JP2016184662A

JP2016184662A - Cleaning apparatus

Info

Publication number: JP2016184662A
Application number: JP2015064106A
Authority: JP
Inventors: 徹雄久保; Tetsuo Kubo
Original assignee: Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2015-03-26
Filing date: 2015-03-26
Publication date: 2016-10-20

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To shorten the cleaning time by enhancing the cleaning effect on the entire surface of a wafer.SOLUTION: A cleaning apparatus (1) includes a holding table (20) for holding a wafer (W), rotation means (40) for rotating the holding table, a cleaning nozzle (30) for cleaning the wafer, and transfer means (50) for moving the cleaning nozzle and holding table relatively at a constant speed. The cleaning position (P) by the cleaning nozzle when the cleaning nozzle and holding table are moved relatively is then recognized, and the rotational speed of the holding table is controlled so that the peripheral velocity at the cleaning position is not changed, even if the cleaning position by the cleaning nozzle is shifted in the radial direction of the wafer.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、ウエーハを回転させながら洗浄水で洗浄する洗浄装置に関する。 The present invention relates to a cleaning apparatus for cleaning with cleaning water while rotating a wafer.

従来、ウエーハを保持した保持テーブルを回転させつつ、ウエーハの上方で洗浄ノズルを旋回させながらウエーハに洗浄水を噴射して洗浄するスピンナー洗浄装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の洗浄装置は、ウエーハの中心と外周の間で洗浄ノズルを往復移動させているが、保持テーブルが一定の回転数で回転されるため、ウエーハの中心側と外周側とで洗浄効果が異なる。すなわち、ウエーハの中心側よりも外周側の周速が速いため、ウエーハの外周側に対する洗浄が粗くなって洗浄効果が低下する。 2. Description of the Related Art Conventionally, a spinner cleaning device is known that performs cleaning by spraying cleaning water onto a wafer while rotating a holding table that holds the wafer and rotating a cleaning nozzle above the wafer (see, for example, Patent Document 1). In the cleaning device described in Patent Document 1, the cleaning nozzle is reciprocated between the center and the outer periphery of the wafer. However, since the holding table is rotated at a constant rotation speed, the cleaning table is rotated between the center side and the outer periphery side of the wafer. The cleaning effect is different. That is, since the peripheral speed on the outer peripheral side is faster than the center side of the wafer, the cleaning on the outer peripheral side of the wafer becomes rough, and the cleaning effect decreases.

ウエーハの外周側の洗浄効果を向上させるために、ウエーハに対する洗浄ノズルによる洗浄位置に応じて、洗浄ノズルの移動速度を可変する洗浄装置が知られている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２に記載の洗浄装置は、ウエーハの中心側から外周側に向かって洗浄ノズルの移動速度を遅くすることで、ウエーハの中心側よりも外周側に対する洗浄時間を長くしている。これにより、周速の速いウエーハの外周側に対する洗浄効果を向上させて、周速の異なるウエーハの中心側と外周側の洗浄効果のバラツキを小さくするようにしている。 In order to improve the cleaning effect on the outer peripheral side of the wafer, there is known a cleaning device that varies the moving speed of the cleaning nozzle in accordance with the cleaning position of the wafer by the cleaning nozzle (see, for example, Patent Document 2). In the cleaning apparatus described in Patent Document 2, the cleaning time for the outer peripheral side is made longer than the central side of the wafer by reducing the moving speed of the cleaning nozzle from the central side of the wafer toward the outer peripheral side. As a result, the cleaning effect on the outer peripheral side of the wafer having a high peripheral speed is improved, and the variation in the cleaning effect between the center side and the outer peripheral side of the wafer having different peripheral speeds is reduced.

特開２０１１−１７６０３５号公報JP 2011-176035 A 特開２０１４−０７５３８８号公報JP 2014-075388 A1

しかしながら、特許文献２に記載の洗浄装置では、ウエーハの外周側に対する洗浄時間を増やした割に十分な洗浄効果が得られていない。これは、洗浄ノズルの移動速度を調整して洗浄時間を増やしたとしても、ウエーハの外周側に対する水滴の当たり方が変わらないからであると考えられる。周速が遅いウエーハの中心側には水滴が細かく当てられるが、周速が速いウエーハの外周側には水滴が粗く当てられる。このため、洗浄時間を長くしたとしても、ウエーハの外周側では水滴が当たらない箇所が出てきてしまい、汚れが残ってしまうという問題があった。 However, in the cleaning device described in Patent Document 2, a sufficient cleaning effect is not obtained for the increased cleaning time for the outer peripheral side of the wafer. This is considered to be because even if the moving speed of the cleaning nozzle is adjusted to increase the cleaning time, the manner in which water droplets hit the outer peripheral side of the wafer does not change. Although water droplets are finely applied to the center side of a wafer having a low peripheral speed, water droplets are roughly applied to the outer peripheral side of a wafer having a high peripheral speed. For this reason, even if the cleaning time is lengthened, there is a problem that a portion where water droplets do not hit comes out on the outer peripheral side of the wafer, and dirt remains.

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、ウエーハの全面に対する洗浄効果を向上させて洗浄時間を短縮することができる洗浄装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of this point, and an object of the present invention is to provide a cleaning apparatus capable of improving the cleaning effect on the entire surface of the wafer and reducing the cleaning time.

本発明の洗浄装置は、ウエーハを保持する保持テーブルと、該保持テーブルを回転させる回転手段と、該保持テーブルが保持するウエーハに洗浄水を噴射させる洗浄ノズルと、該洗浄ノズルと該保持テーブルとを相対的に該保持テーブルの径方向に一定速度で移動させる移動手段と、を備える洗浄装置であって、該回転手段は、回転駆動源と、該回転駆動源で回転する回転速度を制御する回転速度制御部と、を備え、該移動手段は、移動駆動源と、該移動駆動源で該洗浄ノズルと該保持テーブルとを相対的に移動したときの該洗浄ノズルによる洗浄位置を認識する位置認識部と、を備え、該位置認識部が認識する洗浄位置が該保持テーブルが保持するウエーハの外周に向かうに従って、該回転速度制御部が制御する該保持テーブルの回転速度を遅くする制御を行う。 The cleaning apparatus of the present invention includes a holding table that holds a wafer, a rotating unit that rotates the holding table, a cleaning nozzle that jets cleaning water to the wafer held by the holding table, the cleaning nozzle, and the holding table. And a moving means for relatively moving the holding table in the radial direction of the holding table, wherein the rotating means controls the rotation drive source and the rotation speed rotated by the rotation drive source. A rotational speed control unit, and the moving means recognizes a cleaning position when the cleaning nozzle and the holding table are relatively moved by the movement driving source and the movement driving source. A rotation speed of the holding table controlled by the rotation speed control unit as the cleaning position recognized by the position recognition unit moves toward the outer periphery of the wafer held by the holding table. Performs control to slow down.

