JPH09234664A - Top ring of polishing device and cleaning device of work to be polished - Google Patents

Top ring of polishing device and cleaning device of work to be polished

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JPH09234664A
JPH09234664A JP6925996A JP6925996A JPH09234664A JP H09234664 A JPH09234664 A JP H09234664A JP 6925996 A JP6925996 A JP 6925996A JP 6925996 A JP6925996 A JP 6925996A JP H09234664 A JPH09234664 A JP H09234664A
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top ring
polishing
cleaning
semiconductor wafer
pusher
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Tetsuji Togawa
哲二 戸川
Kuniaki Yamaguchi
都章 山口
Toshiichirou Kojima
俊市朗 兒嶋
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide top ring of a polishing device and a device for cleaning a work to be polished in which the top ring and the work to be polished are simultaneously cleaned, ant its productivity can be improved. SOLUTION: A pusher 10 is installed at a position where a work 100 to be polished is delivered to a top ring 75 to suck and hold the work 100 to be polished on its lower surface. The pusher 10 delivers the work 100 to be polished between the pusher and the top ring 75 at the position where its loading part 11 is elevated and brought close to the top ring 75. Cleaning nozzles 31, 33, 35 are installed at three positions to clean an upper surface and a lower surface of the work 100 and a lower surface 76 of the top ring 75 in a condition where the polished work 1 is delivered to the loading part 11 of the pusher 10 from the top ring 75 and the loading part is lowered. The cleaning solution is approximately simultaneously sprayed from the cleaning nozzles 31, 33, 35.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はポリッシング装置の
トップリングとポリッシング対象物を洗浄するのに好適
な洗浄装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cleaning apparatus suitable for cleaning a top ring of a polishing apparatus and an object to be polished.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体ウエハの製造工程において
は、半導体ウエハ表面を平坦且つ鏡面化するためにポリ
ッシング装置が使用されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a process of manufacturing a semiconductor wafer, a polishing apparatus has been used to make the surface of the semiconductor wafer flat and mirror-finished.

【0003】この種のポリッシング装置は、各々独立し
た回転数で回転するターンテーブルとトップリングとを
有し、トップリングが保持した半導体ウエハの表面をタ
ーンテーブル上に設けた研磨面に接触して砥液を供給し
ながらこれを研磨する。
This type of polishing apparatus has a turntable and a top ring, each of which rotates at an independent number of revolutions. The surface of a semiconductor wafer held by the top ring is brought into contact with a polishing surface provided on the turntable. This is polished while supplying a polishing liquid.

【0004】ところで研磨後の半導体ウエハには砥液や
研磨粉等が付着しており、また研磨後のトップリングに
も半導体ウエハを保持することによる汚れや砥液等が付
着しているため、これを洗浄する必要がある。
By the way, since the polishing liquid or polishing powder adheres to the semiconductor wafer after polishing, and the dirt or the polishing liquid due to holding the semiconductor wafer also adheres to the top ring after polishing, It needs to be washed.

【0005】一方このトップリングへの半導体ウエハの
受け渡し、つまり研磨前の半導体ウエハをトップリング
に渡したり、研磨後の半導体ウエハをトップリングから
受け取ったりすることは、ロボットのハンドによって直
接行なわれていた。
On the other hand, the delivery of the semiconductor wafer to the top ring, that is, the delivery of the semiconductor wafer before polishing to the top ring and the delivery of the semiconductor wafer after polishing from the top ring are directly performed by the hand of the robot. It was

【0006】このため研磨終了後のトップリングと半導
体ウエハの洗浄は、以下のステップ(1)→(2)→
(3)→(4)の順で行なわれていた。
Therefore, the cleaning of the top ring and the semiconductor wafer after completion of polishing is performed in the following steps (1) → (2) →
The procedure was (3) → (4).

【0007】(1)半導体ウエハをトップリングに保持
した状態で、半導体ウエハの研磨面に洗浄ノズルから洗
浄液を噴射して洗浄する。
(1) With the semiconductor wafer held on the top ring, a cleaning liquid is sprayed from the cleaning nozzle onto the polished surface of the semiconductor wafer to clean it.

【0008】(2)次に半導体ウエハをトップリングか
らロボットに渡す。
(2) Next, the semiconductor wafer is transferred from the top ring to the robot.

