JP2016039286A

JP2016039286A - Processing device and wafer processing method

Info

Publication number: JP2016039286A
Application number: JP2014162293A
Authority: JP
Inventors: 俊悟吉井; Shungo Yoshii; 貴士三瓶; Takashi Sanpei
Original assignee: Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2014-08-08
Filing date: 2014-08-08
Publication date: 2016-03-22
Anticipated expiration: 2034-08-08
Also published as: TW201621993A; JP6316702B2; TWI653675B

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To efficiently perform cleaning to keep dust or contamination from being stuck in between a lower surface of a wafer and an upper surface of a table.SOLUTION: A processing device 1 comprises: first cleaning means 20 for blowing air against a lower surface Wb of a wafer W thereby cleaning the lower surface Wb until carry-in means 10 carries the wafer W in a working table 6; and second cleaning means 25 for blowing air against an upper surface 7 of the working table 6 thereby cleaning the upper surface 7 before the wafer W carried into position by the carry-in means 10 is held by the working table 6. Thus, the lower surface Wb of the wafer W, and the upper surface 7 of the working table 6 can be cleaned until just before putting the wafer W on the working table 6 and as such, no dust nor contamination is never stuck in between the working table 6 and the wafer W and a desired processing can be performed on the wafer W.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、ウエーハを加工する加工装置及び加工装置においてウエーハを加工する方法に関する。 The present invention relates to a processing apparatus for processing a wafer and a method for processing a wafer in the processing apparatus.

被加工物であるウエーハに対して所望の加工を施す装置としては、例えばレーザー加工装置が用いられる。レーザー加工装置は、ウエーハを保持する加工テーブルと、加工テーブルに保持されたウエーハに対してレーザー光を照射するレーザー光照射ヘッドとを少なくとも備えており、加工テーブルに保持されたウエーハの上方または下方からレーザー光を照射してウエーハをレーザー加工（例えばアブレーション加工）している。レーザー加工の際には、レーザー光が照射された領域においてデブリが発生することがあるため、例えばウエーハの表面にあらかじめ保護膜を被膜して、デブリがデバイスに付着するのを防止している。 For example, a laser processing apparatus is used as an apparatus for performing desired processing on a wafer as a workpiece. The laser processing apparatus includes at least a processing table for holding a wafer and a laser light irradiation head for irradiating the wafer held on the processing table with laser light, and above or below the wafer held on the processing table. The wafer is subjected to laser processing (for example, ablation processing) by irradiating with laser light. In laser processing, debris may be generated in a region irradiated with laser light. For example, a protective film is coated on the surface of the wafer in advance to prevent the debris from adhering to the device.

また、レーザー加工をするときに、加工テーブル上に塵等のゴミが付着していると、加工テーブルに保持されているウエーハの高さが位置によって異なってしまい、レーザー光の集光点を所望の深さ位置に位置づけることができなくなる。そのため、加工テーブルに付着したゴミを除去する清掃装置を備えるレーザー加工装置が提案されている（例えば、下記の特許文献１を参照）。この清掃装置は、加工テーブルの上面に対して垂直な方向に移動可能に支持されたローラ支持枠体と、ローラ支持枠体に回転可能に支持された第１の粘着ローラと、第１の粘着ローラと接触して配設されるとともにローラ支持枠体に回転可能に支持された第２の粘着ローラとを備えている。そして、この清掃装置は、加工テーブルに付着したゴミを第１の粘着ローラの外周面に粘着させ、第１の粘着ローラに粘着されたゴミは第２の粘着ローラの外周面に粘着転移される構成となっている。 Also, if dust such as dust adheres to the processing table when laser processing is performed, the height of the wafer held on the processing table varies depending on the position, and the laser light focusing point is desired. Can no longer be positioned in the depth position. Therefore, a laser processing apparatus including a cleaning device that removes dust attached to the processing table has been proposed (see, for example, Patent Document 1 below). The cleaning device includes a roller support frame that is supported so as to be movable in a direction perpendicular to the upper surface of the processing table, a first adhesive roller that is rotatably supported by the roller support frame, and a first adhesive. And a second adhesive roller disposed in contact with the roller and rotatably supported by the roller support frame. The cleaning device adheres dust adhering to the processing table to the outer peripheral surface of the first adhesive roller, and the dust adhered to the first adhesive roller is adhesively transferred to the outer peripheral surface of the second adhesive roller. It has a configuration.

特開２００８−１４７５０５号公報JP 2008-147505 A

しかし、上記したような清掃装置を用いて加工テーブルの上面を清掃したとても、最終的に第２の粘着ローラでテーブル上のゴミを除去することから、少なくとも第２の粘着ローラの清掃又は第２の粘着ローラの交換が必要となり作業が面倒である。また、テーブルの上面に粘着ローラを接触させて清掃するため、加工テーブルの清掃を高速に行うことができず作業効率が低い。 However, since the upper surface of the processing table is cleaned using the cleaning device as described above, the dust on the table is finally removed by the second adhesive roller, so that at least the second adhesive roller is cleaned or second It is necessary to replace the adhesive roller, which is troublesome. Further, since the adhesive roller is brought into contact with the upper surface of the table for cleaning, the processing table cannot be cleaned at high speed, and the work efficiency is low.

本発明は、上記の事情にかんがみてなされたものであり、ウエーハの下面とテーブルの上面との間にゴミが挟まらないようにするための清掃を効率良く行うことを目的としている。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to efficiently perform cleaning so that dust is not caught between the lower surface of the wafer and the upper surface of the table.

第一の発明は、板状のウエーハを保持する加工テーブルと、該加工テーブルを走行させる加工送り手段と、該加工テーブルに保持されたウエーハに所定の加工を施す加工手段と、ウエーハを保持して該加工テーブルに搬入する搬入手段と、を備える加工装置であって、該搬入手段がウエーハを該加工テーブルに搬入するまでの間にエアーを吹きかけてウエーハの下面を洗浄する第１の洗浄手段と、該搬入手段によって搬入されるウエーハを該加工テーブルで保持する前にエアーを吹きかけて該加工テーブルの上面を洗浄する第２の洗浄手段と、を備え、該搬入手段は、該加工テーブルの上面と平行な方向に動作する搬送機構と、該加工テーブルの上面に接近及び離間する方向に動作する昇降機構と、を備え、該第１の洗浄手段は、該搬入手段が保持するウエーハの下面に対して平行でかつ該搬送機構の移動方向に対して交差する方向に延在する第１の洗浄パイプと、該第１の洗浄パイプの延在方向に配設される複数の第１の噴射口と、該第１の噴射口とエアー供給源とを連通させる連通管と、を備え、該第２の洗浄手段は、該加工テーブルの上面に対して平行でかつ該加工送り手段の加工送り方向に対して交差する方向に延在する第２の洗浄パイプと、該第２の洗浄パイプの延在方向に配設される複数の第２の噴射口と、該第２の噴射口とエアー供給源とを連通させる連通管と、を備え、該第２の洗浄手段によって該加工テーブルの上面を洗浄するとともに、該第１の洗浄手段によってウエーハの下面を洗浄することを特徴とする。 According to a first aspect of the present invention, there is provided a processing table for holding a plate-shaped wafer, a processing feed means for running the processing table, a processing means for performing predetermined processing on the wafer held on the processing table, and a wafer. A first cleaning means for cleaning the lower surface of the wafer by blowing air before the carry-in means carries the wafer into the processing table. And a second cleaning means for cleaning the upper surface of the processing table by blowing air before the wafer carried by the loading means is held by the processing table. A conveying mechanism that operates in a direction parallel to the upper surface; and an elevating mechanism that operates in a direction approaching and separating from the upper surface of the processing table, wherein the first cleaning means includes the carry-in means A first cleaning pipe extending in a direction parallel to the lower surface of the wafer to be held and intersecting the moving direction of the transport mechanism, and a plurality of disposed in the extending direction of the first cleaning pipe A first injection port, and a communication pipe for communicating the first injection port with an air supply source, wherein the second cleaning means is parallel to the upper surface of the processing table and the processing table A second cleaning pipe extending in a direction intersecting the processing feed direction of the feeding means, a plurality of second injection ports disposed in the extending direction of the second cleaning pipe, and the second And a communication pipe that communicates the air supply source with the air supply source, the upper surface of the processing table is cleaned by the second cleaning means, and the lower surface of the wafer is cleaned by the first cleaning means. Features.

上記加工装置は、前記加工送り手段の加工送り方向と前記搬入手段の前記搬送機構の移動方向とが同一方向であり、前記第１の洗浄パイプと前記第２の洗浄パイプとを一体化させて構成されることが望ましい。 In the processing apparatus, the processing feed direction of the processing feed means and the movement direction of the transport mechanism of the carry-in means are the same direction, and the first cleaning pipe and the second cleaning pipe are integrated. Desirably configured.

上記加工装置は、前記第１の噴射口からウエーハに向けて噴射するエアーの噴射方向の角度を調整する第１の角度調整機構と、前記第２の噴射口から前記加工テーブルに向けて噴射するエアーの噴射方向の角度を調整する第２の角度調整機構と、を備えることが望ましい。 The said processing apparatus injects toward the said process table from the 1st angle adjustment mechanism which adjusts the angle of the injection direction of the air injected toward the wafer from the said 1st injection port. It is desirable to include a second angle adjustment mechanism that adjusts the angle of the air injection direction.

また、上記加工装置は、前記第１の噴射口から噴射されるエアーの流量を調整する第１の流量調整手段と、該第１の噴射口とウエーハの下面との距離を調整する第１の高さ調整手段と、前記第２の噴射口から噴射されるエアーの流量を調整する第２の流量調整手段と、該第２の噴射口と前記加工テーブルの上面との距離を調整する第２の高さ調整手段と、を備えることが望ましい。 The processing apparatus includes a first flow rate adjusting unit that adjusts a flow rate of air injected from the first injection port, and a first distance that adjusts a distance between the first injection port and a lower surface of the wafer. Height adjusting means, second flow rate adjusting means for adjusting the flow rate of air jetted from the second jet port, and second for adjusting the distance between the second jet port and the upper surface of the processing table. It is desirable to provide the height adjusting means.

さらに、上記加工装置は、前記加工テーブルの中心を軸に該加工テーブルを回転させるテーブル回転機構を備え、該テーブル回転機構が該加工テーブルを回転させつつ前記第２の洗浄手段によって該加工テーブルの上面を洗浄することが望ましい。 The processing apparatus further includes a table rotating mechanism that rotates the processing table about the center of the processing table, and the second cleaning unit rotates the processing table while the table rotating mechanism rotates the processing table. It is desirable to clean the top surface.

