JP3211537B2 - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JP3211537B2 JP3211537B2 JP01442994A JP1442994A JP3211537B2 JP 3211537 B2 JP3211537 B2 JP 3211537B2 JP 01442994 A JP01442994 A JP 01442994A JP 1442994 A JP1442994 A JP 1442994A JP 3211537 B2 JP3211537 B2 JP 3211537B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光の照射により、情報
の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体に関す
るものである。
の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体に関す
るものである。
【０００２】特に、本発明は、記録情報の消去、書換機
能を有し、情報信号を高速かつ、高密度に記録可能な光
ディスク、光カード、光テープなどの書換可能相変化型
光記録媒体に関するものである。
能を有し、情報信号を高速かつ、高密度に記録可能な光
ディスク、光カード、光テープなどの書換可能相変化型
光記録媒体に関するものである。
【０００３】
【従来の技術】従来の書換可能相変化型光記録媒体の技
術は、以下のごときものである。
術は、以下のごときものである。
【０００４】これらの光記録媒体は、テルルなどを主成
分とする記録層を有し、記録時は、結晶状態の記録層に
集束したレーザー光パルスを短時間照射し、記録層を部
分的に溶融する。溶融した部分は熱拡散により急冷さ
れ、固化し、アモルファス状態の記録マークが形成され
る。この記録マークの光線反射率は、結晶状態より低
く、光学的に記録信号として再生可能である。
分とする記録層を有し、記録時は、結晶状態の記録層に
集束したレーザー光パルスを短時間照射し、記録層を部
分的に溶融する。溶融した部分は熱拡散により急冷さ
れ、固化し、アモルファス状態の記録マークが形成され
る。この記録マークの光線反射率は、結晶状態より低
く、光学的に記録信号として再生可能である。
【０００５】また、消去時には、記録マーク部分にレー
ザー光を照射し、記録層の融点以下、結晶化温度以上の
温度に加熱することによって、アモルファス状態の記録
マークを結晶化し、もとの未記録状態にもどす。
ザー光を照射し、記録層の融点以下、結晶化温度以上の
温度に加熱することによって、アモルファス状態の記録
マークを結晶化し、もとの未記録状態にもどす。
【０００６】これらの書換型相変化光記録媒体の記録層
の材料としては、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 などの合金（N.Ya
mada et al, Proc.Int.Symp.on Optical Memory 1987 p
61-66 ）が知られている。
の材料としては、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 などの合金（N.Ya
mada et al, Proc.Int.Symp.on Optical Memory 1987 p
61-66 ）が知られている。
【０００７】これらＴｅ合金を記録層とした光記録媒体
では、結晶化速度が速く、照射パワーを変調するだけ
で、円形の１ビームによる高速のオーバーライトが可能
である。これらの記録層を使用した光記録媒体では、通
常、記録層の両面に耐熱性と透光性を有する誘電体層を
設け、記録時に記録層に変形、開口が発生することを防
いでいる。さらに、光ビーム入射方向と反対側の誘電体
層に、光反射性のＡｌなどの金属反射層を設け、光学的
な干渉効果により、再生時の信号コントラストを改善す
ると共に、冷却効果により、非晶状態の記録マークの形
成を容易にし、かつ消去特性、繰り返し特性を改善する
技術が知られている。特に、記録層及び記録層と反射層
の間の誘電体層を各々２０ｎｍ程度に薄く構成した「急
冷構造」では、誘電体層を２００ｎｍ程度に厚くした
「徐冷構造」に比べ、書換の繰返しによる記録特性の劣
化が少なく、また消去パワーのパワー・マージンが広い
点で優れている（T.Ohota et al,Japanese Jounal of A
pplied Physics, Vol 28(1989)Suppl. 28-3 pp123 - 12
8）。
では、結晶化速度が速く、照射パワーを変調するだけ
で、円形の１ビームによる高速のオーバーライトが可能
である。これらの記録層を使用した光記録媒体では、通
常、記録層の両面に耐熱性と透光性を有する誘電体層を
設け、記録時に記録層に変形、開口が発生することを防
いでいる。さらに、光ビーム入射方向と反対側の誘電体
層に、光反射性のＡｌなどの金属反射層を設け、光学的
な干渉効果により、再生時の信号コントラストを改善す
ると共に、冷却効果により、非晶状態の記録マークの形
成を容易にし、かつ消去特性、繰り返し特性を改善する
技術が知られている。特に、記録層及び記録層と反射層
の間の誘電体層を各々２０ｎｍ程度に薄く構成した「急
冷構造」では、誘電体層を２００ｎｍ程度に厚くした
「徐冷構造」に比べ、書換の繰返しによる記録特性の劣
化が少なく、また消去パワーのパワー・マージンが広い
点で優れている（T.Ohota et al,Japanese Jounal of A
pplied Physics, Vol 28(1989)Suppl. 28-3 pp123 - 12
8）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】前述のＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔ
ｅ5 などのＴｅ−Ｇｅ−Ｓｂの３元系合金を記録層とす
る急冷構造の書換可能相変化型光記録媒体における課題
は、記録、消去あるいは書換の繰返し、すなわち溶融、
固化の繰り返しにより、記録膜の膜厚の変動や、微細な
開口の発生が生じ易く、繰返記録耐久性が不十分なこと
である。
ｅ5 などのＴｅ−Ｇｅ−Ｓｂの３元系合金を記録層とす
る急冷構造の書換可能相変化型光記録媒体における課題
は、記録、消去あるいは書換の繰返し、すなわち溶融、
固化の繰り返しにより、記録膜の膜厚の変動や、微細な
開口の発生が生じ易く、繰返記録耐久性が不十分なこと
である。
【０００９】本発明の目的は、前述の従来の光記録媒体
の課題を解決し、繰返し耐久性と記録の長期保存安定性
の両立した光記録媒体を提供することである。
の課題を解決し、繰返し耐久性と記録の長期保存安定性
の両立した光記録媒体を提供することである。
【００１０】本発明の別の目的は、記録感度が高く、か
つ、耐酸化性、耐湿熱性に優れ長期の保存においても欠
陥の生じない長寿命の光記録媒体を提供することであ
る。
つ、耐酸化性、耐湿熱性に優れ長期の保存においても欠
陥の生じない長寿命の光記録媒体を提供することであ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は基板上に形成さ
れた記録層に光を照射することによって、情報の記録、
消去、再生が可能であり、情報の記録及び消去が、非晶
相と結晶相の間の相変化により行われる光記録媒体にお
いて、前記光記録媒体が少なくとも記録層と誘電体層と
