JP2000098355A - 液晶表示素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 遮光部の直下に位置する高分子前駆体を充分
に重合させて表示ムラの発生を防ぎ、更に、ＲＧＢの色
再現性の均一性向上を図り、しかも、反射画素電極とコ
ンタクトホール内の中継電極との接合部での散乱による
コントラスト低下の改善を図るようにした液晶表示素子
及びその製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 反射画素電極５が形成されたアレイ基板
２と、遮光部７が形成された対向基板３との間に、高分
子と液晶とからなる高分子分散型液晶層４が挟持されて
いる。高分子分散型液晶層４は、対向基板側３から紫外
線を照射し、その後にアレイ基板２側から紫外線を照射
し、前記基板間に配置された液晶材料と高分子前駆体を
含む混合溶液のうちの高分子前駆体を重合させて液晶と
高分子を相分離させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、情報携帯端末、携
帯電話、ゲーム機、テレビ、モニターなどに用いる液晶
表示素子及びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年の情報機器の小型化にともない、軽
量化および低消費電力化が望まれている。軽量化及び低
消費電力化達成のため、液晶表示素子では、とりわけバ
ックライトを用いない反射型液晶表示素子の研究が精力
的に進められている。

【０００３】このような要請に基づき、近年、高分子分
散型液晶を使用し、且つ、薄膜トランジスタ（thin-fil
m transistor :TFT)アレイ基板上に反射画素電極を設
け、対向基板にカラーフィルタを設けた構造の液晶表示
素子が提案されている。しかしながら、このような液晶
表示素子では、以下の課題がある。

【０００４】（１）第１の課題 上記液晶表示素子を、通常の製造プロセスで製造した場
合には、以下の問題が生じる。即ち、高分子分散型液晶
を使用するので、製造時には、高分子前駆体を光重合す
るための紫外線照射工程を必要とする。この紫外線照射
に際して、反射画素電極が紫外線を遮光するために、Ｔ
ＦＴアレイ基板側から照射することができない。このた
め、対向基板側から紫外線を照射する必要がある。とこ
ろが、図１１に示すように、ＲＧＢカラーフィルタ６０
の外側周辺部に、枠状の遮光部（通常、額縁と称されて
いる。）６１が形成されている。この遮光部６１は、表
示の浮きを防ぎ、良好な表示を得るためには、必要不可
欠な構造である。従って、対向基板側から紫外線を照射
すると、この遮光部６１の存在により、遮光部６１の直
下に位置する高分子前駆体が未重合のまま存在すること
になる。そして、長期の保存の際には、この未重合物が
図１１に示すようにカラーフィルタ６０に浸み出し、散
乱性の低い浸み出し部６２が形成される。この浸み出し
部６２により表示ムラが生じ、パネルの面内均一性を損
ねるという課題を有していた。

【０００５】また、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ
がａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）ＴＦＴからｐ−Ｓ
ｉ（ポリシリコン）ＴＦＴに移行するにしたがって、ア
レイ内部にドライバ回路が内蔵された構造のものが多く
なってきている。そして、このような内蔵ドライバ回路
は、遮光部６１の直下に配置されている。なぜなら、入
射光によるＴＦＴの特性変化による誤動作を防ぐためで
ある。そのため、遮光部６１の幅が、内蔵ドライバ回路
がない場合に比べて、大きくなる傾向にあり、上記課題
解決の重要性は増しつつある。

【０００６】（２）第２の課題 従来の反射板外付方式（表示パネル外部に反射板を貼り
付ける方式）の液晶表示素子では、製造に際して、アレ
イ基板裏面側から照射していた。そのため、各画素へ照
射される紫外線の照射強度が均一であり、Ｒ（赤色）Ｇ
（緑色）Ｂ（青色）各画素毎の粒径は均一となってい
た。しかし、高分子分散型液晶での散乱現象は、図１３
に示すように波長依存性を有し、色毎での散乱性の違い
が発生する。粒径が均一であれば、図１２に示すように
一般には赤は散乱が弱い。従って、ＲＧＢ各画素毎の粒
径が均一であると、散乱性が不均一となる（特開平８−
１８４８１５号公報参照）。カラーフィルタ側から紫外
線を照射する場合でも、粒径がほぼ同一であれば、同様
な問題は発生していた。

【０００７】以上の問題に鑑み、ＲＧＢ各画素毎に紫外
線の照射強度を変えることで、粒径調整を行っていた例
もある（特開平８−１２９１６３号公報参照）。即ち、
この従来例では、ＲＧＢの粒径をＲ＜Ｇ＜Ｂの順番にな
るように粒径調整を行い、各画素での散乱特性のバラン
スを取っていた。しかしながら、この従来例では、紫外
線照射はアレイ基板側からＲＧＢの３回に分けて行って
いるので、Ｒの画素部を重合・相分離する際には、他の
ＧＢの画素部をマスキングする必要がある。すなわち、
ＲＧＢ各々につき、マスキングし、しかる後に紫外線を
照射するプロセスを３回繰り返す必要がある。さらに
は、アレイが高精細化するにつれて、ＲＧＢ各画素毎の
粒径調整が困難になる。また、マスキングを行っても、
紫外線の漏れ光が隣の画素部の重合・相分離を促進する
可能性もあり、色再現性を損なう可能性もある。

【０００８】（３）第３の課題 図１３は、従来の平坦膜を備えたアクティブマトリクス
素子付反射型液晶表示素子７０の一部断面図である。反
射画素電極７２をパネル内面に形成するためには、以下
の工程を経る。第１にガラス基板７３上にＴＦＴ〔もし
くは薄膜ダイオード（thin-film diode :TFD) 〕７４を
形成し、それぞれの素子同士に必要な配線を行う工程。
第２にそれぞれのＴＦＴ７４上にアクリル化合物などに
よる平坦化膜７５を基板に成膜する工程。第３にＴＦＴ
７４との接合点を形成するためのコンタクトホール７６
の形成およびＡｌなどの金属を成膜し反射画素電極７２
を形成する工程である。

