JP2022532915A - 極紫外線マスク吸収体材料 - Google Patents
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Abstract
極紫外線（EUV）マスクブランク、その製造方法、及びその製造システムが開示される。EUVマスクブランクは、基板、基板上の反射層の多層積層体、反射層の多層スタック上のキャッピング層、及びキャッピング層上の吸収体層を含み、該吸収体層は、テルルとゲルマニウムとから作製される。【選択図】図４
Description
[0001] 本開示は、広くは、極紫外線リソグラフィに関し、特に、合金の吸収体を有する極紫外線マスクブランク、及びその製造の方法に関する。
[0002] ０．０１３５ミクロン以下の最小特徴サイズの半導体デバイスの製造には、軟X線投影リソグラフィとしても知られる極紫外線（EUV）リソグラフィが使用される。しかし、概して、５から１００ナノメートルの波長範囲内の極紫外線光は、ほとんど全ての材料によって強く吸収される。この理由により、極紫外線システムは、光の透過よりも反射によって機能する。一連の鏡又はレンズ素子、及び非反射性吸収体マスクパターンでコーティングされた反射素子又はマスクブランクの使用を介して、パターン化された化学光が、レジストでコーティングされた半導体基板上に反射される。
[0003] 極紫外線リソグラフィシステムのレンズ素子及びマスクブランクは、モリブデンやシリコンなどの材料の反射性多層コーティングでコーティングされる。１３．５ナノメートルの極紫外線光では、例えば１２．５から１４．５ナノメートルの帯域などの非常に狭い紫外線の帯域内の光を強く反射する多層コーティングでコーティングされた基板を使用することによって、レンズ素子又はマスクブランク当たり近似的に６５％の反射値が得られている。
[0004] 図１は、従来のEUV反射マスク１０を示しており、これはEUVマスクブランクから形成されており、そのブランクは、基板１４上に反射性多層積層体１２を含み、その積層体は、ブラッグ干渉（Bragg interference）によってマスクされていない部分でEUV放射を反射する。従来のEUV反射マスク１０のマスクされた（反射しない）エリア１６は、緩衝層１８及び吸収層２０をエッチングすることによって形成される。吸収層は、典型的には、５１nmから７７nmの範囲内の厚さを有する。キャッピング層２２が、反射多層スタック１２の上に形成され、エッチングプロセス中に反射多層スタック１２を保護する。以下で更に説明されることとなるように、EUVマスクブランクは、多層、キャッピング層、及び吸収層でコーティングされた低熱膨張材料基板から作製され、次いで、エッチングされて、マスクされた（反射しない）エリア１６及び反射エリア２４を提供する。
[0005] 半導体用のインターナショナル・テクノロジー・ロードマップ（ITRS）は、ノードのオーバレイ要求を、テクノロジーの最小半ピッチ特徴サイズの百分率として規定している。全ての反射性リソグラフィシステムに固有の像配置及びオーバレイ誤差への影響により、EUV反射マスクは、将来の生産のために、より精密な平坦度仕様に従う必要があるだろう。更に、EUVブランクは、ブランクの動作エリア上の欠陥に対する許容度が非常に低い。更に、吸収層の役割は光を吸収することであるが、吸収体層の屈折率と減圧下での屈折率（n=1）との差による位相シフト効果もあり、この位相シフトは3Dマスク効果を説明する。3D効果を緩和するために、より薄い吸収体を有するEUVマスクブランクを提供する必要がある。
[0006] 本開示の１以上の実施形態は、極紫外線（EUV）を製造する方法であって、EUV放射を反射する多層積層体を基板上に形成することであって、多層積層体は複数の反射層対を含む、多層積層体を基板上に形成すること、キャッピング層を多層積層体上に形成すること、並びに、テルルとゲルマニウムとの合金を含む吸収体層をキャッピング層上に形成することを含む、方法を対象とする。
[0007] 本開示の更なる実施形態は、基板、EUV放射を反射する多層積層体であって、複数の反射層対を含む多層積層体、反射層の多層積層体上のキャッピング層、及び、テルルとゲルマニウムとの合金を含む吸収体層を含む、EUVマスクブランクを対象とする。
[0008] 上述の本開示の特徴を詳細に理解し得るように、上記で簡単に要約された本開示のより具体的な説明が、実施形態を参照することによって得られ、一部の実施形態は、付随する図面に例示されている。しかし、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容し得ることから、添付の図面は、この開示の典型的な実施形態のみを例示しており、したがって、本開示の範囲を限定すると見なすべきではないことに留意されたい。
[0015] 本開示の幾つかの例示的な実施形態を説明する前に、本開示が以下の説明で提示される構成又はプロセスステップの詳細に限定されないことを理解されたい。本開示は、他の実施形態も可能であり、様々な方法で実施又は実行することができる。
[0016] 本明細書で使用する「水平」という語は、その配向性と関係なく、マスクブランクの面又は表面に平行する面として規定される。「垂直」という語は、ここで規定された水平に対して垂直の方向を指すものである。「上（above）」、「下（below）」、「下部（bottom）」、「上部（top）」、「側部（side）」（「側壁（sidewall）」におけるものなど）、「高位（higher）」、「低位（lower）」、「上側（upper）」、「上方（over）」、及び「下方（under）」のような語は、図に示しているように、前記の水平面に対して規定される。
[0017] 「の上（on）」という語は、要素間で直接の接触があることを示す。「すぐ上、真上（directly on）」という語は、介在する要素がない要素間での直接の接触を示す。
[0018] 当業者であれば、処理領域について説明するための「第１（first）」や「第２（second）」などの序数の使用が、処理チャンバにおける具体的な場所、又は、処理チャンバ内での曝露の順序を示唆するものではないことが理解されよう。
［0019］ 本明細書及び添付の特許請求の範囲において使用される「基板」という用語は、処理が作用する表面又は表面の一部分を表している。また、基板に対して言及がなされるとき、文脈において特に明示されない限り、基板の一部のみを指すことができることを当業者は理解するであろう。更に、基板上への堆積に対して言及がなされるとき、それは、ベア基板と、１以上の膜又は特徴が上に堆積又は形成された基板と、の両方を意味する。
[0020] 次に図２を参照すると、極紫外線リソグラフィシステム１００の例示的な一実施形態が示されている。極紫外線リソグラフィシステム１００は、極紫外線光１１２を生成するための極紫外線光源１０２、一組の反射素子、及びターゲットウエハ１１０を含む。反射素子は、コンデンサ１０４、EUV反射マスク１０６、光学縮小アセンブリ１０８、マスクブランク、鏡、又はこれらの組み合わせを含む。
[0021] 極紫外線光源１０２は、極紫外線光１１２を生成する。極紫外線光１１２は、５から５０ナノメートル（nm）の範囲内の波長を有する電磁放射である。例えば、極紫外線光源１０２は、レーザー、レーザー生成プラズマ、放電生成プラズマ、自由電子レーザー、シンクロトロン放射線、又はこれらの組み合わせを含む。
[0022] 極紫外線光源１０２は、様々な特性を有する極紫外線光１１２を生成する。極紫外線光源１０２は、ある範囲の波長にわたる広帯域の極紫外線放射を生成する。例えば、極紫外線光源１０２は、５から５０ｎｍの範囲の波長を有する極紫外線光１１２を生成する。
[0023] １以上の実施形態では、極紫外線光源１０２が、狭帯域幅を有する極紫外線光１１２を生成する。例えば、極紫外線光源１０２は、１３．５nmの極紫外線光１１２を生成する。波長ピークの中心は、１３．５nmである。
[0024] コンデンサ１０４は、極紫外線光１１２を反射し、集中させるための光学ユニットである。コンデンサ１０４は、極紫外線光源１０２からの極紫外線光１１２を反射し、集中させて、EUV反射マスク１０６を照射する。
[0025] コンデンサ１０４は、単一の素子として示されているが、コンデンサ１０４は、極紫外線光１１２を反射し集中させるための、凹面鏡、凸面鏡、平面鏡、又はこれらの組み合わせのような１以上の反射素子を含み得ることが理解されよう。例えば、幾つかの実施形態におけるコンデンサ１０４は、単一の凹面鏡、又は凸状、凹状、及び平坦な光学素子を有する光学アセンブリである。
[0026] EUV反射マスク１０６は、マスクパターン１１４を有する極紫外線反射素子である。EUV反射マスク１０６は、リソグラフィパターンを作成して、ターゲットウエハ１１０上に形成される回路レイアウトを形成する。EUV反射マスク１０６は、極紫外線光１１２を反射する。マスクパターン１１４は、回路レイアウトの一部分を画定する。
[0027] 光学縮小アセンブリ１０８は、マスクパターン１１４の像を縮小するための光学ユニットである。EUV反射マスク１０６からの極紫外線光１１２の反射は、光学縮小アセンブリ１０８によって縮小され、ターゲットウエハ１１０上に反射される。幾つかの実施形態における光学縮小アセンブリ１０８は、マスクパターン１１４の像のサイズを縮小するために、鏡及び他の光学素子を含む。例えば、幾つかの実施形態における光学縮小アセンブリ１０８は、極紫外線光１１２を反射し、集中させるための凹面鏡を含む。
[0028] 光学縮小アセンブリ１０８は、ターゲットウエハ１１０上のマスクパターン１１４の像のサイズを縮小する。例えば、幾つかの実施形態におけるマスクパターン１１４は、光学縮小アセンブリ１０８によってターゲットウエハ１１０上で４：１の比率で像を結び、マスクパターン１１４によって表される回路をターゲットウエハ１１０上に形成する。幾つかの実施形態における極紫外線光１１２は、ターゲットウエハ１１０と同期するようにEUV反射マスク１０６をスキャンして、ターゲットウエハ１１０上にマスクパターン１１４を形成する。
[0029] 次に図３を参照すると、極紫外線反射素子製造システム２００の一実施形態が示されている。極紫外線反射素子は、EUVマスクブランク２０４、極紫外線鏡２０５、又はEUV反射マスク１０６などの他の反射素子を含む。
[0030] 極紫外線反射素子製造システム２００は、図２の極紫外線光１１２を反射するマスクブランク、鏡、又は他の素子を製造する。極紫外反射素子製造システム２００は、ソース基板２０３に薄いコーティングを付加することによって、反射素子を製造する。
[0031] EUVマスクブランク２０４は、図２のEUV反射マスク１０６を形成するための多層構造体である。幾つかの実施形態におけるEUVマスクブランク２０４は、半導体製造技法を使用して形成される。幾つかの実施形態におけるEUV反射マスク１０６は、エッチング及び他のプロセスによってEUVマスクブランク２０４上に形成された図２のマスクパターン１１４を有する。
[0032] 極紫外線鏡２０５は、ある範囲の極紫外線光を反射する多層構造である。幾つかの実施形態における極紫外線鏡２０５は、半導体製造技法を使用して形成される。幾つかの実施形態におけるEUVマスクブランク２０４及び極紫外線鏡２０５は、各素子上に形成された層であることに関して類似するが、極紫外線鏡２０５はマスクパターン１１４を有さない。
[0033] 反射素子は、極紫外線光１１２の効率的なリフレクタである。一実施形態では、EUVマスクブランク２０４及び極紫外線鏡２０５が、６０％を超える極紫外線反射率を有する。反射素子が６０％を超える極紫外線光１１２を反射する場合、反射素子は効率的である。
