TWI720004B - 支撐體分離方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係防止對形成於基板的電路照射光、 同時可由層積體迅速地分離支撐體。

對以對向於形成有電路的基板1中包圍 電路形成區域之全周且占有非電路形成區域之半徑方向的寬之65%以上、未達100%之區域的特定區域之方式所層積而得的分離層4之至少一部分，隔著支撐板2而照射雷射光L，由層積體10分離支撐板。

Description

支撐體分離方法
本發明係關於支撐體分離方法。
近年來，一直要求IC卡、攜帶式電話等之電子機器之薄型化、小型化、輕量化等。為了滿足此等之要求，關於安裝的半導體晶片亦必需使用薄型之半導體晶片。因此，成為半導體晶片之基的晶圓基板之厚度(膜厚)係在現狀係125~150μm，但於次世代之晶片用係必需作成25μm~50μm。因而，為了得到上述膜厚之晶圓基板係晶圓基板之薄板化步驟為必要不可欠缺。
晶圓基板係因為薄板化而強度下降，所以為了防止薄板化的晶圓基板之破損，故在製造製程中係於晶圓基板黏合支撐板的狀態進行自動搬送，同時於晶圓基板上安裝電路等之構造物。然後，於製造製程後，將晶圓基板由支撐板分離。因此，至今使用有由晶圓基板剝離支撐體的各式各樣的方法。
在專利文獻1係記載一種構件剝離方法，其 係含有於第1主面之外緣之至少一部分，配置光熱變換層的步驟、與將光熱變換層以配置於第1主面與第2主面之間之方式，將第1主面與前述第2主面，經由接著層而相互地接合的步驟、與於光熱變換層照射雷射光的步驟、與於第1之構件及第2之構件之中任一方之構件之外周部分，向第1之構件及第2之構件之中由另一方之構件分離的方向施加力量，將第1之構件由第2之構件至少部分上剝離的步驟。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本特開2015-122370號公報(2015年7月2日公開)
相較於記載在專利文獻1之構件剝離方法，更進一步如有可於分離層(光熱變換層)照射光的面積變小、同時可順利地由層積體分離支撐體的新的支撐體分離方法，則可避免於形成於基板的電路照射光、同時可由層積體迅速地分離支撐體所以為有用，故期待該支撐體分離方法。
本發明係鑑於前述之問題點而為，該目的為提供一種新的支撐體分離方法，其係可防止對形成於基板 的電路照射光、同時可由層積體迅速地分離支撐體。
為了解決上述之課題，關於本發明的支撐體分離方法係將基板、與透過光的支撐體，以經由接著層、與因吸收光而變質的分離層而層積而成的層積體，分離上述支撐體的支撐體分離方法，其特徵為其係上述基板係具有形成電路的電路形成區域、與包圍該電路形成區域之全周之未形成上述電路的非電路形成區域，且該方法係包含一種光照射步驟，隔著上述支撐體，對以對向於上述基板包圍上述電路形成區域之全周且占有在上述非電路形成區域之半徑方向的寬之65%以上、未達100%之區域的特定區域之方式所層積而得的分離層之至少一部分照射光、與一種分離步驟，其係於已照射上述光的層積體施加力，由該層積體分離上述支撐體。
如藉由本發明則顯現出一種效果，即可提供一種新的支撐體分離方法，其係可防止對形成於基板的電路照射光、同時可由層積體迅速地分離支撐體。
1‧‧‧基板
2‧‧‧支撐板(支撐體)
3‧‧‧接著層
4‧‧‧分離層
4A‧‧‧區域(分離層)
4B‧‧‧區域(分離層)
4C‧‧‧區域(分離層)
4C-1‧‧‧分割區域(分離層)
4C-2‧‧‧分割區域(分離層)
5‧‧‧切割膠帶
6‧‧‧切割框
10‧‧‧層積體
50‧‧‧雷射照射裝置
L‧‧‧光
W1‧‧‧寬
W2‧‧‧寬
[第1圖]說明有關本發明之一實施形態的支撐體分 離方法之概略的圖。
[第2圖]說明在有關本發明之一實施形態的支撐體分離方法，照射在分離層的光的區域之概略的圖。
[第3圖]說明有關本發明之一實施形態及變形例的支撐體分離方法所包含的光照射階段之概略的圖。
[第4圖]明有關本發明之一實施形態的支撐體分離方法的光之照射圖型之概略的圖。
<有關第1之實施形態的支撐體分離方法>
使用第1~4圖，有關關於本發明之一實施形態(第1之實施形態)的支撐體分離方法，更詳細地說明。
如第1圖之(a)所示，有關本實施形態的支撐體分離方法係將由矽所構成的基板1、與由矽所構成的支撐板(支撐體)2，經由接著層3、與藉由吸收雷射光L而變質的分離層4而層積而成的層積體10，分離支撐板2。尚，層積體10係在俯視的形狀為圓形。另外，層積體10係於基板1側黏上切割膠帶5，切割膠帶5係具備切割框6。
如第1圖之(b)所示，有關本實施形態的支撐體分離方法係包含光照射步驟，光照射步驟係藉由交互重複光照射階段與旋動階段，對在分離層4的區域4C之全域照射雷射光L(第2圖之(a))。尚，在有關本實 施形態的支撐體分離方法係所謂旋動階段與光照射階段係如不同時進行即可，可先進行任一者。
另外，如第1圖之(c)及(d)，有關本實施形態的支撐體分離方法係包含對已照射雷射光L的層積體10施加力量，由層積體10分離支撐板2的分離步驟。
〔光照射步驟〕
有關關於本實施形態的支撐體分離方法所包含的光照射步驟，更詳細地說明。如第1圖之(b)及第2圖之(a)所示，在光照射步驟係藉由交互地重複光照射階段與旋動階段，對以對向在基板1包圍電路形成區域之全周且於占有非電路形成區域之半徑方向的寬之65%以上，未達100%之區域的特定區域之方式層積的分離層4之區域4C，隔著支撐板2而照射光。
由此，可將對分離層4照射雷射光L的面積變小。因此可縮短為了進行光照射步驟而需要的時間。
(電路形成區域)
所謂電路形成區域係意味著在基板1的內周部，例如，積體電路等之構造物所形成的區域。尚，在電路形成區域，積體電路等之構造物係可形成在露出於基板1的層積體10之外部的側之面，以及，相對於基板1之接著層3的側之面之雙方或任一方。在基板1的電路形成區域係在層積體10，以相對於位於比在分離層4的虛線A1更內 側的區域4A之方式配置(第2圖之(a))。
(非電路形成區域)
所謂非電路形成區域係意味著在基板1包圍電路形成區域之全周，占有較該電路形成區域之外周端部更外側，較基板1之外周端部更內側的區域。在基板1的非電路形成區域係在層積體10，以相對於位於在分離層4的虛線A1與虛線A2的區域4B之方式配置(第2圖之(a))。在此，基板1之外周端部係配置於在分離層4的虛線A2之上。
(特定區域)
所謂特定區域係意味著包圍電路形成區域之全周，而且，占有在非電路形成區域之半徑方向的寬之65%以上、未達100%之區域的區域，由分割特定區域所構成的區域。另外，在有關本實施形態的支撐體分離方法係在基板1的特定區域之內周端部係與電路形成區域之外周端部分離，特定區域之外周端部係與基板1之外周端部分離。在層積體10，在基板1的特定區域係在分離層4，以相對於位於虛線B1與虛線B2的區域4C之方式配置(第2圖之(a))。
(分割特定區域)
所謂分割特定區域係意味著將層積體10之中心點設 為中心，將在基板1的特定區域以特定之角度等分割的區域。在基板1的分割特定區域係在層積體10，以對應於藉由在第2圖之(a)所示的分離層4的單點鏈線C1~C3而由區域4C分割的分割區域4C-1及4C-2所例示的分割區域之方式配置。尚，將基板1之特定區域等分割的角度係可將層積體10之中心點作為中心進行等分割的角度即可，例如20°、30°或45°為理想，20°為較理想。
(光照射階段)
在光照射階段係在層積體10，經由支撐板2而對分離層4之每分割區域照射光。例如對於將特定之角度作為20°進行了等分割的每分割區域照射雷射光L。由此，可將由雷射照射裝置50所照射的雷射光L之掃描範圍變窄，可降低使雷射光L掃描時所產生的照射圖型之形狀不正。因而，可防止照射於分離層4之分割區域4C-1的雷射光L為由該分割區域超出範圍而照射，可合適地防止設置於基板1的電路及切割膠帶5被光照射。
另外，如第3圖之(a)所示，在光照射階段係對相對於占有在基板1之半徑方向具有寬W1的非電路形成區域之65%以上、未達100%之寬W2之區域的分割特定區域的分離層4，照射雷射光L。尚，寬W1亦為在第2圖之(a)所示的分離層4的區域4B之半徑方向的寬。另外，寬W2亦為在第2圖之(a)所示的分離層4的分割區域4C-1之半徑方向的寬。
非電路形成區域之寬W1係因為依基板之尺寸而適宜地設定，所以並非被限定者，但如在本實施形態使用的直徑為300mm左右(12英吋)之基板，則大於1.0mm，3.0mm以下之寬之範圍內為理想，大於1.3mm，2.0mm以下之寬之範圍內為較理想。