この構成によれば、洗浄ノズルと保持テーブルが相対的に移動したときの洗浄位置がウエーハの中心側から外周側に向かうのに従って、保持テーブルの回転速度が遅くなるため、ウエーハの外周側が細かく洗浄される。ウエーハの中心側と同様にウエーハの外周側においても、ウエーハに水滴が細かく当てられるため、ウエーハの全面に対する洗浄効果を高めることができ洗浄時間を短縮することができる。また、ウエーハの中心側を高速で回転させることができるため、ウエーハの中心側から離反したゴミ等の異物を遠心力によって外周側に向けて移動させ易くすることができ、さらに洗浄効果を高めることができる。 According to this configuration, the rotation speed of the holding table decreases as the cleaning position when the cleaning nozzle and the holding table move relative to the outer peripheral side from the center side of the wafer, so the outer peripheral side of the wafer is finely cleaned. Is done. Since the water droplets are finely applied to the wafer on the outer peripheral side of the wafer as well as the center side of the wafer, the cleaning effect on the entire surface of the wafer can be enhanced and the cleaning time can be shortened. In addition, since the center side of the wafer can be rotated at high speed, foreign matters such as dust separated from the center side of the wafer can be easily moved toward the outer peripheral side by centrifugal force, and the cleaning effect is further enhanced. Can do.

本発明によれば、洗浄ノズルによる洗浄位置がウエーハの中心側から外周側に向かうのに従って保持テーブルの回転速度が遅くなるように制御することで、ウエーハの全面に対する洗浄効果を向上させて洗浄時間を短縮することができる。 According to the present invention, the cleaning effect on the entire surface of the wafer is improved by controlling the rotation speed of the holding table to be slower as the cleaning position by the cleaning nozzle moves from the center side to the outer peripheral side of the wafer. Can be shortened.

第１の実施の形態に係る洗浄装置の斜視図である。1 is a perspective view of a cleaning device according to a first embodiment. 比較例に係る洗浄装置による洗浄状況の説明図である。It is explanatory drawing of the washing | cleaning condition by the washing | cleaning apparatus which concerns on a comparative example. 第１の実施の形態に係る移動手段周辺及び回転手段周辺の模式図である。It is a schematic diagram around the moving means and the rotating means according to the first embodiment. 第１の実施の形態に係る洗浄装置による洗浄状況の説明図である。It is explanatory drawing of the washing | cleaning condition by the washing | cleaning apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施の形態に係る洗浄装置による洗浄動作の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the washing | cleaning operation | movement by the washing | cleaning apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第２の実施の形態に係る洗浄装置による洗浄動作の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the washing | cleaning operation | movement by the washing | cleaning apparatus which concerns on 2nd Embodiment.

以下、添付図面を参照して、第１の実施の形態に係る洗浄装置について説明する。図１は、第１の実施の形態に係る洗浄装置の斜視図である。図２は、比較例に係る洗浄装置の洗浄状況の説明図である。なお、以下の説明では、洗浄装置として２流体洗浄装置を例示して説明するが、この構成に限定されない。洗浄装置は、チャックテーブルの回転速度を可変させながらウエーハを洗浄可能であればよく、例えば、高圧洗浄装置でもよい。 Hereinafter, a cleaning apparatus according to a first embodiment will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a perspective view of a cleaning apparatus according to the first embodiment. FIG. 2 is an explanatory diagram of a cleaning situation of the cleaning device according to the comparative example. In the following description, a two-fluid cleaning device will be described as an example of the cleaning device, but is not limited to this configuration. The cleaning device only needs to be able to clean the wafer while varying the rotation speed of the chuck table. For example, the cleaning device may be a high-pressure cleaning device.

図１に示すように、洗浄装置１は、ウエーハＷを保持した保持テーブル２０を回転させ、ウエーハＷの上方で洗浄ノズル３０を旋回させながら洗浄するように構成されている。ウエーハＷは、略円板状の板状ワークであり、デバイス保護用の保護テープＴが表面に貼着されている。なお、ウエーハＷは、シリコン、ガリウム砒素等の半導体基板に半導体デバイスが形成された半導体ウエーハでもよいし、セラミック、ガラス、サファイア系の無機材料基板に光デバイスが形成された光デバイスウエーハでもよい。なお、ウエーハＷは、デバイス形成前の半導体基板や無機材料基板でもよい。 As shown in FIG. 1, the cleaning apparatus 1 is configured to perform cleaning while rotating a holding table 20 holding a wafer W and rotating a cleaning nozzle 30 above the wafer W. The wafer W is a substantially disc-shaped plate-like workpiece, and a protective tape T for device protection is attached to the surface. The wafer W may be a semiconductor wafer in which a semiconductor device is formed on a semiconductor substrate such as silicon or gallium arsenide, or an optical device wafer in which an optical device is formed on a ceramic, glass, or sapphire inorganic material substrate. The wafer W may be a semiconductor substrate or an inorganic material substrate before device formation.

洗浄装置１のケーシング１０は、円筒状の周壁部１１の下部開口に円形基台１２を設けた有底筒状に形成されている。ケーシング１０は、円形基台１２の下面に設けた複数（本実施の形態では３つ）の脚部１３を介してベース板１４の上方に位置付けられている。ケーシング１０内には、ウエーハＷを保持する保持テーブル２０がテーブルベース２１上に取り付けられた状態で収容されている。保持テーブル２０には、ポーラスセラミック材により保持面２２が形成されており、保持面２２に生じる負圧によってウエーハＷが保護テープＴを介して吸引保持される。 The casing 10 of the cleaning device 1 is formed in a bottomed cylindrical shape in which a circular base 12 is provided in a lower opening of a cylindrical peripheral wall portion 11. The casing 10 is positioned above the base plate 14 via a plurality of (three in this embodiment) leg portions 13 provided on the lower surface of the circular base 12. In the casing 10, a holding table 20 that holds the wafer W is accommodated in a state of being mounted on a table base 21. The holding table 20 has a holding surface 22 made of a porous ceramic material, and the wafer W is sucked and held via the protective tape T by the negative pressure generated on the holding surface 22.

テーブルベース２１の下面中心には、回転軸１５（図３参照）を介してモータ等の回転手段４０が接続されている。また、回転手段４０は、ベース板１４上に配置された昇降手段４５に支持されている。保持テーブル２０は、回転手段４０よって回転軸１５を介してケーシング１０内で高速回転され、昇降手段４５によって回転手段４０及び回転軸１５と一体的に昇降移動される。また、保持テーブル２０の周囲には、洗浄ノズル３０を旋回させる旋回軸３１が立設されており、旋回軸３１の上端部には一対の水平管３２、３３を介して２流体洗浄用の洗浄ノズル３０が取り付けられている。
なお、ウエーハＷを搬送する搬送手段に昇降手段を備えていれば洗浄装置１に昇降手段４５を備えなくても良い。 A rotating means 40 such as a motor is connected to the center of the lower surface of the table base 21 via a rotating shaft 15 (see FIG. 3). The rotating means 40 is supported by lifting means 45 arranged on the base plate 14. The holding table 20 is rotated at high speed in the casing 10 by the rotating means 40 via the rotating shaft 15, and is moved up and down integrally with the rotating means 40 and the rotating shaft 15 by the lifting means 45. A swiveling shaft 31 for swiveling the cleaning nozzle 30 is provided around the holding table 20, and the upper end of the swiveling shaft 31 is cleaned for two-fluid cleaning via a pair of horizontal tubes 32 and 33. A nozzle 30 is attached.
Note that the lifting / lowering means 45 may not be provided in the cleaning device 1 as long as the transporting means for transporting the wafer W includes the lifting / lowering means.

