TW202422677A

TW202422677A - 基板處理裝置

Info

Publication number: TW202422677A
Application number: TW112138235A
Authority: TW
Inventors: 遠藤亨
Original assignee: 日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date: 2022-10-06
Filing date: 2023-10-05
Publication date: 2024-06-01

Abstract

基板處理裝置(100)具備噴嘴(2)、第1液體接收部(41)、第2液體接收部(42)、排液管線(L2)、回收管線(L3)、第1貯存部(111)、及第2貯存部(151)。噴嘴(2)向基板(W)排他地噴出第1藥液及第2藥液。第1液體接收部(41)接收自基板(W)排出之第1藥液。第2液體接收部(42)接收自基板(W)排出之第2藥液。第1藥液自第1液體接收部(41)流入至排液管線(L2)。第2藥液自第2液體接收部(42)流入至回收管線(L3)。第1貯存部(111)貯存第1藥液中所含之第3藥液。第2貯存部(151)貯存第2藥液中所含之第4藥液。第1藥液與第2藥液係同種藥液。回收管線(L3)將第2藥液引導至第1貯存部(111)。

Description

基板處理裝置

本發明係關於一種基板處理裝置。

專利文獻1中揭示有一種基板處理裝置，其於高效率地自基板去除抗蝕劑的同時，回收硫酸之濃度較高之SPM(硫酸過氧化氫水溶液：Sulfuric Acid Hydrogen Peroxide Mixture)。SPM係硫酸與過氧化氫水之混合液。專利文獻1之基板處理裝置於向基板供給第1 SPM之後，向基板供給硫酸與過氧化氫之混合比大於第1 SPM之第2 SPM，從而自基板去除抗蝕劑。

具體而言，專利文獻1之基板處理裝置使自基板排出之第1 SPM流入至排液配管，使自基板排出之第2 SPM流入至回收配管。專利文獻1之基板處理裝置具備回收槽、硫酸槽、及噴嘴。回收配管使第2 SPM貯存於回收槽。回收槽內之第2 SPM經由輸液配管輸送至硫酸槽。當硫酸槽內之硫酸之濃度成為下限值以下時，向硫酸槽補充硫酸之新液。硫酸槽內之藥液經由硫酸配管供給至噴嘴。進而，經由過氧化氫水配管向噴嘴供給過氧化氫水。於噴嘴中，自硫酸槽供給之藥液與過氧化氫混合，從而製作第1 SPM或第2 SPM。詳細而言，專利文獻1之基板處理裝置控制配置於硫酸配管之硫酸流量調整閥、及配置於過氧化氫水配管之過氧化氫水流量調整閥中之至少一者，調整自硫酸槽供給之藥液與過氧化氫之混合比，藉此製作第1 SPM或第2 SPM。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2019-176125號公報

[發明所欲解決之問題]

然而，專利文獻1之基板處理裝置使用回收至回收槽之第2 SPM，製作第1 SPM及第2 SPM兩者。回收至回收槽之第2 SPM中可能包含了抗蝕劑。因此，回收至回收槽之第2 SPM之潔淨度可能會因抗蝕劑而降低。由此，第1 SPM及第2 SPM兩者之潔淨度可能會降低。其結果為，有可能處理後之基板之微粒數會增加，導致處理後之基板之潔淨度降低。因此，專利文獻1之基板處理裝置需要增加將硫酸槽內之藥液更換為硫酸之新液之液更換處理之頻率。

本發明係鑒於上述問題而完成者，其目的在於提供一種基板處理裝置，即便將自基板排出之藥液回收後再利用，基板處理後之基板之潔淨度亦不易降低。 [解決問題之技術手段]

根據本發明之一態樣，基板處理裝置具備噴嘴、切換部、控制部、液體接收部、排液管線、回收管線、第1貯存部、及第2貯存部。上述噴嘴向基板排他地噴出第1藥液及第2藥液，從而對上述基板進行處理。上述切換部將自上述噴嘴噴出之藥液於上述第1藥液與上述第2藥液之間切換。上述控制部控制上述切換部。上述液體接收部包含第1液體接收部及第2液體接收部。上述第1液體接收部接住自上述基板排出之上述第1藥液。上述第2液體接收部接住自上述基板排出之上述第2藥液。上述第1藥液自上述第1液體接收部流入至上述排液管線。上述第2藥液自上述第2液體接收部流入至上述回收管線。上述第1貯存部貯存上述第1藥液中所含之第3藥液。上述第2貯存部貯存上述第2藥液中所含之第4藥液。上述第1藥液與上述第2藥液係同種藥液。上述回收管線將上述第2藥液引導至上述第1貯存部。

於某一實施方式中，上述基板處理裝置進而具備第1循環部、第2循環部、及藥液供給管線。上述第1循環部使上述第3藥液經由上述第1貯存部循環。上述第2循環部使上述第4藥液經由上述第2貯存部循環。上述藥液供給管線供於上述第1循環部循環之上述第3藥液流入。上述藥液供給管線供於上述第2循環部循環之上述第4藥液流入。上述切換部在上述第3藥液向上述藥液供給管線流入與停止上述流入之間進行切換。

於某一實施方式中，利用上述第1藥液之基板處理係將去除對象物自上述基板去除之處理，利用上述第2藥液之基板處理係將上述去除對象物之殘渣物自上述基板去除之處理。

於某一實施方式中，上述第1藥液及上述第2藥液係硫酸與過氧化氫水之混合液。

於某一實施方式中，上述第4藥液係上述硫酸之新液。

於某一實施方式中，上述第1貯存部於初始狀態下貯存上述硫酸，並藉由利用上述回收管線回收上述第2藥液，從而貯存上述硫酸與上述過氧化氫水之混合液。 [發明之效果]

根據本發明之基板處理裝置，即便將自基板排出之藥液回收後再利用，基板處理後之基板之潔淨度亦不易降低。

以下，參照圖式(圖1～圖8)對本發明之基板處理裝置之實施方式進行說明。但是，本發明並不限定於以下實施方式，可於不脫離其主旨之範圍內於多種態樣下實施。再者，對於說明重複之部分，有時會適當地省略說明。又，圖中，對於相同或相當部分標註相同之參照符號，不會重複進行說明。

於本發明之基板處理裝置中，成為基板處理之對象之「基板」可應用各種基板，如半導體晶圓、光罩用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、電漿顯示用玻璃基板、FED(Field Emission Display，場發射顯示裝置)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、及光磁碟用基板等。以下，主要係以將圓盤狀之半導體晶圓作為基板處理之對象之情形為例，對本發明之實施方式進行說明，但本發明之基板處理裝置亦可同樣地應用於除上述半導體晶圓以外之各種基板。又，基板之形狀亦並不限定於圓盤狀，本發明之基板處理裝置可應用於各種形狀之基板。

首先，參照圖1，對本實施方式之基板處理裝置100進行說明。圖1係本實施方式之基板處理裝置100之模式圖。具體而言，圖1係基板處理裝置100之模式性俯視圖。基板處理裝置100使用處理液對基板W進行處理。更具體而言，基板處理裝置100係單片式裝置，逐片地對基板W進行處理。

如圖1所示，基板處理裝置100具備複數個基板處理部1、第1藥液櫃101、第2藥液櫃103、複數個流體箱105、複數個負載埠LP、分度機器人IR、中心機器人CR、及控制裝置200。