另外，分割特定區域之寬W2(換言之，在分離層4的分割區域4C-1之寬)係非電路形成區域之寬W1之65%以上，未達100%之範圍內之寬為理想，寬W1越小，對於寬W1而寬W2所占的比例變得越大之情事為理想。由此，以藉由之後進行分離步驟而可由層積體10合適地分離支撐板2之方式，可使分離層4之至少一部分變質。
在光照射階段係在經由支撐板2而向在區域4C-1的分離層4而照射雷射光L時，該雷射光L係使分離層4變質，同時透過該分離層4，照射於在基板1的分割特定區域。在此，在基板1，占有寬W2的分割特定區域係由基板1之電路形成區域分離。因此，相較於以分割特定區域之內側為相接於電路形成區域之方式設定的情況，可順利地防止雷射光L照射於形成在基板1的電路形成區域的電路。因此，可防止電路因雷射光L而受到損傷。另外，在基板1，占有寬W2的分割特定區域係由基板1之外周端部分離。因此，相較於以分割特定區域之外周端部為重疊於基板1之外周端部之方式設定的情況，可順利地防止雷射光L照射於較基板1之外周端部更外側。 因而，可更合適地防止因位於較基板1之外周端部更外側的切割膠帶5被雷射光L照射，而該切割膠帶5受到損傷之情事。
尚，在本說明書中，所謂分離層為「變質」係意味著分離層受到稍微的外力而可被破壞的狀態，或作為與分離層相接的層之接著力為低下的狀態的現象。作為吸收光而產生的分離層之變質之結果，分離層係失去接受光之照射前之強度或接著性。總之，藉由吸收光，分離層4變脆。所謂分離層之變質係可以是構成分離層的物質為產生因吸收的光之能量所致的分解、空間排列之變化或官能基之解離等。分離層4之變質係作為吸收光之結果而產生。
因而，例如只以抬高支撐板而會破壞之方式使其變質，可容易地分離支撐板與基板。更具體而言，例如藉由支撐體分離裝置等，將在層積體的基板及支撐板之一方固定於載置台，以藉由具備吸附手段的吸附墊(保持部)等而保持他方而抬高，分離支撐板與基板，或是將支撐板之周緣部分端部之倒角部位，藉由具備夾具(爪部)等的分離板而把持而施加力量，分離基板與支撐板即可。另外，例如藉由具備供給用以剝離接著劑之剝離液的剝離手段的支撐體分離裝置，亦可由在層積體的基板剝離支撐板。藉由該剝離手段而對在層積體的接著層之周端部之至少一部分供給剝離液，藉由使在層積體的接著層膨潤，可以該接著層已膨潤就於分離層以力量集中之方式，對基板 與支撐板施加力量。因此，可合適地分離基板與支撐板。
尚，對於層積體而由外部施加力，亦即外力係依層積體之尺寸，以及，玻璃及矽等之支撐板(支撐體)之材質等而適宜調整即可，無限定者但例如直徑為300mm左右之層積體，則例如為0.1~5kgf左右之力。藉由施加0.1~5kgf左右之外力，可合適地分離基板與支撐板。
在有關本實施形態的支撐體分離方法係作為發射照射於分離層4的光的雷射光L使用CO2雷射(碳酸雷射)。由此，所以可產生透過由矽所構成的支撐板2的雷射光L。
在光照射階段的雷射光照射條件係雷射光之平均輸出值為1.0W以上、5.0W以下為理想，3.0W以上、4.0W以下為較理想。雷射光之重複頻率係20kHz以上、60kHz以下為理想，30kHz以上、50kHz以下為較理想。雷射光之掃描速度係100mm/s以上、10000mm/s以下為理想。由此，可對用以使分離層4變質之適切的條件設定雷射照射條件。
在此，雷射光L之照射圖型係例如如第4圖之(a)~(f)所示，線形、螺旋形、多角點形、圓點形、多角環形或環形之任一為理想。在光照射階段係在分離層4的半徑方向之交界的虛線B1及B2之間，以占有將分割區域4C-1及4C-2設為開始的分割區域之面積之50%以上之面積之方式，形成光之照射圖型。由此，可使 在分割區域4C-1的分離層4合適地變質，可變脆。
例如，如第4圖之(a)所示，在採用直線性的線形之圖型的情況，該線形之圖型之方向係不限定。另外，如可於分割區域之面積之50%以上形成圖型，則該線形之圖型之寬度及線之數係不限定。尚，在第4圖之(a)~(f)所示的各圖型之中，在可最縮短對於分割區域的雷射光L之照射時間之點上，直線的線形之圖型為最理想。
另外，如第4圖之(b)所示，雷射光L之照射圖型亦可為螺旋形之圖型。描繪螺旋的線形之圖型係與線形之圖型相同，可連續地形成於分離層4之分割區域，在縮短雷射光L之照射時間之點上為較理想。尚，在照射於在分離層4的分割區域4C-1時，在螺旋形之圖型係產生雷射光L重複照射的處所。然而，在有關本實施形態的支撐體分離方法係透過了分離層4的雷射光L係因為照射於在基板1的分割特定區域，所以不照射於形成在基板1的電路及切割膠帶5。因此，在雷射光L重複照射的處所，即使不以雷射光L之照射輸出過度地調弱之方式調整，亦可防止形成於基板1的積體電路及切割膠帶5受到損傷。
另外，如第4圖之(c)所示，雷射光L之照射圖型係作為多角點形，例如亦可為四角點形。在此，四角點形之各點之尺寸係如可在分割區域4C-1之內周部，以占有分割區域之面積之50%以上之面積之方式形成圖型 則不限定。同樣地，如第4圖之(d)所示，雷射光L之照射圖型亦可為圓點形。此等多角點形及圓點形般的點狀之圖型係可次於線形而縮短照射於分割區域的時間，在分割區域可緻密地形成圖型之點上為理想。
另外，如第4圖之(e)所示，雷射光L之照射圖型亦可為多角環形。另外，如第4圖之(f)所示，雷射光L之照射圖型亦可為環形。藉由形成此等多角環形及環形之圖型，可使在分割區域4C-1的分離層4合適地變質。尚，在各環形之圖型，環狀圖型之寬度以及圖型之大小亦可適宜調整。
(旋動階段)
旋動階段係藉由光照射階段，將對分割區域照射雷射光L的層積體10，將該層積體10之中心點作為中心，使該層積體10之平面在特定之角度旋動。在有關本實施形態的支撐體分離方法係在分離層4的區域4C係以特定之角度20°等分割。因而，在旋動階段係藉由光照射階段，將對分離層4之分割區域4C-1照射雷射光L的層積體10，以特定之角度20°旋動。由此，雷射照射裝置50為配置於在層積體10的分離層4之分割區域4C-2之上。
之後，藉由光照射階段，使在分割區域4C-2的分離層4變質。更進一步，交互地重複旋動階段及光照射階段，對在分離層4的區域4C之全域照射雷射光L。
尚，在旋動階段係將具備切割框6的切割膠 帶5貼上基板1側的層積體10，例如固定於具備多孔部，可旋動的平台(不圖示)等之載置台，以特定之角度使其旋動即可。
(分離步驟)
在分離步驟係對已照射雷射光L的層積體10施加力量，由層積體10分離支撐板2(第1圖之(c))。更具體而言係例如以藉由可旋動的平台而固定層積體10之基板1側的狀態，藉由具備波紋管墊等之吸附墊的分離板(保持部，不圖示)而吸附保持支撐板2之上面部，同時抬高該分離板。由此，於層積體10施加力，由層積體10分離支撐板2。
尚，在有關本實施形態的支撐體分離方法係在光照射步驟，藉由交互地進行光照射階段與旋動階段，使在區域4C之全域的分離層4變質。總之，在層積體10，分離層4之周緣部分全周為變質。因此，光照射步驟後，不特定層積體10之方向，可保持在層積體10的支撐板2之周緣部分，進行分離步驟。另外，在分離步驟係若施加力於層積體10，則在區域4C中力集中於已變質的分離層4。由此，首先，在區域4C的分離層4被破壞，接著，藉由力集中於區域C以外之分離層4，於區域C以外之分離層4被破壞。由此，可由層積體10合適地分離支撐板2。
尚，在分離步驟係例如經由浮動接頭或萬向 接頭等之接頭(不圖示)，藉由抬高分離板，由層積體10分離支撐板2。如此的接頭係可旋動，而且，對於固定在平台的層積體10之平面以傾斜之方式可動。
如經由浮動接頭等而由分離板施加力於層積體10，則在力集中於層積體10之外周端部之一部分時，該浮動接頭為可動，朝向該外周端部之一部分而以朝向吸附墊為相接於支撐板2的面之方式，分離板為傾斜。伴隨於此，由層積體10分離的途中之支撐板2為傾斜。由此，可防止過度的力施加於支撐板2及基板1之一部分，而且，可使力集中於層積在支撐板2與接著層3之間的分離層4。因而，可防止支撐板2及基板1因過度的力而破損，同時可合適地由基板1剝離支撐板2。
〔其他之步驟〕
進行了分離步驟後，如第1圖之(d)所示，於分離了支撐板2的基板1係在黏上切割膠帶5的狀態，例如進行藉由含有有機溶劑的剝離液等而除去接著層3及分離層4之殘渣的洗淨步驟。另外，洗淨步驟後，進行由已黏上切割膠帶5的基板1製造半導體晶片的切割步驟。在此，已黏上基板1的切割膠帶5係已防止因照射雷射光L而受到損傷。因此，如藉由有關本實施形態的支撐體分離方法，則可在層積體10黏上切割膠帶5的狀態，順利地進行由基板1至製造半導體晶片之一連串之步驟。因而，在基板1形成電路的步驟已薄化的基板1係可避免在黏上切 割膠帶5時破損。
〔層積體10〕
關於被使用在有關本實施形態的支撐體分離方法的層積體10，更詳細地說明。層積體10係將基板1、與接著層3、與分離層4、與支撐板2以此順序層積而成。
〔基板1〕
