JP7434581B2 - 極紫外線マスクブランクハードマスク材料 - Google Patents

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Description

［０００１］本開示は、概して、極紫外線リソグラフィに関し、より詳細には、窒化アンチモン吸収体を有する極紫外線マスクブランク及び製造方法に関する。
［０００２］軟Ｘ線投影リソグラフィとも呼ばれる極紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィは、０．０１３５ミクロン以下の最小フィーチャサイズの半導体デバイスの製造に使用される。しかしながら、一般に５～１００ナノメートルの波長範囲にある極端紫外光は、実質的にすべての物質で強く吸収される。そのため、極紫外線システムは、光の透過ではなく反射によって機能する。一連のミラー又はレンズ要素、及び非反射吸収マスクパターンでコーティングされた反射要素又はマスクブランクを使用することにより、パターン化された化学線がレジストでコーティングされた半導体基板上に反射される。
［０００３］極紫外線リソグラフィシステムのレンズ要素とマスクブランクは、モリブデン及びケイ素などの材料の反射多層コーティングでコーティングされている。レンズ要素又はマスクブランク当たり約６５％の反射値は、例えば、１３．５ナノメートルの紫外光に対して１２．５～１４．５ナノメートルのバンドパスなど、非常に狭い紫外バンドパス内の光を強く反射する多層コーティングでコーティングされた基板を使用することによって得られている。ＥＵＶマスクブランクスは、ＥＵＶ反射マスクを形成するために利用される。
［０００４］図１は、ＥＵＶマスクブランクから形成される従来のＥＵＶ反射マスク１０を示しており、これは、基板１４上の反射多層スタック１２を含み、ブラッグ干渉により、マスクされていない部分でＥＵＶ放射を反射する。従来のＥＵＶ反射マスク１０のマスクされた（非反射）領域１６は、バッファ層１８及び吸収体層２０をエッチングすることによって形成される。キャッピング層２２は、反射多層スタック１２の上に形成され、エッチングプロセス中、反射多層スタック１２を保護する。以下でさらに議論されるように、ＥＵＶマスクブランクスは、多層、キャッピング層及び吸収体層でコーティングされた低熱膨張材料基板上に作られ、次にエッチングされて、マスクされた（非反射）領域１６と反射領域２４が提供される。
［０００５］ＥＵＶマスクブランクの製造中、吸収体層の上にハードマスクが形成される。ハードマスク層を含むＥＵＶマスクブランクから、エッチング等によりマスクパターンを有する反射マスクを形成する。吸収体層を形成するために使用される次世代の吸収材料、例えば、アンチモン含有材料は、エッチングプロセス中に、ハードマスク層の吸収体層に対する適切なエッチング選択性を有するという課題を提起する。したがって、アンチモン含有吸収体材料に対して適切なエッチング選択性を有する、ＥＵＶマスクブランク用のハードマスク材料を提供する必要がある。
［０００６］本開示の１つ又は複数の実施形態は、ＥＵＶ放射を反射する、複数の反射層対を含む多層スタックを基板上に形成することと；キャッピング層上に、キャッピング層上に吸収体層を形成する吸収体層を形成することと；吸収体層上に、ＣｒＯ、ＣｒｘＯｙＮｚ（以下、ＣＲＯＮ又は酸窒化クロムと呼ぶ）、ＴａＮｉ、ＴａＲｕ、及びＴａＣｕからなる群から選択される材料を含むハードマスク層を形成することとを含む、極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクを製造する方法を対象としている。
［０００７］本開示の追加の実施形態は、ＥＵＶ放射を反射する、複数の反射層対を含む多層スタックと；反射層の多層スタック上のキャッピング層と；アンチモン含有材料を含む吸収体層と；吸収体層上の、ＣｒＯ、ＣｒＯＮ、ＴａＮｉ、ＴａＲｕ、及びＴａＣｕからなる群から選択される材料を含むハードマスクとを含む基板を含むＥＵＶマスクブランクを対象とする。
［０００８］本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、上記で簡単に要約した本開示のより詳細な説明を、実施形態を参照することによって行うことができ、そのいくつかを添付の図面に示す。しかしながら、添付の図面は、本開示の典型的な実施形態のみを示しており、したがって、その範囲を限定すると見なされるべきではないことに留意されたい。
［０００９］従来の吸収体を使用する背景技術のＥＵＶ反射マスクを概略的に示す図である。 ［００１０］極紫外線リソグラフィシステムの一実施形態を概略的に示す図である。 ［００１１］極端紫外反射要素製造システムの一実施形態を示す図である。 ［００１２］ＥＵＶマスクブランクなどの極端紫外反射要素の一実施形態を示す図である。 ［００１３］マルチカソード物理堆積チャンバの一実施形態を示している。
［００１４］本開示のいくつかの例示的な実施形態を説明する前に、本開示は、以下の説明に記載される構成又はプロセスステップの詳細に限定されないことを理解されたい。本開示は、他の実施形態が可能であり、様々な方法で実施又は実行することができる。本開示は、他の実施形態が可能であり、様々な方法で実施又は実行することができる。
［００１５］ここで使用される「水平」という用語は、その向きに関係なく、マスクブランクの平面又は表面に平行な平面として定義される。「垂直」という用語は、定義した水平に対して垂直な方向を指す。「上（ａｂｏｖｅ）」、「下（ｂｅｌｏｗ）」、「底部（ｂｏｔｔｏｍ）」、「頂部（ｔｏｐ）」、「側面」（「側壁」など）、「より高い（ｈｉｇｈｅｒ）」、「より低い（ｌｏｗｅｒ）」、「上方（ｕｐｐｅｒ）」、「上に（ｏｖｅｒ）」、「下に（ｕｎｄｅｒ）」などの用語」は、図に示すように、水平面に対して定義される。
［００１６］「上に（ｏｎ）」という用語は、要素間に直接接触があることを示す。「直接」という用語は、介在要素なしで要素間に直接接触があることを示す。
［００１７］当業者は、処理領域を説明するために「第１」及び「第２」などの序数を使用することが、処理チャンバ内の特定の位置、又は処理チャンバ内の露出の順序を意味することではことを理解するであろう。
［００１８］この明細書及び添付の特許請求の範囲で使用される場合、「基板」という用語は、プロセスが作用する表面又は表面の一部を指す。文脈が明らかに他のことを示さない限り、基板への言及はまた、基板の一部のみを指すことも当業者によって理解されるであろう。さらに、基板上への堆積への言及は、剥き出しの基板と、その上に堆積又は形成された１つ又は複数のフィルム若しくはフィーチャを有する基板の両方を意味する。
［００１９］ここで図２を参照すると、極紫外線リソグラフィシステム１００の例示的な実施形態が示されている。極端紫外リソグラフィシステム１００は、極端紫外光１１２を生成するための極端紫外光源１０２、反射要素のセット、及びターゲットウエハ１１０を含む。反射要素は、コンデンサ１０４、ＥＵＶ反射マスク１０６、光学縮小アセンブリ１０８、マスクブランク、ミラー、又はそれらの組み合わせを含む。
［００２０］極端紫外光源１０２は、極端紫外光１１２を生成する。極端紫外光１１２は、５～５０ナノメートル（ｎｍ）の範囲の波長を有する電磁放射である。例えば、極紫外線光源１０２は、レーザ、レーザ生成プラズマ、放電生成プラズマ、自由電子レーザ、シンクロトロン放射、又はそれらの組み合わせを含む。
［００２１］極端紫外光源１０２は、様々な特性を有する極端紫外光１１２を生成する。極端紫外光源１０２は、ある範囲の波長にわたって広帯域の極端紫外放射を生成する。例えば、極紫外光源１０２は、５～５０ｎｍの範囲の波長を有する極紫外光１１２を生成する。
［００２２］１つ又は複数の実施形態では、極端紫外光源１０２は、狭い帯域幅を有する極端紫外光１１２を生成する。例えば、極紫外光源１０２は、１３．５ｎｍの極紫外光１１２を生成する。波長ピークの中心は１３．５ｎｍである。
［００２３］コンデンサ１０４は、極紫外光１１２を反射して集光するための光学ユニットである。コンデンサ１０４は、極端紫外光源１０２からの極端紫外光１１２を反射及び集光して、ＥＵＶ反射マスク１０６を照明する。
コンデンサ１０４は単一の要素として示されているが、いくつかの実施形態におけるコンデンサ１０４は、極端紫外光１１２を反射及び集中させるために、凹面鏡、凸面鏡、平面鏡、又はそれらの組み合わせなどの１つ又は複数の反射要素を含むことは理解される。例えば、いくつかの実施形態におけるコンデンサ１０４は、単一の凹面鏡、又は凸面、凹面、及び平面の光学要素を有する光学アセンブリである。
［００２５］ＥＵＶ反射マスク１０６は、マスクパターン１１４を有する極紫外反射要素である。ＥＵＶ反射マスク１０６は、リソグラフィパターンを作成して、ターゲットウエハ１１０上に形成される回路レイアウトを形成する。ＥＵＶ反射マスク１０６は、極端紫外光１１２を反射する。マスクパターン１１４は、回路レイアウトの一部を画定する。
