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Abstract
Description
らの作製方法に関する。特に、粒子を液体中または気体中で移動させて動作させる、半導
体装置、表示装置、反射型表示装置、又はそれらの駆動方法、又はそれらの作製方法に関
する。または、電気泳動現象を利用する、半導体装置、表示装置、反射型表示装置、又は
それらの駆動方法、又はそれらの作製方法に関する。または、当該半導体装置、当該表示
装置、又は当該反射型表示装置を有する電子機器に関する。
のひとつとして電界駆動型表示装置(例えば、電子ペーパー)が注目されている。電界駆
動型表示装置は、低消費電力化が可能なことや、電源を切っても画像を保持できるという
利点を有しており、電子書籍やポスターへの利用が期待されている。
特許文献1及び2にはマイクロカプセルを用いた電気泳動方式の電界駆動型表示装置が開
示されている。特許文献3にはマイクロカップを用いた電気泳動方式の電界駆動型表示装
置が開示されている。特許文献4には電子粉流体(登録商標)を用いた粒子移動方式の電
界駆動型表示装置が開示されている。
する。または、本発明の一態様は、表示不良(例えば、画素の輪郭において残像が生じる
現象)を低減した電界駆動型表示装置を提供することを課題とする。または、本発明の一
態様は、表示媒体に含まれる粒子の凝集を低減した電界駆動型表示装置を提供することを
課題とする。または、本発明の一態様は、表示媒体に対する電界のかかり方を改善した電
界駆動型表示装置を提供することを課題とする。または、本発明の一態様は、コントラス
トを向上した電界駆動型表示装置を提供することを課題とする。
一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課
題は、明細書、図面、特許請求の範囲などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、
明細書、図面、特許請求の範囲などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能
である。
間に、補助電極を設けた電界駆動型表示装置である。
と、2つの第1の電極と第2の電極との間に配置された荷電粒子と、を有し、第3の電極
は、2つの第1の電極と第2の電極との間に設けられ、且つ、2つの第1の電極の一方と
電気的に接続され、第3の電極は、絶縁膜を介して、2つの第1の電極の一方と少なくと
も一部が重なり、第3の電極は、絶縁膜を介して、2つの第1の電極の他方と少なくとも
一部が重なる電界駆動型表示装置である。
と、2つの第1の電極と第2の電極との間に配置された荷電粒子と、を有し、第3の電極
は、2つの第1の電極と第2の電極との間に設けられ、且つ、2つの第1の電極の一方と
電気的に接続され、第3の電極は、絶縁膜を介して、2つの第1の電極の一方と少なくと
も一部が重なり、第3の電極は、絶縁膜を介して、2つの第1の電極の他方と重ならない
電界駆動型表示装置である。
と、2つの第1の電極と第2の電極との間に配置された荷電粒子と、を有し、2つの第1
の電極は、第3の電極と第2の電極との間に設けられ、第3の電極は、2つの第1の電極
の一方と電気的に接続され、第3の電極は、絶縁膜を介して、2つの第1の電極の一方と
少なくとも一部が重なり、第3の電極は、絶縁膜を介して、2つの第1の電極の他方と少
なくとも一部が重なる電界駆動型表示装置である。
と、2つの第1の電極と第2の電極との間に配置された荷電粒子と、を有し、2つの第1
の電極は、第3の電極と第2の電極との間に設けられ、第3の電極は、2つの第1の電極
の一方と電気的に接続され、第3の電極は、絶縁膜を介して、2つの第1の電極の一方と
少なくとも一部が重なり、第3の電極は、絶縁膜を介して、2つの第1の電極の他方と重
ならない電界駆動型表示装置である。
合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。
い。例えば、製造技術による形状のばらつき、誤差による形状のばらつきなどを含むこと
が可能である。
し、発明の一態様は、専門用語によって、限定して解釈されるものではない。
、通常の当業者が理解する一般的な意味と同等の意味として用いることが可能である。辞
書等により定義されている文言は、関連技術の背景と矛盾がないような意味に解釈される
ことが好ましい。
。または、本発明の一態様は、表示不良(例えば、画素の輪郭において残像が生じる現象
)を低減した電界駆動型表示装置を提供することができる。または、本発明の一態様は、
表示媒体に含まれる粒子の凝集を低減した電界駆動型表示装置を提供することができる。
または、本発明の一態様は、表示媒体に対する電界のかかり方を改善した電界駆動型表示
装置を提供することができる。または、本発明の一態様は、コントラストを向上した電界
駆動型表示装置を提供することができる。
下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態およ
び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発
明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に
説明する構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分については同一の符号を異
なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
形態で述べる別の内容(一部の内容でもよい)、及び/又は、一つ若しくは複数の別の実
施の形態で述べる内容(一部の内容でもよい)に対して、適用、組み合わせ、又は置き換
えなどを行うことができる。
て述べる内容、又は明細書に記載される文章を用いて述べる内容のことである。
図(一部でもよい)、及び/又は、一つ若しくは複数の別の実施の形態において述べる図
(一部でもよい)に対して、組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させること
ができる。なお、ある一つの実施の形態において述べる図の一部は、その図の別の部分、
その実施の形態において述べる別の図(一部でもよい)、及び/又は、一つ若しくは複数
の別の実施の形態において述べる図(一部でもよい)に対して、組み合わせることにより
、さらに多くの図を構成させることができる。
本実施の形態では、本発明の電界駆動型表示装置の一態様について図面を参照して説明
する。
上に絶縁膜110が形成される。絶縁膜110にコンタクトホールが設けられ、絶縁膜1
10上に形成された複数の電極100と複数の電極109とがそれぞれ電気的に接続され
る。電極109は、隣り合う2つの電極100の間の領域と少なくとも一部が重なるよう
に配置されている。すなわち、表示装置の上面または下面から見たとき、隣り合う2つの
電極100が離れて設けられており、隣り合う2つの電極100の隙間に電極109が設
けられている。ここで、電極100は画素電極として機能し、電極109は補助電極とし
て機能することが可能である。本明細書において、補助電極とは画素電極の面積と同等ま
たは画素電極の面積よりも小さい電極を意味する。
けられている。電極101は対向電極として機能することが可能である。層102は表示
媒体を含む層である。層102は粒子を含んで形成することが可能である。または、層1
02に含まれる粒子は帯電していることが可能である。このような粒子を本明細書では荷
電粒子という。層102の一例としては、マイクロカプセル104を分散剤103に分散
して固定した構成等が挙げられる。電極100と層102との間または電極101と層1
02との間には、粘着層、接着層などを形成することが可能である。
ることが可能である。図1では、正に帯電したある色の粒子105と、負に帯電した異な
る色の粒子106とが、カプセル内に含まれる溶媒中に分散して存在している様子を示し
ている。なお、溶媒の一例として、透明な液体を用いることが可能である。電極100お
よび電極101に電圧を印加し、電極100と電極101との間の電気力線に変化が生じ
ると、正に帯電したある色の粒子105および負に帯電した異なる色の粒子106が電気
力線の方向(電界方向)に応じて移動する。すなわち、正に帯電したある色の粒子105
及び負に帯電した異なる色の粒子106がそれぞれ電極100側又は電極101側に移動
し、層102の反射率が変化する。これにより、画素毎にコントラストが変わり、画像が
表示される。なお、溶媒は着色していてもよい。ここでは、2種類の粒子が存在する場合
について2色の粒子を用いて説明しているが、1種類(1色)の粒子のみを用いてもよい
。
た場合を示している。電極100および電極101に電圧を印加して、電極100から電
極101に向かう電気力線に変化が生じたとき、電極100上に配置されたマイクロカプ
セル内の粒子は、電極100から電極101にほぼ垂直に向かう電界107に応じて移動
する。また、電極100と隣接する電極100との間の領域上に配置されたマイクロカプ
セル内の粒子は、電極109から電極101にほぼ垂直に向かう電界108に応じて移動
する(図2及び図3)。
状のもの、棒状のもの、筒状のものなど)が電界に応じて移動または回転するという電気
泳動現象を利用している。したがって、電気泳動現象を利用している装置のことを、電気
泳動装置(または電気泳動型装置)と呼ぶことができる。さらに、電気泳動現象を利用し
ている表示装置のことを、電気泳動表示装置(または電気泳動型表示装置)と呼ぶことが
できる。
(粒子状のもの、棒状のもの、筒状のものなど)が電界に応じて移動または回転するとい
う現象を利用している。したがって、このような現象を利用している装置のことを、粒子
移動装置(または粒子移動型装置)と呼ぶことができる。さらに、このような現象を利用
している表示装置のことを、粒子移動表示装置(または粒子移動型表示装置)と呼ぶこと
ができる。
(粒子状のもの、棒状のもの、筒状のものなど)が電界に応じて回転するという現象を利
用している。したがって、このような現象を利用している装置のことを、粒子回転装置(
または粒子回転型装置)と呼ぶことができる。さらに、このような現象を利用している表
示装置のことを、粒子回転表示装置(または粒子回転型表示装置)と呼ぶことができる。
(粒子状のもの、棒状のもの、筒状のものなど)が電界に応じて移動または回転するとい
う現象を利用している。したがって、このような現象を利用している装置のことを、電界
駆動装置(または電界駆動型装置)と呼ぶことができる。さらに、このような現象を利用
している表示装置のことを、電界駆動表示装置(または電界駆動型表示装置)と呼ぶこと
ができる。
中を、帯電したもの(粒子状のもの、棒状のもの、筒状のものなど)が電界に応じて移動
または回転するという現象を利用している。したがって、このような現象を利用している
装置のことを、マイクロカプセル装置(またはマイクロカプセル型装置)と呼ぶことがで
きる。さらに、このような現象を利用している表示装置のことを、マイクロカプセル表示
装置(またはマイクロカプセル型表示装置)と呼ぶことができる。
電界駆動装置、または、マイクロカプセル装置と呼ぶことができる。
極101側における粒子の凝集を制御できることが重要である。また、図3のように電極
100側を表示面とする場合には、電極100側における粒子の凝集を制御できることが
重要である。粒子の凝集を制御することができれば、遮光膜を設けなくとも表示不良が低
減された表示装置を得ることができる。なお、図3のように、電極100側を表示面とす
る場合には、電極100または電極109に接続されるトランジスタ及び配線として、透
明なトランジスタ及び透明な配線を用いて表示装置を構成することが望ましい。
09と電極100とに印加される電圧は同等である。また、層102の厚さは一例として
40μm〜100μm程度であるのに対し、絶縁膜110の膜厚は一例として数nm〜2
μm程度であるため、電極109から電極101までの距離と、電極100から電極10
1までの距離は、実質的にはほぼ同じであるとみなすことができる。したがって、表示画
像を書き換える動作を行った際、電極101にかかる電界107と電界108は同等にな
る。このため、隣り合う2つの電極100間の領域上(電極109上)に配置されたマイ
クロカプセルの表示領域(電界108がかかる領域)においても、電極100上に配置さ
れたマイクロカプセルの表示領域(電界107がかかる領域)と同じように、マイクロカ
プセル内の粒子が移動し、粒子の凝集を低減できるため、書き換え動作を反映した表示を
行うことができる。これにより、残像が生じにくい、電界駆動型表示装置、電気泳動型表
示装置、粒子移動型表示装置、粒子回転型表示装置、又はマイクロカプセル型表示装置を
作製することができる。
る領域(電極100上の領域)と、電極100から電極101に湾曲して向かう電界がか
かる領域(隣り合う2つの電極100と重ならない領域)とでは、電極100から電極1
01に湾曲して向かう電界がかかる領域における電界強度の方が弱い。したがって、表示
画像を書き換える動作を行った際、電極100から電極101に湾曲して向かう電界がか
かる領域では、書き換え動作を行う前の状態を保持してしまう場合や、書き換え動作を行
う前の状態を引きずって、中間的な状態となってしまう場合などがある。このとき、粒子
の凝集が生じる可能性があり、表示された画像は残像が生じた状態となることがある。こ
のような現象は、電極100が存在しない領域、すなわち画素電極と隣り合う画素電極と
の境界部分で起きやすい。そこで、図1〜図3のような構成にすることにより、残像や粒
子の凝集を低減することができる。
限定されない。例えば、電極101をストライプ状にしてもよい。また、電極101をス
トライプ状に形成し、電極100を電極101と直交する方向に延びるストライプ状に設
けることが可能である(図4)。そのため、例えば、パッシブマトリクス型表示装置とす
ることもできる。
する(図4、図6(A))。電極109は補助電極として機能することが可能である。電
極109上に絶縁膜110を形成する(図4)。絶縁膜110にコンタクトホール113
を形成し、電極109に電気的に接続されたストライプ状の電極100を形成する(図4
、図6(B))。電極100は画素電極として機能することが可能である。電極100上
に表示媒体を含む層102を形成する(図4)。表示媒体を含む層102上(電極109
が設けられた基板に対向する基板の下)にストライプ状の電極101を形成する(図4、
図6(C))。電極101は対向電極として機能することが可能である。なお、図4は図
6(C)のA−B断面を示した図である。なお、図6(D)は、図6(B)のコンタクト
ホール113及び電極100を抜粋して示した図、図43(A)は、図6(C)のストラ
イプ状の電極101を抜粋して示した図である。
又は電極100が形成された状態になっている。言い換えると、電極101が形成される
領域に対向する領域全てに電極109又は電極100が形成されている(図6(B))。
このような構成を有することにより、対向電極として機能することが可能な電極101と
重なる領域に、ほぼ均一な電界がかかり、表示不良を低減した表示装置を得ることができ
る。
ある。電極101に電気的に接続された電極114を設けたパッシブマトリクス型表示装
置の上面図の一例を図43(C)に示す。図5は図43(C)のK−L断面を示した図で
ある。電極109上に絶縁膜110を形成する。絶縁膜110にコンタクトホール113
を形成し、電極109に電気的に接続された電極100を形成する。電極100上に表示
媒体を含む層102を形成する。表示媒体を含む層102上(電極109が設けられた基
板に対向する基板の下)に電極101を形成する(図5、図43(B))。電極101上
に絶縁膜115を形成し、絶縁膜115に形成したコンタクトホール116において電極
101と電気的に接続するように電極114を形成する(図5、図43(C))。このよ
うに、画素部全体に電極101又は電極114が形成されたパッシブマトリクス型表示装
置が作製できる。言い換えると、電極100が形成される領域に対向する領域全てに電極
101又は電極114を形成することができる。このような構成を有することにより、画
素部全体に、ほぼ均一な電界がかかり、表示不良を低減した表示装置を得ることができる
。なお、図43(D)は、図43(C)のコンタクトホール116及び電極114を抜粋
して示した図である。
図7は、前述した図1に配線111と絶縁膜112とを加えた構成である。なお、配線1
11は容量配線としての機能を有していても良い。その他の構成については図1と同様で
あるため省略する。図7において、電極109は、電極100と隣接する電極100との
間の領域と少なくとも一部が重なる位置に配置され、かつ、絶縁膜112を介して配線1
11と重なる位置に配置されている。このようにして、電極109は保持容量の電極とし
ての機能と補助電極としての機能とを両方有することが可能である。
電極109の幅A’と、電極100の幅B’とが概ね等しいことでこれを表現している。
または、電極109と隣接する電極109との距離Aと、電極100と隣接する電極10
0との距離Bとが概ね等しくてもよい。このような構造にすることにより、電極109及
び電極100の面積を大きくすることができる。そのため、容量値を大きくすることが可
能となる。ただし、本実施の形態の一態様はこれらに限定されない。
り、容量値を大きくすることが可能となる。または、これにより、電極100の表面をよ
り平坦にすることが可能となる。ただし、本実施の形態の一態様はこれに限定されない。
とが好ましい。これにより、容量値を大きくすることが可能となる。ただし、本実施の形
態の一態様はこれに限定されない。
とが好ましい。または、電極100と隣接する電極100との距離Bは、電極100の膜
厚Hよりも大きいことが好ましい。または、電極100と隣接する電極100との距離B
は、電極109の膜厚Gよりも大きいことが好ましい。または、電極100と隣接する電
極100との距離Bは、配線111の膜厚Fよりも大きいことが好ましい。電極100と
隣接する電極100との距離Bを大きくすることで、たとえ電極100と隣接する電極1
00との間にゴミが入っても、短絡を防止することができる。電極100と隣接する電極
100との距離Bが大きくても、本実施の形態の一態様によれば均一に電界をかけること
ができる。ただし、本実施の形態の一態様はこれらに限定されない。
しい。または、粒子の直径Eは、電極100と隣接する電極100との距離Bよりも小さ
いことが好ましい。これにより、高精細な表示を実現することが可能となる。ただし、本
実施の形態の一態様はこれらに限定されない。
線111の膜厚Fは、電極101の膜厚Iよりも大きいことが好ましい。これにより、配
線111の抵抗を下げることが可能となる。ただし、本実施の形態の一態様はこれらに限
定されない。
極109の膜厚Gは、電極101の膜厚Iよりも大きいことが好ましい。これにより、電
極109の抵抗を下げることが可能となる。ただし、本実施の形態の一態様はこれらに限
定されない。
、電極101の抵抗を下げることが可能となる。ただし、本実施の形態の一態様はこれに
限定されない。
01が形成され、絶縁膜201にコンタクトホールが設けられ、絶縁膜201上に形成さ
れた電極202と電極200とが電気的に接続された構造であってもよい。電極202は
、隣り合う2つの電極200の間の領域と少なくとも一部が重なるように配置されている
。すなわち、表示装置の上面または下面から見たとき、隣り合う2つの電極200が離れ
