JP2017130630A - 基板処理方法、記憶媒体及び現像装置 - Google Patents
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Abstract
Description
近年では、ウエハのより広い領域を利用するために、周縁部における除去幅を狭くする要請がある。しかしながらEBR法によりウエハの周縁部の除去を行うときに、ウエハ周縁の狭い領域にのみ溶剤を供給することが難しく、レジスト膜の周縁の状態が悪くなる問題がある。
前記基板のべベル部の周端に至るまでの表面全体にレジスト膜を形成する工程と、
次いで、ベベル部の周端に至るまでの表面全体にレジスト膜が形成された前記基板の当該ベベル部に露光する工程と、
その後、パターンマスクを用いて前記基板の表面をパターン露光する工程と、
前記パターン露光された基板に現像液を供給する工程と、を含み、
前記現像液を供給する工程は、
前記基板を基板保持部に水平に保持して回転させながら、基板のべベル部を含む周縁部に現像液を供給する第1の工程と、前記基板の表面全体に現像液を供給する第2の工程と、を含むことを特徴とする。
前記プログラムは、
前記基板のべベル部の周端に至るまでの表面全体にレジスト膜を形成する工程と、
次いで、ベベル部の周端に至るまでの表面全体にレジスト膜が形成された前記基板の当該ベベル部に露光する工程と、
その後、パターンマスクを用いて前記基板の表面がパターン露光された基板に現像液を供給する工程と、を含み
前記現像液を供給する工程は、
前記基板を基板保持部に水平に保持して回転させながら、基板のべベル部を含む周縁部に現像液を供給する第1の工程と、前記基板の表面全体に現像液を供給する第2の工程と、を含む基板処理方法
を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。
基板を水平に保持する基板保持部と、
基板保持部を鉛直軸周りに回転させる回転機構と、
基板のベベル部を含む周縁部に現像液を供給する第1の現像液ノズルと、
基板の表面全体に現像液を供給する第2の現像液ノズルと、
前記基板を基板保持部に水平に保持して回転させながら、基板のべベル部を含む周縁部に第1の現像液ノズルから現像液を供給する第1のステップと、前記基板の表面全体に第2の現像液ノズルから現像液を供給する第2のステップと、を実行する制御部と、を備えたことを特徴とする。
続いて塗布ユニットの構成について、現像装置を例に説明する。図2に示すように現像装置は4つの現像処理部11a、11b、11c、11dを備え、現像処理部11a〜11dは基台10上に横方向に一列に配列されている。各現像処理部11a〜11dは各々同様に構成されており、ここでは現像処理部11aを例に挙げて説明する。
その後上側カップ体22aを下降させ、リンス液ノズル3aを退避させた後、ウエハWは、メインアームA5により現像装置から棚ユニットU7に搬送され、受け渡しアーム113を介してキャリアブロックS1の所定のキャリアへと戻される。
またウエハWの表面の現像液Dを振り切った後、ウエハWの表面を洗浄する純水Pを供給する前にも、周縁側ノズル6aからウエハWのベベル部に向けて現像液Dを供給しているため、より確実にベベル部上方に形成されたレジスト膜Rを除去することができレジスト膜Rの残渣を抑制することができる。
ウエハWの表面に現像液を供給した後、リンス液の供給までの時間が長いとウエハWの表面に液滴の斑点ができやすくなる。そのため中心側ノズル5から現像液Dを供給する前のみに、ウエハWのベベル部に向けて現像液Dを吐出するようにしてもよい。
また周縁側ノズル6aから吐出される現像液Dの濃度を中心側ノズル5から吐出される現像液Dの濃度よりも高くしてもよい。現像液Dの濃度が高い場合にも現像液Dとレジスト膜Rとの反応が活性化されるため同様の効果を得ることができる。
6a〜6d 周縁側ノズル
12a〜d スピンチャック
14a〜d 回転機構
100 制御部
D 現像液
R レジスト膜
P 純水
W ウエハ
Claims (13)
- 半導体ウエハである基板の表面に、露光部分が現像液に溶解するレジストを用いてレジストパターンを形成する基板処理方法において、
前記基板のべベル部の周端に至るまでの表面全体にレジスト膜を形成する工程と、
次いで、ベベル部の周端に至るまでの表面全体にレジスト膜が形成された前記基板の当該ベベル部に露光する工程と、
その後、パターンマスクを用いて前記基板の表面をパターン露光する工程と、
前記パターン露光された基板に現像液を供給する工程と、を含み
前記現像液を供給する工程は、
前記基板を基板保持部に水平に保持して回転させながら、基板のべベル部を含む周縁部に現像液を供給する第1の工程と、前記基板の表面全体に現像液を供給する第2の工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 前記第1の工程は、基板に現像液の液溜りがない状態で行われることを特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記第2の工程の後、基板に供給された現像液を振り切る第3の工程を行い、前記第3の工程を行った後、さらに第1の工程を行い、その後基板の表面全体にリンス液を供給すると共に基板を回転させて基板の表面の現像液を洗い流す第4の工程を行うことを特徴とする請求項1または2に記載の基板処理方法。
- 前記第1の工程における現像液の温度は、第2の工程における現像液の温度よりも高いことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記第1の工程における現像液の濃度は、第2の工程における現像液の濃度よりも高いことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記第1の工程とともに、前記基板を基板保持部に水平に保持して回転させながら、基板の表面側のベベル部に向けて窒素ガスを吐出し、ベベル部の表面の現像液の濃度を高める工程を含むことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 半導体ウエハである基板の表面に、露光部分が現像液に溶解するレジストを用いてレジスト膜を形成し、露光後の当該基板に対して現像液により現像を行ってレジストパターンを形成する基板処置装置に用いられるプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは、
前記基板のべベル部の周端に至るまでの表面全体にレジスト膜を形成する工程と、
次いで、ベベル部の周端に至るまでの表面全体にレジスト膜が形成された前記基板の当該ベベル部に露光する工程と、
その後、パターンマスクを用いて前記基板の表面がパターン露光された基板に現像液を供給する工程と、を含み
前記現像液を供給する工程は、
前記基板を基板保持部に水平に保持して回転させながら、基板のべベル部を含む周縁部に現像液を供給する第1の工程と、前記基板の表面全体に現像液を供給する第2の工程と、を含む基板処理方法
を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。 - 前記第1の工程は、基板に現像液の液溜りがない状態で行われることを特徴とする請求項7に記載の記憶媒体。
- 露光部分が現像液に溶解するレジストがベベル部の周端に至るまで表面全体に塗布され、ベベル部の露光と、基板の表面のパターン露光と、が行われた基板に現像液を供給する現像装置であって、
基板を水平に保持する基板保持部と、
基板保持部を鉛直軸周りに回転させる回転機構と、
基板のベベル部を含む周縁部に現像液を供給する第1の現像液ノズルと、
基板の表面全体に現像液を供給する第2の現像液ノズルと、
前記基板を基板保持部に水平に保持して回転させながら、基板のべベル部を含む周縁部に第1の現像液ノズルから現像液を供給する第1のステップと、前記基板の表面全体に第2の現像液ノズルから現像液を供給する第2のステップと、を実行する制御部と、を備えたことを特徴とする現像装置。 - 前記第1のステップは、基板に現像液の液溜りがない状態で行われることを特徴とする請求項9記載の現像装置。
- 第1の現像液ノズルから供給する現像液を温調する温調機構を備え、前記第1のステップにおいて供給する現像液の温度は、第2のステップにおいて供給される現像液の温度よりも高いことを特徴とする請求項9または10記載の現像装置。
- 前記第1のステップにおいて供給する現像液の濃度は、第2のステップにおいて供給される現像液の濃度よりも高いことを特徴とする請求項9ないし11のいずれか一項に記載の現像装置。
- 基板のベベル部を含む周縁部に窒素ガスを供給するガス供給ノズルを備え、
前記第1のステップとともに、前記基板を基板保持部に水平に保持して回転させながら、基板のべベル部を含む周縁部にガス供給ノズルから窒素ガスを供給することを特徴とする請求項9ないし12のいずれか一項に記載の現像装置。
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