JP2019125646A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板に付着する残渣を確実に除去して、その後の処理への影響を低減することが可能であり、さらに、基板から残渣が飛散して周囲の環境を汚染することを防止する。【解決手段】基板処理装置１は、支持体１０と、基板４０と、支持体１０と基板４０との間に介在する反応層２０とを備える積層体５０に対して、光を照射することで反応層２０を変質させる光照射ユニット２と、基板４０を、支持体１０から剥離させる剥離ユニット３と、支持体１０から剥離された基板４０を液体により洗浄する第１洗浄ユニット４と、支持体１０から剥離された基板４０をプラズマにより処理する第２洗浄ユニット５と、を備える。【選択図】図１

Description

本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。

近年、電子装置を製造する方法の一例として、いわゆるファンアウト型ＰＬＰ（Fan-out Panel Level Package）技術と呼ばれる手法が知られている。ファンアウト型ＰＬＰ技術では、例えば、ウエハ又はガラス板などの支持体に、光の吸収又は加熱により変質する反応層を形成し、その上に電子部品を有する基板を積層して積層体を形成する。その後、反応層に光又は熱を加えて支持体から基板を分離させ、基板を洗浄してから、基板を電子部品ごとに切断して電子装置を得ている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１０−３７４８号公報

上記のファンアウト型ＰＬＰ技術では、積層体の反応層に光又は熱を加えて基板を支持体から剥離するが、その際に反応層の残渣が基板に付着していることがある。この残渣は、反応層が光又は熱により変質しており、溶剤による洗浄を行っても除去することが困難な場合がある。残渣が付着したままにすると、残渣によってその後の処理に影響を与える場合がある。また、残渣が付着した状態で基板を他の場所に搬送すると、残渣が基板表面から飛散し、周囲の環境を汚染してしまう場合がある。

本発明は、基板に付着する残渣を確実に除去して、その後の処理への影響を低減することが可能であり、さらに、基板から残渣が飛散して周囲の環境を汚染することを防止することが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。

本発明の第１態様では、支持体と、基板と、前記支持体と基板との間に介在する反応層とを備える積層体に対して、光を照射することで前記反応層を変質させる光照射ユニットと、前記基板を、前記支持体から剥離させる剥離ユニットと、前記支持体から剥離された前記基板を液体により洗浄する第１洗浄ユニットと、前記支持体から剥離された前記基板をプラズマにより処理する第２洗浄ユニットと、を備える、基板処理装置が提供される。

本発明の第２態様では、支持体と、基板と、前記支持体と基板との間に介在する反応層とを備える積層体に対して光を照射することで前記反応層を変質させる光照射工程と、前記基板を、前記支持体から剥離させる剥離工程と、前記支持体から剥離された前記基板を液体により洗浄する液体洗浄工程と、前記支持体から剥離された前記基板をプラズマにより処理するプラズマ洗浄工程と、を含む、基板処理方法が提供される。

本発明によれば、第１洗浄ユニットによる液体洗浄工程、及び第２洗浄ユニット基板によるプラズマ洗浄工程によって、基板に付着する残渣を確実に除去することにより、その後の処理への影響を低減することができ、さらに、基板から残渣が飛散して周囲の環境を汚染することを防止することができる。

第１実施形態に関する基板処理装置の一例を機能ブロックで示す図である。 基板処理装置で処理される積層体の一例を示し、（Ａ）は接着層を含む積層体の図、（Ｂ）は接着層を含まない積層体の図である。 積層体を保持する保持具の一例を示し、（Ａ）は積層体を保持した保持具の斜視図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。 実施形態に関する基板処理方法の一例を示すフローチャートである。 光照射ユニット及び光照射工程の一例を示し、（Ａ）は積層体の全面に光を照射する場合の図、（Ｂ）は積層体に対して光を走査する場合の図である。 剥離ユニット及び剥離工程の一例を示し、（Ａ）は支持体を剥離する前の図、（Ｂ）は支持体を剥離した後の図である。 第１洗浄ユニット及び液体洗浄工程の一例を示し、（Ａ）は液体により基板を洗浄している状態の図、（Ｂ）は液体洗浄工程後の基板を示す図である。 図７に続いて、第２洗浄ユニット及びプラズマ洗浄工程の一例を示し、（Ａ）はプラズマにより基板を洗浄している状態の図、（Ｂ）はプラズマ洗浄工程後の基板を示す図である。 第３洗浄ユニット及び液体洗浄工程の一例を示し、（Ａ）は液体により基板を洗浄している状態の図、（Ｂ）は液体洗浄工程後の基板を示す図である。 図９に続いて、第２洗浄ユニット及びプラズマ洗浄工程の他の例を示し、（Ａ）はプラズマにより基板を洗浄している状態の図、（Ｂ）はプラズマ洗浄工程後の基板を示す図である。 図１０に続いて、第１洗浄ユニット及び液体洗浄工程の他の例を示し、（Ａ）は液体により基板を洗浄している状態の図、（Ｂ）は液体洗浄工程後の基板を示す図である。 第２洗浄ユニット及びプラズマ洗浄工程の他の例を示し、（Ａ）はプラズマにより基板を洗浄している状態の図、（Ｂ）はプラズマ洗浄工程後の基板を示す図である。 図１２に続いて、第１洗浄ユニット及び液体洗浄工程の他の例を示し、（Ａ）は液体により基板を洗浄している状態の図、（Ｂ）は液体洗浄工程後の基板を示す図である。 液体洗浄工程及びプラズマ洗浄工程後の基板の他の例を示す図である。 図１４に続いて、第２洗浄ユニット及びプラズマ洗浄工程の他の例を示し、（Ａ）はプラズマにより基板を洗浄している状態の図、（Ｂ）はプラズマ洗浄工程後の基板を示す図である。 基板処理装置の各ユニットの配置の一例を示す図である。 実施形態に関する基板処理方法の他の例を示すフローチャートである。 光照射ユニット及び光照射工程の他の例を示し、（Ａ）は積層体の全面に光を照射する場合の図、（Ｂ）は積層体に対して光を走査する場合の図である。 剥離ユニット及び剥離工程の他の例を示し、（Ａ）は支持体を剥離する前の図、（Ｂ）は支持体をした後の図である。 第３洗浄ユニット及び液体洗浄工程の他の例を示し、（Ａ）は液体により基板を洗浄している状態の図、（Ｂ）は液体洗浄工程後の基板を示す図である。 図２０に続いて、第２洗浄ユニット及びプラズマ洗浄工程の他の例を示し、（Ａ）はプラズマにより基板を洗浄している状態の図、（Ｂ）はプラズマ洗浄工程後の基板を示す図である。 （Ａ）は液体洗浄工程及びプラズマ洗浄工程後の基板の他の例を示す図、（Ｂ）は（Ａ）に続いて、液体により基板を洗浄している状態の図である。 基板処理装置の各ユニットの配置の他の例を示す図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。なお、図面においては、各構成をわかりやすくするために、一部を強調して、あるいは一部を簡略化して表している部分があり、実際の構造又は形状、縮尺等と異なっている場合がある。

＜基板処理装置＞
図１は、第１実施形態に関する基板処理装置１の一例を機能ブロックで示す図である。図１に示す基板処理装置１は、積層体５０に対して各種の処理を行い、基板４０を形成する。積層体５０は、支持体１０と、反応層２０と、接着層３０と、基板４０とを備えている。なお、図示しないが、積層体５０から分離された支持体１０は、基板処理装置１から適宜取り出されてもよいし、基板処理装置１内において所定枚数に達するまで保管された後にまとめて基板処理装置１から取り出されてもよい。図１に示すように、基板処理装置１は、光照射ユニット２と、剥離ユニット３と、第１洗浄ユニット４と、第２洗浄ユニット５と、第３洗浄ユニット６と、搬送ユニット７とを備えている。

光照射ユニット２は、積層体５０に対して、光を照射することで反応層２０を変質させる。光照射ユニット２は、例えば、積層体５０を載置する不図示の載置台と、反応層２０を変質させることが可能な波長の光を照射する不図示の照射装置とを有する。この照射装置からの光は、積層体５０の支持体１０側から照射されてもよいし、積層体５０の基板４０側から照射されてもよい。照射装置に備える光源、及びこの光源から出射する光の詳細については後述する。また、照射装置からの光が、積層体５０の支持体１０側及び基板４０側の双方から照射されてもよい。また、照射装置からの光の照射は、スポット光を走査する手法、あるいは積層体５０の全面に光を照射する手法、積層体５０の一部に光を照射しつつ光の照射部分をステップしてずらしていく手法のいずれであってもよい。

光照射ユニット２は、基板処理装置１内において、例えば、光照射ユニット２専用のチャンバ内に収容されて配置されている。このチャンバにより、照射装置から出射した光が基板処理装置１内においてチャンバ外に漏れるのを防止できる。

剥離ユニット３は、基板４０を支持体１０から剥離させる。剥離ユニット３には、上記した光照射ユニット２により反応層２０が変質した状態の積層体５０が搬入される。剥離ユニット３は、例えば、積層体５０を固定する不図示の固定台と、支持体１０を吸着する不図示の吸着装置とを有する。剥離ユニット３は、支持体１０を上側として積層体５０を固定台に固定し、その状態で吸着装置を支持体１０に吸着させて引き上げること、あるいは固定台を下降させることで、支持体１０を基板４０から剥離する。

第１洗浄ユニット４は、支持体１０から剥離された基板４０を液体により洗浄する。第１洗浄ユニット４は、液体洗浄装置である。第１洗浄ユニット４は、例えば、基板４０を載置する不図示の載置台と、この載置台に載置された基板４０に対して液体を供給する不図示の液体供給装置と、基板４０を洗浄した液体を排出する不図示の排出部とを有する。第１洗浄ユニット４は、支持体１０から剥離された基板４０に付着している接着層３０を液体により除去する。

第１洗浄ユニット４において用いられる液体は、炭化水素系有機溶媒、含窒素系有機溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒から選ばれる１種以上を含む。炭化水素系有機溶媒としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の直鎖状の炭化水素；炭素数４から１５の分岐鎖状の炭化水素；シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ナフタレン、デカヒドロナフタレン、テトラヒドロナフタレン等の環状炭化水素；ｐ−メンタン、ｏ−メンタン、ｍ−メンタン、ジフェニルメンタン、１，４−テルピン、１，８−テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン、ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、メントール、イソメントール、ネオメントール、α−テルピネオール、β−テルピネオール、γ−テルピネオール、テルピネン−１−オール、テルピネン−４−オール、ジヒドロターピニルアセテート、１，４−シネオール、１，８−シネオール、ボルネオール、カルボン、ヨノン、ツヨン、カンファー、ｄ−リモネン、ｌ−リモネン、ジペンテン等のテルペン系溶剤；アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル等の芳香族系有機溶媒である。含窒素系有機溶媒としては、例えば、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド等のアミド結合を有する溶媒である。エーテル系溶媒としては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類；エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物；ジオキサンのような環式エーテル類；前記多価アルコール類又は前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体である。エステル系溶媒としては、例えば、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メトキシブチルアセテート、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類である。
その他、入手容易性の高い溶媒としては、東京応化工業株式会社製ＴＺＮＲ（登録商標）−ＨＣシンナー等を用いることができる。

第１洗浄ユニット４は、基板処理装置１内において、例えば、第１洗浄ユニット４専用のチャンバ内に収容されて配置されている。このチャンバにより、液体供給装置から供給された液体が基板処理装置１内においてチャンバ外に漏れるのを防止できる。

第２洗浄ユニット５は、支持体１０から剥離された基板４０をプラズマにより処理する。第２洗浄ユニット５は、プラズマ洗浄装置である。第２洗浄ユニット５は、例えば、基板４０を載置する不図示の載置台と、プラズマを発生させる不図示のプラズマ発生装置とを有する。載置台に載置された基板４０に対してプラズマ発生装置により発生させたプラズマをあてることにより、上記した光照射ユニット２により変質した反応層２０の残渣を除去する。第２洗浄ユニット５は、例えば、酸素プラズマにより基板４０を処理する。なお、第２洗浄ユニット５は、酸素プラズマに代えて、Ｎ_２,ＮＨ_３,ＣＦ_４等のガスを用いたプラズマを用いたものであってもよい。

第２洗浄ユニット５は、基板処理装置１内において、例えば、第２洗浄ユニット５専用のチャンバ内に収容されて配置されている。このチャンバにより、プラズマ洗浄装置で発生させたプラズマが基板処理装置１内においてチャンバ外に漏れるのを防止できる。

第３洗浄ユニット６は、支持体１０から剥離された基板４０を液体により洗浄する。第３洗浄ユニット６は、液体洗浄装置である。第３洗浄ユニット６は、例えば、基板４０を載置する不図示の載置台と、この載置台に載置された基板４０に対して液体を供給する不図示の液体供給装置と、基板４０を洗浄した液体を排出する不図示の排出部とを有する。第３洗浄ユニット６は、支持体１０から剥離された基板４０に付着している反応層２０の変質部分（後述の変質層２０ａ）を液体により洗い流して除去する。第３洗浄ユニット６において用いられる液体は、炭化水素系有機溶媒、含窒素系有機溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒から選ばれる１種以上を含む。炭化水素系有機溶媒、含窒素系有機溶媒、エーテル系溶媒、又はエステル系溶媒は、第１洗浄ユニット４において用いられる液体と同様である。また、第３洗浄ユニット６において用いられる液体は、水であってもよい。

第３洗浄ユニット６は、基板処理装置１内において、例えば、第３洗浄ユニット６専用のチャンバ内に収容されて配置されている。このチャンバにより、液体供給装置から供給された液体が基板処理装置１内においてチャンバ外に漏れるのを防止できる。