て設けられており、隣り合う2つの電極200の隙間に電極202が設けられている。こ
こで、電極200は画素電極として機能し、電極202は補助電極として機能することが
可能である。本明細書において、補助電極とは画素電極の面積と同等または画素電極の面
積よりも小さい電極を意味する。
けられている。電極204は対向電極として機能することが可能である。層203は表示
媒体を含む層である。層203は粒子を含んで形成することが可能である。または、層2
03に含まれる粒子は帯電していることが可能である。このような粒子を本明細書では荷
電粒子という。層203の一例としては、マイクロカプセルを分散剤に分散して固定した
構成等が挙げられる。電極202と層203との間または電極204と層203との間に
は、粘着層、接着層などを形成することが可能である。
と電極202とに印加される電圧は同等である。また、層203の厚さは一例として40
μm〜100μm程度であるのに対し、絶縁膜201の膜厚は一例として数nm〜2μm
程度であるため、電極200から電極204までの距離と、電極202から電極204ま
での距離は、実質的にはほぼ同じであるとみなすことができる。したがって、表示画像を
書き換える動作を行った際、電極200から電極204に向かう電界と、電極202から
電極204に向かう電界とは同等になる。このため、電極200上に配置されたマイクロ
カプセル内の粒子と同様に、隣り合う2つの電極200の間の領域上(電極202上)に
配置されたマイクロカプセル内の粒子も移動し、粒子の凝集を低減することができる。す
なわち、電極200上に配置されたマイクロカプセルの表示領域と、電極202上に配置
されたマイクロカプセルの表示領域とは、双方とも書き換え動作を反映した表示を行うこ
とができる。これにより、残像が生じにくい電界駆動型表示装置等を作製することができ
る。
ある。図9は、前述した図8に配線205と絶縁膜206とを加えた構成である。なお、
配線205は容量配線としての機能を有していても良い。その他の構成については図8と
同様であるため省略する。図9において、電極202は、電極200と隣接する電極20
0との間の領域と少なくとも一部が重なる位置に配置され、かつ、絶縁膜201及び絶縁
膜206を介して配線205と重なる位置に配置されている。このようにして、電極20
2は保持容量の電極としての機能と補助電極としての機能とを両方有することが可能であ
る。
電極202の幅B’2と、電極200の幅A’2とが概ね等しいことでこれを表現してい
る。または、電極202と隣接する電極202との距離B2と、電極200と隣接する電
極200との距離A2とが概ね等しくてもよい。このような構造にすることにより、電極
200及び電極202の面積を大きくすることができる。そのため、容量値を大きくする
ことが可能となる。ただし、本実施の形態の一態様はこれらに限定されない。
により、容量値を大きくすることが可能となる。または、これにより、電極200の表面
をより平坦にすることが可能となる。ただし、本実施の形態の一態様はこれに限定されな
い。
いことが好ましい。これにより、容量値を大きくすることが可能となる。ただし、本実施
の形態の一態様はこれに限定されない。
いことが好ましい。または、電極202と隣接する電極202との距離B2は、電極20
2の膜厚H2よりも大きいことが好ましい。または、電極202と隣接する電極202と
の距離B2は、電極200の膜厚G2よりも大きいことが好ましい。または、電極202
と隣接する電極202との距離B2は、配線205の膜厚F2よりも大きいことが好まし
い。電極202と隣接する電極202との距離B2を大きくすることで、電極202と隣
接する電極202とのショートを低減することができる。電極202と隣接する電極20
2との距離B2が大きくても、本実施の形態の一態様によれば均一に電界をかけることが
できる。ただし、本実施の形態の一態様はこれらに限定されない。
好ましい。または、粒子の直径E2は、電極202と隣接する電極202との距離B2よ
りも小さいことが好ましい。これにより、高精細な表示を実現することが可能となる。た
だし、本実施の形態の一態様はこれらに限定されない。
、配線205の膜厚F2は、電極204の膜厚I2よりも大きいことが好ましい。これに
より、配線205の抵抗を下げることが可能となる。ただし、本実施の形態の一態様はこ
れらに限定されない。
、電極200の膜厚G2は、電極204の膜厚I2よりも大きいことが好ましい。これに
より、電極200の抵抗を下げることが可能となる。ただし、本実施の形態の一態様はこ
れらに限定されない。
より、電極204の抵抗を下げることが可能となる。ただし、本実施の形態の一態様はこ
れに限定されない。
施することができる。
本実施の形態では、本発明の電界駆動型表示装置の構成例について説明する。
動方式等がある。このように、電界駆動型表示装置では、電界に応じて粒子、棒、または
筒が動くこと、または回転すること等によって、反射率を変化させることができる。これ
により階調を表現する。実施の形態1では、マイクロカプセル型電気泳動方式を適用した
電界駆動型表示装置について説明する。本実施の形態では、マイクロカップ型電気泳動方
式及び電子粉流体(登録商標)方式について説明する。
ップアレイは、UV硬化樹脂等からなり複数の凹部を有するマイクロカップ601に、誘
電性溶媒602に分散させた帯電色素粒子603を充填し、封止層604で封止すること
により作製できる。図10(A)及び(B)に示すのは、基板600上に電極605を形
成し、電極605上に絶縁膜606を形成し、絶縁膜606にコンタクトホールを形成し
、電極605と電気的に接続された電極607を形成し、電極607上にマイクロカップ
アレイを配置し、マイクロカップアレイ上に電極608を形成し、電極608上に基板6
09を形成した表示装置である。電極607は画素電極として機能することが可能である
。電極605は補助電極として機能することが可能である。図10(A)は誘電性溶媒6
02として無着色溶媒を用いたものを示している。図10(B)は誘電性溶媒602とし
て赤や青などの着色溶媒を用いたものを示している。図10(A)及び(B)では、帯電
色素粒子を1種類有する場合を図示したが、帯電色素粒子を2種類以上有していてもよい
。
る。また、マイクロカップの内容物は密閉されているため、環境変化の影響を受けない。
マイクロカップ型電気泳動方式を適用した電界駆動型表示装置についても、画素電極とし
て機能することが可能な電極と対向電極として機能することが可能な電極との間の電界の
変化に応じて帯電色素粒子が移動するため、マイクロカップの隅には粒子が凝集する場合
があり、残像が発生する場合がある。
、画素電極として機能することが可能な電極のピッチP2とが概ね等しい構造を有する。
ここで、本実施の形態において、マイクロカップの上辺の長さとマイクロカップの上側の
壁の厚さとの和が、マイクロカップのピッチに相当する。例えば、図10(A)及び(B
)において、マイクロカップのピッチP2は、マイクロカップの上辺の長さJ1とマイク
ロカップの上側の壁の厚さLとの和に相当する。なお、複数の構成単位を繰り返し配置す
ることによってマイクロカップアレイが構成される場合に、当該構成単位の縦又は横の長
さを、マイクロカップのピッチということもある。この場合、構成単位には、マイクロカ
ップが有する複数の凹部のうちの一つの凹部が含まれるものとする。
イクロカップの上面と重なり、断面図においてマイクロカップの上辺の長さJ1と概ね等
しくなるように電極607が形成されている。電極607と電気的に接続された電極60
5が形成されている。このような構造にすることで、マイクロカップの壁及び壁周辺にも
電界が均一にかかる。これにより、粒子が移動する領域全体に均一な電界をかけることが
でき、粒子の凝集を低減することができる。
くなっている。これにより、マイクロカップの壁の強度を強くすることができる。
概ね等しくなっている。これにより、粒子が移動する領域全体に均一な電界をかけること
ができる。
と、画素電極として機能することが可能な電極のピッチP2とが概ね等しい構造を有する
が、図10(A)及び(B)と異なる構造となっている。
(B)は誘電性溶媒602として赤や青などの着色溶媒を用いたものを示している。
イクロカップの底面と重なり、断面図においてマイクロカップの底辺の長さJ2と概ね等
しくなるように電極607が形成されている。電極607と電気的に接続された電極60
5が形成されている。このような構造にすることで、マイクロカップの壁にも均一に電界
がかかる。これにより、粒子の凝集を低減することができる。
が小さくなっている。これにより、マイクロカップの壁にも電界がかかり、粒子の凝集を
低減することができる。または、マイクロカップの壁の強度を強くすることができる。
くなっている。これにより、マイクロカップの壁の強度を強くすることができる。
が概ね等しくなっている。これにより、効率的に電界を加えることができる。
が可能な電極のピッチP2とが等しい構造の電界駆動型表示装置について説明したが、図
12では、マイクロカップのピッチP1が、画素電極として機能することが可能な電極の
ピッチP2の2倍となる構造の電界駆動型表示装置について説明する。なお、図12では
ピッチP1がピッチP2の2倍となる場合について図示しているが、2以上の整数倍とす
ることが可能である。整数倍にすることにより、表示を均一にしやすくなる。
(B)は誘電性溶媒602として赤や青などの着色溶媒を用いたものを示している。
対応する位置に形成している。
くなっている。これにより、マイクロカップの壁の強度を強くすることができる。
Mが小さくなっている。これにより、粒子が移動する領域全体に均一な電界をかけること
ができる。
Mが小さくなっている。これにより、粒子が移動する領域全体に均一な電界をかけること
ができる。
が、画素電極として機能することが可能な電極のピッチP2の2倍となる構造を有するが
、図12(A)及び(B)と異なる構造となっている。
(B)は誘電性溶媒602として赤や青などの着色溶媒を用いたものを示している。
対応する位置に形成している。
くなっている。これにより、マイクロカップの壁の強度を強くすることができる。
Mが小さくなっている。これにより、粒子が移動する領域全体に均一な電界をかけること
ができる。
Mが小さくなっている。これにより、粒子が移動する領域全体に均一な電界をかけること
ができる。
が、画素電極として機能することが可能な電極のピッチP2の2分の1倍となる構造を有
する。なお、図14ではピッチP1がピッチP2の2分の1倍となる場合について図示し
ているが、2以上の整数分の1倍とすることが可能である。2以上の整数分の1倍とする
ことにより、表示を均一にしやすくなる。
(B)は誘電性溶媒602として赤や青などの着色溶媒を用いたものを示している。
ち、断面図における2つのマイクロカップの上辺及び2つのマイクロカップの間に存在す
る壁の上側の幅の合計の長さJ3と概ね等しくなるように電極607が形成されている。
このような構造にすることで、マイクロカップの壁及び壁周辺にも電界が均一にかかる。
これにより、粒子が移動する領域全体に均一な電界をかけることができ、粒子の凝集を低
減することができる。
くなっている。これにより、マイクロカップの壁の強度を強くすることができる。
概ね等しくなっている。これにより、粒子が移動する領域全体に均一な電界をかけること
ができる。
が、画素電極として機能することが可能な電極のピッチP2の2分の1となる構造を有す
るが、図14(A)及び(B)と異なる構造となっている。
ち、断面図における2つのマイクロカップの底辺及び2つのマイクロカップの間に存在す
る壁の下側の幅の合計の長さJ4と概ね等しくなるように電極607が形成されている。
このような構造にすることで、マイクロカップの壁及び壁周辺にも電界が均一にかかる。
これにより、粒子が移動する領域全体に均一な電界をかけることができ、粒子の凝集を低
減することができる。
なっている。
が等しくなっている。これにより、効率的に電界を加えることができる。
とも一部が重なるように電極605を形成することによって、帯電色素粒子603がマイ
クロカップ601の隅に凝集するのを低減することができ、残像が生じにくい電界駆動型
表示装置を作製することができる。ただし、本発明の一態様を適用できる電気泳動方式の
電界駆動型表示装置は、マイクロカップを使用することに限定されない。粒子の上下左右
への移動を何らかの物体によって遮断し、粒子の移動が制限されるようになっている構造
を有するもの全てに使用できる。
登録商標)は非常にさらさらとした固体であり、流動性を示し、流体と粒子の特性を兼ね
備えた物質である。この方式では、隔壁701でセルを区切り、セル内に電子粉流体(登
録商標)702及び電子粉流体(登録商標)703を配置する。
として機能することが可能な電極のピッチP2とが概ね等しい構造を有する。ここで、本
実施の形態において、セルの長さ(幅)と隔壁の長さ(幅)との和が、セルのピッチに相
当する。例えば、図16(A)及び(B)においては、セルのピッチP1は、セルの長さ
(幅)J5と隔壁の長さ(幅)Nとの和に相当する。
膜705を形成し、絶縁膜705にコンタクトホールを形成し、電極704に電気的に接
続された電極706を形成し、電極706上に電子粉流体(登録商標)を備えたセルを配
置し、セル上に電極707を形成し、電極707上に基板708を形成した表示装置であ
る。図16(A)は電子粉流体(登録商標)702及び電子粉流体(登録商標)703と
して、白色粒子と黒色粒子とを用いたものを示しており、図16(B)では電子粉流体(
登録商標)702及び電子粉流体(登録商標)703として、白及び黒以外の2色の有色
粒子を用いたものを示しているが、これに限定されず、1種類の粒子のみを用いてもよい
。
の長さ(幅)J5と概ね等しくなるように電極706が形成されている。電極706と電
気的に接続された電極704が形成されている。このような構造にすることで、セルの隔
壁周辺にも電界が均一にかかる。これにより、粒子が移動する領域全体に均一な電界をか
けることができ、粒子の凝集を低減することができる。
いる。これにより、電子粉流体(登録商標)が移動する領域全体に均一な電界をかけるこ
とができる。
として機能することが可能な電極のピッチP2の2倍となる構造を有する。すなわち、セ
ルの長さ(幅)J5は、電極706の大きさの2倍である。なお、図17ではピッチP1
がピッチP2の2倍となる場合について図示しているが、2以上の整数倍とすることが可
能である。整数倍にすることにより、表示を均一にしやすくなる。
て、白色粒子と黒色粒子とを用いたものを示しており、図17(B)では電子粉流体(登
録商標)702及び電子粉流体(登録商標)703として、白及び黒以外の2色の有色粒
子を用いたものを示しているが、これに限定されず、1種類の粒子のみを用いてもよい。
ている。これにより、電子粉流体(登録商標)が移動する領域全体に均一な電界をかける
ことができる。
として機能することが可能な電極のピッチP2の2分の1倍となる構造を有する。すなわ
ち、2つのセルとその間の隔壁の合計の長さJ6と概ね等しくなるように電極706が形
成されている。なお、図18ではピッチP1がピッチP2の2分の1倍となる場合につい
て図示しているが、2以上の整数分の1倍とすることが可能である。2以上の整数分の1
倍とすることにより、表示を均一にしやすくなる。
て、白色粒子と黒色粒子とを用いたものを示しており、図18(B)では電子粉流体(登
録商標)702及び電子粉流体(登録商標)703として、白及び黒以外の2色の有色粒
子を用いたものを示しているが、これに限定されず、1種類の粒子のみを用いてもよい。
いる。これにより、電子粉流体(登録商標)が移動する領域全体に均一な電界をかけるこ
とができる。
向電極との間の電界の変化に応じて電子粉流体(登録商標)が移動するため、セルが画素
電極上に配置されていない場合には残像が発生しやすい。図16〜図18に示すように、
電極706と隣接する電極706との間の領域に少なくとも一部が重なるように電極70
4を形成することによって、セル内の電子粉流体(登録商標)に均一に電界がかかり、残
像が生じにくい電界駆動型表示装置を作製することができる。
ついて説明したが、本発明の一態様を適用できる方式はこれらに限定されない。例えば、
エレクトロウェッティング方式、トナー方式、ツイストボール方式などを適用することが
可能である。
施することができる。
本実施の形態では、本発明の電界駆動型表示装置の一態様について図面を参照して説明
する。
図の一態様である。図19のC−D断面を図20(A)に、E−F断面を図20(B)に
示す。なお、図19には電極301〜電極303、配線304、導電層309〜導電層3
14、導電層335〜導電層337、配線341、導電層342〜導電層344、半導体
層306〜半導体層308、半導体層332〜半導体層334、電極316〜電極318
、電極338〜電極340、電極345〜電極347、ゲート線330及びゲート線33
1について示し、これら以外の構成については省略する。
04及び配線341は容量配線として機能することが可能である。導電層310、導電層
312、導電層313、導電層335〜導電層337、及び導電層342〜導電層344
は補助電極として機能することが可能である。電極316〜電極318、電極338〜電
極340、及び電極345〜電極347は画素電極として機能することが可能である。導
電層309、導電層311、及び導電層314はソース線として機能することが可能であ
る。
する。導電膜は所望の形状に加工し、電極301〜電極303及び配線304となる。基
板300は、ガラス基板、プラスチック基板等を用いることができる。電極301〜電極
303及び配線304となる導電膜は、チタン、モリブデン、タンタル、クロム、タング
ステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バ
リウム、ゲルマニウム、インジウム錫酸化物(以下、ITO)、酸化インジウム酸化亜鉛
(以下、IZO)、酸化亜鉛(ZnO)、または酸化錫(SnO)を用いて、スパッタリ
ング法又はCVD法等により単層または多層で形成することができる。また、導電膜を形
成する前に基板300上に下地膜を形成してもよい。下地膜としては、酸化シリコン系材
料膜又は窒化シリコン系材料膜等により絶縁膜を単層で、又は積層して形成することがで
きる。なお、酸化シリコン系材料とは、酸素とシリコンとを主成分とする酸化シリコン、
又は酸化シリコンが窒素を含有し、且つ、酸素の含有量が窒素の含有量よりも多い酸化窒
化シリコンをいう。窒化シリコン系材料とは、窒素とシリコンとを主成分とする窒化シリ
コン、又は窒化シリコンが酸素を含有し、窒素の含有量が酸素の含有量よりも多い窒化酸
化シリコンをいう。なお、図19に示すゲート線330、ゲート線331、及び配線34
1は、電極301〜電極303及び配線304と同工程で形成される。
絶縁膜305は酸化シリコン系材料又は窒化シリコン系材料等を用いて、プラズマCVD
法又はスパッタリング法等により形成することができる。絶縁膜305は、ゲート絶縁膜
としての機能を有することが可能である。また、絶縁膜305は、保持容量の絶縁膜とし
ての機能を有することが可能である。
層307(半導体層307a及び半導体層307b)、半導体層308(半導体層308
a及び半導体層308b)を形成する。半導体層306は絶縁膜305を介して電極30
1と重なる位置に形成する。半導体層307は絶縁膜305を介して電極302と重なる
位置に形成する。半導体層308は絶縁膜305を介して電極303と重なる位置に形成