【０００９】以上の工程を経た基板構成での問題につい
て、図１４を用いて説明する。図１４（ａ）は反射画素
電極７２とコンタクトホール７６内の中継電極７７との
接合部８０の断面図である。図で示すとおり、反射画素
電極７２と中継電極７７の接合部８０は窪んだ構造にな
っている。このことにより、以下の課題が生じる。即
ち、高分子分散型液晶では、図１４（ｂ）のように電圧
無印加時では、高分子分散型液晶層８１に入射した外光
は液晶層８１での散乱により、観測者には白表示に見え
る。また、電圧印加時では、図１４（ｃ）に示すよう
に、高分子分散型液晶層８１の液晶８２が電圧印加方向
に配向するため、透過状態となる。この状態では、外光
は反射画素電極７２まで達し、入射角と同じ角度で反射
する。このため、観測者には黒表示にみえる。ところ
が、接合部８０が窪んでいるため、入射角の一部が正反
射し、観測者には少し明るい黒表示に見えてしまう。こ
のように、接合部８０での正反射により、黒表示時にコ
ントラストが低下する。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上記課題を要約すれば
以下のとおりである。

【００１１】（１）対向基板側から紫外線を照射しただ
けでは、遮光部６１の直下に未重合部分が生じ、この未
重合部分がカラーフィルタ部に浸み出して浸み出し部６
２が形成される。この浸み出し部６２に起因して表示ム
ラが生じ、信頼性が低下する。

【００１２】（２）従来例のＲＧＢ各粒径の微調整方法
では、ＲＧＢ各々につき、マスキングし、しかる後に紫
外線を照射するプロセスを３回繰り返す必要があるた
め、製造作業が面倒であり、作業性が悪い。また、アレ
イが高精細化するにつれて、ＲＧＢ画素毎の粒径調整が
困難になる。更に、マスキングを行っても、紫外線の漏
れ光が隣の画素部の重合・相分離を促進する可能性もあ
り、色再現性を損なう可能性もある。

【００１３】（３）反射画素電極７２とコンタクトホー
ル内の中継電極７７との接合部８０が窪んだ構造になっ
ており、これに起因して黒表示時に入射角の一部が正反
射し、観測者には少し明るい黒表示に見えてしまい、コ
ントラストの低下を招いていた。

【００１４】本発明は、上記課題に鑑み、遮光部の直下
に位置する高分子前駆体を充分に重合させて表示ムラの
発生を防ぎ、更に、ＲＧＢの色再現性の均一性向上を図
り、しかも、反射画素電極とコンタクトホール内の中継
電極との接合部での散乱によるコントラスト低下の改善
を図るようにした液晶表示素子及びその製造方法を提供
することを目的とするものである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明は、対向基板側から紫外線を照射し、その後にア
レイ基板側から紫外線を照射し、基板間に配置された液
晶材料と高分子前駆体を含む混合溶液のうちの高分子前
駆体を重合させて液晶と高分子を相分離させることを特
徴とする。あるいは、前記高分子前駆体を重合させるた
め、対向基板側及びアレイ基板側の双方から同時に紫外
線を照射することを特徴とする。

【００１６】上記構成により、アレイ基板側からの紫外
線照射により、遮光部の直下に位置する高分子前駆体が
充分に重合される。よって、未重合部分のない高分子分
散型液晶層が得られ、面内の均一性及び信頼性向上が図
られる。

【００１７】なお、本発明は、反射型液晶表示素子のみ
ならず、透過型液晶表示素子にも好適に実施できる。例
えば、アレイ基板として、紫外線の透過率が低い基板を
用いる透過型液晶表示素子の場合には、アレイ基板側か
ら紫外線を照射すると、従来の技術の項で説明した反射
型液晶表示素子の場合と同様の課題（未重合部分による
浸み出しの発生）が発生する。よって、このような構成
の透過型液晶表示素子の場合に、本発明を適用すること
により、未重合部分のない高分子分散型液晶層が得ら
れ、面内の均一性及び信頼性向上が図られることにな
る。

【００１８】また、本発明は、反射板が内付けされた、
いわゆる反射画像電極を備えた反射型液晶表示素子のみ
ならず、アレイ基板に吸収体を設けた吸収板方式の反射
型液晶表示素子についても適用できる。

【００１９】なお、遮光部は、対向基板の周辺部に形成
された枠状の遮光部であってもよい。ここに枠状の遮光
部は、表示の浮きを防ぎ、良好な表示を得るために設け
られたものであり、一般的には額縁と称されている。

【００２０】また、枠状の遮光部の幅は０．１ｍｍ以上
であることが望ましい。遮光部の幅が小さい場合には、
紫外線照射の際に、紫外線の回り込みにより遮光部の直
下に位置する高分子前駆体が充分に重合される。従っ
て、遮光部の幅が小さい場合には、対向基板側からの照
射のみで充分である。しかしながら、遮光部の幅は、製
造上は極端に小さくできず、通常は０．１ｍｍ以上必要
となる。一方、遮光部の幅が０．１ｍｍ以上であれば、
幅が大きいので未重合部分が生じる。よって、対向基板
側からの照射のみならず、アレイ基板側からの照射も必
要となる。

【００２１】また本発明は、対向基板に赤色、緑色、青
色に対応するカラーフィルタが形成され、カラーフィル
タに対応するＲＧＢ各画素毎に液晶の粒径が、青色画
素、緑色画素、赤色画素の順で大きくなることを特徴と
する。また、同一の透過率を得るための駆動電圧値が青
色画素、緑色画素、赤色画素の順に低くなることを特徴
とする。

【００２２】このように、ＲＧＢ各画素毎に液晶の粒径
を異ならせるか、あるいは同一の透過率を得るための駆
動電圧値がＲＧＢ各画素毎に異ならせるようにすること
により、各色毎の散乱の不均一を防止でき、表示面全体
として均一な散乱性が得られ、表示特性が向上する。

【００２３】ここで、液晶の粒径とは、高分子が液晶の
連続相の中に３次元網目状に広がる構造を有するＰＮＬ
Ｃ（Polymer Network Liquid Crystal) では、網目の間
隔を意味し、高分子マトリクス中に球形又は回転楕円体
形状の液晶滴が相互に独立して分散しているＰＤＬＣ
（Polymer Dispersed Liquid Crystal) や、ネマテック
液晶をポリビニルアルコール等でマイクロカプセル化し
たＮＣＡＰ（Nematic Curvilinear Aligned Phase)で
は、液晶滴の粒径を意味する。

【００２４】また本発明は、アクティブマトリクス素子
を備えたアレイ基板上に、平坦化膜が形成され、この平
坦化膜上に反射画素電極が形成され、前記反射画素電極
と前記アクティブマトリクス素子とが、平坦化膜に形成
されたコンタクトホール内の中継電極を介して電気的に
接続された構造の液晶表示素子であって、前記反射画素
電極と前記中継電極との接合部が、窪んでおり、この窪
み部分に遮光部が形成されていることを特徴とする。ま
た、前記窪み部分を遮光するように対向基板上に遮光部
が形成されていることを特徴とする。