反射層を有し、かつ前記記録層の組成が、下記の組成式
で表されるテルル合金であることを特徴とする光記録媒
体に関するものである。
れた記録層に光を照射することによって、情報の記録、
消去、再生が可能であり、情報の記録及び消去が、非晶
相と結晶相の間の相変化により行われる光記録媒体にお
いて、前記光記録媒体が少なくとも記録層と誘電体層と
反射層を有し、かつ前記記録層の組成が、下記の組成式
で表されるテルル合金であることを特徴とする光記録媒
体に関するものである。
【００１２】組成式 Ｎｂz Ｍα（Ｓｂx Ｔｅ1-x ）1-
y-z-α（Ｇｅ0.5 Ｔｅ0.5 ）y ０．３５≦ｘ≦０．７ ０．２≦ｙ≦０．５ ０．０００５≦ｚ≦０．０２ ０．０００５≦α≦０．０２ ここで、Ｍは、Ｐｔ（白金）、Ａｕ（金）、Ａｇ
（銀）、Ｃｕ（銅）、Ｎｉ（ニッケル）から選ばれた少
なくとも一種の金属を表す。また、Ｎｂは、ニオブ、Ｓ
ｂはアンチモン、Ｔｅはテルル、Ｇｅはゲルマニウムを
表し、ｘ、ｙ、ｚ、α及び数字は、各元素のモル比を表
す。
y-z-α（Ｇｅ0.5 Ｔｅ0.5 ）y ０．３５≦ｘ≦０．７ ０．２≦ｙ≦０．５ ０．０００５≦ｚ≦０．０２ ０．０００５≦α≦０．０２ ここで、Ｍは、Ｐｔ（白金）、Ａｕ（金）、Ａｇ
（銀）、Ｃｕ（銅）、Ｎｉ（ニッケル）から選ばれた少
なくとも一種の金属を表す。また、Ｎｂは、ニオブ、Ｓ
ｂはアンチモン、Ｔｅはテルル、Ｇｅはゲルマニウムを
表し、ｘ、ｙ、ｚ、α及び数字は、各元素のモル比を表
す。
【００１３】本発明の記録層の材料は、結晶状態と非晶
状態の少なくとも２つの状態をとり得るＴｅを主成分と
するカルコゲン化合物であり、かつ結晶状態において、
実質的に単一の結晶相となる新規な非化学量論組成の多
元合金からなるものである。結晶状態が単一相であるた
め、結晶化速度が極めて速く、高速で記録の書換が可能
である。また結晶状態が実質的に単相であるため組成偏
析などによる記録特性の劣化が起き難い。
状態の少なくとも２つの状態をとり得るＴｅを主成分と
するカルコゲン化合物であり、かつ結晶状態において、
実質的に単一の結晶相となる新規な非化学量論組成の多
元合金からなるものである。結晶状態が単一相であるた
め、結晶化速度が極めて速く、高速で記録の書換が可能
である。また結晶状態が実質的に単相であるため組成偏
析などによる記録特性の劣化が起き難い。
【００１４】前記組成式中のＮｂ（ニオブ）は、式中の
ｚで表される含有量の範囲、すなわち０．０００５≦ｚ
≦０．０２において、記録、消去あるいは書換の多数回
の繰返により発生する記録層の膜厚変動や記録層の開口
の発生を抑制する。このメカニズムの詳細は十分明らか
にはなっていないが、記録層のＴｅ、Ｓｂなどの元素と
Ｎｂが強固に結合を作り、記録層の高温融解状態におい
て粘性を高めることにより、記録時の記録層の流動性が
低くなるためと推定される。Ｎｂは、他の金属に比べ
て、多数回の記録繰返時の前述の劣化抑制効果が大き
い。
ｚで表される含有量の範囲、すなわち０．０００５≦ｚ
≦０．０２において、記録、消去あるいは書換の多数回
の繰返により発生する記録層の膜厚変動や記録層の開口
の発生を抑制する。このメカニズムの詳細は十分明らか
にはなっていないが、記録層のＴｅ、Ｓｂなどの元素と
Ｎｂが強固に結合を作り、記録層の高温融解状態におい
て粘性を高めることにより、記録時の記録層の流動性が
低くなるためと推定される。Ｎｂは、他の金属に比べ
て、多数回の記録繰返時の前述の劣化抑制効果が大き
い。
【００１５】前記組成式のｚの値が、０．０２より大き
い場合には、記録層の結晶状態が実質的に複数の相の結
晶から構成されるため、結晶化速度がきわめて遅く、ま
た偏析が生じ易く、消去、書換が困難になる。また、ｚ
の値が０．０００５未満の場合には、既に述べた有意な
効果が発現せず、書換の繰返し耐久性が著しく低下す
る。ｚの値としては、０．０００５以上かつ０．０１以
下が、結晶化速度が速く、かつ書換の繰返し耐久性が高
いことから好ましい。
い場合には、記録層の結晶状態が実質的に複数の相の結
晶から構成されるため、結晶化速度がきわめて遅く、ま
た偏析が生じ易く、消去、書換が困難になる。また、ｚ
の値が０．０００５未満の場合には、既に述べた有意な
効果が発現せず、書換の繰返し耐久性が著しく低下す
る。ｚの値としては、０．０００５以上かつ０．０１以
下が、結晶化速度が速く、かつ書換の繰返し耐久性が高
いことから好ましい。
【００１６】また、前記組成式中のＭで表されたＰｔ
（白金）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ｎｉ
（ニッケル）から選ばれた少なくとも一種の金属は、比
較的微量の存在でも、記録マークのアモルファス状態の
熱安定性を著しく改善する効果がある。前述のＮｂの場
合には、熱安定性の改善度がこれらの金属元素より小さ
いため、これらの金属元素を併用することにより、Ｎｂ
のみを含む記録層よりも、熱安定性をより強化すること
ができる。この効果により、従来の記録層材料を用いた
光記録媒体に比べ、記録の繰り返し耐久性、保存性に優
れた光記録媒体が得られる。
（白金）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ｎｉ
（ニッケル）から選ばれた少なくとも一種の金属は、比
較的微量の存在でも、記録マークのアモルファス状態の
熱安定性を著しく改善する効果がある。前述のＮｂの場
合には、熱安定性の改善度がこれらの金属元素より小さ
いため、これらの金属元素を併用することにより、Ｎｂ
のみを含む記録層よりも、熱安定性をより強化すること
ができる。この効果により、従来の記録層材料を用いた
光記録媒体に比べ、記録の繰り返し耐久性、保存性に優
れた光記録媒体が得られる。
【００１７】前記組成式中のαの値は、０．０００５≦
α≦０．０２の範囲が熱安定性向上の効果が高い。０．
０２より大きい場合には、記録の繰り返しの可逆性が悪
くなり、０．０００５未満では、熱安定性向上の効果が
十分に発現しない。αの値としては、０．０００５以上
かつ０．００５以下が、結晶化速度が速く、記録マーク
のアモルファス状態の熱安定性が高いことから好まし
い。
α≦０．０２の範囲が熱安定性向上の効果が高い。０．
０２より大きい場合には、記録の繰り返しの可逆性が悪
くなり、０．０００５未満では、熱安定性向上の効果が
十分に発現しない。αの値としては、０．０００５以上
かつ０．００５以下が、結晶化速度が速く、記録マーク
のアモルファス状態の熱安定性が高いことから好まし
い。
【００１８】前記組成式中のｘの値は、０．３５≦ｘ≦
０．７の範囲が、結晶化速度が速く、高速で書換が可能
であり、かつ書換の可逆性も良好である。０．７より大
きい場合には、Ｓｂ成分が多くなり過ぎ、０．３５未満
の場合には、Ｔｅ成分が多くなり過ぎ、いずれの場合も
結晶化速度が著しく遅くなると同時に、偏析が生じ易く
なり書換の繰返しが困難になる。ｘの値としては０．４
以上０．５以下が、結晶化速度が速く、かつ書換の繰返
し耐久性が高いことから好ましい。
０．７の範囲が、結晶化速度が速く、高速で書換が可能
であり、かつ書換の可逆性も良好である。０．７より大
きい場合には、Ｓｂ成分が多くなり過ぎ、０．３５未満
の場合には、Ｔｅ成分が多くなり過ぎ、いずれの場合も
結晶化速度が著しく遅くなると同時に、偏析が生じ易く
なり書換の繰返しが困難になる。ｘの値としては０．４
以上０．５以下が、結晶化速度が速く、かつ書換の繰返
し耐久性が高いことから好ましい。
【００１９】また、前記組成式中のｙの値は、０．２≦