【0009】(3)次にトップリングの下面(半導体ウ
エハ保持面)にノズルから洗浄液を噴射して洗浄する。
(3) Next, a cleaning liquid is sprayed from the nozzle onto the lower surface (semiconductor wafer holding surface) of the top ring for cleaning.

【0010】(4)トップリングにロボットのハンドか
ら研磨前の次の半導体ウエハを渡す。
(4) The next semiconductor wafer before polishing is transferred to the top ring from the hand of the robot.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながらこの従来
の洗浄方法の場合、洗浄の回数がステップ(1)とステ
ップ(3)の2回行なわれるため、洗浄時間が長くかか
ってしまい、研磨効率の向上が図れないという問題点が
あった。
However, in the case of this conventional cleaning method, since the cleaning is performed twice, step (1) and step (3), the cleaning time is long and the polishing efficiency is improved. There was a problem that could not be achieved.

【0012】本発明は上述の点に鑑みてなされたもので
ありその目的は、トップリングとポリッシング対象物の
洗浄が効率的に行なえ、その生産性が向上できるポリッ
シング装置のトップリングとポリッシング対象物洗浄装
置を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above points, and an object thereof is to efficiently wash a top ring and an object to be polished and to improve productivity thereof. It is to provide a cleaning device.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め本発明は、ポリッシング対象物をその下面に保持する
トップリングと、該トップリングに保持したポリッシン
グ対象物の表面を研磨する研磨面を有するターンテーブ
ルと、トップリングへポリッシング対象物を受け渡しす
る位置に設置され、その上部の載置部が上昇して前記ト
ップリングに接近した位置で該トップリングとの間でポ
リッシング対象物の受け渡しを行なうプッシャーとを具
備してなるポリッシング装置において、前記プッシャー
の載置部が研磨後のポリッシング対象物をトップリング
から渡された後に前記ポリッシング対象物の上面と下面
及びトップリングの下面を洗浄する3つの位置に、それ
ぞれ洗浄ノズルを設置することとした。
In order to solve the above problems, the present invention provides a top ring for holding a polishing object on its lower surface and a polishing surface for polishing the surface of the polishing object held by the top ring. The polishing table is installed at a position for delivering the polishing object to the top ring, and the placing portion on the top of the turn table is raised to approach the top ring to deliver the polishing object to and from the top ring. In a polishing apparatus including a pusher for performing, a mounting portion of the pusher passes a polished polishing object from a top ring and then cleans an upper surface and a lower surface of the polishing object and a lower surface of the top ring. It was decided to install a cleaning nozzle at each of the four positions.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて詳細に説明する。ここでまず本発明を適用する
ポリッシング装置全体の構造について簡単に説明する。
図5は該ポリッシング装置及びその横に設置する搬送・
洗浄装置を示す概略平面図である。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. First, the structure of the entire polishing apparatus to which the present invention is applied will be briefly described.
FIG. 5 shows the polishing device and a conveyance / installation beside it.
It is a schematic plan view showing a cleaning device.

【0015】同図に示すようにポリッシング装置70
は、ターンテーブル73の両側にトップリング75を取
り付けたポリッシングユニット77と、ドレッシングリ
ング79を取り付けたドレッシングユニット81とを配
置し、さらにポリッシングユニット77の横に、本発明
にかかる洗浄装置を取り付けたプッシャー10を配置し
て構成されている。
As shown in FIG.
Includes a polishing unit 77 having a top ring 75 attached to both sides of a turntable 73, and a dressing unit 81 having a dressing ring 79 attached thereto, and the cleaning device according to the present invention is attached to the side of the polishing unit 77. The pusher 10 is arranged.

【0016】一方搬送・洗浄装置90は、その内部に、
矢印C方向に移動可能な2台のワーク搬送ロボット9
1,93と、1次・2次洗浄機95,97と、スピン乾
燥機(又は洗浄機能付スピン乾燥機)99と、2つのワ
ーク反転機101,103とを設置して構成されてい
る。
On the other hand, the transport / cleaning device 90 has
Two work transfer robots 9 that can move in the direction of arrow C
1, 93, a primary / secondary cleaning machine 95, 97, a spin dryer (or a spin dryer with a cleaning function) 99, and two work reversing machines 101, 103 are installed.

