CN117637533A - 衬底处理装置 - Google Patents
衬底处理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117637533A CN117637533A CN202311076036.3A CN202311076036A CN117637533A CN 117637533 A CN117637533 A CN 117637533A CN 202311076036 A CN202311076036 A CN 202311076036A CN 117637533 A CN117637533 A CN 117637533A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pipe
- drain
- treatment
- substrate
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 256
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 172
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 275
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 169
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 42
- 239000003814 drug Substances 0.000 claims description 14
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 14
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 100
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 82
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 74
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 55
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 48
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 48
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 26
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 4
- XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;sulfuric acid Chemical compound OO.OS(O)(=O)=O XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000008235 industrial water Substances 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N azane;hydrogen peroxide Chemical compound [NH4+].[O-]O SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N hydrate;hydrochloride Chemical compound O.Cl DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本申请提供衬底处理装置。衬底处理装置(100)具备处理部(1)、第1排液配管(12)、多个第2排液配管(14)、切换单元(13)和控制部(102)。处理部使用第1药液、漂洗液及第2药液,依次执行第1药液处理、漂洗处理及第2药液处理。从处理部排出的排液流入第1排液配管。切换单元将排液的流通目的地在多个第2排液配管之间切换。多个第2排液配管包含第1药液用的第1配管(141)、第1药液用的第2配管(142)和第2药液用的第3配管(143)。控制部对切换单元进行控制以将第1药液处理中的排液的流通目的地设为第1配管,在漂洗处理中将排液的流通目的地从第1配管切换至第2配管,在漂洗处理后将排液的流通目的地从第2配管切换至第3配管。
Description
技术领域
本发明涉及衬底处理装置。
背景技术
已知使用多种处理液对衬底进行处理的衬底处理装置(例如,参见专利文献1)。例如,专利文献1的衬底处理装置使用SPM(硫酸过氧化氢水溶液:Sulfuric Acid HydrogenPeroxide Mixture)、SC1(氨过氧化氢水溶液)及去离子水(Deionized water;DIW)来对晶片进行处理。去离子水是所谓的“超纯水”。
专利文献1的衬底处理装置是对一张张晶片进行处理的单片式的装置。专利文献1的衬底处理装置将晶片保持在水平状态进行旋转,将多种处理液依次供给至旋转中的晶片来对晶片进行处理。
从旋转中的晶片飞散的处理液被配置于晶片的周围的杯接收。由杯接收的处理液从设在杯的底部的排液口流入排液管。
对于流入排液管的处理液而言,其存在向设置有衬底处理装置的工厂的排液管线排出的情况。例如,工厂的排液管线包括SPM用排液管线和SC1用排液管线。在这种情况下,为了在排液管线中避免SPM与SC1接触,衬底处理装置具备将流入排液管的处理液的流通目的地在SPM用排液管线与SC1用排液管线之间选择性地进行切换的切换阀。
更详细而言,由于SPM为高粘性的药液且难以流动,因此从利用SPM进行的衬底处理结束时起经过既定时间(例如,13秒)后,衬底处理装置将流入排液管的处理液的流通目的地从SPM用排液管线切换至SC1用排液管线,以使SPM不混入SC1用排液管线中。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2017-126616号公报
发明内容
发明所要解决的课题
然而,在为了不使第1药液(例如,SPM)混入第2药液(例如,SC1)用排液管线而延迟了流入排液配管的处理液的流通目的地的切换时机的情况下,流入第1药液管线的排液的量增加。在为了对排液进行废弃而需要处理(回收处理)的情况下,排液量的增加导致了工厂方面的负担增加。例如,由于SPM含有硫酸,因此需要进行回收处理。在使用过的硫酸的回收处理中,需要大量的工业用水和大量的电力,若排液量增加,则工厂方面的负担增加。
本发明是鉴于上述课题而做出的,其目的在于提供能够降低排液量的衬底处理装置。
用于解决课题的手段
根据本发明的一个方面,衬底处理装置具备处理部、第1排液配管、多个第2排液配管、切换单元和控制部。前述处理部使用多种处理液对衬底执行衬底处理。排液流入前述第1排液配管,该排液是从前述处理部排出的前述处理液。前述切换单元在前述多个第2排液配管之间对在前述第1排液配管中流通的前述排液的流通目的地进行切换。前述控制部控制前述切换单元。前述多种处理液包括第1药液、漂洗液和与前述第1药液不同的第2药液。前述衬底处理包括使用前述第1药液的第1药液处理、使用前述漂洗液的漂洗处理和使用前述第2药液的第2药液处理。前述处理部依次执行前述第1药液处理、前述漂洗处理和前述第2药液处理。前述多个第2排液配管包括前述第1药液用的第1配管、前述第1药液用的第2配管和前述第2药液用的第3配管。前述控制部对前述切换单元进行控制,以将前述第1药液处理中的前述排液的流通目的地设为前述第1配管,在前述第1药液处理后的前述漂洗处理中将前述排液的流通目的地从前述第1配管切换至前述第2配管,在前述漂洗处理后将前述排液的流通目的地从前述第2配管切换至前述第3配管。
在某个实施方式中,前述漂洗处理为第1漂洗处理,前述衬底处理还包括使用前述漂洗液的第2漂洗处理。前述处理部依次执行前述第1药液处理、前述第1漂洗处理、前述第2药液处理和前述第2漂洗处理。前述多个第2排液配管还包括前述漂洗液用的第4配管。前述控制部对前述切换单元进行控制,以将前述第1药液处理中的前述排液的流通目的地设为前述第1配管,在前述第1药液处理后的前述第1漂洗处理中将前述排液的流通目的地从前述第1配管切换至前述第2配管,在前述第1漂洗处理后将前述排液的流通目的地从前述第2配管切换至前述第3配管,在前述第2药液处理后将前述排液的流通目的地从前述第3配管切换至前述第4配管。
在某个实施方式中,前述切换单元包括切换阀。前述切换阀与前述第1排液配管、前述第1配管、前述第2配管、前述第3配管及前述第4配管连接。在前述第1配管、前述第2配管、前述第3配管及前述第4配管中的各自与前述切换阀的连接部位之中,前述第1配管与前述切换阀的连接部位离前述切换阀与前述第1排液配管的连接部位最近。