【００２５】このように遮光部を設けることにより、窪
み部分に起因して黒表示時に入射角の一部が正反射する
ことが防がれる。よって、黒表示において、コントラス
トの低下を防止できる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を用いて説明する。

【００２７】（実施の形態１）図１は実施の形態１に係
る反射型液晶表示素子の簡略化した断面図である。反射
型液晶表示素子１は、ＴＦＴや金属配線等が形成された
アレイ基板２と、アレイ基板２に対向して配置される対
向基板３と、アレイ基板２と対向基板３間に配置される
高分子分散型液晶層４とを有する。前記アレイ基板２に
は、その内側面にアルミニウム（Ａｌ）等から成る反射
画素電極５が形成されている。尚、図面の簡略化のた
め、反射画素電極５は１のみ描かれているが、実際はマ
トリクス状に複数配置されている。

【００２８】また、前記対向基板３には、その内側面に
ＲＧＢカラーフィルタ６が形成されており、このカラー
フィルタ６の内側面には透明電極１０が形成されてい
る。このカラーフィルタ６の外側周辺部には、図２に示
すように、枠状の遮光部７が形成されている。この遮光
部７は、表示の浮きを防ぎ、良好な表示を得るために設
けられたものであり、一般的には額縁と称されている。
この遮光部７は表示領域ではないため、遮光部７の下方
には前記反射画素電極５は存在していない。即ち、反射
画素電極５は、カラーフィルタ６に対向する領域（表示
領域に相当）にのみ配置されている。また、前記高分子
分散型液晶層４は、高分子８が液晶９の連続相の中に３
次元網目状に広がる構造を有するポリマーネットワーク
型の液晶（ＰＮＬＣ）層である。そして、高分子分散型
液晶層４のうち、カラーフィルタ６の下方に位置する領
域のみならず、遮光部７の下方に位置する領域において
も、高分子前駆体の重合が充分になされており、未重合
部分は存在していない。従って、本発明に係る液晶表示
素子１では、従来例のように未重合部分に起因した浸み
出し現象の発生が防止され、表示ムラのない表示が可能
となる。

【００２９】図３は実施の形態１に係る反射型液晶表示
素子の製造方法を説明するための断面図である。反射型
液晶表示素子１は、以下の方法で製造した。

【００３０】（１）空パネルの作製 ガラスから成るアレイ基板２にスイッチング素子として
ＴＦＴを形成した。次にＡｌを蒸着することにより反射
画素電極５をアレイ基板２に形成した。次いで、アレイ
基板２上に、絶縁膜として、ＳＥ−７２２９（商品名：
日産化学工業（株）製）をスピンナーで塗布後、８０℃
で予備焼成を行い、その後、１８０℃で本焼成を行っ
た。本焼成後、樹脂スペーサを散布した。

【００３１】一方、ガラスから成る対向基板３に、カラ
ーフィルタ６及び遮光部７を形成し、更にカラーフィル
タ６及び遮光部７を覆って透明電極１０を形成する。こ
のような状態で対向基板３に、アレイ基板２と同様にＳ
Ｅ−７９９２を塗布し、その後、予備焼成、本焼成を行
った。本焼成後、対向基板３について、液晶材料を封入
するためのメインシール部１５を形成した。この際、シ
ール剤としては熱硬化性樹脂であるストラクトボンドＸ
Ｎ−２１−Ｓ（商品名：三井化学工業（株）製）を用い
た。メインシール剤を８５℃で予備焼成した後、アレイ
基板２を対向基板３と貼り合わせた。このとき、基板間
の間隙がほぼ５μｍとなるようにした。さらに一定の圧
力で押圧しながら、１５０℃で１２０分メインシール剤
の本焼成を行った。こうして、空パネルを作製した。

【００３２】（２）高分子分散型液晶材料の注入 次に、上記空パネル内に、光重合性高分子前駆体と液晶
からなる混合溶液（以下、高分子分散型液晶材料と称す
る。）を、真空注入により注入した。なお、高分子分散
型液晶材料としては、ポリマーネットワーク材料ＰＮＭ
−２０１（大日本インキ化学工業（株）製）を用いた。

【００３３】（３）紫外線照射工程 次いで、ＰＮＭ−２０１中の液晶と高分子とを相分離す
るため、図３（ａ）に示すように、超高圧水銀灯１７に
よる紫外線照射を対向基板３上方から行った。このと
き、超高圧水銀灯１７からの赤外線によるパネルの発熱
を抑えるため、ＩＲカットフィルタを照射面全面に挿入
した。また、液晶材料等の劣化をふせぐために、重合に
関係しない低波長域の光をカットするカットフィルタを
挿入した。このような状態で、紫外線照射を対向基板３
側からのみ行うと、対向基板３には遮光部７があるた
め、この部位の高分子前駆体は一部未重合物１９として
残ってしまう。このまま、放置しておくと、散乱性の低
い浸み出し部を形成し、面内均一性を損なう。そこで、
未重合物１９による浸み出しを防ぐため、さらに図３
（ｂ）に示すように、アレイ基板２裏面側から紫外線を
照射する工程を行った。本実施の形態においては、未重
合物１９のある部位には反射画素電極５を形成しなかっ
たため、アレイ基板２裏面側からの照射によって、未重
合物１９は重合・相分離し、高分子分散型液晶層４が形
成された。

【００３４】アレイ基板２裏面側からの再度の紫外線照
射により、未重合物１０９は重合・相分離し、カラーフ
ィルタ６への浸み出しは観察されなかった。

【００３５】このように、対向基板３側からの紫外線照
射の後、再度アレイ基板２裏面側から紫外線を照射する
ことにより、面内の均一性及び信頼性が向上した。

【００３６】なお、遮光部７は紫外線が照射されると、
加熱される。加熱による温度上昇により未重合物は重合
しにくくなる。このため紫外線を照射する際には、恒温
水槽などの冷却・恒温装置を用いて温度を一定に保っ
た。このように、冷却することは未重合物１９の低減に
効果がある。

【００３７】本発明者の実験結果によれば、対向基板側
からのみ紫外線照射を行った場合、遮光部７の幅ｄ（図
２参照）が５０μｍ以下であれば、浸み出し部はほとん
ど発生せず、面内の均一性には影響を与えなかった。こ
れは、５０μｍ以下であれば、遮光部７の直下に位置す
る高分子前駆体に紫外線が回り込んで照射され、高分子
前駆体の重合が進行するからである。幅ｄが０．１ｍｍ
以上であれば、浸み出し部が僅かに発生した。また、
０．５ｍｍ以上では、大量に浸み出し部が発生した。従
って、遮光部７の幅ｄが０．５ｍｍ以上では、本実施の
形態に係る２段階の紫外線照射を行うことが必須であ
り、幅ｄが０．１ｍｍ以上の場合であっても２段階の紫
外線照射を行うことが望ましい。

