JP2023545014A - 極端紫外線マスク吸収剤材料 - Google Patents

極端紫外線マスク吸収剤材料 Download PDF

Info

Publication number
JP2023545014A
JP2023545014A JP2023520331A JP2023520331A JP2023545014A JP 2023545014 A JP2023545014 A JP 2023545014A JP 2023520331 A JP2023520331 A JP 2023520331A JP 2023520331 A JP2023520331 A JP 2023520331A JP 2023545014 A JP2023545014 A JP 2023545014A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
antimony
alloy
tantalum
iridium
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2023520331A
Other languages
English (en)
Inventor
シューウェイ リウ，
シーユイ リウ，
ビブー ジンダル，
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2023545014A publication Critical patent/JP2023545014A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク、当該マスクブランクの製造方法、及び当該マスクブランクの生産システムが開示される。このＥＵＶマスクブランクは、基板、基板上にある反射層の多層スタック、反射層の多層スタック上にあるキャッピング層、及びキャッピング層の上にある吸収体層を備え、当該吸収体層は、タンタル、イリジウム及びアンチモンの合金；イリジウム及びアンチモンの合金；並びにタンタル、ルテニウム、及びアンチモンの合金から選択される合金を含む。【選択図】図４

Description

［０００１］本開示は一般に、極端紫外線リソグラフィに関し、より具体的には、合金吸収体を有する極端紫外線マスクブランク、及びその製造方法に関する。
［０００２］極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィ（軟Ｘ線投影リソグラフィとしても知られる）は、最小フィーチャーサイズが０．０１３５ミクロン以下の半導体デバイスの製造に使用される。しかしながら、一般的に５～１００ナノメートルの波長域にある極端紫外線は、実質的にすべての材料で激しく吸収される。そのため、極端紫外線システムは、光の透過ではなく、反射によって機能する。一連のミラー又はレンズ素子と、非反射性吸収体マスクパターンでコーティングされた反射素子又はマスクブランクとを用いることにより、パターン化された化学線（actinic light）が、レジストコーティングされた半導体基板上へと反射される。
［０００３］極端紫外線リソグラフィシステムのレンズ素子及びマスクブランクは、モリブデン及びケイ素のような材料の反射型多層コーティングでコーティングされている。レンズ素子又はマスクブランクあたり約６５％の反射値は、極めて狭い紫外線帯域（例えば、１３．５ナノメートルの紫外線に対して１２．５～１４．５ナノメートルの帯域）の光を強く反射する多層コーティングでコーティングされた基板を用いることにより、得られている。
［０００４］図１は、従来のＥＵＶ反射マスク１０を示し、当該マスクは、ＥＵＶマスクブランクから形成されており、基板１４上に反射性多層スタック１２を含み、当該反射性多層スタックは、ブラッグ干渉によってマスクされていない部分のＥＵＶ放射を反射する。従来のＥＵＶ反射マスク１０のマスク（非反射）領域１６は、バッファ層１８及び吸収層２０をエッチングすることにより形成される。吸収層は典型的に、５１ｎｍ～７７ｎｍの範囲の厚さを有する。キャッピング層２２は、反射多層スタック１２の上に形成され、エッチングプロセス中に反射多層スタック１２を保護する。以下で論じるように、ＥＵＶマスクブランクは、多層、キャッピング層及び吸収層によりコーティングされた低熱膨張材料基板上に作られ、その後、マスク（非反射）領域１６及び反射領域２４をもたらすためにエッチングされる。
［０００５］国際半導体技術ロードマップ（ＩＴＲＳ）により、ノードのオーバーレイ要件は、技術の最小ハーフピッチフィーチャサイズに対する割合として規定されている。すべての反射型リソグラフィシステムに固有の画像配置及びオーバーレイエラーへの影響が原因で、ＥＵＶ反射マスクは、今後の生産においてより精密な平坦性仕様に準拠する必要がある。さらに、ＥＵＶブランクは、ブランクの作業領域での欠陥に対する許容度が非常に低い。さらに、吸収層の役割は光を吸収することである一方、吸収層の屈折率と真空の屈折率（ｎ＝１）との差による位相差効果もあり、この位相差によって３Ｄマスク効果が説明される。３Ｄマスク効果を軽減するために、より薄い吸収体を有するＥＵＶマスクブランクを提供する必要がある。
本開示の１又は複数の実施形態は、極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクを製造する方法に関し、当該方法は、ＥＵＶ照射を反射する多層スタックであって、複数の反射層ペアを備える多層スタックを、基板上に形成することと、多層スタック上にキャッピング層を形成することと、タンタル、イリジウム及びアンチモンの合金；イリジウム及びアンチモンの合金；並びにタンタル、ルテニウム及びアンチモンの合金から選択される吸収体層を、キャッピング層上に形成することと、を含むものである。
［０００７］本開示のさらなる実施形態は、ＥＵＶマスクブランクに関し、当該ＥＵＶマスクブランクは、基板と、ＥＵＶ照射を反射する多層スタックであって、複数の反射層ペアを備える、多層スタックと、反射層の前記多層スタック上にある、キャッピング層と、キャッピング層の上にある吸収体層であって、タンタル、イリジウム及びアンチモンの合金；イリジウム及びアンチモンの合金；並びにタンタル、ルテニウム及びアンチモンの合金から選択される吸収体層と、を備えるものである。
［０００８］先に言及した本開示の特徴が詳細に理解可能なように、先に簡潔に要約した本開示のより具体的な説明は、実施形態を参照することによってなされ、その一部は、添付図面に図示されている。しかしながら添付図面は、本開示の典型的な実施形態のみを示すに過ぎず、本開示には他の同様に有効な実施形態を認めることができるため、その範囲を限定するとみなされることはないことに留意されたい。
従来の吸収体を用いた背景技術のＥＵＶ反射マスクを概略的に示す。 極端紫外線リソグラフィシステムの一実施形態を概略的に示す。 極端紫外線反射素子製造システムの一実施形態を示す。 極端紫外線反射素子、例えばＥＵＶマスクブランクの一実施形態を示す。 極端紫外線反射素子、例えばＥＵＶマスクブランクの一実施形態を示す。 マルチカソード物理堆積チャンバの一実施形態を示す。
［００１５］本開示のいくつかの例示的な実施形態を説明する前に、本開示は、以下の説明で規定される構造又はプロセス工程の詳細に限定されないことが理解されるべきである。本開示は、他の実施形態が可能であり、様々なやり方で実施又は実行できる。
［００１６］本明細書で使用するように「水平」という用語は、マスクブランクの向きにかかわらず、マスクブランクの平面又は表面に平行な平面として定義される。「垂直」という用語は、先に定義した水平に対して直交する方向を指す。「上方」、「下方」、「底部」、「頂部」、「側」（例えば「側壁」）、「高い」、「低い」、「上部」、「上に」、及び「下に」などの用語は、図に示したように、水平面に関して定義されている。
［００１７］「上」（on）という用語は、要素同士が直接接触していることを示す。「上に直接」（directly on）という用語は、要素が介在せず、要素同士が直接接触していることを示す。
［００１８］当業者であれば、プロセス領域を説明するための「第１」及び「第２」のような序列が使用されていても、処理チャンバ内の特定の位置、又は処理チャンバ内の曝露の順序が含意されていないことを理解するだろう。
［００１９］本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用するように、「基板」という用語は、プロセスが作用する表面、又は表面の一部をいう。また、基板への言及は、文脈が明確にそうでないことを示さない限り、基板の一部のみを指すことも当業者は理解するだろう。さらに、基板への堆積に関する言及は、むき出しの基板と、その上に１又は複数の膜又はフィーチャが堆積又は形成された基板の両方を意味する。
［００２０］ここで図２を参照すると、極端紫外線リソグラフィシステム１００の例示的な実施形態が示されている。極端紫外線露光装置１００は、極端紫外線光１１２を生成するための極端紫外線光源１０２と、反射素子のセットと、ターゲットウェハ１１０と、を含む。反射素子は、集光器１０４、ＥＵＶ反射マスク１０６、光学縮小アセンブリ１０８、マスクブランク、ミラー、又はこれらの組み合わせを含む。
［００２１］極端紫外光源１０２は、極端紫外光１１２を発生させる。極端紫外光１１２は、５～５０ナノメートル（ｎｍ）の範囲内の波長を有する電磁波である。例えば、極端紫外光源１０２は、レーザー、レーザー生成プラズマ、放電生成プラズマ、自由電子レーザー、シンクロトロン放射、又はこれらの組み合わせを含む。
［００２２］極端紫外光源１０２は、様々な特性を有する極端紫外光１１２を発生させる。極端紫外光源１０２は、波長範囲にわたる広帯域の極端紫外光を生成する。例えば、極端紫外光源１０２は、５～５０ｎｍの範囲の波長を有する極端紫外光１１２を発生させる。１又は複数の実施形態において、極端紫外光源１０２は、狭帯域幅を有する極端紫外光１１２を生成する。例えば、極端紫外光源１０２は、極端紫外光１１２を１３．５ｎｍで発生させる。波長ピークの中心は、１３．５ｎｍである。
［００２３］集光器１０４は、極端紫外光１１２を反射及び集光するための光学ユニットである。集光器１０４は、極端紫外光源１０２からの極端紫外光１１２を反射及び集光してＥＵＶ反射マスク１０６に照射する。
［００２４］集光器１０４は単独の要素として示されているものの、いくつかの実施形態における集光器１０４は、極端紫外光１１２を反射及び集光するための１又は複数の反射素子、例えば凹面鏡、凸面鏡、平面鏡、又はそれらの組み合わせを含むことが理解される。例えば、いくつかの実施形態における集光部１０４は、単独の凹面鏡であるか、又は凸面、凹面及び平面の光学素子を有する光学アセンブリである。
［００２５］ＥＵＶ反射マスク１０６は、マスクパターン１１４を有する極端紫外光反射素子である。ＥＵＶ反射マスク１０６は、ターゲットウェハ１１０上に形成すべき回路レイアウトを形成するためのリソグラフィパターンを形成する。ＥＵＶ反射マスク１０６は、極端紫外光１１２を反射する。マスクパターン１１４は、回路レイアウトの一部を画定する。
［００２６］光学縮小アセンブリ１０８は、マスクパターン１１４の画像を縮小するための光学ユニットである。ＥＵＶ反射マスク１０６からの極端紫外光１１２の反射は、光学縮小アセンブリ１０８によって低減され、ターゲットウェハ１１０に反射される。いくつかの実施形態における光学縮小アセンブリ１０８は、マスクパターン１１４の画像のサイズを縮小するためのミラー及び他の光学素子を含む。例えば、いくつかの実施形態における光学縮小アセンブリ１０８は、極端紫外光１１２を反射及び集光するための凹面鏡を含む。
［００２７］光学縮小アセンブリ１０８は、ターゲットウェハ１１０上のマスクパターン１１４の画像のサイズを縮小する。例えば、いくつかの実施形態におけるマスクパターン１１４は、ターゲットウェハ１１０上の光学縮小アセンブリ１０８によって４：１の比率で結像され、ターゲットウェハ１１０上にマスクパターン１１４によって表される回路を形成する。いくつかの実施形態における極端紫外光１１２は、ターゲットウェハ１１０と同期してＥＵＶ反射マスク１０６を走査し、ターゲットウェハ１１０上にマスクパターン１１４を形成する。
［００２８］次に、図３を参照すると、極端紫外線反射素子製造システム２００の一実施形態が示されている。極端紫外線反射素子は、ＥＵＶマスクブランク２０４、極端紫外線ミラー２０５、又は反射素子、例えばＥＵＶ反射マスク１０６を含む。
［００２９］いくつかの実施形態における極端紫外反射素子製造システム２００は、マスクブランク、ミラー、又は図２の極端紫外光１１２を反射する他の素子を製造する。極端紫外線反射素子製造システム２００は、ソース基板２０３に薄いコーティングを塗布することによって反射素子を作製する。