上記した剥離ユニット３、第１洗浄ユニット４、第２洗浄ユニット５、及び第３洗浄ユニット６は、複数のパネルにより形成された同一の空間内に配置される。この空間内には、支持体１０又は支持体１０から剥離された基板４０を搬送する搬送ユニット７が配置される。搬送ユニット７は、搬送装置７ａを有する。搬送装置７ａは、例えば、積層体５０又は基板４０を保持する不図示の保持部と、基板処理装置１内に敷設されたガイド等に沿って走行する走行部とを有する。これら保持部及び走行部は、不図示の駆動装置によって駆動される。搬送装置７ａは、基板処理装置１に搬入された積層体５０を光照射ユニット２に搬送する。また、搬送装置７ａは、光照射ユニット２により光が照射された積層体５０を剥離ユニット３に搬送する。また、搬送装置７ａは、剥離ユニット３により支持体１０を分離した後の基板４０を、第１洗浄ユニット４、第２洗浄ユニット５、及び第３洗浄ユニット６の間で搬送する。また、搬送装置７ａは、剥離ユニット３により分離された支持体１０を搬送してもよい。

なお、上記した各ユニットの動作については、後述する基板処理方法においても説明している。

＜積層体＞
基板処理装置１によって処理される積層体５０について説明する。図２は、基板処理装置１で処理される積層体の一例を示し、図２（Ａ）は接着層３０を含む積層体５０の図、図２（Ｂ）は接着層３０を含まない積層体５０Ａの図である。すなわち、図２（Ａ）に示す積層体５０は、支持体１０と、反応層２０と、接着層３０と、基板４０とを備える。また、図２（Ｂ）に示す積層体５０Ａは、支持体１０と、反応層２０と、基板４０とを備える。

基板処理装置１は、例えば、積層体５０、５０Ａを形成する積層体形成ユニットを含んでもよいし、この積層体形成ユニットに接続されて配置されてもよい。積層体形成ユニットは、例えば、支持体１０上に反応層２０を形成する反応層形成装置と、反応層２０上に接着層３０を形成する接着層形成装置と、接着層３０上又は反応層２０上に電子部品４１を配置してモールド４２を形成する基板形成装置と、を含む。以下では上記した積層体形成ユニットの各部で用いられる要素について説明する。

（支持体）
支持体１０は、例えば、厚さが５０〜５００μｍの円形状又はほぼ円形状の半導体ウエハが用いられる。半導体ウエハの厚さは任意である。また、支持体１０は、半導体ウエハに代えて、例えば、厚さが５００〜１５００μｍのガラス板などが用いられてもよい。支持体１０は、円形状又はほぼ円形状であることに限定されず、例えば、矩形状、楕円形状、多角形状など、他の形状であってもよい。

（反応層）
反応層２０は、例えば光を吸収することによって変質する材料から形成される。本実施形態において、反応層２０が変質するとは、反応層２０がわずかな外力を受けて破壊され得る状態、又は反応層２０と接する層との接着力が低下した状態にさせることをいう。反応層２０は、光を吸収して変質することにより、変質する前に比べて、強度又は支持体１０に対する接着性が低下する。このため、変質後の反応層２０は、わずかな外力を加える（例えば、支持体１０を持ち上げるなど）こと等により、破壊され又は支持体１０から剥離する。

反応層２０の変質は、吸収した光のエネルギーによる（発熱性又は非発熱性の）分解、架橋、立体配置の変化又は官能基の解離（そして、これらにともなう反応層２０の硬化、脱ガス、収縮又は膨張）等であり得る。反応層２０の変質は、反応層２０を構成する材料による光の吸収の結果として生じる。よって、反応層２０の変質の種類は、反応層２０を構成する材料の種類に応じて変化し得る。また、反応層２０は、光を吸収することによって変質する材料に限定されない。例えば、光によらずに与えられた熱を吸収することによって変質する材料、あるいは、他の溶剤等によって変質する材料であってもよい。

反応層２０の厚さは、例えば、０．０５〜５０μｍであることがより好ましく、０．３〜１μｍであることがさらに好ましい。反応層２０の厚さが０．０５〜５０μｍの範囲内に収まっていれば、短時間の光の照射及び低エネルギーの光の照射、あるいは短時間の加熱、溶剤への短時間の浸漬などによって、反応層２０に所望の変質を生じさせることができる。また、反応層２０の厚さは、生産性の観点から１μｍ以下の範囲内に収まっていることが特に好ましい。

以下、吸収した光のエネルギーにより変質する反応層２０について説明する。反応層２０は、光を吸収する構造を有する材料のみから形成されていることが好ましいが、本質的な特性を損なわない範囲において、光を吸収する構造を有していない材料を添加して、反応層２０を形成してもよい。また、反応層２０における接着層３０に対向する側の面が平坦である（凹凸が形成されていない）ことが好ましく、これにより、接着層３０の形成が容易に行なえ、かつ貼り付け時においても均一に貼り付けることが可能となる。

反応層２０は、レーザから照射される光を吸収することによって変質するものであってもよい。すなわち、反応層２０を変質させるために反応層２０に照射される光（上記した光照射ユニット２の照射装置から出射する光）は、レーザから照射されたものであってもよい。反応層２０に照射する光を発射するレーザの例としては、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ_４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ_２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光等が挙げられる。反応層２０に照射する光を発射するレーザは、反応層２０を構成している材料に応じて適宜選択することが可能であり、反応層２０を構成する材料を変質させ得る波長の光を照射するレーザを選択すればよい。

（フルオロカーボン）
反応層２０は、フルオロカーボンからなっていてもよい。反応層２０は、フルオロカーボンによって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、支持体１０を持ち上げる等）ことによって、反応層２０が破壊されて、支持体１０と基板４０とを分離し易くすることができる。反応層２０を構成するフルオロカーボンは、プラズマＣＶＤ（化学気相堆積）法によって好適に成膜することができる。

フルオロカーボンは、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。反応層２０に用いたフルオロカーボンが吸収する範囲の波長の光を光照射ユニット２において反応層２０に照射することにより、フルオロカーボンを好適に変質させ得る。なお、反応層２０における光の吸収率は８０％以上であることが好ましい。

反応層２０に照射する光としては、フルオロカーボンが吸収可能な波長に応じて、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ_２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を適宜用いればよい。フルオロカーボンを変質させ得る波長としては、これに限定されるものではないが、例えば、波長が６００ｎｍ以下の範囲のものを用いることができる。

（光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体）
反応層２０は、光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体を含有していてもよい。該重合体は、光照射ユニット２において光の照射を受けて変質する。該重合体の変質は、上記構造が照射された光を吸収することによって生じる。反応層２０は、重合体の変質の結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える（例えば、支持体１０を持ち上げる等）ことによって、反応層２０が破壊されて、支持体１０と基板４０とを分離し易くすることができる。

光吸収性を有している上記構造は、光を吸収して、繰り返し単位として該構造を含んでいる重合体を変質させる化学構造である。該構造は、例えば、置換若しくは非置換のベンゼン環、縮合環又は複素環からなる共役π電子系を含んでいる原子団である。より詳細には、該構造は、カルド構造、又は上記重合体の側鎖に存在するベンゾフェノン構造、ジフェニルスルフォキシド構造、ジフェニルスルホン構造（ビスフェニルスルホン構造）、ジフェニル構造若しくはジフェニルアミン構造であり得る。

上記構造が上記重合体の側鎖に存在する場合、該構造は以下の式によって表され得る。

（式中、Ｒはそれぞれ独立して、アルキル基、アリール基、ハロゲン、水酸基、ケトン基、スルホキシド基、スルホン基又はＮ（Ｒ^１）（Ｒ^２）基であり（ここで、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基である）、Ｚは、存在しないか、又は−ＣＯ−、−ＳＯ_２−、−ＳＯ−若しくは−ＮＨ−であり、ｎは０又は１〜５の整数である。）
また、上記重合体は、例えば、以下の式のうち、（ａ）〜（ｄ）の何れかによって表される繰り返し単位を含んでいるか、（ｅ）によって表されるか、又は（ｆ）の構造をその主鎖に含んでいる。

（式中、ｌは１以上の整数であり、ｍは０又は１〜２の整数であり、Ｘは、（ａ）〜（ｅ）において上記の化学式［化１］に示した式のいずれかであり、（ｆ）において上記の［化１］に示した式のいずれかであるか、又は存在せず、Ｙ_１及びＹ_２はそれぞれ独立して、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−である。ｌは好ましくは１０以下の整数である。）

上記の化学式［化１］に示されるベンゼン環、縮合環及び複素環の例としては、フェニル、置換フェニル、ベンジル、置換ベンジル、ナフタレン、置換ナフタレン、アントラセン、置換アントラセン、アントラキノン、置換アントラキノン、アクリジン、置換アクリジン、アゾベンゼン、置換アゾベンゼン、フルオレン、置換フルオレン、フルオレノン、置換フルオリレノン、カルバゾール、置換カルバゾール、Ｎ−アルキルカルバゾール、ジベンゾフラン、置換ジベンゾフラン、フェナンスレン、置換フェナンスレン、ピレン及び置換ピレンが挙げられる。例示した置換基がさらに置換基を有している場合、その置換基は、例えば、アルキル、アリール、ハロゲン原子、アルコキシ、ニトロ、アルデヒド、シアノ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、イミド、カルボン酸、カルボン酸エステル、スルホン酸、スルホン酸エステル、アルキルアミノ及びアリールアミノから選択される。

上記の化学式［化１］に示される置換基のうち、フェニル基を２つ有している５番目の置換基であって、Ｚが−ＳＯ_２−である場合の例としては、ビス（２，４‐ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，４‐ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，５‐ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，６‐ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４‐ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３‐ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（２‐ヒドロキシフェニル）スルホン、及びビス（３，５‐ジメチル‐４‐ヒドロキシフェニル）スルホン等が挙げられる。

上記の化学式［化１］に示される置換基のうち、フェニル基を２つ有している５番目の置換基であって、Ｚが−ＳＯ−である場合の例としては、ビス（２，３‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（５‐クロロ‐２，３‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，４‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，４‐ジヒドロキシ‐６‐メチルフェニル）スルホキシド、ビス（５‐クロロ‐２，４‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，５‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（３，４‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（３，５‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，３，４‐トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，３，４‐トリヒドロキシ‐６‐メチルフェニル）‐スルホキシド、ビス（５‐クロロ‐２，３，４‐トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，４，６‐トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（５‐クロロ‐２，４，６‐トリヒドロキシフェニル）スルホキシド等が挙げられる。

上記の化学式［化１］に示される置換基のうち、フェニル基を２つ有している５番目の置換基であって、Ｚが−Ｃ（＝Ｏ）−である場合の例としては、２，４‐ジヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４‐トリヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’‐テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，５，６’‐テトラヒドロキシベンゾフェノン、２‐ヒドロキシ‐４‐メトキシベンゾフェノン、２‐ヒドロキシ‐４‐オクトキシベンゾフェノン、２‐ヒドロキシ‐４‐ドデシルオキシベンゾフェノン、２，２’‐ジヒドロキシ‐４‐メトキシベンゾフェノン、２，６‐ジヒドロキシ‐４‐メトキシベンゾフェノン、２，２’‐ジヒドロキシ‐４，４’‐ジメトキシベンゾフェノン、４‐アミノ‐２’‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジメチルアミノ‐２’‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジエチルアミノ‐２’‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジメチルアミノ‐４’‐メトキシ‐２’‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジメチルアミノ‐２’，４’‐ジヒドロキシベンゾフェノン、及び４‐ジメチルアミノ‐３’，４’‐ジヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。

上記構造が上記重合体の側鎖に存在している場合、上記構造を含んでいる繰り返し単位の、上記重合体に占める割合は、反応層２０の光の透過率が０．００１％以上、１０％以下になる範囲内にある。該割合がこのような範囲に収まるように重合体が調製されていれば、反応層２０が十分に光を吸収して、確実かつ迅速に変質し得る。すなわち、積層体５０からの支持体１０の除去（あるいは分離、剥離）が容易であり、該除去に必要な光の照射時間を短縮させることができる。

上記構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している光を吸収することができる。例えば、上記構造が吸収可能な光の波長は、１００ｎｍ以上、２，０００ｎｍ以下の範囲内であることがより好ましい。この範囲内のうち、上記構造が吸収可能な光の波長は、より短波長側であり、例えば、１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲内である。例えば、上記構造は、好ましくはおよそ３００ｎｍ以上、３７０ｎｍ以下の範囲内の波長を有している紫外光を吸収することによって、該構造を含んでいる重合体を変質させ得る。

上記構造が吸収可能な光は、例えば、高圧水銀ランプ（波長：２５４ｎｍ以上、４３６ｎｍ以下）、ＫｒＦエキシマレーザ（波長：２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長：１９３ｎｍ）、Ｆ２エキシマレーザ（波長：１５７ｎｍ）、ＸｅＣｌレーザ（波長：３０８ｎｍ）、ＸｅＦレーザ（波長：３５１ｎｍ）若しくは固体ＵＶレーザ（波長：３５５ｎｍ）から発せられる光、又はｇ線（波長：４３６ｎｍ）、ｈ線（波長：４０５ｎｍ）若しくはｉ線（波長：３６５ｎｍ）等である。

上述した反応層２０は、繰り返し単位として上記構造を含んでいる重合体を含有しているが、反応層２０はさらに、上記重合体以外の成分を含み得る。該成分としては、フィラー、可塑剤、及び支持体１０の剥離性を向上し得る成分等が挙げられる。これらの成分は、上記構造による光の吸収、及び重合体の変質を妨げないか、又は促進する、従来公知の物質又は材料から適宜選択される。

（無機物）
反応層２０は、無機物からなっていてもよい。反応層２０は、無機物によって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、支持体１０を持ち上げる等）ことによって、反応層２０が破壊されて、支持体１０と基板４０とを分離し易くすることができる。