【００３８】また、上記本実施の形態に係る方法により
作製した液晶表示素子につき電界を印加すると、表示ム
ラのない均一な表示が得られた。

【００３９】なお、本実施の形態では、第１の紫外線照
射は対向基板側から行っていたが、仮にアレイ基板側か
らの照射を先にした場合は、反射画素電極で完全に紫外
線をカットできず、一部紫外線が高分子分散型液晶材料
に照射される。これにより、高分子分散型液晶材料のう
ちの高分子前駆体の重合が若干進行する。そして、高分
子前駆体の重合が若干進行することにより、液晶の粒径
の大きさが確定してしまい、その後に対向基板側から紫
外線を照射しても粒径が大きくならないという現象が生
じる。従って、アレイ基板側を先に照射すると、希望す
る粒径の液晶が得られないという問題が発生するため、
対向基板側から先に紫外線を照射することが必要であ
る。

【００４０】（実施の形態２）図４は実施の形態２に係
る液晶表示素子の製造方法を説明するための断面図であ
る。本実施の形態２に係る液晶表示素子１Ａは、実施の
形態１の液晶表示素子１と同様の構成を有し、対応する
部分には同一の参照符号を付す。反射型液晶表示素子１
Ａは、以下の方法で製造した。

【００４１】先ず、実施の形態１における製造方法と同
様な方法により、空パネルを作製し、次いで、高分子分
散型液晶材料を注入した。そして、紫外線照射工程で
は、実施の形態１とは異なり、アレイ基板２側と対向基
板３側とから同時に紫外線を照射した。このように、本
実施の形態２の特徴は、実施の形態１では２回に分けて
紫外線照射プロセスを行っていたのを、液晶表示パネル
の上方及び下方から同時に紫外線照射する点にある。

【００４２】対向基板３上方から照射された紫外線は、
高分子分散型液晶材料（ＰＮＭ−２０１）のうち遮光部
７下方に位置する領域以外の領域を重合する。一方、ア
レイ基板２下方から照射された紫外線は、全領域の高分
子分散型液晶材料を重合する。従って、遮光部７下方に
位置する領域の高分子分散型液晶材料も重合する。この
結果、液晶表示素子全体としては、未重合部分がなく、
面内が均一な高分子分散型液晶層４が形成される。こう
して、作製した液晶表示素子に電界を印加すると、表示
ムラのない均一な表示が得られた。なお、本実施の形態
では、対向基板とアレイ基板の両方から同時に紫外線照
射を行うので、実施の形態１に比べて、製造工程を１工
程省略することができ、作業性を向上することができ
る。

【００４３】（実施の形態３）図５は実施の形態３に係
る液晶表示素子の製造方法を説明するための断面図であ
る。上記実施の形態２では、液晶表示素子の上下を挟み
込むように超高圧水銀灯１７を配置したけれども、本実
施の形態３では図５に示すように、対向基板３側に超高
圧水銀灯１７を配置し、アレイ基板２側には超高圧水銀
灯１７に代えて、反射板２０及び導光体２１を配置し
た。導光体２１は、例えば、ガラス製恒温水槽などであ
る。導光体２１はある程度厚みを有し、本実施の形態で
は３ｃｍとした。なお、導光体２１は、ガラス製恒温水
槽に代えて、石英基板などの紫外線透過率の高いもので
あれば、特に限定はしない。

【００４４】このような超高圧水銀灯１７、反射板２０
及び導光体２１により、超高圧水銀灯１７からの紫外線
のうちの漏れ光を導光体２１で集め、反射板２０からの
反射紫外光を遮光部７下方に存在する高分子分散型液晶
材料（ＰＮＭ−２０１）に照射し、重合・相分離させる
ことができる。このように、反射板２０及び導光体２１
の組合せによっても、均一な高分子分散型液晶層を形成
できた。こうして、作製した液晶表示素子に電界を印加
すると、表示ムラのない均一な表示が得られた。

【００４５】なお、上記の例において、導光体２１がア
レイ基板２と接触するように配置されていたが、これは
導光体２１とアレイ基板２との間に隙間があると、界面
反射してアレイ基板２へ反射光を導くことができなくな
るからである。導光体２１とアレイ基板２間に隙間を設
ける場合には、導光体２１とアレイ基板２との光学的結
合がとれる例えばエチレングリコール等を、上記隙間に
充填するようにすればよい。また、本実施の形態では、
対向基板とアレイ基板の両方から同時に紫外線照射を行
うので、実施の形態１に比べて、製造工程を１工程省略
することができ、作業性を向上することができる。

【００４６】上記実施の形態１〜３では、反射板が内付
けされた、いわゆる反射画像電極を備えた反射型液晶表
示素子について説明したけれども、本発明はこれに限定
されるものではなく、アレイ基板に吸収体を設けた吸収
板方式の反射型液晶表示素子についても適用できる。

【００４７】また、上記本実施の形態１〜３では、反射
型液晶表示素子について説明したけれども、本発明はこ
れに限定されるものではなく、透過型液晶表示素子にも
好適に実施できる。例えば、アレイ基板として、紫外線
の透過率が低い基板を用いる透過型液晶表示素子の場合
には、アレイ基板側から紫外線を照射すると、反射型液
晶表示素子の場合と同様の課題（未重合部分による浸み
出しの発生）が発生する。よって、このような構成の透
過型液晶表示素子の場合に本発明を適用することによ
り、未重合部分のない高分子分散型液晶層が得られ、面
内の均一性及び信頼性向上が図られることになる。

【００４８】（比較例１）実施の形態１および２に記述
したパネル構成の液晶表示素子に、高分子分散型液晶材
料（ＰＮＭ−２０１）を真空注入法により充填・封入す
る。対向基板側から紫外線を照射したのみでしばらく放
置しておくと、図１２のようにカラーフィルタの周辺部
の遮光部６１近傍から散乱状態が変化し、散乱性の悪い
部分が浸み出し部６２として、徐々に広がりはじめた。