［００３０］ＥＵＶマスクブランク２０４は、図２のＥＵＶ反射マスク１０６を形成するための多層構造体である。いくつかの実施形態におけるＥＵＶマスクブランク２０４は、半導体製造技術を使用して形成される。いくつかの実施形態におけるＥＵＶ反射マスク１０６は、エッチング及びその他の処理によりＥＵＶマスクブランク２０４上に形成された、図２のマスクパターン１１４を有する。
［００３１］極端紫外線ミラー２０５は、極端紫外線の範囲で反射性の多層構造である。いくつかの実施形態における極端紫外線ミラー２０５は、半導体製造技術を使用して形成される。いくつかの実施形態におけるＥＵＶマスクブランク２０４及び極端紫外線ミラー２０５は、各素子に形成される層に関して類似の構造であるが、極端紫外線ミラー２０５は、マスクパターン１１４を有さない。
［００３２］反射素子は、極端紫外光１１２の効率的な反射体である。ある実施形態では、ＥＵＶマスクブランク２０４及び極端紫外線ミラー２０５が、６０％を超える極端紫外線反射率を有する。反射素子は、極端紫外光１１２を６０％より多く反射すれば、効率的である。
［００３３］極端紫外線反射素子製造システム２００は、ソース基板２０３がロードされ、反射素子がアンロードされるウェハローディング及びキャリアハンドリングシステム２０２を含む。雰囲気ハンドリングシステム２０６は、ウェハ処理真空チャンバ２０８へのアクセスをもたらす。いくつかの実施形態におけるウェハローディング及びキャリアハンドリングシステム２０２は、システム内で基板を雰囲気から真空に移すための基板搬送ボックス、ロードロック、及び他の構成要素を含む。ＥＵＶマスクブランク２０４は、非常に小さなスケールでデバイスを形成するために使用されるので、ソース基板２０３及びＥＵＶマスクブランク２０４は、汚染及びその他の欠陥を防ぐために真空システム内で処理される。
［００３４］いくつかの実施形態におけるウェハ処理用真空チャンバ２０８は、２つの真空チャンバ、すなわち第１の真空チャンバ２１０及び第２の真空チャンバ２１２を含む。第１の真空チャンバ２１０は、第１のウェハハンドリングシステム２１４を含み、第２の真空チャンバ２１２は、第２のウェハハンドリングシステム２１６を含む。ウェハ処理真空チャンバ２０８は、２つの真空チャンバで説明されているものの、いくつかの実施形態におけるシステムは、任意の数の真空チャンバを有することが理解される。
［００３５］いくつかの実施形態におけるウェハ処理用真空チャンバ２０８は、他の様々なシステムを取り付けるための複数のポートをその外周に有する。第１の真空チャンバ２１０は、脱ガスシステム２１８、第１の物理蒸着システム２２０、第２の物理蒸着システム２２２、及びプレクリーンシステム２２４を備える。脱ガス装置２１８は、基板から水分を熱により脱着させるためのものである。プレクリーンシステム２２４は、ウェハ、マスクブランク、ミラー、又は他の光学的構成要素の表面を清浄化するためのものである。
［００３６］いくつかの実施形態における物理蒸着システム、例えば第１の物理蒸着装置２２０及び第２の物理蒸着装置２２２は、ソース基板２０３上に導電性材料の薄膜を形成するために使用される。例えば、いくつかの実施形態における物理的蒸着システムは、真空蒸着システム、例えばマグネトロンスパッタリングシステム、イオンスパッタリングシステム、パルスレーザー蒸着、陰極アーク蒸着、又はこれらの組み合わせを含む。物理蒸着システム、例えばマグネトロンスパッタリングシステムは、シリコン、金属、合金、化合物、又はそれらの組み合わせの層を含むソース基板２０３上に薄層を形成する。
［００３７］物理蒸着システムは、反射層、キャッピング層、及び吸収体層を形成する。例えば、いくつかの実施形態における物理蒸着システムは、ケイ素、モリブデン、ルテニウム、タンタル、イリジウム、アンチモン、酸化チタン、二酸化チタン、酸化ルテニウム、酸化ニオブ、イリジウム、酸化イリジウム、ルテニウムタングステン、ルテニウムモリブデン、ルテニウムニオブ、クロム、アンチモン、鉄、銅、ホウ素、ニッケル、ビスマス、テルル、ハフニウム、タンタル、窒化物、化合物、又はこれらの組み合わせの層を形成する。いくつかの化合物は酸化物として説明されているが、いくつかの実施形態における化合物は、酸化物、二酸化物、酸素原子を有する原子混合物、又はこれらの組合せを含むことが理解される。
［００３８］第２の真空チャンバ２１２には、第１のマルチカソード源２２６、化学蒸着システム２２８、硬化チャンバ２３０、及び超平滑堆積チャンバ２３２が接続されている。例えば、いくつかの実施形態における化学蒸着システム２２８は、流動性化学蒸着システム（ＦＣＶＤ）、プラズマ化学蒸着システム（ＣＶＤ）、エアロゾルＣＶＤ、ホットフィラメントＣＶＤシステム、又は類似のシステムを含む。別の例では、いくつかの実施形態における化学蒸着システム２２８、硬化チャンバ２３０、及び超平滑蒸着チャンバ２３２が、極端紫外反射素子製造装置２００とは別個のシステムである。
［００３９］いくつかの実施形態における化学蒸着システム２２８は、ソース基板２０３上に材料の薄膜を形成する。例えば、いくつかの実施形態における化学蒸着システム２２８は、単結晶層、多結晶層、非晶質層、エピタキシャル層、又はそれらの組み合わせを含む材料の層をソース基板２０３上に形成するために使用される。いくつかの実施形態における化学蒸着システム２２８は、シリコン、酸化シリコン、シリコンオキシカーバイド、タンタル、テルル、アンチモン、イリジウム、ハフニウム、鉄、銅、ホウ素、ニッケル、タングステン、ビスマスシリコンカーバイド、窒化シリコン、窒化チタン、金属、合金、及び化学蒸着に適した他の材料の層を形成する。例えば、いくつかの実施形態における化学蒸着システムは、平坦化層を形成する。
［００４０］第1のウェハハンドリングシステム２１４は、雰囲気ハンドリングシステム２０６と第１の真空チャンバ２１０の周辺部の様々なシステムとの間で、ソース基板２０３を連続的な真空状態で移動させることができる。第２のウェハハンドリングシステム２１６は、ソース基板２０３を連続的な真空に維持しながら、第２の真空チャンバ２１２の周囲でソース基板２０３を移動させることができる。いくつかの実施形態における極端紫外線反射素子製造システム２００は、ソース基板２０３及びＥＵＶマスクブランク２０４を、連続的な真空状態で第１のウェハ処理装置２１４と第２のウェハ処理装置２１６との間で移送する。
［００４１］次に図４を参照すると、極端紫外線反射素子３０２の一実施形態が示されている。１又は複数の実施形態において、極端紫外線反射素子３０２は、図３のＥＵＶマスクブランク２０４であるか、又は図３の極端紫外線ミラー２０５である。ＥＵＶマスクブランク２０４及び極端紫外線ミラー２０５は、図２の極端紫外光１１２を反射するための構造体である。いくつかの実施形態におけるＥＵＶマスクブランク２０４は、図２に示すＥＵＶ反射マスク１０６を形成するために使用される。
［００４２］極端紫外線反射素子３０２は、基板３０４、反射層の多層スタック３０６、及びキャッピング層３０８を含む。１又は複数の実施形態において、極端紫外線ミラー２０５は、図２の集光器１０４又は図２の光学縮小アセンブリ１０８で使用するための反射構造を形成するために使用される。
［００４３］極端紫外線反射素子３０２（いくつかの実施形態ではＥＵＶマスクブランク２０４である）は、基板３０４、反射層の多層スタック３０６、キャッピング層３０８、及び吸収体層３１０を含む。いくつかの実施形態における極端紫外線反射素子３０２は、ＥＵＶマスクブランク２０４であり、当該ＥＵＶマスクブランクは、必要な回路のレイアウトで吸収体層３１０をパターニングすることによって、図２のＥＵＶ反射マスク１０６を形成するために使用される。
［００４４］以下のセクションでは簡潔性のため、ＥＵＶマスクブランク２０４という用語は、極端紫外線ミラー２０５という用語と互換的に使用される。１又は複数の実施形態において、ＥＵＶマスクブランク２０４は、さらに図２のマスクパターン１１４を形成するために、吸収体層３１０が追加された極端紫外線ミラー２０５の構成要素を含む。
［００４５］ＥＵＶマスクブランク２０４は、マスクパターン１１４を有するＥＵＶ反射マスク１０６を形成するために用いられる光学的に平坦な構造体である。１又は複数の実施形態において、ＥＵＶマスクブランク２０４の反射面は、入射光、例えば図２の極端紫外光１１２を反射するための平坦な焦点面を形成する。
［００４６］基板３０４は、極端紫外線反射素子３０２に構造的な支持をもたらすための要素である。１又は複数の実施形態において、基板３０４は、温度が変化する間に安定性をもたらすために、熱膨張係数（ＣＴＥ）が低い材料から作製されている。１又は複数の実施形態において、基板３０４は、機械的サイクル、熱サイクル、結晶形成、又はこれらの組み合わせに対する安定性などの特性を有する。１又は複数の実施形態による基板３０４は、シリコン、ガラス、酸化物、セラミック、ガラスセラミック、又はこれらの組み合わせなどの材料から形成される。
［００４７］多層スタック３０６は、極端紫外光１１２に対して反射性の構造体である。多層スタック３０６は、第１の反射層３１２及び第２の反射層３１４の交互反射層を含む。
［００４８］第１の反射層３１２及び第２の反射層３１４は、図４の反射ペア３１６を形成する。非限定的な実施形態では、多層スタック３０６が、合計で最大１２０の反射層のために、反射ペア３１６を２０～６０の範囲で含む。
［００４９］いくつかの実施形態における第１の反射層３１２及び第２の反射層３１４は、様々な材料から形成される。ある実施形態では、第１の反射層３１２及び第２の反射層３１４がそれぞれ、ケイ素及びモリブデンから形成される。これらの層はケイ素及びモリブデンとして示されているものの、いくつかの実施形態における交互層は、他の材料から形成されるか、又は他の内部構造を有することが理解される。
［００５０］いくつかの実施形態における第１の反射層３１２及び第２の反射層３１４は、様々な構造を有する。ある実施形態では、第１の反射層３１２及び第２の反射層３１４がいずれも、単層、多層、分割層構造、不均一構造、又はそれらの組み合わせで形成されている。
［００５１］多くの材料が極端紫外線の波長で光を吸収するため、使用される光学素子は、他のリソグラフィシステムで使用されている透過型ではなく、反射型のものである。多層スタック３０６は、ブラッグ反射体又はミラーを作成するために、異なる光学特性を有する材料の交互薄層を有することによって、反射構造を形成する。
［００５２］ある実施形態では、交互層のそれぞれが、極端紫外光１１２とは異なる光学定数を有する。交互層により、交互層の厚さの周期が極端紫外光１１２の波長の１／２であるときに、共振反射がもたらされる。ある実施形態では、波長１３ｎｍの極端紫外光１１２に対して、交互層は約６．５ｎｍの厚さである。提供されたサイズ及び寸法は、典型的な要素に対する通常の工学的公差の許容範囲内にあることが理解される。
［００５３］いくつかの実施形態における多層スタック３０６は、様々なやり方で形成される。ある実施形態では、第１の反射層３１２及び第２の反射層３１４が、マグネトロンスパッタリング、イオンスパッタリングシステム、パルスレーザー堆積、陰極アーク堆積、又はそれらの組み合わせで形成される。
［００５４］例示的な実施形態では、多層スタック３０６が、マグネトロンスパッタリングなどの物理的蒸着技術を用いて形成される。ある実施形態では、多層スタック３０６の第１の反射層３１２及び第２の反射層３１４が、マグネトロンスパッタリング技術（精密な厚さ、低い粗さ、及び層間のクリーンな界面を含む）によって形成されている特性を有する。ある実施形態では、多層スタック３０６の第１の反射層３１２及び第２の反射層３１４が、物理蒸着（精密な厚さ、低い粗さ、及び層間のクリーンな界面を含む）によって形成されている特性を有する。
［００５５］いくつかの実施形態において物理的蒸着技術を用いて形成された多層スタック３０６の層の物理的寸法は、反射率を高めるため精密に制御される。ある実施形態では、第１の反射層３１２、例えばシリコンの層が、４．１ｎｍの厚さを有する。第２の反射層３１４、例えばモリブデンの層は、２．８ｎｍの厚さを有する。これらの層の厚さにより、極端紫外線反射素子の反射率のピーク波長が決まる。層の厚さが不正確な場合には、いくつかの実施形態における所望の波長１３．５ｎｍにおける反射率が低下する。
［００５６］ある実施形態において、多層スタック３０６は、６０％を超える反射率を有する。ある実施形態において、物理蒸着を用いて形成された多層スタック３０６は、６６％～６７％の範囲にある反射率を有する。１又は複数の実施形態において、より硬い材料で形成された多層スタック３０６の上にキャッピング層３０８を形成することにより、反射率が改善される。いくつかの実施形態では、粗さが低い層、層間のクリーンな界面、改善された層材料、又はこれらの組み合わせを使用して、７０％を超える反射率が達成される。