一方の水平管３２には洗浄水供給源（不図示）から洗浄水が供給され、他方の水平管３３にはエア供給源（不図示）から高圧エアが供給されている。洗浄ノズル３０において一方の水平管３２内の洗浄水と他方の水平管３３内の高圧エアが混合され、洗浄ノズル３０から保持テーブル２０上のウエーハＷに霧状の水滴が高速で噴射される。旋回軸３１の下端には移動手段５０が接続されており、移動手段５０によって洗浄ノズル３０がウエーハＷの中心と外周との間で略径方向に一定速度で移動される。このように、ウエーハＷを保持した保持テーブル２０が回転し、洗浄ノズル３０が径方向に旋回することでウエーハＷの全面が洗浄される。 One horizontal pipe 32 is supplied with cleaning water from a cleaning water supply source (not shown), and the other horizontal pipe 33 is supplied with high-pressure air from an air supply source (not shown). In the cleaning nozzle 30, the cleaning water in one horizontal pipe 32 and the high-pressure air in the other horizontal pipe 33 are mixed, and mist-like water droplets are jetted from the cleaning nozzle 30 onto the wafer W on the holding table 20 at a high speed. A moving means 50 is connected to the lower end of the turning shaft 31, and the moving nozzle 50 moves the cleaning nozzle 30 between the center and the outer periphery of the wafer W at a constant speed in a substantially radial direction. In this way, the holding table 20 holding the wafer W rotates, and the cleaning nozzle 30 rotates in the radial direction, whereby the entire surface of the wafer W is cleaned.

ところで、ゴミ等の異物はウエーハＷの中心側よりも外周側に付着し易いため、ウエーハＷの外周側を丁寧に洗浄することが求められている。通常のスピンナー洗浄では、保持テーブル２０の回転速度が一定であるため、周速の速いウエーハＷの外周側の洗浄が粗くなって異物を十分に除去することができない。この場合、ウエーハＷの中心側から外周側に向かって洗浄ノズル３０の移動速度を遅くして、ウエーハＷの外周側に対する洗浄効果を向上させる方法が考えられる。しかしながら、洗浄ノズル３０の移動速度を遅くしても、ウエーハＷの外周側の洗浄が細かくなるわけではない。 By the way, since foreign matters such as dust are likely to adhere to the outer peripheral side rather than the center side of the wafer W, it is required to carefully clean the outer peripheral side of the wafer W. In normal spinner cleaning, since the rotation speed of the holding table 20 is constant, cleaning of the outer peripheral side of the wafer W having a high peripheral speed becomes rough, and foreign matters cannot be sufficiently removed. In this case, a method of improving the cleaning effect on the outer peripheral side of the wafer W by slowing the moving speed of the cleaning nozzle 30 from the center side to the outer peripheral side of the wafer W can be considered. However, even if the moving speed of the cleaning nozzle 30 is decreased, the cleaning of the outer peripheral side of the wafer W does not become fine.

図２Ａに示すように、この比較例に係る洗浄方法では、ウエーハＷの中心側には水滴９８（図２Ｂ参照）が密に当てられて、水滴９８による洗浄スポットＳが周方向に間隔を空けずに配置される。一方で、ウエーハＷの外周側には水滴９８が粗く当てられて、水滴９８による洗浄スポットＳが周方向に間隔を空けて配置される。これは、保持テーブル２０が一定速度で回転しているため、ウエーハＷの中心側の周速が遅く、ウエーハＷの外周側の周速が速いからである。ウエーハＷの外周側での洗浄ノズル３０の移動速度を遅くしても、ウエーハＷに対する水滴の当たり具合が変わらないため、水滴９８が当たらない箇所が存在して異物９９（図２Ｂ参照）が残ってしまう。 As shown in FIG. 2A, in the cleaning method according to this comparative example, water drops 98 (see FIG. 2B) are densely applied to the center side of the wafer W, and the cleaning spots S by the water drops 98 are spaced apart in the circumferential direction. Arranged without. On the other hand, water droplets 98 are roughly applied to the outer peripheral side of the wafer W, and the cleaning spots S by the water droplets 98 are arranged at intervals in the circumferential direction. This is because the holding table 20 rotates at a constant speed, so the peripheral speed on the center side of the wafer W is slow and the peripheral speed on the outer peripheral side of the wafer W is fast. Even if the moving speed of the cleaning nozzle 30 on the outer peripheral side of the wafer W is slowed, the contact state of the water droplets with the wafer W does not change, so there are places where the water droplets 98 do not hit and foreign matter 99 (see FIG. 2B) remains. End up.

また、図２Ｂに示すように、２流体洗浄では、洗浄水と高圧エアの混合水を洗浄ノズル３０から噴射することで、噴霧状の水滴９８がウエーハＷに向けて噴射される。このとき、洗浄ノズル３０から水滴９８が高速に噴射されるが、ウエーハＷの外周側の周速が速いため、ウエーハＷの外周側には水滴９８が斜めから当てられる。ウエーハＷ上の異物９９には水滴９８が斜めに当たるため、真上から異物９９に水滴９８が当たる場合と比べて衝撃力が弱くなり、ウエーハＷから異物９９が引き剥がされ難くなっている。このように、比較例に係る洗浄方法では、ウエーハＷの外周側に対する洗浄力が低くなっている。 As shown in FIG. 2B, in the two-fluid cleaning, spray water droplets 98 are sprayed toward the wafer W by spraying mixed water of cleaning water and high-pressure air from the cleaning nozzle 30. At this time, water droplets 98 are ejected from the cleaning nozzle 30 at a high speed. However, since the peripheral speed on the outer peripheral side of the wafer W is high, the water droplets 98 are applied obliquely to the outer peripheral side of the wafer W. Since the water droplet 98 strikes the foreign matter 99 on the wafer W at an angle, the impact force is weaker than when the water droplet 98 strikes the foreign matter 99 from directly above, and the foreign matter 99 is difficult to peel off from the wafer W. Thus, in the cleaning method according to the comparative example, the cleaning power for the outer peripheral side of the wafer W is low.