【００４９】（実施の形態４）図６は実施の形態４の反
射型液晶表示素子の一部断面図である。本実施の形態４
に係る反射型液晶表示素子１Ｂは、基本的には実施の形
態１の液晶表示素子１と同様な構成を有し、対応する部
分には同一の参照符号を付す。この液晶表示素子１Ｂで
は、高分子分散型液晶層４のうちのカラーフィルタ６Ａ
のＲ，Ｇ，Ｂに対応する領域での液晶９Ｒ，９Ｇ，９Ｂ
の粒径ｒR,ｒG,ｒB が、ｒB ＜ｒG ＜ｒR となってい
る。ここで、液晶の粒径とは、本実施の形態のように高
分子が液晶の連続相の中に３次元網目状に広がる構造を
有するＰＮＬＣでは、網目の間隔を意味し、高分子マト
リクス中に球形又は回転楕円体形状の液晶滴が相互に独
立して分散しているＰＤＬＣやＮＣＡＰでは、液晶滴の
粒径を意味する。

【００５０】このように液晶の粒径を設定することによ
り、散乱の均一化を図ることができる。なぜなら、従来
の技術の項において述べたように、高分子分散型液晶の
散乱強度は波長に依存する。このため、従来の均一な粒
径ではＲでの散乱が不充分となる（特開平７−３１２０
１３号公報参照）。一方、図７に示すように、Ｒ，Ｇ，
Ｂの各粒径について、散乱を最大にする最適な粒径が存
在し、それよりも大きくても小さくても散乱は悪くなる
（特開平７−３１２０１３号公報参照）。そこで、Ｒを
最適な粒径に調整し、Ｂ、Ｇをこれよりも小さくするこ
とで散乱の均一化を図ったものである。なお、Ｒ画素、
Ｇ画素及びＢ画素で、１画素を構成する。

【００５１】図８は実施の形態４に係る液晶表示素子の
製造方法を説明するための断面図である。反射型液晶表
示素子１Ｂは、以下の方法で製造した。即ち、実施の形
態１における製造方法と同様な（１）空パネルの作製工
程、（２）高分子分散型液晶材料（ＰＮＭ−２０１）の
注入工程を行なう。次いで、図８に示すように対向基板
３側から超高圧水銀灯１７による紫外線照射を行なっ
た。このとき、カラーフィルタ６Ａを以下のように形成
しておいた。即ち、各Ｒ，Ｇ，Ｂでの紫外線での透過率
を、Ｂ＞Ｇ＞Ｒとなるようにカラーフィルタ６ＡのＲ，
Ｇ，Ｂを形成しておいた。この結果、紫外線が各Ｒ，
Ｇ，Ｂのカラーフィルタ６Ａを通過することにより、Ｒ
ＧＢ各画素での粒径がそれぞれｒB ＜ｒG ＜ｒR の順番
になるように紫外線を照射することができた。このよう
にカラーフィルタ６ＡのＲ，Ｇ，Ｂ毎の紫外線透過率を
変えることにより、Ｒ，Ｇ，Ｂの各粒径を微調整できる
のは、以下の理由による。カラーフィルタでは各Ｒ，
Ｇ，Ｂの色彩毎に紫外線の吸収がある。更に、紫外線強
度が強くなると、粒径が小さくなる。従って、Ｒ，Ｇ，
Ｂのカラーフィルタの紫外線透過率を調整することによ
り、各色毎に粒径調整を行うことができるからである。

【００５２】こうして上記のカラーフィルタ６Ａを用い
ることにより、１回の紫外線照射によりＲ，Ｇ，Ｂの粒
径がｒB ＜ｒG ＜ｒR となった高分子分散型液晶層４を
有する反射型液晶表示素子１Ｂを作製できた。従って、
従来例（特開平８−１２９１６３号公報）のようにマス
クを使用し且つＲ，Ｇ，Ｂ毎に３回紫外線照射を行なう
場合に比べて、作業性が格段に向上した。

【００５３】このようにして、作製された反射型液晶表
示素子１Ｂの特性につき、本発明者の実験結果によれ
ば、Ｂの紫外線透過率を大きくすると、最適な粒径より
小さくなり、結果としてＲとのバランスが良くなった。
またＲよりもＢの粒径は０．１μｍ程度小さくなった。
ＲとＢとの粒径の差が、０．０５μｍから２．０μｍの
範囲であれば、表示の均一化の効果が見られた。０．０
５μｍ以下ではＲでの散乱が足りず、２．０μ以上では
Ｂの散乱が不充分であった。

【００５４】なお、従来例（特開平８−１２９１６３号
公報）では、Ｂ＞Ｇ＞Ｒの順に粒径調整を行うことによ
って、表示の均一化をめざしたものである。これに対し
て、本実施の形態では、Ｂ＜Ｇ＜Ｒの順になるように粒
径調整を行うことにより、表示の均一化を図った。この
ことは、図７に示す特性から明らかなように、Ｒ，Ｇ，
Ｂの各粒径について、散乱を最大にする最適な粒径が存
在し、しかも散乱強度が同一となる粒径が２つ存在して
いる。そして、従来例では、ｒ'B＞ｒ'G＞ｒRに微調整
し、本実施の形態ではｒB ＜ｒG ＜ｒR に微調整したも
のである。ここで、ｒ'Bは従来例のＢの粒径であり、
ｒ'BでのゲインとｒB でのゲインとは同じである。ま
た、ｒ'Gは従来例のＧの粒径であり、ｒ'Gでのゲインと
ｒG でのゲインとは同じである。よって、散乱特性の観
点からすれば、従来例の粒径微調整も本実施の形態の粒
径微調整も本質的には何等変わりがないものである。但
し、従来例と本実施の形態とを同一の散乱特性に設定す
る場合を想定すれば、図７に示すように従来例ではＲ，
Ｇ，Ｂ相互の粒径差が小さく、製造上の困難性がある。
これに対して、本実施の形態では、Ｒ，Ｇ，Ｂ相互の粒
径差が大きく、製造が容易である。また、Ｒの散乱性は
本来的に悪いので、従来例の順序ではＲの色純度が低下
しがちとなる。一方、本実施の形態ではＲを中心して粒
径を決めるので、コントラストを高くすることが容易と
なる。

【００５５】なお、上記の例では、反射型液晶表示素子
について説明したけれども、本発明はこれに限るもので
はない。

【００５６】（実施の形態５）実施の形態５に係る液晶
表示素子は、実施の形態４に係る液晶表示素子と同様な
構成を有する。但し、Ｒ，Ｇ，Ｂ各画素での同一透過率
に対する駆動電圧値が、図８に示すように、それぞれＢ
＞Ｇ＞Ｒの順番となっている点において、実施の形態４
と異なる。従って、製造に際して、複数色のカラーフィ
ルタの各色それぞれの紫外線透過率が、同一透過率を得
るための駆動電圧値が各色に対応する画素毎に異なるよ
うに予め設定しておく。これにより、紫外線がカラーフ
ィルタ上のＲ，Ｇ，Ｂを通過することにより、Ｒ，Ｇ，
Ｂ各画素での同一透過率に対する駆動電圧値がそれぞれ
Ｂ＞Ｇ＞Ｒの順番になるように、ＰＮＭ−２０１の重合
・相分離が起った。この結果、各画素の粒径は、基本的
には実施の形態４と同じである。但し、実施の形態４が
散乱強度を等しくするように調整するのに対し、本実施
の形態５では電圧を調整していることに特徴がある。表
示の均一性は中間調表示の際の均一性が最も重要であ
る。そこで、散乱が基本的に高いＢの駆動電圧をさげる
ことで、中間調での均一性を向上させた。このように、
駆動電圧をＢ＞Ｇ＞Ｒにすることにより、中間調での色
バランスとれた表示の均一化が効果として見られた。

【００５７】（実施の形態６）図９は実施の形態６に係
る反射型液晶表示素子の一部断面図である。基本的には
実施の形態１と同じである。但し、本実施の形態６に係
る反射型液晶表示素子１Ｃでは、ＴＦＴ２９を備えたア
レイ基板２上に、平坦化膜３０が形成され、この平坦化
膜３０上に反射画素電極５が形成されている。前記反射
画素電極５と前記ＴＦＴ２９とは、平坦化膜３０に形成
されたコンタクトホール３１内の中継電極３２を介して
電気的に接続されている。そして、前記反射画素電極５
と前記中継電極３２との接合部が、窪んでおり、この窪
み部分３３に遮光部３４が形成されている。

【００５８】ここで、本実施の形態での液晶表示素子の
動作原理を説明する。高分子分散型液晶では、予め、光
重合性高分子化合物と液晶分子との屈折率を、電圧印加
時には同じなり、電圧無印加時では異なるように設計し
ておく。電圧が無印加時では高分子化合物と液晶分子の
屈折率が異なるため、光は高分子分散型液晶層を通過す
る際には散乱する。次に電圧を印加すると、液晶分子と
高分子との屈折率が等しくなるため、光は高分子分散型
液晶層を直進できる。そして、外部からの直進光が反射
画素電極５に到達すると、本来ならば反射する。このた
め、正面から見た観測者には黒表示に見える。このよう
に、電圧の印加が透明、電圧除去で散乱の切替ができ
る。ところが、接合部が窪んだ構造をしていると、反射
光の一部が正面方向へ向かってしまう。この結果、黒表
示状態で明るくなり、コントラストの低下が起こること
を見出した。この課題を解決するため、本実施の形態で
は、中継電極３２の上部を、樹脂製もしくはクロム化合
物からなる遮光部３４により被覆した。

【００５９】図９（ｂ）に反射画素電極画素５の正面図
を示す。破線で示した部分が窪み部分３３である。窪み
部分３３を被覆するように、実線で示した遮光部３４を
形成した。遮光部３４は窪み部分３３を充分に被覆し、
かつ可能な限り被覆範囲が小さいことが望ましい。

【００６０】このようにして、遮光部３４を形成するこ
とにより、窪み部分３３への外光入射を遮光でき、コン
トラストの低下を改善できた。

【００６１】なお、本実施の形態に係る液晶表示素子１
Ｃに電界を印加すると、表示ムラのない均一な表示が得
られた。また、カラー表示用のドライバー回路やコント
ロール回路などの外部駆動回路を接続して、コンピュー
タ画面やテレビ画面を表示し、コントラストを測定した
ところ、良好なコントラストが得られた。

【００６２】（実施の形態７）図１０は本実施の形態７
の反射型液晶表示素子の一部断面図である。本実施の形
態に係る反射型液晶表示素子１Ｄと、実施の形態６で説
明した液晶表示素子１Ｃとの異なる点は、実施の形態６
では反射画素電極５と中継電極３２との接合点での正反
射をなくすのに反射画素電極５上に遮光部３４を形成す
るのに対して、本実施の形態では対向基板３上に遮光部
３４を形成し、上記接合部への入射光をなくしたことで
ある。即ち、窪み部分３３が剥き出しの状態では正反射
のため、黒表示時が少し明るくなり、コントラストが低
下する。この課題を解決するため、本実施の形態では、
対向基板３にカラーフィルタ６を形成する際、ＴＦＴ２
９と反射画素電極５とを接合している中継電極３２の中
心を通る法線面内に、樹脂製もしくはクロム化合物から
なる遮光部３４を形成した。

【００６３】カラーフィルタ６の裏面図を図１０（ｂ）
に示す。カラーフィルタ６に遮光部３４を形成しておく
と、窪み部分３３への外光入射を遮ることができる。こ
の結果、黒表示時のコントラスト低下を改善できる。な
お、窪み部分３３への入射光を遮光し得る充分な面積を
有し、かつ可能な限り被覆範囲が小さいことが望まし
い。

【００６４】上記の構成を有する液晶表示素子１Ｄに電
界を印加すると、表示斑のない均一な表示が得られた。
また、カラー表示用のドライバー回路やコントロール回
路などの外部駆動回路を接続して、コンピュータ画面や
テレビ画面を表示し、コントラストを測定したところ、
良好なコントラストが得られた。

【００６５】上記実施の形態１〜７では、高分子分散型
液晶として、ポリマーネットワーク型のものについて説
明したが、ＮＣＡＰやＰＤＬＣについても同様の原理で
実施可能である。

【００６６】また、上記実施の形態１〜７では、ＲＧＢ
からなるカラーフィルタについて述べたが、シアン、マ
ゼンタ、イエローからなるカラーフィルタについても同
様の原理により、実施可能である。

【００６７】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、以下の効
果を奏する。

【００６８】（１）対向基板側から紫外線を照射し、そ
の後にアレイ基板側から紫外線を照射するか、または対
向基板側及びアレイ基板側の双方から同時に紫外線を照
射することにより、未重合部分のない高分子分散型液晶
層が得られ、面内の均一性に優れ、信頼性の高い高分子
分散型液晶表示素子を実現できる。

【００６９】（２）また、ＲＧＢに対応するカラーフィ
ルタの紫外線の透過率を調整し、カラーフィルタ上方か
ら紫外線照射することにより、ＲＧＢ各画素の粒径もし
くは駆動電圧を調整し、散乱性のバランスを取ること
で、面内での色再現性が均一な高分子分散型液晶表示素
子を実現できる。