［００５７］１又は複数の実施形態において、キャッピング層３０８は、極端紫外光１１２の透過を可能にする保護層である。ある実施形態では、キャッピング層３０８が、多層スタック３０６上に直接形成される。１又は複数の実施形態において、キャッピング層３０８は、多層スタック３０６を汚染物質及び機械的損傷から保護する。ある実施形態では、多層スタック３０６が、酸素、タンタル、ヒドロタンタル、又はこれらの組み合わせによる汚染に対して敏感である。ある実施形態によるキャッピング層３０８は、汚染物質と相互作用して、当該汚染物質を中和する。
［００５８］１又は複数の実施形態において、キャッピング層３０８は、極端紫外光１１２に対して透明である光学的に均一な構造体である。極端紫外光１１２は、キャッピング層３０８を通過して多層スタック３０６で反射する。１又は複数の実施形態において、キャッピング層３０８は、１％～２％の全反射率損失を有する。1又は複数の実施形態において、異なる材料はそれぞれ、厚さに応じて異なる反射率損失を有するが、それらはすべて１％～２％の範囲にあるだろう。
［００５９］１又は複数の実施形態において、キャッピング層３０８は、平滑な表面を有する。例えば、いくつかの実施形態におけるキャッピング層３０８の表面は、０．２ｎｍ ＲＭＳ（二重平均平方根で測定）未満の粗さを有する。別の例では、キャッピング層３０８の表面が、１／１００ｎｍ～１／１μｍの範囲の長さについて０．０８ｎｍ ＲＭＳの粗さを有する。ＲＭＳ粗さは、測定する範囲に応じて変わるだろう。１００ｎｍから１μｍという特定の範囲について、粗さは０．０８ｎｍ以下である。それより大きい範囲では、粗さが大きくなるだろう。
［００６０］いくつかの実施形態におけるキャッピング層３０８は、様々な方法で形成される。ある実施形態では、キャッピング層３０８が、マグネトロンスパッタリング、イオンスパッタリングシステム、イオンビーム堆積、電子ビーム蒸着、高周波（ＲＦ）スパッタリング、原子層堆積（ＡＬＤ）、パルスレーザー蒸着、陰極アーク蒸着、又はそれらの組み合わせにより、多層スタック３０６上に、又は多層スタック３０６上に直接、形成される。１又は複数の実施形態において、キャッピング層３０８は、マグネトロンスパッタリング技術（精密な厚さ、低い粗さ、及び層間のクリーンな界面を含む）によって形成される物理的特性を有する。ある実施形態では、キャッピング層３０８が、物理蒸着（精密な厚さ、低い粗さ、及び層間のクリーンな界面を含む）によって形成される物理的特性を有する。
［００６１］１又は複数の実施形態において、キャッピング層３０８は、クリーニング中の腐食に抵抗するのに充分な硬度を有する様々な材料から形成される。ある実施形態では、ルテニウムがキャッピング層材料として使用される。ルテニウムは良好なエッチングストップであり、動作条件下で比較的不活性だからである。しかしながら、いくつかの実施形態ではその他の材料が、キャッピング層３０８を形成するために使用されることが理解される。特定の実施形態では、キャッピング層３０８が、２．５～５．０ｎｍの範囲内の厚さを有する。
［００６２］１又は複数の実施形態において、吸収体層３１０は、極端紫外光１１２を吸収する層である。ある実施形態では吸収体層３１０が、極端紫外光１１２を反射しない領域を設けることによって、ＥＵＶ反射マスク１０６上にパターンを形成するために使用される。吸収体層３１０は、１又は複数の実施形態によれば、極端紫外光１１２の特定の周波数（例えば約１３．５ｎｍ）に対して高い吸収係数を有する材料を含む。ある実施形態では、吸収体層３１０が、キャッピング層３０８上に直接形成され、吸収体層３１０は、ＥＵＶ反射マスク１０６のパターンを形成するためにフォトリソグラフィプロセスを用いてエッチングされる。
［００６３］１又は複数の実施形態によれば、極端紫外線反射素子３０２、例えば極端紫外線ミラー２０５は、基板３０４、多層スタック３０６、及びキャッピング層３０８により形成される。極端紫外線ミラー２０５は、光学的に平坦な表面を有し、いくつかの実施形態では、極端紫外光１１２を効率的かつ均一に反射する。
［００６４］１又は複数の実施形態によれば、極端紫外線反射素子３０２、例えばＥＵＶマスクブランク２０４は、基板３０４、多層スタック３０６、キャッピング層３０８、及び吸収体層３１０により形成されている。マスクブランク２０４は、光学的に平坦な表面を有し、いくつかの実施形態では、極端紫外光１１２を効率的かつ均一に反射する。ある実施形態では、マスクパターン１１４が、ＥＵＶマスクブランク２０４の吸収体層３１０により形成される。
［００６５］１又は複数の実施形態によれば、キャッピング層３０８の上に吸収体層３１０を形成することにより、ＥＵＶ反射型マスク１０６の信頼性が向上する。キャッピング層３０８は、吸収体層３１０のためのエッチングストップ層としてはたらく。図２のマスクパターン１１４が吸収体層３１０内へとエッチングされると、吸収体層３１０の下のキャッピング層３０８がエッチング作用を停止して多層スタック３０６を保護する。１又は複数の実施形態において、吸収体層３１０は、キャッピング層３０８に対してエッチング選択性である。いくつかの実施形態では、キャッピング層３０８がルテニウムを含み、吸収体層３１０がルテニウムに対してエッチング選択性である。
［００６６］ある実施形態において、吸収体層３１０は、タンタル、イリジウム及びアンチモンの合金；イリジウム及びアンチモンの合金；並びにタンタル、ルテニウム及びアンチモンの合金から選択される合金を含む。いくつかの実施形態では、吸収体層が、約１００ｎｍ未満の厚さを有する。いくつかの実施形態では、吸収体層が、約６５ｎｍ未満の厚さを有し、これには、約６０ｎｍ未満、約５５ｎｍ未満、約５０ｎｍ未満、約４５ｎｍ未満、約４０ｎｍ未満、又は約３５ｎｍ未満が含まれる。別の実施形態において、吸収体層３１０は、約１ｎｍ～約１００ｎｍ、約０．５ｎｍ～約８５ｎｍ、約０．５ｎｍ～約７５ｎｍ、約０．５ｎｍ～約６５ｎｍの範囲の厚さを有し、これには、約１ｎｍから約１００ｎｍ、約１ｎｍから約９０ｎｍ、約１ｎｍ～約８０ｎｍ、約１ｎｍ～約７０ｎｍ、約１ｎｍ～約６０ｎｍ、１ｎｍ～約５５ｎｍ、及び１５ｎｍ～約５０ｎｍの範囲の厚さが含まれる。
［００６７］タンタル、イリジウム及びアンチモンの合金；イリジウム及びアンチモンの合金；並びにタンタル、ルテニウム、及びアンチモンの合金から選択された合金を含む吸収体のシミュレーション試験により、ＴａＮ吸収体と比較してより良好なリソグラフィ性能が示された。本明細書に記載された合金吸収体は、ＴａＮ吸収体と比較して、より良好な焦点深度（ＤＯＦ）、正規化画像ログ・スロープ（ＮＩＬＳ）、及びテレセントリックエラー（ＴＣＥ）を示した。
［００６８］１又は複数の実施形態では、吸収体層がタンタル、イリジウム及びアンチモンの合金を含み、当該合金は、合金の総重量に基づいて、約４．８重量％～約５８．４重量％のタンタル、約６．２重量％～約９２重量％のイリジウム、及び約３．２重量％から約８５．５重量％のアンチモンを含む。１又は複数の実施形態では、当該合金が、合金の総重量に基づいて、約１４．８重量％～約４８．４重量％のタンタル、約１６．２重量％～約８２重量％のイリジウム、及び約１３．２重量％～約７５．５重量％のアンチモンを含む。１又は複数の実施形態では、当該合金が、合金の総重量に基づいて、約２４．８重量％～約３８．４重量％のタンタル、約２６．２重量％～約７２重量％のイリジウム、及び約２３．２重量％～約６５．５重量％のアンチモンを含む。１又は複数の実施形態では、タンタル、イリジウム及びアンチモンの合金が、単相の合金である。
［００６９］１又は複数の実施形態では、イリジウム及びアンチモンの合金が、合金の総重量に基づいて、約７．６重量％～約９６．８重量％のイリジウム、及び約３．２重量％～約９２．４重量％のアンチモンを含む。１又は複数の実施形態では、イリジウム及びアンチモンの合金が、合金の総重量に基づいて、約１７．６重量％～約８６．８重量％のイリジウム、及び約１３．２重量％～約８２．４重量％のアンチモンを含む。１又は複数の実施形態では、イリジウム及びアンチモンの合金が、合金の総重量に基づいて、約２７．６重量％～約７６．８重量％のイリジウム、及び約２３．２重量％～約７２．４重量％のアンチモンを含む。１又は複数の実施形態では、イリジウム及びアンチモンの合金が、単相の合金である。
［００７０］１又は複数の実施形態では吸収体層が、タンタル、ルテニウム及びアンチモンの合金を含み、当該合金は約７．３重量％～約６３．７重量％のタンタル、約３．３重量％～約８５．７重量％のルテニウム、及び約４．３重量％～約８８．６重量％のアンチモンを含む。１又は複数の実施形態では、当該合金が、合金の総重量に基づいて約１７．３重量％～約５３．７重量％のタンタル、約１３．３重量％～約７５．７重量％のルテニウム、及び約１４．３重量％～約７８．６重量％のアンチモンを含む。１又は複数の実施形態では、当該合金が、合金の総重量に基づいて約２７．３重量％～約４３．７重量％のタンタル、約２３．３重量％～約６５．７重量％のルテニウム、及び約２４．３重量％～約６８．６重量％のアンチモンを含む。１又は複数の実施形態では、タンタル、ルテニウム及びアンチモンの合金が、単相の合金である。
［００７１］１又は複数の実施形態において、タンタル、イリジウム及びアンチモンの合金、イリジウム及びアンチモンの合金、又はタンタル、ルテニウム及びアンチモンの合金は、ドーパントを含む。ドーパントは、窒素又は酸素のうち１若しくは複数から選択することができる。ある実施形態では、ドーパントが酸素を含む。代替的な実施形態では、ドーパントが窒素を含む。ある実施形態では、ドーパントが、合金の重量に基づいて、約０．１重量％から約５重量％の範囲の量で合金中に存在する。他の実施形態ではドーパントが、約０．１重量％、０．２重量％、０．３重量％、０．４重量％、０．５重量％、０．６重量％、０．７重量％、０．８重量％、０．９重量％％、１．０重量％、１．１重量％、１．２重量％、１．３重量％、１．４重量％、１．５重量％、１．６重量％、１．７重量％、１．８重量％、１．９重量％、２．０重量％、２．１重量％、２．２重量％、２．３重量％、２．４重量％、２．５重量％、２．６重量％、２．７重量％、２．８重量％、２．９重量％、３．０重量％、３．１重量％、３．２重量％、３．３重量％、３．４重量％、３．５重量％、３．６重量％、３．７重量％、３．８重量％、３．９重量％、４．０重量％、４．１重量％、４．２重量％、４．３重量％、４．４重量％、４．５重量％、４．６重量％、４．７重量％、４．８重量％、４．９重量％、又は５．０重量％の量で合金中に存在する。
［００７２］１又は複数の実施形態では、吸収体層の合金が、合金の各金属成分を含む複数のターゲットを使用して物理的堆積チャンバ内で形成された、共スパッタリングされた（co-sputtered）合金吸収体材料であり、これにより、いくつかの実施形態では、２％未満の反射率及び適切なエッチング特性を実現しながら、はるかに薄い吸収体層の厚さ（例えば１００ｎｍ未満、９０ｎｍ未満、８０ｎｍ未満、７０ｎｍ未満、６０ｎｍ未満、５０ｎｍ未満、４０ｎｍ未満、又は３０ｎｍ未満）がもたらされる。１又は複数の実施形態では、吸収体層の合金が、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）又は窒素（Ｎ２）のうちの１又は複数から選択されるガスにより共スパッタリングされる。ある実施形態において、いくつかの実施形態における吸収体層の合金は、アルゴンと酸素との混合ガス（Ａｒ＋Ｏ２）によって共スパッタリングされる。いくつかの実施形態では、アルゴンと酸素との混合物中での共スパッタリングにより、タンタル、イリジウム及びアンチモンの合金については、タンタルの酸化物、イリジウムの酸化物及び／又はアンチモンの酸化物が形成されるか、又はイリジウム及びアンチモンの合金については、イリジウムの酸化物及び／又はアンチモンの酸化物が形成されるか、又はタンタル、ルテニウム及びアンチモンの合金については、タンタルの酸化物、ルテニウムの酸化物及び／又はアンチモンの酸化物が形成される。他の実施形態では、アルゴンと酸素との混合物による共スパッタリングが、本明細書に開示される各合金の成分の1又は複数の酸化物を形成しない。ある実施形態では、いくつかの実施形態における吸収体層の合金が、アルゴンと窒素との混合ガス（Ａｒ＋Ｎ２）中で共スパッタリングされる。いくつかの実施形態では、アルゴンと窒素との混合物中での共スパッタリングにより、タンタル、イリジウム及びアンチモンの合金の場合、タンタルの窒化物、イリジウムの窒化物、及び／又はアンチモンの窒化物が形成されるか、又はイリジウム及びアンチモンの合金については、イリジウムの窒化物、及び／又はアンチモンの窒化物が形成されるか、又はタンタル、ルテニウム及びアンチモンの合金については、タンタルの窒化物、ルテニウムの窒化物、及び／又はアンチモンの窒化物が形成される。他の実施形態では、アルゴンと窒素との混合物中での共スパッタリングにより、本明細書に開示される合金の１又は複数の成分の窒化物が形成されない。ある実施形態では、いくつかの実施形態における吸収体層の合金が、アルゴンと酸素と窒素との混合ガス（Ａｒ＋Ｏ２＋Ｎ２）中で共スパッタリングされる。いくつかの実施形態では、アルゴンと酸素と窒素との混合物中での共スパッタリングにより、タンタル、イリジウム及びアンチモンの酸化物及び／又は窒化物が形成されるか、又はイリジウム及びアンチモンの合金については、イリジウム及びアンチモンの酸化物及び／又は窒化物が形成されるか、又はタンタル、ルテニウム及びアンチモンの合金については、タンタル、ルテニウム及びアンチモンの酸化物及び／又は窒化物が形成される。他の実施形態では、アルゴンと酸素と窒素との混合ガス中での共スパッタリングにより、本明細書に記載された合金の成分の１又は複数の酸化物又は窒化物が形成されない。ある実施形態では、いくつかの実施形態における吸収体層のエッチング特性及び／又は他の特性が、先に論じたように、合金の割合を制御することによって仕様に合わせて調整される。ある実施形態では、いくつかの実施形態における合金の割合が、物理蒸着チャンバの動作パラメータ、例えば電圧、圧力、流量などによって精密に制御される。ある実施形態では、材料特性をさらに修正するためにプロセスガスが使用され、例えばＮ２ガスが、タンタル、イリジウム及びアンチモンの合金、イリジウム及びアンチモンの合金、又はタンタル、ルテニウム及びアンチモンの合金の１若しくは複数の成分の窒化物を形成するために使用される。
