JP2021091024A - Ｍｅｍｓ素子及び電気回路 - Google Patents

Abstract

【課題】安定した動作が可能なＭＥＭＳ素子及び電気回路を提供する。【解決手段】ＭＥＭＳ素子１１０は、第１部材４１及び素子部５１を含む。前記素子部は、前記第１部材に固定された第１固定電極１１と、前記第１固定電極と対向する第１可動電極２０Ｅと、前記第１可動電極に電気的に接続された第１導電部材２１と、前記第１可動電極に電気的に接続された第２導電部材２２と、を含む。前記第２導電部材と前記第１固定電極との間に第１電気信号が印加される前の第１状態において、前記第１導電部材及び前記第２導電部材は、前記第１可動電極を前記第１固定電極から離して支持する。前記第２導電部材と前記第１固定電極との間に前記第１電気信号Ｓｇ１が印加された後の第２状態において、前記第１導電部材及び前記第２導電部材が破断状態である。【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、ＭＥＭＳ素子及び電気回路に関する。

例えば、スイッチなどにＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子が用いられる。ＭＥＭＳ素子において、安定した動作が望まれる。

特開昭５９−１２１７３０号公報

実施形態は、安定した動作が可能なＭＥＭＳ素子及び電気回路を提供する。

実施形態によれば、ＭＥＭＳ素子は、第１部材及び素子部を含む。前記素子部は、前記第１部材に固定された第１固定電極と、前記第１固定電極と対向する第１可動電極と、前記第１可動電極に電気的に接続された第１導電部材と、前記第１可動電極に電気的に接続された第２導電部材と、を含む。前記第２導電部材と前記第１固定電極との間に第１電気信号が印加される前の第１状態において、前記第１導電部材及び前記第２導電部材は、前記第１可動電極を前記第１固定電極から離して支持する。前記第２導電部材と前記第１固定電極との間に前記第１電気信号が印加された後の第２状態において、前記第１導電部材及び前記第２導電部材が破断状態である。

図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子を例示する模式図である。 図２（ａ）〜図２（ｃ）は、第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子を例示する模式的断面図である。 図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子を例示する模式的断面図である。 図４（ａ）及び図４（ｂ）は、第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子を例示する模式的平面図である。 図５（ａ）及び図５（ｂ）は、第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子を例示する模式的平面図である。 図６（ａ）及び図６（ｂ）は、第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子を例示する模式的平面図である。 図７（ａ）及び図７（ｂ）は、第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子を例示する模式的平面図である。 図８（ａ）〜図８（ｃ）は、第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子を例示する模式的平面図である。 図９は、第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子を例示する模式的断面図である。 図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、第２実施形態に係るＭＥＭＳ素子を例示する模式図である。 図１１（ａ）〜図１１（ｃ）は、第２実施形態に係るＭＥＭＳ素子を例示する模式的断面図である。 図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、第２実施形態に係るＭＥＭＳ素子を例示する模式的断面図である。 図１３は、第２実施形態に係るＭＥＭＳ素子を例示する模式的断面図である。 図１４（ａ）及び図１４（ｂ）は、第２実施形態に係るＭＥＭＳ素子を例示する模式図である。 図１５（ａ）〜図１５（ｃ）は、第２実施形態に係るＭＥＭＳ素子を例示する模式的断面図である。 図１６（ａ）〜図１６（ｃ）は、第２実施形態に係るＭＥＭＳ素子を例示する模式的断面図である。 図１７（ａ）及び図１７（ｂ）は、実施形態に係るＭＥＭＳ素子を例示する模式的断面図である。 図１８は、第３実施形態に係るＭＥＭＳ素子を例示する模式図である。 図１９は、実施形態に係るＭＥＭＳ素子に用いられる制御回路を例示する模式図である。 図２０は、実施形態に係るＭＥＭＳ素子に用いられる制御回路を例示する模式図である。 図２１（ａ）及び図２１（ｂ）は、第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子に関する動作を例示する模式図である。 図２２（ａ）及び図２２（ｂ）は、第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子に関する動作を例示する模式図である。

以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

（第１実施形態）
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子を例示する模式図である。
図１（ａ）は、図１（ｂ）の矢印ＡＲ１からみた平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ１−Ａ２線断面図である。

図１（ｂ）に示すように、実施形態に係るＭＥＭＳ素子１１０は、第１部材４１及び素子部５１を含む。第１部材４１は、例えば基体である。この例では、第１部材４１は、基板４１ｓ及び絶縁層４１ｉを含む。基板４１ｓは、例えばシリコン基板である。基板４１ｓは、トランジスタなどの制御素子を含んでも良い。基板４１ｓの上に絶縁層４１ｉが設けられる。例えば、絶縁層４１ｉの上に素子部５１が設けられる。実施形態において、第１部材４１は、配線など（図示しない）を含んでも良い。配線は、例えば、素子部５１と基板４１ｓとを電気的に接続する。配線は、コンタクトビアを含んでも良い。

図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、素子部５１は、第１固定電極１１、第１可動電極２０Ｅ、第１導電部材２１及び第２導電部材２２を含む。第１固定電極１１は、第１部材４１に固定される。例えば、第１固定電極１１は、絶縁層４１ｉの上に設けられる。

第１可動電極２０Ｅは、第１固定電極１１と対向する。第１導電部材２１は、第１可動電極２０Ｅに電気的に接続される。第２導電部材２２は、第１可動電極２０Ｅに電気的に接続される。

後述するように、例えば、第２導電部材２２と第１固定電極１１との間に第１電気信号Ｓｇ１（図１（ｂ）参照）が印加されることが可能である。第１電気信号Ｓｇ１が印加される前の状態を第１状態（例えば初期状態）とする。図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１状態を例示している。

図１（ｂ）に示すように、第１状態において、第１導電部材２１及び第２導電部材２２は、第１可動電極２０Ｅを第１固定電極１１から離して支持する。例えば、第１状態において、第１固定電極１１と第１可動電極２０Ｅとの間に第１間隙ｇ１がある。

例えば、第１支持部２１Ｓ及び第２支持部２２Ｓが設けられる。第１支持部２１Ｓ及び第２支持部２２Ｓは、第１部材４１に固定される。第１支持部２１Ｓ及び第２支持部２２Ｓは、導電性である。

第１導電部材２１の一端が、第１支持部２１Ｓに接続される。第１導電部材２１は、第１支持部２１Ｓにより支持される。第１導電部材２１の他端が、第１可動電極２０Ｅに接続される。第２導電部材２２の一端が、第２支持部２２Ｓに接続される。第２導電部材２２は、第２支持部２２Ｓにより支持される。第２導電部材２２の他端が、第２可動電極２０Ｅに接続される。この例では、第１支持部２１Ｓと第２支持部２２Ｓとの間に第１可動電極２０Ｅがある。第１支持部２１Ｓと第１可動電極２０Ｅとの間に第１導電部材２１がある。この例では、第１可動電極２０Ｅと第２支持部２２Ｓとの間に第２導電部材２２がある。

図１（ａ）に示すように、例えば、第１導電部材２１及び第２導電部材２２は、細線状である。この例では、第１導電部材２１及び第２導電部材２２は、ミアンダ構造を有する。例えば、第１導電部材２１及び第２導電部材２２は、ばね部材である。

図１（ａ）に示すように、例えば、第１導電部材２１及び第２導電部材２２の幅は、第１可動電極２０Ｅの幅Ｗ２０よりも細い。第１導電部材２１及び第２導電部材２２は、第１可動電極２０Ｅよりも変形し易い。

第１固定電極１１から第１可動電極２０Ｅへの方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向及びＸ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。

この例では、第１導電部材２１から第２導電部材２２への方向はＸ軸方向に沿う。第１固定電極１１と第１可動電極２０Ｅとの間の電位差に応じて、第１固定電極１１と第１可動電極２０Ｅとの間の距離（Ｚ軸方向の長さ）が可変である。第１可動電極２０Ｅは、第１固定電極１１を基準にして変位可能である。

図１（ｂ）に示すように、第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２が設けられても良い。第１端子は、第１導電部材２１と電気的に接続される。第２端子Ｔ２は、第２導電部材２２と電気的に接続される。例えば、第１状態において、第１端子Ｔ１と第２端子Ｔ２との間に電流が流れることが可能である。このとき、ＭＥＭＳ素子１１０は、導通状態（例えばオン状態）である。後述するように、第１導電部材２１及び第２導電部材２２は、破断されることが可能である。この場合、第１端子Ｔ１と第２端子Ｔ２との間に電流が流れない。このとき、ＭＥＭＳ素子１１０は、非導通状態（例えばオフ状態）である。

オン状態において、例えば、第１導電部材２１及び第１可動電極２０Ｅを含む第１電流経路２１ｃｐ（図１（ａ）参照）に電流が流れることが可能である。オン状態において、例えば、第２導電部材２２及び第１可動電極２０Ｅを含む第２電流経路２２ｃｐ（図１（ａ）参照）に電流が流れることが可能である。

ＭＥＭＳ素子１１０は、ノーマリオンのスイッチ素子として機能することが可能である。

素子部５１は、第１容量素子３１を含んでも良い。第１容量素子３１は、例えば、第１導電部材２１と電気的に接続される。この例では、第１容量素子３１は、第１端子Ｔ１と電気的に接続される。素子部５１のオン状態またはオフ状態を制御することで、第１容量素子３１への電気的な接続が制御できる。

図１（ｂ）に示すように、例えば、制御部７０が設けられても良い。制御部７０は、例えば、第１制御端子Ｔｃ１及び第２端子Ｔ２と電気的に接続される。第１制御端子Ｔｃ１は、第１固定電極１１と電気的に接続される。制御部７０により、第２導電部材２２と第１固定電極１１との間に第１電気信号Ｓｇ１が印加されることが可能である。第１電気信号Ｓｇ１は、電圧信号及び電流信号の少なくともいずれかを含む。

例えば、第２導電部材２２の電位（例えば、第２端子Ｔ２の電位）が固定され、第１固定電極１１の電位が、制御部７０により、制御可能である。実施形態において、第１固定電極１１の電位が実質的に固定され、第２導電部材２１の電位が、制御部７０により、制御可能でも良い。以下では、１つの例として、第２導電部材２２の電位（例えば、第２端子Ｔ２の電位）が固定される場合について説明する。この場合、第１固定電極１１の電位が制御部７０により制御される。第２導電部材２１と第１固定電極１１との間の電位差の極性は、任意である。