【００７０】（３）さらに、反射画素電極とコンタクト
ホール内の中継電極との接合部の窪み部分に遮光部を形
成するか、又は窪み部分を覆うように対向基板に遮光部
を形成することにより、コントラストの良好な高分子分
散型液晶表示素子を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１における反射型液晶表示
素子の簡略化した断面図である。

【図２】本発明の実施の形態１におけるカラーフィルタ
の平面図である。

【図３】本発明の実施の形態１における反射型液晶表示
素子の製造方法を説明するための断面図である。

【図４】本発明の実施の形態２における反射型液晶表示
素子の製造方法を説明するための断面図である。

【図５】本発明の実施の形態３における反射型液晶表示
素子の製造方法を説明するための断面図である。

【図６】本発明の実施の形態４における反射型液晶表示
素子の一部断面図である。

【図７】本発明の実施の形態４におけるＲＧＢ各画素の
粒径とゲインとの関係を示す図である。

【図８】本発明の実施の形態５におけるＲＧＢ各画素の
電圧とゲインとの関係を示す図である。

【図９】本発明の実施の形態６における反射型液晶表示
素子の構成図である。

【図１０】本発明の実施の形態７における反射型液晶表
示素子の構成図である。

【図１１】従来の反射型液晶表示素子のカラーフィルタ
の平面図である。

【図１２】ＲＧＢ各画素の印加電圧と透過率との関係を
示す図である。

【図１３】従来の反射型液晶表示素子の断面図である。

【図１４】従来の反射型液晶表示素子の反射画素電極付
近の断面図である。

【符号の説明】

１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ：反射型液晶表示素子 ２：アレイ基板 ３：対向基板 ４：高分子分散型液晶層 ５：反射画素電極 ６，６Ａ：カラーフィルタ ７，３４：遮光部 ２９：ＴＦＴ ３０：平坦化膜 ３１：コンタクトホール ３２：中継電極 ３３：窪み部分

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久保田 浩史 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 上村 強 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H089 HA04 KA08 QA16