[0034] 極紫外線反射素子製造システム２００は、ソース基板２０３がその中に装填され、反射素子がそこから取り出される、ウエハ装填・キャリア操作システム２０２を含む。雰囲気操作システム２０６により、ウエハ操作減圧チャンバ２０８へのアクセスが提供される。幾つかの実施形態におけるウエハ装填・キャリア操作システム２０２は、基板搬送ボックス、ロードロック、及び他の構成要素を含み、基板を雰囲気からシステムの内側の減圧に移送する。EUVマスクブランク２０４を使用して、非常に小さいスケールでデバイスを形成するので、ソース基板２０３及びEUVマスクブランク２０４は、汚染及び他の欠陥を防止するために減圧システム内で処理される。
[0035] 幾つかの実施形態におけるウエハ操作減圧チャンバ２０８は、２つの減圧チャンバ、すなわち第１の減圧チャンバ２１０と第２の減圧チャンバ２１２とを含む。第１の減圧チャンバ２１０は、第１のウエハ操作システム２１４を含み、第２の減圧チャンバ２１２は、第２のウエハ操作システム２１６を含む。ウエハ操作減圧チャンバ２０８は、２つの減圧チャンバを伴って説明されるが、幾つかの実施形態におけるシステムは、任意の数の減圧チャンバを有することが理解される。
[0036] 幾つかの実施形態におけるウエハ操作減圧チャンバ２０８は、様々な他のシステムの取り付け用に、その周縁の周りに複数のポートを有する。第１の減圧チャンバ２１０は、ガス抜きシステム２１８、第１の物理的気相堆積システム２２０、第２の物理的気相堆積システム２２２、及び予洗浄システム２２４を有する。ガス抜きシステム２１８は、基板から水分を熱的に脱着させるためのものである。予洗浄システム２２４は、ウエハ、マスクブランク、鏡、又は他の光学部品の表面を洗浄するためのものである。
[0037] 幾つかの実施形態における第１の物理的気相堆積システム２２０や第２の物理的気相堆積システム２２２などのような物理的気相堆積システムを使用して、ソース基板２０３上に導電性材料の薄膜を形成する。例えば、幾つかの実施例における物理的気相堆積システムは、マグネトロンスパッタリングシステム、イオンスパッタリングシステム、パルスレーザー堆積、カソードアーク堆積、又はこれらの組み合わせなどのような減圧堆積システムを含む。マグネトロンスパッタリングシステムなどの物理的気相堆積システムは、シリコン、金属、合金、化合物、又はこれらの組み合わせの層を含む薄い層をソース基板２０３上に形成する。
[0038] 物理的気相堆積システムは、反射層、キャッピング層、及び吸収体層を形成する。例えば、幾つかの実施形態の物理的気相堆積システムは、シリコン、モリブデン、酸化チタン、二酸化チタン、酸化ルテニウム、酸化ニオビウム、ルテニウムタングステン、ルテニウムモリブデン、ルテニウムニオビウム、クロム、ゲルマニウム、窒化物、化合物、又はそれらの組み合わせの層を形成する。幾つかの化合物は酸化物として説明されるが、幾つかの実施形態における化合物は、酸化物、二酸化物、酸素原子を有する原子混合物、又はそれらの組み合わせを含むことが理解される。
[0039] 第２の減圧チャンバ２１２は、それに接続された、第１のマルチカソード源２２６、化学気相堆積システム２２８、硬化チャンバ２３０、及び超平滑堆積チャンバ２３２を有する。例えば、幾つかの実施形態における化学気相堆積システム２２８は、流動性化学気相堆積システム（FCVD）、プラズマアシスト化学気相堆積システム（CVD）、エアロゾルアシストCVD、熱フィラメントCVDシステム、又は同様のシステムを含む。別の一実施例では、幾つかの実施形態における化学気相堆積システム２２８、硬化チャンバ２３０、及び超平滑堆積チャンバ２３２が、極紫外線反射素子製造システム２００とは別個のシステム内にある。
[0040] 幾つかの実施形態における化学気相堆積システム２２８は、ソース基板２０３上に材料の薄膜を形成する。例えば、幾つかの実施形態における化学気相堆積システム２２８を使用して、ソース基板２０３上に、モノ結晶層、多結晶層、アモルファス層、エピタキシャル層、又はそれらの組み合わせを含む、材料の層を形成する。幾つかの実施形態における化学気相堆積システム２２８は、シリコン、酸化ケイ素、酸炭化ケイ素（silicon oxycarbide）、炭素、タングステン、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化チタン、金属、合金、及び化学気相堆積に適切な他の材料の層を形成する。例えば、幾つかの実施形態における化学気相堆積システムは、平坦化層を形成する。
[0041] 第１のウエハ操作システム２１４は、連続的な減圧下で、雰囲気操作システム２０６と、第１の減圧チャンバ２１０の周縁の周りにある様々なシステムと、の間でソース基板２０３を移動させることができる。第２のウエハ操作システム２１６は、連続的な減圧内にソース基板２０３を維持しながら、第２の減圧チャンバ２１２の周りでソース基板２０３を移動させることができる。幾つかの実施形態の極紫外線反射素子製造システム２００は、ソース基板２０３及びEUVマスクブランク２０４を、連続的な減圧内で、第１のウエハ操作システム２１４と第２のウエハ操作システム２１６との間で移送する。
[0042] 次に図４を参照すると、極紫外線反射素子３０２の一実施形態が示されている。１以上の実施形態では、極紫外線反射素子３０２は、図３のＥＵＶマスクブランク２０４又は図３の極紫外線鏡２０５である。ＥＵＶマスクブランク２０４及び極紫外線鏡２０５は、図２の極紫外線光１１２を反射させるための構造体である。幾つかの実施形態におけるEUVマスクブランク２０４を使用して、図２で示されているEUV反射マスク１０６を形成する。
[0043] 極紫外線反射素子３０２は、基板３０４、反射層の多層積層体３０６、及びキャッピング層３０８を含む。１以上の実施形態では、極紫外線鏡２０５を使用して、図２のコンデンサ１０４又は図２の光学縮小アセンブリ１０８内で使用される反射構造を形成する。
[0044] 極紫外線反射素子３０２は、幾つかの実施形態ではEUVマスクブランク２０４であり、基板３０４、反射層の多層積層体３０６、キャッピング層３０８、及び吸収体層３１０を含む。幾つかの実施形態における極紫外線反射素子３０２は、EUVマスクブランク２０４であり、これを使用して、吸収体層３１０に必要とされる回路のレイアウトをパターニングすることによって、図２のEUV反射マスク１０６を形成する。
[0045] 以下のセクションでは、簡略化のために、EUVマスクブランク２０４向けの用語が、極紫外線鏡２０５の用語と相互交換可能に使用される。１以上の実施形態では、EUVマスクブランク２０４が、図２のマスクパターン１１４を形成するために追加された吸収体層３１０を伴う、極紫外線鏡２０５の構成要素を含む。
［0046］ＥＵＶマスクブランク２０４は、マスクパターン１１４を有するＥＵＶ反射マスク１０６を形成するために使用される光学的に平坦な構造体である。１以上の実施形態では、EUVマスクブランク２０４の反射面が、図２の極紫外線光１１２などの入射光を反射するための平坦な焦点面を形成する。
［0047］ 基板３０４は、極紫外線反射素子３０２に構造的支持を与える要素である。１以上の実施形態では、基板３０４が、温度変化中に安定性を提供するために、低熱膨張係数（CTE）を有する材料から作製される。１以上の実施形態では、基板３０４が、機械サイクル、熱サイクル、結晶形成、又はそれらの組み合わせに対する安定性などの特性を有する。１以上の実施形態による基板３０４は、シリコン、ガラス、酸化物、セラミック、ガラスセラミック、又はこれらの組み合わせなどの材料から形成される。
[0048] 多層積層体３０６は、極紫外線光１１２を反射する構造である。多層積層体３０６は、第１の反射層３１２と第２の反射層３１４の交互の反射層を含む。
[0049] 第１の反射層３１２と第２の反射層３１４は、図４の反射対３１６を形成する。非限定的な一実施形態では、多層積層体３０６が、２０～６０の範囲の反射対３１６（合計で最大１２０までの反射層）を含む。
[0050] 幾つかの実施形態における第１の反射層３１２と第２の反射層３１４とは、様々な材料から形成される。一実施形態では、第１の反射層３１２と第２の反射層３１４とが、それぞれ、シリコンとモリブデンとから形成される。層は、シリコンとモリブデンとして示されているが、幾つかの実施形態における交互層は、他の材料から形成されるか又は他の内部構造を有することが理解される。
[0051] 幾つかの実施形態の第１の反射層３１２と第２の反射層３１４とは、様々な構造を有する。一実施形態では、第１の反射層３１２と第２の反射層３１４との両方が、単一層、複数の層、分割層構造、不均一構造、又はそれらの組み合わせで形成される。
[0052] 大部分の材料は、極紫外線波長の光を吸収するので、使用される光学素子は、他のリソグラフィシステムで使用されるような透過性ではなく、反射性である。多層積層体３０６は、異なる光学特性を有する材料の薄い交互層を有することによって反射性構造を形成して、ブラッグリフレクタ（Bragg reflector）又は鏡を生成する。
[0053] 一実施形態では、交互層のそれぞれが、極紫外線光１１２に対して異なる光学定数を有する。交互層の厚さの周期が、極紫外線光１１２の波長の半分であるときに、交互層は共鳴反射率（resonant reflectivity）を提供する。一実施形態では、波長１３nmの極紫外線光１１２に対して、交互層は約６．５nmの厚さである。提示されるサイズ及び寸法は、典型的な要素の通常の工学的許容誤差内であることを理解されたい。
[0054] 幾つかの実施形態における多層積層体３０６は、様々な方法で形成される。一実施形態では、第１の反射層３１２と第２の反射層３１４とが、マグネトロンスパッタリング、イオンスパッタリングシステム、パルスレーザー堆積、カソードアーク堆積、又はそれらの組み合わせで形成される。
[0055] 例示的な一実施形態では、多層積層体３０６が、マグネトロンスパッタリングなどの物理的気相堆積技法を使用して形成される。一実施形態では、多層積層体３０６の第１の反射層３１２と第２の反射層３１４とが、正確な厚さ、低い粗さ、及び層間の清浄なインターフェースを含む、マグネトロンスパッタリング技法によって形成される特性を有する。一実施形態では、多層積層体３０６の第１の反射層３１２と第２の反射層３１４とが、正確な厚さ、低い粗さ、及び層間の清浄なインターフェースを含む、物理的気相堆積によって形成される特性を有する。
[0056] 幾つかの実施態様における物理的気相堆積技法を使用して形成される多層積層体３０６の層の物理的寸法は、反射率を高めるように正確に制御される。一実施形態では、ケイ素の層などの第１の反射層３１２は、４．１nmの厚さを有する。モリブデンの層などの第２の反射層３１４は、２．８nmの厚さを有する。層の厚さにより、極紫外線反射素子のピーク反射率波長が決まる。層の厚さが正しくない場合、幾つかの実施形態での所望の波長１３．５nmにおける反射率が低下する。
[0057] 一実施形態では、多層積層体３０６が、６０％を超える反射率を有する。一実施形態では、物理的気相堆積を使用して形成される多層積層体３０６が、６６％～６７％の範囲内の反射率を有する。１以上の実施形態では、多層積層体３０６の上に、より硬い材料で形成されたキャッピング層３０８を形成することによって、反射率が改善される。幾つかの実施形態では、低い粗さの層、層間の清浄なインターフェース、改善された層材料、又はこれらの組み合わせを使用して、７０％を超える反射率が実現される。
[0058] １以上の実施形態では、キャッピング層３０８が、極紫外線光１１２の透過を可能にする保護層である。一実施形態では、キャッピング層３０８が、多層積層体３０６上に直接的に形成される。１以上の実施形態では、キャッピング層３０８が、多層積層体３０６を汚染及び機械的損傷から保護する。一実施形態では、多層積層体３０６が、酸素、タンタル、ハイドロタンタル（hydrotantalum）、又はそれらの組み合わせによる汚染の影響を受け易い。一実施形態によるキャッピング層３０８は、汚染物と相互作用してそれらを中和する。