上記無機物は、光を吸収することによって変質する構成であればよく、例えば、金属、金属化合物及びカーボンからなる群より選択される１種類以上の無機物を好適に用いることができる。金属化合物とは、金属原子を含む化合物を指し、例えば、金属酸化物、金属窒化物であり得る。このような無機物の例示としては、これに限定されるものではないが、金、銀、銅、鉄、ニッケル、アルミニウム、チタン、クロム、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＴｉＮ、及びカーボンからなる群より選ばれる１種類以上の無機物が挙げられる。なお、カーボンとは炭素の同素体も含まれ得る概念であり、例えば、ダイヤモンド、フラーレン、ダイヤモンドライクカーボン、カーボンナノチューブ等であり得る。

上記無機物は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。反応層２０に用いた無機物が吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、上記無機物を好適に変質させ得る。

光照射ユニット２において、無機物からなる反応層２０に照射する光としては、上記無機物が吸収可能な波長に応じて、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ_４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ_２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を適宜用いればよい。

無機物からなる反応層２０は、例えばスパッタ、化学蒸着（ＣＶＤ）、メッキ、プラズマＣＶＤ、スピンコート等の公知の技術により、支持体１０上に形成され得る。無機物からなる反応層２０の厚さは特に限定されず、使用する光を十分に吸収し得る膜厚であればよいが、例えば、０．０５μｍ以上、１０μｍ以下の範囲内の膜厚とすることがより好ましい。また、反応層２０を構成する無機物からなる無機膜（例えば、金属膜）の両面又は片面に予め接着剤を塗布し、支持体１０及び基板４０に貼り付けてもよい。

なお、反応層２０として金属膜を使用する場合には、反応層２０の膜質、レーザ光源の種類、レーザ出力等の条件によっては、レーザの反射や膜への帯電等が起こり得る。そのため、反射防止膜や帯電防止膜を反応層２０の上下又はどちらか一方に設けることで、それらの対策を図ることが好ましい。

（赤外線吸収性の構造を有する化合物）
反応層２０は、赤外線吸収性の構造を有する化合物によって形成されていてもよい。該化合物は、赤外線を吸収することにより変質する。反応層２０は、化合物の変質の結果として、赤外線の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える（例えば、支持体を持ち上げる等）ことによって、反応層２０が破壊されて、支持体１０と基板４０とを分離し易くすることができる。

赤外線吸収性を有している構造、又は赤外線吸収性を有している構造を含む化合物としては、例えば、アルカン、アルケン（ビニル、トランス、シス、ビニリデン、三置換、四置換、共役、クムレン、環式）、アルキン（一置換、二置換）、単環式芳香族（ベンゼン、一置換、二置換、三置換）、アルコール及びフェノール類（自由ＯＨ、分子内水素結合、分子間水素結合、飽和第二級、飽和第三級、不飽和第二級、不飽和第三級）、アセタール、ケタール、脂肪族エーテル、芳香族エーテル、ビニルエーテル、オキシラン環エーテル、過酸化物エーテル、ケトン、ジアルキルカルボニル、芳香族カルボニル、１，３−ジケトンのエノール、ｏ−ヒドロキシアリールケトン、ジアルキルアルデヒド、芳香族アルデヒド、カルボン酸（二量体、カルボン酸アニオン）、ギ酸エステル、酢酸エステル、共役エステル、非共役エステル、芳香族エステル、ラクトン（β−、γ−、δ−）、脂肪族酸塩化物、芳香族酸塩化物、酸無水物（共役、非共役、環式、非環式）、第一級アミド、第二級アミド、ラクタム、第一級アミン（脂肪族、芳香族）、第二級アミン（脂肪族、芳香族）、第三級アミン（脂肪族、芳香族）、第一級アミン塩、第二級アミン塩、第三級アミン塩、アンモニウムイオン、脂肪族ニトリル、芳香族ニトリル、カルボジイミド、脂肪族イソニトリル、芳香族イソニトリル、イソシアン酸エステル、チオシアン酸エステル、脂肪族イソチオシアン酸エステル、芳香族イソチオシアン酸エステル、脂肪族ニトロ化合物、芳香族ニトロ化合物、ニトロアミン、ニトロソアミン、硝酸エステル、亜硝酸エステル、ニトロソ結合（脂肪族、芳香族、単量体、二量体）、メルカプタン及びチオフェノール及びチオール酸等の硫黄化合物、チオカルボニル基、スルホキシド、スルホン、塩化スルホニル、第一級スルホンアミド、第二級スルホンアミド、硫酸エステル、炭素−ハロゲン結合、Ｓｉ−Ａ^１結合（Ａ^１は、Ｈ、Ｃ、Ｏ又はハロゲン）、Ｐ−Ａ^２結合（Ａ^２は、Ｈ、Ｃ又はＯ）、又はＴｉ−Ｏ結合であり得る。

上記炭素−ハロゲン結合を含む構造としては、例えば、−ＣＨ_２Ｃｌ、−ＣＨ_２Ｂｒ、−ＣＨ_２Ｉ、−ＣＦ_２−、−ＣＦ_３、−ＣＨ＝ＣＦ_２、−ＣＦ＝ＣＦ_２、フッ化アリール、及び塩化アリール等が挙げられる。

上記Ｓｉ−Ａ^１結合を含む構造としては、ＳｉＨ、ＳｉＨ_２、ＳｉＨ_３、Ｓｉ−ＣＨ_３、Ｓｉ−ＣＨ_２−、Ｓｉ−Ｃ_６Ｈ_５、ＳｉＯ−脂肪族、Ｓｉ−ＯＣＨ_３、Ｓｉ−ＯＣＨ_２ＣＨ_３、Ｓｉ−ＯＣ_６Ｈ_５、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ、Ｓｉ−ＯＨ、ＳｉＦ、ＳｉＦ_２、及びＳｉＦ_３等が挙げられる。Ｓｉ−Ａ^１結合を含む構造としては、特に、シロキサン骨格及びシルセスキオキサン骨格を形成していることが好ましい。

上記Ｐ−Ａ^２結合を含む構造としては、ＰＨ、ＰＨ_２、Ｐ−ＣＨ_３、Ｐ−ＣＨ_２−、Ｐ−Ｃ_６Ｈ_５、Ａ^３ _３−Ｐ−Ｏ（Ａ^３は脂肪族又は芳香族）、（Ａ^４Ｏ）_３−Ｐ−Ｏ（Ａ^４はアルキル）、Ｐ−ＯＣＨ_３、Ｐ−ＯＣＨ_２ＣＨ_３、Ｐ−ＯＣ_６Ｈ_５、Ｐ−Ｏ−Ｐ、Ｐ−ＯＨ、及びＯ＝Ｐ−ＯＨ等が挙げられる。

上記構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している赤外線を吸収することができる。具体的には、上記構造が吸収可能な赤外線の波長は、例えば１μｍ以上、２０μｍ以下の範囲内であり、２μｍ以上、１５μｍ以下の範囲内をより好適に吸収することができる。さらに、上記構造がＳｉ−Ｏ結合、Ｓｉ−Ｃ結合及びＴｉ−Ｏ結合である場合には、９μｍ以上、１１μｍ以下の範囲内であり得る。なお、各構造が吸収できる赤外線の波長は当業者であれば容易に理解することができる。例えば、各構造における吸収帯として、非特許文献：ＳＩＬＶＥＲＳＴＥＩＮ・ＢＡＳＳＬＥＲ・ＭＯＲＲＩＬＬ著「有機化合物のスペクトルによる同定法（第５版）−ＭＳ、ＩＲ、ＮＭＲ、ＵＶの併用−」（１９９２年発行）第１４６頁〜第１５１頁の記載を参照することができる。

反応層２０の形成に用いられる、赤外線吸収性の構造を有する化合物としては、上述のような構造を有している化合物のうち、塗布のために溶媒に溶解することができ、固化されて固層を形成することができるものであれば、特に限定されるものではない。しかしながら、反応層２０における化合物を効果的に変質させ、支持体１０と基板４０との分離を容易にするには、反応層２０における赤外線の吸収が大きいこと、すなわち、光照射ユニット２により反応層２０に赤外線を照射したときの赤外線の透過率が低いことが好ましい。具体的には、反応層２０における赤外線の透過率が９０％より低いことが好ましく、赤外線の透過率が８０％より低いことがより好ましい。

一例を挙げて説明すれば、シロキサン骨格を有する化合物としては、例えば、下記の化学式［化３］で表される繰り返し単位及び下記の化学式［化４］で表される繰り返し単位の共重合体である樹脂、あるいは下記の化学式［化４］で表される繰り返し単位及びアクリル系化合物由来の繰り返し単位の共重合体である樹脂を用いることができる。

（上記の化学式［化４］中、Ｒ^３は、水素、炭素数１０以下のアルキル基、又は炭素数１０以下のアルコキシ基である。）
中でも、シロキサン骨格を有する化合物としては、上記の化学式［化３］で表される繰り返し単位及び下記の化学式［化５］で表される繰り返し単位の共重合体であるｔ−ブチルスチレン（ＴＢＳＴ）−ジメチルシロキサン共重合体がより好ましく、上記の化学式［化３］で表される繰り返し単位及び下記の化学式［化５］で表される繰り返し単位を１：１で含む、ＴＢＳＴ−ジメチルシロキサン共重合体がさらに好ましい。

また、シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、例えば、下記の化学式［化６］で表される繰り返し単位及び下記の化学式［化７］で表される繰り返し単位の共重合体である樹脂を用いることができる。

（上記の化学式［化６］中、Ｒ^４は、水素又は炭素数１以上、１０以下のアルキル基であり、上記の化学式［化７］中、Ｒ^５は、炭素数１以上、１０以下のアルキル基、又はフェニル基である。）
シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、このほかにも、特開２００７−２５８６６３号公報（２００７年１０月４日公開）、特開２０１０−１２０９０１号公報（２０１０年６月３日公開）、特開２００９−２６３３１６号公報（２００９年１１月１２日公開）及び特開２００９−２６３５９６号公報（２００９年１１月１２日公開）において開示されている各シルセスキオキサン樹脂を好適に利用することができる。

中でも、シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、下記の化学式［化８］で表される繰り返し単位及び下記の化学式［化９］で表される繰り返し単位の共重合体がより好ましく、下記の化学式［化８］で表される繰り返し単位及び下記の化学式［化９］で表される繰り返し単位を７：３で含む共重合体がさらに好ましい。

シルセスキオキサン骨格を有する重合体としては、ランダム構造、ラダー構造、及び籠型構造があり得るが、何れの構造であってもよい。

また、Ｔｉ−Ｏ結合を含む化合物としては、例えば、（ｉ）テトラ−ｉ−プロポキシチタン、テトラ−ｎ−ブトキシチタン、テトラキス（２−エチルヘキシルオキシ）チタン、及びチタニウム−ｉ−プロポキシオクチレングリコレート等のアルコキシチタン；（ｉｉ）ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナト）チタン、及びプロパンジオキシチタンビス（エチルアセトアセテート）等のキレートチタン；（ｉｉｉ）ｉ−Ｃ_３Ｈ_７Ｏ−［−Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｃ_３Ｈ_７）_２−Ｏ−］_ｎ−ｉ−Ｃ_３Ｈ_７、及びｎ−Ｃ_４Ｈ_９Ｏ−［−Ｔｉ（Ｏ−ｎ−Ｃ_４Ｈ_９）_２−Ｏ−］_ｎ−ｎ−Ｃ_４Ｈ_９等のチタンポリマー；（ｉｖ）トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレート、チタニウムステアレート、ジ−ｉ−プロポキシチタンジイソステアレート、及び（２−ｎ−ブトキシカルボニルベンゾイルオキシ）トリブトキシチタン等のアシレートチタン；（ｖ）ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（トリエタノールアミナト）チタン等の水溶性チタン化合物等が挙げられる。

中でも、Ｔｉ−Ｏ結合を含む化合物としては、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（トリエタノールアミナト）チタン（Ｔｉ（ＯＣ_４Ｈ_９）_２［ＯＣ_２Ｈ_４Ｎ（Ｃ_２Ｈ_４ＯＨ）_２］_２）が好ましい。

上述した反応層２０は、赤外線吸収性の構造を有する化合物を含有しているが、反応層２０はさらに、上記化合物以外の成分を含み得る。該成分としては、フィラー、可塑剤、及び支持体１０の剥離性を向上し得る成分等が挙げられる。これらの成分は、上記構造による赤外線の吸収、及び化合物の変質を妨げないか、又は促進する、従来公知の物質又は材料から適宜選択される。

（赤外線吸収物質）
反応層２０は、赤外線吸収物質を含有していてもよい。反応層２０は、赤外線吸収物質を含有して構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、支持体１０を持ち上げる等）ことによって、反応層２０が破壊されて、支持体１０と基板４０とを分離し易くすることができる。

赤外線吸収物質は、赤外線を吸収することによって変質する構成であればよく、例えば、カーボンブラック、鉄粒子、又はアルミニウム粒子を好適に用いることができる。赤外線吸収物質は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。反応層２０に用いた赤外線吸収物質が吸収する範囲の波長の光を光照射ユニット２において反応層２０に照射することにより、赤外線吸収物質を好適に変質させ得る。

反応層２０は、上記の材料を含む液状体を支持体１０のうち一方の面（反応層形成面）１１０に配置させることで形成させる。例えば、支持体１０を塗布装置などのステージ上に載置して、液状体を吐出するスリットノズルと支持体１０とを相対的に移動させつつ、スリットノズルから液状体を反応層形成面１１０に吐出させる。これにより、支持体１０の反応層形成面１１０の全面に反応層２０が形成される。なお、反応層２０の塗布方法としては、上記のようなスリットノズル法に限定されず、例えば、スピンコート法、ディッピング法、ローラーブレード法、ドクターブレード法、スプレー法による塗布法等で行ってもよい。