ｙ≦０．５の範囲が、記録マークのアモルファス状態の
熱安定性が高く、かつ結晶化速度も速く、高速で記録の
書換が可能である。０．５より大きい場合には、アモル
ファス状態の熱安定性は良好だが、書換の繰り返し耐久
性が著しく悪くなる。一方０．２未満の場合には、記録
マークのアモルファス状態の熱安定性が著しく悪くな
る。ｙの値としては、０．３以上０．４以下が、書換の
繰返し耐久性が高く、かつアモルファス状態の熱安定性
が高いことから好ましい。
ｙ≦０．５の範囲が、記録マークのアモルファス状態の
熱安定性が高く、かつ結晶化速度も速く、高速で記録の
書換が可能である。０．５より大きい場合には、アモル
ファス状態の熱安定性は良好だが、書換の繰り返し耐久
性が著しく悪くなる。一方０．２未満の場合には、記録
マークのアモルファス状態の熱安定性が著しく悪くな
る。ｙの値としては、０．３以上０．４以下が、書換の
繰返し耐久性が高く、かつアモルファス状態の熱安定性
が高いことから好ましい。
【００２０】さらに、式中のＭで表された金属として
は、Ｐｔ（白金）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）から選ばれ
た少なくとも一種の金属が記録、消去の可逆性に優れる
ことから好ましい。その際、前記組成式中、ｘ、ｙ、
ｚ、αは各々次の範囲の値であることがさらに好まし
い。
は、Ｐｔ（白金）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）から選ばれ
た少なくとも一種の金属が記録、消去の可逆性に優れる
ことから好ましい。その際、前記組成式中、ｘ、ｙ、
ｚ、αは各々次の範囲の値であることがさらに好まし
い。
【００２１】０．４≦ｘ≦０．５ ０．３≦ｙ≦０．４ ０．０００５≦ｚ≦０．０１ ０．０００５≦α≦０．００５
【００２２】本発明の光記録媒体の代表的な層構成は、
透明基板／第１誘電体層／記録層／第２誘電体層／反射
層の積層体からなる（ここで光は基板側から入射す
る）。但しこれに限定するものではなく、反射層上に本
発明の効果を損なわない範囲でＳｉ０2 やＺｎＳ、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 などの保護層や紫外線硬化樹脂などの樹脂
層、他の基板と張り合わせるための接着剤層などを設け
てもよい。
透明基板／第１誘電体層／記録層／第２誘電体層／反射
層の積層体からなる（ここで光は基板側から入射す
る）。但しこれに限定するものではなく、反射層上に本
発明の効果を損なわない範囲でＳｉ０2 やＺｎＳ、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 などの保護層や紫外線硬化樹脂などの樹脂
層、他の基板と張り合わせるための接着剤層などを設け
てもよい。
【００２３】本発明の誘電体層は、記録時に基板、記録
層などが熱によって変形し記録特性が劣化することを防
止するなど、基板、記録層を熱から保護する効果、光学
的な干渉効果により、再生時の信号コントラストを改善
する効果がある。この誘電体層としては、ＺｎＳ、Ｓｉ
Ｏ2 、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機薄膜
がある。特にＺｎＳの薄膜、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｔａなどの金属の酸化物の薄膜、Ｓｉ、Ａｌなど
の窒化物の薄膜、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆなどの炭化物の薄膜
及びこれらの化合物の混合物の膜が、耐熱性が高いこと
から好ましい。また、これらに炭素や、ＭｇＦ2 などの
フッ化物を混合したものも、膜の残留応力が小さいこと
から好ましい。特にＺｎＳとＳｉＯ2 の混合膜あるい
は、ＺｎＳとＳｉＯ2 と炭素の混合膜は、記録、消去の
繰り返しによっても、記録感度、Ｃ／Ｎ、消去率などの
劣化が起きにくいことから好ましく、特にＺｎＳとＳｉ
Ｏ2と炭素の混合膜が好ましい。この場合の組成比とし
ては、ＳｉＯ2 の混合比が１５〜３５モル％、炭素の混
合比が１〜１０モル％であることが好ましい。
層などが熱によって変形し記録特性が劣化することを防
止するなど、基板、記録層を熱から保護する効果、光学
的な干渉効果により、再生時の信号コントラストを改善
する効果がある。この誘電体層としては、ＺｎＳ、Ｓｉ
Ｏ2 、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機薄膜
がある。特にＺｎＳの薄膜、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｔａなどの金属の酸化物の薄膜、Ｓｉ、Ａｌなど
の窒化物の薄膜、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆなどの炭化物の薄膜
及びこれらの化合物の混合物の膜が、耐熱性が高いこと
から好ましい。また、これらに炭素や、ＭｇＦ2 などの
フッ化物を混合したものも、膜の残留応力が小さいこと
から好ましい。特にＺｎＳとＳｉＯ2 の混合膜あるい
は、ＺｎＳとＳｉＯ2 と炭素の混合膜は、記録、消去の
繰り返しによっても、記録感度、Ｃ／Ｎ、消去率などの
劣化が起きにくいことから好ましく、特にＺｎＳとＳｉ
Ｏ2と炭素の混合膜が好ましい。この場合の組成比とし
ては、ＳｉＯ2 の混合比が１５〜３５モル％、炭素の混
合比が１〜１０モル％であることが好ましい。
【００２４】第１および第２誘電体層の厚さは、およそ
１０〜５００ｎｍである。第１誘電体層は、基板や記録
層から剥離し難く、クラックなどの欠陥が生じ難いこと
から、１００〜４００ｎｍが好ましい。また第２誘電体
層は、Ｃ／Ｎ、消去率などの記録特性、安定に多数回の
書換が可能なことから１０〜３０ｎｍが好ましい。
１０〜５００ｎｍである。第１誘電体層は、基板や記録
層から剥離し難く、クラックなどの欠陥が生じ難いこと
から、１００〜４００ｎｍが好ましい。また第２誘電体
層は、Ｃ／Ｎ、消去率などの記録特性、安定に多数回の
書換が可能なことから１０〜３０ｎｍが好ましい。
【００２５】反射層の材質としては、光反射性を有する
Ａｌ、Ａｕなどの金属、及びこれらを主成分とし、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｈｆなどの添加元素を含む合金及びＡｌ、Ａ
ｕなどの金属にＡｌ、Ｓｉなどの金属窒化物、金属酸化
物、金属カルコゲン化物などの金属化合物を混合したも
のなどがあげられる。 Ａｌ、Ａｕなどの金属、及びこ
れらを主成分とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝
導率を高くできることから好ましい。前述の合金の例と
して、ＡｌにＳｉ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｎなどの少なくとも１種の元素を合
計で５原子％未満、１原子％以上加えたもの、あるい
は、ＡｕにＣｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉなどの
少なくとも１種の元素を合計で２０原子％未満１原子％
以上加えたものなどがある。
Ａｌ、Ａｕなどの金属、及びこれらを主成分とし、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｈｆなどの添加元素を含む合金及びＡｌ、Ａ