［００７３］１又は複数の実施形態では、本明細書で使用するように「共スパッタリング」とは、少なくとも２つのターゲット、すなわちイリジウムを含有する１つのターゲット、及びアンチモンを含有する第２のターゲットが、又はタンタル、イリジウム及びアンチモンの合金については、タンタルを含有する１つのターゲット、イリジウムを含有する１つのターゲット、及びアンチモンを含有する第３のターゲットが、又はタンタル、ルテニウム及びアンチモンの合金については、タンタルから構成される１つのターゲット、ルテニウムから構成される第２のターゲット、及びアンチモンを含有する第３のターゲットが、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）又は窒素（Ｎ２）から選択される１又は複数のガスを用いて共スパッタリングされて、タンタル、イリジウム及びアンチモンの合金；イリジウム及びアンチモンの合金；並びにタンタル、ルテニウム及びアンチモンの合金から選択される吸収体層が、堆積／形成されることを意味する。
［００７４］他の実施形態では、タンタル、イリジウム及びアンチモンの合金、イリジウム及びアンチモンの合金、又はタンタル、ルテニウム及びアンチモンの合金が、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）又は窒素（Ｎ２）のうち１又は複数から選択されるガスを用いて、タンタル、イリジウム及びアンチモンの層の積層体、イリジウム及びアンチモンの層の積層体、又はタンタル、ルテニウム及びアンチモンの層の積層体として層ごとに堆積される。ある実施形態では、いくつかの実施形態における吸収体層の合金が、アルゴンと酸素との混合ガス（Ａｒ＋Ｏ２）を用いて、タンタル、イリジウム及びアンチモンの層の積層体、イリジウム及びアンチモンの層の積層体、又はタンタル、ルテニウム及びアンチモンの層の積層体として層ごとに堆積される。ある実施形態では、アルゴンと酸素との混合物を用いた層ごとの堆積（layer by layer depositing）により、タンタル、イリジウム及び／又はアンチモンの酸化物が形成されるか、又はイリジウム及びアンチモンの合金については、イリジウム及び／又はアンチモンの酸化物が形成されるか、又はタンタル、ルテニウム及びアンチモンの合金については、タンタル、ルテニウム及び／又はアンチモンの酸化物が形成される。他の実施形態では、アルゴンと酸素との混合物を用いた層ごとの堆積により、これらの積層体を構成する金属の酸化物が形成されない。ある実施形態では、いくつかの実施形態における吸収体層の合金が、アルゴンガスと窒素との混合ガス（Ａｒ＋Ｎ２）を用いて、タンタル、イリジウム及びアンチモンの層の積層体として、又はイリジウム及びアンチモンの合金については、イリジウム及びアンチモンの層の積層体として、又はタンタル、ルテニウム及びアンチモンの合金については、タンタル、ルテニウム及びアンチモンの層の積層体として、層ごとに堆積される。いくつかの実施形態では、アルゴンと窒素との混合物を用いた層ごとの堆積により、タンタルの窒化物、イリジウムの窒化物及び／又はアンチモンの窒化物が、又はイリジウム及びアンチモンの合金については、イリジウムの窒化物及び／又はアンチモンの窒化物が、又はタンタル、ルテニウム及びアンチモンの合金については、タンタルの窒化物、ルテニウムの窒化物及び／又はアンチモンの窒化物が形成される。他の実施形態では、アルゴンと窒素との混合物を用いた層ごとの堆積により、これらの各積層体を構成する金属の窒化物が形成されない。ある実施形態において、いくつかの実施形態における吸収体層の合金は、アルゴンと酸素と窒素との混合ガス（Ａｒ＋Ｏ２＋Ｎ２）を用いて、タンタル、イリジウム及びアンチモン層の積層として、又はイリジウム及びアンチモンの合金については、イリジウム及びアンチモン層の積層として、又はタンタル、ルテニウム及びアンチモンの合金については、タンタル、ルテニウム及びアンチモン層の積層として、層ごとに堆積される。いくつかの実施形態では、アルゴンと酸素と窒素との混合物を用いた層ごとの堆積により、タンタルの酸化物及び／又は窒化物、イリジウムの酸化物及び／又は窒化物、アンチモンの酸化物及び／又は窒化物が、又はイリジウム及びアンチモンの合金については、イリジウムの酸化物及び／又は窒化物、アンチモンの酸化物及び／又は窒化物が、又はタンタル、ルテニウム及びアンチモンの合金については、タンタルの酸化物及び／又は窒化物、ルテニウムの酸化物及び／又は窒化物、アンチモンの酸化物及び／又は窒化物が形成される。他の実施形態では、アルゴンと酸素と窒素との混合物を用いた層ごとの堆積により、これらの積層体の１又は複数の成分の酸化物又は窒化物が形成されない。
［００７５］１又は複数の実施形態において、本明細書に記載された合金組成物のバルクターゲットは、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）、又は窒素（Ｎ２）のうち１又は複数から選択されるガスを用いた通常のスパッタリングによって作製可能である。１又は複数の実施形態では、合金の組成と同じ組成を有するバルクターゲットを用いて合金を堆積させ、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）又は窒素（Ｎ２）のうち１又は複数から選択されるガスを用いてスパッタリングして、吸収体層を形成する。ある実施形態では、いくつかの実施形態における吸収体層の合金が、合金と同じ組成を有するバルクターゲットを用いて堆積され、アルゴンと酸素との混合ガス（Ａｒ＋Ｏ２）を用いてスパッタされる。いくつかの実施形態では、アルゴンと酸素との混合物を用いたバルクターゲット堆積により、タンタルの酸化物、イリジウムの酸化物及び／又はアンチモンの酸化物が、又はイリジウム及びアンチモンの合金については、イリジウム及び／又はアンチモンの酸化物が、又はタンタル、ルテニウム及びアンチモンの合金については、タンタルの酸化物、ルテニウムの酸化物及び／又はアンチモンの酸化物が形成される。他の実施形態では、アルゴンと酸素との混合物を使用するバルクターゲット堆積により、これらの積層体の各金属の酸化物が形成されない。ある実施形態では、いくつかの実施形態における吸収体層の合金が、合金と同じ組成を有するバルクターゲットを用いて堆積され、アルゴンと窒素との混合ガス（Ａｒ＋Ｎ２）を用いてスパッタリングされる。いくつかの実施形態では、アルゴンと窒素との混合物を用いたバルクターゲット堆積により、タンタルの窒化物、イリジウムの窒化物、及び／又はアンチモンの窒化物が、又はイリジウム及びアンチモンの合金については、イリジウムの窒化物及び／又はアンチモンの窒化物が、又はタンタル、ルテニウム及びアンチモンの合金については、タンタルの窒化物、ルテニウムの窒化物、及び／又はアンチモンの窒化物が形成される。他の実施形態では、アルゴンと窒素との混合物を用いたバルクターゲット堆積により、合金の１又は複数の成分の窒化物が形成されない。ある実施形態では、いくつかの実施形態における吸収体層の合金が、合金と同じ組成を有するバルクターゲットを用いて堆積され、アルゴンと酸素と窒素との混合ガス（Ａｒ＋Ｏ２＋Ｎ２）を用いてスパッタリングされる。いくつかの実施形態では、アルゴンと酸素と窒素との混合物を用いたバルクターゲット堆積により、タンタルの酸化物及び／又は窒化物、イリジウムの酸化物及び／又は窒化物、並びに／又はアンチモンの酸化物及び／又は窒化物が、又はイリジウム及びアンチモンの合金については、イリジウムの酸化物及び／又は窒化物、並びに／又はアンチモンの酸化物及び／又は窒化物が、又はタンタル、ルテニウム及びアンチモンの合金については、タンタルの酸化物及び／又は窒化物、ルテニウムの酸化物及び／又は窒化物、並びに／又はアンチモンの酸化物及び／又は窒化物が形成される。他の実施形態では、アルゴンと酸素と窒素との混合物を用いたバルクターゲット堆積により、合金の１又は複数の成分の酸化物又は窒化物が形成されない。いくつかの実施形態では、タンタル、イリジウム及びアンチモンの合金、イリジウム及びアンチモンの合金、又はタンタル、ルテニウム及びアンチモンの合金が、１又は複数の窒素又は酸素により０．１重量％～５重量％の範囲でドープされている。
［００７６］いくつかの実施形態におけるＥＵＶマスクブランクは、第１の吸収体材料を含む第１のカソード、第２の吸収体材料を含む第２のカソード、第３の吸収体材料を含む第３のカソード、第４の吸収体材料を含む第４のカソード、及び第５の吸収体材料を含む第５のカソードを有する物理堆積チャンバで作製され、ここで第１の吸収体材料、第２の吸収体材料、第３の吸収体材料、第４の吸収体材料、及び第５の吸収体材料は相互に異なり、これらの吸収体材料はそれぞれ、他の材料とは異なる吸光係数を有し、これらの吸収体材料はそれぞれ、他の材料とは異なる屈折率を有する。
［００７７］ここで図５を参照すると、極端紫外線マスクブランク４００は、基板４１４と、基板４１４上の反射層の多層スタック４１２とを備えるものとして示されており、反射層の多層スタック４１２は、複数の反射層ペアを含む。１又は複数の実施形態において、複数の反射層ペアは、モリブデン（Ｍｏ）含有材料、及びケイ素（Ｓｉ）含有材料から選択される材料から作製される。いくつかの実施形態において、複数の反射層ペアは、モリブデン及びケイ素の交互層を含む。極端紫外線マスクブランク４００は、反射層４１２の多層スタック上にキャッピング層４２２をさらに含み、キャッピング層４２２の上には吸収体層の多層スタック４２０がある。１又は複数の実施形態では、複数の反射層４１２が、モリブデン（Ｍｏ）含有材料、及びケイ素（Ｓｉ）含有材料から選択され、キャッピング層４２２が、ルテニウムを含む。
［００７８］吸収体層の多層スタック４２０は、複数の吸収体層ペア４２０ａ、４２０ｂ、４２０ｃ、４２０ｄ、４２０ｅ、４２０ｆを含み、各ペア（４２０ａ／４２０ｂ、４２０ｃ／４２０ｄ、４２０ｅ／４２０ｆ）は、イリジウム及びアンチモンの合金から選択される。いくつかの４２０ａ／４２０ｂ／４２０ｃ、及び４２０ｄ／４２０ｅ／４２０ｆでは、それぞれが、タンタル、イリジウム及びアンチモンを含有する。いくつかの４２０ａ／４２０ｂ／４２０ｃ、及び４２０ｄ／４２０ｅ／４２０ｆでは、それぞれが、タンタル、ルテニウム及びアンチモンを含有する。
［００７９］１つの例では、吸収体層４２０ａがイリジウムから作製されており、吸収体層４２０ｂを形成する材料が、アンチモンである。同様に、吸収体層４２０ｃはイリジウムから作製され、吸収体層４２０ｄを形成する材料はアンチモンであり、吸収体層４２０ｅはイリジウム材料から作製され、吸収体層４２０ｆを形成する材料はアンチモンである。別の例では、吸収体層４２０ａがタンタルから作製され、吸収体層４２０ｂを形成する材料がイリジウムであり、吸収体層４２０ｃがアンチモンから作製される。吸収体層４２０ｄを形成する材料はタンタルであり、吸収体層４２０ｅはイリジウムから作製され、吸収体層４２０ｆを形成する材料はアンチモンである。別の例では、吸収体層４２０ａがタンタルから作製され、吸収体層４２０ｂを形成する材料がルテニウムであり、吸収体層４２０ｃがアンチモンから作製される。吸収体層４２０ｄを形成する材料はタンタルであり、吸収体層４２０ｅはルテニウムから作製され、吸収体層４２０ｆを形成する材料はアンチモンである。