（接着層）
接着層３０に含有される樹脂としては、接着性を備えたものであればよく、例えば、炭化水素樹脂、アクリル−スチレン系樹脂、マレイミド系樹脂、エラストマー樹脂等、又はこれらを組み合わせたもの等が挙げられる。

接着剤のガラス転移温度（Ｔｇ）は、上記樹脂の種類や分子量、及び接着剤への可塑剤等の配合物によって変化する。上記接着剤に含有される樹脂の種類や分子量は、基板及び支持体の種類に応じて適宜選択することができるが、接着剤に使用する樹脂のＴｇは−６０℃以上、２００℃以下の範囲内が好ましく、−２５℃以上、１５０℃以下の範囲内がより好ましい。接着剤に使用する樹脂のＴｇが−６０℃以上、２００℃以下の範囲内であることによって、冷却に過剰なエネルギーを要することなく、好適に接着層３０の接着力を低下させることができる。また、接着層３０のＴｇは、適宜、可塑剤や低重合度の樹脂等を配合することによって調整してもよい。ガラス転移温度（Ｔｇ）は、例えば、公知の示差走査熱量測定装置（ＤＳＣ）を用いて測定することができる。

（炭化水素樹脂）
炭化水素樹脂は、炭化水素骨格を有し、単量体組成物を重合してなる樹脂である。炭化水素樹脂として、シクロオレフィン系ポリマー（以下、「樹脂（Ａ）」ということがある）、並びに、テルペン樹脂、ロジン系樹脂及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂（以下、「樹脂（Ｂ）」ということがある）等が挙げられるが、これに限定されない。

樹脂（Ａ）としては、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分を重合してなる樹脂であってもよい。具体的には、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分の開環（共）重合体、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分を付加（共）重合させた樹脂等が挙げられる。

樹脂（Ａ）を構成する単量体成分に含まれる前記シクロオレフィン系モノマーとしては、例えば、ノルボルネン、ノルボルナジエン等の二環体、ジシクロペンタジエン、ジヒドロキシペンタジエン等の三環体、テトラシクロドデセン等の四環体、シクロペンタジエン三量体等の五環体、テトラシクロペンタジエン等の七環体、又はこれら多環体のアルキル（メチル、エチル、プロピル、ブチル等）置換体、アルケニル（ビニル等）置換体、アルキリデン（エチリデン等）置換体、アリール（フェニル、トリル、ナフチル等）置換体等が挙げられる。これらの中でも特に、ノルボルネン、テトラシクロドデセン、又はこれらのアルキル置換体からなる群より選ばれるノルボルネン系モノマーが好ましい。

樹脂（Ａ）を構成する単量体成分は、上述したシクロオレフィン系モノマーと共重合可能な他のモノマーを含有していてもよく、例えば、アルケンモノマーを含有することが好ましい。アルケンモノマーとしては、例えば、エチレン、プロピレン、１−ブテン、イソブテン、１−ヘキセン、α−オレフィン等が挙げられる。アルケンモノマーは、直鎖状であってもよいし、分岐鎖状であってもよい。

また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分として、シクロオレフィンモノマーを含有することが、高耐熱性（低い熱分解、熱重量減少性）の観点から好ましい。樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、５モル％以上であることが好ましく、１０モル％以上であることがより好ましく、２０モル％以上であることがさらに好ましい。また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、特に限定されないが、溶解性及び溶液での経時安定性の観点からは８０モル％以下であることが好ましく、７０モル％以下であることがより好ましい。

また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分として、直鎖状又は分岐鎖状のアルケンモノマーを含有してもよい。樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するアルケンモノマーの割合は、溶解性及び柔軟性の観点からは１０〜９０モル％であることが好ましく、２０〜８５モル％であることがより好ましく、３０〜８０モル％であることがさらに好ましい。

なお、樹脂（Ａ）は、例えば、シクロオレフィン系モノマーとアルケンモノマーとからなる単量体成分を重合させてなる樹脂のように、極性基を有していない樹脂であることが、高温下でのガスの発生を抑制する上で好ましい。

単量体成分を重合するときの重合方法や重合条件等については、特に制限はなく、常法に従い適宜設定すればよい。

樹脂（Ａ）として用いることのできる市販品としては、例えば、ポリプラスチックス株式会社製の「ＴＯＰＡＳ」、三井化学株式会社製の「ＡＰＥＬ」、日本ゼオン株式会社製の「ＺＥＯＮＯＲ」及び「ＺＥＯＮＥＸ」、ＪＳＲ株式会社製の「ＡＲＴＯＮ」等が挙げられる。

樹脂（Ａ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、６０℃以上であることが好ましく、７０℃以上であることが特に好ましい。樹脂（Ａ）のガラス転移温度が６０℃以上であると、積層体が高温環境に曝されたときに接着層３０の軟化をさらに抑制することができる。

樹脂（Ｂ）は、テルペン系樹脂、ロジン系樹脂及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂である。具体的には、テルペン系樹脂としては、例えば、テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、変性テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、水添テルペンフェノール樹脂等が挙げられる。ロジン系樹脂としては、例えば、ロジン、ロジンエステル、水添ロジン、水添ロジンエステル、重合ロジン、重合ロジンエステル、変性ロジン等が挙げられる。石油樹脂としては、例えば、脂肪族又は芳香族石油樹脂、水添石油樹脂、変性石油樹脂、脂環族石油樹脂、クマロン・インデン石油樹脂等が挙げられる。これらの中でも、水添テルペン樹脂、水添石油樹脂がより好ましい。

樹脂（Ｂ）の軟化点は特に限定されないが、８０〜１６０℃であることが好ましい。樹脂（Ｂ）の軟化点が８０℃以上であると、積層体が高温環境に曝されたときに軟化することを抑制することができ、接着不良を生じない。一方、樹脂（Ｂ）の軟化点が１６０℃以下であると、積層体を剥離するときの剥離速度が良好なものとなる。

樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は特に限定されないが、３００〜３，０００であることが好ましい。樹脂（Ｂ）の重量平均分子量が３００以上であると、耐熱性が充分なものとなり、高温環境下において脱ガス量が少なくなる。一方、樹脂（Ｂ）の重量平均分子量が３，０００以下であると、積層体を剥離するときの剥離速度が良好なものとなる。なお、本実施形態における樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定されるポリスチレン換算の分子量を意味するものである。

なお、樹脂として、樹脂（Ａ）と樹脂（Ｂ）とを混合したものを用いてもよい。混合することにより、耐熱性及び剥離速度が良好なものとなる。例えば、樹脂（Ａ）と樹脂（Ｂ）との混合割合としては、（Ａ）：（Ｂ）＝８０：２０〜５５：４５（質量比）であることが、剥離速度、高温環境時の熱耐性、及び柔軟性に優れるので好ましい。

（アクリル−スチレン系樹脂）
アクリル−スチレン系樹脂としては、例えば、スチレン又はスチレンの誘導体と、（メタ）アクリル酸エステル等とを単量体として用いて重合した樹脂が挙げられる。

（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステル、脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステル、芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、炭素数１５〜２０のアルキル基を有するアクリル系長鎖アルキルエステル、炭素数１〜１４のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステル等が挙げられる。アクリル系長鎖アルキルエステルとしては、アルキル基がｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−エイコシル基等であるアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。なお、当該アルキル基は、分岐状であってもよい。

炭素数１〜１４のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステルとしては、既存のアクリル系接着剤に用いられている公知のアクリル系アルキルエステルが挙げられる。例えば、アルキル基が、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、２−エチルヘキシル基、イソオクチル基、イソノニル基、イソデシル基、ドデシル基、ラウリル基、トリデシル基等からなるアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。

脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、シクロペンチル（メタ）アクリレート、１−アダマンチル（メタ）アクリレート、ノルボルニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート、テトラシクロドデカニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート等が挙げられるが、イソボルニルメタアクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレートがより好ましい。

芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、特に限定されるものではないが、芳香族環としては、例えばフェニル基、ベンジル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェノキシメチル基、フェノキシエチル基等が挙げられる。また、芳香族環は、炭素数１〜５の鎖状又は分岐状のアルキル基を有していてもよい。具体的には、フェノキシエチルアクリレートが好ましい。

（マレイミド系樹脂）
マレイミド系樹脂としては、例えば、単量体として、Ｎ−メチルマレイミド、Ｎ−エチルマレイミド、Ｎ−ｎ−プロピルマレイミド、Ｎ−イソプロピルマレイミド、Ｎ−ｎ−ブチルマレイミド、Ｎ−イソブチルマレイミド、Ｎ−ｓｅｃ−ブチルマレイミド、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルマレイミド、Ｎ−ｎ−ペンチルマレイミド、Ｎ−ｎ−ヘキシルマレイミド、Ｎ−ｎ−へプチルマレイミド、Ｎ−ｎ−オクチルマレイミド、Ｎ−ラウリルマレイミド、Ｎ−ステアリルマレイミド等のアルキル基を有するマレイミド、Ｎ−シクロプロピルマレイミド、Ｎ−シクロブチルマレイミド、Ｎ−シクロペンチルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−シクロヘプチルマレイミド、Ｎ−シクロオクチルマレイミド等の脂肪族炭化水素基を有するマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−ｍ−メチルフェニルマレイミド、Ｎ−ｏ−メチルフェニルマレイミド、Ｎ−ｐ−メチルフェニルマレイミド等のアリール基を有する芳香族マレイミド等を重合して得られた樹脂が挙げられる。

例えば、下記の化学式［化１０］で表される繰り返し単位及び下記の化学式［化１１］で表される繰り返し単位の共重合体であるシクロオレフィンコポリマーを接着成分の樹脂として用いることができる。

（上記の化学式［化１１］中、ｎは０又は１〜３の整数である。）
このようなシクロオレフィンコポリマーとしては、ＡＰＬ ８００８Ｔ、ＡＰＬ ８００９Ｔ、及びＡＰＬ ６０１３Ｔ（全て三井化学株式会社製）等を使用することができる。

（エラストマー）
エラストマーは、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいることが好ましく、当該「スチレン単位」は置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数１〜５のアルコキシアルキル基、アセトキシ基、カルボキシル基等が挙げられる。また、当該スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であることがより好ましい。さらに、エラストマーは、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であることが好ましい。

スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であり、エラストマーの重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であれば、後述する炭化水素系の溶剤に容易に溶解するので、より容易かつ迅速に接着層３０を除去することができる。また、スチレン単位の含有量及び重量平均分子量が上記の範囲内であることにより、ウエハがレジストリソグラフィー工程に供されるときに曝されるレジスト溶剤（例えばＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥ等）、酸（フッ化水素酸等）、アルカリ（ＴＭＡＨ等）に対して優れた耐性を発揮する。

なお、エラストマーには、上述した（メタ）アクリル酸エステルをさらに混合してもよい。

また、スチレン単位の含有量は、より好ましくは１７重量％以上であり、また、より好ましくは４０重量％以下である。

重量平均分子量のより好ましい範囲は２０，０００以上であり、また、より好ましい範囲は１５０，０００以下である。

エラストマーとしては、スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であり、エラストマーの重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であれば、種々のエラストマーを用いることができる。例えば、ポリスチレン−ポリ（エチレン／プロピレン）ブロックコポリマー（ＳＥＰ）、スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＩＳ）、スチレン−ブタジエン−スチレンブロックコポリマー（ＳＢＳ）、スチレン−ブタジエン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＢＢＳ）、及び、これらの水添物、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＥＢＳ）、スチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー）（ＳＥＰＳ）、スチレン−エチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＥＥＰＳ）、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（ＳｅｐｔｏｎＶ９４６１（株式会社クラレ製））、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（反応性のポリスチレン系ハードブロックを有する、ＳｅｐｔｏｎＶ９８２７（株式会社クラレ製））等であって、スチレン単位の含有量及び重量平均分子量が上述の範囲内であるものを用いることができる。

また、エラストマーの中でも水添物がより好ましい。水添物であれば熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。また、炭化水素系溶剤への溶解性及びレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。

また、エラストマーの中でも両端がスチレンのブロック重合体であるものがより好ましい。熱安定性の高いスチレンを両末端にブロックすることでより高い耐熱性を示すからである。

より具体的には、エラストマーは、スチレン及び共役ジエンのブロックコポリマーの水添物であることがより好ましい。熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。また、熱安定性の高いスチレンを両末端にブロックすることでより高い耐熱性を示す。さらに、炭化水素系溶剤への溶解性及びレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。

接着層３０を構成する接着剤に含まれるエラストマーとして用いられ得る市販品としては、例えば、株式会社クラレ製「セプトン（商品名）」、株式会社クラレ製「ハイブラー（商品名）」、旭化成株式会社製「タフテック（商品名）」、ＪＳＲ株式会社製「ダイナロン（商品名）」等が挙げられる。

接着層３０を構成する接着剤に含まれるエラストマーの含有量としては、例えば、接着剤組成物全量を１００重量部として、５０重量部以上、９９重量部以下の範囲内が好ましく、６０重量部以上、９９重量部以下の範囲内がより好ましく、７０重量部以上、９５重量部以下の範囲内が最も好ましい。これら範囲内にすることにより、耐熱性を維持しつつ、ウエハと支持体とを好適に貼り合わせることができる。