第１状態において、第１可動電極２０Ｅの電位は、第２導電部材２２の電位と実質的に同じである。第１固定電極１１の電位を変化させることで、第１固定電極１１と第１可動電極２０Ｅとの間の電位差が変化する。例えば、電位差が大きいと、第１可動電極２０Ｅと第１固定電極１１との間の距離が短くなる。これは、例えば、静電力に基づく。電位差が大きくなると、第１可動電極２０Ｅが第１固定電極１１と接し、第１可動電極２０Ｅ及び第１固定電極１１を介して、導電部材に電流が流れることが可能である。これにより、導電部材は、破断されることが可能である。これにより、破断前の第１状態と、破断後の第２状態と、が形成可能である。第１可動電極２０Ｅと第１固定電極１１とが接する現象は、「プルイン」または「プルダウン」と呼ばれる。「プルイン」または「プルダウン」が生じる電圧は、「プルイン電圧」または「プルダウン電圧」と呼ばれる。

ＭＥＭＳ素子１１０の素子部５１は、例えば、ＯＴＰ（One Time Programmable）素子として機能できる。

例えば、第１導電部材２１の剛性は、第２導電部材２２の剛性と異なっても良い。例えば、第１導電部材２１の剛性は、第２導電部材２２の剛性よりも低くても良い。例えば、第１導電部材２１と第２導電部材２２とは互いに非対称である。例えば、このような構成により、第１可動電極２０Ｅが第１固定電極１１に近づくときに、第１可動電極２０Ｅが傾斜した状態となり易くなる。傾斜した状態で、第１可動電極２０Ｅが第１固定電極１１に近づいても良い。

以下、第１状態から第２状態への移行の例について説明する。
図２（ａ）〜図２（ｃ）、図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子を例示する模式的断面図である。
これらの図は、第２導電部材２２と第１固定電極１１との間に第１電気信号Ｓｇ１が印加されたときの、素子部５１の変化を例示している。既に説明したように、第１電気信号Ｓｇ１は、制御部７０により供給される。

図２（ａ）に示す第１状態ＳＴ１において、第２導電部材２２及び第１固定電極１１の間に第１電気信号Ｓｇ１が印加されない。例えば、第２導電部材２２及び第１固定電極１１は、例えばフローティング状態ＦＬＴである。このとき、第１可動電極２０Ｅは、第１固定電極１１から離れている。このような第１状態ＳＴ１において、第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２との間には、電流が流れることが可能である。第１状態ＳＴ１において、素子部５１は、導通状態（オン状態）である。第１状態ＳＴ１において、第２導電部材２２及び第１固定電極１１の間の電位差が、プルイン電圧未満でも良い。

図２（ｂ）に示すように、例えば、第２端子Ｔ２（第２導電部材２２）がグランド電位Ｖ０に設定され、第１固定電極１１に第１電気信号Ｓｇ１が印加される。これにより、第１可動電極２０Ｅは、第１固定電極１１に近づく。例えば、第１導電部材２１と第２導電部材２２とが非対称である場合に、第１可動電極２０Ｅが傾斜し易くなる。例えば、第１導電部材２１の側の第１可動電極２０Ｅの端部２０Ｅｐが、第２導電部材２２の側の第１可動電極２０Ｅの端部２０Ｅｑと比べて、第１固定電極１１に近づく。第１導電部材２１の側の第１可動電極２０Ｅの端部２０Ｅｐ、及び、第１導電部材２１の第１可動電極２０Ｅの側の端部２１ｐで、電界が集中する。例えば、端部２１ｐが第１固定電極１１に接する。例えば、端部２０Ｅｐが第１固定電極１１と接する。これにより、端部２０Ｅｐ、及び、端部２１ｐにおいて、温度が局部的に上昇し易くなる。温度の上昇は、例えば、ジュール熱による。

端部２０Ｅｐ及び端部２１ｐの少なくともいずれかの温度が局部的に上昇すると、第１導電部材２１が破断する。図２（ｂ）に示すように、第１導電部材２１に破断部２１Ｂが生じる。破断部２１Ｂにおいて、第１導電部材２１が分断される。

例えば、図１（ａ）に示すように、Ｚ軸方向において、第１導電部材２１の一部は、第１固定電極１１と重なっても良い。例えば、Ｚ軸方向において、第１導電部材２１の一部が第１固定電極１１と重なっていると、第１可動電極２０Ｅが第１固定電極１１に近づいたときに、第１導電部材２１のその一部（端部２１ｐ）が第１固定電極１１と接し易くなる。例えば、電流が、第１導電部材２１のその一部（端部２１ｐ）と、第１固定電極１１と、の間に局所的に流れる。第１導電部材２１のその一部（端部２１ｐ）に電流が集中することで、第１導電部材２１がより安定して破断される。例えば、第１導電部材２１の機械的剛性は、第１可動電極２０Ｅの機械的剛性よりも低い。これにより、端部２１ｐが第１固定電極１１と接し易くなる。

図２（ｃ）に示すように、破断した第１導電部材２１は、図２（ａ）の状態に近づいても良い。これは、例えば、第１導電部材２１の弾性による復元力による。図２（ｃ）に示すように、第１可動電極２０Ｅの端部２０Ｅｐは、第１導電部材２１と離れている。

図３（ａ）に示すように、第１電気信号Ｓｇ１の印加が継続されているときに、第１可動電極２０Ｅの実質的全体が、第１固定電極１１と接しても良い。この状態は、例えば、プルダウン状態である。第１可動電極２０Ｅが第１固定電極１１と接すると、第１可動電極２０Ｅが第１固定電極１１に固着され、第１可動電極２０Ｅは、第１固定電極１１から実質的に離れない場合がある。

図３（ａ）に示すように、第１電気信号Ｓｇ１の印加が継続すると、第２導電部材２２の温度が上昇し、第２導電部材２２が破断する。温度の上昇は、例えば、ジュール熱による。破断部２２Ｂが生じる。破断部２２Ｂにおいて、第２導電部材２２が分断される。例えば、第２導電部材２２の第１可動電極２０Ｅの側の端部の近傍に破断部２２Ｂが形成される。第１電気信号Ｓｇ１の印加が終了する。

この後、図３（ｂ）に示すように、破断した第２導電部材２２は、図２（ａ）の状態に近づいても良い。これは、例えば、第２導電部材２２の弾性による復元力による。図３（ｂ）に示すように、第１可動電極２０Ｅの端部２０Ｅｑは、第２導電部材２２と離れている。

図３（ｂ）に示す第２状態ＳＴ２は、第２導電部材２２と第１固定電極１１との間に第１電気信号Ｓｇ１が印加された後の状態である。例えば、第２状態ＳＴ２において、第１固定電極１１は、例えばフローティング状態ＦＬＴである。第１導電部材２１及び第２導電部材２２の破断は、第１電気信号Ｓｇ１の印加が終わった後も継続する。第２状態ＳＴ２において、第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２との間には、電流が流れない。第２状態ＳＴ２において、素子部５１は、非導通状態（オフ状態）である。例えば、第２状態ＳＴ２において、第２導電部材２２は、例えばフローティング状態ＦＬＴである。または、第２状態ＳＴ２において、第２導電部材２２の電位は、第２導電部材２２に接続された回路の電位でも良い。

このように、実施形態においては、第２導電部材２２と第１固定電極１１との間に第１電気信号Ｓｇ１が印加された後の第２状態ＳＴ２において、第１導電部材２１及び第２導電部材２２の両方が破断状態である。これにより、第１端子Ｔ１と第２端子Ｔ２との間に流れる電流を安定して遮断することができる。

第１導電部材２１及び第２導電部材２２の一方を破断させる参考例が考えられる。例えば、第１参考例において、第１電気信号Ｓｇ１が第１固定電極１１に印加されたときに、第１可動電極２０Ｅの第２導電部材２２の側が第１固定電極１１に接する。この場合、第１電気信号Ｓｇ１による電流により、第２導電部材２２がジュール熱により破断する。一方、第１導電部材２１の他端（第１端子Ｔ１）はフローティングである。このため、第１電気信号Ｓｇ１が第１固定電極１１に印加されたときに第１導電部材２１には電流が流れずに、第１導電部材２１が破断しない。このような第１参考においても、第１端子Ｔ１と第２端子Ｔ２との間に流れる電流を遮断できる。

第２導電部材２２が破断した後の第１参考例においては、第１端子Ｔ１は、第１導電部材２１及び第１可動電極２０Ｅを介して第１固定電極１１と電気的に接続される。例えば、第１固定電極１１への第１電気信号Ｓｇ１の印加を制御するトランジスタなどが第１固定電極１１と接続される場合、第１電気信号Ｓｇ１の印加が終了した後も、トランジスタの寄生容量が残る。トランジスタの寄生容量は、第１端子Ｔ１の容量に影響を与える。第１参考例においては、このような不要な容量が、素子部５１に残存する。残存した容量は、スイッチとして機能する素子部５１のオフ状態の電気的特性を不安定にし易い。残存した容量は、例えば、素子部５１が組み込まれた回路の信号が高周波である場合に、素子部５１の特性を不安定にする。

実施形態においては、第２状態ＳＴ２において、第１導電部材２１及び第２導電部材２２が破断状態である。このため、第１端子Ｔ１は、第１固定電極１１及びトランジスタの寄生容量から分断される。これにより、オフ状態における素子部５１の電気的特性が安定である。高周波をスイッチングする場合でも安定したオフ特性を維持できる。実施形態によれば、安定した動作が可能なＭＥＭＳ素子を提供できる。

実施形態において、例えば、第２導電部材２２と第１固定電極１１との間に第１電気信号Ｓｇ１を印加すると、第１導電部材２１が破断する。それに引き続いて、第１電気信号Ｓｇ１の印加が継続されることで、第２導電部材２２も破断する。第１導電部材２１が破断した後で第２導電部材２２が破断するまでの途中で、第１電気信号Ｓｇ１の印加を終了することもできる。しかしながら、第１電気信号Ｓｇ１の印加を継続することで、第２導電部材２２が破断できるので、途中で第１電気信号Ｓｇ１を終了しなくても良い。