［００２６］光学縮小アセンブリ１０８は、マスクパターン１１４の像を縮小するための光学ユニットである。ＥＵＶ反射マスク１０６からの極端紫外光１１２の反射は、光学縮小アセンブリ１０８によって縮小され、ターゲットウエハ１１０上に反射される。いくつかの実施形態における光学縮小アセンブリ１０８は、マスクパターン１１４の画像のサイズを縮小するためにミラー及び他の光学要素を含む。例えば、いくつかの実施形態における光学縮小アセンブリ１０８は、極端紫外光１１２を反射及び集束するための凹面鏡を含む。
［００２７］光学縮小アセンブリ１０８は、ターゲットウエハ１１０上のマスクパターン１１４の画像のサイズを縮小する。例えば、いくつかの実施形態におけるマスクパターン１１４は、ターゲットウエハ１１０上に光学縮小アセンブリ１０８によって４：１の比率で結像され、ターゲットウエハ１１０上にマスクパターン１１４によって表される回路を形成する。いくつかの実施形態における極端紫外光１１２は、ターゲットウエハ１１０と同期してＥＵＶ反射マスク１０６をスキャンして、ターゲットウエハ１１０上にマスクパターン１１４を形成する。
［００２８］ここで図３を参照すると、極紫外線反射要素製造システム２００の実施形態が示されている。極紫外線反射要素は、ＥＵＶマスクブランク２０４、極紫外線ミラー２０５、又はＥＵＶ反射マスク１０６などの他の反射要素を含む。
［００２９］いくつかの実施形態における極紫外線反射要素製造システム２００は、マスクブランク、ミラー、又は図２の極紫外線１１２を反射する他の要素を製造する。極紫外線反射要素製造システム２００は、ソース基板２０３に薄いコーティングを適用することによって反射要素を製造する。
［００３０］ＥＵＶマスクブランク２０４は、図２のＥＵＶ反射マスク１０６を形成するための多層構造である。いくつかの実施形態におけるＥＵＶマスクブランク２０４は、半導体製造技術を使用して形成される。いくつかの実施形態におけるＥＵＶ反射マスク１０６は、エッチング及び他の処理によってＥＵＶマスクブランク２０４上に形成された図２のマスクパターン１１４を有する。
［００３１］極紫外線ミラー２０５は、極端紫外光の範囲で反射する多層構造である。いくつかの実施形態における極紫外線ミラー２０５は、半導体製造技術を使用して形成される。いくつかの実施形態におけるＥＵＶマスクブランク２０４及び極紫外線ミラー２０５は、各要素上に形成された層に関して同様の構造であるが、極紫外線ミラー２０５はマスクパターン１１４を有していない。
［００３２］反射要素は、極端紫外光１１２の効率的な反射体である。一実施形態では、ＥＵＶマスクブランク２０４及び極紫外線ミラー２０５は、６０％を超える極紫外線反射率を有する反射要素は、極端紫外光１１２の６０％超反射する場合に効率的である。
［００３３］極紫外線反射要素製造システム２００は、ソース基板２０３がロードされ、そこから反射要素がアンロードされるウエハローディング及びキャリアハンドリングシステム２０２を含む。雰囲気ハンドリングシステム２０６は、ウエハハンドリング真空チャンバ２０８へのアクセスを提供する。いくつかの実施形態におけるウエハローディング及びキャリアハンドリングシステム２０２は、基板輸送ボックス、ロードロック、及びシステム内の雰囲気から真空に基板を移送するための他の構成要素を含む。ＥＵＶマスクブランク２０４は非常に小さいスケールでデバイスを形成するのに使用されるため、ソース基板２０３及びＥＵＶマスクブランク２０４は、汚染及び他の欠陥を防止するために真空システムで処理される。
［００３４］いくつかの実施形態におけるウエハハンドリング真空チャンバ２０８は、２つの真空チャンバ、第１の真空チャンバ２１０及び第２の真空チャンバ２１２を含む。第１の真空チャンバ２１０は、第１のウエハハンドリングシステム２１４を含み、第２の真空チャンバ２１２は、第２のウエハハンドリングシステム２１６を含む。ウエハハンドリング真空チャンバ２０８は、２つの真空チャンバで説明されているが、いくつかの実施形態におけるシステムは、任意の数の真空チャンバを有することが理解される。
［００３５］いくつかの実施形態におけるウエハハンドリング真空チャンバ２０８は、様々な他のシステムの取り付けのために、その周囲に複数のポートを有する。第１の真空チャンバ２１０は、脱ガスシステム２１８、第１の物理蒸気堆積システム２２０、第２の物理蒸気堆積システム２２２、及び前洗浄システム２２４を有する。脱ガスシステム２１８は、基板から水分を熱的に脱着するためのものである。前洗浄システム２２４は、ウエハ、マスクブランク、ミラー、又は他の光学部品の表面を洗浄するためのものである。
［００３６］第１の物理蒸気堆積システム２２０及び第２の物理蒸気堆積システム２２２などの物理蒸気堆積システムは、いくつかの実施形態では、ソース基板２０３上に導電性材料の薄膜を形成するのに使用される。例えば、いくつかの実施形態における物理蒸気堆積システムは、マグネトロンスパッタリングシステム、イオンスパッタリングシステム、パルスレーザ堆積、カソードアーク堆積、又はそれらの組み合わせなどの真空堆積システムを含む。マグネトロンスパッタリングシステムなどの物理蒸気堆積システムは、ソース基板２０３上に、ケイ素、金属、合金、化合物、又はそれらの組み合わせの層を含む薄層を形成する。
［００３７］物理蒸気堆積システムは、反射層、キャッピング層、及び吸収体層を形成する。例えば、いくつかの実施形態における物理蒸気堆積システムは、ケイ素、モリブデン、酸化チタン、二酸化チタン、酸化ルテニウム、酸化ニオブ、ルテニウムタングステン、ルテニウムモリブデン、ルテニウムニオブ、クロム、アンチモン、鉄、銅、ホウ素、ニッケル、ビスマス、テルル、ハフニウム、タンタル、アンチモン、窒化物、化合物、又はそれらの組み合わせの層を形成する。いくつかの化合物は酸化物として説明されているが、いくつかの実施形態における化合物は、酸化物、二酸化物、酸素原子を有する原子混合物、又はそれらの組み合わせを含むことが理解される。
［００３８］第２の真空チャンバ２１２は、第１のマルチカソード源２２６、化学蒸気堆積システム２２８、硬化チャンバ２３０、及びそれに接続された超平滑堆積チャンバ２３２を有する。例えば、いくつかの実施形態における化学蒸気堆積システム２２８は、流動性化学蒸気堆積システム（ＦＣＶＤ）、プラズマ支援化学蒸気堆積システム（ＣＶＤ）、エアロゾル支援ＣＶＤシステム、ホットフィラメントＣＶＤシステム、又は同様のシステムを含む。別の例では、いくつかの実施形態における化学蒸気堆積システム２２８、硬化チャンバ２３０、及び超平滑堆積チャンバ２３２は、極紫外線反射要素製造システム２００とは別のシステム内にある。
［００３９］いくつかの実施形態における化学蒸気堆積システム２２８は、ソース基板２０３上に材料の薄膜を形成する。例えば、いくつかの実施形態における化学蒸気堆積システム２２８は、ソース基板２０３上に、単結晶層、多結晶層、非晶質層、エピタキシャル層、又はそれらの組み合わせを含む材料の層を形成するために使用されるいくつかの実施形態では、化学蒸気堆積システム２２８は、ケイ素、ケイ素酸化物、オキシ炭化ケイ素、タンタル、テルル、アンチモン、ハフニウム、鉄、銅、ホウ素、ニッケル、タングステン、ビスマス、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化チタン、金属、合金、及び化学蒸気体積に適したその他の材料の層を形成する。例えば、いくつかの実施形態における化学蒸気体積システムは、平坦化層を形成する。
［００４０］第１のウエハハンドリングシステム２１４は、ソース基板２０３を雰囲気ハンドリングシステム２０６と第１の真空チャンバ２１０の周囲の様々なシステムとの間で連続真空中で移動させることができる。第２のウエハハンドリングシステム２１６は、ソース基板２０３を連続真空中に維持しながら、第２の真空チャンバ２１２の周りでソース基板２０３を移動させることができる。いくつかの実施形態における極紫外線反射要素製造システム２００は、ソース基板２０３及びＥＵＶマスクブランク２０４を第１のウエハハンドリングシステム２１４と第２のウエハハンドリングシステム２１６との間で連続真空内で移送する。
［００４１］ここで図４を参照すると、極紫外線反射要素３０２の実施形態が示されている。１つ又は複数の実施形態では、極紫外線反射要素３０２は、図３のＥＵＶマスクブランク２０４又は図３の極紫外線ミラー２０５である。ＥＵＶマスクブランク２０４及び極紫外線ミラー２０５は、図２の極端紫外光１１２を反射するための構造である。いくつかの実施形態におけるＥＵＶマスクブランク２０４は、図２に示されるＥＵＶ反射マスク１０６を形成するために使用される。
［００４２］極紫外線反射要素３０２は、基板３０４、反射層の多層スタック３０６、及びキャッピング層３０８を含む。１つ又は複数の実施形態では、極紫外線ミラー２０５を使用して、図２のコンデンサ１０４又は図２の光学縮小アセンブリ１０８で使用するための反射構造を形成する。
［００４３］いくつかの実施形態では、ＥＵＶマスクブランク２０４である極紫外線反射要素３０２は、基板３０４、反射層の多層スタック３０６、キャッピング層３０８、吸収体層３１０、及びハードマスク層を含む。いくつかの実施形態における極紫外線反射要素３０２は、ＥＵＶマスクブランク２０４であり、必要な回路のレイアウトで吸収体層３１０をパターニングすることによって、図２のＥＵＶ反射マスク１０６を形成するために使用される。