［００８０］ある実施形態において、吸収体層３１０は、タンタル、イリジウム及びアンチモンの合金、イリジウム及びアンチモンの合金、並びにタンタル、ルテニウム及びアンチモンの合金から選択される合金から作製される。１又は複数の実施形態において、合金は、タンタル、イリジウム及びアンチモンの合金を含み、当該合金は、合金の総重量に基づいて、約４．８重量％から約５８．４重量％のタンタル、約６．２重量％から約９２重量％のイリジウム、及び約３．２重量％から約８５．５重量％のアンチモンを含む。１又は複数の実施形態において、当該合金は、合金の総重量に基づいて、約１４．８重量％から約４８．４重量％のタンタル、約１６．２重量％から約８２重量％のイリジウム、及び約１３．２重量％から約７５．５重量％のアンチモンを含む。１又は複数の実施形態では、当該合金は、合金の総重量に基づいて、約２４．８重量％から約３８．４重量％のタンタル、約２６．２重量％から約７２重量％のイリジウム、及び約２３．２重量％から約６５．５重量％のアンチモンを含む。１又は複数の実施形態において、タンタル、イリジウム及びアンチモンの合金は、単相の合金である。
［００８１］１又は複数の実施形態において、イリジウム及びアンチモンの合金は、合金の総重量に基づいて、約７．６重量％から約９６．８重量％のイリジウム、及び約３．２重量％から約９２．４重量％のアンチモンを含む。１又は複数の実施形態において、イリジウム及びアンチモンの合金は、合金の総重量に基づいて、約１７．６重量％から約８６．８重量％のイリジウム、及び約１３．２重量％から約８２．４重量％のアンチモンを含む。１又は複数の実施形態において、イリジウム及びアンチモンの合金は、合金の総重量に基づいて、約２７．６重量％～約７６．８重量％のイリジウム、及び約２３．２重量％～約７２．４重量％のアンチモンを含む。１又は複数の実施形態において、イリジウム及びアンチモンの合金は、単相の合金である。
［００８２］１又は複数の実施形態において、吸収体層は、タンタル、ルテニウム及びアンチモンの合金を含み、当該合金は、約７．３重量％～約６３．７重量％のタンタル、約３．３重量％～約８５．７重量％のルテニウム、及び約４．３重量％～約８８．６重量％のアンチモンを含む。１又は複数の実施形態では、当該合金が、合金の総重量に基づいて、約１７．３重量％から約５３．７重量％のタンタル、約１３．３重量％から約７５．７重量％のルテニウム、及び約１４．３重量％から約７８．６重量％のアンチモンを含む。１又は複数の実施形態では、当該合金が、合金の総重量に基づいて、約２７．３重量％～約４３．７重量％のタンタル、約２３．３重量％～約６５．７重量％のルテニウム、及び約２４．３重量％～約６８．６重量％のアンチモンを含む。１又は複数の実施形態において、タンタル、ルテニウム及びアンチモンの合金は、単相の合金である。
［００８３］１又は複数の実施形態によれば、吸収体層ペアが、第１の層（４２０ａ、４２０ｃ、４２０ｅ）及び第２の吸収体層（４２０ｂ、４２０ｄ、４２０ｆ）を含み、第１の層（４２０ａ、４２０ｃ、４２０ｅ）及び第２の吸収体層（４２０ｂ、４２０ｄ、４２０ｆ）はそれぞれ、０．１ｎｍ～１０ｎｍの範囲の厚さ、例えば１ｎｍ～５ｎｍの範囲、又は１ｎｍ～３ｎｍの範囲の厚さを有する。１又は複数の特定の実施形態において、第１の層４２０ａの厚さは、０．５ｎｍ、０．６ｎｍ、０．７ｎｍ、０．８ｎｍ、０．９ｎｍ、１ｎｍ、１．１ｎｍ、１．２ｎｍ、１．３ｎｍ、１．４ｎｍ、１．５ｎｍ、１．６ｎｍ、１．７ｎｍ、１．８ｎｍ、１．９ｎｍ、２ｎｍ、２．１ｎｍ、２．２ｎｍ、２．３ｎｍ、２．４ｎｍ、２．５ｎｍ、２．６ｎｍ、２．７ｎｍ、２．８ｎｍ、２．９ｎｍ、３ｎｍ、３．１ｎｍ、３．２ｎｍ、３．３ｎｍ、３．４ｎｍ、３．５ｎｍ、３．６ｎｍ、３．７ｎｍ、３．８ｎｍ、３．９ｎｍ、４ｎｍ、４．１ｎｍ、４．２ｎｍ、４．３ｎｍ、４．４ｎｍ、４．５ｎｍ、４．６ｎｍ、４．７ｎｍ、４．８ｎｍ、４．９ｎｍ、及び５ｎｍである。１又は複数の実施形態において、各ペアの第１の吸収体層及び第２の吸収体層の厚さは、同一であるか、又は異なる。例えば、第１の吸収体層及び第２の吸収体層は、第１の吸収体層の厚さと第２の吸収体層の厚さとの比が、１：１、１．５：１、２：１、２．５：１、３：１、３．５：１、４：１、４．５：１、５：１、６：１、７：１、８：１、９：１、１０：１、１１：１、１２：１、１３：１、１４：１、１５：１、１６：１、１７：１、１８：１、１９：１、又は２０：１であるような厚さを有し、これにより第１の吸収体層は、各ペアで第２の吸収体層の厚さと等しい、又はそれより大きい厚さを有することになる。代替的には、第１の吸収体層及び第２の吸収体層は、第２の吸収体層の厚さと第１の吸収体層の厚さとの比が、１．５：１、２：１、２．５：１、３：１、３．５：１、４：１、４．５：１、５：１、６：１、７：１、８：１、９：１、１０：１、１１：１、１２：１、１３：１、１４：１、１５：１、１６：１、１７：１、１８：１、１９：１、又は２０：１であるような厚さを有し、これにより第２の吸収体層は、各ペアで第１の吸収体層の厚さと等しい、又はそれより大きい厚さを有することになる。
［００８４］１又は複数の実施形態によれば、極端紫外光が吸光度によって、及び反射層の多層スタックからの光との破壊的干渉による位相変化によって吸収されるように、異なる吸収体材料及び吸収体層の厚さが選択される。図５に示す実施形態では、３つの吸収体層ペア、４２０ａ／４２０ｂ、４２０ｃ／４２０ｄ、及び４２０ｅ／４２０ｆが示されているが、特許請求の範囲は、特定の数の吸収体層ペアに限定されるべきではない。１又は複数の実施形態によれば、いくつかの実施形態におけるＥＵＶマスクブランク４００が、５～６０の範囲の吸収体層ペア、又は１０～４０の範囲の吸収体層ペアを含む。
［００８５］１又は複数の実施形態によれば、吸収体層が、２％未満の反射率及び他のエッチング特性をもたらす厚さを有する。いくつかの実施形態における供給ガスは、吸収体層の材料特性をさらに修正するために使用され、例えば、いくつかの実施形態における窒素（Ｎ２）ガスは、先に提示した材料の窒化物を形成するために使用される。１又は複数の実施形態による吸収体層の多層スタックは、ＥＵＶ光が吸光度によって吸収されるだけでなく、多層吸収体スタックにより引き起こされる位相変化によっても吸収されるように異なる材料の個々の厚さの反復パターンであり、これによって、下の反射材料の多層スタックからの光と破壊的に干渉してより良好なコントラストがもたらされる。
［００８６］本開示の別の態様は、極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクの製造方法に関し、当該方法は、複数の反射層ペアを含む反射層の多層スタックを基板上に形成すること、反射層の多層スタック上にキャッピング層を形成すること、及びキャッピング層上に吸収体層を形成することを含むものであり、ここで吸収体層は、タンタル、イリジウム及びアンチモンの合金；イリジウム及びアンチモンの合金；並びにタンタル、ルテニウム及びアンチモンの合金から選択される。
［００８７］いくつかの実施形態におけるＥＵＶマスクブランクは、図４及び図５に関して上述した実施形態の特性のいずれかを有し、いくつかの実施形態における方法は、図３に関して説明したシステムで実行される。
［００８８］よってある実施形態では、複数の反射層が、モリブデン（Ｍｏ）含有材料及びケイ素（Ｓｉ）含有材料から選択され、吸収体層は、タンタル、イリジウム及びアンチモンの合金；イリジウム及びアンチモンの合金；並びにタンタル、ルテニウム及びアンチモンの合金から選択された合金である。
［００８９］別の特定の方法の実施形態では、異なる吸収体層が、第１の吸収体材料を含む第１のカソードと、第２の吸収体材料を含む第２のカソードとを有する物理堆積チャンバ内で形成される。次に図６を参照すると、ある実施形態に従ったマルチカソードチャンバ５００の上部が示されている。マルチカソードチャンバ５００は、トップアダプタ５０４によりキャップされた円筒形の本体部分５０２を有するベース構造５０１を含む。トップアダプタ５０４は、トップアダプタ５０４の周囲に配置された多数のカソードソース、例えばカソードソース５０６、５０８、５１０、５１２、及び５１４のための規定（provisions）を有する。
［００９０］１又は複数の実施形態において、本方法は、５ｎｍ～６０ｎｍの範囲内の厚さを有する吸収体層を形成する。１又は複数の実施形態において、吸収体層は、５１ｎｍ～５７ｎｍの範囲内の厚さを有する。１又は複数の実施形態において、吸収体層を形成するために使用される材料は、吸収体層のエッチング特性に影響を与えるように選択される。１又は複数の実施形態では、吸収体層の合金が、物理堆積チャンバで形成された合金吸収体材料を共スパッタリングすることによって形成され、これによりいくつかの実施形態では、かなり薄い吸収体層厚（３０ｎｍ未満）がもたらされ、２％未満の反射率及び望ましいエッチング特性が実現される。ある実施形態において、いくつかの実施形態における吸収体層のエッチング特性及び他の所望の特性は、各吸収体材料の合金割合を制御することにより、仕様に合わせて調整される。ある実施形態において、いくつかの実施形態における合金割合は、物理蒸着チャンバの動作パラメータ、例えば電圧、圧力、流量によって精密に制御される。ある実施形態では、材料特性をさらに修正するためにプロセスガスが使用され、例えばＮ２ガスが、タンタル、イリジウム及びアンチモンの窒化物を形成するため、又はイリジウム及びアンチモンの合金については、イリジウムの窒化物又はアンチモンの窒化物を形成するため、又はタンタル、ルテニウム及びアンチモンの合金については、タンタル、ルテニウム及び／又はアンチモンの窒化物を形成するために、使用される。
［００９１］いくつかの実施形態におけるマルチカソードソースチャンバ５００は、図３に示したシステムの一部である。ある実施形態では、極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク製造システムが、真空を作り出すための基板処理真空チャンバと、真空中で、基板処理真空チャンバにロードされた基板を搬送するための基板処理プラットフォームと、ＥＵＶマスクブランクを形成するために、基板処理プラットフォームによってアクセスされる複数のサブチャンバと、を備え、当該ＥＵＶマスクブランクは、複数の反射層ペアを含む、基板上の反射層の多層スタック、反射層の多層スタック上のキャッピング層、及びキャッピング層上の吸収体層を含むものであり、当該吸収体層は、タンタル、イリジウム及びアンチモンの合金；イリジウム及びアンチモンの合金；並びにタンタル及びルテニウム及びアンチモンの合金から選択される合金から作製されている。いくつかの実施形態におけるシステムは、図４又は図５との関連で示されたＥＵＶマスクブランクを作成するために、また上記図４又は図５との関連で説明したＥＵＶマスクブランクについて述べた特性のいずれかを有するために、使用される。
［００９２］プロセスは、一般に、プロセッサによって実行されると、処理チャンバに本開示のプロセスを実行させるソフトウェアルーチンとしてメモリに格納されていてよい。また、ソフトウェアルーチンは、プロセッサによって制御されるハードウェアから遠隔に位置する第２のプロセッサ（図示せず）によって格納及び／又は実行され得る。本開示の方法の一部又は全部は、ハードウェアで実行されてもよい。よって本プロセスは、ソフトウェアに実装されてよく、コンピュータシステムを使用してハードウェアで、例えば特定用途向け集積回路若しくは他のタイプのハードウェア実装として、又はソフトウェアとハードウェアの組み合わせとして、実行され得る。ソフトウェアルーチンは、プロセッサによって実行されると、汎用コンピュータを、本プロセスが実行されるようにチャンバ動作を制御する特定目的のコンピュータ（コントローラ）に変換する。
［００９３］本明細書全体を通じて、「１つの実施形態」、「特定の実施形態」、「１又は複数の実施形態」、又は「ある実施形態」への言及は、その実施態様との関連で説明される特定の特徴、構造、材料、又は特性が、本開示の少なくとも１つの実施態様に含まれることを意味する。よって、本明細書全体の様々な場所における、「１又は複数の実施形態において」、「特定の実施形態において」、「１つの実施形態において」、又は「ある実施形態において」などの語句は、必ずしも本開示の同じ実施態様を指しているわけではない。さらに、特定の特徴、構造、材料、又は特性は、１又は複数の実施態様において任意の適切なやり方で組み合わせることができる。
［００９４］本明細書の開示は特定の実施形態を参照して説明されているが、これらの実施形態は本開示の原理及び適用を例示するものに過ぎないことが理解されるべきである。本開示の思想及び範囲から逸脱することなく、本開示の方法及び装置に対して様々な修正及び変形を行うことが可能なことは、当業者には明らかであろう。よって本開示は、添付の特許請求の範囲及びその均等の範囲内にある修正及び変形を含むことが意図されている。

Claims (20)

  1. 極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクを製造する方法であって、
    ＥＵＶ照射を反射する多層スタックであって、複数の反射層ペアを備える多層スタックを、基板上に形成することと、
    前記多層スタック上にキャッピング層を形成することと、
    タンタル、イリジウム及びアンチモンの合金；イリジウム及びアンチモンの合金；並びにタンタル、ルテニウム及びアンチモンの合金から選択される吸収体層を、前記キャッピング層上に形成することと
    を含む、方法。
  2. 前記吸収体層が、タンタル、イリジウム及びアンチモンの合金を含み、該合金が、約４．８重量％から約５８．４重量％のタンタル、約６．２重量％から約９２重量％のイリジウム、及び約３．２重量％から約８５．５重量％のアンチモンを含有する、請求項１に記載の方法。
  3. 前記吸収体層が、イリジウム及びアンチモンの合金を含み、該合金が、約７．６重量％から約９６．８重量％のイリジウム、及び約３．２重量％から約９２．４重量％のアンチモンを含有する、請求項１に記載の方法。
  4. 前記吸収体層が、タンタル、ルテニウム及びアンチモンの合金を含み、該合金が、約７．３重量％から約６３．７重量％のタンタル、約３．３重量％から約８５．７重量％のルテニウム、及び約４．３重量％から約８８．６重量％のアンチモンを含有する、請求項１に記載の方法。
  5. 前記合金が非晶質である、請求項１に記載の方法。
  6. 前記吸収体層を形成するために、前記合金が、タンタル、イリジウム及びアンチモンの別個のターゲットを、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）又は窒素（Ｎ２）のうち１又は複数から選択されるガスで共スパッタリングすることによって形成される、請求項２に記載の方法。
  7. 前記吸収体層を形成するために、前記合金が、イリジウム及びアンチモンの別個のターゲットを、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）又は窒素（Ｎ２）のうち１又は複数から選択されるガスで共スパッタリングすることによって形成される、請求項３に記載の方法。
  8. 前記吸収体層を形成するために、前記合金が、タンタル、ルテニウム及びアンチモンの別個のターゲットを、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）又は窒素（Ｎ２）のうち１又は複数から選択されるガスで共スパッタリングすることによって形成される、請求項４に記載の方法。
  9. 前記吸収体層を形成するために、前記合金が、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）又は窒素（Ｎ２）のうち１又は複数から選択されるガスを使用して、タンタル及びイリジウムの層、並びにルテニウム及びアンチモンの層から選択される交互層の積層体として層ごとに堆積される、請求項１に記載の方法。
  10. 前記吸収体層を形成するために、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）又は窒素（Ｎ２）のうち１又は複数から選択されるガスを使用して、前記合金と組成が同じバルクターゲットを使用して、前記合金が堆積され、スパッタリングされる、請求項１に記載の方法。
  11. 前記合金には、窒素又は酸素のうち１又は複数が、０．１重量％から５重量％の範囲でドープされている、請求項１０に記載の方法。
  12. 極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクであって、
    基板と、
    ＥＵＶ照射を反射する多層スタックであって、複数の反射層ペアを備える、多層スタックと、
    反射層の前記多層スタック上にある、キャッピング層と、
    タンタル、イリジウム及びアンチモンの合金；イリジウム及びアンチモンの合金；並びにタンタル、ルテニウム及びアンチモンの合金から選択される吸収体層と
    を備える、極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
  13. 前記吸収体層が、タンタル、イリジウム及びアンチモンの合金を含み、該合金が、約４．８重量％から約５８．４重量％のタンタル、約６．２重量％から約９２重量％のイリジウム、及び約３．２重量％から約８５．５重量％のアンチモンを含有する、請求項１２に記載の極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
  14. 前記吸収体層が、イリジウム及びアンチモンの合金を含み、該合金が、約７．６重量％から約９６．８重量％のイリジウム、及び約３．２重量％から約９２．４重量％のアンチモンを含有する、請求項１２に記載の極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
  15. 前記吸収体層が、タンタル、ルテニウム及びアンチモンの合金を含み、該合金が、約７．３重量％から約６３．７重量％のタンタル、約３．３重量％から約８５．７重量％のルテニウム、及び約４．３重量％から約８８．６重量％のアンチモンを含有する、請求項１２に記載の極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
  16. ルテニウム及びアンチモンの前記合金が非晶質である、請求項１２に記載の極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
  17. 前記吸収体層が６０ｎｍ未満の厚さを有する、請求項１２に記載の極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
  18. 前記吸収体層が、窒素又は酸素のうち１又は複数から選択されるドーパントを、約０．１重量％から約５重量％の範囲でさらに含む、請求項１２に記載の極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
  19. 前記吸収体層が６０ｎｍ未満の厚さを有する、請求項１８に記載の極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
  20. 極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクであって、
    基板と、
    ＥＵＶ照射を反射する多層スタックであって、モリブデン（Ｍｏ）及びケイ素（Ｓｉ）を含む複数の反射層ペアを備える、多層スタックと、
    反射層の前記多層スタック上にあるキャッピング層と、
    タンタル、イリジウム及びアンチモンの合金；イリジウム及びアンチモンの合金；並びにタンタル、ルテニウム及びアンチモンの合金から選択される吸収体層と
    を備える、極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
JP2023520331A 2020-10-06 2021-07-26 極端紫外線マスク吸収剤材料 Pending JP2023545014A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US17/063,783 2020-10-06
US17/063,783 US11609490B2 (en) 2020-10-06 2020-10-06 Extreme ultraviolet mask absorber materials
PCT/US2021/043121 WO2022076057A1 (en) 2020-10-06 2021-07-26 Extreme ultraviolet mask absorber materials