上記の説明においては、第２導電部材２２と第１固定電極１１との間に第１電気信号Ｓｇ１が印加される。実施形態において、第１導電部材２１と第１固定電極１１との間に第１電気信号Ｓｇ１が印加されても良い。この場合は、第１可動電極２０Ｅの第２導電部材２２の側の端部と第１固定電極１１との間の距離が、第１可動電極２０Ｅの第１導電部材２１の側の端部と第１固定電極１１との間の距離よりも短くなるように、第１可動電極２０Ｅを傾斜させる。傾斜した状態で第１可動電極２０Ｅが第１固定電極１１に近づくことで、第１電気信号Ｓｇ１が印加された後の第２状態ＳＴ２において、第１導電部材２１及び第２導電部材２２の両方が破断状態である。

上記のように、第１可動電極２０Ｅが傾斜した状態で、第１固定電極１１に近づくことで、２つの導電部材の両方が破断し易くできる。例えば、第１導電部材２１及び第２導電部材２２の一方が第１固定電極１１に近くなる場合は、第１導電部材２１及び第２導電部材２２の他方と、第１固定電極１１と、の間に第１電気信号Ｓｇ１が印加される。第１電気信号Ｓｇ１が印加される導電部材は、傾斜方向に適合するように選択されて良い。

実施形態において、例えば、２つの導電部材の機械的剛性を非対称にすることで、第１可動電極２０Ｅが傾斜し易くなる。例えば、第１状態ＳＴ１において、第１可動電極２０Ｅと第１固定電極１１との間の距離が、第１導電部材２１側と第２導電部材２２の側とで異なっても良い。これにより、第１可動電極２０Ｅと第１固定電極１１との間の距離が不均一な状態で、第１可動電極２０Ｅが第１固定電極１１に近づくことが容易になる。例えば、第１可動電極２０Ｅの端部２０Ｅｐの下面、または、第１固定電極１１の端部１１ｐの上面に突起部などが設けられても良い。このような場合も、第２状態ＳＴ２において、第１導電部材２１及び第２導電部材２２が破断し易くなる。例えば、第１可動電極２０Ｅと第１固定電極１１とが互いに対向する部分の面積が、第１導電部材２１側と、第２導電部材側と、で異なっても良い。

図１（ｂ）に示すように、例えば、第１固定電極１１から第１可動電極２０Ｅへの方向を第１方向とする。第１方向は、Ｚ軸方向に対応する。第１方向において、第１導電部材２１の一部及び第２導電部材２２の一部の少なくともいずれかは、第１固定電極１１と重なっても良い。第１導電部材２１の一部が第１固定電極１１と重なると、第１導電部材２１の一部（例えば図２（ｂ）に例示した端部２１ｐ）と、第１固定電極１１の端部１１ｐ（図１（ｂ）参照）と、の間に局所的に大きな電流が流れる。これにより、第１導電部材２１が破断し易くなる。一方、第２導電部材２２の一部が第１固定電極１１と重なると、第２導電部材２２の一部の端部と、第１固定電極１１の端部１１ｐと、の間に局所的に大きな電流が流れる。これにより、第２導電部材２２が破断し易くなる。

上記のように、実施形態において、例えば、第２導電部材２２と第１固定電極１１との間に第１電気信号Ｓｇ１が印加されたときに、第１可動電極２０Ｅと第１固定電極１１との間に電流が流れることが可能である。例えば、第２導電部材２２と第１固定電極１１との間に第１電気信号Ｓｇ１が印加されたときに、第１可動電極２０Ｅは第１固定電極１１と接する。

以下、第１導電部材２１及び第２導電部材２２が破断し易くなる構成のいくつかの例について説明する。

図４（ａ）及び図４（ｂ）は、第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子を例示する模式的平面図である。
これらの図は、実施形態に係るＭＥＭＳ素子１１１の一部を例示している。図４（ａ）は、第１導電部材２１を例示する。図４（ｂ）は、第２導電部材２２を例示する。

図４（ａ）に示すように、第１導電部材２１は、第１導電部材２１及び第１可動電極２０Ｅを含む第１電流経路２１ｃｐに沿う第１長さを有する。第１長さは、長さＬ１１〜Ｌ１７の和に対応する。

図４（ｂ）に示すように、第２導電部材２２は、第２導電部材２２及び第１可動電極２０Ｅを含む第２電流経路２２ｃｐに沿う第２長さを有する。第２長さは、長さＬ２１〜Ｌ２７の和に対応する。

この例では、第２長さは、第１長さよりも短い。このような場合、第１導電部材２１の剛性は、第２導電部材２２の剛性よりも低くなる。これにより、第１導電部材２１の特性は、第２導電部材２２の特性と非対称になる。

図５（ａ）及び図５（ｂ）は、第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子を例示する模式的平面図である。
これらの図は、実施形態に係るＭＥＭＳ素子１１２の一部を例示している。図５（ａ）は、第１導電部材２１を例示する。図５（ｂ）は、第２導電部材２２を例示する。

図５（ａ）に示すように、第１導電部材２１は、第１幅Ｗ１を有する。第１幅Ｗ１は、第１導電部材２１及び第１可動電極２０Ｅを含む第１電流経路２１ｃｐに対して垂直な方向Ｄｐ１の、第１導電部材２１の長さである。第１幅Ｗ１は、厚さ（Ｚ軸方向に沿う長さ）でも良い。

図５（ｂ）に示すように、第２導電部材２２は、第２幅Ｗ２を有する。第２幅Ｗ２は、第２導電部材２２及び第１可動電極２０Ｅを含む第２電流経路２２ｃｐに対して垂直な方向Ｄｐ２の、第２導電部材２２の長さである。第２幅Ｗ２は、厚さ（Ｚ軸方向に沿う長さ）でも良い。

この例では、第２幅Ｗ２は、第１幅Ｗ１よりも大きい。このような場合、第１導電部材２１の剛性は、第２導電部材２２の剛性よりも低くなる。これにより、第１導電部材２１の特性は、第２導電部材２２の特性と非対称になる。

このように、第２導電部材２２は、第１長さよりも短い第２長さと、第１幅Ｗ１よりも大きい第２幅Ｗ２と、の少なくともいずれかを有しても良い。例えば、第１導電部材２１の剛性は、第２導電部材２２の剛性よりも低くなる。第１導電部材２１の特性は、第２導電部材２２の特性と非対称になる。

実施形態において、第１導電部材２１の少なくとも一部の融点が、第２導電部材２２の少なくとも一部の融点と異なっても良い。実施形態において、第１導電部材２１の電気抵抗が、第２導電部材２２の電気抵抗と異なっても良い。

図６（ａ）及び図６（ｂ）は、第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子を例示する模式的平面図である。
これらの図は、実施形態に係るＭＥＭＳ素子１１３の一部を例示している。図６（ａ）は、第１導電部材２１を例示する。図６（ｂ）は、第２導電部材２２を例示する。

図６（ａ）に示すように、第１導電部材２１は、第１ノッチ部２１ｎ及び第１非ノッチ部２１ｕを含んでも良い。例えば、第１ノッチ部２１ｎから第１非ノッチ部２１ｕへの方向は、第１導電部材２１及び第１可動電極２０Ｅを含む第１電流経路２１ｃｐに沿う。

第１電流経路２１ｃｐに対して垂直な第１交差方向Ｄｘ１に沿う第１ノッチ部２１ｎの長さＷｎ１は、第１交差方向Ｄｘ１に沿う第１非ノッチ部２１ｕの長さＷｕ１よりも短い。第１ノッチ部２１ｎで、第１導電部材２１は破断し易い。

例えば、第１ノッチ部２１ｎは、第１可動電極２０Ｅの近くに設けられることが好ましい。これにより、第１可動電極２０Ｅの一部が第１固定電極１１に接したときに、第１ノッチ部２１ｎで破断がより生じ易くなる。第１ノッチ部２１ｎと第１可動電極２０Ｅとの間の距離は、短い。例えば、第１ノッチ部２１ｎと第１可動電極２０Ｅとの間の距離は、第１導電部材２１及び第１可動電極２０Ｅを含む第１電流経路２１ｃｐに沿う、第１導電部材２１の第１長さ（図４（ａ）における長さＬ１１〜Ｌ１７の和）の１／２以下である。第１ノッチ部２１ｎと第１可動電極２０Ｅとの間の距離は、第１長さの１／１０以下でも良い。第１ノッチ部２１ｎと第１可動電極２０Ｅとの間の距離は、第１長さの１／２０以下でも良い。第１導電部材２１がより破断し易くなる。

図６（ｂ）に示すように、第２導電部材２２は、第２ノッチ部２２ｎ及び第２非ノッチ部２２ｕを含む。第２ノッチ部２２ｎから第２非ノッチ部２２ｕへの方向は、第２導電部材２２及び第１可動電極２０Ｅを含む第２電流経路２２ｃｐに沿う。第２電流経路２２ｃｐに対して垂直な第２交差方向Ｄｘ２に沿う第２ノッチ部２２ｎの長さＷｎ２は、第２交差方向Ｄｘ２に沿う第２非ノッチ部２２ｕの長さＷｕ２よりも短い。このような第２ノッチ部２２ｎにより、第２導電部材２２は破断し易くなる。

図７（ａ）及び図７（ｂ）は、第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子を例示する模式的平面図である。
これらの図は、実施形態に係るＭＥＭＳ素子１１４の一部を例示している。図７（ａ）は、第１導電部材２１を例示する。図７（ｂ）は、第２導電部材２２を例示する。

図７（ａ）に示すように、第１導電部材２１は、第１ノッチ部２１ｎ及び第１非ノッチ部２１ｕを含む。第１ノッチ部２１ｎの長さＷｎ１は、第１非ノッチ部２１ｕの長さＷｕ１よりも短い。ＭＥＭＳ素子１１４においては、第１固定電極１１から第１可動電極２０Ｅへの第１方向（Ｚ軸方向）において、第１ノッチ部２１ｎは、第１固定電極１１の端部１１ｐと重なる。第１ノッチ部２１ｎで破断がより生じ易くなる。

図７（ｂ）に示すように、第２導電部材２２は、第２ノッチ部２２ｎ及び第２非ノッチ部２２ｕを含む。第２ノッチ部２２ｎの長さＷｎ２は、第２非ノッチ部２２ｕの長さＷｕ２よりも短い。ＭＥＭＳ素子１１４においては、第１固定電極１１から第１可動電極２０Ｅへの第１方向（Ｚ軸方向）において、第２ノッチ部２２ｎは、第１固定電極１１の端部１１ｑと重なる。第２ノッチ部２２ｎで破断がより生じ易くなる。