在某个实施方式中,前述第2配管与前述切换阀的连接部位与前述第1配管及前述第3配管中的各自与前述切换阀的连接部位相比离前述切换阀与前述第1排液配管的连接部位较远。
在某个实施方式中,前述切换单元包括切换阀、安装与前述第2配管的开闭阀和安装于前述第4配管的开闭阀。前述切换阀连接前述第1排液配管、前述第1配管及前述第3配管并且连接前述第2配管或前述第4配管。前述第4配管或前述第2配管从前述第2配管或前述第4配管分支。在前述第1配管与前述切换阀的连接部位、前述第3配管与前述切换阀的连接部位及前述第2配管或前述第4配管与前述切换阀的连接部位之中,前述第1配管与前述切换阀的连接部位离前述切换阀与前述第1排液配管的连接部位最近。
在某个实施方式中,前述第2配管或前述第4配管与前述切换阀的连接部位与前述第1配管及前述第3配管中的各自与前述切换阀的连接部位相比离前述切换阀与前述第1排液配管的连接部位较远。
在某个实施方式中,前述切换阀以大致水平的姿势以直线状延伸。
在某个实施方式中,前述第1排液配管包括供前述排液沿大致水平方向流通的水平部。
根据本发明涉及的衬底处理装置,能够降低排液量。
附图说明
[图1]为本发明的实施方式1涉及的衬底处理装置的示意图。
[图2]为示意性地示出本发明的实施方式1涉及的衬底处理装置所包括的处理部的构成的剖视图。
[图3]为示出本发明的实施方式1涉及的衬底处理装置所包括的切换单元的的***的构成的图。
[图4]为示出本发明的实施方式1涉及的衬底处理装置所包括的切换单元的的***的构成的另一图。
[图5]为示出本发明的实施方式1涉及的衬底处理装置所包括的切换单元的的***的构成的另一图。
[图6]为示出本发明的实施方式1涉及的衬底处理装置所包括的切换单元的的***的构成的另一图。
[图7]为示出本发明的实施方式1涉及的衬底处理装置的动作的流程图。
[图8](a)为示出基于本发明的实施方式1涉及的衬底处理装置所包括的控制部的、排液的流通目的地的切换时机的第1例的图;(b)为示出排液的流通目的地的切换时机的比较例的图。
[图9](a)为示出基于本发明的实施方式1涉及的衬底处理装置所包括的控制部的、排液的流通目的地的切换时机的第2例的图;(b)为示出基于本发明的实施方式1涉及的衬底处理装置所包括的控制部的、排液的流通目的地的切换时机的第3例的图;(c)为示出基于本发明的实施方式1涉及的衬底处理装置所包括的控制部的、排液的流通目的地的切换时机的第4例的图。
[图10]为示出本发明的实施方式1涉及的衬底处理装置所包括的切换阀的构成的一例的图。
[图11]为示出本发明的实施方式1涉及的衬底处理装置所包括的控制装置及切换单元的构成的框图。
[图12]为示出本发明的实施方式2涉及的衬底处理装置所包括的切换单元的的***的构成的图。
[图13]为示出本发明的实施方式2涉及的衬底处理装置所包括的切换单元的的***的构成的另一图。
[图14]为示出本发明的实施方式2涉及的衬底处理装置所包括的控制装置及切换单元的构成的框图。
具体实施方式
以下,参照附图(图1~图14)对本发明的衬底处理装置涉及的实施方式进行说明。但是,本发明不限于以下的实施方式,可在不超出其主旨的范围内以各种方式实施。需要说明的是,对于重复说明的部分,有时适当省略说明。另外,图中,对同一或相当部分标注同一参考标记,不重复说明。
本发明涉及的衬底处理装置中,作为衬底处理的对象的“衬底”可应用半导体晶片、光掩模用玻璃衬底、液晶显示用玻璃衬底、等离子显示用玻璃衬底、FED(FieldEmission Display)用衬底、光盘用衬底、磁盘用衬底及光磁盘用衬底等各种衬底。以下,主要以将圆盘状的半导体晶片作为衬底处理的对象的情况为例对本发明的实施方式进行说明,但本发明涉及的衬底处理装置同样可应用于上述的半导体晶片以外的各种衬底。另外,关于衬底的形状,也不限于圆盘状,本发明涉及的衬底处理装置可应用于各种形状的衬底。
[实施方式1]
以下,参照图1~图11对本发明的实施方式1进行说明。首先,参照图1对本实施方式的衬底处理装置100进行说明。图1为本实施方式的衬底处理装置100的示意图。详细而言,图1为衬底处理装置100的示意性俯视图。衬底处理装置100使用多种处理液对衬底W进行处理。更具体而言,衬底处理装置100为单片式的装置,一张张地对衬底W进行处理。以下,有时将对衬底W进行处理记载为“衬底处理”。
如图1所示,衬底处理装置100具备多个处理部1、流体柜(cabinet)100A、多个流体箱(box)100B、多个装载端口LP、分度器机械手IR、中央机械手CR和控制装置101。
各装载端口LP将多张衬底W层叠而收纳。各衬底W中例如也可以附着不再需要的抗蚀剂的掩模(抗蚀剂膜)。
分度器机械手IR在装载端口LP与中央机械手CR之间搬运衬底W。中央机械手CR在分度器机械手IR与处理部1之间搬运衬底W。需要说明的是,也可以为下述装置构成:在分度器机械手IR与中央机械手CR之间,设有暂时载置衬底W的载置台(通道),在分度器机械手IR与中央机械手CR之间介由载置台间接地传递衬底W。
多个处理部1形成多个塔TW(图1中为4个塔TW)。多个塔TW以在俯视下包围中央机械手CR的方式进行配置。各塔TW包括上下地层叠的多个处理部1(图1中为3个处理部1)。
流体柜100A收纳处理液。流体箱100B分别与多个塔TW之中的1个对应。流体柜100A内的处理液介由任一流体箱100B而被供给至与流体箱100B对应的塔TW所包括的所有处理部1。
各处理部1使用多种处理液对衬底W进行处理。即,各处理部1对衬底W执行衬底处理。具体而言,处理部1将多种处理液依次供给至衬底W,对衬底W进行处理。多种处理液包括药液和漂洗液。药液包括第1药液和第2药液。本实施方式中,第1药液为SPM(硫酸过氧化氢水溶液:Sulfuric Acid Hydrogen Peroxide Mixture),第2药液为SC1(氨过氧化氢水溶液)。SPM为将硫酸(H2SO4)和双氧水(H2O2)混合而得的混合液。SC1为将氢氧化铵(NH4OH)、双氧水(H2O2)和水(H2O)混合而得的混合液。
当向衬底W供给SPM时,在衬底W的表面附着的有机物被除去。具体而言,SPM被用于剥离抗蚀剂膜。当将SC1供给至衬底W的上表面时,在衬底W的上表面附着的颗粒被除去。更具体而言,SC1用于有机物的溶解除去及非溶解性的颗粒的剥离除去。
本实施方式中,漂洗液为去离子水(Deionized water;DIW)。去离子水为所谓的“超纯水”。但是,漂洗液不限于去离子水。例如,漂洗液可以为碳酸水、电解离子水、氢水、臭氧水、氨水或经稀释的盐酸水(例如,浓度为10ppm~100ppm左右的盐酸水)。
第1药液为高粘性的药液。具体而言,第1药液的粘度比第2药液及漂洗液大。本实施方式中,第1药液为SPM。SPM含有硫酸。硫酸是高粘性的药液。因此,SPM为高粘性的药液。
处理部1将第1药液、第2药液及漂洗液按第1药液、漂洗液、第2药液、漂洗液的顺序供给至衬底W。本实施方式中,处理部1将SPM、漂洗液(去离子水)及SC1按SPM、漂洗液(去离子水)、SC1、漂洗液(去离子水)的顺序供给至衬底W。更详细而言,处理部1将SPM、作为SPM的一成分的双氧水、漂洗液(去离子水)及SC1按SPM、过氧化氢、漂洗液(去离子水)、SC1、漂洗液(去离子水)的顺序供给至衬底W。
接着,对控制装置101进行说明。控制装置101对衬底处理装置100的各部分的动作进行控制。例如,控制装置101对处理部1、装载端口LP、分度器机械手IR及中央机械手CR进行控制。控制装置101包括控制部102和存储部103。
控制部102基于存储部103中存储的各种信息对衬底处理装置100的各部的动作进行控制。控制部102例如具有处理器。控制部102可具有CPU(Central Processing Unit)或MPU(Micro Processing Unit)作为处理器。或者,控制部102也可具有通用运算机或专用运算器。
存储部103存储用于对衬底处理装置100的动作进行控制的各种信息。例如,存储部103对数据及计算机程序进行存储。各种信息(数据)包含制程数据。制程数据显示出对衬底W的处理内容、处理条件及处理顺序进行规定的制程。制程中作为处理条件设定有衬底处理的执行时的各种设定值。
存储部103具有主存储装置。主存储装置例如为半导体存储器。存储部103还可以具有辅助存储装置。辅助存储装置例如包括半导体存储器及硬盘驱动器中的至少一者。存储部103也可包括可移动介质。
接着,参照图1及图2,进一步对本实施方式的衬底处理装置100进行说明。图2为示意性地示出本实施方式的衬底处理装置100所包括的处理部1的构成的剖视图。
如图2所示,处理部1具有处理室2、衬底保持部3、衬底旋转部4、第1药液供给部5、第1喷嘴移动机构6、第2药液供给部7、第2喷嘴移动机构8、漂洗液供给部9和受液部11。