[0059] １以上の実施形態では、キャッピング層３０８が、極紫外線光１１２に対して透明な光学的に均一な構造である。極紫外線光１１２は、キャッピング層３０８を通過して、多層積層体３０６から反射する。１以上の実施形態では、キャッピング層３０８が、１％から２％の全反射率損失を有する。１以上の実施形態では、種々の材料のそれぞれが、厚さに応じて種々の反射率損失を有するが、それらの全てが１％から２％の範囲内である。
[0060] １以上の実施形態では、キャッピング層３０８が滑らかな表面を有する。例えば、幾つかの実施形態のキャッピング層３０８の表面は、０．２nm RMS（二乗平均平方根測定値）未満の粗さを有する。別の実施例では、キャッピング層３０８の表面は、１／１００nmと１／１μmの範囲内の長さに対して、０．０８nm RMSの粗さを有する。RMS粗さは、測定範囲によって変化する。１００nmから１ミクロンの特定範囲に対しては、その粗さが０．０８nm以下である。より広い範囲では、粗さも上がる。
[0061] 幾つかの実施形態におけるキャッピング層３０８は、様々な方法で形成される。一実施形態では、キャッピング層３０８が、マグネトロンスパッタリング、イオンスパッタリングシステム、イオンビーム堆積、電子ビーム蒸着、高周波（RF）スパッタリング、原子層堆積（ALD）、パルスレーザー堆積、カソードアーク堆積、又はそれらの組み合わせを用いて、多層積層体３０６上又はその真上に直接的に形成される。１以上の実施形態では、キャッピング層３０８が、正確な厚さ、低い粗さ、及び層間の清浄なインターフェースを含む、マグネトロンスパッタリング技法によって形成される物理的特性を有する。一実施形態では、キャッピング層３０８が、正確な厚さ、低い粗さ、及び層間の清浄なインターフェースを含む、物理的気相堆積によって形成される物理的特性を有する。
[0062] １以上の実施形態では、キャッピング層３０８が、洗浄中の浸食に抵抗するのに十分な硬度を有する様々な材料から形成される。一実施形態では、ルテニウムが、キャッピング層の材料として使用される。というのも、それは、優れたエッチング停止であり、動作条件下で比較的不活性だからである。しかし、幾つかの実施形態では、キャッピング層３０８を形成するために他の材料が使用されることが理解される。特定の実施形態では、キャッピング層３０８が、２．５から５．０nmの範囲内の厚さを有する。
[0063] １以上の実施形態では、吸収体層３１０が、極紫外線光１１２を吸収する層である。一実施形態では、吸収体層３１０が、極紫外線光１１２を反射しないエリアを設けることによって、EUV反射マスク１０６上にパターンを形成するために使用される。１以上の実施形態による吸収体層３１０は、極紫外線１１２の特定の周波数（約１３．５nmなど）に対して高吸収係数を有する材料を含む。一実施形態では、吸収体層３１０が、キャッピング層３０８の真上に直接的に形成され、吸収体層３１０は、フォトリソグラフィプロセスを使用してエッチングされて、EUV反射マスク１０６のパターンを形成する。
[0064] １以上の実施形態によれば、極紫外線鏡２０５などの極紫外線反射素子３０２は、基板３０４、多層積層体３０６、及びキャッピング層３０８で形成される。極紫外線鏡２０５は、光学的に平坦な表面を有し、幾つかの実施形態では、極紫外線光１１２を効率的に且つ均一に反射する。
[0065] １以上の実施形態によれば、EUVマスクブランク２０４などの極紫外線反射素子３０２は、基板３０４、多層積層体３０６、キャッピング層３０８、及び吸収体層３１０で形成される。マスクブランク２０４は、光学的に平坦な表面を有し、幾つかの実施形態では、極紫外線光１１２を効率的に且つ均一に反射する。一実施形態では、EUVマスクブランク２０４の吸収体層３１０にマスクパターン１１４が形成される。
[0066] １以上の実施形態によれば、吸収体層３１０をキャッピング層３０８の上に形成することにより、EUV反射マスク１０６の信頼性が増加する。キャッピング層３０８は、吸収体層３１０のエッチング停止層として機能する。図２のマスクパターン１１４が、吸収体層３１０の中にエッチングされたときに、吸収体層３１０の下のキャッピング層３０８は、エッチング作用を停止して、多層積層体３０６を保護する。１以上の実施形態では、吸収体層３１０が、キャッピング層３０８に対してエッチング選択性を有する。幾つかの実施形態では、キャッピング層３０８がルテニウムを含み、吸収体層３１０が、ルテニウムに対してエッチング選択性を有する。
[0067] 一実施形態では、吸収体層３１０が、テルルとゲルマニウムとの合金を含む。幾つかの実施形態では、吸収体が、約４５nm未満の厚さを有する。幾つかの実施形態では、吸収体層が、約４０nm未満、約３５nm未満、約３０nm未満、約２５nm未満、約２０nm未満、約１５nm未満、約１０nm未満、約５nm未満、約１nm未満、又は約０．５nm未満を含む、約４５nm未満の厚さを有する。他の実施形態では、吸収体層３１０が、約１nmから約４４nm、１nmから約４０nm、及び１５nmから約４０nmの範囲を含む、約０．５nmから約４５nmの範囲内の厚さを有する。
[0068] 理論に束縛されることを意図するものではないが、約４５nm未満の厚さを有する吸収体層３１０は、有利なことに、約２％未満の反射率を有する吸収体層をもたらし、極端紫外線（EUV）マスクブランクにおける3Dマスク効果を低減及び軽減させると考えられる。
[0069] 一実施形態では、吸収体層３１０が、テルルとゲルマニウムとの合金から作製される。１以上の実施形態では、テルルとゲルマニウムとの合金が、合金の総重量に基づいて、約６３重量％から約９３重量％のテルルと、約７重量％から約３７重量％のゲルマニウムとを含む。１以上の実施形態では、テルルとゲルマニウムとの合金が、合金の総重量に基づいて、約６８重量％から約８８重量％のテルルと、約２２重量％から約３２重量％のゲルマニウムとを含む。１以上の実施形態では、テルルとゲルマニウムとの合金が、合金の総重量に基づいて、約７３重量％から約８３重量％のテルルと約１７重量％から約２７重量％のゲルマニウムとを含み、例えば、合金の総重量に基づいて、約７５重量％から約８０重量％のテルルと約２０重量％から約２５重量％のゲルマニウムとを含む。１以上の実施形態では、テルルとゲルマニウムとの合金が非晶質（アモルファス）である。１以上の実施形態では、合金が単相合金である。
[0070] 特定の一実施形態では、テルルとゲルマニウムとの合金が、テルルリッチ合金である。本明細書で使用されるときに、「テルルリッチ」という用語は、合金中にゲルマニウムよりも有意に多いテルルが存在することを意味する。例えば、特定の一実施形態では、テルルとゲルマニウムとの合金が、合金の総重量に基づいて、約７３重量％から約８３％重量％のテルルと約１７重量％から約２７重量％のゲルマニウムとを含む合金であり、例えば、合金の総重量に基づいて、約７５重量％から約８０重量％のテルルと約２５重量％から約３０重量％のゲルマニウムとを含む。１以上の実施形態では、テルルとゲルマニウムとの合金が非晶質である。１以上の実施例では、合金が単相合金である。
[0071] １以上の実施形態では、テルルとゲルマニウムとの合金がドーパントを含む。ドーパントは、窒素又は酸素のうちの１以上から選択され得る。一実施形態では、ドーパントが酸素を含む。代替的な一実施形態では、ドーパントが窒素を含む。一実施形態では、ドーパントが、合金の重量に基づいて、約０．１重量％から約５重量％の範囲内の量で合金内に存在する。他の実施形態では、ドーパントが、約０．１重量％、０．２重量％、０．３重量％、０．４重量％、０．５重量％、０．６重量％%、０．７重量％、０．８重量％、０．９重量％、１．０％重量％、１．１重量％、１．２重量％、１．３重量％、１．４重量％%、１．５重量％、１．６重量％、１．７重量％、１．８重量％、１．９重量％、２．０重量％、２．１重量％、２．２重量％、２．３重量％、２．４重量％、２．５重量％、２．６重量％、２．７重量％、２．８重量％、２．９重量％、３．０重量％、３．１重量％、３．２重量％、３．３重量％、３．４重量％、３．５重量％、３．６重量％、３．７重量％、３．８重量％、３．９重量％、４．０重量％、４．１重量％、４．２重量％、４．３重量％、４．４重量％、４．５重量％、４．６重量％、４．７重量％、４．８重量％、４．９重量％、又は５．０重量％の量で合金内に存在する。
[0072] １以上の実施形態では、吸収体層の合金が、物理的堆積チャンバ内で形成された共スパッタリング合金吸収体材料であり、これは、幾つかの実施形態では、２％未満の反射率及び適切なエッチング特性を実現しながら、はるかに薄い吸収体層厚さ（３０nm未満）を提供する。１以上の実施形態では、幾つかの実施形態における吸収体層の合金が、アルゴン（Ar）、酸素（O2）、又は窒素（N2）のうちの１以上から選択されるガスによって共スパッタリング（co-sputtered）される。一実施形態では、幾つかの実施形態における吸収体層の合金が、アルゴンガスと酸素ガスとの混合物（Ar＋O2）によって共スパッタリングされる。幾つかの実施形態では、アルゴンと酸素との混合物による共スパッタリングが、テルルの酸化物及び／又はゲルマニウムの酸化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと酸素との混合物による共スパッタリングが、テルル又はゲルマニウムの酸化物を形成しない。一実施形態では、幾つかの実施形態における吸収体層の合金が、アルゴンガスと窒素ガスとの混合物（Ar＋N2）によって共スパッタリングされる。幾つかの実施形態では、アルゴンと窒素との混合物による共スパッタリングが、テルルの窒化物及び／又はゲルマニウムの窒化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと窒素との混合物による共スパッタリングが、テルル又はゲルマニウムの窒化物を形成しない。一実施形態では、吸収体層の合金が、アルゴンガスと酸素ガスと窒素ガスとの混合物（Ar＋O2＋N2）によって共スパッタリングされる。幾つかの実施形態では、アルゴンと酸素と窒素との混合物による共スパッタリングが、テルルの酸化物及び／若しくは窒化物並びに／又はゲルマニウムの酸化物及び／若しくは窒化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと酸素と窒素との混合物による共スパッタリングが、テルル又はゲルマニウムの酸化物又は窒化物を形成しない。一実施形態では、幾つかの実施形態における吸収体層のエッチング特性及び／又は他の特性が、上述のように、（１以上の）合金百分率を制御することによって仕様に合わせられる。一実施形態では、幾つかの実施形態における（１以上の）合金百分率が、物理的気相堆積チャンバの電圧、圧力、流量などの動作パラメータによって正確に制御される。一実施形態では、プロセスガスを使用して材料特性を更に修正し、例えば、N2ガスを使用してテルルとゲルマニウムの窒化物を形成する。
[0073] １以上の実施形態では、本明細書で使用されるときに、「共スパッタリング」が、２つのターゲット、すなわちテルルを含む１つのターゲットとゲルマニウムを含む第２のターゲットとが、アルゴン（Ar）、酸素（O2）、又は窒素（N2）から選択された１以上のガスを使用して同時にスパッタリングされて、テルルとゲルマニウムとの合金を含む吸収体層を堆積させ／形成することを意味する。