実施形態において、第１導電部材２１及び第２導電部材２２の破断は、例えば、局所的な温度上昇により行われる。この場合、これらの導電部材の組成などが変化する場合がある。以下、このような例について説明する。

図８（ａ）〜図８（ｃ）は、第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子を例示する模式的平面図である。
図８（ａ）に示すように、第２状態ＳＴ２において、第１導電部材２１の破断部２１Ｂが形成され、第２導電部材２２に破断部２２Ｂが形成される。図８（ｂ）は、破断部２１Ｂを例示している。図８（ｃ）は、破断部２２Ｂを例示している。

図８（ｂ）に示すように、第２状態ＳＴ２において、第１導電部材２１は、第１部分ｐ１及び第２部分ｐ２を含む。第１導電部材２１の破断部２１Ｂと第１部分ｐ１との間の距離は、第１導電部材２１の破断部２１Ｂと第２部分ｐ２との間の距離よりも長い。第２部分ｐ２は、破断部２１Ｂに近い部分である。第１部分ｐ１は、破断部２１Ｂから遠い部分である。例えば、高温などにより、第２部分ｐ２の色などが第１部分ｐ１から変化する場合がある。例えば、第２部分ｐ２は、第１部分ｐ１の光反射率とは異なる光反射率、第１部分ｐ１の色とは異なる色、第１部分ｐ１の凹凸とは異なる凹凸、第１部分ｐ１の組成とは異なる組成、及び、第１部分ｐ１に含まれる酸素濃度とは異なる酸素濃度、の少なくともいずれかを有しても良い。熱などの影響により破断が生じたときに、上記のような第１部分ｐ１及び第２部分ｐ２の違いが生じる場合がある。

図８（ｃ）に示すように、第２状態ＳＴ２において、第２導電部材２２は、第３部分ｐ３及び第４部分ｐ４を含む。第２導電部材２２の破断部２２Ｂと第３部分ｐ３との間の距離は、第２導電部材２２の破断部２２Ｂと第４部分ｐ４との間の距離よりも長い。第４部分ｐ４は、破断部２２Ｂに近い部分である。第３部分ｐ３は、破断部２２Ｂから遠い部分である。例えば、第４部分ｐ４は、第３部分ｐ３の光反射率とは異なる光反射率、第３部分ｐ３の色とは異なる色、第３部分ｐ３の凹凸とは異なる凹凸、第３部分ｐ３の組成とは異なる組成、及び、第３部分ｐ３に含まれる酸素濃度とは異なる酸素濃度、の少なくともいずれかを有しても良い。熱などの影響により破断が生じたときに、上記のような第３部分ｐ３及び第４部分ｐ４の違いが生じる場合がある。

図９は、第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子を例示する模式的断面図である。
図９は、実施形態に係るＭＥＭＳ素子１１８を例示している。図９は、第１状態ＳＴ１を例示している。図９に示すように、ＭＥＭＳ素子１１８は、第１部材４１及び素子部５１に加え、第２部材４２をさらに含む。第１部材４１と第２部材４２との間に、第１固定電極１１及び第１可動電極２０Ｅがある。第１状態ＳＴ１において、第１固定電極１１と第１可動電極２０Ｅとの間に第１間隙ｇ１がある。第１状態ＳＴ１において、第１可動電極２０Ｅと第２部材４２との間に第２間隙ｇ２がある。

第２部材４２は、例えば、キャップである。第１間隙ｇ１及び第２間隙ｇ２があることで、第１可動電極２０Ｅは、Ｚ軸方向に沿って変位できる。第１間隙ｇ１及び第２間隙ｇ２は、例えば、減圧状態でも良い。第１間隙ｇ１及び第２間隙ｇ２に、例えば、不活性ガスが導入されても良い。

例えば、第１部材４１は、制御回路部４１ｔを含んでも良い。制御回路部４１ｔは、例えば、トランジスタなどのスイッチング素子を含む。制御回路部４１ｔにより、第１固定電極１１への第１電気信号Ｓｇ１の印加が制御されても良い。

（第２実施形態）
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、第２実施形態に係るＭＥＭＳ素子を例示する模式図である。
図１０（ａ）は、図１０（ｂ）の矢印ＡＲ２からみた平面図である。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＢ１−Ｂ２線断面図である。

図１０（ｂ）に示すように、実施形態に係るＭＥＭＳ素子１２０も、第１部材４１及び素子部５１を含む。ＭＥＭＳ素子１２０において、素子部５１は、第１固定電極１１、第１可動電極２０Ｅ、第１導電部材２１及び第２導電部材２２に加えて、第２固定電極１２を含む。ＭＥＭＳ素子１２０における第１固定電極１１、第１可動電極２０Ｅ、第１導電部材２１及び第２導電部材２２の構成は、第１実施形態におけるこれらの構成と同様で良い。以下、第２固定電極１２について説明する。

図１０（ｂ）に示すように、第２固定電極１２は、第１部材４１に固定される。第１可動電極２０Ｅは、第１電極領域２０Ｅａ及び第２電極領域２０Ｅｂを含む。第１電極領域２０Ｅａと第１導電部材２１との間の距離は、第２電極領域２０Ｅｂと第１導電部材２１との間の距離よりも短い。第１電極領域２０Ｅａは、第１導電部材２１の側の領域である。第２電極領域２０Ｅｂは、第２導電部材２２の側の領域である。

第１電極領域２０Ｅａは、第１固定電極１１と対向する。第２電極領域２０Ｅｂは、第２固定電極１２と対向する。

例えば、制御部７０は、第１制御端子Ｔｃ１を介して第１固定電極１１と電気的に接続されることが可能である。制御部７０は、第２制御端子Ｔｃ２を介して第２固定電極１２と電気的に接続されることが可能である。この例では、制御部７０は、第２端子Ｔ２を介して第２導電部材２２と電気的に接続される。例えば、制御部７０により、第２導電部材２２と第２固定電極１２との間に第２電気信号Ｓｇ２が印加されることが可能である。

図１０（ｂ）は、第１状態ＳＴ１に対応する。第１状態ＳＴ１は、第２導電部材２２と第２固定電極１２との間に第２電気信号Ｓｇ２が印加される前の状態である。第１状態ＳＴ１において、第１導電部材２１及び第２導電部材２２は、第１可動電極２０Ｅを第２固定電極１２から離して支持する。既に説明したように、第１状態ＳＴ１において、第１導電部材２１及び第２導電部材２２は、第１可動電極２０Ｅを第１固定電極１１から離して支持する。

第２状態ＳＴ２は、例えば、第２導電部材２２と第２固定電極１２との間に第２電気信号Ｓｇ２が印加された後の状態である。後述するように、第２状態ＳＴ２において、第１導電部材２１及び第２導電部材２２が破断状態である。

以下に説明するように、ＭＥＭＳ素子１２０においては、第１固定電極１１及び第２固定電極１２が設けられることで、第１導電部材２１及び第２導電部材２２をより安定して破断させることができる。第２実施形態においても、安定した動作が可能なＭＥＭＳ素子を提供できる。

以下、第１状態ＳＴ１から第２状態ＳＴ２への移行の例について説明する。
図１１（ａ）〜図１１（ｃ）、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、第２実施形態に係るＭＥＭＳ素子を例示する模式的断面図である。
図１１（ａ）に示す第１状態ＳＴ１において、例えば、第２導電部材２２及び第１固定電極１１の間、及び、第２導電部材２２及び第２固定電極１２との間に制御のための電気信号が印加されない。第２導電部材２２、第１固定電極１１及び第２固定電極１２は、例えばフローティング状態ＦＬＴである。このとき、第１可動電極２０Ｅは、第１固定電極１１及び第２固定電極１２から離れている。このような第１状態ＳＴ１において、第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２との間には、電流が流れることが可能である。第１状態ＳＴ１において、素子部５１は、導通状態（オン状態）である。

図１１（ｂ）に示すように、例えば、第２端子Ｔ２（第２導電部材２２）がグランド電位Ｖ０に設定され、第１固定電極１１に第１電気信号Ｓｇ１が印加される。このとき、第２固定電極１２は、例えば、グランド電位Ｖ０とされる。これにより、第１可動電極２０Ｅの第１電極領域２０Ｅａが第１固定電極１１に接する。このとき、第２電極領域２０Ｅｂは第２固定電極１２から離れている状態が形成できる。これにより、第１導電部材２１の第１可動電極２０Ｅの端部２０Ｅｐの近傍の温度が局部的に上昇し易くなる。温度の上昇は、例えば、ジュール熱による。

端部２０Ｅｐ及び端部２１ｐの温度が局部的に上昇すると、図１１（ｂ）に示すように、第１導電部材２１が破断し、破断部２１Ｂが形成される。

図１１（ｃ）に示すように、破断した第１導電部材２１は、図１１（ａ）の状態に近づいても良い。これは、例えば、第１導電部材２１の弾性による復元力による。図１１（ｃ）に示すように、第１可動電極２０Ｅの端部２０Ｅｐは、第１導電部材２１と離れている。このように、第１導電部材２１が分断される。

例えば、Ｚ軸方向において第１導電部材２１の一部が第１固定電極１１と重なると、第１可動電極２０Ｅが第１固定電極１１に近づいたときに、第１導電部材２１の端部２１ｐが第１固定電極１１と接し易くなる。端部２１ｐと第１固定電極１１との間に電流が局所的に流れる。端部２１ｐの温度が局所的に上昇し易くなる。第１導電部材２１がより安定して破断される。

図１２（ａ）に示すように、例えば、第２端子Ｔ２（第２導電部材２２）がグランド電位Ｖ０に設定され、第２固定電極１２に第２電気信号Ｓｇ２が印加される。このとき、第１固定電極１１は、例えば、フローティング状態ＦＬＴまたはハイインピーダンス状態Ｈｉ−Ｚとされる。例えば、第１固定電極１１と第２固定電極１２との間には、電流が流れない。第２導電部材２２の温度が上昇し、第２導電部材２２が破断する。温度の上昇は、例えば、ジュール熱による。破断部２２Ｂにおいて、第２導電部材２２が分断される。第２電気信号Ｓｇ２の印加が終了する。

図１２（ｂ）に示すように、破断した第２導電部材２２は、図１１（ａ）の状態に近づいても良い。これは、例えば、第２導電部材２２の弾性による復元力による。図１２（ｂ）に示すように、第１可動電極２０Ｅの端部２０Ｅｑは、第２導電部材２２と離れている。

