JPH05216071A - 光弁用基板 - Google Patents
光弁用基板Info
- Publication number
- JPH05216071A JPH05216071A JP1788592A JP1788592A JPH05216071A JP H05216071 A JPH05216071 A JP H05216071A JP 1788592 A JP1788592 A JP 1788592A JP 1788592 A JP1788592 A JP 1788592A JP H05216071 A JPH05216071 A JP H05216071A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- light valve
- element electrodes
- light
- picture elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高開口率の画素を有する光弁用基板を提供す
る。 【構成】 互いに独立した複数の表示用画素電極を有す
る液晶パネルの電極構造において、隣接する画素の画素
電極が、絶縁膜を介して互いに重畳部を有する構造にす
ることにより、表示動作を行ったとき、各画素間に隙間
のない表示状態を得ることができるようにしたことを特
徴とする光弁用基板。
る。 【構成】 互いに独立した複数の表示用画素電極を有す
る液晶パネルの電極構造において、隣接する画素の画素
電極が、絶縁膜を介して互いに重畳部を有する構造にす
ることにより、表示動作を行ったとき、各画素間に隙間
のない表示状態を得ることができるようにしたことを特
徴とする光弁用基板。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光弁用基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光弁用基板では基板断面図を示す
図３のように隣接する画素の画素電極１０３間には間隙
１０５を有する構造になっていた。
図３のように隣接する画素の画素電極１０３間には間隙
１０５を有する構造になっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
造の光弁用基板では光照射時に光弁物質を用いて光透過
を遮断しなければならない場合に、画素電極間の間隙上
の光弁物質は作用しないため、この間隙より入射光がも
れてしまう。このため、一般にはこの間隙よりも大きな
遮光膜を対向基板に設けることにより光のもれを防止し
ている。ところが画素の微細化に従い、遮光膜の占める
面積比が大きくなり、画素全体の開口率が低下し、暗い
画像となってしまうという問題点があった。また、画像
上に現れる従横の黒線は視る者に不快感を与えていた。
造の光弁用基板では光照射時に光弁物質を用いて光透過
を遮断しなければならない場合に、画素電極間の間隙上
の光弁物質は作用しないため、この間隙より入射光がも
れてしまう。このため、一般にはこの間隙よりも大きな
遮光膜を対向基板に設けることにより光のもれを防止し
ている。ところが画素の微細化に従い、遮光膜の占める
面積比が大きくなり、画素全体の開口率が低下し、暗い
画像となってしまうという問題点があった。また、画像
上に現れる従横の黒線は視る者に不快感を与えていた。
【０００４】本発明は、上記課題を解消して高開口率の
画素を有する光弁用基板を提供することを目的とする。
画素を有する光弁用基板を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の光弁用基板が上
記目的を達成するために採用した主たる手段は、隣接す
る画素の画素電極が互いに重畳部を有する構造にしたこ
とを特徴とする。
記目的を達成するために採用した主たる手段は、隣接す
る画素の画素電極が互いに重畳部を有する構造にしたこ
とを特徴とする。
【０００６】
【作用】上述したように、本発明は従来構造の画素を有
する光弁用基板に比べて、高開口率の画素を有する光弁
用基板を得ることができる。
する光弁用基板に比べて、高開口率の画素を有する光弁
用基板を得ることができる。
【０００７】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の好適な実施例
を説明する。図１は本発明のアクティブマトリクス型の
光弁用基板の一実施例を示す模式的断面図である。透明
基板１０１上に画素のポリシリコンまたはアモルファス
シリコンを材料とするＴＦＴやダイオード、さらに単結
晶シリコントランジスタなどよりなるスイッチング素子
１０２が形成され、画素電極１０３は、各画素のスイッ
チング素子１０２に接続されている。隣接する画素の画
素電極１０３は絶縁膜１０６を介して互いに重畳部１０
４を有するように形成されている。なお、画素電極１０
３はポリシリコンまたはＩＴＯ等よりなり、絶縁膜１０
６はＳｉＯ2 やＳｉＮ等よりなる。
を説明する。図１は本発明のアクティブマトリクス型の
光弁用基板の一実施例を示す模式的断面図である。透明
基板１０１上に画素のポリシリコンまたはアモルファス
シリコンを材料とするＴＦＴやダイオード、さらに単結
晶シリコントランジスタなどよりなるスイッチング素子
１０２が形成され、画素電極１０３は、各画素のスイッ
チング素子１０２に接続されている。隣接する画素の画
素電極１０３は絶縁膜１０６を介して互いに重畳部１０
４を有するように形成されている。なお、画素電極１０
３はポリシリコンまたはＩＴＯ等よりなり、絶縁膜１０
６はＳｉＯ2 やＳｉＮ等よりなる。
【０００８】図１−図２の実施例によれば隣接する画素
電極は互いに重畳部を有しているのでこの基板上に液晶
セル等を実装し、光弁装置を形成した場合、光弁物質で
ある液晶を制御できない部分は存在しない。従って入射
光を遮断する場合には画素電極１０３に供給する電圧の
設定のみで行うことが可能となり、従来必要であった対
向基板上のブラックマトリクスと呼ばれる遮光膜は不要
となるため、開口率が向上し、明るい画像が得られる。
さらに、得られる画像には従横に走る不快な黒線もな
い。
電極は互いに重畳部を有しているのでこの基板上に液晶
セル等を実装し、光弁装置を形成した場合、光弁物質で
ある液晶を制御できない部分は存在しない。従って入射
光を遮断する場合には画素電極１０３に供給する電圧の
設定のみで行うことが可能となり、従来必要であった対
向基板上のブラックマトリクスと呼ばれる遮光膜は不要
となるため、開口率が向上し、明るい画像が得られる。
さらに、得られる画像には従横に走る不快な黒線もな
い。
【０００９】
【発明の効果】上述したように本発明によれば、従来の
画素電極構造を有する光弁用基板に比べて、高開口率の
光弁用基板を得ることができる。
画素電極構造を有する光弁用基板に比べて、高開口率の
光弁用基板を得ることができる。
【図１】本発明のアクティブマトリクス型の光弁用基板
の一実施例を示す模式的断面図である。
の一実施例を示す模式的断面図である。
【図２】本発明による単純マトリクス型の光弁用基板の
一実施例を示す模式的断面図である。
一実施例を示す模式的断面図である。
【図３】従来の光弁用基板を示す模式的断面図である。
１０１ 透明基板 １０２ スイッチング素子 １０３ 画素電極 １０４ 重畳部 １０５ 間隙 １０６ 絶縁膜
Claims (1)
- 【請求項１】 少なくとも互いに独立した複数の画素電
極が形成された液晶パネル用基板において、隣接する該
画素電極は絶縁膜を介して互いに重畳部を有することを
特徴とする液晶パネル用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1788592A JPH05216071A (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | 光弁用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1788592A JPH05216071A (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | 光弁用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05216071A true JPH05216071A (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=11956163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1788592A Pending JPH05216071A (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | 光弁用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05216071A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011096276A1 (en) * | 2010-02-05 | 2011-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| JP2012032793A (ja) * | 2010-07-01 | 2012-02-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電界駆動型表示装置 |
| JP2022058383A (ja) * | 2015-03-19 | 2022-04-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0217721B2 (ja) * | 1984-11-06 | 1990-04-23 | Yamada Yuki Seizo Co Ltd | |
| JPH0385516A (ja) * | 1989-08-30 | 1991-04-10 | Canon Inc | 液晶素子 |
-
1992
- 1992-02-03 JP JP1788592A patent/JPH05216071A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0217721B2 (ja) * | 1984-11-06 | 1990-04-23 | Yamada Yuki Seizo Co Ltd | |
| JPH0385516A (ja) * | 1989-08-30 | 1991-04-10 | Canon Inc | 液晶素子 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2011096276A1 (en) * | 2010-02-05 | 2011-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| JP2011180583A (ja) * | 2010-02-05 | 2011-09-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2014167641A (ja) * | 2010-02-05 | 2014-09-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| US9057918B2 (en) | 2010-02-05 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device comprising first and second pixel electrodes that overlap each other with an insulating layer interposed therebetween |
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| US9541803B2 (en) | 2010-02-05 | 2017-01-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device comprising first and second reflective pixel electrodes that overlap each other with an insulating layer having a tapered first end portion interposed therebetween |
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| US9305496B2 (en) | 2010-07-01 | 2016-04-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electric field driving display device |
| US10274803B2 (en) | 2010-07-01 | 2019-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electric field driving display device |
| JP2022031768A (ja) * | 2010-07-01 | 2022-02-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電界駆動型表示装置 |
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