JP5479866B2

JP5479866B2 - Liquid resin coating apparatus and grinding machine

Info

Publication number: JP5479866B2
Application number: JP2009271397A
Authority: JP
Inventors: 寛吉村; 貴司小野; 聡山中
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2009-11-30
Filing date: 2009-11-30
Publication date: 2014-04-23
Anticipated expiration: 2029-11-30
Also published as: JP2011110523A

Description

本発明は、半導体ウエーハ等のウエーハの裏面に液状樹脂を塗布する液状樹脂の塗布装置および液状樹脂の塗布装置を装備した研削機に関する。 The present invention relates to a liquid resin coating apparatus for coating a liquid resin on the back surface of a wafer such as a semiconductor wafer and a grinding machine equipped with the liquid resin coating apparatus.

半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって多数の矩形領域を区画し、該矩形領域の各々にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。このように多数のデバイスが形成された半導体ウエーハをストリートに沿って分割することにより、個々のデバイスを形成する。デバイスの小型化および軽量化を図るために、通常、半導体ウエーハをストリートに沿って切断して個々のデバイスに分割するのに先立って、半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成している。 In a semiconductor device manufacturing process, a large number of rectangular areas are defined by dividing lines called streets arranged in a lattice pattern on the surface of a semiconductor wafer having a substantially disk shape, and ICs, LSIs, etc. are divided into the rectangular areas. Form the device. Individual devices are formed by dividing the semiconductor wafer on which a large number of devices are formed in this manner along the streets. In order to reduce the size and weight of the device, the semiconductor wafer is usually ground to the predetermined thickness by grinding the backside of the semiconductor wafer prior to cutting the semiconductor wafer along the street and dividing it into individual devices. Yes.

個々に分割された半導体デバイスは、その裏面にポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂脂等で形成された厚み２０〜４０μｍのダイアタッチフィルムと称するダイボンディング用の接着フィルムが装着され、この接着フィルムを介して半導体デバイスを支持するダイボンディングフレームに加熱することによりボンディングされる。半導体デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する方法としては、半導体ウエーハの裏面に接着フィルムを貼着し、この接着フィルムを介して半導体ウエーハをダイシングテープに貼着した後、半導体ウエーハの表面に形成されたストリートに沿って切削ブレードにより接着フィルムと共に切断することにより、裏面に接着フィルムが装着された半導体デバイスを形成している。（例えば、特許文献１参照。） Each of the divided semiconductor devices has a die bonding adhesive film called a die attach film having a thickness of 20 to 40 μm formed of polyimide resin, epoxy resin, acrylic resin fat or the like on the back surface thereof. Bonding is performed by heating to a die bonding frame that supports the semiconductor device via an adhesive film. As a method of attaching the adhesive film for die bonding to the back surface of the semiconductor device, the adhesive film is attached to the back surface of the semiconductor wafer, the semiconductor wafer is attached to the dicing tape through the adhesive film, and then the semiconductor wafer By cutting along with the adhesive film with a cutting blade along the street formed on the front surface, a semiconductor device having the adhesive film mounted on the back surface is formed. (For example, refer to Patent Document 1.)

しかるに、接着フィルムは所定の厚みおよび所定の大きさのシート状に形成されているため、ウエーハの大きさに対応させて所望の厚みの接着フィルムを得ることができない。 However, since the adhesive film is formed in a sheet shape having a predetermined thickness and a predetermined size, an adhesive film having a desired thickness cannot be obtained corresponding to the size of the wafer.

このような問題を解消するために、ウエーハの裏面に液状の樹脂を塗布することにより、ウエーハの大きさに対応してウエーハの裏面に接着剤を形成する方法が下記特許文献２および特許文献３に開示されている。 In order to solve such a problem, a method of forming an adhesive on the back surface of the wafer by applying a liquid resin to the back surface of the wafer in accordance with the size of the wafer is disclosed in Patent Documents 2 and 3 below. Is disclosed.

特開２０００−１８２９９５号公報JP 2000-182959 A 特開平８−２３６５５４号公報JP-A-8-236554 特開２００７−２０１１７８号公報JP 2007-2011178 A

而して、上記特許文献２および特許文献３に液状樹脂の塗布方法は、回転するウエーハの中心部に液状樹脂を滴下し、この滴下された液状樹脂を遠心力によって外周に向けて移動させるスピンコート法であり、滴下された液状樹脂の殆どがスピンアウトし実際にウエーハに塗布される液状樹脂は滴下量の３０％にも満たず不経済であるとともに、ウエーハの裏面に塗布される樹脂被膜の厚みにムラが生ずるという問題ある。 Thus, in the above-mentioned Patent Document 2 and Patent Document 3, the liquid resin coating method is such that the liquid resin is dropped on the central portion of the rotating wafer, and the dropped liquid resin is moved toward the outer periphery by centrifugal force. This is a coating method, and most of the dropped liquid resin is spun out and the liquid resin that is actually applied to the wafer is less than 30% of the dropped amount, which is uneconomical, and the resin coating applied to the back surface of the wafer There is a problem that unevenness occurs in the thickness of the film.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、ウエーハの裏面に所望の厚みの樹脂被膜を形成することができる液状樹脂の塗布装置および液状樹脂の塗布装置を装備した研削機を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-mentioned facts, and its main technical problem is to equip a liquid resin coating apparatus and a liquid resin coating apparatus capable of forming a resin film having a desired thickness on the back surface of the wafer. To provide a grinding machine.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、ウエーハを保持する保持面を備え回転可能に構成された保持テーブルと、該保持テーブルに保持されたウエーハに液状樹脂を塗布する液状樹脂塗布機構とを具備する液状樹脂の塗布装置において、
該液状樹脂塗布機構は、液状樹脂を収容し下端に液状樹脂吐出口を備えた液状樹脂収容容器と、該液状樹脂収容容器の下端に接続された噴霧ノズルと、該液状樹脂収容容器を支持する容器支持手段とを具備し、
該噴霧ノズルは、該液状樹脂収容容器の液状樹脂吐出口と連通する通路を備えたノズル本体と、該ノズル本体の下側に設けられたノズル部とからなっており、
該ノズル部は、該通路に流入した液状樹脂を流出する液状樹脂流出口と、該液状樹脂流出口の下側に形成され該液状樹脂流出口から流出された液状樹脂と空気とを混合する混合室と、該混合室に開口し圧縮空気供給手段に連通する圧縮空気供給口と、該混合室の下側に設けられ該混合室によって圧縮空気と混合された液状樹脂を噴霧する液状樹脂噴霧口とを具備している、
ことを特徴とする液状樹脂の塗布装置が提供される。 In order to solve the above main technical problem, according to the present invention, a holding table having a holding surface for holding a wafer and configured to be rotatable, and a liquid resin coating for applying a liquid resin to the wafer held by the holding table. In a liquid resin coating apparatus comprising a mechanism,
The liquid resin application mechanism supports the liquid resin container, containing a liquid resin and having a liquid resin discharge port at the lower end, a spray nozzle connected to the lower end of the liquid resin container, and the liquid resin container Container support means,
The spray nozzle is composed of a nozzle body having a passage communicating with the liquid resin discharge port of the liquid resin container, and a nozzle portion provided on the lower side of the nozzle body,
The nozzle unit is configured to mix a liquid resin outlet that flows out the liquid resin flowing into the passage, and a liquid resin that is formed below the liquid resin outlet and flows out from the liquid resin outlet. A compressed air supply port that opens into the mixing chamber and communicates with the compressed air supply means, and a liquid resin spray port that is provided below the mixing chamber and sprays the liquid resin mixed with the compressed air by the mixing chamber And
A liquid resin coating apparatus is provided.

上記液状樹脂収容容器を支持する容器支持手段は、液状樹脂収容容器の下端に接続された噴霧ノズルを保持テーブルの保持面と平行に移動せしめる加工送り機構を備えている。
また、液状樹脂の塗布装置は、保持テーブルに保持されたウエーハに塗布された液状樹脂を固化する液状樹脂固化器を備えている。 The container support means for supporting the liquid resin container includes a processing feed mechanism that moves the spray nozzle connected to the lower end of the liquid resin container in parallel with the holding surface of the holding table.
The liquid resin coating apparatus includes a liquid resin solidifier that solidifies the liquid resin applied to the wafer held on the holding table.