Claims (29)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 画素電極が形成されたアレイ基板と、遮
   光部が形成された対向基板とを有し、アレイ基板と対向
   基板との間に、高分子と液晶とからなる高分子分散型液
   晶層が挟持された構造の液晶表示素子であって、 前記高分子分散型液晶層は、前記対向基板側から紫外線
   を照射し、その後にアレイ基板側から紫外線を照射し、
   前記基板間に配置された液晶材料と高分子前駆体を含む
   混合溶液のうちの高分子前駆体を重合させて液晶と高分
   子を相分離させて形成されたものであることを特徴とす
   る液晶表示素子。
2. 【請求項２】 画素電極が形成されたアレイ基板と、遮
   光部が形成された対向基板とを有し、アレイ基板と対向
   基板との間に、高分子と液晶とからなる高分子分散型液
   晶層が挟持された構造の液晶表示素子であって、 前記高分子分散型液晶層は、前記対向基板側及び前記ア
   レイ基板側の双方から同時に紫外線を照射し、前記基板
   間に配置された液晶材料と高分子前駆体を含む混合溶液
   のうちの高分子前駆体を重合させて液晶と高分子を相分
   離させて形成されたものであることを特徴とする液晶表
   示素子。
3. 【請求項３】 前記遮光部が、前記対向基板の周辺部に
   形成された枠状の遮光部であることを特徴とする請求項
   １又は２記載の液晶表示素子。
4. 【請求項４】 前記対向基板にはカラーフィルタが形成
   されており、前記遮光部はカラーフィルタの外側周辺部
   に形成されている枠状の遮光部であることを特徴とする
   請求項１又は２記載の液晶表示素子。
5. 【請求項５】 前記枠状の遮光部の幅が０．１ｍｍ以上
   であることを特徴とする請求項３又は４記載の液晶表示
   素子。
6. 【請求項６】 画素電極が形成されたアレイ基板と、遮
   光部が形成された対向基板の間に、液晶材料と高分子前
   駆体を含む混合溶液を配置した後、紫外線を照射して高
   分子前駆体を重合させて液晶と高分子を相分離させるこ
   とにより、高分子と液晶とから成る高分子分散型液晶層
   を作製する相分離工程を備えた液晶表示素子の製造方法
   であって、 前記相分離工程における紫外線照射が、前記対向基板側
   から紫外線を照射する第１の照射工程と、第１の照射工
   程後に前記アレイ基板側から照射する第２の照射工程か
   らなることを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
7. 【請求項７】 画素電極が形成されたアレイ基板と、遮
   光部が形成された対向基板の間に、液晶材料と高分子前
   駆体を含む混合溶液を配置した後、紫外線を照射して高
   分子前駆体を重合させて液晶と高分子を相分離させるこ
   とにより、高分子と液晶とから成る高分子分散型液晶層
   を作製する相分離工程を備えた液晶表示素子の製造方法
   であって、 前記相分離工程における紫外線照射が、前記対向基板側
   及び前記アレイ基板側の双方から同時に紫外線を照射す
   ることを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
8. 【請求項８】 前記相分離工程において、対向基板側か
   ら紫外線を照射すると共に、対向基板側からの紫外線の
   一部をアレイ基板の外側に設置された反射板により反射
   させ、この反射紫外線によりアレイ基板側から照射する
   ことを特徴とする請求項７記載の液晶表示素子の製造方
   法。
9. 【請求項９】 前記反射板の前面に紫外線を透過しうる
   材質からなる導光体を設置することを特徴とする請求項
   ８記載の液晶表示素子の製造方法。
10. 【請求項１０】前記導光体が水槽であることを特徴とす
    る請求項９記載の液晶表示素子の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記遮光部が、前記対向基板の周辺部
    に形成された枠状の遮光部であることを特徴とする請求
    項６乃至１０記載の液晶表示素子の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記対向基板にはカラーフィルタが形
    成されており、前記遮光部はカラーフィルタの外側周辺
    部に形成されている枠状の遮光部であることを特徴とす
    る請求項６乃至１０記載の液晶表示素子の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記枠状の遮光部の幅が０．１ｍｍ以
    上であることを特徴とする請求項１１又は１２記載の液
    晶表示素子の製造方法。
14. 【請求項１４】 画素電極が形成されたアレイ基板と、
    対向電極が形成された対向基板とを有し、アレイ基板と
    対向基板との間に、高分子と液晶とからなる高分子分散
    型液晶層が挟持された構造の液晶表示素子であって、 前記対向基板には複数色のカラーフィルタが形成され、
    前記複数色のカラーフィルタの各色にそれぞれ対応する
    画素毎に液晶の粒径が異なることを特徴とした液晶表示
    素子。
15. 【請求項１５】 前記複数色のカラーフィルタが、赤
    色、緑色、青色に対応するカラーフィルタであり、前記
    粒径が青色画素、緑色画素、赤色画素の順で大きくなる
    ことを特徴とする請求項１４記載の液晶表示素子。
16. 【請求項１６】 画素電極が形成されたアレイ基板と、
    対向電極が形成された対向基板とを有し、アレイ基板と
    対向基板との間に、高分子と液晶とからなる高分子分散
    型液晶層が挟持された構造の液晶表示素子であって、 前記対向基板には複数色のカラーフィルタが形成され、
    前記複数色のカラーフィルタの各色にそれぞれ対応する
    画素は、それぞれ同一透過率を得るための駆動電圧値が
    異なることを特徴とした液晶表示素子。
17. 【請求項１７】 前記複数色のカラーフィルタが、赤
    色、緑色、青色に対応するカラーフィルタであり、前記
    駆動電圧値が青色画素、緑色画素、赤色画素の順に低く
    なることを特徴とする請求項１６記載の液晶表示素子。
18. 【請求項１８】 反射板が前記アレイ基板に内付もしく
    は外付されていることを特徴とする請求項１４乃至１７
    記載の液晶表示素子。
19. 【請求項１９】 画素電極が形成されたアレイ基板と、
    対向電極及び複数色のカラーフィルタが形成された対向
    基板とを有し、アレイ基板と対向基板との間に、高分子
    と液晶とからなる高分子分散型液晶層が挟持された構造
    の液晶表示素子の製造方法であって、 前記複数色のカラーフィルタの各色それぞれの紫外線透
    過率が、各色にそれぞれ対応する画素毎に液晶の粒径が
    異なるように予め設定されており、このカラーフィルタ
    を介して紫外線を照射する工程を有することを特徴とす
    る液晶表示素子の製造方法。
20. 【請求項２０】 前記複数色のカラーフィルターが、赤
    色、緑色、青色に対応するカラーフィルタであり、前記
    液晶の粒径が青色画素、緑色画素、赤色画素の順で大き
    くなるよう、前記カラーフィルタの各色それぞれの紫外
    線透過率が予め設定されていることを特徴とする請求項
    １９記載の液晶表示素子の製造方法。
21. 【請求項２１】 前記複数色のカラーフィルターが、シ
    アン、マゼンタ、イエローに対応するカラーフィルタで
    あり、前記粒径がイエロー画素、マゼンタ画素、シアン
    の順で大きくなるように、前記カラーフィルタの各色そ
    れぞれの紫外線透過率が予め設定されていることを特徴
    とする請求項１９記載の液晶表示素子の製造方法。
22. 【請求項２２】 画素電極が形成されたアレイ基板と、
    対向電極及び複数色のカラーフィルタが形成された対向
    基板とを有し、アレイ基板と対向基板との間に、高分子
    と液晶とからなる高分子分散型液晶層が挟持された構造
    の液晶表示素子の製造方法であって、 前記複数色のカラーフィルタの各色それぞれの紫外線透
    過率が、同一透過率を得るための駆動電圧値が各色に対
    応する画素毎に異なるように予め設定されており、この
    カラーフィルタを介して紫外線を照射する工程を有する
    ことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
23. 【請求項２３】 前記複数色のカラーフィルターが、赤
    色、緑色、青色に対応するカラーフィルタであり、前記
    駆動電圧値が青色画素、緑色画素、赤色画素の順で低く
    なるように、前記複数色のカラーフィルタの各色それぞ
    れの紫外線透過率が予め設定されていることを特徴とす
    る請求項２２記載の液晶表示素子の製造方法。
24. 【請求項２４】 前記複数色のカラーフィルターが、シ
    アン、マゼンタ、イエローに対応するカラーフィルタで
    あり、前記駆動電圧値がイエロー画素、マゼンタ画素、
    シアンの順で低くなるように、前記複数色のカラーフィ
    ルタの各色それぞれの紫外線透過率が予め設定されてい
    ることをを特徴とする請求項２２記載の液晶表示素子の
    製造方法。
25. 【請求項２５】 アクティブマトリクス素子を備えたア
    レイ基板上に、平坦化膜が形成され、この平坦化膜上に
    反射画素電極が形成され、前記反射画素電極と前記アク
    ティブマトリクス素子とが、平坦化膜に形成されたコン
    タクトホール内の中継電極を介して電気的に接続されて
    おり、アレイ基板に対向する対向基板には対向電極が形
    成されており、前記アレイ基板と前記対向基板との間に
    は、高分子と液晶とからなる高分子分散型液晶層が挟持
    されている構造の液晶表示素子であって、 前記反射画素電極と前記中継電極との接合部が、窪んで
    おり、この窪み部分に遮光部が形成されていることを特
    徴とする液晶表示素子。
26. 【請求項２６】 アクティブマトリクス素子を備えたア
    レイ基板上に、平坦化膜が形成され、この平坦化膜上に
    反射画素電極が形成され、前記反射画素電極と前記アク
    ティブマトリクス素子とが、平坦化膜に形成されたコン
    タクトホール内の中継電極を介して電気的に接続されて
    おり、アレイ基板に対向する対向基板には対向電極が形
    成されており、前記アレイ基板と前記対向基板との間に
    は、高分子と液晶とからなる高分子分散型液晶層が挟持
    されている構造の液晶表示素子であって、 前記反射画素電極と前記中継電極との接合部が、窪んで
    おり、この窪み部分を遮光するように前記対向基板上に
    遮光部が形成されていることを特徴とする液晶表示素
    子。
27. 【請求項２７】 前記遮光部が樹脂もしくはクロム化合
    物であることを特徴とする請求項２５又は２６記載の液
    晶表示素子。
28. 【請求項２８】 前記アクティブマトリクス素子が薄膜
    トランジスタもしくは薄膜ダイオードであることを特徴
    とする請求項２５又は２６記載の液晶表示素子。
29. 【請求項２９】 前記対向基板に、赤色、青色、緑色の
    ３種類もしくはシアン、マジェンタ、イエローの３種類
    からなるカラーフィルタが形成されていることを特徴と
    する請求項２５乃至２８記載の液晶表示素子。