ｕなどの金属にＡｌ、Ｓｉなどの金属窒化物、金属酸化
物、金属カルコゲン化物などの金属化合物を混合したも
のなどがあげられる。 Ａｌ、Ａｕなどの金属、及びこ
れらを主成分とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝
導率を高くできることから好ましい。前述の合金の例と
して、ＡｌにＳｉ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｎなどの少なくとも１種の元素を合
計で５原子％未満、１原子％以上加えたもの、あるい
は、ＡｕにＣｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉなどの
少なくとも１種の元素を合計で２０原子％未満１原子％
以上加えたものなどがある。
【００２６】特に、材料の価格が安くできることから、
Ａｌを主成分とする合金が好ましく、とりわけ、耐腐食
性が良好なことから、ＡｌにＴｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｈｆ、
Ｚｒ、Ｍｎ、Ｐｄから選ばれる少なくとも１種以上の金
属を合計で５原子％未満０．５原子％以上添加した合金
が好ましい。
Ａｌを主成分とする合金が好ましく、とりわけ、耐腐食
性が良好なことから、ＡｌにＴｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｈｆ、
Ｚｒ、Ｍｎ、Ｐｄから選ばれる少なくとも１種以上の金
属を合計で５原子％未満０．５原子％以上添加した合金
が好ましい。
【００２７】とりわけ、耐腐食性が良好でかつヒロック
などの発生が起こりにくいことから、反射層を添加元素
を合計で０．５原子％以上３原子％以下含む、Ａｌ−Ｈ
ｆ−Ｐｄ合金、Ａｌ−Ｈｆ合金、Ａｌ−Ｔｉ合金、Ａｌ
−Ｔｉ−Ｈｆ合金、Ａｌ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｔａ合金、
Ａｌ−Ｔｉ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｎ合金のいずれ
かのＡｌを主成分とする合金で構成することが好まし
い。
などの発生が起こりにくいことから、反射層を添加元素
を合計で０．５原子％以上３原子％以下含む、Ａｌ−Ｈ
ｆ−Ｐｄ合金、Ａｌ−Ｈｆ合金、Ａｌ−Ｔｉ合金、Ａｌ
−Ｔｉ−Ｈｆ合金、Ａｌ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｔａ合金、
Ａｌ−Ｔｉ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｎ合金のいずれ
かのＡｌを主成分とする合金で構成することが好まし
い。
【００２８】特に前述の効果に優れることから下記の組
成式で表される Ａｌ合金であることが好ましい。 組成式 Ｐｄx Ｈｆy Ａｌ1-x-y かつ、０．０００５≦ｘ≦０．００５ 、０．００５≦
ｙ≦０．０３ ここで、ｘ、ｙ、１−ｘ−ｙは各元素のモル比を表す。
成式で表される Ａｌ合金であることが好ましい。 組成式 Ｐｄx Ｈｆy Ａｌ1-x-y かつ、０．０００５≦ｘ≦０．００５ 、０．００５≦
ｙ≦０．０３ ここで、ｘ、ｙ、１−ｘ−ｙは各元素のモル比を表す。
【００２９】なお、反射層の厚さとしては、おおむね１
０ｎｍ以上２００ｎｍ未満である。
０ｎｍ以上２００ｎｍ未満である。
【００３０】特に、記録感度が高く、高速でワンビーム
・オーバーライトが可能であり、かつ消去率が大きく消
去特性が良好であることから、次のごとく、光記録媒体
の主要部を構成することが好ましい。
・オーバーライトが可能であり、かつ消去率が大きく消
去特性が良好であることから、次のごとく、光記録媒体
の主要部を構成することが好ましい。
【００３１】すなわち、第１誘電体層の厚さが１００ｎ
ｍ〜４００ｎｍであり、第２誘電体層の厚さが１０ｎｍ
〜３０ｎｍであり、かつ記録層の厚さを１０ｎｍ〜３０
ｎｍ、反射層の厚さを３０ｎｍ〜２００ｎｍとし、誘電
体層がＺｎＳとＳｉＯ2 と炭素の混合膜であり、ＳｉＯ
2 の混合比が１５〜３５モル％、炭素の混合比が１〜１
０モル％であり、かつ記録層の組成が次式で表される範
囲にあることが好ましい。 組成式 Ｎｂz Ｍα（Ｓｂ
x Ｔｅ1-x ）1-y-z-α（Ｇｅ0.5 Ｔｅ0.5 ）y ０．３５≦ｘ≦０．５ ０．２≦ｙ≦０．５ ０．０００５≦ｚ≦０．０１ ０．０００５≦α≦０．００５ ここで、Ｍは、Ｐｔ（白金）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）
から選ばれた少なくとも一種の金属を表す。また、Ｎｂ
は、ニオブ、Ｓｂはアンチモン、Ｔｅはテルル、Ｇｅは
ゲルマニウムを表し、ｘ、ｙ、ｚ、α及び数字は、各元
素のモル比を表す。
ｍ〜４００ｎｍであり、第２誘電体層の厚さが１０ｎｍ
〜３０ｎｍであり、かつ記録層の厚さを１０ｎｍ〜３０
ｎｍ、反射層の厚さを３０ｎｍ〜２００ｎｍとし、誘電
体層がＺｎＳとＳｉＯ2 と炭素の混合膜であり、ＳｉＯ
2 の混合比が１５〜３５モル％、炭素の混合比が１〜１
０モル％であり、かつ記録層の組成が次式で表される範
囲にあることが好ましい。 組成式 Ｎｂz Ｍα（Ｓｂ
x Ｔｅ1-x ）1-y-z-α（Ｇｅ0.5 Ｔｅ0.5 ）y ０．３５≦ｘ≦０．５ ０．２≦ｙ≦０．５ ０．０００５≦ｚ≦０．０１ ０．０００５≦α≦０．００５ ここで、Ｍは、Ｐｔ（白金）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）
から選ばれた少なくとも一種の金属を表す。また、Ｎｂ
は、ニオブ、Ｓｂはアンチモン、Ｔｅはテルル、Ｇｅは
ゲルマニウムを表し、ｘ、ｙ、ｚ、α及び数字は、各元
素のモル比を表す。
【００３２】本発明の基板の材料としては、透明な各種
の合成樹脂、透明ガラスなどが使用できる。ほこり、基
板の傷などの影響をさけるために、透明基板を用い、集
束した光ビームで基板側から記録を行なうことが好まし
く、この様な透明基板材料としては、ガラス、ポリカー
ボネート、ポリメチル・メタクリレート、ポリオレフィ
ン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などがあげられ
る。特に、光学的複屈折が小さく、吸湿性が小さく、成
形が容易であることからポリカーボネート樹脂、アモル
ファス・ポリオレフィン樹脂が好ましい。
の合成樹脂、透明ガラスなどが使用できる。ほこり、基
板の傷などの影響をさけるために、透明基板を用い、集
束した光ビームで基板側から記録を行なうことが好まし
く、この様な透明基板材料としては、ガラス、ポリカー
ボネート、ポリメチル・メタクリレート、ポリオレフィ
ン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などがあげられ
る。特に、光学的複屈折が小さく、吸湿性が小さく、成
形が容易であることからポリカーボネート樹脂、アモル
ファス・ポリオレフィン樹脂が好ましい。
【００３３】基板の厚さは特に限定するものではない
が、０．０１ｍｍ〜５ｍｍが実用的である。０．０１ｍ
ｍ未満では、基板側から集束した光ビ−ムで記録する場
合でも、ごみの影響を受け易くなり、５ｍｍ以上では、
対物レンズの開口数を大きくすることが困難になり、照
射光ビームスポットサイズが大きくなるため、記録密度
をあげることが困難になる。基板はフレキシブルなもの
であっても良いし、リジッドなものであっても良い。フ