また、本発明によれば、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する研削手段と、該研削手段によって研削された研削加工後のウエーハを洗浄する洗浄手段と、該洗浄手段によって洗浄された研削加工後のウエーハの被研削面に液状樹脂を塗布する液状樹脂の塗布装置と、を具備する研削機において、
該液状樹脂の塗布装置は、ウエーハを保持する保持面を備え回転可能に構成された保持テーブルと、該保持テーブルに保持されたウエーハに液状樹脂を塗布する液状樹脂塗布機構とを具備し、
該液状樹脂塗布機構は、液状樹脂を収容し下端に液状樹脂吐出口を備えた液状樹脂収容容器と、該液状樹脂収容容器の下端に接続された噴霧ノズルと、該液状樹脂収容容器を支持する容器支持手段とを具備しており、
該噴霧ノズルは、該液状樹脂収容容器の液状樹脂吐出口と連通する通路を備えたノズル本体と、該ノズル本体の下側に設けられたノズル部とからなり、
該ノズル部は、該通路に流入した液状樹脂を流出する液状樹脂流出口と、該液状樹脂流出口の下側に形成され該液状樹脂流出口から流出された液状樹脂と空気とを混合する混合室と、該混合室に開口し圧縮空気供給手段に連通する圧縮空気供給口と、該混合室の下側に設けられ該混合室によって圧縮空気と混合された液状樹脂を噴霧する液状樹脂噴霧口とを具備している、
ことを特徴とする研削機が提供される。 Further, according to the present invention, a chuck table for holding a wafer, a grinding means for grinding the wafer held on the chuck table, a cleaning means for cleaning the wafer after grinding processed by the grinding means, In a grinding machine comprising: a liquid resin coating device that coats a liquid resin on a surface to be ground of a wafer that has been cleaned by the cleaning means;
The liquid resin coating apparatus includes a holding table configured to be rotatable with a holding surface that holds a wafer, and a liquid resin coating mechanism that applies the liquid resin to the wafer held on the holding table.
The liquid resin application mechanism supports the liquid resin container, containing a liquid resin and having a liquid resin discharge port at the lower end, a spray nozzle connected to the lower end of the liquid resin container, and the liquid resin container Container support means,
The spray nozzle comprises a nozzle body provided with a passage communicating with the liquid resin discharge port of the liquid resin container, and a nozzle portion provided on the lower side of the nozzle body,
The nozzle unit is configured to mix a liquid resin outlet that flows out the liquid resin flowing into the passage, and a liquid resin that is formed below the liquid resin outlet and flows out from the liquid resin outlet. A compressed air supply port that opens into the mixing chamber and communicates with the compressed air supply means, and a liquid resin spray port that is provided below the mixing chamber and sprays the liquid resin mixed with the compressed air by the mixing chamber And
A grinding machine is provided.

本発明による液状樹脂の塗布装置においては、保持テーブルに保持されたウエーハに液状樹脂を塗布する液状樹脂塗布機構を構成し液状樹脂を噴霧する噴霧ノズルは、液状樹脂収容容器の液状樹脂吐出口と連通する通路を備えたノズル本体と、該ノズル本体の下側に設けられたノズル部とからなり、ノズル部は通路に流入した液状樹脂を流出する液状樹脂流出口と、液状樹脂流出口の下側に形成され液状樹脂流出口から流出された液状樹脂と空気とを混合する混合室と、混合室に開口し圧縮空気供給手段に連通する圧縮空気供給口と、混合室の下側に設けられ該混合室によって圧縮空気と混合された液状樹脂を噴霧する液状樹脂噴霧口とを具備しているので、圧縮空気供給口から混合室に流入された圧縮空気に流速によって液状樹脂流出口部が負圧になり、この結果液状樹脂流出口から混合室に液状樹脂が流出し、混合室内で圧縮空気と混合された液状樹脂が微細なミストとなって液状樹脂噴霧口から噴霧される。このように、混合室に流入する圧縮空気の流速によって液状樹脂流出口部に生ずる負圧により液状樹脂流出口から液状樹脂を流出するので、液状樹脂の流出量が一定となり、噴霧される液状樹脂の微細なミストの密度が均一となる。従って、ウエーハの裏面にムラなく液状樹脂を塗布することができるとともに、液状樹脂を微細なミストにして噴霧するので液状樹脂の使用量を低減することができる。 In the liquid resin coating apparatus according to the present invention, the spray nozzle for forming the liquid resin coating mechanism for spraying the liquid resin on the wafer held on the holding table and spraying the liquid resin includes the liquid resin discharge port of the liquid resin container. The nozzle body comprises a nozzle body provided with a communicating passage and a nozzle portion provided on the lower side of the nozzle body. The nozzle portion has a liquid resin outlet for discharging the liquid resin flowing into the passage, and a liquid resin outlet. Provided on the lower side of the mixing chamber, a mixing chamber for mixing the liquid resin flowing out from the liquid resin outlet and the air, and a compressed air supply port that opens to the mixing chamber and communicates with the compressed air supply means. Since the liquid resin spray port for spraying the liquid resin mixed with the compressed air by the mixing chamber is provided, the liquid resin outlet port portion depends on the flow rate of the compressed air flowing into the mixing chamber from the compressed air supply port. It becomes a negative pressure, as a result the liquid resin flows out into the mixing chamber from the liquid resin outlet, a liquid resin mixed with compressed air in the mixing chamber is sprayed from the liquid resin spray nozzle becomes fine mist. Thus, since the liquid resin flows out from the liquid resin outlet due to the negative pressure generated in the liquid resin outlet due to the flow velocity of the compressed air flowing into the mixing chamber, the amount of liquid resin flowing out becomes constant and the liquid resin sprayed The density of the fine mist becomes uniform. Accordingly, the liquid resin can be applied uniformly to the back surface of the wafer, and the amount of liquid resin used can be reduced because the liquid resin is sprayed in a fine mist.

本発明に従って構成された液状樹脂の塗布装置を装備したウエーハの研削機の斜視図。1 is a perspective view of a wafer grinding machine equipped with a liquid resin coating device constructed according to the present invention. 本発明に従って構成された液状樹脂の塗布装置を構成する噴霧ノズルの断面図。Sectional drawing of the spray nozzle which comprises the coating device of the liquid resin comprised according to this invention. 図１に示す液状樹脂の塗布装置によって実施する液状樹脂塗布工程の説明図。Explanatory drawing of the liquid resin application | coating process implemented with the application | coating apparatus of liquid resin shown in FIG. 図１に示す液状樹脂の塗布装置によって実施する液状樹脂固化工程の説明図。Explanatory drawing of the liquid resin solidification process implemented with the coating device of the liquid resin shown in FIG. 本発明に従って構成された液状樹脂の塗布装置の他の実施形態を示す斜視図。The perspective view which shows other embodiment of the coating device of the liquid resin comprised according to this invention. 図５に示す液状樹脂の塗布装置によって実施する液状樹脂塗布工程の説明図。Explanatory drawing of the liquid resin application | coating process implemented with the application | coating apparatus of liquid resin shown in FIG.

以下、本発明による液状樹脂の塗布装置および液状樹脂の塗布装置を装備した研削機の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。 DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of a liquid resin coating device and a grinding machine equipped with a liquid resin coating device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図１には本発明に従って構成された液状樹脂の塗布装置を装備した研削機の斜視図が示されている。
図示の実施形態における研削機は、略直方体状の機体ハウジング２を具備している。機体ハウジング２の図１において右上端には、静止支持板２１が立設されている。この静止支持板２１の内側面には、上下方向に延びる２対の案内レール２２、２２および２３、２３が設けられている。一方の案内レール２２、２２には粗研削手段としての粗研削ユニット３が上下方向に移動可能に装着されており、他方の案内レール２３、２３には仕上げ研削手段としての仕上げ研削ユニット４が上下方向に移動可能に装着されている。 FIG. 1 is a perspective view of a grinding machine equipped with a liquid resin coating apparatus constructed according to the present invention.
The grinding machine in the illustrated embodiment includes a machine body housing 2 having a substantially rectangular parallelepiped shape. A stationary support plate 21 is erected on the upper right end of the body housing 2 in FIG. Two pairs of guide rails 22, 22 and 23, 23 extending in the vertical direction are provided on the inner surface of the stationary support plate 21. A rough grinding unit 3 as rough grinding means is mounted on one guide rail 22, 22 so as to be movable in the vertical direction, and a finish grinding unit 4 as finish grinding means is vertically mounted on the other guide rail 23, 23. It is mounted to move in the direction.

粗研削ユニット３は、ユニットハウジング３１と、該ユニットハウジング３１の下端に回転自在に装着されたホイールマウント３２に装着された粗研削ホイール３３と、該ユニットハウジング３１の上端に装着されホイールマウント３２を矢印３２aで示す方向に回転せしめる電動モータ３４と、ユニットハウジング３１を装着し上記案内レール２２、２２に沿って移動可能に配設された移動基台３５とを具備している。 The rough grinding unit 3 includes a unit housing 31, a rough grinding wheel 33 attached to a wheel mount 32 rotatably attached to the lower end of the unit housing 31, and a wheel mount 32 attached to the upper end of the unit housing 31. An electric motor 34 that rotates in a direction indicated by an arrow 32a, and a moving base 35 that is mounted with the unit housing 31 and is movable along the guide rails 22 and 22 are provided.