そこで、本実施の形態に係る洗浄装置１では、洗浄ノズル３０による洗浄位置がウエーハＷの径方向に移動しても、洗浄位置における周速が変わらないように保持テーブル２０の回転速度が制御される。すなわち、洗浄位置がウエーハＷの外周側に向かうのに従って保持テーブル２０の回転速度が減速される。これにより、洗浄ノズル３０がウエーハＷの外周側を洗浄するときは、ウエーハＷの中心側と同じように洗浄ノズル３０から噴射された水滴９８がウエーハＷの外周側に細かく当てられる（図４Ａ参照）。さらに、洗浄ノズル３０からウエーハＷ上の異物９９に対して真上に近い方向から水滴９８が当てられて、ウエーハＷの外周側に対する洗浄力が高められている（図４Ｂ参照）。 Therefore, in the cleaning apparatus 1 according to the present embodiment, the rotational speed of the holding table 20 is controlled so that the peripheral speed at the cleaning position does not change even if the cleaning position by the cleaning nozzle 30 moves in the radial direction of the wafer W. The That is, the rotational speed of the holding table 20 is reduced as the cleaning position moves toward the outer peripheral side of the wafer W. Thus, when the cleaning nozzle 30 cleans the outer peripheral side of the wafer W, water droplets 98 ejected from the cleaning nozzle 30 are finely applied to the outer peripheral side of the wafer W in the same manner as the center side of the wafer W (see FIG. 4A). ). Further, a water droplet 98 is applied from the cleaning nozzle 30 to the foreign matter 99 on the wafer W from a direction close to directly above, thereby increasing the cleaning power on the outer peripheral side of the wafer W (see FIG. 4B).

以下、図３及び図４を参照して、回転手段による洗浄中の回転制御について説明する。図３は、第１の実施の形態に係る移動手段周辺及び回転手段周辺の模式図である。図４は、第１の実施の形態に係る洗浄装置による洗浄状況の説明図である。 Hereinafter, with reference to FIG. 3 and FIG. 4, rotation control during cleaning by the rotating means will be described. FIG. 3 is a schematic diagram around the moving unit and the rotating unit according to the first embodiment. FIG. 4 is an explanatory diagram of a cleaning situation by the cleaning device according to the first embodiment.

図３に示すように、移動手段５０は、洗浄ノズル３０を保持テーブル２０の略径方向に移動させる移動駆動源５１と、洗浄ノズル３０を移動させたときの洗浄位置Ｐを認識する位置認識部５２とを備えている。移動駆動源５１は、旋回軸３１（図１参照）に接続されたモータであり、旋回軸３１を介して洗浄ノズル３０を保持テーブル２０の径方向に一定速度で旋回させる。位置認識部５２は、洗浄ノズル３０が旋回されたときの旋回角度を保持テーブル２０の中心からの距離に変換して、保持テーブル２０の径方向における洗浄位置Ｐを認識する。洗浄ノズル３０の洗浄位置Ｐは、回転手段４０の回転速度制御部４３に向けてリアルタイムに出力される。 As shown in FIG. 3, the moving means 50 includes a movement drive source 51 that moves the cleaning nozzle 30 in the substantially radial direction of the holding table 20, and a position recognition unit that recognizes the cleaning position P when the cleaning nozzle 30 is moved. 52. The movement drive source 51 is a motor connected to the turning shaft 31 (see FIG. 1), and turns the cleaning nozzle 30 at a constant speed in the radial direction of the holding table 20 via the turning shaft 31. The position recognition unit 52 recognizes the cleaning position P in the radial direction of the holding table 20 by converting the turning angle when the cleaning nozzle 30 is turned into a distance from the center of the holding table 20. The cleaning position P of the cleaning nozzle 30 is output to the rotation speed control unit 43 of the rotating unit 40 in real time.

回転手段４０は、保持テーブル２０を回転させる回転駆動源４１と、保持テーブル２０の回転速度を認識する回転速度認識部４２と、保持テーブル２０の回転速度を制御する回転速度制御部４３とを備えている。回転駆動源４１は、回転軸１５に接続されたモータであり、回転軸１５を介して保持テーブル２０を鉛直軸回りに回転させる。回転速度認識部４２は、保持テーブル２０の単位時間当たりの回転数を計測して保持テーブル２０の回転速度を認識する。保持テーブル２０の回転速度は、回転速度制御部４３に向けてリアルタイムに出力される。 The rotation means 40 includes a rotation drive source 41 that rotates the holding table 20, a rotation speed recognition unit 42 that recognizes the rotation speed of the holding table 20, and a rotation speed control unit 43 that controls the rotation speed of the holding table 20. ing. The rotation drive source 41 is a motor connected to the rotary shaft 15 and rotates the holding table 20 around the vertical axis via the rotary shaft 15. The rotation speed recognition unit 42 measures the rotation speed per unit time of the holding table 20 and recognizes the rotation speed of the holding table 20. The rotation speed of the holding table 20 is output to the rotation speed control unit 43 in real time.

回転速度制御部４３は、回転速度認識部４２に認識された保持テーブル２０の現在の回転速度を目標の回転速度に近づけるように制御している。目標の回転速度は、位置認識部５２に認識された洗浄ノズル３０の洗浄位置Ｐが保持テーブル２０が保持するウエーハＷの外周に向かうのに従って低速になるように設定されている。これにより、洗浄ノズル３０がウエーハＷに対して径方向に移動しても、洗浄ノズル３０によってウエーハＷ上に水滴９８が噴射される洗浄位置Ｐの周速が変化しないように回転駆動源４１がリアルタイムに制御される。 The rotation speed control unit 43 controls the current rotation speed of the holding table 20 recognized by the rotation speed recognition unit 42 so as to approach the target rotation speed. The target rotation speed is set so that the cleaning position P of the cleaning nozzle 30 recognized by the position recognition unit 52 becomes lower as it goes to the outer periphery of the wafer W held by the holding table 20. As a result, even if the cleaning nozzle 30 moves in the radial direction with respect to the wafer W, the rotational drive source 41 prevents the peripheral speed at the cleaning position P at which the water droplets 98 are sprayed onto the wafer W by the cleaning nozzle 30 from changing. Controlled in real time.

この場合、保持テーブル２０の回転速度（角速度）Δωは、ウエーハＷの中心から洗浄位置Ｐまでの距離Δｒ、洗浄位置Ｐにおける周速Ｖを用いて次式（１）で表される。なお、式（１）では、周速Ｖが一定であり、この周速Ｖを一定に保つように距離Δｒに応じて回転速度Δωが変化することが示されている。
（１）
Δω＝Ｖ／Δｒ
また、保持テーブル２０の回転速度（角速度）Δωは、ウエーハＷの中心から洗浄位置Ｐまでの距離Δｒ、単位時間ｔ、単位時間当たりの洗浄位置Ｐの周方向の移動量ｌを用いて次式（２）で表すこともできる。なお、式（２）では、移動量ｌが一定であり、この移動量ｌを一定に保つように距離Δｒに応じて回転速度Δωが変化することが示されている。
（２）
Δω＝ｌ／（ｔ×Δｒ） In this case, the rotational speed (angular speed) Δω of the holding table 20 is expressed by the following equation (1) using the distance Δr from the center of the wafer W to the cleaning position P and the peripheral speed V at the cleaning position P. It should be noted that equation (1) shows that the peripheral speed V is constant and the rotational speed Δω changes according to the distance Δr so as to keep the peripheral speed V constant.
(1)
Δω = V / Δr
The rotation speed (angular speed) Δω of the holding table 20 is expressed by the following equation using the distance Δr from the center of the wafer W to the cleaning position P, the unit time t, and the amount of movement l in the circumferential direction of the cleaning position P per unit time. It can also be represented by (2). It should be noted that the expression (2) shows that the movement amount l is constant, and the rotational speed Δω changes according to the distance Δr so as to keep the movement amount l constant.
(2)
Δω = 1 / (t × Δr)

なお、位置認識部５２、回転速度認識部４２、回転速度制御部４３は、各種処理を実行するプロセッサやメモリ等により構成されている。メモリは、用途に応じてＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等の一つ又は複数の記憶媒体で構成される。メモリには、例えば、保持テーブル２０の回転速度制御用のプログラムが記憶されている。 The position recognition unit 52, the rotation speed recognition unit 42, and the rotation speed control unit 43 are configured by a processor, a memory, and the like that execute various processes. The memory is composed of one or a plurality of storage media such as a ROM (Read Only Memory) and a RAM (Random Access Memory) depending on the application. For example, a program for controlling the rotation speed of the holding table 20 is stored in the memory.