負載埠LP之各者將複數片基板W積層而收容。本實施方式中，於未處理之基板W(處理前之基板W)之各者附著有不需要之抗蝕劑之遮罩(抗蝕膜)。

分度機器人IR於負載埠LP與中心機器人CR之間搬送基板W。中心機器人CR於分度機器人IR與基板處理部1之間搬送基板W。再者，亦可設為如下裝置構成，即，於分度機器人IR與中心機器人CR之間設置暫時載置基板W之載置台(通路)，將基板W於分度機器人IR與中心機器人CR之間經由載置台而間接地傳送。

複數個基板處理部1形成複數個塔TW(圖1中為4個塔TW)。複數個塔TW以於俯視下包圍中心機器人CR之方式配置。各塔TW包含於上下方向積層之複數個基板處理部1(圖1中為3個基板處理部1)。

於本實施方式中，第1藥液櫃101收容硫酸(H ₂SO ₄)、或硫酸與過氧化氫水(H ₂O ₂)之混合液。具體而言，第1藥液櫃101於初始狀態下收容硫酸之新液。基板處理部1使用硫酸過氧化氫水溶液(SPM：Sulfuric Acid Hydrogen Peroxide Mixture)對基板W進行處理。硫酸過氧化氫水溶液(SPM)係硫酸與過氧化氫水之混合液。當基板處理部1進行基板處理時，SPM會自基板處理部1回收，並收容於第1藥液櫃101。其結果為，硫酸與自基板處理部1回收之SPM於第1藥液櫃101內混合，且硫酸與過氧化氫水之混合液收容於第1藥液櫃101。

於本實施方式中，第2藥液櫃103收容硫酸之新液。自基板處理部1回收之SPM不被收容於第2藥液櫃103。因此，第2藥液櫃103始終收容硫酸之新液。

流體箱105分別對應於複數個塔TW中之一者。第1藥液櫃101內之藥液(硫酸、或硫酸與過氧化氫水之混合液)經由任一流體箱105而被供給至與流體箱105對應之塔TW中所含之所有基板處理部1。同樣，第2藥液櫃103內之藥液(硫酸)經由任一流體箱105而被供給至與流體箱105對應之塔TW中所含之所有基板處理部1。

基板處理部1之各者使用SPM對基板W進行處理。更具體而言，基板處理部1之各者將第1 SPM、第2 SPM、及清洗液依序供給至基板W，以自基板W去除抗蝕膜。第1 SPM與第2 SPM中，硫酸與過氧化氫水之混合比不同。具體而言，第2 SPM之硫酸之比率大於第1 SPM。即，第2 SPM之硫酸之濃度高於第1 SPM。藉由將第1 SPM供給至基板W，從而自基板W去除抗蝕膜之硬化層之一部分。藉由將第2 SPM供給至基板W，從而自基板W去除抗蝕膜之殘渣物。

清洗液係去離子水(Deionized water；DIW)。去離子水係所謂「超純水」。但是，清洗液並不限定於去離子水。例如，清洗液可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、氨水、或經稀釋之鹽酸水(例如濃度為10 ppm～100 ppm左右之鹽酸水)。

繼而，對控制裝置200進行說明。控制裝置200係對基板處理裝置100之各部之動作進行控制。例如，控制裝置200控制基板處理部1、負載埠LP、分度機器人IR、中心機器人CR、第1藥液櫃101、第2藥液櫃103、及流體箱105。控制裝置200包含控制部201及記憶部202。

控制部201基於記憶於記憶部202之各種資訊，對基板處理裝置100之各部之動作進行控制。控制部201例如具有處理器。控制部201亦可具有CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)、或MPU(Micro Processing Unit，微處理器)作為處理器。或者，控制部201亦可具有通用計算機或專用計算器。

記憶部202記憶用以對基板處理裝置100之動作進行控制之各種資訊。例如，記憶部202記憶資料及電腦程式。資料中例如包含收容於第1藥液櫃101之藥液中所含之硫酸之濃度之閾值。又，資料包含收容於第1藥液櫃101之藥液之溫度之設定值、收容於第2藥液櫃103之藥液之溫度之設定值、及自流體箱105供給至基板處理部1之藥液之溫度之設定值。進而，資料包含配方資料。配方資料表示規定基板W之處理內容、處理條件、及處理順序之配方。

記憶部202具有主記憶裝置。主記憶裝置例如係半導體記憶體。記憶部202亦可進而具有輔助記憶裝置。輔助記憶裝置例如包含半導體記憶體及硬碟中之至少一者。記憶部202亦可包含可移媒體。

繼而，參照圖1及圖2，對本實施方式之基板處理裝置100進行說明。圖2係表示本實施方式之基板處理裝置100之構成之一部分之圖。詳細而言，圖2表示第1藥液櫃101之構成、第2藥液櫃103之構成、及基板處理部1之構成。又，圖2表示使藥液於第1藥液櫃101、第2藥液櫃103、及基板處理部1之間流通之各種配管。

如圖2所示，基板處理裝置100進而具備第1循環部110、第1供給部120、濃度測定部130、第1補充部140、第2循環部150、第2供給部160、第2補充部170、回收部30、第1供給管線L1、及排液管線L2。第1供給管線L1係「藥液供給管線」之一例。

首先，對基板處理部1進行說明。如圖2所示，基板處理部1具有腔室1a、噴嘴2、對向構件3、及液體接收部4。

腔室1a具有大致箱形狀。腔室1a收容噴嘴2、對向構件3、液體接收部4、及基板W。

噴嘴2向基板W排他地噴出第1 SPM及第2 SPM，對基板W進行處理。第1 SPM係「第1藥液」之一例，第2 SPM係「第2藥液」之一例。第2 SPM係與第1 SPM同種之藥液，如上文所說明，第1 SPM與第2 SPM中，硫酸與過氧化氫水之混合比不同。利用第1 SPM之基板處理係自基板W去除抗蝕膜之一部分之處理，利用第2 SPM之基板處理係自基板W去除抗蝕膜之殘渣物之處理。抗蝕膜係「去除對象物」之一例。

更具體而言，噴嘴2將第1 SPM供給至基板W，於基板W之上表面形成第1 SPM之液膜。其結果為，藉由第1 SPM，基板W中所含之抗蝕膜之硬化層之一部分自基板本體剝離。或者，抗蝕膜之硬化層之一部分被破壞。

噴嘴2於形成第1 SPM之液膜之後，將第2 SPM供給至基板W。其結果為，第1 SPM被第2 SPM自基板W沖走而自基板W排出，於基板W之上表面形成第2 SPM之液膜。此時，藉由第1 SPM而被剝離或破壞之硬化層與第1 SPM一同自基板W排出。藉由將第2 SPM供給至基板W，基板W中所含之抗蝕膜之殘渣物自基板本體剝離。或者，殘渣物被破壞。

對向構件3與基板W相對向。詳細而言，對向構件3配置於基板W之上方。對向構件3於形成第2 SPM之液膜之後，將清洗液供給至基板W。其結果為，第2 SPM被清洗液自基板W沖走而自基板W排出。又，此時，藉由第2 SPM而被剝離或破壞之抗蝕膜之殘渣物與第2 SPM一同自基板W排出。

液體接收部4接住自基板W排出之藥液。液體接收部4進而接住自基板W排出之清洗液。詳細而言，液體接收部4包含第1液體接收部41及第2液體接收部42。第1液體接收部41接住自基板W排出之第1 SPM。第1液體接收部41進而接住自基板W排出之清洗液。第2液體接收部42接住自基板W排出之第2 SPM。