図１２（ｂ）に示す第２状態ＳＴ２において、第２導電部材２２、第１固定電極１１及び第２固定電極１２は、例えばフローティング状態ＦＬＴである。第１導電部材２１及び第２導電部材２２の破断は、第１電気信号Ｓｇ１及び第２電気信号Ｓｇ２の印加が終わった後も継続する。第２状態ＳＴ２において、第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２との間には、電流が流れない。第２状態ＳＴ２において、素子部５１は、非導通状態（オフ状態）である。

このように、実施形態に係るＭＥＭＳ素子１２０においては、第２状態ＳＴ２において、第１導電部材２１及び第２導電部材２２の両方が破断状態である。これにより、第１端子Ｔ１と第２端子Ｔ２との間に流れる電流を安定して遮断することができる。

図１３は、第２実施形態に係るＭＥＭＳ素子を例示する模式的断面図である。
図１３は、実施形態に係るＭＥＭＳ素子１２１を例示している。図１３は、第１状態ＳＴ１を例示している。図１３に示すように、ＭＥＭＳ素子１２１は、第１部材４１、第２部材４２及び素子部５１を含む。第１部材４１と第２部材４２との間に、第１固定電極１１、第２固定電極１２及び第１可動電極２０Ｅがある。第１状態ＳＴ１において、第１固定電極１１と第１可動電極２０Ｅとの間、及び、第２固定電極１２と第１可動電極２０Ｅとの間に第１間隙ｇ１がある。第１状態ＳＴ１において、第１可動電極２０Ｅと第２部材４２との間に第２間隙ｇ２がある。第１間隙ｇ１及び第２間隙ｇ２があることで、第１可動電極２０Ｅは、Ｚ軸方向に沿って変位できる。

第１実施形態及び第２実施形態において、第１導電部材２１及び第２導電部材２２のそれぞれの電気抵抗は、例えば、１０Ω以下であることが好ましい。電気抵抗が低いことで、高周波数を含む信号を低い損失で効率的に伝送できる。

第１実施形態及び第２実施形態において、例えば、第１導電部材２１及び第２導電部材２２の少なくともいずれかは、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。低い抵抗が得られ、素子部５１において、良好な伝送性が得られる。

図１４（ａ）及び図１４（ｂ）は、第２実施形態に係るＭＥＭＳ素子を例示する模式図である。
図１４（ａ）は、平面図である。図１４（ｂ）は、斜視図である。

図１４（ｂ）に示すように、実施形態に係るＭＥＭＳ素子１２２も、第１部材４１及び素子部５１を含む。ＭＥＭＳ素子１２２において、素子部５１は、第１固定電極１１、第１可動電極２０Ｅ、第２固定電極１２、第１導電部材２１及び第２導電部材２２を含む。ＭＥＭＳ素子１２２においては、第１可動電極２０Ｅ及び支持部の構成は、ＭＥＭＳ素子１２０における第１可動電極２０Ｅ及び支持部の構成と異なる。以下、ＭＥＭＳ素子１２２における第１可動電極２０Ｅ及び支持部の構成の例について説明する。

図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示すように、ＭＥＭＳ素子１２２において、第１可動電極２０Ｅは、第１電極領域２０Ｅａ、第２電極領域２０Ｅｂに加えて、第３電極領域２０Ｅｃをさらに含む。第３電極領域２０Ｅｃは、第１電極領域２０Ｅａと第２電極領域２０Ｅｂとの間にある。

素子部５１は、第１支持部２１Ｓ、第２支持部２２Ｓ及び第３支持部２３Ｓを含む。第１支持部２１Ｓ、第２支持部２２Ｓ及び第３支持部２３Ｓは、第１部材４１に固定される。図１４（ｂ）では、第１支持部２１Ｓ、第２支持部２２Ｓ及び第３支持部２３Ｓが省略されている。

第１支持部２１Ｓは、第１導電部材２１の少なくとも一部を第１部材４１から離して支持する。第２支持部２２Ｓは、第２導電部材２２の少なくとも一部を第１部材４１から離して支持する。第３支持部２３Ｓは、第３電極領域２０Ｅｃの少なくとも一部を第１部材４１から離して支持する。

例えば、第３電極領域２０Ｅｃは、第１可動電極２０ＥのＸ軸方向における中心を含む部分で良い。例えば、第３電極領域２０Ｅｃは、第１導電部材２１及び第２導電部材２２の中央部にある。ＭＥＭＳ素子１２２においては、第３電極領域２０Ｅｃの少なくとも一部が第１部材４１から離して支持される。これにより、例えば、第１電極領域２０Ｅａと第１固定電極１１との間の距離が短くなったときに、第２電極領域２０Ｅｂと第２固定電極１２との間の距離が長くなる。より安定して、第１導電部材２１及び第２導電部材２２の両方が破断し易くなる。ＭＥＭＳ素子１２２における動作の例については、後述する。

この例では、第１可動電極２０Ｅは、第１延在領域２８ａを含む。第１延在領域２８ａは、延在方向に沿って延びる。延在方向は、第１電極領域２０Ｅａから第２電極領域２０Ｅｂへの方向（この例では、Ｘ軸方向）と交差し、第１部材４１の表面４１ａに沿う。この例では、延在方向は、Ｙ軸方向である。

第１延在領域２８ａの一部（例えば端）は、第３電極領域２０Ｅｃと接続される。第１延在領域２８ａの他の一部（例えば別の端）は、第３支持部２３Ｓと接続される。

このように、第３支持部２３Ｓは、第１延在領域２８ａを介して、第３電極領域２０Ｅｃの少なくとも一部を第１部材４１から離して支持しても良い。

この例では、第１可動電極２０Ｅは、第２延在領域２８ｂを含む。上記の延在方向（例えば、Ｙ軸方向）において、第１延在領域２８ａと第２延在領域２８ｂとの間に、第３電極領域２０Ｅｃがある。

素子部５１は、第１部材４１に固定された第４支持部２４Ｓをさらに含む。第２延在領域２８ｂの一部（例えば端）は、第３電極領域２０Ｅｃと接続される。第２延在領域２８ｂの他の一部（例えば別の端）は、第４支持部２４Ｓと接続される。

このように、第４支持部２４Ｓは、第２延在領域２８ｂを介して、第３電極領域２０Ｅｃの少なくとも一部を第１部材４１から離して支持しても良い。

例えば、第３支持部２３Ｓ及び第４支持部２４Ｓは、第１可動電極２０Ｅと電気的に絶縁されても良い。第１電極領域２０Ｅａ、第２電極領域２０Ｅｂ、第３電極領域２０Ｅｃ、第１延在領域２８ａ及び第２延在領域２８ｂは、連続的な導電層で良い。第１延在領域２８ａ及び第２延在領域２８ｂは、例えば、トーションばねとして機能しても良い。

以下、ＭＥＭＳ素子１２２における動作の例について説明する。
図１５（ａ）〜図１５（ｃ）、図１６（ａ）〜図１６（ｃ）は、第２実施形態に係るＭＥＭＳ素子を例示する模式的断面図である。
これらの図は、図１４（ａ）のＢ１−Ｂ２線断面に対応する。

図１５（ａ）に示す第１状態ＳＴ１において、第２導電部材２２、第１固定電極１１及び第２固定電極１２は、例えばフローティング状態ＦＬＴ、または、グランド電位Ｖ０である。第１状態ＳＴ１において、素子部５１は、導通状態（オン状態）である。

図１５（ｂ）に示すように、例えば、第２端子Ｔ２（第２導電部材２２）がグランド電位Ｖ０に設定され、第１固定電極１１に第１電気信号Ｓｇ１が印加される。第１電極領域２０Ｅａが第１固定電極１１に接する。第３電極領域２０Ｅｃが第１延在領域２８ａを介して、第１部材４１から離して支持されているため、第２電極領域２０Ｅｂと第２固定電極１２との間の距離は、拡大する。第１導電部材２１の第１可動電極２０Ｅの端部２０Ｅｐの近傍の温度が局部的に上昇し易くなる。

端部２０Ｅｐ及び端部２１ｐの温度が局部的に上昇すると、図１５（ｂ）に示すように、第１導電部材２１が破断し、破断部２１Ｂが形成される。

図１５（ｃ）に示すように、第１導電部材２１の弾性による復元力により、破断した第１導電部材２１が、図１１（ａ）の状態に近づいても良い。

図１６（ａ）に示すように、例えば、第２端子Ｔ２（第２導電部材２２）がグランド電位Ｖ０に設定され、第２固定電極１２に第２電気信号Ｓｇ２が印加される。このとき、第１固定電極１１は、例えば、グランド電位Ｖ０またはハイインピーダンス状態Ｈｉ−Ｚとされる。第２導電部材２２の温度が上昇し、第２導電部材２２が破断する。破断部２２Ｂにおいて、第２導電部材２２が分断される。第２電気信号Ｓｇ２の印加が終了する。

図１６（ｂ）に示すように、第２導電部材２２の弾性による復元力により、破断した第２導電部材２２は、図１６（ａ）の状態に近づいても良い。

図１６（ｃ）に示す第２状態ＳＴ２において、第２導電部材２２、第１固定電極１１及び第２固定電極１２は、例えばフローティング状態ＦＬＴである。第２状態ＳＴ２において、素子部５１は、非導通状態（オフ状態）である。

ＭＥＭＳ素子１２２においては、第２状態ＳＴ２において、第１導電部材２１及び第２導電部材２２の両方が破断し易い。第１端子Ｔ１と第２端子Ｔ２との間に流れる電流を安定して遮断することができる。

図１７（ａ）及び図１７（ｂ）は、実施形態に係るＭＥＭＳ素子を例示する模式的断面図である。
これらの図は、ＭＥＭＳ素子１２２における別の動作を例示している。これらの図は、図１５（ａ）〜図１５（ｃ）に関して説明した動作が行われた後の動作を例示している。

図１７（ａ）に示すように、例えば、第２端子Ｔ２（第２導電部材２２）がグランド電位Ｖ０に設定され、第１固定電極１１に第３電気信号Ｓｇ３が印加される。例えば、第３電気信号Ｓｇ３の絶対値は、第１電気信号Ｓｇ１の絶対値よりも大きい。これにより、第２導電部材２２が破断する。図１７（ａ）に示すように、第２導電部材２２の弾性による復元力により、破断した第２導電部材２２は、図１５（ｃ）の状態に近づいても良い。