［００４４］以下のセクションでは、ＥＵＶマスクブランク２０４の用語は、簡単にするために極紫外線ミラー２０５の用語と交換可能に使用される。１つ又は複数の実施形態では、ＥＵＶマスクブランク２０４は、図２のマスクパターン１１４を形成するために追加された吸収体層３１０を有する極紫外線ミラー２０５の構成要素を含む。
［００４５］ＥＵＶマスクブランク２０４は、マスクパターン１１４を有するＥＵＶ反射マスク１０６を形成するために使用される光学的に平坦な構造である。１つ又は複数の実施形態では、ＥＵＶマスクブランク２０４の反射面は、図２の極端紫外光１１２などの入射光を反射するための平坦な焦点面を形成する。
［００４６］基板３０４は、極紫外線反射要素３０２に構造的支持を提供するための要素である。１つ又は複数の実施形態では、基板３０４は、温度変化中の安定性を提供するために、熱膨張係数（ＣＴＥ）が低い材料から作られる。１つ又は複数の実施形態では、基板３０４は、機械的サイクル、熱サイクル、結晶形成、又はそれらの組み合わせに対する安定性などの特性を有する。１つ又は複数の実施形態による基板３０４は、ケイ素、ガラス、酸化物、セラミック、ガラスセラミック、又はそれらの組み合わせなどの材料から形成される。
［００４７］多層スタック３０６は、極端紫外光１１２を反射する構造である。多層スタック３０６は、第１の反射層３１２と第２の反射層３１４の交互の反射層を含む。
［００４８］第１の反射層３１２及び第２の反射層３１４は、図４の反射対３１６を形成する。非限定的な実施形態では、多層スタック３０６は、合計１２０までの反射層に対して２０～６０の範囲の反射対３１６を含む。
［００４９］いくつかの実施形態における第１の反射層３１２及び第２の反射層３１４は様々な材料から形成される。一実施形態では、第１の反射層３１２及び第２の反射層３１４は、それぞれケイ素及びモリブデンから形成される。層は、ケイ素及びモリブデンとして示されているが、いくつかの実施形態における交互層は、他の材料から形成されるか、又は他の内部構造を有することは理解される。
［００５０］いくつかの実施形態における第１の反射層３１２及び第２の反射層３１４は様々な構造を有する。一実施形態では、第１の反射層３１２及び第２の反射層３１４の両方が、単層、多層、分割層構造、不均一構造、又はそれらの組み合わせで形成される。
［００５１］ほとんどの材料は極紫外線波長の光を吸収するため、使用される光学要素は、他のリソグラフィシステムで使用される透過型ではなく反射型である。多層スタック３０６は、異なる光学特性を有する材料の薄層を交互に有することによって反射構造を形成し、ブラッグリフレクタ又はミラーを作成する。
［００５２］一実施形態では、交互層のそれぞれは、極端紫外光１１２に対して異なる光学定数を有する。交互層は、交互層の厚さの周期が極端紫外光１１２の波長の半分である場合、共鳴反射率を提供する。一実施形態では、波長１３ｎｍの極端紫外光１１２の場合、交互層の厚さは約６．５ｎｍである。提供されるサイズと寸法は、典型的な要素の通常の工学的公差内にあることが理解される。
［００５３］いくつかの実施形態における多層スタック３０６は、様々な方法で形成される。一実施形態では、第１反射層３１２及び第２反射層３１４は、マグネトロンスパッタリング、イオンスパッタリングシステム、パルスレーザ堆積、カソードアーク堆積、又はそれらの組み合わせで形成される。
［００５４］例示的な実施形態では、多層スタック３０６は、マグネトロンスパッタリングなどの物理蒸気堆積技術を使用して形成される。一実施形態では、多層スタック３０６の第１の反射層３１２及び第２の反射層３１４は、マグネトロンスパッタリング技術によって形成されて、正確な厚さ、低い粗さ、及び層間のきれいな界面を含むという特徴を有する。一実施形態では、多層スタック３０６の第１の反射層３１２及び第２の反射層３１４は、物理蒸気堆積によって形成されて、正確な厚さ、低い粗さ、及び層間のきれいな界面を含むという特徴を有する。
［００５５］いくつかの実施形態では、物理蒸気堆積技術を使用して形成される多層スタック３０６の層の物理的寸法は、反射率を高めるために正確に制御される。一実施形態では、ケイ素の層などの第１の反射層３１２は、４．１ｎｍの厚さを有する。モリブデンの層などの第２の反射層３１４は、２．８ｎｍの厚さを有する。層の厚さは、極紫外線反射要素のピーク反射率波長を決定する。層の厚さが正しくない場合、いくつかの実施形態では、所望の波長１３．５ｎｍでの反射率が低下する。
［００５６］一実施形態では、多層スタック３０６は、６０％を超える反射率を有する。一実施形態では、物理蒸気堆積を使用して形成された多層スタック３０６は、６６％～６７％の範囲の反射率を有する。１つ又は複数の実施形態では、より硬い材料で形成された多層スタック３０６の上にキャッピング層３０８を形成すると、反射率が向上する。いくつかの実施形態では、７０％を超える反射率は、低い粗さの層、層間のきれいな界面、改善された層材料、又はそれらの組み合わせを使用して達成される。
［００５７］１つ又は複数の実施形態では、キャッピング層３０８は、極端紫外光１１２の透過を可能にする保護層である。一実施形態では、キャッピング層３０８は、多層スタック３０６上に直接形成される。１つ又は複数の実施形態では、キャッピング層３０８は、多層スタック３０６を汚染物質及び機械的損傷から保護する。一実施形態では、多層スタック３０６は、酸素、タンタル、ヒドロタンタル、又はそれらの組み合わせによる汚染に敏感である。一実施形態によるキャッピング層３０８は、汚染物質と相互作用してそれらを中和する。
［００５８］１つ又は複数の実施形態では、キャッピング層３０８は、極端紫外光１１２に対して透明である光学的に均一な構造である。極端紫外光１１２は、キャッピング層３０８を通過して、多層スタック３０６から反射する。１つ又は複数の実施形態では、キャッピング層３０８は、１％～２％の総反射率損失を有する。１つ又は複数の実施形態では、異なる材料のそれぞれは、厚さに応じて異なる反射率損失を有するが、それらのすべては１％～２％の範囲にある。
［００５９］１つ又は複数の実施形態では、キャッピング層３０８は滑らかな表面を有する。例えば、いくつかの実施形態におけるキャッピング層３０８の表面は、０．２ｎｍＲＭＳ（二乗平均平方根）未満の粗さを有する。別の例では、キャッピング層３０８の表面は、１／１００ｎｍ～１／１μｍの範囲の長さに対して０．０８ｎｍＲＭＳの粗さを有する。ＲＭＳ粗さは、測定範囲によって異なる。１００ｎｍ～１ミクロンの特定の範囲では、粗さは０．０８ｎｍ以下である。範囲が広いほどラフネスは高くなる。
［００６０］いくつかの実施形態におけるキャッピング層３０８は、様々な方法で形成される。一実施形態では、キャッピング層３０８は、マグネトロンスパッタリング、イオンスパッタリングシステム、イオンビーム堆積、電子ビーム堆積、高周波（ＲＦ）スパッタリング、原子層堆積（ＡＬＤ）、パルスレーザ堆積、カソードアーク堆積、又はそれらの組み合わせを用いて、多層スタック３０６上又は直接上に形成される。１つ又は複数の実施形態では、キャッピング層３０８は、マグネトロンスパッタリング技術によって形成されて、正確な厚さ、低い粗さ、及び層間のきれいな界面を含むという物理的特徴を有する。一実施形態では、キャッピング層３０８は、物理堆積によって形成されて、正確な厚さ、低い粗さ、及び層間のきれいな界面を含むという物理的特性を有する。
［００６１］１つ又は複数の実施形態では、キャッピング層３０８は、洗浄中の侵食に耐えるのに十分な硬度を有する様々な材料から形成される。一実施形態では、ルテニウムは良好なエッチングストップであり、操作条件下で比較的不活性であるため、キャッピング層材料として使用される。しかしながら、いくつかの実施形態では、キャッピング層３０８を形成するために他の材料が使用されることが理解される。特定の実施形態では、キャッピング層３０８は、２．５～５．０ｎｍの範囲の厚さを有する。
［００６２］１つ又は複数の実施形態では、吸収体層３１０は、極端紫外光１１２を吸収する層である。一実施形態では、吸収体層３１０は、極端紫外光１１２を反射しない領域を提供することによって、ＥＵＶ反射マスク１０６上にパターンを形成するために使用される。吸収体層３１０は、１つ又は複数の実施形態によれば、約１３．５ｎｍなどの極端紫外光１１２の特定の周波数に対して高い吸収係数を有する材料を含む。一実施形態では、吸収体層３１０は、キャッピング層３０８上に直接形成され、吸収体層３１０は、フォトリソグラフィプロセスを使用してエッチングされ、ＥＵＶ反射マスク１０６のパターンが形成される。
［００６３］１つ又は複数の実施形態によれば、極紫外線ミラー２０５などの極紫外線反射要素３０２は、基板３０４、多層スタック３０６、及びキャッピング層３０８で形成される。極端紫外ミラー２０５は、光学的に平坦な表面を有し、いくつかの実施形態では、極端紫外光１１２を効率的かつ均一に反射する。