レキシブルな基板は、テープ状、シート状、カ−ド状で
使用する。リジッドな基板は、カード状、あるいはディ
スク状で使用する。また、これらの基板は、記録層など
を形成した後、２枚の基板を用いて、エアーサンドイッ
チ構造、エアーインシデント構造、密着張合せ構造とし
てもよい。
が、０．０１ｍｍ〜５ｍｍが実用的である。０．０１ｍ
ｍ未満では、基板側から集束した光ビ−ムで記録する場
合でも、ごみの影響を受け易くなり、５ｍｍ以上では、
対物レンズの開口数を大きくすることが困難になり、照
射光ビームスポットサイズが大きくなるため、記録密度
をあげることが困難になる。基板はフレキシブルなもの
であっても良いし、リジッドなものであっても良い。フ
レキシブルな基板は、テープ状、シート状、カ−ド状で
使用する。リジッドな基板は、カード状、あるいはディ
スク状で使用する。また、これらの基板は、記録層など
を形成した後、２枚の基板を用いて、エアーサンドイッ
チ構造、エアーインシデント構造、密着張合せ構造とし
てもよい。
【００３４】本発明の光記録媒体の記録に用いる光源と
しては、レーザー光、ストロボ光のごとき高強度の光源
であり、特に半導体レーザー光は、光源が小型化できる
こと、消費電力が小さいこと、変調が容易であることか
ら好ましい。
しては、レーザー光、ストロボ光のごとき高強度の光源
であり、特に半導体レーザー光は、光源が小型化できる
こと、消費電力が小さいこと、変調が容易であることか
ら好ましい。
【００３５】記録は結晶状態の記録層にレーザー光パル
スなどを照射してアモルファスの記録マークを形成して
行う。また、反対に非晶状態の記録層に結晶状態の記録
マークを形成してもよい。消去はレーザー光照射によっ
て、アモルファスの記録マークを結晶化するか、もしく
は、結晶状態の記録マークをアモルファス化して行うこ
とができる。記録速度を高速化でき、かつ記録層の変形
が発生しにくいことから記録時はアモルファスの記録マ
ークを形成し、消去時は結晶化を行う方法が好ましい。
また、記録マーク形成時は光強度を高く、消去時はやや
弱くし、１回の光ビームの照射により書換を行う１ビー
ム・オーバーライトは、書換の所要時間が短くなること
から好ましい。
スなどを照射してアモルファスの記録マークを形成して
行う。また、反対に非晶状態の記録層に結晶状態の記録
マークを形成してもよい。消去はレーザー光照射によっ
て、アモルファスの記録マークを結晶化するか、もしく
は、結晶状態の記録マークをアモルファス化して行うこ
とができる。記録速度を高速化でき、かつ記録層の変形
が発生しにくいことから記録時はアモルファスの記録マ
ークを形成し、消去時は結晶化を行う方法が好ましい。
また、記録マーク形成時は光強度を高く、消去時はやや
弱くし、１回の光ビームの照射により書換を行う１ビー
ム・オーバーライトは、書換の所要時間が短くなること
から好ましい。
【００３６】次に、本発明の光記録媒体の製造方法につ
いて述べる。反射層、記録層などを基板上に形成する方
法としては、公知の真空中での薄膜形成法、例えば真空
蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法な
どがあげられる。特に組成、膜厚のコントロールが容易
であることから、スパッタリング法が好ましい。
いて述べる。反射層、記録層などを基板上に形成する方
法としては、公知の真空中での薄膜形成法、例えば真空
蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法な
どがあげられる。特に組成、膜厚のコントロールが容易
であることから、スパッタリング法が好ましい。
【００３７】形成する記録層などの厚さの制御は、公知
の技術である水晶振動子膜厚計などで、堆積状態をモニ
タリングすることで、容易に行える。
の技術である水晶振動子膜厚計などで、堆積状態をモニ
タリングすることで、容易に行える。
【００３８】記録層などの形成は、基板を固定したま
ま、あるいは移動、回転した状態のどちらでもよい。膜
厚の面内の均一性に優れることから、基板を自転させる
ことが好ましく、さらに公転を組合わせることが、より
好ましい。
ま、あるいは移動、回転した状態のどちらでもよい。膜
厚の面内の均一性に優れることから、基板を自転させる
ことが好ましく、さらに公転を組合わせることが、より
好ましい。
【００３９】また、本発明の効果を著しく損なわない範
囲において、反射層などを形成した後、傷、変形の防止
などのため、ＺｎＳ、ＳｉＯ2 などの誘電体層あるいは
紫外線硬化樹脂などの樹脂保護層などを必要に応じて設
けてもよい。また、反射層などを形成した後、あるいは
さらに前述の樹脂保護層を形成した後、２枚の基板を対
向して、接着材で張り合わせてもよい。
囲において、反射層などを形成した後、傷、変形の防止
などのため、ＺｎＳ、ＳｉＯ2 などの誘電体層あるいは
紫外線硬化樹脂などの樹脂保護層などを必要に応じて設
けてもよい。また、反射層などを形成した後、あるいは
さらに前述の樹脂保護層を形成した後、２枚の基板を対
向して、接着材で張り合わせてもよい。
【００４０】記録層は、実際に記録を行う前に、予めレ
ーザー光、キセノンフラッシュランプなどの光を照射し
予め結晶化させておく事が好ましい。
ーザー光、キセノンフラッシュランプなどの光を照射し
予め結晶化させておく事が好ましい。
【００４１】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。 （分析、測定方法）反射層、記録層の組成は、ＩＣＰ発
光分析（セイコー電子工業（株）製）により確認した。
またキャリア対ノイズ比および消去率（記録後と消去後
の再生キャリア信号強度の差）は、スペクトラムアナラ
イザにより測定した。
光分析（セイコー電子工業（株）製）により確認した。
またキャリア対ノイズ比および消去率（記録後と消去後
の再生キャリア信号強度の差）は、スペクトラムアナラ
イザにより測定した。
【００４２】記録層、誘電体層、反射層の形成中の膜厚
は、水晶振動子膜厚計によりモニターした。また各層の
厚さは、走査型あるいは透過型電子顕微鏡で断面を観察
することにより測定した。
は、水晶振動子膜厚計によりモニターした。また各層の
厚さは、走査型あるいは透過型電子顕微鏡で断面を観察
することにより測定した。
【００４３】（実施例１）厚さ１．２ｍｍ、直径１３ｃ
ｍ、１．６μｍピッチのスパイラルグルーブ付きポリカ
ーボネート製基板を毎分３０回転で回転させながら、高
周波スパッタ法により、記録層、誘電体層、反射層を形
成した。
ｍ、１．６μｍピッチのスパイラルグルーブ付きポリカ
ーボネート製基板を毎分３０回転で回転させながら、高
周波スパッタ法により、記録層、誘電体層、反射層を形
成した。
【００４４】まず、真空容器内を１×１０-5Ｐａまで排
気した後、２×１０-1ＰａのＡｒガス雰囲気中でＳｉＯ
2 を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳのターゲットと炭素タ
ーゲットを同時スパッタし、炭素の混合比が３ｍｏｌ％
となるように膜厚１５０ｎｍの第１誘電体層を基板上に
形成した。続いてＮｂ、Ｐｔ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅからな
る合金ターゲットをスパッタして、組成Ｎｂ0.003 Ｐｔ
0.002 Ｇｅ0.175 Ｓｂ0.26Ｔｅ0.56の膜厚２５ｎｍの記
録層を形成した。さらに前述の第１誘電体層と同様の材
料の第２誘電体層を２０ｎｍ形成し、この上に、Ｐｄ0.