在有關本實施形態的支撐體分離方法係作為基板1，使用由矽所構成的晶圓基板。基板1係以經由接著層3及分離層4而被支撐板2支撐的狀態，可供於薄化、安裝等之製程。另外，於基板1之電路形成區域係例如安裝積體電路或金屬凸塊等之構造物。
尚，在有關本實施形態的支撐體分離方法係作為基板使用矽晶圓基板，但基板1係不限定於矽晶圓基板，亦可使用由陶瓷基板、薄的薄膜基板、可撓性基板等之任意之材質所構成的基板。
〔支撐板2〕
支撐板(支撐體)2係支撐基板1的支撐體，經由接著層3，黏上基板1。因此，作為支撐板2係於基板1之薄化、搬送、安裝等之製程時，為了防止基板1之破損或變形而具有必要的強度即可。另外，如使為了讓分離層4變質之光透過者即可。
於支撐體係可使用由玻璃、矽或丙烯酸系樹脂所構成的支撐板等，但在有關本實施形態的支撐體分離方法係使用由矽所構成的支撐板2。以將由矽所構成的支撐板2層積於基板1，可使基板1與支撐板2之熱膨脹係數之差變小，所以可降低因加熱所致的層積體10之彎曲。
尚，於支撐板2係設置用以特定該支撐板2之方向的缺口部(缺口，不圖示)。
〔接著層3〕
接著層3係為了將基板1與已形成分離層4的支撐板2貼附而使用。另外，接著層3係藉由為了貼附基板1與支撐板2而使用的接著劑而形成的層。
接著層3之厚度係按照成為貼附之對象的基板1及支撐板2之種類、施加於貼附後之基板1的處理等而適宜地設定即可，但10~150μm之範圍內為理想，15~100μm之範圍內為較理想。
接著層3係例如可藉由旋轉塗佈、浸漬法、輥式刮刀法、噴霧塗佈、狹縫塗佈等之方法而塗佈接著劑而形成。另外，接著層3係例如取代將接著劑直接塗於基板1，亦可將接著劑事先塗佈於兩面的薄膜(亦即，乾式薄膜)，貼附於基板1而形成。
作為形成接著層3的接著劑，例如可使用丙烯酸系、酚醛系、萘醌系、烴系、聚醯亞胺系、彈性體、 聚碸系等之在該領域一般周知之各式各樣之接著劑。
作為接著劑含有的樹脂，亦即，接著層3含有的樹脂係具備接著性者即可，例如可較理想地使用烴樹脂、丙烯酸-苯乙烯系樹脂、馬來醯亞胺系樹脂、彈性體樹脂、聚碸系樹脂等，或是組合此等等。以下，關於在本實施之形態的接著層3含有的樹脂之組成進行說明。
(烴樹脂)
烴樹脂係具有烴骨架，將單體組成物聚合而成的樹脂。作為烴樹脂，可舉出環烯烴系聚合物(以下，有稱為「樹脂(A)」者，以及，萜烯樹脂、松香系樹脂及石油樹脂所構成的群中選擇至少1種之樹脂(以下，有稱為「樹脂(B)」者)等，但不限定於此。
樹脂(A)亦可為將含有環烯烴系單體的單體成分聚合而成的樹脂。具體而言，可舉出含有環烯烴系單體的單體成分之開環(共)聚合物、使含有環烯烴系單體的單體成分加成(共)聚合的樹脂等。
作為包含於構成樹脂(A)的單體成分的前述環烯烴系單體，例如可舉出降莰烯、降莰二烯等之二環物、二環戊二烯、羥基二環戊二烯等之三環物、四環十二烯等之四環物、環戊二烯三聚物等之五環物、四環戊二烯等之七環物、或此等多環物之烷基(甲基、乙基、丙基、丁基等)取代物、烯基(乙烯基等)取代物、亞烷基(亞乙基等)取代物、芳基(苯基、甲苯基、萘基等)取代物 等。在此等之中特別是由降莰烯、四環十二烯、或此等之烷基取代物所構成的群中所選擇的降莰烯系單體為理想。
構成樹脂(A)的單體成分係亦可含有與上述的環烯烴系單體可共聚的其他之單體，例如含有烯單體為理想。作為烯單體係例如可舉出乙烯、丙烯、1-丁烯、異丁烯、1-己烯、α-烯烴等。烯單體係可為直鏈狀，亦可為支鏈狀。
另外，作為構成樹脂(A)的單體成分，含有環烯烴單體之情事係由高耐熱性(低的熱分解、熱重量減少性)之觀點而為理想。對於構成樹脂(A)的單體成分全體的環烯烴單體之比例係5mole%以上為理想，10mole%以上為較理想，20mole%以上為更理想。另外，對於構成樹脂(A)的單體成分全體的環烯烴單體之比例係無特別限定，但由溶解性及在溶液之隨時間安定性之觀點係80mole%以下為理想，70mole%以下為較理想。
另外，作為構成樹脂(A)的單體成分，亦可含有直鏈狀或支鏈狀之烯單體。對於構成樹脂(A)的單體成分全體的烯單體之比例係由溶解性及柔軟性之觀點係10~90mole%為理想，20~85mole%為較理想，30~80mole%為更理想。
尚，樹脂(A)係例如以使環烯烴系單體與烯單體所構成的單體成分聚合而成的樹脂之方式，為未具有極性基的樹脂，在抑制在高溫下之氣體產生上為理想。
關於聚合單體成分時之聚合方法或聚合條件 等係無特別限制，依照通用方法適宜地設定即可。
例如，可將以下述化學式(1)所表示的重複單位及以下述化學式(2)所表示的重複單位之共聚物的環烯烴共聚物作為接著成分之樹脂(A)使用。
Figure 105124467-A0202-12-0019-1
(化學式(2)中，n為0或1~3之整數)。
作為如此的環烯烴共聚物係可使用APL 8008T、APL 8009T、以及APL 6013T(全部為三井化學公司製)等。
另外，作為可作樹脂(A)使用的市售品係例如可舉出POLYPLASTICS公司製之「TOPAS」、三井化學公司製之「APEL」、日本ZEON公司製之「ZEONOR」及「ZEONEX」、JSR公司製之「ARTON」等。
樹脂(A)之玻璃轉移溫度(Tg)係60℃以上為理想，70℃以上為特別理想。若樹脂(A)之玻璃轉移溫度為60℃以上，則在層積體曝露於高溫環境時可更抑制接著層3之軟化。
樹脂(B)係由萜烯系樹脂、松香系樹脂及石油樹脂所構成的群中選擇至少1種之樹脂。具體而言，作 為萜烯系樹脂係例如可舉出萜烯樹脂、萜烯酚樹脂、改質萜烯樹脂、氫化萜烯樹脂、氫化萜烯酚樹脂等。作為松香系樹脂係例如可舉出松香、松香酯、氫化松香、氫化松香酯、聚合松香、聚合松香酯、改質松香等。作為石油樹脂係例如可舉出脂肪族或芳香族石油樹脂、氫化石油樹脂、改質石油樹脂、脂環族石油樹脂、香豆酮‧茚石油樹脂等。在此等之中氫化萜烯樹脂、氫化石油樹脂為較理想。
樹脂(B)之軟化點係無特別限定，但80~160℃為理想。若樹脂(B)之軟化點為80~160℃，則可抑制層積體曝露於高溫環境時軟化，不產生接著不良。
樹脂(B)之重量平均分子量係無特別限定，但300~3,000為理想。若樹脂(B)之重量平均分子量為300以上，則成為耐熱性為充分者，在高溫環境下排氣量變少。另一方面，若樹脂(B)之重量平均分子量為3,000以下，則成為向烴系溶劑之接著層之溶解速度為良好者。因此，可將分離了支撐板後之基板上之接著層之殘渣迅速地溶解、除去。尚，在本實施形態的樹脂(B)之重量平均分子量係意味著以凝膠滲透層析法(GPC)而測定的聚苯乙烯換算之分子量者。
尚，作為樹脂，亦可使用混合樹脂(A)與樹脂(B)者。藉由混合而成為耐熱性為良好者。例如作為樹脂(A)與樹脂(B)之混合比例係(A)：(B)=80：20~55：45(質量比)，因為高溫環境時之耐熱性、及柔軟性優異故為理想。
(丙烯酸-苯乙烯系樹脂)
作為丙烯酸-苯乙烯系樹脂係例如可舉出將苯乙烯或苯乙烯之衍生物、與(甲基)丙烯酸酯等作為單體使用而聚合的樹脂。
作為(甲基)丙烯酸酯係例如可舉出由鏈式構造所構成的(甲基)丙烯酸烷基酯、具有脂肪族環的(甲基)丙烯酸酯、具有芳香族環的(甲基)丙烯酸酯。由鏈式構造所構成的(甲基)丙烯酸烷基酯係可舉出具有碳數15~20之烷基的丙烯酸系長縺烷基酯、具有碳數1~14之烷基的丙烯酸系烷基酯等。作為丙烯酸系長縺烷基酯係可舉出烷基為n-十五烷基、n-十六烷基、n-十七烷基、n-十八烷基、n-十九烷基、n-二十烷基等的丙烯酸或甲基丙烯酸之烷基酯。尚，該烷基亦可為支鏈狀。
作為具有碳數1~14之烷基的丙烯酸系烷基酯係可舉出使用於即存之丙烯酸系接著劑的一般周知之丙烯酸系烷基酯。例如可舉出烷基為由甲基、乙基、丙基、丁基、2-乙基己基、異辛基、異壬基、異癸基、十二烷基、月桂基、十三烷基等所構成的丙烯酸或甲基丙烯酸之烷基酯。
作為具有脂肪族環的(甲基)丙烯酸酯係可舉出環己基(甲基)丙烯酸酯、環戊基(甲基)丙烯酸酯、1-金剛烷基(甲基)丙烯酸酯、降莰基(甲基)丙烯酸酯、異莰基(甲基)丙烯酸酯、三環癸基(甲基)丙烯 酸酯、四環十二烷基(甲基)丙烯酸酯、二環戊基(甲基)丙烯酸酯，但異莰基甲基丙烯酸酯、二環戊基(甲基)丙烯酸酯為較理想。
作為具有芳香族環的(甲基)丙烯酸酯係無特別限定，但作為芳香族環係例如可舉出苯基、苄基、甲苯基、茬基、聯苯基、萘基、蒽基、苯氧甲基、苯氧乙基等。另外，芳香族環係亦可具有碳數1~5之直鏈狀或支鏈狀之烷基。具體而言係苯氧乙基丙烯酸酯為理想。
(馬來醯亞胺系樹脂)