[0074] 他の実施形態では、テルルとゲルマニウムとの合金は、アルゴン（Ar）、酸素（O2）、又は窒素（N2）のうちの１以上から選択されるガスを使用して、テルル層とゲルマニウム層との積層体として層毎に堆積される。一実施形態では、吸収体層の合金が、アルゴンガスと酸素ガスとの混合物（Ar＋O2）を使用して、テルル層とゲルマニウム層との積層体として層毎に堆積される。幾つかの実施形態では、アルゴンと酸素との混合物を使用した層毎の堆積が、テルルの酸化物及び／又はゲルマニウムの酸化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと酸素との混合物を使用する層毎の堆積が、テルル又はゲルマニウムの酸化物を形成しない。一実施形態では、吸収体層の合金が、アルゴンガスと窒素ガス（Ar＋N2）との混合物を使用して、テルル層とゲルマニウム層との積層体として層毎に堆積される。幾つかの実施形態では、アルゴンと窒素との混合物を使用する層毎の堆積が、テルルの窒化物及び／又はゲルマニウムの窒化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと窒素との混合物を使用する層毎の堆積が、テルル又はゲルマニウムの窒化物を形成しない。一実施形態では、吸収体層の合金が、アルゴンガスと酸素ガスと窒素ガスとの混合物（Ar＋O2＋N2）を使用して、テルル層とゲルマニウム層との積層体として層毎に堆積される。幾つかの実施形態では、アルゴンと酸素と窒素との混合物を使用して層毎の堆積が、テルルの酸化物及び／若しくは窒化物並びに／又はゲルマニウムの酸化物及び／若しくは窒化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと酸素と窒素との混合物を使用する層毎の堆積が、テルル又はゲルマニウムの酸化物又は窒化物を形成しない。
[0075] １以上の実施形態では、本明細書で説明される合金組成のバルクターゲットが、アルゴン（Ar）、酸素（O2）、又は窒素（N2）のうちの１以上から選択されたガスを使用して、通常のスパッタリングによって作製され得る。１以上の実施形態では、合金が、その合金と同じ組成を有するバルクターゲットを使用して堆積され、アルゴン（Ar）、酸素（O2）、又は窒素（N2）のうちの１以上から選択されたガスを使用してスパッタリングされて、吸収体層を形成する。一実施形態では、吸収体層の合金が、その合金と同じ組成を有するバルクターゲットを使用して堆積され、アルゴンガスと酸素ガスとの混合物（Ar＋O2）を使用してスパッタリングされる。幾つかの実施形態では、アルゴンと酸素との混合物を使用するバルクターゲットの堆積が、テルルの酸化物及び／又はゲルマニウムの酸化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと酸素との混合物を使用するバルクターゲットの堆積が、テルル又はゲルマニウムの酸化物を形成しない。一実施形態では、吸収体層の合金が、その合金と同じ組成を有するバルクターゲットを使用して堆積され、アルゴンガスと窒素ガスとの混合物（Ar＋N2）を使用してスパッタリングされる。幾つかの実施形態では、アルゴンと窒素との混合物を使用するバルクターゲットの堆積が、テルルの窒化物及び／又はゲルマニウムの窒化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと窒素との混合物を使用するバルクターゲットの堆積が、テルル又はゲルマニウムの窒化物を形成しない。一実施形態では、吸収体層の合金が、その合金と同じ組成を有するバルクターゲットを使用して堆積され、アルゴンガスと酸素ガスと窒素ガスとの混合物Ar＋O2＋N2）を使用してスパッタリングされる。幾つかの実施形態では、アルゴンと酸素と窒素との混合物を使用するバルクターゲットの堆積が、テルルの酸化物及び／若しくは窒化物並びに／又はゲルマニウムの酸化物及び／若しくは窒化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと酸素と窒素との混合物を使用するバルクターゲットの堆積が、テルル又はゲルマニウムの酸化物又は窒化物を形成しない。幾つかの実施形態では、テルルとゲルマニウムとの合金は、０．１重量％から５重量％の範囲内の窒素又は酸素のうちの１以上でドープされる。
[0076] 幾つかの実施形態におけるEUVマスクブランクは、第１の吸収体材料を含む第１のカソード、第２の吸収体材料を含む第２のカソード、第３の吸収体材料を含む第３のカソード、第４の吸収体材料を含む第４のカソード、及び第５の吸収体材料を含む第５のカソードを有する物理的堆積チャンバ内で作製され、第１の吸収体材料、第２の吸収体材料、第３の吸収体材料、第４の吸収体材料、及び第５の吸収体材料は互いに異なり、各吸収体材料は他の材料とは異なる吸光係数を有し、各吸収体材料は他の吸収体材料とは異なる屈折率を有する。
[0077] 次に図５を参照すると、極紫外線マスクブランク４００が、基板４１４、基板４１４上の反射層４１２の多層積層体を含むように示され、反射層４１２の多層積層体は、複数の反射層対を含む。１以上の実施形態では、複数の反射層対が、モリブデン（Mo）含有材料とシリコン（Si）含有材料から選択された材料から作製される。幾つかの実施形態では、複数の反射層対は、モリブデンとシリコンの交互層を含む。極紫外線マスクブランク４００は、反射層４１２の多層積層体上にキャッピング層４２２を更に含み、キャッピング層４２２上に吸収体層の多層積層体４２０が存在する。１以上の実施形態では、複数の反射層４１２が、モリブデン（Mo）含有材料とシリコン（Si）含有材料から選択され、キャッピング層４２２がルテニウムを含む。
[0078] 吸収体層の多層積層体４２０は、複数の吸収体層対４２０ａ、４２０ｂ、４２０ｃ、４２０ｄ、４２０ｅ、４２０ｆを含み、各対（４２０ａ／４２０ｂ、４２０ｃ／４２０ｄ、４２０ｅ／４２０ｆ）は、テルルとゲルマニウムとの合金を含む。幾つかの実施形態では、テルルとゲルマニウムとの合金が、合金の総重量に基づいて、約６３重量％から約９３重量％のテルルと、約７重量％から約３７重量％のゲルマニウムとを含む。１以上の実施形態では、テルルとゲルマニウムとの合金が、合金の総重量に基づいて、約６８重量％から約８８重量％のテルルと、約２２重量％から約３２重量％のゲルマニウムとを含む。
[0079] １以上の実施形態では、テルルとゲルマニウムとの合金が、合金の総重量に基づいて、約７３重量％から約８３重量％のテルルと約１７重量％から約２７重量％のゲルマニウムとを含み、例えば、合金の総重量に基づいて、約７５重量％から約８０重量％のテルルと約２０重量％から約２５重量％のゲルマニウムとを含む。１以上の実施形態では、テルルとゲルマニウムとの合金が非晶質である。１以上の実施例では、合金が単相合金である。一実施例では、吸収体層４２０ａがゲルマニウムから作製され、吸収体層４２０ｂを形成する材料がテルルである。同様に、吸収体層４２０ｃは、ゲルマニウムから作製され、吸収体層４２０ｄを形成する材料が、テルルであり、吸収体層４２０ｅは、ゲルマニウム材料から作製され、吸収体層４２０ｆを形成する材料が、テルルである。
[0080] 一実施形態では、極端紫外線マスクブランク４００が、モリブデン（Mo）含有材料及びシリコン（Si）含有材料、例えば、モリブデン（Mo）とシリコン（Si）とから選択される複数の反射層４１２を含む。吸収体層４２０ａ、４２０ｂ、４２０ｃ、４２０ｄ、４２０ｅ、及び４２０ｆを形成するために使用される吸収体材料は、テルルとゲルマニウムとの合金である。幾つかの実施形態では、テルルとゲルマニウムとの合金が、合金の総重量に基づいて、約６３重量％から約９３重量％のテルルと、約７重量％から約３７重量％のゲルマニウムとを含む。１以上の実施形態では、テルルとゲルマニウムとの合金が、合金の総重量に基づいて、約６８重量％から約８８重量％のテルルと、約２２重量％から約３２重量％のゲルマニウムとを含む。１以上の実施形態では、テルルとゲルマニウムとの合金が、合金の総重量に基づいて、約７３重量％から約８３重量％のテルルと約１７重量％から約２７重量％のゲルマニウムとを含み、例えば、合金の総重量に基づいて、約７５重量％から約８０重量％のテルルと約２０重量％から約２５重量％のゲルマニウムとを含む。１以上の実施形態では、テルルとゲルマニウムとの合金が非晶質である。１以上の実施例では、合金が単相合金である。
[0081] １以上の実施形態では、吸収体層対４２０ａ／４２０ｂ、４２０ｃ／４２０ｄ、４２０ｅ／４２０ｆは、テルルとゲルマニウムとの合金を含む吸収体材料を含む第１の層（４２０ａ、４２０ｃ、４２０ｅ）、及び、テルルとゲルマニウムとの合金を含む吸収体材料を含む第２の吸収体層（４２０ｂ、４２０ｄ、４２０ｆ）を含む。特定の実施形態では、吸収体層対が、テルルとゲルマニウムとの合金を含む第１の層（４２０ａ、４２０ｃ、４２０ｅ）を含み、テルルとゲルマニウムとの合金は、ほぼテルルとゲルマニウムとの合金を有する合金から選択され、第２の吸収体層（４２０ｂ、４２０ｄ、４２０ｆ）は、テルルとゲルマニウムとの合金を含む吸収体材料を含む。
[0082] １以上の実施形態によれば、吸収体層対は、第１の吸収体層（４２０ａ、４２０ｃ、４２０ｅ）と第２の吸収体層（４２０ｂ、４２０ｄ、４２０ｆ）とを含み、第１の吸収体層（４２０ａ、４２０ｃ、４２０ｅ）と第２の吸収体層（４２０ｂ、４２０ｄ、４２０ｆ）とのそれぞれが、０．１nmと１０nmの範囲内、例えば、１nmと５nmの範囲内、又は１nmと３nmの範囲内の厚さを有する。１以上の特定の実施形態では、第１の層４２０ａの厚さが、０．５nm、０．６nm、０．７nm、０．８nm、０．９nm、１nm、１．１nm、１．２nm、１．３nm、１．４nm、１．５nm、１．６nm、１．７nm、１．８nm、１．９nm、２nm、２．１nm、２．２nm、２．３nm、２．４nm、２．５nm、２．６nm、２．７nm、２．８nm、２．９nm、３nm、３．１nm、３．２nm、３．３nm、３．４nm、３．５nm、３．６nm、３．７nm、３．８nm、３．９nm、４nm、４．１nm、４．２nm、４．３nm、４．４nm、４．５nm、４．６nm、４．７nm、４．８nm、４．９nm、及び５nmである。１以上の実施形態では、各対の第１の吸収体層と第２の吸収体層の厚さが、同じであるか又は異なっている。例えば、第１の吸収体層と第２の吸収体層は、第１の吸収体層の厚さと第２の吸収体層の厚さの比が、１：１、１．５：１、２：１、２．５：１、３：１、３．５：１、４：１、４．５：１、５：１、６：１、７：１、８：１、９：１、１０：１、１１：１、１２：１、１３：１、１４：１、１５：１、１６：１、１７：１、１８：１、１９：１、又は２０：１となるような厚さを有する。それは、各対において、第１の吸収体層が、第２の吸収体層の厚さ以上の厚さを有することをもたらす。代替的に、第１の吸収体層と第２の吸収体層は、第２の吸収体層の厚さと第１の吸収体層の厚さの比が、１．５：１、２：１、２．５：１、３：１、３．５：１、４：１、４．５：１、５：１、６：１、７：１、８：１、９：１、１０：１、１１：１、１２：１、１３：１、１４：１、１５：１、１６：１、１７：１、１８：１、１９：１、又は２０：１となるような厚さを有する。それは、各対において、第２の吸収体層が、第１の吸収体層の厚さ以上の厚さを有することをもたらす。
[0083] １以上の実施形態によれば、吸収体層の種々の吸収体材料及び厚さは、極紫外線光が、吸光度によって、及び反射層の多層積層体からの光との破壊的な干渉によってもたらされる相変化によって吸収されるように選択される。図５で示されている実施形態は、３つの吸収体層対（４２０ａ／４２０ｂ、４２０ｃ／４２０ｄ、及び４２０ｅ／４２０ｆ）を示しているが、特許請求の範囲は、特定の数の吸収体層対に限定されるべきではない。１以上の実施形態によれば、EUVマスクブランク４００は、５と６０との範囲内の吸収体層対、又は１０と４０との範囲内の吸収体層対を含む。