また、エラストマーは、複数の種類を混合してもよい。つまり、接着層３０を構成する接着剤は複数の種類のエラストマーを含んでいてもよい。複数の種類のエラストマーのうち少なくとも一つが、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいればよい。また、複数の種類のエラストマーのうち少なくとも一つが、スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内である、又は、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であれば、本発明の範疇である。また、接着層３０を構成する接着剤において、複数の種類のエラストマーを含む場合、混合した結果、スチレン単位の含有量が上記の範囲内となるように調整してもよい。例えば、スチレン単位の含有量が３０重量％である株式会社クラレ製のセプトン（商品名）のＳｅｐｔｏｎ４０３３と、スチレン単位の含有量が１３重量％であるセプトン（商品名）のＳｅｐｔｏｎ２０６３とを重量比１対１で混合すると、接着剤に含まれるエラストマー全体に対するスチレン含有量は２１〜２２重量％となり、従って１４重量％以上となる。また、例えば、スチレン単位が１０重量％のものと６０重量％のものとを重量比１対１で混合すると３５重量％となり、上記の範囲内となる。本発明はこのような形態でもよい。また、接着層３０を構成する接着剤に含まれる複数の種類のエラストマーは、全て上記の範囲内でスチレン単位を含み、かつ、上記の範囲内の重量平均分子量であることが最も好ましい。

なお、光硬化性樹脂（例えば、ＵＶ硬化性樹脂）以外の樹脂を用いて接着層３０を形成することが好ましい。光硬化性樹脂以外の樹脂を用いることで、接着層３０の剥離又は除去の後に、基板４０の微小な凹凸の周辺に残渣が残ることを防ぐことができる。特に、接着層３０を構成する接着剤としては、あらゆる溶剤に溶解するものではなく、特定の溶剤に溶解するものが好ましい。これは、基板４０に物理的な力を加えることなく、接着層３０を溶剤に溶解させることによって除去可能なためである。接着層３０の除去に際して、強度が低下した基板４０からでさえ、基板４０を破損させたり、変形させたりせずに、容易に接着層３０を除去することができる。

（希釈溶剤）
接着層３０を形成するときに使用する希釈溶剤としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の直鎖状の炭化水素、炭素数４から１５の分岐状の炭化水素、例えば、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ナフタレン、デカヒドロナフタレン、テトラヒドロナフタレン等の環状炭化水素、ｐ−メンタン、ｏ−メンタン、ｍ−メンタン、ジフェニルメンタン、１，４−テルピン、１，８−テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン、ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、メントール、イソメントール、ネオメントール、α−テルピネオール、β−テルピネオール、γ−テルピネオール、テルピネン−１−オール、テルピネン−４−オール、ジヒドロターピニルアセテート、１，４−シネオール、１，８−シネオール、ボルネオール、カルボン、ヨノン、ツヨン、カンファー、ｄ−リモネン、ｌ−リモネン、ジペンテン等のテルペン系溶剤；γ−ブチロラクトン等のラクトン類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン（ＣＨ）、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類；エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類又は前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体（これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい）；ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メトキシブチルアセテート、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類；アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル等の芳香族系有機溶剤等を挙げることができる。

（その他の成分）
接着層３０を構成する接着剤は、本質的な特性を損なわない範囲において、混和性のある他の物質をさらに含んでいてもよい。例えば、接着剤の性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、接着補助剤、安定剤、着色剤、熱重合禁止剤及び界面活性剤等、慣用されている各種添加剤をさらに用いることができる。

接着層３０は、上記の材料を含む液状体を反応層２０上に配置させることで形成させる。例えば、支持体１０を塗布装置などのステージ上に載置して、液状体を吐出するスリットノズルと支持体１０とを相対的に移動させつつ、スリットノズルから液状体を反応層２０上に吐出させる。これにより、反応層２０上の全面に接着層３０が形成される。なお、接着層３０の塗布方法としては、上記のようなスリットノズル法に限定されず、例えば、スピンコート法、ディッピング法、ローラーブレード法、ドクターブレード法、スプレー法による塗布法等で行ってもよい。また、接着層３０を反応層２０上に塗布した後、加熱等により乾燥させてもよい。

（基板）
基板４０は、電子部品４１と、モールド４２とを有する。電子部品４１は、例えば、半導体等を用いて形成されたチップ等を含む。図２（Ａ）に示す積層体５０では、電子部品４１は、接着層３０上に配置される。また、図２（Ｂ）に示す積層体５０Ａでは、電子部品４１は、反応層２０上に配置される。

モールド４２は、電子部品４１を保持する。図２（Ａ）に示す積層体５０では、モールド４２は、電子部品４１を含む接着層３０の基板形成面１３０の全面を覆うように形成される。また、図２（Ｂ）に示す積層体５０Ａでは、モールド４２は、電子部品４１を含む反応層２０の基板形成面１２０の全面を覆うように形成される。モールド４２により、電子部品４１がモールド４２に埋まった状態で保持される。なお、モールド４２は、電子部品４１の一部（例えば上面）を露出させるように形成されてもよい。また、モールド４２は、例えば反応層２０を変質させる光を透過可能な材料を用いて形成されてもよい。このような材料としては、例えばガラス、シリコン、アクリル樹脂等が挙げられる。なお、基板４０は、電子部品４１が配置されなくてもよい。電子部品４１が配置されない場合、例えば、接着層３０上には単にモールド４２が形成されてもよいし、このモールド４２に再配線された電子回路が形成されてもよい。すなわち、形成される基板４０には、電子部品４１を含まなくてもよい。

基板４０を製造する場合、まず、接着層３０上に複数の電子部品４１が配置される。電子部品４１の配置数は任意である。図２（Ａ）に示す積層体５０の場合では、電子部品４１は、接着層３０により接着されて固定される。その後、電子部品４１を含む接着層３０の全面を覆うようにモールド４２を形成する。図２（Ｂ）に示す積層体５０Ａでは、反応層２０上に複数の電子部品４１が配置される。その後、電子部品４１を含む反応層２０の全面を覆うようにモールド４２を形成する。

なお、電子部品４１がモールド４２に埋まった状態からモールド４２の一部を研削等により除去することにより、電子部品４１の一部（例えば上面）を露出させることができる。また、基板４０は、電子部品４１を配置する単一の層であることに限定されない。例えば、電子部品４１を配置するモールド４２上に、さらに電子部品４１を配置してモールド４２を形成してもよい。このような電子部品４１を配置する層が２以上積層されてもよい。また、積層された電子部品４１間は、パターニング手法等により形成された配線等により電気的に接続されてもよい。

＜保持具＞
図３は、上記のように構成された積層体５０、５０Ａ（又は基板４０）を保持する保持具の一例を示し、図３（Ａ）は積層体５０、５０Ａを保持した保持具の斜視図、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。図３においては、保持具６０が積層体５０を保持する場合の例として示しており、積層体５０Ａであっても同様である。また、保持具６０は、積層体５０、５０Ａから支持体１０を剥離した基板４０が保持される。なお、基板４０を保持する保持具６０の形態については、図６（Ｂ）において示されている。

保持具６０は、例えば、剥離ユニット３において、基板４０側を貼り付けた状態で積層体５０を保持し、剥離ユニット３での処理により、積層体５０から支持体１０を剥離した後の基板４０を保持する。保持具６０は、例えば、剥離ユニット３以降の基板４０の処理及び搬送において用いられる。保持具６０への積層体５０又は基板４０の保持（貼り付け）は、剥離ユニット３が行ってもよいし、剥離ユニット３以外の光照射ユニット２等が行ってもよい。また、積層体５０から支持体１０を剥離するための専用のユニットを備えていてもよい。この専用のユニットは、基板処理装置１に含まれてもよい。

また、積層体５０は、例えば、保持具６０に保持された状態で基板処理装置１に搬送されてもよい。すなわち、保持具６０に積層体５０を保持させる専用のユニットは、基板処理装置１とは別に配置されてもよい。保持具６０は、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示すように、フィルム６１と、リング６２とを有する。フィルム６１は、樹脂等の弾性変形可能な材料を用いて形成される。フィルム６１は、例えばリング６２の外周形状に合わせるように円板状に形成される。

リング６２は、円環状であり、樹脂、金属等の剛性の高い材料を用いて形成される。リング６２は、フィルム６１の面６１ａに接着剤等により貼り付けられた状態で固定され、フィルム６１から容易に外れないようにしている。また、積層体５０は、フィルム６１の面６１ａのうち、リング６２で囲まれた領域のほぼ中央に接着剤等により貼り付けられた状態で保持される。積層体５０は、基板４０側がフィルム６１の面６１ａに貼り付けられる。ここで使用される接着剤は、例えば、フィルム６１から基板４０を剥離可能な接着力を持つものが適用される。

積層体５０から支持体１０を剥離した後の基板４０は、積層体５０と比べて薄くなり、かつ、支持体１０の剛性がなくなっているので、各種処理中あるいは搬送中に割れ等の破損が生じる可能性がある。従って、積層体５０から支持体１０を剥離する剥離ユニット３において、支持体１０の剥離前に予め積層体５０を保持具６０に保持させ、この状態で支持体１０を基板１０から剥離することにより、基板４０を保持具６０に保持させ、基板４０の破損等を防止することができる。なお、積層体５０から支持体１０を基板４０から剥離した後に、この基板４０を保持具６０に貼り付けてもよい。基板４０は、剛性が高い保持具６０のリング６２に囲まれ、さらに、弾性変形可能なフィルム６１に支持されるので、その後の処理又は搬送において衝撃又は振動などが緩和され、破損等が生じるのを回避できる。また、各種処理又は搬送では、保持具６０を把持等すればよいので、アーム等が基板４０に直接接触することを回避できる。

なお、基板４０（積層体５０）は、図３に示すような保持具６０により保持されることに限定されない。例えば、基板４０は、基板処理装置１において保持具等に保持されずにそのまま第１洗浄ユニット４、第２洗浄ユニット５、又は第３洗浄ユニット６で処理されてもよいし、剥離ユニット３から搬送ユニット７により搬送されてもよい。また、基板処理装置１から基板４０が搬出される際、基板４０は、保持具６０に保持された状態で、例えば、ケース等に収容されて搬出されてもよいし、保持具６０が外された状態で搬出されてもよい。

＜積層体５０に対する基板処理方法＞
次に、本実施形態に係る基板処理方法について説明する。図４は、実施形態に関する基板処理方法の一例を示すフローチャートである。この基板処理方法は、基板処理装置１において行う。図４に示すように、基板処理方法は、光照射工程Ｓ１０と、剥離工程Ｓ２０と、基板洗浄工程Ｓ３０とを含む。光照射工程Ｓ１０、剥離工程Ｓ２０、及び基板洗浄工程Ｓ３０の各工程は、基板処理装置１において行う。以下の例では、まず、接着層３０を含む積層体５０（図２（Ａ）参照）を例に挙げて説明する。

（光照射工程）
光照射工程Ｓ１０は、積層体５０に対して、光を照射することで反応層２０を変質させる。光照射工程Ｓ１０は、基板処理装置１の光照射ユニット２において行う。図５は、光照射ユニット２及び光照射工程Ｓ１０の一例を示し、図５（Ａ）は、積層体５０の全面に光を照射する場合の図、図５（Ｂ）は積層体５０に対して光を走査する場合の図である。なお、光照射ユニット２への積層体５０の搬送は、搬送ユニット７により行う。

図５（Ａ）に示すように、光照射ユニット２は、載置台２ａに載置された積層体５０に対して、基板４０と反対側から、つまり支持体１０の底面１０ｂから反応層２０に対して、照射装置２ａにより光Ｌを照射する。照射装置２ａは、上記したように、反応層２０を変質させることが可能な波長の光Ｌを照射する。光照射工程Ｓ１０により、反応層２０が変質して変質層（あるいは変質部）２０ａが形成される（図６（Ａ）等参照）。変質層２０ａは、強度又は支持体１０に対する接着力が反応層２０と比べて低下している。なお、図５（Ａ）に示すように、変質層２０ａは、深さ方向の全体にわたって形成される必要はなく、反応層２０のうち少なくとも支持体１０に接している領域に形成されていればよい。図５（Ａ）では、反応層２０のうち支持体１０に接する一部の領域に変質層２０ａが形成される場合の例を示している。

照射装置２ａは、積層体５０の全面に光Ｌを照射するように、不図示の光学素子を備えている。照射装置２ａは、反応層２０の全面に対して光Ｌを照射可能な構成とすることができるが、これに限定されない。例えば、照射装置２ａは、積層体５０の全面ではなく、積層体５０の全面に対して数分の１などの面積に光Ｌを照射し、光Ｌの照射位置をステップさせて積層体５０の全面に光Ｌを照射する手法が用いられてもよい。また、図５（Ｂ）に示すように、例えば、積層体５０の表面に光Ｌとしてスポット光を照射可能な照射装置２ｂが用いられてもよい。照射装置２ｂは、スポット光である光Ｌと積層体５０とを相対的に移動させることにより、反応層２０の全面にわたって光Ｌを走査して照射することができる。図５（Ｂ）では、照射装置２ｂを揺動させることにより光Ｌを走査する構成を例に挙げているが、この構成に限定されない。例えば、照射装置２ｂは、光Ｌをスライドさせて走査する構成であってもよいし、ガルバノミラー等の光学素子を用いることにより光Ｌを走査する構成であってもよい。

光照射工程Ｓ１０を行った後、反応層２０に変質層２０ａが形成された積層体５０を、搬送ユニット７の搬送装置７ａにより、光照射ユニット２から剥離ユニット３に搬送する搬送工程を行う。剥離ユニット３では、搬送装置７ａにより搬送された積層体５０を図３に示す保持具６０に保持させる。例えば、積層体５０は、予め剥離ユニット３の固定台３ｂに配置された保持具６０上に搬送装置７ａにより搬送され、搬送装置７ａによって保持具６０に載置されることによりフィルム６１に貼り付けられてもよい。

（剥離工程）
剥離工程Ｓ２０は、基板４０を支持体１０から剥離させる。剥離工程Ｓ２０は、基板処理装置１の剥離ユニット３において行う。図６は、剥離ユニット３及び剥離工程の一例を示し、図６（Ａ）は支持体１０を剥離する前の図、図６（Ｂ）は支持体１０を剥離した後の図である。