作為馬來醯亞胺系樹脂係例如作為單體，可舉出N-甲基馬來醯亞胺、N-乙基馬來醯亞胺、N-n-丙基馬來醯亞胺、N-異丙基馬來醯亞胺、N-n-丁基馬來醯亞胺、N-異丁基馬來醯亞胺、N-sec-丁基馬來醯亞胺、N-第三丁基馬來醯亞胺、N-n-戊基馬來醯亞胺、N-n-己基馬來醯亞胺、N-n-庚基馬來醯亞胺、N-n-辛基馬來醯亞胺、N-月桂基馬來醯亞胺、N-硬脂醯基馬來醯亞胺等之具有烷基的馬來醯亞胺，N-環丙基馬來醯亞胺、N-環丁基馬來醯亞胺、N-環戊基馬來醯亞胺、N-環己基馬來醯亞胺、N-環庚基馬來醯亞胺、N-環辛基馬來醯亞胺等之具有脂肪族烴基的馬來醯亞胺，N-苯基馬來醯亞胺、N-m-甲基苯基馬來醯亞胺、N-o-甲基苯基馬來醯亞胺、N-p-甲基苯基馬來醯亞胺等之具有芳基的芳香族馬來醯亞胺等聚合而得的樹脂。
(彈性體)
彈性體係作為主鏈之構成單位含有苯乙烯單位為理想，該「苯乙烯單位」亦可具有取代基。作為取代基係例如可舉出碳數1~5之烷基、碳數1~5之烷氧基、碳數1~5之烷氧基烷基、乙醯氧基、羧基等。另外，該苯乙烯單位之含量為14重量%以上、50重量%以下之範圍內為較理想。更進一步，彈性體係重量平均分子量為10,000以上、200,000以下之範圍內為理想。
如苯乙烯單位之含量為14重量%以上、50重量%以下之範圍內，彈性體之重量平均分子量為10,000以上、200,000以下之範圍內，則因為容易地溶解於後述的烴系之溶劑，所以可較容易且迅速地除去接著層。另外，藉由苯乙烯單位之含量及重量平均分子量為上述之範圍內，晶圓基板為對於供於阻劑微影步驟時所曝露的阻劑溶劑(例如PGMEA、PGME等)、酸(氫氟酸等)、鹼(TMAH等)發揮優異的耐性。
尚，於彈性體亦可更混合上述的(甲基)丙烯酸酯。
苯乙烯單位之含量係較理想為17重量%以上，另外較理想為40重量%以下。
重量平均分子量之較理想的範圍係20,000以上，另外，較理想的範圍係150,000以下。
作為彈性體係如苯乙烯單位之含量為14重量%以上、50重量%以下之範圍內，彈性體之重量平均分子 量為10,000以上、200,000以下之範圍內，則可使用各式各樣之彈性體。例如，可舉出聚苯乙烯-聚(乙烯/丙烯)嵌段共聚物(SEP)、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIS)、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS)、苯乙烯-丁二烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBBS)、以及，此等之氫化物、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚物(苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物)(SEPS)、苯乙烯-乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEEPS)、苯乙烯嵌段為反應交聯型之苯乙烯-乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚物(SeptonV9461(kuraray公司製)、SeptonV9475(kuraray公司製))、苯乙烯嵌段為反應交聯型之苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(具有反應性之聚苯乙烯系硬嵌段的SeptonV9827(kuraray公司製))、聚苯乙烯-聚(乙烯-乙烯/丙烯)嵌段-聚苯乙烯嵌段共聚物(SEEPS-OH：末端氫氧基改質)等，可使用彈性體之苯乙烯單位之含量及重量平均分子量為上述之範圍內者。
另外，在彈性體中氫化物亦較理想。如為氫化物則對熱的安定性提高，難以產生分解或聚合等之變質。另外，由向烴系溶劑之溶解性及向阻劑溶劑之耐性之觀點亦較理想。
另外，在彈性體中兩端為苯乙烯之嵌段聚合物者亦較理想。將熱安定性高的苯乙烯嵌段於兩末端所以顯現出更高的耐熱性。
更具體而言係彈性體係苯乙烯及共軛二烯之嵌段共聚物之氫化物為較理想。對熱的安定性提高，難以產生分解或聚合等之變質。另外，以將熱安定性高的苯乙烯嵌段於兩末端而顯現出更高的耐熱性。更進一步，由向烴系溶劑之溶解性及向阻劑溶劑之耐性之觀點亦較理想。
作為構成接著層3的接著劑所包含的彈性體而使用的市售品係例如可舉出kuraray公司製「Septon(商品名)」、kuraray公司製「HYBRAR(商品名)」、旭化成公司製「Tuftec(商品名)」、JSR公司製「DYNARON(商品名)」等。
作為構成接著層3的接著劑所包含的彈性體之含量係例如將接著劑組成物全量作為100重量份，在50重量份以上、99重量份以下之範圍內為理想，在60重量份以上、99重量份以下之範圍內為較理想，在70重量份以上、95重量份以下之範圍內為最理想。藉由設為該等範圍內，可一邊維持耐熱性、同時可合適地貼合基板與支撐板。
另外，彈性體亦可混合複數之種類。總之，構成接著層3的接著劑亦可含有複數之種類之彈性體。然後，複數之種類之彈性體之中至少一個為作為主鏈之構成單位含有苯乙烯單位即可。另外，複數之種類之彈性體之中至少一個係如苯乙烯單位之含量為14重量%以上、50重量%以下之範圍內，或是，重量平均分子量為10,000以上、200,000以下之範圍內，則為本發明之範疇。另外，在構 成接著層3的接著劑，含有複數之種類之彈性體的情況，亦可以混合的結果、苯乙烯單位之含量成為上述之範圍內之方式調整。例如，若苯乙烯單位之含量為30重量%的kuraray公司製之Septon(商品名)之Septon4033、與苯乙烯單位之含量為13重量%的之Septon(商品名)之Septon2063以重量比1比1混合，則對於接著劑所包含的彈性體全體的苯乙烯含量係成為21~22重量%，因而成為14重量%以上。另外，例如將苯乙烯單位為10重量%者與60重量%者以重量比1比1混合則成為35重量%，成為上述之範圍內。本發明亦可為如此的形態。另外，構成接著層3的接著劑所含有的複數之種類之彈性體係全部在上述之範圍內含有苯乙烯單位，而且，上述之範圍內之重量平均分子量為最理想。
尚，使用光硬化性樹脂(例如，UV硬化性樹脂)以外之樹脂而形成接著層3為理想。可防止使用光硬化性樹脂以外之樹脂，於接著層3之剝離或除去後，於基板1之微小的凹凸之周邊產生殘渣。特別是作為構成接著層3的接著劑係並非溶解於所有的溶劑，而是溶解於特定之溶劑為理想。此係因為並非於基板1施加物理性的力，而是藉由讓接著層3溶解於溶劑而可除去。在接著層3之除去時，即使由強度低下的基板1，也不使基板1破損、變形而可容易地除去接著層3。
(聚碸系樹脂)
用以形成接著層3的接著劑亦可含有聚碸系樹脂。藉由將接著層3以聚碸系樹脂形成，可製造即使在高溫處理層積體，亦可在之後之步驟溶解接著層，由基板剝離支撐板的層積體。如接著層3包含聚碸樹脂，則例如即使藉由退火等而將層積體以300℃以上的高溫處理的高溫製程，亦可合適地使用層積體。
聚碸系樹脂係具有由以下述一般式(3)所表示的構成單位，以及，以下述一般式(4)所表示的構成單位之中之至少1種之構成單位所構成的構造。
Figure 105124467-A0202-12-0027-2
(在此，一般式(3)之R1、R2及R3、以及一般式(4)中之R1及R2係各自獨立而由伸苯基、伸萘基及伸蒽基所構成的群中選擇，X’係碳數為1以上、3以下之伸烷基)。
聚碸系樹脂係藉由具備以式(3)表示的聚碸構成單位及以式(4)表示的聚醚碸構成單位之中之至少1個，可形成一種層積體，其係貼附基板1與支撐板2後，即使在高的溫度條件處理基板1，亦可防止因分解及聚合而接著層3為不溶化。另外，聚碸系樹脂係如為以上述式(3)表示的聚碸構成單位所構成的聚碸樹脂，則即使加 熱至更高的溫度亦為安定。因此，可防止在洗淨後之基板1產生起因於接著層的殘渣。
聚碸系樹脂之重量平均分子量(Mw)係30,000以上、70,000以下之範圍內為理想，30,000以上、50,000以下之範圍內為較理想。如聚碸系樹脂之重量平均分子量(Mw)係30,000以上之範圍內，則例如可得到可在300℃以上之高的溫度使用的接著劑組成物。另外，如聚碸系樹脂之重量平均分子量(Mw)係70,000以下之範圍內，則可依溶劑而合適地溶解。亦即，可得到依溶劑而可合適地除去的接著劑組成物。
(稀釋溶劑)