する。なお、図19に示す半導体層332〜半導体層334は、半導体層306〜半導体
層308と同工程で形成される。
る半導体層、微結晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコン、ヒ化ガリウム(GaA
s)等の化合物半導体、酸化亜鉛(ZnO)、In−Ga−Zn−O系等の酸化物半導体
、又は有機半導体材料等を用いることが可能であるが、ここでは一例としてアモルファス
シリコンを用いた場合について説明する。
ンを用いて、フォトリソグラフィ法、インクジェット法又は印刷法等により形成すること
ができる。なお、半導体層306a、半導体層307a、及び半導体層308aは、トラ
ンジスタのチャネル領域として機能する部分を含むことが可能である。
として用いる場合は、トランジスタの特性の均一性が高く、且つ、製造コストが小さいと
いう利点がある。特に、対角の長さが500mmを超えるような大型の基板にトランジス
タを作製する場合に有効である。
コン、半導体層306a、半導体層307a、及び半導体層308aよりも導電率の高い
半導体材料等を用いることができる。半導体層306b、半導体層307b、及び半導体
層308bは、その機能により、バッファ層又はn+層と表すこともできる。なお、半導
体層306b、半導体層307b、及び半導体層308bは、ソース及びドレインとして
機能する部分を含むことが可能である。
一方として機能する部分を含むことが可能である。導電層310はソース及びドレインの
他方として機能する部分を含むことが可能である。導電層311はソース及びドレインの
一方として機能する部分を含むことが可能である。導電層312はソース及びドレインの
他方として機能する部分を含むことが可能である。導電層313はソース及びドレインの
一方として機能する部分を含むことが可能である。導電層314はソース及びドレインの
他方として機能する部分を含むことが可能である。導電層309〜導電層314は、チタ
ン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、
金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム、ITO、IZO、酸
化亜鉛(ZnO)、または酸化錫(SnO)を用いて、スパッタリング法又はCVD法等
により単層または多層で形成することができる。なお、図19に示す導電層335〜導電
層337及び導電層342〜導電層344は、導電層309〜導電層314と同工程で形
成される。
15は酸化シリコン系材料又は窒化シリコン系材料等を用いて、プラズマCVD法又はス
パッタリング法等により形成することができる。また、絶縁膜315として、有機材料を
単層または多層で形成してもよい。例えば、アクリル、ポリイミド、ポリアミド、ポリイ
ミドアミド、ベンゾシクロブテン、エポキシ等を用いることができる。また、絶縁膜31
5は有機材料と無機材料との積層構造としてもよい。また、絶縁膜315として遮光性を
有する材料またはカラーフィルタを用いてもよい。遮光性を有する材料としては、カーボ
ンブラック、黒色顔料を含む有機樹脂等が挙げられる。
6、導電層312と電気的に接続する電極317、及び導電層313と電気的に接続する
電極318を形成する。なお、図19に示す電極338〜電極340及び電極345〜電
極347は、電極316〜電極318と同工程で形成される。
成することが好ましい。例えば、クロム、チタン、窒化チタン、モリブデン、タングステ
ン、タンタル、窒化タンタル等の反射率の低い材料が好適である。または、電極316〜
電極318を透明な材料で形成し、絶縁膜315を光を吸収する材料で形成することも可
能である。
タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ
、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム、ITO、IZO、酸化亜鉛(ZnO)
、または酸化錫(SnO)を用いて、単層または多層で形成することが好ましい。
下面から見て、電極316と電極317との隙間の領域と重なっている。このような構造
にすることによって、表示不良が起こりにくい電界駆動型表示装置が得られる。
。層319として、例えば、マイクロカプセル320が分散されて固定された分散剤32
1を電極316〜電極318上に設ける。なお、層319上には電極322や基板323
が形成されている。電極322は対向電極として機能することが可能である。層319と
電極316〜電極318との間には、接着層を設けることが可能である。層319と電極
322との間には接着層を設けることが可能である。
用いる。
ましい。金属材料を用いることにより配線抵抗を下げることができる。金属材料としては
、チタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅
、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム等を用いること
ができる。
能を有することが可能である。そして、基板323には、プラスチック基板、樹脂基板、
フィルム基板、ガラス基板、セラミック基板、ステンレス基板、ステンレスホイル基板等
を用いることができる。
39と一部が重なるように配置されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表
示装置を上面または下面から見ると、導電層313は、電極318と電極316との隙間
を埋めるように配置されている。導電層313は、電極318と電極338との隙間を埋
めるように配置されている。
40と一部が重なるように配置されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表
示装置を上面または下面から見ると、導電層310は、電極316と電極317との隙間
を埋めるように配置されている。導電層310は、電極316と電極339との隙間を埋
めるように配置されている。
置されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表示装置を上面または下面から
見ると、導電層312は、電極317と電極340との隙間を埋めるように配置されてい
る。
46と一部が重なるように配置されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表
示装置を上面または下面から見ると、導電層342は、電極345と電極346との隙間
を埋めるように配置されている。導電層342は、電極345と電極318との隙間を埋
めるように配置されている。
47と一部が重なるように配置されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表
示装置を上面または下面から見ると、導電層343は、電極346と電極347との隙間
を埋めるように配置されている。導電層343は、電極346と電極316との隙間を埋
めるように配置されている。
置されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表示装置を上面または下面から
見ると、導電層344は、電極317と電極347との隙間を埋めるように配置されてい
る。
も補助電極も配置されない領域がわずかに存在することが可能である。
線304及び配線341を省略している。図21においては、説明の簡略化のため、一画
素の面積を、補助電極として機能することが可能な、導電層310、導電層312、導電
層313、導電層335〜導電層337、及び導電層342〜導電層344のピッチ(隣
接する、補助電極として機能することが可能な導電層までの間隔)をもとに規定している
。一画素の面積を有する領域を、図21においては領域350と定義する。
層313に囲まれた領域であって、画素電極として機能することが可能な電極及び補助電
極として機能することが可能な導電層が配置されない領域である。領域352は、導電層
310、電極317、導電層343、電極316に囲まれた領域であって、画素電極とし
て機能することが可能な電極及び補助電極として機能することが可能な導電層が配置され
ない領域である。
極317が配置されない領域であって、導電層310が配置された領域である。
領域(領域351及び領域352)は、隣接する画素とのショートを防ぐために、存在す
る領域である。しかし、表示不良を低減した表示装置を得るためには、より多くの範囲に
画素電極又は補助電極として機能することができる導電層を配置する必要がある。したが
って、電極339、電極340、電極316、電極317、及び導電層310が配置され
ない領域の面積は、電極339、電極340、電極316、及び電極317が配置されな
い領域であって、導電層310が配置された領域の面積よりも小さいことが望ましい。す
なわち、領域351と領域352の合計面積が領域353の面積よりも小さいことが望ま
しい。なお、領域353に補助電極として機能することが可能な導電層310が形成され
た例について説明したが、領域353には、画素電極として機能することが可能な導電層
、補助電極として機能することが可能な導電層、及びソース線となる配線以外の導電層を
設けてもよい。
電層342〜導電層344が、ゲート線330及びゲート線331のレイヤーと、画素電
極として機能することが可能な電極316〜電極318、電極338〜電極340、及び
電極345〜電極347のレイヤーとの間に位置している。このとき、ゲート線と、導電
層310、導電層312、導電層313、導電層335〜導電層337、導電層342〜
導電層344に重なる面積よりも、ゲート線と、画素電極として機能することが可能な電
極316〜電極318、電極338〜電極340、及び電極345〜電極347に重なる
面積のほうが大きくなるように、ゲート線が配置されることが望ましい。画素電極は、補
助電極上に設けられた絶縁膜上に形成されているため、画素電極と重なる位置にゲート線
を配置することで、寄生容量を低減することができる。
減することができるため、書き換え動作を反映した表示を行うことができ、残像が生じに
くい電界駆動型表示装置を作製することができる。
FTやトップゲート型TFT等を用いることも可能である。
図22のG−H断面を図23に示す。
縁膜を形成してもよい。半導体層801及び半導体層802は、多結晶シリコンを用いて
フォトリソグラフィ法、インクジェット法又は印刷法等により形成することができる。
ト絶縁膜として機能することが可能である。絶縁膜803は酸化シリコン系材料又は窒化
シリコン系材料等を用いて、プラズマCVD法又はスパッタリング法等により形成するこ
とができる。
4及びゲート電極805は、チタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、ア
ルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲ
ルマニウム、インジウム錫酸化物(以下、ITO)、酸化インジウム酸化亜鉛(以下、I
ZO)、酸化亜鉛(ZnO)、または酸化錫(SnO)を用いて、スパッタリング法又は
CVD法等により単層または多層で形成することができる。
。絶縁膜806は酸化シリコン系材料又は窒化シリコン系材料等を用いて、プラズマCV
D法又はスパッタリング法等により形成することができる。また、絶縁膜806として、
有機材料を単層または多層で形成してもよい。例えば、アクリル、ポリイミド、ポリアミ
ド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、エポキシ等を用いることができる。また、
絶縁膜806は有機材料と無機材料との積層構造としてもよい。また、絶縁膜806とし
ては、遮光性を有する材料またはカラーフィルタを用いてもよい。遮光性を有する材料と
しては、カーボンブラック、黒色顔料を含む有機樹脂等が挙げられる。
に接続された電極807及び電極808と、半導体層802と電気的に接続された電極8
09及び電極810とを形成する。電極807〜電極810は、チタン、モリブデン、タ
ンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、
シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム、ITO、IZO、酸化亜鉛(ZnO)、
または酸化錫(SnO)を用いて、単層または多層で形成することができる。電極807
及び電極809はソース線として機能し、電極808及び電極810は、補助電極として
機能することが可能である。なお、図22に示す電極851〜電極854は、電極807
〜電極810と同工程で形成される。
材料又は窒化シリコン系材料等を用いて、プラズマCVD法又はスパッタリング法等によ
り形成することができる。また、絶縁膜811として、有機材料を単層または多層で形成
してもよい。例えば、アクリル、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシ
クロブテン、エポキシ等を用いることができる。また、絶縁膜811は有機材料と無機材
料との積層構造としてもよい。また、絶縁膜811として遮光性を有する材料を用いても
よい。遮光性を有する材料としては、カーボンブラック、黒色顔料を含む有機樹脂等が挙
げられる。
2と、電極810に電気的に接続された電極813とを形成する。電極812及び電極8
13は、チタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジ
ム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム、ITO
、IZO、酸化亜鉛(ZnO)、または酸化錫(SnO)を用いて、単層または多層で形
成することができる。電極812及び電極813は、画素電極として機能することが可能
である。なお、図22に示す電極855〜電極861は、電極812及び電極813と同
工程で形成される。電極855は電極851と電気的に接続されている。電極859は電
極852に電気的に接続されている。電極860は電極853に電気的に接続されている
。電極861は電極854に電気的に接続されている。
または配置され、または貼り付けられている。層814は表示媒体を含む層である。ここ
では、層814としてマイクロカプセルを有する層を例示している。
ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム等
の金属材料を用いることができる。電極815は、対向電極として機能することが可能で
ある。
ミック基板、ステンレス基板、ステンレスホイル基板等を用いることができる。
導電層818を加えた構造の電界駆動型表示装置の断面図の一例である。導電層817は
絶縁膜806を介して電極808と少なくとも一部が重なり、保持容量の一方の電極とし
て機能することが可能である。導電層818は絶縁膜806を介して電極810と少なく
とも一部が重なり、保持容量の一方の電極として機能することが可能である。
導電層820を加えた構造の電界駆動型表示装置の断面図の一例である。導電層819は
絶縁膜803を介して半導体層801と少なくとも一部が重なり、保持容量の一方の電極
として機能することが可能である。導電層820は絶縁膜803を介して半導体層802
と少なくとも一部が重なり、保持容量の一方の電極として機能することが可能である。
と一部が重なるように配置されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表示装
置を上面または下面から見ると、電極808は、電極812と電極813との隙間を埋め
るように配置されている。電極808は、電極857と電極812との隙間を埋めるよう
に配置されている。
されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表示装置を上面または下面から見
ると、電極810は、電極858と電極813との隙間を埋めるように配置されている。
と一部が重なるように配置されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表示装
置を上面または下面から見ると、電極851は、電極855と電極812との隙間を埋め
るように配置されている。電極851は、電極855と電極856との隙間を埋めるよう
に配置されている。
と一部が重なるように配置されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表示装
置を上面または下面から見ると、電極852は、電極859と電極860との隙間を埋め
るように配置されている。電極852は、電極859と電極860との隙間を埋めるよう
に配置されている。
と一部が重なるように配置されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表示装
置を上面または下面から見ると、電極853は、電極860と電極861との隙間を埋め
るように配置されている。電極853は、電極812と電極860との隙間を埋めるよう
に配置されている。
されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表示装置を上面または下面から見
ると、電極854は、電極813と電極861との隙間を埋めるように配置されている。
られる。
2として多結晶シリコンを用いているため、トランジスタの移動度が高く、且つ、製造コ
ストが小さいという利点がある。さらに、特性の経年劣化が小さいため、信頼性の高い装
置を得ることができる。
804及びゲート電極805を有する)のレイヤーと、画素電極として機能することが可
能な電極812、電極813、及び電極855〜電極861のレイヤーとの間に位置して
いる。このとき、ゲート線と、電極807〜電極810及び電極851〜電極854に重
なる面積よりも、ゲート線と、画素電極として機能することが可能な電極812、電極8
13、及び電極855〜電極861に重なる面積のほうが大きくなるように、ゲート線を
配置されることが望ましい。画素電極は補助電極上に設けられた絶縁膜上に形成されてい
るため、画素電極と重なる位置にゲート線を配置することで、寄生容量を低減することが
できる。
26(A)〜(C)は、酸化物半導体を用いたボトムゲート型TFTの一態様である。
ている。基板900上に下地絶縁膜を形成してもよい。ゲート電極901及び導電層91
2上にゲート絶縁膜902が形成されている。ゲート絶縁膜902上に電極903及び電
極904が形成されている。電極903はソース電極またはドレイン電極として機能する
ことが可能である。電極904は補助電極として機能することが可能である。電極903
、電極904、及びゲート絶縁膜902上に酸化物半導体でなる半導体層905が形成さ
れている。半導体層905上に絶縁膜906が形成されている。絶縁膜906にコンタク
トホールが形成され、電極904に電気的に接続された電極907が形成されている。電
極907は画素電極として機能することが可能である。電極907上に層908が形成さ
れている。層908は表示媒体を含む層である。層908上に電極909が形成されてい
る。電極909は対向電極として機能することが可能である。電極909上に保護体91
0が形成されている。電極904は、電極907と、電極907と同工程で形成された電
極911との間の領域に少なくとも一部が重なるように形成される。導電層912は、ゲ