第二の発明は、上記いずれかの加工装置を用いたウエーハの加工方法であって、前記搬入手段によってウエーハを前記加工テーブルに搬入し該加工テーブルがウエーハを保持するまでの間に、前記第１の噴射口からウエーハの下面に向けてエアーを吹きかけてウエーハの下面を洗浄するウエーハ洗浄工程と、前記第２の噴射口から該加工テーブルの上面に向けてエアーを吹きかけて該加工テーブルの上面を洗浄する加工テーブル洗浄工程と、
該ウエーハ洗浄工程と該加工テーブル洗浄工程とを実施した後、該加工テーブルが保持するウエーハに対し前記加工手段によって所定の加工を行う加工工程と、を備える。 A second invention is a wafer processing method using any one of the above processing apparatuses, wherein the wafer is carried into the processing table by the carrying-in means, and the processing table holds the wafer. A wafer cleaning process for cleaning the lower surface of the wafer by blowing air from one injection port toward the lower surface of the wafer; and an upper surface of the processing table by blowing air from the second injection port toward the upper surface of the processing table. A processing table cleaning process for cleaning,
And a processing step of performing predetermined processing on the wafer held by the processing table by the processing means after performing the wafer cleaning step and the processing table cleaning step.

第一の発明の加工装置は、搬入手段がウエーハを加工テーブルに搬入するまでの間に、搬入手段が保持するウエーハの下面にエアーを噴射し洗浄する第１の洗浄手段と、搬入手段に搬入されるウエーハを加工テーブルで保持する前に加工テーブルの上面にエアーを噴射し洗浄する第２の洗浄手段とを備えているため、搬入手段によってウエーハを加工テーブルに載置する直前までに、ウエーハの下面と加工テーブルの上面とを洗浄することができる。これにより、洗浄済みのウエーハを洗浄済みの加工テーブルに搬入できるため、加工テーブルとウエーハとの間にゴミが挟まることがなく、作業効率が良くなる。そして、加工手段によってウエーハに加工を行う際には、加工テーブルで保持するウエーハの高さが変わることがないことから、ウエーハに対して所望の加工を行うことができる。 The processing apparatus according to the first aspect of the present invention is the first cleaning means for injecting air onto the lower surface of the wafer held by the carry-in means until the carry-in means carries the wafer into the work table, and the carry-in means carries And a second cleaning means for injecting air onto the upper surface of the processing table before the wafer is held by the processing table, so that the wafer is placed immediately before the wafer is placed on the processing table by the loading means. And the upper surface of the processing table can be cleaned. As a result, since the cleaned wafer can be carried into the cleaned processing table, dust does not get caught between the processing table and the wafer, and work efficiency is improved. When the wafer is processed by the processing means, the height of the wafer held by the processing table does not change, so that the wafer can be processed as desired.

上記加工装置が、上記第１の洗浄パイプと上記第２の洗浄パイプとが一体として形成される場合は、装置を大型化することなく、搬入手段によってウエーハを加工テーブルに載置する直前までに、ウエーハの下面と加工テーブルの上面とを洗浄することができる。 In the case where the first cleaning pipe and the second cleaning pipe are integrally formed in the processing device, the size of the device is not increased, and immediately before the wafer is placed on the processing table by the loading means. The lower surface of the wafer and the upper surface of the processing table can be cleaned.

上記加工装置が、上記第１の噴射口からウエーハに向けて噴射するエアーの噴射方向の角度を調整する第１の角度調整機構と、上記第２の噴射口から上記加工テーブルに向けて噴射するエアーの噴射方向の角度を調整する第２の角度調整機構とを備える場合には、ウエーハの下面及び加工テーブルの上面に対するエアーの噴射方向を最適な方向に調整した上で、ウエーハの下面及び加工テーブルの上面の洗浄を行うことができる。 The said processing apparatus injects toward the said process table from the said 1st angle adjustment mechanism which adjusts the angle of the injection direction of the air injected toward a wafer from the said 1st injection port. When the second angle adjustment mechanism for adjusting the angle of the air injection direction is provided, the air injection direction with respect to the lower surface of the wafer and the upper surface of the processing table is adjusted to an optimum direction, and then the lower surface of the wafer and the processing are performed. The top surface of the table can be cleaned.

また、上記加工装置が、上記第１の噴射口から噴射されるエアー流量を調整する第１の流量調整手段と、該第１の噴射口とウエーハの下面との距離を調整する第１の高さ調整手段と、上記第２の噴射口から噴射されるエアー流量を調整する第２の流量調整手段と、該第２の噴射口と上記加工テーブルの上面との距離を調整する第２の高さ調整手段とを備える場合には、第１の噴射口から噴射されるエアーの流量に応じて、第１の噴射口とウエーハの下面との距離を所望の距離に調整することができ、第１の洗浄パイプの高さに応じて第１の噴射口から噴射すべきエアーの流量を調節することができる。また、第２の噴射口から噴射されるエアーの流量に応じて、第２の噴射口と加工テーブルの上面との距離を所望の距離に調整でき、第２の洗浄パイプの高さに応じて第２の噴射口から噴射すべきエアーの流量を調節することができる。 Further, the processing apparatus adjusts a distance between the first flow rate adjusting means for adjusting the flow rate of air injected from the first injection port and the first injection port and the lower surface of the wafer. And a second flow rate adjusting means for adjusting the flow rate of air injected from the second injection port, and a second height for adjusting the distance between the second injection port and the upper surface of the processing table. And adjusting the distance between the first injection port and the lower surface of the wafer to a desired distance according to the flow rate of air injected from the first injection port. The flow rate of air to be injected from the first injection port can be adjusted according to the height of one cleaning pipe. Moreover, according to the flow volume of the air injected from a 2nd injection port, the distance of a 2nd injection port and the upper surface of a process table can be adjusted to desired distance, and according to the height of a 2nd washing pipe The flow rate of air to be injected from the second injection port can be adjusted.

さらに、上記加工装置が、上記加工テーブルの中心を軸に回転するテーブル回転機構を備える場合には、加工テーブルを回転させながら、第２の洗浄手段の第２の噴射口から加工テーブルの上面に向けてエアーを噴射することができ、加工テーブルの上面を効果的に洗浄することができる。 Furthermore, when the processing apparatus includes a table rotating mechanism that rotates about the center of the processing table, the processing table is rotated from the second injection port of the second cleaning means to the upper surface of the processing table. Air can be jetted toward the head, and the upper surface of the processing table can be effectively cleaned.

第二の発明は、上記したいずれかの加工装置を用いて、上記搬入手段により加工テーブルにウエーハを搬入し該加工テーブルがウエーハを保持するまでの間に、ウエーハ洗浄工程，加工テーブル洗浄工程を実施するため、ウエーハの下面及び加工テーブルの上面にエアーを噴射してウエーハの下面及び加工テーブルの上面に付着しているゴミを除去することができる。その後は、洗浄後のウエーハを洗浄後の加工テーブルで保持して加工工程を実施するため、ゴミによる悪影響を受けることなく、所望の加工を正確に行うことができる。 According to a second aspect of the present invention, there is provided a wafer cleaning step and a processing table cleaning step between the time when the wafer is carried into the processing table by the loading means and the processing table holds the wafer by using any of the processing devices described above. In order to carry out, the dust adhering to the lower surface of the wafer and the upper surface of the processing table can be removed by injecting air onto the lower surface of the wafer and the upper surface of the processing table. After that, since the cleaned wafer is held on the cleaned processing table and the processing step is performed, the desired processing can be accurately performed without being adversely affected by dust.

加工装置の第1例の構成を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a configuration of a first example of a processing apparatus. 加工装置の第１例を用いてウエーハ洗浄工程及び加工テーブル洗浄工程を実施する状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state which implements a wafer cleaning process and a process table cleaning process using the 1st example of a processing apparatus. 加工装置の第２例の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the 2nd example of a processing apparatus. 洗浄手段の角度調整機構の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the angle adjustment mechanism of a washing | cleaning means. 加工装置の第２例を用いてウエーハ洗浄工程及び加工テーブル洗浄工程を実施する状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state which implements a wafer cleaning process and a process table cleaning process using the 2nd example of a processing apparatus. 加工装置の第３例の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the 3rd example of a processing apparatus. 加工装置の第４例の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the 4th example of a processing apparatus. 加工装置の第５例の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the 5th example of a processing apparatus. 加工装置の第５例を用いてウエーハ洗浄工程を実施する状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state which implements a wafer cleaning process using the 5th example of a processing apparatus. 加工装置の第５例を用いて加工テーブル洗浄工程を実施する状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state which implements a process table washing | cleaning process using the 5th example of a processing apparatus.

１加工装置の第１例
図１に示す加工装置１は、板状のウエーハに対して所定の加工を施す加工装置の一例であり、ウエーハを保持する保持面７を有する加工テーブル６と、加工テーブル６を水平に走行させる加工送り手段８と、加工テーブル６の上面７に保持されるウエーハに対してレーザー加工を施す加工手段９と、ウエーハを保持して加工テーブル６に対してウエーハを搬入する搬入手段１０と、を備えている。 1 First Example of Processing Apparatus A processing apparatus 1 shown in FIG. 1 is an example of a processing apparatus that performs predetermined processing on a plate-shaped wafer, and includes a processing table 6 having a holding surface 7 that holds the wafer, Processing feed means 8 for moving the table 6 horizontally, processing means 9 for performing laser processing on the wafer held on the upper surface 7 of the processing table 6, and carrying the wafer into the processing table 6 while holding the wafer And carrying-in means 10 for carrying out.

加工テーブル６には、図示しない吸引源が接続されている。加工テーブル６は、その中心軸１５を中心として所定の方向に回転させるテーブル回転機構１６を備えている。テーブル回転機構１６は、少なくともモータを有しており、所定の回転速度で加工テーブル６を回転させることができる。 A suction source (not shown) is connected to the processing table 6. The processing table 6 includes a table rotating mechanism 16 that rotates in a predetermined direction around the central axis 15. The table rotation mechanism 16 has at least a motor and can rotate the processing table 6 at a predetermined rotation speed.

搬入手段１０は、ウエーハを保持する保持面１０１を有する保持部１００を備えている。また、搬入手段１０は、加工テーブル６の上面７と平行となる方向（Ｘ軸方向）に動作する搬送機構１１と、加工テーブル６に上面７に対して接近及び離間する方向（Ｚ軸方向）に動作する昇降機構１２とを備えている。搬送機構１１は、Ｘ軸方向にのびるガイド１１０と、ガイド１１０に沿って保持部１００をＸ軸方向に往復移動させる移動部１１１とを備えている。昇降機構１２は、移動部１１１に連結されており、保持部１００を支持する支持部１２０を有している。そして、搬送機構１１が作動し、移動部１１１をＸ軸方向に移動させることにより、保持部１００をＸ軸方向に移動させることができる。 The carry-in means 10 includes a holding unit 100 having a holding surface 101 that holds a wafer. The carry-in means 10 includes a transport mechanism 11 that operates in a direction parallel to the upper surface 7 of the processing table 6 (X-axis direction), and a direction in which the processing table 6 approaches and separates from the upper surface 7 (Z-axis direction). And an elevating mechanism 12 that operates in the same manner. The transport mechanism 11 includes a guide 110 extending in the X-axis direction and a moving unit 111 that reciprocates the holding unit 100 in the X-axis direction along the guide 110. The elevating mechanism 12 is connected to the moving unit 111 and includes a support unit 120 that supports the holding unit 100. And the conveyance mechanism 11 act | operates and the holding | maintenance part 100 can be moved to a X-axis direction by moving the moving part 111 to a X-axis direction.