衬底W被搬入处理室2内,并在处理室2内被处理。处理室2具有大致箱形状。处理室2收纳衬底保持部3、衬底旋转部4、第1药液供给部5的一部分、第1喷嘴移动机构6、第2药液供给部7的一部分、第2喷嘴移动机构8、漂洗液供给部9的一部分和受液部11。处理室2例如为腔室。
衬底保持部3对衬底W进行保持。通过控制装置101(控制部102)对衬底保持部3的动作进行控制。更具体而言,衬底保持部3将衬底W以水平姿势进行保持。衬底保持部3例如为旋转卡盘。衬底保持部3可以具有旋转基座31和多个卡盘部件32。
旋转基座31为大致圆板状,以水平姿势支承多个卡盘部件32。多个卡盘部件32配置于旋转基座31的周缘部。多个卡盘部件32夹持衬底W的周缘部。利用多个卡盘部件32使衬底W以水平姿势被保持。通过控制装置101(控制部102)对多个卡盘部件32的动作进行控制。多个卡盘部件32以使得衬底W的中心与旋转基座31的中心一致的方式被配置。
衬底旋转部4使衬底W和衬底保持部3以在铅垂方向上延伸的第1旋转轴线AX1为中心一体地旋转。通过控制装置101(控制部102)对衬底旋转部4的动作进行控制。
详细而言,衬底旋转部4使旋转基座31以第1旋转轴线AX1为中心进行旋转。因此,旋转基座31以第1旋转轴线AX1为中心旋转。结果,保持于衬底保持部3的衬底W以第1旋转轴线AX1为中心进行旋转。更具体而言,第1旋转轴线AX1从旋转基座31的中心穿过。因此,旋转基座31以旋转基座31的中心为旋转中心旋转。另外,如已说明的那样,衬底保持部3以衬底W的中心与旋转基座31的中心一致的方式对衬底W进行保持。因此,衬底W以衬底W的中心为旋转中心进行旋转。
衬底旋转部4例如具有电机主体41和轴42。轴42与旋转基座31结合。电机主体41使轴42旋转。结果,旋转基座31旋转。通过控制装置101(控制部102)对电机主体41的动作进行控制。
接着,对第1药液供给部5进行说明。第1药液供给部5将第1药液供给至保持于衬底保持部3的衬底W。详细而言,第1药液供给部5将第1药液供给至旋转中的衬底W。本实施方式中,第1药液供给部5将SPM供给至衬底W。
更具体而言,如图2所示,第1药液供给部5具有第1喷嘴51、第1成分供给配管52、第2成分供给配管53、第1成分开闭阀54、第1流量调整阀55、加热器56、第2成分开闭阀57和第2流量调整阀58。
处理室2收纳第1喷嘴51、第1成分供给配管52的一部分和第2成分供给配管53的一部分。本实施方式中,第1成分开闭阀54、第1流量调整阀55、加热器56、第2成分开闭阀57及第2流量调整阀58配置于处理室2的外侧。具体而言,第1成分开闭阀54、第1流量调整阀55、加热器56、第2成分开闭阀57及第2流量调整阀58收纳于参照图1所说明的流体箱100B内。
第1喷嘴51从旋转中的衬底W的上方向衬底W的上表面喷出第1药液(SPM)。结果,第1药液(SPM)被供给至衬底W,在衬底W的上表面形成第1药液(SPM)的液膜。
本实施方式中,在SPM的喷出结束后,第1喷嘴51从旋转中的衬底W的上方向衬底W的上表面喷出双氧水(第1药液的一成分)。结果,双氧水被供给至衬底W,在衬底W的上表面形成双氧水的液膜。
第1成分供给配管52为管状的部件,第1成分供给配管52的一端与第1喷嘴51连接。第1成分供给配管52将硫酸(第1药液的一成分)供给至第1喷嘴51。
第2成分供给配管53为管状的部件,第2成分供给配管53的一端与第1喷嘴51连接。第2成分供给配管53将双氧水(第1药液的一成分)供给至第1喷嘴51。
第1成分开闭阀54安装于第1成分供给配管52。第1成分开闭阀54对向第1喷嘴51的硫酸的供给及向第1喷嘴51的硫酸的供给停止进行控制。
具体而言,第1成分开闭阀54可在打开状态与关闭状态之间切换。控制装置101(控制部102)对第1成分开闭阀54的开闭动作进行控制。第1成分开闭阀54的致动器例如为气动致动器或电动致动器。在第1成分开闭阀54为打开状态的情况下,硫酸介由第1成分供给配管52流通至第1喷嘴51。另一方面,在第1成分开闭阀54为关闭状态的情况下,停止介由第1成分供给配管52的硫酸的流通。
第1流量调整阀55安装于第1成分供给配管52。第1流量调整阀55对在第1成分供给配管52中流通的硫酸的流量进行调整。具体而言,第1流量调整阀55可对开度进行调整。控制装置101(控制部102)对第1流量调整阀55的开度进行控制。第1流量调整阀55的致动器例如为电动致动器。硫酸以与第1流量调整阀55的开度相应的流量在第1成分供给配管52中流通。
加热器56安装于第1成分供给配管52。加热器56对在第1成分供给配管52中流通的硫酸进行加热。通过控制装置101(控制部102)对加热器56的驱动开始及驱动停止进行控制。控制装置101(控制部102)可控制加热器56的温度或设定温度。加热器56以SPM的温度成为100℃以上的方式对在第1成分供给配管52中流通的硫酸进行加热。
第2成分开闭阀57安装于第2成分供给配管53。第2成分开闭阀57对向第1喷嘴51的双氧水的供给及向第1喷嘴51的双氧水的供给停止进行控制。
具体而言,第2成分开闭阀57可在打开状态与关闭状态之间进行切换。控制装置101(控制部102)对第2成分开闭阀57的开闭动作进行控制。第2成分开闭阀57的致动器例如为气动致动器或电动致动器。在第2成分开闭阀57为打开状态的情况下,双氧水介由第2成分供给配管53流通至第1喷嘴51。另一方面,在第2成分开闭阀57为关闭状态的情况下,介由第2成分供给配管53的双氧水的流通停止。
第2流量调整阀58安装于第2成分供给配管53。第2流量调整阀58对在第2成分供给配管53中流通的双氧水的流量进行调整。具体而言,第2流量调整阀58可调整开度。控制装置101(控制部102)对第2流量调整阀58的开度进行控制。第2流量调整阀58的致动器例如为电动致动器。双氧水以与第2流量调整阀58的开度相应的流量在第2成分供给配管53中流通。
当向衬底W供给SPM时,控制装置101(控制部102)使第1成分开闭阀54及第2成分开闭阀57为打开状态。结果,硫酸及双氧水被供给至第1喷嘴51。然后,在第1喷嘴51中硫酸与双氧水混合而生成SPM,从第1喷嘴51向下方连续地喷出SPM。
详细而言,以与第1流量调整阀55的开度对应的流量从第1成分供给配管52向第1喷嘴51供给硫酸。另外,以与第2流量调整阀58的开度对应的流量从第2成分供给配管53向第1喷嘴51供给双氧水。因此,硫酸与双氧水的混合比与第1流量调整阀55的开度及第2流量调整阀58的开度对应。因此,能够对第1流量调整阀55的开度及第2流量调整阀58的开度进行调整从而对硫酸与双氧水的混合比进行调整。
SPM的温度成为与硫酸与双氧水的混合比、混合前的硫酸的温度和混合前的双氧水的温度对应的温度。混合前的双氧水的温度例如为与室温同等程度。通过对利用加热器56的硫酸的加热温度进行调整,能够使SPM的温度为100℃以上。需要说明的是,混合前的双氧水的温度也可以为比室温高的温度。例如,为了使双氧水的温度比室温高,可将加热器安装于第2成分供给配管53。
当向衬底W供给双氧水时,控制装置101(控制部102)使第1成分开闭阀54为关闭状态的同时,使第2成分开闭阀57为打开状态。结果,双氧水被供给至第1喷嘴51,从第1喷嘴51向下方连续地喷出双氧水。
接着,对第1喷嘴移动机构6进行说明。第1喷嘴移动机构6使第1喷嘴51沿着水平面移动。通过控制装置101(控制部102)对第1喷嘴移动机构6的动作进行控制。更详细而言,第1喷嘴移动机构6使第1喷嘴51在退避区域与处理位置之间移动。退避区域为衬底保持部3的外侧的区域。例如,退避区域也可以是受液部11的外侧的区域。本实施方式中,第1喷嘴51的处理位置为与衬底W的中心相对的位置。第1喷嘴51从处理位置向衬底W供给SPM及双氧水。
如图2所示,第1喷嘴移动机构6可具有第1喷嘴臂61、第1喷嘴基台62和第1喷嘴移动部63。第1喷嘴基台62在铅垂方向上延伸。第1喷嘴臂61的基端部与第1喷嘴基台62结合。第1喷嘴臂61自第1喷嘴基台62在水平方向上延伸。
第1喷嘴臂61对第1喷嘴51进行支承。第1喷嘴51从第1喷嘴臂61出发向着铅垂下方突出。第1喷嘴51可配置在第1喷嘴臂61的前端部。
第1喷嘴移动部63以在铅垂方向上延伸的第2旋转轴线AX2为中心使第1喷嘴基台62旋转。结果,第1喷嘴51沿着以第2旋转轴线AX2为中心的周向而在第1喷嘴基台62的周围移动。
详细而言,第2旋转轴线AX2从第1喷嘴基台62的中心穿过。因此,第1喷嘴移动部63以第1喷嘴基台62的中心为旋转中心使第1喷嘴基台62旋转。结果,第1喷嘴臂61以第1喷嘴基台62的中心为旋转中心进行回转,第1喷嘴51沿着以第1喷嘴基台62的中心为中心的周向进行移动。通过控制装置101(控制部102)对第1喷嘴移动部63进行控制。第1喷嘴移动部63例如包括步进电机。或者,第1喷嘴移动部63也可以包含可正逆旋转的电机、和减速器。