図１７（ｂ）に示す第２状態ＳＴ２において、第２導電部材２２、第１固定電極１１及び第２固定電極１２は、例えばフローティング状態ＦＬＴである。第２状態ＳＴ２において、素子部５１は、非導通状態（オフ状態）である。

第３電極領域２０Ｅｃの少なくとも一部が第１部材４１から離して支持される構成は、第２固定電極１２が設けられない構成に適用されても良い。例えば、図１（ａ）及び図１（ｂ）に例示したＭＥＭＳ素子１１０において、ＭＥＭＳ素子１２２に関して説明した第３電極領域２０Ｅｃ、第１延在領域２８ａ、第２延在領域２８ｂ、第３支持部２３Ｓ、第４支持部２４Ｓなど（図１４（ａ）参照）が設けられても良い。

例えば、ＭＥＭＳ素子１１０において、第１可動電極２０Ｅは、第１電極領域２０Ｅａと、第２電極領域２０Ｅｂと、第３電極領域２０Ｅｃと、を含んでも良い（図１４（ａ）参照）。第１電極領域２０Ｅａは、第１導電部材２１と第２導電部材２２との間にある。第２電極領域２０Ｅｂは、第１電極領域２０Ｅａと第２導電部材２２との間にある。第３電極領域２０Ｅｃは、第１電極領域２０Ｅａと第２電極領域２０Ｅｂとの間にある。素子部５１は、第１部材４１に固定された第１支持部２１Ｓ、第１部材４１に固定された第２支持部２２Ｓ、及び、第１部材４１に固定された第３支持部２３Ｓを含む。第１支持部２１Ｓは、第１導電部材２１の少なくとも一部を第１部材４１から離して支持する。第２支持部２２Ｓは、第２導電部材２２の少なくとも一部を第１部材４１から離して支持する。第３支持部２３Ｓは、第３電極領域２０Ｅｃの少なくとも一部を第１部材４１から離して支持する。より安定した破断が得られる。この場合は、例えば、図１５（ａ）〜図１５（ｃ）、図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に関して説明した動作が実施されても良い。この例において、第１電極領域２０Ｅａのうちの、第１固定電極１１に対向する部分の面積が、第２電極領域２０Ｅｂのうちの、第１固定電極に対向する部分の面積よりも大きくても良い。

（第３実施形態）
図１８は、第３実施形態に係るＭＥＭＳ素子を例示する模式図である。
図１８に示すように、実施形態に係るＭＥＭＳ素子１３０は、複数の素子部５１を含む。複数の素子部５１は、例えば、並列に接続される。複数の素子部５１のそれぞれに、制御信号Ｖｐｐが互いに独立して印加可能である。

例えば、複数の素子部５１の１つに含まれる第１導電部材２１及び第２導電部材２２は、複数の素子部５１の別の１つに含まれる第１導電部材２１及び第２導電部材２２と独立して破断可能である。

この例では、複数の第１容量素子３１が設けられる。複数の第１容量素子３１の１つは、複数の素子部５１の１つに直列に接続される。ＭＥＭＳ素子１３０は、複数の素子部５１及び複数の第１容量素子３１を含む容量素子アレイである。複数の素子部５１のいくつかがオフ状態にされることが可能である。複数の素子部５１のいくつかがオフ状態にされることで、ＭＥＭＳ素子１３０の電気容量が変更できる。

（第４実施形態）
第４実施形態は、電気回路に係る。図１８は、実施形態に係る電気回路２１０の構成を例示している。図１８に示すように、電気回路２１０は、第１〜第３実施形態に係るＭＥＭＳ素子（例えばＭＥＭＳ素子１３０）と、電気素子５５と、を含む。電気素子５５は、ＭＥＭＳ素子１３０と電気的に接続される。電気素子５５は、抵抗、容量素子、インダクタ素子、ダイオード及びトランジスタよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。電気素子５５に含まれる容量素子は、センサを含んでも良い。例えば、電気素子５５は、センサ素子を含んでも良い。例えば、電気素子５５は、容量型センサ素子を含んでも良い。

電気回路２１０において、ＭＥＭＳ素子（例えばＭＥＭＳ素子１３０）は、複数の素子部５１を含んでも良い。複数の素子部５１の少なくとも１つに含まれる第１導電部材２１及び第２導電部材２２が破断されることにより、電気回路２１０の特性が制御可能である。

例えば、ＭＥＭＳ素子１３０が第１容量素子３１を含む場合、複数の素子部５１の少なくとも１つに含まれる第１導電部材２１及び第２導電部材２２が破断されることにより、ＭＥＭＳ素子１３０の電気容量が制御できる。その結果、電気回路２１０の特性が制御可能である。

例えば、電気回路２１０は、電圧制御発振器（ＶＣＯ：Ｖｏｌｔａｇｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）に用いられても良い。例えば、電気回路２１０は、アンテナなどの高周波回路の、インピーダンスマッチング回路に用いられても良い。例えば、電気回路２１０は、パッシブ型のＲＦタグに用いられても良い。例えば、電気回路２１０の電気容量またはインダクタを調整することで、電気回路２１０の特性を適切に調整できる。例えば、特性が安定した電圧制御発振器（ＶＣＯ：Ｖｏｌｔａｇｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）が得られる。例えば、アンテナなどの高周波回路の、インピーダンスマッチング回路において、安定した特性が得られる。例えば、特性が安定した、パッシブ型のＲＦタグなどが得られる。

図１９及び図２０は、実施形態に係るＭＥＭＳ素子に用いられる制御回路を例示する模式図である。
図１９に示すように、制御回路３１０は、昇圧回路３２１、論理回路３２２、及び、スイッチングマトリクス３２３を含む。昇圧回路３２１には、電源電圧Ｖｃｃが供給される、昇圧回路３２１は、スイッチングマトリクス３２３に高電圧Ｖｈを出力する。論理回路３２２からスイッチングマトリクス３２３に供給された信号３２２ａに応じて、スイッチングマトリクス３２３は、複数の制御信号Ｖｐｐを出力する。複数の制御信号Ｖｐｐの１つが、複数の素子部５１の１つに供給される。

図２０に示すように、制御回路３１１は、制御電源３２４、論理回路３２２、及び、スイッチングマトリクス３２３を含む。制御電源３２４は、例えば、制御電圧源または制御電流源である。制御電源３２４は、スイッチングマトリクス３２３に高電圧Ｖｈ及び大電流Ｉｈを出力する。論理回路３２２からスイッチングマトリクス３２３に供給された信号３２２ａに応じて、スイッチングマトリクス３２３は、複数の制御信号Ｖｐｐを出力する。複数の制御信号Ｖｐｐの１つが、複数の素子部５１の１つに供給される。スイッチングマトリクス３２３は、複数の制御電流Ｉｐｐを出力しても良い。複数の制御電流Ｉｐｐの１つが、複数の素子部５１の１つに供給される。

例えば、制御回路３１０及び３１１の少なくとも一部は、例えば、制御部７０に含まれる。

以下、制御部７０から第２導電部材２２と第１固定電極１１との間に供給される第１電気信号Ｓｇ１の例について説明する。

図２１（ａ）及び図２１（ｂ）は、第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子に関する動作を例示する模式図である。
これらの図は、第１電気信号Ｓｇ１の１つの例を示している。これらの図の横軸は、時間ｔｍである。図２１（ａ）の縦軸は、第１電気信号Ｓｇ１の電圧Ｖａ１である。図２１（ｂ）の縦軸は、第１電気信号Ｓｇ１の電流Ｉａ１である。

図２１（ａ）に示すように、第１時刻ｔ１において、電圧Ｖａ１が増大し始める。第２時刻ｔ２の後に、電圧Ｖａ１が第１電圧Ｖ１に達する。第３時刻ｔ３及び第４時刻ｔ４まで第１電圧Ｖ１を維持し、第４時刻ｔ４において、電圧Ｖａ１が増大し始める。電圧Ｖａ１は、第４時刻ｔ４の後に第２電圧Ｖ２になる。その後、電圧Ｖａ１は、第５時刻ｔ５から第６時刻ｔ６まで、第２電圧Ｖ２を維持する。電圧Ｖａ１は、第６時刻ｔ６において、低下し始める。第７時刻ｔ７において、電圧Ｖａ１の低下が終了し、例えば、電圧Ｖａ１は、０ボルトになる。第１電圧Ｖ１の絶対値は、第２電圧Ｖ２の絶対値よりも小さい。

図２１（ｂ）に示すように、第１時刻ｔ１から第２時刻ｔ２までの間では、電流Ｉａ１は実質的に流れない。第２時刻ｔ２の後に、電流Ｉａ１は、第１電流Ｉ１になる。第３時刻ｔ３から第４時刻ｔ４において、電流Ｉａ１は、第１電流Ｉ１よりも小さい。し。第４時刻ｔ４において電流Ｉａ１は、上昇し始め、第２電流Ｉ２になる。電流Ｉａ１は、第５時刻ｔ５において低下し始め、第６時刻ｔ６において、電流Ｉａ１は流れなくなる。第１電流Ｉ１の絶対値は、第２電流Ｉ２の絶対値よりも小さい。

例えば、第１時刻ｔ１から第２時刻ｔ２までの期間において、第１可動電極２０Ｅが第１固定電極１１に近づく。例えば、第２時刻ｔ２に第１可動電極２０Ｅの一部（例えば、第１導電部材２１側の一部）が、第１固定電極１１に接する。これにより、第２時刻ｔ２から第３時刻ｔ３までの期間において、電流Ｉａ１が増大し、電流Ｉａ１は第１電流Ｉ１となる。例えば、第３時刻ｔ３において、第１導電部材２１が破断し、電流Ｉａ１は小さくなる。その後、第４時刻ｔ４から第５時刻ｔ５の期間で、第１可動電極２０Ｅの第２導電部材２２側が第１固定電極１１に近づき、電流Ｉａ１が増大する。第１可動電極２０Ｅが第１固定電極１１に接すると、電流Ｉａ１は第２電流Ｉ２となる。第５時刻ｔ５で第２導電部材２２が破断し、電流Ｉａ１は低下する。

例えば、図２１（ａ）及び図２１（ｂ）に例示する電圧Ｖａ１及び電流Ｉａ１により、第１導電部材２１及び第２導電部材２２が破断される。

図２２（ａ）及び図２２（ｂ）は、第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子に関する動作を例示する模式図である。
これらの図は、第１電気信号Ｓｇ１の別のを示している。これらの図の横軸は、時間ｔｍである。図２２（ａ）の縦軸は、第１電気信号Ｓｇ１の電圧Ｖａ１である。図２２（ｂ）の縦軸は、第１電気信号Ｓｇ１の電流Ｉａ１である。