作為形成接著層3時使用的稀釋溶劑係例如可舉出己烷、庚烷、辛烷、壬烷、甲基辛烷、癸烷、十一烷、十二烷、十三烷等之直鏈狀之烴、碳數4至15之支鏈狀之烴，例如，環己烷、環庚烷、環辛烷、萘、十氫萘、四氫萘等之環狀烴、對薄荷烷、鄰薄荷烷、間薄荷烷、二苯基薄荷烷、1,4-萜二醇、1,8-萜二醇、莰烷、降莰烷、蒎烷、側柏烷、蒈烷、長葉烯、香葉醇、橙花醇、沉香醇、檸檬醛、香茅醇、薄荷醇、異薄荷醇、新薄荷醇、α-萜品醇、β-萜品醇、γ-萜品醇、萜品烯-1-醇、萜品烯-4-醇、二氫萜品基乙酸酯、1,4-桉油醇、1,8-桉油醇、莰醇、香芹酮、紫羅蘭酮、側柏酮、樟腦、d-檸檬烯、l-檸檬烯、雙戊烯等之萜烯系溶劑；γ-丁內酯等之內酯類；丙酮、甲基 乙基酮、環己酮(CH)、甲基-n-戊基酮、甲基異戊基酮、2-庚酮等之酮類；乙二醇、二乙二醇、丙二醇、二丙二醇等之多價醇類；乙二醇單乙酸酯、二乙二醇單乙酸酯、丙二醇單乙酸酯、或二丙二醇單乙酸酯等之具有酯鍵的化合物、具有前述多價醇類或前述酯鍵的化合物之單甲基醚、單乙基醚、單丙基醚、單丁基醚等之單烷基醚或單苯基醚等之具有醚鍵的化合物等之多價醇類之衍生物(在此等之中係丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇單甲基醚(PGME)為理想)；如二噁烷般的環式醚類、或乳酸甲酯、乳酸乙酯(EL)、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、甲氧基乙酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯等之酯類；苯甲醚、乙基苄基醚、甲苯酚基甲基醚、二苯基醚、二苄基醚、苯***、丁基苯基醚等之芳香族系有機溶劑等。
(其他之成分)
構成接著層3的接著劑係在不損及本質上的特性的範圍，亦可更包含有混合性的其他物質。例如，可更使用用以改良接著劑之性能之附加的樹脂、可塑劑、接著補助劑、安定劑、著色劑、熱聚合抑制劑及界面活性劑等，所慣用的各種添加劑。
〔分離層4〕
接著，所謂分離層4係藉由吸收經由支撐板2而照射 的光而變質的材料所形成的層。
分離層4之厚度係例如，0.05μm以上、50μm以下之範圍內為較理想，0.3μm以上、1μm以下之範圍內為更理想。如分離層4之厚度為包括在0.05μm以上、50μm以下之範圍，則可藉由短時間之光之照射及低能量之光之照射，使分離層4產生所期望的變質。另外，分離層4之厚度係由生產性之觀點視之，包括在1μm以下之範圍為特別理想。
尚，在層積體10，在分離層4與支撐板2之間亦可更形成其他層。在此情況，其他層係由透過光的材料所構成即可。由此，可適宜地追加不妨礙向分離層4之光之入射，對層積體10附予理想的性質等之層。依構成分離層4的材料之種類，可使用的光之波長不同。因而，構成其他層的材料係無讓全部之光透過的必要，由可使構成分離層4的材料變質的波長之光透過的材料可適宜地選擇。
另外，分離層4係僅由具有吸收光的構造的材料形成為理想，但在不損及本發明的本質上的特性的範圍，添加未具有吸收光的構造的材料，亦可形成分離層4。另外，在分離層4的相對於接著層3的側之面為平坦(未形成凹凸)為理想，由此，可容易地進行分離層4之形成，而且在貼附亦成為可均勻地貼附。
分離層4係按照基板及支撐板2之種類，以及，層積體所要求的性能而適宜地選擇該材料即可。在有 關本實施形態的支撐體分離方法係在以下所示的分離層之中，可較理想地使用藉由可照射透過由矽所構成的支撐板2的紅外線的CO2雷射而變質的分離層。
(氟碳)
分離層4亦可由氟碳所構成。藉由分離層4係以氟碳而構成，以吸收光而產生變質，作為其結果，失去接受光之照射前之強度或接著性。因而，藉由施加稍微的外力(例如，抬高支撐板2等)，可破壞分離層4，可輕易地分離支撐板2與基板1。構成分離層4的氟碳係可藉由電漿CVD(化學氣相沈積)法而合適地成膜。
氟碳係依該種類而吸收具備固有之範圍之波長的光。藉由將使用在分離層4的氟碳吸收的範圍之波長之光照射於分離層，可使氟碳合適地變質。尚，在分離層4的光之吸收率係80%以上為理想。
作為照射於分離層4的光係依照氟碳可吸收的波長，例如適宜地使用YAG雷射、紅寶石雷射、玻璃雷射、YVO4雷射、LD雷射、光纖雷射等之固體雷射，色素雷射等之液體雷射，CO2雷射、準分子雷射、Ar雷射、He-Ne雷射等之氣體雷射、半導體雷射、自由電子雷射等之雷射光、或是非雷射光即可。作為可使氟碳變質的波長係不在此限定，例如可使用600nm以下之範圍者。
(將具有光吸收性的構造包含於該重複單位的聚合物)
分離層4係亦可含有將具有光吸收性的構造包含於該重複單位的聚合物。該聚合物係接受光之照射而變質。該聚合物之變質係藉由吸收照射上述構造的光而產生。分離層4係作為聚合物之變質之結果，失去接受光之照射前之強度或接著性。因而，藉由施加稍微的外力(例如，抬高支撐板2等)，可破壞分離層4，可輕易地分離支撐板2與基板1。
具有光吸收性的上述構造係吸收光，作為重複單位使含有該構造的聚合物變質的化學構造。該結構係例如含有由取代或非取代之苯環、縮合環或雜環所構成的共軛π電子系的原子團。更詳細而言，該結構係可為卡多構造、或存在於上述聚合物之側鏈的二苯基酮構造、二苯基亞碸構造、二苯基碸構造(雙苯基碸構造)、二苯基構造或二苯基胺構造。
在上述構造為存在於上述聚合物之側鏈的情況，該構造係藉由以下之式而可表示。
Figure 105124467-A0202-12-0032-3
(式中，R係各自獨立的烷基、芳基、鹵素、氫氧基、酮基、亞碸基、磺基或N(R4)(R5)(在此，R4及R5係各自獨立的氫原子或碳數1~5之烷基)、Z係不存在或-CO-、-SO2-、-SO-或是-NH-，n為0或1~5之整數)。
另外，上述聚合物係例如含有在以下之式之中，以(a)~(d)之任一表示的重複單位、或以(e)表示、或將(f)之構造包含於該主鏈。
Figure 105124467-A0202-12-0033-4
(式中，l為1以上之整數、m為0或1~2之整數、X為在(a)~(e)上述之“化3”所示的式之任一者、在(f)為上述之“化3”所示的式之任一者、或不存在、Y1及Y2係各自獨立的-CO-或SO2-。l係理想為10以下之整數)。
作為上述之“化3”所表示的苯環、縮合環及雜環之例 係可舉出苯基、取代苯基、苄基、取代苄基、萘、取代萘、蒽、取代蒽、蒽醌、取代蒽醌、吖啶、取代吖啶、偶氮苯、取代偶氮苯、螢光胺、取代螢光胺、Furuorimon、取代Furuorimon、咔唑、取代咔唑、N-烷基咔唑、二苯並呋喃、取代二苯並呋喃、菲、取代菲、芘、取代芘。在已例示的取代基為更具有取代基的情況，該取代基係例由烷基、芳基、鹵素原子、烷氧基、硝基、醛類、氰基、醯胺、二烷基胺基、磺醯胺、醯亞胺、接酸、羧酸酯、磺酸、磺酸酯、烷基胺基及芳基胺基選擇。
上述之“化3”所示的取代基之中，具有2個苯基的第5個之取代基，作為Z為-SO2-的情況之例係可舉出雙(2,4-二羥苯基)碸、雙(3,4-二羥苯基)碸、雙(3,5-二羥苯基)碸、雙(3,6-二羥苯基)碸、雙(4-羥苯基)碸、雙(3-羥苯基)碸、雙(2-羥苯基)碸、及雙(3,5-二甲基-4-羥苯基)碸等。
上述之“化3”所示的取代基之中，具有2個苯基的第5個之取代基，作為Z為-SO-的情況之例係可舉出雙(2,3-二羥苯基)亞碸、雙(5-氯-2,3-二羥苯基)亞碸、雙(2,4-二羥苯基)亞碸、雙(2,4-二羥基-6-甲基苯基)亞碸、雙(5-氯-2,4-二羥苯基)亞碸、雙(2,5-二羥苯基)亞碸、雙(3,4-二羥苯基)亞碸、雙(3,5-二羥苯基)亞碸、雙(2,3,4-三羥苯基)亞碸、雙(2,3,4-三羥基-6-甲基苯基)亞碸、雙(5-氯-2,3,4-三羥苯基)亞碸、雙(2,4,6-三羥苯基)亞碸、雙(5-氯-2,4,6-三羥苯基)亞 碸等。
上述之“化3”所示的取代基之中，具有2個苯基的第5個之取代基，作為Z為-C(=O)-的情況之例係可舉出2,4-二羥基二苯甲酮、2,3,4-三羥基二苯甲酮、2,2’,4,4’-四羥基二苯甲酮、2,2’,5,6’-四羥基二苯甲酮、2-羥基-4-甲氧基二苯甲酮、2-羥基-4-辛氧基二苯甲酮、2-羥基-4-十二烷基二苯甲酮、2,2’-二羥基-4-甲氧基二苯甲酮、2,6-二羥基-4-甲氧基二苯甲酮、2,2’-二羥基-4,4’-二甲氧基二苯甲酮、4-胺基-2’-羥基二苯甲酮、4-二甲基胺基-2’-羥基二苯甲酮、4-二乙基胺基-2’-羥基二苯甲酮、4-二甲基胺基-4’-甲氧基-2’-羥基二苯甲酮、4-二甲基胺基-2’,4’-二羥基二苯甲酮、及4-二甲基胺基-3’,4’-二羥基二苯甲酮等。
在上述構造為存在於上述聚合物之側鏈的情況，包含上述構造的重複單位之占有上述聚合物的比例係在成為分離層4之光之透過率為0.001%以上、10%以下的範圍內。如以該比例為包括於如此的範圍之方式調製聚合物，則分離層4為充分地吸收光，可確實且迅速地變質。亦即，由層積體10之支撐板2之除去為容易，可使在該除去所必要的光之照射時間縮短。