［００６４］１つ又は複数の実施形態によれば、ＥＵＶマスクブランク２０４などの極端紫外反射要素３０２は、基板３０４、多層スタック３０６、キャッピング層３０８、吸収体層３１０、及びハードマスク層３１８により形成される。マスクブランク２０４は、光学的に平坦な表面を有し、いくつかの実施形態では、極端紫外光１１２を効率的かつ均一に反射する。一実施形態では、マスクパターン１１４は、ＥＵＶマスクブランク２０４の吸収体層３１０で形成される。
［００６５］１つ又は複数の実施形態によれば、キャッピング層３０８の上に吸収体層３１０を形成することは、ＥＵＶ反射マスク１０６の信頼性を高める。キャッピング層３０８は、吸収体層３１０のエッチング停止層として機能する。図２のマスクパターン１１４が吸収体層３１０にエッチングされると、吸収体層３１０の下のキャッピング層３０８は、エッチング作用を停止して多層スタック３０６を保護する。１つ又は複数の実施形態では、吸収体層３１０は、キャッピング層３０８に対してエッチング選択的である。いくつかの実施形態では、キャッピング層３０８はルテニウムを含み、吸収体層３１０はルテニウムに対してエッチング選択的である。
［００６６］一実施形態では、吸収体層３１０はアンチモン含有材料を含む。アンチモン含有吸収体層材料は、吸収体層３１０に関して、ＥＵＶ反射要素の製造中にエッチング選択性の問題を提示することが判明した。１つ又は複数の実施形態では、（吸収体層３１０のエッチング速度）：（ハードマスク層３１８のエッチング速度）の比が、３：１～５０：１、例えば、４：１～４０：１、又は５：１～５０：１、又は５：１～４０：１、又は５：１～３０：１、又は１０：１～５０：１、又は１０：１～４０：１、又は１０：１～３０：１の範囲である。１つ又は複数の実施形態によれば、すぐ上で提供されたエッチング速度は、Ｃｌ２及び／又はＣＦ４エッチング化学物質に関するものである。１つ又は複数の実施形態では、吸収体層３１０は２０ｎｍ～６０ｎｍの、例えば、３０ｎｍ～４５ｎｍの範囲の厚さを有する際、ハードマスク層３１８は、１ｎｍ～２０ｎｍの、例えば、２ｎｍ～９ｎｍの範囲の厚さを有する。
［００６７］いくつかの実施形態では、吸収体層は、ＳｂＮ、炭素とアンチモンの合金、及びタンタルとアンチモンの合金からなる群から選択される材料を含む。特定の実施形態では、アンチモン含有吸収体層３１０は、アンチモンと窒素の化合物、例えば、ＳｂＮを含む。いくつかの実施形態では、吸収体層３１０は、約６５ｎｍ未満、約５５ｎｍ未満、又は約４５ｎｍ未満を含む、約７５ｎｍ未満の厚さを有する。他の実施形態では、吸収体層３１０は、約２０ｎｍ～約６５ｎｍ、及び３０ｎｍ～約４５ｎｍの範囲を含む、約１０ｎｍ～約７５ｎｍの範囲の厚さを有する。
［００６８］一実施形態では、吸収体層３１０は、アンチモンと窒素の化合物から作られる。１つ又は複数の実施形態では、アンチモンと窒素の化合物は、化合物の総重量に基づいて、アンチモンと窒素の化合物は、約７８．８重量％～約９９．８重量％のアンチモン及び約０．２重量％～約２１．２重量％の窒素を含む。１つ又は複数の実施形態では、アンチモンと窒素の化合物は、化合物の総重量に基づいて、アンチモンと窒素の化合物は、約８３．８重量％～約９４．８重量％のアンチモン及び約５．２重量％～約１６．２重量％の窒素を含む。１つ又は複数の実施形態では、アンチモンと窒素の化合物は、化合物の総重量に基づいて、アンチモンと窒素の化合物は、約８６．８重量％～約９１．８重量％のアンチモン及び約８．２重量％～約１３．２重量％の窒素を含む。１つ又は複数の実施形態では、アンチモンと窒素の化合物はアモルファスである。１つ又は複数の実施形態では、化合物は単相化合物である。
［００６９］１つ又は複数の実施形態では、アンチモンと窒素の化合物はドーパントを含む。一実施形態では、ドーパントは酸素を含む。一実施形態では、ドーパントは、化合物の重量に基づいて、約０．１重量％～約１０重量％の範囲の量で化合物中に存在する。他の実施形態では、ドーパントは、約０．１重量％、０．２重量％、０．３重量％、０．４重量％、０．５重量％、０．６重量％、０．７重量％、０．８重量％、０．９重量％％、１．０重量％、１．１重量％、１．２重量％、１．３重量％、１．４重量％、１．５重量％、１．６重量％、１．７重量％。１．８重量％、１．９重量％％、２．０重量％２．１重量％、２．２重量％、２．３重量％、２．４重量％、２．５重量％、２．６重量％、２．７重量％。２．８重量％、２．９重量％％、３．０重量％、３．１重量％、３．２重量％、３．３重量％、３．４重量％、３．５重量％、３．６重量％、３．７重量％、３．８重量％、３．９重量％％、４．０重量％、４．１重量％、４．２重量％、４．３重量％、４．４重量％、４．５重量％、４．６重量％、４．７重量％、４．８重量％、４．９重量％、又は５．０重量％の量で化合物中に存在する。
［００７０］１つ又は複数の実施形態では、吸収体層の化合物は、物理堆積チャンバ内で形成されたスパッタリングされた化合物吸収体材料である。１つ又は複数の実施形態において、いくつかの実施形態における吸収体層の化合物は、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）、又は窒素（Ｎ２）のうちの１つ又は複数から選択されるガスによってスパッタリングされる。一実施形態では、いくつかの実施形態における吸収体層の化合物は、アルゴンガスと酸素ガスの混合物（Ａｒ＋Ｏ２）によってスパッタリングされる。いくつかの実施形態では、アルゴンと酸素の混合物によるスパッタリングは、アンチモンの酸化物及び／又は窒素の酸化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと酸素の混合物によるスパッタリングは、アンチモン又は窒素の酸化物を形成しない。一実施形態では、一部の実施形態における吸収体層の化合物は、アルゴンガスと窒素ガスの混合物（Ａｒ＋Ｎ２）によってスパッタリングされる。いくつかの実施形態では、アルゴンと窒素の混合物によるスパッタリングは、アンチモンの窒化物及び／又は窒素の窒化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと窒素の混合物によるスパッタリングは、アンチモン又は窒素の窒化物を形成しない。一実施形態では、いくつかの実施形態における吸収体層の化合物は、アルゴンと酸素と窒素ガスの混合物（Ａｒ＋Ｏ２＋Ｎ２）によってスパッタリングされる。いくつかの実施形態では、アルゴンと酸素と窒素の混合物によるスパッタリングは、窒素の酸化物及び／又は窒化物及び／又はテルルの酸化物及び／又は窒化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと酸素と窒素との混合物によるスパッタリングは、アンチモン又は窒素の酸化物又は窒化物を形成しない。一実施形態では、一部の実施形態における吸収体層のエッチング特性及び／又は他の特性は、上述のように、化合物の割合を制御することによって仕様に合わせて調整される。一実施形態では、いくつかの実施形態における化合物の割合は、物理蒸気堆積チャンバの電圧、圧力、流量などのパラメータを操作することによって正確に制御される。一実施形態では、材料特性をさらに変更するためにプロセスガスが使用され、例えば、アンチモン及び窒素の窒化物を形成するためにＮ２ガスが使用される。
［００７１］他の実施形態では、いくつかの実施形態におけるアンチモンと窒素の化合物は、スパッタリングによってアンチモンの層を形成することにより、アンチモンと窒素の層のラミネートとして層ごとに堆積される。アンチモン層の堆積後、ＰＶＤチャンバの電源を切り、１サイクルにつき１～１０秒（例えば、５秒）の範囲の期間、１～１０ｍＴ（例えば、２ｍＴ）の圧力で窒素ガス又は窒素と酸素のガスの流れを供給する。このプロセスは、アンチモンの気相窒化と呼ばれる。スパッタリングによるアンチモン堆積とそれに続く窒素層形成のサイクルは、所望のＳｂＮの厚さが達成されるまで繰り返される。
［００７２］一実施形態では、吸収体層３１０は、炭素とアンチモンの合金から作られる。１つ又は複数の実施形態では、炭素とアンチモンの合金は、合金の総重量に基づいて、約０．３重量％～約３．６重量％の炭素、及び約９６．４重量％～約９９．７重量％のアンチモン、例えば、合金の総重量に基づいて、約１．３重量％～約２．３重量％の炭素、及び約９７．７重量％～約９８．７重量％のアンチモンを含む。１つ又は複数の実施形態では、炭素とアンチモンの合金は、合金の総重量に基づいて、約５．０重量％～約１０．８重量％の炭素、及び約８９．２重量％～約９５．０重量％のアンチモン、例えば、合金の総重量に基づいて、約６．５重量％～約９．３重量％の炭素、及び約９０．７重量％～約９３．５重量％のアンチモンを含む。１つ又は複数の実施形態では、炭素とアンチモンの合金はアモルファスである。
［００７３］特定の実施形態では、炭素とアンチモンの合金はアンチモンに富んだ合金である。ここで使用する「アンチモンに富んだ」という用語は、合金中に炭素よりもかなり多くのアンチモンが存在することを意味する。例えば、特定の実施形態では、合金の総重量に基づいて、約０．３重量％～約３．６重量％の炭素及び約９６．４重量％～約９９．７重量％のアンチモンを含む、炭素とアンチモンの合金は合金である。別の特定の実施形態では、合金の総重量に基づいて、１．３重量％～約２．３重量％の炭素及び約９７．７重量％～約９８．７重量％のアンチモンを含む、炭素とアンチモンの合金は合金である。１つ又は複数の実施形態では、炭素とアンチモンの合金はアモルファスである。