繼而，對第1循環部110進行說明。如圖2所示，第1循環部110具有第1貯存部111、第1循環配管112、第1加熱構件113、及第1循環泵114。

第1貯存部111收容於第1藥液櫃101內。第1貯存部111貯存硫酸、或硫酸與過氧化氫水之混合液。貯存於第1貯存部111之藥液(硫酸、或硫酸與過氧化氫水之混合液)係「第3藥液」之一例。自噴嘴2噴出之第1 SPM包含自第1貯存部111供給之藥液(硫酸、或硫酸與過氧化氫水之混合液)。以下，有時會將貯存於第1貯存部111之藥液(硫酸、或硫酸與過氧化氫水之混合液)記載為「第1貯存藥液」。第1循環部110使第1貯存藥液經由第1貯存部111循環。

具體而言，第1循環配管112之一端連接於第1貯存部111。第1貯存藥液自第1貯存部111流入至第1循環配管112。第1循環配管112係供第1貯存藥液流通之管狀之構件。第1循環配管112之另一端連接於第1貯存部111。自第1循環配管112之一端流通至另一端之第1貯存藥液返回至第1貯存部111，並貯存於第1貯存部111。第1循環配管112之一部分收容於第1藥液櫃101內。第1循環配管112之另一部分收容於參照圖1所說明之流體箱105內。

第1加熱構件113收容於第1藥液櫃101內。第1加熱構件113配置於第1循環配管112，對第1貯存藥液進行加熱。例如，第1加熱構件113以165℃對第1貯存藥液進行加熱。第1循環泵114收容於第1藥液櫃101內。第1循環泵114以第1貯存藥液於第1循環配管112內自第1循環配管112之一端流向另一端之方式，輸送第1貯存藥液。第1加熱構件113及第1循環泵114由控制裝置200(控制部201)控制。

繼而，對第2循環部150進行說明。如圖2所示，第2循環部150具有第2貯存部151、第2循環配管152、第2加熱構件153、及第2循環泵154。

第2貯存部151收容於第2藥液櫃103內。第2貯存部151貯存硫酸之新液。貯存於第2貯存部151之藥液(硫酸之新液)係「第4藥液」之一例。自噴嘴2噴出之第2 SPM包含自第2貯存部151供給之藥液(硫酸之新液)。以下，有時會將貯存於第2貯存部151之藥液(硫酸之新液)記載為「第2貯存藥液」。第2循環部150使第2貯存藥液經由第2貯存部151循環。

具體而言，第2循環配管152之一端連接於第2貯存部151。第2貯存藥液自第2貯存部151流入至第2循環配管152。第2循環配管152係供第2貯存藥液流通之管狀之構件。第2循環配管152之另一端連接於第2貯存部151。自第2循環配管152之一端流通至另一端之第2貯存藥液返回至第2貯存部151，並貯存於第2貯存部151。第2循環配管152之一部分收容於第2藥液櫃103內。第2循環配管152之另一部分收容於參照圖1所說明之流體箱105內。

第2加熱構件153收容於第2藥液櫃103內。第2加熱構件153配置於第2循環配管152，對第2貯存藥液進行加熱。例如，第2加熱構件153以165℃對第2貯存藥液進行加熱。第2循環泵154收容於第2藥液櫃103內。第2循環泵154以第2貯存藥液於第2循環配管152內自第2循環配管152之一端流向另一端之方式，輸送第2貯存藥液。第2加熱構件153及第2循環泵154由控制裝置200(控制部201)控制。

繼而，對第1供給管線L1、第1供給部120、及第2供給部160進行說明。如圖2所示，第1供給部120具有第1供給配管121及第1返回配管122。第2供給部160具有第2供給配管161及第2返回配管162。第1供給配管121及第1返回配管122收容於參照圖1所說明之流體箱105。第2供給配管161之一部分收容於流體箱105內。第2供給配管161之另一部分收容於腔室1a內。第2返回配管162收容於流體箱105內。於本實施方式中，第1供給管線L1包含第2供給配管161。

第1供給配管121係供第1貯存藥液流通之管狀之構件。具體而言，第1供給配管121之一端連接於第1循環配管112。於第1循環部110循環之第1貯存藥液流入至第1供給配管121。詳細而言，第1貯存藥液自第1循環配管112流入至第1供給配管121。第1供給配管121之另一端連接於第2供給配管161(第1供給管線L1)。於藉由第1 SPM對基板W進行處理時，於第1循環部110循環之第1貯存藥液經由第1供給配管121流入至第2供給配管161(第1供給管線L1)。

第1返回配管122係供第1貯存藥液流通之管狀之構件。具體而言，第1返回配管122自第1供給配管121分支，延伸至第1循環配管112。即，第1返回配管122之一端連接於第1供給配管121，第1返回配管122之另一端連接於第1循環配管112。當未進行利用第1 SPM之基板處理時，第1貯存藥液自第1供給配管121流入至第1返回配管122。第1返回配管122使第1貯存藥液流通至第1循環配管112，從而返回至第1循環配管112。

進而，於第2循環部150循環之第2貯存藥液流入至第2供給配管161(第1供給管線L1)。具體而言，第2供給配管161之一端連接於第2循環配管152。第2供給配管161之另一端連接於噴嘴2。第1供給配管121連接於第2供給配管161之一端與另一端之間。

第2供給配管161係管狀之構件，於進行利用第2 SPM之基板處理時，使自第2循環配管152流入至第2供給配管161之第2貯存藥液流通至噴嘴2。因此，於進行利用第2 SPM之基板處理時，第1供給管線L1將第2貯存藥液供給至噴嘴2。

於進行利用第1 SPM之基板處理時，第1供給管線L1將第1貯存藥液供給至噴嘴2。詳細而言，於進行利用第1 SPM之基板處理時，第2供給配管161使自第2循環配管152流入至第2供給配管161之第2貯存藥液自第2供給配管161與第2循環配管152之連接處流通至第2供給配管161與第1供給配管121之連接處，使第2貯存藥液與第1貯存藥液之混合液自第2供給配管161與第1供給配管121之連接處流通至噴嘴2。因此，於進行利用第1 SPM之基板處理時，第1供給管線L1將第2貯存藥液與第1貯存藥液之混合液供給至噴嘴2。由此，自噴嘴2噴出之第2 SPM包含第2貯存藥液與第1貯存藥液之混合液。

第2返回配管162係供第2貯存藥液流通之管狀之構件。具體而言，第2返回配管162自第2供給配管161分支，延伸至第2循環配管152。即，第2返回配管162之一端連接於第2供給配管161，第2返回配管162之另一端連接於第2循環配管152。於未進行利用第1 SPM之基板處理及利用第2 SPM之基板處理時，第2貯存藥液自第2供給配管161流入至第2返回配管162。第2返回配管162使第2貯存藥液流通至第2循環配管152，從而返回至第2循環配管152。

繼而，對排液管線L2進行說明。於進行利用第1 SPM之基板處理時，第1 SPM自第1液體接收部41流入至排液管線L2。其結果為，第1 SPM被排出。第1 SPM包含第1貯存藥液。又，於進行利用清洗液之基板處理時，清洗液自第1液體接收部41流入至排液管線L2。其結果為，清洗液被排出。

詳細而言，排液管線L2包含排液配管21。排液配管21係供第1 SPM及清洗液流通之管狀之構件。於進行利用第1 SPM之基板處理時，第1 SPM流入至排液配管21。又，於進行利用清洗液之基板處理時，清洗液流入至排液配管21。排液管線L2(排液配管21)使第1 SPM及清洗液流入至與設置有基板處理裝置100之工廠之廢液設備連接之配管。再者，排液配管21之一部分收容於參照圖1所說明之流體箱105內。