ート絶縁膜902を介して電極904と重なっており、保持容量の一方の電極として機能
することが可能である。
ース電極又はドレイン電極が形成されたボトムコンタクト型と呼ばれる構造のTFTを本
実施の形態に適用することができる。
ている。基板920上に下地絶縁膜を形成してもよい。ゲート電極921及び導電層93
2上にゲート絶縁膜922が形成されている。ゲート絶縁膜922上に酸化物半導体でな
る半導体層923が形成されている。半導体層923上に電極924及び電極925が形
成されている。電極924はソース電極またはドレイン電極として機能することが可能で
ある。電極925は補助電極として機能することが可能である。電極924及び電極92
5上に絶縁膜926が形成されている。絶縁膜926にコンタクトホールが形成され、電
極925に電気的に接続された電極927が形成されている。電極927は画素電極とし
て機能することが可能である。電極927上に層928が形成されている。層928は表
示媒体を含む層である。層928上に電極929が形成されている。電極929は対向電
極として機能することが可能である。電極929上に保護体930が形成されている。電
極925は、電極927と、電極927と同工程で形成された電極931との間の領域に
少なくとも一部が重なるように形成される。導電層932は、ゲート絶縁膜922を介し
て電極925と重なっており、保持容量の一方の電極として機能することが可能である。
ース電極又はドレイン電極が形成されたトップコンタクト型と呼ばれる構造のTFTを本
実施の形態に適用することができる。
ている。基板940上に下地絶縁膜を形成してもよい。ゲート電極941及び導電層95
3上にゲート絶縁膜942が形成されている。ゲート絶縁膜942上に酸化物半導体でな
る半導体層943が形成されている。半導体層943上であって、ゲート電極941と重
なる位置にチャネル保護膜944が形成されている。チャネル保護膜944及び半導体層
943上に電極945及び電極946が形成されている。電極945はソース電極または
ドレイン電極として機能することが可能である。電極946は補助電極として機能するこ
とが可能である。電極945及び電極946上に絶縁膜947が形成されている。絶縁膜
947にコンタクトホールが形成され、電極946に電気的に接続された電極948が形
成されている。電極948は画素電極として機能することが可能である。電極948上に
層949が形成されている。層949は表示媒体を含む層である。層949上に電極95
0が形成されている。電極950は対向電極として機能することが可能である。電極95
0上に保護体951が形成されている。電極946は、電極948と、電極948と同工
程で形成された電極952との間の領域に少なくとも一部が重なるように形成される。導
電層953は、ゲート絶縁膜942を介して電極946と重なっており、保持容量の一方
の電極として機能することが可能である。
ャネル保護膜を形成したチャネル保護型と呼ばれる構造のTFTを本実施の形態に適用す
ることができる。
モルファスシリコンを用いた薄膜トランジスタよりも高い移動度を得ることができる。酸
化物半導体膜はスパッタリング法等によって300℃以下の温度で膜形成が可能であり、
多結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタよりも製造工程が簡単である。
nO)m(m>0)で表記されるものがある。ここで、Mは、ガリウム(Ga)、鉄(F
e)、ニッケル(Ni)、マンガン(Mn)及びコバルト(Co)から選ばれた一の金属
元素又は複数の金属元素を示す。例えば、MとしてGaが選択される場合には、Gaのみ
の場合の他に、GaとNiや、GaとFeなど、Ga以外の上記金属元素が選択される場
合を含む。また、上記酸化物半導体において、Mとして含まれる金属元素の他に、不純物
元素としてFe、Niその他の遷移金属元素、又は該遷移金属の酸化物が含まれているも
のがある。本明細書においては、上記酸化物半導体のうち、Mとして少なくともガリウム
を含むものをIn−Ga−Zn−O系酸化物半導体と呼び、当該材料を用いた薄膜をIn
−Ga−Zn−O系非単結晶膜と呼ぶことがある。
したが、本実施の形態の表示装置はパッシブマトリクス型の電界駆動型表示装置でもよい
。
に示したとおりである。電極109及び電極100をストライプ状に形成し、電極101
を電極109及び電極100と直交する方向に延びたストライプ状に形成する。電極10
9は補助電極として機能することができ、電極100は画素電極として機能することがで
き、電極101は対向電極として機能することが可能である。
に電極109又は電極100が形成された状態になっている。言い換えると、電極101
が形成される領域に対向する領域全てに電極109又は電極100が形成されている。す
なわち、このような構成を有することにより、表示不良を低減した電界駆動型表示装置を
得ることができる。
施することができる。
本実施の形態では、本発明の電界駆動型表示装置の一態様について図面を参照して説明
する。
ソース及びドレインと同じ材料を用いて同じ工程で作製する。導電層400は容量電極の
機能を有することが可能である。導電層400は、チタン、モリブデン、タンタル、クロ
ム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜
鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム、ITO、IZO、酸化亜鉛(ZnO)、または酸化錫
(SnO)を用いて、スパッタリング法又はCVD法等により単層または多層で形成する
ことができる。
とが可能である。絶縁膜401には黒色樹脂やカーボンブラック等の遮光性材料、アクリ
ル、ポリイミド、ポリアミド等の樹脂材料等を用いることが好ましい。また、絶縁膜40
1として、感光性アクリル等を用いることも可能である。また、絶縁膜401は、遮光性
材料または樹脂材料と、窒化シリコン等の無機材料との積層構造としてもよい。
とが可能である。導電層402にはチタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステ
ン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウ
ム、ゲルマニウム、ITO、IZO、酸化亜鉛(ZnO)、または酸化錫(SnO)等の
導電性材料を用いることができる。
配置することが可能である。その結果、基板に平行な面において画素領域の全面にわたっ
て隙間無く画素電極や補助電極のような電極を設けることが可能となる。
窒化シリコン系材料等を用いて、プラズマCVD法又はスパッタリング法等により単層ま
たは多層で形成することができる。
404は画素電極として機能することが可能である。電極404は光を吸収する材料で形
成することが好ましい。例えば、クロム、チタン、窒化チタン、モリブデン、タングステ
ン、タンタル、窒化タンタル等の反射率の低い材料が好適である。なお、導電層402と
電極404とを同じ材料で形成することが可能である。これにより作製工程を簡略化でき
る。
。また、絶縁膜403の膜厚は数nm〜2μm程度である。導電層400上に絶縁膜40
1を形成することによって、補助電極として機能する導電層402及び電極404を形成
する面の凹凸を低減することができる。絶縁膜401を形成することによって、導電層4
00と導電層402との容量または電極404と導電層400との容量を低減することが
でき、ノイズの混入やクロストークを防止することができる。
る。ここでは、層405としてマイクロカプセルを用いる例を示しているが、マイクロカ
ップや電子粉流体(登録商標)を用いることも可能である。電極406にはITO、IZ
O等の透光性材料を用いる。
なマスク数が増加するが、絶縁膜401及び絶縁膜403を同時にエッチングしてコンタ
クトホールを形成するため、コンタクトホール形成工程に必要なマスク数は増加しない。
続の方法が異なっている。それ以外は図27と同様であるため、ここでは説明を省略する
。
ようにコンタクトホールを形成しているが、図28では、導電層400上に形成した絶縁
膜401にコンタクトホールを形成して、導電層402を形成している。ここで導電層4
02と導電層400が電気的に接続される。続いて、導電層402上に絶縁膜403を形
成し、コンタクトホールを形成する。コンタクトホールにおいて導電層402と電気的に
接続されるように電極404を形成する。
配置することが可能である。その結果、基板に平行な面において画素領域の全面にわたっ
て隙間無く画素電極や補助電極のような電極を設けることが可能となる。
電気的な接続の方法が異なっている。それ以外は図27及び図28と同様であるため、こ
こでは説明を省略する。
導電層402を形成している。ここで導電層402と導電層400とが電気的に接続され
る。続いて、導電層402上に絶縁膜403を形成し、絶縁膜401及び絶縁膜403に
導電層400に達するコンタクトホールを形成する。コンタクトホールにおいて導電層4
00と電気的に接続されるように電極404を形成する。
配置することが可能である。その結果、基板に平行な面において画素領域の全面にわたっ
て隙間無く画素電極や補助電極のような電極を設けることが可能となる。
した図である。なお、図30には、ゲート線1215及びゲート線1216、電極120
1、電極1217、及び電極1218、配線1202及び配線1219、半導体層120
4、半導体層1220〜半導体層1224、導電層1205、導電層1206、導電層1
208、導電層1210、導電層1211、導電層1225〜導電層1243について示
し、これら以外の構成については省略する。
とが可能である。配線1202及び配線1219は容量配線として機能することが可能で
ある。導電層1205、導電層1225、及び導電層1226はソース線として機能する
ことが可能である。導電層1206、導電層1227、及び導電層1228は、ドレイン
電極または容量配線として機能することが可能である。導電層1208、導電層1229
〜導電層1236は補助電極として機能することが可能である。導電層1210、導電層
1211、及び導電層1237〜導電層1243は画素電極として機能することが可能で
ある。
配線1202となる。基板1200としては、ガラス基板、プラスチック基板等を用いる
ことができる。電極1201及び配線1202となる導電膜は、チタン、モリブデン、タ
ンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、
シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム、インジウム錫酸化物(以下、ITO)、
酸化インジウム酸化亜鉛(以下、IZO)、酸化亜鉛(ZnO)、または酸化錫(SnO
)を用いて、スパッタリング法又はCVD法等により単層または多層で形成することがで
きる。また、導電膜を形成する前に基板1200上に下地膜を形成してもよい。下地膜と
しては、酸化シリコン系材料膜又は窒化シリコン系材料膜等により絶縁膜を単層で、又は
積層して形成することができる。なお、酸化シリコン系材料とは、酸素とシリコンとを主
成分とする酸化シリコン、又は酸化シリコンが窒素を含有し、且つ、酸素の含有量が窒素
の含有量よりも多い酸化窒化シリコンをいう。窒化シリコン系材料とは、窒素とシリコン
とを主成分とする窒化シリコン、又は窒化シリコンが酸素を含有し、窒素の含有量が酸素
の含有量よりも多い窒化酸化シリコンをいう。なお、図30に示す電極1217及び電極
1218、ゲート線1215及びゲート線1216、及び配線1219は、電極1201
及び配線1202と同工程で形成される。
シリコン系材料又は窒化シリコン系材料等を用いて、プラズマCVD法又はスパッタリン
グ法等により形成することができる。絶縁膜1203は、ゲート絶縁膜としての機能を有
することが可能である。また、絶縁膜1203は、保持容量の絶縁膜としての機能を有す
ることが可能である。
を形成する。半導体層1204a及び半導体層1204bは絶縁膜1203を介して電極
1201と重なる位置に形成する。なお、図30に示す半導体層1220〜半導体層12
24は、半導体層1204a及び半導体層1204bと同工程で形成される。
晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコン、ヒ化ガリウム(GaAs)等の化合物半
導体、酸化亜鉛(ZnO)、In−Ga−Zn−O系等の酸化物半導体、又は有機半導体
材料等を用いることが可能であるが、ここではアモルファスシリコンを用いた場合につい
て説明する。
ト法又は印刷法等により形成することができる。なお、半導体層1204aは、トランジ
スタのチャネル領域として機能する部分を含むことが可能である。
の均一性が高く、且つ、製造コストが小さいという利点がある。特に、対角の長さが50
0mmを超えるような大型の基板にトランジスタを作製する場合に有効である。
高い半導体材料等を用いることができる。半導体層1204bは、その機能により、バッ
ファ層又はn+層と表すこともできる。なお、半導体層1204bは、ソース及びドレイ
ンとして機能する部分を含むことが可能である。
レインの一方として機能する部分を含むことが可能である。導電層1206はソース及び
ドレインの他方として機能する部分を含むことが可能である。また、導電層1206は、
配線1202と一部が重なるように形成する。導電層1205及び導電層1206は、チ
タン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀
、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム、ITO、IZO、
酸化亜鉛(ZnO)、または酸化錫(SnO)を用いて、スパッタリング法又はCVD法
等により単層または多層で形成することができる。なお、図30に示す導電層1225〜
導電層1228は、導電層1205及び導電層1206と同工程で形成される。
絶縁膜1207は酸化シリコン系材料又は窒化シリコン系材料等を用いて、プラズマCV
D法又はスパッタリング法等により形成することができる。また、絶縁膜1207として
、有機材料を単層または多層で形成してもよい。例えば、アクリル、ポリイミド、ポリア
ミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、エポキシ等を用いることができる。また
、絶縁膜1207は有機材料と無機材料との積層構造としてもよい。また、絶縁膜120
7として遮光性を有する材料又はカラーフィルタを用いてもよい。遮光性を有する材料と
しては、カーボンブラック、黒色顔料を含む有機樹脂等が挙げられる。
、タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオ
ブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム、ITO、IZO、酸化亜鉛(ZnO
)、または酸化錫(SnO)を用いて、スパッタリング法又はCVD法等により単層また
は多層で形成することができる。図30に示す導電層1229〜導電層1236は、導電
層1208と同工程で形成される。
ン系材料又は窒化シリコン系材料等を用いて、プラズマCVD法又はスパッタリング法等
により形成することができる。また、絶縁膜1209として、有機材料を単層または多層
で形成してもよい。例えば、アクリル、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベ
ンゾシクロブテン、エポキシ等を用いることができる。また、絶縁膜1209は有機材料
と無機材料との積層構造としてもよい。また、絶縁膜1209として遮光性を有する材料
を用いてもよい。遮光性を有する材料としては、カーボンブラック、黒色顔料を含む有機
樹脂等が挙げられる。
ンタクトホールと、導電層1208に達するコンタクトホールとを同時に形成する。続い
て、導電層1206及び導電層1208と電気的に接続された導電層1210を形成する
。導電層1210と同工程で、導電層1211、図30に示す導電層1237〜導電層1
243が形成される。
て、導電層1210と導電層1211との隙間の領域にも形成されている。このような構
造にすることによって、表示不良が起こりにくい電界駆動型表示装置が得られる。
を含む層である。層1212として、例えば、マイクロカプセルが分散されて固定された
構成等が挙げられる。
、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金
、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム等の金属材料、ITO、
IZO等の透光性材料等を用いることができる。
板や、樹脂基板、フィルム基板、ガラス基板等を用いることができる。
る。また、絶縁膜1209の膜厚は数nm〜2μm程度である。導電層1205及び導電
層1206上に絶縁膜1207を形成することによって、補助電極として機能する導電層
1208を形成する面の凹凸を低減することができる。絶縁膜1207を形成することに
よって、導電層1206と導電層1208との容量または導電層1206と導電層121
0との容量を低減することができ、ノイズの混入やクロストークを防止することができる
。
るように配置されている。また、導電層1232は、導電層1238、導電層1239、
導電層1211、及び導電層1210と一部が重なるように配置されている。また、導電
層1233は、導電層1239、導電層1240、導電層1210、及び導電層1237
と一部が重なるように配置されている。また、導電層1229は、導電層1211及び導
電層1241と一部が重なるように配置されている。また、導電層1208は、導電層1
211、導電層1210、導電層1241、及び導電層1242と一部が重なるように配
置されている。また、導電層1230は、導電層1210、導電層1237、導電層12
42、及び導電層1243と一部が重なるように配置されている。また、導電層1234
は、導電層1241と一部が重なるように配置されている。また、導電層1235は、導
電層1241及び導電層1242と一部が重なるように配置されている。また、導電層1
236は、導電層1242及び導電層1243と一部が重なるように配置されている。
。
施することができる。
図40は、本発明の電界駆動型表示装置の一態様の上面図である。本実施の形態では、
補助電極として機能する電極の配置について説明する。
403及びゲート線1404が形成されている。ゲート電極1401上に半導体層140
5が形成され、ゲート電極1402上に半導体層1406が形成されている。半導体層1
405上にソース電極1407及びドレイン電極1408が形成されている。半導体層1
406上にソース電極1409及びドレイン電極(図示せず)が形成されている。ソース
電極1407及びソース電極1409はソース線ともいう。ドレイン電極1408上に絶
縁膜を介して、ドレイン電極1408と電気的に接続された電極1410が形成されてい
る。電極1410と同工程で電極1411〜電極1413が形成される。電極1410上
に絶縁膜を介して、電極1410と電気的に接続された電極1414が形成されている。
電極1414と同工程で電極1415〜電極1417が形成される。電極1410〜電極
1413は画素電極として機能することが可能である。電極1414〜電極1417は補
助電極として機能することが可能である。
えば、電極1410を中心に見た場合、電極1410と電極1412との隙間はゲート線