［００７４］１つ又は複数の実施形態では、炭素及びアンチモンの合金はドーパントを含む。ドーパントは、窒素又は酸素の１つ又は複数から選択することができる。一実施形態では、ドーパントは酸素を含む。別の実施形態では、ドーパントは窒素を含む。一実施形態では、ドーパントは、合金の重量に基づいて、約０．１重量％～約５重量％の範囲の量で合金中に存在する。他の実施形態では、ドーパントは、約０．１重量％、０．２重量％、０．３重量％、０．４重量％、０．５重量％、０．６重量％、０．７重量％、０．８重量％、０．９重量％％、１．０重量％、１．１重量％、１．２重量％、１．３重量％、１．４重量％、１．５重量％、１．６重量％、１．７重量％、１．８重量％、１．９重量％％、２．０重量％、２．１重量％、２．２重量％、２．３重量％、２．４重量％、２．５重量％、２．６重量％、２．７重量％、２．８重量％、２．９重量％％、３．０重量％、３．１重量％、３．２重量％、３．３重量％、３．４重量％、３．５重量％、３．６重量％、３．７重量％、３．８重量％、３．９重量％％、４．０重量％、４．１重量％、４．２重量％、４．３重量％、４．４重量％、４．５重量％、４．６重量％、４．７重量％、４．８重量％、４．９重量％、又は５．０重量％の量で合金中に存在する。
［００７５］１つ又は複数の実施形態では、吸収体層の合金は、物理堆積チャンバ内で形成された同時スパッタリングされた合金吸収体材料である。１つ又は複数の実施形態において、いくつかの実施形態における吸収体層の合金は、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）、又は窒素（Ｎ２）のうちの１つ又は複数から選択されるガスによってスパッタリングされる。一実施形態では、吸収体層の合金は、アルゴンガスと酸素ガスの混合物（Ａｒ＋Ｏ２）によって同時スパッタリングすることができる。いくつかの実施形態では、アルゴンと酸素の混合物による同時スパッタリングは、炭素の酸化物及び／又はアンチモンの酸化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと酸素の混合物による同時スパッタリングは、炭素又はアンチモンの酸化物を形成しない。一実施形態では、吸収体層の合金は、アルゴンガスと窒素ガス（Ａｒ＋Ｎ２）の混合物によって同時スパッタリングすることができる。いくつかの実施形態では、アルゴンと窒素の混合物による同時スパッタリングは、炭素の窒化物及び／又はアンチモンの窒化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと窒素の混合物による同時スパッタリングは、炭素又はアンチモンの窒化物を形成しない。一実施形態では、吸収体層の合金は、アルゴンと酸素と窒素ガス（Ａｒ＋Ｏ２＋Ｎ２）との混合物によって同時スパッタリングすることができる。いくつかの実施形態では、アルゴンと酸素と窒素の混合物による同時スパッタリングは、炭素の酸化物及び／又は窒化物及び／又はアンチモンの酸化物及び／又は窒化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと酸素と窒素との混合物による同時スパッタリングは、炭素又はアンチモンの酸化物又は窒化物を形成しない。一実施形態では、上述のように、吸収体層のエッチング特性及び／又は他の特性を、合金の割合を制御することによって仕様に合わせて調整することができる。一実施形態では、物理体積チャンバの電圧、圧力、流量などのパラメータを操作することによって、合金の割合を正確に制御することができる。一実施形態では、材料特性をさらに変更するためにプロセスガスが使用され、例えば、炭素及びアンチモンの窒化物を形成するためにＮ２ガスが使用される。
［００７６］１つ又は複数の実施形態では、ここで使用する「同時スパッタリング」は、炭素を含む１つのターゲットとアンチモンを含む第２のターゲットの２つのターゲットが、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）、又は窒素（Ｎ２）から選択される１つ又は複数のガスを使用して同時にスパッタされて、炭素とアンチモンの合金を含む吸収体層を堆積／形成することを意味する。
［００７７］他の実施形態では、炭素とアンチモンの合金は、炭素とアンチモンの層のラミネートとして、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）、又は窒素（Ｎ２）のうちの１つ又は複数から選択されたガスを使用して、層ごとに堆積させることができる。一実施形態では、吸収体層の合金は、炭素層とアンチモン層のラミネートとして、アルゴンガスと酸素ガスの混合物（Ａｒ＋Ｏ２）を使用して、層ごとに堆積させることができる。いくつかの実施形態では、アルゴンと酸素の混合物を使用した層ごとの堆積により、炭素の酸化物及び／又はアンチモンの酸化物が形成される。他の実施形態では、アルゴンと酸素の混合物を使用した層ごとの堆積は、炭素又はアンチモンの酸化物を形成しない。一実施形態では、吸収体層の合金は、炭素層とアンチモン層のラミネートとして、アルゴンガスと窒素ガスの混合物（Ａｒ＋Ｎ２）を使用して、層ごとに堆積させることができる。いくつかの実施形態では、アルゴンと窒素の混合物を使用した層ごとの堆積により、炭素の窒化物及び／又はアンチモンの窒化物が形成される。他の実施形態では、アルゴンと窒素の混合物を使用した層ごとの堆積は、炭素又はアンチモンの窒化物を形成しない。一実施形態では、吸収体層の合金は、炭素層とアンチモン層のラミネートとして、アルゴンと酸素と窒素ガスの混合物（Ａｒ＋Ｏ２＋Ｎ２）を使用して、層ごとに堆積することができる。いくつかの実施形態では、アルゴンと酸素と窒素の混合物を使用した層ごとの堆積により、炭素の酸化物かつ／若しくは窒化物、及び／又はアンチモンの酸化物かつ／若しくは窒化物が形成される。他の実施形態では、アルゴンと酸素と窒素との混合物を使用した層ごとの堆積は、炭素又はアンチモンの酸化物又は窒化物を形成しない。
［００７８］一実施形態では、吸収体層３１０は、タンタルとアンチモンの合金から作られる。１つ又は複数の実施形態では、タンタルとアンチモンの合金は、合金の総重量に基づいて、約３３．７重量％～約５７．８重量％のタンタル、及び約４２．２重量％～約６３．３重量％のアンチモン、例えば、合金の総重量に基づいて、約４５重量％～約５５重量％のタンタル、及び約４５重量％～約５５重量％のアンチモンを含む。１つ又は複数の実施形態では、タンタルとアンチモンの合金は、合金の総重量に基づいて、約５７．８重量％～約７８．２重量％のタンタル、及び約２１．８重量％～約４２．２重量％のアンチモン、例えば、合金の総重量に基づいて、約６５重量％～約７５重量％のタンタル、及び約２５重量％～約３５重量％のアンチモンを含む。１つ又は複数の実施形態では、タンタルとアンチモンの合金は、合金の総重量に基づいて、約２１．９重量％～約３３．７重量％のタンタル、及び約６６．３重量％～約７８．１重量％のアンチモン、例えば、合金の総重量に基づいて、約２２重量％～約３０重量％のタンタル、及び約７０重量％～約７８重量％のアンチモンを含む。１つ又は複数の実施形態では、タンタルとアンチモンの合金はアモルファスである。
［００７９］特定の実施形態では、タンタルとアンチモンの合金はアンチモンに富んだ合金である。ここで使用する「アンチモンに富んだ」という用語は、合金中にタンタルよりも有意に多くのアンチモンが存在することを意味する。例えば、特定の実施形態では、タンタルとアンチモンの合金は、合金の総重量に基づいて、約２１．９重量％～約３３．７重量％のタンタルと約６６．３重量％～約７８．１重量％のアンチモン、例えば、合金の総重量に基づいて、約２２重量％～約３０重量％のタンタルと約７０重量％～約８０重量％のアンチモンを含む合金である。１つ又は複数の実施形態では、タンタルとアンチモンの合金はアモルファスである。
［００８０］ここで使用する「タンタルに富んだ」という用語は、合金中にアンチモンよりも著しく多くのタンタルが存在することを意味する。例えば、特定の実施形態では、タンタルとアンチモンの合金は、合金の総重量に基づいて、約５７．８重量％～約７８．２重量％のタンタルと約２１．８重量％～約４２．２重量％のアンチモン、例えば、合金の総重量に基づいて、約６５重量％～約７５重量％のタンタルと約２５重量％～約３５重量％のアンチモンを含む合金である。
［００８１］１つ又は複数の実施形態では、タンタルとアンチモンの合金はドーパントを含む。ドーパントは、窒素又は酸素の１つ又は複数から選択することができる。一実施形態では、ドーパントは酸素を含む。別の実施形態では、ドーパントは窒素を含む。一実施形態では、ドーパントは、合金の重量に基づいて、約０．１重量％～約５重量％の範囲の量で合金中に存在する。他の実施形態では、ドーパントは、約０．１重量％、０．２重量％、０．３重量％、０．４重量％、０．５重量％、０．６重量％、０．７重量％、０．８重量％、０．９重量％％、１．０重量％、１．１重量％、１．２重量％、１．３重量％、１．４重量％、１．５重量％、１．６重量％、１．７重量％、１．８重量％、１．９重量％％、２．０重量％、２．１重量％、２．２重量％、２．３重量％、２．４重量％、２．５重量％、２．６重量％、２．７重量％、２．８重量％、２．９重量％、３．０重量％、３．１重量％、３．２重量％、３．３重量％、３．４重量％、３．５重量％、３．６重量％、３．７重量％、３．８重量％、３．９重量％、４．０重量％、４．１重量％、４．２重量％、４．３重量％、４．４重量％、４．５重量％、４．６重量％、４．７重量％、４．８重量％、４．９重量％、又は５．０重量％の量で合金中に存在する。