剥離工程Ｓ２０では、まず、剥離ユニット３に配置された固定台３ｂに保持具６０を真空吸着等により固定する。保持具６０には積層体５０が貼り付けられているため、積層体５０は、固定台３ｂに保持された状態となる。保持具６０を固定した後、図６（Ａ）に示すように、支持体１０のうち反応層形成面１１０とは反対側の底面１０ｂを吸着装置３ａにより真空吸着する。この状態で吸着装置３ａを上方に移動させることにより、図６（Ｂ）に示すように、反応層２０を分離面として、基板４０から支持体１０が持ち上げられる。反応層２０内の変質層２０ａは、光Ｌの照射により強度が低下しており、あるいは接着力が低下しており、吸着装置３ａの上方への移動により、容易に破壊され、あるいは接着面が容易に剥がれることになる。これにより、支持体１０は、基板４０から容易に剥離される。剥離工程Ｓ２０により、支持体１０が積層体５０の反応層２０から剥離される。

剥離工程Ｓ２０を行った後、支持体１０が剥離された基板４０は、保持具６０に保持されたまま、搬送ユニット７の搬送装置７ａにより、剥離ユニット３から第１洗浄ユニット４、第２洗浄ユニット５又は第３洗浄ユニット６に搬送する搬送工程を行う。

（基板洗浄工程）
基板洗浄工程Ｓ３０は、液体洗浄工程及びプラズマ洗浄工程を含む。液体洗浄工程は、支持体１０から剥離された基板４０を液体により洗浄する。プラズマ洗浄工程は、支持体１０から剥離された基板４０をプラズマにより処理する。基板洗浄工程Ｓ３０では、液体洗浄工程とプラズマ洗浄工程とを所定の順序で行うことができる。具体的には、基板洗浄工程Ｓ３０は、以下のラインＡからラインＤのいずれかの工程を行うことができる。ラインＡは、液体洗浄工程Ｓ３１を行い、次にプラズマ洗浄工程Ｓ３２を行う場合である。ラインＢは、液体洗浄工程Ｓ３３を行い、次にプラズマ洗浄工程Ｓ３４を行い、次に液体洗浄工程Ｓ３５を行う。ラインＣは、プラズマ洗浄工程Ｓ３６を行い、次に液体洗浄工程Ｓ３７を行う。ラインＤは、プラズマ洗浄工程Ｓ３８を行い、次に液体洗浄工程Ｓ３９を行い、次にプラズマ洗浄工程Ｓ４０を行う。以下、ラインＡからラインＤを順に説明する。

（ラインＡ）
ラインＡでは、液体洗浄工程Ｓ３１を行った後、プラズマ洗浄工程Ｓ３２を行う。ラインＡの各工程を行う場合、剥離工程Ｓ２０を行った後の搬送工程において、支持体１０が剥離された基板４０を、搬送ユニット７の搬送装置７ａにより、剥離ユニット３から第１洗浄ユニット４に搬送する。基板４０を第１洗浄ユニット４に搬送した後、第１洗浄ユニット４において液体洗浄工程Ｓ３１を行う。図７は、第１洗浄ユニット４及び液体洗浄工程Ｓ３１の一例を示し、図７（Ａ）は液体により基板４０を洗浄している状態の図、図７（Ｂ）は液体洗浄工程Ｓ３１後の基板４０を示す図である。

図７（Ａ）に示すように、液体洗浄工程Ｓ３１では、まず、リング６２を所定高さに保持した状態で、持ち上げ装置４ａによりフィルム６１の下方から基板４０を持ち上げて、リング６２に対して基板４０が上方に突出した状態とする。この場合、リング６２の上部を支持部４ｂにより支持することにより、基板４０を容易にリング６２の上方に突出させることができる。フィルム６１は、弾性変形して延びた状態となる。なお、基板４０を所定高さに保持した状態でリング６２を支持部４ｂで下方に押すことにより、図７（Ａ）に示す状態としてもよい。また、液体洗浄工程Ｓ３１及び第１洗浄ユニット４において、リング６２に対して基板４０を持ち上げるか否かは任意であり、リング６２に対して基板４０を持ち上げずに処理を行ってもよい。

続いて、基板４０が持ち上がった状態で、洗浄液ノズル４ｃから洗浄液Ｒ１を反応層２０に対して吐出する。洗浄液Ｒ１としては、上記したように、例えば、反応層２０及び接着層３０を溶解させる炭化水素系有機溶媒、含窒素系有機溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒から選ばれる１種以上の溶媒を用いることができる。洗浄液ノズル４ｃから吐出された洗浄液Ｒ１は、反応層２０及び接着層３０を溶解しながらフィルム６１側に流れ、リング６２から落下する。リング６２から落下した洗浄液Ｒ１は、不図示の回収部により回収される。

洗浄液Ｒ１により、反応層２０のうち変質していない部分、及び接着層３０が溶解されて除去される。また、反応層２０のうち変質層２０ａは、洗浄液Ｒ１には溶解しないが、洗浄液Ｒ１によって流されて大半が基板４０上から除去される。なお、洗浄液ノズル４ｃから、反応層２０を溶解させる洗浄液Ｒ１ａと接着層３０を溶解させる洗浄液Ｒ１ｂとを切り替えて吐出させてもよい。この場合、先ず、反応層２０を溶解させる洗浄液Ｒ１ａを吐出した後に、接着層３０を溶解させる洗浄液Ｒ１ｂを吐出させてもよい。また、接着層３０を溶解させる洗浄液Ｒ１ｂのみを洗浄液ノズル４ｃから吐出させてもよい。この場合、接着層３０が洗浄液Ｒ１ｂにより溶解されることで、接着層３０上の反応層２０も洗浄液Ｒ１ｂの流れによって基板４０上から除去される。

液体洗浄工程Ｓ３１を行った後の基板４０には、例えば、図７（Ｂ）に示すように、変質層２０ａ（反応層２０）の一部が流されずに残る場合がある。そこで、液体洗浄工程Ｓ３１を行った後の搬送工程において、基板４０を第２洗浄ユニット５に搬送する。基板４０を第２洗浄ユニット５に搬送した後、第２洗浄ユニット５において、基板４０に対してプラズマ洗浄工程Ｓ３２を行う。プラズマ洗浄工程Ｓ３２では、基板４０上に残った変質層２０ａ（反応層２０）の一部を除去する。

図８は、第２洗浄ユニット５及びプラズマ洗浄工程Ｓ３２の一例を示し、図８（Ａ）はプラズマにより基板４０を洗浄している状態の図、図８（Ｂ）はプラズマ洗浄工程後の基板４０を示す図である。図８（Ａ）に示すように、プラズマ洗浄工程Ｓ３２は、保持具６０をステージ５ｂに載置した状態で、基板４０上の空間に不図示のプラズマ発生装置からプラズマ５ａを発生させる。プラズマ５ａは、例えば、酸素プラズマである。このプラズマ５ａにより、図８（Ｂ）に示すように、基板４０に残った変質層２０ａ（反応層２０）の一部が処理され、基板４０上から除去される。ラインＡでは、このようにして基板４０が処理される。

（ラインＢ）
ラインＢでは、液体洗浄工程Ｓ３３を行い、プラズマ洗浄工程Ｓ３４を行った後、液体洗浄工程Ｓ３５を行う。ラインＢの各工程を行う場合には、剥離工程Ｓ２０を行った後の搬送工程において、支持体１０が剥離された基板４０を、搬送ユニット７の搬送装置７ａにより、剥離ユニット３から第３洗浄ユニット６に搬送する。液体洗浄工程Ｓ３３は、第３洗浄ユニット６において行う。図９は、第３洗浄ユニット６及び液体洗浄工程Ｓ３３の一例を示し、図９（Ａ）は液体により基板４０を洗浄している状態の図、図９（Ｂ）は液体洗浄工程Ｓ３３後の基板４０を示す図である。

図９（Ａ）に示すように、液体洗浄工程Ｓ３３では、ラインＡの液体洗浄工程Ｓ３１と同様、リング６２の上部側を支持部６ｂにより所定高さに支持し、持ち上げ装置６ａによりフィルム６１の下方から基板４０を持ち上げて、リング６２に対して基板４０が上方に突出した状態とする。なお、基板４０を所定高さに保持した状態でリング６２を支持部６ｂで下方に押すことにより、図９（Ａ）に示す状態としてもよい。また、液体洗浄工程Ｓ３３及び第３洗浄ユニット６において、リング６２に対して基板４０を持ち上げるか否かは任意であり、リング６２に対して基板４０を持ち上げずに処理を行ってもよい。

続いて、基板４０が持ち上がった状態で、洗浄液ノズル６ｃから洗浄液Ｒ２を反応層２０に対して吐出する。洗浄液Ｒ２は、反応層２０のうち変質層２０ａを反応層２０上から流すことを目的として用いられる。洗浄液Ｒ２としては、例えば、上記した洗浄液Ｒ１と同様の液体の他に水等が用いられてもよい。洗浄液ノズル６ｃから吐出された洗浄液Ｒ２は、反応層２０を流れてフィルム６１側に落下する。この洗浄液Ｒ２により、図９（Ｂ）に示すように、反応層２０のうち変質層２０ａが流されて除去され、反応層２０の変質していない部分が接着層３０上に残った状態となる。

液体洗浄工程Ｓ３３の後、搬送工程において、搬送装置７ａにより基板４０を第３洗浄ユニット６から第２洗浄ユニット５に搬送する。基板４０を第２洗浄ユニット５に搬送した後、第２洗浄ユニット５においてプラズマ洗浄工程Ｓ３４を行う。図１０は、第２洗浄ユニット５及びプラズマ洗浄工程Ｓ３４の他の例を示し、図１０（Ａ）はプラズマ５ａにより基板４０を洗浄している状態の図、図１０（Ｂ）はプラズマ洗浄工程Ｓ３４後の基板４０を示す図である。

図１０（Ａ）に示すように、プラズマ洗浄工程Ｓ３４は、保持具６０をステージ５ｂに載置した状態で、接着層３０上の空間に不図示のプラズマ発生装置からプラズマ５ａを発生させる。プラズマ５ａは、例えば、酸素プラズマである。このプラズマ５ａにより、図１０（Ｂ）に示すように、接着層３０上に残った反応層２０の変質していない部分が処理され、基板４０上から除去される。なお、反応層２０をプラズマ５ａで処理する際に生じる粉体２０ｂがわずかに接着層３０上に残る場合もある。

プラズマ洗浄工程Ｓ３４を行った後、搬送工程において、搬送装置７ａにより基板４０を第２洗浄ユニット５から第１洗浄ユニット４に搬送する。基板４０を第１洗浄ユニット４に搬送した後、第１洗浄ユニット４では、液体洗浄工程Ｓ３５を行う。図１１は、第１洗浄ユニット４及び液体洗浄工程Ｓ３５の他の例を示し、図１１（Ａ）は液体により基板４０を洗浄している状態の図、図１１（Ｂ）は液体洗浄工程Ｓ３５後の基板４０を示す図である。

図１１（Ａ）に示すように、液体洗浄工程Ｓ３５では、上記した液体洗浄工程Ｓ３３と同様、リング６２の上部側を支持部４ｂにより所定高さに支持し、持ち上げ装置４ａによりフィルム６１の下方から基板４０を持ち上げて、リング６２に対して基板４０が上方に突出した状態とする。なお、基板４０を所定高さに保持した状態でリング６２を支持部６ｂで下方に押すことにより、図１１（Ａ）に示す状態としてもよい。また、液体洗浄工程Ｓ３５及び第１洗浄ユニット４において、リング６２に対して基板４０を持ち上げるか否かは任意であり、リング６２に対して基板４０を持ち上げずに処理を行ってもよい。

続いて、基板４０が持ち上がった状態で、洗浄液ノズル４ｃから洗浄液Ｒ３を接着層３０に対して吐出する。洗浄液Ｒ３としては、上記したように、接着層３０を溶解することが可能な有機溶剤等を用いることができる。洗浄液ノズル４ｃから吐出された洗浄液Ｒ３は、接着層３０上を流れてフィルム６１側に落下する。洗浄液Ｒ３により、図１１（Ｂ）に示すように、接着層３０が溶解されて除去される。また、洗浄液Ｒ３により、接着層３０の除去に伴って、接着層３０上に残った反応層２０の粉体２０ｂが流されて除去される。ラインＢでは、このようにして基板４０が処理される。

（ラインＣ）
ラインＣでは、プラズマ洗浄工程Ｓ３６を行った後、液体洗浄工程Ｓ３７を行う。ラインＣの各工程を行う場合、剥離工程Ｓ２０を行った後の搬送工程において、支持体１０が剥離された基板４０を、搬送ユニット７の搬送装置７ａにより、剥離ユニット３から第２洗浄ユニット５に搬送する。基板４０を第２洗浄ユニット５に搬送した後、第２洗浄ユニット５においてプラズマ洗浄工程Ｓ３６を行う。図１２は、第２洗浄ユニット５及びプラズマ洗浄工程Ｓ３６の他の例を示し、図１２（Ａ）はプラズマ５ａにより基板４０を洗浄している状態の図、図１２（Ｂ）はプラズマ洗浄工程Ｓ３６後の基板４０を示す図である。

図１２（Ａ）に示すように、プラズマ洗浄工程Ｓ３６は、ラインＢにおけるプラズマ洗浄工程Ｓ３４と同様、保持具６０をステージ５ｂに載置した状態で、接着層３０上の空間に不図示のプラズマ発生装置からプラズマ５ａを発生させる。プラズマ５ａは、例えば、酸素プラズマである。このプラズマ５ａにより、図１２（Ｂ）に示すように、反応層２０の一部が処理され、基板４０上から除去される。なお、反応層２０又は変質層２０ａの粉体２０ｂがわずかに接着層３０上に残る場合もある。