【0017】そして例えば研磨前の半導体ウエハを収納
したカセット105が図5に示す位置にセットされる
と、ワーク搬送ロボット93が該カセット105から1
枚の半導体ウエハを取り出してワーク反転機103に受
け渡し反転された後、ワーク搬送ロボット91がプッシ
ャー10上に載置する。
Then, for example, when the cassette 105 containing the semiconductor wafer before polishing is set to the position shown in FIG.
After the semiconductor wafers are taken out and transferred to the work reversing machine 103 to be reversed, the work transfer robot 91 is placed on the pusher 10.

【0018】次にポリッシングユニット77のトップリ
ング75が一点鎖線で示すように回動してプッシャー1
0の真上に移動する。
Next, the top ring 75 of the polishing unit 77 is rotated as shown by the alternate long and short dash line to rotate the pusher 1
Move right above 0.

【0019】そしてプッシャー10上の半導体ウエハ
は、上方に押し上げられてトップリング75の下面に接
近し、真空吸着によって該トップリング75に半導体ウ
エハが吸着され、保持される。
The semiconductor wafer on the pusher 10 is pushed upward to approach the lower surface of the top ring 75, and the semiconductor wafer is attracted and held by the top ring 75 by vacuum suction.

【0020】次にトップリング75はターンテーブル7
3上に移動して半導体ウエハをターンテーブル73表面
の研磨面に圧接し、各々独立に回転するターンテーブル
73とトップリング75によって該半導体ウエハの表面
を研磨し、その後再びトップリング75はプッシャー1
0の真上に移動し、半導体ウエハの真空吸着を解除する
ことで研磨後の半導体ウエハがプッシャー10上に渡さ
れる。このとき下記する本発明にかかる洗浄装置が半導
体ウエハの上下面とトップリング75の下面を洗浄す
る。
Next, the top ring 75 is the turntable 7
3, the semiconductor wafer is pressed against the polishing surface of the surface of the turntable 73, and the surface of the semiconductor wafer is polished by the turntable 73 and the top ring 75 which rotate independently of each other.
The semiconductor wafer after polishing is transferred onto the pusher 10 by moving to a position directly above 0 and releasing the vacuum suction of the semiconductor wafer. At this time, the cleaning apparatus according to the present invention described below cleans the upper and lower surfaces of the semiconductor wafer and the lower surface of the top ring 75.

【0021】プッシャー10上で洗浄された後の半導体
ウエハは、ワーク搬送ロボット91によってワーク反転
機101に受け渡されて反転された後に、1次・2次洗
浄機95,97で洗浄され、スピン乾燥機99でスピン
乾燥され、カセット105に戻される。
The semiconductor wafer after being cleaned on the pusher 10 is transferred by the work transfer robot 91 to the work reversing machine 101 and reversed, and then cleaned by the primary / secondary cleaning machines 95 and 97 to spin. It is spin dried by the dryer 99 and returned to the cassette 105.

【0022】ここで図1は本発明にかかる洗浄装置を取
り付けたプッシャー10とトップリング75とを示す概
略側面図である。
FIG. 1 is a schematic side view showing the pusher 10 and the top ring 75 to which the cleaning device according to the present invention is attached.

【0023】同図に示すようにプッシャー10は、半導
体ウエハ100を載置する載置部11と、駆動部13と
を有しており、載置部11は駆動部13内から突出する
ロッド15によって上下動自在に支持されている。なお
図1では載置部11上に半導体ウエハ100が載置さ
れ、且つ該載置部11が下降した状態を示している。
As shown in the figure, the pusher 10 has a mounting portion 11 on which the semiconductor wafer 100 is mounted, and a driving portion 13. The mounting portion 11 projects from the inside of the driving portion 13 by a rod 15. It is supported by the vertical movement. Note that FIG. 1 shows a state in which the semiconductor wafer 100 is mounted on the mounting portion 11 and the mounting portion 11 is lowered.

【0024】ここで図2は前記プッシャー10の載置部
11のみを上側から見た平面図、図3は図2のA−A断
面図である。
FIG. 2 is a plan view of only the mounting portion 11 of the pusher 10 seen from above, and FIG. 3 is a sectional view taken along the line AA of FIG.

【0025】図1〜図3に示すように載置部11は、円
板状の基部21の上面外周に、円筒状であってその両側
に切欠き23,23を設けることで2つに分割されてな
るウエハ保持部25,25を設けて構成されている。こ
の切欠き23,23は前記ワーク搬送ロボット91のハ
ンドを挿入して半導体ウエハを受け渡しするために設け
られている。
As shown in FIGS. 1 to 3, the mounting portion 11 is divided into two by providing notches 23 and 23 on both sides of the cylindrical shape on the outer periphery of the upper surface of a disk-shaped base portion 21. The wafer holding portions 25, 25 are provided. The notches 23, 23 are provided for inserting the hand of the work transfer robot 91 and transferring the semiconductor wafer.

【0026】なお実際にはこれらウエハ保持部25,2
5には、これらウエハ保持部25,25の上に半導体ウ
エハを載置した際に該半導体ウエハをガイドして位置決
めするガイド機構が設けられているが、本願発明の要旨
ではないのでその記載を省略している。
Actually, these wafer holders 25, 2
5 is provided with a guide mechanism for guiding and positioning the semiconductor wafer when the semiconductor wafer is placed on these wafer holding portions 25, 25, but the description is omitted because it is not the gist of the present invention. Omitted.

【0027】図1に戻って、このプッシャー10の周囲
に設けたポリッシャーパン30には、3つの洗浄ノズル
31,33,35が取り付けられている。なお29はプ
ッシャーパン、28は飛散防止カバーである。
Returning to FIG. 1, three cleaning nozzles 31, 33 and 35 are attached to the polisher pan 30 provided around the pusher 10. Reference numeral 29 is a pusher pan, and 28 is a shatterproof cover.

【0028】ここで洗浄ノズル31は、下降した載置部
11の側部に位置するように設置されており、且つ洗浄
液が斜め上方であって載置部11の切欠き23内に噴出
されるように設置されている。なおノズル31aの数は
5個で横一列に配置されている。
Here, the cleaning nozzle 31 is installed so as to be positioned on the side of the lowered mounting portion 11, and the cleaning liquid is jetted obliquely upward into the notch 23 of the mounting portion 11. Is installed as. The number of nozzles 31a is 5, and the nozzles 31a are arranged in a horizontal row.

【0029】一方洗浄ノズル33は、下降した載置部1
1とトップリング75の間に位置するように設置されて
おり、且つ洗浄液が斜め下方であって載置部11の上に
噴出されるように設置されている。なおノズル33aの
数は4個で横一列に配置されている。
On the other hand, the cleaning nozzle 33 is installed in the lowered mounting portion 1.
1 and the top ring 75, and is installed so that the cleaning liquid is jetted obliquely downward and onto the mounting portion 11. The number of nozzles 33a is four and they are arranged in a horizontal row.

【0030】さらに洗浄ノズル35は、洗浄ノズル33
の真上に設置されており、且つ洗浄液が斜め上方であっ
てトップリング75の下面、即ち半導体ウエハ吸着面7
6に噴出されるように設置されている。なおノズル35
aの数は2個で横一列に配置されている。
Further, the cleaning nozzle 35 is the cleaning nozzle 33.
Of the cleaning liquid is obliquely above and the lower surface of the top ring 75, that is, the semiconductor wafer suction surface 7
It is installed so that it will be jetted at No. 6. The nozzle 35
The number of a is two and they are arranged in a horizontal row.

【0031】図6は上記洗浄ノズル31を示す斜視図で
ある。同図に示すように洗浄ノズル31は、5つのノズ
ル31aを取り付けたノズルヘッター31bの両端を2
つずつの固定部材31c,31cを用いてボルト31
d,31dで締め付けることによって取り付けられてい
る。従ってノズルヘッター31b自体は角度が自由に調
整でき、最適な洗浄角度に設定することが可能となって
いる。他の洗浄ノズル33,35の取り付け構造も同様
である。
FIG. 6 is a perspective view showing the cleaning nozzle 31. As shown in the figure, the cleaning nozzle 31 has two ends of a nozzle head 31b to which five nozzles 31a are attached.
Bolts 31 using the fixing members 31c and 31c
It is attached by tightening with d and 31d. Therefore, the angle of the nozzle head 31b itself can be freely adjusted, and the optimum cleaning angle can be set. The attachment structure of the other cleaning nozzles 33 and 35 is also the same.