［００８２］１つ又は複数の実施形態では、吸収体層の合金は、物理堆積チャンバ内で形成された同時スパッタリングされた合金吸収体材料である。１つ又は複数の実施形態において、いくつかの実施形態における吸収体層の合金は、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）、又は窒素（Ｎ２）のうちの１つ又は複数から選択されるガスによってスパッタリングされる。一実施形態では、吸収体層の合金は、アルゴンガスと酸素ガスの混合物（Ａｒ＋Ｏ２）によって同時スパッタリングすることができる。いくつかの実施形態では、アルゴンと酸素の混合物による同時スパッタリングは、タンタルの酸化物及び／又はアンチモンの酸化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと酸素の混合物による同時スパッタリングは、タンタル又はアンチモンの酸化物を形成しない。一実施形態では、吸収体層の合金は、アルゴンガスと窒素ガス（Ａｒ＋Ｎ２）の混合物によって同時スパッタリングすることができる。いくつかの実施形態では、アルゴンと窒素の混合物による共スパッタリングは、タンタルの窒化物及び／又はアンチモンの窒化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと窒素の混合物による同時スパッタリングは、タンタル又はアンチモンの窒化物を形成しない。一実施形態では、吸収体層の合金は、アルゴンと酸素と窒素ガス（Ａｒ＋Ｏ２＋Ｎ２）との混合物によって同時スパッタリングすることができる。いくつかの実施形態では、アルゴンと酸素と窒素の混合物による同時スパッタリングは、タンタルの酸化物かつ／若しくは窒化物、及び／又はアンチモンの酸化物かつ／若しくは窒化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと酸素と窒素との混合物による同時スパッタリングは、タンタル又はアンチモンの酸化物又は窒化物を形成しない。一実施形態では、上述のように、吸収体層のエッチング特性及び／又は他の特性を、合金の割合を制御することによって仕様に合わせて調整することができる。一実施形態では、物理体積チャンバの電圧、圧力、流量などのパラメータを操作することによって、合金の割合を正確に制御することができる。一実施形態では、材料特性をさらに変更するためにプロセスガスが使用され、例えば、タンタル及びアンチモンの窒化物を形成するためにＮ２ガスが使用される。
［００８３］１つ又は複数の実施形態において、ここで使用される「同時スパッタリング」は、タンタルを含む１つのターゲットとアンチモンを含む第２のターゲットの２つのターゲットを、タンタル及びアンチモンの合金を含む吸収体層を堆積／形成するために、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）、又は窒素（Ｎ２）から選択される１つ又は複数のガスを使用して同時にスパッタリングすることを意味する。
［００８４］他の実施形態では、タンタルとアンチモンの合金は、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）、又は窒素（Ｎ２）のうちの１つ又は複数から選択されるガスを使用して、タンタル層とアンチモン層のラミネートとして層ごとに堆積することができる。一実施形態では、吸収体層の合金は、アルゴンガスと酸素ガスの混合物（Ａｒ＋Ｏ２）を使用して、タンタル層とアンチモン層のラミネートとして層ごとに堆積することができる。いくつかの実施形態では、アルゴンと酸素の混合物を使用した層ごとの堆積により、タンタルの酸化物及び／又はアンチモンの酸化物が形成される。他の実施形態では、アルゴンと酸素の混合物を使用した層ごとの堆積は、タンタル又はアンチモンの酸化物を形成しない。一実施形態では、吸収体層の合金は、アルゴンガスと窒素ガスの混合物（Ａｒ＋Ｎ２）を使用して、タンタル層とアンチモン層のラミネートとして層ごとに堆積することができる。いくつかの実施形態では、アルゴンと窒素の混合物を使用した層ごとの堆積により、タンタルの窒化物及び／又はアンチモンの窒化物が形成される。他の実施形態では、アルゴンと窒素の混合物を使用した層ごとの堆積は、タンタル又はアンチモンの窒化物を形成しない。一実施形態では、吸収体層の合金は、アルゴンと酸素と窒素ガスの混合物（Ａｒ＋Ｏ２＋Ｎ２）を使用して、タンタル層とアンチモン層のラミネートとして層ごとに堆積することができる。いくつかの実施形態では、アルゴンと酸素と窒素の混合物を使用した層ごとの堆積により、タンタルの酸化物かつ／若しくは窒化物、及び／又はアンチモンの酸化物かつ／若しくは窒化物が形成される。他の実施形態では、アルゴンと酸素と窒素との混合物を使用した層ごとの堆積は、タンタル又はアンチモンの酸化物あるいは窒化物を形成しない。
［００８５］１つ又は複数の実施形態では、ハードマスク層３１８は、ＣｒＯ、ＣｒＯＮ、ＴａＮｉ、ＴａＲｕ、及びＴａＣｕからなる群から選択されるハードマスク材料を含む。
［００８６］いくつかの実施形態では、吸収体層３１０のアンチモン含有材料は、ＳｂＮ、炭素とアンチモンの合金、及びタンタルとアンチモンの合金からなる群から選択される。
［００８７］いくつかの実施形態では、ハードマスク材料は、約６３．９重量％～約９８．４重量％の範囲のＣｒ、約１．６重量％～約３３．７重量％の範囲の酸素、及び０重量％～約９．３重量％の範囲の窒素を含む。
［００８８］いくつかの実施形態では、ハードマスク材料は、約７５．５重量％～約９６．５重量％の範囲のＴａ、及び約３．５重量％～約２４．５重量％の範囲のＮｉを含む。ハードマスク材料がＴａとＮｉを含む１つ又は複数の実施形態では、ハードマスク材料は、０．１重量％～１０重量％の範囲で、酸素及び窒素の少なくとも１つでドープされる。
［００８９］いくつかの実施形態では、ハードマスク材料は、０重量％～７２．９重量％の範囲のＴａ及び０重量％～２７．１重量％の範囲のＲｕ、例えば、約０．２重量％～約７２．９重量％の範囲のＴａ及び約２７．１重量％～約９９．８重量％の範囲のＲｕを含む。いくつかの実施形態のＴａ及びＲｕを含むハードマスク材料は、０．１重量％～１０重量％の範囲で、酸素及び窒素の少なくとも１つでドープされる。
［００９０］１つ又は複数の実施形態では、ハードマスク材料は、約６０．５重量％～約９４．２重量％の範囲のＴａ及び約５．８重量％～約３９．５重量％の範囲のＣｕを含む。ハードマスク材料がＴａ及びＣｕを含む１つ又は複数の実施形態では、ハードマスク材料は、０．１重量％～１０重量％の範囲で、酸素及び窒素の少なくとも１つでドープされる。
［００９１］特定の実施形態は、基板３０４；ＥＵＶ放射を反射する多層スタック３０６であって、モリブデン（Ｍｏ）とケイ素（Ｓｉ）含む複数の反射層対３１６を含む多層スタック３０６；反射層の多層スタック上のキャッピング層３０８；ＳｂＮ、炭素とアンチモンの合金、及びタンタルとアンチモンの合金からなる群から選択されるアンチモン含有材料を含む吸収体層３１０；ＣｒＯ、ＣｒＯＮ、ＴａＮｉ、ＴａＲｕ及びＴａＣｕからなる群から選択されるハードマスク材料を含む、吸収体層上のハードマスク層３１８であって、（吸収体層３１０のエッチング速度）：（ハードマスク層３１８のエッチング速度）の比が５：１～３０：１の範囲にあるようなハードマスク層３１８を含む、極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク３０２に関する。
［００９２］ここで、吸収体層３１０とハードマスク層３１８との様々な組み合わせの特定の非限定的な例について説明する。本開示の１つ又は複数の例示的な実施形態では、ハードマスク層に対する吸収体層のＣｌ２エッチング化学を使用した相対エッチング速度が、吸収体層の厚さが３０ｎｍから４５ｎｍの範囲であり、ハードマスク層の厚さが２ｎｍ～９ｎｍの範囲である系で比較された。上述の範囲を有するＣｒＯＮ又はＣｒＯハードマスク層及びＴａＳｂ吸収体層について、エッチング速度が決定された。ＣｒＯ材料の場合、エッチング速度は５ｎｍ／分～２０ｎｍ／分の範囲であった。例えば、Ｏ含有量が１．６～３３．７重量％の範囲の上限にあるＣｒＯ材料の場合、エッチング速度は約２０ｎｍ／分であった。Ｏの含有量が範囲の下限まで低下したとき、エッチング速度は約５ｎｍ／分～約１０ｎｍ／分の範囲であった。上述の範囲を有するＣｒＯＮ材料の場合、エッチング速度は２０ｎｍ／分～約４０ｎｍ／分の範囲であった。窒素含有量が０～９．３重量％の範囲の上限にあるとき、エッチング速度は２０ｎｍ／分～約４０ｎｍ／分の範囲の上限付近まで上昇した。ＴａＳｂ吸収体層は、約１００ｎｍ／分～約１４０ｎｍ／分の範囲のエッチング速度を有した。（ハードマスク層のエッチング速度）：（吸収体層のエッチング速度）：の比は、３：３０の範囲、例えば５：３０であった。
