KR102375576B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102375576B1
KR102375576B1 KR1020190165519A KR20190165519A KR102375576B1 KR 102375576 B1 KR102375576 B1 KR 102375576B1 KR 1020190165519 A KR1020190165519 A KR 1020190165519A KR 20190165519 A KR20190165519 A KR 20190165519A KR 102375576 B1 KR102375576 B1 KR 102375576B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
light
processing
chamber
unit
Prior art date
Application number
KR1020190165519A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20210075254A (ko
Inventor
윤도현
박주집
박진세
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020190165519A priority Critical patent/KR102375576B1/ko
Publication of KR20210075254A publication Critical patent/KR20210075254A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102375576B1 publication Critical patent/KR102375576B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02054—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process combining dry and wet cleaning steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02101—Cleaning only involving supercritical fluids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/0231—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to electromagnetic radiation, e.g. UV light
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02345—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to radiation, e.g. visible light
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

기판 표면에 광을 조사하여 기판에 잔류하는 유기 이물질을 제거하기 위한 광 처리 유닛과, 기판 표면을 플라즈마 처리하여 기판에 잔류하는 유기 이물질을 제거하기 위한 대기압 플라즈마 유닛을 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따르면, 대기압 플라즈마 처리와 광 처리를 수행함으로써 기판 표면에 잔류하는 유기 이물질 및 무기 이물질을 효과적으로 제거할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 제조 공정에서 기판 상에는 다양한 유기 및 무기 이물질들이 존재한다. 따라서, 제조 수율 향상을 위해서는 기판 상의 이물질을 효과적으로 제거하는 것이 매우 중요하다.
이물질 제거를 위해 세정액을 이용한 세정 공정이 주로 사용된다. 세정 공정은 기판을 지지한 스핀척을 회전시키면서 기판 상면에 세정액을 공급하여 수행될 수 있으며, 세정 처리 후에는 린스액을 이용한 린스 공정, 건조 기체를 이용한 건조 공정이 수행된다.
건조 공정으로는 질소 등의 건조 기체를 분사하면서 기판을 회전시키는 스핀 건조 공정이 사용될 수 있으나, 패턴이 미세화되면서 스핀 건조 과정에서 패턴들이 무너지거나 휘어지는 리닝(Leaning) 현상이 발생될 수 있다. 따라서 최근에는 초임계 이산화탄소(CO2) 등의 초임계 유체를 이용한 초임계 건조 공정이 주목받고 있다.
한편 세정 및 건조 공정을 수행한 후에도 기판 표면에 여전히 이물질이 남아 있을 수 있다. 특히 일반적으로 효과적인 건조를 위해 기판 상면의 린스액을 이소프로필알코올(IPA; Isopropyl alcohol) 등의 저표면장력 유체로 치환한 후 건조 공정을 진행하는데, 건조 공정에서 이소프로필알코올이 완전히 제거되지 않거나 초임계 이산화탄소 등 건조용 유체와의 반응에 의해 유기 이물질을 생성할 수 있다.
또한 기존의 세정 처리 공정에 의하면 기판 상면에 잔존하는 무기 이물질을 효과적으로 제거할 수 없는 문제가 있다.
따라서 세정 처리 후 기판 상면에서 이물질을 보다 확실히 제거할 수 있는 기술이 요구된다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 기판 상에 잔류하는 이물질을 효율적으로 제거할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 전술한 바에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 기판 표면에 광을 조사하여 기판에 잔류하는 이물질을 제거하기 위한 광 처리 유닛 및 기판 표면을 플라즈마 처리하여 기판에 잔류하는 이물질을 제거하기 위한 대기압 플라즈마 유닛을 포함하는 것을 특징으로 한다.
일 실시예에 의하면, 상기 대기압 플라즈마 유닛은, 챔버 하우징, 상기 챔버 하우징 내에 대향 배치되는 제1 전극부 및 제2 전극부, 상기 제1 전극부와 제2 전극부 사이에 구비되는 챔버 내부 공간, 상기 챔버 내부 공간으로 플라즈마 가스를 공급하기 위해 챔버 하우징에 형성된 가스 유입구 및 상기 챔버 내부 공간에서 발생된 플라즈마를 기판으로 조사하기 위해 챔버 하우징의 일단에 구비된 플라즈마 조사부를 포함할 수 있다.
상기 제1 전극부는 제1 전극이 제1 절연체 내에 일부 또는 전부가 매립된 형태로 구성되고, 상기 제2 전극부는 제2 전극이 제2 절연체 내에 일부 또는 전부가 매립된 형태로 구성될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 광 처리 유닛은 기판 반입 통로를 제공하는 개구가 형성된 챔버를 포함하고, 상기 대기압 플라즈마 유닛은 상기 개구의 앞단에 배치되어, 상기 개구를 통과하는 기판에 플라즈마를 조사할 수 있도록 구비될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 광 처리 유닛은, 기판 반입 통로를 제공하는 개구가 형성된 챔버, 상기 챔버 내부 공간에서 기판을 지지하는 지지부, 상기 기판을 향해 광을 조사하도록 적어도 하나의 광원을 구비하는 조사부를 포함할 수 있다.
상기 광원은 플래시 램프, 적외선 램프 및 자외선 램프 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
또한, 상기 조사부는 서로 다른 파장 범위를 갖는 복수의 광원을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 제어부를 더 포함하고, 상기 제어부는, 기판이 광 처리 유닛의 챔버로 반입되는 과정 또는 기판이 광 처리 유닛의 챔버로부터 반출되는 과정에서 기판 표면에 플라즈마가 조사되도록 대기압 플라즈마 유닛을 제어할 수 있다.
또한, 상기 제어부는, 기판이 광 처리 유닛의 챔버로 반입되는 과정과, 기판이 광 처리 유닛의 챔버로부터 반출되는 과정에서 모두 기판 표면에 플라즈마가 조사되도록 대기압 플라즈마 유닛을 제어할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 초임계 유체로 기판을 처리하는 초임계 챔버를 더 포함하고, 상기 제어부는, 초임계 챔버에서 처리된 기판을 광 처리 유닛의 챔버로 반입하여 기판 표면에 광을 조사하는 광 처리를 수행하도록 제어하고, 기판이 광 처리 유닛의 챔버로 반입되는 과정 또는 기판이 광 처리 유닛의 챔버로부터 반출되는 과정에서 기판 표면에 플라즈마가 조사되도록 대기압 플라즈마 유닛을 제어할 수 있다.
또한, 기판을 액 처리하는 액 처리 챔버를 더 포함하고, 상기 제어부는, 상기 액 처리 챔버에서 기판을 액 처리한 후에 상기 초임계 챔버로 기판을 반송하여 초임계 유체로 기판을 처리하도록 제어할 수 있다.
상기 액 처리는 이소프로필알코올로 기판을 처리하는 공정일 수 있고, 상기 초임계 유체로 기판을 처리하는 것은 기판 건조 처리일 수 있다. 이때, 상기 초임계 유체는 초임계 이산화탄소일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 기판이 수용되는 캐리어가 배치되는 로드 포트 및 캐리어 내에 수용된 기판을 반출하거나 캐리어 내로 기판을 반입하는 인덱스 로봇이 구비된 인덱스 챔버를 포함하는 인덱스부를 더 포함하고, 상기 광 처리 유닛은 상기 로드 포트에 설치되거나 상기 인덱스 챔버의 일 측면에 배치될 수 있다.
또한, 상기 대기압 플라즈마 유닛은 인덱스 챔버 내에 배치될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 기판 처리 방법은, 기판 표면에 광을 조사하기 위한 광 처리 유닛과, 기판 표면을 플라즈마 처리하기 위한 대기압 플라즈마 유닛을 포함하는 기판 처리 장치로 기판을 처리하는 방법으로서, 대기압 플라즈마 유닛을 이용하여 기판 표면을 처리하는 대기압 플라즈마 처리 단계 및 상기 대기압 플라즈마 처리 단계 전 또는 후에 기판 표면에 광을 조사하여 기판 표면의 유기 이물질을 제거하는 광 처리 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
일 실시예에 있어서, 상기 대기압 플라즈마 처리 단계는, 상기 광 처리 단계 전후에 모두 수행될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 광 처리 단계는, 기판 표면에 섬광, 자외선, 적외선 중 하나 이상을 조사하는 단계일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 광 처리 유닛은 기판을 지지하는 지지부 및 기판을 향해 광을 조사하도록 적어도 하나의 광원을 구비하는 조사부를 포함하고, 상기 광 처리 단계에서 상기 지지부 및 조사부 중 적어도 하나는 회전할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 광 처리 단계에서, 상기 지지부와 조사부 사이의 거리가 조절될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 초임계 유체로 기판을 처리하는 초임계 처리 단계를 더 포함하고, 상기 대기압 플라즈마 처리 단계 및 상기 광 처리 단계는 상기 초임계 처리 단계 후에 수행될 수 있다.
또한, 기판을 액 처리하는 액 처리 단계를 더 포함하고, 상기 액 처리 단계는 상기 초임계 처리 단계 전에 수행될 수 있다.
상기 액 처리 단계는 이소프로필알코올로 기판을 처리하는 단계이고, 상기 초임계 처리 단계는 상기 액 처리된 기판 표면을 건조 처리하는 단계일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 대기압 플라즈마 처리 단계는 기판 표면에 잔류하는 유기 이물질 또는 무기 이물질을 제거하기 위한 단계일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 대기압 플라즈마 처리 단계는 기판 표면을 친수성 또는 소수성으로 처리하기 위한 단계일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 대기압 플라즈마 처리 단계는 기판의 정전기를 제거하기 위한 단계일 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 기판 표면에 광을 조사하는 광 조사부와, 기판 표면을 대기압 플라즈마 처리하는 대기압 플라즈마 유닛을 구비함으로써, 기판 상에 잔류하는 유기 이물질을 효율적으로 제거할 수 있는 효과가 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면 대기압 플라즈마 처리를 통해 기판 상에 잔류하는 무기 이물질을 효율적으로 제거할 수 있는 효과가 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면 대기압 플라즈마 처리 조건을 조절함으로써, 기판 표면의 정전기를 제거하고 기판 표면을 친수성 또는 소수성으로 제어할 수 있는 효과가 있다.
다만, 본 발명의 효과는 위에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 액 처리 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 3은 도 1의 초임계 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 광 처리 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 4의 조사부를 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 4의 조사부의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 대기압 플라즈마 유닛의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법의 흐름도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 대기압 플라즈마 처리 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 도 4의 광 처리 유닛에서 기판으로 광을 조사하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 11은 도 4의 제2광원에서 제2광을 조사하여 기판을 처리하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 12는 도 4의 제1광원에서 제1광을 조사하여 기판을 처리하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 13은 제1광이 기판에 전달하는 에너지 변화를 시간에 따라 나타낸 도면이다.
도 14는 도 4의 제1광 및 제3광이 기판에 전달하는 에너지 변화를 시간에 따라 나타낸 도면이다.
도 15는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 광 처리 유닛의 일부를 보여주는 단면도이다.
도 16은 도 15 조사부를 보여주는 평면도이다.
도 17 본 발명의 다른 실시 예에 따른 광 처리 유닛의 일부를 보여주는 도면이다.
도 18다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 19로드 포트에 설치된 광 처리 유닛을 보여주는 측단면도이다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다. 이하의 설명은 구체적인 실시예를 포함하지만, 본 발명이 설명된 실시예에 의해 한정되거나 제한되는 것은 아니다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
도 1은 본 발명의 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 인덱스부(100)와 공정 처리부(200), 그리고 광 처리 유닛(300) 및 대기압 플라즈마 유닛(500)을 포함한다.
인덱스부(100)는 로드 포트(120)와 인덱스 챔버(140)를 포함할 수 있다.
로드 포트(120), 인덱스 챔버(140) 및 공정 처리부(200)는 순차적으로 일렬로 배열될 수 있다. 이하, 로드 포트(120), 인덱스 챔버(140) 및 공정 처리부(200)가 배열된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 한다.
로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(C)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치될 수 있다. 도 1에서는 4개의 로드 포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리부(200)의 공정 효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가되거나 감소될 수 있다. 캐리어(C)로는 전면 개방 일체형 포드(FOUP; Front Opening Unified Pod)가 사용될 수 있다.
인덱스 챔버(140)는 로드 포트(120)와 공정 처리부(200) 사이에 위치된다. 인덱스 챔버(140)는 전면 패널, 후면 패널 그리고 양측면 패널을 포함하는 직육면체의 형상을 가지며, 그 내부에는 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(C)와 로드락 챔버(220) 그리고 광 처리 유닛(300) 간에 기판(W)을 반송하기 위한 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 도시하지는 않았지만, 인덱스 챔버(140)는 내부 공간으로 파티클이 유입되는 것을 방지하기 위하여, 벤트들(vents), 층류 시스템(laminar flow system)과 같은 제어된 공기 유동 시스템을 포함할 수 있다.
광 처리 유닛(300)은 인덱스 챔버(140)의 일측면에 제공될 수 있다. 인덱스 챔버(140)와 광 처리 유닛(300)의 사이에는 대기압 플라즈마 유닛(500)이 제공될 수 있다. 광 처리 유닛(300)과 대기압 플라즈마 유닛(500)의 구체적인 구성은 후술한다.
공정 처리부(200)는 로드락 챔버(220), 이송 챔버(240), 액 처리 챔버(260) 및 초임계 챔버(280)를 포함할 수 있다.
이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치될 수 있다. 제2방향(14)을 따라 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에는 각각 액 처리 챔버(260) 또는 초임계 챔버(280)들이 배치될 수 있다. 이송 챔버(240)의 일 측에 위치한 액 처리 챔버(260)들과 이송 챔버(240)의 타측에 위치한 초임계 챔버(280)들은 이송 챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공될 수 있다.
액 처리 챔버(260)들 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치될 수 있다. 또한, 액 처리 챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치될 수 있다.
즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 액 처리 챔버(260)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 액 처리 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 액 처리 챔버(260)의 수이다.
초임계 챔버(280)는 상술한 액 처리 챔버(260)와 유사하게 제공될 수 있다. 초임계 챔버(280)는 이송 챔버(240)의 타측에서 상술한 액 처리 챔버(260)와 유사하게 배치될 수 있다. 또한, 상술한 예에서는 이송 챔버(240)의 일측에 액 처리 챔버(260)들이 제공되고, 타측에 초임계 챔버(280)가 제공되는 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 액 처리 챔버(260)들과 초임계 챔버(280)들의 배치는 다양하게 변형될 수 있다.
또한, 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에 모두 초임계 챔버(280)만 제공될 수도 있다. 이 경우, 기판 처리 장치(10)는 초임계 처리를 위한 전용 장치로 사용될 수 있다.
로드락 챔버(220)는 인덱스 챔버(140)와 이송 챔버(240)사이에 배치된다. 로드락 챔버(220)는 이송 챔버(240)와 인덱스 챔버(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)을 임시 적재하는 공간을 제공한다. 로드락 챔버(220)는 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 로드락 챔버(220)에서 인덱스 챔버(140)와 마주보는 면과 이송 챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된 형태로 제공될 수 있다.
이송 챔버(240)는 로드락 챔버(220), 액 처리 챔버(260)들 및 초임계 챔버(280)들 간에 기판(W)을 반송할 수 있다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공될 수 있다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동될 수 있도록 구비된다.
이하에서는, 기판(W)을 반송하는 구성들을 이송 유닛으로 정의한다. 일예로, 이송 유닛에는 이송 챔버(240) 및 인덱스 챔버(140)가 포함될 수 있다. 또한, 이송 유닛에는 이송 챔버(240)에 제공되는 메인 로봇(244) 및 인덱스 로봇(144)이 포함될 수 있다.
액 처리 챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 액 처리 공정, 예를 들어 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다. 예컨대, 상기 세정 공정은 알콜 성분이 포함된 처리 유체들을 사용하여 기판(W) 세정, 스트립, 유기 잔여물(organic residue)을 제거하는 공정일 수 있다. 각각의 액 처리 챔버(260) 내에 제공된 기판 처리 장치는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 액 처리 챔버(260) 내의 기판 처리 장치는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 액 처리 챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 액 처리 챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 액 처리 챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 이하에서는 액 처리 챔버(260)에 제공되는 기판 처리 장치의 일 예에 대하여 설명한다.
도 2는 도 1의 액 처리 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 액 처리 챔버에 제공되는 기판 처리 장치(2600)는 처리 용기(2620), 기판 지지 유닛(2640), 승강 유닛(2660), 그리고 액 공급 유닛(2680)을 포함한다. 액 처리 챔버(260)에 제공되는 기판 처리 장치(2600)는 기판(W)으로 처리액을 공급할 수 있다. 예컨대, 처리액은 식각액, 세정액, 린스액, 그리고 유기용제일 수 있다. 식각액이나 세정액은 산 또는 염기 성질을 가지는 액일 수 있으며, 황산(H2SO4), 인산(P2O5), 불산(HF) 그리고 수산화 암모늄(NH4OH)을 포함할 수 있다. 또는 DSP(Diluted Sulfuric acid Peroxide) 혼합액일 수 있다.
린스액은 순수(H2O)일 수 있다. 유기용제는 저표면장력 유체인 이소프로필알코올(IPA)일 수 있다.
처리 용기(2620)는 내부에 기판이 처리되는 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(2620)는 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 처리 용기(2620)는 내부 회수통(2622) 및 외부 회수통(2626)을 가질 수 있다. 각각의 회수통(2622, 2626)은 공정에 사용된 처리액들 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부 회수통(2622)은 기판 지지 유닛(2640)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부 회수통(2626)은 내부 회수통(2622)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부 회수통(2622)의 내측 공간(2622a)은 내부 회수통(2622)으로 처리액이 유입되는 제1유입구(2622a)로서 기능한다. 내부 회수통(2622)과 외부 회수통(2626)의 사이 공간(2626a)은 외부 회수통(2626)으로 처리액이 유입되는 제2유입구(2626a)로서 기능한다. 각각의 유입구(2622a, 2626a)는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다. 각각의 회수통(2622, 2626)의 저면 아래에는 회수 라인(2622b, 2626b)이 연결된다. 각각의 회수통(2622, 2626)에 유입된 처리액들은 회수 라인(2622b, 2626b)을 통해 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)으로 제공되어 재사용될 수 있다.
기판 지지 유닛(2640)은 처리 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(2640)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지 및 회전시킨다. 기판 지지 유닛(2640)은 지지판(2642), 지지핀(2644), 척핀(2646), 그리고 회전 구동 부재를 가진다. 지지판(2642)은 대체로 원형의 판 형상으로 제공된다.
지지핀(2644)은 지지판(2642)에서 상부로 돌출되어 기판(W)의 후면을 지지하도록 복수 개 제공된다.
척핀(2646)은 지지판(2642)으로부터 상부로 돌출되어 기판(W)의 측부를 지지하도록 복수 개 제공된다. 척핀(2646)은 지지판(2642)이 회전될 때 기판(W)이 정위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(2646)은 지지판(2642)의 반경 방향을 따라 외측 위치와 내측 위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 기판(W)이 지지판(2642)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(2646)은 외측 위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(2646)은 내측 위치에 위치된다. 내측 위치는 척핀(2646)과 기판(W)의 측부가 서로 접촉되는 위치이고, 외측 위치는 척핀(2646)과 기판(W)이 서로 이격되는 위치이다.
회전 구동 부재(2648, 2649)는 지지판(2642)을 회전시킨다. 지지판(2642)은 회전 구동 부재(2648, 2649)에 의해 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 회전 구동 부재(2648, 2649)는 지지축(2648) 및 구동부(2649)를 포함한다. 지지축(2648)은 제3방향(16)을 향하는 통 형상을 가질 수 있다. 지지축(2648)의 상단은 지지판(2642)의 저면에 고정 결합될 수 있다. 구동부(2649)는 지지축(2648)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 지지축(2648)은 구동부(2649)에 의해 회전되고, 지지판(2642)은 지지축(2648)과 함께 회전될 수 있다.
승강 유닛(2660)은 처리 용기(2620)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(2620)가 상하로 이동됨에 따라 지지판(2642)에 대한 처리 용기(2620)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(2660)은 기판(W)이 지지판(2642)에 로딩되거나, 언로딩될 때 지지판(2642)이 처리 용기(2620)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(2620)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(2622, 2626)으로 유입될 수 있도록 처리 용기(2620)의 높이가 조절된다. 승강 유닛(2660)은 브라켓(2662), 이동축(2664) 및 구동기(2666)를 포함한다. 브라켓(2662)은 처리 용기(2620)의 외벽에 고정 설치되고, 브라켓(2662)에는 구동기(2666)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(2664)이 고정 결합될 수 있다. 선택적으로, 승강 유닛(2660)은 지지판(2642)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
액 공급 유닛(2680)은 기판(W)으로 처리액을 공급한다. 액 공급 유닛(2680)은 복수 개로 제공되며, 각각은 서로 상이한 종류의 처리액들을 공급할 수 있다.
액 공급 유닛(2680)은 이동 부재(2681) 및 노즐(2690)을 포함할 수 있다.
이동 부재(2681)는 노즐(2690)을 공정 위치 및 대기 위치로 이동시킨다. 여기서 공정 위치는 노즐(2690)이 기판 지지 유닛(2640)에 지지된 기판(W)과 대향되는 위치이고, 대기 위치는 노즐(2690)이 공정 위치를 벗어난 위치일 수 있다.
이동 부재(2681)는 지지축(2686), 아암(2682) 및 구동기(2688)를 포함할 수 있다. 지지축(2686)은 처리 용기(2620)의 일측에 위치된다. 지지축(2686)은 제3방향으로 연장된 로드 형상일 수 있다. 지지축(2686)은 구동기(2688)에 의해 회전 가능하도록 제공된다. 지지축(2686)은 승강 이동이 가능하도록 제공될 수 있다. 아암(2682)은 지지축(2686)의 상단에 결합되어, 지지축(2686)으로부터 수직하게 연장될 수 있다. 아암(2682)의 끝단에는 노즐(2690)이 고정 결합된다. 지지축(2686)이 회전됨에 따라 노즐(2690)은 아암(2682)과 함께 스윙 이동 가능하다. 노즐(2690)은 스윙 이동되어 공정 위치 및 대기 위치로 이동될 수 있다. 선택적으로 아암(2682)은 그 길이 방향을 향해 전진 및 후진 이동이 가능하도록 제공될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 노즐(2690)이 이동되는 경로는 공정 위치에서 기판(W)의 중심축과 일치될 수 있다.
도 3은 도 1의 초임계 챔버(280)에 제공되는 기판 처리 장치(2800)를 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 초임계 챔버(280)는 기판(W)으로 초임계 유체를 공급할 수 있다. 초임계 유체는 초임계 상태의 이산화탄소 일 수 있다. 초임계 챔버(280)에 제공되는 기판 처리 장치(2800)는 하우징(2810), 유체 공급부(2830) 및 배출부(2860)를 포함한다. 기판(W)은 하우징(2810) 내의 처리 공간에서 지지수단(미도시)에 의해 지지된다.
하우징(2810)은 초임계 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 하우징(2810)은 서로 조합되어 내부에 처리 공간을 제공하는 하부 바디(2811)와 상부 바디(2812)를 포함한다. 기판(W)이 하우징(2810) 내로 반입되거나 이로부터 반출될 때에는 하부 바디(2811)와 상부 바디(2812)가 서로 이격되고, 기판(W)에 대해 공정 진행 시에는 하부 바디(2811)와 상부 바디(2812)가 서로 밀착될 수 있다. 이를 위해 상부 바디(2812) 및 하부 바디(2811) 중 적어도 어느 하나는 승하강 가능하게 구비될 수 있다.
유체 공급부(2830)는 하우징(2810) 내부로 초임계 유체를 공급한다. 초임계 유체는 초임계 상태의 이산화탄소일 수 있다. 배출부(2860)는 하우징(2810)으로부터 초임계 유체를 배출한다. 배출부(2860)는 하부 하우징(2811)에 제공될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 광 처리 유닛을 보여주는 단면도이고, 도 5는 도 4의 조사부를 보여주는 평면도이고, 도 6은 도 4의 조사부의 단면도이다.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 광 처리 유닛(300)에는 기판 처리 장치(3000)가 제공된다. 광 처리 유닛(300)은 액 처리 챔버(260)에서 처리된 기판(W)에 광을 조사할 수 있다. 또한, 광 처리 유닛(300)은 초임계 챔버(260)에서 처리된 기판(W)에 광을 조사할 수 있다. 예컨대, 광 처리 유닛(300)은 액 처리 챔버(260)에서 액 처리 공정을 진행한 후 초임계 챔버(260)에서 건조 처리된 기판(W)에 광을 조사할 수 있다. 광 처리 유닛(300)은 기판(W)에 광을 조사하여 기판(W) 상에 잔류하는 유기 이물질을 제거할 수 있다.
광 처리 유닛(300)에 제공되는 기판 처리 장치(3000)는 챔버(3100), 지지부(3200) 그리고 조사부(3300)를 포함할 수 있다.
챔버(3100)는 내부 공간을 가질 수 있다. 챔버(3100)는 직육면체의 형상을 가질 수 있다. 챔버(3100)는 상부가 개방된 직육면체 형상을 가질 수 있다. 챔버(3100)의 일측면에는 개방된 개구(3110)가 형성되고, 개방된 개구(3110)는 인덱스 챔버(140)와 연결되어 기판이 반입되거나 반출되는 통로로 사용될 수 있다. 개방된 개구(3110)는 도어(3120)에 의해 개폐될 수 있다. 즉, 기판(W)을 반입하거나 반출할 때는 도어(3120)가 개방되고, 기판(W)에 광을 조사하는 처리를 진행하는 동안에는 도어(3120)가 폐쇄될 수 있다.
지지부(3200)는 챔버(3100)의 내부 공간에서 기판(W)을 지지할 수 있다. 지지부(3200)는 챔버(3100)의 내부 공간에 제공될 수 있다. 지지부(3200)는 지지 플레이트(3210), 승강 구동기(3212) 및 회전 구동기(3214)를 포함할 수 있다.
지지 플레이트(3210)는 기판(W)을 지지할 수 있다. 지지 플레이트(3210)는 판 형상을 가질 수 잇다. 지지 플레이트(3210)는 기판(W)을 지지하는 안착면을 가질 수 있다. 지지 플레이트(3210)는 기판(W)을 진공 방식으로 흡착 고정할 수 있다. 이와 달리 지지 플레이트(3210)는 정전척 방식 또는 클램핑 방식으로 기판(W)을 고정할 수도 있다. 또한, 별도의 고정 장치 없이 기판(W)이 지지 플레이트(3210)의 안착면에 놓일 수도 있다.
승강 구동기(3212)는 지지 플레이트(3210)를 승강시킬 수 있다. 승강 구동기(3212)는 지지 플레이트(3210)를 승강시켜, 기판(W)과 조사부(3300) 사이의 거리를 조절할 수 있다. 예컨대, 조사부(3300)에서 광을 조사할 때에는 지지 플레이트(3210)를 상승 시켜 기판(W)과 조사부(3300) 사이의 거리를 좁힐 수 있다. 반대로 조사부(3300)에서 광 조사를 하지 않을 경우에는 지지 플레이트(3210)를 하강시켜 기판(W)과 조사부(3300) 사이의 거리를 늘릴 수 있다. 또한, 지지 플레이트(3300)의 높이는 기판(W)에 광을 조사하는 동안에도 변경될 수 있다.
회전 구동기(3214)는 지지 플레이트(3210)를 회전시킬 수 있다. 회전 구동기(3214)는 지지 플레이트(3210)의 하부에 제공될 수 있다. 회전 구동기(3214)는 지지 플레이트(3210)의 하면과 결합될 수 있다. 회전 구동기(3214)는 조사부(3300)가 광을 조사할 때 지지 플레이트(3210)를 회전시킬 수 있다. 이에, 기판(W) 상에 광의 조사가 균일하게 이루어지도록 할 수 있다.
조사부(3300)는 챔버(3100)의 상부에 배치될 수 있다. 조사부(3300)는 지지부(3200)에 지지된 기판(W)으로 광을 조사할 수 있다. 조사부(3300)는 하우징(3301), 광원(3310, 3320, 3330), 반사판(3340)을 포함할 수 있다.
하우징(3301)은 내부 공간을 가질 수 있다. 하우징(3301)은 직육면체의 형상을 가질 수 있다. 하우징(3301)은 하부가 개방된 직육면체 형상을 가질 수 있다. 하우징(3301)은 챔버(3100)와 대응하는 형상을 가질 수 있다. 하우징(3301)은 챔버(3100)와 조합되어 내부 공간을 형성할 수 있다. 하우징(3301)은 챔버(3100)의 상부에 제공되어 서로 조합될 수 있다.
광원(3310, 3320, 3330)은 제1광원(3310), 제2광원(3320) 및 제3광원(3330)을 포함할 수 있다. 제1광원(3310), 제2광원(3320) 및 제3광원(3330)은 광을 조사할 수 있다. 제1광원(3310), 제2광원(3320) 및 제3광원(3330)은 바(Bar) 형상을 가질 수 있다. 상부에서 바라볼 때, 제1광원(3310), 제2광원(3320) 및 제3광원(3330)은 인접하는 광원들이 서로 상이하도록 교번되게 배치될 수 있다. 예를 들어, 상부에서 바라볼 때 제2광원(3310), 제1광원(3320), 제3광원(3330)이 순서대로 배치될 수 있다. 또한, 제1광원(3310), 제2광원(3320) 및 제3광원(3330)은 서로 상이한 높이로 배치될 수 있다. 일 예로, 제1광원(3310)은 제2광원(3320) 및 제3광원(3330)보다 높은 위치에 배치될 수 있다. 제2광원(3320) 및 제3광원(3330)은 같은 높이에 배치될 수 있다.
제1광원(3310)은 기판(W)으로 제1광(L1)을 조사할 수 있다. 제2광원(3320)은 기판(W)으로 제2광(L2)을 조사할 수 있다. 제3광원(3330)은 기판(W)으로 제3광(L3)을 조사할 수 있다. 제1광원(3310), 제2광원(3320) 및 제3광원(3330)은 섬광을 조사하는 플래시 램프, 적외선 광을 조사하는 적외선 램프, 자외선 광을 조사하는 자외선 램프 중 어느 하나일 수 있다.