プラズマ洗浄工程Ｓ３６を行った後、搬送工程において、搬送装置７ａにより基板４０を第２洗浄ユニット５から第１洗浄ユニット４に搬送する。基板４０を第１洗浄ユニット４に搬送した後、第１洗浄ユニット４では、液体洗浄工程Ｓ３７を行う。図１３は、第１洗浄ユニット４及び液体洗浄工程Ｓ３７の他の例を示し、図１３（Ａ）は液体により基板４０を洗浄している状態の図、図１３（Ｂ）は液体洗浄工程Ｓ３７後の基板４０を示す図である。

図１３（Ａ）に示すように、液体洗浄工程Ｓ３７では、上記した液体洗浄工程Ｓ３７と同様、リング６２の上部を支持部４ｂにより所定高さに支持し、持ち上げ装置４ａによりフィルム６１の下方から基板４０を持ち上げて、リング６２に対して基板４０が上方に突出した状態とする。なお、基板４０を所定高さに保持した状態でリング６２を支持部６ｂで下方に押すことにより、図１３（Ａ）に示す状態としてもよい。また、液体洗浄工程Ｓ３７及び第１洗浄ユニット４において、リング６２に対して基板４０を持ち上げるか否かは任意であり、リング６２に対して基板４０を持ち上げずに処理を行ってもよい。

続いて、基板４０が持ち上がった状態で、洗浄液ノズル４ｃから洗浄液Ｒ４を接着層３０に対して吐出する。洗浄液Ｒ４は、上記したように、接着層３０を溶解することが可能な炭化水素系有機溶媒、含窒素系有機溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒から選ばれる１種以上の溶媒を用いることができる。洗浄液ノズル４ｃから吐出された洗浄液Ｒ４は、接着層３０上を流れてフィルム６１側に落下する。洗浄液Ｒ４により、図１３（Ｂ）に示すように、接着層３０が溶解されて除去される。また、洗浄液Ｒ４により、接着層３０の除去に伴って、接着層３０上に残った反応層２０又は変質層２０ａの粉体２０ｂが流されて除去される。ラインＣでは、このようにして基板４０が処理される。

（ラインＤ）
ラインＤでは、プラズマ洗浄工程Ｓ３８を行い、液体洗浄工程Ｓ３９を行った後、プラズマ洗浄工程Ｓ４０を行う。ラインＤの各工程を行う場合、剥離工程Ｓ２０を行った後の搬送工程において、支持体１０が剥離された基板４０を、搬送ユニット７の搬送装置７ａにより、剥離ユニット３から第２洗浄ユニット５に搬送する。基板４０を第２洗浄ユニット５に搬送した後、第２洗浄ユニット５においてプラズマ洗浄工程Ｓ３８を行う。プラズマ洗浄工程Ｓ３８は、ラインＣにおけるプラズマ洗浄工程Ｓ３６と同様に、保持具６０をステージ５ｂに載置した状態で、接着層３０上の空間にプラズマ５ａを発生させる（図１２（Ａ）参照）。このプラズマ５ａにより、反応層２０の一部が処理され、基板４０上から除去される（図１２（Ｂ）参照）。

プラズマ洗浄工程Ｓ３８を行った後、搬送工程において、搬送装置７ａにより基板４０を第２洗浄ユニット５から第１洗浄ユニット４に搬送する。基板４０を第１洗浄ユニット４に搬送した後、第１洗浄ユニット４において液体洗浄工程Ｓ３９を行う。液体洗浄工程Ｓ３９では、ラインＣにおける液体洗浄工程Ｓ３７と同様に、リング６２の上部を支持部４ｂにより支持し、持ち上げ装置４ａによりフィルム６１の下方から基板４０を持ち上げて、リング６２に対して基板４０が上方に突出した状態とする（図１３（Ａ）参照）。

続いて、基板４０が持ち上がった状態で、洗浄液ノズル４ｃから洗浄液Ｒ４と同一の洗浄液を接着層３０に対して吐出する。洗浄液ノズル４ｃから吐出された洗浄液Ｒ４は、接着層３０上を流れてフィルム６１側に落下する。洗浄液により、接着層３０が溶解されて除去される（図１３（Ｂ）参照）。また、洗浄液Ｒ４により、接着層３０の除去に伴って、接着層３０上に残った反応層２０又は変質層２０ａの粉体２０ｂが流されて除去される。

図１４は、ラインＤにおいて、プラズマ洗浄工程Ｓ３８及び液体洗浄工程Ｓ３９を行った後の基板４０の他の例を示す図である。図１４に示すように、プラズマ洗浄工程Ｓ３８及び液体洗浄工程Ｓ３９を行った後、反応層２０又は変質層２０ａの粉体２０ｂがわずかに基板４０上に残る場合もある。そこで、液体洗浄工程Ｓ３９を行った後、搬送工程において、基板４０を第２洗浄ユニット５に搬送する。基板４０を第２洗浄ユニット５に搬送した後、第２洗浄ユニット５において、基板４０に対してプラズマ洗浄工程Ｓ４０を行う。図１５は、第２洗浄ユニット５及びプラズマ洗浄工程Ｓ４０の他の例を示し、図１５（Ａ）はプラズマにより基板４０を洗浄している状態の図、図１５（Ｂ）はプラズマ洗浄工程Ｓ４０後の基板４０を示す図である。

図１５（Ａ）に示すように、プラズマ洗浄工程Ｓ４０は、プラズマ洗浄工程Ｓ３８と同様、保持具６０をステージ５ｂに載置した状態で、接着層３０上の空間に不図示のプラズマ発生装置からプラズマ５ａを発生させる。プラズマ５ａは、例えば、酸素プラズマである。このプラズマ５ａにより、図１５（Ｂ）に示すように、接着層３０上に残った反応層２０又は変質層２０ａの粉体２０ｂが処理され、基板４０上から除去される。ラインＤでは、このようにして基板４０が形成される。

以上のように、本実施形態に係る基板処理装置１及び基板処理方法によれば、第１洗浄ユニット４による液体洗浄工程Ｓ３１、Ｓ３３、Ｓ３５、Ｓ３７、Ｓ３９、及び第２洗浄ユニット５によるプラズマ洗浄工程Ｓ３２、Ｓ３４、Ｓ３６、Ｓ３８、Ｓ４０によって、基板４０に残っている反応層２０又は変質層２０ａ（残渣）を確実に除去することにより、その後の処理への影響を低減することができ、さらに、基板４０から残渣が飛散して周囲の環境を汚染することを防止することができる。

＜積層体５０を処理する基板処理装置のユニットの配置＞
図１６は、基板処理装置１の各ユニットの配置の一例を示す図である。図１６では、ＸＹＺ座標系を用いて図中の方向を説明する。このＸＹＺ座標系において、鉛直方向をＺ方向とし、水平方向をＸ方向及びＹ方向とする。また、Ｘ、Ｙ、Ｚ方向の各方向について、矢印が指す方向を＋方向（例えば、＋Ｘ方向）と称し、その反対方向を−方向（例えば、−Ｘ方向）と称する。図１６に示す基板処理装置１は、接着層３０を含む積層体５０を処理する。基板処理装置１は、上述した光照射ユニット２と、剥離ユニット３と、第１洗浄ユニット４と、第２洗浄ユニット５と、第３洗浄ユニット６と、搬送ユニット７とを有する。また、基板処理装置１は、複数の積層体５０又は基板４０を収容する容器（例えば、ＦＯＵＰなど）を載置するロードポート８と、積層体５０又は基板４０を搬出入又は一時保管するロードポート９とを有する。

基板処理装置１は、平面視において一方向（Ｙ方向）に長い長方形状である。基板処理装置１内において、＋Ｘ側には、＋Ｙ方向に向けて、剥離ユニット３、光照射ユニット２、第１洗浄ユニット４、及び第２洗浄ユニット５が配置される。また、基板処理装置１内において、−Ｘ側には、＋Ｙ方向に向けて、第３洗浄ユニット６及び第２洗浄ユニット５が配置される。光照射ユニット２は、基板処理装置１内の＋Ｘ側において、平面視で剥離ユニット３と第１洗浄ユニット４とに挟まれて配置される。第１洗浄ユニット４は、基板処理装置１内の＋Ｘ側において、平面視で光照射ユニット２と第２洗浄ユニット５とに挟まれて配置される。

また、図１６に示す基板処理装置１は、第２洗浄ユニット５を２台配置している。この場合、例えば、プラズマ洗浄工程に時間がかかる場合に、２台の第２洗浄ユニット５を交互に用いることにより、処理効率を向上できる。また、２台の第２洗浄ユニット５の一方をメインとして用い、他方をメインの故障時等に用いるサブとして用いてもよい。

基板処理装置１において、−Ｙ側には、ロードポート８、９が配置されている。ロードポート８、９は、基板処理装置１の−Ｙ側において、Ｘ方向に並んで配置されている。搬送ユニット７は、積層体５０又は基板４０を搬送する搬送装置７ａと、搬送装置７ａの移動経路である搬送路７ｂとを有する。搬送装置７ａは、搬送路７ｂに設けられた不図示のレール等により、各ユニットの間、又はロードポート８、９と各ユニットとの間を移動可能となっている。搬送装置７ａは、積層体５０又は基板４０を保持可能な不図示のアームを有する。搬送路７ｂは、基板処理装置１内において、−Ｙ側でＸ方向に設けられ、＋Ｘ側のユニットの列と−Ｘ側のユニットの列との間でＹ方向に設けられている。搬送路７ｂは、Ｔ型に形成されている。搬送装置７ａは、搬送路７ｂを移動することにより、各ユニットの間、又はロードポート８、９と各ユニットとの間で積層体５０又は基板４０の受け渡しを行う。

このように構成された基板処理装置１によれば、搬送ユニット７により積層体５０又は基板４０を各ユニットに効率よく搬送するので、上記した光照射工程Ｓ１０、剥離工程Ｓ２０、及び基板洗浄工程Ｓ３０の各工程を効率よく行うことができる。また、基板洗浄工程Ｓ３０においては、液体洗浄工程Ｓ３１、Ｓ３３、Ｓ３５、Ｓ３７、Ｓ３９と、プラズマ洗浄工程Ｓ３２、Ｓ３４、Ｓ３６、Ｓ３８、Ｓ４０と、を効率よく行うことができる。また、基板処理装置１において、領域ＣＯＮは、制御基盤等が収容される領域である。

＜積層体５０Ａに対する基板処理方法＞
次に、接着層３０を含まない積層体５０Ａについての基板処理方法を説明する。図１７は、実施形態に関する基板処理方法の他の例を示すフローチャートである。この基板処理方法は、積層体５０と同様に、基板処理装置１において行う。図１７に示すように、接着層３０を含まない積層体５０Ａについての基板処理方法は、光照射工程Ｓ５０と、剥離工程Ｓ６０と、液体洗浄工程Ｓ７０と、プラズマ洗浄工程Ｓ８０とを含む。なお、プラズマ洗浄工程Ｓ８０の後、液体洗浄工程Ｓ９０を行ってもよい。

（光照射工程）
光照射工程Ｓ５０は、積層体５０Ａに対して、光を照射することで反応層２０を変質させる。光照射工程Ｓ５０は、基板処理装置１の光照射ユニット２において行う。図１８は、光照射ユニット２及び光照射工程Ｓ５０の一例を示し、図１８（Ａ）は積層体５０Ａの全面に光を照射する場合の図、図１８（Ｂ）は積層体５０Ａに対して光を走査する場合の図である。なお、光照射ユニット２への積層体５０Ａの搬送は、搬送ユニット７により行う。

図１８（Ａ）に示すように、光照射ユニット２は、上記した積層体５０に対する光照射工程Ｓ１０と同様に、載置台２ａに載置された積層体５０Ａに対して、基板４０と反対側から、つまり支持体１０の底面１０ｂから反応層２０に対して、照射装置２ａにより光Ｌを照射する。光Ｌについては、上記した光照射工程Ｓ１０と同様である。光照射工程Ｓ５０により、反応層２０が変質して変質層（あるいは変質部）２０ａが形成される。変質層２０ａについては、上記した光照射工程Ｓ１０と同様に、強度又は支持体１０に対する接着力が反応層２０と比べて低下している。なお、図１８（Ａ）に示すように、変質層２０ａは、深さ方向の全体にわたって形成される必要はなく、反応層２０のうち支持体１０に接する一部の領域に形成されていればよい。図１８（Ａ）では、反応層２０のうち支持体１０に接する一部の領域に変質層２０ａが形成される場合の例を示している。

光照射ユニット２の構成については、上記と同様であるため、説明を簡略化するが、図１８（Ａ）に示すように、照射装置２ａにより積層体５０の全面に光Ｌを照射してもよいし、図１８（Ｂ）に示すように、照射装置２ｂによりスポット光である光Ｌを走査して照射してもよい光照射工程Ｓ５０を行った後、反応層２０に変質層２０ａが形成された積層体５０Ａを、搬送ユニット７の搬送装置７ａにより、光照射ユニット２から剥離ユニット３に搬送する搬送工程を行う。剥離ユニット３では、搬送装置７ａにより搬送された積層体５０Ａを図３に示す保持具６０に保持させる。例えば、積層体５０Ａは、予め剥離ユニット３の固定台３ｂに配置された保持具６０上に搬送装置７ａにより搬送され、搬送装置７ａによって保持具６０に載置されることによりフィルム６１に貼り付けられてもよい。

（剥離工程）
剥離工程Ｓ６０は、基板４０を支持体１０から剥離させる。剥離工程Ｓ６０は、基板処理装置１の剥離ユニット３において行う。図１９は、剥離ユニット３及び剥離工程Ｓ６０の一例を示し、図１９（Ａ）は支持体１０を剥離する前の図、図１９（Ｂ）は支持体１０を剥離した後の図である。