接着,对第2药液供给部7进行说明。第2药液供给部7将第2药液供给至保持于衬底保持部3的衬底W。详细而言,第2药液供给部7将第2药液供给至旋转中的衬底W。本实施方式中,第2药液供给部7将SC1供给至衬底W。
更具体而言,如图2所示,第2药液供给部7具有第2喷嘴71、第2药液供给配管72和第2药液开闭阀73。处理室2收纳第2喷嘴71和第2药液供给配管72的一部分。本实施方式中,第2药液开闭阀73配置于处理室2的外侧。具体而言,第2药液开闭阀73被收纳于参照图1所说明的流体箱100B内。
第2喷嘴71从旋转中的衬底W的上方向衬底W的上表面喷出第2药液(SC1)。结果,第2药液(SC1)被供给至衬底W,在衬底W的上表面形成第2药液(SC1)的液膜。
第2药液供给配管72为管状的部件,第2药液供给配管72的一端与第2喷嘴71连接。第2药液供给配管72将第2药液(SC1)供给至第2喷嘴71。
第2药液开闭阀73安装于第2药液供给配管72。第2药液开闭阀73对向第2喷嘴71的第2药液(SC1)的供给和向第2喷嘴71的第2药液(SC1)的供给停止进行控制。
具体而言,第2药液开闭阀73可在打开状态与关闭状态之间进行切换。控制装置101(控制部102)对第2药液开闭阀73的开闭动作进行控制。第2药液开闭阀73的致动器例如为气动致动器或电动致动器。在第2药液开闭阀73为打开状态的情况下,第2药液(SC1)介由第2药液供给配管72流通至第2喷嘴71。另一方面,在第2药液开闭阀73为关闭状态的情况下,停止介由第2药液供给配管72的第2药液(SC1)的流通。
当向衬底W供给第2药液(SC1)时,控制装置101(控制部102)使第2药液开闭阀73为打开状态。结果,第2药液(SC1)被供给至第2喷嘴71。然后,从第2喷嘴71向下方连续地喷出第2药液(SC1)。需要说明的是,第2药液(SC1)的温度例如为与室温同等程度。
与第1喷嘴移动机构6同样地,第2喷嘴移动机构8使第2喷嘴71沿着水平面移动。如图2所示,第2喷嘴移动机构8也可具有第2喷嘴臂81、第2喷嘴基台82和第2喷嘴移动部83。第2喷嘴移动机构8的构成与第1喷嘴移动机构6大致相同,因此省略其详细说明。需要说明的是,第2喷嘴移动部83使第2喷嘴基台82以在铅垂方向上延伸的第3旋转轴线AX3为中心进行旋转。另外,第2喷嘴71的退避区域的位置为与第1喷嘴51的退避区域的位置不同的位置。
接着,对漂洗液供给部9进行说明。漂洗液供给部9向保持于衬底保持部3的衬底W供给漂洗液。详细而言,漂洗液供给部9向旋转中的衬底W供给漂洗液。本实施方式中,漂洗液供给部9向衬底W供给去离子水。
更具体而言,如图2所示,漂洗液供给部9具有第3喷嘴91、漂洗液供给配管92和漂洗液开闭阀93。处理室2收纳第3喷嘴91和漂洗液供给配管92的一部分。本实施方式中,漂洗液开闭阀93配置于处理室2的外侧。具体而言,漂洗液开闭阀93收纳于参照图1所说明的流体箱100B内。
第3喷嘴91为固定喷嘴,从一定的位置向保持于衬底保持部3的旋转中的衬底W的上表面喷出漂洗液(去离子水)。结果,漂洗液被供给至衬底W,在衬底W的上表面形成漂洗液(去离子水)的液膜。
漂洗液供给配管92为管状的部件,漂洗液供给配管92的一端与第3喷嘴91连接。漂洗液供给配管92将漂洗液(去离子水)供给至第3喷嘴91。
漂洗液开闭阀93安装于漂洗液供给配管92。漂洗液开闭阀93对向第3喷嘴91的漂洗液(去离子水)的供给及向第3喷嘴91的漂洗液(去离子水)的供给停止进行控制。
具体而言,漂洗液开闭阀93可在打开状态与关闭状态之间进行切换。控制装置101(控制部102)对漂洗液开闭阀93的开闭动作进行控制。漂洗液开闭阀93的致动器例如为气动致动器或电动致动器。在漂洗液开闭阀93为打开状态的情况下,漂洗液(去离子水)介由漂洗液供给配管92流通至第3喷嘴91。另一方面,在漂洗液开闭阀93为关闭状态的情况下,停止介由漂洗液供给配管92的漂洗液(去离子水)的流通。
当向衬底W供给漂洗液(去离子水)时,控制装置101(控制部102)使漂洗液开闭阀93为打开状态。结果,漂洗液(去离子水)被供给至第3喷嘴91。然后,向衬底W的上表面中央部从第3喷嘴91喷出漂洗液(去离子水)。
接着,对受液部11进行说明。受液部11包围着保持于衬底保持部3的衬底W的周围,接收从作为从衬底W排出的处理液的排液RL。更具体而言,受液部11具有护罩部111和杯部112。
护罩部111为大致圆筒状,且包围保持于衬底保持部3的衬底W的周围。护罩部111接收从衬底W排出的处理液(排液RL)。更具体而言,护罩部111接收从旋转的衬底W飞散的处理液(排液RL)。
杯部112与护罩部111的下端连结。杯部112为环状,上部形成开放的圆环状的受液槽。被护罩部111接收的排液RL因自重而流落至杯部112。另外,与护罩部111碰撞后溅起回落的排液RL因自重而落下至杯部112内。结果,排液RL被收集至杯部112内(受液槽)。
接着,参照图2,进一步对衬底处理装置100进行说明。如图2所示,衬底处理装置100还具备第1排液配管12、切换单元13、多个第2排液配管14和第1端口P1~第4端口P4。
第1排液配管12为管状的部件,从处理室2的内部延伸至外部。第1排液配管12的一端12a与受液部11连接。具体而言,第1排液配管12的一端12a与杯部112的底部(受液槽的底部)连接。更详细而言,杯部112的底部(受液槽的底部)设有排出孔。第1排液配管12以与排出孔连通的方式与杯部112的底部(受液槽的底部)连接。结果,收集于杯部112内(受液槽)的排液RL因自重而流入第1排液配管12。
切换单元13及多个第2排液配管14配置在处理部1的外部。切换单元13在多个第2排液配管14之间对在第1排液配管12中流通的排液RL的流通目的地进行切换。具体而言,切换单元13通过控制装置101(控制部102)而被控制。控制装置101(控制部102)对切换单元13进行控制,以将在第1排液配管12中流通的排液RL的流通目的地在多个第2排液配管14之间进行切换。以下,有时将在第1排液配管12中流通的排液RL的流通目的地记载为“排液RL的流通目的地”。
本实施方式中,多个第2排液配管14包括第1配管141~第4配管144,切换单元13将排液RL的流通目的地在第1配管141~第4配管144之间进行切换。
详细而言,切换单元13包括切换阀131。切换阀131包括第1切换阀131a~第4切换阀131d。第1切换阀131a~第4切换阀131d依次以直线状排列。也即,第1切换阀131a与第2切换阀131b相邻,第2切换阀131b与第3切换阀131c相邻,第3切换阀131c与第4切换阀131d相邻。因此,第1切换阀131a与第2切换阀131b连接。同样地,第2切换阀131b与第3切换阀131c连接,第3切换阀131c与第4切换阀131d连接。本实施方式中,切换阀131以大致水平的姿势以直线状延伸。
第1排液配管12的另一端12b与第1切换阀131a连接。更具体而言,本实施方式中,第1排液配管12包括在水平方向上延伸的水平部121,水平部121的一端与第1切换阀131a连接。在第1切换阀131a上,第1配管141的一端进一步连接。第1配管141的另一端与第1端口P1连接。在第1排液配管12中流通的排液RL在水平部121中在大致水平方向上流通。因此,在水平部121中排液RL不易流动。
在第2切换阀131b上,连接有第3配管143的一端。第3配管143的另一端与第3端口P3连接。在第3切换阀131c上,连接有第2配管142的一端。第2配管142的另一端与第2端口P2连接。在第4切换阀131d,连接有第4配管144的一端。第4配管144的另一端与第4端口P4连接。
控制装置101(控制部102)对第1切换阀131a~第4切换阀131d进行控制,以将排液RL的流通目的地在第1配管141~第4配管144之间进行切换。换言之,控制装置101(控制部102)将排液RL的流通目的地在第1端口P1~第4端口P4之间进行切换。例如,在将第1配管141(第1端口P1)选择为排液RL的流通目的地的情况下,排液RL介由切换阀131流入第1配管141,被第1配管141引导至第1端口P1。
接着,参照图3,对本实施方式的衬底处理装置100进行说明。图3为示出本实施方式的衬底处理装置100所包括的切换单元的13的***的构成的图。
如图3所示,在第1端口P1,连接有第1排液管线GL1。第1排液管线GL1被铺设在设置有衬底处理装置100的工厂。第1排液管线GL1是用于将从衬底处理装置100排出的硫酸(SPM)进行回收的管线。硫酸是需要为了进行废弃而进行处理的药液,使用过的硫酸的回收处理中,需要大量的工业用水和大量的电力。因此,当流入第1排液管线GL1的排液RL的量增加时,工厂方面的负担增加。
如图3所示,在控制装置101(控制部102)选择第1配管141(第1端口P1)作为排液RL的流通目的地的情况下,排液RL介由切换阀131流入第1配管141,从第1配管141介由第1端口P1流入第1排液管线GL1。
接着,参照图3及图4,对本实施方式的衬底处理装置100进行说明。图4为示出本实施方式的衬底处理装置100所包括的切换单元的13的***的构成的另一图。
如图3及图4所示,第2端口P2与第1配管141连接。因此,如图4所示,在控制装置101(控制部102)选择第2配管142(第2端口P2)作为排液RL的流通目的地的情况下,排液RL介由切换阀131流入第2配管142,从第2配管142介由第2端口P2流入第1配管141。结果,排液RL从第1配管141介由第1端口P1流入第1排液管线GL1。
接着,参照图3~图5,对本实施方式的衬底处理装置100进行说明。图5为示出本实施方式的衬底处理装置100所包括的切换单元的13的***的构成另一图。
如图3~图5所示,在第3端口P3,连接有第2排液管线GL2。第2排液管线GL2被铺设在设置有衬底处理装置100的工厂。第2排液管线GL2是用于将从衬底处理装置100排出的SC1进行回收的管线。
如图5所示,在控制装置101(控制部102)选择第3配管143(第3端口P3)作为排液RL的流通目的地的情况下,排液RL介由切换阀131流入第3配管143,从第3配管143介由第3端口P3流入第2排液管线GL2。
接着,参照图3~图6,对本实施方式的衬底处理装置100进行说明。图6为示出本实施方式的衬底处理装置100所包括的切换单元的13的***的构成的另一图。
如图3~图6所示,衬底处理装置100还具备第5配管145和排液罐(tank)21。第5配管145为管状的部件。在第4端口P4,连接有第5配管145的一端。第5配管145的另一端与排液罐21连接。第5配管145使第4端口P4与排液罐21连通。
如图6所示,在控制装置101(控制部102)选择第4配管144(第4端口P4)作为排液RL的流通目的地的情况下,排液RL介由切换阀131流入第4配管144,从第4配管144介由第4端口P4流入第5配管145。结果,排液RL被收集至排液罐21。
接着,参照图1~图7,对本实施方式的衬底处理装置100进行说明。图7为示出本实施方式的衬底处理装置100的动作的流程图。更详细而言,图7示出执行衬底处理时的处理顺序。
如图7所示,当执行衬底处理时,中央机械手CR将衬底W搬入多个处理部1之中的一个处理部1的处理室2内(步骤S1)。搬入处理室2内的衬底W通过衬底保持部3被水平地保持。
当衬底保持部3对衬底W进行保持时,控制部102驱动衬底旋转部4。结果,开始衬底W的旋转(步骤S2)。具体而言,控制部102驱动电机主体41。
当电机主体41的旋转速度(衬底W的旋转速度)达到既定速度时,处理部1执行第1药液处理,将第1药液(SPM)供给至衬底W(步骤S3)。
具体而言,当电机主体41的旋转速度(衬底W的旋转速度)达到既定速度时,控制部102首先对第1喷嘴移动机构6进行控制,以使第1喷嘴51从退避位置向处理位置移动。之后,控制部102使第1成分开闭阀54及第2成分开闭阀57为打开状态。结果,从第1喷嘴51向衬底W喷出第1药液(SPM),在衬底W的上表面形成第1药液(SPM)的液膜。此时,从衬底W飞散的第1药液(SPM)被收集至杯部112,流入第1排液配管12。
本实施方式中,从第1药液的供给开始起经过既定时间(X1秒)后,处理部1向衬底W供给第1药液的一成分(双氧水)。具体而言,控制部102使第1成分开闭阀54从打开状态向关闭状态转换,将第2成分开闭阀57维持在打开状态。结果,从第1喷嘴51向衬底W喷出第1药液的一成分(双氧水),在衬底W的上表面形成第1药液的一成分(双氧水)的液膜。
详细而言,衬底W的上表面的液膜从第1药液(SPM)的液膜被置换为第1药液的一成分(双氧水)的液膜。此时,从衬底W飞散的第1药液(SPM)和第1药液的一成分(双氧水)被收集至杯部112,流入第1排液配管12。
从第1药液的一成分(双氧水)的供给开始起经过既定时间(X2秒)后,处理部1执行第1漂洗处理,向衬底W供给漂洗液(去离子水)(步骤S4)。
具体而言,控制部102使第2成分开闭阀57从打开状态向关闭状态转换,使第1药液的一成分(双氧水)的供给停止。然后,控制部102对第1喷嘴移动机构6进行控制,使第1喷嘴51从处理位置向退避位置移动。或者,控制部102可在使第1药液的一成分(双氧水)的供给停止前,使第1喷嘴51从处理位置向退避位置移动。控制部102使第1药液的一成分(双氧水)的供给停止后,使漂洗液开闭阀93从关闭状态向打开状态转换。结果,从第3喷嘴91向衬底W喷出漂洗液(去离子水),在衬底W的上表面形成漂洗液(去离子水)的液膜。
详细而言,衬底W的上表面的液膜从第1药液的一成分(双氧水)的液膜被置换为漂洗液(去离子水)的液膜。此时,从衬底W飞散的第1药液的一成分(双氧水)和漂洗液(去离子水)被收集于杯部112,流入第1排液配管12。
从漂洗液(去离子水)的供给开始起经过既定时间(X3秒)后,处理部1执行第2药液处理,向衬底W供给第2药液(SC1)(步骤S5)。
具体而言,控制部102使漂洗液开闭阀93从打开状态向关闭状态转换,使漂洗液(去离子水)的供给停止。然后,控制部102对第2喷嘴移动机构8进行控制,使第2喷嘴71从退避位置向处理位置移动。之后,控制部102使第2药液开闭阀73为打开状态。结果,从第2喷嘴71向衬底W喷出第2药液(SC1),在衬底W的上表面形成第2药液(SC1)的液膜。
详细而言,衬底W的上表面的液膜从漂洗液(去离子水)的液膜被置换为第2药液(SC1)的液膜。此时,从衬底W飞散的漂洗液(去离子水)和第2药液(SC1)收集至杯部112,流入第1排液配管12。
从第2药液(SC1)的供给开始起经过既定时间(X4秒)后,处理部1执行第2漂洗处理,向衬底W供给漂洗液(去离子水)(步骤S6)。
具体而言,控制部102使第2药液开闭阀73从打开状态向关闭状态转换,使第2药液(SC1)的供给停止。然后,控制部102对第2喷嘴移动机构8进行控制,使第2喷嘴71从处理位置向退避位置移动。或者,控制部102可在使第2药液(SC1)的供给停止前,使第2喷嘴71从处理位置向退避位置移动。另外,控制部102在使第2药液(SC1)的供给停止后,使漂洗液开闭阀93从关闭状态转换至打开状态。结果,从第3喷嘴91向衬底W喷出漂洗液(去离子水),在衬底W的上表面形成漂洗液(去离子水)的液膜。
详细而言,衬底W的上表面的液膜从第2药液(SC1)的液膜被置换为漂洗液(去离子水)的液膜。此时,从衬底W飞散的第2药液(SC1)和漂洗液(去离子水)被收集于杯部112,流入第1排液配管12。
从漂洗液(去离子水)的供给开始起经过既定时间(X5秒)后,处理部1执行干燥处理,使衬底W干燥(步骤S7)。具体而言,控制部102使衬底W的旋转速度增大。结果,对衬底W上的漂洗液赋予大的离心力,附着于衬底W的漂洗液被甩到衬底W的周围。通过这样的方式,将漂洗液从衬底W除去而使衬底W干燥。此时,从衬底W飞散的漂洗液(去离子水)被收集于杯部112,流入第1排液配管12。
从开始衬底W的高速旋转起经过既定时间(X6秒)后,控制部102通过使电机主体41的驱动停止,使衬底W的旋转停止(步骤S8)。结果,干燥处理结束。
当干燥处理结束时,基于衬底保持部3的衬底W的保持被解除,中央机械手CR将衬底W向处理室2外搬出(步骤S9),如图7所示动作结束。
接着,参照图1~图9,对第1药液处理(图7的步骤S3)、第1漂洗处理(图7的步骤S4)及第2药液处理(图7的步骤S5)进行说明。图8中(a)为示出基于本实施方式的衬底处理装置100所包括的控制部102的、排液RL的流通目的地的切换时机T的第1例的图。图8中的(b)为示出排液RL的流通目的地的切换时机T的比较例的图。示出排液RL的流通目的地的切换时机T的数据存储于存储部103。
如图8中的(a)所示,在第1药液处理的执行中,控制部102选择第1端口P1(第1配管141)作为排液RL的流通目的地。结果,如参照图3所说明的那样,SPM(第1药液)及双氧水(第1药液的一成分)介由第1端口P1流入第1排液管线GL1。即,第1药液的各成分(硫酸及双氧水)流入第1排液管线GL1。
在图8中的(a)所示的例子中,第1药液处理的结束后也将排液RL的流通目的地维持在第1端口P1(第1配管141)。结果,如参照图3所说明的那样,漂洗液(去离子水)和利用漂洗液(去离子水)冲走的硫酸流入第1排液管线GL1。
详细而言,由于硫酸为高粘性的药液而不易流动。因此,在第1药液处理的结束时间点,硫酸滞留于第1排液配管12、切换阀131的内部。特别是,本实施方式中,硫酸容易滞留于第1排液配管12的水平部121。另外,本实施方式中,切换阀131以大致水平的姿势以直线状延伸,因此硫酸容易滞留于切换阀131的内部。因此,当执行第1漂洗处理时,滞留的硫酸通过漂洗液被冲走,流入第1排液管线GL1。
在图8中的(a)所示的例子中,在第1漂洗处理的执行中,控制部102将排液RL的流通目的地从第1端口P1(第1配管141)切换至第2端口P2(第2配管142)。具体而言,在从开始第1漂洗处理起经过既定时间(Y1秒)后,控制部102将排液RL的流通目的地从第1端口P1(第1配管141)切换至第2端口P2(第2配管142)。结果,如参照图4所说明的那样,漂洗液(去离子水)和利用漂洗液(去离子水)而被冲走的硫酸流入第1排液管线GL1。
如图8中的(a)所示,在第1漂洗处理执行后,控制部102将排液RL的流通目的地从第2端口P2(第2配管142)切换至第3端口P3(第3配管143)。在图8中的(a)所示的例子中,在比第1漂洗处理的结束时机滞后的时机,控制部102将排液RL的流通目的地从第2端口P2切换至第3端口P3。换言之,在比第2药液处理的开始时机滞后的时机,控制部102将排液RL的流通目的地从第2端口P2切换至第3端口P3。具体而言,在从将排液RL的流通目的地从第1端口P1切换至第2端口P2起经过既定时间(Y2秒)后,控制部102将排液RL的流通目的地从第2端口P2切换至第3端口P3。
需要说明的是,在以下的说明中,有时将从第1药液处理结束起,将排液RL的流通目的地从第3端口P3(第3配管143)以外的端口(第3配管143以外的配管)切换至第3端口P3(第3配管143)为止的延迟时间记载为“切换延迟时间”。在图8中的(a)所示的例子中,切换延迟时间为“Y1秒+Y2秒”。
如图8中的(a)所示,由于第2药液处理的执行中的排液RL的流通目的地为第3端口P3(第3配管143),因此如参照图5所说明的那样,第2药液(SC1)介由第3端口P3流入第2排液管线GL2。
需要说明的是,第2药液处理结束后,控制部102将排液RL的流通目的地从第3端口P3(第3配管143)切换至第4端口P4(第4配管144)。更详细而言,控制部102将第4端口P4(第4配管144)选择作为第2漂洗处理(图7的步骤S6)以后的排液RL的流通目的地。结果,如参照图6所说明的那样,漂洗液(去离子水)、利用漂洗液(去离子水)而被冲走的SC1的各成分(氢氧化铵、双氧水及水)介由第4端口P4被引导至排液罐21,收纳于排液罐21。
接着,参照图8中的(b),对比较例进行说明。在图8中的(b)所示的比较例中,在从第1药液处理结束起经过既定时间(Z秒)的时机,排液RL的流通目的地从第1端口P1切换至第3端口P3。即,在图8中的(b)所示的比较例中,漂洗液(去离子水)和利用漂洗液(去离子水)而被冲走的硫酸仅介由第1配管141流入第1排液管线GL1。
如已说明的那样,由于硫酸为高粘性的药液而不易流动,因此在硫酸仅在第1配管141中流通的构成中,由于在第1配管141中发生的硫酸的滞留,硫酸更加不易流动。因此,为了使硫酸更充分地流入第1排液管线GL1,需要将排液RL的流通目的地从第1端口P1切换至第3端口P3的时机从第1药液处理的结束时机起充分地延迟。即,需要使切换延迟时间充分地延长。在比较例中,切换延迟时间例如为13秒(Z秒)。
与此相对,根据本实施方式,能够使硫酸在第1配管141和第2配管142中分散且流通。因此,与硫酸仅在第1配管141中流通的构成(比较例)相比,能够缩短切换延迟时间(Y1+Y2<Z)。因此,能够使流入第1排液管线GL1的排液的量较之比较例减少。
另外,如已说明的那样,第1排液管线GL1为用于对硫酸进行回收的管线,在使用过的硫酸的回收处理中,需要大量的工业用水和大量的电力。因此,当流入第1排液管线GL1的排液的量增加时,工厂方面的负担增加。根据本实施方式,使流入第1排液管线GL1的排液的量减少,能够减轻工厂方面的负担。
接着,参照图9中的(a)~图9中的(c),对第1药液处理(图7的步骤S3)、第1漂洗处理(图7的步骤S4)及第2药液处理(图7的步骤S5)进行说明。图9中的(a)为示出基于本实施方式的衬底处理装置100所包括的控制部102的、排液RL的流通目的地的切换时机T的第2例的图。图9中的(b)为示出基于本实施方式的衬底处理装置100所包括的控制部102的、排液RL的流通目的地的切换时机T的第3例的图。图9中的(c)为示出基于本实施方式的衬底处理装置100所包括的控制部102的、排液RL的流通目的地的切换时机T的第4例的图。
如图9中的(a)所示,在第1漂洗处理结束的时机,控制部102可将排液RL的流通目的地从第2端口P2切换至第3端口P3。另外,如图9中的(b)及图9中的(c)所示,在第1药液处理结束的时机,控制部102可将排液RL的流通目的地从第1端口P1切换至第2端口P2。
接着,参照图10,对切换阀131的构成的一例进行说明。图10为示出本实施方式的衬底处理装置100所包括的切换阀131的构成的一例的图。
如图10所示,切换阀131可具有第1阀芯133a~第4阀芯133d、共通流路MR、第1分支流路BR1~第4分支流路BR4。第1阀芯133a及第1分支流路BR1包含于第1切换阀131a。第2阀芯133b及第2分支流路BR2包含于第2切换阀131b。第3阀芯133c及第3分支流路BR3包含于第3切换阀131c。第4阀芯133d及第4分支流路BR4包含于第4切换阀131d。
共通流路MR以大致水平的姿势以直线状延伸。共通流路MR的一端打开,共通流路MR的另一端闭塞。第1排液配管12与共通流路MR的一端连接,第1排液配管12的流路R1与共通流路MR连通。
第1分支流路BR1~第4分支流路BR4为分别从共通流路MR分支的流路,与共通流路MR连通。第1分支流路BR1~第4分支流路BR4分别在相对于共通流路MR延伸的方向交叉的方向延伸。
第1分支流路BR1的一端与共通流路MR连接。第1配管141与第1分支流路BR1的另一端连接,第1配管141的流路R2a与第1分支流路BR1连通。
第2分支流路BR2的一端与共通流路MR连接。第3配管143与第2分支流路BR2的另一端连接,第3配管143的流路R2c与第2分支流路BR2连通。
第3分支流路BR3的一端与共通流路MR连接。第2配管142与第3分支流路BR3的另一端连接,第2配管142的流路R2b与第3分支流路BR3连通。
第4分支流路BR4的一端与共通流路MR连接。第4配管144与第4分支流路BR4的另一端连接,第4配管144的流路R2d与第4分支流路BR4连通。
第1阀芯133a可在闭塞位置与打开位置之间移动。第1阀芯133a的闭塞位置表示第1阀芯133a将第1分支流路BR1的一端闭塞的位置。第1阀芯133a的打开位置表示第1阀芯133a将第1分支流路BR1的一端打开、使第1分支流路BR1和共通流路MR连通的位置。
当第1阀芯133a从打开位置移动至闭塞位置时,第1分支流路BR1的一端被闭塞,第1分支流路BR1和共通流路MR不再连通。因此,第1分支流路BR1和第1排液配管12的流路R1不再连通。另一方面,当第1阀芯133a从闭塞位置向打开位置移动时,第1分支流路BR1的一端被打开,第1分支流路BR1和共通流路MR连通。即,第1分支流路BR1和第1排液配管12的流路R1连通。
与第1阀芯133a同样地,第2阀芯133b可在闭塞位置与打开位置之间移动。第2阀芯133b的闭塞位置表示第2阀芯133b将第2分支流路BR2的一端闭塞的位置。第2阀芯133b的打开位置表示第2阀芯133b将第2分支流路BR2的一端打开、使第2分支流路BR2与共通流路MR连通的位置。
当第2阀芯133b从打开位置移动至闭塞位置时,第2分支流路BR2的一端被闭塞,第2分支流路BR2和共通流路MR不再连通。因此,第2分支流路BR2和第1排液配管12的流路R1不再连通。另一方面,当第2阀芯133b从闭塞位置移动至打开位置时,第2分支流路BR2的一端被打开,第2分支流路BR2和共通流路MR连通。即,第2分支流路BR2和第1排液配管12的流路R1连通。
与第1阀芯133a及第2阀芯133b同样地,第3阀芯133c可在闭塞位置与打开位置之间移动。第3阀芯133c的闭塞位置表示第3阀芯133c将第3分支流路BR3的一端闭塞的位置。第3阀芯133c的打开位置表示第3阀芯133c将第3分支流路BR3的一端打开、使第3分支流路BR3和共通流路MR连通的位置。
当第3阀芯133c从打开位置移动至闭塞位置时,第3分支流路BR3的一端被闭塞,第3分支流路BR3和共通流路MR不再连通。因此,第3分支流路BR3和第1排液配管12的流路R1不再连通。另一方面,当第3阀芯133c从闭塞位置移动至打开位置时,第3分支流路BR3的一端被打开,第3分支流路BR3和共通流路MR连通。即,第3分支流路BR3和第1排液配管12的流路R1连通。
与第1阀芯133a~第3阀芯133c同样地,第4阀芯133d可在闭塞位置与打开位置之间移动。第4阀芯133d的闭塞位置表示第4阀芯133d将第4分支流路BR4的一端闭塞的位置。第4阀芯133d的打开位置表示第4阀芯133d将第4分支流路BR4的一端打开、使第4分支流路BR4和共通流路MR连通的位置。
当第4阀芯133d从打开位置移动至闭塞位置时,第4分支流路BR4的一端被闭塞,第4分支流路BR4和共通流路MR不再连通。因此,第4分支流路BR4和第1排液配管12的流路R1不再连通。另一方面,当第4阀芯133d从闭塞位置移动至打开位置时,第4分支流路BR4的一端被打开,第4分支流路BR4和共通流路MR连通。即,第4分支流路BR4和第1排液配管12的流路R1连通。
图10例例示第1阀芯133a位于打开位置、第2阀芯133b~第4阀芯133d位于闭塞位置的切换阀131。该情况下,第1配管141成为在第1排液配管12中流通的排液RL的流通目的地。
在图10所示的例子中,在第1配管141与切换阀131的连接部位CP2a、第3配管143与切换阀131的连接部位CP2c、第2配管142与切换阀131的连接部位CP2b及第4配管144与切换阀131的连接部位CP2d之中,第1配管141与切换阀131的连接部位CP2a离切换阀131与第1排液配管12的连接部位CP1最近。因此,第1药液处理中流入切换阀131的SPM的一部分从共通流路MR流过共通流路MR而不流入第1分支流路BR1。结果,硫酸滞留于切换阀131的内部。
需要说明的是,在以下的说明中,有时将第1配管141与切换阀131的连接部位CP2a记载为“第1连接部位CP2a”。同样地,有时将第3配管143与切换阀131的连接部位CP2c、第2配管142与切换阀131的连接部位CP2b及第4配管144与切换阀131的连接部位CP2d分别记载为“第3连接部位CP2c”、“第2连接部位CP2b”及“第4连接部位CP2d”。
根据本实施方式,如图10所示,即使切换阀131的结构为硫酸容易滞留于切换阀131的内部的结构,也能够使滞留于切换阀131的内部的硫酸更充分地流入第1排液管线GL1。
另外,在图10所示的例子中,第2连接部位CP2b与第1连接部位CP2a及第3连接部位CP2c相比离切换阀131与第1排液配管12的连接部位CP1较远。因此,从第1排液配管12流入共通流路MR的液体较之第1配管141及第3配管143而言更容易流入第2配管142。根据本实施方式,在第1药液处理后,当将排液RL的流通目的地从第1配管141切换至第2配管142,使漂洗液(去离子水)和利用漂洗液(去离子水)而被冲走的硫酸介由第2配管142流入第1排液管线GL1时,使利用漂洗液而被冲走的硫酸变得容易通过第1排液管线GL1流入。
接着,参照图1~图11,对本实施方式的衬底处理装置100进行说明。图11为示出本实施方式的衬底处理装置100所包括的控制装置101及切换单元13的构成的框图。
如图11所示,切换阀131还具有第1阀驱动部132a~第4阀驱动部132d。第1阀驱动部132a被包括于第1切换阀131a。同样地,第2阀驱动部132b~第4阀驱动部132d分别被包括于第2切换阀131b~第4切换阀131d。
通过控制装置101(控制部102)对第1阀驱动部132a进行控制,使第1阀芯133a在闭塞位置与打开位置之间移动。第1阀驱动部132a例如可包含电机作为第1阀芯133a的动力源。
同样地,通过控制装置101(控制部102)对第2阀驱动部132b进行控制,使第2阀芯133b在闭塞位置与打开位置之间移动。通过控制装置101(控制部102)对第3阀驱动部132c进行控制,使第3阀芯133c在闭塞位置与打开位置之间移动。通过控制装置101(控制部102)对第4阀驱动部132d进行控制,使第4阀芯133d在闭塞位置与打开位置之间移动。第2阀驱动部132b~第4阀驱动部132d分别例如可包含电机作为第2阀芯133b~第4阀芯133d的动力源。
以上,参照图1~图11,对本发明的实施方式1进行说明。根据本实施方式,能够降低为了进行废弃而进行处理所需要的排液的量。
[实施方式2]
接着参照图12~图14针对本发明的实施方式2进行说明。但是,对于实施方式1不同的事项进行说明,省略与实施方式1相同事项的说明。实施方式2的切换单元13的构成与实施方式1不同。
图12为示出本实施方式的衬底处理装置100所包括的切换单元的13的***的构成的图。图13为示出本实施方式的衬底处理装置100所包括的切换单元的13的***的构成的另一图。图14为示出本实施方式的衬底处理装置100所包括的控制装置101及切换单元13的构成的框图。
如图12~图14所示,切换单元13具有切换阀131、第1开闭阀VA1和第2开闭阀VA2。另外,切换阀131包括第1切换阀131a、第2切换阀131b和第3切换阀131c。
本实施方式中,在切换阀131,连接有第1排液配管12、第1配管141、第2配管142和第3配管143。第4配管144从第2配管142分支。
如图12及图13所示,第1开闭阀VA1安装于第2配管142。详细而言,第1开闭阀VA1配置于第2配管142与第4配管144的连接部位、与第2端口P2之间。另外,第2开闭阀VA2安装于第4配管144。
第1开闭阀VA1及第2开闭阀VA2分别可在打开状态与关闭状态之间切换。如图14所示,控制装置101(控制部102)对第1开闭阀VA1及第2开闭阀VA2的开闭动作进行控制。第1开闭阀VA1及第2开闭阀VA2的致动器例如为气动致动器或电动致动器。
当将排液RL的流通目的地从第1端口P1(第1配管141)切换至第2端口P2(第2配管142)时,控制装置101(控制部102)使第1开闭阀VA1为打开状态,第2开闭阀VA2为关闭状态。结果,如图12所示,排液RL介由切换阀131流入第2配管142,从第2配管142介由第2端口P2流入第1配管141。
另外,当将排液RL的流通目的地从第3端口P3切换至第4端口P4时,控制装置101(控制部102)使第1开闭阀VA1为关闭状态、第2开闭阀VA2为打开状态。结果,如图13所示,排液RL介由切换阀131流入第2配管142后,从第2配管142流入第4配管144,介由第4端口P4及第5配管145被收集至排液罐21。
本实施方式中,第2配管142与切换阀131的连接部位CP2b(第2连接部位CP2b)与第1配管141及第3配管143中的各自与切换阀131的连接部位(第1连接部位CP2a及第3连接部位CP2c)相比离切换阀131与第1排液配管12的连接部位CP1较远。更具体而言,第2配管142在切换阀131的共通流路MR的终端侧与共通流路MR连通。结果,从第1排液配管12流入共通流路MR的液体较之第1配管141及第3配管143而言更容易流入第2配管142。
根据本实施方式,第1药液处理后,当将排液RL的流通目的地从第1配管141切换至第2配管142,使漂洗液(去离子水)和利用漂洗液(去离子水)而被冲走的硫酸介由第2配管142流入第1排液管线GL1时,使利用漂洗液而被冲走的硫酸容易通过第1排液管线GL1流入。
以上,参照图12~图14对本发明的实施方式2进行了说明。根据本实施方式,与实施方式1同样地,能够降低为了进行废弃而需处理的排液的量。需要说明的是,本实施方式中,第2配管142与切换阀131连接、第4配管144从第2配管142分支,但也可以是第4配管144与切换阀131连接、第2配管142从第4配管144分支。
以上,参照附图(图1~图14)针对本发明的实施方式进行说明。但是,本发明不限于上述的实施方式,可以在不超出其主旨的范围内在各种方式中实施。另外,上述的实施方式所公开的多个构成要素可适当改变。例如,可以将某个实施方式所示的全部构成要素中的某构成要素追加为另一实施方式的构成要素,或者,也可以将某个实施方式所示的全部构成要素中的几个构成要素从实施方式中删除。
为了容易理解发明,附图主要示意性地示出各构成要素,从方便制图出发,有时图示的各构成要素的厚度、长度、个数、间隔等也与实际不同。另外,上述的实施方式所示的各构成要素的构成为一例,没有特别限定,当然可以在实质上不脱离本发明的效果的范围内进行各种变更。
例如,在参照图1~图14所说明的实施方式中,受液部11包括各1个护罩部111及杯部112,但只要是第1药液、第2药液及漂洗液被同一杯部112回收的构成,受液部11可包括多个护罩部111及多个杯部112。
另外,在参照图1~图14所说明的实施方式中,第1药液为SPM,但第1药液不限于SPM。例如,第1药液也可以为磷酸、混酸、TMAH(四甲基氢氧化铵)这样的高粘性的药液。
另外,在参照图1~图14所说明的实施方式中,衬底处理装置100为单片式的装置,但衬底处理装置100可以为批量式的装置。
另外,在参照图1~图14所说明的实施方式中,衬底保持部3为挟持式的卡盘,但不限于衬底保持部3为挟持式的卡盘。例如,衬底保持部3可以为真空式的卡盘。
产业上的可利用性
本发明在对衬底进行处理的装置中有用。
附图标记说明
1:处理部
12:第1排液配管
13:切换单元
14:第2排液配管
100:衬底处理装置
102:控制部
121:水平部
131:切换阀
141:第1配管
142:第2配管
143:第3配管
144:第4配管
CP1:连接部位
CP2a:第1连接部位
CP2b:第2连接部位
CP2c:第3连接部位
CP2d:第4连接部位
P1:第1端口
P2:第2端口
P3:第3端口
P4:第4端口
RL:排液
VA1:第1开闭阀
VA2:第2开闭阀
W:衬底
Claims (8)
1.衬底处理装置,其具备:
使用多种处理液对衬底执行衬底处理的处理部;
供排液流入的第1排液配管,所述排液是从所述处理部排出的所述处理液;
多个第2排液配管;
在所述多个第2排液配管之间对在所述第1排液配管中流通的所述排液的流通目的地进行切换的切换单元;和
控制所述切换单元的控制部,
其中,所述多种处理液包括第1药液、漂洗液和与所述第1药液不同的第2药液,
所述衬底处理包括使用所述第1药液的第1药液处理、使用所述漂洗液的漂洗处理和使用所述第2药液的第2药液处理,
所述处理部依次执行所述第1药液处理、所述漂洗处理和所述第2药液处理,
所述多个第2排液配管包括所述第1药液用的第1配管、所述第1药液用的第2配管和所述第2药液用的第3配管,
所述控制部对所述切换单元进行控制,以将所述第1药液处理中的所述排液的流通目的地设为所述第1配管,在所述第1药液处理后的所述漂洗处理中将所述排液的流通目的地从所述第1配管切换至所述第2配管,并在所述漂洗处理后将所述排液的流通目的地从所述第2配管切换至所述第3配管。
2.如权利要求1所述的衬底处理装置,其中,所述漂洗处理为第1漂洗处理,
所述衬底处理还包括使用所述漂洗液的第2漂洗处理,
所述处理部依次执行所述第1药液处理、所述第1漂洗处理、所述第2药液处理和所述第2漂洗处理,
所述多个第2排液配管还包括所述漂洗液用的第4配管,
所述控制部对所述切换单元进行控制,以将所述第1药液处理中的所述排液的流通目的地设为所述第1配管,在所述第1药液处理后的所述第1漂洗处理中将所述排液的流通目的地从所述第1配管切换至所述第2配管,在所述第1漂洗处理后将所述排液的流通目的地从所述第2配管切换至所述第3配管,在所述第2药液处理后将所述排液的流通目的地从所述第3配管切换至所述第4配管。
3.如权利要求2所述的衬底处理装置,其中,所述切换单元包括切换阀,
所述切换阀与所述第1排液配管、所述第1配管、所述第2配管、所述第3配管及所述第4配管连接,
在所述第1配管、所述第2配管、所述第3配管及所述第4配管中的各自与所述切换阀的连接部位之中,所述第1配管与所述切换阀的连接部位离所述切换阀与所述第1排液配管的连接部位最近。
4.如权利要求3所述的衬底处理装置,其中,所述第2配管与所述切换阀的连接部位与所述第1配管及所述第3配管中的各自与所述切换阀的连接部位相比离所述切换阀与所述第1排液配管的连接部位较远。
5.如权利要求2所述的衬底处理装置,其中,所述切换单元包括切换阀、安装于所述第2配管的开闭阀和安装于所述第4配管的开闭阀,
所述切换阀与所述第1排液配管、所述第1配管及所述第3配管连接并且与所述第2配管或所述第4配管连接,
所述第4配管或所述第2配管从所述第2配管或所述第4配管分支,
在所述第1配管与所述切换阀的连接部位、所述第3配管与所述切换阀的连接部位、及所述第2配管或所述第4配管与所述切换阀的连接部位之中,所述第1配管与所述切换阀的连接部位离所述切换阀与所述第1排液配管的连接部位最近。
6.如权利要求5所述的衬底处理装置,其中,所述第2配管或所述第4配管与所述切换阀的连接部位与所述第1配管及所述第3配管中的各自与所述切换阀的连接部位相比离所述切换阀与所述第1排液配管的连接部位较远。
7.如权利要求3~6中任一项所述的衬底处理装置,其中,所述切换阀以大致水平的姿势以直线状延伸。
8.如权利要求1~6中任一项所述的衬底处理装置,其中,所述第1排液配管包括供所述排液沿大致水平方向流通的水平部。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022133197A JP2024030355A (ja) | 2022-08-24 | 2022-08-24 | 基板処理装置 |
JP2022-133197 | 2022-08-24 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117637533A true CN117637533A (zh) | 2024-03-01 |
Family
ID=90034524
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202311076036.3A Pending CN117637533A (zh) | 2022-08-24 | 2023-08-23 | 衬底处理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2024030355A (zh) |
KR (1) | KR20240028293A (zh) |
CN (1) | CN117637533A (zh) |
TW (1) | TW202410182A (zh) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6494536B2 (ja) | 2016-01-12 | 2019-04-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理装置の洗浄方法 |
-
2022
- 2022-08-24 JP JP2022133197A patent/JP2024030355A/ja active Pending
-
2023
- 2023-07-26 KR KR1020230097651A patent/KR20240028293A/ko unknown
- 2023-07-27 TW TW112128128A patent/TW202410182A/zh unknown
- 2023-08-23 CN CN202311076036.3A patent/CN117637533A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2024030355A (ja) | 2024-03-07 |
KR20240028293A (ko) | 2024-03-05 |
TW202410182A (zh) | 2024-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4672487B2 (ja) | レジスト除去方法およびレジスト除去装置 | |
KR101988848B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP6494536B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理装置の洗浄方法 | |
US7357846B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP5202865B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
US20140045339A1 (en) | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method | |
US10978317B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP2008108829A (ja) | 二流体ノズルおよびそれを用いた基板処理装置 | |
JP2006278509A (ja) | レジスト除去装置およびレジスト除去方法 | |
TWI816227B (zh) | 基板處理裝置、洗淨單元及多通道閥洗淨方法 | |
JP2008235342A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
CN108713239B (zh) | 基板处理方法及基板处理装置 | |
CN117637533A (zh) | 衬底处理装置 | |
JP2017183568A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2007234812A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
WO2016152371A1 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
CN110073472B (zh) | 基板处理方法、送液方法以及基板处理装置 | |
JP2008004819A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2007311559A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
KR101008343B1 (ko) | 기판처리장치 및 이를 이용하는 기판처리방법 | |
JP2024074904A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、及び、半導体製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |