JP2016006872A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (8)

1. 基板上の第１の酸化物半導体と、
   前記第１の酸化物半導体上の第２の酸化物半導体と、
   前記第２の酸化物半導体上の第１の導電体及び第２の導電体と、
   前記第１の導電体上、前記第２の導電体上、及び前記第２の酸化物半導体上の第１の絶縁体と、
   前記第１の絶縁体を介して、前記第２の酸化物半導体上に重なる領域を有する第３の導電体と、を有し、
   前記第２の酸化物半導体は、第１の層と、前記第１の層上の第２の層と、を有し、
   前記第１の層は、前記第１の酸化物半導体と接する領域を有し、
   前記第２の層は、前記第１の絶縁体と接する領域を有し、
   前記第１の層は、前記第２の層よりも酸素欠損の割合が低いことを特徴とする半導体装置。
2. 基板上の第１の酸化物半導体と、
   前記第１の酸化物半導体上の第２の酸化物半導体と、
   前記第２の酸化物半導体上の第１の導電体及び第２の導電体と、
   前記第１の導電体上、前記第２の導電体上、及び前記第２の酸化物半導体上の第１の絶縁体と、
   前記第１の絶縁体を介して、前記第２の酸化物半導体上に重なる領域を有する第３の導電体と、を有し、
   前記第２の酸化物半導体は、第１の層と、前記第１の層上の第２の層と、を有し、
   前記第１の層は、前記第１の酸化物半導体と接する領域を有し、
   前記第２の層は、前記第１の絶縁体と接する領域を有し、
   前記第２の層は、前記第１の層よりもキャリア濃度が高いことを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記基板と、前記第１の酸化物半導体との間に第２の絶縁体を有し、
   前記第２の絶縁体は、前記第１の酸化物半導体と接する第１の領域と、前記第１の酸化物半導体と接しない第２の領域と、を有し、
   前記第１の領域における前記第２の絶縁体の厚さは、前記第２の領域における前記第２の絶縁体の厚さより大きいことを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第２の酸化物半導体と、前記第１の絶縁体との間に第３の酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記第２の層は、前記第１の絶縁体と重なる第３の領域と、前記第１の導電体と重なる第４の領域と、前記第２の導電体と重なる第５の領域と、を有し、
   前記第３の領域の厚さは、前記第４の領域の厚さよりも小さく、かつ前記第５の領域の厚さよりも小さいことを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   前記第１の導電体と、前記第１の絶縁体との間に第３の絶縁体を有することを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
   前記第２の酸化物半導体のチャネル幅方向に置いて、前記第３の導電体は、前記第２の酸化物半導体の側面と面する領域を有することを特徴とする半導体装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
   前記第２の酸化物半導体は、インジウム、元素Ｍ（元素Ｍはアルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズ）と、亜鉛と、を有する酸化物であることを特徴とする半導体装置。