剥離工程Ｓ６０では、まず、剥離ユニット３に配置された固定台３ｂに保持具６０を真空吸着等により固定する。保持具６０には積層体５０Ａが貼り付けられているため、積層体５０Ａは、固定台３ｂに保持された状態となる。保持具６０を固定した後、図１９（Ａ）に示すように、支持体１０のうち反応層形成面１１０とは反対側の底面１０ｂを吸着装置３ａにより吸着する。この状態で吸着装置３ａを上方に移動させることにより、図１９（Ｂ）に示すように、反応層２０を分離面として、基板４０から支持体１０が持ち上げられる。上記したように、反応層２０内の変質層２０ａは、光Ｌの照射により強度が低下しており、あるいは接着力が低下しており、吸着装置３ａの上方への移動により、容易に破壊され、あるいは接着面が容易に剥がれることになる。これにより、支持体１０は、基板４０から容易に剥離される。剥離工程Ｓ６０により、支持体１０が積層体５０Ａの反応層２０から剥離される。

剥離工程Ｓ５０を行った後、支持体１０が剥離された基板４０は、保持具６０に保持されたまま、搬送ユニット７の搬送装置７ａにより、剥離ユニット３から第３洗浄ユニット６に搬送する搬送工程を行う。

（液体洗浄工程）
基板４０を第３洗浄ユニット６に搬送した後、第３洗浄ユニット６において液体洗浄工程Ｓ７０を行う。図２０は、第３洗浄ユニット６及び液体洗浄工程Ｓ７０の一例を示し、図２０（Ａ）は液体により基板４０を洗浄している状態の図、図２０（Ｂ）は液体洗浄工程Ｓ７０後の基板４０を示す図である。

図２０（Ａ）に示すように、液体洗浄工程Ｓ７０では、上記した積層体５０に対する液体洗浄工程Ｓ３３と同様に、リング６２の上部側を支持部６ｂにより所定高さに支持し、持ち上げ装置６ａによりフィルム６１の下方から基板４０を持ち上げて、リング６２に対して基板４０が上方に突出した状態とする。なお、基板４０を所定高さに保持した状態でリング６２を支持部６ｂで下方に押すことにより、図２０（Ａ）に示す状態としてもよい。また、液体洗浄工程Ｓ７０及び第３洗浄ユニット６において、リング６２に対して基板４０を持ち上げるか否かは任意であり、リング６２に対して基板４０を持ち上げずに処理を行ってもよい。

続いて、基板４０が持ち上がった状態で、洗浄液ノズル６ｃから洗浄液Ｒ５を反応層２０に対して吐出する。洗浄液Ｒ５は、反応層２０のうち変質層２０ａを反応層２０上から流すことを目的として用いられる。洗浄液Ｒ５としては、例えば、上記した洗浄液Ｒ２と同様に、水等が用いられてもよい。洗浄液ノズル６ｃから吐出された洗浄液Ｒ５は、反応層２０を流れてフィルム６１側に落下する。この洗浄液Ｒ５により、図２０（Ｂ）に示すように、反応層２０のうち変質層２０ａが流されて除去され、反応層２０の変質していない部分が基板４０上に残った状態となる。液体洗浄工程Ｓ７０の後、搬送工程において、搬送装置７ａによりた基板４０を第３洗浄ユニット６から第２洗浄ユニット５に搬送する。

（プラズマ洗浄工程）
基板４０を第２洗浄ユニット５に搬送した後、第２洗浄ユニット５においてプラズマ洗浄工程Ｓ８０を行う。プラズマ洗浄工程Ｓ８０は、第２洗浄ユニット５において行う。図２１は、第２洗浄ユニット５及びプラズマ洗浄工程Ｓ８０の他の例を示し、図２１（Ａ）はプラズマ５ａにより基板４０を洗浄している状態の図、図２１（Ｂ）はプラズマ洗浄工程Ｓ８０後の基板４０を示す図である。

図２１（Ａ）に示すように、プラズマ洗浄工程Ｓ８０は、保持具６０をステージ５ｂに載置した状態で、反応層２０上の空間に不図示のプラズマ発生装置からプラズマ５ａを発生させる。プラズマ５ａは、例えば、酸素プラズマである。このプラズマ５ａにより、図２１（Ｂ）に示すように、基板４０上に残った反応層２０の変質していない部分が処理され、基板４０上から除去される。

図２２（Ａ）は、液体洗浄工程Ｓ７０及びプラズマ洗浄工程Ｓ８０を行った後の基板４０の他の例を示す図である。図２２（Ａ）に示すように、プラズマ洗浄工程Ｓ８０を行った後、反応層２０の粉体２０ｂがわずかに基板４０上に残る場合もある。そこで、プラズマ洗浄工程Ｓ８０を行った後、搬送工程において、搬送装置７ａにより基板４０を第２洗浄ユニット５から第３洗浄ユニット６に搬送し、第３洗浄ユニット６において液体洗浄工程Ｓ９０を行ってもよい。

（液体洗浄工程）
図２２（Ｂ）は、図２２（Ａ）に示す基板４０を液体により洗浄している状態の図である。図２２（Ｂ）に示すように、液体洗浄工程Ｓ９０では、上記した液体洗浄工程Ｓ７０と同様、リング６２の上部側を支持部６ｂにより所定高さに支持し、持ち上げ装置６ａによりフィルム６１の下方から基板４０を持ち上げて、リング６２に対して基板４０が上方に突出した状態とする。なお、基板４０を所定高さに保持した状態でリング６２を支持部６ｂで下方に押すことにより、図２２（Ｂ）に示す状態としてもよい。また、液体洗浄工程Ｓ９０及び第３洗浄ユニット６において、リング６２に対して基板４０を持ち上げるか否かは任意であり、リング６２に対して基板４０を持ち上げずに処理を行ってもよい。

続いて、基板４０が持ち上がった状態で、洗浄液ノズル６ｃから洗浄液Ｒ６を接着層３０に対して吐出する。洗浄液Ｒ５は、基板４０に残った粉体２０ｂを基板４０上から流すことを目的として用いられる。洗浄液Ｒ６としては、上記した洗浄液Ｒ５と同様に、水等が用いられてもよい。洗浄液ノズル６ｃから吐出された洗浄液Ｒ６は、基板４０上を流れてフィルム６１側に落下する。この洗浄液Ｒ６により、基板４０上に残った粉体２０ｂが流されて除去される。このようにして基板４０が形成される。なお、液体洗浄工程Ｓ９０を行うか否かは任意であり、液体洗浄工程Ｓ９０を行わなくてもよい。

以上のように、本実施形態に係る基板処理装置１及び基板処理方法によれば、第３洗浄ユニット６による液体洗浄工程Ｓ７０、Ｓ９０、及び第２洗浄ユニット５によるプラズマ洗浄工程Ｓ８０によって、基板４０に残っている反応層２０又は変質層２０ａ（残渣）を確実に除去することにより、その後の処理への影響を低減することができ、さらに、基板４０から残渣が飛散して周囲の環境を汚染することを防止することができる。

＜積層体５０Ａを処理する基板処理装置のユニットの配置＞
図２３は、基板処理装置１Ａの各ユニットの配置の一例を示す図である。図２３では、図１６と同様のＸＹＺ座標系を用いて図中の方向を説明する。接着層３０を含まない積層体５０Ａを処理する場合、図１６に示す基板処理装置１を用いてもよいが、積層体５０Ａには接着層３０がないため、接着層３０を除去するための第１洗浄ユニット４が不要である。従って、積層体５０Ａを処理する場合、図２３に示す基板処理装置１Ａを用いることもできる。図２３に示す基板処理装置１Ａは、接着層３０を含まない積層体５０Ａを処理する。基板処理装置１Ａは、上述した光照射ユニット２と、剥離ユニット３と、第２洗浄ユニット５と、第３洗浄ユニット６と、搬送ユニット７とを有する。また、基板処理装置１は、複数の積層体５０又は基板４０を収容する容器を載置するロードポート８と、積層体５０又は基板４０を搬出入又は一時保管するロードポート９とを有する。

基板処理装置１Ａは、平面視において一方向（Ｙ方向）に長い長方形状である。基板処理装置１Ａ内において、＋Ｘ側には、＋Ｙ方向に向けて、剥離ユニット３、光照射ユニット２、及び第２洗浄ユニット５が配置される。また、基板処理装置１Ａ内において、−Ｘ側には、第３洗浄ユニット６が配置される。光照射ユニット２は、平面視で剥離ユニット３と第２洗浄ユニット５とに挟まれて配置される。

基板処理装置１Ａにおいて、ロードポート８、９については、図１６に示す基板処理装置１と同様であり、説明を省略する。搬送ユニット７は、積層体５０Ａ又は基板４０を搬送する搬送装置７ａと、搬送装置７ａの移動経路である搬送路７ｂとを有する。搬送装置７ａは、搬送路７ｂに設けられた不図示のレール等により、各ユニットの間、又はロードポート８、９と各ユニットとの間を移動可能となっている。搬送装置７ａは、積層体５０Ａ又は基板４０を保持可能な不図示のアームを有する。搬送路７ｂは、基板処理装置１Ａ内において、−Ｙ側でＸ方向に設けられ、＋Ｘ側のユニットの列と−Ｘ側のユニットの列との間でＹ方向に設けられている。搬送路７ｂは、Ｔ型に形成されている。搬送装置７ａは、搬送路７ｂを移動することにより、各ユニットの間、又はロードポート８、９と各ユニットとの間で積層体５０又は基板４０の受け渡しを行う。

このように構成された基板処理装置１Ａによれば、搬送ユニット７により積層体５０Ａ又は基板４０を各ユニットに効率よく搬送するので、上記した光照射工程Ｓ５０、剥離工程Ｓ６０、液体洗浄工程Ｓ７０、プラズマ洗浄工程Ｓ８０、及び液体洗浄工程Ｓ９０の各工程を効率よく行うことができる。また、基板処理装置１Ａにおいて、領域ＣＯＮは、制御基盤等が収容される領域である。

以上、実施形態及び実施例について説明したが、本発明は、上述した説明に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。例えば、基板４０は電子部品４１ごとに切断されるが、このような切断ユニットを上記した基板処理装置１、１Ａが含んでいてもよいし、切断ユニットが基板処理装置１、１Ａに接続されて配置されていてもよい。

Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６・・・洗浄液
１、１Ａ・・・基板処理装置
２・・・光照射ユニット
２ａ、２ｂ・・・照射装置
３・・・剥離ユニット
３ａ・・・吸着装置
４・・・第１洗浄ユニット
５・・・第２洗浄ユニット
６・・・第３洗浄ユニット
７・・・搬送ユニット
７ａ・・・搬送装置
８、９・・・ロードポート
１０・・・支持体
２０・・・反応層
２０ａ・・・変質層
３０・・・接着層
４０・・・基板
５０、５０Ａ・・・積層体
６０・・・保持具

Claims (15)

1. 支持体と、基板と、前記支持体と基板との間に介在する反応層とを備える積層体に対して、光を照射することで前記反応層を変質させる光照射ユニットと、
   前記基板を、前記支持体から剥離させる剥離ユニットと、
   前記支持体から剥離された前記基板を液体により洗浄する第１洗浄ユニットと、
   前記支持体から剥離された前記基板をプラズマにより処理する第２洗浄ユニットと、を備える、基板処理装置。
2. 前記積層体は、前記反応層と前記基板との間にさらに接着層を有しており、
   前記第１洗浄ユニットは、前記支持体から剥離された前記基板に付着している前記接着層を液体により除去する、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記第１洗浄ユニットにおいて用いられる前記液体は、炭化水素系有機溶媒、含窒素系有機溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒から選ばれる１種以上を含む、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記第２洗浄ユニットは、酸素プラズマにより前記基板を処理する、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
5. 前記第１洗浄ユニット、前記第２洗浄ユニット、及び前記剥離ユニットは、複数のパネルにより形成された同一の空間内に配置される、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
6. 前記空間内に、前記支持体又は前記支持体から剥離された前記基板を搬送する搬送装置を備える、請求項５に記載の基板処理装置。
7. 支持体と、基板と、前記支持体と基板との間に介在する反応層とを備える積層体に対して光を照射することで前記反応層を変質させる光照射工程と、
   前記基板を、前記支持体から剥離させる剥離工程と、
   前記支持体から剥離された前記基板を液体により洗浄する液体洗浄工程と、
   前記支持体から剥離された前記基板をプラズマにより処理するプラズマ洗浄工程と、を含む、基板処理方法。
8. 前記液体洗浄工程において用いられる前記液体は、炭化水素系有機溶媒、含窒素系有機溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒から選ばれる１種以上を含む、請求項７に記載の基板処理方法。
9. 前記プラズマ洗浄工程は、酸素プラズマにより前記基板を処理する、請求項７又は請求項８に記載の基板処理方法。
10. 前記支持体から剥離された前記基板に対して、前記液体洗浄工程を行った後に前記プラズマ洗浄工程を行う、請求項７から請求項９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
11. 前記支持体から剥離された前記基板に対して、前記プラズマ洗浄工程を行った後に前記液体洗浄工程を行う、請求項７から請求項９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
12. 前記プラズマ洗浄工程を行った後に行われる前記液体洗浄工程とは別に、前記プラズマ洗浄工程の前に、さらに１以上の液体洗浄工程を行う、請求項１１に記載の基板処理方法。
13. 前記プラズマ洗浄工程前に行われる前記液体洗浄工程において用いられる前記液体は、炭化水素系有機溶媒、含窒素系有機溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒から選ばれる１種以上を含む、請求項１２に記載の基板処理方法。
14. 前記積層体は、前記反応層と前記基板との間にさらに接着層を有している、請求項７から請求項１３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
15. 前記液体洗浄工程、前記プラズマ洗浄工程、及び前記剥離工程のそれぞれの工程間に、前記支持体又は前記支持体から剥離された前記基板を搬送する搬送工程を含む、請求項７から請求項１４のいずれか一項に記載の基板処理方法。

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