加工装置１は、搬入手段１０がウエーハを加工テーブル６に搬入するまでの間にウエーハの下面にエアーを吹きかけて下面を洗浄する第１の洗浄手段２０と、加工テーブル６の上面７にエアーを吹きかけて上面７を洗浄する第２の洗浄手段２５とを備えている。 The processing apparatus 1 includes a first cleaning unit 20 that blows air on the lower surface of the wafer to clean the lower surface before the loading unit 10 loads the wafer onto the processing table 6, and air on the upper surface 7 of the processing table 6. And a second cleaning means 25 for cleaning the upper surface 7 by spraying.

第１の洗浄手段２０は、搬入手段１０が保持するウエーハの下面に対して平行で、かつ搬送機構１１の移動方向に対して交差する方向に延在する第１の洗浄パイプ２１と、第１の洗浄パイプ２１の延在方向に沿って形成される複数の第１の噴射口２２と、第１のバルブ２４を介して第１の噴射口２２とエアー供給源３０とを連通させる第１の連通管２３とを備えている。この第１の洗浄手段２０は、第１のバルブ２４を開くことにより、第１の連通管２３を通じて第１の噴射口２２からエアーを噴射することができる。 The first cleaning means 20 includes a first cleaning pipe 21 extending in a direction parallel to the lower surface of the wafer held by the carry-in means 10 and intersecting the moving direction of the transport mechanism 11. A plurality of first injection ports 22 formed along the extending direction of the cleaning pipe 21, and the first injection port 22 and the air supply source 30 through the first valve 24. And a communication pipe 23. The first cleaning means 20 can inject air from the first injection port 22 through the first communication pipe 23 by opening the first valve 24.

第２の洗浄手段２５は、第１の洗浄手段２０の近傍に配設されている。第２の洗浄手段２５は、加工テーブル６の上面７に対して平行で、かつ加工送り手段８による加工テーブル６の加工送り方向に対して交差する方向に延在する第２の洗浄パイプ２６と、第２の洗浄パイプ２６の延在方向に沿って形成される複数の第２の噴射口２７と、第２のバルブ２９を介して第２の噴射口２７とエアー供給源３０とを連通させる第２の連通管２８とを備えている。この第２のバルブ２９を開くことにより、第２の連通管２８を通じて第２の噴射口２７からエアーを噴射することができる。上記延在方向における第１の洗浄パイプ２１及び第２の洗浄パイプ２６の全長は、例えば加工装置１で加工されるウエーハの直径よりも若干長く、ウエーハの直径が３００ｍｍである場合は、例えば３８０ｍｍである。 The second cleaning unit 25 is disposed in the vicinity of the first cleaning unit 20. The second cleaning means 25 is parallel to the upper surface 7 of the processing table 6 and extends in a direction crossing the processing feed direction of the processing table 6 by the processing feed means 8. The plurality of second injection ports 27 formed along the extending direction of the second cleaning pipe 26, and the second injection ports 27 and the air supply source 30 are communicated with each other via the second valve 29. And a second communication pipe 28. By opening the second valve 29, air can be injected from the second injection port 27 through the second communication pipe 28. The total length of the first cleaning pipe 21 and the second cleaning pipe 26 in the extending direction is slightly longer than, for example, the diameter of the wafer processed by the processing apparatus 1, and when the wafer diameter is 300 mm, for example, 380 mm It is.

第１の洗浄手段２０は、第１の噴射口２２からウエーハに向けて噴射するエアーの噴射方向の角度を調整する第１の角度調整機構を備えている。第１の角度調整機構は、例えば、内周側に第１の洗浄パイプ２１を回転可能に支持するパイプ２１ａと、パイプ２１ａの側面を貫通し第１の噴射口２２を突出させる窓部２１ｂと、第１の洗浄パイプ２１とパイプ２１ａとを固定する図示しないネジとを備えている。第１の噴射口２２の角度を調整する場合には、第１の洗浄パイプ２１をパイプ２１ａ内において手動で回して第１の噴射口２２を所望の向きに向け、ネジで第１の洗浄パイプ２１を固定する。 The first cleaning means 20 includes a first angle adjustment mechanism that adjusts the angle of the injection direction of air injected from the first injection port 22 toward the wafer. The first angle adjustment mechanism includes, for example, a pipe 21a that rotatably supports the first cleaning pipe 21 on the inner peripheral side, and a window portion 21b that penetrates the side surface of the pipe 21a and protrudes the first injection port 22. And a screw (not shown) for fixing the first cleaning pipe 21 and the pipe 21a. When adjusting the angle of the first injection port 22, the first cleaning pipe 21 is manually rotated in the pipe 21 a to direct the first injection port 22 in a desired direction, and the first cleaning pipe is screwed. 21 is fixed.

また、第２の洗浄手段２５についても、第２の噴射口２７から加工テーブル６の上面７に向けて噴射するエアーの噴射方向の角度を調整する第２の角度調整機構を備えている。第２の角度調整機構も、例えば、内周側に第２の洗浄パイプ２６を回転可能に支持するパイプ２６ａと、パイプ２６ａの側面を貫通し第２の噴射口２７を突出させる窓部２６ｂと、第２の洗浄パイプ２６とパイプ２６ａとを固定する図示しないネジとを備えている。第２の噴射口２７の角度を調整する場合には、第２の洗浄パイプ２６をパイプ２６ａ内において手動で回して第２の噴射口２７を所望の向きに向け、ネジで第２の洗浄パイプ２６を固定する。 Further, the second cleaning means 25 is also provided with a second angle adjustment mechanism that adjusts the angle of the injection direction of the air injected from the second injection port 27 toward the upper surface 7 of the processing table 6. The second angle adjusting mechanism also includes, for example, a pipe 26a that rotatably supports the second cleaning pipe 26 on the inner peripheral side, and a window portion 26b that penetrates the side surface of the pipe 26a and projects the second injection port 27. And a screw (not shown) for fixing the second cleaning pipe 26 and the pipe 26a. When adjusting the angle of the second injection port 27, the second cleaning pipe 26 is manually rotated in the pipe 26a so that the second injection port 27 is directed in a desired direction, and the second cleaning pipe is screwed. 26 is fixed.

次に、加工装置１を用いてウエーハＷを加工する方法について説明する。ウエーハＷは、被加工物の一例であって、特に材質等が限定されるものではない。ウエーハＷは、搬入手段１０の保持部１００で保持される面が上面Ｗａとなっており、その反対側の面が、第１の洗浄手段２０によって洗浄される下面Ｗｂとなっている。 Next, a method for processing the wafer W using the processing apparatus 1 will be described. The wafer W is an example of a workpiece, and the material or the like is not particularly limited. In the wafer W, the surface held by the holding unit 100 of the carry-in means 10 is an upper surface Wa, and the opposite surface is a lower surface Wb that is cleaned by the first cleaning means 20.

（１）ウエーハ洗浄工程
図２に示すように、搬入手段１０によってウエーハＷを加工テーブル６に搬入し、加工テーブル６がウエーハＷを保持するまでの間に、第１の洗浄手段２０によって加工前のウエーハＷの下面Ｗｂを洗浄する。具体的には、昇降機構１２によって、加工前のウエーハＷを保持する保持部１００を、加工テーブル６に接近する方向（−Ｚ方向）に所定の距離だけ下降させる。続いて搬送機構１１によって、移動部１１１とともに保持部１００を−Ｘ方向に移動させ第１の洗浄手段２０の上方を通過させる。なお、搬送機構１１によるウエーハＷの送り速度は、例えば２５０mm/secに設定することが望ましい。 (1) Wafer Cleaning Step As shown in FIG. 2, the wafer W is carried into the processing table 6 by the loading means 10 and before the processing table 6 holds the wafer W, the first cleaning means 20 before processing. The lower surface Wb of the wafer W is cleaned. Specifically, the lifting mechanism 12 lowers the holding unit 100 that holds the unprocessed wafer W in a direction approaching the processing table 6 (−Z direction) by a predetermined distance. Subsequently, the transport mechanism 11 moves the holding unit 100 together with the moving unit 111 in the −X direction so as to pass above the first cleaning unit 20. Note that the feed speed of the wafer W by the transport mechanism 11 is desirably set to 250 mm / sec, for example.

このとき、第１の洗浄手段２０は、第１のバルブ２４を開いて第１の連通管２３を通じてエアー供給源３０と第１の噴射口２２とを連通させる。ウエーハＷを保持する保持部１００を−Ｘ方向に移動させつつ、第１の洗浄手段２０は、第１の噴射口２２からエアーを噴射してウエーハＷの下面Ｗｂの全面にエアーを吹きかける。そして、エアーの圧力によってウエーハＷの下面Ｗｂに付着しているゴミを除去する。このゴミは、例えば前の工程におけるウエーハＷの加工によって生じた加工屑等である。なお、第１の噴射口２２から噴射するエアーの流量は、例えば１００L/minとする。 At this time, the first cleaning means 20 opens the first valve 24 and causes the air supply source 30 and the first injection port 22 to communicate with each other through the first communication pipe 23. While moving the holding unit 100 that holds the wafer W in the −X direction, the first cleaning means 20 sprays air from the first injection port 22 and blows air over the entire lower surface Wb of the wafer W. Then, dust adhering to the lower surface Wb of the wafer W is removed by air pressure. The dust is, for example, processing waste generated by processing the wafer W in the previous step. In addition, the flow volume of the air injected from the 1st injection port 22 shall be 100 L / min, for example.

ここで、ウエーハ洗浄工程を実施する際には、例えば昇降機構１２によって保持部１００の高さを調整することにより、保持部１００が保持するウエーハＷの下面Ｗｂと第１の噴射口２２との距離を調整する。また、ウエーハＷの下面Ｗｂと第１の噴射口２２との距離に応じて、上記した第１の角度調整機構を用いて第１の噴射口２２の向きをウエーハＷの下面Ｗｂに対して最適な角度に調整しておくことが望ましい。第１の噴射口２２は、＋Ｚ方向よりも＋Ｘ側に倒すことにより、ウエーハＷの−Ｘ方向の移動に対して斜めに向かう方向にエアーを噴射することで、ウエーハＷの下面Ｗｂに付着しているゴミを効果的に除去することができる。 Here, when performing the wafer cleaning process, for example, by adjusting the height of the holding unit 100 by the lifting mechanism 12, the lower surface Wb of the wafer W held by the holding unit 100 and the first injection port 22 are adjusted. Adjust the distance. Further, according to the distance between the lower surface Wb of the wafer W and the first injection port 22, the direction of the first injection port 22 is optimized with respect to the lower surface Wb of the wafer W using the first angle adjusting mechanism described above. It is desirable to adjust to an appropriate angle. The first injection port 22 adheres to the lower surface Wb of the wafer W by injecting air in a direction oblique to the movement of the wafer W in the −X direction by being tilted to the + X side from the + Z direction. Can effectively remove the garbage.

（２）加工テーブル洗浄工程
搬入手段１０により搬入されるウエーハＷを加工テーブル６が保持する前に、第２の洗浄手段２５によって加工テーブル６の上面７を洗浄する。具体的には、図２に示すように、加工送り手段８によって、加工テーブル６を例えば−Ｘ方向に移動させ、第２の洗浄手段２５の下方を通過させる。加工テーブル６の送り速度は、例えば１０００mm/secに設定する。この加工テーブル洗浄工程は、ウエーハ洗浄工程と同時に行ってもよい。 (2) Processing Table Cleaning Step The upper surface 7 of the processing table 6 is cleaned by the second cleaning means 25 before the processing table 6 holds the wafer W carried by the carry-in means 10. Specifically, as shown in FIG. 2, the machining table 6 is moved, for example, in the −X direction by the machining feed unit 8, and passes below the second cleaning unit 25. The feed speed of the processing table 6 is set to 1000 mm / sec, for example. This processing table cleaning step may be performed simultaneously with the wafer cleaning step.

このとき、第２の洗浄手段２５は、第２のバルブ２９を開いて第２の連通管２８を通じてエアー供給源３０と第２の噴射口２７とを連通させる。加工テーブル６を−Ｘ方向に移動させつつ、第２の洗浄手段２５は、第２の噴射口２７からエアーを噴射して加工テーブル６の上面７の全面にエアーを吹きかける。このようにして噴射されるエアーの圧力によって加工テーブル６の上面７に付着しているゴミを除去する。このゴミは、例えば加工装置１において加工テーブル６によって保持されて前に加工されたウエーハの加工によって生じた加工屑等である。なお、第１の噴射口２２から噴射するエアーの流量は、例えば１００L/minとする。第２の噴射口２２から噴射するエアーの流量としては、例えば１００L/minで行うことが望ましい。 At this time, the second cleaning means 25 opens the second valve 29 and causes the air supply source 30 and the second injection port 27 to communicate with each other through the second communication pipe 28. While moving the processing table 6 in the −X direction, the second cleaning means 25 sprays air from the second injection port 27 and blows air over the entire upper surface 7 of the processing table 6. The dust adhering to the upper surface 7 of the processing table 6 is removed by the pressure of the air thus jetted. The dust is, for example, processing waste generated by processing a wafer that has been previously processed by being held by the processing table 6 in the processing apparatus 1. In addition, the flow volume of the air injected from the 1st injection port 22 shall be 100 L / min, for example. As a flow rate of the air injected from the second injection port 22, it is desirable to carry out at 100 L / min, for example.

加工テーブル洗浄工程では、テーブル回転機構１６が作動し、中心軸１５を中心として加工テーブル６５を例えば、矢印Ａ方向に回転させながら、加工テーブル６の上面７を洗浄することが望ましい。これにより、上面７を満遍なく洗浄することができるとともに、加工テーブル６の回転によって発生する遠心力を利用して洗浄効果を向上させることができる。なお、テーブル回転機構１６は、一方向に加工テーブル６を回転させるほか、正転逆転を繰り返すように加工テーブル６を回転させてもよい。 In the processing table cleaning step, it is desirable to clean the upper surface 7 of the processing table 6 while the table rotating mechanism 16 operates and the processing table 65 is rotated about the central axis 15 in the direction of arrow A, for example. As a result, the upper surface 7 can be evenly cleaned, and the cleaning effect can be improved by utilizing the centrifugal force generated by the rotation of the processing table 6. The table rotating mechanism 16 may rotate the machining table 6 so as to repeat forward and reverse rotations in addition to rotating the machining table 6 in one direction.

また、加工テーブル洗浄工程を実施する際には、加工テーブル６の上面と第２の噴射口２７との距離が所望の距離となっていることが望ましく、例えば、加工テーブル６を上下方向に昇降させる昇降機構を設けて加工テーブル６の高さを調整してもよい。加工テーブル６の上面と第２の噴射口２７との距離に応じて、上記した第２の角度調整機構を用いて第２の噴射口２７の向きを加工テーブル６の上面７に対して最適な角度に調整しておくことが望ましい。第２の噴射口２７は、―Ｚ方向よりも＋Ｘ側に倒すことにより、加工テーブル６の−Ｘ方向の移動に対して斜めに向かう方向にエアーを噴射することで、上面７に付着しているゴミを効果的に除去することができる。 Further, when performing the processing table cleaning step, it is desirable that the distance between the upper surface of the processing table 6 and the second injection port 27 is a desired distance. For example, the processing table 6 is moved up and down in the vertical direction. You may adjust the height of the processing table 6 by providing the raising / lowering mechanism to be made. Depending on the distance between the upper surface of the processing table 6 and the second injection port 27, the orientation of the second injection port 27 is optimal with respect to the upper surface 7 of the processing table 6 using the second angle adjustment mechanism described above. It is desirable to adjust the angle. The second injection port 27 is attached to the upper surface 7 by injecting air in a direction obliquely with respect to the movement of the processing table 6 in the −X direction by being tilted to the + X side from the −Z direction. It is possible to effectively remove the garbage.

（３）加工工程
ウエーハ洗浄工程と加工テーブル洗浄工程とを実施した後、加工テーブル６及びウエーハＷを保持する搬入手段１０を例えば二点鎖線に示す位置まで移動させ、加工テーブル６にウエーハＷを載置する。次いで、図示しない吸引源によって加工テーブル６の上面７でウエーハＷを吸引保持した後、図１に示した加工手段９によって所定のレーザー加工を行う。具体的には、加工送り手段８によって、ウエーハＷを保持する加工テーブル６を加工手段９の下方に移動させる。加工手段９は、例えば、ウエーハＷに対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハＷのストリートに沿って照射することによりウエーハＷの内部に改質層を形成する。その後、例えばブレーキング装置によって改質層を起点にウエーハＷを分割する。また、加工手段９によって、ウエーハＷに対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハＷのストリートに沿って照射することによりウエーハＷをフルカットして分割してもよい。 (3) Processing Step After carrying out the wafer cleaning step and the processing table cleaning step, the carrying means 10 for holding the processing table 6 and the wafer W is moved to a position indicated by a two-dot chain line, for example, and the wafer W is moved to the processing table 6. Place. Next, after the wafer W is sucked and held on the upper surface 7 of the processing table 6 by a suction source (not shown), predetermined laser processing is performed by the processing means 9 shown in FIG. Specifically, the machining table 6 holding the wafer W is moved below the machining means 9 by the machining feed means 8. The processing means 9 forms a modified layer inside the wafer W by, for example, irradiating the wafer W with a laser beam having a wavelength that is transmissive to the wafer W along the street of the wafer W. Thereafter, the wafer W is divided from the modified layer as a starting point by, for example, a braking device. Further, the wafer W may be divided into a full cut by irradiating the processing means 9 with a laser beam having a wavelength that is absorptive to the wafer W along the streets of the wafer W.

このように、加工装置１は、搬入手段１０がウエーハＷを加工テーブル６に搬入するまでの間に、搬入手段１０が保持するウエーハＷの下面Ｗｂにエアーを噴射して洗浄する第１の洗浄手段２０と、搬入手段１０によって搬入されるウエーハＷを加工テーブル６で保持する前に、加工テーブル６の上面７にエアーを噴射して洗浄する第２の洗浄手段２５とを備えていることから、搬入手段１０によってウエーハＷを加工テーブル６に載置する直前までに、ウエーハＷの下面Ｗｂ及び加工テーブル６の上面７にエアーを噴射して洗浄することができ、加工テーブル６とウエーハＷとの間にゴミが挟まるのを防止できる。 As described above, the processing apparatus 1 performs the first cleaning in which the air is sprayed onto the lower surface Wb of the wafer W held by the carry-in means 10 until the carry-in means 10 carries the wafer W into the work table 6. Since the means 20 and the wafer W carried by the carry-in means 10 are held by the processing table 6, the second cleaning means 25 for cleaning the upper surface 7 of the processing table 6 by jetting air is provided. Before the wafer W is placed on the processing table 6 by the carry-in means 10, it is possible to clean the surface by injecting air onto the lower surface Wb of the wafer W and the upper surface 7 of the processing table 6. It is possible to prevent trash from being caught between the two.

２加工装置の第２例
図３に示す加工装置１ａは、搬入手段１０がウエーハを加工テーブル６に搬入するまでの間にウエーハＷの下面Ｗｂにエアーを吹きかけて下面Ｗｂを洗浄するとともに、加工テーブル６の上面７にエアーを吹きかけて上面７を洗浄する洗浄手段４０を備えている。加工装置１ａは、洗浄手段４０を備えている点以外は加工装置１と同様の構成となっているため、同様に構成される構成部分には同一の符号を付し、その説明は省略する。 2 Second Example of Processing Apparatus The processing apparatus 1a shown in FIG. 3 cleans the lower surface Wb by blowing air onto the lower surface Wb of the wafer W until the loading means 10 loads the wafer onto the processing table 6. A cleaning means 40 for cleaning the upper surface 7 by blowing air onto the upper surface 7 of the table 6 is provided. Since the processing apparatus 1a has the same configuration as that of the processing apparatus 1 except that the cleaning unit 40 is provided, the same reference numerals are given to the components that are configured in the same manner, and description thereof will be omitted.

洗浄手段４０は、上記第１の洗浄パイプ２１と上記第２の洗浄パイプ２６とを一体化した構造を有し搬送機構１１及び加工送り手段８による移動方向（Ｘ軸方向）と交差する方向に延在する洗浄パイプ４１と、洗浄パイプ４１の延在方向に沿って形成され搬入手段１０が保持するウエーハＷの下面Ｗｂに向けてエアーを噴射する複数の第１の噴射口４２と、洗浄パイプ４１の延在方向に沿って形成され加工テーブル６の上面７に向けてエアーを噴射する複数の第２の噴射口４３と、バルブ４５を介して第１の噴射口４２及び第２の噴射口４３とエアー供給源３０とを連通させる連通管４４とを備えている。洗浄パイプ４１の延在方向における全長は、例えば加工装置１ａで加工されるウエーハの直径より若干長く、ウエーハの直径が３００ｍｍである場合は、例えば３８０ｍｍである。洗浄パイプ４１を回転させることにより、第１の噴射口４１及び第２の噴射口４２とを回転させてエアーの噴射方向の角度を調整することができる。この場合は、第１の噴射口４１からウエーハに向けて噴射するエアーの噴射方向の角度を調整する第１の角度調整機構と、第２の噴射口４２から加工テーブル６に向けて噴射するエアーの噴射方向の角度を調整する第２の角度調整機構とが共通する構成となる。また、例えば洗浄パイプ４１を二重構造にするなどして第１の噴射口４１と第２の噴射口とがそれぞれ独立して回転するように構成し、第１の噴射口４１からのエアーの噴射の角度と第２の噴射口からのエアーの噴射の角度とを個別に調整できるようにしてもよい。エアーの流量調整についても、図３の例では、第１の噴射口４１から噴射されるエアーの量と第２の噴射口４２から噴射されるエアーの量とがバルブ４５によって調整される構成となっているが、第１の噴射口４１と第２の噴射口４２とのそれぞれに別個のバルブを接続し、エアーの流量を個別に調整するようにしてもよい。 The cleaning means 40 has a structure in which the first cleaning pipe 21 and the second cleaning pipe 26 are integrated, and in a direction crossing the moving direction (X-axis direction) by the transport mechanism 11 and the processing feed means 8. A cleaning pipe 41 that extends, a plurality of first injection ports 42 that spray air toward the lower surface Wb of the wafer W that is formed along the extending direction of the cleaning pipe 41 and is held by the loading means 10, and the cleaning pipe A plurality of second injection ports 43 that are formed along the extending direction of 41 and injects air toward the upper surface 7 of the processing table 6, and the first injection port 42 and the second injection port via a valve 45. 43 and a communication pipe 44 for communicating the air supply source 30 with each other. The total length of the cleaning pipe 41 in the extending direction is slightly longer than the diameter of the wafer processed by the processing apparatus 1a, for example, and is 380 mm when the wafer diameter is 300 mm. By rotating the cleaning pipe 41, the angle of the air injection direction can be adjusted by rotating the first injection port 41 and the second injection port 42. In this case, the first angle adjusting mechanism that adjusts the angle of the injection direction of the air that is injected from the first injection port 41 toward the wafer, and the air that is injected from the second injection port 42 toward the processing table 6. The second angle adjusting mechanism that adjusts the angle in the injection direction is the same configuration. Further, for example, the cleaning pipe 41 has a double structure so that the first injection port 41 and the second injection port rotate independently of each other, and the air from the first injection port 41 You may enable it to adjust separately the angle of injection and the angle of the injection of the air from a 2nd injection port. Regarding the air flow rate adjustment, in the example of FIG. 3, the valve 45 adjusts the amount of air injected from the first injection port 41 and the amount of air injected from the second injection port 42. However, separate valves may be connected to the first injection port 41 and the second injection port 42 to individually adjust the air flow rate.

