
【０００６】本発明は、カルコゲンを除く他の元素によ
って相変化型の記録層を形成するという全く新たな概念
に基づいて構成した光記録媒体を提供することを主目的
とする。
って相変化型の記録層を形成するという全く新たな概念
に基づいて構成した光記録媒体を提供することを主目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく本
発明に係る光記録媒体は、非晶質相と結晶質相との可逆
的な相変化を利用した相変化型の記録層を有する光記録
媒体であって、前記記録層は、Ｓｂを主成分として含有
すると共に、ＶＩｂ族を除く他の族および希土類金属か
ら選択される少なくとも１種の元素を副成分として含有
している。
発明に係る光記録媒体は、非晶質相と結晶質相との可逆
的な相変化を利用した相変化型の記録層を有する光記録
媒体であって、前記記録層は、Ｓｂを主成分として含有
すると共に、ＶＩｂ族を除く他の族および希土類金属か
ら選択される少なくとも１種の元素を副成分として含有
している。
【０００８】この場合、ＭｎおよびＧｅから選択される
少なくとも１種類の元素を前記副成分とするのが好まし
い。
少なくとも１種類の元素を前記副成分とするのが好まし
い。
【０００９】また、５原子％以上４０原子％以下の含有
率で前記選択される元素を含有させるのが好ましい。こ
の場合、１０原子％以上３０原子％以下の含有率で前記
選択される元素を含有させるのが、より好ましい。
率で前記選択される元素を含有させるのが好ましい。こ
の場合、１０原子％以上３０原子％以下の含有率で前記
選択される元素を含有させるのが、より好ましい。
【００１０】さらに、上記の各光記録媒体において、Ｉ
ｎおよびＡｇから選択される少なくとも１種の元素Ｍを
０原子％を超え１５原子％以下で含有させて前記記録層
を形成するのが好ましい。
ｎおよびＡｇから選択される少なくとも１種の元素Ｍを
０原子％を超え１５原子％以下で含有させて前記記録層
を形成するのが好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の光記録媒体の記録層は、
主成分としてＳｂを含有すると共に、副成分としてＶＩ
ｂ族を除く他の族および希土類金属から選択される少な
くとも１種の元素（一例としてＭｎおよび／またはＧ
ｅ）を含有して形成されている。
主成分としてＳｂを含有すると共に、副成分としてＶＩ
ｂ族を除く他の族および希土類金属から選択される少な
くとも１種の元素（一例としてＭｎおよび／またはＧ
ｅ）を含有して形成されている。
【００１２】この場合、主成分としてのＳｂの含有率
（原子％）が小さ過ぎる場合、結晶転移速度が急激に遅
くなって記録情報の消去、つまり書き換えが困難とな
る。また、ＭｎやＧｅの含有率（原子％）が小さ過ぎる
場合、非晶質状態での熱的安定性を向上させる効果が不
十分となり、保存特性が低下する。この場合、ＭｎやＧ
ｅの含有率が５原子％未満の場合には、熱的安定性を向
上させる効果が不十分となる。したがって、ＭｎやＧｅ
の含有率が５原子％以上となるように設定することが好
ましく、十分な熱的安定性をより確実に確保するために
は、１０原子％以上となるように設定するのが好まし
い。一方、ＭｎやＧｅの含有率が大き過ぎる場合、Ｓｂ
の含有率が低下することによって結晶転移速度が急激に
遅くなる。したがって、ＭｎやＧｅの含有率を４０原子
％以下となるように設定することが好ましく、結晶転移
速度を高速な状態に維持するためには、３０原子％以下
となるように設定するのが好ましい。
（原子％）が小さ過ぎる場合、結晶転移速度が急激に遅
くなって記録情報の消去、つまり書き換えが困難とな
る。また、ＭｎやＧｅの含有率（原子％）が小さ過ぎる
場合、非晶質状態での熱的安定性を向上させる効果が不
十分となり、保存特性が低下する。この場合、ＭｎやＧ
ｅの含有率が５原子％未満の場合には、熱的安定性を向
上させる効果が不十分となる。したがって、ＭｎやＧｅ
の含有率が５原子％以上となるように設定することが好
ましく、十分な熱的安定性をより確実に確保するために
は、１０原子％以上となるように設定するのが好まし
い。一方、ＭｎやＧｅの含有率が大き過ぎる場合、Ｓｂ
の含有率が低下することによって結晶転移速度が急激に
遅くなる。したがって、ＭｎやＧｅの含有率を４０原子
％以下となるように設定することが好ましく、結晶転移
速度を高速な状態に維持するためには、３０原子％以下
となるように設定するのが好ましい。
【００１３】また、記録層中には、上記した主成分およ
び副成分のほか、必要に応じて他の元素を含有させるこ
ともできる。このような添加元素としては、Ｉｎおよび
Ａｇから選択される少なくとも１種の元素が挙げられ
る。これらの添加元素は、結晶化温度を高めて保存特性
をさらに向上させる機能を有している。記録層中におけ
るこれらの添加元素の含有率は、０原子％を超えて１５