上述構造係藉由該種類之選擇，可吸收具有所期望之範圍之波長的光。例如，上述構造可吸收的光之波長係100nm以上、2,000nm以下之範圍內為較理想。此之範圍內之中，上述構造可吸收的光之波長係較短波長 側，例如為100nm以上、500nm以下之範圍內。例如，上述構造係理想為藉由吸收具有大約300nm以上、370nm以下之範圍內之波長的紫外光，可使含有該構造的聚合物變質。
上述構造可吸收的光係例如高壓水銀燈(波長範圍：254nm以上、436nm以下)、KrF準分子雷射(波長：248nm)、ArF準分子雷射(波長：193nm)、F2準分子雷射(波長：157nm)、XeCl雷射(波長：308nm)、XeF雷射(波長：351nm)或是固體UV雷射(波長：355nm)所發出的光、g線(波長：436nm)、h線(波長：405nm)或i線(波長：365nm)等。
上述的分離層4係含有作為重複單位包含上述構造的聚合物，但分離層4係更進一步，可含有上述聚合物以外之成分。作為該成分係可舉出填料、可塑劑及可提高支撐板2之剝離性的成分等。此等之成分係由不妨礙或促進依上述構造的光之吸收、以及聚合物之變質的先前一般周知之物質或材料中可適宜地選擇。
(無機物)
分離層4亦可由無機物所構成。藉由分離層4係以無機物而構成，以吸收光而產生變質，作為其結果，失去接受光之照射前之強度或接著性。因而，藉由施加稍微的外力(例如，抬高支撐板2等)，可破壞分離層4，可輕易地分離支撐板2與基板1。
上述無機物係如為藉由吸收光而變質的構成即可，例如可合適地使用由金屬、金屬化合物及碳所構成的群中選擇的1種以上之無機物。所謂金屬化合物係指含有金屬原子的化合物，例如可為金屬氧化物、金屬氮化物。作為如此的無機物之例示係不限定於此，可舉出由金、銀、銅、鐵、鎳、鋁、鈦、鉻、SiO2、SiN、Si3N4、TiN及碳所構成的群中選擇1種以上之無機物。尚，所謂碳係亦可含有碳之同素異形體的概念，例如、可為鑽石、富勒烯、類鑽碳、奈米碳管等。
上述無機物係依該種類而吸收具備固有之範圍之波長的光。藉由將使用在分離層4的無機物吸收的範圍之波長之光照射於分離層，可使上述無機物合適地變質。
作為照射於由無機物所構成的分離層4的光係依照上述無機物可吸收的波長，例如適宜地使用YAG雷射、紅寶石雷射、玻璃雷射、YVO4雷射、LD雷射、光纖雷射等之固體雷射，色素雷射等之液體雷射，CO2雷射、準分子雷射、Ar雷射、He-Ne雷射等之氣體雷射、半導體雷射、自由電子雷射等之雷射光、或是非雷射光即可。
由無機物所構成的分離層4係例如藉由濺鍍、化學氣相沈積(CVD)、鍍覆、電漿CVD、旋轉塗佈等之一般周知之技術，可形成於支撐板2上。由無機物所構成的分離層4之厚度係無特別限定，如為可充分吸收 所使用的光的膜厚即可，例如設為0.05μm以上、10μm以下之範圍內之膜厚為較理想。另外，亦可在構成分離層4的無機物所構成的無機膜(例如，金屬膜)之兩面或一面事先塗佈接著劑，貼附於支撐板2及基板1。
尚，在作為分離層4使用金屬膜的情況係藉由分離層4之膜質、雷射光源之種類、雷射輸出等之條件係可產生雷射之反射或向膜之帶電等。因此，以將防反射膜或防帶電膜設置於分離層4之上下或任一方，謀求該等之對策為理想。
(具有紅外線吸收性之構造的化合物)
分離層4係亦可藉由具有紅外線吸收性之構造的化合物而形成。該化合物係藉由吸收紅外線而變質。分離層4係作為化合物之變質之結果，失去接受紅外線之照射前之強度或接著性。因而，藉由施加稍微的外力(例如，抬高支撐板2等)，可破壞分離層4，可輕易地分離支撐板2與基板1。
作為具有紅外線吸收性的構造、或是含有具有紅外線吸收性的構造的化合物係例如可為烷烴、烯烴(乙烯基、反式、順式、亞乙烯、三取代、四取代、共軛、累積多烯、環式)、炔烴(一取代、二取代)、單環式芳香族(苯、一取代、二取代、三取代)、醇及酚類(OH自由基、分子內氫鍵、分子間氫鍵、飽和第二級、飽和第三級、不飽和第二級、不飽和第三級)、縮醛、縮 酮、脂肪族醚、芳香族醚、乙烯基醚、環氧乙烷環醚、過氧化物醚、酮、二烷羰基、芳香族羰基、1,3-二酮之烯醇、o-羥基芳基酮、二烷基醛、芳香族醛、羧酸(二聚物，羧酸陰離子)、甲酸酯、乙酸酯、共軛酯、非共軛酯、芳香族酯、內酯(β-、γ-、δ-)、脂肪族酸氯化物、芳香族酸氯化物、酸酐(共軛、非共軛、環式、非環式)、一級醯胺、二級醯胺、內醯胺、一級胺(脂肪族、芳香族)、二級胺(脂肪族、芳香族)、三級胺(脂肪族、芳香族)、一級胺鹽、二級胺鹽、三級胺鹽、銨離子、脂肪族腈、芳香族腈、碳二醯亞胺、脂肪族異腈、芳香族異腈、異氰酸酯、硫氰酸酯、脂肪族硫氰酸酯、芳香族硫氰酸酯、脂肪族硝化合物、芳香族硝化合物、硝胺、亞硝胺、硝酸酯、亞硝酸酯、亞硝基鍵(脂肪族、芳香族、單體、二聚物)、硫醇、硫酚及硫酸等之硫化合物、硫羰基、亞碸、碸、磺醯氯、一級磺醯胺、二級磺醯胺、硫酸酯、碳-鹵素鍵、Si-A1鍵(A1係H、C、O或鹵素)、P-A2鍵(A2係H、C或O)、或Ti-O鍵。
作為含有上述碳數-鹵素鍵結的結構式係例如可舉出-CH2Cl、-CH2Br、-CH2I、-CF2-、-CF3、-CH=CF2、-CF=CF2、氟化芳基、及氯化芳基等。
作為含有上述Si-A1鍵結的構造係可舉出SiH、SiH2、SiH3、Si-CH3、Si-CH2-、Si-C6H5、SiO-脂肪族、Si-OCH3、Si-OCH2CH3、Si-OC6H5、Si-O-Si、Si-OH、SiF、SiF2、及SiF3等。作為含有Si-A1鍵結的構造 係特別是形成矽氧烷骨架及倍半矽氧烷骨架為理想。
作為含有上述P-A2鍵結的構造係可舉出PH、PH2、P-CH3、P-CH2-、P-C6H5、A3 3-P-O(A3係脂肪族或芳香族)、(A4O)3-P-O(A4係烷基)、P-OCH3、P-OCH2CH3、P-OC6H5、P-O-P、P-OH、及O=P-OH等。
上述構造係藉由該種類之選擇，可吸收具有所期望之範圍之波長的紅外線。具體而言係上述構造為可吸收的紅外線之波長係例如1μm以上、20μm以下之範圍內，在2μm以上、15μm以下之範圍內可較合適地吸收。更進一步，於上述構造為Si-O鍵結、Si-C鍵結及Ti-O鍵結的情況係可為9μm以上、11μm以下之範圍內。尚，各構造可吸收的紅外線之波長係該業者則可容易地理解。例如，作為在各構造的吸收帶，可參照非專利文獻：SILVERSTEIN．BASSLER．MORRILL著「依有機化合物之光譜的鑒定法(第5版)-MS、IR、NMR、UV之併用-」(1992年發行)第146頁~第151頁之記載。
作為被使用於分離層4之形成，具有紅外線吸收性之結構式的化合物係在具有如上述之構造的化合物之中，如為可為了塗佈而溶解於溶媒，可固化而形成固層者，則無特別限定。然而，於使在分離層4的化合物有效果地變質，容易將支撐板2與基板1分離係理想為在分離層4的紅外線之吸收大，亦即，於分離層4照射紅外線時之紅外線之透過率低。具體而言係在分離層4的紅外線之透過率為低於90%為理想，紅外線之透過率為低於80%為 較理想。
如舉出一例而說明，則作為具有矽氧烷骨架的化合物係例如可使用以下述化學式(5)所表示的重複單位及以下述化學式(6)所表示的重複單位之共聚物的樹脂、或是以下述化學式(5)所表示的重複單位及來自丙烯酸系化合物之重複單位之共聚物的樹脂。
Figure 105124467-A0202-12-0041-5
(化學式(6)中，R6係氫、碳數10以下之烷基、或碳數10以下之烷氧基)。
其中，作為具有矽氧烷骨架的化合物係以上述化學式(5)所表示的重複單位及以下述化學式(7)所表示的重複單位之共聚物的t-丁基苯乙烯(TBST)-二甲基矽氧烷共聚物為較理想，將以上述化學式(5)所表示的重複單位及以下述化學式(7)所表示的重複單位以1：1含有，TBST-二甲基矽氧烷共聚物為更理想。
Figure 105124467-A0202-12-0042-6
另外作為具有倍半矽氧烷骨架的化合物，例如，可使用將以下述化學式(8)所表示的重複單位及以下述化學式(9)所表示的重複單位之共聚物的樹脂。
Figure 105124467-A0202-12-0042-7
(化學式(8)中，R7係氫或碳數1以上、10以下之烷基、化學式(9)中，R8係碳數1以上、10以下之烷基或苯基)。
作為具有倍半矽氧烷骨架的化合物係除此以外亦可合 適地利用在日本特開2007-258663號公報(2007年10月4日公開)、日本特開2010-120901號公報(2010年6月3日公開)、日本特開2009-263316號公報(2009年11月12日公開)、以及日本特開2009-263596號公報(2009年11月12日公開)所開示的各倍半矽氧烷樹脂。
其中，作為具有倍半矽氧烷骨架的化合物係以下述化學式(10)所表示的重複單位及以下述化學式(11)所表示的重複單位之共聚物為較理想，將以下述化學式(10)所表示的重複單位及以下述化學式(11)所表示的重複單位以7：3含有的共聚物為更理想。