次に、加工装置１ａを用いてウエーハＷを加工する方法について説明する。加工装置１ａでは、ウエーハ洗浄工程と加工テーブル洗浄工程とを同時に実施する場合について説明する。 Next, a method for processing the wafer W using the processing apparatus 1a will be described. In the processing apparatus 1a, a case where the wafer cleaning process and the processing table cleaning process are performed simultaneously will be described.

図５に示すように、搬入手段１０によってウエーハＷを加工テーブル６に搬入し、加工テーブル６がウエーハＷを保持するまでの間に、洗浄手段４０によって加工前のウエーハＷの下面Ｗｂを洗浄するとともに、加工テーブル６の上面７を洗浄する。具体的には、昇降機構１２によって、ウエーハＷを保持する保持部１００を、加工テーブル６に接近する方向（−Ｚ方向）に所定の距離だけ下降させるとともに、搬送機構１１によって、保持部１００を−Ｘ方向に移動させ洗浄手段４０の上方側を通過させる。また、加工送り手段８によって、加工テーブル６を例えば−Ｘ方向に移動させ洗浄手段４０の下方側を通過させる。 As shown in FIG. 5, the wafer W is carried into the processing table 6 by the carry-in means 10, and the lower surface Wb of the wafer W before processing is cleaned by the cleaning means 40 until the processing table 6 holds the wafer W. At the same time, the upper surface 7 of the processing table 6 is cleaned. Specifically, the holding unit 100 that holds the wafer W is lowered by a predetermined distance in the direction approaching the processing table 6 (−Z direction) by the lifting mechanism 12, and the holding unit 100 is moved by the transport mechanism 11. -Move in the X direction and pass above the cleaning means 40. Further, the processing table 6 is moved, for example, in the −X direction by the processing feeding means 8 and passed below the cleaning means 40.

このとき、洗浄手段４０は、バルブ４５を開くことにより、連通管４４を通じてエアー供給源３０と第１の噴射口４２とを連通させる。続いて、ウエーハＷを保持する保持部１００及び加工テーブル６を−Ｘ方向に移動させながら、洗浄手段４０は、第１の噴射口４２からエアーを噴射してウエーハＷの下面Ｗｂの全面にエアーを吹きかけるとともに、第２の噴射口４３からエアーを噴射して加工テーブル６の上面７の全面にエアーを吹きかける。このようにして、各噴射口から噴射されたエアーの圧力によってウエーハＷの下面Ｗｂ及び加工テーブル６の上面７に付着しているゴミを除去する。なお、第１の噴射口４２及び第２の噴射口４３から噴射するエアーの流量は、例えば１００L/minとする。 At this time, the cleaning means 40 opens the valve 45 to allow the air supply source 30 and the first injection port 42 to communicate with each other through the communication pipe 44. Subsequently, while moving the holding unit 100 holding the wafer W and the processing table 6 in the −X direction, the cleaning unit 40 injects air from the first injection port 42 to air over the entire lower surface Wb of the wafer W. And air is sprayed from the second ejection port 43 to spray the entire surface of the upper surface 7 of the processing table 6. In this manner, dust adhering to the lower surface Wb of the wafer W and the upper surface 7 of the processing table 6 is removed by the pressure of the air ejected from each ejection port. In addition, the flow volume of the air injected from the 1st injection port 42 and the 2nd injection port 43 shall be 100 L / min, for example.

ウエーハ洗浄工程と加工テーブル洗浄工程とを実施した後は、上記した加工装置１と同様に加工工程を実施する。すなわち、加工テーブル６及びウエーハＷを保持する搬入手段１０を例えば二点鎖線に示す位置まで移動させ、加工テーブル６にウエーハＷを搬入し加工テーブル６で保持した後、図３に示した加工手段９によってウエーハＷに対して所定のレーザー加工を行う。 After performing the wafer cleaning process and the processing table cleaning process, the processing process is performed in the same manner as the processing apparatus 1 described above. That is, after the carrying table 10 holding the processing table 6 and the wafer W is moved to, for example, a position indicated by a two-dot chain line, the wafer W is loaded into the processing table 6 and held by the processing table 6, and then the processing means shown in FIG. A predetermined laser processing is performed on the wafer W by 9.

３加工装置の第３例
図６に示す加工装置１ｂは、搬入手段１０がウエーハを加工テーブル６に搬入するまでの間にウエーハＷの下面Ｗｂにエアーを吹きかけて下面Ｗｂを洗浄するとともに、加工テーブル６の上面７にエアーを吹きかけて上面７を洗浄する洗浄手段７０を備えている。加工装置１ｂは、洗浄手段７０の構成以外は加工装置１ａと同様に構成されるため、同様に構成される構成部分には同一の符号を付し、その説明は省略する。 3 Third Example of Processing Device A processing device 1b shown in FIG. 6 is configured to clean the lower surface Wb by blowing air onto the lower surface Wb of the wafer W until the loading means 10 loads the wafer onto the processing table 6. Cleaning means 70 for cleaning the upper surface 7 by blowing air onto the upper surface 7 of the table 6 is provided. Since the processing apparatus 1b is configured in the same manner as the processing apparatus 1a except for the configuration of the cleaning means 70, the same components are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

洗浄手段７０は、上記加工装置１における第１の洗浄パイプ２１と第２の洗浄パイプ２６とを一体化した構造を有し搬送機構１１及び加工送り手段８による移動方向（Ｘ軸方向）と交差する方向に延在する洗浄パイプ７１と、洗浄パイプ７１の延在方向に沿って形成され搬入手段１０が保持するウエーハＷの下面Ｗｂに向けてエアーを噴射する複数の第１の噴射口７２と、洗浄パイプ７１の延在方向に沿って形成され加工テーブル６の上面７に向けてエアーを噴射する複数の第２の噴射口７３と、バルブ４５を介して第１の噴射口７２及び第２の噴射口７３とエアー供給源３０とを連通させる連通管４４とを備えている。第１の噴射口７２と第２の噴射口７３とは、洗浄パイプ７１の中心を基準として逆方向に向けて開口している。洗浄パイプ７１の延在方向における全長は、例えば加工装置１ｂで加工されるウエーハの直径より若干長く、ウエーハの直径が３００ｍｍである場合は、例えば３８０ｍｍである。 The cleaning means 70 has a structure in which the first cleaning pipe 21 and the second cleaning pipe 26 in the processing apparatus 1 are integrated, and intersects the moving direction (X-axis direction) by the transport mechanism 11 and the processing feed means 8. A cleaning pipe 71 extending in the direction in which the cleaning pipe 71 extends, and a plurality of first injection ports 72 for injecting air toward the lower surface Wb of the wafer W formed along the extending direction of the cleaning pipe 71 and held by the carrying-in means 10 A plurality of second injection ports 73 formed along the extending direction of the cleaning pipe 71 and injecting air toward the upper surface 7 of the processing table 6, and the first injection ports 72 and the second through the valve 45. And a communication pipe 44 for communicating the air supply port 30 with the air supply source 30. The first injection port 72 and the second injection port 73 open in the reverse direction with the center of the cleaning pipe 71 as a reference. The total length of the cleaning pipe 71 in the extending direction is, for example, slightly longer than the diameter of the wafer processed by the processing apparatus 1b, and is, for example, 380 mm when the wafer diameter is 300 mm.

図６に示すように、搬入手段１０がウエーハＷを加工テーブル６に搬入し、加工テーブル６がウエーハＷを保持するまでの間に、洗浄手段７０によって加工前のウエーハＷの下面Ｗｂを洗浄するとともに、加工テーブル６の上面７を洗浄する。具体的には、昇降機構１２によって、ウエーハＷを保持する保持部１００を、加工テーブル６に接近する方向（−Ｚ方向）に所定の距離だけ下降させるとともに、搬送機構１１によって、保持部１００を＋Ｘ方向に移動させ洗浄手段４０の上方側を通過させる。また、加工送り手段８によって、加工テーブル６を例えば−Ｘ方向に移動させ洗浄手段４０の下方側を通過させる。 As shown in FIG. 6, the lower surface Wb of the unprocessed wafer W is cleaned by the cleaning unit 70 until the loading unit 10 loads the wafer W onto the processing table 6 and the processing table 6 holds the wafer W. At the same time, the upper surface 7 of the processing table 6 is cleaned. Specifically, the holding unit 100 that holds the wafer W is lowered by a predetermined distance in the direction approaching the processing table 6 (−Z direction) by the lifting mechanism 12, and the holding unit 100 is moved by the transport mechanism 11. Move in the + X direction and pass above the cleaning means 40. Further, the processing table 6 is moved, for example, in the −X direction by the processing feeding means 8 and passed below the cleaning means 40.

第１の噴射口７２はウエーハＷの下面Ｗｂに向き、第２の噴射口７３は加工テーブル６の上面７に向いており、搬送機構１１によって保持部１００をＸ方向に移動させるとともに、加工送り手段８によって加工テーブル６を−Ｘ方向に移動させる。そして、洗浄手段７０は、バルブ４５を開き、第１の噴射口７２からウエーハＷの下面Ｗｂに向けてエアーを噴射するとともに、第２の噴射口７３から加工テーブル６の上面７に向けてエアーを噴射する。このようにして、搬入手段１０，加工テーブル６の移動方向に応じ、ウエーハＷの下面Ｗｂ及び加工テーブル６の上面７に向けてエアーを噴射して洗浄することができる。 The first injection port 72 faces the lower surface Wb of the wafer W, and the second injection port 73 faces the upper surface 7 of the processing table 6. The holding mechanism 100 is moved in the X direction by the transport mechanism 11, and the processing feed The processing table 6 is moved in the −X direction by the means 8. Then, the cleaning means 70 opens the valve 45 and injects air from the first injection port 72 toward the lower surface Wb of the wafer W, and air from the second injection port 73 toward the upper surface 7 of the processing table 6. Inject. In this way, cleaning can be performed by injecting air toward the lower surface Wb of the wafer W and the upper surface 7 of the processing table 6 according to the moving direction of the loading means 10 and the processing table 6.

このように、加工装置１ｂは、第１の洗浄パイプ２１と第２の洗浄パイプ２６とを一体にした構造の洗浄パイプ７１を有する洗浄手段７０を備えているため、装置を大型化することなく、加工テーブル６にウエーハＷを載置する直前にウエーハＷの下面Ｗｂと加工テーブル６の上面７とを効率よく洗浄することができる。 Thus, since the processing apparatus 1b is equipped with the cleaning means 70 having the cleaning pipe 71 having a structure in which the first cleaning pipe 21 and the second cleaning pipe 26 are integrated, without increasing the size of the apparatus. The lower surface Wb of the wafer W and the upper surface 7 of the processing table 6 can be efficiently cleaned immediately before placing the wafer W on the processing table 6.

４加工装置の第４例
図７に示す加工装置１ｃは、第１の洗浄パイプ２１の第１の噴射口２２から噴射されるエアーの流量を調整する第１の流量調整手段５０と、第１の噴射口２２とウエーハＷの下面Ｗｂとが所定の距離になるよう高さ調整する第１の高さ調整手段６０と、第２の洗浄パイプ２６の第２の噴射口２７から噴射されるエアーの流量を調整する第２の流量調整手段５３と、第２の噴射口２７と加工テーブル６ａの上面７との距離を調整する第２の高さ調整手段６３とを備えている。なお、上記した加工装置１と同様に構成される部分には同一の符号を付し、その説明は省略する。 4 Fourth Example of Processing Device A processing device 1c shown in FIG. 7 includes a first flow rate adjusting means 50 for adjusting the flow rate of air injected from the first injection port 22 of the first cleaning pipe 21, and a first flow rate adjusting means 50. The first height adjusting means 60 that adjusts the height so that the injection port 22 of the wafer W and the lower surface Wb of the wafer W have a predetermined distance, and the air injected from the second injection port 27 of the second cleaning pipe 26 And a second height adjusting means 63 for adjusting the distance between the second injection port 27 and the upper surface 7 of the processing table 6a. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the part comprised similarly to the above-mentioned processing apparatus 1, and the description is abbreviate | omitted.

第１の流量調整手段５０は、第１の連通管２３に配設された第１の流量調整バルブ５１と、第１の流量調整バルブ５１におけるエアーの流量を調整する第１の制御部５２とにより構成されている。第１の制御部５２は、ＣＰＵ及びメモリを少なくとも備えており、第１の制御部５２に設定された制御情報に基づいて第１の噴射口２２から噴射させるエアーの流量を調整するように第１の流量調整バルブ５１を制御できる。また、第２の流量調整手段５３は、第２の連通管２８に配設された第２の流量調整バルブ５４と、第２の流量調整バルブ５４に対してエアーの流量を調整する第２の制御部５５とにより構成されている。第２の制御部５５についてもＣＰＵ及びメモリを少なくとも備えており、第２の制御部５５に設定された制御情報に基づいて第２の噴射口２７から噴射させるエアーの流量を調整するように第２の流量調整バルブ５４を制御できる。 The first flow rate adjusting means 50 includes a first flow rate adjusting valve 51 disposed in the first communication pipe 23, a first control unit 52 that adjusts the air flow rate in the first flow rate adjusting valve 51, and It is comprised by. The first control unit 52 includes at least a CPU and a memory. The first control unit 52 adjusts the flow rate of air to be injected from the first injection port 22 based on control information set in the first control unit 52. 1 flow control valve 51 can be controlled. The second flow rate adjusting means 53 includes a second flow rate adjusting valve 54 disposed in the second communication pipe 28 and a second flow rate adjusting valve 54 that adjusts the air flow rate with respect to the second flow rate adjusting valve 54. It is comprised by the control part 55. FIG. The second control unit 55 also includes at least a CPU and a memory, and the second control unit 55 is configured to adjust the flow rate of air injected from the second injection port 27 based on control information set in the second control unit 55. 2 flow control valves 54 can be controlled.

第１の高さ調整手段６０は、第１の洗浄パイプ２１を支持するとともにその高さ位置を調整する調整部６１と、調整部６１を昇降可能に支持する支持柱６２とを備えている。調整部６１が支持柱６２に沿って昇降移動することにより、第１の洗浄パイプ２１の高さを調整し、第１の噴射口２２とウエーハＷの下面Ｗｂとの距離を所望の距離に調整することができる。一方、第２の高さ調整手段６３は、第２の洗浄パイプ２６を支持するとともにその高さ位置を調整する調整部６４と、調整部６４を昇降可能に支持する支持柱６５とを備えている。調整部６４が支持柱６５に沿って昇降移動することにより、第２の洗浄パイプ２６の高さを調整し、第２の噴射口２７と加工テーブル６の上面７との距離を所望の距離に調整することができる。 The first height adjusting means 60 includes an adjusting unit 61 that supports the first cleaning pipe 21 and adjusts the height position thereof, and a support column 62 that supports the adjusting unit 61 so as to be movable up and down. The adjustment unit 61 moves up and down along the support pillar 62 to adjust the height of the first cleaning pipe 21 and adjust the distance between the first injection port 22 and the lower surface Wb of the wafer W to a desired distance. can do. On the other hand, the second height adjusting means 63 includes an adjusting portion 64 that supports the second cleaning pipe 26 and adjusts the height position thereof, and a support column 65 that supports the adjusting portion 64 so as to be movable up and down. Yes. The adjustment unit 64 moves up and down along the support pillar 65 to adjust the height of the second cleaning pipe 26 and to set the distance between the second injection port 27 and the upper surface 7 of the processing table 6 to a desired distance. Can be adjusted.

次に、加工装置１ｃを用いてウエーハＷを加工する方法について説明する。加工装置１ｃでは、加工装置１と同様の動作によって、ウエーハ洗浄工程，加工テーブル洗浄工程及び加工工程を実施することができる。なお、第１の制御部５２及び第２の制御部５５には、加工するウエーハの種類（例えば、ウエーハの材質など）、第１の噴射口２２とウエーハＷの下面Ｗｂとの距離及び第２の噴射口２７と加工テーブル６の上面７との距離などに応じて必要なエアーの流量をあらかじめ設定しておく。 Next, a method for processing the wafer W using the processing apparatus 1c will be described. In the processing apparatus 1c, the wafer cleaning process, the processing table cleaning process, and the processing process can be performed by the same operation as the processing apparatus 1. The first control unit 52 and the second control unit 55 include the type of wafer to be processed (for example, the material of the wafer), the distance between the first injection port 22 and the lower surface Wb of the wafer W, and the second. The required air flow rate is set in advance according to the distance between the nozzle 27 and the upper surface 7 of the processing table 6.

ウエーハ洗浄工程では、第１の流量調整手段５０は、第１の制御部５２に設定された制御情報に基づき、第１の洗浄手段２０ａの第１の噴射口２２からウエーハＷの下面Ｗｂに向けて所定の流量のエアーを噴射する。また、第１の流量調整手段５０は、第１の噴射口２２とウエーハＷの下面Ｗｂとの距離に応じて、エアーの流量を増やしたり減らしたりするように第１の流量調整バルブ５１を制御する。一方、第１の高さ調整手段６０は、第１の噴射口２２から噴射されるエアーの流量に応じて、支持柱６２に沿って調整部６１を＋Ｚ方向に上昇させて第１の洗浄パイプ２１をウエーハＷの下面Ｗｂに接近させたり、支持柱６２に沿って調整部６１を−Ｚ方向に下降させて第１の洗浄パイプ２１をウエーハＷの下面Ｗｂから離反させたりして第１の噴射口２２とウエーハＷの下面Ｗｂとの距離を所望の距離に調整する。 In the wafer cleaning step, the first flow rate adjusting unit 50 is directed from the first injection port 22 of the first cleaning unit 20a toward the lower surface Wb of the wafer W based on the control information set in the first control unit 52. To inject air at a predetermined flow rate. Further, the first flow rate adjusting means 50 controls the first flow rate adjusting valve 51 so as to increase or decrease the air flow rate according to the distance between the first injection port 22 and the lower surface Wb of the wafer W. To do. On the other hand, the first height adjusting means 60 raises the adjusting portion 61 in the + Z direction along the support pillar 62 in accordance with the flow rate of the air injected from the first injection port 22, so that the first washing pipe The first cleaning pipe 21 is moved away from the lower surface Wb of the wafer W by bringing the first cleaning pipe 21 away from the lower surface Wb of the wafer W by moving the adjusting portion 61 in the −Z direction along the support pillar 62. The distance between the ejection port 22 and the lower surface Wb of the wafer W is adjusted to a desired distance.

加工テーブル洗浄工程では、第２の流量調整手段５３は、第２の制御部５５に設定された制御情報に基づき、第２の洗浄手段２５ａの第２の噴射口２７から加工テーブル６の上面７に向けて所定の流量のエアーを噴射する。また、第２の流量調整手段５３は、第２の噴射口２７と加工テーブル６の上面７との距離に応じて、エアーの流量を増やしたり減らしたりするように第２の流量調整バルブ５４を制御する。一方、第２の高さ調整手段６３は、第２の噴射口２７から噴射されるエアーの流量に応じて、支持柱６５に沿って調整部６４を＋Ｚ方向に上昇させて第２の洗浄パイプ２６を加工テーブル６の上面７から離反させたり、支持柱６５に沿って調整部６４を−Ｚ方向に下降させて第２の洗浄パイプ２６を加工テーブル６の上面７に接近させたりして第２の噴射口２７と加工テーブル６の上面７との距離を所望の距離に調整する。 In the processing table cleaning step, the second flow rate adjusting means 53 is based on the control information set in the second control unit 55 from the second injection port 27 of the second cleaning means 25a to the upper surface 7 of the processing table 6. A predetermined flow rate of air is injected toward Further, the second flow rate adjusting means 53 controls the second flow rate adjusting valve 54 so as to increase or decrease the air flow rate according to the distance between the second injection port 27 and the upper surface 7 of the processing table 6. Control. On the other hand, the second height adjusting means 63 raises the adjusting portion 64 in the + Z direction along the support pillar 65 in accordance with the flow rate of the air injected from the second injection port 27, and the second washing pipe. 26 is moved away from the upper surface 7 of the processing table 6, or the adjustment portion 64 is lowered in the −Z direction along the support column 65 to bring the second cleaning pipe 26 closer to the upper surface 7 of the processing table 6. The distance between the two injection ports 27 and the upper surface 7 of the processing table 6 is adjusted to a desired distance.