方向に延びており、電極1410と電極1413との隙間はソース線方向に延びている。
図40(A)に示すように、画素電極と隣接する画素電極との隙間のうち、ソース線方向
に延びた隙間に、補助電極を配置してもよい。図40(A)では、電極1410と電極1
413との隙間に電極1414が配置され、電極1411と電極1412との隙間に電極
1415が配置されている。電極1416は電極1412と電極1412の右隣の電極(
図示せず)との隙間に配置されている。電極1417は、電極1410と電極1410の
右隣の電極(図示せず)との隙間に配置されている。
3及びゲート線1454が形成されている。ゲート電極1451上に半導体層1455が
形成され、ゲート電極1452上に半導体層1456が形成されている。半導体層145
5上にソース電極1457及びドレイン電極1458が形成されている。半導体層145
6上にソース電極1459及びドレイン電極(図示せず)が形成されている。ソース電極
1457及びソース電極1459はソース線ともいう。ドレイン電極1458上に絶縁膜
を介して、ドレイン電極1458と電気的に接続された電極1460が形成されている。
電極1460と同工程で電極1461〜電極1463が形成されている。電極1460上
に絶縁膜を介して、電極1460と電気的に接続された電極1464が形成されている。
電極1464と同工程で電極1465〜電極1467が形成される。電極1460〜電極
1463は画素電極として機能することが可能である。電極1464〜電極1467は補
助電極として機能することが可能である。電極1460と電極1462との隙間に電極1
465が配置されている。
。
施することができる。
図32〜図34は、本発明の電界駆動型表示装置の一態様の断面模式図である。
させる構造を示している。
電極501上に絶縁膜502を形成する。絶縁膜502にコンタクトホールを形成し、電
極501に電気的に接続される電極503を形成する。電極503上に層504を形成す
る。層504は表示媒体を含む層である。層504上に電極505を形成する。電極50
5上に絶縁膜506R、絶縁膜506G、及び絶縁膜506Bを形成する。なお、電極5
01は補助電極として機能し、電極503は画素電極として機能し、電極505は対向電
極として機能することが可能である。
有する材料を用いて形成してもよい。遮光性を有する材料としては、カーボンブラック、
黒色顔料を含む有機樹脂等が挙げられる。絶縁膜506Rは赤色のカラーフィルタとして
機能することが可能である。絶縁膜506Gは緑色のカラーフィルタとして機能すること
が可能である。絶縁膜506Bは青色のカラーフィルタとして機能することが可能である
。
置が図32(A)とは異なっている。図32(B)では、電極503上に絶縁膜506R
、絶縁膜506G、及び絶縁膜506Bを形成する。
させる構造を示している。
B上に電極511を形成する。電極511上に絶縁膜512を形成する。絶縁膜512に
コンタクトホールを形成し、電極511に電気的に接続される電極513を形成する。電
極513上に層514を形成する。層514は表示媒体を含む層である。層514上に電
極515を形成する。電極515上に絶縁膜516を形成する。なお、電極511は補助
電極として機能し、電極513は画素電極として機能し、電極515は対向電極として機
能することが可能である。絶縁膜510Rは赤色のカラーフィルタとして機能し、絶縁膜
510Gは緑色のカラーフィルタとして機能し、絶縁膜510Bは青色のカラーフィルタ
として機能することが可能である。また、絶縁膜516は、遮光性を有する材料を用いて
形成してもよい。遮光性を有する材料としては、カーボンブラック、黒色顔料を含む有機
樹脂等が挙げられる。
上に絶縁膜512R、絶縁膜512G、及び絶縁膜512Bを形成する。絶縁膜512R
、絶縁膜512G、及び絶縁膜512Bにコンタクトホールを形成し、電極511に電気
的に接続される電極513を形成する。電極513上に層514を形成する。層514は
表示媒体を含む層である。層514上に電極515を形成する。電極515上に絶縁膜5
16を形成する。なお、電極511は補助電極として機能し、電極513は画素電極とし
て機能し、電極515は対向電極として機能することが可能である。絶縁膜512Rは赤
色のカラーフィルタとして機能し、絶縁膜512Gは緑色のカラーフィルタとして機能し
、絶縁膜512Bは青色のカラーフィルタとして機能することが可能である。また、絶縁
膜516は、遮光性を有する材料を用いて形成してもよい。遮光性を有する材料としては
、カーボンブラック、黒色顔料を含む有機樹脂等が挙げられる。
電極として機能することが可能な電極524側に表示させる構造の場合を示している。ど
ちらか一方の面から見たときに背景が透けにくくするため、偏光板を両面に配置すること
が可能である。
T等を含む層である。層521上に電極522を形成する。なお、層521上に電極52
2が形成された図を示しているが、電極522は層521に含まれるTFTのソース電極
又はドレイン電極であってもよい。また、電極522は層521に含まれるTFTのソー
ス電極又はドレイン電極と電気的に接続されている。電極522上に絶縁膜523を形成
する。絶縁膜523にコンタクトホールを形成し、電極522に電気的に接続される電極
524を形成する。電極524上に層525を形成する。層525は表示媒体を含む層で
ある。層525上に電極526を形成する。電極526上に基板527を形成する。基板
520及び基板527はガラス基板、プラスチック基板等を用いることができる。電極5
22は補助電極として機能し、電極524は画素電極として機能し、電極526は対向電
極として機能することが可能である。基板520に接して偏光板528が設けられ、基板
527に接して偏光板529が設けられている。偏光板528と偏光板529とは、偏光
軸が直交したクロスニコルとなっている。
B)では基板520と層521との間にカラーフィルタ530R、カラーフィルタ530
G、カラーフィルタ530Bを設け、基板527と電極526との間にカラーフィルタ5
31R、カラーフィルタ531G、カラーフィルタ531Bを設けている。カラーフィル
タ530R及びカラーフィルタ531Rは赤色のカラーフィルタであり、カラーフィルタ
530G及びカラーフィルタ531Gは緑色のカラーフィルタであり、カラーフィルタ5
30B及びカラーフィルタ531Bは青色のカラーフィルタである。
得ることができる。
施することができる。なお、本実施の形態で述べる内容は一例であり、これに限定されな
い。
本実施の形態では、本発明の電界駆動型表示装置の画素電極と補助電極との位置関係に
ついて図面を参照して説明する。
にコンタクトホールが形成され、電極1001に電気的に接続されるように電極1003
を形成する。電極1003上に層1004を形成する。層1004は表示媒体を含む層で
ある。層1004上に電極1005を形成する。電極1006は電極1003と同工程で
形成される、隣接する画素の電極である。電極1001は電極1003と電極1006と
の間の領域と重なり、且つ、電極1006と一部が重なるように形成されている。電極1
001は補助電極として機能し、電極1003及び電極1006は画素電極として機能し
、電極1005は対向電極として機能することが可能である。本明細書において、補助電
極とは画素電極の面積と同等または画素電極の面積よりも小さい電極を意味する。
1003との間の長さをQ2とする。絶縁膜1002の膜厚をQ3とする。このとき、電
極1001と電極1006とが重なるような領域を有するように形成する(Q1>0)こ
と、及びQ1<Q2となるような領域を有するように形成することが可能である、これに
より、製造ばらつきを低減することができる。さらに、層1004に含まれる表示媒体に
電界をほぼ均一に加えることができるので、残像が生じにくい電界駆動型表示装置を製造
することができる。ただし、本実施の形態の一態様はこれらに限定されない。なお、電極
1001と電極1006とが重なることによって生じる寄生容量の影響を考慮して、Q1
<Q3となるような領域を有するように形成することが好ましい。
タクト部)から電極1006までの長さから、電極1001が電極1003と重なってい
ない長さ(電極1006と電極1003との間の長さをQ2とする)を引いた長さ、すな
わち、電極1003と電極1001が重なっている長さをQ4とする。電極1003のコ
ンタクト部から電極1001の端部までの距離をQ5とする。Q4及びQ5は、マスクず
れ等を考慮して、Q4>0、Q5>0となるような領域を有することが好ましい。このと
き、Q1<Q4及びQ1<Q5となるような領域を有することが好ましい。ただし、本実
施の形態の一態様はこれらに限定されない。
成位置が図35(A)と異なっている。電極1001は電極1003に電気的に接続され
、電極1003と電極1006との間の領域と一部が重なり、電極1006とは重ならな
いように形成されている。図35(B)においても、電極1001は補助電極として機能
し、電極1003及び電極1006は画素電極として機能し、電極1005は対向電極と
して機能することが可能である。
との間の領域と重なる位置において、電極1001が形成された領域の長さをQ7とし、
電極1001が形成されていない領域の長さをQ8とする。なお、Q6>Q7、かつ、Q
6>Q8である。また、層1004に含まれる表示媒体に電界をほぼ均一に加えるため、
Q7>Q8となるような領域を有することが好ましいが、これに限定されない。また、電
極1003と電極1006との間の領域と重なる位置において、電極1001が形成され
ない領域を設け(Q8>0)、Q3>Q8となるような領域を有するように形成すること
が可能である。これにより、画素(電極1003を含む画素)と隣接する画素(電極10
06を含む画素)とのクロストークの影響を低減することができる。
タクト部)から電極1006までの長さから、電極1003と電極1006との間の長さ
(Q6)を引いた長さ、すなわち、電極1003と電極1001が重なっている長さをQ
9とする。電極1003のコンタクト部から電極1001の端部までの距離をQ10とす
る。Q9及びQ10は、マスクずれ等を考慮して、Q9>0、Q10>0となるような領
域を有することが好ましいが、これらに限定されない。このとき、Q8<Q9、Q8<Q
10、Q7<Q9、及びQ7<Q10を満たすような領域を有するようことが好ましいが
、これらに限定されない。
極1001を形成してもよいし、一部に重なるように電極1001を形成してもよい。電
極1003と隣接する電極1006との間の領域の一部に重なるように電極1001を形
成した場合であっても、電極1003と隣接する電極1006との間に、電極1001に
よって生じる電界が発生するため、電極1001を形成しない場合に比べて残像が生じに
くい電界駆動型表示装置を製造することができる。
施することができる。
本実施の形態では、アモルファスシリコンを用いたTFTを適用した表示装置の作製工
程について説明する。
形状に加工(パターニング)することで、電極1101、電極1102、導電層1121
、及び導電層1122を形成する。基板1100には、例えば、バリウムホウケイ酸ガラ
スや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、セラミック基板、プラスチック基板
等を用いることができる。電極1101及び電極1102はゲート電極として機能するこ
とが可能である。電極1101、電極1102、導電層1121、及び導電層1122と
なる導電膜としては、チタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニ
ウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニ
ウム、インジウム錫酸化物(以下、ITO)、酸化インジウム酸化亜鉛(以下、IZO)
、酸化亜鉛(ZnO)、または酸化錫(SnO)を用いて、スパッタリング法又はCVD
法等により単層または多層で形成することができる。
膜1103を形成する。絶縁膜1103は、酸化シリコン系材料又は窒化シリコン系材料
等を用いて、プラズマCVD法又はスパッタリング法等により単層または多層で形成する
ことができる。絶縁膜1103は、ゲート絶縁膜としての機能を有することが可能である
。また、導電層1121及び導電層1122を保持容量の電極として機能させる場合、当
該導電層に接して形成された絶縁膜1103は、保持容量の絶縁膜としての機能を有する
ことが可能である。
〜200nm(好ましくは50nm〜150nm)とする。半導体膜1104としては、
フォトリソグラフィ法、インクジェット法、又は印刷法等によりアモルファスシリコンを
形成する。
等を含んだシリコン、半導体膜1104よりも導電率の高い半導体材料等を用いることが
できる。
することが可能である。すなわち、大気成分や大気中に浮遊する不純物元素に汚染される
ことなく、各積層界面を形成することができるので、トランジスタ特性のばらつきを低減
することができる。
1105を所望の形状に加工(パターニング)して、半導体膜1104及び半導体膜11
05が島状に分離され、半導体層1107及び半導体層1108が形成される。
。導電膜1109は、チタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニ
ウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニ
ウム、ITO、IZO、酸化亜鉛(ZnO)、または酸化錫(SnO)を用いて、スパッ
タリング法又はCVD法等により単層または多層で形成することができる。
109をパターニングすることで、ソース電極またはドレイン電極として機能することが
可能な電極を形成するためのマスクであり、同時に半導体層1108の一部を取り除き、
チャネル領域を形成するためのエッチングマスクとして併用されるものである。導電膜1
109はパターニングされ、電極1109a〜電極1109eとなる。電極1109b及
び電極1109dは補助電極として機能することが可能である。
。絶縁膜1111としては、スパッタリング法やグロー放電分解法により窒化シリコン等
を形成する。絶縁膜1111を形成することにより、チャネル領域を保護することができ
る。
が可能であり、半導体層1108はトランジスタのソース領域及びドレイン領域として機
能する部分を含むことが可能である。
リコン系材料等を用いて、プラズマCVD法又はスパッタリング法等により形成すること
ができる。また、絶縁膜1112として、有機材料を単層または多層で形成してもよい。
例えば、アクリル、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、
エポキシ等を用いることができる。また、絶縁膜1112は有機材料と無機材料との積層
構造としてもよい。また、絶縁膜1112として遮光性を有する材料を用いてもよい。遮
光性を有する材料としては、カーボンブラック、黒色顔料を含む有機樹脂等が挙げられる
。さらに、絶縁膜1112上に絶縁膜1113を設けることが好ましい。絶縁膜1113
を形成することにより、水分の侵入等を防ぐことができる。絶縁膜1113としては窒化
シリコン等を用いることが好ましい。
極1109b及び電極1109dが一部露出するように開口部を形成する。そして該開口
部において電極1109bに電気的に接続する電極1114と、電極1109dに電気的
に接続する電極1115とを形成する。電極1114及び電極1115は画素電極として
機能することが可能である。
、及び基板1120が形成され、または配置され、または貼り付けられている。層111
6は表示媒体を含む層である。ここでは、分散剤1117にマイクロカプセル1118を
固定した構成を示している。
ルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲ
ルマニウム、ITO、IZO、酸化亜鉛(ZnO)、または酸化錫(SnO)を用いて、
単層または多層で形成することができる。導電膜1119は対向電極として機能すること
が可能である。
ック基板、ステンレス基板、ステンレスホイル基板等を用いることができる。
施することができる。なお、本実施の形態で述べる内容は一例であり、これに限定されな
い。
本実施の形態では、酸化物半導体を用いたTFTを適用した表示装置の作製工程につい
て説明する。
形状に加工(パターニング)することで、電極1301、電極1302、導電層1319
、及び導電層1320を形成する。基板1300には、例えば、バリウムホウケイ酸ガラ
スや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、セラミック基板、プラスチック基板
等を用いることができる。電極1301及び電極1302はゲート電極として機能するこ
とが可能である。電極1301、電極1302、導電層1319、及び導電層1320と
なる導電膜としては、チタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニ
ウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニ
ウム、インジウム錫酸化物(以下、ITO)、酸化インジウム酸化亜鉛(以下、IZO)
、酸化亜鉛(ZnO)、または酸化錫(SnO)を用いて、スパッタリング法又はCVD
法等により単層または多層で形成することができる。
膜1303を形成する。絶縁膜1303は、酸化シリコン系材料又は窒化シリコン系材料
等を用いて、プラズマCVD法又はスパッタリング法等により単層または多層で形成する
ことができる。絶縁膜1303は、ゲート絶縁膜としての機能を有することが可能である
。また、導電層1319及び導電層1320を保持容量の電極として機能させる場合、当
該導電層に接して形成された絶縁膜1303は、保持容量の絶縁膜としての機能を有する
ことが可能である。
る材料または光透過率が高い材料を用いて、単層または多層で形成する。半導体膜130
4は、酸化物半導体を用いて形成する。酸化物半導体として、例えば、In−Ga−Zn
−O系、In−Sn−Zn−O系、In−Al−Zn−O系、Sn−Ga−Zn−O系、
Al−Ga−Zn−O系、Sn−Al−Zn−O系、In−Zn−O系、Sn−Zn−O
系、Al−Zn−O系、In−O系、Sn−O系、Zn−O系の材料を用いることができ
る。酸化物半導体膜は、希ガス(代表的にはアルゴン)雰囲気下、酸素雰囲気下、又は希
ガス(代表的にはアルゴン)及び酸素雰囲気下において、スパッタリング法により形成す
ることができる。また、スパッタリング法を用いる場合、酸化シリコンを2重量%以上1
0重量%以下の割合で含むターゲットを用いて成膜を行い、酸化物半導体膜に結晶化を阻
害する酸化シリコンを含ませることが好ましい。これによって、結晶化を抑制することが
できる。また、半導体膜1304を成膜する前に、アルゴンガスを導入してプラズマを発
生させる逆スパッタを行い、絶縁膜1303の表面に付着しているゴミを除去することが
好ましい。逆スパッタとは、ターゲット側に電圧を印加せずに、アルゴン雰囲気下で基板
側にRF電源を用いて電圧を印加して基板近傍にプラズマを形成して表面を改質する方法
である。なお、アルゴン雰囲気に代えて、窒素、ヘリウム、酸素などを用いてもよい。
に加工(パターニング)して、半導体膜1304が島状に分離され、半導体層1306が
形成される。
。導電膜1307は、チタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニ
ウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニ
ウム、ITO、IZO、酸化亜鉛(ZnO)、または酸化錫(SnO)を用いて、スパッ
タリング法又はCVD法等により単層または多層で形成することができる。
307をパターニングすることで、ソース電極またはドレイン電極として機能することが
可能な電極を形成するためのマスクである。導電膜1307がパターニングされ、電極1
309a〜電極1309eとなる。電極1309b及び電極1309dは補助電極として
機能することが可能である。
。絶縁膜1310は、酸化シリコン系材料又は窒化シリコン系材料等を用いて、プラズマ
CVD法又はスパッタリング法等により形成することができる。また、絶縁膜1310と
して、有機材料を単層または多層で形成してもよい。例えば、アクリル、ポリイミド、ポ
リアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、エポキシ等を用いることができる。
また、絶縁膜1310は有機材料と無機材料との積層構造としてもよい。また、絶縁膜1
310として遮光性を有する材料を用いてもよい。遮光性を有する材料としては、カーボ
ンブラック、黒色顔料を含む有機樹脂等が挙げられる。さらに、絶縁膜1310上に絶縁
膜1311を設けることが好ましい。絶縁膜1311を形成することにより、水分の侵入
等を防ぐことができる。絶縁膜1311としては窒化シリコン等を用いることが好ましい
。
極1309dが一部露出するように開口部を形成する。そして該開口部において電極13
09bに電気的に接続する電極1312と、電極1309dに電気的に接続する電極13
13とを形成する。電極1312及び電極1313は画素電極として機能することが可能
である。
、及び基板1318が形成され、または配置され、または貼り付けられている。層131
4は表示媒体を含む層である。ここでは、分散剤1315にマイクロカプセル1316を
固定した構成を示している。
ルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲ
ルマニウム、ITO、IZO、酸化亜鉛(ZnO)、または酸化錫(SnO)を用いて、
単層または多層で形成することができる。導電膜1317は対向電極として機能すること
が可能である。
ラミック基板、ステンレス基板、ステンレスホイル基板等を用いることができる。
過率が高い。酸化物半導体を用いたTFTを適用した場合、配線材料に透光性を有する材
料または光透過率が高い材料を用いて、TFT基板側を表示面とする表示装置としてもよ
い。
料で形成し、電極1301及び電極1302を金属材料で形成することも可能である。画
素内の素子を透明な材料で形成することにより、開口率を向上させることができる。さら
に、配線となる部分を金属材料で形成することにより、抵抗を下げることができる。
施することができる。なお、本実施の形態で述べる内容は一例であり、これに限定されな
い。
上記実施の形態で示した表示装置は、情報を表示するものであればあらゆる分野の電子
機器に用いることが可能である。例えば、上記実施の形態で示した表示装置を用いて、電
子書籍(電子ブック)、ポスター、電車などの乗り物の車内広告、クレジットカード等の
各種カードにおける表示等を行うことができる。
印刷物である場合には、広告の交換は人手によって行われるが、上記実施の形態で示した
表示装置を用いれば短時間で広告の表示を変えることができる。また、表示も崩れること
なく安定した画像が得られる。なお、ポスターは無線で情報を送受信できる構成としても
よい。
が紙の印刷物である場合には、広告の交換は人手によって行われるが、上記実施の形態で
示した表示装置を用いれば人手を多くかけることなく短時間で広告の表示を変えることが
できる。また、表示も崩れることなく安定した画像が得られる。なお、車内広告は無線で
情報を送受信できる構成としてもよい。
1600および筐体1601の2つの筐体で構成されている。筐体1600および筐体1
601は、蝶番1604により一体となっており、開閉動作を行うことができる。このよ
うな構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となる。
み込まれている。表示部1602および表示部1603は、続き画面を表示する構成とし
てもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とする
ことで、例えば、右側の表示部(図42(A)では表示部1602)に文章を表示し、左
側の表示部(図42(A)では表示部1603)に画像を表示することができる。
、筐体1600は、電源1605、操作キー1606、スピーカ1607などを備えてい
る。操作キー1606により、ページを送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面
にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏
面や側面に、外部接続用端子(イヤホン端子、USB端子、またはACアダプタおよびU
SBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など)、記録媒体挿入部などを備える
構成としてもよい。さらに、図42(A)に示す電子書籍は、電子辞書としての機能を持
たせた構成としてもよい。
無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構
成とすることも可能である。
に示すデジタルフォトフレームは、筐体1611に表示部1612が組み込まれている。
表示部1612は、各種画像を表示することが可能であり、例えば、デジタルカメラなど
で撮影した画像データを表示させることで、通常の写真立てと同様に機能させることがで
きる。
B端子、USBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など)、記録媒体挿入部な
どを備える構成とするとよい。これらの構成は、表示部と同一面に組み込まれていてもよ
いが、側面や裏面に備えるとデザイン性が向上するため好ましい。例えば、デジタルフォ
トフレームの記録媒体挿入部に、デジタルカメラで撮影した画像データを記録したメモリ
を挿入して画像データを取り込み、取り込んだ画像データを表示部1612に表示させる
ことができる。
としてもよい。無線により、所望の画像データを取り込み、表示させる構成とすることも
できる。
ョン装置は、筐体1621に表示部1622が組み込まれている。表示部1622により
映像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド1623により筐体162
1を支持した構成をしている。
別体のリモコン操作機により行うことができる。リモコン操作機が備える操作キーにより
、チャンネルや音量の操作を行うことができる。また、リモコン操作機が備える操作キー
により、表示部1622に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作
機に、当該リモコン操作機から出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい
。
てもよい。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介し
て有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受
信者)または双方向(送信者と受信者間、あるいは受信者同士など)の情報通信を行うこ
とも可能である。
筐体1631に組み込まれた表示部1632の他、操作ボタン1633、操作ボタン16
37、外部接続ポート1634、スピーカ1635、マイク1636などを備えている。
どの接触により、表示部1632の表示内容を操作することができる。また、電話の発信
、或いはメールの作成は、表示部1632を指などで接触することにより行うことができ
る。
主とする表示モードである。第2のモードは、文字などの情報の入力を主とする入力モー
ドである。第3のモードは、表示モードと入力モードの2つのモードが混合したモードで
ある。
主とする入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表
示部1632の画面の大部分の領域にキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好
ましい。
検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機の向き(縦または横)を判
断して、表示部1632のモード(または表示情報)を自動的に切り替えるようにするこ
とができる。
作ボタン1637の操作により行われる。また、表示部1632に表示される画像の種類
によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画
のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替えることがで
きる。
示部1632のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モー
ドから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
632を掌や指で触れることで、掌紋、指紋などをイメージセンサで撮像することで、本
人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤
外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもでき
る。
能である。
他の実施の形態において、様々な例が示されているが、本実施の形態では、他の実施の
形態において示す内容の一部または全部について、変更、修正、追加、削除、置き換え、
適用、応用などを行う場合の一例を示す。または、本実施の形態では、他の実施の形態に
おいて示す内容とは、別の例について示す。または、本実施の形態では、他の実施の形態
において示す内容の詳細な例について示す。または、本実施の形態では、他の実施の形態
において示す内容の上位概念の例について示す。または、本実施の形態では、本実施の形
態および他の実施の形態において示す内容の定義の一例について示す。
定されない。
有する装置である発光装置は、様々な形態を用いること、又は様々な素子を有することが
できる。表示素子、表示装置、発光素子又は発光装置の一例としては、EL(エレクトロ
ルミネッセンス)素子(有機物及び無機物を含むEL素子、有機EL素子、無機EL素子
)、LED(白色LED、赤色LED、緑色LED、青色LEDなど)、トランジスタ(
電流に応じて発光するトランジスタ)、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動
素子、グレーティングライトバルブ(GLV)、デジタルマイクロミラーデバイス(DM
D)、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブ、など、電気磁気的作用によ
り、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化する表示媒体を有するものがある。
EL素子を用いた表示装置の一例としては、ELディスプレイなどがある。電子放出素子
を用いた表示装置の一例としては、フィールドエミッションディスプレイ(FED)又は
SED方式平面型ディスプレイ(SED:Surface−conduction El
ectron−emitter Display)などがある。液晶素子を用いた表示装
置の一例としては、液晶ディスプレイ(透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプ
レイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ)な
どがある。電子インク又は電気泳動素子を用いた表示装置の一例としては、電子ペーパー
などがある。
有する素子などがある。EL層の一例としては、1重項励起子からの発光(蛍光)を利用
するもの、3重項励起子からの発光(燐光)を利用するもの、1重項励起子からの発光(
蛍光)を利用するものと3重項励起子からの発光(燐光)を利用するものとを含むもの、
有機物によって形成されたもの、無機物によって形成されたもの、有機物によって形成さ
れたものと無機物によって形成されたものとを含むもの、高分子の材料を含むもの、低分
子の材料の材料を含むもの、又は高分子の材料と低分子の材料とを含むもの、などがある
。ただし、これに限定されず、EL素子として様々なものを用いることができる。
。具体的には、電子放出素子の一例としては、スピント型、カーボンナノチューブ(CN
T)型、金属―絶縁体―金属を積層したMIM(Metal−Insulator−Me
tal)型、金属―絶縁体―半導体を積層したMIS(Metal−Insulator
−Semiconductor)型、MOS型、シリコン型、薄膜ダイオード型、ダイヤ
モンド型、金属―絶縁体―半導体−金属型等の薄膜型、HEED型、EL型、ポーラスシ
リコン型、又は表面伝導(SCE)型などがある。ただし、これに限定されず、電子放出
素子として様々なものを用いることができる。
など)、粒子により表示されるもの(電気泳動、粒子移動、粒子回転、相変化など)、フ
ィルムの一端が移動することにより表示されるもの、分子の発色/相変化により表示され
るもの、分子の光吸収により表示されるもの、又は電子とホールが結合して自発光により
表示されるものなどを用いることができる。具体的には、電子ペーパーの駆動方式、材料
、及び素子としては、マイクロカプセル型電気泳動、水平移動型電気泳動、垂直移動型電
気泳動、球状ツイストボール、磁気ツイストボール、円柱ツイストボール方式、帯電トナ
ー、電子粉流体(登録商標)、磁気泳動型、磁気感熱式、エレクトロウェッティング、光
散乱(透明白濁変化)、コレステリック液晶/光導電層、コレステリック液晶、双安定性
ネマチック液晶、強誘電性液晶、2色性色素・液晶分散型、可動フィルム、ロイコ染料発
消色、フォトクロミック、エレクトロクロミック、エレクトロデポジション、フレキシブ
ル有機ELなどがある。ただし、これに限定されず、電子ペーパー及びその表示方法とし
て様々なものを用いることができる。ここで、マイクロカプセル型電気泳動を用いること
によって、粒子の凝集、沈殿を解決することができる。電子粉流体(登録商標)は、高速
応答性、高反射率、広視野角、低消費電力、メモリ性などのメリットを有する。
イ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投
射型液晶ディスプレイ)、グレーティングライトバルブ(GLV)を用いた表示装置、デ
ジタルマイクロミラーデバイス(DMD)を用いた表示装置などの光源の一例としては、
エレクトロルミネッセンス、冷陰極管、熱陰極管、LED、レーザー光源、水銀ランプな
どを用いることができる。ただし、これに限定されず、光源して様々なものを用いること
ができる。
て、用いるトランジスタの種類に限定はない。トランジスタの一例としては、非晶質シリ
コン、多結晶シリコン、微結晶(マイクロクリスタル、ナノクリスタル、セミアモルファ
スとも言う)シリコンなどに代表される非単結晶半導体膜を有する薄膜トランジスタ(T
FT)などを用いることができる。TFTを用いる場合、様々なメリットがある。例えば
、単結晶シリコンの場合よりも低い温度で製造できるため、製造コストの削減、又は製造
装置の大型化を図ることができる。製造装置を大きくできるため、大型基板上に製造でき
る。そのため、同時に多くの個数の表示装置を製造できるため、低コストで製造できる。
または、製造温度が低いため、耐熱性の弱い基板を用いることができる。そのため、透光
性を有する基板上にトランジスタを製造できる。または、透光性を有する基板上のトラン
ジスタを用いて表示素子での光の透過を制御することができる。または、トランジスタの
膜厚が小さいため、トランジスタを形成する膜の一部は、光を透過させることができる。
そのため、開口率を向上させることができる。
結晶性をさらに向上させ、電気特性のよいトランジスタを製造することが可能となる。そ
の結果、ゲートドライバ回路(走査線駆動回路)、ソースドライバ回路(信号線駆動回路
)、及び信号処理回路(信号生成回路、ガンマ補正回路、DA変換回路など)を基板上に
一体形成することができる。
結晶性をさらに向上させ、電気特性のよいトランジスタを製造することが可能となる。こ
のとき、レーザー照射を行うことなく、熱処理を加えるだけで、結晶性を向上させること
も可能である。その結果、ソースドライバ回路の一部(アナログスイッチなど)及びゲー
トドライバ回路(走査線駆動回路)を基板上に一体形成することができる。なお、結晶化
のためにレーザー照射を行わない場合は、シリコンの結晶性のムラを抑えることができる
。そのため、画質の向上した画像を表示することができる。ただし、触媒(ニッケルなど
)を用いずに、多結晶シリコン又は微結晶シリコンを製造することは可能である。
体で行うことが望ましいが、それに限定されない。パネルの一部の領域のみにおいて、シ
リコンの結晶性を向上させてもよい。選択的に結晶性を向上させることは、レーザー光を
選択的に照射することなどにより可能である。例えば、画素以外の領域である周辺回路領
域にのみ、ゲートドライバ回路及びソースドライバ回路などの領域にのみ、又はソースド
ライバ回路の一部(例えば、アナログスイッチ)の領域にのみ、レーザー光を照射しても
よい。その結果、回路を高速に動作させる必要がある領域のみにおいて、シリコンの結晶
化を向上させることができる。画素領域は、高速に動作させる必要性が低いため、結晶性
が向上されなくても、問題なく画素回路を動作させることができる。こうすることによっ
て、結晶性を向上させる領域が少なくて済むため、製造工程も短くすることができる。そ
のため、スループットが向上し、製造コストを低減させることができる。または、必要と
される製造装置の数も少なくして製造できるため、製造コストを低減させることができる
。
s、IZO、ITO、SnO、TiO、AlZnSnO(AZTO)などの化合物半導体
又は酸化物半導体を有するトランジスタ又は、これらの化合物半導体又は酸化物半導体を
薄膜化した薄膜トランジスタなどを用いることができる。これらにより、製造温度を低く
できるので、例えば、室温でトランジスタを製造することが可能となる。その結果、耐熱
性の低い基板、例えば、プラスチック基板又はフィルム基板などに直接トランジスタを形
成することができる。なお、これらの化合物半導体又は酸化物半導体を、トランジスタの
チャネル部分に用いるだけでなく、それ以外の用途で用いることもできる。例えば、これ
らの化合物半導体又は酸化物半導体を配線、抵抗素子、画素電極、又は透光性を有する電
極などとして用いることができる。それらをトランジスタと同時に成膜又は形成すること
が可能なため、コストを低減できる。
ランジスタなどを用いることができる。これらにより、室温で製造、低真空度で製造、又
は大型基板上に製造することができる。よって、マスク(レチクル)を用いなくても製造
することが可能となるため、トランジスタのレイアウトを容易に変更することができる。
または、レジストを用いずに製造することが可能なので、材料費が安くなり、工程数を削
減できる。または、必要な部分にのみ膜を設けることが可能なので、全面に成膜した後で