［００９３］本開示の１つ又は複数の例示的な実施形態では、ハードマスク層に対する吸収体層のＣｌ２エッチング化学を使用した相対エッチング速度を、吸収体層の厚さが３０ｎｍ～４５ｎｍの範囲であり、ハードマスク層の厚さは２ｎｍ～９ｎｍの範囲である系で比較した。上述の範囲を有するＴａＮｉハードマスク層及びＴａＳｂ吸収体層について、エッチング速度を決定した。ＴａＮｉ材料の場合、エッチング速度は２０ｎｍ／分～８０ｎｍ／分の範囲であった。例えば、Ｎｉ含有量が３．５～２４．５重量％の範囲の下端にあるＴａＮｉ材料の場合、エッチング速度は、約２５ｎｍ／分のエッチング速度を有する多量のＮｉを有するＴａＮｉ材料と比較して、約７５ｎｍ／分であった。ＴａＳｂ吸収体層は、約１２０ｎｍ／分～約１４０ｎｍ／分の範囲のエッチング速度を有していた。（ハードマスク層のエッチング速度）：（吸収体層のエッチング速度）：の比は、１．５：３０の範囲、例えば５：３０であった。
［００９４］本開示の１つ又は複数の例示的な実施形態では、ハードマスク層に対する吸収体層のＣＦ４エッチング化学を使用した相対的なエッチング速度を、吸収体層の厚さが３０ｎｍ～４５ｎｍの範囲であり、ハードマスク層の厚さが２ｎｍ～９ｎｍの範囲である系で比較した。上述の範囲を有するＴａＮｉハードマスク層及びＴａＳｂ吸収体層について、エッチング速度を決定した。ＴａＮｉ材料の場合、エッチング速度は５ｎｍ／分～２５０ｎｍ／分の範囲であった。例えば、Ｎｉ含有量が３．５～２４．５重量％の範囲の下端にあるＴａＮｉ材料の場合、エッチング速度は、約１０ｎｍ／分のエッチング速度を有する範囲の上端にあるＮｉ含有量を有するＴａＮｉ材料と比較して、約４０ｎｍ／分であった。ＴａＳｂ吸収体層は、約１４０ｎｍ／分～約１６０ｎｍ／分の範囲のエッチング速度を有していた。（ハードマスク層のエッチング速度）：（吸収体層のエッチング速度）：の比は、３：３０の範囲、例えば５：３０であった。
［００９５］本開示の１つ又は複数の例示的な実施形態では、ハードマスク層に対する吸収体層のＣｌ２エッチング化学を使用した相対エッチング速度を、吸収体層の厚さが３０ｎｍ～４５ｎｍの範囲であり、ハードマスク層の厚さは２ｎｍ～９ｎｍの範囲である系で比較した。上述の範囲を有するＴａＲｕハードマスク層及びＴａＳｂ吸収体層について、エッチング速度を決定した。ＴａＲｕ材料の場合、エッチング速度は５ｎｍ／分～２０ｎｍ／分の範囲であった。例えば、Ｒｕ含有量が２７．１～１００重量％の範囲の上限にあるＴａＲｕ材料の場合、エッチング速度は約５ｎｍ／分であった。Ｒｕの含有量が２７．１～１００重量％の範囲の下端まで低下したとき、エッチング速度は約１５ｎｍ／分であった。ＴａＳｂ吸収体層は、約１４０ｎｍ／分～約１６０ｎｍ／分の範囲のエッチング速度を有していた。（ハードマスク層のエッチング速度）：（吸収体層のエッチング速度）：の比は、３：３０の範囲、例えば５：３０であった。
［００９６］本開示の例示的な実施形態では、ハードマスク層に対する吸収体層のＣｌ２エッチング化学物質を使用する相対エッチング速度を、吸収体層の厚さが３０ｎｍ～４５ｎｍの範囲であり、ハードマスク層の厚さが２ｎｍ～９ｎｍの範囲である系で比較した。上述の範囲を有するＴａＣｕハードマスク層及びＴａＳｂ吸収体層について、エッチング速度を決定した。ＴａＣｕ材料の場合、エッチング速度は１ｎｍ／分～１０ｎｍ／分の範囲であった。たとえば、５．８～３９．５重量％の範囲の下端にあるＣｕ含有量のＴａＣｕ材料の場合、エッチング速度は、約２ｎｍ／分のエッチング速度を有する範囲の上端にあるＣｕ含有量を有するＴａＣｕ材料と比較して、５ｎｍ／分～１０ｎｍ／分の範囲であった。ＴａＳｂ吸収体層は、約１００ｎｍ／分～約１４０ｎｍ／分の範囲のエッチング速度を有した。（ハードマスク層のエッチング速度）：（吸収体層のエッチング速度）：の比は、１：２５～１：３０の範囲であった。
［００９７］いくつかの実施形態におけるＥＵＶマスクブランクは、第１の吸収体材料を含む第１のカソードと、第２の吸収体材料を含む第２のカソードと、第３の吸収体材料を含む第３のカソードと、第４の吸収体材料を含む第４のカソードと、第５の吸収体材料を含む第５のカソードとを有する物理堆積チャンバに作製され、第１の吸収体材料、第２の吸収体材料、第３の吸収体材料、第４の吸収体材料、及び第５の吸収体材料は互いに異なり、各吸収体材料は他の材料とは異なる消衰係数を有し、各吸収体材料は他の吸収体材料とは異なる屈折率を有する。
［００９８］本開示の別の態様は、極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクを製造する方法に関し、ＥＵＶ放射を反射する多層スタック３０６を基板３０４上に形成することを含み、多層スタック３０６は、複数の反射層対３１６を含む。本方法は、多層スタック３０６上にキャッピング層３０８を形成すること、及びキャッピング層３０８上に吸収体層３１０を形成することをさらに含み、吸収体層３１０は、アンチモン含有材料を含む。本方法は、吸収体層３１０上にハードマスク層３１８を形成することをさらに含み、ハードマスク層３１８は、ＣｒＯ、ＣｒＯＮ、ＴａＮｉ、ＴａＲｕ、及びＴａＣｕからなる群から選択されるハードマスク材料を含む。
［００９９］１つ又は複数の実施形態では、本方法は、ハードマスク層３１８及び吸収体層３１０を、ここに開示されるそれぞれのエッチング速度でエッチングすることをさらに含んでもよい。例えば、いくつかの実施形態におけるハードマスク層３１８は、（吸収体層３１０のエッチング速度）：（ハードマスク層３１８のエッチング速度）の比が３：１～５０：１、例えば５：１～３０：１の範囲にあるような層とされる。１つ又は複数の実施形態では、吸収体層の厚さが３０ｎｍ～４５ｎｍの範囲にあり、ハードマスク層３１８の厚さが２ｎｍ～９ｎｍの範囲にあるとき、ハードマスク層３１８は、吸収体層３１０よりも低いエッチング速度を有し、（吸収体層３１０のエッチング速度）：（ハードマスク層３１８のエッチング速度）の比は、３：１～５０：１、例えば、５：１～３０：１の範囲にある。
［００１００］いくつかの実施形態におけるＥＵＶマスクブランクは、図４に関して上記で説明された実施形態の特徴のいずれかを有し、いくつかの実施形態における方法は、図３に関して説明されたシステムで実行される。
［００１０１］別の特定の方法の実施形態では、異なる吸収体層は、第１の吸収体材料を含む第１のカソードと、第２の吸収体材料を含む第２のカソードとを有する物理堆積チャンバ内で形成される。ここで図５を参照すると、一実施形態によるマルチカソードチャンバ５００の上部が示されている。マルチカソードチャンバ５００は、頂部アダプタ５０４によって覆われた円筒形本体部分５０２を有するベース構造５０１を含む。頂部アダプタ５０４は、頂部アダプタ５０４の周りに配置されたカソード源５０６、５０８、５１０、５１２、及び５１４などのいくつかのカソード源のための設備を有する。
［００１０２］１つ又は複数の実施形態では、本方法は、５ｎｍ～６０ｎｍの範囲の厚さを有する吸収体層を形成する。１つ又は複数の実施形態では、吸収体層を形成するために使用される材料は、吸収体層のエッチング特性をもたらすように選択される。１つ又は複数の実施形態では、吸収体層の化合物は、物理的堆積チャンバ内で形成された複合吸収体材料をスパッタリングすることによって形成され、いくつかの実施形態では、はるかに薄い吸収体層の厚さ（４５ｎｍ未満又は３０ｎｍ未満）を提供し、２％未満の反射率及び所望のエッチング特性を達成する。一実施形態では、一部の実施形態における吸収体層のエッチング特性及び他の所望の特性は、各吸収体材料の化合物の割合を制御することによって仕様に合わせて調整される。一実施形態では、いくつかの実施形態における化合物の割合は、物理蒸気堆積チャンバの電圧、圧力、流量などのパラメータを操作することによって正確に制御される。
［００１０３］いくつかの実施形態におけるマルチカソード源チャンバ５００は、図３に示されるシステムの一部である。一実施形態では、極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク製造システムは、真空を生成するための基板処理真空チャンバと、基板ハンドリング真空チャンバ内にロードされた基板を搬送するための、真空中の基板ハンドリングプラットフォームと、ＥＵＶマスクブランクを形成するための、基板ハンドリングプラットフォームによってアクセスされる複数のサブチャンバと、基板上の反射層の多層スタックを含み、多層スタックは、複数の反射層対、反射層の多層スタック上のキャッピング層、及びキャッピング層上の、アンチモンと窒素の化合物から作製された吸収体層を備える。いくつかの実施形態におけるシステムは、図４に関して示されるＥＵＶマスクブランクを作製するために使用され、上記の図４に関して説明されたＥＵＶマスクブランクに関して説明された特性のいずれかを有する。