002 Ｈｆ0.02Ａｌ0.978 合金をスパッタして膜厚１００
ｎｍの反射層を形成した。さらにこのディスクを真空容
器より取り出した後、この反射層上にアクリル系紫外線
硬化樹脂（大日本インキ（株）製 SD-101 ）をスピンコ
ートし、紫外線照射により硬化させて膜厚１０μｍの樹
脂層を形成した。さらに同様に作製したディスク２枚を
ホットメルト接着剤（東亜合成化学工業（株）製ＸＷ３
０）で張り合わせ、本発明の光記録媒体を得た。
気した後、２×１０-1ＰａのＡｒガス雰囲気中でＳｉＯ
2 を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳのターゲットと炭素タ
ーゲットを同時スパッタし、炭素の混合比が３ｍｏｌ％
となるように膜厚１５０ｎｍの第１誘電体層を基板上に
形成した。続いてＮｂ、Ｐｔ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅからな
る合金ターゲットをスパッタして、組成Ｎｂ0.003 Ｐｔ
0.002 Ｇｅ0.175 Ｓｂ0.26Ｔｅ0.56の膜厚２５ｎｍの記
録層を形成した。さらに前述の第１誘電体層と同様の材
料の第２誘電体層を２０ｎｍ形成し、この上に、Ｐｄ0.
002 Ｈｆ0.02Ａｌ0.978 合金をスパッタして膜厚１００
ｎｍの反射層を形成した。さらにこのディスクを真空容
器より取り出した後、この反射層上にアクリル系紫外線
硬化樹脂（大日本インキ（株）製 SD-101 ）をスピンコ
ートし、紫外線照射により硬化させて膜厚１０μｍの樹
脂層を形成した。さらに同様に作製したディスク２枚を
ホットメルト接着剤（東亜合成化学工業（株）製ＸＷ３
０）で張り合わせ、本発明の光記録媒体を得た。
【００４５】この光記録媒体に波長８２０ｎｍの半導体
レーザーのビームでディスク全面の記録層を結晶化し初
期化した。その後、線速度６ｍ／秒の条件で、対物レン
ズの開口数０．５、半導体レーザーの波長７８０ｎｍの
光学ヘッドを使用して、周波数３．７ＭＨｚ、パルス幅
６０ｎｓｅｃ、ピークパワー９〜１７ｍＷ、ボトムパワ
ー４〜９ｍＷの各条件に変調した半導体レーザー光で１
００回オーバーライト記録した後、再生パワー１．３ｍ
Ｗの半導体レーザ光を照射してバンド幅３０ｋＨｚの条
件でＣ／Ｎを測定した。 さらにこの部分を１．４ＭＨ
ｚで、先と同様に変調した半導体レーザ光を照射し、ワ
ンビーム・オーバーライトし、この時の３．７ＭＨｚの
消去率を測定した。ピークパワー１５ｍＷ以上で実用上
十分な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、かつボトムパワ
ー５〜８ｍＷで実用上十分な２０ｄＢ以上、最大３０ｄ
Ｂの消去率が得られた。
レーザーのビームでディスク全面の記録層を結晶化し初
期化した。その後、線速度６ｍ／秒の条件で、対物レン
ズの開口数０．５、半導体レーザーの波長７８０ｎｍの
光学ヘッドを使用して、周波数３．７ＭＨｚ、パルス幅
６０ｎｓｅｃ、ピークパワー９〜１７ｍＷ、ボトムパワ
ー４〜９ｍＷの各条件に変調した半導体レーザー光で１
００回オーバーライト記録した後、再生パワー１．３ｍ
Ｗの半導体レーザ光を照射してバンド幅３０ｋＨｚの条
件でＣ／Ｎを測定した。 さらにこの部分を１．４ＭＨ
ｚで、先と同様に変調した半導体レーザ光を照射し、ワ
ンビーム・オーバーライトし、この時の３．７ＭＨｚの
消去率を測定した。ピークパワー１５ｍＷ以上で実用上
十分な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、かつボトムパワ
ー５〜８ｍＷで実用上十分な２０ｄＢ以上、最大３０ｄ
Ｂの消去率が得られた。
【００４６】さらにピーク・パワー１７ｍＷ、ボトムパ
ワー８ｍＷ、周波数３．７ＭＨｚの条件で、ワンビーム
・オーバーライトの繰り返しを１０００回及び２０万回
行った後、同様の測定を行ったが、Ｃ／Ｎ、消去率の変
化は、いずれも２ｄＢ以内でほとんど劣化が認められな
かった。
ワー８ｍＷ、周波数３．７ＭＨｚの条件で、ワンビーム
・オーバーライトの繰り返しを１０００回及び２０万回
行った後、同様の測定を行ったが、Ｃ／Ｎ、消去率の変
化は、いずれも２ｄＢ以内でほとんど劣化が認められな
かった。
【００４７】また、この光記録媒体を８０℃、相対湿度
８０％の環境に１００００時間置いた後、その後記録部
分を再生したが、Ｃ／Ｎの変化は２ｄＢ未満でほとんど
変化がなかった。さらに再度、記録書き換えを行いＣ／
Ｎ、消去率を測定したところ、同様にほとんど変化が見
られなかった。
８０％の環境に１００００時間置いた後、その後記録部
分を再生したが、Ｃ／Ｎの変化は２ｄＢ未満でほとんど
変化がなかった。さらに再度、記録書き換えを行いＣ／
Ｎ、消去率を測定したところ、同様にほとんど変化が見
られなかった。
【００４８】（比較例１）実施例１の光記録媒体の記録
層の組成をＧｅ0.18Ｓｂ0.26Ｔｅ0.56とした他は、実施
例１と同様の構成の光記録媒体を作製し、実施例２と同
様の測定を行った。
層の組成をＧｅ0.18Ｓｂ0.26Ｔｅ0.56とした他は、実施
例１と同様の構成の光記録媒体を作製し、実施例２と同
様の測定を行った。
【００４９】Ｃ／Ｎは初期が５３ｄＢであり、１５０時
間は５２ｄＢ、１０００時間経過後は４０ｄＢと、１０
００時間後には著しい劣化が見られた。この事から、記
録マークの熱的安定性が不十分であり、記録の長期保存
性に問題があることが明らかになった。
間は５２ｄＢ、１０００時間経過後は４０ｄＢと、１０
００時間後には著しい劣化が見られた。この事から、記
録マークの熱的安定性が不十分であり、記録の長期保存
性に問題があることが明らかになった。
【００５０】（実施例２）実施例１の記録層の組成をＮ
ｂ0.004 Ａｕ0.001 Ｇｅ0.175 Ｓｂ0.26Ｔｅ0.56及びＮ
ｂ0.005 Ａｇ0.002 Ｇｅ0.175 Ｓｂ0.26Ｔｅ0.56とし、
誘電体層の材質をＳｉＯ2 を２０ｍｏｌ％混合したＺｎ
Ｓ膜とした他は、実施例１と同様の構成の光記録媒体を
それぞれ作製した。この２つの光記録媒体を実施例１と
同様の装置で、記録特性を測定した。いずれもピークパ
ワー１５ｍＷ以上で実用上十分な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎ
が得られ、かつボトムパワー５〜８ｍＷで実用上十分な
２０ｄＢ以上、最大３０ｄＢの消去率が得られた。
ｂ0.004 Ａｕ0.001 Ｇｅ0.175 Ｓｂ0.26Ｔｅ0.56及びＮ
ｂ0.005 Ａｇ0.002 Ｇｅ0.175 Ｓｂ0.26Ｔｅ0.56とし、
誘電体層の材質をＳｉＯ2 を２０ｍｏｌ％混合したＺｎ
Ｓ膜とした他は、実施例１と同様の構成の光記録媒体を
それぞれ作製した。この２つの光記録媒体を実施例１と
同様の装置で、記録特性を測定した。いずれもピークパ
ワー１５ｍＷ以上で実用上十分な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎ
が得られ、かつボトムパワー５〜８ｍＷで実用上十分な
２０ｄＢ以上、最大３０ｄＢの消去率が得られた。
【００５１】また、ピーク・パワー１７ｍＷ、ボトムパ
ワー８ｍＷ、周波数３．７ＭＨｚの条件で、ワンビーム
・オーバーライトの繰り返しを１０００回及び２０万回
行った後、同様の測定を行ったが、Ｃ／Ｎ、消去率の変
化は、いずれも２ｄＢ以内でほとんど劣化が認められな
かった。
ワー８ｍＷ、周波数３．７ＭＨｚの条件で、ワンビーム
・オーバーライトの繰り返しを１０００回及び２０万回
行った後、同様の測定を行ったが、Ｃ／Ｎ、消去率の変
化は、いずれも２ｄＢ以内でほとんど劣化が認められな
かった。
【００５２】また、この光記録媒体を８０℃、相対湿度
８０％の環境に１００００時間置いた後、その後記録部
分を再生したが、Ｃ／Ｎの変化は２ｄＢ未満でほとんど
変化がなかった。さらに再度、記録書き換えを行いＣ／
Ｎ、消去率を測定したところ、同様にほとんど変化が見
られなかった。
８０％の環境に１００００時間置いた後、その後記録部
分を再生したが、Ｃ／Ｎの変化は２ｄＢ未満でほとんど
変化がなかった。さらに再度、記録書き換えを行いＣ／
Ｎ、消去率を測定したところ、同様にほとんど変化が見
られなかった。
【００５３】（実施例３）実施例１の記録層の組成をＮ
ｂ0.003 Ｃｕ0.002 Ｇｅ0.175 Ｓｂ0.26Ｔｅ0.56及びＮ
ｂ0.003 Ｎｉ0.002 Ｇｅ0.175 Ｓｂ0.26Ｔｅ0.56とした
他は、実施例１と同様の構成の光記録媒体をそれぞれ作
製した。この２つの光記録媒体を実施例１と同様の装置
で、記録特性を測定した。いずれもピークパワー１５ｍ
Ｗ以上で実用上十分な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、
かつボトムパワー５〜８ｍＷで実用上十分な２０ｄＢ以
上、最大３０ｄＢの消去率が得られた。
ｂ0.003 Ｃｕ0.002 Ｇｅ0.175 Ｓｂ0.26Ｔｅ0.56及びＮ
ｂ0.003 Ｎｉ0.002 Ｇｅ0.175 Ｓｂ0.26Ｔｅ0.56とした
他は、実施例１と同様の構成の光記録媒体をそれぞれ作
製した。この２つの光記録媒体を実施例１と同様の装置
で、記録特性を測定した。いずれもピークパワー１５ｍ
Ｗ以上で実用上十分な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、
かつボトムパワー５〜８ｍＷで実用上十分な２０ｄＢ以
上、最大３０ｄＢの消去率が得られた。
【００５４】また、ピーク・パワー１７ｍＷ、ボトムパ
ワー８ｍＷ、周波数３．７ＭＨｚの条件で、ワンビーム
・オーバーライトの繰り返しを１０００回及び２０万回
行った後、同様の測定を行ったが、Ｃ／Ｎ、消去率の変
化は、いずれも２ｄＢ以内でほとんど劣化が認められな
かった。
ワー８ｍＷ、周波数３．７ＭＨｚの条件で、ワンビーム
・オーバーライトの繰り返しを１０００回及び２０万回
行った後、同様の測定を行ったが、Ｃ／Ｎ、消去率の変
化は、いずれも２ｄＢ以内でほとんど劣化が認められな
かった。
【００５５】また、この光記録媒体を８０℃、相対湿度
８０％の環境に５０００時間置いた後、その後記録部分
を再生したが、Ｃ／Ｎの変化は２ｄＢ未満でほとんど変
化がなかった。さらに再度、記録書き換えを行いＣ／
Ｎ、消去率を測定したところ、同様にほとんど変化が見
られなかった。
８０％の環境に５０００時間置いた後、その後記録部分
を再生したが、Ｃ／Ｎの変化は２ｄＢ未満でほとんど変
化がなかった。さらに再度、記録書き換えを行いＣ／
Ｎ、消去率を測定したところ、同様にほとんど変化が見
られなかった。
【００５６】（実施例４）実施例１光記録媒体の基板を
フォーマット付きの別の基板に替え、かつ反射層の厚さ
を１２０ｎｍにした他は、実施例１と同様の光記録媒体
を作製した。
フォーマット付きの別の基板に替え、かつ反射層の厚さ
を１２０ｎｍにした他は、実施例１と同様の光記録媒体
を作製した。
【００５７】その後、線速度８．５ｍ／秒の条件で、対
物レンズの開口数０．５、半導体レーザーの波長８３０
ｎｍの光学ヘッドを使用して、パルス幅５０ｎｓｅｃ、
ピークパワー２０ｍＷ、ボトムパワー９ｍＷの条件に変
調した半導体レーザー光で、２−７コード（１．５Ｔの
周波数５．３ＭＨｚ）のランダム・データ・パターンを
同一トラックに１００回、さらに１０万回オーバーライ
ト・モードで記録した。その後再生し、再生波形を観察
したところ、初期１００回記録後に比べ、殆ど劣化がな
く良好な再生波形が得られた。さらに、このトラックの
ビット・エラー率（ＢＥＲ）を測定したところ３×１０
-5と良好な値であった。
物レンズの開口数０．５、半導体レーザーの波長８３０
ｎｍの光学ヘッドを使用して、パルス幅５０ｎｓｅｃ、
ピークパワー２０ｍＷ、ボトムパワー９ｍＷの条件に変
調した半導体レーザー光で、２−７コード（１．５Ｔの
周波数５．３ＭＨｚ）のランダム・データ・パターンを
同一トラックに１００回、さらに１０万回オーバーライ
ト・モードで記録した。その後再生し、再生波形を観察
したところ、初期１００回記録後に比べ、殆ど劣化がな
く良好な再生波形が得られた。さらに、このトラックの
ビット・エラー率（ＢＥＲ）を測定したところ３×１０
-5と良好な値であった。
【００５８】また、記録材料の移動による記録セクタ、
の先端、終端部の再生波形つぶれは殆ど見られず、中間
のデータ部の再生波形の乱れも殆どなかった。
の先端、終端部の再生波形つぶれは殆ど見られず、中間
のデータ部の再生波形の乱れも殆どなかった。
【００５９】（比較例２）記録層の組成をＧｅ0.22Ｓｂ
0.23Ｔｅ0.55とした他は実施例４と同様の構成の本発明
の範囲外の従来の光記録媒体を作製した。この光記録媒
体の記録感度を測定したところ、実施例１とほぼ同じで
あった。この光記録媒体を実施例１と同様に１００回、
さらに１０万回繰り返しオーバーライト記録を行い再生
波形を観察したところ、１０万回後は、１００回目に比
べ、記録層の膜厚変動が大きく、データ部分の信号に振
幅が著しく低下した部分が多数見られた。ビット・エラ
ー率（ＢＥＲ）を測定したところ、３×１０-1以上とエ
ラー訂正を行っても、データの再現が全く困難なレベル
まで悪化していた。
0.23Ｔｅ0.55とした他は実施例４と同様の構成の本発明
の範囲外の従来の光記録媒体を作製した。この光記録媒
体の記録感度を測定したところ、実施例１とほぼ同じで
あった。この光記録媒体を実施例１と同様に１００回、
さらに１０万回繰り返しオーバーライト記録を行い再生
波形を観察したところ、１０万回後は、１００回目に比
べ、記録層の膜厚変動が大きく、データ部分の信号に振
幅が著しく低下した部分が多数見られた。ビット・エラ
ー率（ＢＥＲ）を測定したところ、３×１０-1以上とエ
ラー訂正を行っても、データの再現が全く困難なレベル
まで悪化していた。
【００６０】また、記録材料の移動による記録セクタの
先端部、終端部の再生波形つぶれが顕著に見られた。
