JP2021091024A5 - - Google Patents
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Description
第1導電部材21の一端が、第1支持部21Sに接続される。第1導電部材21は、第1支持部21Sにより支持される。第1導電部材21の他端が、第1可動電極20Eに接続される。第2導電部材22の一端が、第2支持部22Sに接続される。第2導電部材22は、第2支持部22Sにより支持される。第2導電部材22の他端が、第1可動電極20Eに接続される。この例では、第1支持部21Sと第2支持部22Sとの間に第1可動電極20Eがある。第1支持部21Sと第1可動電極20Eとの間に第1導電部材21がある。この例では、第1可動電極20Eと第2支持部22Sとの間に第2導電部材22がある。
例えば、第2導電部材22の電位(例えば、第2端子T2の電位)が固定され、第1固定電極11の電位が、制御部70により、制御可能である。実施形態において、第1固定電極11の電位が実質的に固定され、第2導電部材22の電位が、制御部70により、制御可能でも良い。以下では、1つの例として、第2導電部材22の電位(例えば、第2端子T2の電位)が固定される場合について説明する。この場合、第1固定電極11の電位が制御部70により制御される。第2導電部材22と第1固定電極11との間の電位差の極性は、任意である。
第1導電部材21及び第2導電部材22の一方を破断させる参考例が考えられる。例えば、第1参考例において、第1電気信号Sg1が第1固定電極11に印加されたときに、第1可動電極20Eの第2導電部材22の側が第1固定電極11に接する。この場合、第1電気信号Sg1による電流により、第2導電部材22がジュール熱により破断する。一方、第1導電部材21の他端(第1端子T1)はフローティングである。このため、第1電気信号Sg1が第1固定電極11に印加されたときに第1導電部材21には電流が流れずに、第1導電部材21が破断しない。このような第1参考例においても、第1端子T1と第2端子T2との間に流れる電流を遮断できる。
図19及び図20は、実施形態に係るMEMS素子に用いられる制御回路を例示する模式図である。
図19に示すように、制御回路310は、昇圧回路321、論理回路322、及び、スイッチングマトリクス323を含む。昇圧回路321には、電源電圧Vccが供給される。昇圧回路321は、スイッチングマトリクス323に高電圧Vhを出力する。論理回路322からスイッチングマトリクス323に供給された信号322aに応じて、スイッチングマトリクス323は、複数の制御信号Vppを出力する。複数の制御信号Vppの1つが、複数の素子部51の1つに供給される。
図19に示すように、制御回路310は、昇圧回路321、論理回路322、及び、スイッチングマトリクス323を含む。昇圧回路321には、電源電圧Vccが供給される。昇圧回路321は、スイッチングマトリクス323に高電圧Vhを出力する。論理回路322からスイッチングマトリクス323に供給された信号322aに応じて、スイッチングマトリクス323は、複数の制御信号Vppを出力する。複数の制御信号Vppの1つが、複数の素子部51の1つに供給される。
(構成14)
前記素子部は、前記第1部材に固定された第2固定電極をさらに含み、
前記第1可動電極は、第1電極領域及び第2電極領域を含み、
前記第1電極領域と前記第1導電部材との間の距離は、前記第2電極領域と前記第1導電部材との間の距離よりも短く、
前記第1電極領域は、前記第1固定電極と対向し、
前記第2電極領域は、前記第2固定電極と対向し、
前記第1状態は、前記第2導電部材と前記第2固定電極との間に第2電気信号が印加される前であり、
前記第1状態において、前記第1導電部材及び前記第2導電部材は、前記第1可動電極を前記第2固定電極から離して支持し、
前記第2状態は、前記第2導電部材と前記第2固定電極との間に前記第2電気信号が印加された後であり、
前記第2状態において、前記第1導電部材及び前記第2導電部材が破断状態である、構成1~13のいずれか1つに記載のMEMS素子。
前記素子部は、前記第1部材に固定された第2固定電極をさらに含み、
前記第1可動電極は、第1電極領域及び第2電極領域を含み、
前記第1電極領域と前記第1導電部材との間の距離は、前記第2電極領域と前記第1導電部材との間の距離よりも短く、
前記第1電極領域は、前記第1固定電極と対向し、
前記第2電極領域は、前記第2固定電極と対向し、
前記第1状態は、前記第2導電部材と前記第2固定電極との間に第2電気信号が印加される前であり、
前記第1状態において、前記第1導電部材及び前記第2導電部材は、前記第1可動電極を前記第2固定電極から離して支持し、
前記第2状態は、前記第2導電部材と前記第2固定電極との間に前記第2電気信号が印加された後であり、
前記第2状態において、前記第1導電部材及び前記第2導電部材が破断状態である、構成1~13のいずれか1つに記載のMEMS素子。
(構成20)
前記第1可動電極は、第2延在領域を含み、
前記延在方向において、前記第1延在領域と前記第2延在領域との間に前記第3電極領域があり、
前記素子部は、前記第1部材に固定された第4支持部をさらに含み、
前記第2延在領域の一部は、前記第3電極領域と接続され、前記第2延在領域の他の一部は、前記第4支持部と接続された、構成19に記載のMEMS素子。
前記第1可動電極は、第2延在領域を含み、
前記延在方向において、前記第1延在領域と前記第2延在領域との間に前記第3電極領域があり、
前記素子部は、前記第1部材に固定された第4支持部をさらに含み、
前記第2延在領域の一部は、前記第3電極領域と接続され、前記第2延在領域の他の一部は、前記第4支持部と接続された、構成19に記載のMEMS素子。
Claims (1)
- 前記素子部は、前記第1部材に固定された第2固定電極をさらに含み、
前記第1可動電極は、第1電極領域及び第2電極領域を含み、
前記第1電極領域と前記第1導電部材との間の距離は、前記第2電極領域と前記第1導電部材との間の距離よりも短く、
前記第1電極領域は、前記第1固定電極と対向し、
前記第2電極領域は、前記第2固定電極と対向し、
前記第1状態は、前記第2導電部材と前記第2固定電極との間に第2電気信号が印加される前であり、
前記第1状態において、前記第1導電部材及び前記第2導電部材は、前記第1可動電極を前記第2固定電極から離して支持し、
前記第2状態は、前記第2導電部材と前記第2固定電極との間に前記第2電気信号が印加された後であり、
前記第2状態において、前記第1導電部材及び前記第2導電部材が破断状態である、請求項1~6のいずれか1つに記載のMEMS素子。
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