Figure 105124467-A0202-12-0043-8
作為具有倍半矽氧烷骨架的聚合物係可有隨機結構、梯形結構、籠型結構，而任一之構造均可。
另外，含有Ti-O鍵結的化合物係例如可舉出 (i)四-i-丙氧基鈦、四-n-丁氧基鈦、肆(2-乙基己氧基)鈦、及鈦-i-丙氧基伸辛基乙醇酸酯等之烷氧基鈦；(ii)二-i-丙氧基‧雙(乙醯丙酮)鈦、及丙烷二氧基鈦雙(乙基乙醯乙酸酯)等之螯合鈦；(iii)i-C3H7O-[-Ti(O-i-C3H7)2-O-]n-i-C3H7、及n-C4H9O-[-Ti(O-n-C4H9)2-O-]n-n-C4H9等之鈦聚合物；(iv)三-n-丁氧基鈦單硬脂酸酯、硬脂酸鈦、二-i-丙氧基鈦二異硬脂酸酯、及(2-n-丁氧基羰基苯甲醯氧基)三丁氧基鈦等之醯化物鈦；(v)二-n-丁氧基‧雙(三乙醇胺酮)鈦等之水溶性鈦化合物等。
其中，作為含有Ti-O鍵結的化合物係二-n-丁氧基‧雙(三乙醇胺酮)鈦(Ti(OC4H9)2[OC2H4N(C2H4OH)2]2)為理想。
上述的分離層4係含有具有紅外線吸收性之構造的化合物，但分離層4係更進一步，可含有上述化合物以外之成分。作為該成分係可舉出填料、可塑劑及可提高支撐板2之剝離性的成分等。此等之成分係由不妨礙或促進依上述構造的紅外線之吸收、以及化合物之變質的先前一般周知之物質或材料中可適宜地選擇。
(紅外線吸收物質)
分離層4係亦可含有紅外線吸收物質。藉由分離層4係以含有紅外線吸收物質而構成，以吸收光而產生變質，作為其結果，失去接受光之照射前之強度或接著性。因而，藉由施加稍微的外力(例如，抬高支撐板2等)，可 破壞分離層4，可輕易地分離支撐板2與基板1。
紅外線吸收物質係藉由吸收紅外線而變質的構成即可，例如可合適地使用碳黑、鐵粒子、或鋁粒子。紅外線吸收物質係依該種類而吸收具備固有之範圍之波長的光。藉由將使用在分離層4的紅外線吸收物質吸收的範圍之波長之光照射於分離層4，可使紅外線吸收物質合適地變質。
(反應性聚倍半矽氧烷)
分離層4係可藉由使反應性聚倍半矽氧烷聚合而形成，由此，分離層4係具備高的耐藥品性及高耐熱性。
在本說明書中，所謂反應性聚倍半矽氧烷係於聚倍半矽氧烷骨架之末端具有矽醇基、或藉由水解而可形成矽醇基的官能基的聚倍半矽氧烷，藉由縮合該矽醇基或可形成矽醇基的官能基，可互相聚合者。另外，反應性聚倍半矽氧烷係如具備矽醇基、或可形成矽醇基的官能基，則可採用具備隨機結構、籠型結構、梯形結構等之倍半矽氧烷骨架者。
另外，反應性聚倍半矽氧烷係具有下述式(12)所示的構造為較理想。
Figure 105124467-A0202-12-0046-9
在式(12)中，R”係各自獨立地，由氫及碳數1以上、10以下之烷基所構成的群中選擇，由氫及碳數1以上、5以下之烷基所構成的群中選擇為較理想。R”如為氫或碳數1以上、10以下之烷基，則藉由在分離層形成步驟的加熱，可使藉由式(12)所示的反應性聚倍半矽氧烷合適地縮合。
式(12)中，p係1以上、100以下之整數為理想，1以上、50以下之整數為較理想。反應性聚倍半矽氧烷係藉由具備以式(12)所示的重複單位，比使用其他之材料而形成，Si-O鍵結之含量更高，可形成在紅外線(0.78μm以上、1000μm以下)，理想為遠紅外線(3μm以上、1000μm以下)，更理想為波長9μm以上、11μm以下的吸光度高的分離層4。
另外，式(12)中，R’係各自獨立，相互相同、或相異的有機基。在此，R係例如為芳基、烷基及烯基等，此等之有機基係亦可具有取代基。
在R’為芳基的情況，可舉出苯基、萘基、蒽基、菲基等，苯基為較理想。另外，芳基係亦可經由碳數1~5之伸烷基而鍵結於聚倍半矽氧烷骨架。
在R’為烷基的情況，作為烷基係可舉出直鏈狀、支鏈狀或環狀之烷基。另外，在R為烷基的情況，碳數係1~15為理想，1~6為較理想。另外，在R為環狀之烷基的情況，亦可為作為單環狀或二~四環狀之構造的烷基。
在R’為烯基的情況，與在烷基的情況相同，可舉出直鏈狀、支鏈狀、或環狀之烯基，烯基係碳數為2~15為理想，2~6為較理想。另外，在R為環狀之烯基的情況，亦可為作為單環狀或二~四環狀之構造的烯基。作為烯基，例如可舉出乙烯基、及烯丙基等。
另外，作為R’可具有的取代基係可舉出氫氧基及烷氧基等。在取代基為烷氧基的情況，可舉出直鏈狀、支鏈狀、或環狀之烷基烷氧基，在烷氧基的碳數為1~15為理想，1~10為較理想。
另外，在一個觀點中，反應性聚倍半矽氧烷之矽氧烷含量係70mole%以上、99mole%以下為理想，80mole%以上、99mole%以下為較理想。如反應性聚倍半矽氧烷之矽氧烷含量係70mole%以上、99mole%以下，則可形成藉由照射紅外線(理想為遠紅外線，更理想為波長9μm以上、11μm以下之光)而可合適地變質的分離層。
另外，在一個觀點中，反應性聚倍半矽氧烷之重量平均分子量(Mw)係500以上、50,000以下為理想，1,000以上、10,000以下為較理想。如反應性聚倍半 矽氧烷之重量平均分子量(Mw)係500以上、50,000以下，則可合適地溶解於溶劑，可合適地塗佈於支撐板上。
作為反應性聚倍半矽氧烷可使用的市售品係例如可舉出小西化學工業公司製之SR-13、SR-21、SR-23及SR-33等。
〔其他〕
在有關本實施形態的支撐體分離方法係作為其他之構成，可使用具備了切割框6的切割膠帶5。
(切割膠帶5)
於層積體10之基板1側係黏附切割膠帶5。切割膠帶5係藉由切割剝離了支撐板2後之基板1，為了製造半導體晶片而使用。
作為切割膠帶5係例如可使用於基膜形成黏著層的構成之切割膠帶5。作為基膜係例如可使用PVC(聚氯乙烯)、聚烯烴或聚丙烯等之樹脂薄膜。切割膠帶5之外徑係大於基板1之外徑，若黏附此等則於基板1之外緣部分，切割膠帶5之一部分成為露出的狀態。
(切割框6)
在切割膠帶5之露出面之更外周係安裝用以防止切割膠帶5之撓曲的切割框6。作為切割框6係例如可舉出鋁等之金屬製之切割框、不鏽鋼(SUS)等之合金製之切割 框、以及樹脂製之切割框。
<有關變形例的支撐體分離方法>
有關本發明的支撐體分離方法係不限定於上述實施形態。例如，在有關一變形例的支撐體分離方法係如第3圖之(b)所示，在層積體10，包圍電路形成區域之全周，占有在半徑方向的寬W’1之範圍的非電路形成區域之中，占有寬W’2之範圍的特定區域為對於在基板1的電路形成區域為未分離的構成。關於本變形例的支撐體分離方法係例如在寬W’1之值為小於2mm的情況，將在雷射光L照射的分離層4的分割區域之寬W’2可容易地確保於1.3mm左右以上之重點為有效。
因為藉由上述之構成，亦可防止對於基板1之電路形成區域直接地照射雷射光L，所以可防止形成於基板1的積體電路為因雷射光L而受到損傷。
另外，在有關其他之變形例的支撐體分離方法係如第3圖之(c)所示，包圍電路形成區域之全周，在特定區域之半徑方向的寬W”2之範圍係占有非電路形成區域之寬之未達100%之範圍。
因為藉由上述之構成，亦可防止雷射光L照射於基板1之外周端部更外側，可防止雷射光L照射在基板1的電路形成區域。本變形例係例如在基板1的非電路形成區域之寬為1.3mm左右的情況，在可確保於分離層4的照射雷射光L的區域之點上為有效。
<有關第2之實施形態的支撐體分離方法>
有關本發明的支撐體分離方法係不限定於上述之實施形態。例如，在有關一實施形態(第2之實施形態)的支撐體分離方法係在光照射步驟前，更包含檢測層積體10之方向的檢測步驟，在分離步驟，根據以檢測步驟檢測的層積體10之方向，為了施加力於層積體10而具備保持支撐板(支撐體)2的吸附墊的分離板(保持部，不圖示)為以配置於照射雷射光L的分割區域4C-1~4C-6之上的方式，使層積體10旋動的構成。在此，分離板係保持支撐板2時，在該支撐板2之周緣部分具備以等間隔配置的4個吸附墊。
如藉由上述之構成，則即使不照射雷射光L於分離層4的區域4C之全域，亦在檢測步驟根據特定的層積體10之方向，在層積體10，僅在符合分離板之吸附墊所配置的位置的分割區域進行光照射階段就足夠。因而，可更縮短於分離層4照射雷射光L的時間，可更迅速地由層積體10分離支撐板2。尚，關於有關本實施形態的支撐體分離方法係僅說明與有關第1之實施形態的支撐體分離方法之相異點，關於一致點係省略該說明。
〔檢測步驟〕
在檢測步驟係在進行光照射步驟前，藉由檢測設置於支撐板2的缺口部(缺口，不圖示)的光學對準裝置(不 圖示)，將該缺口部作為基準，特定層積體10之方向。由此，在之後之光照射步驟，可以可特定在分離層4的任一之分割區域是否已照射光之方式進行。
在檢測步驟係例如於第2圖之(b)所示，在單點鏈線C1之位置，以配置在支撐板2的缺口部之方式，設定光照射步驟前之層積體10之方向即可。