도면에서는 조사부(3300)가 제1광원(3310), 제2광원(3320) 및 제3광원(3330)을 모두 포함하는 것을 예로 들어 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 광원들 중 선택된 광원만 사용될 수 있다. 예컨대, 조사부(3300)에는 제1광원(3310)이 단독으로 제공될 수 있다. 이때 제1광원(3310)은 플래시 램프일 수 있다.
이하에서는, 제1광원(3310)이 플래시 램프이고, 제2광원(3320)이 자외선 램프이고, 제3광원(3330)이 적외선 램프인 것을 예로 들어 설명한다.
제1광(L1)은 300 ~ 1000nm의 파장 범위를 가질 수 있다. 또한, 제1광원(3310)이 조사하는 섬광은 설정 간격마다 교번되게 에너지가 변화 할 수 있다. 또한, 제1광원(3310)이 조사하는 제1광(L1)의 복사열은 기판(W) 상에 부착된 유기 이물질(D)로 전달될 수 있다.
제2광(L2)은 제2광(L2)은 254nm 또는 185nm의 파장을 가질 수 있다. 제2광(L2)이 254nm의 파장을 가지는 경우, 제2광(L2)은 오존(O3)을 분해할 수 있다. 이에, 활성 산소를 발생시킬 수 있다. 제2광(L2)이 185nm의 파장을 가지는 경우, 제2광(L2)은 산소(O2)를 분해할 수 있다. 이에, 활성 산소를 발생시킬 수 있다. 또한, 제2광원(3320)은 254nm의 파장의 제2광(L2)과 185nm 파장의 제2광(L2)을 동시에 조사할 수 있다. 이 경우, 오존(O3)과 산소(O2)로부터 활성 산소를 발생시킬 수 있어, 기판 처리 효율을 높일 수 있다.
제3광(L3)은 800nm 이상의 파장 범위를 가질 수 있다. 제3광(L3)은 기판(W) 상에 부착된 유기 이물질(D)에 열을 전달 할 수 있다. 이에 유기 이물질(D)을 탄화시킬 수 있다.
반사판(3340)은 조사부(3300)에서 조사하는 광을 지지부(3200)에 지지된 기판(W)의 표면으로 반사시킬 수 있다. 예컨대, 반사판(3340)은 제1광원(3310), 제2광원(3320), 그리고 제3광원(3330)에서 조사하는 광을 기판(W)의 표면으로 반사시킬 수 있다. 또한, 반사판(3340)은 광을 반사할 수 있는 재질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 반사판(3340)은 적어도 표면이 알루미늄 재질로 제공될 수 있다.
반사판(3340)은 제1광원(3310), 제2광원(3320) 및 제3광원(3330)의 상부 영역을 감싸는 형상일 수 있다. 또한, 반사판(3340)은 측면에서 바라볼 때 라운드(Round) 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 반사판(3340)은 일측이 개방된 원통 형상을 가질 수 있다.
제1광원(3310), 제2광원(3320) 및 제3광원(3330)이 광을 조사하면, 각각의 광원의 온도가 상승한다. 이에 광 처리 유닛(300)에 제공되는 기판 처리 장치(3000)는 쿨링 수단을 가질 수 있다. 예컨대, 쿨링 수단은 하우징(3301)에 설치되는 제1냉각라인(3010)과 챔버(3100)에 설치되는 제2냉각라인(3020), 그리고 제1냉각라인(3010)에 냉매를 공급하는 냉매 공급원(3030)을 포함할 수 있다. 냉매는 냉각수 등의 냉각 유체이거나 냉각 가스일 수 있다. 냉매 공급원(3030)을 통해 공급되는 냉각 유체가 제1냉각라인(3010)과 제2냉각라인(3020)을 순환하도록 제1냉각라인(3010)과 제2냉각라인(3020)은 서로 연결될 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 대기압 플라즈마 유닛의 단면도이다.
도 7을 참조하면 본 발명의 일 실시예에 따른 대기압 플라즈마 유닛(500)은, 챔버 하우징(510), 챔버 하우징(510) 내에 대향 배치되는 제1 전극부(520) 및 제2 전극부(530)를 포함할 수 있다. 제1 전극부(520)는 제1 전극(521)이 제1 절연체(522) 내에 일부 또는 전부가 매립된 형태로 구성될 수 있다. 또한, 제2 전극부(530)는 제2 전극(531)이 제2 절연체(532) 내에 일부 또는 전부가 매립된 형태로 구성될 수 있다. 제1 전극(521)과 제2 전극(531) 간에는 RF 전원(미도시)을 이용하여 RF 전압이 인가될 수 있다.
챔버 하우징(510)의 상단에는 가스 유입구(511)가 구비되어, 플라즈마 발생을 위해 사용될 플라즈마 가스가 유입될 수 있다. 플라즈마 가스는 대향 배치된 제1 전극부(520)와 제2 전극부(530) 사이의 챔버 내부 공간(540)으로 유입될 수 있다. 제1 전극(521)과 제2 전극(531) 간에 RF 전압이 인가되면, 챔버 내부 공간(540) 내에서 플라즈마가 발생될 수 있다. 발생된 플라즈마는 챔버 하우징(510) 하단의 플라즈마 조사부(512)를 통해 챔버 하우징(510) 하부로 조사될 수 있다.
플라즈마 가스는 대기압 플라즈마 처리 목적에 따라 다양하게 선택될 수 있다. 예를 들어, 플라즈마 가스는 아르곤(Ar), 헬륨(He), 산소(O2), 질소(N2), 수소(H2) 중 하나 또는 조합일 수 있다.
도 7에 도시한 대기압 플라즈마 유닛의 구성은 일 실시예일뿐이며, 다양한 구조의 대기압 플라즈마 유닛이 사용될 수 있다.
제어부(미도시)는 기판 처리 장치(10)를 제어할 수 있다. 제어부는 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있도록 기판 처리 장치(10)를 제어할 수 있다. 예컨대, 제어부는 액 처리 챔버(260)에서 기판(W)을 처리하고, 액 처리 챔버(260)에서 처리된 기판(W)을 대기압 플라즈마 유닛(500)을 거쳐 광 처리 유닛(300)으로 반송하도록 액 처리 챔버(260), 이송 유닛, 대기압 플라즈마 유닛(500), 그리고 광 처리 유닛(300)을 제어할 수 있다. 또한, 제어부는 초임계 챔버(280)에서 기판(W)을 처리하고 초임계 챔버(280)에서 처리된 기판(W)을 대기압 플라즈마 유닛(500)을 거쳐 광 처리 유닛(300)으로 반송하도록 초임계 챔버(280), 이송 유닛, 대기압 플라즈마 유닛(500), 그리고 광 처리 유닛(300)을 제어할 수 있다.
이하에서는, 도 8을 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법에 대하여 설명한다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은, 액 처리 단계(S100), 초임계 처리 단계(S200), 대기압 플라즈마 처리 단계(S300) 및 광 처리 단계(S400)를 포함할 수 있다.
액 처리 단계(S100)는 기판(W)에 유기 용제 등의 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 단계일 수 있다. 액 처리 단계는 액 처리 챔버(260)에서 수행될 수 있다. 여기서 유기 용제는 이소프로필알코올일 수 있다.
초임계 처리 단계(S200)는 초임계 유체를 공급하여 기판(W)을 처리하는 단계일 수 있다. 초임계 처리 단계는 초임계 챔버(280)에서 수행될 수 있다. 초임계 처리는 액 처리 단계에서 이소프로필알코올 처리된 기판(W)을 초임계 챔버(280)에 반입한 후 초임계 이산화탄소를 이용하여 건조 처리하는 단계일 수 있다.
대기압 플라즈마 처리 단계(S300)는 기판(W)을 대기압 플라즈마 유닛(500) 하부에 위치시킨 상태에서 대기압 플라즈마를 조사하는 단계일 수 있다. 기판(W)을 대기압 플라즈마 유닛(500) 하부에 위치시키는 동작은 인덱스 로봇(144)에 의해 수행될 수 있다.