エッチングする製法よりも、材料が無駄にならず、低コストにできる。
ンジスタ等を用いることができる。これらにより、曲げることが可能な基板上にトランジ
スタを形成することができる。このようなトランジスタを用いた半導体装置は、衝撃に強
くすることができる。
。例えば、トランジスタとして、MOS型トランジスタ、接合型トランジスタ、バイポー
ラトランジスタなどを用いることができる。トランジスタとしてMOS型トランジスタを
用いることにより、トランジスタのサイズを小さくすることができる。よって、複数のト
ランジスタを搭載することができる。トランジスタとしてバイポーラトランジスタを用い
ることにより、大きな電流を流すことができる。よって、高速に回路を動作させることが
できる。なお、MOS型トランジスタとバイポーラトランジスタとを1つの基板に混在さ
せて形成してもよい。これにより、低消費電力、小型化、高速動作などを実現することが
できる。
ランジスタを用いることができる。マルチゲート構造にすると、チャネル領域が直列に接
続されるため、複数のトランジスタが直列に接続された構造となる。よって、マルチゲー
ト構造により、オフ電流の低減、トランジスタの耐圧向上(信頼性の向上)を図ることが
できる。または、マルチゲート構造により、飽和領域で動作する時に、ドレインとソース
との間の電圧が変化しても、ドレインとソースとの間の電流があまり変化せず、傾きがフ
ラットである電圧・電流特性の傾きを得ることができる。傾きがフラットである電圧・電
流特性を利用すると、理想的な電流源回路、又は非常に高い抵抗値をもつ能動負荷を実現
することができる。その結果、特性のよい差動回路又はカレントミラー回路などを実現す
ることができる。
造のトランジスタを適用することができる。チャネルの上下にゲート電極が配置される構
造にすることにより、複数のトランジスタが並列に接続されたような回路構成となる。よ
って、チャネル領域が増えるため、電流値の増加を図ることができる。または、チャネル
の上下にゲート電極が配置されている構造にすることにより、空乏層ができやすくなるた
め、S値の改善を図ることができる。
構造、チャネル領域の下にゲート電極が配置されている構造、正スタガ構造、逆スタガ構
造、チャネル領域を複数の領域に分けた構造、チャネル領域を並列に接続した構造、又は
チャネル領域を直列に接続する構造などのトランジスタを用いることができる。
ドレイン電極が重なっている構造のトランジスタを用いることができる。チャネル領域(
またはその一部)にソース電極やドレイン電極が重なる構造にすることによって、チャネ
ル領域の一部に電荷が溜まることにより動作が不安定になることを防ぐことができる。
域を設けることにより、オフ電流の低減、又はトランジスタの耐圧向上(信頼性の向上)
を図ることができる。または、LDD領域を設けることにより、飽和領域で動作する時に
、ドレインとソースとの間の電圧が変化しても、ドレイン電流があまり変化せず、傾きが
フラットな電圧・電流特性を得ることができる。
特定のものに限定されることはない。その基板の一例としては、半導体基板(例えば、単
結晶基板又はシリコン基板)、SOI基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、
金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タング
ステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、繊
維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどがある。ガラス基板の一例としては、バリウ
ムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどがある。
可撓性基板の一例としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフ
タレート(PEN)、ポリエーテルサルフォン(PES)に代表されるプラスチック、又
はアクリル等の可撓性を有する合成樹脂などがある。貼り合わせフィルムの一例としては
、ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、又は塩化ビニルなどがあ
る。基材フィルムの一例としては、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、無機蒸着フ
ィルム、又は紙類などがある。特に、半導体基板(例えば、単結晶基板)、又はSOI基
板などを用いてトランジスタを製造することによって、特性、サイズ、又は形状などのば
らつきが少なく、電流能力が高く、サイズの小さいトランジスタを製造することができる
。このようなトランジスタによって回路を構成すると、回路の低消費電力化、又は回路の
高集積化を図ることができる。
置し、別の基板上にトランジスタを配置してもよい。トランジスタが転置される基板の一
例としては、上述したトランジスタを形成することが可能な基板に加え、紙基板、セロフ
ァン基板、石材基板、木材基板、布基板(天然繊維(絹、綿、麻)、合成繊維(ナイロン
、ポリウレタン、ポリエステル)若しくは再生繊維(アセテート、キュプラ、レーヨン、
再生ポリエステル)などを含む)、皮革基板、又はゴム基板などがある。これらの基板を
用いることにより、特性のよいトランジスタの形成、消費電力の小さいトランジスタの形
成、壊れにくい装置の製造、耐熱性の付与、軽量化、又は薄型化を図ることができる。
ス基板、プラスチック基板、単結晶基板、又はSOI基板など)に形成することが可能で
ある。こうして、部品点数の削減によるコストの低減、又は回路部品との接続点数の低減
による信頼性の向上を図ることができる。
可能である。つまり、所定の機能を実現させるために必要な回路の一部は、ある基板に形
成され、所定の機能を実現させるために必要な回路の別の一部は、別の基板に形成されて
いることが可能である。例えば、所定の機能を実現させるために必要な回路の一部は、ガ
ラス基板に形成され、所定の機能を実現させるために必要な回路の別の一部は、単結晶基
板(又はSOI基板)に形成されることが可能である。そして、所定の機能を実現させる
ために必要な回路の別の一部が形成される単結晶基板(ICチップともいう)を、COG
(Chip On Glass)によって、ガラス基板に接続して、ガラス基板にそのI
Cチップを配置することが可能である。または、ICチップを、TAB(Tape Au
tomated Bonding)、COF(Chip On Film)、SMT(S
urface Mount Technology)、又はプリント基板などを用いてガ
ラス基板と接続することが可能である。このように、回路の一部が画素部と同じ基板に形
成されていることにより、部品点数の削減によるコストの低減、又は回路部品との接続点
数の低減による信頼性の向上を図ることができる。特に、駆動電圧が大きい部分の回路、
又は駆動周波数が高い部分の回路などは、消費電力が大きくなってしまう場合が多い。そ
こで、このような回路を、画素部とは別の基板(例えば、単結晶基板)に形成して、IC
チップを構成する。このICチップを用いることによって、消費電力の増加を防ぐことが
できる。
素とは、一つの色要素を示すものとし、その色要素一つで明るさを表現する。従って、そ
のときは、R(赤)G(緑)B(青)の色要素を有するカラー表示装置の場合には、画像
の最小単位は、Rの画素とGの画素とBの画素との三画素から構成されるものとする。た
だし、色要素は、三色に限定されず、三色以上を用いても良いし、RGB以外の色を用い
ても良い。例えば、白色を加えて、RGBW(Wは白)としても可能である。または、R
GBに、例えば、イエロー、シアン、マゼンタ、エメラルドグリーン、朱色などを一色以
上追加することが可能である。または、RGBの中の少なくとも一色に類似した色を、R
GBに追加することが可能である。例えば、R、G、B1、B2としてもよい。B1とB
2とは、どちらも青色であるが、少し波長が異なっている。同様に、R1、R2、G、B
とすることも可能である。このような色要素を用いることにより、より実物に近い表示を
行うことができる。このような色要素を用いることにより、消費電力を低減することがで
きる。
一つ分を一画素とすることが可能である。例えば、面積階調を行う場合または副画素(サ
ブ画素)を有している場合、一つの色要素につき、明るさを制御する領域が複数あり、そ
の全体で階調を表現することがある。その場合、明るさを制御する領域の一つ分を一画素
とすることが可能である。つまり、一つの色要素は、複数の画素で構成されることとなる
。ただし、明るさを制御する領域が一つの色要素の中に複数あっても、それらをまとめて
、一つの色要素を1画素としてもよい。その場合は、一つの色要素は、一つの画素で構成
されることとなる。なお、一つの色要素について、複数の領域を用いて明るさを制御する
場合、画素によって、表示に寄与する領域の大きさが異なっている場合がある。なお、一
つの色要素につき複数ある、明るさを制御する領域において、各々に供給する信号を僅か
に異ならせるようにして、視野角を広げるようにしてもよい。つまり、一つの色要素につ
いて、複数個ある領域が各々有する画素電極の電位が、各々異なっていることも可能であ
る。その結果、液晶分子に加わる電圧が各画素電極によって各々異なる。よって、視野角
を広くすることができる。
考える場合であるとする。一画素(一色分)と明示的に記載する場合は、一つの色要素に
つき、複数の領域がある場合、それらをまとめて一画素と考える場合であるとする。
マトリクスに配置(配列)されているとは、縦方向または横方向において、画素が直線上
に並んで配置されている場合、又はギザギザな線上に配置されている場合を含むものとす
る。よって、例えば、三色の色要素(例えば、RGB)でフルカラー表示を行うとすると
、ストライプ配置されている場合、三つの色要素のドットがデルタ配置されている場合、
ベイヤー配置されている場合、モザイク配列されている場合も含むものとする。なお、色
要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。これにより、低消費電力
化、又は表示素子の長寿命化を図ることができる。
を有しないパッシブマトリクス方式を用いることができる。
ランジスタだけでなく、さまざまな能動素子(アクティブ素子、非線形素子)を用いるこ
とができる。例えば、MIM(Metal Insulator Metal)、又はT
FD(Thin Film Diode)などを用いることも可能である。これらの素子
は、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる
。または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ
、低消費電力化や高輝度化をはかることができる。
)を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子(アクティブ素
子、非線形素子)を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留
まりの向上を図ることができる。または、能動素子(アクティブ素子、非線形素子)を用
いないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図るこ
とができる。
端子を有する素子である。そして、ドレイン(ドレイン端子、ドレイン領域またはドレイ
ン電極)とソース(ソース端子、ソース領域またはソース電極)の間にチャネル領域を有
しており、ドレインとチャネル領域とソースとを介して電流を流すことができるものであ
る。ここで、ソースとドレインとは、トランジスタの構造又は動作条件等によって変わる
ため、いずれがソースまたはドレインであるかを限定することが困難である。そこで、ソ
ースとして機能する部分、及びドレインとして機能する部分を、ソース又はドレインと呼
ばない場合がある。その場合、一例として、ソースとドレインとの一方を、第1端子、第
1電極、又は第1領域と表記し、ソースとドレインとの他方を、第2端子、第2電極、又
は第2領域と表記する場合がある。
有する素子であってもよい。この場合も同様に、一例として、エミッタとコレクタとの一
方を、第1端子、第1電極、又は第1領域と表記し、エミッタとコレクタとの他方を、第
2端子、第2電極、又は第2領域と表記する場合がある。なお、トランジスタとしてバイ
ポーラトランジスタが用いられる場合、ゲートという表記をベースと言い換えることが可
能である。
査信号線等とも言う)とを含んだ全体、又は、それらの一部のことを言う。ゲート電極と
は、チャネル領域を形成する半導体と、ゲート絶縁膜を介してオーバーラップしている部
分の導電膜のことを言う。ただし、ゲート電極の一部は、LDD(Lightly Do
ped Drain)領域、又はソース領域(またはドレイン領域)と、ゲート絶縁膜を
介してオーバーラップしていることが可能である。ゲート配線とは、各トランジスタのゲ
ート電極の間を接続するための配線、各画素の有するゲート電極の間を接続するための配
線、又はゲート電極と別の配線とを接続するための配線のことを言う。
域、導電膜、配線など)も存在する。そのような部分(領域、導電膜、配線など)は、ゲ
ート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。つまり、ゲート電極とゲート配
線とが、明確に区別できないような領域も存在する。例えば、延伸して配置されているゲ
ート配線の一部とチャネル領域がオーバーラップしている場合、その部分(領域、導電膜
、配線など)はゲート配線として機能しているが、ゲート電極としても機能していること
になる。よって、そのような部分(領域、導電膜、配線など)は、ゲート電極と呼んでも
良いし、ゲート配線と呼んでも良い。
てつながっている部分(領域、導電膜、配線など)も、ゲート電極と呼んでも良い。同様
に、ゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート配線と同じ島(アイランド)を形成してつ
ながっている部分(領域、導電膜、配線など)も、ゲート配線と呼んでも良い。このよう
な部分(領域、導電膜、配線など)は、厳密な意味では、チャネル領域とオーバーラップ
していない場合、又は別のゲート電極と接続させる機能を有していない場合がある。しか
し、製造時の仕様などの関係で、ゲート電極またはゲート配線と同じ材料で形成され、ゲ
ート電極またはゲート配線と同じ島(アイランド)を形成してつながっている部分(領域
、導電膜、配線など)がある。よって、そのような部分(領域、導電膜、配線など)もゲ
ート電極またはゲート配線と呼んでも良い。
電極とは、ゲート電極と同じ材料で形成された導電膜で接続される場合が多い。そのよう
な部分(領域、導電膜、配線など)は、あるゲート電極と別のゲート電極とを接続させる
ための部分(領域、導電膜、配線など)であるため、ゲート配線と呼んでも良いが、マル
チゲート構造のトランジスタを1つのトランジスタと見なすこともできるため、ゲート電
極と呼んでも良い。つまり、ゲート電極またはゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート
電極またはゲート配線と同じ島(アイランド)を形成してつながっている部分(領域、導
電膜、配線など)は、ゲート電極やゲート配線と呼んでも良い。別の例として、ゲート電
極とゲート配線とを接続させている部分の導電膜であって、ゲート電極またはゲート配線
とは異なる材料で形成された導電膜も、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼ん
でも良い。
極と電気的に接続されている部分(領域、導電膜、配線など)について、その一部分のこ
とを言う。
どと呼ぶ場合、その配線にトランジスタのゲートが接続されていない場合もある。この場
合、ゲート配線、ゲート線、ゲート信号線、走査線、又は走査信号線は、トランジスタの
ゲートと同じ層で形成された配線、トランジスタのゲートと同じ材料で形成された配線、
又はトランジスタのゲートと同時に成膜された配線などを意味している場合がある。その
一例としては、保持容量用配線、電源線、基準電位供給配線などがある。
データ線、データ信号線等とも言う)とを含んだ全体、または、それらの一部のことを言
う。ソース領域とは、P型不純物(ボロンやガリウムなど)又はN型不純物(リンやヒ素
など)が多く含まれる半導体領域のことを言う。従って、少しだけP型不純物やN型不純
物が含まれる領域、いわゆる、LDD(Lightly Doped Drain)領域
は、ソース領域には含まれない場合が多い。ソース電極とは、ソース領域とは別の材料で
形成され、ソース領域と電気的に接続されて配置されている部分の導電層のことを言う。
ただし、ソース電極は、ソース領域も含んでソース電極と呼ぶこともある。ソース配線と
は、各トランジスタのソース電極の間を接続するための配線、各画素の有するソース電極
の間を接続するための配線、又はソース電極と別の配線とを接続するための配線のことを
言う。
領域、導電膜、配線など)も存在する。そのような部分(領域、導電膜、配線など)は、
ソース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。つまり、ソース電極とソース
配線とが、明確に区別できないような領域も存在する。例えば、延伸して配置されている
ソース配線の一部とソース領域とがオーバーラップしている場合、その部分(領域、導電
膜、配線など)はソース配線として機能しているが、ソース電極としても機能しているこ
とになる。よって、そのような部分(領域、導電膜、配線など)は、ソース電極と呼んで
も良いし、ソース配線と呼んでも良い。
てつながっている部分(領域、導電膜、配線など)、ソース電極とソース電極とを接続す
る部分(領域、導電膜、配線など)、又はソース領域とオーバーラップしている部分(領
域、導電膜、配線など)も、ソース電極と呼んでも良い。同様に、ソース配線と同じ材料
で形成され、ソース配線と同じ島(アイランド)を形成してつながっている領域も、ソー
ス配線と呼んでも良い。このような部分(領域、導電膜、配線など)は、厳密な意味では
、別のソース電極と接続させる機能を有していない場合がある。しかし、製造時の仕様な
どの関係で、ソース電極またはソース配線と同じ材料で形成され、ソース電極またはソー
ス配線とつながっている部分(領域、導電膜、配線など)がある。よって、そのような部
分(領域、導電膜、配線など)もソース電極またはソース配線と呼んでも良い。
ース電極またはソース配線とは異なる材料で形成された導電膜も、ソース電極と呼んでも
良いし、ソース配線と呼んでも良い。
ている部分(領域、導電膜、配線など)について、その一部分のことを言う。
どと呼ぶ場合、その配線にトランジスタのソース(ドレイン)が接続されていない場合も
ある。この場合、ソース配線、ソース線、ソース信号線、データ線、データ信号線は、ト
ランジスタのソース(ドレイン)と同じ層で形成された配線、トランジスタのソース(ド
レイン)と同じ材料で形成された配線またはトランジスタのソース(ドレイン)と同時に
成膜された配線を意味している場合がある。例としては、保持容量用配線、電源線、基準
電位供給配線などがある。
を含む回路を有する装置のことをいう。ただし、半導体特性を利用することで機能しうる
装置全般、又は半導体材料を有する装置のことを半導体装置と呼んでもよい。