[0084] １以上の実施形態によれば、複数の吸収体層は、２％未満の反射率及び他のエッチング特性を提供する厚さを有する。幾つかの実施形態における供給ガスは、複数の吸収体層の材料特性を更に修正するために使用され、例えば、窒素（N2）ガスを使用して、上記で提供された材料の窒化物を形成する。１以上の実施形態による複数の吸収体層の多層積層体は、種々の材料の個々の厚さの繰り返しパターンである。それによって、EUV光は、吸光度によって吸収されるだけではなく、多層吸収体積層体によってもたらされる相変化によっても吸収される。それは、下にある反射材料の多層積層体からの光と破壊的に干渉して、より良好なコントラスト（better contrast）を提供する。
[0085] 本開示の別の一態様は、極紫外線（EUV）マスクブランクを製造する方法に関し、該方法は、基板上に反射層の多層積層体を形成することであって、多層積層体は複数の反射層対を含む、多層積層体を形成すること、キャッピング層を反射層の多層積層体上に形成すること、及び、テルルとゲルマニウムとの合金を含む吸収体層をキャッピング層上に形成することを含み、テルルとゲルマニウムとの合金は、合金の総重量に基づいて、約６３重量％から約９３重量％のテルルと、約７重量％から約３７重量％のゲルマニウムとを含む。１以上の実施形態では、テルルとゲルマニウムとの合金が、合金の総重量に基づいて、約６８重量％から約８８重量％のテルルと、約２２重量％から約３２重量％のゲルマニウムとを含む。１以上の実施形態では、テルルとゲルマニウムとの合金が、合金の総重量に基づいて、約７３重量％から約８３重量％のテルルと約１７重量％から約２７重量％のゲルマニウムとを含み、例えば、合金の総重量に基づいて、約７５重量％から約８０重量％のテルルと約２０重量％から約２５重量％のゲルマニウムとを含む。１以上の実施形態では、テルルとゲルマニウムとの合金が非晶質である。１以上の実施例では、合金が単相合金である。
[0086] 幾つかの実施形態におけるEUVマスクブランクは、図４及び図５に関連して上述された実施形態の特性うちの何れかを有し、幾つかの実施形態の方法は、図３に関連して説明されたシステム内で実行される。
[0087] したがって、一実施形態では、複数の反射層が、モリブデン（Mo）含有材料及びシリコン（Si）含有材料から選択され、吸収体層は、テルルとゲルマニウムとの合金であり、テルルとゲルマニウムとの合金は、合金の総重量に基づいて、約６３重量％から約９３重量％のテルルと約７重量％から約３７重量％のゲルマニウムとを含む。１以上の実施形態では、テルルとゲルマニウムとの合金が、合金の総重量に基づいて、約６８重量％から約８８重量％のテルルと、約２２重量％から約３２重量％のゲルマニウムとを含む。１以上の実施形態では、テルルとゲルマニウムとの合金が、合金の総重量に基づいて、約７３重量％から約８３重量％のテルルと約１７重量％から約２７重量％のゲルマニウムとを含み、例えば、合金の総重量に基づいて、約７５重量％から約８０重量％のテルルと約２０重量％から約２５重量％のゲルマニウムとを含む。１以上の実施形態では、テルルとゲルマニウムとの合金が非晶質である。１以上の実施例では、合金が単相合金である。
［0088］別の特定の方法の一実施形態では、種々の吸収体層が、第１の吸収体材料を含む第１のカソードと、第２の吸収体材料を含む第２のカソードと、を有する物理的堆積チャンバ内で形成される。次に図６を参照すると、一実施形態によるマルチカソードソースチャンバ５００の上部が示されている。マルチカソードチャンバ５００は、上部アダプタ５０４によって覆われている円筒形本体部５０２を有する基礎構造５０１を含む。上部アダプタ５０４は、上部アダプタ５０４の周りに配置されたカソードソース５０６、５０８、５１０、５１２、及び５１４などの幾つかのカソードソースを提供する。
[0089] １以上の実施形態では、本方法が、５nmと６０nmとの範囲内の厚さを有する吸収体層を形成する。１以上の実施形態では、吸収体層が、５１nmと５７nmとの範囲内の厚さを有する。１以上の実施形態では、吸収体層を形成するために使用される材料が、吸収体層のエッチング特性に影響を与えるように選択される。１以上の実施形態では、吸収体層の合金が、物理的堆積チャンバ内で形成された合金吸収体材料を共スパッタリングすることによって形成され、これは、はるかに薄い吸収体層厚さ（３０nm未満）を提供し、２％未満の反射率及び所望のエッチング特性を実現する。一実施形態では、吸収体層のエッチング特性及び他の所望の特性が、各吸収体材料の合金百分率を制御することによって仕様に合わせられる。一実施形態では、合金百分率が、物理的気相堆積チャンバの電圧、圧力、流量などの動作パラメータによって正確に制御される。一実施形態では、プロセスガスを使用して材料特性を更に修正し、例えば、N2ガスを使用してテルルとゲルマニウムの窒化物を形成する。幾つかの実施形態における合金吸収体材料は、合金の総重量に基づいて、約６３重量％から約９３重量％のテルルと約７重量％から約３７重量％のゲルマニウムとを含む、テルルとゲルマニウムとの合金を含む。１以上の実施形態では、テルルとゲルマニウムとの合金が、合金の総重量に基づいて、約６８重量％から約８８重量％のテルルと、約２２重量％から約３２重量％のゲルマニウムとを含む。１以上の実施形態では、テルルとゲルマニウムとの合金が、合金の総重量に基づいて、約７３重量％から約８３重量％のテルルと約１７重量％から約２７重量％のゲルマニウムとを含み、例えば、合金の総重量に基づいて、約７５重量％から約８０重量％のテルルと約２０重量％から約２５重量％のゲルマニウムとを含む。１以上の実施形態では、テルルとゲルマニウムとの合金が非晶質である。１以上の実施例では、合金が単相合金である。
[0090] 幾つかの実施形態におけるマルチカソードソースチャンバ５００は、図３で示されているシステムの部分である。一実施形態では、極紫外線（EUV）マスクブランク製造システムが、減圧を生成するための基板操作減圧チャンバ、基板操作減圧チャンバ内に装填される基板を搬送するための減圧内の基板操作プラットフォーム、並びに、EUVマスクブランクを形成するために、基板操作プラットフォームによってアクセスされる複数のサブチャンバを含み、EUVマスクブランクは、基板上の反射層の多層積層体を含み、多層積層体は、複数の反射層対、反射層の多層積層体上のキャッピング層、及びキャッピング層上の吸収体層を含み、吸収体層は、テルルとゲルマニウムとの合金から作製される。幾つかの実施形態におけるシステムは、EUVマスクブランクであって、図４又は図５に関連して示され、上記の図４又は図５に関連して説明されたEUVマスクブランクに関連して説明された特性のうちの何れかを有する、EUVマスクブランクを作製するために使用される。
[0091] プロセスは、概して、ソフトウェアルーチンとしてメモリ内に記憶され得る。ソフトウェアルーチンは、プロセッサによって実行されたときに、プロセスチャンバに本開示のプロセスを実行させる。ソフトウェアルーチンはまた、プロセッサによって制御されるハードウェアから遠隔に位置付けられた第２のプロセッサ（図示せず）によって、記憶及び／又は実行することもできる。本開示の方法の一部又は全部をハードウェア内で実行することもできる。したがって、プロセスは、ソフトウェア内に実装され、コンピュータシステムを使用して、例えば、特定用途向け集積回路若しくは他の種類のハードウェア実施態様としての、又はソフトウェアとハードウェアとの組み合わせとしてのハードウェア内で実行され得る。ソフトウェアルーチンは、プロセッサによって実行されると、汎用コンピュータを、処理が実行されるようにチャンバの動作を制御する特定用途コンピュータ（コントローラ）に変換する。
[0092] この明細書全体を通じて、「一実施形態（one embodiment）」、「特定の実施形態（certain embodiments）」、「１以上の実施形態（one or more embodiments）」、又は「実施形態（an embodiment）」に対する言及は、実施形態に関連して説明されている特定の特徴、構造、材料、又は特性が、本開示の少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味する。故に、この明細書全体の様々な箇所での「１以上の実施形態で」、「特定の実施形態で」、「一実施形態で」、又は「実施形態で」などの表現は、必ずしも、本開示の同一の実施形態に言及するものではない。更に、特定の特徴、構造、材料、又は特質は、１以上の実施形態において、任意の適切なやり方で組み合わされ得る。
[0093] 本明細書の開示は特定の実施形態を参照して説明されているが、これらの実施形態は、本開示の原理及び用途の例示にすぎないことを理解されたい。本開示の精神及び範囲から逸脱することなく、本開示の方法及び装置に対して様々な改変及び変形を行い得ることが、当業者には明らかになろう。したがって、本発明は、添付の特許請求の範囲及びその均等物の範囲内にある修正及び変形を含むことが意図されている。
Claims (20)
- 極紫外線（EUV）マスクブランクを製造する方法であって、
EUV放射を反射する多層積層体を基板上に形成することであって、前記多層積層体は複数の反射層対を含む、多層積層体を基板上に形成すること、
キャッピング層を前記多層積層体上に形成すること、及び
テルルとゲルマニウムとの合金を含む吸収体層を前記キャッピング層上に形成することを含む、方法。 - 前記テルルとゲルマニウムとの合金が、約６３重量％から約９３重量％のテルルと、約７重量％から約３７重量％のゲルマニウムとを含む、請求項１に記載の方法。
- 前記テルルとゲルマニウムとの合金が、約６８重量％から約８８重量％のテルルと、約２２重量％から約３２重量％のゲルマニウムとを含む、請求項１に記載の方法。
- 前記テルルとゲルマニウムとの合金が、約７３重量％から約８３重量％のテルルと、約１７重量％から約２７重量％のゲルマニウムとを含む、請求項２に記載の方法。
- 前記テルルとゲルマニウムとの合金が非晶質である、請求項３に記載の方法。
- 前記吸収体層を形成するために、前記合金が、アルゴン（Ar）、酸素（O2）、又は窒素（N2）のうちの１以上から選択されるガスで、テルル及びゲルマニウムを共スパッタリングすることによって形成される、請求項１に記載の方法。
- 前記吸収体層を形成するために、前記合金が、アルゴン（Ar）、酸素（O2）、又は窒素（N2）のうちの１以上から選択されるガスを使用して、テルル層とゲルマニウム層との積層体として層毎に堆積される、請求項１に記載の方法。
- 前記合金が、前記合金と同じ組成を有するバルクターゲットを使用して堆積され、アルゴン（Ar）、酸素（O2）、又は窒素（N2）のうちの１以上から選択されるガスを使用して、スパッタリングされる、請求項１に記載の方法。
- 前記テルルとゲルマニウムとの合金が、０．１重量％から５重量％の範囲内の窒素又は酸素のうちの１以上でドープされる、請求項２に記載の方法。
- 前記テルルとゲルマニウムとの合金が、約０．１重量％から約５重量％の範囲内の窒素又は酸素のうちの１以上でドープされる、請求項３に記載の方法。
- 極紫外線（EUV）マスクブランクであって、
基板、
EUV放射を反射する多層積層体であって、複数の反射層対を含む多層積層体、
反射層の前記多層積層体上のキャッピング層、及び
テルルとゲルマニウムとの合金を含む吸収体層を含む、極紫外線（EUV）マスクブランク。 - 前記テルルとゲルマニウムとの合金が、約６３重量％から約９３重量％のテルルと、約７重量％から約３７重量％のゲルマニウムとを含む、請求項１１に記載の極紫外線（EUV）マスクブランク。