原子％以下であるのが好ましい。これらの添加元素の含
有率が高すぎる場合、相変化に伴なう反射率変化が小さ
くなって十分な変調度を得にくくなる。
び副成分のほか、必要に応じて他の元素を含有させるこ
ともできる。このような添加元素としては、Ｉｎおよび
Ａｇから選択される少なくとも１種の元素が挙げられ
る。これらの添加元素は、結晶化温度を高めて保存特性
をさらに向上させる機能を有している。記録層中におけ
るこれらの添加元素の含有率は、０原子％を超えて１５
原子％以下であるのが好ましい。これらの添加元素の含
有率が高すぎる場合、相変化に伴なう反射率変化が小さ
くなって十分な変調度を得にくくなる。
【００１４】さらに、記録層の厚さは、４ｎｍ以上５０
ｎｍ以下の範囲が好ましく、１３ｎｍ以上３０ｎｍ以下
の範囲内であるのがより好ましい。この場合、記録層が
薄すぎるときには、結晶相の成長が困難となり、相変化
に伴う反射率変化が不十分となる。逆に、記録層が厚す
ぎるときには、記録層の熱容量が大きくなると共に反射
率および変調度が低くなる結果、記録が困難となる。
ｎｍ以下の範囲が好ましく、１３ｎｍ以上３０ｎｍ以下
の範囲内であるのがより好ましい。この場合、記録層が
薄すぎるときには、結晶相の成長が困難となり、相変化
に伴う反射率変化が不十分となる。逆に、記録層が厚す
ぎるときには、記録層の熱容量が大きくなると共に反射
率および変調度が低くなる結果、記録が困難となる。
【００１５】なお、記録層の組成は、ＥＰＭＡやＸ線マ
イクロアナリシス、ＩＣＰなどにより測定することがで
きる。また、記録層についてはスパッタ法によって形成
するのが好ましい。この場合、スパッタ条件は特に限定
されず、例えば、複数の元素を含む材料をスパッタする
際には、合金ターゲットを用いてもよく、ターゲットを
複数個用いる多元スパッタ法を用いてもよい。
イクロアナリシス、ＩＣＰなどにより測定することがで
きる。また、記録層についてはスパッタ法によって形成
するのが好ましい。この場合、スパッタ条件は特に限定
されず、例えば、複数の元素を含む材料をスパッタする
際には、合金ターゲットを用いてもよく、ターゲットを
複数個用いる多元スパッタ法を用いてもよい。
【００１６】また、本発明では、記録層の組成以外、す
なわち、光記録媒体の構造は特に限定されない。例え
ば、一般的な相変化型光記録媒体１の構成例としては、
図１に示すように、基体２上に、反射層３、第２誘電体
層４ｂ、記録層５、第１誘電体層４ａおよび光透過層６
を順次積層したものが挙げられる。この光記録媒体１で
は、光透過層６を介して記録再生用のレーザー光が照射
される。また、基体２を介して記録再生用のレーザー光
を照射する構成を採用することもできる。この場合、図
示はしないが、基体２側から、第１誘電体層、記録層、
第２誘電体層および反射層の順に積層し、最後に保護層
を積層する。
なわち、光記録媒体の構造は特に限定されない。例え
ば、一般的な相変化型光記録媒体１の構成例としては、
図１に示すように、基体２上に、反射層３、第２誘電体
層４ｂ、記録層５、第１誘電体層４ａおよび光透過層６
を順次積層したものが挙げられる。この光記録媒体１で
は、光透過層６を介して記録再生用のレーザー光が照射
される。また、基体２を介して記録再生用のレーザー光
を照射する構成を採用することもできる。この場合、図
示はしないが、基体２側から、第１誘電体層、記録層、
第２誘電体層および反射層の順に積層し、最後に保護層
を積層する。
【００１７】
【実施例】次に、実施例を挙げて本発明を詳細に説明す
る。
る。
【００１８】射出成形によってグルーブを同時形成した
直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート製
ディスクを基体２として用い、その表面に、図１に示す
ように、反射層３、第２誘電体層４ｂ、記録層５、第１
誘電体層４ａおよび光透過層６を順次形成した複数の光
記録ディスクのサンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．１３を作製し
た。この場合、各サンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．１３におけ
る各記録層５については、Ｓｂを主成分とし、Ｍｎおよ
びＧｅから選択される少なくとも１種の元素を副成分と
して含有して構成した。図２に、その組成を示す。これ
らのサンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．１３のうち、サンプルＮ
ｏ．１〜Ｎｏ．１２は実施例として作製し、サンプルＮ
ｏ．１３は比較例として作製した。
直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート製
ディスクを基体２として用い、その表面に、図１に示す
ように、反射層３、第２誘電体層４ｂ、記録層５、第１
誘電体層４ａおよび光透過層６を順次形成した複数の光
記録ディスクのサンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．１３を作製し
た。この場合、各サンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．１３におけ
る各記録層５については、Ｓｂを主成分とし、Ｍｎおよ
びＧｅから選択される少なくとも１種の元素を副成分と
して含有して構成した。図２に、その組成を示す。これ
らのサンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．１３のうち、サンプルＮ
ｏ．１〜Ｎｏ．１２は実施例として作製し、サンプルＮ
ｏ．１３は比較例として作製した。
【００１９】反射層３は、Ａｒ雰囲気中においてスパッ
タ法によって形成した。ターゲットには、Ａｇ，Ｐｄ，
Ｃｕ＝９８：１：１を用いた。また、反射層４の厚さは
１００ｎｍとした。
タ法によって形成した。ターゲットには、Ａｇ，Ｐｄ，
Ｃｕ＝９８：１：１を用いた。また、反射層４の厚さは
１００ｎｍとした。
【００２０】第２誘電体層４ｂは、Ａｌ２Ｏ３ターゲッ
トを用いてＡｒ雰囲気中でスパッタ法によって形成し
た。また、第２誘電体層４ｂの厚さは７ｎｍとした。記
録層５は、ターゲットとしてＳｂ，Ｍｎ，Ｔｅ各元素の
ターゲットを用い、Ａｒ雰囲気中で３元スパッタ法によ
って形成した。また、記録層５の厚さは１４ｎｍとし
た。第１誘電体層４ａは、ＺｎＳ（８０モル％）−Ｓｉ
Ｏ２（２０モル％）ターゲットを用いてＡｒ雰囲気中で
スパッタ法によって形成した。また、第１誘電体層４ａ
の厚さは１１０ｎｍとした。光透過層６は、紫外線硬化
性アクリル樹脂を用いて、スピンコート法によって形成
した。
トを用いてＡｒ雰囲気中でスパッタ法によって形成し
た。また、第２誘電体層４ｂの厚さは７ｎｍとした。記
録層５は、ターゲットとしてＳｂ，Ｍｎ，Ｔｅ各元素の
ターゲットを用い、Ａｒ雰囲気中で３元スパッタ法によ
って形成した。また、記録層５の厚さは１４ｎｍとし
た。第１誘電体層４ａは、ＺｎＳ（８０モル％）−Ｓｉ
Ｏ２（２０モル％）ターゲットを用いてＡｒ雰囲気中で
スパッタ法によって形成した。また、第１誘電体層４ａ
の厚さは１１０ｎｍとした。光透過層６は、紫外線硬化
性アクリル樹脂を用いて、スピンコート法によって形成
した。
【００２１】これらのサンプルの各記録層５をバルクイ
レーザーにより初期化（結晶化）した後、光記録媒体評
価装置に順次載せ、レーザー波長：４０５ｎｍ、開口数
ＮＡ：０．８５、記録信号：（１，７）ＲＬＬ変調信号
の条件で記録を行った。記録・消去の線速度は、各サン
プルにおいて最適な状態に変化させた。次に、データを
記録した各サンプルに対して線速度を変化させながらレ
ーザー光を照射してデータ消去を行い、−３０ｄＢにま
で消去されたときの線速度を測定することにより、最大
の書換え速度（Ｍｂｐｓ）を算出した。各サンプルにお
ける最大の書換え速度を図２に示す。さらに、図２に基
づいて、記録層３ｂの組成と書換え速度との関係を示す
３成分組成図（図３参照）を作成した。
レーザーにより初期化（結晶化）した後、光記録媒体評
価装置に順次載せ、レーザー波長：４０５ｎｍ、開口数
ＮＡ：０．８５、記録信号：（１，７）ＲＬＬ変調信号
の条件で記録を行った。記録・消去の線速度は、各サン
プルにおいて最適な状態に変化させた。次に、データを
記録した各サンプルに対して線速度を変化させながらレ
ーザー光を照射してデータ消去を行い、−３０ｄＢにま
で消去されたときの線速度を測定することにより、最大
の書換え速度（Ｍｂｐｓ）を算出した。各サンプルにお
ける最大の書換え速度を図２に示す。さらに、図２に基
づいて、記録層３ｂの組成と書換え速度との関係を示す
３成分組成図（図３参照）を作成した。
【００２２】図２，３によれば、Ｓｂの含有率ａが５６
≦ａ≦９５であって、ＭｎやＧｅの副成分の含有率ｂ，
ｃのいずれかが５原子％以上４０原子％以下の範囲内で
ある限り、記録情報の書換えに十分な結晶転移速度を確
保できるのが理解される。また、ＭｎやＧｅの副成分含
有率（ｂ＋ｃ）を３０原子％以下に設定することによ
り、２５Ｍｂｐｓ以上の高速な書換え速度を実現できる
ことが理解される。さらに、サンプルＮｏ．１，Ｎｏ．
２，Ｎｏ．５のように、ＭｎやＧｅの副成分含有率（ｂ
＋ｃ）を上記範囲の下限付近（５原子％以上１０原子％
以下）に設定することにより、２００Ｍｂｐｓを超える
高速な書換え速度を実現できるのが理解される。一方、
サンプルＮｏ．１３のように、ＭｎやＧｅの副成分含有
率（ｂ＋ｃ）を上記範囲の下限（５原子％）未満に設定
した場合には、書換えが行えなくなるのが理解される。
また、全サンプルに対して高温保存試験を実施した結