子を含む複数の画素を含んでいても良い。なお、表示装置は、複数の画素を駆動させる周
辺駆動回路を含んでいても良い。なお、複数の画素を駆動させる周辺駆動回路は、複数の
画素と同一基板上に形成されてもよい。なお、表示装置は、ワイヤボンディングやバンプ
などによって基板上に配置された周辺駆動回路、いわゆる、チップオングラス(COG)
で接続されたICチップ、または、TABなどで接続されたICチップを含んでいても良
い。なお、表示装置は、ICチップ、抵抗素子、容量素子、インダクタ、トランジスタな
どが取り付けられたフレキシブルプリントサーキット(FPC)を含んでもよい。なお、
表示装置は、フレキシブルプリントサーキット(FPC)などを介して接続され、ICチ
ップ、抵抗素子、容量素子、インダクタ、トランジスタなどが取り付けられたプリント配
線基板(PWB)を含んでいても良い。なお、表示装置は、偏光板または位相差板などの
光学シートを含んでいても良い。なお、表示装置は、照明装置、筐体、音声入出力装置、
光センサなどを含んでいても良い。
射シート、光源(LED、冷陰極管など)、冷却装置(水冷式、空冷式)などを有してい
ても良い。
光素子を有している場合は、発光装置は、表示装置の具体例の一つである。
とをいう。
直視型、投写型、透過型、反射型、半透過型などがある。
えば、ソース信号線から画素内への信号の入力を制御するトランジスタ(選択用トランジ
スタ、スイッチング用トランジスタなどと呼ぶことがある)、画素電極に電圧または電流
を供給するトランジスタ、発光素子に電圧または電流を供給するトランジスタなどは、駆
動装置の一例である。さらに、ゲート信号線に信号を供給する回路(ゲートドライバ、ゲ
ート線駆動回路などと呼ぶことがある)、ソース信号線に信号を供給する回路(ソースド
ライバ、ソース線駆動回路などと呼ぶことがある)などは、駆動装置の一例である。
どは、互いに重複して有している場合がある。例えば、表示装置が、半導体装置および発
光装置を有している場合がある。あるいは、半導体装置が、表示装置および駆動装置を有
している場合がある。
接続されている場合と、XとYとが機能的に接続されている場合と、XとYとが直接接続
されている場合とを含むものとする。ここで、X、Yは、対象物(例えば、装置、素子、
回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など)であるとする。したがって、所定の接続関
係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接
続関係以外のものも含むものとする。
能とする素子(例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダ
イオードなど)が、XとYとの間に1個以上接続されることが可能である。
能とする回路(例えば、論理回路(インバータ、NAND回路、NOR回路など)、信号
変換回路(DA変換回路、AD変換回路、ガンマ補正回路など)、電位レベル変換回路(
電源回路(昇圧回路、降圧回路など)、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など
)、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路(信号振幅または電流量などを大きくでき
る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など)、信号生
成回路、記憶回路、制御回路など)が、XとYとの間に1個以上接続されることが可能で
ある。なお、一例として、XとYとの間に別の回路を挟んでいても、Aから出力された信
号がBへ伝達される場合は、XとYとは機能的に接続されているものとする。
気的に接続されている場合(つまり、XとYとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続
されている場合)と、XとYとが機能的に接続されている場合(つまり、XとYとの間に
別の回路を挟んで機能的に接続されている場合)と、XとYとが直接接続されている場合
(つまり、XとYとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合)とを含
むものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、単に、接
続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同じであるとする。
的に記載する場合は、Xの上にYが直接接して形成されていることに限定されない。直接
接してはいない場合、つまり、XとYと間に別の対象物が介在する場合も含むものとする
。ここで、X、Yは、対象物(例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、
層、など)であるとする。
記載されている場合は、層Xの上に直接接して層Yが形成されている場合と、層Xの上に
直接接して別の層(例えば、層Zなど)が形成されていて、その上に直接接して層Yが形
成されている場合とを含むものとする。なお、別の層(例えば、層Zなど)は、単層でも
よいし、複層(積層)でもよい。
様であり、Xの上にYが直接接していることに限定されず、XとYとの間に別の対象物が
介在する場合も含むものとする。従って、例えば、層Xの上方に、層Yが形成されている
、という場合は、層Xの上に直接接して層Yが形成されている場合と、層Xの上に直接接
して別の層(例えば、層Zなど)が形成されていて、その上に直接接して層Yが形成され
ている場合とを含むものとする。なお、別の層(例えば、層Zなど)は、単層でもよいし
、複層(積層)でもよい。
形成されている、と明示的に記載する場合、Xの斜め上にYが形成される場合も含むこと
とする。
い。ただし、これに限定されず、複数であることも可能である。同様に、明示的に複数と
して記載されているものについては、複数であることが望ましい。ただし、これに限定さ
れず、単数であることも可能である。
のと区別して記述するために用いられる。よって、第1、第2、第3などの語句は、要素
、部材、領域、層、区域などの数を限定するものではない。さらに、例えば、「第1の」
を「第2の」又は「第3の」などと置き換えることが可能である。
」、「斜めに」、「奥に」、「手前に」、「内に」、「外に」、又は「中に」などの空間
的配置を示す語句は、ある要素又は特徴と、他の要素又は特徴との関連を、図によって簡
単に示すために用いられる場合が多い。ただし、これに限定されず、これらの空間的配置
を示す語句は、図に描く方向に加えて、他の方向を含むことが可能である。例えば、Xの
上にY、と明示的に示される場合は、YがXの上にあることに限定されない。図中のデバ
イスは反転、又は180°回転することが可能なので、YがXの下にあることを含むこと
が可能である。このように、「上に」という語句は、「上に」の方向に加え、「下に」の
方向を含むことが可能である。ただし、これに限定されず、図中のデバイスは様々な方向
に回転することが可能なので、「上に」という語句は、「上に」、及び「下に」の方向に
加え、「横に」、「右に」、「左に」、「斜めに」、「奥に」、「手前に」、「内に」、
「外に」、又は「中に」などの他の方向を含むことが可能である。つまり、状況に応じて
適切に解釈することが可能である。
出して、発明の一態様を構成することは可能である。したがって、ある部分を述べる図ま
たは文章が記載されている場合、その一部分の図または文章を取り出した内容も、発明の
一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能であるもの
とする。そのため、例えば、能動素子(トランジスタ、ダイオードなど)、配線、受動素
子(容量素子、抵抗素子など)、導電層、絶縁層、半導体層、有機材料、無機材料、部品
、基板、モジュール、装置、固体、液体、気体、動作方法、製造方法などが単数又は複数
記載された図面(断面図、平面図、回路図、ブロック図、フローチャート、工程図、斜視
図、立面図、配置図、タイミングチャート、構造図、模式図、グラフ、表、光路図、ベク
トル図、状態図、波形図、写真、化学式など)または文章において、その一部分を取り出
して、発明の一態様を構成することが可能であるものとする。一例としては、N個(Nは
整数)の回路素子(トランジスタ、容量素子等)を有して構成される回路図から、M個(
Mは整数で、M<N)の回路素子(トランジスタ、容量素子等)を抜き出して、発明の一
態様を構成することは可能である。別の一例としては、N個(Nは整数)の層を有して構
成される断面図から、M個(Mは整数で、M<N)の層を抜き出して、発明の一態様を構
成することは可能である。別の一例としては、N個(Nは整数)の要素を有して構成され
るフローチャートから、M個(Mは整数で、M<N)の要素を抜き出して、発明の一態様
を構成することは可能である。
具体例が記載される場合、その具体例の上位概念を導き出すことは、当業者であれば容易
に理解される。したがって、ある一つの実施の形態において述べる図または文章において
、少なくとも一つの具体例が記載される場合、その具体例の上位概念も、発明の一態様と
して開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。
開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。したがって、あ
る内容について、図に記載されていれば、文章を用いて述べていなくても、その内容は、
発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能であ
る。同様に、図の一部を取り出した図についても、発明の一態様として開示されているも
のであり、発明の一態様を構成することが可能である。
101 電極
102 層
103 分散剤
104 マイクロカプセル
105 粒子
106 粒子
107 電界
108 電界
109 電極
110 絶縁膜
111 配線
112 絶縁膜
113 コンタクトホール
114 電極
115 絶縁膜
116 コンタクトホール
200 電極
201 絶縁膜
202 電極
203 層
204 電極
205 配線
206 絶縁膜
300 基板
301 電極
302 電極
303 電極
304 配線
305 絶縁膜
306 半導体層
306a 半導体層
306b 半導体層
307 半導体層
307a 半導体層
307b 半導体層
308 半導体層
308a 半導体層
308b 半導体層
309 導電層
310 導電層
311 導電層
312 導電層
313 導電層
314 導電層
315 絶縁膜
316 電極
317 電極
318 電極
319 層
320 マイクロカプセル
321 分散剤
322 電極
323 基板
330 ゲート線
331 ゲート線
332 半導体層
333 半導体層
334 半導体層
335 導電層
336 導電層
337 導電層
338 電極
339 電極
340 電極
341 配線
342 導電層
343 導電層
344 導電層
345 電極
346 電極
347 電極
350 領域
351 領域
352 領域
353 領域
400 導電層
401 絶縁膜
402 導電層
403 絶縁膜
404 電極
405 層
406 電極
500 絶縁膜
501 電極
502 絶縁膜
503 電極
504 層
505 電極
506B 絶縁膜
506G 絶縁膜
506R 絶縁膜
510 絶縁膜
510B 絶縁膜
510G 絶縁膜
510R 絶縁膜
511 電極
512 絶縁膜
512B 絶縁膜
512G 絶縁膜
512R 絶縁膜
513 電極
514 層
515 電極
516 絶縁膜
520 基板
521 層
522 電極
523 絶縁膜
524 電極
525 層
526 電極
527 基板
528 偏光板
529 偏光板
530B カラーフィルタ
530G カラーフィルタ
530R カラーフィルタ
531B カラーフィルタ
531G カラーフィルタ
531R カラーフィルタ
600 基板
601 マイクロカップ
602 誘電性溶媒
603 帯電色素粒子
604 封止層
605 電極
606 絶縁膜
607 電極
608 電極
609 基板
700 基板
701 隔壁
702 電子粉流体(登録商標)
703 電子粉流体(登録商標)
704 電極
705 絶縁膜
706 電極
707 電極
708 基板
800 基板
801 半導体層
802 半導体層
803 絶縁膜
804 ゲート電極
805 ゲート電極
806 絶縁膜
807 電極
808 電極
809 電極
810 電極
811 絶縁膜
812 電極
813 電極
814 層
815 電極
816 基板
817 導電層
818 導電層
819 導電層
820 導電層
851 電極
852 電極
853 電極
854 電極
855 電極
856 電極
857 電極
858 電極
859 電極
860 電極
861 電極
900 基板
901 ゲート電極
902 ゲート絶縁膜
903 電極
904 電極
905 半導体層
906 絶縁膜
907 電極
908 層
909 電極
910 保護体
911 電極
912 導電層
920 基板
921 ゲート電極
922 ゲート絶縁膜
923 半導体層
924 電極
925 電極
926 絶縁膜
927 電極
928 層
929 電極
930 保護体
931 電極
932 導電層
940 基板
941 ゲート電極
942 ゲート絶縁膜
943 半導体層
944 チャネル保護膜
945 電極
946 電極
947 絶縁膜
948 電極
949 層
950 電極
951 保護体
952 電極
953 導電層
1001 電極
1002 絶縁膜
1003 電極
1004 層
1005 電極
1006 電極
1100 基板
1101 電極
1102 電極
1103 絶縁膜
1104 半導体膜
1105 半導体膜
1106 マスク
1107 半導体層
1108 半導体層
1109 導電膜
1109a 電極
1109b 電極
1109c 電極
1109d 電極
1109e 電極
1110 マスク
1111 絶縁膜
1112 絶縁膜
1113 絶縁膜
1114 電極
1115 電極
1116 層
1117 分散剤
1118 マイクロカプセル
1119 導電膜
1120 基板
1121 導電層
1122 導電層
1200 基板
1201 電極
1202 配線
1203 絶縁膜
1204 半導体層
1204a 半導体層
1204b 半導体層
1205 導電層
1206 導電層
1207 絶縁膜
1208 導電層
1209 絶縁膜
1210 導電層
1211 導電層
1212 層
1213 導電層
1214 保護体
1215 ゲート線
1216 ゲート線
1217 電極
1218 電極
1219 配線
1220 半導体層
1221 半導体層
1222 半導体層
1223 半導体層
1224 半導体層
1225 導電層
1226 導電層
1227 導電層
1228 導電層
1229 導電層
1230 導電層
1231 導電層
1232 導電層
1233 導電層
1234 導電層
1235 導電層
1236 導電層
1237 導電層
1238 導電層
1239 導電層
1240 導電層
1241 導電層
1242 導電層
1243 導電層
1300 基板
1301 電極
1302 電極
1303 絶縁膜
1304 半導体膜
1305 マスク
1306 半導体層
1307 導電膜
1308 マスク
1309a 電極
1309b 電極
1309c 電極
1309d 電極
1309e 電極
1310 絶縁膜
1311 絶縁膜
1312 電極
1313 電極
1314 層
1315 分散剤
1316 マイクロカプセル
1317 導電膜
1318 基板
1319 導電層
1320 導電層
1401 ゲート電極
1402 ゲート電極
1403 ゲート線
1404 ゲート線
1405 半導体層
1406 半導体層
1407 ソース電極
1408 ドレイン電極
1409 ソース電極
1410 電極
1411 電極
1412 電極
1413 電極
1414 電極
1415 電極
1416 電極
1417 電極
1451 ゲート電極
1452 ゲート電極
1453 ゲート線
1454 ゲート線
1455 半導体層
1456 半導体層
1457 ソース電極
1458 ドレイン電極
1459 ソース電極
1460 電極
1461 電極
1462 電極
1463 電極
1464 電極
1465 電極
1466 電極
1467 電極
1501 ポスター
1502 車内広告
1600 筐体
1601 筐体
1602 表示部
1603 表示部
1604 蝶番
1605 電源
1606 操作キー
1607 スピーカ
1611 筐体
1612 表示部
1621 筐体
1622 表示部
1623 スタンド
1631 筐体
1632 表示部
1633 操作ボタン
1634 外部接続ポート
1635 スピーカ
1636 マイク
1637 操作ボタン
Claims (4)
- 基板上にゲート線と、
前記ゲート線上に第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に、前記ゲート線の第1の領域と重なる領域を有する第1の半導体層と、
前記第1の絶縁膜上に、前記ゲート線の第2の領域と重なる領域を有する第2の半導体層と、
前記第1の半導体層上、及び前記第1の絶縁膜上に、前記第1の半導体層と電気的に接続された第1の導電層と、
前記第1の半導体層上、前記第2の半導体層上、及び前記第1の導電層上に第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上に、前記第1の導電層と電気的に接続された第1の電極と、
前記第2の絶縁膜上に、前記第2の半導体層と電気的に接続された第2の電極と、を有し、
前記第1の導電層は、前記第1の電極及び前記第2の電極と重なる領域を有し、
前記第2の電極は、前記第1の半導体層と重ならない表示装置。 - 基板上にゲート線と、
前記ゲート線上に第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に、前記ゲート線の第1の領域と重なる領域を有する第1の半導体層と、
前記第1の絶縁膜上に、前記ゲート線の第2の領域と重なる領域を有する第2の半導体層と、
前記第1の半導体層上、及び前記第1の絶縁膜上に、前記第1の半導体層と電気的に接続された第1の導電層と、
前記第1の半導体層上、前記第2の半導体層上、及び前記第1の導電層上に第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上に、前記第1の導電層と電気的に接続された第1の電極と、
前記第2の絶縁膜上に、前記第2の半導体層と電気的に接続された第2の電極と、
前記第2の絶縁膜上、前記第1の電極上、及び前記第2の電極上に、カプセルを有する層と、
前記層上に第3の電極と、を有し、
前記第1の導電層は、前記第1の電極及び前記第2の電極と重なる領域を有し、
前記第2の電極は、前記第1の半導体層と重ならない表示装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記第1の半導体層、及び前記第2の半導体層は、シリコンを有する表示装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記第1の半導体層、及び前記第2の半導体層は、酸化物半導体を有する表示装置。
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