JP2016088787A - Method for producing oriented carbon nanotube aggregates - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、カーボンナノチューブ配向集合体の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method for producing an aligned aggregate of carbon nanotubes.
カーボンナノチューブ（以下、「ＣＮＴ」と称することがある。）は、力学的強度、光学特性、電気特性、熱特性、分子吸着能等の各種特性に優れており、電子デバイス材料、光学素子材料、導電性材料等の機能性材料としての展開が期待されている。 Carbon nanotubes (hereinafter sometimes referred to as “CNT”) are excellent in various properties such as mechanical strength, optical properties, electrical properties, thermal properties, molecular adsorption ability, electronic device materials, optical element materials, Development as a functional material such as a conductive material is expected.
ここで、ＣＮＴの製造方法の一つとして、化学気相成長法（以下、「ＣＶＤ法」と称することがある。）が知られている。このＣＶＤ法は、高温雰囲気下で原料となる炭素化合物を金属微粒子よりなる触媒と接触させてＣＮＴを合成することを特徴としている。そして、ＣＶＤ法は、ＣＮＴの製造条件（例えば、触媒の種類または配置、炭素化合物の種類、或いは、反応条件など）の自由度が高く、また、単層カーボンナノチューブ（ＳＷＣＮＴ）と多層カーボンナノチューブ（ＭＷＣＮＴ）とのいずれも製造可能である製造方法として注目されている。 Here, a chemical vapor deposition method (hereinafter sometimes referred to as “CVD method”) is known as one of CNT manufacturing methods. This CVD method is characterized in that a CNT is synthesized by bringing a carbon compound as a raw material into contact with a catalyst made of metal fine particles in a high temperature atmosphere. The CVD method has a high degree of freedom in the CNT production conditions (for example, the type or arrangement of the catalyst, the type of carbon compound, or the reaction conditions), and the single-walled carbon nanotube (SWCNT) and the multi-walled carbon nanotube ( MWCNT) is attracting attention as a production method that can be produced.
また、ＣＶＤ法を用いたＣＮＴの製造方法の中でも、ＣＮＴ合成用触媒を担持した基材（以下、「触媒基材」と称することがある。）を用いてＣＮＴを合成する方法は、触媒基材に対して垂直に配向した多数のＣＮＴ（ＣＮＴ配向集合体）を大量に製造することができるため、特に注目されている（例えば、特許文献１参照）。 Among the CNT production methods using the CVD method, a method for synthesizing CNTs using a substrate carrying a catalyst for CNT synthesis (hereinafter sometimes referred to as “catalyst substrate”) is a catalyst substrate. Since a large number of CNTs (CNT aligned aggregates) oriented perpendicular to the material can be produced in large quantities, it is particularly attracting attention (see, for example, Patent Document 1).
なお、ＣＶＤ法を用いて触媒基材上にＣＮＴを合成する方法では、近年、触媒基材として、基材上に形成した触媒担持層上にＣＮＴ合成用触媒を担持してなる積層体を用いることが提案されている。そして、触媒担持層としては、例えば、チタン、バナジウムおよびクロム等の金属からなる層、或いは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化チタンおよび炭化チタン等の金属化合物からなる層が用いられている（例えば、特許文献２参照）。 In addition, in the method of synthesizing CNTs on a catalyst substrate using the CVD method, in recent years, a laminate in which a catalyst for CNT synthesis is supported on a catalyst support layer formed on the substrate is used as the catalyst substrate. It has been proposed. As the catalyst support layer, for example, a layer made of a metal such as titanium, vanadium and chromium, or a layer made of a metal compound such as aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum carbide, magnesium oxide, titanium oxide and titanium carbide is used. (For example, refer to Patent Document 2).
ここで、近年では、優れた機能性材料としてのＣＮＴへの注目の高まり、および、ＣＮＴの用途の拡大に伴い、高品質なＣＮＴを大量に製造する技術が求められている。しかし、上記従来の触媒基材上にＣＮＴを合成する方法では、例えばサイズが１０ｍｍ×１０ｍｍといった小さな触媒基材を用いて実験室規模などの少量生産でＣＮＴを合成しており、ＣＮＴを大量に製造することはできなかった。 Here, in recent years, with increasing attention to CNT as an excellent functional material and the expansion of applications of CNT, a technique for producing a large amount of high-quality CNT is required. However, in the conventional method of synthesizing CNTs on a catalyst base, CNTs are synthesized in a small-scale production such as a laboratory scale using a small catalyst base having a size of 10 mm × 10 mm, for example. It could not be manufactured.
そこで、本発明者は、ＣＶＤ法を用いたＣＮＴの製造方法において、ＣＮＴを触媒基材上に成長させるための成長炉に搬入する触媒基材の面積を大きくし、ＣＮＴの大量合成を試みた。 Therefore, the present inventor attempted to synthesize a large amount of CNTs by increasing the area of the catalyst base material carried into the growth furnace for growing the CNTs on the catalyst base material in the CNT manufacturing method using the CVD method. .
しかし、本発明者が研究を重ねたところ、成長炉に搬入する触媒基材の面積を４００ｃｍ2以上と大きくした場合には、合成されるＣＮＴの品質が低下すると共に触媒基材の単位面積当たりのＣＮＴの収量が低下する虞があることが新たに明らかとなった。 However, as a result of repeated research by the present inventor, when the area of the catalyst substrate carried into the growth furnace is increased to 400 cm 2 or more, the quality of the synthesized CNT is lowered and the unit area of the catalyst substrate is reduced. It was newly revealed that the yield of CNT may be reduced.
そこで、本発明者は上記課題を解決し、高品質なＣＮＴを大量に製造する技術を確立することを目的として更に検討を重ねた。そして、本発明者は、ＣＶＤ法を用いてＣＮＴを製造するに当たり、特定の金属化合物を用いて形成した触媒担持層上にＣＮＴ合成用触媒を担持してなる触媒基材を使用すれば、成長炉に搬入する触媒基材の面積を大きくした場合であっても、単位面積当たりのＣＮＴの収量を低下させることなく高品質なＣＮＴを大量に製造することができることを見出し、本発明を完成させた。 Therefore, the present inventor has further studied for the purpose of solving the above-described problems and establishing a technique for producing a large amount of high-quality CNTs. And, when the present inventors produce CNTs using the CVD method, if a catalyst base material formed by supporting a catalyst for CNT synthesis on a catalyst supporting layer formed using a specific metal compound, Even when the area of the catalyst substrate carried into the furnace is increased, it has been found that high-quality CNT can be produced in large quantities without reducing the yield of CNT per unit area, and the present invention has been completed. It was.
即ち、この発明は、上記課題を有利に解決することを目的とするものであり、本発明のカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法は、触媒基材または触媒基材の集合体を成長炉に搬入する工程と、前記成長炉内で化学気相成長法により前記触媒基材上にカーボンナノチューブ配向集合体を成長させる工程とを含むカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法であって、前記成長炉に搬入される前記触媒基材または触媒基材の集合体は、カーボンナノチューブ成長実効面積が４００ｃｍ2以上であり、前記触媒基材は、基材上に形成された窒化アルミニウムからなる触媒担持層と、前記触媒担持層上に担持されたカーボンナノチューブ合成用触媒からなる触媒層とを有することを特徴とする。このように、窒化アルミニウムを用いて形成した触媒担持層を有する触媒基材を使用すれば、成長炉内に搬入する触媒基材または触媒基材の集合体のカーボンナノチューブ成長実効面積を４００ｃｍ2以上と大きくした場合であっても、合成されるＣＮＴの品質の低下および触媒基材の単位面積当たりのＣＮＴの収量の低下を抑制することができる。従って、高品質なＣＮＴを大量に製造することができる。
なお、本発明において、「カーボンナノチューブ成長実効面積」とは、成長炉内に搬入された触媒基材または触媒基材の集合体の全表面のうち、成長炉内で実際にカーボンナノチューブを成長させることが可能な表面の面積の合計を指す。従って、「カーボンナノチューブ成長実効面積」には、触媒担持層および触媒層が形成されていない部分の面積や、触媒基材の集合体中で触媒基材同士が接触している部分の面積などは含まれない。
That is, the present invention aims to advantageously solve the above-described problems, and the method for producing an aligned carbon nanotube assembly of the present invention carries a catalyst substrate or a catalyst substrate assembly into a growth furnace. And a method for producing an aligned carbon nanotube aggregate on the catalyst base material by chemical vapor deposition in the growth furnace, wherein the aligned carbon nanotube aggregate is carried into the growth furnace. The catalyst base or the aggregate of catalyst bases has a carbon nanotube growth effective area of 400 cm 2 or more, and the catalyst base comprises a catalyst support layer made of aluminum nitride formed on the base, and And a catalyst layer made of a catalyst for synthesizing carbon nanotubes supported on the catalyst support layer. Thus, if a catalyst substrate having a catalyst support layer formed using aluminum nitride is used, the effective area of carbon nanotube growth of the catalyst substrate or the aggregate of catalyst substrates carried into the growth furnace is 400 cm 2 or more. Even if it is made large, the fall of the quality of CNT synthesized and the fall of the yield of CNT per unit area of a catalyst base material can be controlled. Therefore, high quality CNTs can be produced in large quantities.
In the present invention, the “carbon nanotube growth effective area” means that the carbon nanotubes are actually grown in the growth furnace out of the entire surface of the catalyst base or the aggregate of catalyst bases carried into the growth furnace. Refers to the total surface area possible. Therefore, the “carbon nanotube growth effective area” includes the area of the portion where the catalyst support layer and the catalyst layer are not formed, the area of the portion where the catalyst bases are in contact with each other in the aggregate of the catalyst bases, etc. Not included.
ここで、本発明のカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法は、前記窒化アルミニウムからなる触媒担持層が反応性スパッタリング法により形成されたものであることが好ましい。反応性スパッタリング法を使用すれば、所望の厚さおよび形状の窒化アルミニウムからなる触媒担持層を容易に形成することができるからである。 Here, the method for producing an aligned carbon nanotube assembly of the present invention is preferably such that the catalyst-supporting layer made of aluminum nitride is formed by a reactive sputtering method. This is because if the reactive sputtering method is used, a catalyst supporting layer made of aluminum nitride having a desired thickness and shape can be easily formed.
また、本発明のカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法は、前記触媒担持層の厚さが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましい。触媒担持層の厚さを上記範囲内とすれば、合成されるＣＮＴの品質および触媒基材の単位面積当たりのＣＮＴの収量を向上させることができるからである。 In the method for producing an aligned carbon nanotube assembly of the present invention, the thickness of the catalyst supporting layer is preferably 10 nm or more and 100 nm or less. This is because, if the thickness of the catalyst supporting layer is within the above range, the quality of the synthesized CNT and the yield of CNT per unit area of the catalyst substrate can be improved.
更に、本発明のカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法は、前記触媒層の厚さが１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることが好ましい。触媒層の厚さを上記範囲内とすれば、合成されるＣＮＴの品質および触媒基材の単位面積当たりのＣＮＴの収量を向上させることができるからである。 Furthermore, in the method for producing an aligned carbon nanotube assembly of the present invention, the catalyst layer preferably has a thickness of 1 nm to 10 nm. This is because, if the thickness of the catalyst layer is within the above range, the quality of the synthesized CNT and the yield of CNT per unit area of the catalyst substrate can be improved.
そして、本発明のカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法は、前記成長炉内において、触媒賦活物質の存在下で化学気相成長法により前記触媒基材上にカーボンナノチューブ配向集合体を成長させることが好ましい。触媒賦活物質の存在下でカーボンナノチューブ配向集合体を成長させれば、ＣＮＴの生産効率や純度を向上させることができるからである。 In the method for producing an aligned carbon nanotube assembly of the present invention, the aligned carbon nanotube assembly is grown on the catalyst substrate by chemical vapor deposition in the presence of a catalyst activator in the growth furnace. preferable. This is because the production efficiency and purity of CNTs can be improved if the aligned carbon nanotube aggregate is grown in the presence of the catalyst activator.
本発明によれば、触媒基材の単位面積当たりのＣＮＴの収量を低下させることなく高品質なＣＮＴを大量に製造することができる。 According to the present invention, high-quality CNTs can be produced in large quantities without reducing the yield of CNTs per unit area of the catalyst substrate.
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
ここで、本発明に係るカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法は、基材上に形成した触媒担持層上にＣＮＴ合成用触媒を担持してなる触媒基材上に、化学気相成長法（ＣＶＤ法）を用いてＣＮＴ配向集合体を成長させることによりＣＮＴを製造する方法である。具体的には、本発明に係るカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法では、触媒基材の周囲環境を還元ガス環境とすると共にＣＮＴ合成用触媒および／または還元ガスを加熱するフォーメーション工程を任意に実施した後に、触媒基材の周囲環境を原料ガス環境とすると共にＣＮＴ合成用触媒および原料ガスの少なくとも一方を加熱して所定の方向に配向したＣＮＴの集合体（ＣＮＴ配向集合体）を触媒基材上に成長させる成長工程を実施して、ＣＮＴを合成する。なお、本発明に係るカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法では、任意に、成長工程の後に触媒基材およびＣＮＴを不活性ガス下で冷却する冷却工程を実施し、成長工程で合成したＣＮＴが酸素存在環境下で酸化するのを防止してもよい。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
Here, in the method for producing an aligned carbon nanotube assembly according to the present invention, a chemical vapor deposition method (CVD) is performed on a catalyst base material in which a catalyst for CNT synthesis is supported on a catalyst support layer formed on the base material. CNTs are grown by growing an aligned CNT aggregate using the above method. Specifically, in the method for producing an aligned aggregate of carbon nanotubes according to the present invention, the formation process for heating the catalyst for CNT synthesis and / or the reducing gas is optionally performed while the surrounding environment of the catalyst substrate is set as the reducing gas environment. After that, the surrounding environment of the catalyst base is set as the raw material gas environment, and at least one of the CNT synthesis catalyst and the raw material gas is heated to align the aggregate of CNTs (CNT aligned aggregate) in the predetermined direction. A growth process for growing the CNTs is performed to synthesize CNTs. In the method for producing an aligned carbon nanotube assembly according to the present invention, a cooling step of cooling the catalyst base and the CNTs under an inert gas is optionally performed after the growth step, and the CNT synthesized in the growth step is oxygenated. Oxidation in the presence environment may be prevented.
そして、本発明に係るカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法は、触媒基材として、基材上に形成された窒化アルミニウムからなる触媒担持層と、前記触媒担持層上に担持されたカーボンナノチューブ合成用触媒からなる触媒層とを有する触媒基材を使用し、且つ、成長工程において、カーボンナノチューブ成長実効面積が４００ｃｍ2以上の触媒基材または触媒基材の集合体を成長炉に搬入し、化学気相成長法により触媒基材上にＣＮＴ配向集合体を成長させることを特徴とする。 The method for producing an aligned carbon nanotube assembly according to the present invention includes, as a catalyst base material, a catalyst support layer made of aluminum nitride formed on a base material, and a carbon nanotube synthesis method supported on the catalyst support layer. A catalyst substrate having a catalyst layer made of a catalyst is used, and in the growth step, a catalyst substrate or an aggregate of catalyst substrates having a carbon nanotube growth effective area of 400 cm 2 or more is carried into a growth furnace, Aligned CNT aggregates are grown on a catalyst substrate by a phase growth method.
なお、本発明者の研究によれば、ＣＮＴ成長実効面積が４００ｃｍ2以上となるような大面積の触媒基材または触媒基材の集合体を成長炉に搬入してＣＮＴ配向集合体を成長させる際に、触媒担持層を有しない触媒基材を用いた場合や酸化アルミニウム等からなる触媒担持層を有する触媒基材を用いた場合には、ＣＮＴ成長実効面積が小さい触媒基材または触媒基材の集合体を用いた場合には発生しなかった、合成されるＣＮＴの品質の低下および触媒基材の単位面積当たりのＣＮＴの収量の低下が発生する虞がある。しかし、本発明に係るカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法では、窒化アルミニウムからなる触媒担持層を有する触媒基材を使用しているので、ＣＮＴ成長実効面積を４００ｃｍ2以上と大きくした場合であっても、合成されるＣＮＴの品質の低下および触媒基材の単位面積当たりのＣＮＴの収量の低下の発生を抑制し、高品質なＣＮＴを大量に製造することができる。なお、ＣＮＴの品質および収量の低下を抑制できる理由は、明らかではないが、窒化アルミニウムの化学的安定性、耐蝕性および熱伝導度が高く、触媒担持層上に触媒層がＣＮＴの成長に最適な状態で担持されるためであると推察される。 According to the inventor's research, a large-area catalyst base or an assembly of catalyst bases having an effective CNT growth area of 400 cm 2 or more is carried into a growth furnace to grow an aligned CNT aggregate. In the case of using a catalyst base having no catalyst support layer or a catalyst base having a catalyst support layer made of aluminum oxide or the like, the catalyst base or catalyst base having a small effective CNT growth area There is a possibility that the quality of synthesized CNTs and the yield of CNTs per unit area of the catalyst base may be reduced, which did not occur when using the aggregates. However, in the method for producing an aligned aggregate of carbon nanotubes according to the present invention, since a catalyst base material having a catalyst support layer made of aluminum nitride is used, the effective CNT growth area is increased to 400 cm 2 or more. In addition, it is possible to suppress a decrease in the quality of the synthesized CNT and a decrease in the yield of CNT per unit area of the catalyst base, and it is possible to manufacture a large amount of high-quality CNTs. The reason why the deterioration of CNT quality and yield can be suppressed is not clear, but the chemical stability, corrosion resistance and thermal conductivity of aluminum nitride are high, and the catalyst layer on the catalyst support layer is optimal for CNT growth. It is presumed that this is because it is supported in such a state.
（触媒基材または触媒基材の集合体）
ここで、本発明に係るカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法では、カーボンナノチューブ配向集合体の製造装置に単一の触媒基材または複数の触媒基材の集合体を導入し、化学気相成長法により触媒基材上にカーボンナノチューブ配向集合体を成長させる。そして、本発明に係るカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法では、触媒基材として、基材と、基材上に形成された窒化アルミニウムからなる触媒担持層と、触媒担持層上に担持されたカーボンナノチューブ合成用触媒からなる触媒層とを有する触媒基材を使用する。
(Catalyst substrate or aggregate of catalyst substrates)
Here, in the method for producing an aligned carbon nanotube assembly according to the present invention, a single catalyst substrate or an assembly of a plurality of catalyst substrates is introduced into the apparatus for manufacturing an aligned carbon nanotube assembly, and a chemical vapor deposition method is used. To grow an aligned aggregate of carbon nanotubes on the catalyst substrate. In the method for producing an aligned carbon nanotube assembly according to the present invention, as a catalyst substrate, a substrate, a catalyst support layer made of aluminum nitride formed on the substrate, and carbon supported on the catalyst support layer A catalyst base material having a catalyst layer made of a nanotube synthesis catalyst is used.
なお、「触媒基材の集合体」とは、複数の触媒基材を、任意に穴あき容器などの容器に収容して、集合させたものであり、例えば回分式の製造装置を用いる場合には各バッチにおいて一度に製造装置内に搬入される複数の触媒基材を指し、連続式の製造装置を用いる場合には互いに隣接する触媒基材間の間隔が例えば０．１ｃｍ以下の一つの塊（ブロック）として一度に製造装置内に搬入される複数の触媒基材を指す。
そして、複数の触媒基材を収容する前記容器としては、後述する基材と同様に、特に限定されることなく、５００℃以上の高温でも形状を維持できる部材からなるものを用いることができる。前記容器の材質としては、例えば、後述する基材と同様のものが挙げられ、好適態様も基材と同様である。
The “catalyst substrate aggregate” is a collection of a plurality of catalyst substrates arbitrarily accommodated in a container such as a perforated container. For example, when a batch-type manufacturing apparatus is used. Indicates a plurality of catalyst substrates carried into the production apparatus at a time in each batch. When a continuous production apparatus is used, one lump in which the distance between adjacent catalyst substrates is, for example, 0.1 cm or less. (Block) refers to a plurality of catalyst substrates that are carried into the production apparatus at a time.
And as said container which accommodates a some catalyst base material, like the base material mentioned later, what consists of a member which can maintain a shape at high temperature of 500 degreeC or more can be used, without being specifically limited. Examples of the material of the container include the same materials as those described later, and the preferred embodiment is the same as that of the substrate.
＜基材＞
ここで、触媒基材の基材としては、特に限定されることなく、５００℃以上の高温でも形状を維持できる部材を用いることができる。また、基材の材質としては、例えば、鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウム、マンガン、コバルト、銅、銀、金、白金、ニオブ、タンタル、鉛、亜鉛、ガリウム、インジウム、ゲルマニウムおよびアンチモンなどの金属、並びにこれらの金属を含む合金および酸化物；シリコン、石英、ガラス、マイカ、グラファイトおよびダイヤモンドなどの非金属；並びにセラミックなどを例示できる。金属は、非金属およびセラミックと比較して低コストであるから好ましく、特に、Ｆｅ−Ｃｒ（鉄−クロム）合金、Ｆｅ−Ｎｉ（鉄−ニッケル）合金、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｎｉ（鉄−クロム−ニッケル）合金等は好適である。
なお、基材としては、ＣＮＴの製造に用いた使用済みの触媒基材を使用（再利用）してもよい。また、基材には、成長工程中の浸炭（基材への炭素成分の浸透）による基材の変形を防止するための浸炭防止層が形成されていてもよい。因みに、本発明に係るカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法では、浸炭防止層を設けることなく、触媒担持層や触媒層を浸炭防止層として機能させてもよい。
<Base material>
Here, the base material of the catalyst base material is not particularly limited, and a member capable of maintaining the shape even at a high temperature of 500 ° C. or higher can be used. The material of the base material is, for example, iron, nickel, chromium, molybdenum, tungsten, titanium, aluminum, manganese, cobalt, copper, silver, gold, platinum, niobium, tantalum, lead, zinc, gallium, indium, germanium. And metals such as antimony and alloys and oxides containing these metals; non-metals such as silicon, quartz, glass, mica, graphite and diamond; and ceramics. Metals are preferable because they are low in cost compared to non-metals and ceramics, and in particular, Fe—Cr (iron-chromium) alloys, Fe—Ni (iron-nickel) alloys, Fe—Cr—Ni (iron-chromium—). Nickel) alloys and the like are preferred.
In addition, as a base material, you may use the used catalyst base material used for manufacture of CNT (reuse). Further, the base material may be provided with a carburization preventing layer for preventing deformation of the base material due to carburization (penetration of carbon component into the base material) during the growth process. Incidentally, in the method for producing an aligned carbon nanotube assembly according to the present invention, the catalyst support layer or the catalyst layer may function as the carburization preventing layer without providing the carburization preventing layer.
基材の形態は、平板状、ブロック状および球状などが挙げられ、特に体積の割に表面積を大きくとれ、取扱い性に優れる平板状または球状がＣＮＴ成長実効面積を大きくしてＣＮＴを大量に製造する場合において有利である。 The shape of the substrate includes flat plate, block, and sphere, etc. Especially, the surface area can be increased for the volume, and the plate shape or sphere that excels in handleability increases the effective area of CNT growth and produces a large amount of CNT. This is advantageous.
なお、基材として平板状の部材（基板）を使用する場合、基板の厚さに特に制限はなく、例えば数μｍ程度の薄膜から数ｃｍ程度までのものを用いることができる。基板の厚さは、好ましくは、０．０５ｍｍ以上３ｍｍ以下である。基板の厚さが３ｍｍ以下であれば、成長工程で基板を十分に加熱してＣＮＴの成長不良を抑制することができると共に、基板のコストを低減できる。また、基板の厚さが０．０５ｍｍ以上であれば、浸炭による基板の変形を抑えることができると共に、基板自体のたわみが起こりにくいため基板の搬送や再利用に有利である。
そして、基材として用いる平板状基板の形状、大きさに特に制限はないが、形状としては、長方形もしくは正方形のものを用いることができる。基板の一辺の長さに特に制限はないが、ＣＮＴ成長実効面積を十分に確保してＣＮＴを大量に製造する観点からは、基板の一辺の長さは例えば２００ｍｍ以上とすることが好ましく、５００ｍｍ以上とすることがより好ましい。なお、基板の一辺の長さの上限は、通常、１０００ｍｍ程度である。
In addition, when using a flat member (board | substrate) as a base material, there is no restriction | limiting in particular in the thickness of a board | substrate, For example, the thing from about several micrometers thin film to about several cm can be used. The thickness of the substrate is preferably 0.05 mm or more and 3 mm or less. If the thickness of the substrate is 3 mm or less, it is possible to sufficiently heat the substrate in the growth step to suppress CNT growth failure and to reduce the cost of the substrate. In addition, if the thickness of the substrate is 0.05 mm or more, the deformation of the substrate due to carburization can be suppressed, and the substrate itself is less likely to bend, which is advantageous for transport and reuse of the substrate.
And there is no restriction | limiting in particular in the shape and magnitude | size of the flat board | substrate used as a base material, As a shape, a rectangular or square thing can be used. The length of one side of the substrate is not particularly limited, but from the viewpoint of producing a large amount of CNTs with a sufficient CNT growth effective area, the length of one side of the substrate is preferably 200 mm or more, for example, 500 mm. More preferably. The upper limit of the length of one side of the substrate is usually about 1000 mm.
また、基材として用いる球状の部材（球状基板）の球形度としては、目視観察により一見して球状と把握される程度であれば、特に限定されない。球状基板の直径は、好ましくは、１ｍｍ以上１０ｍｍ以下である。球状基板の直径が１０ｍｍ以下であれば、成長工程で球状基板を十分に加熱してＣＮＴの成長不良を抑制することができると共に、球状基板のコストを低減できる。また、球状基板の直径が１ｍｍ以上であれば、浸炭による球状基板の変形を抑えることができると共に、球状基板の搬送や再利用に有利である。なお、球状基板を複数用いる場合（即ち、集合体として用いる場合）には、同一の直径を有する球状基板を複数用いてもよいし、或いは、互いに異なる直径を有する球状基板を複数用いてもよい。また、球状基板を複数用いる場合、複数の球状基板の材質は、それぞれ同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。 Further, the sphericity of the spherical member (spherical substrate) used as the base material is not particularly limited as long as it can be grasped as a spherical shape by visual observation. The diameter of the spherical substrate is preferably 1 mm or more and 10 mm or less. If the diameter of the spherical substrate is 10 mm or less, it is possible to sufficiently heat the spherical substrate in the growth process to suppress CNT growth failure and to reduce the cost of the spherical substrate. Further, if the diameter of the spherical substrate is 1 mm or more, the deformation of the spherical substrate due to carburization can be suppressed, and it is advantageous for the transportation and reuse of the spherical substrate. When a plurality of spherical substrates are used (that is, when used as an aggregate), a plurality of spherical substrates having the same diameter may be used, or a plurality of spherical substrates having different diameters may be used. . When a plurality of spherical substrates are used, the materials of the plurality of spherical substrates may be the same or different from each other.
＜触媒担持層＞
基材上に設けられる触媒担持層は、「下地層」とも称されるものであり、ＣＮＴ合成用触媒が担持される層である。そして、本発明に係るカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法では、触媒担持層の材料として、窒化アルミニウムを用いることを必要とする。このように、触媒担持層の材料として窒化アルミニウムを用いることにより、高品質なＣＮＴの大量生産が可能になる。
<Catalyst support layer>
The catalyst-carrying layer provided on the substrate is also referred to as “underlayer”, and is a layer on which a CNT synthesis catalyst is carried. And in the manufacturing method of the aligned carbon nanotube assembly which concerns on this invention, it is required to use aluminum nitride as a material of a catalyst support layer. Thus, by using aluminum nitride as the material for the catalyst support layer, mass production of high-quality CNTs becomes possible.
ここで、窒化アルミニウムよりなる触媒担持層を基材上に形成する方法としては、特に限定されることなく、パルスレーザー堆積法（ＰＬＤ）、レーザーアブレーション法、スパッタリング法およびエアロゾルデポジション法などの物理的気相蒸着法（ＰＶＤ）、並びに、原子層堆積法（ＡＬＤ）、有機金属化学気相堆積法（ＭＯＣＶＤ）およびプラズマ支援気相堆積法（プラズマＣＶＤ）などの化学気相蒸着法（ＣＶＤ）を用いることができる。中でも、スパッタリング法を用いることが好ましく、反応性スパッタリング法を用いることが更に好ましい。所望の厚さおよび形状の窒化アルミニウムからなる触媒担持層を容易に形成することができるからである。 Here, the method for forming the catalyst support layer made of aluminum nitride on the substrate is not particularly limited, and physical methods such as pulse laser deposition (PLD), laser ablation, sputtering, and aerosol deposition are used. Chemical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (CVD) such as atomic layer deposition (ALD), metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) and plasma assisted vapor deposition (plasma CVD) Can be used. Among these, it is preferable to use a sputtering method, and it is more preferable to use a reactive sputtering method. This is because a catalyst supporting layer made of aluminum nitride having a desired thickness and shape can be easily formed.
なお、スパッタリング法を用いて触媒担持層を形成する場合には、触媒担持層を形成する前に逆スパッタリングを行って基材表面の汚れを除去することが好ましい。また、スパッタリング装置内の圧力は、例えば０．０１〜１０Ｐａ程度に調整することが好ましい。更に、反応性スパッタリング法を用いる場合、アルゴンなどの不活性ガスと窒素などの反応性ガスとの流量の比率は、１０：１〜１：１０程度に調整することが好ましい。上記の条件で触媒担持層を形成した触媒基材を用いれば、得られるＣＮＴの品質および触媒基材の単位面積当たりのＣＮＴの収量を向上させることができるからである。 In addition, when forming a catalyst support layer using sputtering method, it is preferable to remove the stain | pollution | contamination on the base-material surface by performing reverse sputtering before forming a catalyst support layer. Moreover, it is preferable to adjust the pressure in a sputtering device to about 0.01-10 Pa, for example. Furthermore, when the reactive sputtering method is used, it is preferable to adjust the flow rate ratio between an inert gas such as argon and a reactive gas such as nitrogen to about 10: 1 to 1:10. This is because the use of a catalyst base having a catalyst support layer formed under the above conditions can improve the quality of the obtained CNT and the yield of CNT per unit area of the catalyst base.
そして、基材上に形成する触媒担持層の厚みは、ＣＮＴを安定的に成長させて高品質なＣＮＴを製造する観点からは１０ｎｍ以上であることが好ましく、また、ＣＮＴの収量を高める観点からは１００ｎｍ以下であることが好ましい。 The thickness of the catalyst support layer formed on the substrate is preferably 10 nm or more from the viewpoint of stably growing CNTs and producing high-quality CNTs, and from the viewpoint of increasing the yield of CNTs. Is preferably 100 nm or less.
＜触媒層＞
触媒基材の触媒層は、触媒担持層上に担持されたＣＮＴ合成用触媒により形成されている。そして、触媒層を構成するＣＮＴ合成用触媒としては、化学気相成長法によるＣＮＴの合成に用いられる既知の触媒、例えば、鉄、ニッケル、コバルト、モリブデン、並びに、これらの塩化物および合金を用いることができる。
<Catalyst layer>
The catalyst layer of the catalyst base is formed by a CNT synthesis catalyst supported on the catalyst support layer. And as a catalyst for CNT synthesis | combination which comprises a catalyst layer, the known catalyst used for the synthesis | combination of CNT by a chemical vapor deposition method, for example, iron, nickel, cobalt, molybdenum, and these chlorides and alloys are used. be able to.
ここで、触媒担持層上へのＣＮＴ合成用触媒の担持（触媒層の形成）には、ウェットプロセスまたはドライプロセスのいずれを適用してもよい。具体的には、触媒層の形成には、スパッタリング蒸着法や、金属微粒子または金属化合物を適宜な溶媒に分散または溶解させてなる液体の塗布・焼成による方法などを用いることができる。中でも、触媒となる元素を含んだ金属有機化合物および／または金属塩を有機溶剤に溶解したコーティング剤を触媒担持層上へ塗布し、塗布したコーティング剤を加熱して触媒層を形成することが好ましい。なお、触媒層の形成に当たっては、周知のフォトリソグラフィーやナノインプリンティング等を適用したパターニングを併用して、触媒層の形成領域を任意の形状とすることもできる。 Here, either a wet process or a dry process may be applied to support the catalyst for CNT synthesis on the catalyst support layer (formation of the catalyst layer). Specifically, the catalyst layer can be formed by a sputtering vapor deposition method, a method of applying or baking a liquid in which metal fine particles or a metal compound are dispersed or dissolved in an appropriate solvent, and the like. Among them, it is preferable to apply a coating agent prepared by dissolving a metal organic compound and / or metal salt containing an element serving as a catalyst in an organic solvent onto the catalyst support layer, and heating the applied coating agent to form a catalyst layer. . In forming the catalyst layer, the formation region of the catalyst layer can be formed into an arbitrary shape by using patterning using well-known photolithography, nanoimprinting, or the like.
そして、触媒担持層上に担持するＣＮＴ合成用触媒の量は、ＣＮＴの製造が可能な範囲であれば任意の量とすることができる。また、触媒層の厚さは、ＣＮＴを安定的に成長させて高品質なＣＮＴを製造する観点からは１ｎｍ以上であることが好ましく、また、ＣＮＴの収量を高める観点からは１０ｎｍ以下であることが好ましい。 The amount of the CNT synthesis catalyst supported on the catalyst support layer can be set to any amount as long as CNT can be produced. In addition, the thickness of the catalyst layer is preferably 1 nm or more from the viewpoint of producing high-quality CNTs by stably growing CNTs, and is 10 nm or less from the viewpoint of increasing the yield of CNTs. Is preferred.
＜ＣＮＴ成長実効面積＞
本発明に係るカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法では、ＣＮＴを大量に合成する観点から、上述した基材、触媒担持層および触媒層を有する触媒基材を、ＣＮＴ成長実効面積が４００ｃｍ2以上、好ましくは２５００ｃｍ2以上となるように、カーボンナノチューブ配向集合体の製造装置の成長炉に搬入する。具体的には、例えば、触媒担持層および触媒層が形成された部分の表面積が４００ｃｍ2以上の一つの触媒基材を成長炉に一度に搬入し、或いは、触媒担持層および触媒層が形成された部分のうち外側に露出している部分の合計表面積が４００ｃｍ2以上となるように複数の触媒基材を集合させてなる集合体を成長炉に一度に搬入して、成長工程を実施する。
<CNT growth effective area>
In the method for producing an aligned carbon nanotube assembly according to the present invention, from the viewpoint of synthesizing a large amount of CNTs, the above-mentioned base material, catalyst support layer and catalyst base material having a catalyst layer have a CNT growth effective area of 400 cm 2 or more, It is carried into the growth furnace of the apparatus for producing an aligned carbon nanotube aggregate so as to be preferably 2500 cm 2 or more. Specifically, for example, one catalyst base material having a surface area of 400 cm 2 or more in the portion where the catalyst supporting layer and the catalyst layer are formed is carried into the growth furnace at one time, or the catalyst supporting layer and the catalyst layer are formed. An assembly formed by aggregating a plurality of catalyst bases is carried into a growth furnace at a time so that the total surface area of the exposed portions of the portions is 400 cm 2 or more, and a growth process is performed.
（フォーメーション工程）
そして、本発明に係るカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法において任意に実施するフォーメーション工程では、上述した触媒基材または触媒基材の集合体のＣＮＴ合成用触媒の周囲環境を還元ガス環境とすると共に、ＣＮＴ合成用触媒および／または還元ガスを加熱する。このフォーメーション工程により、ＣＮＴ合成用触媒の還元、ＣＮＴ合成用触媒のＣＮＴの成長に適合した状態である微粒子化の促進、および、ＣＮＴ合成用触媒の活性向上のうち少なくとも一つの効果が現れる。
(Formation process)
In the formation step optionally performed in the method for producing an aligned carbon nanotube aggregate according to the present invention, the ambient environment around the catalyst for CNT synthesis of the catalyst base or the aggregate of catalyst bases described above is a reducing gas environment. The catalyst for CNT synthesis and / or the reducing gas is heated. By this formation step, at least one of the effects of reduction of the CNT synthesis catalyst, promotion of micronization that is suitable for the growth of CNT of the CNT synthesis catalyst, and improvement of the activity of the CNT synthesis catalyst appears.
なお、還元ガスとしては、例えば、水素ガス、アンモニア、水蒸気、および、それらの混合ガス、或いは、これらをヘリウムガス、アルゴンガス、窒素ガス等の不活性ガスと混合した混合ガスを用いることができる。
また、ＣＮＴ合成用触媒および／または還元ガスの温度は、好ましくは４００℃以上１１００℃以下とすることができる。
更に、フォーメーション工程の実施時間は、３分以上３０分以下が好ましい。フォーメーション工程の時間がこの範囲であれば、触媒微粒子の粗大化が防止され、後段の成長工程における多層カーボンナノチューブの生成を抑制することができる。
As the reducing gas, for example, hydrogen gas, ammonia, water vapor, and a mixed gas thereof, or a mixed gas in which these gases are mixed with an inert gas such as helium gas, argon gas, or nitrogen gas can be used. .
The temperature of the CNT synthesis catalyst and / or the reducing gas can be preferably 400 ° C. or higher and 1100 ° C. or lower.
Furthermore, the execution time of the formation process is preferably 3 minutes or more and 30 minutes or less. If the time of the formation step is within this range, the catalyst fine particles are prevented from becoming coarse, and the generation of multi-walled carbon nanotubes in the subsequent growth step can be suppressed.
（成長工程）
成長工程では、ＣＮＴ合成用触媒を有する触媒基材または触媒基材の集合体上に、原料ガスと、任意に触媒賦活物質とを供給して触媒基材または触媒基材の集合体の周囲環境を原料ガス環境とすると共に、ＣＮＴ合成用触媒および原料ガスのうち少なくとも一方を加熱して、触媒基材上にＣＮＴを成長させる。すなわち、成長工程では、例えばフォーメーション工程を行った後の触媒基材または触媒基材の集合体上に、化学気相成長法（ＣＶＤ）法によりＣＮＴを成長させる。この工程により、基材上にＣＮＴ配向集合体が成長する。
なお、成長工程では、ＣＮＴの成長反応が行なわれる雰囲気中に触媒賦活物質を存在させることによって、ＣＮＴの生産効率や純度をより一層改善することができる。
(Growth process)
In the growth process, a raw material gas and, optionally, a catalyst activation material are supplied onto a catalyst substrate or a catalyst substrate assembly having a catalyst for CNT synthesis, and the surrounding environment of the catalyst substrate or the catalyst substrate assembly And at least one of the CNT synthesis catalyst and the source gas is heated to grow CNTs on the catalyst substrate. That is, in the growth process, for example, CNTs are grown on the catalyst base or the aggregate of catalyst bases after the formation process by a chemical vapor deposition (CVD) method. By this step, the aligned CNT aggregate grows on the substrate.
In the growth step, the production efficiency and purity of CNT can be further improved by allowing the catalyst activator to be present in the atmosphere in which the CNT growth reaction takes place.
ここで、成長工程で使用する原料ガスは、ＣＮＴの原料となる物質であればよく、例えば、ＣＮＴの成長反応を進行させる温度において原料炭素源を有するガスである。なかでも、原料ガスとしては、メタン、エタン、エチレン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、プロピレンおよびアセチレンなどの炭化水素が好適であり、効率よくＣＮＴを製造することができるため、エチレンであることが特に好適である。この他にも、メタノール、エタノールなどの低級アルコールを原料ガスとして用いてもよい。これらの混合物も使用可能である。また原料ガスは、不活性ガスで希釈されていてもよい。 Here, the raw material gas used in the growth step may be any material that is a raw material for CNT, for example, a gas having a raw material carbon source at a temperature at which the growth reaction of CNT proceeds. Among these, hydrocarbons such as methane, ethane, ethylene, propane, butane, pentane, hexane, heptane, propylene, and acetylene are suitable as the source gas, and ethylene can be efficiently produced. It is particularly preferred. In addition, lower alcohols such as methanol and ethanol may be used as the raw material gas. Mixtures of these can also be used. The source gas may be diluted with an inert gas.
原料ガスを希釈する不活性ガスは、ＣＮＴが成長する温度で不活性であり、ＣＮＴ合成用触媒の活性を低下させず、且つ、成長するＣＮＴと反応しないガスであればよい。不活性ガスとしては、例えば、ヘリウム、アルゴン、窒素、ネオンおよびクリプトンなど、並びに、これらの混合ガスを例示できる。中でも、特に窒素、ヘリウム、アルゴンおよびこれらの混合ガスが好適である。 The inert gas for diluting the raw material gas may be any gas that is inert at the temperature at which the CNT grows, does not decrease the activity of the CNT synthesis catalyst, and does not react with the growing CNT. Examples of the inert gas include helium, argon, nitrogen, neon, krypton, and a mixed gas thereof. Of these, nitrogen, helium, argon, and a mixed gas thereof are particularly preferable.
成長工程で任意に使用する触媒賦活物質としては、酸素を含む物質が好ましく、ＣＮＴの成長温度でＣＮＴに多大なダメージを与えない物質がさらに好ましい。例えば、水、酸素、オゾン、酸性ガス、酸化窒素；一酸化炭素および二酸化炭素などの低炭素数の含酸素化合物；エタノール、メタノールなどのアルコール類；テトラヒドロフランなどのエーテル類；アセトンなどのケトン類；アルデヒド類；エステル類；並びにこれらの混合物が触媒賦活物質として有用である。この中でも、水、酸素、二酸化炭素、一酸化炭素、エーテル類が好ましく、特に水および二酸化炭素が好適である。 The catalyst activation material that is optionally used in the growth step is preferably a material containing oxygen, and more preferably a material that does not cause significant damage to the CNT at the growth temperature of the CNT. For example, water, oxygen, ozone, acid gas, nitric oxide; low carbon number oxygen-containing compounds such as carbon monoxide and carbon dioxide; alcohols such as ethanol and methanol; ethers such as tetrahydrofuran; ketones such as acetone; Aldehydes; esters; as well as mixtures thereof are useful as catalyst activators. Among these, water, oxygen, carbon dioxide, carbon monoxide, and ethers are preferable, and water and carbon dioxide are particularly preferable.
触媒賦活物質の添加量に格別な制限はないが、ＣＮＴ合成用触媒の周囲環境中の濃度で、水の場合には、好ましくは１０体積ｐｐｍ以上１００００体積ｐｐｍ以下、より好ましくは５０体積ｐｐｍ以上１０００体積ｐｐｍ以下、さらに好ましくは１００体積ｐｐｍ以上７００体積ｐｐｍ以下の範囲とするとよい。また触媒賦活物質が二酸化炭素の場合には、好ましくは０．２体積％以上７０体積％以下、より好ましくは０．３体積％以上５０体積％以下、さらに好ましくは０．７体積％以上２０体積％以下とするとよい。 Although there is no particular limitation on the amount of the catalyst activator added, it is preferably 10 volume ppm or more and 10000 volume ppm or less, more preferably 50 volume ppm or more in the case of water at a concentration in the ambient environment of the catalyst for CNT synthesis. It is good to set it as 1000 volume ppm or less, More preferably, it is the range of 100 volume ppm or more and 700 volume ppm or less. When the catalyst activator is carbon dioxide, it is preferably 0.2% by volume or more and 70% by volume or less, more preferably 0.3% by volume or more and 50% by volume or less, and further preferably 0.7% by volume or more and 20% by volume. % Or less.
ここで、触媒賦活物質が機能するメカニズムは、現時点では以下のように推測される。ＣＮＴの成長過程において、副次的に発生したアモルファスカーボンおよびグラファイトなどがＣＮＴ合成用触媒に付着するとＣＮＴ合成用触媒は失活してしまいＣＮＴの成長が阻害される。しかし、触媒賦活物質が存在すると、アモルファスカーボンおよびグラファイトなどを一酸化炭素および二酸化炭素などに酸化させることでガス化するため、触媒層が清浄化され、ＣＮＴ合成用触媒の活性を高め且つ活性寿命を延長させる作用（触媒賦活作用）が発現すると考えられている。 Here, the mechanism by which the catalyst activator functions is assumed as follows at present. In the CNT growth process, if secondary carbon generated, such as amorphous carbon and graphite, adheres to the CNT synthesis catalyst, the CNT synthesis catalyst is deactivated and the CNT growth is inhibited. However, in the presence of a catalyst activator, amorphous carbon and graphite are gasified by oxidizing them to carbon monoxide and carbon dioxide, so the catalyst layer is cleaned, the activity of the catalyst for CNT synthesis is increased, and the active life is increased. It is thought that an action to prolong the catalyst (catalyst activation action) appears.
なお、例えばアルコール類や一酸化炭素などのような炭素と酸素とを含有する化合物は、原料ガスとしても触媒賦活物質としても作用し得る。例えば、これらは、分解して炭素源となりやすい原料ガス（例えば、エチレンなど）と併用する場合には、触媒賦活物質として作用すると推測される。一方、これらは、水などの活性が高い触媒賦活物質と併用する場合には、原料ガスとして作用するものと推測される。さらに、一酸化炭素などは、分解して生じる炭素原子がＣＮＴの成長反応の炭素源となる一方で、酸素原子がアモルファスカーボンおよびグラファイトなどを酸化してガス化する触媒賦活物質としても作用するものと推測される。 For example, a compound containing carbon and oxygen such as alcohols or carbon monoxide can act as a raw material gas or a catalyst activator. For example, they are presumed to act as a catalyst activator when used in combination with a raw material gas (for example, ethylene) that is likely to decompose and become a carbon source. On the other hand, these are presumed to act as a raw material gas when used in combination with a highly active catalyst activation material such as water. In addition, carbon monoxide, etc., acts as a catalyst activator that oxidizes and gasifies amorphous carbon, graphite, etc., while carbon atoms generated by decomposition become a carbon source for the growth reaction of CNTs It is guessed.
そして、成長工程では、ＣＮＴ合成用触媒および原料ガスは、その両方を加熱することが好ましい。
また、加熱する温度は、ＣＮＴの成長が可能な温度であればよいが、好ましくは４００℃以上１１００℃以下であり、より好ましくは６００℃以上９００℃以下である。上記温度範囲内であれば、触媒賦活物質の効果を良好に発現させることができ、かつ、触媒賦活物質が生成したＣＮＴと反応することを抑制できる。
更に、成長工程における圧力は、１０2Ｐａ以上１０7Ｐａ（１００大気圧）以下が好ましく、１０4Ｐａ以上３×１０5Ｐａ（３大気圧）以下が更に好ましい。
また、成長工程における原料ガス雰囲気は、高炭素濃度環境であることが好ましい。高炭素濃度環境とは、全流量に対する原料ガスの割合が２〜２０％程度であることをいう。特に触媒賦活物質存在下においては、触媒活性が著しく向上するため、高炭素濃度環境化においても、ＣＮＴ合成用触媒は活性を失わず、長時間のＣＮＴの成長が可能となると共に、成長速度が著しく向上する。
In the growth step, it is preferable to heat both the CNT synthesis catalyst and the raw material gas.
The heating temperature may be any temperature at which CNT can be grown, but is preferably 400 ° C. or higher and 1100 ° C. or lower, and more preferably 600 ° C. or higher and 900 ° C. or lower. If it is in the said temperature range, the effect of a catalyst activation material can be expressed favorably, and it can suppress reacting with CNT which the catalyst activation material produced | generated.
Furthermore, the pressure in the growth step is preferably 10 2 Pa or more and 10 7 Pa (100 atmospheric pressure) or less, more preferably 10 4 Pa or more and 3 × 10 5 Pa (3 atmospheric pressure) or less.
The source gas atmosphere in the growth process is preferably a high carbon concentration environment. High carbon concentration environment means that the ratio of the raw material gas to the total flow rate is about 2 to 20%. In particular, in the presence of a catalyst activation material, the catalytic activity is remarkably improved, so that even in a high carbon concentration environment, the catalyst for CNT synthesis does not lose its activity, and it is possible to grow CNT for a long time and the growth rate is high. Remarkably improved.
なお、上述した成長工程では、触媒基材または触媒基材の集合体のＣＮＴ成長実効面積を４００ｃｍ2以上とし、且つ、触媒基材の触媒担持層を窒化アルミニウムで形成しているので、合成されるＣＮＴの品質を低下させることなく、例えば１８ｇ／時間以上、好ましくは３６ｇ／時間以上の速度でＣＮＴを大量に製造することができる。 In the growth process described above, the catalyst substrate or the aggregate of catalyst substrates has an effective CNT growth area of 400 cm 2 or more, and the catalyst support layer of the catalyst substrate is formed of aluminum nitride. For example, a large amount of CNTs can be produced at a rate of 18 g / hour or more, preferably 36 g / hour or more without degrading the quality of the CNTs.
（カーボンナノチューブの品質）
そして、上述した成長工程では、例えば以下に挙げる性状の少なくとも一つを満たすような高品質なＣＮＴの配向集合体が得られる。
(Quality of carbon nanotube)
In the growth process described above, a high-quality aligned CNT aggregate satisfying at least one of the following properties, for example, is obtained.
＜構造＞
ＣＮＴは、単層から５層までのカーボンナノチューブであることが好ましく、単層カーボンナノチューブであることがより好ましい。
<Structure>
The CNT is preferably a single-walled to carbon-walled carbon nanotube, more preferably a single-walled carbon nanotube.
＜サイズ＞
ＣＮＴの平均直径は、０．５ｎｍ以上であることが好ましく、１ｎｍ以上であることが更に好ましく、また、１５ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以下であることが更に好ましい。
また、ＣＮＴは、合成時における構造体の平均長さが１００μｍ以上５０００μｍ以下であることが好ましく、３００μｍ以上２０００μｍ以下であることがより好ましい。
<Size>
The average diameter of the CNTs is preferably 0.5 nm or more, more preferably 1 nm or more, more preferably 15 nm or less, and further preferably 10 nm or less.
In addition, the average length of the CNT in the synthesis is preferably 100 μm or more and 5000 μm or less, and more preferably 300 μm or more and 2000 μm or less.
＜比表面積＞
ＣＮＴのＢＥＴ比表面積は、ＣＮＴが主として未開口のものにあっては、好ましくは６００ｍ2／ｇ以上であり、より好ましくは、８００ｍ2／ｇ以上である。ＢＥＴ比表面積が高いほど、金属などの不純物または炭素不純物の量を低く抑えることができる。
<Specific surface area>
The BET specific surface area of the CNT is preferably 600 m 2 / g or more, more preferably 800 m 2 / g or more when the CNT is mainly unopened. The higher the BET specific surface area, the lower the amount of impurities such as metals or carbon impurities.
＜Ｇ／Ｄ比＞
ＣＮＴのＧ／Ｄ比は、好ましくは１以上２０以下である。ここで、Ｇ／Ｄ比とはＣＮＴの品質を評価するのに一般的に用いられている指標である。ラマン分光装置によって測定されるＣＮＴのラマンスペクトルには、Ｇバンド（１６００ｃｍ-1付近）とＤバンド（１３５０ｃｍ-1付近）と呼ばれる振動モードが観測される。ＧバンドはＣＮＴの円筒面であるグラファイトの六方格子構造由来の振動モードであり、Ｄバンドは非晶箇所に由来する振動モードである。よって、Ｄバンドピーク強度に対するＧバンドピーク強度の比（Ｇ／Ｄ比）が高いものほど、結晶性の高いＣＮＴと評価できる。
<G / D ratio>
The G / D ratio of CNT is preferably 1 or more and 20 or less. Here, the G / D ratio is an index generally used for evaluating the quality of CNTs. The Raman spectra of CNT measured by Raman spectroscopy system, the vibration mode is observed, called G band (1600 cm -1 vicinity) and D-band (1350 cm around -1). The G band is a vibration mode derived from a hexagonal lattice structure of graphite, which is a cylindrical surface of CNT, and the D band is a vibration mode derived from an amorphous part. Therefore, the higher the ratio of the G band peak intensity to the D band peak intensity (G / D ratio), the higher the crystallinity of the CNT.
＜面積密度＞
触媒基材の触媒層上のＣＮＴ配向集合体の面積密度（触媒層の単位面積当たりの合成量）は、０．４ｍｇ／ｃｍ2以上１０ｍｇ／ｃｍ2以下であることが好ましい。
<Area density>
The area density of the aligned CNT aggregate on the catalyst layer of the catalyst base (the synthesis amount per unit area of the catalyst layer) is preferably 0.4 mg / cm 2 or more and 10 mg / cm 2 or less.
＜炭素純度＞
ＣＮＴの炭素純度は、９０質量％以上であることが好ましく、９５質量％以上であることがより好ましい。
<Carbon purity>
The carbon purity of the CNT is preferably 90% by mass or more, and more preferably 95% by mass or more.
＜ｔ−プロット＞
また、ＣＮＴは、未開口であり、且つ、吸着等温線から得られるｔ−プロットが上に凸な形状を示すのが好ましい。ここで、ｔ−プロットは、ＣＮＴについて窒素ガス吸着法で測定された吸着等温線において、相対圧を窒素ガス吸着層の平均厚みｔ（ｎｍ）に変換することによって得られる（ｄｅ Ｂｏｅｒらによるｔ−プロット法）。そして、ｔ−プロットが上に凸な形状であることは、ＣＮＴの全比表面積に対する内部比表面積の割合が大きく、ＣＮＴの側壁に多数の開口が形成されていることを示す。
更に、上述した形状のｔ−プロットを示すＣＮＴは、ｔ−プロットの屈曲点が、０．２≦ｔ（ｎｍ）≦１．５の範囲にあることがより好ましく、０．４５≦ｔ（ｎｍ）≦１．５の範囲にあることが更に好ましく、０．５５≦ｔ（ｎｍ）≦１．０の範囲にあることが特に好ましい。また、ＣＮＴの全比表面積Ｓ１に対する内部比表面積Ｓ２の割合（Ｓ２／Ｓ１）は、０．０５≦Ｓ２／Ｓ１≦０．３０を満たすのが好ましい。
なお、吸着等温線やｔ−プロットの作成、および、ｔ−プロットの解析に基づく全比表面積Ｓ１および内部比表面積Ｓ２の算出は、例えば、市販の測定装置である「ＢＥＬＳＯＲＰ（登録商標）−ｍｉｎｉ」（日本ベル（株）社製）を用いて行うことができる。
<T-plot>
Moreover, it is preferable that CNT is unopened and the t-plot obtained from the adsorption isotherm shows a convex shape. Here, the t-plot is obtained by converting the relative pressure into the average thickness t (nm) of the nitrogen gas adsorption layer in the adsorption isotherm measured for the CNT by the nitrogen gas adsorption method (t according to de Boer et al. -Plot method). And that the t-plot has an upwardly convex shape indicates that the ratio of the internal specific surface area to the total specific surface area of the CNT is large, and a large number of openings are formed on the side walls of the CNT.
Further, in the CNT showing the t-plot having the above-described shape, the bending point of the t-plot is more preferably in the range of 0.2 ≦ t (nm) ≦ 1.5, and 0.45 ≦ t (nm ) ≦ 1.5, more preferably 0.55 ≦ t (nm) ≦ 1.0. Further, the ratio (S2 / S1) of the internal specific surface area S2 to the total specific surface area S1 of the CNT preferably satisfies 0.05 ≦ S2 / S1 ≦ 0.30.
The calculation of the total specific surface area S1 and the internal specific surface area S2 based on the creation of the adsorption isotherm and t-plot and the analysis of the t-plot is, for example, “BELSORP (registered trademark) -mini” which is a commercially available measuring device. "(Manufactured by Nippon Bell Co., Ltd.).
（カーボンナノチューブ配向集合体の製造装置）
そして、上述した本発明に係るカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法を用いたカーボンナノチューブ配向集合体の製造は、特に限定されることなく、成長工程を実施可能な成長炉を備える既知の製造装置を用いて実施することができる。具体的には、カーボンナノチューブ配向集合体の製造装置としては、例えば、図１に示すような回分式の製造装置や、図２に示すような連続式の製造装置を用いることができる。
(Production equipment for aligned carbon nanotube assemblies)
And the manufacture of the aligned carbon nanotube assembly using the method for manufacturing the aligned carbon nanotube assembly according to the present invention is not particularly limited, and a known manufacturing apparatus including a growth furnace capable of performing the growth process is used. Can be implemented. Specifically, for example, a batch-type manufacturing apparatus as shown in FIG. 1 or a continuous manufacturing apparatus as shown in FIG. 2 can be used as the apparatus for manufacturing an aligned carbon nanotube assembly.
＜カーボンナノチューブ配向集合体の製造装置の一例＞
ここで、図１に示す製造装置１０は、成長炉１３、加熱器１４、ガス導入口１５、および、ガス排出口１６を備えている。そして、製造装置１０では、ＣＮＴを成長させる触媒基材１２を成長炉１３内に搬入した後、ガス導入口１５から必要なガスの供給等を行ないつつ、一つの炉（成長炉１３）内でフォーメーション工程および成長工程が実施される。
なお、図１では、カーボンナノチューブ成長実効面積が４００ｃｍ2以上の平板状の触媒基材１２を一枚のみ成長炉１３内に搬入した場合を示しているが、製造装置１０内にはカーボンナノチューブ成長実効面積が４００ｃｍ2以上となるように触媒基材の集合体を搬入してもよい。
<An example of an apparatus for producing an aligned aggregate of carbon nanotubes>
Here, the manufacturing apparatus 10 shown in FIG. 1 includes a growth furnace 13, a heater 14, a gas inlet 15, and a gas outlet 16. In the manufacturing apparatus 10, after the catalyst base material 12 for growing CNTs is carried into the growth furnace 13, the necessary gas is supplied from the gas inlet 15 and the like in one furnace (growth furnace 13). A formation process and a growth process are performed.
FIG. 1 shows the case where only one flat catalyst base 12 having a carbon nanotube growth effective area of 400 cm 2 or more is carried into the growth furnace 13. You may carry in the aggregate | assembly of a catalyst base material so that an effective area may be 400 cm < 2 > or more.
＜カーボンナノチューブ配向集合体の製造装置の他の例＞
また、図２に示す製造装置１００は、入口パージ部１、フォーメーションユニット２、ガス混入防止手段１０１〜１０３、成長ユニット３、冷却ユニット４、出口パージ部５、搬送ユニット６、および、接続部７〜９を備えている。そして、製造装置１００では、ＣＮＴを成長させる触媒基材２０を搬送ユニット６で搬送しつつ、フォーメーションユニット２を通過する触媒基材２０に対してフォーメーション工程を実施し、成長ユニット３を通過する触媒基材２０に対して成長工程を実施し、冷却ユニット４を通過する触媒基材２０に対して冷却工程を実施する。
なお、図２では、カーボンナノチューブ成長実効面積が４００ｃｍ2以上の平板状の触媒基材２０を所定の間隔を空けて断続的に各ユニット内に搬入した場合を示しているが、製造装置１００では、カーボンナノチューブ成長実効面積が４００ｃｍ2以上となるように穴あき容器等に収容した複数の触媒基材の集合体を所定の間隔を空けて断続的に搬入してもよい。
<Another example of an apparatus for producing an aligned aggregate of carbon nanotubes>
Also, the manufacturing apparatus 100 shown in FIG. 2 includes an inlet purge unit 1, a formation unit 2, gas mixing prevention means 101 to 103, a growth unit 3, a cooling unit 4, an outlet purge unit 5, a transport unit 6, and a connection unit 7. ~ 9. And in the manufacturing apparatus 100, the catalyst base material 20 which grows CNT is conveyed with the conveyance unit 6, a formation process is implemented with respect to the catalyst base material 20 which passes the formation unit 2, and the catalyst which passes the growth unit 3 is shown. The growth process is performed on the base material 20, and the cooling process is performed on the catalyst base material 20 that passes through the cooling unit 4.
FIG. 2 shows a case where the flat catalyst base material 20 having an effective area for growing carbon nanotubes of 400 cm 2 or more is intermittently carried into each unit at a predetermined interval. Alternatively, an assembly of a plurality of catalyst base materials housed in a perforated container or the like may be intermittently carried at a predetermined interval so that the carbon nanotube growth effective area becomes 400 cm 2 or more.
ここで、製造装置１００において、入口パージ部１は、パージガスを上下からシャワー状に噴射するガスカーテン構造を有し、入口からフォーメーションユニット２内に外部の空気が混入することを防止している。なお、パージガスとしては不活性ガスを用いることができる。そして、安全性、コスト、および、パージ性等の点からは、パージガスは窒素であることが好ましい。 Here, in the manufacturing apparatus 100, the inlet purge unit 1 has a gas curtain structure that injects purge gas in a shower shape from above and below, and prevents external air from being mixed into the formation unit 2 from the inlet. An inert gas can be used as the purge gas. The purge gas is preferably nitrogen from the viewpoints of safety, cost, purgeability, and the like.
また、フォーメーションユニット２は、還元ガスを保持するためのフォーメーション炉２ａと、還元ガスをフォーメーション炉２ａ内に噴射するための還元ガス噴射部２ｂと、触媒および還元ガスの少なくとも一方を加熱するためのヒーター２ｃと、フォーメーション炉２ａ内のガスを排気するための排気フード２ｄとにより構成されている。 The formation unit 2 also includes a formation furnace 2a for holding the reducing gas, a reducing gas injection unit 2b for injecting the reducing gas into the formation furnace 2a, and heating at least one of the catalyst and the reducing gas. The heater 2c and an exhaust hood 2d for exhausting the gas in the formation furnace 2a are configured.
更に、成長ユニット３は、成長工程を実現するための装置一式であり、触媒基材２０の周囲の環境を原料ガス環境に保持する炉である成長炉３ａと、原料ガスを触媒基材２０上に噴射するための原料ガス噴射部２００と、触媒および原料ガスの少なくとも一方を加熱するためのヒーター３ｂと、成長炉３ａ内のガスを排気するための排気フード３ｃとを含んでいる。また、成長ユニット３は、触媒賦活物質を供給するための触媒賦活物質噴射部（図示せず）を有していてもよい。なお、原料ガス噴射部２００は、触媒賦活物質噴射部を兼ねていてもよい。
ここで、成長ユニット３では、原料ガス噴射部２００から噴射される全ガス流量と、排気フード３ｃから排気される全ガス流量は、ほぼ同量または同量であることが好ましい。このようにすることで、原料ガスが成長炉３ａ外へ流出すること、および、成長炉３ａ外のガスが成長炉３ａ内に流入することを防止できる。
Further, the growth unit 3 is a set of apparatuses for realizing a growth process, and a growth furnace 3a which is a furnace for maintaining the environment around the catalyst base 20 in a source gas environment, and the source gas on the catalyst base 20 And a heater 3b for heating at least one of the catalyst and the source gas, and an exhaust hood 3c for exhausting the gas in the growth furnace 3a. The growth unit 3 may have a catalyst activation material injection unit (not shown) for supplying the catalyst activation material. The source gas injection unit 200 may also serve as a catalyst activation material injection unit.
Here, in the growth unit 3, it is preferable that the total gas flow rate injected from the source gas injection unit 200 and the total gas flow rate exhausted from the exhaust hood 3c are substantially the same amount or the same amount. By doing in this way, it can prevent that source gas flows out of growth furnace 3a, and gas outside growth furnace 3a flows into growth furnace 3a.
搬送ユニット６は、複数の触媒基材２０をＣＮＴ製造装置１００内に所定の間隔を空けて断続的に搬入するための装置一式であり、メッシュベルト６ａとベルト駆動部６ｂとを備えている。触媒基材２０は、搬送ユニット６によって、フォーメーションユニット２、成長ユニット３、および、冷却ユニット４の順に搬送されるようになっている。 The transport unit 6 is a set of apparatuses for intermittently carrying a plurality of catalyst base materials 20 into the CNT manufacturing apparatus 100 at a predetermined interval, and includes a mesh belt 6a and a belt driving unit 6b. The catalyst base 20 is transported by the transport unit 6 in the order of the formation unit 2, the growth unit 3, and the cooling unit 4.
接続部７〜９は、各ユニットの炉内空間を空間的に接続し、触媒基材２０がユニットからユニットへ搬送されるときに、触媒基材２０が外気に曝されることを防ぐ。接続部７〜９としては、例えば、触媒基材２０の周囲環境と外気とを遮断し、触媒基材２０をユニットからユニットへ通過させることができる炉またはチャンバなどが挙げられる。 The connection portions 7 to 9 spatially connect the in-furnace spaces of each unit, and prevent the catalyst base 20 from being exposed to the outside air when the catalyst base 20 is transported from unit to unit. Examples of the connecting portions 7 to 9 include a furnace or a chamber that blocks the ambient environment of the catalyst base 20 and the outside air and allows the catalyst base 20 to pass from unit to unit.
また、接続部７〜９には、ガス混入防止手段１０１〜１０３が設けられている。そして、ガス混入防止手段１０１〜１０３は、各ユニットの炉内空間に存在するガスが、相互に混入することを防ぐ。そして、ガス混入防止手段１０１〜１０３は、各炉における触媒基材２０の入口および出口の開口面に沿ってシールガスを噴出するシールガス噴射部１０１ｂ〜１０３ｂと、主に噴射されたシールガス（およびその他近傍のガス）を各炉内に入らないように吸引して装置外に排気する排気部１０１ａ〜１０３ａとを、それぞれ少なくとも１つ以上備えている。
なお、シールガスは、不活性ガスであることが好ましく、特に安全性、コストなどの点から窒素であることがより好ましい。また、シールガス噴射部１０１ｂ〜１０３ｂから噴射される全ガス流量と排気部１０１ａ〜１０３ａから排気される全ガス流量とはほぼ同量であることが好ましい。これによって、ガス混入防止手段１０１〜１０３を挟んだ両側の空間からのガスが相互に混入することを防止するとともに、シールガスが両側の空間に流出することも防止することが可能になる。
Moreover, the gas mixing prevention means 101-103 are provided in the connection parts 7-9. And the gas mixture prevention means 101-103 prevents the gas which exists in the furnace space of each unit from mixing with each other. The gas mixing prevention means 101 to 103 include seal gas injection units 101b to 103b that discharge seal gas along the opening surfaces of the inlet and outlet of the catalyst base 20 in each furnace, and mainly injected seal gas ( In addition, at least one exhaust part 101a to 103a that sucks the exhaust gas and exhausts it outside the apparatus so as not to enter each furnace.
The seal gas is preferably an inert gas, and more preferably nitrogen from the viewpoints of safety and cost. Moreover, it is preferable that the total gas flow rate injected from the seal gas injection units 101b to 103b and the total gas flow rate discharged from the exhaust units 101a to 103a are substantially the same amount. As a result, it is possible to prevent the gas from the spaces on both sides of the gas mixture preventing means 101 to 103 from being mixed with each other and to prevent the sealing gas from flowing into the spaces on both sides.
冷却ユニット４は、成長工程後のＣＮＴおよび触媒基材２０を冷却する機能を有し、不活性ガスを保持するための冷却炉４ａ、冷却炉４ａ内空間に不活性ガスを噴射する冷却ガス噴射部４ｂ、および、冷却炉４ａ内空間を囲むように配置した水冷冷却管４ｃにより構成されている。 The cooling unit 4 has a function of cooling the CNT and the catalyst base material 20 after the growth step, and a cooling gas injection for injecting the inert gas into the cooling furnace 4a for holding the inert gas and the space inside the cooling furnace 4a. It is comprised by the part 4b and the water cooling cooling pipe 4c arrange | positioned so that the space in the cooling furnace 4a may be enclosed.
出口パージ部５は、パージガスを上下からシャワー状に噴射することで、出口から冷却炉４ａ内に外部の空気が混入することを防止している。なお、パージガスとしては不活性ガスを用いることができる。そして、安全性、コスト、および、パージ性等の点からは、パージガスは窒素であることが好ましい。 The outlet purge unit 5 prevents the outside air from being mixed into the cooling furnace 4a from the outlet by injecting the purge gas from above and below in a shower shape. An inert gas can be used as the purge gas. The purge gas is preferably nitrogen from the viewpoints of safety, cost, purgeability, and the like.
以下、本発明について実施例に基づき具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
なお、実施例、比較例および参考例において製造したＣＮＴの性状およびＣＮＴの製造に用いた触媒基材の性状は、以下の方法を使用して評価した。
EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated concretely based on an Example, this invention is not limited to a following example.
In addition, the property of CNT manufactured in the Example, the comparative example, and the reference example and the property of the catalyst base material used for manufacture of CNT were evaluated using the following methods.
（比表面積）
ＣＮＴの比表面積は、測定装置として「ＢＥＬＳＯＲＰ（登録商標）−ｍｉｎｉ」（日本ベル（株）製）を使用し、液体窒素温度（７７Ｋ）での窒素吸脱着等温線を測定してＢＥＴ法により算出した。
（Ｇ／Ｄ比）
ＣＮＴのＧ／Ｄ比は、顕微レーザラマンシステム（サーモフィッシャーサイエンティフィック（株）製、ＮｉｃｏｌｅｔＡｌｍｅｇａ ＸＲ）を使用し、触媒基材の中心部付近から採取したＣＮＴを用いて測定した。
（平均直径）
ＣＮＴを透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察し、得られたＴＥＭ画像から５０本のＣＮＴの直径（外径）を測定した。そして、測定した直径の算術平均値をＣＮＴの平均直径とした。
（炭素純度）
ＣＮＴの炭素純度は、熱重量分析装置（ＴＧ）を使用し、ＣＮＴを空気中で８００℃まで１℃／分の速度で昇温して、以下の式より算出した。
炭素純度（質量％）＝（８００℃に到達するまでに燃えて減少した質量／初期質量）×１００
（算術平均粗さ）
基板の算術平均粗さＲａは、レーザ顕微鏡（キーエンス製ＶＫ−９７００）を用いて、対物倍率５０倍で測定した。
（触媒微粒子観察および元素分析）
触媒基材上に合成したカーボンナノチューブを剥離して除去した後、触媒基材の表面をエタノールで洗浄して観察用サンプルを調製した。そして、観察用サンプルについて、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて触媒微粒子の観察を行った。また、走査型電子顕微鏡に付属しているエネルギー分散型元素分析装置を使用し、観察用サンプルの表面の元素分析を行った。なお、ＳＥＭとしては、カールツァイス社製のＵＬＴＲＡ５５を用いた。
（カーボンナノチューブ観察）
得られたカーボンナノチューブをエタノール中に入れ、超音波処理を施して分散させた。次に、得られた分散液を透過型電子顕微鏡観察用グリッドに滴下して乾燥させ、観察用サンプルを調製した。そして、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて観察を行った。なお、ＴＥＭとしては、トプコン社製のＥＭ−００２Ｂを用いた。
(Specific surface area)
The specific surface area of CNT is measured by the BET method using “BELSORP (registered trademark) -mini” (manufactured by Nippon Bell Co., Ltd.) as a measuring device, measuring the nitrogen adsorption / desorption isotherm at liquid nitrogen temperature (77K). Calculated.
(G / D ratio)
The G / D ratio of CNT was measured by using a microscopic laser Raman system (manufactured by Thermo Fisher Scientific Co., Ltd., Nicolet Almega XR), and using CNT collected from the vicinity of the center of the catalyst substrate.
(Average diameter)
The CNTs were observed with a transmission electron microscope (TEM), and the diameters (outer diameters) of 50 CNTs were measured from the obtained TEM images. And the arithmetic average value of the measured diameter was made into the average diameter of CNT.
(Carbon purity)
The carbon purity of CNT was calculated from the following equation using a thermogravimetric analyzer (TG), raising the temperature of CNT to 800 ° C. at a rate of 1 ° C./min.
Carbon purity (mass%) = (mass decreased by burning to reach 800 ° C./initial mass) × 100
(Arithmetic mean roughness)
The arithmetic average roughness Ra of the substrate was measured with a laser microscope (Keyence VK-9700) at an objective magnification of 50 times.
(Catalyst fine particle observation and elemental analysis)
After the carbon nanotubes synthesized on the catalyst substrate were peeled and removed, the surface of the catalyst substrate was washed with ethanol to prepare an observation sample. And about the observation sample, the catalyst fine particle was observed using the scanning electron microscope (SEM). Moreover, the elemental analysis of the surface of the sample for observation was performed using the energy dispersive elemental analyzer attached to the scanning electron microscope. In addition, as the SEM, ULTRA55 manufactured by Carl Zeiss was used.
(Observation of carbon nanotube)
The obtained carbon nanotubes were put in ethanol and subjected to ultrasonic treatment to be dispersed. Next, the obtained dispersion was dropped onto a transmission electron microscope observation grid and dried to prepare an observation sample. And it observed using the transmission electron microscope (TEM). As the TEM, EM-002B manufactured by Topcon Corporation was used.
（実施例１）
＜触媒基材の調製＞
平板状の基材（基板）として、横２００ｍｍ×縦２００ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのＦｅ−Ｃｒ合金（ＪＦＥスチール株式会社製、ＳＵＳ４３０、Ｃｒ：１８質量％）の平板を用意した。なお、レーザ顕微鏡を用いて基板の複数個所の表面粗さを測定したところ、算術平均粗さＲａは０．０６３μｍであった。
次に、スパッタリング装置に基板を設置し、アルミニウムターゲットを使用し、アルゴンガス３０ｓｃｃｍおよび窒素ガス５０ｓｃｃｍの混合ガスを導入して圧力０．５Ｐａの雰囲気下で反応性スパッタリング（ＤＣ電源５．０ｋＷ）を行った。そして、基板上に膜厚４０ｎｍの窒化アルミニウム膜（触媒担持層）を形成した。
最後に、窒化アルミニウム膜を形成した基板をスパッタリング装置に設置し、鉄ターゲットを使用し、窒素ガス２０ｓｃｃｍを導入して、圧力０．５Ｐａの雰囲気下でスパッタリング（ＤＣ電源０．４ｋＷ）を行った。これにより、窒化アルミニウム膜（触媒担持層）上に膜厚２ｎｍ、面積４００ｃｍ2の鉄膜（触媒層）が形成された触媒基材を得た。
＜ＣＮＴの製造＞
図２に示すような連続式の製造装置を使用し、上述した触媒基材（ＣＮＴ成長実効面積：４００ｃｍ2）に対してフォーメーション工程、成長工程および冷却工程を連続的に行なうことでＣＮＴ配向集合体を製造した。なお、メッシュベルトの搬送速度は一定とし、ＣＮＴ製造時の各部の条件は下記表１の通りに設定した。ここで、表１において、空欄部分は設定していないことを示している。
そして、得られたＣＮＴの性状およびＣＮＴの製造に用いた触媒基材の性状を評価した。また、触媒基材の触媒層の単位面積当たりのＣＮＴ合成量を測定した。
Example 1
<Preparation of catalyst substrate>
As a flat substrate (substrate), a flat plate made of Fe—Cr alloy (JFE Steel Corporation, SUS430, Cr: 18% by mass) having a width of 200 mm × length of 200 mm and a thickness of 0.6 mm was prepared. In addition, when the surface roughness of several places of the board | substrate was measured using the laser microscope, arithmetic mean roughness Ra was 0.063 micrometer.
Next, a substrate is set in a sputtering apparatus, an aluminum target is used, a mixed gas of 30 sccm of argon gas and 50 sccm of nitrogen gas is introduced, and reactive sputtering (DC power supply 5.0 kW) is performed in an atmosphere with a pressure of 0.5 Pa. went. Then, an aluminum nitride film (catalyst support layer) having a thickness of 40 nm was formed on the substrate.
Finally, the substrate on which the aluminum nitride film was formed was placed in a sputtering apparatus, an iron target was used, nitrogen gas 20 sccm was introduced, and sputtering (DC power supply 0.4 kW) was performed in an atmosphere with a pressure of 0.5 Pa. . As a result, a catalyst base material in which an iron film (catalyst layer) having a thickness of 2 nm and an area of 400 cm 2 was formed on the aluminum nitride film (catalyst support layer) was obtained.
<Manufacture of CNT>
By using a continuous manufacturing apparatus as shown in FIG. 2, the formation process, the growth process, and the cooling process are continuously performed on the above-described catalyst base (CNT growth effective area: 400 cm 2 ), thereby aligning the aligned CNTs. The body was manufactured. The conveyance speed of the mesh belt was constant, and the conditions of each part during CNT production were set as shown in Table 1 below. Here, in Table 1, it is shown that the blank part is not set.
And the property of the obtained CNT and the property of the catalyst base material used for manufacture of CNT were evaluated. Moreover, the amount of CNT synthesis per unit area of the catalyst layer of the catalyst base was measured.
実施例１において得られたＣＮＴは、比表面積が１１００ｍ2／ｇであり、Ｇ／Ｄ比が３．０であり、平均直径が４．４ｎｍであり、炭素純度が９９．９質量％であった。また、触媒層の単位面積当たりのＣＮＴ合成量は１．２ｍｇ／ｃｍ2であり、ＣＮＴの生産速度は５４ｇ／時間であった。更に、ＣＮＴのＴＥＭ像を図４に示すように、生成したＣＮＴは主に単層ＣＮＴであることが確認された。 The CNT obtained in Example 1 had a specific surface area of 1100 m 2 / g, a G / D ratio of 3.0, an average diameter of 4.4 nm, and a carbon purity of 99.9% by mass. It was. The amount of CNT synthesized per unit area of the catalyst layer was 1.2 mg / cm 2 , and the CNT production rate was 54 g / hour. Furthermore, as shown in FIG. 4 of the CNT TEM image, it was confirmed that the generated CNTs were mainly single-walled CNTs.
また、触媒基材の触媒微粒子は、図３にＳＥＭ像を示すように、微粒子化していることが確認された。また、触媒基材の表面の元素分析の結果、アルミニウムと窒素との元素比率（モル比）は、１：１．８であった。 Further, it was confirmed that the catalyst fine particles of the catalyst base were finely divided as shown in the SEM image in FIG. As a result of elemental analysis on the surface of the catalyst substrate, the elemental ratio (molar ratio) of aluminum and nitrogen was 1: 1.8.
（比較例１）
＜触媒基材の調製＞
実施例１と同様の基板をスパッタリング装置に設置し、アルミニウムターゲットを使用し、アルゴンガス３０ｓｃｃｍおよび酸素ガス５０ｓｃｃｍの混合ガスを導入して、圧力０．５Ｐａの雰囲気下で反応性スパッタリング（ＤＣ電源５．０ｋＷ）を行った。そして、基板上に膜厚４０ｎｍの酸化アルミニウム膜（触媒担持層）を形成した。
続いて、酸化アルミニウム膜を形成した基板をスパッタリング装置に設置し、鉄ターゲットを使用し、窒素ガス２０ｓｃｃｍを導入して、圧力０．５Ｐａの雰囲気下でスパッタリング（ＤＣ電源０．４ｋＷ）を行った。これにより、酸化アルミニウム膜（触媒担持層）上に膜厚２ｎｍ、面積４００ｃｍ2の鉄膜（触媒層）が形成された比較例触媒基材１を得た。
＜ＣＮＴの製造＞
比較例触媒基材１を用いた以外は実施例１と同様にして、ＣＮＴを製造し、評価を行った。
(Comparative Example 1)
<Preparation of catalyst substrate>
A substrate similar to that in Example 1 was set in a sputtering apparatus, an aluminum target was used, a mixed gas of 30 sccm of argon gas and 50 sccm of oxygen gas was introduced, and reactive sputtering (DC power source 5) was performed in an atmosphere of 0.5 Pa pressure. 0.0 kW). Then, an aluminum oxide film (catalyst support layer) having a film thickness of 40 nm was formed on the substrate.
Subsequently, the substrate on which the aluminum oxide film was formed was placed in a sputtering apparatus, an iron target was used, nitrogen gas 20 sccm was introduced, and sputtering (DC power supply 0.4 kW) was performed in an atmosphere with a pressure of 0.5 Pa. . As a result, a comparative catalyst base material 1 in which an iron film (catalyst layer) having a film thickness of 2 nm and an area of 400 cm 2 was formed on the aluminum oxide film (catalyst support layer) was obtained.
<Manufacture of CNT>
Comparative Example A CNT was produced and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the catalyst base material 1 was used.
比較例１において得られたＣＮＴは、比表面積が５６０ｍ2／ｇであり、Ｇ／Ｄ比が０．９であり、平均直径が６．３ｎｍであり、炭素純度が９９．９質量％であった。また、触媒層の単位面積当たりのＣＮＴ合成量は０．３ｍｇ／ｃｍ2であり、ＣＮＴの生産速度は１３．５ｇ／時間であった。更に、ＣＮＴのＴＥＭ像を図６に示すように、生成したＣＮＴは主に２層ＣＮＴであることが確認された。 The CNT obtained in Comparative Example 1 had a specific surface area of 560 m 2 / g, a G / D ratio of 0.9, an average diameter of 6.3 nm, and a carbon purity of 99.9% by mass. It was. The amount of CNT synthesized per unit area of the catalyst layer was 0.3 mg / cm 2 , and the CNT production rate was 13.5 g / hour. Furthermore, as shown in the TEM image of CNT in FIG. 6, it was confirmed that the produced CNTs were mainly double-walled CNTs.
また、比較例触媒基材１の触媒微粒子は、図５にＳＥＭ像を示すように、実施例１の微粒子化された触媒微粒子（図３）と比較して、粗大であることが確認された。また、比較例触媒基材１の表面の元素分析の結果、アルミニウムと酸素の元素比率（モル比）は、１：１．７であった。 Moreover, it was confirmed that the catalyst fine particles of the comparative example catalyst substrate 1 are coarser than the finely divided catalyst fine particles (FIG. 3) of Example 1 as shown in the SEM image in FIG. . Moreover, as a result of the elemental analysis of the surface of the comparative example catalyst base material 1, the element ratio (molar ratio) of aluminum and oxygen was 1: 1.7.
（比較例２）
実施例１と同様の基板をスパッタリング装置に設置し、酸化アルミニウムターゲットを使用し、アルゴンガス３０ｓｃｃｍを導入して、圧力０．５Ｐａの雰囲気下でスパッタリング（ＲＦ電源５．０ｋＷ）を行った。そして、基板上に膜厚４０ｎｍの酸化アルミニウム膜（触媒担持層）を形成した。
続いて、酸化アルミニウム膜を形成した基板をスパッタリング装置に設置し、鉄ターゲットを使用し、窒素ガス２０ｓｃｃｍを導入して、圧力０．５Ｐａの雰囲気下でスパッタリング（ＤＣ電源０．４ｋＷ）を行った。これにより、酸化アルミニウム膜（触媒担持層）上に膜厚２ｎｍ、面積４００ｃｍ2の鉄膜（触媒層）が形成された比較例触媒基材２を得た。
＜ＣＮＴの製造＞
比較例触媒基材２を用いた以外は実施例１と同様にして、ＣＮＴを製造し、評価を行った。
(Comparative Example 2)
A substrate similar to that in Example 1 was placed in a sputtering apparatus, an aluminum oxide target was used, argon gas of 30 sccm was introduced, and sputtering (RF power supply 5.0 kW) was performed in an atmosphere with a pressure of 0.5 Pa. Then, an aluminum oxide film (catalyst support layer) having a film thickness of 40 nm was formed on the substrate.
Subsequently, the substrate on which the aluminum oxide film was formed was placed in a sputtering apparatus, an iron target was used, nitrogen gas 20 sccm was introduced, and sputtering (DC power supply 0.4 kW) was performed in an atmosphere with a pressure of 0.5 Pa. . As a result, a comparative example catalyst substrate 2 in which an iron film (catalyst layer) having a film thickness of 2 nm and an area of 400 cm 2 was formed on the aluminum oxide film (catalyst support layer) was obtained.
<Manufacture of CNT>
Comparative Example A CNT was produced and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the catalyst base material 2 was used.
比較例２において得られたＣＮＴは、比表面積が６４０ｍ2／ｇであり、Ｇ／Ｄ比が１．２であり、炭素純度が９９．９質量％であった。また、触媒層の単位面積当たりのＣＮＴ合成量は０．３ｍｇ／ｃｍ2であり、ＣＮＴの生産速度は１３．５ｇ／時間であった。
なお、比較例２においてはＳＥＭおよびＴＥＭを用いた観察および評価は行わなかった。
The CNT obtained in Comparative Example 2 had a specific surface area of 640 m 2 / g, a G / D ratio of 1.2, and a carbon purity of 99.9% by mass. The amount of CNT synthesized per unit area of the catalyst layer was 0.3 mg / cm 2 , and the CNT production rate was 13.5 g / hour.
In Comparative Example 2, observation and evaluation using SEM and TEM were not performed.
（参考例１）
＜触媒基材の調製＞
平板状の基材（基板）として、横４０ｍｍ×縦４０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのＦｅ−Ｃｒ合金（ＪＦＥスチール株式会社製、ＳＵＳ４３０、Ｃｒ：１８質量％）の平板を用いた以外は実施例１と同様にして、窒化アルミニウム膜（触媒担持層）上に膜厚２ｎｍ、面積１６ｃｍ2の鉄膜（触媒層）が形成された参考例触媒基材１を調製した。
＜ＣＮＴの製造＞
図１に示すような回分式の製造装置を使用し、上述した参考例触媒基材１（ＣＮＴ成長実効面積：１６ｃｍ2）に対してフォーメーション工程と成長工程とを順次行なうことでＣＮＴ配向集合体を製造した。なお、ＣＮＴ製造時の条件は下記表２の通りに設定した。
(Reference Example 1)
<Preparation of catalyst substrate>
Example except that a flat plate of a Fe-Cr alloy (JFE Steel Co., Ltd., SUS430, Cr: 18% by mass) having a width of 40 mm x a length of 40 mm and a thickness of 0.6 mm was used as the flat substrate (substrate). In the same manner as in Example 1, a reference example catalyst substrate 1 in which an iron film (catalyst layer) having a film thickness of 2 nm and an area of 16 cm 2 was formed on an aluminum nitride film (catalyst support layer) was prepared.
<Manufacture of CNT>
By using a batch-type manufacturing apparatus as shown in FIG. 1 and sequentially performing a formation process and a growth process on the above-described reference example catalyst substrate 1 (CNT growth effective area: 16 cm 2 ), an aligned CNT aggregate Manufactured. The conditions for producing CNTs were set as shown in Table 2 below.
参考例１において得られたＣＮＴは、比表面積が１１２０ｍ2／ｇであり、Ｇ／Ｄ比が４．６であり、炭素純度が９９．９質量％であった。また、触媒層の単位面積当たりのＣＮＴ合成量は１．５ｍｇ／ｃｍ2であり、ＣＮＴの生産速度は０．０２４ｇ／時間であった。
なお、参考例１においてはＳＥＭおよびＴＥＭを用いた観察および評価は行わなかった。
The CNT obtained in Reference Example 1 had a specific surface area of 1120 m 2 / g, a G / D ratio of 4.6, and a carbon purity of 99.9% by mass. The amount of CNT synthesized per unit area of the catalyst layer was 1.5 mg / cm 2 , and the CNT production rate was 0.024 g / hour.
In Reference Example 1, observation and evaluation using SEM and TEM were not performed.
（参考例２）
＜触媒基材の調製＞
平板状の基材（基板）として、横４０ｍｍ×縦４０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのＦｅ−Ｃｒ合金（ＪＦＥスチール株式会社製、ＳＵＳ４３０、Ｃｒ：１８質量％）の平板を用いた以外は比較例１と同様にして、酸化アルミニウム膜（触媒担持層）上に膜厚２ｎｍ、面積１６ｃｍ2の鉄膜（触媒層）が形成された参考例触媒基材２を調製した。
＜ＣＮＴの製造＞
上述した参考例触媒基材２を用いた以外は参考例１と同様にして、ＣＮＴを製造し、評価を行った。
(Reference Example 2)
<Preparation of catalyst substrate>
Comparative example except that a flat plate of a Fe-Cr alloy (JFE Steel Co., Ltd., SUS430, Cr: 18% by mass) having a width of 40 mm x a length of 40 mm and a thickness of 0.6 mm was used as the flat substrate (substrate). In the same manner as in Example 1, a reference example catalyst substrate 2 in which an iron film (catalyst layer) having a film thickness of 2 nm and an area of 16 cm 2 was formed on an aluminum oxide film (catalyst support layer) was prepared.
<Manufacture of CNT>
CNTs were produced and evaluated in the same manner as in Reference Example 1 except that the above-described Reference Example catalyst substrate 2 was used.
参考例２において得られたＣＮＴは、比表面積が９１０ｍ2／ｇであり、Ｇ／Ｄ比が２．３であり、炭素純度が９９．９質量％であった。また、触媒層の単位面積当たりのＣＮＴ合成量は０．９ｍｇ／ｃｍ2であり、ＣＮＴの生産速度は０．０１４ｇ／時間であった。
なお、参考例２においてはＳＥＭおよびＴＥＭを用いた観察および評価は行わなかった。
The CNT obtained in Reference Example 2 had a specific surface area of 910 m 2 / g, a G / D ratio of 2.3, and a carbon purity of 99.9% by mass. The amount of CNT synthesized per unit area of the catalyst layer was 0.9 mg / cm 2 , and the CNT production rate was 0.014 g / hour.
In Reference Example 2, observation and evaluation using SEM and TEM were not performed.
（参考例３）
＜触媒基材の調製＞
平板状の基材（基板）として、横４０ｍｍ×縦４０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのＦｅ−Ｃｒ合金（ＪＦＥスチール株式会社製、ＳＵＳ４３０、Ｃｒ：１８質量％）の平板を用いた以外は比較例２と同様にして、酸化アルミニウム膜（触媒担持層）上に膜厚２ｎｍ、面積１６ｃｍ2の鉄膜（触媒層）が形成された参考例触媒基材３を調製した。
＜ＣＮＴの製造＞
上述した参考例触媒基材３を用いた以外は参考例１と同様にして、ＣＮＴを製造し、評価を行った。
(Reference Example 3)
<Preparation of catalyst substrate>
Comparative example except that a flat plate of a Fe-Cr alloy (JFE Steel Co., Ltd., SUS430, Cr: 18% by mass) having a width of 40 mm x a length of 40 mm and a thickness of 0.6 mm was used as the flat substrate (substrate). In the same manner as in Example 2, a reference example catalyst substrate 3 in which an iron film (catalyst layer) having a film thickness of 2 nm and an area of 16 cm 2 was formed on an aluminum oxide film (catalyst support layer) was prepared.
<Manufacture of CNT>
CNTs were produced and evaluated in the same manner as in Reference Example 1 except that the above-described Reference Example catalyst substrate 3 was used.
参考例３において得られたＣＮＴは、比表面積が１１５０ｍ2／ｇであり、Ｇ／Ｄ比が４．８であり、炭素純度が９９．９質量％であった。また、触媒層の単位面積当たりのＣＮＴ合成量は１．６ｍｇ／ｃｍ2であり、ＣＮＴの生産速度は０．０２６ｇ／時間であった。
なお、参考例３においてはＳＥＭおよびＴＥＭを用いた観察および評価は行わなかった。
The CNT obtained in Reference Example 3 had a specific surface area of 1150 m 2 / g, a G / D ratio of 4.8, and a carbon purity of 99.9% by mass. The amount of CNT synthesized per unit area of the catalyst layer was 1.6 mg / cm 2 , and the CNT production rate was 0.026 g / hour.
In Reference Example 3, observation and evaluation using SEM and TEM were not performed.
比較例１〜２および参考例２〜３より、酸化アルミニウムよりなる触媒担持層を有する触媒基材を用いた場合、参考例２〜３のような４０ｍｍ角の小型の触媒基材では比表面積の大きい高品質なＣＮＴを高収量で合成できるが、比較例１〜２のような２００ｍｍ角の大型の触媒基材では収量および比表面積の双方が大幅に低下することが分かる。また、実施例１および参考例１より、窒化アルミニウムよりなる触媒担持層を有する触媒基材を用いれば、２００ｍｍ角の大型の触媒基材とした場合であっても、比表面積の大きい高品質なＣＮＴを高収量で合成できることが分かる。 From Comparative Examples 1-2 and Reference Examples 2-3, when a catalyst base having a catalyst support layer made of aluminum oxide is used, a small catalyst base of 40 mm square as in Reference Examples 2-3 has a specific surface area. Large, high-quality CNTs can be synthesized with a high yield, but it can be seen that both the yield and specific surface area of the large catalyst substrate of 200 mm square as in Comparative Examples 1 and 2 are significantly reduced. Further, from Example 1 and Reference Example 1, when a catalyst base material having a catalyst support layer made of aluminum nitride is used, even when a 200 mm square large catalyst base material is used, a high quality with a large specific surface area is obtained. It can be seen that CNT can be synthesized with high yield.
本発明によれば、触媒基材の単位面積当たりのＣＮＴの収量を低下させることなく高品質なＣＮＴを大量に製造することができる。 According to the present invention, high-quality CNTs can be produced in large quantities without reducing the yield of CNTs per unit area of the catalyst substrate.
１ 入口パージ部
２ フォーメーションユニット
３ 成長ユニット
４ 冷却ユニット
５ 出口パージ部
６ 搬送ユニット
７〜９ 接続部
１０ 製造装置
１２ 基材
１３ 成長炉
１４ 加熱器
１５ ガス導入口
１６ ガス排出口
１００ ＣＮＴ製造装置
１０１〜１０３ ガス混入防止手段
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Inlet purge part 2 Formation unit 3 Growth unit 4 Cooling unit 5 Outlet purge part 6 Conveyance units 7-9 Connection part 10 Manufacturing apparatus 12 Base material 13 Growth furnace 14 Heater 15 Gas inlet 16 Gas outlet 100 CNT manufacturing apparatus 101 -103 Gas mixing prevention means
Claims (5)
前記成長炉に搬入される前記触媒基材または触媒基材の集合体は、カーボンナノチューブ成長実効面積が４００ｃｍ2以上であり、
前記触媒基材は、基材上に形成された窒化アルミニウムからなる触媒担持層と、前記触媒担持層上に担持されたカーボンナノチューブ合成用触媒からなる触媒層とを有する、カーボンナノチューブ配向集合体の製造方法。 Carbon nanotubes comprising a step of bringing a catalyst base or an aggregate of catalyst bases into a growth furnace, and a step of growing an aligned aggregate of carbon nanotubes on the catalyst base by chemical vapor deposition in the growth furnace A method for producing an aligned assembly,
The catalyst base or the aggregate of catalyst bases carried into the growth furnace has a carbon nanotube growth effective area of 400 cm 2 or more,
The catalyst base material comprises a catalyst support layer made of aluminum nitride formed on a base material and a catalyst layer made of a carbon nanotube synthesis catalyst supported on the catalyst support layer. Production method.
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