〔光照射步驟〕
如第2圖之(b)所示，在有關本實施形態的支撐體分離方法所包含光照射步驟係在檢測步驟後，藉由重複光照射階段與旋動階段，使藉由單點鏈線C1~C10而分割的分割區域4C-1~4C-6的分離層4變質。藉由此，以在分離層4之周緣部分而以等間隔分離之方式，使分為合計4處所而配置的分割區域4C-1~4C-6之分離層4變質。
(分離步驟)
在分離步驟係首先，根據以檢測步驟檢測的層積體10之方向，在保持支撐板2的分離板的4個之吸附墊，以配置於照射雷射光L的分割區域4C-1~4C-6之上的方式，使上述層積體10旋動。之後，藉由各吸附墊，保持位於分割區域4C-1~4C-6之上的支撐板2，進行抬高。由此，可在分割區域4C-1~4C-6已變質的分離層4使來自分離板所施加的力集中。因此，可在分割區域4C-1~4C-6已變質的分離層4被破壞後，對於在未被照射雷射光L的區 域的分離層4使力集中。由此，可由層積體10合適地分離支撐板2。
<有關其他實施形態的支撐體分離方法>
有關本發明的支撐體分離方法係不限定於上述實施形態(第1之實施形態及第2之實施形態)。例如，在有關其他實施形態的支撐體分離方法係支撐板(支撐體)及分離層之材料為可依照層積體所要求的性能而適宜地選擇。因此，發射照射於分離層的光的雷射係不限定於CO2雷射，將YAG雷射、紅寶石雷射、玻璃雷射、YVO4雷射、LD雷射、光纖雷射等之固體雷射，色素雷射等之液體雷射，CO2雷射、準分子雷射、Ar雷射、He-Ne雷射等之氣體雷射、半導體雷射、自由電子雷射等之雷射光、或是非雷射光等，依照可使構成分離層4的材料變質的波長而適宜地選擇使用即可。
另外，在有關更其他之本實施形態的支撐體分離方法係保持在層積體10的支撐板2的保持部係例如具備把持支撐板2之外周端部的複數之夾具(爪部，不圖示)的分離板亦可。
另外，在有關更其他之實施形態的支撐體分離方法係在光照射步驟，應照射光的分割區域之數及配置係依照保持部具有的吸附墊之數或配置，亦可適宜地變更設計。
本發明係不限定於上述的各實施形態，在請 求項所示的範圍可為各式各樣之變更，關於適宜地組合各自開示於不同的實施形態的技術上的手段而得到的實施形態亦包含於本發明之技術上的範圍。
〔產業上之可利用性〕
有關本發明的支撐體分離方法係在微細化的半導體裝置之製造步驟可合適地利用。
1‧‧‧基板
2‧‧‧支撐板(支撐體)
3‧‧‧接著層
4‧‧‧分離層
5‧‧‧切割膠帶
6‧‧‧切割框
10‧‧‧層積體
50‧‧‧雷射照射裝置

Claims (9)

  1. 一種支撐體分離方法，其係由將基板、與透過光的支撐體，隔著接著層、與藉由吸收光而變質的分離層進行層積而得的層積體，分離上述支撐體的支撐體分離方法，其特徵為上述基板係具有形成電路的電路形成區域、與包圍該電路形成區域之全周之未形成上述電路的非電路形成區域；且該方法具有以下步驟：隔著上述支撐體，對以對向於上述基板中包圍上述電路形成區域之全周且相對於占有上述非電路形成區域之半徑方向的寬之65%以上、未達100%之區域的特定區域之方式所層積而得的分離層之至少一部分，照射光的光照射步驟、與對照射上述光的層積體施加力，由該層積體分離上述支撐體的分離步驟，上述光照射步驟係包含一種光照射階段，其係對以對向於將上述層積體之平面之中心作為中心點且使上述特定區域以特定之角度進行等分割的分割特定區域之方式所層積而得的上述分離層之至少一部分，照射光至等分割的每分割區域、與一種旋動階段，其係將上述層積體之平面之中心作為中心點，使上述層積體之平面在上述特定之角度旋動。
  2. 如請求項1之支撐體分離方法，其中，上述特定區域之內周端部、與上述電路形成區域之外周端部係分離， 且，上述特定區域之外周端部、與上述基板之外周端部係分離。
  3. 如請求項1或2之支撐體分離方法，其中，在上述非電路形成區域之半徑方向的寬係在大於1.3mm、2.0mm以下之範圍內，且在上述特定區域之半徑方向的寬係1.3mm以上、未達2.0mm。
  4. 如請求項1之支撐體分離方法，其中，於上述光照射步驟前，更包含檢測上述層積體之方向的檢測步驟，在上述分離步驟，根據以上述檢測步驟檢測的上述層積體之方向，為了對上述層積體施加力而保持上述支撐體的保持部為以配置於上述被照射光的分割特定區域之上之方式，使上述層積體旋動。
  5. 如請求項4之支撐體分離方法，其中，在上述分離步驟前，交互地重複上述光照射階段、與上述旋動階段，對以對向於全部之上述分割特定區域之方式所層積而得的上述分離層照射光。
  6. 如請求項1之支撐體分離方法，其中，對以對向於上述分割特定區域之方式所層積而得的上述分離層之50%以上之面積照射光。
  7. 如請求項1之支撐體分離方法，其中，上述光之照射圖型為線形、圓點形、環形、多角點形、多角環形或螺旋形之任一者。
  8. 如請求項1之支撐體分離方法，其中，上述支撐體係由矽所構成， 上述光係碳酸雷射。
  9. 如請求項1之支撐體分離方法，其中，在上述層積體的基板側係貼附切割膠帶，該切割膠帶之一部分係露出於上述基板之外緣部分。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019220666A1 (ja) * 2018-05-17 2019-11-21 信越エンジニアリング株式会社 ワーク分離装置及びワーク分離方法
KR102654506B1 (ko) * 2018-10-26 2024-04-03 세메스 주식회사 웨이퍼 분리 방법 및 웨이퍼 분리 장치
JP7285151B2 (ja) * 2019-07-05 2023-06-01 東京エレクトロン株式会社 支持体剥離方法及び支持体剥離システム
US20230023577A1 (en) * 2019-12-26 2023-01-26 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing apparatus
WO2021131710A1 (ja) * 2019-12-26 2021-07-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP7117472B1 (ja) 2021-04-30 2022-08-12 信越エンジニアリング株式会社 転写装置及び転写方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015513211A (ja) * 2012-01-30 2015-04-30 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 一時的な基板支持のための装置、複合積層体、方法、及び材料
US20150299534A1 (en) * 2014-04-22 2015-10-22 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Adhesive composition, laminate, and stripping method

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4661989B1 (ja) * 2010-08-04 2011-03-30 ウシオ電機株式会社 レーザリフトオフ装置
JP2013239650A (ja) * 2012-05-16 2013-11-28 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 支持体分離方法および支持体分離装置
JP2015142015A (ja) * 2014-01-29 2015-08-03 株式会社ディスコ 半導体ウェーハの加工方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015513211A (ja) * 2012-01-30 2015-04-30 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 一時的な基板支持のための装置、複合積層体、方法、及び材料
US20150299534A1 (en) * 2014-04-22 2015-10-22 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Adhesive composition, laminate, and stripping method

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