繼而，對回收部30進行說明。如圖2所示，回收部30包含回收管線L3。第2 SPM自第2液體接收部42流入至回收管線L3。回收管線L3將第2 SPM向第1貯存部111引導。因此，第1貯存部111於初始狀態下貯存硫酸(新液)，並藉由利用回收管線L3回收第2 SPM，從而貯存硫酸與過氧化氫水之混合液。

詳細而言，回收部30具有第1回收配管31、回收槽32、第2回收配管33、及回收泵34。回收管線L3包含第1回收配管31、第2回收配管33、及回收泵34。第1回收配管31之一部分收容於參照圖1所說明之流體箱105內。第1回收配管31之另一部分收容於第1藥液櫃101。回收槽32、第2回收配管33、及回收泵34收容於第1藥液櫃101。

第1回收配管31係供第2 SPM流通之管狀之構件。於進行利用第2 SPM之基板處理時，第2 SPM流入至第1回收配管31。第1回收配管31使第2 SPM流通至回收槽32。其結果為，第2 SPM貯存於回收槽32。

第2回收配管33之一端連接於回收槽32，第2回收配管33之另一端連接於第1貯存部111。回收泵34配置於第2回收配管33。第2 SPM自回收槽32流入至第2回收配管33。回收泵34以第2 SPM於第2回收配管33內自第2回收配管33之一端流向另一端之方式，輸送第2 SPM。回收泵34由控制裝置200(控制部201)控制。

繼而，對濃度測定部130進行說明。濃度測定部130測定第1貯存藥液中所含之硫酸之濃度。具體而言，如圖2所示，濃度測定部130具有分支配管131、及濃度計132。分支配管131、及濃度計132收容於第1藥液櫃101。

分支配管131自第1循環配管112分支，延伸至第1貯存部111。因此，第1貯存藥液自第1循環配管112流入至分支配管131。流入分支配管131之第1貯存藥液藉由分支配管131返回至第1貯存部111。濃度計132配置於分支配管131，測定於分支配管131流通之第1貯存藥液中所含之硫酸之濃度。硫酸之濃度之測定結果輸入至控制裝置200(控制部201)。

繼而，對第1補充部140進行說明。第1補充部140將硫酸之新液補充至第1貯存部111。第1補充部140由控制裝置200(控制部201)控制。例如，當第1貯存藥液中所含之硫酸之濃度為第1設定值以下時，控制裝置200(控制部201)將硫酸(新液)自第1補充部140補充至第1貯存部111，使第1貯存藥液中所含之硫酸之濃度維持在特定值。又，當貯存於第1貯存部111之第1貯存藥液之量為第2設定值以下時，控制裝置200(控制部201)將硫酸(新液)自第1補充部140補充至第1貯存部111。

更具體而言，如圖2所示，第1補充部140具有第1補充配管141、及第1補充開關閥142。第1補充配管141連接於設置有基板處理裝置100之工廠之輸電設備。第1補充配管141之一部分收容於第1藥液櫃101。第1補充配管141係供硫酸流通之管狀之構件，使硫酸流通至第1貯存部111。第1補充開關閥142配置於第1補充配管141。第1補充開關閥142控制硫酸自第1補充配管141向第1貯存部111供給及停止供給。第1補充開關閥142可配置於第1藥液櫃101之外部，亦可收容於第1藥液櫃101之內部。第1補充開關閥142之致動器例如係氣動致動器、或電動致動器。第1補充開關閥142之打開及關閉由控制裝置200(控制部201)控制。

詳細而言，如上文所說明，所回收之第2 SPM流入至第1貯存部111。由於第2 SPM係硫酸與過氧化氫水之混合液，故而第1貯存藥液中所含之硫酸之濃度因第2 SPM流入至第1貯存部111而降低。

當濃度測定部130(濃度計132)之測定結果為第1設定值以下時，控制裝置200(控制部201)打開第1補充開關閥142。其結果為，硫酸(新液)自第1補充配管141流入至第1貯存部111，第1貯存藥液中所含之硫酸之濃度增加。當濃度測定部130(濃度計132)之測定結果達到第1設定值時，控制裝置200(控制部201)關閉第1補充開關閥142。其結果為，第1貯存藥液中所含之硫酸之濃度維持在特定值。再者，新液之硫酸之濃度例如為96%或98%。第1設定值例如為90%或89%。

又，如上文所說明，第2 SPM流入至第1貯存部111，而用於利用第1 SPM之基板處理之第1貯存藥液被排出。因此，根據要流入之第2 SPM之量與要排出之第1貯存藥液之量之平衡，貯存於第1貯存部111之第1貯存藥液之量可能會減少。

當貯存於第1貯存部111之第1貯存藥液之量為第2設定值以下時，控制裝置200(控制部201)打開第1補充開關閥142。其結果為，硫酸(新液)自第1補充配管141流入至第1貯存部111，貯存於第1貯存部111之第1貯存藥液之量增加。當貯存於第1貯存部111之第1貯存藥液之量達到第3設定值時，控制裝置200(控制部201)關閉第1補充開關閥142。第3設定值表示大於第2設定值之值。再者，第1貯存部111中設有檢測與貯存於第1貯存部111之第1貯存藥液之量對應之值之液位計(未圖示)。控制裝置200(控制部201)基於液位計之檢測結果，判定貯存於第1貯存部111之第1貯存藥液之量是否為第2設定值以下。

又，如上文所說明，自基板W排出第2 SPM時，來自基板W之抗蝕膜之殘渣物亦自基板W排出。因此，第1貯存藥液之潔淨度可能會因抗蝕膜之殘渣物而降低。

控制裝置200(控制部201)例如每隔固定時間便執行液更換處理，即，將貯存於第1貯存部111之第1貯存藥液更換為硫酸之新液。具體而言，控制裝置200(控制部201)將第1貯存部111內之第1貯存藥液自連接於第1貯存部111之排液管線(未圖示)排出後，打開第1補充開關閥142。其結果為，硫酸(新液)自第1補充配管141補充至第1貯存部111。當第1貯存部111內之硫酸(新液)之量達到第3設定值時，控制裝置200(控制部201)關閉第1補充開關閥142。

繼而，對第2補充部170進行說明。第2補充部170向第2貯存部151補充硫酸之新液。第2補充部170由控制裝置200(控制部201)控制。例如，當貯存於第2貯存部151之第2貯存藥液之量為第4設定值以下時，控制裝置200(控制部201)自第2補充部170向第2貯存部151補充硫酸(新液)。

更具體而言，如圖2所示，第2補充部170具有第2補充配管171及第2補充開關閥172。第2補充配管171連接於設置有基板處理裝置100之工廠之輸電設備。第2補充配管171之一部分收容於第2藥液櫃103。第2補充配管171係供硫酸流通之管狀之構件，使硫酸流通至第2貯存部151。第2補充開關閥172配置於第2補充配管171。第2補充開關閥172控制硫酸自第2補充配管171向第2貯存部151供給及停止供給。第2補充開關閥172可配置於第2藥液櫃103之外部，亦可收容於第2藥液櫃103之內部。第2補充開關閥172之致動器例如係氣動致動器、或電動致動器。第2補充開關閥172之打開及關閉由控制裝置200(控制部201)控制。

更詳細而言，第2貯存部151未連接於回收管線L3。因此，每當進行利用第2 SPM之基板處理時，貯存於第2貯存部151之第2貯存藥液之量減少。

當貯存於第2貯存部151之第2貯存藥液之量為第4設定值以下時，控制裝置200(控制部201)打開第2補充開關閥172。其結果為，硫酸(新液)自第2補充配管171流入至第2貯存部151，貯存於第2貯存部151之第2貯存藥液之量增加。當貯存於第2貯存部151之第2貯存藥液之量達到第5設定值時，控制裝置200(控制部201)關閉第2補充開關閥172。第5設定值表示大於第4設定值之值。再者，第2貯存部151中設有檢測與貯存於第2貯存部151之第2貯存藥液之量對應之值之液位計(未圖示)。控制裝置200(控制部201)基於液位計之檢測結果，判定貯存於第2貯存部151之第2貯存藥液之量是否為第4設定值以下。