図４Ａに示すように、このような回転制御によってウエーハＷの中心側と同じようにウエーハＷの外周側にも洗浄ノズル３０からの水滴９８（図４Ｂ参照）が細かく当てられる。ウエーハＷの中心側から外周側に亘る全域に水滴９８が密に当てられており、水滴９８による洗浄スポットＳが周方向に間隔を空けずに配置されている。したがって、ウエーハＷの外周側においても水滴９８が当たらない箇所が存在しないため、ウエーハＷの外周側の洗浄効果が高められている。また、ウエーハＷの中心の回転速度を速くすることで、ウエーハＷの中心から離反した異物９９（図４Ｂ参照）を遠心力によって外周側に移動させて、ウエーハＷの中心側の洗浄効果も高められている。 As shown in FIG. 4A, water droplets 98 (see FIG. 4B) from the cleaning nozzle 30 are finely applied to the outer peripheral side of the wafer W as well as the center side of the wafer W by such rotation control. Water droplets 98 are densely applied to the entire area from the center side to the outer peripheral side of the wafer W, and the cleaning spots S by the water droplets 98 are arranged without any interval in the circumferential direction. Accordingly, there is no portion where the water droplets 98 do not hit on the outer peripheral side of the wafer W, so that the cleaning effect on the outer peripheral side of the wafer W is enhanced. Further, by increasing the rotational speed of the center of the wafer W, the foreign matter 99 (see FIG. 4B) separated from the center of the wafer W is moved to the outer peripheral side by centrifugal force, and the cleaning effect on the center side of the wafer W is also enhanced. It has been.

また、図４Ｂに示すように、ウエーハＷの中心側とウエーハＷの外周側で周速が変わらないため、ウエーハＷの中心側と同様に洗浄ノズル３０から噴射された水滴９８がウエーハＷの外周側に略真上から当てられる。ウエーハＷ上の異物９９には水滴９８が真上から当たるため、異物９９に対する水滴９８の衝撃力が強くなってウエーハＷから異物９９が引き剥がされ易くなっている。このように、ウエーハＷの外周側においても、ウエーハＷの中心側と同じ洗浄効果が得られるため、ウエーハＷの全面に対する洗浄効果を高めて洗浄時間を短縮することが可能になっている。 As shown in FIG. 4B, since the peripheral speed does not change between the center side of the wafer W and the outer peripheral side of the wafer W, the water droplets 98 ejected from the cleaning nozzle 30 as in the central side of the wafer W It is applied to the side from directly above. Since the water droplet 98 hits the foreign material 99 on the wafer W from directly above, the impact force of the water droplet 98 on the foreign material 99 becomes strong, and the foreign material 99 is easily peeled off from the wafer W. As described above, since the same cleaning effect as that of the center side of the wafer W can be obtained on the outer peripheral side of the wafer W, the cleaning effect on the entire surface of the wafer W can be enhanced and the cleaning time can be shortened.

図５を参照して、洗浄装置による洗浄動作について説明する。図５は、第１の実施の形態に係る洗浄装置による洗浄動作の一例を示す図である。 With reference to FIG. 5, the cleaning operation by the cleaning apparatus will be described. FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a cleaning operation performed by the cleaning device according to the first embodiment.

図５Ａに示すように、保持テーブル２０上にウエーハＷが載置されると、保持面２２によって保護テープＴを介してウエーハＷが保持される。洗浄ノズル３０がウエーハＷの上方に移動されてウエーハＷの中心に位置付けられ、保持テーブル２０がウエーハＷを保持した状態で高速回転される。洗浄ノズル３０で洗浄水と高圧エアが混合されて、洗浄ノズル３０からウエーハＷに向けて霧状の水滴９８が高速で噴射される。この状態で、洗浄ノズル３０が移動されて、洗浄ノズル３０による洗浄位置ＰがウエーハＷの中心側から外周側に向かって移動される。 As shown in FIG. 5A, when the wafer W is placed on the holding table 20, the wafer W is held by the holding surface 22 via the protective tape T. The cleaning nozzle 30 is moved above the wafer W and positioned at the center of the wafer W, and the holding table 20 is rotated at a high speed while holding the wafer W. Washing water and high-pressure air are mixed by the washing nozzle 30, and mist-like water droplets 98 are ejected from the washing nozzle 30 toward the wafer W at a high speed. In this state, the cleaning nozzle 30 is moved, and the cleaning position P by the cleaning nozzle 30 is moved from the center side of the wafer W toward the outer peripheral side.

このとき、位置認識部５２によって洗浄ノズル３０による洗浄位置Ｐが認識され、洗浄ノズル３０の洗浄位置Ｐに応じて保持テーブル２０に対する目標の回転速度が設定される。同時に、回転速度認識部４２によって保持テーブル２０の現在の回転速度が認識され、この保持テーブル２０の現在の回転速度が目標の回転速度に近づくように回転速度制御部４３によって回転駆動源４１の回転速度が制御される。この洗浄位置ＰがウエーハＷの中心側から外周側に移動している間は、洗浄位置Ｐにおける周速が一定になるように、保持テーブル２０の回転速度が徐々に減速される。 At this time, the position recognition unit 52 recognizes the cleaning position P by the cleaning nozzle 30, and the target rotational speed for the holding table 20 is set according to the cleaning position P of the cleaning nozzle 30. At the same time, the rotation speed recognition unit 42 recognizes the current rotation speed of the holding table 20, and the rotation speed control unit 43 rotates the rotation drive source 41 so that the current rotation speed of the holding table 20 approaches the target rotation speed. Speed is controlled. While the cleaning position P is moving from the center side of the wafer W to the outer peripheral side, the rotational speed of the holding table 20 is gradually reduced so that the peripheral speed at the cleaning position P becomes constant.

