JP2017098367A - 基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
次いで、当該基板の周縁部における前記塗布膜を除去するために、前記基板の周に沿って当該塗布膜の除去液を供給する工程と、
その後、前記基板の周縁部に残留する前記金属を除去するために、当該基板の周に沿って前記金属の除去液を供給する工程と、
を含む。
前記基板の周縁部に前記塗布液が到達する前から当該基板の周縁部よりも内側で前記塗布液が乾燥して前記金属を含有する塗布膜が形成されるまでの間、回転する当該基板の周縁部に前記金属の付着を防止するための付着防止液を供給する工程と、
を含むことを特徴とする。
また、本発明の他の発明によれば、基板の周縁部に金属を含有する塗布液が到達するまで、且つ塗布液が乾燥して塗布膜が形成されるまで、回転する当該基板の周縁部に金属の付着防止液が供給されるので、上記の金属汚染の発生を抑えることができる。
本発明の基板処理方法に係る第1の実施形態を実施するための塗布、現像装置1について、図1〜図3を参照しながら説明する。図1、図2、図3は夫々塗布、現像装置1の平面図、斜視図、概略縦断側面図である。この塗布、現像装置1は、キャリアブロックD1と、処理ブロックD2と、インターフェイスブロックD3と、を水平方向に直線状に、この順番で接続して構成されている。また、インターフェイスブロックD3には露光装置D4が、処理ブロックD2と反対側に接続されている。以降の説明ではブロックD1〜D3の配列方向を前後方向とし、ブロックD1側を前方側、ブロックD3側を後方側とする。
続いて、第2の実施の形態について、第1の実施形態との差異点を中心に説明する。この第2の実施形態では、レジスト膜形成モジュール3における処理が、第1の実施形態におけるレジスト膜形成モジュール3の処理と異なっており、表面側ノズル44A〜44Dが使用されず、裏面側ノズル39A〜39Dから吐出された処理液をウエハWの周端面を介してウエハWの表面側のベベルへ回り込ませて、当該処理液による液膜を形成して処理を行う。
続いて、第3の実施の形態について説明する。この第3の実施形態においても、レジスト膜形成モジュール3及び反射防止膜形成モジュール16における処理について第1の実施形態の処理と異なっている。ウエハWの概略斜視図である図28〜図30及びウエハWの縦断側面図である図31〜図33を参照しながら、レジスト膜形成モジュール3で行われる処理について、第1の実施形態の処理との差異点を中心に説明する。先ずレジスト供給ノズル46からレジストがウエハWの中心部に吐出されると共にウエハWが回転し、遠心力によってレジストがウエハWの周縁部へ向けて展伸される。そして、レジストがウエハWの周縁部に到達する前に、表面側ノズル44A、裏面側ノズル39AからウエハWの周縁部に溶剤が吐出される(図28、図31)。
続いて、本発明に関連して行われた評価試験について説明する。
評価試験1
金属を含有するレジスト膜として、Ti(チタン)を含有する第1のレジスト膜、Zr(ジルコニウム)を含有する第2のレジスト膜、Zrを含有する第3のレジスト膜を夫々異なるウエハWの表面に成膜した。なお、第2のレジスト膜と、第3のレジスト膜とはZr以外の主成分が異なる。そして、評価試験1−1として、第1のレジスト膜に溶剤を供給して当該第1のレジスト膜を除去し、溶剤供給後のウエハWの表面に残留するTiの濃度を測定した。また、評価試験1−2として、第1のレジスト膜に溶剤を供給して当該第1のレジスト膜を除去し、レジスト膜が除去されたウエハWの表面にSC2を供給して、その後にウエハWの表面に残留するTiの濃度を測定した。
評価試験2−1として、上記の第3の実施形態で説明したようにウエハWへのレジスト膜の形成を行い、ウエハWの周縁部に残留する金属濃度を測定した。評価試験2−2として、第1の実施形態と同様にレジストのスピンコーティングを行い、レジストがウエハWの表面全体を被覆した後、回転するウエハWの周縁部に溶剤を5秒間供給し、ウエハWの周縁部に残留する金属濃度を測定した。なお、この評価試験2−2では、第1の実施形態のような溶剤供給後の金属除去液の供給は行っていない。また、評価試験2−3として、溶剤を供給する時間を120秒とした他は、評価試験2−2と同様に試験を行った。
1 塗布、現像装置
3 レジスト膜形成モジュール
31 スピンチャック
39A〜39D 裏面側ノズル
44A〜44D 表面側ノズル
46 レジスト供給ノズル
Claims (9)
- 基板の表面に金属を含有する塗布膜を形成する工程と、
次いで、当該基板の周縁部における前記塗布膜を除去するために、前記基板の周に沿って当該塗布膜の除去液を供給する工程と、
その後、前記基板の周縁部に残留する前記金属を除去するために、当該基板の周に沿って前記金属の除去液を供給する工程と、
を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 前記金属の除去液を供給する工程は、
前記基板を回転させると共に当該基板の表面において前記塗布膜の周端よりも前記基板の外側寄りの第1の位置に除去液を供給し、当該第1の位置から基板の周端に亘って液膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項1記載の基板処理方法。 - 前記金属の除去液を供給する工程の後に行われ、当該基板の周縁部に残留する前記金属の除去液を除去するために、当該基板の表面において前記第1の位置よりも基板の中心部寄りの第2の位置に前記基板を洗浄する洗浄液を供給すると共に当該基板を回転させ、前記第2の位置から前記基板の周端に亘って液膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項2記載の基板処理方法。
- 前記金属の除去液を供給する工程は、
前記基板の裏面に前記金属の除去液を供給する工程と、
前記塗布膜の周端から前記基板の外側に離れた当該基板の表面の第3の位置に基板の側端面を介して前記金属の除去液を回り込ませると共に当該第3の位置よりも塗布膜寄りに移動しないように当該基板を回転させて、前記基板の裏面から前記第3の位置に亘って液膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする請求項1記載の基板処理方法。 - 前記金属の除去液を供給する工程の後に行われ、当該基板に残留する前記金属の除去液を除去するために前記基板の裏面において、前記金属の除去液を供給した位置よりも基板の中心部寄りの位置に前記基板を洗浄する洗浄液を供給する工程と、
前記基板の側端面を介して前記基板の表面における前記第3の位置よりも前記塗布膜寄りの位置に前記洗浄液が回り込むように、当該基板を回転させて液膜を形成する工程と、
を備えることを特徴とする請求項4記載の基板処理方法。 - 前記金属の除去液、前記塗布膜の除去液を、前記基板を囲むカップ内において個別に形成された第1の排液路、第2の排液路から夫々当該カップの外側へと除去する工程を含むことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載の基板処理方法。
- 基板の表面の中心部に金属を含有する塗布液を供給すると共に、前記塗布液を遠心力によって前記基板の周縁部に向けて展伸させるために当該基板を回転させる工程と、
前記基板の周縁部に前記塗布液が到達する前から当該基板の周縁部よりも内側で前記塗布液が乾燥して前記金属を含有する塗布膜が形成されるまでの間、回転する当該基板の周縁部に前記金属の付着を防止するための付着防止液を供給する工程と、
を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 前記塗布液の前記基板への供給を停止した後に、前記基板への前記付着防止液の供給を停止する工程を含むことを特徴とする請求項7記載の基板処理方法。
- 前記付着防止液は前記塗布膜の溶剤であることを特徴とする請求項7または8記載の基板処理方法。
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