繼而，參照圖3，對第1供給部120及第2供給部160(第1供給管線L1)進行說明。圖3係表示本實施方式之基板處理裝置100中所含之第1供給部120及第2供給部160之構成之圖。

如圖3所示，第1供給部120進而具有第1流量計123、第1流量調整閥124、第1供給開關閥125、及第1返回開關閥126。第1流量計123、第1流量調整閥124、第1供給開關閥125、及第1返回開關閥126收容於參照圖1所說明之流體箱105內。

第1流量計123、第1流量調整閥124、及第1供給開關閥125配置於第1供給配管121。詳細而言，自第1供給配管121之上游側向下游側依序配置第1流量計123、第1流量調整閥124、及第1供給開關閥125。

第1流量計123測定於第1供給配管121流通之第1貯存藥液之流量。第1流量計123之測定結果被輸入至控制裝置200(控制部201)。

第1流量調整閥124調整於第1供給配管121流通之第1貯存藥液之流量。第1流量調整閥124可調整開度，第1貯存藥液之流量成為與第1流量調整閥124之開度相對應之大小。第1流量調整閥124之致動器例如係電動致動器。第1流量調整閥124例如可為馬達針閥。

第1流量調整閥124之開度由控制裝置200(控制部201)控制。詳細而言，控制裝置200(控制部201)基於第1流量計123之測定結果來調整第1流量調整閥124之開度。

第1供給開關閥125控制第1貯存藥液自第1供給配管121向第2供給配管161(第1供給管線L1)供給及停止供給。第1供給開關閥125之致動器例如係氣動致動器、或電動致動器。第1供給開關閥125之打開及關閉由控制裝置200(控制部201)控制。第1供給開關閥125係「切換部」之一例。

第1返回開關閥126配置於第1返回配管122。第1返回配管122之一端於第1流量調整閥124與第1供給開關閥125之間連接於第1供給配管121。第1返回開關閥126控制第1貯存藥液自第1返回配管122向第1循環配管112(第1循環部110)供給及停止供給。第1返回開關閥126之致動器例如係氣動致動器、或電動致動器。第1返回開關閥126之打開及關閉由控制裝置200(控制部201)控制。

繼而，對第2供給部160進行說明。如圖3所示，第2供給部160進而具有第3加熱構件163、第2流量計164、第2流量調整閥165、第2供給開關閥166、及第2返回開關閥167。第3加熱構件163、第2流量計164、第2流量調整閥165、第2供給開關閥166、及第2返回開關閥167收容於參照圖1所說明之流體箱105內。

第3加熱構件163、第2流量計164、第2流量調整閥165、及第2供給開關閥166配置於第2供給配管161。詳細而言，自第2供給配管161之上游側向下游側依序配置第3加熱構件163、第2流量計164、第2流量調整閥165、及第2供給開關閥166。再者，第1供給配管121於第3加熱構件163之上游側連接於第2供給配管161。

第3加熱構件163加熱於第2供給配管161流通之藥液。詳細而言，第3加熱構件163於進行利用第1 SPM之基板處理時，加熱第1貯存藥液與第2貯存藥液之混合液。又，第3加熱構件163於進行利用第2 SPM之基板處理時，加熱第2貯存藥液。例如，第3加熱構件163於170℃加熱於第2供給配管161流通之藥液(第1貯存藥液與第2貯存藥液之混合液、及第2貯存藥液)。以下，有時會將第1貯存藥液與第2貯存藥液之混合液記載為「貯存混合液」。

第2流量計164測定於第2供給配管161流通之藥液(第2貯存液、及貯存混合液)之流量。第2流量計164之測定結果被輸入至控制裝置200(控制部201)。

第2流量調整閥165調整於第2供給配管161流通之藥液(第2貯存液、及貯存混合液)之流量。第2流量調整閥165可調整開度，於第2供給配管161流通之藥液(第2貯存液、及貯存混合液)之流量成為與第2流量調整閥165之開度相對應之大小。第2流量調整閥165之致動器例如係電動致動器。第2流量調整閥165例如可為馬達針閥。

第2流量調整閥165之開度由控制裝置200(控制部201)控制。詳細而言，控制裝置200(控制部201)基於第2流量計164之測定結果來調整第2流量調整閥165之開度。

第2供給開關閥166控制藥液(第2貯存藥液、及貯存混合液)自第2供給配管161向噴嘴2供給及停止供給。第2供給開關閥166之致動器例如係氣動致動器、或電動致動器。第2供給開關閥166之打開及關閉由控制裝置200(控制部201)控制。

第2返回開關閥167配置於第2返回配管162。第2返回配管162之一端於第2流量調整閥165與第2供給開關閥166之間連接於第2供給配管161。第2返回開關閥167控制第2貯存藥液自第2返回配管162向第2循環配管152(第2循環部150)供給及停止供給。第2返回開關閥167之致動器例如係氣動致動器、或電動致動器。第2返回開關閥167之打開及關閉由控制裝置200(控制部201)控制。

繼而，參照圖3～圖5，對第1供給部120及第2供給部160(第1供給管線L1)進行說明。圖3表示未進行利用第1 SPM之基板處理、及利用第2 SPM之基板處理時之第1供給部120及第2供給部160。

如圖3所示，於未進行利用第1 SPM之基板處理、及利用第2 SPM之基板處理時，控制裝置200(控制部201)將第1供給開關閥125及第2供給開關閥166設為關閉狀態，將第1返回開關閥126及第2返回開關閥167設為打開狀態。其結果為，自第1循環配管112流入至第1供給配管121之第1貯存藥液經由第1返回配管122返回至第1循環配管112。又，自第2循環配管152流入至第2供給配管161之第2貯存藥液經由第2返回配管162返回至第2循環配管152。

圖4係表示進行利用第1 SPM之基板處理時之第1供給部120及第2供給部160之圖。如圖4所示，於進行利用第1 SPM之基板處理時，控制裝置200(控制部201)將第1供給開關閥125及第2供給開關閥166設為打開狀態，將第1返回開關閥126及第2返回開關閥167設為關閉狀態。其結果為，第1貯存藥液流入至第2供給配管161，第1貯存藥液與第2貯存藥液之混合液(貯存混合液)經由第2供給配管161被供給至噴嘴2。

此時，第3加熱構件163以170℃加熱第1貯存藥液與第2貯存藥液之混合液(貯存混合液)。又，控制裝置200(控制部201)以於第2供給配管161流通之第1貯存藥液與第2貯存藥液之混合液(貯存混合液)之流量成為第1特定流量之方式，調整第1流量調整閥124之開度、及第2流量調整閥165之開度。

圖5係表示進行利用第2 SPM之基板處理時之第1供給部120及第2供給部160之圖。如圖5所示，於進行利用第2 SPM之基板處理時，控制裝置200(控制部201)將第1供給開關閥125設為關閉狀態，將第2供給開關閥166設為打開狀態，將第1返回開關閥126設為打開狀態，將第2返回開關閥167設為關閉狀態。其結果為，自第1循環配管112流入至第1供給配管121之第1貯存藥液經由第1返回配管122返回至第1循環配管112。又，自第2循環配管152流入至第2供給配管161之第2貯存藥液經由第2供給配管161被供給至噴嘴2。