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023545014A true JP2023545014A (ja) 2023-10-26

Family

ID=80931285

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023520331A Pending JP2023545014A (ja) 2020-10-06 2021-07-26 極端紫外線マスク吸収剤材料

Country Status (5)

Country Link
US (2) US11609490B2 (ja)
JP (1) JP2023545014A (ja)
KR (1) KR20230074820A (ja)
TW (1) TW202215145A (ja)
WO (1) WO2022076057A1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI811037B (zh) 2016-07-27 2023-08-01 美商應用材料股份有限公司 具多層吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造方法
US11630385B2 (en) * 2020-01-24 2023-04-18 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
TW202131087A (zh) 2020-01-27 2021-08-16 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收劑材料
TWI836207B (zh) 2020-04-17 2024-03-21 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收材料
TW202202641A (zh) * 2020-07-13 2022-01-16 美商應用材料股份有限公司 極紫外線遮罩吸收劑材料
US11609490B2 (en) 2020-10-06 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11592738B2 (en) 2021-01-28 2023-02-28 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials

Family Cites Families (147)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4410407A (en) 1981-12-22 1983-10-18 Raytheon Company Sputtering apparatus and methods
JPS6376325A (ja) 1987-06-30 1988-04-06 Agency Of Ind Science & Technol Ｘ線リソグラフィ−用マスクのｘ線吸収体膜
JP3078163B2 (ja) 1993-10-15 2000-08-21 キヤノン株式会社 リソグラフィ用反射型マスクおよび縮小投影露光装置
DE19508405A1 (de) 1995-03-09 1996-09-12 Leybold Ag Kathodenanordnung für eine Vorrichtung zum Zerstäuben von einem Target-Paar
US6057237A (en) 1997-04-29 2000-05-02 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing barrier layers for copper
US6323131B1 (en) 1998-06-13 2001-11-27 Agere Systems Guardian Corp. Passivated copper surfaces
US6132566A (en) 1998-07-30 2000-10-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for sputtering ionized material in a plasma
US6013399A (en) 1998-12-04 2000-01-11 Advanced Micro Devices, Inc. Reworkable EUV mask materials
TW561279B (en) 1999-07-02 2003-11-11 Asml Netherlands Bv Reflector for reflecting radiation in a desired wavelength range, lithographic projection apparatus containing the same and method for their preparation
JP3529676B2 (ja) 1999-09-16 2004-05-24 株式会社東芝 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
US6562522B1 (en) 1999-10-29 2003-05-13 Intel Corporation Photomasking
JP4397496B2 (ja) 2000-02-25 2010-01-13 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 反射型露光マスクおよびｅｕｖ露光装置
US6583068B2 (en) 2001-03-30 2003-06-24 Intel Corporation Enhanced inspection of extreme ultraviolet mask
US6396900B1 (en) 2001-05-01 2002-05-28 The Regents Of The University Of California Multilayer films with sharp, stable interfaces for use in EUV and soft X-ray application
US20030008148A1 (en) 2001-07-03 2003-01-09 Sasa Bajt Optimized capping layers for EUV multilayers
DE10155112B4 (de) 2001-11-09 2006-02-02 Infineon Technologies Ag Reflexionsmaske für die EUV-Lithographie und Herstellungsverfahren dafür
EP1333323A3 (en) 2002-02-01 2004-10-06 Nikon Corporation Self-cleaning reflective optical elements for use in x-ray optical systems, and optical systems and microlithography systems comprising same
JP3806702B2 (ja) 2002-04-11 2006-08-09 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランクス及び反射型マスク及びそれらの製造方法並びに半導体の製造方法
EP2317384B1 (en) 2002-04-11 2016-11-09 Hoya Corporation Reflective mask blank, reflective mask and methods of producing the mask blank and the mask
US6835503B2 (en) 2002-04-12 2004-12-28 Micron Technology, Inc. Use of a planarizing layer to improve multilayer performance in extreme ultra-violet masks
JP2003315977A (ja) 2002-04-25 2003-11-06 Hoya Corp リソグラフィーマスクブランクの製造方法及び製造装置
US6641899B1 (en) 2002-11-05 2003-11-04 International Business Machines Corporation Nonlithographic method to produce masks by selective reaction, articles produced, and composition for same
US6913706B2 (en) 2002-12-28 2005-07-05 Intel Corporation Double-metal EUV mask absorber
US6908713B2 (en) 2003-02-05 2005-06-21 Intel Corporation EUV mask blank defect mitigation
JP2004273794A (ja) 2003-03-10 2004-09-30 Mitsubishi Electric Corp Ｘ線マスクの製造方法およびそれにより製造されたｘ線マスクを用いた半導体装置の製造方法
US7033739B2 (en) 2003-04-24 2006-04-25 Intel Corporation Active hardmask for lithographic patterning
US7282307B2 (en) 2004-06-18 2007-10-16 Freescale Semiconductor, Inc. Reflective mask useful for transferring a pattern using extreme ultra violet (EUV) radiation and method of making the same
US20060008749A1 (en) 2004-07-08 2006-01-12 Frank Sobel Method for manufacturing of a mask blank for EUV photolithography and mask blank
US20060024589A1 (en) 2004-07-28 2006-02-02 Siegfried Schwarzl Passivation of multi-layer mirror for extreme ultraviolet lithography
US7407729B2 (en) 2004-08-05 2008-08-05 Infineon Technologies Ag EUV magnetic contrast lithography mask and manufacture thereof
KR20070054651A (ko) 2004-09-17 2007-05-29 아사히 가라스 가부시키가이샤 Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크스 및 그 제조방법
KR100640655B1 (ko) * 2004-11-16 2006-11-01 삼성전자주식회사 Ｅｕｖｌ용 마스크 및 그 제조 방법
US8575021B2 (en) 2004-11-22 2013-11-05 Intermolecular, Inc. Substrate processing including a masking layer
FR2884965B1 (fr) 2005-04-26 2007-06-08 Commissariat Energie Atomique Structure de blanc de masque ajustable pour masque euv a decalage de phase
US7432201B2 (en) 2005-07-19 2008-10-07 Applied Materials, Inc. Hybrid PVD-CVD system
KR20070036519A (ko) 2005-09-29 2007-04-03 주식회사 하이닉스반도체 반사형 마스크
JP4652946B2 (ja) 2005-10-19 2011-03-16 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランク用基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法
US20070090084A1 (en) 2005-10-20 2007-04-26 Pei-Yang Yan Reclaim method for extreme ultraviolet lithography mask blank and associated products
JP4926523B2 (ja) 2006-03-31 2012-05-09 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法
KR20080001023A (ko) 2006-06-29 2008-01-03 주식회사 에스앤에스텍 극자외선 반사형 블랭크 마스크와 포토마스크 및 그제조방법
TWI427334B (zh) 2007-02-05 2014-02-21 Zeiss Carl Smt Gmbh Ｅｕｖ蝕刻裝置反射光學元件
KR100879139B1 (ko) 2007-08-31 2009-01-19 한양대학교 산학협력단 위상 반전 마스크 및 이의 제조방법
JP4532533B2 (ja) 2007-09-18 2010-08-25 アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 Ｅｕｖ露光用マスクブランクおよびｅｕｖ露光用マスク
JP5194888B2 (ja) 2007-09-27 2013-05-08 凸版印刷株式会社 反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク及びその製造方法並びに半導体素子の製造方法
EP2217539A4 (en) 2007-11-30 2015-07-01 Corning Inc LOW DILATION GLASS MATERIAL HAVING A LOW GRADIENT OF EXPANSION POWER
KR100972863B1 (ko) 2008-04-22 2010-07-28 주식회사 하이닉스반도체 극자외선 리소그라피 마스크 및 그 제조 방법
WO2010007955A1 (ja) 2008-07-14 2010-01-21 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク
DE102008042212A1 (de) 2008-09-19 2010-04-01 Carl Zeiss Smt Ag Reflektives optisches Element und Verfahren zu seiner Herstellung
WO2010050359A1 (ja) 2008-10-30 2010-05-06 キヤノンアネルバ株式会社 多層膜スパッタリング装置及び多層膜形成方法
US8587662B1 (en) 2008-11-06 2013-11-19 Target Brands, Inc. Theft trend analysis and response
KR101095681B1 (ko) 2008-12-26 2011-12-19 주식회사 하이닉스반도체 극자외선 리소그래피를 위한 포토마스크 및 그 제조방법
EP2264460A1 (en) 2009-06-18 2010-12-22 Nxp B.V. Device having self-assembled-monolayer
JP5766393B2 (ja) 2009-07-23 2015-08-19 株式会社東芝 反射型露光用マスクおよび半導体装置の製造方法
JP5418293B2 (ja) 2010-02-25 2014-02-19 凸版印刷株式会社 反射型フォトマスクおよび反射型フォトマスクブランクならびにその製造方法
KR20130007537A (ko) 2010-03-02 2013-01-18 아사히 가라스 가부시키가이샤 Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법
JP5559948B2 (ja) 2010-03-12 2014-07-23 Ｈｏｙａ株式会社 多層反射膜付基板の製造方法および反射型マスクブランクの製造方法
KR20130007570A (ko) 2010-03-16 2013-01-18 아사히 가라스 가부시키가이샤 Ｅｕｖ 리소그래피 광학 부재용 기재, 및 그의 제조 방법
KR101625382B1 (ko) 2010-04-29 2016-05-30 (주)에스앤에스텍 극자외선용 반사형 블랭크 마스크, 포토마스크 및 그의 제조방법
JP5581797B2 (ja) 2010-05-11 2014-09-03 大日本印刷株式会社 反射型マスクの製造方法
WO2011157643A1 (en) 2010-06-15 2011-12-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Mask for euv lithography, euv lithography system and method for optimising the imaging of a mask
TWI554630B (zh) 2010-07-02 2016-10-21 應用材料股份有限公司 減少沉積不對稱性的沉積設備及方法
US8764995B2 (en) 2010-08-17 2014-07-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet light (EUV) photomasks, and fabrication methods thereof
WO2012036103A1 (en) 2010-09-15 2012-03-22 Ricoh Company, Ltd. Electromechanical transducing device and manufacturing method thereof, and liquid droplet discharging head and liquid droplet discharging apparatus
JP6013720B2 (ja) 2010-11-22 2016-10-25 芝浦メカトロニクス株式会社 反射型マスクの製造方法、および反射型マスクの製造装置
US8426085B2 (en) 2010-12-02 2013-04-23 Intermolecular, Inc. Method and apparatus for EUV mask having diffusion barrier
WO2012102313A1 (ja) 2011-01-26 2012-08-02 旭硝子株式会社 フォトマスクの製造方法
JP5648558B2 (ja) 2011-03-30 2015-01-07 凸版印刷株式会社 反射型マスクブランク、及び反射型マスクブランクの製造方法
JP2011228743A (ja) 2011-07-26 2011-11-10 Toppan Printing Co Ltd 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、ならびにこれを用いたパターン転写方法
CN103858209B (zh) 2011-09-28 2017-06-06 凸版印刷株式会社 反射型曝光用掩模坯及反射型曝光用掩模
KR20140099226A (ko) 2011-11-25 2014-08-11 아사히 가라스 가부시키가이샤 Euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법
JP2013120868A (ja) 2011-12-08 2013-06-17 Dainippon Printing Co Ltd 反射型マスクブランクス、反射型マスク、および、それらの製造方法
US8691476B2 (en) 2011-12-16 2014-04-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. EUV mask and method for forming the same
KR20130085774A (ko) 2012-01-20 2013-07-30 에스케이하이닉스 주식회사 Ｅｕｖ 마스크
WO2013152921A1 (en) 2012-04-12 2013-10-17 Asml Netherlands B.V. Pellicle, reticle assembly and lithographic apparatus
US8658333B2 (en) 2012-06-04 2014-02-25 Nanya Technology Corporation Reflective mask
US8962222B2 (en) 2012-06-13 2015-02-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photomask and method for forming the same
US8765331B2 (en) 2012-08-17 2014-07-01 International Business Machines Corporation Reducing edge die reflectivity in extreme ultraviolet lithography