【0032】次にこの洗浄装置の動作をプッシャー10
の動作と共に説明する。図4(a),(b)は研磨後の
半導体ウエハ100をトップリング75からプッシャー
10に渡す際の動作を示す動作説明図である。即ち図4
(a)に示すように研磨後の半導体ウエハ100を真空
吸着によって保持するトップリング75がプッシャー1
0の真上に移動すると、図4(b)に示すように、プッ
シャー10の駆動部13が駆動されて載置部11が上昇
してトップリング75に接近し、この状態でトップリン
グ75による半導体ウエハ100の真空吸着が解除され
て該半導体ウエハ100が載置部11上に渡される。
Next, the operation of the cleaning device will be described with reference to the pusher 10
The operation will be described together with the operation. FIGS. 4A and 4B are operation explanatory views showing an operation when the semiconductor wafer 100 after polishing is transferred from the top ring 75 to the pusher 10. That is, FIG.
As shown in (a), the top ring 75 that holds the semiconductor wafer 100 after polishing by vacuum suction is the pusher 1.
When it is moved right above 0, as shown in FIG. 4B, the drive unit 13 of the pusher 10 is driven and the mounting unit 11 moves up to approach the top ring 75. The vacuum suction of the semiconductor wafer 100 is released, and the semiconductor wafer 100 is transferred onto the mounting portion 11.

【0033】次に駆動部13を駆動して載置部11を下
降して図1に示す位置に戻し、この状態で3つの洗浄ノ
ズル31,33,35から洗浄液(主に純水)を同時に
噴射する。これによって、半導体ウエハ100の上下面
とトップリング75の下面が同時に洗浄できる。
Next, the drive unit 13 is driven to lower the placing unit 11 to the position shown in FIG. 1, and in this state, the cleaning liquid (mainly pure water) is simultaneously supplied from the three cleaning nozzles 31, 33 and 35. To jet. Thereby, the upper and lower surfaces of the semiconductor wafer 100 and the lower surface of the top ring 75 can be cleaned at the same time.

【0034】具体的に言えば、洗浄ノズル31から噴射
される洗浄液は載置部11の切欠き23内に噴出されて
半導体ウエハ100の下面、即ち研磨面を洗浄し、洗浄
ノズル33から噴射される洗浄液は半導体ウエハ100
の上面を洗浄し、洗浄ノズル35から噴射される洗浄液
はトップリング75の下面、即ち半導体ウエハ吸着面7
6を洗浄し、これによってこれら各面に付着している砥
液や研磨粉等が全て除去される。なおこの洗浄の際に載
置部11自体も洗浄される。
Specifically, the cleaning liquid sprayed from the cleaning nozzle 31 is sprayed into the notch 23 of the mounting portion 11 to clean the lower surface of the semiconductor wafer 100, that is, the polishing surface, and is sprayed from the cleaning nozzle 33. The cleaning liquid is semiconductor wafer 100
Of the top ring 75, that is, the semiconductor wafer suction surface 7 is cleaned by the cleaning liquid sprayed from the cleaning nozzle 35.
6 is washed, whereby all the abrasive liquid, polishing powder, etc. adhering to these surfaces are removed. Note that the mounting portion 11 itself is also washed during this washing.

【0035】なお前記各洗浄ノズル31,33,35に
よる洗浄液の噴射は同時に開始されるが、その噴射時間
は、洗浄ノズル31と洗浄ノズル33は13秒、洗浄ノ
ズル35は10秒とし、トップリング75下面から半導
体ウエハ100の上に付着物が落ちたとしても、半導体
ウエハ100を長く洗浄噴射することにより、半導体ウ
エハ100に残留物が残らないようにしている。但しこ
れら各洗浄ノズル31,33,35の洗浄液噴射時間と
噴射開始タイミングは別の時間、タイミングとしても良
い。
The injection of the cleaning liquid by each of the cleaning nozzles 31, 33 and 35 is started at the same time. The injection time is 13 seconds for the cleaning nozzles 31 and 33, 10 seconds for the cleaning nozzle 35, and the top ring is used. Even if the deposits fall from the bottom surface of the semiconductor wafer 100 onto the semiconductor wafer 100, the semiconductor wafer 100 is sprayed for a long time so that no residue remains on the semiconductor wafer 100. However, the cleaning liquid injection time and the injection start timing of these cleaning nozzles 31, 33, and 35 may be different times and timings.