果、サンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．１２は、十分な保存特性
を備えていることが確認された。一方、サンプルＮｏ．
１３では、高温保存試験実施後に、記録したデータを読
み出すことができなかった（記録したマークが結晶化し
て消失した）。このため、十分な保存特性をより確実に
確保するためには、ＭｎやＧｅの副成分含有率（ｂ＋
ｃ）を１０原子％以上とすることが好ましい。
≦ａ≦９５であって、ＭｎやＧｅの副成分の含有率ｂ，
ｃのいずれかが５原子％以上４０原子％以下の範囲内で
ある限り、記録情報の書換えに十分な結晶転移速度を確
保できるのが理解される。また、ＭｎやＧｅの副成分含
有率（ｂ＋ｃ）を３０原子％以下に設定することによ
り、２５Ｍｂｐｓ以上の高速な書換え速度を実現できる
ことが理解される。さらに、サンプルＮｏ．１，Ｎｏ．
２，Ｎｏ．５のように、ＭｎやＧｅの副成分含有率（ｂ
＋ｃ）を上記範囲の下限付近（５原子％以上１０原子％
以下）に設定することにより、２００Ｍｂｐｓを超える
高速な書換え速度を実現できるのが理解される。一方、
サンプルＮｏ．１３のように、ＭｎやＧｅの副成分含有
率（ｂ＋ｃ）を上記範囲の下限（５原子％）未満に設定
した場合には、書換えが行えなくなるのが理解される。
また、全サンプルに対して高温保存試験を実施した結
果、サンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．１２は、十分な保存特性
を備えていることが確認された。一方、サンプルＮｏ．
１３では、高温保存試験実施後に、記録したデータを読
み出すことができなかった（記録したマークが結晶化し
て消失した）。このため、十分な保存特性をより確実に
確保するためには、ＭｎやＧｅの副成分含有率（ｂ＋
ｃ）を１０原子％以上とすることが好ましい。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る光記録媒体
によれば、記録層は、Ｓｂを主成分として含有すると共
に、ＶＩｂ族を除く他の族および希土類金属から選択さ
れる少なくとも１種の元素、具体的にはＭｎおよびＧｅ
から選択される少なくとも１種の元素を含有して構成し
たことにより、カルコゲンを使用することなく、情報の
書換えが可能となる。
によれば、記録層は、Ｓｂを主成分として含有すると共
に、ＶＩｂ族を除く他の族および希土類金属から選択さ
れる少なくとも１種の元素、具体的にはＭｎおよびＧｅ
から選択される少なくとも１種の元素を含有して構成し
たことにより、カルコゲンを使用することなく、情報の
書換えが可能となる。
【００２４】また、本発明に係る光記録媒体によれば、
選択される元素を５原子％以上４０原子％以下、好まし
くは１０原子％以上３０原子％以下の含有率で記録層に
含有させたことにより、１０Ｍｂｐｓ以上の速度で情報
の書換えを行うことができる。
選択される元素を５原子％以上４０原子％以下、好まし
くは１０原子％以上３０原子％以下の含有率で記録層に
含有させたことにより、１０Ｍｂｐｓ以上の速度で情報
の書換えを行うことができる。
【００２５】また、ＩｎおよびＡｇから選択される少な
くとも１種の元素Ｍを０原子％を超え１５原子％以下で
含有して記録層を形成することで、保存特性をさらに向
上させることができる。
くとも１種の元素Ｍを０原子％を超え１５原子％以下で
含有して記録層を形成することで、保存特性をさらに向
上させることができる。
【図１】記録媒体１の構成を示す断面図である。
【図２】サンプル毎の記録層の組成と書換え速度との関
係を示す実験結果図である。
係を示す実験結果図である。
【図３】記録層５の組成と書換え速度との関係を示す３
成分組成図である。
成分組成図である。
１ 光記録媒体
２ 基体
３ 反射層
４ａ 第１誘電体層
４ｂ 第２誘電体層
５ 記録層
６ 光透過層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA04 EA23 EA32 FA01
FB05 FB09 FB16 FB30
5D029 JA01 JB18
Claims (3)
- 【請求項１】 非晶質相と結晶質相との可逆的な相変化
を利用した相変化型の記録層を有する光記録媒体であっ
て、 前記記録層は、Ｓｂを主成分として含有すると共に、Ｖ
Ｉｂ族を除く他の族および希土類金属から選択される少
なくとも１種の元素を副成分として含有している光記録
媒体。 - 【請求項２】 前記副成分は、ＭｎおよびＧｅから選択
される少なくとも１種類の元素である請求項１記載の光
記録媒体。 - 【請求項３】 前記選択される元素は、５原子％以上４
０原子％以下の含有率で含有されている請求項１または
２記載の光記録媒体。