- 前記テルルとゲルマニウムとの合金が、約６８重量％から約８８重量％のテルルと、約１２重量％から約３２重量％のゲルマニウムとを含む、請求項１１に記載の極紫外線（EUV）マスクブランク。
- 前記テルルとゲルマニウムとの合金が、約７３重量％から約８３重量％のテルルと、約１７重量％から約２７重量％のゲルマニウムとを含む、請求項１２に記載の極紫外線（EUV）マスクブランク。
- 前記テルルとゲルマニウムとの合金が非晶質である、請求項１３に記載の極紫外線（EUV）マスクブランク。
- 前記吸収体層が４５nm未満の厚さを有する、請求項１１に記載の極紫外線（EUV）マスクブランク。
- 前記吸収体層が、約０．１重量％から約５重量％の範囲の、窒素又は酸素のうちの１以上から選択されるドーパントを更に含む、請求項１１に記載の極紫外線（EUV）マスクブランク。
- 前記吸収体層が４５nm未満の厚さを有する、請求項１１に記載の極紫外線（EUV）マスクブランク。
- 前記吸収体層は、前記キャッピング層に対してエッチング選択性を有する、請求項１１に記載の極紫外線（EUV）マスクブランク。
- 極紫外線（EUV）マスクブランクであって、
基板、
EUV放射を反射する多層積層体であって、モリブデン（Mo）とシリコン（Si）とを含む複数の反射層対を含む多層積層体、
反射層の前記多層積層体上のキャッピング層、及び
テルルとゲルマニウムとの合金を含む吸収体層を含む、極紫外線（EUV）マスクブランク。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4410407A (en) | 1981-12-22 | 1983-10-18 | Raytheon Company | Sputtering apparatus and methods |
| JPS6376325A (ja) | 1987-06-30 | 1988-04-06 | Agency Of Ind Science & Technol | Ｘ線リソグラフィ−用マスクのｘ線吸収体膜 |
| JP3078163B2 (ja) | 1993-10-15 | 2000-08-21 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ用反射型マスクおよび縮小投影露光装置 |
| DE19508405A1 (de) | 1995-03-09 | 1996-09-12 | Leybold Ag | Kathodenanordnung für eine Vorrichtung zum Zerstäuben von einem Target-Paar |
| US6323131B1 (en) | 1998-06-13 | 2001-11-27 | Agere Systems Guardian Corp. | Passivated copper surfaces |
| US6132566A (en) | 1998-07-30 | 2000-10-17 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for sputtering ionized material in a plasma |
| US6013399A (en) | 1998-12-04 | 2000-01-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Reworkable EUV mask materials |
| JP3529676B2 (ja) | 1999-09-16 | 2004-05-24 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
| US6562522B1 (en) | 1999-10-29 | 2003-05-13 | Intel Corporation | Photomasking |
| US6583068B2 (en) | 2001-03-30 | 2003-06-24 | Intel Corporation | Enhanced inspection of extreme ultraviolet mask |
| US6396900B1 (en) | 2001-05-01 | 2002-05-28 | The Regents Of The University Of California | Multilayer films with sharp, stable interfaces for use in EUV and soft X-ray application |
| DE10155112B4 (de) | 2001-11-09 | 2006-02-02 | Infineon Technologies Ag | Reflexionsmaske für die EUV-Lithographie und Herstellungsverfahren dafür |
| EP1333323A3 (en) | 2002-02-01 | 2004-10-06 | Nikon Corporation | Self-cleaning reflective optical elements for use in x-ray optical systems, and optical systems and microlithography systems comprising same |
| EP2317384B1 (en) | 2002-04-11 | 2016-11-09 | Hoya Corporation | Reflective mask blank, reflective mask and methods of producing the mask blank and the mask |
| US6835503B2 (en) | 2002-04-12 | 2004-12-28 | Micron Technology, Inc. | Use of a planarizing layer to improve multilayer performance in extreme ultra-violet masks |
| JP2003315977A (ja) | 2002-04-25 | 2003-11-06 | Hoya Corp | リソグラフィーマスクブランクの製造方法及び製造装置 |
| US6641899B1 (en) | 2002-11-05 | 2003-11-04 | International Business Machines Corporation | Nonlithographic method to produce masks by selective reaction, articles produced, and composition for same |
| US6913706B2 (en) | 2002-12-28 | 2005-07-05 | Intel Corporation | Double-metal EUV mask absorber |
| US6908713B2 (en) | 2003-02-05 | 2005-06-21 | Intel Corporation | EUV mask blank defect mitigation |
| JP2004273794A (ja) | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | Ｘ線マスクの製造方法およびそれにより製造されたｘ線マスクを用いた半導体装置の製造方法 |
| US7033739B2 (en) | 2003-04-24 | 2006-04-25 | Intel Corporation | Active hardmask for lithographic patterning |
| US7282307B2 (en) | 2004-06-18 | 2007-10-16 | Freescale Semiconductor, Inc. | Reflective mask useful for transferring a pattern using extreme ultra violet (EUV) radiation and method of making the same |
| US20060024589A1 (en) | 2004-07-28 | 2006-02-02 | Siegfried Schwarzl | Passivation of multi-layer mirror for extreme ultraviolet lithography |
| US7407729B2 (en) | 2004-08-05 | 2008-08-05 | Infineon Technologies Ag | EUV magnetic contrast lithography mask and manufacture thereof |
| KR20070054651A (ko) | 2004-09-17 | 2007-05-29 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크스 및 그 제조방법 |
| US8575021B2 (en) | 2004-11-22 | 2013-11-05 | Intermolecular, Inc. | Substrate processing including a masking layer |
| FR2884965B1 (fr) | 2005-04-26 | 2007-06-08 | Commissariat Energie Atomique | Structure de blanc de masque ajustable pour masque euv a decalage de phase |
| US7432201B2 (en) | 2005-07-19 | 2008-10-07 | Applied Materials, Inc. | Hybrid PVD-CVD system |
| KR20070036519A (ko) | 2005-09-29 | 2007-04-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반사형 마스크 |
| JP4652946B2 (ja) | 2005-10-19 | 2011-03-16 | Ｈｏｙａ株式会社 | 反射型マスクブランク用基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 |
| US20070090084A1 (en) | 2005-10-20 | 2007-04-26 | Pei-Yang Yan | Reclaim method for extreme ultraviolet lithography mask blank and associated products |
| JP4926523B2 (ja) | 2006-03-31 | 2012-05-09 | Ｈｏｙａ株式会社 | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法 |
| KR20080001023A (ko) | 2006-06-29 | 2008-01-03 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선 반사형 블랭크 마스크와 포토마스크 및 그제조방법 |
| TWI427334B (zh) | 2007-02-05 | 2014-02-21 | Zeiss Carl Smt Gmbh | Ｅｕｖ蝕刻裝置反射光學元件 |
| KR100879139B1 (ko) | 2007-08-31 | 2009-01-19 | 한양대학교 산학협력단 | 위상 반전 마스크 및 이의 제조방법 |
| JP5194888B2 (ja) | 2007-09-27 | 2013-05-08 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク及びその製造方法並びに半導体素子の製造方法 |
| EP2217539A4 (en) | 2007-11-30 | 2015-07-01 | Corning Inc | LOW DILATION GLASS MATERIAL HAVING A LOW GRADIENT OF EXPANSION POWER |
| KR100972863B1 (ko) | 2008-04-22 | 2010-07-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 극자외선 리소그라피 마스크 및 그 제조 방법 |
| WO2010007955A1 (ja) | 2008-07-14 | 2010-01-21 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク |
| DE102008042212A1 (de) | 2008-09-19 | 2010-04-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Reflektives optisches Element und Verfahren zu seiner Herstellung |
| WO2010050359A1 (ja) | 2008-10-30 | 2010-05-06 | キヤノンアネルバ株式会社 | 多層膜スパッタリング装置及び多層膜形成方法 |
| US8587662B1 (en) | 2008-11-06 | 2013-11-19 | Target Brands, Inc. | Theft trend analysis and response |
| KR101095681B1 (ko) | 2008-12-26 | 2011-12-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 극자외선 리소그래피를 위한 포토마스크 및 그 제조방법 |
| EP2264460A1 (en) | 2009-06-18 | 2010-12-22 | Nxp B.V. | Device having self-assembled-monolayer |
| JP5766393B2 (ja) | 2009-07-23 | 2015-08-19 | 株式会社東芝 | 反射型露光用マスクおよび半導体装置の製造方法 |
| KR20130007537A (ko) | 2010-03-02 | 2013-01-18 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법 |
| KR101625382B1 (ko) | 2010-04-29 | 2016-05-30 | (주)에스앤에스텍 | 극자외선용 반사형 블랭크 마스크, 포토마스크 및 그의 제조방법 |
| WO2011157643A1 (en) | 2010-06-15 | 2011-12-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Mask for euv lithography, euv lithography system and method for optimising the imaging of a mask |
| TWI554630B (zh) | 2010-07-02 | 2016-10-21 | 應用材料股份有限公司 | 減少沉積不對稱性的沉積設備及方法 |
| US8764995B2 (en) | 2010-08-17 | 2014-07-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Extreme ultraviolet light (EUV) photomasks, and fabrication methods thereof |
| WO2012036103A1 (en) | 2010-09-15 | 2012-03-22 | Ricoh Company, Ltd. | Electromechanical transducing device and manufacturing method thereof, and liquid droplet discharging head and liquid droplet discharging apparatus |
| JP6013720B2 (ja) | 2010-11-22 | 2016-10-25 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 反射型マスクの製造方法、および反射型マスクの製造装置 |
| US8426085B2 (en) | 2010-12-02 | 2013-04-23 | Intermolecular, Inc. | Method and apparatus for EUV mask having diffusion barrier |
| CN103858209B (zh) | 2011-09-28 | 2017-06-06 | 凸版印刷株式会社 | 反射型曝光用掩模坯及反射型曝光用掩模 |
| KR20140099226A (ko) | 2011-11-25 | 2014-08-11 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | Euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법 |
| JP2013120868A (ja) | 2011-12-08 | 2013-06-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射型マスクブランクス、反射型マスク、および、それらの製造方法 |
| US8691476B2 (en) | 2011-12-16 | 2014-04-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | EUV mask and method for forming the same |
| KR20130085774A (ko) | 2012-01-20 | 2013-07-30 | 에스케이하이닉스 주식회사 | Ｅｕｖ 마스크 |
| WO2013152921A1 (en) | 2012-04-12 | 2013-10-17 | Asml Netherlands B.V. | Pellicle, reticle assembly and lithographic apparatus |
| US8658333B2 (en) | 2012-06-04 | 2014-02-25 | Nanya Technology Corporation | Reflective mask |
| US8765331B2 (en) | 2012-08-17 | 2014-07-01 | International Business Machines Corporation | Reducing edge die reflectivity in extreme ultraviolet lithography |
| US8932785B2 (en) | 2012-10-16 | 2015-01-13 | Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co. Kg | EUV mask set and methods of manufacturing EUV masks and integrated circuits |
| US9146458B2 (en) | 2013-01-09 | 2015-09-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | EUV mask |
| US9442387B2 (en) | 2013-02-01 | 2016-09-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Extreme ultraviolet lithography process |
| US9812303B2 (en) | 2013-03-01 | 2017-11-07 | Applied Materials, Inc. | Configurable variable position closed track magnetron |
| US9135499B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-09-15 | Tyco Fire & Security Gmbh | Predictive theft notification for the prevention of theft |
| US20140254001A1 (en) | 2013-03-07 | 2014-09-11 | Globalfoundries Inc. | Fabry-perot thin absorber for euv reticle and a method of making |
| US9298081B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-03-29 | Globalfoundries Inc. | Scattering enhanced thin absorber for EUV reticle and a method of making |
| US20140272684A1 (en) | 2013-03-12 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet lithography mask blank manufacturing system and method of operation therefor |
| US9354508B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Planarized extreme ultraviolet lithography blank, and manufacturing and lithography systems therefor |
| US9310675B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Extreme ultraviolet light (EUV) photomasks, and fabrication methods thereof |
| JP6408790B2 (ja) | 2013-05-31 | 2018-10-17 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
| US9091947B2 (en) | 2013-07-19 | 2015-07-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Extreme ultraviolet light (EUV) photomasks and fabrication methods thereof |
| US9134604B2 (en) | 2013-08-30 | 2015-09-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Extreme ultraviolet (EUV) mask and method of fabricating the EUV mask |
| KR101567057B1 (ko) | 2013-11-15 | 2015-11-09 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| US9261774B2 (en) | 2013-11-22 | 2016-02-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Extreme ultraviolet lithography process and mask with reduced shadow effect and enhanced intensity |
| JP6301127B2 (ja) | 2013-12-25 | 2018-03-28 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法 |
| US9329597B2 (en) | 2014-01-17 | 2016-05-03 | Knightscope, Inc. | Autonomous data machines and systems |
| US10279488B2 (en) | 2014-01-17 | 2019-05-07 | Knightscope, Inc. | Autonomous data machines and systems |
| US9195132B2 (en) | 2014-01-30 | 2015-11-24 | Globalfoundries Inc. | Mask structures and methods of manufacturing |
| US11183375B2 (en) | 2014-03-31 | 2021-11-23 | Applied Materials, Inc. | Deposition system with multi-cathode and method of manufacture thereof |
| KR20160002332A (ko) | 2014-06-30 | 2016-01-07 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| US9581889B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-02-28 | Applied Materials, Inc. | Planarized extreme ultraviolet lithography blank with absorber and manufacturing system therefor |
| US9690016B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet reflective element with amorphous layers and method of manufacturing thereof |
| US9739913B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet capping layer and method of manufacturing and lithography thereof |
| US9612522B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask blank production system with thin absorber and manufacturing system therefor |
| US9581890B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-02-28 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet reflective element with multilayer stack and method of manufacturing thereof |
| WO2016043147A1 (ja) | 2014-09-17 | 2016-03-24 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
| US9709884B2 (en) | 2014-11-26 | 2017-07-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | EUV mask and manufacturing method by using the same |
| US9471866B2 (en) | 2015-01-05 | 2016-10-18 | Tyco Fire and Securtiy GmbH | Anti-theft system used for customer service |
| US9551924B2 (en) | 2015-02-12 | 2017-01-24 | International Business Machines Corporation | Structure and method for fixing phase effects on EUV mask |
| US9588440B2 (en) | 2015-02-12 | 2017-03-07 | International Business Machines Corporation | Method for monitoring focus in EUV lithography |
| KR101726045B1 (ko) | 2015-06-04 | 2017-04-13 | 한양대학교 산학협력단 | 극자외선 노광 공정용 마스크, 및 그 제조 방법 |
| TWI694304B (zh) | 2015-06-08 | 2020-05-21 | 日商Ａｇｃ股份有限公司 | Ｅｕｖ微影術用反射型光罩基底 |
| TWI623805B (zh) | 2015-08-17 | 2018-05-11 | Ｓ＆Ｓ技術股份有限公司 | 用於極紫外線微影之空白遮罩及使用其之光罩 |
| KR101829604B1 (ko) | 2015-08-17 | 2018-03-29 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선용 포토마스크 및 그 제조방법 |
| US9673042B2 (en) | 2015-09-01 | 2017-06-06 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for in-situ cleaning of copper surfaces and deposition and removal of self-assembled monolayers |
| US20170092533A1 (en) | 2015-09-29 | 2017-03-30 | Applied Materials, Inc. | Selective silicon dioxide deposition using phosphonic acid self assembled monolayers as nucleation inhibitor |
| US10163629B2 (en) | 2015-11-16 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Low vapor pressure aerosol-assisted CVD |
| US10431440B2 (en) | 2015-12-20 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for processing a substrate |
| US9791771B2 (en) | 2016-02-11 | 2017-10-17 | Globalfoundries Inc. | Photomask structure with an etch stop layer that enables repairs of detected defects therein and extreme ultraviolet(EUV) photolithograpy methods using the photomask structure |
| EP4358119A2 (en) | 2016-03-03 | 2024-04-24 | Applied Materials, Inc. | Improved self-assembled monolayer blocking with intermittent air-water exposure |
| JP6739960B2 (ja) | 2016-03-28 | 2020-08-12 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
| US10061191B2 (en) | 2016-06-01 | 2018-08-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | High durability extreme ultraviolet photomask |
| TWI763686B (zh) | 2016-07-27 | 2022-05-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有合金吸收劑的極紫外線遮罩坯料、製造極紫外線遮罩坯料的方法以及極紫外線遮罩坯料生產系統 |
| TWI811037B (zh) | 2016-07-27 | 2023-08-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 具多層吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造方法 |
| US11926894B2 (en) | 2016-09-30 | 2024-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Reactant vaporizer and related systems and methods |
| US11011357B2 (en) | 2017-02-21 | 2021-05-18 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for multi-cathode substrate processing |
| SG11201907622YA (en) | 2017-03-02 | 2019-09-27 | Hoya Corp | Reflective mask blank, reflective mask and manufacturing method thereof, and semiconductor device manufacturing method |
| US10704139B2 (en) | 2017-04-07 | 2020-07-07 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber target for reducing defects in workpiece during dielectric sputtering |
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