【0036】以上のようにして洗浄された半導体ウエハ
100はワーク搬送ロボット91(図5参照)に渡さ
れ、載置部11上には改めてワーク搬送ロボット91に
よって研磨前の次の半導体ウエハ100が載置される。
The semiconductor wafer 100 cleaned as described above is transferred to the work transfer robot 91 (see FIG. 5), and the next semiconductor wafer 100 before polishing is again placed on the mounting portion 11 by the work transfer robot 91. Placed.

【0037】[0037]

【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、ポリッシング対象物の上面と下面の洗浄とトップリ
ングの下面の洗浄を1回の工程で行なうことができるの
で、洗浄時間を短くでき、研磨効率の向上が図れ、生産
性の向上が図れるという優れた効果を有する。
As described above in detail, according to the present invention, the cleaning of the upper and lower surfaces of the object to be polished and the cleaning of the lower surface of the top ring can be carried out in one step, so that the cleaning time can be shortened. It has an excellent effect that polishing efficiency can be improved and productivity can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明にかかる洗浄装置を取り付けたプッシャ
ー10とトップリング75とを示す概略側面図である。
FIG. 1 is a schematic side view showing a pusher 10 and a top ring 75 to which a cleaning device according to the present invention is attached.

【図2】プッシャー10の載置部11のみを上側から見
た平面図である。
FIG. 2 is a plan view of only the mounting portion 11 of the pusher 10 as viewed from above.

【図3】図2のA−A断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along line AA of FIG. 2;

【図4】研磨後の半導体ウエハ100をトップリング7
5からプッシャー10に渡す際の動作を示す動作説明図
である。
FIG. 4 is a top ring 7 showing the semiconductor wafer 100 after polishing.
It is an operation explanatory view showing an operation when passing from 5 to the pusher 10.

【図5】ポリッシング装置と搬送・洗浄装置を示す概略
平面図である。
FIG. 5 is a schematic plan view showing a polishing device and a carrying / cleaning device.

【図6】洗浄ノズル31を示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing a cleaning nozzle 31.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 プッシャー 11 載置部 31,33,35 洗浄ノズル 70 ポリッシング装置 73 ターンテーブル 75 トップリング 100 半導体ウエハ(ポリッシング対象物) 10 Pusher 11 Placement Part 31, 33, 35 Cleaning Nozzle 70 Polishing Device 73 Turntable 75 Top Ring 100 Semiconductor Wafer (Object to be Polished)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ポリッシング対象物をその下面に保持す
るトップリングと、 該トップリングに保持したポリッシング対象物の表面を
研磨する研磨面を有するターンテーブルと、 トップリングへポリッシング対象物を受け渡しする位置
に設置され、その上部の載置部が上昇して前記トップリ
ングに接近した位置で該トップリングとの間でポリッシ
ング対象物の受け渡しを行なうプッシャーとを具備して
なるポリッシング装置において、 前記プッシャーの載置部が研磨後のポリッシング対象物
をトップリングから渡された後に前記ポリッシング対象
物の上面と下面及びトップリングの下面を洗浄する3つ
の位置に、それぞれ洗浄ノズルを設置したことを特徴と
するポリッシング装置のトップリングとポリッシング対
象物洗浄装置。
1. A top ring for holding a polishing target object on its lower surface, a turntable having a polishing surface for polishing the surface of the polishing target object held by the top ring, and a position for delivering the polishing target object to the top ring. And a pusher for transferring a polishing object to and from the top ring at a position close to the top ring when a mounting portion above the pusher is installed in the polishing apparatus. It is characterized in that cleaning nozzles are respectively installed at three positions for cleaning the upper surface and the lower surface of the polishing object and the lower surface of the top ring after the polishing part has passed the polishing object after polishing from the top ring. Top ring of polishing device and polishing target cleaning device.
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