US8932785B2 (en) 2012-10-16 2015-01-13 Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co. Kg EUV mask set and methods of manufacturing EUV masks and integrated circuits
US9146458B2 (en) 2013-01-09 2015-09-29 Kabushiki Kaisha Toshiba EUV mask
US9442387B2 (en) 2013-02-01 2016-09-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet lithography process
US9812303B2 (en) 2013-03-01 2017-11-07 Applied Materials, Inc. Configurable variable position closed track magnetron
US9135499B2 (en) 2013-03-05 2015-09-15 Tyco Fire & Security Gmbh Predictive theft notification for the prevention of theft
US20140254001A1 (en) 2013-03-07 2014-09-11 Globalfoundries Inc. Fabry-perot thin absorber for euv reticle and a method of making
US9298081B2 (en) 2013-03-08 2016-03-29 Globalfoundries Inc. Scattering enhanced thin absorber for EUV reticle and a method of making
US9354508B2 (en) 2013-03-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Planarized extreme ultraviolet lithography blank, and manufacturing and lithography systems therefor
US20140272684A1 (en) 2013-03-12 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet lithography mask blank manufacturing system and method of operation therefor
US9310675B2 (en) 2013-03-15 2016-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet light (EUV) photomasks, and fabrication methods thereof
JP2014229825A (ja) 2013-05-24 2014-12-08 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法および、該マスクブランク用の反射層付基板の製造方法
JP6408790B2 (ja) 2013-05-31 2018-10-17 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
US9091947B2 (en) 2013-07-19 2015-07-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet light (EUV) photomasks and fabrication methods thereof
US9134604B2 (en) 2013-08-30 2015-09-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Extreme ultraviolet (EUV) mask and method of fabricating the EUV mask
JP2015073013A (ja) 2013-10-03 2015-04-16 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法
KR101567057B1 (ko) 2013-11-15 2015-11-09 주식회사 에스앤에스텍 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크
US9261774B2 (en) 2013-11-22 2016-02-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet lithography process and mask with reduced shadow effect and enhanced intensity
JP6301127B2 (ja) 2013-12-25 2018-03-28 Hoya株式会社 反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法
US10279488B2 (en) 2014-01-17 2019-05-07 Knightscope, Inc. Autonomous data machines and systems
US9329597B2 (en) 2014-01-17 2016-05-03 Knightscope, Inc. Autonomous data machines and systems
US9195132B2 (en) 2014-01-30 2015-11-24 Globalfoundries Inc. Mask structures and methods of manufacturing
US11183375B2 (en) 2014-03-31 2021-11-23 Applied Materials, Inc. Deposition system with multi-cathode and method of manufacture thereof
KR20160002332A (ko) 2014-06-30 2016-01-07 주식회사 에스앤에스텍 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크
US9690016B2 (en) 2014-07-11 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet reflective element with amorphous layers and method of manufacturing thereof
US9581889B2 (en) 2014-07-11 2017-02-28 Applied Materials, Inc. Planarized extreme ultraviolet lithography blank with absorber and manufacturing system therefor
US9581890B2 (en) 2014-07-11 2017-02-28 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet reflective element with multilayer stack and method of manufacturing thereof
US9612522B2 (en) 2014-07-11 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask blank production system with thin absorber and manufacturing system therefor
US9739913B2 (en) 2014-07-11 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet capping layer and method of manufacturing and lithography thereof
WO2016043147A1 (ja) 2014-09-17 2016-03-24 Hoya株式会社 反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
US9709884B2 (en) 2014-11-26 2017-07-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. EUV mask and manufacturing method by using the same
US9471866B2 (en) 2015-01-05 2016-10-18 Tyco Fire and Securtiy GmbH Anti-theft system used for customer service
US9551924B2 (en) 2015-02-12 2017-01-24 International Business Machines Corporation Structure and method for fixing phase effects on EUV mask
US9588440B2 (en) 2015-02-12 2017-03-07 International Business Machines Corporation Method for monitoring focus in EUV lithography
KR101726045B1 (ko) 2015-06-04 2017-04-13 한양대학교 산학협력단 극자외선 노광 공정용 마스크, 및 그 제조 방법
TWI694304B (zh) 2015-06-08 2020-05-21 日商Ａｇｃ股份有限公司 Ｅｕｖ微影術用反射型光罩基底
TWI623805B (zh) 2015-08-17 2018-05-11 Ｓ＆Ｓ技術股份有限公司 用於極紫外線微影之空白遮罩及使用其之光罩
KR101829604B1 (ko) 2015-08-17 2018-03-29 주식회사 에스앤에스텍 극자외선용 포토마스크 및 그 제조방법
US9673042B2 (en) 2015-09-01 2017-06-06 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for in-situ cleaning of copper surfaces and deposition and removal of self-assembled monolayers
US20170092533A1 (en) 2015-09-29 2017-03-30 Applied Materials, Inc. Selective silicon dioxide deposition using phosphonic acid self assembled monolayers as nucleation inhibitor
US10163629B2 (en) 2015-11-16 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Low vapor pressure aerosol-assisted CVD
US10431440B2 (en) 2015-12-20 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing a substrate
US9791771B2 (en) 2016-02-11 2017-10-17 Globalfoundries Inc. Photomask structure with an etch stop layer that enables repairs of detected defects therein and extreme ultraviolet(EUV) photolithograpy methods using the photomask structure
EP4358119A2 (en) 2016-03-03 2024-04-24 Applied Materials, Inc. Improved self-assembled monolayer blocking with intermittent air-water exposure
JP6739960B2 (ja) 2016-03-28 2020-08-12 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法
US10061191B2 (en) 2016-06-01 2018-08-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. High durability extreme ultraviolet photomask
TWI763686B (zh) 2016-07-27 2022-05-11 美商應用材料股份有限公司 具有合金吸收劑的極紫外線遮罩坯料、製造極紫外線遮罩坯料的方法以及極紫外線遮罩坯料生產系統
TWI811037B (zh) 2016-07-27 2023-08-01 美商應用材料股份有限公司 具多層吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造方法
US11926894B2 (en) 2016-09-30 2024-03-12 Asm Ip Holding B.V. Reactant vaporizer and related systems and methods
US11011357B2 (en) 2017-02-21 2021-05-18 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for multi-cathode substrate processing
SG11201907622YA (en) 2017-03-02 2019-09-27 Hoya Corp Reflective mask blank, reflective mask and manufacturing method thereof, and semiconductor device manufacturing method
US10704139B2 (en) 2017-04-07 2020-07-07 Applied Materials, Inc. Plasma chamber target for reducing defects in workpiece during dielectric sputtering
US10847368B2 (en) 2017-04-07 2020-11-24 Applied Materials, Inc. EUV resist patterning using pulsed plasma
KR20180127197A (ko) 2017-05-18 2018-11-28 주식회사 에스앤에스텍 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크
JP6729508B2 (ja) 2017-06-29 2020-07-22 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスク
JP6863169B2 (ja) 2017-08-15 2021-04-21 Ａｇｃ株式会社 反射型マスクブランク、および反射型マスク
EP3454119B1 (en) 2017-09-09 2023-12-27 IMEC vzw Euv absorbing alloys
US10504705B2 (en) 2017-09-15 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Physical vapor deposition chamber with static magnet assembly and methods of sputtering
US10890842B2 (en) 2017-09-21 2021-01-12 AGC Inc. Reflective mask blank, reflective mask, and process for producing reflective mask blank
US10802393B2 (en) 2017-10-16 2020-10-13 Globalfoundries Inc. Extreme ultraviolet (EUV) lithography mask
KR102402767B1 (ko) 2017-12-21 2022-05-26 삼성전자주식회사 극자외선 마스크 블랭크, 극자외선 마스크 블랭크를 이용하여 제조된 포토마스크, 포토마스크를 이용한 리소그래피 장치 및 포토마스크를 이용한 반도체 장치 제조 방법
KR102237572B1 (ko) 2018-05-02 2021-04-07 한양대학교 산학협력단 Euv 리소그래피용 마스크 및 그 제조 방법
US20190384156A1 (en) 2018-06-13 2019-12-19 AGC Inc. Reflective mask blank, reflective mask, and method of manufacturing reflective mask blank
TWI821300B (zh) 2018-06-19 2023-11-11 美商應用材料股份有限公司 具有護罩座的沉積系統
JP6636581B2 (ja) 2018-08-01 2020-01-29 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法
JP7376278B2 (ja) 2018-08-16 2023-11-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 固体原料昇華器
TWI828843B (zh) 2019-01-31 2024-01-11 美商應用材料股份有限公司 極紫外線（ｅｕｖ）遮罩素材及其製造方法
TW202104617A (zh) 2019-05-22 2021-02-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收材料
TWI836072B (zh) 2019-05-22 2024-03-21 美商應用材料股份有限公司 具有嵌入吸收層之極紫外光遮罩
TWI817073B (zh) 2020-01-27 2023-10-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩坯體硬遮罩材料
US11609490B2 (en) 2020-10-06 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials

Also Published As

Publication number Publication date
US11609490B2 (en) 2023-03-21
KR20230074820A (ko) 2023-05-31
TW202215145A (zh) 2022-04-16
WO2022076057A1 (en) 2022-04-14
US20220107556A1 (en) 2022-04-07
US20230176468A1 (en) 2023-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7198936B2 (ja) 極紫外線マスク吸収体材料
KR102537308B1 (ko) 극자외선 마스크 흡수체 물질들
WO2020236889A1 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials
JP7199531B2 (ja) 極紫外線マスク吸収体用のｔａ‐ｃｕ合金
JP2023545014A (ja) 極端紫外線マスク吸収剤材料
JP7198935B2 (ja) 極紫外線マスク吸収体材料
JP7478842B2 (ja) 極端紫外線マスク吸収体材料
JP7454699B2 (ja) 極紫外線マスク用吸収体材料
JP7443560B2 (ja) 極端紫外線マスク吸収体材料
JP7209102B2 (ja) 極紫外線マスク吸収体材料
WO2021150556A1 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials
TW202131087A (zh) 極紫外光遮罩吸收劑材料
JP7454742B2 (ja) 極端紫外線マスク吸収体材料
US11592738B2 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11513437B2 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials
JP2022533662A (ja) 極紫外線マスク吸収体材料
JP2024517210A (ja) 極端紫外線マスク吸収体材料
JP2022532915A (ja) 極紫外線マスク吸収体材料
WO2020236892A1 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials
WO2020236887A1 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230605

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20240613

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240625