ウエーハ洗浄工程と加工テーブル洗浄工程とを実施した後、加工装置１と同様の加工工程を実施する。すなわち、加工テーブル６にウエーハＷを搬入し加工テーブル６で保持した後、加工手段９によって、ウエーハＷに対して所定のレーザー加工を行う。 After performing the wafer cleaning process and the processing table cleaning process, the same processing process as the processing apparatus 1 is performed. That is, after the wafer W is carried into the processing table 6 and is held by the processing table 6, a predetermined laser processing is performed on the wafer W by the processing means 9.

このように、加工装置１ｃは、第１の噴射口２２から噴射されるエアーの流量を調整する第１の流量調整手段５０と、第１の噴射口２２とウエーハＷの下面Ｗｂとが所定の距離になるように高さ調整する第１の高さ調整手段６０と、第２の噴射口２７から噴射されるエアーの流量を調整する第２の流量調整手段５３と、第２の噴射口２７と加工テーブル６ａの上面７との距離を調整する第２の高さ調整手段６３とを備えているため、第１の噴射口２２、第２の噴射口２７から噴射されるエアーの流量に合わせて、第１の洗浄パイプ２１、第２の洗浄パイプ２６の高さを調整できる。また、第１の洗浄パイプ２１、第２の洗浄パイプ２６の高さに応じて第１の噴射口２２、第２の噴射口２７から噴射すべきエアーの流量を調節することもできる。よって、ウエーハＷの下面Ｗｂ及び加工テーブル６の上面７に対し、エアーによる洗浄をより効果的に行うことが可能となる。 Thus, in the processing apparatus 1c, the first flow rate adjusting means 50 for adjusting the flow rate of the air jetted from the first jet port 22, the first jet port 22 and the lower surface Wb of the wafer W are predetermined. First height adjusting means 60 for adjusting the height so as to be a distance, second flow rate adjusting means 53 for adjusting the flow rate of air injected from the second injection port 27, and second injection port 27 And a second height adjusting means 63 that adjusts the distance between the processing table 6a and the upper surface 7 of the processing table 6a, so that it matches the flow rate of air injected from the first injection port 22 and the second injection port 27. Thus, the heights of the first cleaning pipe 21 and the second cleaning pipe 26 can be adjusted. In addition, the flow rate of air to be injected from the first injection port 22 and the second injection port 27 can be adjusted according to the height of the first cleaning pipe 21 and the second cleaning pipe 26. Therefore, it becomes possible to more effectively clean the lower surface Wb of the wafer W and the upper surface 7 of the processing table 6 with air.

５加工装置の第５例
図８に示す加工装置２は、装置ベース２ａを有しており、装置ベース２ａの前部には、複数のウエーハＷを収容可能なカセット３が配設されている。装置ベース２ａの上面には、ウエーハＷを仮置きする仮置き領域４と、カセット３に対して加工前のウエーハＷを搬出するとともに加工後のウエーハＷを搬入する搬出入部５と、ウエーハＷを保持する上面７を有する加工テーブル６ａと、加工テーブル６ａをＸ軸方向に走行させる加工送り手段８ａと、加工テーブル６ａの上面７に保持されるウエーハＷに対してレーザー加工を施す加工手段９ａと、ウエーハＷを保持して仮置き領域４から加工テーブル６ａにウエーハＷを搬入する搬入手段１０ａと、加工手段９ａによって加工されたウエーハＷの洗浄を行う洗浄領域１３と、加工テーブル６ａから洗浄領域１３にウエーハを搬送する搬送手段１４と、搬入手段１０ａがウエーハＷを仮置き領域４から加工テーブル６ａに搬入するまでの間にウエーハＷの下面Ｗｂにエアーを吹きかけて下面Ｗｂを洗浄する第１の洗浄手段２０ｂと、加工テーブル６ａの上面７にエアーを吹きかけて上面７を洗浄する第２の洗浄手段２５ｂとを備えている。 5 Fifth Example of Processing Apparatus A processing apparatus 2 shown in FIG. 8 has an apparatus base 2a, and a cassette 3 capable of accommodating a plurality of wafers W is disposed at the front of the apparatus base 2a. . On the upper surface of the apparatus base 2a, there are a temporary placement region 4 for temporarily placing the wafer W, a carry-in / out section 5 for carrying the wafer W before processing into the cassette 3 and carrying the wafer W after processing, and the wafer W. A processing table 6a having an upper surface 7 to be held, a processing feed means 8a for moving the processing table 6a in the X-axis direction, and a processing means 9a for performing laser processing on the wafer W held on the upper surface 7 of the processing table 6a. The carry-in means 10a for holding the wafer W and carrying the wafer W into the processing table 6a from the temporary storage area 4, the cleaning area 13 for cleaning the wafer W processed by the processing means 9a, and the cleaning area from the processing table 6a. 13 until the wafer 14 is carried to the processing table 6a from the temporary placement area 4 by the carrying means 14 for carrying the wafer to 13 and the carry-in means 10a. First cleaning means 20b for cleaning the lower surface Wb by blowing air on the lower surface Wb of the wafer W, and second cleaning means 25b for cleaning the upper surface 7 by blowing air on the upper surface 7 of the processing table 6a are provided. .

搬入手段１０ａは、ウエーハＷを保持する保持部１００と、加工テーブル６ａの上面７と平行な方向に旋回可能なアーム部１０２と、アーム部１０２の一端に接続された軸部１０３とを備えている。搬入手段１０ａは、軸部１０３が昇降することより、加工テーブル６ａの上面７に対して接近及び離間する方向に保持部１００を昇降させることができる。また、軸部１０３が回転することにより、仮置き領域４と加工テーブル６ａとの間で保持部１００を水平に移動させることができる。 The carry-in means 10 a includes a holding unit 100 that holds the wafer W, an arm unit 102 that can pivot in a direction parallel to the upper surface 7 of the processing table 6 a, and a shaft unit 103 that is connected to one end of the arm unit 102. Yes. The carrying-in means 10a can raise / lower the holding | maintenance part 100 in the direction which approaches and separates with respect to the upper surface 7 of the process table 6a, when the axial part 103 raises / lowers. Further, by rotating the shaft portion 103, the holding portion 100 can be moved horizontally between the temporary placement region 4 and the processing table 6a.

第１の洗浄手段２０ｂは、カセット３と仮置き領域４との間においてＸ軸方向に延在して配設されている。第１の洗浄手段２０ｂは、上記した第１の洗浄手段２０と同様の構成となっている。また、第１の洗浄手段２０ｂの配設位置は、図８に示す位置に限定されるものではなく、搬入手段１０ａの保持部１００の移動経路の下方に配設されていればよい。第２の洗浄手段２５ｂは、加工テーブル６ｂの移動経路の上方においてＹ軸方向に延在して配設されている。第２の洗浄手段２５ｂは、上記した第２の洗浄手段２５と同様の構成となっている。 The first cleaning means 20b is disposed extending in the X-axis direction between the cassette 3 and the temporary placement region 4. The first cleaning means 20b has the same configuration as the first cleaning means 20 described above. Further, the arrangement position of the first cleaning means 20b is not limited to the position shown in FIG. 8, and may be arranged below the movement path of the holding unit 100 of the carry-in means 10a. The second cleaning means 25b is arranged extending in the Y-axis direction above the movement path of the processing table 6b. The second cleaning means 25b has the same configuration as the second cleaning means 25 described above.

次に、加工装置２を用いてウエーハＷを加工する方法について説明する。まず、搬入出部５は、カセット３から加工前のウエーハＷを−Ｙ方向に引き出して仮置き領域４に仮置きする。搬入手段１０ａは、仮置き領域４に仮置きされたウエーハＷを保持部１００で保持するとともに搬出する。 Next, a method for processing the wafer W using the processing apparatus 2 will be described. First, the carry-in / out section 5 pulls the unprocessed wafer W from the cassette 3 in the −Y direction and temporarily places it in the temporary placement area 4. The carry-in means 10a holds the wafer W temporarily placed in the temporary placement region 4 by the holding unit 100 and carries it out.

続いて軸部１０３が回転することによりアーム部１０２を旋回させ、ウエーハＷを保持する保持部１００を仮置き領域４から加工テーブル６ａの上方側に移動させることにより、保持部１００が第１の洗浄手段２０ｂの上方側を通過するとき、ウエーハ洗浄工程を実施する。図９に示すように、第１の洗浄手段２０ｂは、第１のバルブ２４を開いてエアー供給源３０と第１の噴射口２２とを連通させる。ウエーハＷを保持する保持部１００を旋回移動させながら、第１の洗浄手段２０ｂは、第１の噴射口２２からエアーを噴射してウエーハＷの下面Ｗｂの全面にエアーを吹きかけ、エアーの圧力によってウエーハＷの下面Ｗｂに付着しているゴミを除去する。 Subsequently, by rotating the shaft portion 103, the arm portion 102 is turned, and the holding portion 100 that holds the wafer W is moved from the temporary placement region 4 to the upper side of the processing table 6a. When passing over the upper side of the cleaning means 20b, a wafer cleaning step is performed. As shown in FIG. 9, the first cleaning means 20 b opens the first valve 24 to cause the air supply source 30 and the first injection port 22 to communicate with each other. The first cleaning means 20b injects air from the first injection port 22 and blows air over the entire lower surface Wb of the wafer W while rotating the holding unit 100 that holds the wafer W. The dust adhering to the lower surface Wb of the wafer W is removed.

また、図１０に示すように、搬入手段１０ａにより搬入されるウエーハＷを加工テーブル６ａが保持する前に、加工テーブル洗浄工程を実施する。具体的には、加工送り手段８ａによって、加工テーブル６ａを例えば−Ｘ方向に移動させ、第２の洗浄手段２５ｂの下方を通過させる。このとき、第２の洗浄手段２５ｂは、第２のバルブ２９を開いて第２の連通管２８を通じてエアー供給源３０と第２の噴射口２７とを連通させる。加工テーブル６ａを−Ｘ方向に移動させつつ、第２の洗浄手段２５ｂは、第２の噴射口２７からエアーを噴射して加工テーブル６の上面７の全面にエアーを吹きかけ、エアーの圧力によって加工テーブル６の上面７に付着しているゴミを除去する。加工テーブル洗浄工程は、ウエーハ洗浄工程と同時に行ってもよいし、ウエーハ洗浄工程の前に行ってもよい。 Further, as shown in FIG. 10, a processing table cleaning step is performed before the processing table 6a holds the wafer W carried by the carrying-in means 10a. Specifically, the machining table 6a is moved, for example, in the −X direction by the machining feed unit 8a, and passes below the second cleaning unit 25b. At this time, the second cleaning means 25 b opens the second valve 29 and causes the air supply source 30 and the second injection port 27 to communicate with each other through the second communication pipe 28. While moving the processing table 6a in the -X direction, the second cleaning means 25b injects air from the second injection port 27 to blow air over the entire upper surface 7 of the processing table 6, and processes the air by the pressure of the air. The dust adhering to the upper surface 7 of the table 6 is removed. The processing table cleaning step may be performed simultaneously with the wafer cleaning step or may be performed before the wafer cleaning step.

ウエーハ洗浄工程と加工テーブル洗浄工程とを実施した後、加工工程を実施する。具体的には、加工テーブル６ａを例えば二点鎖線に示す位置まで移動させ、搬入手段１０ａは、加工テーブル６ａの上方側に移動し、加工テーブル６ａに洗浄後のウエーハＷを載置してウエーハＷを保持した後、図８に示した加工手段９ａによってウエーハＷに対して所定のレーザー加工を行う。このように、加工装置２においても、加工テーブル６ａにウエーハＷを載置する直前までに、ウエーハＷの下面Ｗｂと加工テーブル６ａの上面７とを効率よく洗浄することができる。 After performing the wafer cleaning process and the processing table cleaning process, the processing process is performed. Specifically, the processing table 6a is moved to a position indicated by a two-dot chain line, for example, and the carry-in means 10a moves to the upper side of the processing table 6a, and places the wafer W after cleaning on the processing table 6a. After holding W, a predetermined laser processing is performed on the wafer W by the processing means 9a shown in FIG. Thus, also in the processing apparatus 2, it is possible to efficiently clean the lower surface Wb of the wafer W and the upper surface 7 of the processing table 6a immediately before placing the wafer W on the processing table 6a.

なお、上記実施形態では、第１の洗浄手段２０，２０ａ及び２０ｂと、第２の洗浄手段２５，２５ａ及び２５ｂとをレーザー加工を行う加工装置１、１ａ，１ｂ，２に適用した例を説明したが、この構成に限定されるものではなく、例えば切削装置にも適用することができる。 In the above embodiment, an example is described in which the first cleaning means 20, 20a, and 20b and the second cleaning means 25, 25a, and 25b are applied to the processing apparatuses 1, 1a, 1b, and 2 that perform laser processing. However, it is not limited to this configuration, and can be applied to, for example, a cutting device.

１，１ａ，１ｂ：加工装置
２：加工装置２ａ：装置ベース３：カセット４：仮置き領域
５：搬出入部６，６ａ：加工テーブル７：上面８，８ａ：加工送り手段
９，９ａ：加工手段
１０，１０ａ：搬入手段１００：保持部１０１：保持面
１０２：アーム部１０３：軸部
１１：搬送機構１１０：ガイド１１１：移動部
１２：昇降機構１２０：支持部１３：洗浄領域１４：搬送手段
１５：中心軸１６：テーブル回転機構
２０，２０ａ，２０ｂ：第１の洗浄手段２１：第１の洗浄パイプ
２２：第１の噴射口２３：第１の連通管２４：第１のバルブ
２５，２５ａ，２５ｂ：第２の洗浄手段２６：第２の洗浄パイプ２７：第２の噴射口
２８：第２の連通管２９：第２のバルブ３０：エアー供給源
４０：洗浄手段４１：洗浄パイプ４２：第１の噴射口
４３：第２の噴射口４４：連通管４５：バルブ４６:窓部
５０：第１の流量調整手段５１：第１の流量調整バルブ５２：第１の制御部
５３：第２の流量調整手段５４：第２の流量調整バルブ５５：第２の制御部
６０：第１の高さ調整手段６１：調整部６２：支持柱
６３：第２の高さ調整手段６４：調整部６５：支持柱
７０：洗浄手段７１：洗浄パイプ７２：第１の噴射口７２７３：第２の噴射口７３ 1, 1a, 1b: Processing device 2: Processing device 2a: Device base 3: Cassette 4: Temporary placement area 5: Loading / unloading section 6, 6a: Processing table 7: Upper surface 8, 8a: Processing feed means 9, 9a: Processing means
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10,10a: Loading means 100: Holding part 101: Holding surface 102: Arm part 103: Shaft part 11: Transfer mechanism 110: Guide 111: Moving part 12: Lifting mechanism 120: Support part 13: Cleaning area 14: Transfer means 15 : Center axis 16: Table rotating mechanism 20, 20a, 20b: First cleaning means 21: First cleaning pipe 22: First injection port 23: First communication pipe 24: First valves 25, 25a, 25b: second cleaning means 26: second cleaning pipe 27: second injection port 28: second communication pipe 29: second valve 30: air supply source 40: cleaning means 41: cleaning pipe 42: second 1 injection port 43: 2nd injection port 44: Communication pipe 45: Valve 46: Window part 50: 1st flow volume adjustment means 51: 1st flow volume adjustment valve 52: 1st control part 53: 2nd Flow rate adjusting means 54: No. Second flow rate adjusting valve 55: second control unit 60: first height adjusting unit 61: adjusting unit 62: support column 63: second height adjusting unit 64: adjusting unit 65: support column 70: cleaning unit 71: Washing pipe 72: First injection port 72 73: Second injection port 73

Claims

板状のウエーハを保持する加工テーブルと、該加工テーブルを走行させる加工送り手段と、該加工テーブルに保持されたウエーハに所定の加工を施す加工手段と、ウエーハを保持して該加工テーブルに搬入する搬入手段と、を備える加工装置であって、
該搬入手段がウエーハを該加工テーブルに搬入するまでの間にエアーを吹きかけてウエーハの下面を洗浄する第１の洗浄手段と、該搬入手段によって搬入されるウエーハを該加工テーブルで保持する前にエアーを吹きかけて該加工テーブルの上面を洗浄する第２の洗浄手段と、を備え、
該搬入手段は、該加工テーブルの上面と平行な方向に動作する搬送機構と、該加工テーブルの上面に接近及び離間する方向に動作する昇降機構と、を備え、
該第１の洗浄手段は、該搬入手段が保持するウエーハの下面に対して平行でかつ該搬送機構の移動方向に対して交差する方向に延在する第１の洗浄パイプと、該第１の洗浄パイプの延在方向に配設される複数の第１の噴射口と、該第１の噴射口とエアー供給源とを連通させる連通管と、を備え、
該第２の洗浄手段は、該加工テーブルの上面に対して平行でかつ該加工送り手段の加工送り方向に対して交差する方向に延在する第２の洗浄パイプと、該第２の洗浄パイプの延在方向に配設される複数の第２の噴射口と、該第２の噴射口とエアー供給源とを連通させる連通管と、を備え、
該第２の洗浄手段によって該加工テーブルの上面を洗浄するとともに、該第１の洗浄手段によってウエーハの下面を洗浄することを特徴とする加工装置。 A processing table for holding a plate-shaped wafer, a processing feed means for running the processing table, a processing means for performing a predetermined processing on the wafer held on the processing table, and a wafer held in the processing table A carrying-in means for carrying out processing,
Before holding the wafer carried by the carry-in means at the work table, the first washing means for blowing the air until the carry-in means carries the wafer into the work table and cleaning the lower surface of the wafer. A second cleaning means for cleaning the upper surface of the processing table by blowing air;
The carry-in means includes a transport mechanism that operates in a direction parallel to the upper surface of the processing table, and an elevating mechanism that operates in a direction toward and away from the upper surface of the processing table,
The first cleaning means includes a first cleaning pipe extending in a direction parallel to the lower surface of the wafer held by the carry-in means and intersecting the moving direction of the transport mechanism, and the first cleaning pipe A plurality of first injection ports arranged in the extending direction of the cleaning pipe, and a communication pipe for communicating the first injection port and the air supply source,
The second cleaning means includes a second cleaning pipe extending in a direction parallel to the upper surface of the processing table and intersecting the processing feed direction of the processing feed means, and the second cleaning pipe A plurality of second injection ports disposed in the extending direction of the first and second communication ports for communicating the second injection ports and the air supply source,
A processing apparatus, wherein the upper surface of the processing table is cleaned by the second cleaning means, and the lower surface of the wafer is cleaned by the first cleaning means.

前記加工送り手段の加工送り方向と前記搬入手段の前記搬送機構の移動方向とが同一方向であり、前記第１の洗浄パイプと前記第２の洗浄パイプとを一体化させて構成される
請求項１記載の加工装置。 The processing feed direction of the processing feed means and the moving direction of the transport mechanism of the carry-in means are the same direction, and the first cleaning pipe and the second cleaning pipe are integrated. The processing apparatus according to 1.

前記第１の噴射口からウエーハに向けて噴射するエアーの噴射方向の角度を調整する第１の角度調整機構と、
前記第２の噴射口から前記加工テーブルに向けて噴射するエアーの噴射方向の角度を調整する第２の角度調整機構と、を備える請求項１又は２に記載の加工装置。 A first angle adjusting mechanism that adjusts an angle of an injection direction of air that is injected from the first injection port toward the wafer;
The processing apparatus according to claim 1, further comprising: a second angle adjustment mechanism that adjusts an angle in an injection direction of air that is injected from the second injection port toward the processing table.

前記第１の噴射口から噴射されるエアーの流量を調整する第１の流量調整手段と、
該第１の噴射口とウエーハの下面との距離を調整する第１の高さ調整手段と、
前記第２の噴射口から噴射されるエアーの流量を調整する第２の流量調整手段と、
該第２の噴射口と前記加工テーブルの上面との距離を調整する第２の高さ調整手段と、を備える請求項１又は３のいずれかに記載の加工装置。 First flow rate adjusting means for adjusting the flow rate of air injected from the first injection port;
First height adjusting means for adjusting the distance between the first injection port and the lower surface of the wafer;
Second flow rate adjusting means for adjusting the flow rate of air injected from the second injection port;
The processing apparatus according to claim 1, further comprising: a second height adjusting unit that adjusts a distance between the second injection port and an upper surface of the processing table.

前記加工テーブルの中心を軸に該加工テーブルを回転させるテーブル回転機構を備え、該テーブル回転機構が該加工テーブルを回転させつつ前記第２の洗浄手段によって該加工テーブルの上面を洗浄する請求項１，２，３又は４のいずれかに記載の加工装置。 2. A table rotating mechanism for rotating the processing table about the center of the processing table, wherein the table rotating mechanism cleans the upper surface of the processing table by the second cleaning means while rotating the processing table. , 2, 3 or 4.

請求項１，２，３，４又は５のいずれかに記載の加工装置を用いたウエーハの加工方法であって、
前記搬入手段によってウエーハを前記加工テーブルに搬入し該加工テーブルがウエーハを保持するまでの間に、前記第１の噴射口からウエーハの下面に向けてエアーを吹きかけてウエーハの下面を洗浄するウエーハ洗浄工程と、
前記第２の噴射口から該加工テーブルの上面に向けてエアーを吹きかけて該加工テーブルの上面を洗浄する加工テーブル洗浄工程と、
該ウエーハ洗浄工程と該加工テーブル洗浄工程とを実施した後、該加工テーブルが保持するウエーハに対し前記加工手段によって所定の加工を行う加工工程と、を備えるウエーハの加工方法。 A wafer processing method using the processing apparatus according to claim 1, 2, 3, 4 or 5,
Wafer cleaning for cleaning the lower surface of the wafer by blowing air from the first injection port toward the lower surface of the wafer between the time when the wafer is carried into the processing table by the loading means and the processing table holds the wafer. Process,
A processing table cleaning step of cleaning the upper surface of the processing table by blowing air from the second injection port toward the upper surface of the processing table;
A wafer processing method comprising: a processing step of performing a predetermined processing by the processing means on the wafer held by the processing table after performing the wafer cleaning step and the processing table cleaning step.