此時，第3加熱構件163於170℃加熱第2貯存藥液。又，控制裝置200(控制部201)以於第2供給配管161流通之第2貯存藥液之流量成為第2特定流量之方式，調整第2流量調整閥165之開度。

繼而，參照圖6，對基板處理部1進行說明。圖6係模式性地表示本實施方式之基板處理裝置100中所含之基板處理部1之構成之剖視圖。

如圖6所示，基板處理部1進而具有基板保持部5、基板旋轉部6、第1升降部7、第2升降部8、及噴嘴移動機構10。又，基板處理裝置100進而具備第2供給管線L4及第3供給管線L5。

基板W被搬入至腔室1a內，於腔室1a內進行處理。腔室1a進而收容基板保持部5、基板旋轉部6、第1升降部7、第2升降部8、噴嘴移動機構10、第2供給管線L4之一部分、及第3供給管線L5之一部分。

基板保持部5保持基板W。基板保持部5由控制裝置200(控制部201)控制。更具體而言，基板保持部5以水平姿勢保持基板W。基板保持部5例如係旋轉夾頭。基板保持部5可具有旋轉基底51、及複數個夾頭構件53。

旋轉基底51係大致圓板狀，以水平姿勢支持複數個夾頭構件53。複數個夾頭構件53配置於旋轉基底51之周緣部。複數個夾頭構件53夾持基板W之周緣部。藉由複數個夾頭構件53，以水平姿勢保持基板W。複數個夾頭構件53由控制裝置200(控制部201)控制。複數個夾頭構件53配置成基板W之中心與旋轉基底51之中心一致。

基板旋轉部6使基板W與基板保持部5以沿鉛直方向延伸之旋轉軸線AX1為中心一體地旋轉。基板旋轉部6由控制裝置200(控制部201)控制。

詳細而言，基板旋轉部6使旋轉基底51以旋轉軸線AX1為中心旋轉。因此，旋轉基底51以旋轉軸線AX1為中心旋轉。其結果為，保持於基板保持部5之基板W以旋轉軸線AX1為中心旋轉。

更具體而言，基板旋轉部6例如具有馬達本體61及軸63。軸63結合於旋轉基底51。馬達本體61使軸63旋轉。其結果為，旋轉基底51旋轉。馬達本體61由控制裝置200(控制部201)控制。

繼而，對第1液體接收部41進行說明。如圖6所示，第1液體接收部41配置於第2液體接收部42之內側。第1液體接收部41具有第1防護部411及第1承杯部412。

第1防護部411係包圍基板保持部5及基板旋轉部6之大致圓筒狀，配置於基板保持部5及基板旋轉部6之周圍。第1防護部411接住自旋轉之基板W飛散之第1 SPM及清洗液。

第1承杯部412配置於第1防護部411之下端側。第1承杯部412於第1防護部411之下端之下方形成圓環狀之溝。於第1承杯部412，收集有自第1防護部411之內周面流下之第1 SPM及清洗液。排液管線L2之排液配管21連接於第1承杯部412之底部。於第1承杯部412中收集之第1 SPM及清洗液流入至排液配管21。

繼而，對第2液體接收部42進行說明。如圖6所示，第2液體接收部42具有第2防護部421及第2承杯部422。第2防護部421係包圍第1防護部411之大致圓筒狀，配置於第1防護部411之周圍。第2防護部421接住自旋轉之基板W飛散之第2 SPM。第2承杯部422配置於第2防護部421之下端側。第2承杯部422於第2防護部421之下端之下方形成圓環狀之溝。於第2承杯部422，收集有自第2防護部421之內周面流下之第2 SPM。回收管線L3之第1回收配管31連接於第2承杯部422之底部。於第2承杯部422中收集之第2 SPM流入至第1回收配管31。

再者，如圖6所示，液體接收部4進而具有第3液體接收部43。第3液體接收部43係防護部。省略第3液體接收部43之詳細說明。

繼而，對第1升降部7進行說明。第1升降部7使第1防護部411、第2防護部421、及第3液體接收部43(防護部)個別地升降。第1升降部7由控制裝置200(控制部201)控制。具體而言，第1升降部7使第1防護部411、第2防護部421、及第3液體接收部43(防護部)於液體接收位置與第1退避位置之間個別地升降。液體接收位置係較第1退避位置更上方之位置。第1升降部7例如可具備滾珠螺桿機構、及對滾珠螺桿機構提供驅動力之電動馬達。

繼而，對第2供給管線L4進行說明。如圖6所示，第2供給管線L4向噴嘴2供給過氧化氫水。具體而言，第2供給管線L4具有第3供給配管181及第3供給開關閥182。

第3供給配管181係供過氧化氫水流通之管狀之構件，使過氧化氫水流通至噴嘴2。第3供給開關閥182配置於第3供給配管181，控制過氧化氫水向噴嘴2供給及停止供給。第3供給開關閥182之致動器例如係氣動致動器、或電動致動器。第3供給開關閥182之打開及關閉藉由控制裝置200(控制部201)控制。具體而言，控制裝置200(控制部201)於進行利用第1 SPM之基板處理時將第3供給開關閥182設為打開狀態。又，控制裝置200(控制部201)於進行利用第2 SPM之基板處理時將第3供給開關閥182設為打開狀態。

繼而，對噴嘴2進行說明。如上文所說明，於進行利用第1 SPM之基板處理時，第1供給管線L1將第1貯存藥液與第2貯存藥液之混合液(貯存混合液)供給至噴嘴2，第2供給管線L4將過氧化氫水供給至噴嘴2。又，於進行利用第2 SPM之基板處理時，第1供給管線L1將第2貯存藥液供給至噴嘴2，第2供給管線L4將過氧化氫水供給至噴嘴2。

自第1供給管線L1供給之藥液及自第2供給管線L4供給之藥液於噴嘴2之內部混合。因此，於進行利用第1 SPM之基板處理時，噴嘴2向基板W噴出貯存混合液(第1貯存藥液與第2貯存藥液之混合液)與過氧化氫水之混合液(第1 SPM)。又，於進行利用第2 SPM之基板處理時，噴嘴2向基板W噴出第2貯存藥液(硫酸之新液)與過氧化氫水之混合液(第2 SPM)。詳細而言，噴嘴2自旋轉中之基板W之上方向基板W之上表面噴出第1 SPM。同樣，噴嘴2自旋轉中之基板W之上方向基板W之上表面噴出第2 SPM。

繼而，對噴嘴移動機構10進行說明。噴嘴移動機構10使噴嘴2沿水平面移動。噴嘴移動機構10由控制裝置200(控制部201)控制。更詳細而言，噴嘴移動機構10使噴嘴2於第2退避位置與第1處理位置之間移動。第2退避位置係包含於基板保持部5之外側區域中之位置。例如，第2退避位置可為包含於液體接收部4之外側區域中之位置。於本實施方式中，第1處理位置係與基板W之中心相對向之位置。噴嘴2將第1 SPM及第2 SPM自第1處理位置供給至基板W。

如圖6所示，噴嘴移動機構10可具有噴嘴臂11、噴嘴基台13、及噴嘴移動部15。噴嘴基台13沿鉛直方向延伸。噴嘴臂11之基端部結合於噴嘴基台13。噴嘴臂11自噴嘴基台13沿水平方向延伸。

噴嘴臂11支持噴嘴2。噴嘴2自噴嘴臂11向鉛直下方突出。噴嘴2可配置於噴嘴臂11之頭端部。

噴嘴移動部15使噴嘴基台13以沿鉛直方向延伸之旋動軸線AX2為中心旋轉。其結果為，噴嘴2沿以旋動軸線AX2為中心之圓周方向移動。噴嘴移動部15由控制裝置200(控制部201)控制。噴嘴移動部15例如可具備滾珠螺桿機構、及對滾珠螺桿機構提供驅動力之電動馬達。

繼而，對第2升降部8進行說明。第2升降部8使對向構件3升降。第2升降部8由控制裝置200(控制部201)控制。具體而言，第2升降部8使對向構件3於第2處理位置與第3退避位置之間升降。第3退避位置係較第2處理位置更上方之位置。第2升降部8例如可具備滾珠螺桿機構、及對滾珠螺桿機構提供驅動力之電動馬達。對向構件3將清洗液自第2處理位置供給至基板W。

繼而，對第3供給管線L5及對向構件3進行說明。如圖6所示，第3供給管線L5向對向構件3供給清洗液。具體而言，第3供給管線L5具有第4供給配管191及第4供給開關閥192。對向構件3具有噴嘴3a。

第4供給配管191係供清洗液流通之管狀之構件，使清洗液流通至噴嘴3a。第4供給開關閥192配置於第4供給配管191，控制清洗液向噴嘴3a供給及停止供給。第4供給開關閥192之致動器例如係氣動致動器、或電動致動器。第4供給開關閥192之打開及關閉由控制裝置200(控制部201)控制。具體而言，控制裝置200(控制部201)於向基板W供給清洗液時將第4供給開關閥192設為打開狀態。噴嘴3a自旋轉中之基板W之上方向基板W之上表面噴出清洗液。

繼而，參照圖6～圖8，對利用基板處理裝置100之基板處理進行說明。圖6表示進行利用第1 SPM之基板處理時之基板處理部1。

如圖6所示，於進行利用第1 SPM之基板處理時，控制裝置200(控制部201)控制噴嘴移動機構10，使噴嘴2移動至第1處理位置。又，控制裝置200(控制部201)控制第1升降部7，使第1防護部411、第2防護部421及第3液體接收部43移動至液體接收位置。配置於液體接收位置之第1防護部411之上端位於較保持於基板保持部5之基板W更上方。其結果為，自基板W排出之第1 SPM於第1防護部411中被接住。再者，藉由使第1防護部411、第2防護部421、及第3液體接收部43移動至液體接收位置，第2防護部421之上端配置於較第1防護部411之上端更上方，第3液體接收部43(防護部)之上端配置於較第2防護部421之上端更上方。

又，於進行利用第1 SPM之基板處理時，控制裝置200(控制部201)以硫酸與過氧化氫水之混合比成為第1混合比之方式，控制參照圖3～圖5所說明之第1流量調整閥124及第2流量調整閥165。第1混合比例如為3：1～5：1。

圖7係表示進行利用第2 SPM之基板處理時之基板處理部1之圖。利用第2 SPM之基板處理於利用第1 SPM之基板處理之後進行。如圖7所示，控制裝置200(控制部201)控制第1升降部7，使第1防護部411自液體接收位置移動至第1退避位置，使第2防護部421及第3液體接收部43之位置維持於液體接收位置。其結果為，第1防護部411之上端配置於較保持於基板保持部5之基板W更下方。另一方面，第2防護部421之上端位於較保持於基板保持部5之基板W更上方。其結果為，自基板W排出之第2 SPM於第2防護部421中被接住。

又，於進行利用第2 SPM之基板處理時，控制裝置200(控制部201)以硫酸與過氧化氫水之混合比成為第2混合比之方式，控制參照圖3～圖5所說明之第1流量調整閥124及第2流量調整閥165。第2混合比大於第1混合比。因此，第2 SPM中之硫酸之濃度大於第1 SPM。第2混合比例如為20：1。

根據本實施方式，可排出硫酸之濃度較低之SPM(第1 SPM)，回收硫酸之濃度較高之SPM(第2 SPM)。因此，於第1貯存部111中，硫酸之濃度不易降低。其結果為，可抑制第1貯存部111之液更換處理(將第1貯存藥液更換為硫酸之新液之處理)之頻率，進而可節約資源。

圖8係表示將清洗液供給至基板W時之基板處理部1之圖。利用清洗液之基板處理係於利用第2 SPM之基板處理之後進行。如圖8所示，於將清洗液供給至基板W時，控制裝置200(控制部201)控制第1升降部7，使第1防護部411自第1退避位置移動至液體接收位置，使第2防護部421及第3液體接收部43之位置維持於液體接收位置。又，控制裝置200(控制部201)控制噴嘴移動機構10，使噴嘴2自第1處理位置移動至第2退避位置。進而，控制裝置200(控制部201)控制第2升降部8，使對向構件3自第3退避位置移動至第2處理位置。

移動至第2處理位置之對向構件3自上方覆蓋基板W。其結果為，基板W被對向構件3自上方遮蔽。又，基板W被液體接收部4及對向構件3包圍。清洗液自移動至第2處理位置之對向構件3(噴嘴3a)向基板W之上表面噴出。

如以上所說明，根據本實施方式，所回收之SPM(第2 SPM)僅用於第1 SPM，而不用於第2 SPM。因此，與將回收之SPM用於第1 SPM與第2 SPM兩者之構成相比，基板處理後之基板W之潔淨度更不易降低。

又，根據本實施方式，第2 SPM使用硫酸之新液。由此，基板處理後之基板W之潔淨度進一步不易降低。進而，由於要回收之第2 SPM使用硫酸之新液，因此第1 SPM之潔淨度不易降低。由此，基板處理後之基板W之潔淨度進一步不易降低。

又，根據本實施方式，所回收之第2 SPM於利用第1 SPM之基板處理時排出。因此，第1 SPM之潔淨度進一步不易降低。由此，基板處理後之基板W之潔淨度進一步不易降低。

又，根據本實施方式，不回收用於去除抗蝕膜之硬化層之第1 SPM，而回收用於去除抗蝕膜之殘渣之第2 SPM，因此，第1 SPM之潔淨度進一步不易降低。由此，基板處理後之基板W之潔淨度進一步不易降低。

又，根據本實施方式，第1貯存部111內之第1貯存藥液之潔淨度不易降低，因此可抑制第1貯存部111之液更換處理之頻率。因此，可節約資源。

再者，如上文所說明，第1貯存部111於初始狀態下貯存有硫酸之新液(濃度96%或98%)。基板處理裝置100亦可在貯存於第1貯存部111之硫酸之濃度穩定在特定之範圍內(例如，89%以上且90%以下)之後，開始對作為處理對象之基板W進行處理。例如，基板處理裝置100可對虛設基板進行基板處理，直至貯存於第1貯存部111之硫酸之濃度穩定在特定範圍內為止。

以上，參照圖式(圖1～圖8)對本發明之實施方式進行說明。但是，本發明並不限定於上述實施方式，可於不脫離其主旨之範圍內於各種態樣下實施。又，上述實施方式中揭示之複數個構成要素可適當地改變。例如，可將某一實施方式中所示出之所有構成要素中之某一構成要素追加於另一實施方式之構成要素，或者，可將某一實施方式中所示出之所有構成要素中之若干構成要素自實施方式中刪除。

為了便於理解發明，圖式係以各構成要素為主體模式性地示出，出於圖式製作之原因，圖示之各構成要素之厚度、長度、個數、間隔等亦可能會與實際不同。又，自不必說，上述實施方式中示出之各構成要素之構成係一例，並無特別限定，可於實質上不脫離本發明之效果之範圍內進行各種變更。

例如，於參照圖1～圖8所說明之實施方式中，基板處理裝置100自基板W去除了抗蝕膜。詳細而言，本實施方式之基板處理裝置100於自基板W去除抗蝕膜之硬化層之一部分之後，自基板W去除抗蝕膜之殘渣物。然而，本發明之基板處理裝置並不限定於去除抗蝕膜之裝置。應用本發明之基板處理裝置並無特別限定，只要係將同種第1藥液及第2藥液供給至基板，對基板進行處理之裝置即可。例如，本發明可應用於自CMP處理後之基板去除有機物之裝置。

又，參照圖1～圖8所說明之實施方式中，控制第1流量調整閥124及第2流量調整閥165，以使硫酸與過氧化氫水之混合比成為第1混合比，但亦可控制過氧化氫水之流量，以使硫酸與過氧化氫水之混合比成為第1混合比。同樣，可控制過氧化氫水之流量，以使硫酸與過氧化氫水之混合比成為第2混合比。

又，參照圖1～圖8所說明之實施方式中，於利用第1 SPM之基板處理時，第1貯存藥液與第2貯存藥液之混合液(貯存混合液)被供給至噴嘴2，但於利用第1 SPM之基板處理時，亦可僅將第1貯存藥液與第2貯存藥液中之第1貯存藥液供給至噴嘴2。具體而言，可與第1供給管線L1分開地設置使第1貯存藥液流通至噴嘴2之供給管線。於此情形時，於使第1貯存藥液流通至噴嘴2之供給管線，設置於170℃加熱第1貯存藥液之加熱構件。

又，參照圖1～圖8所說明之實施方式中，第1 SPM及第2 SPM係自噴嘴2排他地噴出，但第1 SPM及第2 SPM亦可自不同噴嘴噴出。

又，參照圖1～圖8所說明之實施方式中，基板保持部5係夾持式夾頭，但基板保持部5並不限定於夾持式夾頭。例如，基板保持部5亦可為真空式夾頭。 [產業上之可利用性]

本發明可用於對基板進行處理之裝置，具有產業上之可利用性。

1:基板處理部 1a:腔室 2:噴嘴 3:對向構件 3a:噴嘴 4:液體接收部 5:基板保持部 6:基板旋轉部 7:第1升降部 8:第2升降部 10:噴嘴移動機構 11:噴嘴臂 13:噴嘴基台 15:噴嘴移動部 21:排液配管 30:回收部 31:第1回收配管 32:回收槽 33:第2回收配管 34:回收泵 41:第1液體接收部 42:第2液體接收部 43:第3液體接收部 51:旋轉基底 53:夾頭構件 61:馬達本體 63:軸 100:基板處理裝置 101:第1藥液櫃 103:第2藥液櫃 105:流體箱 110:第1循環部 111:第1貯存部 112:第1循環配管 113:第1加熱構件 114:第1循環泵 120:第1供給部 121:第1供給配管 122:第1返回配管 123:第1流量計 124:第1流量調整閥 125:第1供給開關閥 126:第1返回開關閥 130:濃度測定部 131:分支配管 132:濃度計 140:第1補充部 141:第1補充配管 142:第1補充開關閥 150:第2循環部 151:第2貯存部 152:第2循環配管 153:第2加熱構件 154:第2循環泵 160:第2供給部 161:第2供給配管 162:第2返回配管 163:第3加熱構件 164:第2流量計 165:第2流量調整閥 166:第2供給開關閥 167:第2返回開關閥 170:第2補充部 171:第2補充配管 172:第2補充開關閥 181:第3供給配管 182:第3供給開關閥 191:第4供給配管 192:第4供給開關閥 200:控制裝置 201:控制部 202:記憶部 411:第1防護部 412:第1承杯部 421:第2防護部 422:第2承杯部 AX1:旋轉軸線 AX2:旋動軸線 CR:中心機器人 IR:分度機器人 L1:第1供給管線 L2:排液管線 L3:回收管線 L4:第2供給管線 L5:第3供給管線 LP:負載埠 TW:塔 W:基板

圖1係本發明之實施方式之基板處理裝置之模式圖。圖2係表示本發明之實施方式之基板處理裝置之構成之一部分的圖。圖3係表示本發明之實施方式之基板處理裝置中所含之第1供給部及第2供給部之構成的圖。圖4係表示進行利用第1 SPM之基板處理時之第1供給部與第2供給部的圖。圖5係表示進行利用第2 SPM之基板處理時之第1供給部與第2供給部的圖。圖6係模式性地表示本發明之實施方式之基板處理裝置中所含之基板處理部之構成的剖視圖。圖7係表示進行利用第2 SPM之基板處理時之基板處理部之圖。圖8係表示向清洗液供給基板時之基板處理部之圖。

1:基板處理部

1a:腔室

2:噴嘴

3:對向構件

4:液體接收部

21:排液配管

30:回收部

31:第1回收配管

32:回收槽

33:第2回收配管

34:回收泵

41:第1液體接收部

42:第2液體接收部

100:基板處理裝置

101:第1藥液櫃

103:第2藥液櫃

110:第1循環部

111:第1貯存部

112:第1循環配管

113:第1加熱構件

114:第1循環泵

120:第1供給部

121:第1供給配管

122:第1返回配管

130:濃度測定部

131:分支配管

132:濃度計

140:第1補充部

141:第1補充配管

142:第1補充開關閥

150:第2循環部

151:第2貯存部

152:第2循環配管

153:第2加熱構件

154:第2循環泵

160:第2供給部

161:第2供給配管

162:第2返回配管

170:第2補充部

171:第2補充配管

172:第2補充開關閥

200:控制裝置

L1:第1供給管線

L2:排液管線

L3:回收管線

W:基板

Claims

一種基板處理裝置，其具備：噴嘴，其向基板排他地噴出第1藥液及第2藥液，對上述基板進行處理；切換部，其將自上述噴嘴噴出之藥液於上述第1藥液與上述第2藥液之間切換；控制部，其控制上述切換部；液體接收部，其包含接住自上述基板排出之上述第1藥液之第1液體接收部、及接住自上述基板排出之上述第2藥液之第2液體接收部；排液管線，其供上述第1藥液自上述第1液體接收部流入；回收管線，其供上述第2藥液自上述第2液體接收部流入；第1貯存部，其貯存上述第1藥液中所含之第3藥液；及第2貯存部，其貯存上述第2藥液中所含之第4藥液；上述第1藥液與上述第2藥液係同種藥液，上述回收管線將上述第2藥液引導至上述第1貯存部。
如請求項1之基板處理裝置，其進而具備：第1循環部，其使上述第3藥液經由上述第1貯存部循環；第2循環部，其使上述第4藥液經由上述第2貯存部循環；及藥液供給管線，其供於上述第1循環部循環之上述第3藥液流入，且供於上述第2循環部循環之上述第4藥液流入；上述切換部於上述第3藥液向上述藥液供給管線流入與停止上述流入之間進行切換。
如請求項1或2之基板處理裝置，其中利用上述第1藥液之基板處理係將去除對象物自上述基板去除之處理，利用上述第2藥液之基板處理係將上述去除對象物之殘渣物自上述基板去除之處理。
如請求項3之基板處理裝置，其中上述第1藥液及上述第2藥液係硫酸與過氧化氫水之混合液。
如請求項4之基板處理裝置，其中上述第4藥液係上述硫酸之新液。
如請求項4之基板處理裝置，其中上述第1貯存部於初始狀態下貯存上述硫酸，並藉由利用上述回收管線回收上述第2藥液，從而貯存上述硫酸與上述過氧化氫水之混合液。