上記移動基台３５には被案内レール３５１、３５１が設けられており、この被案内レール３５１、３５１を上記静止支持板２１に設けられた案内レール２２、２２に移動可能に嵌合することにより、粗研削ユニット３が上下方向に移動可能に支持される。図示の形態における粗研削ユニット３は、上記移動基台３５を案内レール２２、２２に沿って移動させ研削ホイール３３を研削送りする研削送り機構３６を具備している。研削送り機構３６は、上記静止支持板２１に案内レール２２、２２と平行に上下方向に配設され回転可能に支持された雄ねじロッド３６１と、該雄ねじロッド３６１を回転駆動するためのパルスモータ３６２と、上記移動基台３５に装着され雄ねじロッド３６１と螺合する図示しない雌ねじブロックを具備しており、パルスモータ３６２によって雄ねじロッド３６１を正転および逆転駆動することにより、粗研削ユニット３を上下方向（後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向）に移動せしめる。 The movable base 35 is provided with guided rails 351 and 351, and the guided rails 351 and 351 are movably fitted to the guide rails 22 and 22 provided on the stationary support plate 21. The rough grinding unit 3 is supported so as to be movable in the vertical direction. The rough grinding unit 3 in the illustrated embodiment includes a grinding feed mechanism 36 that moves the moving base 35 along the guide rails 22 and 22 and feeds the grinding wheel 33 by grinding. The grinding feed mechanism 36 includes a male screw rod 361 that is disposed on the stationary support plate 21 in a vertical direction parallel to the guide rails 22 and 22 and is rotatably supported, and a pulse motor 362 for rotationally driving the male screw rod 361. And a female screw block (not shown) that is mounted on the moving base 35 and is screwed with the male screw rod 361. By driving the male screw rod 361 forward and backward by a pulse motor 362, the rough grinding unit 3 is moved up and down. It is moved in the direction (direction perpendicular to the holding surface of the chuck table described later).

上記仕上げ研削ユニット４も粗研削ユニット３と同様に構成されており、ユニットハウジング４１と、該ユニットハウジング４１の下端に回転自在に装着されたホイールマウント４２に装着された研削ホイール４３と、該ユニットハウジング４１の上端に装着されホイールマウント４２を矢印４２aで示す方向に回転せしめる電動モータ４４と、ユニットハウジング４１を装着し上記案内レール２３、２３に沿って移動可能に配設された移動基台４５とを具備している。 The finish grinding unit 4 is also configured in the same manner as the rough grinding unit 3, and includes a unit housing 41, a grinding wheel 43 attached to a wheel mount 42 rotatably attached to the lower end of the unit housing 41, and the unit An electric motor 44 that is attached to the upper end of the housing 41 and rotates the wheel mount 42 in the direction indicated by the arrow 42a, and a moving base 45 that is attached to the unit housing 41 and is movable along the guide rails 23 and 23. It is equipped with.

上記移動基台４５には被案内レール４５１、４５１が設けられており、この被案内レール４５１、４５１を上記静止支持板２１に設けられた案内レール２３、２３に移動可能に嵌合することにより、仕上げ研削ユニット４が上下方向に移動可能に支持される。図示の形態における仕上げ研削ユニット４は、上記移動基台４５を案内レール２３、２３に沿って移動させ研削ホイール４３を研削送りする送り機構４６を具備している。送り機構４６は、上記静止支持板２１に案内レール２３、２３と平行に上下方向に配設され回転可能に支持された雄ねじロッド４６１と、該雄ねじロッド４６１を回転駆動するためのパルスモータ４６２と、上記移動基台４５に装着され雄ねじロッド４６１と螺合する図示しない雌ねじブロックを具備しており、パルスモータ４６２によって雄ねじロッド４６１を正転および逆転駆動することにより、仕上げ研削ユニット４を上下方向（後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向）に移動せしめる。 Guided rails 451 and 451 are provided on the moving base 45, and the guided rails 451 and 451 are movably fitted to the guide rails 23 and 23 provided on the stationary support plate 21. The finish grinding unit 4 is supported so as to be movable in the vertical direction. The finish grinding unit 4 in the illustrated form includes a feed mechanism 46 that moves the moving base 45 along the guide rails 23 and 23 and feeds the grinding wheel 43 by grinding. The feed mechanism 46 includes a male screw rod 461 that is disposed on the stationary support plate 21 in parallel with the guide rails 23 and 23 in a vertical direction and is rotatably supported, and a pulse motor 462 for rotationally driving the male screw rod 461. , A female screw block (not shown) mounted on the moving base 45 and screwed with the male screw rod 461 is provided, and the male screw rod 461 is driven forward and reverse by a pulse motor 462 to move the finish grinding unit 4 in the vertical direction. It is moved in a direction (perpendicular to the holding surface of the chuck table described later).

図示の実施形態における研削機は、上記静止支持板２１の前側において機体ハウジング２に回転可能に配設されたターンテーブル５を具備している。このターンテーブル５は、比較的大径の円盤状に形成されており、図示しない回転駆動機構によって矢印５ａで示す方向に適宜回転せしめられる。ターンテーブル５には、図示の実施形態の場合それぞれ１２０度の位相角をもって３個のチャックテーブル６が水平面内で回転可能に配置されている。このチャックテーブル６は、円盤状の基台６１とポーラスセラミック材によって円盤状に形成され吸着保持チャック６２とからなっており、吸着保持チャック６２の上面（保持面）に載置された被加工物を図示しない吸引手段を作動することにより吸引保持する。このように構成されたチャックテーブル６は、図１に示すように図示しない回転駆動機構によって矢印６aで示す方向に回転せしめられる。ターンテーブル５に配設された３個のチャックテーブル６は、ターンテーブル５が適宜回転することにより被加工物搬入・搬出域Ａ、粗研削加工域Ｂ、および仕上げ研削加工域Ｃおよび被加工物搬入・搬出域Ａに順次移動せしめられる。 The grinding machine in the illustrated embodiment includes a turntable 5 rotatably disposed on the machine body housing 2 on the front side of the stationary support plate 21. The turntable 5 is formed in a relatively large-diameter disk shape, and is appropriately rotated in a direction indicated by an arrow 5a by a rotation driving mechanism (not shown). In the illustrated embodiment, three chuck tables 6 are arranged on the turntable 5 so as to be rotatable in a horizontal plane with a phase angle of 120 degrees. The chuck table 6 includes a disk-shaped base 61 and a suction holding chuck 62 formed in a disk shape by a porous ceramic material, and a work piece placed on the upper surface (holding surface) of the suction holding chuck 62. Is sucked and held by operating a suction means (not shown). The chuck table 6 configured as described above is rotated in a direction indicated by an arrow 6a by a rotation driving mechanism (not shown) as shown in FIG. The three chuck tables 6 arranged on the turntable 5 have a workpiece loading / unloading zone A, a rough grinding zone B, a finish grinding zone C, and a workpiece by appropriately rotating the turntable 5. It is sequentially moved to the loading / unloading area A.

図示の実施形態における研削機は、被加工物搬入・搬出域Ａに対して一方側に配設され研削加工前の被加工物である半導体ウエーハおよび研削加工後の被加工物である半導体ウエーハを収容するカセット１１と、カセット１１と被加工物搬入・搬出域Ａとの間に配設され被加工物の中心合わせを行う中心合わせ手段１２と、被加工物搬入・搬出域Ａに対して他方側に配設され研削加工後の被加工物である半導体ウエーハを洗浄するスピンナー洗浄手段１３と、該スピンナー洗浄手段１３によって洗浄された研削加工後の被加工物である半導体ウエーハの被研削面である裏面にダイボンディング用の接着剤としての液状樹脂を塗布する液状樹脂の塗布装置７と、カセット１１内に収納された被加工物である半導体ウエーハを中心合わせ手段１２に搬出するとともにスピンナー洗浄手段１４で洗浄された半導体ウエーハを液状樹脂の塗布装置７に搬送するとともに該液状樹脂の塗布装置７において液状樹脂が塗布された半導体ウエーハをカセット１１に搬送する被加工物搬送手段１４と、中心合わせ手段１２上に載置され中心合わせされた半導体ウエーハを被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６上に搬送する被加工物搬入手段１５と、被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６上に載置されている研削加工後の半導体ウエーハをスピンナー洗浄手段１３に搬送する被加工物搬出手段１６を具備している。なお、上記カセット１１には、半導体ウエーハWが表面に保護テープTが貼着された状態で複数枚収容される。このとき、半導体ウエーハWは、裏面（被研削面）を上側にして収容される。 The grinding machine in the illustrated embodiment includes a semiconductor wafer that is disposed on one side with respect to a workpiece carry-in / carry-out area A and that is a workpiece before grinding and a semiconductor wafer that is a workpiece after grinding. A cassette 11 to be accommodated, a centering means 12 arranged between the cassette 11 and the workpiece loading / unloading area A for centering the workpiece, and the other with respect to the workpiece loading / unloading area A A spinner cleaning means 13 disposed on the side for cleaning a semiconductor wafer as a workpiece after grinding, and a surface to be ground of a semiconductor wafer as a workpiece after grinding cleaned by the spinner cleaning means 13 A liquid resin applicator 7 for applying a liquid resin as an adhesive for die bonding to a certain back surface and a semiconductor wafer as a workpiece housed in a cassette 11 are centered 12. The semiconductor wafer transported and cleaned by the spinner cleaning means 14 is transported to the liquid resin coating device 7 and the semiconductor wafer coated with the liquid resin in the liquid resin coating device 7 is transported to the cassette 11. Means 14, work piece carrying means 15 for carrying the centered semiconductor wafer placed on center aligning means 12 onto chuck table 6 positioned in work carry-in / out area A, and work piece A workpiece unloading means 16 for conveying the semiconductor wafer after grinding mounted on the chuck table 6 positioned in the loading / unloading area A to the spinner cleaning means 13 is provided. Note that a plurality of semiconductor wafers W are accommodated in the cassette 11 in a state where the protective tape T is adhered to the surface. At this time, the semiconductor wafer W is accommodated with the back surface (surface to be ground) facing upward.

ここで、上記液状樹脂の塗布装置７について説明する。
図示の実施形態における液状樹脂の塗布装置７は、被加工物としての上記半導体ウエーハWを保持する保持テーブル７１と、保持テーブル７１に保持されたウエーハに液状樹脂を塗布する液状樹脂塗布機構７２とを具備している。保持テーブル７１は、円盤状の基台７１１とポーラスセラミック材によって円盤状に形成され吸着保持チャック７１２とからなっており、吸着保持チャック７１２の上面（保持面）に載置された被加工物としての上記半導体ウエーハWを図示しない吸引手段を作動することにより吸引保持する。このように構成された保持テーブル７１は、電動モータ７１０によって回転せしめられる。 Here, the liquid resin coating device 7 will be described.
The liquid resin coating device 7 in the illustrated embodiment includes a holding table 71 that holds the semiconductor wafer W as a workpiece, and a liquid resin coating mechanism 72 that applies the liquid resin to the wafer held on the holding table 71. It has. The holding table 71 includes a disk-shaped base 711 and a suction holding chuck 712 that is formed in a disk shape from a porous ceramic material. The holding table 71 is a workpiece placed on the upper surface (holding surface) of the suction holding chuck 712. The semiconductor wafer W is sucked and held by operating a suction means (not shown). The holding table 71 configured as described above is rotated by the electric motor 710.

上記液状樹脂塗布機構７２は、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂脂等からなるダイボンディング用の接着剤としての液状樹脂を収容する液状樹脂収容容器７３と、該液状樹脂収容容器７３の下端に接続された噴霧ノズル７４と、液状樹脂収容容器７３を支持する容器支持手段７５を具備している。液状樹脂収容容器７３は、上端が大気に開放されており、下端には図２に示すように液状樹脂吐出口７３１が形成されている。このように構成された液状樹脂収容容器７３には、上端開放口から液状樹脂が適宜供給されるようになっている。なお、液状樹脂収容容器７３に収容される液状樹脂は、図示の実施形態においては紫外線を照射することによって固化する特性を有する樹脂が用いられる。 The liquid resin application mechanism 72 is connected to a liquid resin container 73 for containing a liquid resin as an adhesive for die bonding made of epoxy resin, acrylic resin fat, or the like, and a lower end of the liquid resin container 73. The spray nozzle 74 and the container support means 75 for supporting the liquid resin container 73 are provided. The liquid resin container 73 has an upper end open to the atmosphere, and a liquid resin discharge port 731 is formed at the lower end as shown in FIG. The liquid resin container 73 configured in this manner is appropriately supplied with liquid resin from the upper end opening. In the illustrated embodiment, the liquid resin accommodated in the liquid resin container 73 is a resin having a property of solidifying when irradiated with ultraviolet rays.

上記液状樹脂収容容器７３の下端に接続された噴霧ノズル７４は、上記液状樹脂収容容器７３の液状樹脂吐出口７３１と連通する通路７４１aを備えたノズル本体７４１と、該ノズル本体７４１の下側に設けられたノズル部７４２とからなっている。ノズル部７４２は、通路７４１aに流入した液状樹脂を流出する液状樹脂流出口７４２aと、該液状樹脂流出口７４２aの下側に形成され液状樹脂流出口７４２aから流出された液状樹脂と空気とを混合する混合室７４２bと、該混合室７４２bに開口する圧縮空気供給口７４２cと、混合室７４２bの下側に設けられ混合室７４２bによって圧縮空気と混合された液状樹脂を噴霧する液状樹脂噴霧口７４２dを具備している。圧縮空気供給口７４２cは、液状樹脂流出口７４２aを囲繞して形成され、ノズル本体７４１に形成された連通路７４１bを介して図示しない圧縮空気供給手段に連通されている。このように構成された噴霧ノズル７４は、圧縮空気供給口７４２cから混合室７４２bに流入された圧縮空気の流速によって液状樹脂流出口７４２a部が負圧になり、この結果液状樹脂流出口７４２aから混合室７４２bに液状樹脂が流出し、混合室７４２b内で圧縮空気と混合された液状樹脂が微細なミストとなって液状樹脂噴霧口７４２dから噴霧する。 The spray nozzle 74 connected to the lower end of the liquid resin container 73 has a nozzle body 741 having a passage 741a communicating with the liquid resin discharge port 731 of the liquid resin container 73, and a lower side of the nozzle body 741. The nozzle portion 742 is provided. The nozzle part 742 mixes the liquid resin outlet 742a that flows out the liquid resin flowing into the passage 741a, and the liquid resin that is formed below the liquid resin outlet 742a and flows out of the liquid resin outlet 742a with air. A mixing chamber 742b, a compressed air supply port 742c that opens to the mixing chamber 742b, and a liquid resin spray port 742d that is provided below the mixing chamber 742b and sprays the liquid resin mixed with the compressed air by the mixing chamber 742b. It has. The compressed air supply port 742c is formed so as to surround the liquid resin outlet 742a, and is communicated with a compressed air supply means (not shown) through a communication path 741b formed in the nozzle body 741. The spray nozzle 74 configured as described above has a negative pressure at the liquid resin outlet 742a due to the flow rate of the compressed air flowing into the mixing chamber 742b from the compressed air supply port 742c. As a result, the mixing is performed from the liquid resin outlet 742a. The liquid resin flows out into the chamber 742b, and the liquid resin mixed with the compressed air in the mixing chamber 742b becomes a fine mist and is sprayed from the liquid resin spray port 742d.

図１に戻って説明を続けると、上記液状樹脂収容容器７３を支持する容器支持手段７５は、液状樹脂収容容器７３を支持する容器ホルダ７５１と、該容器ホルダ７５１を保持テーブル７１の上面である保持面と平行に移動せしめる加工送り機構７５２を備えている。加工送り機構７５２は、容器ホルダ７４１に連結され保持テーブル７１の上面である保持面に対して垂直な方向に配設された支持部材７５３と、該支持部材７５３を矢印Eで示すように回動せしめる電動モータ７５４とからなっている。このように構成された加工送り機構７５２は、非作動時には液状樹脂収容容器７３および噴霧ノズル７４を図１に示す退避位置に位置付けており、電動モータ７５４を作動することにより容器ホルダ７４１に保持された液状樹脂収容容器７３の下端に接続された噴霧ノズル７４を保持テーブル７１に保持されたウエーハの外周から中心を通る軌跡に沿って移動せしめる。 Referring back to FIG. 1, the container support means 75 that supports the liquid resin container 73 is a container holder 751 that supports the liquid resin container 73 and the upper surface of the holding table 71 that holds the container holder 751. A machining feed mechanism 752 that moves in parallel with the holding surface is provided. The processing feed mechanism 752 is connected to the container holder 741 and arranged in a direction perpendicular to the holding surface which is the upper surface of the holding table 71, and the support member 753 is rotated as indicated by an arrow E. And an electric motor 754 to be damped. The processing feed mechanism 752 configured in this manner positions the liquid resin container 73 and the spray nozzle 74 at the retracted position shown in FIG. 1 when not in operation, and is held by the container holder 741 by operating the electric motor 754. The spray nozzle 74 connected to the lower end of the liquid resin container 73 is moved along the trajectory passing through the center from the outer periphery of the wafer held by the holding table 71.

図示の実施形態における液状樹脂の塗布装置７は、研削加工後の被加工物である半導体ウエーハの被研削面に塗布された液状樹脂を固化させるための液状樹脂固化手段７６を具備している。この液状樹脂固化手段７６は、図示の実施形態においては紫外線照射器７６１と、該紫外線照射器７６１を支持する支持ロッド７６２とからなっている。なお、支持ロッド７６２は図示しない回動機構によって矢印Fで示すように適宜回動せしめられ、紫外線照射器７６１を保持テーブル７１の上方位置である照射位置と該照射位置から退避する退避位置に位置付けるように構成されている。 The liquid resin coating device 7 in the illustrated embodiment includes liquid resin solidifying means 76 for solidifying the liquid resin applied to the ground surface of the semiconductor wafer, which is the workpiece after grinding. In the illustrated embodiment, the liquid resin solidifying means 76 includes an ultraviolet irradiator 761 and a support rod 762 that supports the ultraviolet irradiator 761. The support rod 762 is appropriately rotated as indicated by an arrow F by a rotation mechanism (not shown), and the ultraviolet irradiator 761 is positioned at an irradiation position that is an upper position of the holding table 71 and a retreat position that is retracted from the irradiation position. It is configured as follows.

図示の実施形態における研削機は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
カセット１１に収容された研削加工前の被加工物である半導体ウエーハWは被加工物搬送手段１４によって中心合わせ手段１２に搬送され、ここで中心合わせされる。中心合わせ手段１２で中心合わせされた半導体ウエーハWは、被加工物搬入手段１５の旋回動作によって被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６の吸着保持チャック６２上に載置される。そして、図示しない吸引手段を作動して、半導体ウエーハWを吸着保持チャック６２上に吸引保持する。次に、ターンテーブル５を図示しない回転駆動機構によって矢印５ａで示す方向に１２０度回動せしめて、半導体ウエーハWを載置したチャックテーブル６を粗研削加工域Ｂに位置付ける。 The grinding machine in the illustrated embodiment is configured as described above, and the operation thereof will be described below.
The semiconductor wafer W, which is a workpiece before grinding, stored in the cassette 11 is conveyed to the centering means 12 by the workpiece conveying means 14 and is centered here. The semiconductor wafer W centered by the center aligning means 12 is placed on the suction holding chuck 62 of the chuck table 6 positioned in the work carry-in / out area A by the turning operation of the work carry-in means 15. . Then, a suction means (not shown) is operated to suck and hold the semiconductor wafer W on the suction holding chuck 62. Next, the turntable 5 is rotated 120 degrees in the direction indicated by the arrow 5a by a rotation drive mechanism (not shown), and the chuck table 6 on which the semiconductor wafer W is placed is positioned in the rough grinding region B.

半導体ウエーハWを吸引保持したチャックテーブル６は、粗研削加工域Ｂに位置付けられると図示しない回転駆動機構によって矢印６aで示す方向に回転せしめられる。一方、粗研削ユニット３の研削ホイール３３は、矢印３２aで示す方向に回転せしめられつつ研削送り機構３６によって所定量下降する。この結果、チャックテーブル６上の半導体ウエーハWの裏面（上面）である被研削面に粗研削加工が施される。なお、この間に被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられた次のチャックテーブル６上には、上述したように研削加工前の半導体ウエーハWが載置される。そして、チャックテーブル６上に載置された半導体ウエーハWは、図示しない吸引手段を作動することによりチャックテーブル６上に吸引保持される。次に、ターンテーブル５を矢印５aで示す方向に１２０度回動せしめて、粗研削加工された半導体ウエーハWを保持しているチャックテーブル６を仕上げ研削加工域Ｃに位置付け、研削加工前の半導体ウエーハWを保持したチャックテーブル６を粗研削加工域Ｂに位置付ける。 When the chuck table 6 holding the semiconductor wafer W by suction is positioned in the rough grinding area B, the chuck table 6 is rotated in a direction indicated by an arrow 6a by a rotation driving mechanism (not shown). On the other hand, the grinding wheel 33 of the rough grinding unit 3 is lowered by a predetermined amount by the grinding feed mechanism 36 while being rotated in the direction indicated by the arrow 32a. As a result, the surface to be ground which is the back surface (upper surface) of the semiconductor wafer W on the chuck table 6 is subjected to rough grinding. During this time, the semiconductor wafer W before grinding is placed on the next chuck table 6 positioned in the work carry-in / carry-out area A as described above. The semiconductor wafer W placed on the chuck table 6 is sucked and held on the chuck table 6 by operating a suction means (not shown). Next, the turntable 5 is rotated 120 degrees in the direction indicated by the arrow 5a, and the chuck table 6 holding the semiconductor wafer W subjected to the rough grinding is positioned in the finish grinding region C, and the semiconductor before grinding is performed. The chuck table 6 holding the wafer W is positioned in the rough grinding area B.

このようにして、粗研削加工域Ｂに位置付けられたチャックテーブル６上に保持された粗研削加工前の半導体ウエーハWの裏面（上面）である被研削面には粗研削ユニット３によって粗研削加工が施され、仕上げ研削加工域Ｃに位置付けられたチャックテーブル６上に保持され粗研削加工された半導体ウエーハWの裏面（上面）である被研削面には仕上げ研削ユニット４によって仕上げ研削加工が施される。次に、ターンテーブル５を矢印５ａで示す方向に１２０度回動せしめて、仕上げ研削加工された半導体ウエーハWを保持したチャックテーブル６を被加工物搬入・搬出域Ａに位置付ける。なお、粗研削加工域Ｂにおいて粗研削加工された半導体ウエーハWを保持したチャックテーブル６は仕上げ研削加工域Ｃに、被加工物搬入・搬出域Ａにおいて研削加工前の半導体ウエーハWを保持したチャックテーブル６は粗研削加工域Ｂにそれぞれ移動せしめられる。 In this way, the surface to be ground, which is the back surface (upper surface) of the semiconductor wafer W before rough grinding, held on the chuck table 6 positioned in the rough grinding region B, is rough ground by the rough grinding unit 3. The surface to be ground, which is the back surface (upper surface) of the semiconductor wafer W held on the chuck table 6 positioned in the finish grinding region C and subjected to rough grinding, is subjected to finish grinding by the finish grinding unit 4. Is done. Next, the turntable 5 is rotated 120 degrees in the direction indicated by the arrow 5a, and the chuck table 6 holding the semiconductor wafer W subjected to finish grinding is positioned in the workpiece loading / unloading area A. The chuck table 6 holding the semiconductor wafer W that has been roughly ground in the rough grinding zone B is held in the finish grinding zone C, and the chuck that holds the semiconductor wafer W before grinding in the workpiece loading / unloading zone A. The table 6 is moved to the rough grinding area B, respectively.

上述したように、粗研削加工域Ｂおよび仕上げ研削加工域Ｃを経由して被加工物搬入・搬出域Ａに戻ったチャックテーブル６は、ここで仕上げ研削加工された半導体ウエーハWの吸引保持を解除する。そして、被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６上の仕上げ研削加工された半導体ウエーハWは、被加工物搬出手段１６によってスピンナー洗浄手段１３に搬出される。スピンナー洗浄手段１３に搬送された半導体ウエーハWは、ここで裏面（被研削面）および側面に付着している研削屑が洗浄除去されるとともに、スピン乾燥される。このようにして洗浄およびスピン乾燥された半導体ウエーハWは、被加工物搬送手段１４によって液状樹脂の塗布装置７の保持テーブル７１の上面である保持面に載置される。保持テーブル７１上に載置された半導体ウエーハWは、図示しない吸引手段を作動することにより保持テーブル７１に吸引保持される。 As described above, the chuck table 6 that has returned to the workpiece loading / unloading zone A via the rough grinding zone B and the finish grinding zone C holds the semiconductor wafer W that has been ground here by suction. To release. Then, the finish-ground semiconductor wafer W on the chuck table 6 positioned in the workpiece loading / unloading area A is unloaded to the spinner cleaning unit 13 by the workpiece unloading unit 16. The semiconductor wafer W transported to the spinner cleaning means 13 is spin-dried while the grinding debris adhering to the back surface (surface to be ground) and the side surface is cleaned and removed. The semiconductor wafer W thus cleaned and spin-dried is placed on the holding surface which is the upper surface of the holding table 71 of the liquid resin coating device 7 by the workpiece transfer means 14. The semiconductor wafer W placed on the holding table 71 is sucked and held by the holding table 71 by operating suction means (not shown).

保持テーブル７１に半導体ウエーハWを吸引保持したならば、容器支持手段７５の加工送り機構７５２を構成する電動モータ７５４を作動して液状樹脂収容容器７３の下端に接続された噴霧ノズル７４を保持テーブル７１に保持された半導体ウエーハWの外周位置の上方に位置付ける。このとき、液状樹脂固化手段７６を構成する紫外線照射器７６１は、退避位置に位置付けられている。次に、図３の(a)に示すように保持テーブル７１を矢印７１aで示す方向に例えば１００rpmの回転速度で回転し、図示しない圧縮空気供給手段を作動して例えば０．５Mpの圧縮空気を供給する。この結果、上述したように噴霧ノズル７４の液状樹脂噴霧口７５２dから液状樹脂１０が微細なミストとなって噴霧される。このようにして液状樹脂１０を噴霧するとともに、容器支持手段７５の加工送り機構７５２を構成する電動モータ７５４を例えば正転駆動して液状樹脂収容容器７３の下端に接続された噴霧ノズル７４を矢印で示すように外周から保持テーブル７１に保持された半導体ウエーハWの外周から中心Pに向けて移動せしめる。そして、噴霧ノズル７４の中心が半導体ウエーハWの中心Pより１０〜２０mm手前の位置に達したら、電動モータ７５４を例えば逆転駆動して噴霧ノズル７４を半導体ウエーハWの外周向けて移動する。そして、噴霧ノズル７４が半導体ウエーハWの外周に達したら、図示しない圧縮空気供給手段からの圧縮空気の供給を停止して噴霧ノズル７４からの液状樹脂の噴霧を停止する（液状樹脂塗布工程）。このように噴霧ノズル７４の中心が半導体ウエーハWの中心Pより１０〜２０mm手前の位置に達したら電動モータ７５４を逆転駆動して噴霧ノズル７４を半導体ウエーハWの外周向けて移動するのは、噴霧ノズル７４から噴霧される液状樹脂１０の微細なミストが半径１０〜２０mm以上あり、しかも半導体ウエーハWの中心部における周速度が遅いので、半導体ウエーハWに塗布される液状樹脂１０の量を均一にするためである。また、液状樹脂塗布工程における噴霧ノズル７４の移動速度は、半導体ウエーハWの周速度が速い外周部領域では遅く、半導体ウエーハWの周速度が遅い中心領域においては速くすることが望ましく、例えば５〜１０mm／秒の範囲で制御する。この結果、保持テーブル７１に保持された半導体ウエーハWの裏面である被加工面（上面）には、図３の(b)に示すように液状樹脂１０が均一の厚みで塗布される。このように液状樹脂を噴霧する噴霧ノズル７４は、上述したように混合室７４２bに流入する圧縮空気の流速によって液状樹脂流出口７４２a部に生ずる負圧により液状樹脂流出口７４２aから液状樹脂を流出するので、液状樹脂の流出量が一定となり、噴霧される液状樹脂の微細なミストの密度が均一となる。従って、半導体ウエーハWの裏面にムラなく液状樹脂を塗布することができるとともに、液状樹脂を微細なミストにして噴霧するので液状樹脂の使用量を低減することができる。なお、噴霧ノズル７４は、液状樹脂塗布工程を実施した後においては、図１に示す待機位置に位置付けられる。 If the semiconductor wafer W is sucked and held on the holding table 71, the electric motor 754 constituting the processing feed mechanism 752 of the container support means 75 is operated and the spray nozzle 74 connected to the lower end of the liquid resin container 73 is held in the holding table. The semiconductor wafer W held by 71 is positioned above the outer peripheral position. At this time, the ultraviolet irradiator 761 constituting the liquid resin solidifying means 76 is positioned at the retracted position. Next, as shown in FIG. 3 (a), the holding table 71 is rotated at a rotational speed of, for example, 100 rpm in the direction indicated by the arrow 71a, and a compressed air supply means (not shown) is operated to generate compressed air of 0.5 Mp, for example. Supply. As a result, as described above, the liquid resin 10 is sprayed as fine mist from the liquid resin spray port 752d of the spray nozzle 74. In this way, the liquid resin 10 is sprayed, and the electric motor 754 constituting the processing feed mechanism 752 of the container support means 75 is driven forward, for example, so that the spray nozzle 74 connected to the lower end of the liquid resin container 73 is indicated by an arrow. As shown in FIG. 2, the semiconductor wafer W held on the holding table 71 is moved from the outer periphery toward the center P. When the center of the spray nozzle 74 reaches a position 10 to 20 mm before the center P of the semiconductor wafer W, the electric motor 754 is driven in reverse, for example, to move the spray nozzle 74 toward the outer periphery of the semiconductor wafer W. When the spray nozzle 74 reaches the outer periphery of the semiconductor wafer W, the supply of compressed air from a compressed air supply means (not shown) is stopped to stop spraying the liquid resin from the spray nozzle 74 (liquid resin application step). Thus, when the center of the spray nozzle 74 reaches a position 10 to 20 mm before the center P of the semiconductor wafer W, the electric motor 754 is driven in reverse to move the spray nozzle 74 toward the outer periphery of the semiconductor wafer W. Since the fine mist of the liquid resin 10 sprayed from the nozzle 74 has a radius of 10 to 20 mm or more and the peripheral speed at the center of the semiconductor wafer W is slow, the amount of the liquid resin 10 applied to the semiconductor wafer W is made uniform. It is to do. Further, it is desirable that the moving speed of the spray nozzle 74 in the liquid resin coating process is slow in the outer peripheral region where the peripheral speed of the semiconductor wafer W is fast and fast in the central region where the peripheral speed of the semiconductor wafer W is slow. Control in the range of 10 mm / sec. As a result, the liquid resin 10 is applied to the processing surface (upper surface) which is the back surface of the semiconductor wafer W held on the holding table 71 with a uniform thickness as shown in FIG. As described above, the spray nozzle 74 for spraying the liquid resin flows out the liquid resin from the liquid resin outlet 742a by the negative pressure generated in the liquid resin outlet 742a by the flow rate of the compressed air flowing into the mixing chamber 742b as described above. Therefore, the outflow amount of the liquid resin becomes constant, and the density of the fine mist of the sprayed liquid resin becomes uniform. Accordingly, the liquid resin can be applied uniformly to the back surface of the semiconductor wafer W, and the amount of the liquid resin used can be reduced because the liquid resin is sprayed in a fine mist. The spray nozzle 74 is positioned at the standby position shown in FIG. 1 after performing the liquid resin application process.

上述したように液状樹脂塗布工程を実施したならば、液状樹脂収容容器７３の下端に接続された噴霧ノズル７４を塗布位置から退避位置に位置付けるとともに、図４に示すように液状樹脂固化手段７６を構成する紫外線照射器７６１を保持テーブル７１の上方位置である照射位置に位置付ける。そして紫外線照射器７６１を作動し、保持テーブル７１に保持された半導体ウエーハWの裏面に塗布された液状樹脂１０に照射する。この結果、半導体ウエーハWの裏面に塗布された液状樹脂１０は固化され（液状樹脂固化工程）、半導体ウエーハWの裏面にはダイボンディング用の接着剤としての樹脂被膜が形成される。 When the liquid resin application step is performed as described above, the spray nozzle 74 connected to the lower end of the liquid resin container 73 is positioned from the application position to the retracted position, and the liquid resin solidifying means 76 is provided as shown in FIG. The ultraviolet irradiator 761 to be configured is positioned at an irradiation position that is an upper position of the holding table 71. Then, the ultraviolet irradiator 761 is operated to irradiate the liquid resin 10 applied to the back surface of the semiconductor wafer W held on the holding table 71. As a result, the liquid resin 10 applied to the back surface of the semiconductor wafer W is solidified (liquid resin solidification step), and a resin film as an adhesive for die bonding is formed on the back surface of the semiconductor wafer W.

上述したように液状樹脂固化工程を実施したならば、保持テーブル７１による半導体ウエーハWの吸引保持を解除する。そして、保持テーブル７１上の半導体ウエーハWは、被加工物搬送手段１４によってカセット１１の所定位置に収納される。このようにしてカセット１１に収容された半導体ウエーハW（研削加工された裏面に接着剤としての樹脂被膜が形成される）は、次工程であるウエーハ分割工程に搬送される。 If the liquid resin solidifying step is performed as described above, the suction holding of the semiconductor wafer W by the holding table 71 is released. Then, the semiconductor wafer W on the holding table 71 is stored in a predetermined position of the cassette 11 by the workpiece transfer means 14. The semiconductor wafer W housed in the cassette 11 in this way (a resin film as an adhesive is formed on the ground back surface) is transported to the next wafer dividing step.

以上のように、図示の実施形態においては、液状樹脂の塗布装置を研削機に装備したので、研削加工されたウエーハの裏面に直ちに接着剤としての液状樹脂を塗布することができるので、生産性を向上させることができる。 As described above, in the illustrated embodiment, since the grinder is equipped with a liquid resin coating device, the liquid resin as an adhesive can be immediately coated on the back surface of the ground wafer, so that productivity is improved. Can be improved.

次に、液状樹脂の塗布装置７の他の実施形態について、図５を参照して説明する。なお、図５に示す液状樹脂の塗布装置７においては、上記図１および図２で示す液状樹脂の塗布装置７の構成部材と同一部材には同一符号を付して説明を省略する。
図５に示す液状樹脂の塗布装置７は、上方が開放した矩形状の装置ハウジング８１を具備している。この装置ハウジング８１の一側壁８１１には吸引口８１１aが形成されており、該吸引口８１１aに図示しない吸引手段に連通された吸引ダクト８１２が接続されている。また、装置ハウジング８１の底壁には排出口（図示せず）が形成されており、該排出口にドレーンパイプ８１３が接続されている。装置ハウジング８１内には、被加工物としての上記半導体ウエーハWを保持する保持テーブル７１および該保持テーブル７１を回転駆動する電動モータ７１０が配設されている。 Next, another embodiment of the liquid resin coating apparatus 7 will be described with reference to FIG. In the liquid resin coating apparatus 7 shown in FIG. 5, the same members as those of the liquid resin coating apparatus 7 shown in FIGS.
The liquid resin coating device 7 shown in FIG. 5 includes a rectangular device housing 81 having an open top. A suction port 811a is formed in one side wall 811 of the apparatus housing 81, and a suction duct 812 communicated with suction means (not shown) is connected to the suction port 811a. Further, a discharge port (not shown) is formed in the bottom wall of the device housing 81, and a drain pipe 813 is connected to the discharge port. In the apparatus housing 81, a holding table 71 that holds the semiconductor wafer W as a workpiece and an electric motor 710 that rotationally drives the holding table 71 are disposed.

上記保持テーブル７１に保持されたウエーハに液状樹脂を塗布する液状樹脂塗布機構８２は、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂脂等からなるダイボンディング用の接着剤としての液状樹脂を収容する液状樹脂収容容器７３と、該液状樹脂収容容器７３の下端に接続された噴霧ノズル７４と、液状樹脂収容容器７３を支持する容器支持手段８５を具備している。 A liquid resin application mechanism 82 for applying a liquid resin to the wafer held on the holding table 71 is a liquid resin container for containing a liquid resin as an adhesive for die bonding made of epoxy resin, acrylic resin fat, or the like. 73, a spray nozzle 74 connected to the lower end of the liquid resin container 73, and container support means 85 for supporting the liquid resin container 73.

上記液状樹脂収容容器７３を支持する容器支持手段８５は、液状樹脂収容容器７３を支持する容器ホルダ８５１と、該容器ホルダ８５１を保持テーブル７１の上面である保持面と平行に移動せしめる加工送り機構８５２を備えている。加工送り機構８５２は、容器ホルダ８５１に連結された支持部材８５３と、装置ハウジング８１の側壁に配設され支持部材８５３を矢印Y1およびY2で示す方向に移動可能に案内する案内レール８５４と、支持部材８５３を案内レール８５４に沿って移動せしめる移動手段８５５とからなっている。支持部材８５３は、L字状に形成され上端が上記容器ホルダ８５１と連結する連結部８５３aと、該連結部８５３aの下端から水平に延びる支持部８５３bとからなっており、該支持部８５３bには上記案内レール８５４に摺動可能に嵌合する被案内溝８５３cが形成されている。従って、被案内溝８５３cを案内レール８５４に摺動可能に嵌合することにより、上記容器ホルダ８５１に連結された支持部材８５３は案内レール８５４に沿って矢印Y1およびY2で示す方向に移動可能に支持される。 The container support means 85 that supports the liquid resin container 73 includes a container holder 851 that supports the liquid resin container 73, and a processing feed mechanism that moves the container holder 851 in parallel with the holding surface that is the upper surface of the holding table 71. 852. The processing feed mechanism 852 includes a support member 853 coupled to the container holder 851, a guide rail 854 disposed on the side wall of the apparatus housing 81 and movably guiding the support member 853 in the directions indicated by arrows Y1 and Y2. The moving unit 855 moves the member 853 along the guide rail 854. The support member 853 includes an L-shaped connecting portion 853a whose upper end is connected to the container holder 851, and a support portion 853b extending horizontally from the lower end of the connecting portion 853a. A guided groove 853c that is slidably fitted to the guide rail 854 is formed. Accordingly, by fitting the guided groove 853c to the guide rail 854 so as to be slidable, the support member 853 coupled to the container holder 851 can be moved along the guide rail 854 in the directions indicated by the arrows Y1 and Y2. Supported.

上記加工送り機構８５２を構成する移動手段８５５は、装置ハウジング８１の前壁に配設されたパルスモータ８５５aと、該パルスモータ８５５aの駆動軸に装着された駆動ローラ８５５bと間隔を置いて装置ハウジング８１の側壁における後端部に配設された従動ローラ８５５cと、駆動ローラ８５５bと従動ローラ８５５cに巻回された無端ベルト８５５dとからなっており、無端ベルト８５５dが上記支持部材８５３の支持部８５３bに取付けられている。このように構成された移動手段８５５は、パルスモータ８５５aを正転駆動すると無端ベルト８５５dに取付けられた支持部材８５３が矢印Y1で示す方向に移動せしめられ、パルスモータ８５５aを逆転すると支持部材８５３が矢印Y2で示す方向に移動せしめられる。 The moving means 855 constituting the processing feed mechanism 852 is spaced apart from the pulse motor 855a disposed on the front wall of the apparatus housing 81 and the drive roller 855b mounted on the drive shaft of the pulse motor 855a. 81, a driven roller 855c disposed at the rear end of the side wall 81, a driving roller 855b, and an endless belt 855d wound around the driven roller 855c. The endless belt 855d is a support portion 853b of the support member 853. Installed on. The moving means 855 configured as described above moves the support member 853 attached to the endless belt 855d in the direction indicated by the arrow Y1 when the pulse motor 855a is driven forward, and moves the support member 853 when the pulse motor 855a is reversed. It is moved in the direction indicated by arrow Y2.

図５に示す液状樹脂の塗布装置７は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
上述したように裏面（被研削面）が研削加工された半導体ウエーハWは、液状樹脂の塗布装置７の保持テーブル７１の上面である保持面に載置される。保持テーブル７１上に載置された半導体ウエーハWは、図示しない吸引手段を作動することにより保持テーブル７１に吸引保持される。保持テーブル７１に半導体ウエーハWを吸引保持したならば、図６の(a)に示すように保持テーブル７１を矢印７１aで示す方向に例えば１００rpmの回転速度で回転し、図示しない圧縮空気供給手段を作動して例えば０．５Mpの圧縮空気を供給する。この結果、上述したように噴霧ノズル７４の液状樹脂噴霧口７４２dから液状樹脂１０が微細なミストとなって噴霧される。このようにして液状樹脂１０を噴霧するとともに、加工送り機構８５２の移動手段８５５のパルスモータ８５５aを正転駆動する。従って、上述したように噴霧ノズル７４が装着された液状樹脂収容容器７３を支持した容器ホルダ８５１に連結された支持部材８５３が図５および図６の(a)に示す待機位置から矢印Y1で示す方向に移動する。そして、容器ホルダ８５１に支持された液状樹脂収容容器７３に装着された噴霧ノズル７４の中心が保持テーブル７１に保持された半導体ウエーハWの中心より１０〜２０mm手前の位置に達したら、移動手段８５５のパルスモータ８５５aを逆転駆動することにより、噴霧ノズル７４を図５および図６に示す待機位置に戻し、図示しない圧縮空気供給手段からの圧縮空気の供給を停止して噴霧ノズル７４からの液状樹脂の噴霧を停止する（液状樹脂塗布工程）。この液状樹脂塗布工程における噴霧ノズル７４の移動速度も上述した実施形態と同様に、半導体ウエーハWの周速度が速い外周部領域では遅く、半導体ウエーハWの周速度が遅い中心領域においては速くすることが望ましく、例えば５〜１０mm／秒の範囲で制御する。この結果、保持された半導体ウエーハWの裏面である被加工面（上面）には、上述した実施形態と同様に液状樹脂が均一の厚みで塗布される。例えば、噴霧ノズル７４から噴出される液状樹脂の量を(Q)ミリリットル／秒、噴霧ノズル７４の移動速度を(V)mm／秒、噴霧ノズル７４の液状樹脂流出口７４２aが位置付けられている半導体ウエーハWの中心からの距離を(r)ｍｍ、保持テーブル７１の回転速度を(ω)ラジアン／秒とすると、Q／(V・r・ω)＝一定（例えば１０μm）となるように噴霧ノズル７４の移動速度を(V)と保持テーブル７１の回転速度を(ω)を制御すると、半導体ウエーハWの裏面である被加工面（上面）に一定の厚み（例えば１０μm）の樹脂を被覆することができる。なお、噴霧ノズル７４から噴出される液状樹脂の量(Q)および保持テーブル７１の回転速度(ω)を一定にして、噴霧ノズル７４の移動速度(V)だけを制御するようにしてもよい。 The liquid resin coating device 7 shown in FIG. 5 is configured as described above, and the operation thereof will be described below.
The semiconductor wafer W whose back surface (surface to be ground) has been ground as described above is placed on the holding surface, which is the upper surface of the holding table 71 of the liquid resin coating device 7. The semiconductor wafer W placed on the holding table 71 is sucked and held by the holding table 71 by operating suction means (not shown). If the semiconductor wafer W is sucked and held on the holding table 71, the holding table 71 is rotated at a rotational speed of, for example, 100 rpm in the direction shown by the arrow 71a as shown in FIG. Operates and supplies, for example, 0.5 Mp of compressed air. As a result, as described above, the liquid resin 10 is sprayed as fine mist from the liquid resin spray port 742d of the spray nozzle 74. In this way, the liquid resin 10 is sprayed and the pulse motor 855a of the moving means 855 of the processing feed mechanism 852 is driven to rotate forward. Therefore, as described above, the support member 853 connected to the container holder 851 that supports the liquid resin container 73 equipped with the spray nozzle 74 is indicated by the arrow Y1 from the standby position shown in FIG. 5 and FIG. Move in the direction. When the center of the spray nozzle 74 mounted on the liquid resin container 73 supported by the container holder 851 reaches a position 10 to 20 mm before the center of the semiconductor wafer W held on the holding table 71, the moving means 855. By rotating the pulse motor 855a in the reverse direction, the spray nozzle 74 is returned to the standby position shown in FIGS. 5 and 6, the supply of compressed air from the compressed air supply means (not shown) is stopped, and the liquid resin from the spray nozzle 74 is stopped. Spraying is stopped (liquid resin coating step). The moving speed of the spray nozzle 74 in this liquid resin coating step is also slow in the outer peripheral region where the peripheral speed of the semiconductor wafer W is fast, and fast in the central region where the peripheral speed of the semiconductor wafer W is slow, as in the above-described embodiment. For example, it is controlled in the range of 5 to 10 mm / second. As a result, the liquid resin is applied to the processed surface (upper surface), which is the back surface of the held semiconductor wafer W, with a uniform thickness as in the above-described embodiment. For example, the semiconductor in which the amount of liquid resin ejected from the spray nozzle 74 is (Q) milliliter / second, the moving speed of the spray nozzle 74 is (V) mm / second, and the liquid resin outlet 742a of the spray nozzle 74 is positioned. When the distance from the center of the wafer W is (r) mm and the rotation speed of the holding table 71 is (ω) radians / second, the spray nozzle is set so that Q / (V · r · ω) = constant (for example, 10 μm). When the moving speed of 74 is controlled by (V) and the rotational speed of holding table 71 is controlled by (ω), the surface to be processed (upper surface) of the semiconductor wafer W is coated with a resin having a certain thickness (for example, 10 μm). Can do. Note that the amount (Q) of the liquid resin ejected from the spray nozzle 74 and the rotation speed (ω) of the holding table 71 may be constant, and only the moving speed (V) of the spray nozzle 74 may be controlled.

なお、上述した実施形態においては、保持テーブル７１は直径が半導体ウエーハWの直径より小さく形成された例を示したが、半導体ウエーハW全体を保持できるように半導体ウエーハWより僅かに大きい直径を有していることが望ましい。 In the above-described embodiment, the holding table 71 has an example in which the diameter is smaller than the diameter of the semiconductor wafer W. However, the holding table 71 has a slightly larger diameter than the semiconductor wafer W so that the entire semiconductor wafer W can be held. It is desirable that

２：機体ハウジング
３：粗研削ユニット
３３：研削ホイール
４：仕上げ研削ユニット
４３：研削ホイール
５：ターンテーブル
６：チャックテーブル
７：液状樹脂の塗布装置
７１：保持テーブル
７２：液状樹脂塗布機構
７３：液状樹脂収容容器
７４：噴霧ノズル
７５：容器支持手段
７５１：容器ホルダ
７５２：加工送り機構
７６：液状樹脂固化手段
７６１：紫外線照射器
８２：液状樹脂塗布機構
８５：容器支持手段
８５１：容器ホルダ
８５２：加工送り機構
１１：カセット
１２：中心合わせ手段
１３：スピンナー洗浄手段
１４：被加工物搬送手段
１５：被加工物搬入手段
１６：被加工物搬出手段
W：半導体ウエーハ
T：保護テープ 2: Machine housing 3: Rough grinding unit 33: Grinding wheel 4: Finish grinding unit 43: Grinding wheel 5: Turntable 6: Chuck table 7: Liquid resin coating device 71: Holding table 72: Liquid resin coating mechanism 73: Liquid Resin container 74: Spray nozzle 75: Container support means 751: Container holder 752: Processing feed mechanism 76: Liquid resin solidification means 761: Ultraviolet irradiator 82: Liquid resin application mechanism 85: Container support means 851: Container holder 852: Processing Feed mechanism 11: Cassette 12: Centering means 13: Spinner cleaning means 14: Workpiece conveying means 15: Workpiece carrying means 16: Workpiece carrying means
W: Semiconductor wafer
T: Protective tape

Claims

ウエーハを保持する保持面を備え回転可能に構成された保持テーブルと、該保持テーブルに保持されたウエーハに液状樹脂を塗布する液状樹脂塗布機構とを具備する液状樹脂の塗布装置において、
該液状樹脂塗布機構は、液状樹脂を収容し下端に液状樹脂吐出口を備えた液状樹脂収容容器と、該液状樹脂収容容器の下端に接続された噴霧ノズルと、該液状樹脂収容容器を支持する容器支持手段とを具備し、
該噴霧ノズルは、該液状樹脂収容容器の液状樹脂吐出口と連通する通路を備えたノズル本体と、該ノズル本体の下側に設けられたノズル部とからなっており、
該ノズル部は、該通路に流入した液状樹脂を流出する液状樹脂流出口と、該液状樹脂流出口の下側に形成され該液状樹脂流出口から流出された液状樹脂と空気とを混合する混合室と、該混合室に開口し圧縮空気供給手段に連通する圧縮空気供給口と、該混合室の下側に設けられ該混合室によって圧縮空気と混合された液状樹脂を噴霧する液状樹脂噴霧口とを具備している、
ことを特徴とする液状樹脂の塗布装置。 In a liquid resin coating apparatus comprising: a holding table that includes a holding surface that holds a wafer and is configured to be rotatable; and a liquid resin coating mechanism that applies a liquid resin to a wafer held by the holding table.
The liquid resin application mechanism supports the liquid resin container, containing a liquid resin and having a liquid resin discharge port at the lower end, a spray nozzle connected to the lower end of the liquid resin container, and the liquid resin container Container support means,
The spray nozzle is composed of a nozzle body having a passage communicating with the liquid resin discharge port of the liquid resin container, and a nozzle portion provided on the lower side of the nozzle body,
The nozzle unit is configured to mix a liquid resin outlet that flows out the liquid resin flowing into the passage, and a liquid resin that is formed below the liquid resin outlet and flows out from the liquid resin outlet. A compressed air supply port that opens into the mixing chamber and communicates with the compressed air supply means, and a liquid resin spray port that is provided below the mixing chamber and sprays the liquid resin mixed with the compressed air by the mixing chamber And
An apparatus for applying a liquid resin.

該液状樹脂収容容器を支持する該容器支持手段は、該液状樹脂収容容器の下端に接続された該噴霧ノズルを該保持テーブルの保持面と平行に移動せしめる加工送り機構を備えている、請求項１記載の液状樹脂の塗布装置。 The container support means for supporting the liquid resin container includes a processing feed mechanism for moving the spray nozzle connected to the lower end of the liquid resin container in parallel with the holding surface of the holding table. The liquid resin coating apparatus according to 1.

該液状樹脂の塗布装置は、該保持テーブルに保持されたウエーハに塗布された液状樹脂を固化する液状樹脂固化器を備えている、請求項１又は２記載の液状樹脂の塗布装置。 The liquid resin coating apparatus according to claim 1, wherein the liquid resin coating apparatus includes a liquid resin solidifier that solidifies the liquid resin applied to the wafer held on the holding table.

ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する研削手段と、該研削手段によって研削された研削加工後のウエーハを洗浄する洗浄手段と、該洗浄手段によって洗浄された研削加工後のウエーハの被研削面に液状樹脂を塗布する液状樹脂の塗布装置と、を具備する研削機において、
該液状樹脂の塗布装置は、ウエーハを保持する保持面を備え回転可能に構成された保持テーブルと、該保持テーブルに保持されたウエーハに液状樹脂を塗布する液状樹脂塗布機構とを具備し、
該液状樹脂塗布機構は、液状樹脂を収容し下端に液状樹脂吐出口を備えた液状樹脂収容容器と、該液状樹脂収容容器の下端に接続された噴霧ノズルと、該液状樹脂収容容器を支持する容器支持手段とを具備しており、
該噴霧ノズルは、該液状樹脂収容容器の液状樹脂吐出口と連通する通路を備えたノズル本体と、該ノズル本体の下側に設けられたノズル部とからなり、
該ノズル部は、該通路に流入した液状樹脂を流出する液状樹脂流出口と、該液状樹脂流出口の下側に形成され該液状樹脂流出口から流出された液状樹脂と空気とを混合する混合室と、該混合室に開口し圧縮空気供給手段に連通する圧縮空気供給口と、該混合室の下側に設けられ該混合室によって圧縮空気と混合された液状樹脂を噴霧する液状樹脂噴霧口とを具備している、
ことを特徴とする研削機。 A chuck table for holding a wafer, a grinding means for grinding a wafer held by the chuck table, a cleaning means for cleaning a wafer ground by the grinding means, and a grinding cleaned by the cleaning means In a grinding machine comprising a liquid resin coating device for coating a liquid resin on a surface to be ground of a processed wafer,
The liquid resin coating apparatus includes a holding table configured to be rotatable with a holding surface that holds a wafer, and a liquid resin coating mechanism that applies the liquid resin to the wafer held on the holding table.
The liquid resin application mechanism supports the liquid resin container, containing a liquid resin and having a liquid resin discharge port at the lower end, a spray nozzle connected to the lower end of the liquid resin container, and the liquid resin container Container support means,
The spray nozzle comprises a nozzle body provided with a passage communicating with the liquid resin discharge port of the liquid resin container, and a nozzle portion provided on the lower side of the nozzle body,
The nozzle unit is configured to mix a liquid resin outlet that flows out the liquid resin flowing into the passage, and a liquid resin that is formed below the liquid resin outlet and flows out from the liquid resin outlet. A compressed air supply port that opens into the mixing chamber and communicates with the compressed air supply means, and a liquid resin spray port that is provided below the mixing chamber and sprays the liquid resin mixed with the compressed air by the mixing chamber And
A grinding machine characterized by that.