図５Ｂに示すように、洗浄位置ＰがウエーハＷの外周まで移動すると、保持テーブル２０の回転速度が最も遅くなるように制御される。このため、ウエーハＷの外周側に対する洗浄が粗くなることがなく、ウエーハＷの外周側に対して細かく水滴９８が噴射されて洗浄効果が高められる。その後、洗浄位置ＰがウエーハＷの外周側から中心側に向かうように洗浄ノズル３０が逆向きに移動される。この洗浄位置ＰがウエーハＷの外周側から中心側に移動する間は、洗浄位置Ｐにおける周速が一定になるように、保持テーブル２０の回転速度が徐々に加速される。 As shown in FIG. 5B, when the cleaning position P moves to the outer periphery of the wafer W, the rotation speed of the holding table 20 is controlled to be the slowest. For this reason, the cleaning on the outer peripheral side of the wafer W does not become rough, and the water droplet 98 is finely jetted on the outer peripheral side of the wafer W, so that the cleaning effect is enhanced. Thereafter, the cleaning nozzle 30 is moved in the reverse direction so that the cleaning position P is directed from the outer peripheral side of the wafer W toward the center side. While the cleaning position P moves from the outer peripheral side to the center side of the wafer W, the rotation speed of the holding table 20 is gradually accelerated so that the peripheral speed at the cleaning position P becomes constant.

上記のように、洗浄ノズル３０が外周から中心に移動して洗浄する場合について記載したが、洗浄ノズル３０から水滴９８を噴射させる時は、常にウエーハＷの中心から外周に移動する場合だけにすることも可能である。洗浄ノズル３０がウエーハＷの外周から中心に移動する時は水滴９８を噴射させないことで、水滴９８は保持テーブル２０の回転による遠心力で噴き飛ばされて汚れ（異物９９）の再付着を防止させる効果がある。 As described above, the case where the cleaning nozzle 30 is moved from the outer periphery to the center for cleaning is described. However, the water droplet 98 is ejected from the cleaning nozzle 30 only when the wafer W is always moved from the center to the outer periphery. It is also possible. When the cleaning nozzle 30 moves from the outer periphery of the wafer W to the center, the water droplets 98 are not ejected, so that the water droplets 98 are ejected by the centrifugal force generated by the rotation of the holding table 20 to prevent reattachment of dirt (foreign matter 99). effective.

以上のように、第１の実施の形態に係る洗浄装置１では、洗浄ノズル３０と保持テーブル２０が相対的に移動したときの洗浄位置ＰがウエーハＷの中心側から外周側に向かうのに従って、保持テーブル２０の回転速度が遅くなるため、ウエーハＷの外周側が細かく洗浄される。ウエーハＷの中心側と同様にウエーハＷの外周側においても、ウエーハＷに水滴が細かく当てられるため、ウエーハＷの全面に対する洗浄効果を高めることができ洗浄時間を短縮することができる。 As described above, in the cleaning apparatus 1 according to the first embodiment, as the cleaning position P when the cleaning nozzle 30 and the holding table 20 move relatively moves from the center side of the wafer W toward the outer peripheral side, Since the rotation speed of the holding table 20 is slow, the outer peripheral side of the wafer W is finely cleaned. Since water droplets are finely applied to the wafer W on the outer peripheral side of the wafer W as well as the center side of the wafer W, the cleaning effect on the entire surface of the wafer W can be enhanced and the cleaning time can be shortened.

次に、図６を参照して、第２の実施の形態に係る洗浄装置について説明する。図６は、第２の実施の形態に係る洗浄装置による洗浄動作の一例を示す図である。なお、第２の実施の形態では、搬送装置を洗浄装置として使用する点で第１の実施の形態と相違している。したがって、主に相違点について詳細に説明する。本実施の形態では、ウエーハの表面に貼着された保護テープを洗浄する構成について説明するが、この構成に限定されない。 Next, a cleaning apparatus according to the second embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a cleaning operation performed by the cleaning device according to the second embodiment. The second embodiment is different from the first embodiment in that the transport device is used as a cleaning device. Therefore, the differences will be mainly described in detail. In the present embodiment, a configuration for cleaning the protective tape attached to the surface of the wafer will be described, but the present invention is not limited to this configuration.

図６Ａに示すように、第２の実施の形態に係る搬送装置６０は、搬送中のウエーハＷを洗浄する洗浄装置としても動作するものであり、保持テーブルとしての円形の搬送パッド７０に保持されたウエーハＷに、洗浄ノズル７５から水滴を高速で噴射して洗浄するように構成されている。搬送装置６０のアーム６１の先端には、ベアリング６２を介して回転軸６３が回転可能に支持されている。回転軸６３の下端部には、ウエーハＷを保持する搬送パッド７０が取り付けられている。搬送パッド７０は、ポーラスセラミック材により保持面７１が形成されており、保持面７１に生じる負圧によってウエーハＷが吸引保持される。 As shown in FIG. 6A, the transfer device 60 according to the second embodiment also operates as a cleaning device for cleaning the wafer W being transferred, and is held by a circular transfer pad 70 as a holding table. Further, the wafer W is cleaned by jetting water droplets from the cleaning nozzle 75 at high speed. A rotating shaft 63 is rotatably supported at the tip of the arm 61 of the transport device 60 via a bearing 62. A conveyance pad 70 that holds the wafer W is attached to the lower end of the rotating shaft 63. The transfer pad 70 has a holding surface 71 made of a porous ceramic material, and the wafer W is sucked and held by the negative pressure generated on the holding surface 71.

アーム６１の基端側には、搬送パッド７０を昇降させる昇降手段（不図示）と、搬送パッド７０を水平方向に移動させる移動手段９０とが接続されている。移動手段９０は、洗浄ノズル７５に対して搬送パッド７０を搬送パッド７０の径方向に移動させる移動駆動源９１と、搬送パッド７０を移動させたときの洗浄位置Ｐを認識する位置認識部９２とを備えている。移動駆動源９１は、アーム６１に接続されたモータであり、アーム６１を介して搬送パッド７０を一定速度で移動させて、ウエーハＷの径方向に洗浄ノズル７５を相対的に移動させる。位置認識部９２は、搬送パッド７０の移動位置から洗浄ノズル７５の洗浄位置Ｐを認識して、回転手段８０の回転速度制御部８３にリアルタイムに出力する。 On the base end side of the arm 61, an elevating means (not shown) for moving the transport pad 70 up and down and a moving means 90 for moving the transport pad 70 in the horizontal direction are connected. The moving means 90 includes a movement drive source 91 that moves the transport pad 70 in the radial direction of the transport pad 70 with respect to the cleaning nozzle 75, and a position recognition unit 92 that recognizes the cleaning position P when the transport pad 70 is moved. It has. The movement drive source 91 is a motor connected to the arm 61, and moves the transport pad 70 at a constant speed via the arm 61 to relatively move the cleaning nozzle 75 in the radial direction of the wafer W. The position recognition unit 92 recognizes the cleaning position P of the cleaning nozzle 75 from the movement position of the transport pad 70 and outputs it in real time to the rotational speed control unit 83 of the rotating means 80.

また、回転軸６３には、搬送パッド７０を回転させる回転手段８０が設けられている。回転手段８０は、搬送パッド７０を回転させる回転駆動源８１と、搬送パッド７０の回転速度を認識する回転速度認識部８２と、搬送パッド７０の回転速度を制御する回転速度制御部８３とを備えている。回転駆動源８１は、回転軸６３に接続されたモータであり、回転軸６３を介して搬送パッド７０を鉛直軸回りに回転させる。回転速度認識部８２は、搬送パッド７０の単位時間当たりの回転数を計測し、搬送パッド７０の回転速度を認識して、回転速度制御部８３にリアルタイムに出力する。 The rotating shaft 63 is provided with rotating means 80 that rotates the transport pad 70. The rotating means 80 includes a rotation drive source 81 that rotates the transport pad 70, a rotational speed recognition unit 82 that recognizes the rotational speed of the transport pad 70, and a rotational speed control unit 83 that controls the rotational speed of the transport pad 70. ing. The rotation drive source 81 is a motor connected to the rotation shaft 63 and rotates the transport pad 70 about the vertical axis via the rotation shaft 63. The rotational speed recognition unit 82 measures the number of rotations of the transport pad 70 per unit time, recognizes the rotational speed of the transport pad 70, and outputs it to the rotational speed control unit 83 in real time.

回転速度制御部８３は、回転速度認識部８２に認識された搬送パッド７０の現在の回転速度を目標の回転速度に近づけるように制御している。目標の回転速度は、位置認識部９２に認識された洗浄ノズル７５の洗浄位置Ｐが搬送パッド７０が保持するウエーハＷの外周に向かうのに従って低速になるように設定されている。これにより、搬送パッド７０の移動によってウエーハＷに対して洗浄ノズル７５を径方向に移動しても、洗浄ノズル７５によってウエーハＷ上に水滴９８が噴射される洗浄位置Ｐの周速が変化しないように回転駆動源８１がリアルタイムに制御される。 The rotation speed control unit 83 controls the current rotation speed of the transport pad 70 recognized by the rotation speed recognition unit 82 so as to approach the target rotation speed. The target rotation speed is set so that the cleaning position P of the cleaning nozzle 75 recognized by the position recognition unit 92 becomes lower as it goes to the outer periphery of the wafer W held by the transport pad 70. Thereby, even if the cleaning nozzle 75 is moved in the radial direction with respect to the wafer W by the movement of the transport pad 70, the peripheral speed of the cleaning position P at which the water droplets 98 are jetted onto the wafer W by the cleaning nozzle 75 does not change. In addition, the rotational drive source 81 is controlled in real time.

このように構成された搬送装置６０では、搬送パッド７０にウエーハＷが吸着されると、保持面７１によってウエーハＷが保持される。搬送パッド７０が洗浄ノズル７５の上方に移動されてウエーハＷの中心に洗浄ノズル７５が位置付けられ、搬送パッド７０がウエーハＷを保持した状態で高速回転される。洗浄ノズル７５で洗浄水と高圧エアが混合されて、洗浄ノズル７５からウエーハＷの表面に貼着された保護テープＴに向けて霧状の水滴が高速で噴射される。この状態で、搬送パッド７０が移動されて、洗浄ノズル７５による洗浄位置ＰがウエーハＷの中心側から外周側に向かって移動される。 In the transport device 60 configured as described above, when the wafer W is attracted to the transport pad 70, the wafer W is held by the holding surface 71. The transport pad 70 is moved above the cleaning nozzle 75 so that the cleaning nozzle 75 is positioned at the center of the wafer W, and the transport pad 70 is rotated at a high speed while holding the wafer W. Washing water and high-pressure air are mixed by the washing nozzle 75, and mist-like water droplets are ejected from the washing nozzle 75 toward the protective tape T attached to the surface of the wafer W at high speed. In this state, the transport pad 70 is moved, and the cleaning position P by the cleaning nozzle 75 is moved from the center side of the wafer W toward the outer peripheral side.

このとき、位置認識部９２によって洗浄ノズル７５による洗浄位置Ｐが認識され、洗浄ノズル７５の洗浄位置Ｐに応じて搬送パッド７０に対する目標の回転速度が設定される。同時に、回転速度認識部８２によって搬送パッド７０の現在の回転速度が認識され、この搬送パッド７０の現在の回転速度が目標の回転速度に近づくように、回転速度制御部８３によって回転駆動源８１の回転速度が制御される。この洗浄位置ＰがウエーハＷの中心側から外周側に移動している間は、洗浄位置Ｐにおける周速が一定になるように、搬送パッド７０の回転速度が徐々に減速される。 At this time, the position recognition unit 92 recognizes the cleaning position P by the cleaning nozzle 75, and the target rotational speed with respect to the transport pad 70 is set according to the cleaning position P of the cleaning nozzle 75. At the same time, the rotational speed recognition unit 82 recognizes the current rotational speed of the transport pad 70, and the rotational speed control unit 83 controls the rotational drive source 81 so that the current rotational speed of the transport pad 70 approaches the target rotational speed. The rotation speed is controlled. While the cleaning position P is moving from the center side of the wafer W to the outer peripheral side, the rotational speed of the transport pad 70 is gradually reduced so that the peripheral speed at the cleaning position P is constant.

図６Ｂに示すように、洗浄位置ＰがウエーハＷの外周まで移動すると、搬送パッド７０の回転速度が最も遅くなるように制御される。このため、ウエーハＷに貼着された保護テープＴの外周側に対する洗浄が粗くなることがなく、保護テープＴの外周側に対して細かく水滴９８が噴射されて洗浄効果が高められる。その後、洗浄位置ＰがウエーハＷの外周側から中心側に向かうように搬送パッド７０が逆向きに移動される。この洗浄位置ＰがウエーハＷの外周側から中心側に移動する間は、洗浄位置Ｐにおける周速が一定になるように、保持テーブル２０の回転速度が徐々に加速される。 As shown in FIG. 6B, when the cleaning position P moves to the outer periphery of the wafer W, the rotation speed of the transport pad 70 is controlled to be the slowest. For this reason, the washing | cleaning with respect to the outer peripheral side of the protective tape T stuck to the wafer W does not become rough, and the water droplet 98 is finely injected with respect to the outer peripheral side of the protective tape T, and the cleaning effect is improved. Thereafter, the transport pad 70 is moved in the opposite direction so that the cleaning position P is directed from the outer peripheral side of the wafer W toward the center side. While the cleaning position P moves from the outer peripheral side to the center side of the wafer W, the rotation speed of the holding table 20 is gradually accelerated so that the peripheral speed at the cleaning position P becomes constant.

以上のように、第２の実施の形態に係る搬送装置６０においても、ウエーハＷに貼着された保護テープＴの全面に対する洗浄効果を高めることができ、洗浄時間を短縮することができる。よって、ウエーハＷを保護テープＴからダイシングテープに貼り替える際にウエーハＷに異物が付着することが防止される。 As described above, also in the transport device 60 according to the second embodiment, the cleaning effect on the entire surface of the protective tape T attached to the wafer W can be enhanced, and the cleaning time can be shortened. Therefore, foreign matter is prevented from adhering to the wafer W when the wafer W is pasted from the protective tape T to the dicing tape.

なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。 In addition, this invention is not limited to the said embodiment, It can change and implement variously. In the above-described embodiment, the size, shape, and the like illustrated in the accompanying drawings are not limited to this, and can be appropriately changed within a range in which the effect of the present invention is exhibited. In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the object of the present invention.

例えば、第１、第２の実施の形態では、洗浄ノズル３０、７５として２流体洗浄用の洗浄ノズルを用いる構成にしたが、この構成に限定されない。洗浄ノズル３０、７５は、ウエーハＷに洗浄水を噴射可能であればよく、例えば高圧洗浄用の洗浄ノズルでもよい。 For example, in the first and second embodiments, a cleaning nozzle for two-fluid cleaning is used as the cleaning nozzles 30 and 75. However, the present invention is not limited to this configuration. The cleaning nozzles 30 and 75 only need to be able to inject cleaning water onto the wafer W, and may be cleaning nozzles for high-pressure cleaning, for example.

また、第１の実施の形態では、移動手段５０によって洗浄ノズル３０が保持テーブル２０に対して保持テーブル２０の径方向に移動される構成にしたが、この構成に限定されない。移動手段５０は、洗浄ノズル３０と保持テーブル２０とを相対的に保持テーブル２０の径方向に一定速度で移動させる構成であればよい。例えば、移動手段５０によって保持テーブル２０が洗浄ノズル３０に対して保持テーブル２０の径方向に移動されてもよい。 In the first embodiment, the moving nozzle 50 moves the cleaning nozzle 30 relative to the holding table 20 in the radial direction of the holding table 20, but the present invention is not limited to this configuration. The moving unit 50 may be configured to move the cleaning nozzle 30 and the holding table 20 relatively in the radial direction of the holding table 20 at a constant speed. For example, the holding table 20 may be moved in the radial direction of the holding table 20 with respect to the cleaning nozzle 30 by the moving unit 50.

また、第２の実施の形態では、移動手段９０によって搬送パッド７０が洗浄ノズル７５に対して搬送パッド７０の径方向に移動される構成にしたが、この構成に限定されない。移動手段９０は、洗浄ノズル７５と搬送パッド７０とを相対的に搬送パッド７０の径方向に一定速度で移動させる構成であればよい。例えば、移動手段９０によって洗浄ノズル７５が搬送パッド７０に対して搬送パッド７０の径方向に移動されてもよい。 In the second embodiment, the transport pad 70 is moved in the radial direction of the transport pad 70 with respect to the cleaning nozzle 75 by the moving unit 90. However, the present invention is not limited to this configuration. The moving unit 90 may be configured to move the cleaning nozzle 75 and the transport pad 70 relatively in the radial direction of the transport pad 70 at a constant speed. For example, the cleaning nozzle 75 may be moved in the radial direction of the transport pad 70 by the moving unit 90.

また、第１の実施の形態では、洗浄ノズル３０による洗浄位置ＰがウエーハＷの径方向に移動しても、洗浄位置Ｐにおける周速が変わらないように、回転速度制御部４３が保持テーブル２０の回転速度を制御する構成にしたが、この構成に限定されない。回転速度制御部４３は、洗浄位置ＰがウエーハＷの外周に向かうのに従って保持テーブル２０の回転速度を遅くするように制御すればよい。 Further, in the first embodiment, the rotational speed control unit 43 holds the holding table 20 so that the peripheral speed at the cleaning position P does not change even if the cleaning position P by the cleaning nozzle 30 moves in the radial direction of the wafer W. However, the present invention is not limited to this configuration. The rotation speed control unit 43 may control so that the rotation speed of the holding table 20 decreases as the cleaning position P moves toward the outer periphery of the wafer W.

また、第２の実施の形態では、洗浄ノズル７５による洗浄位置ＰがウエーハＷの径方向に移動しても、洗浄位置Ｐにおける周速が変わらないように、回転速度制御部８３が搬送パッド７０の回転速度を制御する構成にしたが、この構成に限定されない。回転速度制御部８３は、洗浄位置ＰがウエーハＷの外周に向かうのに従って搬送パッド７０の回転速度を遅くするように制御すればよい。 In the second embodiment, the rotational speed controller 83 controls the transport pad 70 so that the peripheral speed at the cleaning position P does not change even if the cleaning position P by the cleaning nozzle 75 moves in the radial direction of the wafer W. However, the present invention is not limited to this configuration. The rotational speed control unit 83 may perform control so that the rotational speed of the transport pad 70 decreases as the cleaning position P moves toward the outer periphery of the wafer W.

以上説明したように、本発明は、ウエーハの全面に対する洗浄効果を向上させて洗浄時間を短縮することができるという効果を有し、特に、研削後のウエーハを洗浄水で洗浄する洗浄装置に有用である。 As described above, the present invention has the effect of improving the cleaning effect on the entire surface of the wafer and shortening the cleaning time, and is particularly useful for a cleaning apparatus for cleaning a ground wafer with cleaning water. It is.

１洗浄装置
２０保持テーブル
３０、７５洗浄ノズル
４０、８０回転手段
４１、８１回転駆動源
４３、８３回転速度制御部
５０、９０移動手段
５１、９１移動駆動源
５２、９２位置認識部
６０搬送装置（洗浄装置）
７０搬送パッド（保持テーブル）
９８水滴
９９異物
Ｐ洗浄位置
Ｗウエーハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Cleaning apparatus 20 Holding table 30, 75 Cleaning nozzle 40, 80 Rotating means 41, 81 Rotation drive source 43, 83 Rotational speed control part 50, 90 Moving means 51, 91 Movement drive source 52, 92 Position recognition part 60 Conveying device ( Cleaning device)
70 Transfer pad (holding table)
98 Water drop 99 Foreign object P Cleaning position W Wafer

Claims

ウエーハを保持する保持テーブルと、該保持テーブルを回転させる回転手段と、該保持テーブルが保持するウエーハに洗浄水を噴射させる洗浄ノズルと、該洗浄ノズルと該保持テーブルとを相対的に該保持テーブルの径方向に一定速度で移動させる移動手段と、を備える洗浄装置であって、
該回転手段は、回転駆動源と、該回転駆動源で回転する回転速度を制御する回転速度制御部と、を備え、
該移動手段は、移動駆動源と、該移動駆動源で該洗浄ノズルと該保持テーブルとを相対的に移動したときの該洗浄ノズルによる洗浄位置を認識する位置認識部と、を備え、
該位置認識部が認識する洗浄位置が該保持テーブルが保持するウエーハの外周に向かうに従って、該回転速度制御部が制御する該保持テーブルの回転速度を遅くする制御を行う洗浄装置。 A holding table for holding a wafer, a rotating means for rotating the holding table, a cleaning nozzle for injecting cleaning water onto a wafer held by the holding table, and the cleaning nozzle and the holding table relatively to the holding table And a moving means for moving at a constant speed in the radial direction of
The rotation means includes a rotation drive source, and a rotation speed control unit that controls a rotation speed rotated by the rotation drive source,
The moving means includes a movement drive source, and a position recognition unit for recognizing a washing position by the washing nozzle when the washing nozzle and the holding table are relatively moved by the movement drive source,
A cleaning apparatus that performs control to reduce the rotation speed of the holding table controlled by the rotation speed control unit as the cleaning position recognized by the position recognition unit moves toward the outer periphery of the wafer held by the holding table.