［００１０４］プロセスは、一般に、プロセッサによって実行されると、プロセスチャンバに本開示のプロセスを実行させるソフトウェアルーチンとしてメモリに格納することができる。ソフトウェアルーチンはまた、プロセッサによって制御されるハードウェアから離れて配置された第２のプロセッサ（図示せず）によって格納及び／又は実行され得る。本開示の方法のいくつか又はすべては、ハードウェアで実行することもできる。したがって、プロセスは、ソフトウェアで実装され、コンピュータシステムを使用して、例えば特定用途向け集積回路又は他のタイプのハードウェア実装などのハードウェアで、又はソフトウェアとハードウェアの組み合わせとして実行され得る。ソフトウェアルーチンは、プロセッサによって実行されると、プロセスが実行されるようにチャンバ動作を制御する専用コンピュータ（コントローラ）に汎用コンピュータを変換する。
［００１０５］この細書全体での「一実施形態」、「特定の実施形態」、「１つ又は複数の実施形態」又は「実施形態」への言及は、実施形態に関連して説明された特定の特徴、構造、材料、又は特性が、本開示の少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味する。したがって、この明細書全体の様々な場所での「１つ又は複数の実施形態において」、「特定の実施形態において」、「一実施形態において」又は「実施形態において」などの句の出現は、必ずしも本開示の同じ実施形態を指すとは限らない。さらに、特定の特徴、構造、材料、又は特性は、１つ又は複数の実施形態において任意の適切な方法で組み合わせることができる。
［００１０６］ここでの開示は、特定の実施形態を参照して説明してきたが、これらの実施形態は、本開示の原理及び用途の単なる例示であることを理解されたい。本開示の趣旨及び範囲から逸脱することなく、本開示の方法及び装置に様々な修正並びに変形を加えることができることは、当業者には明らかであろう。したがって、本開示は、添付の特許請求の範囲及びそれらの等価物の範囲内にある修正及び変形を含むことが意図される。

Claims (20)

  1. 極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクの製造方法であって：
    ＥＵＶ放射を反射する、複数の反射層対を含む多層スタックを基板上に形成することと；
    前記多層スタック上にキャッピング層を形成することと；
    前記キャッピング層上に、アンチモン含有材料を含む吸収体層を形成することと；
    前記吸収体層上に、ＴａＮｉ、ＴａＲｕ、及びＴａＣｕからなる群から選択されるハードマスク材料を含むハードマスク層を形成することと
    を含む、方法。
  2. 前記ハードマスク材料が、約７５．５重量％～約９６．５重量％の範囲のＴａ及び約３．５重量％～約２４．５重量％の範囲のＮｉを含む、請求項１に記載の方法。
  3. 前記ハードマスク材料が、０重量％～約７２．９重量％の範囲のＴａ及び約２７．１重量％～約１００重量％の範囲のＲｕを含む、請求項１に記載の方法。
  4. 前記ハードマスク材料が、約０．２重量％～約７２．９重量％の範囲のＴａ及び約２７．１重量％～約９９．８重量％の範囲のＲｕを含む、請求項１に記載の方法。
  5. 前記ハードマスク材料が、約６０．５重量％～約９４．２重量％の範囲のＴａ及び約５．８重量％～約３９．５重量％の範囲のＣｕを含む、請求項１に記載の方法。
  6. 極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクの製造方法であって：
    ＥＵＶ放射を反射する、複数の反射層対を含む多層スタックを基板上に形成することと；
    前記多層スタック上にキャッピング層を形成することと；
    前記キャッピング層上に、アンチモン含有材料を含む吸収体層を形成することと；
    前記吸収体層上に、約６３．９重量％～約９８．４重量％の範囲のＣｒ、約１．６重量％～約３３．７重量％の範囲の酸素、及び０重量％～約９．３重量％の範囲の窒素を含む、ハードマスク層を形成することと
    を含む、方法。
  7. 前記アンチモン含有材料が、ＳｂＮ、炭素とアンチモンの合金及びタンタルとアンチモンの合金からなる群から選択される、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
  8. （前記吸収体層のエッチング速度）：（前記ハードマスク層のエッチング速度）の比が、５：１～３０：１の範囲にある、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
  9. 基板と；
    極紫外線（ＥＵＶ）放射を反射する、複数の反射層対を含む多層スタックと；
    反射層の前記多層スタック上のキャッピング層と；
    アンチモン含有材料を含む吸収体層と；
    前記吸収体層上の、ＴａＮｉ、ＴａＲｕ及びＴａＣｕからなる群から選択されるハードマスク材料を含むハードマスク層と
    を含む、極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
  10. 前記ハードマスク材料が、約７５．５重量％～約９６．５重量％の範囲のＴａ及び約３．５重量％～約２４．５重量％の範囲のＮｉを含む、請求項９に記載の極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
  11. 前記ハードマスク材料が、０．１重量％～１０重量％の範囲で、酸素及び窒素の少なくとも１つでドープされる、請求項１０に記載の極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
  12. 前記ハードマスク材料が、０重量％～約７２．９重量％の範囲のＴａ及び約２７．１重量％～約１００重量％の範囲のＲｕを含む、請求項９に記載の極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
  13. 前記ハードマスク材料が、約０．２重量％～約７２．９重量％の範囲のＴａ及び約２７．１重量％～約９９．８重量％の範囲のＲｕを含む、請求項９に記載の極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
  14. 前記ハードマスク材料が、０．１重量％～１０重量％の範囲で、酸素及び窒素の少なくとも１つでドープされる、請求項１３に記載の極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
  15. 前記ハードマスク材料が、約６０．５重量％～約９４．２重量％の範囲のＴａ及び約５．８重量％～約３９．５重量％の範囲のＣｕを含む、請求項９に記載の極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
  16. 前記ハードマスク材料が、０．１重量％～１０重量％の範囲で、酸素及び窒素の少なくとも１つでドープされる、請求項１５に記載の極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
  17. 基板と；
    極紫外線（ＥＵＶ）放射を反射する、複数の反射層対を含む多層スタックと；
    反射層の前記多層スタック上のキャッピング層と；
    アンチモン含有材料を含む吸収体層と；
    前記吸収体層上の、約６３．９重量％～約９８．４重量％の範囲のＣｒ、約１．６重量％～約３３．７重量％の範囲の酸素、及び０重量％～約９．３重量％の範囲の窒素を含む、ハードマスク層と
    を含む、極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
  18. 前記アンチモン含有材料が、ＳｂＮ、炭素とアンチモンの合金、及びタンタルとアンチモンの合金からなる群から選択される、請求項９から１７のいずれか一項に記載の極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
  19. （前記吸収体層のエッチング速度）：（前記ハードマスク層のエッチング速度）の比が、５：１～３０：１の範囲にある、請求項９から１８のいずれか一項に記載の極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
  20. 基板と；
    極紫外線（ＥＵＶ）放射を反射する、モリブデン（Ｍｏ）及びケイ素（Ｓｉ）を含む複数の反射層対を含む多層スタックと；
    反射層の前記多層スタック上のキャッピング層と；
    ＳｂＮ、炭素とアンチモンの合金、及びタンタルとアンチモンの合金からなる群から選択されるアンチモン含有材料を含む吸収体層と；
    前記吸収体層上の、ＣｒＯ、ＣｒＯＮ、ＴａＮｉ、ＴａＲｕ及びＴａＣｕからなる群から選択されるハードマスク材料を含むハードマスク層と
    を含み、（前記吸収体層のエッチング速度）：（前記ハードマスク層のエッチング速度）の比が、５：１～３０：１の範囲にある、極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
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