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| JPS63155436A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Toshiba Corp | 情報記録再生消去方法 |
| JPS6435746A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-06 | Toshiba Corp | Information recording medium |
| JPS6486340A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-31 | Toshiba Corp | Information recording medium |
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| JP2990011B2 (ja) * | 1994-03-29 | 1999-12-13 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録媒体 |
| JP3506491B2 (ja) * | 1994-06-23 | 2004-03-15 | Ｔｄｋ株式会社 | 光情報媒体 |
| JP3268157B2 (ja) * | 1995-02-21 | 2002-03-25 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録媒体 |
| KR100411658B1 (ko) * | 1995-03-27 | 2004-04-03 | 히다치 마쿠세루가부시키가이샤 | 정보기록매체및정보메모리장치 |
| TW452793B (en) * | 1997-03-27 | 2001-09-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Recording and reproducing method for optical information recording medium, and optical information recording medium |
| TW411457B (en) * | 1997-08-01 | 2000-11-11 | Hitachi Maxell | Information recording medium |
| JPH11240252A (ja) * | 1997-12-22 | 1999-09-07 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| US20030124458A1 (en) * | 1998-07-31 | 2003-07-03 | Hitachi Maxell, Ltd. | Information recording medium and information recording method |
| JP4073581B2 (ja) * | 1999-08-02 | 2008-04-09 | 三菱化学メディア株式会社 | 光学的情報記録用媒体及び光記録方法 |
| JP3689612B2 (ja) * | 2000-01-26 | 2005-08-31 | 株式会社日立製作所 | 情報記録媒体 |
| JP4255202B2 (ja) * | 2000-06-20 | 2009-04-15 | Ｔｄｋ株式会社 | 光記録方法 |
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| JP2003305955A (ja) * | 2001-05-21 | 2003-10-28 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体及び記録方法 |
| EP1349160B1 (en) * | 2002-03-20 | 2007-12-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and method for manufacturing the same |
| JP2004017394A (ja) * | 2002-06-14 | 2004-01-22 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| TWI226058B (en) * | 2002-09-11 | 2005-01-01 | Tdk Corp | Optical recording medium |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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