先端部、終端部の再生波形つぶれが顕著に見られた。
【００６１】
【発明の効果】本発明は、光記録媒体の記録層の組成を
特定の組成としたので、以下の効果が得られた。 (1) 高感度で、かつ消去率、Ｃ／Ｎが高い。 (2) 多数回の記録消去を繰り返しても、動作が安定して
おり、特性の劣化、欠陥の発生がほとんどない。 (3) 耐湿熱性、耐酸化性に優れ、長寿命である。 (4) 記録マークの熱安定性が高く、記録の長期保存安定
性に優れる。 (5) スパッタ法により容易に作製できる。 (6) 高い線速度でも、良好なオーバーライト性能が得ら
れる。
特定の組成としたので、以下の効果が得られた。 (1) 高感度で、かつ消去率、Ｃ／Ｎが高い。 (2) 多数回の記録消去を繰り返しても、動作が安定して
おり、特性の劣化、欠陥の発生がほとんどない。 (3) 耐湿熱性、耐酸化性に優れ、長寿命である。 (4) 記録マークの熱安定性が高く、記録の長期保存安定
性に優れる。 (5) スパッタ法により容易に作製できる。 (6) 高い線速度でも、良好なオーバーライト性能が得ら
れる。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−191161（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−258291（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−191160（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−211249（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−277338（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−258787（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−223191（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B41M 5/26 G11B 7/24 511 G11B 7/24 538
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に形成された記録層に光を照射す
ることによって、情報の記録、消去、再生が可能であ
り、情報の記録及び消去が、非晶相と結晶相の間の相変
化により行われる光記録媒体において、前記光記録媒体
が少なくとも記録層と誘電体層と反射層を有し、かつ前
記記録層の組成が、下記の組成式で表されるテルル合金
であることを特徴とする光記録媒体。 組成式 Ｎｂz Ｍα（Ｓｂx Ｔｅ1-x ）1-y-z-α（Ｇｅ
0.5 Ｔｅ0.5 ）y ０．３５≦ｘ≦０．７ ０．２≦ｙ≦０．５ ０．０００５≦ｚ≦０．０２ ０．０００５≦α≦０．０２ ここで、Ｍは、Ｐｔ（白金）、Ａｕ（金）、Ａｇ
（銀）、Ｃｕ（銅）、Ｎｉ（ニッケル）から選ばれた少
なくとも一種の金属を表す。また、Ｎｂは、ニオブ、Ｓ
ｂはアンチモン、Ｔｅはテルル、Ｇｅはゲルマニウムを
表し、ｘ、ｙ、ｚ、α及び数字は、各元素のモル比を表
す。 - 【請求項２】 記録層の組成が、下記の組成式で表され
るテルル合金であることを特徴とする請求項１記載の光
記録媒体。 組成式 Ｎｂz Ｍα（Ｓｂx Ｔｅ1-x ）1-y-z-α（Ｇｅ
0.5 Ｔｅ0.5 ）y ０．４≦ｘ≦０．５ ０．３≦ｙ≦０．４ ０．０００５≦ｚ≦０．０１ ０．０００５≦α≦０．００５ ここで、Ｍは、Ｐｔ（白金）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）
から選ばれた少なくとも一種の金属を表す。 - 【請求項３】 反射層の組成が、下記の組成式で表され
るＡｌ合金であることを特徴とする請求項１記載の光記
録媒体。 組成式 Ｐｄx Ｈｆy Ａｌ1-x-y ０．０００５≦ｘ≦０．００５ ０．００５≦ｙ≦０．０３ ここで、ｘ、ｙ、１−ｘ−ｙは各元素のモル比を表す。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01442994A JP3211537B2 (ja) | 1994-02-08 | 1994-02-08 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01442994A JP3211537B2 (ja) | 1994-02-08 | 1994-02-08 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07214913A JPH07214913A (ja) | 1995-08-15 |
| JP3211537B2 true JP3211537B2 (ja) | 2001-09-25 |
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ID=11860786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01442994A Expired - Fee Related JP3211537B2 (ja) | 1994-02-08 | 1994-02-08 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3211537B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102084531B1 (ko) | 2018-02-19 | 2020-05-27 | 주식회사 지아이엘 | 복수개의 손잡이를 가지는 지팡이 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2000054982A1 (en) | 1999-03-15 | 2000-09-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for manufacturing the same |
-
1994
- 1994-02-08 JP JP01442994A patent/JP3211537B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102084531B1 (ko) | 2018-02-19 | 2020-05-27 | 주식회사 지아이엘 | 복수개의 손잡이를 가지는 지팡이 |
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| JPH07214913A (ja) | 1995-08-15 |
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