図２２（ａ）に示す例では、電圧Ｖａ１は、図２１（ａ）と同様に変化する。

図２２（ｂ）に示すように、第１時刻ｔ１から第２時刻ｔ２までの間では、電流は実質的に流れない。第２時刻ｔ２の後で、第８時刻ｔ８までの期間に、電流Ｉａ１は電流Ｉｃｏｍｐ１になる。第８時刻ｔ８は、第２時刻ｔ２と第３時刻ｔ３との間である。第８時刻ｔ８の後で第３時刻ｔ３までの間の期間では、電流Ｉａ１は、第１電流Ｉ１である。第３時刻ｔ３から第４時刻ｔ４までの間において、電流Ｉａ１は、第１電流Ｉ１よりも小さい。第４時刻ｔ４において電流Ｉａ１は、上昇し始め、電流Ｉｃｏｍｐ２に達する。その後、第９時刻ｔ９において、電流Ｉａ１は再び上昇し始め、第２電流Ｉ２に達する。第９時刻ｔ９は、第４時刻ｔ４と第５時刻ｔ５との間である。電流Ｉａ１は、第５時刻ｔ５において低下し始め、第６時刻ｔ６において、電流Ｉａ１は流れなくなる。第１電流Ｉ１の絶対値は、第２電流Ｉ２の絶対値よりも小さい。

例えば、第１時刻ｔ１から第２時刻ｔ２までの期間において、第１可動電極２０Ｅが第１固定電極１１に近づく。例えば、第２時刻ｔ２に第１可動電極２０Ｅの一部（例えば、第１導電部材２１側の一部）が、第１固定電極１１に接する。第２時刻ｔ２において、電流Ｉａ１が電流Ｉｃｏｍｐ１に増大する。電流Ｉａ１が電流Ｉｃｏｍｐ１に達した第８時刻ｔ８において、制御部７０から供給する電流Ｉａ１を増大させて、電流Ｉａ１を第１電流Ｉ１とする。例えば、第３時刻ｔ３において、第１導電部材２１が破断し、電流Ｉａ１は低下する。その後、第４時刻ｔ４において、第１可動電極２０Ｅの第２導電部材２２側が第１固定電極１１に近づき始め、電流Ｉａ１が増大する。第１可動電極２０Ｅが第１固定電極１１に接して、電流Ｉａ１は電流Ｉｃｏｍｐ２に増大する。電流Ｉａ１が、電流Ｉｃｏｍｐ２と達した第９時刻ｔ９において、制御部７０供給する電流Ｉａ１を増大させて、電流Ｉａ１を第２電流Ｉ２とする。第５時刻ｔ５で第２導電部材２２が破断し、電流Ｉａ１は低下する。

例えば、図２２（ａ）及び図２２（ｂ）に例示する電圧Ｖａ１及び電流Ｉａ１により、第１導電部材２１及び第２導電部材２２が破断される。

実施形態は、以下の構成（例えば、技術案）を含んでも良い。
（構成１）
第１部材と、
素子部と、
を備え、
前記素子部は、
前記第１部材に固定された第１固定電極と、
前記第１固定電極と対向する第１可動電極と、
前記第１可動電極に電気的に接続された第１導電部材と、
前記第１可動電極に電気的に接続された第２導電部材と、
を含み、
前記第２導電部材と前記第１固定電極との間に第１電気信号が印加される前の第１状態において、前記第１導電部材及び前記第２導電部材は、前記第１可動電極を前記第１固定電極から離して支持し、
前記第２導電部材と前記第１固定電極との間に前記第１電気信号が印加された後の第２状態において、前記第１導電部材及び前記第２導電部材が破断状態である、ＭＥＭＳ素子。

（構成２）
前記第１導電部材の剛性は、前記第２導電部材の剛性とは異なる、構成１記載のＭＥＭＳ素子。

（構成３）
前記第１導電部材は、前記第１導電部材及び前記第１可動電極を含む第１電流経路に沿う第１長さと、前記第１電流経路に対して垂直な方向の第１幅と、を有し、
前記第２導電部材は、前記第２導電部材及び前記第１可動電極を含む第２電流経路に沿い、前記第１長さよりも短い第２長さと、前記第２電流経路に対して垂直な方向で前記第１幅よりも大きい第２幅と、の少なくともいずれかを有する、構成１または２に記載のＭＥＭＳ素子。

（構成４）
前記第１固定電極から前記第１可動電極への第１方向において、前記第１導電部材の一部及び第２導電部材の一部の少なくともいずれかは、前記第１固定電極と重なる、構成１〜３のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ素子。

（構成５）
前記第１導電部材は、第１ノッチ部と、第１非ノッチ部と、を含み、前記第１ノッチ部から前記第１非ノッチ部への方向は、前記第１導電部材及び前記第１可動電極を含む第１電流経路に沿い、
前記第１電流経路に対して垂直な第１交差方向に沿う前記第１ノッチ部の長さは、前記第１交差方向に沿う前記第１非ノッチ部の長さよりも短い、構成１〜３のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ素子。

（構成６）
前記第１ノッチ部と前記第１可動電極との間の距離は、前記第１導電部材及び前記第１可動電極を含む第１電流経路に沿う、前記第１導電部材の第１長さの１／２以下である、構成５記載のＭＥＭＳ素子。

（構成７）
前記第１固定電極から前記第１可動電極への第１方向において、前記第１ノッチ部は、前記第１固定電極の端部と重なる、構成５または６に記載のＭＥＭＳ素子。

（構成８）
前記第２導電部材は、第２ノッチ部と、第２非ノッチ部と、を含み、前記第２ノッチ部から前記第２非ノッチ部への方向は、前記第２導電部材及び前記第１可動電極を含む第２電流経路に沿い、
前記第２電流経路に対して垂直な第２交差方向に沿う前記第２ノッチ部の長さは、前記第２交差方向に沿う前記第２非ノッチ部の長さよりも短い、構成５〜７のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ素子。

（構成９）
前記第２導電部材は、第２ノッチ部と、第２非ノッチ部と、を含み、前記第２ノッチ部から前記第２非ノッチ部への方向は、前記第２導電部材及び前記第１可動電極を含む第２電流経路に沿い、
前記第２電流経路に対して垂直な第２交差方向に沿う前記第２ノッチ部の長さは、前記第２交差方向に沿う前記第２非ノッチ部の長さよりも短く、
前記第１固定電極から前記第１可動電極への第１方向において、前記第２ノッチ部は、前記第１固定電極の端部と重なる、構成１〜３のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ素子。

（構成１０）
第２部材をさらに備え、
前記第１部材と前記第２部材との間に、前記第１固定電極及び前記第１可動電極があり、
前記第１状態において、前記第１固定電極と前記第１可動電極との間に第１間隙があり、
前記第１状態において、前記第１可動電極と前記第２部材との間に第２間隙がある、構成１〜９のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ素子。

（構成１１）
前記第２導電部材と前記第１固定電極との間に前記第１電気信号が印加されたときに、前記第１可動電極と前記第１固定電極との間に電流が流れることが可能である、構成１〜１０のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ素子。

（構成１２）
前記第２導電部材と前記第１固定電極との間に前記第１電気信号が印加されたときに、前記第１可動電極は前記第１固定電極と接する、構成１〜１１のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ素子。

（構成１３）
前記素子部は、前記第１導電部材と電気的に接続された第１容量素子をさらに含む、構成１〜１２のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ素子。

（構成１４）
前記素子部は、前記第１部材に固定された第２固定電極をさらに含み、
前記第１可動電極は、第１電極領域及び第２電極領域を含み、
前記第１電極領域と前記第１導電部材との間の距離は、前記第２電極領域と前記第１導電部材との間の距離よりも短く、
前記第１電極領域は、前記第１固定電極と対向し、
前記第２電極領域は、前記第２固定電極と対向し、
前記第１状態は、前記第２導電部材と前記第２固定電極との間に第２電気信号が印加される前であり、
前記第１状態において、前記第１導電部材及び前記第２導電部材は、前記第１可動電極を前記第２固定電極から離して支持し、
前記第２状態において、前記第２導電部材と前記第２固定電極との間に前記第２電気信号が印加された後であり、
前記第２状態において、前記第１導電部材及び前記第２導電部材が破断状態である、構成１〜１３のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ素子。

（構成１５）
前記第２電気信号の印加の開始は、前記第１電気信号の印加の開始の後である、構成１４記載のＭＥＭＳ素子。

（構成１６）
前記第２電気信号の前記印加の終了は、前記第１電気信号の前記印加の終了の後である、構成１５記載のＭＥＭＳ素子。

（構成１７）
前記第１可動電極は、前記第１電極領域と前記第２電極領域との間の第３電極領域をさらに含み、
前記素子部は、前記第１部材に固定された第１支持部、前記第１部材に固定された第２支持部、及び、前記第１部材に固定された第３支持部を含み、
前記第１支持部は、前記第１導電部材の少なくとも一部を前記第１部材から離して支持し、
前記第２支持部は、前記第２導電部材の少なくとも一部を前記第１部材から離して支持し、
前記第３支持部は、前記第３電極領域の少なくとも一部を前記第１部材から離して支持する、構成１４〜１６のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ素子。

（構成１８）
前記第１可動電極は、第１電極領域と、第２電極領域と、第３電極領域と、を含み、前記第１電極領域は、前記第１導電部材と前記第２導電部材との間にあり、前記第２電極領域は、前記第１電極領域と前記第２導電部材との間にあり、前記第３電極領域は、前記第１電極領域と前記第２電極領域との間にあり、
前記素子部は、前記第１部材に固定された第１支持部、前記第１部材に固定された第２支持部、及び、前記第１部材に固定された第３支持部を含み、
前記第１支持部は、前記第１導電部材の少なくとも一部を前記第１部材から離して支持し、
前記第２支持部は、前記第２導電部材の少なくとも一部を前記第１部材から離して支持し、
前記第３支持部は、前記第３電極領域の少なくとも一部を前記第１部材から離して支持する、構成１〜１３のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ素子。

（構成１９）
前記第１可動電極は、第１延在領域を含み、
前記第１延在領域は、延在方向に沿って延び、前記延在方向は、前記第１電極領域から前記第２電極領域への方向と交差し前記第１部材の表面に沿い、
前記第１延在領域の一部は、前記第３電極領域と接続され、前記第１延在領域の他の一部は、前記第３支持部と接続された、構成１７または１８に記載のＭＥＭＳ素子。

（構成２０）
前記第１可動電極は、第２延在領域を含み、
前記延在方向において、前記第１延在領域と前記第２延在領域との間に前記第３領域があり、
前記素子部は、前記第１部材に固定された第４支持部をさらに含み、
前記第２延在領域の一部は、前記第３電極領域と接続され、前記第２延在領域の他の一部は、前記第４支持部と接続された、構成１９に記載のＭＥＭＳ素子。

（構成２１）
前記第１導電部材及び前記第２導電部材の少なくともいずれかは、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成１〜２０のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ素子。

（構成２２）
複数の前記素子部を備え、
前記複数の素子部の１つに含まれる前記第１導電部材及び前記第２導電部材は、前記複数の素子部の別の１つに含まれる前記第１導電部材及び前記第２導電部材と独立して破断可能である、構成１〜２１のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ素子。

（構成２３）
構成１〜２２のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ素子と、
前記ＭＥＭＳ素子と電気的に接続された電気素子と、
を備え、
前記電気素子は、抵抗、容量素子、インダクタ素子、ダイオード及びトランジスタよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、電気回路。

（構成２４）
構成１〜２２のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ素子と、
前記ＭＥＭＳ素子と電気的に接続された電気素子と、
を備え、
前記電気素子は、センサ素子を含む、電気回路。

（構成２５）
前記ＭＥＭＳ素子は、複数の前記素子部を含み、
前記複数の素子部の少なくとも１つに含まれる前記第１導電部材及び前記第２導電部材が破断されることにより、前記電気回路の特性が制御可能である、構成２３または２４に記載の電気回路。

実施形態によれば、安定した動作が可能なＭＥＭＳ素子及び電気回路が提供できる。

以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、ＭＥＭＳ素子及び電気回路に含まれる第１部材、素子部、固定電極、可動電極、第１導電部材及び第２導電部材などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。

また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。

その他、本発明の実施の形態として上述したＭＥＭＳ素子及び電気回路を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全てのＭＥＭＳ素子及び電気回路も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１１、１２…第１、第２固定電極、 １１ｐ、１１ｑ…端部、 ２０Ｅ…第１可動電極、 ２０Ｅａ〜２０Ｅｃ…第１〜第３電極領域、 ２０Ｅｐ、２０Ｅｑ…端部、 ２１、２２…第１、第２導電部材、 ２１Ｂ、２２Ｂ…破断部、 ２１Ｓ〜２４Ｓ…第１〜第４支持部、 ２１ｃｐ、２２ｃｐ…第１、第２電流経路、 ２１ｎ、２２ｎ…第１、第２ノッチ部、 ２１ｐ…端部、 ２１ｕ、２２ｕ…第１、第２非ノッチ部、 ２８ａ、２８ｂ…第１、第２延在領域、 ３１…第１容量素子、 ４１、４２…第１、第２部材、 ４１ａ…表面、 ４１ｉ…絶縁層、 ４１ｓ…基板、 ４１ｔ…制御回路部、 ５１…素子部、 ５５…電気素子、 ７０…制御部、 １１０〜１１４、１１８、１２０、１２１、１２２、１３０…ＭＥＭＳ素子、 ２１０…電気回路、 ３１０、３１１…制御回路、 ３２１…昇圧回路、 ３２２…論理回路、 ３２２ａ…信号、 ３２３…スイッチングマトリクス、 ３２４…制御電源、 ＡＲ１、ＡＲ２…矢印、 Ｄｐ１、Ｄｐ２…方向、 Ｄｘ１、Ｄｘ２…第１、第２交差方向、 ＦＬＴ…フローティング状態、 Ｈｉ−Ｚ…ハイインピーダンス状態、 Ｉ１、Ｉ２…第１、第２電流、 Ｉａ１…電流、 Ｉｃｏｍｐ１、Ｉｃｏｐｍ２…電流、 Ｉｈ…大電流、 Ｉｐｐ…制御電流、 Ｌ１１〜Ｌ１７、Ｌ２１〜Ｌ２７…長さ、 ＳＴ１、ＳＴ２…第１、第２状態、 Ｓｇ１〜Ｓｇ３…第１〜第３電気信号、 Ｔ１、Ｔ２…第１、第２端子、 Ｔｃ１、Ｔｃ２…第１、第２制御端子、 Ｖ０…グランド電位、 Ｖ１、Ｖ２…第１、第２電圧、 Ｖａ１…電圧、 Ｖｃｃ…電源電圧、 Ｖｈ…高電圧、 Ｖｐｐ…制御信号、 Ｗ１、Ｗ２…第１、第２幅、 Ｗ２０…幅、 Ｗｎ１、Ｗｎ２…長さ、 Ｗｕ１、Ｗｕ２…長さ、 ｇ１、ｇ２…第１、第２間隙、 ｐ１〜ｐ４…第１〜第４部分、 ｔ１〜ｔ９…第１〜第９時刻、 ｔｍ…時間

Claims (12)

1. 第１部材と、
   素子部と、
   を備え、
   前記素子部は、
   前記第１部材に固定された第１固定電極と、
   前記第１固定電極と対向する第１可動電極と、
   前記第１可動電極に電気的に接続された第１導電部材と、
   前記第１可動電極に電気的に接続された第２導電部材と、
   を含み、
   前記第２導電部材と前記第１固定電極との間に第１電気信号が印加される前の第１状態において、前記第１導電部材及び前記第２導電部材は、前記第１可動電極を前記第１固定電極から離して支持し、
   前記第２導電部材と前記第１固定電極との間に前記第１電気信号が印加された後の第２状態において、前記第１導電部材及び前記第２導電部材が破断状態である、ＭＥＭＳ素子。
2. 前記第１導電部材の剛性は、前記第２導電部材の剛性とは異なる、請求項１記載のＭＥＭＳ素子。
3. 前記第１導電部材は、前記第１導電部材及び前記第１可動電極を含む第１電流経路に沿う第１長さと、前記第１電流経路に対して垂直な方向の第１幅と、を有し、
   前記第２導電部材は、前記第２導電部材及び前記第１可動電極を含む第２電流経路に沿い、前記第１長さよりも短い第２長さと、前記第２電流経路に対して垂直な方向で前記第１幅よりも大きい第２幅と、の少なくともいずれかを有する、請求項１または２に記載のＭＥＭＳ素子。
4. 前記第１固定電極から前記第１可動電極への第１方向において、前記第１導電部材の一部及び第２導電部材の一部の少なくともいずれかは、前記第１固定電極と重なる、請求項１〜３のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ素子。
5. 前記第１導電部材は、第１ノッチ部と、第１非ノッチ部と、を含み、前記第１ノッチ部から前記第１非ノッチ部への方向は、前記第１導電部材及び前記第１可動電極を含む第１電流経路に沿い、
   前記第１電流経路に対して垂直な第１交差方向に沿う前記第１ノッチ部の長さは、前記第１交差方向に沿う前記第１非ノッチ部の長さよりも短い、請求項１〜３のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ素子。
6. 前記第１固定電極から前記第１可動電極への第１方向において、前記第１ノッチ部は、前記第１固定電極の端部と重なる、請求項５記載のＭＥＭＳ素子。
7. 前記素子部は、前記第１部材に固定された第２固定電極をさらに含み、
   前記第１可動電極は、第１電極領域及び第２電極領域を含み、
   前記第１電極領域と前記第１導電部材との間の距離は、前記第２電極領域と前記第１導電部材との間の距離よりも短く、
   前記第１電極領域は、前記第１固定電極と対向し、
   前記第２電極領域は、前記第２固定電極と対向し、
   前記第１状態は、前記第２導電部材と前記第２固定電極との間に第２電気信号が印加される前であり、
   前記第１状態において、前記第１導電部材及び前記第２導電部材は、前記第１可動電極を前記第２固定電極から離して支持し、
   前記第２状態において、前記第２導電部材と前記第２固定電極との間に前記第２電気信号が印加された後であり、
   前記第２状態において、前記第１導電部材及び前記第２導電部材が破断状態である、請求項１〜６のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ素子。
8. 前記第２電気信号の印加の開始は、前記第１電気信号の印加の開始の後である、請求項７記載のＭＥＭＳ素子。
9. 前記第１可動電極は、前記第１電極領域と前記第２電極領域との間の第３電極領域をさらに含み、
   前記素子部は、前記第１部材に固定された第１支持部、前記第１部材に固定された第２支持部、及び、前記第１部材に固定された第３支持部を含み、
   前記第１支持部は、前記第１導電部材の少なくとも一部を前記第１部材から離して支持し、
   前記第２支持部は、前記第２導電部材の少なくとも一部を前記第１部材から離して支持し、
   前記第３支持部は、前記第３電極領域の少なくとも一部を前記第１部材から離して支持する、請求項７または８に記載のＭＥＭＳ素子。
10. 前記第１可動電極は、第１電極領域と、第２電極領域と、第３電極領域と、を含み、前記第１電極領域は、前記第１導電部材と前記第２導電部材との間にあり、前記第２電極領域は、前記第１電極領域と前記第２導電部材との間にあり、前記第３電極領域は、前記第１電極領域と前記第２電極領域との間にあり、
    前記素子部は、前記第１部材に固定された第１支持部、前記第１部材に固定された第２支持部、及び、前記第１部材に固定された第３支持部を含み、
    前記第１支持部は、前記第１導電部材の少なくとも一部を前記第１部材から離して支持し、
    前記第２支持部は、前記第２導電部材の少なくとも一部を前記第１部材から離して支持し、
    前記第３支持部は、前記第３電極領域の少なくとも一部を前記第１部材から離して支持する、請求項１〜８のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ素子。
11. 複数の前記素子部を備え、
    前記複数の素子部の１つに含まれる前記第１導電部材及び前記第２導電部材は、前記複数の素子部の別の１つに含まれる前記第１導電部材及び前記第２導電部材と独立して破断可能である、請求項１〜１０のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ素子。
12. 請求項１〜１１のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ素子と、
    前記ＭＥＭＳ素子と電気的に接続された電気素子と、
    を備え、
    前記電気素子は、抵抗、容量素子、インダクタ素子、ダイオード及びトランジスタよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、電気回路。

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