예를 들어, 초임계 처리가 완료된 후 로드락 챔버(220)로 반송된 기판(W)을 인덱스 로봇(144)이 광 처리 유닛(300)으로 반입하는 과정에서 대기압 플라즈마 처리가 수행되도록 할 수 있다. 기판(W)은 인덱스 로봇(144)에 지지된 상태로 대기압 플라즈마 유닛(500)의 플라즈마 조사부(512) 하부에 정지되고, 플라즈마 조사부(512)에서 조사되는 플라즈마로 기판(W) 표면이 처리되도록 할 수 있다. 또는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 지지된 상태로 대기압 플라즈마 유닛(500) 하부를 거쳐 광 처리 유닛(300)으로 반입하는 반송 동작이 이루어지는 동안, 플라즈마 조사부(512)에서 조사되는 플라즈마로 기판(W) 표면이 처리되도록 할 수 있다.
도 9는 기판(W)이 대기압 플라즈마 유닛(500) 하부를 통과하면서 플라즈마 처리되는 과정을 도시한 것이다. 도 9에 도시한 바와 같이 기판(W)은 인덱스 로봇(144)에 의해 인덱스 챔버(140)에서 대기압 플라즈마 유닛(500) 하부를 거쳐 광 처리 유닛(300)으로 반입될 수 있으며, 이 과정에서 기판(W) 표면이 대기압 플라즈마(P)로 처리될 수 있다. 기판(W)은 반입 과정에서 표면 전체가 대기압 플라즈마(P)로 처리될 수 있으며, 그 후 지지 플레이트(3210) 상에 재치될 수 있다.
대기압 플라즈마 처리 단계(S300)를 통해 기판(W) 표면의 유기 또는 무기 이물질이 플라즈마에 의해 처리되어 제거되거나 적어도 기판 표면과의 결합력이 약해질 수 있다. 대기압 플라즈마에 포함된 플라즈마 가스의 양이온들이 기판(W) 표면에 충돌함으로써 유기 또는 무기 이물질들이 직접적으로 제거되거나, 또는 충돌 에너지에 의해 기판 표면과의 결합력이 약해질 수 있다.
예를 들어, 플라즈마 가스로 아르곤(Ar) 가스를 사용하는 경우, 플라즈마에 포함된 아르곤 양이온이 기판(W) 표면에 충돌되면서 기판(W) 표면에 잔류하는 유기 또는 무기 이물질을 제거할 수 있다. 이를 위해, 기판(W)을 지지하는 인덱스 로봇(144)은 접지 상태일 수 있다.
또한, 플라즈마에 포함된 양이온이 기판(W) 표면에 충돌되면서 전달된 에너지에 의해 기판(W)과 유기 이물질의 결합력이 약화될 수 있다. 이로 인해 후속 광 처리 단계(S400)에서 유기 이물질 제거가 보다 용이해질 수 있다.
또한, 플라즈마 가스로 산소(O2) 가스를 사용하는 경우, 대기압 플라즈마 처리에 의해 기판(W) 표면이 친수성이 될 수 있다. 또는 플라즈마 가스로 질소(N2) 등을 사용하는 경우, 대기압 플라즈마 처리에 의해 기판(W) 표면이 소수성이 될 수 있다. 따라서 대기압 플라즈마 처리를 통해 후속 공정에 요구되는 표면 특성을 얻을 수 있다.
또한, 대기압 플라즈마 처리(S300)를 통해 기판(W)의 정전기를 제거할 수 있다. 이때, 기판(W)의 대전 상태에 따라 플라즈마 가스를 적절히 선택할 수 있다.
대기압 플라즈마 처리 단계(S300) 후에는 광 처리 단계(S400)이 수행될 수 있다. 광 처리 단계(S400)는 기판(W)에 광을 조사하여 기판(W) 상에 잔류하는 유기 물질을 제거하는 단계일 수 있다. 광 처리 단계(S400)는 광 처리 유닛(300)에서 수행될 수 있다. 광 처리 단계는 대기압 플라즈마 처리 단계(S300) 이후에 수행될 수 있다. 예컨대, 액 처리 단계(S100), 초임계 처리 단계(S200), 대기압 플라즈마 처리 단계(S300), 그리고 광 처리 단계(S400)가 순차적으로 수행될 수 있다.
이하에서는 광 처리 단계(S400)의 예를 상세히 설명한다. 도 10은 도 4의 광 처리 유닛에서 기판으로 광을 조사하는 모습을 보여주는 도면이다. 도 10을 참조하면, 조사부(3300)는 지지부(3200)에 지지된 기판(W)으로 광을 조사할 수 있다.
조사부(3300)는 지지부에 지지된 기판(W)으로 제1광(L1), 제2광(L2) 및 제3광(L3)을 조사할 수 있다. 제1광(L1), 제2광(L2) 및 제3광(L3)은 선택적으로 조사될 수 있다. 또한 제1광(L1), 제2광(L2) 및 제3광(L3)은 동시 또는 순차적으로 조사될 수 있다. 광이 기판(W)으로 조사되는 동안 기판(W)은 회전될 수 있다. 이와 달리, 광이 기판(W)으로 조사되는 동안 광을 조사하는 광원이 회전할 수도 있다. 또한, 광이 기판(W)으로 조사되는 동안 기판(W)과 조사부(3300) 사이의 거리를 조절할 수 있다.
도 11은 제2광(L2)을 조사하여 기판을 처리하는 모습을 보여주는 도면이고, 도 12는 제1광(L1)을 조사하여 기판을 처리하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 11을 참조하면, 기판(W)으로 제2광(L2)이 조사될 수 있다. 제2광(L2)은 자외선 광일 수 있다. 제2광(L2)은 400nm 이하의 파장을 가질 수 있다. 예를 들어, 제2광(L2)은 254nm 또는 185nm 의 파장을 가질 수 있다. 제2광(L2)은 활성 물질을 발생시킬 수 있다. 제2광(L2)은 산소 또는 오존으로부터 활성 산소를 발생시킬 수 있다. 제2광(L2)이 발생시키는 활성 산소는 기판(W)에 부착된 유기 이물질(D)과 반응할 수 있다.
활성 산소와 반응하는 유기 이물질(D)은 분해될 수 있다. 또한, 활성 산소와 반응하는 유기 이물질(D)은 산화될 수 있다. 이에, 유기 이물질(D)의 입자 크기는 작아질 수 있다.
도 12를 참조하면, 제2광(L2)이 조사된 이후, 기판(W)으로 제1광(L1)이 조사될 수 있다. 제1광(L1)은 섬광일 수 있다. 제1광(L1)은 300 ~ 1000nm의 파장 범위를 가질 수 있다. 제1광(L1)이 조사하는 섬광은 복사열을 발생시킬 수 있다. 제1광(L1)이 발생시키는 복사열은 기판(W) 상에 부착된 유기 이물질(D)을 제거할 수 있다. 예컨대, 복사열은 유기 이물질(D)을 승화시킬 수 있다.
상술한 예에서는 제2광(L2)이 조사된 이후 제1광(L1)이 조사되는 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 제1광(L1)과 제2광(L2)은 동시에 기판(W)으로 조사될 수 있다. 또는 제1광(L1)만 조사될 수도 있다.
도 13은 제1광(L1)이 기판에 전달하는 에너지 변화를 시간에 따라 나타낸 도면이고, 도 14는 도 4의 제1광(L1) 및 제3광(L3)이 기판에 전달하는 에너지 변화를 시간에 따라 나타낸 도면이다.
도 13과 도 14를 참조하면, 제1광원(3310)이 조사하는 제1광(L1)은 섬광일 수 있다. 제1광원(3310)이 조사하는 섬광은 설정 간격마다 교번되게 에너지가 변화할 수 있다. 즉, 제1광(L1)은 펄스(Pulse) 형태로 조사될 수 있다. 이때, 제1광원(3310)이 단독으로 제1광(L1)을 조사하게 되면, 제1광(L1)의 에너지가 낮은 시간대에서는 유기 이물질(D)이 적절히 제거되지 않을 수 있다. 이에, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 제1광(L1)과 제3광(L3)을 기판(W)으로 동시에 조사할 수 있다. 이에, 제1광(L1)의 에너지가 낮은 시간대에서, 기판(W)으로 전달되는 에너지를 높일 수 있다. 즉, 제3광(L3)을 조사하여, 기판(W)의 온도를 상승 및 유지시킬 수 있다. 또한 제1광(L1)을 통해 기판(W) 상에 부착된 유기 이물질(D)을 효과적으로 제거할 수 있다.
한편, 도 8에서는 대기압 플라즈마 처리(S300) 후에 광 처리(S400)를 수행하는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉, 광 처리(S400)를 수행한 후에 대기압 플라즈마 처리(S300)를 수행할 수도 있다. 이 경우, 광 처리(S400)가 완료된 기판(W)이 광 처리 유닛(300)에서 반출되는 과정에서 대기압 플라즈마 유닛(500)이 작동되도록 제어할 수 있다. 광 처리 단계(S400) 후에 대기압 플라즈마 처리(S300)를 수행하게 되면, 광 처리 과정에서 제거되지 않은 유기 또는 무기 이물질을 제거할 수 있다. 또는, 광 처리가 완료된 기판 표면의 정전기를 제거하거나, 기판 표면을 친수성 또는 소수성으로 처리할 수 있는 부가적인 효과를 얻을 수 있다.
또한, 대기압 플라즈마 처리(S300)는 광 처리 단계(S400) 전과 후에 모두 수행할 수도 있다. 즉, 기판(W)을 광 처리 유닛(300)에 반입하는 과정에서 대기압 플라즈마 처리를 수행함으로써 광 처리 과정에서 유기 이물질이 보다 효과적으로 제거될 수 있도록 하고, 광 처리가 완료된 기판(W)을 광 처리 유닛(300)으로부터 반출하는 과정에서 다시 대기압 플라즈마 처리를 수행함으로써 광 처리 과정에서 제거되지 않은 유기 또는 무기 이물질을 제거하고, 기판 표면의 정전기를 제거하거나 기판 표면을 친수성 또는 소수성으로 처리할 수 있다.
또한, 도 8에 도시된 액 처리 단계(S100)와 초임계 처리 단계(S200)는 어느 하나만 수행되거나, 생략될 수 있다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10) 외부의 다른 처리 장치에서 처리되고 반입된 기판(W)에 대해 대기압 플라즈마 처리(S300) 및 광 처리(S400)를 수행하도록 사용될 수 있다.
도 15는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 광 처리 유닛을 보여주는 단면도이고, 도 16은 도 15의 조사부를 보여주는 평면도이다. 본 발명의 다른 실시 예에 따른 광 처리 유닛에 제공되는 기판 처리 장치(3000b)는 조사부(3300b)를 제외하고 상술한 내용과 동일 또는 유사하므로 차이점을 중심으로 설명한다.
조사부(3300b)는 플레이트(3350b)를 포함할 수 있다. 플레이트(3350b)는 지지부(3210b)의 상부에 배치될 수 있다. 플레이트(3350b)는 구동 부재(3352b)와 결합될 수 있다. 구동 부재(3352b)는 플레이트(3350b)를 회전시킬 수 있다.
광을 조사하는 광원들(3310b, 3320b, 3330b)은 각각 블록 형상을 가질 수 있다. 광원들(3310b, 3320b, 3330b)들은 플레이트(3350b)에 탈착 가능하게 제공될 수 있다.
또한, 광원들(3310b, 3320b, 3330b)은 횡방향 및/또는 종방향으로 복수 개가 배열될 수 있다. 여기서 횡방향 및/또는 종방향은 일직선의 방향만을 의미하는 것은 아니다. 또한, 상부에서 바라볼 때, 인접하는 광원들(3310b, 3320b, 3330b)들이 서로 상이하도록 교번되게 플레이트(3350b)에 장착될 수 있다. 이 경우, 광원들이 바(Bar) 형상으로 제공되는 경우보다 더욱 균일하게 기판(W)으로 광이 조사될 수 있다.
도 16에서는 광원들(3310b, 3320b, 3330b)들이 전체적으로 원 형상으로 배치되는 것으로 도시하였으나, 상부에서 바라볼 때 광원들(3310b, 3320b, 3330b)은 직선 상에 배치될 수 있다.
도 17은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 광 처리 유닛을 보여주는 도면이다.
광 처리가 수행되는 챔버(3100d) 아래에는 버퍼 챔버(400)가 제공될 수 있다. 버퍼 챔버(400)는 기판을 일시적으로 보관할 수 있는 다수의 슬롯(410)들을 포함할 수 있다. 기판은 대기압 플라즈마 처리 및/또는 광 처리를 거친 후 버퍼 챔버(400)로 옮겨질 수 있으며, 버퍼 챔버(400)에서 소정 온도 이하로 냉각 처리된 후 인덱스 로봇(144)에 의해 캐리어(C)로 옮겨질 수 있다. 도시하지 않았지만 버퍼 챔버(400)에는 기판의 온도를 낮추기 위한 수단이 추가될 수 있다.
도 18은 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이고, 도 19는 로드 포트에 설치된 광 처리 유닛을 보여주는 측단면도이다. 도 18 및 도 19를 참조하면, 기판 처리 장치(10e)는 광 처리 유닛(300e)가 로드 포트(120e)에 장착된다는데 그 특징이 있다. 따라서, 반도체 생산 라인에 이미 설치된 기판 처리 설비에도 큰 설계 변경 없이 광 처리 유닛(300e)를 추가적으로 장착하여 운용할 수 있다. 또한 광 처리 유닛(300e)가 로드 포트(120e)에 장착되므로, 대기압 플라즈마 유닛(500)은 인덱스 쳄버(140e) 내에 광 처리 유닛(300e) 앞단에 마련될 수 있다.
일 예로, 광 처리 유닛(300e)는 인덱스부(100e)의 전방에 배치된 4개의 로드 포트(120e) 중에서 하나에 탑재될 수 있다. 광 처리 유닛(300e)는 로드 포트(120e)에 장착된 상태에서 도어 오프너(1230)에 의해 개폐될 수 있는 캐리어 도어(3600)에 의해 개구(3110)가 개폐될 수 있다.
이상 한정된 실시예 및 도면을 참조하여 설명하였으나, 이는 실시예일뿐이며, 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 다양한 변형 실시가 가능하다는 점은 통상의 기술자에게 자명할 것이다. 각 실시예들은 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명의 보호범위는 특허청구범위의 기재 및 그 균등 범위에 의해 정해져야 한다.
10: 기판 처리 장치
100: 인덱스 부
120: 로드 포트
140: 인덱스 챔버
200: 공정 처리부
260: 액 처리 챔버
280: 초임계 챔버
300: 광 처리 유닛
3100: 챔버
3200: 지지부
3300: 조사부
500: 대기압 플라즈마 유닛
510: 챔버 하우징
511: 가스 유입구
512: 플라즈마 조사부
520: 제1 전극부
530: 제2 전극부
540: 챔버 내부 공간

Claims (27)

  1. 기판을 액 처리하는 액 처리 챔버;
    초임계 유체로 기판을 처리하는 초임계 챔버;
    기판 표면에 광을 조사하여 기판에 잔류하는 이물질을 제거하기 위한 광 처리 유닛;
    기판 표면을 플라즈마 처리하여 기판에 잔류하는 이물질을 제거하기 위한 대기압 플라즈마 유닛; 및
    기판 처리 장치의 동작을 제어하는 제어부;
    를 포함하고,
    상기 제어부는,
    상기 액 처리 챔버에서 기판을 액 처리한 후에 상기 초임계 챔버로 기판을 반송하여 초임계 유체로 기판을 처리하고, 상기 초임계 유체로 처리된 기판을 광 처리 유닛의 챔버로 반입하여 기판 표면에 광을 조사하는 광 처리를 수행하며, 상기 초임계 유체로 처리된 기판 표면이 플라즈마 처리되도록 상기 대기압 플라즈마 처리 유닛을 제어하되,
    상기 플라즈마 처리는 상기 광 처리 이전 또는 이후에 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 대기압 플라즈마 유닛은,
    챔버 하우징;
    상기 챔버 하우징 내에 대향 배치되는 제1 전극부 및 제2 전극부;
    상기 제1 전극부와 제2 전극부 사이에 구비되는 챔버 내부 공간;
    상기 챔버 내부 공간으로 플라즈마 가스를 공급하기 위해 챔버 하우징에 형성된 가스 유입구; 및
    상기 챔버 내부 공간에서 발생된 플라즈마를 기판으로 조사하기 위해 챔버 하우징의 일단에 구비된 플라즈마 조사부;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 전극부는 제1 전극이 제1 절연체 내에 일부 또는 전부가 매립된 형태로 구성되고,
    상기 제2 전극부는 제2 전극이 제2 절연체 내에 일부 또는 전부가 매립된 형태로 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 광 처리 유닛은 기판 반입 통로를 제공하는 개구가 형성된 챔버를 포함하고,
    상기 대기압 플라즈마 유닛은 상기 개구의 앞단에 배치되어, 상기 개구를 통과하는 기판에 플라즈마를 조사할 수 있도록 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 광 처리 유닛은,
    기판 반입 통로를 제공하는 개구가 형성된 챔버;
    상기 챔버 내부 공간에서 기판을 지지하는 지지부;
    상기 기판을 향해 광을 조사하도록 적어도 하나의 광원을 구비하는 조사부;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 광원은 플래시 램프, 적외선 램프 및 자외선 램프 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 조사부는 서로 다른 파장 범위를 갖는 복수의 광원을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 제어부는,
    기판이 광 처리 유닛의 챔버로 반입되는 과정 또는 기판이 광 처리 유닛의 챔버로부터 반출되는 과정에서 기판 표면에 플라즈마가 조사되도록 대기압 플라즈마 유닛을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제어부는,
    기판이 광 처리 유닛의 챔버로 반입되는 과정과, 기판이 광 처리 유닛의 챔버로부터 반출되는 과정에서 모두 기판 표면에 플라즈마가 조사되도록 대기압 플라즈마 유닛을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제1항에 있어서,
    상기 액 처리는 이소프로필알코올로 기판을 처리하는 공정인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 초임계 유체로 기판을 처리하는 것은 기판 건조 처리인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 초임계 유체는 초임계 이산화탄소인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  15. 제1항에 있어서,
    기판이 수용되는 캐리어가 배치되는 로드 포트 및 캐리어 내에 수용된 기판을 반출하거나 캐리어 내로 기판을 반입하는 인덱스 로봇이 구비된 인덱스 챔버를 포함하는 인덱스부를 더 포함하고,
    상기 광 처리 유닛은 상기 로드 포트에 설치되거나 상기 인덱스 챔버의 일 측면에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 대기압 플라즈마 유닛은 인덱스 챔버 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  17. 기판을 액 처리하는 액 처리 챔버, 초임계 유체로 기판을 처리하는 초임계 챔버, 기판 표면에 광을 조사하기 위한 광 처리 유닛, 기판 표면을 플라즈마 처리하기 위한 대기압 플라즈마 유닛 및 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 제어부를 포함하는 기판 처리 장치로 기판을 처리하는 방법으로서,
    기판을 액 처리하는 액 처리 단계;
    상기 액 처리가 수행된 기판을 초임계 유체로 처리하는 초임계 처리 단계;
    대기압 플라즈마 유닛을 이용하여 기판 표면을 처리하는 대기압 플라즈마 처리 단계; 및
    상기 대기압 플라즈마 처리 단계 전 또는 후에 기판 표면에 광을 조사하여 기판 표면의 유기 이물질을 제거하는 광 처리 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 대기압 플라즈마 처리 단계는, 상기 광 처리 단계 전후에 모두 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 광 처리 단계는, 기판 표면에 섬광, 자외선, 적외선 중 하나 이상을 조사하는 단계인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 광 처리 유닛은 기판을 지지하는 지지부 및 기판을 향해 광을 조사하도록 적어도 하나의 광원을 구비하는 조사부를 포함하고,
    상기 광 처리 단계에서 상기 지지부 및 조사부 중 적어도 하나는 회전하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 광 처리 단계에서, 상기 지지부와 조사부 사이의 거리가 조절되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 제17항에 있어서,
    상기 액 처리 단계는 이소프로필알코올로 기판을 처리하는 단계이고,
    상기 초임계 처리 단계는 상기 액 처리된 기판 표면을 건조 처리하는 단계인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  25. 제17항에 있어서,
    상기 대기압 플라즈마 처리 단계는 기판 표면에 잔류하는 유기 이물질 또는 무기 이물질을 제거하기 위한 단계인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  26. 제17항에 있어서,
    상기 대기압 플라즈마 처리 단계는 기판 표면을 친수성 또는 소수성으로 처리하기 위한 단계인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  27. 제17항에 있어서,
    상기 대기압 플라즈마 처리 단계는 기판의 정전기를 제거하기 위한 단계인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
KR1020190165519A 2019-12-12 2019-12-12 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 KR102375576B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190165519A KR102375576B1 (ko) 2019-12-12 2019-12-12 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190165519A KR102375576B1 (ko) 2019-12-12 2019-12-12 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210075254A KR20210075254A (ko) 2021-06-23
KR102375576B1 true KR102375576B1 (ko) 2022-03-17

Family

ID=76599189

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190165519A KR102375576B1 (ko) 2019-12-12 2019-12-12 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102375576B1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102322101B1 (ko) * 2021-06-24 2021-11-04 주식회사 자이시스 반도체 제조 장치
KR102374482B1 (ko) * 2021-06-29 2022-03-16 주식회사 자이시스 반도체 제조 장치
KR102378802B1 (ko) * 2021-08-06 2022-03-25 김대영 기판 이물질 제거효율이 개선된 oled 제조방법

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63266834A (ja) * 1987-04-24 1988-11-02 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 気相反応装置
JP7045196B2 (ja) * 2018-01-15 2022-03-31 東京応化工業株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210075254A (ko) 2021-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102433558B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102375576B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2011204944A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN110875177B (zh) 基板处理装置和方法
KR102404528B1 (ko) 노즐, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN107437519B (zh) 用于处理基板的方法和装置
KR20210009888A (ko) 기판 처리 장치 및 회전 어셈블리
KR101344930B1 (ko) 기판처리장치
KR20120023296A (ko) 기판처리장치
KR20130052997A (ko) 버퍼
KR20150138975A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102392489B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20220016416A (ko) 처리액을 공급 및 회수하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20200009621A1 (en) Substrate processing apparatus and nozzle unit
KR102276002B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20200078791A (ko) 기판 처리 장치, 그리고 노즐 세정 방법
KR102537676B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102567504B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102136128B1 (ko) 기판 처리 장치 및 노즐 유닛
KR20220001105A (ko) 기판 처리 장치
KR20220095258A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230172445A (ko) 기판 처리 장치
KR20230102711A (ko) 기판 처리 장치
KR20230102704A (ko) 기판 처리 장치
KR20200101315A (ko) 기판처리장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant